JP6652025B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6652025B2
JP6652025B2 JP2016191474A JP2016191474A JP6652025B2 JP 6652025 B2 JP6652025 B2 JP 6652025B2 JP 2016191474 A JP2016191474 A JP 2016191474A JP 2016191474 A JP2016191474 A JP 2016191474A JP 6652025 B2 JP6652025 B2 JP 6652025B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
transparent resin
phosphor
region
emitting elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016191474A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018056360A (ja
Inventor
朋弘 三輪
朋弘 三輪
加藤　大典
大典 加藤
重郎 武田
重郎 武田
下西　正太
正太 下西
加藤　英昭
英昭 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2016191474A priority Critical patent/JP6652025B2/ja
Priority to US15/648,815 priority patent/US10468390B2/en
Publication of JP2018056360A publication Critical patent/JP2018056360A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6652025B2 publication Critical patent/JP6652025B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
従来、高密度で配置された複数の発光素子が、異なる蛍光体を含む第１の封止部材と第２の封止部材に覆われ、第１の封止部材と第２の封止部材が市松模様を構成するように配置された発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記の特許文献１の発光装置によれば、レンズ又はリフレクタ等の２次光学系を使用することにより、照射像が発光領域をその中心を軸に回転する場合の色むらを少なくすることができるとされている。
特許第５８９５５９７号公報
上記の特許文献１の発光装置においては、発光素子間の隙間に第１の封止部材が埋め込まれている。この隙間に埋め込まれた第１の封止部材に進入した光は、この隙間に埋め込まれた第１の封止部材内で反射を繰り返した後、外部へ取り出される。
このため、この隙間に埋め込まれた第１の封止部材内の光路は、発光素子上の第１の封止部材又は第２の封止部材内の光路よりも長くなる。その結果、発光素子同士の隙間から発せられる蛍光の量が特に多くなり、格子状の色むらとして観察される。また、このような問題は、発光素子間の隙間が狭くなるほど顕著になる。
本発明の目的は、複数の発光素子が高密度に配置される場合であっても色むらが少ない発光装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［５］の発光装置、及び下記［６］〜［１０］の発光装置の製造方法を提供する。
［１］基板と、前記基板上に設置された複数の発光素子と、前記複数の発光素子の隙間に埋め込まれた透明樹脂と、前記複数の発光素子及び前記透明樹脂上に形成された蛍光体含有樹脂層と、を有する、発光装置。
［２］前記蛍光体含有樹脂層が、蛍光色の異なる複数種の領域を有する、上記［１］に記載の発光装置。
［３］前記蛍光体含有樹脂層が、蛍光色の異なる第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域と前記第２の領域が市松模様を構成するように分布している、上記［２］に記載の発光装置。
［４］前記蛍光体含有樹脂層の前記蛍光色の異なる複数種の領域の境界が前記透明樹脂上に位置する、上記［２］又は［３］に記載の発光装置。
［５］前記透明樹脂の最上部の位置が前記複数の発光素子の上面よりも高い、上記［４］に記載の発光装置。
［６］基板上に設置された複数の発光素子の隙間に透明樹脂を埋め込む工程と、
前記複数の発光素子及び前記透明樹脂上に蛍光体含有樹脂層を形成する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
［７］前記蛍光体含有樹脂層が、蛍光色の異なる複数種の領域を有する、上記［６］に記載の発光装置の製造方法。
［８］前記蛍光色の異なる複数種の領域の境界が前記透明樹脂上に位置するように前記蛍光体含有樹脂層を形成する、上記［７］に記載の発光装置の製造方法。
［９］最上部の位置が前記複数の発光素子の上面よりも高くなるように前記透明樹脂を形成する、上記［８］に記載の発光装置の製造方法。
［１０］前記透明樹脂及び前記蛍光体含有樹脂層をスクリーン印刷により形成する、上記［６］〜［９］のいずれか１項に記載された発光装置の製造方法。
本発明によれば、複数の発光素子が高密度に配置される場合であっても色むらが少ない発光装置及びその製造方法を提供することができる。
図１（ａ）は、実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）を部分的に拡大した図である。 図２（ａ）は、実施の形態に係る発光装置の上面図である。図２（ｂ）は、蛍光体含有樹脂層を形成する前の発光装置の上面図である。 図３（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す垂直断面図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。
〔実施の形態〕
（発光素子の構成）
図１（ａ）は、実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）を部分的に拡大した図である。
発光装置１は、基板１０と、基板１０上に設置された複数の発光素子１１と、複数の発光素子１１の隙間に埋め込まれた透明樹脂１５と、複数の発光素子１１及び透明樹脂１５上に形成された蛍光体含有樹脂層１６と、を有する。
基板１０は、例えば、Ａｌ２Ｏ３基板、ＡｌＮ基板等のセラミック基板、表面が絶縁膜で覆われたＡｌ基板やＣｕ基板等の金属基板、又はガラスエポキシ基板であり、その表面にＣｕ等からなる配線１３、裏面にＣｕ等からなるパッド電極１４を有する。配線１３とパッド電極１４は、基板１０をその厚さ方向に貫通するビア等を介して電気的に接続される。
発光素子１１は、例えば、ＬＥＤチップ又はレーザーダイオードチップであり、透明な素子基板と、発光層を含む積層結晶層とを有する。また、発光素子１１は、フリップチップ型等のフェイスダウン型の素子である。
発光素子１１の電極１２は、基板１０の表面の配線１３に接続され、パッド電極１４及び配線１３を介して外部から電源が供給される。
複数の発光素子１１の個数や配置は特に限定されないが、高密度に配置される。ここで、高密度とは、例えば、発光素子１１間の隙間（隣接する発光素子１１の隙間）の幅Ｗが２００μｍ以下であることをいう。
発光素子１１が高密度で配置されることにより、発光装置１が発光色の異なる複数種の発光領域を有する場合の色むらを低減することができる。発光装置１が発光色の異なる複数種の発光領域を有する場合とは、例えば、蛍光体含有樹脂層１６が蛍光色の異なる複数種の領域を有する場合や、複数の発光素子１１が発光色の異なる複数種の発光素子からなる場合である。なお、複数の発光素子１１が発光色の異なる複数種の発光素子からなる場合、発光素子の種類ごとに独立して電源を供給して、独立して発光強度を制御可能にすることにより、発光装置１に調光機能を付与することができる。
透明樹脂１５は、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂であり、蛍光体を含まない。
透明樹脂１５が蛍光体を含む場合、上述のように、透明樹脂１５に進入した光の透明樹脂１５内の光路が長くなるため、透明樹脂１５から発せられる蛍光の量が蛍光体含有樹脂層１６から発せられる蛍光の量よりも多くなり、発光装置１の発光に色むらが生じる。このため、透明樹脂１５に蛍光体を含めないことにより、色むらを低減することができる。
この透明樹脂１５が蛍光体を含む場合に生じる色むらは、発光素子間の隙間の幅Ｗが小さいほど大きくなる。このため、発光素子間の隙間の幅Ｗが特に小さい場合、例えば１００μｍ以下である場合に、透明樹脂１５が蛍光体を含まないことによる色むら低減の効果が大きくなり、５０μｍ以下である場合に、より効果が大きくなる。
また、透明樹脂に光を透過させる際に生じる吸収は、白色樹脂に光を反射させる際に生じる吸収よりも小さい。このため、透明樹脂１５の代わりに白色樹脂を用いる場合と比較して、吸収による光量の低下を抑えることができる。
蛍光体含有樹脂層１６は、粒子状の蛍光体が分散したシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂からなる。なお、光取出効率を向上させるため、透明樹脂１５の屈折率が発光素子１１の素子基板の屈折率よりも小さく、蛍光体含有樹脂層１６の屈折率が透明樹脂１５の屈折率よりも小さいことが好ましい。
また、蛍光体含有樹脂層１６は、蛍光色の異なる複数種の領域、すなわち異なる蛍光体を含む複数種の領域を有してもよい。この場合、蛍光色の異なる複数種の領域の境界が発光素子１１の真上に位置しないように、すなわち蛍光色の異なる複数種の領域の境界が透明樹脂１５上に位置するように蛍光体含有樹脂層１６を形成することにより、発光装置１の発光色のばらつきが抑えられる。
図１（ａ）、（ｂ）に示される例では、蛍光体含有樹脂層１６は、蛍光色の異なる第１の領域１６ａと第２の領域１６ｂから構成される。この場合、例えば、発光素子１１が紫色発光素子、第１の領域１６ａが緑、橙、及び赤の暖色系の蛍光体を含む領域、第２の領域１６ｂが青の寒色系の蛍光体を含む領域からなり、第１の領域１６ａからは赤みを帯びた白色光が取り出され、第２の領域１６ｂからは青みを帯びた白色光が取り出される。ここで、赤みを帯びた白色光の色温度は、例えば２８００Ｋであり、青みを帯びた白色光の色温度は、例えば６５００Ｋである。
このように、蛍光体含有樹脂層１６に暖色系の蛍光体と寒色系の蛍光体を含めることにより、発光装置１は、赤みを帯びた白色光と青みを帯びた白色光が混ざった太陽光に近い白色光を発することができる。また、蛍光体含有樹脂層１６において、暖色系の蛍光体を含む領域と寒色系の蛍光体を含む領域とを分けることによって、波長の短い寒色系の蛍光が暖色系の蛍光体に再吸収されることを抑制できる。
図２（ａ）は、発光装置１の上面図である。図２（ａ）は、蛍光体含有樹脂層１６が第１の領域１６ａと第２の領域１６ｂから構成される場合の第１の領域１６ａと第２の領域１６ｂの配置例を示している。図２（ｂ）は、蛍光体含有樹脂層１６を形成する前の発光装置１の上面図である。なお、図（１）の断面は、図２（ａ）の切断線Ａ−Ａにおける断面に相当する。
図２（ａ）に示される例では、第１の領域１６ａと第２の領域１６ｂが市松模様を構成するように、すなわち縦方向及び横方向に沿って交互に位置するように正方格子状に分布している。これにより、第１の領域１６ａから発せられる光と第２の領域１６ｂから発せられる光が混ざりやすく、色むらが抑えられる。
また、図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、１つの第１の領域１６ａ又は第２の領域１６ｂにつき、１つの発光素子１１が用いられ、第１の領域１６ａ又は第２の領域１６ｂと発光素子１１の平面方向の中心点がほぼ一致する。そして、例えば、発光素子１１のサイズが１ｍｍ×１ｍｍである場合、第１の領域１６ａ及び第２の領域１６ｂのサイズは１．０５ｍｍ×１．０５ｍｍである。
（発光素子の製造方法）
図３（ａ）〜（ｄ）は、実施の形態に係る発光装置１の製造工程を示す垂直断面図である。
まず、図３（ａ）に示されるように、複数の発光素子１１が設置された基板１０を準備する。
次に、図３（ｂ）に示されるように、複数の発光素子１１間の隙間に透明樹脂１５を埋め込む。
透明樹脂１５は、例えば、スクリーン印刷により形成される。この場合、発光素子１１間の隙間の幅Ｗよりも開口幅の狭いマスクを用いてスクリーン印刷を行うことにより、より確実に透明樹脂１５を複数の発光素子１１の隙間に埋め込むことができる。例えば、幅Ｗが５０μｍである場合、開口幅が３０μｍ程度のマスクを用いることができる。なお、透明樹脂１５の埋め込みにはポッティング等の他の方法を用いてもよい。
次に、図３（ｃ）に示されるように、蛍光体含有樹脂層１６の第１の領域１６ａを形成する。
次に、図３（ｄ）に示されるように、蛍光体含有樹脂層１６の第２の領域１６ｂを形成する。
蛍光体含有樹脂層１６の第１の領域１６ａ及び第２の領域１６ｂは、例えば、スクリーン印刷により形成される。第１の領域１６ａと第２の領域１６ｂはどちらが先に形成されてもよい。
図４（ａ）、（ｂ）は、透明樹脂１５の最上部の位置が複数の発光素子１１の上面よりも高い構造を有する発光装置１の変形例の垂直断面図である。
蛍光体含有樹脂層１６の蛍光色の異なる複数種の領域の境界が透明樹脂１５上に位置する場合、透明樹脂１５の最上部の位置を複数の発光素子１１の上面よりも高くすることにより、蛍光体含有樹脂層１６の先に形成される領域の樹脂硬化前の状態における横方向への広がりを抑えることができる。
具体的には、例えば、図３（ｃ）に示される工程において、蛍光体含有樹脂層１６の第１の領域１６ａが、第２の領域１６ｂが形成される予定の場所にまで広がることを抑制できる。
より確実に透明樹脂１５の最上部の位置を複数の発光素子１１の上面よりも高くするためには、図４（ｂ）に示されるように、透明樹脂１５の一部が発光素子１１の上面の縁に乗り上げるまで透明樹脂１５を発光素子１１間の隙間に注入することが好ましい。
（実施の形態の効果）
上記実施の形態によれば、発光素子間の隙間に蛍光体を含まない透明樹脂を埋め込むことにより、複数の発光素子が高密度に配置される場合であっても色むらが少ない発光装置を得ることができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、切削加工によりスクライビングラインを形成してもよい。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１ 発光装置
１０ 基板
１１ 発光素子
１５ 透明樹脂
１６ 蛍光体含有樹脂層
１６ａ 第１の領域
１６ｂ 第２の領域

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に設置された複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の隙間に埋め込まれた透明樹脂と、
    蛍光色の異なる複数種の領域を有し、前記蛍光色の異なる複数種の領域の境界が前記透明樹脂上に位置するように前記複数の発光素子及び前記透明樹脂上に形成された蛍光体含有樹脂層と、
    を有し、
    前記透明樹脂の一部が前記発光素子の上面の縁に乗り上げ、前記透明樹脂の最上部の位置が前記複数の発光素子の上面よりも高い、発光装置。
  2. 前記蛍光体含有樹脂層が、蛍光色の異なる第１の領域と第２の領域を有し、
    前記第１の領域と前記第２の領域が市松模様を構成するように分布している、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 基板上に設置された複数の発光素子の隙間に透明樹脂を埋め込む工程と、
    蛍光色の異なる複数種の領域を有する蛍光体含有樹脂層を、前記蛍光色の異なる複数種の領域の境界が前記透明樹脂上に位置するように、前記複数の発光素子及び前記透明樹脂上に形成する工程と、を含み、
    前記透明樹脂を埋め込む工程は、前記透明樹脂の一部が前記発光素子の上面の縁に乗り上げるまで前記透明樹脂を前記隙間に注入することにより、前記透明樹脂の最上部の位置が前記複数の発光素子の上面より高くなるように行い、
    前記蛍光体含有樹脂層を前記複数の発光素子及び前記透明樹脂上に形成する工程は、前記複数の領域を領域毎に分けて別々に形成して行う、発光装置の製造方法。
  4. 前記透明樹脂及び前記蛍光体含有樹脂層をスクリーン印刷により形成する、
    請求項３に記載された発光装置の製造方法。
JP2016191474A 2016-09-29 2016-09-29 発光装置及びその製造方法 Active JP6652025B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016191474A JP6652025B2 (ja) 2016-09-29 2016-09-29 発光装置及びその製造方法
US15/648,815 US10468390B2 (en) 2016-09-29 2017-07-13 Light emitting device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016191474A JP6652025B2 (ja) 2016-09-29 2016-09-29 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018056360A JP2018056360A (ja) 2018-04-05
JP6652025B2 true JP6652025B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=61686734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016191474A Active JP6652025B2 (ja) 2016-09-29 2016-09-29 発光装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10468390B2 (ja)
JP (1) JP6652025B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6652025B2 (ja) * 2016-09-29 2020-02-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7178820B2 (ja) * 2018-08-09 2022-11-28 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR102168701B1 (ko) * 2019-03-08 2020-10-22 주식회사 유제이엘 복수 색상 형광체 플레이트, 이를 포함하는 칩 스케일 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법
US11631715B2 (en) 2021-03-11 2023-04-18 Lumileds Llc Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4289027B2 (ja) * 2002-07-25 2009-07-01 豊田合成株式会社 発光装置
JP4438492B2 (ja) * 2003-09-11 2010-03-24 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2008186777A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Seiko Instruments Inc 照明装置及びこれを備える表示装置
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2010055947A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Canon Inc カラー画像表示装置用のフェイスパネル、該フェイスパネルを用いたカラー画像表示装置用のパネル、および、該パネルが搭載されたカラー画像表示装置
JP5178623B2 (ja) 2009-05-08 2013-04-10 サンユレック株式会社 照明装置の製造方法
JP2010267851A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP2012199218A (ja) 2010-09-09 2012-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明システム及び照明方法
JP5554680B2 (ja) * 2010-10-15 2014-07-23 スタンレー電気株式会社 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法
JP5553722B2 (ja) * 2010-10-15 2014-07-16 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2012176585A1 (ja) * 2011-06-20 2012-12-27 日本電気株式会社 蛍光スクリーンおよびそれを備えた画像表示装置
JP2013065726A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013098458A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びこれを用いた照明器具
WO2013112435A1 (en) * 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
JP5895597B2 (ja) 2012-02-29 2016-03-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102012102301B4 (de) * 2012-03-19 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
JP5776599B2 (ja) * 2012-03-26 2015-09-09 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及び照明装置
JP2013201355A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び照明装置
JP6139976B2 (ja) 2013-05-21 2017-05-31 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP2015207754A (ja) * 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6152801B2 (ja) * 2014-01-21 2017-06-28 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6187277B2 (ja) * 2014-01-21 2017-08-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102223421B1 (ko) * 2014-08-05 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP2016062980A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI657597B (zh) * 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
JP2017112295A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2017130633A (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 豊田合成株式会社 発光装置
JP6652025B2 (ja) * 2016-09-29 2020-02-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6783985B2 (ja) * 2016-09-29 2020-11-11 豊田合成株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180090470A1 (en) 2018-03-29
US10468390B2 (en) 2019-11-05
JP2018056360A (ja) 2018-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10141491B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP6331389B2 (ja) 発光装置
JP6187277B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
EP2811517B1 (en) Light emitting device
JPWO2005106978A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
US10109615B2 (en) Light emitting device
JP6652025B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2020141149A (ja) 発光装置
JP6959548B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2020202407A (ja) 発光装置
JP2005327786A (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
TW201924095A (zh) 具有ｌｅｄ照明用安裝基板之照明裝置
JP7030189B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
US10700245B2 (en) Light-emitting device
US11227971B2 (en) Light emitting device having light shielding member formed in recess of cover member and method for manufacturing the same
JP5345414B2 (ja) 半導体発光装置
CN106887507B (zh) 发光装置及其制造方法
EP3633744B1 (en) Light emitting device
JP2018022859A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2020188265A (ja) 発光装置とその製造方法
JP7285439B2 (ja) 面状光源
JP7057528B2 (ja) 発光装置
JP7177336B2 (ja) 発光装置
JP2016092263A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190910

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191029

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20191029

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6652025

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150