DE102018108616A1 - Halbleiterbauteile-Anordnung - Google Patents

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Frank Singer
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Eine Halbleiterbauteile-Anordnung umfasstwenigstens ein Halbleiterbauteil (11), insbesondere ein Chip oder LED-Chip, mit wenigstens einer Oberflächenseite (13, 39), auf welcher zumindest ein Kontaktbereich (15, 41) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils (11) angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich (15, 41) eine erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) angeordnet ist, welche sich zumindest im Wesentlichen längs einer ersten Vorzugsrichtung (V1) erstrecken, undwenigstens eine Auflage (31) für das Halbleiterbauteil (11), wobei auf einer Oberflächenseite (29) der Auflage (31) wenigstens ein Kontaktbereich (33, 43) angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich (33, 43) der Auflage (31) zumindest ein Draht (35) oder eine zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) angeordnet ist, wobei der Draht (35) oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) sich zumindest im Wesentlichen längs einer zweiten Vorzugsrichtung (V2) erstrecken, undwobei das Halbleiterbauteil (11) auf der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) derart angeordnet ist, dass die erste Vorzugsrichtung (V1) und die zweite Vorzugsrichtung (V2) nicht parallel zueinander verlaufen und die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und der Draht (35) bzw. die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) ineinandergreifen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterbauteile-Anordnung, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils.
  • Bei der Anordnung eines Halbleiterbauteils auf einer Auflage, wie etwa eine Leiterplatte oder ein Leadframe, soll eine sichere elektrische Kontaktierung zwischen elektrischen Kontakten des Halbleiterbauteils und elektrischen Leitungen der Auflage gewährleistet sein. Wenn es sich bei dem Halbleiterbauteil um ein lichtemittierendes, optoelektronisches Halbleiterbauteil, wie etwa eine LED (von Light Emitting Diode), handelt, soll die elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiterbauteil und Auflage möglichst wenig von dem emittierten Licht absorbieren oder anderweitig negativ beeinflussen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterbauteile-Anordnung mit einem Halbleiterbauteil und einer Auflage für das Halbleiterbauteil bereitzustellen, das eine verbesserte elektrische Kontaktierung zwischen Halbleiterbauteil und Auflage aufweist.
  • Die Aufgabe wird durch eine Halbleiterbauteile-Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen und Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Eine erfindungsgemäße Halbleiterbauteile-Anordnung umfasst wenigstens ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein LED-Chip, mit einer Oberflächenseite, auf welcher zumindest ein Kontaktbereich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich eine erste Vielzahl von Mikrodrähten angeordnet ist, welche sich zumindest im Wesentlichen längs einer ersten Vorzugsrichtung erstrecken. Die Anordnung umfasst ferner wenigstens eine Auflage für das Halbleiterbauteil, wobei auf einer Oberflächenseite der Auflage ein Kontaktbereich angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich zumindest ein Draht oder eine zweite Vielzahl von Mikrodrähten angeordnet ist, wobei der Draht oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten sich zumindest im Wesentlichen längs einer zweiten Vorzugsrichtung erstrecken. Das Halbleiterbauteil ist auf der Oberflächenseite der Auflage derart angeordnet, dass die erste Vorzugsrichtung und die zweite Vorzugsrichtung nicht parallel zueinander verlaufen und die erste Vielzahl von Mikrodrähten und der Draht bzw. die erste Vielzahl von Mikrodrähten und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten ineinandergreifen.
  • Auf dem Kontaktbereich der Auflage kann somit entweder ein Draht oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten angeordnet sein. Bei einem Draht kann das Halbleiterbauteil auf der Oberflächenseite der Auflage derart angeordnet sein, dass die erste Vorzugsrichtung, längs der sich die bauteilseitigen Mikrodrähte erstrecken, und die zweite Vorzugsrichtung, längs der sich zumindest im Wesentlichen der Draht erstreckt, nicht parallel zueinander verlaufen und die erste Vielzahl von Mikrodrähten und der Draht ineinandergreifen. Bei der anderen Alternative, bei welcher die zweite Vielzahl von Mikrodrähten auf dem Kontaktbereich der Auflage vorgesehen ist, kann das Halbleiterbauteil auf der Oberflächenseite der Auflage derart angeordnet sein, dass die erste Vorzugsrichtung und die zweite Vorzugsrichtung, längs der sich zumindest im Wesentlichen die Mikrodrähte der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten erstecken, nicht parallel zueinander verlaufen und die erste Vielzahl von Mikrodrähten und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten ineinandergreifen.
  • Durch das Ineinandergreifen der ersten Vielzahl von Mikrodrähten mit dem Draht oder mit der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten kann eine mechanisch und elektrisch feste und stabile Verbindung zwischen einem jeweiligen Kontakt des Bauteils und einem jeweiligen Kontakt der Auflage hergestellt werden. Die Vielzahl von Mikrodrähten auf einem jeweiligen Kontaktbereich kann - bildlich gesehen - mit einer Art mikroskopischem Klettverschluss verglichen bzw. als solcher angesehen werden. Die bauteilseitigen und auflagenseitigen Mikrodrähte können ineinandergreifen und sich dabei gewissermaßen verhaken, wodurch eine feste mechanische und elektrische Verbindung zwischen den Mikrodrähten ausgebildet wird.
  • Die erste Vielzahl von Mikrodrähten und der Draht bzw. die erste Vielzahl von Mikrodrähten und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten können somit ineinander verhakt sein und/oder eine stabile mechanische und elektrisch leitfähige Verbindung untereinander ausbilden.
  • Die Formulierung, dass das Halbleiterbauteil auf der Oberflächenseite der Auflage angeordnet ist, soll nicht eng ausgelegt werden. Es soll auch der Fall eingeschlossen sein, dass das Halbleiterbauteil wenigstens geringfügig über der Oberflächenseite der Auflage angeordnet ist. Es ist also nicht erforderlich, dass das Halbleiterbauteil auf der Oberflächenseite der Auflage aufliegt.
  • Bei dem jeweiligen Kontaktbereich kann es sich insbesondere um ein Kontaktpad oder einen anderen elektrischen Anschluss auf einem Chip oder einer Auflage handeln.
  • Die Mikrodrähte der ersten Vielzahl und der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten sind insbesondere aus einem elektrisch leitfähigen Material, wie etwa Silber, ausgestaltet. Entsprechendes gilt für den Draht.
  • Die Mikrodrähte der ersten und/oder zweiten Vielzahl von Mikrodrähten sind insbesondere verteilt auf dem jeweiligen Kontaktbereich angeordnet. Die Mikrodrähte stehen insbesondere nebeneinander und normalerweise voneinander beabstandet auf dem Kontaktbereich und erstrecken sich bevorzugt längs der ersten Vorzugsrichtung.
  • Der Draht, welcher nach der vorstehend genannten Alternative auf dem Kontaktbereich der Auflage angeordnet sein kann, kann in Form eines länglichen Drahtstücks ausgestaltet sein, wobei ein Ende des Drahts am Kontaktbereich der Auflage befestigt und die Längsachse des Drahts längs der zweiten Vorzugsrichtung ausgerichtet sein kann.
  • Alternativ kann sich ein erster, gerader Abschnitt des Drahts von dem am Kontaktbereich festgelegten Ende des Drahts weg längs der zweiten Vorzugsrichtung erstrecken und dann in einem Bogen, in welchem der Draht um zumindest annähernd 180 Grad umgebogen ist, in einen weiteren, zweiten geraden Abschnitt übergehen, der sich längs der zweiten Vorzugsrichtung wieder zurück in Richtung Kontaktbereich erstreckt. Der zweite Abschnitt kann nicht bis zum Kontaktbereich reichen und kurz vor dem Kontaktbereich mit einem freien Ende enden. Die Verwendung eines umgebogenen Drahts weist den Vorteil auf, dass dieser in verbesserter Weise mit der ersten Vielzahl von Mikrodrähten „verhaken“ kann.
  • Die erste Vielzahl von Mikrodrähten und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten kann mindestens 25%, bevorzugt mindestens 30%, weiter bevorzugt mindestens 40%, des jeweiligen von den Mikrodrähten und deren Zwischenräumen umfassten Gesamtvolumens einnehmen. Beim Zusammenbringen der bauteil- und auflagenseitigen Vielzahl von Mikrodrähten können diese somit etwa 50% bis 80% des Gesamtvolumens einnehmen. Die ineinandergreifenden Mikrodrähte können außerdem verdichtet werden, so dass sie bis zu 100% des Gesamtvolumens einnehmen können und keine Zwischenräume mehr vorhanden sind. Eine besonders stabile mechanische und elektrische Verbindung kann dadurch ausgebildet werden.
  • Die erste Vielzahl von Mikrodrähten und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten kann mindestens 25%, bevorzugt mindestens 30%, weiter bevorzugt mindestens 40%, der Fläche des jeweiligen Kontaktbereichs einnehmen. Eine zum Ausbilden einer sicheren mechanischen und elektrischen Verbindung ausreichende Besetzung von Mikrodrähten auf der Kontaktfläche kann dadurch sichergestellt werden.
  • Die erste Vielzahl von Mikrodrähten und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten kann aus einem galvanisch abscheidbaren Metall, insbesondere Silber, Gold oder Kupfer, ausgebildet sein. Das Material zur Erzeugung der Mikrodrähte lässt sich somit durch galvanisches Abscheiden auf dem jeweiligen Kontaktbereich erzeugen. Die Drähte können auch aus Platin, Nickel, Zinn oder einem anderen Metall hergestellt sein.
  • Die erste Vielzahl von Mikrodrähten und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten kann durch galvanisches Abscheiden auf dem jeweiligen Kontaktbereich gebildet sein, wobei es sich bei der ersten Vorzugsrichtung bzw. der zweiten Vorzugsrichtung um die Vorzugswachsrichtung der Mikrodrähte beim galvanischen Abscheiden handelt.
  • Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weisen Mikrodrähte der ersten Vielzahl von Mikrodrähten und/oder der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten einen Durchmesser von 0,5 bis 5 Mikrometer, bevorzugt von 1 bis 5 Mikrometer, und/oder eine Höhe von 0,5 bis 1000 Mikrometer, bevorzugt von 1 bis 500 Mikrometer, auf. Die Mikrodrähte können somit Durchmesser und Höhen im Mikro- und Nanometerbereich aufweisen. Zumindest in machen Ausführungen können sie daher auch als Nanodrähte angesehen werden.
  • Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung beträgt der Abstand zwischen benachbarten Mikrodrähten der ersten Vielzahl von Mikrodrähten und/oder der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten 0,5 bis 10 Mikrometer, bevorzugt 0,5 bis 5 Mikrometer. Ein Ineinandergreifen von bauteilseitigen und auflageseitigen Mikrodrähten kann dadurch sichergestellt werden.
  • Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Oberflächenseite des Halbleiterbauteils zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite der Auflage angeordnet. Der Kontaktbereich mit der ersten Vielzahl von Mikrodrähten befindet sich somit an der in Bezug zur Oberflächenseite der Auflage senkrecht bzw. aufrechtstehenden Oberflächenseite des Halbleiterbauteils. Wenn das Halbleiterbauteil ein LED-Chip, wie zum Beispiel ein Saphir-Chip, oder ein anderes optoelektronisches Bauelement ist, dann kann über diese Seite eine Lichtabstrahlung erfolgen. Die Mikrodrähte an dem wenigstens einen Kontakt an dieser Oberflächenseite stören das emittierte Licht nur geringfügig, insbesondere im Vergleich zu einem Bonddraht. Ferner können die Mikrodrähte aus Silber ausgebildet sein, so dass sie eine hohe Reflektivität aufweisen. Die Mikrodrähte absorbieren daher das emittierte Licht nicht oder nur geringfügig.
  • Bevorzugt befindet sich der Kontaktbereich des Halbleiterbauteils an einem Rand der Oberflächenseite des Halbleiterbauteils, wobei das Halbleiterbauteil derart auf der Oberflächenseite der Auflage angeordnet ist, dass eine den Rand begrenzende Außenkante der Oberflächenseite des Halbleiterbauteils der Oberflächenseite der Auflage zugewandt ist und/oder an der Oberflächenseite der Auflage anliegt. Durch die Randlage des Kontaktbereichs kann über die Mikrodrähte eine Verbindung zum Kontaktbereich der Auflage besonders einfach bewerkstelligt werden.
  • Die erste Vorzugsrichtung kann zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite des Halbleiterbauteils verlaufen. Die zweite Vorzugsrichtung kann zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite der Auflage verlaufen. Die Mikrodrähte können sich somit im Wesentlichen senkrecht zur jeweiligen Oberflächenseite des Bauteils bzw. der Auflage erstrecken.
  • Das Halbleiterbauteil kann ein lichtemittierendes, optoelektronisches Halbleiterbauelement bzw. -bauteil sein, insbesondere eine LED oder ein Halbleiter-Laser. Bei der LED kann es sich insbesondere um einen Saphir-Chip handeln.
  • Bevorzugt bildet zumindest ein Teil der Oberflächenseite des Halbleiterbauteils einen Lichtaustrittsbereich für Licht, welches von dem Halbleiterbauteil erzeugbar ist. Die Lichtaustrittsseite kann daher auf derjenigen Oberflächenseite liegen, an welcher sich auch zumindest ein Kontaktbereich des optoelektronischen Halbleiterbauteils befindet. Durch die Verwendung von Mikrodrähten auf dem Kontaktbereich kann eine Absorption oder anderweitige Störung des emittierten Lichts vermieden oder zumindest verringert werden, insbesondere im Vergleich zur Verwendung von herkömmlichen Bonddrähten.
  • Die Auflage kann ein Interposer, der auch als Zwischenablage bezeichnet wird, eine Platine, die auch als Printed Circuit Board (PCB) bezeichnet wird, ein Leadframe oder ein anderes gebräuchliches Bauteil zum Anordnen eines insbesondere optoelektronischen Halbleiterbauteils sein.
  • Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist das Halbleiterbauteil eine weitere, untere Oberflächenseite auf, welche der Oberflächenseite der Auflage zugewandt ist, wobei zwischen der unteren Oberflächenseite des Halbleiterbauteils und der Oberflächenseite der Auflage eine Klebeverbindung ausgebildet ist. Die Klebeverbindung kann mittels eines Klebertropfens, z.B. aus Silizium, realisiert sein. Der Klebertropfen kann mittels eines optischen oder thermischen Pulses ausgehärtet werden.
  • Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist das Halbleiterbauteil eine weitere Oberflächenseite auf, welche relativ zu der Oberflächenseite mit dem Kontaktbereich eine Rückseite bildet, wobei auf dieser Rückseite zumindest ein weiterer Kontaktbereich vorgesehen ist, auf welchem eine weitere Vielzahl von Mikrodrähten angeordnet ist. Auf der Auflage kann ein weiterer Kontaktbereich zur Kontaktierung vorgesehen sein, auf welchem ebenfalls eine Vielzahl von Mikrodrähten oder ein einzelner Draht angeordnet sein kann.
  • Die Auflage kann eine der Anzahl an Kontaktbereichen des Halbleiterbauteils entsprechende Anzahl an Kontaktbereichen aufweisen, wobei jeder Kontaktbereich einem der Kontaktbereiche des Halbleiterbauteils zugeordnet ist. Jeder Kontaktbereich des Halbleiterbauteils kann somit mit einem Kontaktbereich der Auflage über eine Verbindung mit Mikrodrähten verbunden werden.
  • Das auf der Auflage angeordnete Halbleiterbauteil kann von einer Konvertermatrix umgeben sein. Die Anordnung des Halbleiterbauteils auf der Auflage kann dadurch stabilisiert werden.
  • Die Erfindung betrifft auch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, insbesondere ein LED-Chip, umfassend wenigstens eine Oberflächenseite, auf welcher zumindest ein Kontaktbereich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Mikrodrähten angeordnet ist, welche sich zumindest im Wesentlichen längs einer ersten Vorzugsrichtung erstrecken, wobei die erste Vorzugsrichtung zumindest im Wesentlichen senkrecht zur ersten Oberflächenseite verläuft, und wobei zumindest ein Teil der Oberflächenseite des Halbleiterbauteils ein Lichtaustrittsbereich für das erzeugte Licht bildet.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauteil weist somit auf einer Oberflächenseite sowohl wenigstens einen Kontaktbereich mit einer Vielzahl von Mikrodrähten als auch einen Lichtaustrittsbereich auf. Da die Mikrodrähte kompakt und aus einem stark reflektierenden Material, wie etwa Silber, ausgebildet sein können, beeinträchtigen sie das mittels des Lichtaustrittbereichs emittierte Licht allenfalls nur geringfügig. Die Lichtausbeute und Strahlcharakteristik des emittierten Lichts lassen sich somit verbessern.
  • Die im Zusammenhang mit der Halbleiterbauteile-Anordnung genannten, das Halbleiterbauteil betreffenden Merkmale können - einzeln oder in Kombination - auch bei Ausführungsbeispielen des optoelektronischen Bauteils vorgesehen sein.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, insbesondere eine LED, mit einer Vielzahl von elektrisch leitfähigen Mikrodrähten mit den Schritten:
    • Bereitstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, welches auf einer Oberflächenseite zumindest einen Kontaktbereich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils aufweist, und
    • galvanisches Abscheiden der Vielzahl von Mikrodrähten aus einem galvanisch abscheidbaren Metall auf dem Kontaktbereich des Halbleiterbauteils.
  • Nach einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens kann eine Folie, insbesondere aus PET, mit einer Vielzahl von durchgehenden Mikro-Löchern auf dem Kontaktbereich angeordnet werden. Anschließend kann das Metall auf dem Kontaktbereich galvanisch abgeschieden werden, wobei die Folie nach dem galvanischen Abscheiden wieder entfernt wird.
  • Die Folie kann eine Dicke von 200 bis 500 Mikrometer haben. Die Mikro-Löcher, die auch als linear verlaufende Poren angesehen werden können, weisen zum Beispiel einen Durchmesser von einigen wenigen Mikrometer auf. Die Folie dient als eine Art Schablone. In deren Poren können sich die Mikrodrähte ausbilden. Die Anordnung der Mikrodrähte auf einem jeweiligen Kontaktbereich entspricht somit zumindest im Wesentlich der Anordnung der Poren in der Folie.
  • Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,
    • 1 eine seitliche Ansicht einer Variante eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauteils,
    • 2 eine weitere seitliche Ansicht des Bauteils von 1, die gegenüber der Ansicht der 1 um 90° gedreht ist,
    • 3 eine seitliche Ansicht einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung,
    • 4 eine weitere seitliche Ansicht der Anordnung von 3, die gegenüber der Ansicht der 3 um 90° gedreht ist,
    • 5 eine Illustration zur Herstellung einer zweiten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung,
    • 6 eine weitere Illustration zur Herstellung der Anordnung von 5, die gegenüber der Ansicht der 5 um 90° gedreht ist,
    • 7 eine seitliche Ansicht der Anordnung von 5, die gegenüber der Ansicht der 5 ebenfalls um 90° gedreht ist,
    • 8 eine seitliche Ansicht einer dritten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung,
    • 9 eine Illustration zur Herstellung der Anordnung von 8, die gegenüber der Ansicht der 8 um 90° gedreht ist,
    • 10 eine weitere Illustration zur Herstellung der Anordnung von 8, die gegenüber der Ansicht der 8 um 90° gedreht ist,
    • 11 eine seitliche Ansicht einer vierten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung,
    • 12 eine weitere seitliche Ansicht der Anordnung von 11, die gegenüber der Ansicht der 11 um 90° gedreht ist, und
    • 13 eine seitliche Ansicht einer fünften Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung.
  • Bei dem in den 1 und 2 dargestellten, optoelektronischen Halbleiterbauteil 11 handelt es sich insbesondere um einen LED-Chip, wie etwa einen Saphir-Chip. Das Halbleiterbauteil 11 weist eine erste Oberflächenseite 13 auf, auf welcher zwei Kontaktbereiche 15 zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils 11 angeordnet sind. Die Kontaktbereiche 15 sind elektrisch voneinander getrennt und zum Beispiel mit einer jeweiligen elektrischen Leitung 17 verbunden, über welche ein elektrischer Verbraucher des Halbleiterbauteils 11 mit Strom versorgt werden kann.
  • Auf jedem Kontaktbereich 15 ist eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Mikrodrähten 19 angeordnet. Die Mikrodrähte 19 sind in 1 als einzelne Punkte innerhalb des jeweiligen Kontaktbereichs 15 dargestellt. Die Mikrodrähte 19 erstrecken sich zumindest im Wesentlichen längs einer ersten Vorzugsrichtung V1, welche zumindest im Wesentlichen senkrecht zur ersten Oberflächenseite 13 des Bauteils 11 verläuft, wie 2 zeigt. Die Mikrodrähte 19 sind insbesondere verteilt auf dem jeweiligen Kontaktbereich angeordnet. Sie stehen nebeneinander und beabstandet voneinander auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 und erstrecken sich längs der ersten Vorzugsrichtung V1.
  • Das Bauteil der 2 ist gegenüber der 1 um 90° gedreht, so dass in 2 eine zweite Oberflächenseite 23 des Bauteils 11 nach vorne weist, während die in 1 in der Draufsicht gezeigte erste Oberflächenseite 13 nach rechts gerichtet ist.
  • Bei dem Bauteil 11 bildet zumindest ein Teil der Oberflächenseite 13 ein Lichtaustrittsbereich 21 für Licht, welches von dem Bauteil 11 erzeugt werden kann. Die Mikrodrähte 19 können aus einem reflektierenden Metall, wie zum Beispiel Silber, hergestellt sein. Die Mikrodrähte 19 absorbieren somit nicht oder nur geringfügig das erzeugte Licht. Außerdem stehen die Mikrodrähte 19 aufgrund ihrer geringen Dimensionen dem emittierten Licht nicht oder nur geringfügig „im Wege“, was sich positiv auf die Emissionseigenschaften des Bauteils 11 auswirkt.
  • Die Mikrodrähte 19 der Vielzahl von Mikrodrähten können durch galvanisches Abscheiden von zum Beispiel Silber oder einem anderen galvanisch abscheidbaren Metall auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 gebildet werden. Dies kann zum Beispiel dadurch erfolgen, dass eine Folie (nicht gezeigt), zum Beispiel eine PET-Folie, mit einer Vielzahl von durchgehenden Mikro-Löchern auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 angeordnet wird. Anschließend wird das Metall auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 abgeschieden. Danach kann die Folie, zum Beispiel über einen chemischen Prozess, entfernt werden.
  • Die Mikro-Löcher bzw. Poren sind in der Folie so ausgebildet, dass sie sich senkrecht zur Unterseite der Folie erstrecken, mit welcher die Folie auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 eingebracht wird. In den Mikro-Löchern der Folie bilden sich die Mikrodrähte 19 während des Galvanisierens aus. Die sich ergebende erste Vorzugsrichtung V1 für die Ausrichtung der Mikrodrähte 19 entspricht im Wesentlichen der Vorzugswachsrichtung der Mikrodrähte 19 in den Mikro-Löchern und reflektiert den senkrechten Verlauf der Mikro-Löcher relativ zur Folienunterseite bzw. zur Ebene der Kontaktbereiche 15.
  • Die Mikrodrähte 19 können einen Durchmesser von 0,5 bis 5 Mikrometer, bevorzugt von 1 bis 5 Mikrometer, aufweisen. Ferner können sie eine Höhe von 0,5 bis 1000 Mikrometer, bevorzugt 1 bis 500 Mikrometer, aufweisen. Die Vielzahl von Mikrodrähten lässt sich somit äußerst kompakt auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 realisieren.
  • Der Abstand zwischen benachbarten Mikrodrähten 19 der Vielzahl von Mikrodrähten kann im Bereich von 0,5 bis 10 Mikrometer, bevorzugt von 0,5 bis 5 Mikrometer, liegen. Die Vielzahl von Mikrodrähten 19 auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15 kann etwa mindestens 25%, bevorzugt mindestens 30%, weiter bevorzugt mindestens 40%, des jeweiligen Gesamtvolumens ausfüllen, das von den Mikrodrähten 19 und deren Zwischenräumen eingenommen wird.
  • Wie die 1 und 2 ferner zeigen, liegen die Kontaktbereiche 15 an einem Rand der ersten Oberflächenseite 13 des Bauteils 11. Dabei begrenzt eine untere Außenkante 25 den Rand der ersten Oberflächenseite 13. Der Abstand der Kontaktbereiche 15 zur Außenkante 25 kann dabei nur einige wenige Mikrometer betragen.
  • Die 3 und 4 zeigen Ansichten einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung, bei der das Halbleiterbauteil 11 der 1 und 2 auf einer Oberflächenseite 29 einer Auflage 31 angeordnet ist. Auf der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 sind zwei voneinander getrennte Kontaktbereiche 33 ausgebildet. Auf jedem der Kontaktbereiche 33 ist ein Draht 35 angeordnet, der aus einem leitfähigen Material, wie etwa Silber, Kupfer oder Gold, besteht.
  • Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel kontaktiert ein jeweiliges Ende des Drahtes 35 den jeweiligen Kontaktbereich 33. Das Ende kann mit dem Kontaktbereich 33 verlötet sein. Ein sich an das Ende anschließender Abschnitt des jeweiligen Drahts 35 erstreckt sich längs einer zweiten Vorzugsrichtung V2, die senkrecht zur Oberflächenseite 29 der Auflage 31 verläuft, weg von der Oberflächenseite 29 nach oben. Etwa in der Drahtmitte ist der jeweilige Draht 35 nach unten umgebogen, sodass sich ein weiterer, zweiter gerader Abschnitt des Drahtes längs der zweiten Vorzugsrichtung nach unten erstreckt. Das freie Ende des Drahtes 35 endet kurz vor dem jeweiligen Kontaktbereich 33. Der Draht 35 erstreckt sich somit im Wesentlichen längs der Vorzugsrichtung V2, die senkrecht zur Oberflächenseite 29 der Auflage 31 verläuft. Die Vorzugsrichtungen V1 und V2 verlaufen dabei zumindest näherungsweise senkrecht zueinander.
  • Wie insbesondere 4 zeigt, kann ein jeweiliger Kontaktbereich 15 des Bauteils 11 mit einem jeweiligen, zugeordneten Kontaktbereich 33 der Auflage 31 elektrisch verbunden werden, indem der Kontaktbereich 15 des Bauteils 11 seitlich vor den Draht 35 des jeweiligen, zugeordneten Kontaktbereichs 33 der Auflage 31 gebracht wird. Die Vielzahl von Mikrodrähten 19 auf dem Kontaktbereich 15 wird dann auf den Draht 35 aufgeschoben.
  • Die Mikrodrähte 19 können extrem flexibel und verbiegbar ausgestaltet sein. Beim Aufschieben der Mikrodrähte 19 auf den Draht 35 können sich die Mikrodrähte 19 mit dem Draht 35 verklemmen oder verhaken und somit nicht nur eine sichere elektrische Verbindung, sondern auch eine mechanisch feste Verbindung zwischen den Mikrodrähten 19 und dem Draht 35 herstellen.
  • Zur weiteren Befestigung des Bauteils 11 auf der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 kann mittels eines Klebertropfens 37, wie in 13 gezeigt ist, eine Klebeverbindung zwischen einer untenliegenden, dritten Oberflächenseite 27 des Bauteils 11 und der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 ausgebildet werden.
  • Bei der mit Bezug auf die 5 bis 7 beschriebenen zweiten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung weist das Halbleiterbauteil 11 auf der ersten Oberflächenseite 13 wiederum zwei Kontaktbereiche 15 auf. Auf einer vierten Oberflächenseite 39, die relativ zur ersten Oberflächenseite 13 eine Rückseite bildet, weist das Halbleiterbauteil 11 einen weiteren Kontaktbereich 41 auf. Auf jedem Kontaktbereich 15, 41 ist eine erste Vielzahl von Mikrodrähten 19 angeordnet bzw. mittels eines galvanischen Prozesses ausgebildet.
  • Die Oberflächenseite 29 der Auflage 31 weist wiederum zwei Kontaktbereiche 33 auf, wovon jeweils ein Kontaktbereich 33 einem der Kontaktbereiche 15 des Bauteils 11 zugeordnet ist. Ferner weist die Auflage 31 einen weiteren Kontaktbereich 43 auf, welcher dem Kontaktbereich 41 des Bauteils 11 zugeordnet ist. Auf jedem auflageseitigen Kontaktbereich 33, 43 ist eine zweite Vielzahl von Mikrodrähten 19 ausgebildet, die - wie zuvor für das Bauteil 11 beschrieben wurde - auf dem jeweiligen Kontaktbereich 33, 43 ebenfalls mittels eines galvanischen Prozesses erzeugt wurden. Die Mikrodrähte der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten 19 auf den Kontaktbereichen 33, 43 der Auflage 31 erstrecken sich dabei längs der zweiten Vorzugsrichtung V2, die zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite 29 verläuft.
  • Wie die 5 bis 7 ferner illustrieren, kann das Bauteil 11 von oben her auf die Oberflächenseite 29 zubewegt werden und die Mikrodrähte 19 der bauteilseitigen Kontaktbereiche 15, 41 können mit den Mikrodrähten 19 der zugeordneten Kontaktbereiche 33, 43 der Auflage 31 in Eingriff gebracht werden. Die Mikrodrähte 19 können dabei, vergleichbar mit Elementen eines Klettverschlusses, miteinander verzahnen, und - im Gegensatz zu einem Klettverschluss - auch eine mechanische feste, nicht lösbare Verbindung ausbilden.
  • Die Vielzahl von Mikrodrähten 19 eines bauteilseitigen Kontaktbereichs 19, 41 kann etwa 30% des Gesamtvolumens einnehmen, über welches sich die Mikrodrähte 19 und deren Zwischenräumen erstrecken. Dementsprechend kann die Vielzahl von Mikrodrähten 19 eines auflageseitigen Kontaktbereichs 33, 43 ebenfalls etwa 30% des Gesamtvolumens einnehmen, über das sich die Mikrodrähte 19 und deren Zwischenräume eines jeweiligen Kontaktbereichs 33, 43 erstrecken. Die in Eingriff gebrachten bauteil- und auflageseitigen Mikrodrähte 19 nehmen somit etwa 60% des Gesamtvolumens ein. Sie können weiter verdichtet werden, so dass sie zumindest annähernd 100% ihres Gesamtvolumens einnehmen. Zwischenräume sind dann nicht mehr vorhanden. Wie in 7 angedeutet ist, können die in Eingriff gebrachten Mikrodrähte dabei einen verschränkten Satz von Mikrodrähten 47 bilden, in welchem die Mikrodrähte gewissermaßen miteinander verwoben sind. Eine besonders sichere mechanische und elektrische Verbindung kann dadurch realisiert werden.
  • Bei der mit Bezug auf die 8 bis 10 beschriebenen dritten Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung weist das Bauteil 11 auf der ersten Oberflächenseite 13 zwei Kontaktbereiche 15 auf, die jeweils mit einer ersten Vielzahl von Mikrodrähten 19 versehen sind. Die Mikrodrähte 19 erstrecken sich im Wesentlichen längs der ersten Vorzugsrichtung V1, welche senkrecht zur ersten Oberflächenseite 13 verläuft. An der vierten Oberflächenseite 39 des Bauteils 11 sind keine Kontakte vorhanden, im Unterschied zu dem Bauteil 11 der 5 bis 7.
  • An der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 sind wiederum Kontaktbereiche 33 vorgesehen, die den Kontaktbereichen 15 des Bauteils 11 zugeordnet sind. Jeder Kontaktbereich 33 weist ebenfalls eine zweite Vielzahl von Mikrodrähten 19 auf.
  • Die Ansichten der 9 und 10 sind gegenüber der Ansicht der 8 um 90° gedreht, so dass die erste Oberseite 13 in der Ansicht der 9 und 10 nach rechts gerichtet ist, während sie in 8 in der Draufsicht dargestellt ist.
  • Wie die 9 und 10 illustrieren, kann das Bauteil 11 vor die Oberflächenseite 29 gebracht werden, so dass die Mikrodrähte 19 eines jeweiligen Kontaktbereichs 15 seitlich neben den Mikrodrähten 19 des jeweiligen zugeordneten Kontaktbereichs 33 der Auflage 31 angeordnet sind. Das Bauteil 11 kann dann längs der Vorzugsrichtung V1 bewegt werden, um die bauteilseitigen Mikrodrähte 19 und die auflagenseitigen Mikrodrähte 19 miteinander in Eingriff zu bringen. Eine mechanisch und elektrisch sichere Verbindung kann dadurch realisiert werden.
  • Die 11 und 12 zeigen eine vierte Variante einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauteile-Anordnung, die im Wesentlichen auf der Variante der 8 bis 10 basiert. Bei der Variante der 11 und 12 ist allerdings das Bauteil 11 in eine Konvertermatrix 45 eingebettet, welche nach dem Verbinden des Bauteils 11 mit der Auflage 31 aufgetragen wird. Die Konvertermatrix 45 dient zur Stabilisierung und kann auch zur Strahlformung des erzeugten Lichts beitragen.
  • Die fünften Variante gemäß 13 basiert auf der Anordnung gemäß den 5 bis 7. Zur Stabilisierung ist ein Klebertropfen 37, z.B. aus Silikon, zwischen der eine Unterseite bildenden dritten Oberflächenseite 27 des Bauteils 11 und der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 angeordnet. Durch die Klebeverbindung kann die mechanische Verbindung zwischen Bauteil 11 und Auflage 13 verbessert werden.
  • Wie die 3 bis 13 zeigen, ist das Halbleiterbauteil 11 auf der Oberflächenseite 29 der Auflage 31 derart angeordnet, dass die erste Vorzugsrichtung V1 und die zweite Vorzugsrichtung V2 zumindest annähernd senkrecht zueinander verlaufen. Andere Winkel zwischen der ersten Vorzugsrichtung V1 und V2 sind bei anderen, nicht dargestellten Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Anordnung ebenfalls realisierbar.
  • Die Mikrodrähte 19 der Vielzahl von Mikrodrähten auf Seiten des Bauteils 11 oder der Auflage 31 können durch galvanisches Abscheiden, zum Beispiel von Silber, auf dem jeweiligen Kontaktbereich 15, 33, 41, 43 gebildet werden. Dies kann - wie zuvor beschrieben - zum Beispiel mittels einer Folie mit einer Vielzahl von durchgehenden Mikro-Löchern erfolgen, die auf dem jeweiligen Kontaktbereich angeordnet und nach dem galvanischen Abscheiden wieder entfernt wird. Ferner können die Mikrodrähte 19 einen Durchmesser von 0,5 bis 5 Mikrometer, bevorzugt von 1 bis 5 Mikrometer, und eine Höhe von 0,5 bis 1000 Mikrometer, bevorzugt 1 bis 500 Mikrometer, aufweisen.
  • Der Abstand zwischen benachbarten Mikrodrähten 19 der Vielzahl von Mikrodrähten auf einem jeweiligen Kontaktbereich 15, 33, 41, 43 kann im Bereich von 0,5 bis 10 Mikrometer, bevorzugt von 0,5 bis 5 Mikrometer, liegen. Die Mikrodrähte 19 können außerdem etwa mindestens 25%, bevorzugt mindestens 30%, weiter bevorzugt mindestens 40%, des jeweiligen von den Mikrodrähten 19 und deren Zwischenräumen eingenommenen Gesamtvolumens ausfüllen. Beim in Eingriff bringen von bauteil- und auflageseitigen Mikrodrähten können die Mikrodrähte so komprimiert werden, dass sie 100% des Gesamtvolumens einnehmen. Eine feste mechanische und elektrische Verbindung kann somit realisiert werden.
  • Bei dem Halbleiterbauteil 11 handelt es sich vorzugsweise um einen LED-Chip und insbesondere um einen Saphir-Chip. Ein derartiger Chip kann, wie aus den Figuren ersichtlich ist, aufrechtgestellt bzw. senkrecht auf der Auflage 31 angeordnet werden. Der Lichtaustrittsbereich 21 ist dann senkrecht zur Oberflächenseite 29 der Auflage 31 ausgerichtet. Mittels wenigstens eines Spiegels kann das emittierte Licht nach oben, in eine Richtung senkrecht zur Oberflächenseite 29, umgelenkt werden. Andere aus dem Stand der Technik bekannte Umlenk- und Strahlformungseinrichtungen können außerdem eingesetzt werden.
  • Bei der Auflage 31 kann es sich prinzipiell um jede beliebige Auf- oder Ablage für ein Halbleiterbauteil handeln, wie etwa ein Leadframe, ein Printed Circuit Board (PCB), eine Keramik oder einen Interposer.
  • Bezugszeichenliste
    • 11
    Halbleiterbauteil
    13
    erste Oberflächenseite
    15
    Kontaktbereich
    17
    elektrische Leitung
    19
    Mikrodraht
    21
    Lichtaustrittsbereich
    23
    zweite Oberflächenseite
    25
    Außenkante
    27
    dritte Oberflächenseite
    29
    Oberflächenseite
    31
    Auflage
    33
    Kontaktbereich
    35
    Draht
    37
    Klebertropfen
    39
    vierte Oberflächenseite
    41
    Kontaktbereich
    43
    Kontaktbereich
    45
    Konvertermatrix
    47
    verschränkte Mikrodrähte
    V1
    erste Vorzugsrichtung
    V2
    zweite Vorzugsrichtung

Claims (17)

  1. Halbleiterbauteile-Anordnung umfassend: wenigstens ein Halbleiterbauteil (11), insbesondere ein Chip oder LED-Chip, mit wenigstens einer Oberflächenseite (13, 39), auf welcher zumindest ein Kontaktbereich (15, 41) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils (11) angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich (15, 41) eine erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) angeordnet ist, welche sich zumindest im Wesentlichen längs einer ersten Vorzugsrichtung (V1) erstrecken, und wenigstens eine Auflage (31) für das Halbleiterbauteil (11), wobei auf einer Oberflächenseite (29) der Auflage (31) wenigstens ein Kontaktbereich (33, 43) angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich (33, 43) der Auflage (31) zumindest ein Draht (35) oder eine zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) angeordnet ist, wobei der Draht (35) oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) sich zumindest im Wesentlichen längs einer zweiten Vorzugsrichtung (V2) erstrecken, und wobei das Halbleiterbauteil (11) auf der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) derart angeordnet ist, dass die erste Vorzugsrichtung (V1) und die zweite Vorzugsrichtung (V2) nicht parallel zueinander verlaufen und die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und der Draht (35) bzw. die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) ineinandergreifen.
  2. Halbleiterbauteile-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und der Draht (35) bzw. die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) ineinander verhakt sind und/oder eine stabile mechanische und elektrisch leitfähige Verbindung untereinander ausbilden.
  3. Halbleiterbauteile-Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) mindestens 25%, bevorzugt mindestens 30%, weiter bevorzugt mindestens 40%, des jeweiligen von den Mikrodrähten (19) und deren Zwischenräumen umfassten Volumenbereichs einnehmen.
  4. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) aus einem galvanisch abscheidbaren Metall, insbesondere Silber, Gold oder Kupfer, ausgebildet sind.
  5. Halbleiterbauteile-Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Vielzahl von Mikrodrähten (19) und/oder die zweite Vielzahl von Mikrodrähten (19) durch galvanisches Abscheiden auf dem jeweiligen Kontaktbereich gebildet ist, wobei es sich bei der ersten Vorzugsrichtung (V1) bzw. der zweiten Vorzugsrichtung (V2) um die Vorzugswachsrichtung der Mikrodrähte (19) beim galvanischen Abscheiden handelt.
  6. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Mikrodrähte (19) der ersten Vielzahl von Mikrodrähten und/oder der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten einen Durchmesser von 0,5 bis 5 Mikrometer, bevorzugt von 1 bis 5 Mikrometer, und/oder eine Höhe von 0,5 bis 1000 Mikrometer, bevorzugt 1 bis 500 Mikrometer, aufweisen.
  7. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen benachbarten Mikrodrähten (19) der ersten Vielzahl von Mikrodrähten und/oder der zweiten Vielzahl von Mikrodrähten 0,5 bis 10 Mikrometer, bevorzugt 0,5 bis 5 Mikrometer, beträgt.
  8. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenseite (13, 39) des Halbleiterbauteils (11) zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite (29) der Auflage (31) angeordnet ist.
  9. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktbereich (15) des Halbleiterbauteils (11) an einem Rand der Oberflächenseite (13) des Halbleiterbauteils (11) liegt, wobei das Halbleiterbauteil (11) derart auf der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) angeordnet ist, dass eine den Rand begrenzende Außenkante (25) der Oberflächenseite (13) des Halbleiterbauteils (11) der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) zugewandt ist.
  10. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Vorzugsrichtung (V1) zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite (13, 39) des Halbleiterbauteils (11) verläuft, und/oder die zweite Vorzugsrichtung (V2) zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite (29) der Auflage (31) verläuft.
  11. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil (11) ein optoelektronisches Halbleiterbauelement ist, insbesondere eine LED, wobei, bevorzugt, zumindest ein Teil der Oberflächenseite (13) des Halbleiterbauteils (11) ein Lichtaustrittsbereich (21) für Licht bildet.
  12. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (31) ein Interposer, eine Platine oder ein Leadframe ist.
  13. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil (11) eine weitere Oberflächenseite (27) aufweist, welche der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) zugewandt ist, wobei zwischen der weiteren Oberflächenseite (27) des Halbleiterbauteils (11) und der Oberflächenseite (29) der Auflage (31) eine Klebeverbindung, insbesondere in Form eines Klebertropfens (37), ausgebildet ist.
  14. Halbleiterbauteile-Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauteil (11) von einer Konvertermatrix (45) umgeben ist.
  15. Optoelektronisches Halbleiterbauteil, insbesondere ein LED-Chip, umfassend: wenigstens eine Oberflächenseite (13, 39), auf welcher zumindest ein Kontaktbereich (15, 41) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils (11) angeordnet ist, wobei auf dem Kontaktbereich (15, 41) eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Mikrodrähten (19) angeordnet ist, welche sich zumindest im Wesentlichen längs einer Vorzugsrichtung (V1) erstrecken, wobei die Vorzugsrichtung (V1) zumindest im Wesentlichen senkrecht zur Oberflächenseite (13, 39) verläuft, und wobei zumindest ein Teil der Oberflächenseite (13, 39) des Halbleiterbauteils (11) ein Lichtaustrittsbereich (21) für Licht aufweist.
  16. Verfahren zur Herstellung eines optoeletronischen Halbleiterbauteils mit einer Vielzahl von elektrisch leitfähigen Mikrodrähten (19) mit den Schritten: Bereitstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauteils (11), welches auf zumindest einer Oberflächenseite (13, 39) zumindest einen Kontaktbereich (15, 41) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils aufweist, Galvanisches Abscheiden der Vielzahl von Mikrodrähten (19) aus einem galvanisch abscheidbaren Metall auf dem Kontaktbereich (15, 41) des Halbleiterbauteils (11).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass eine Folie, insbesondere aus PET, mit einer Vielzahl von durchgehenden Mikro-Löchern auf dem Kontaktbereich (15, 41) angeordnet wird und anschießend das Metall auf dem Kontaktbereich galvanisch abgeschieden wird, wobei die Folie nach dem galvanischen Abscheiden entfernt wird.
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