DE112017007890T5 - Halbleitervorrichtung, Hochfrequenz-Leistungsverstärker und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung, Hochfrequenz-Leistungsverstärker und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung Download PDF

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Abstract

Erreicht wird eine Reduzierung der Impedanz in einer mit einem Halbleiterelement verbundenen Leitung, während ein Ankereffekt erzielt wird. Die Halbleitervorrichtung umfasst einen Kühlkörper (101), ein Halbleiterelement (102), eine Leitung (104), die auf einer oberen Seite des Kühlkörpers angeordnet ist, und ein Gussmaterial (109), das so ausgebildet ist, dass es die Leitung, den Kühlkörper und das Halbleiterelement bedeckt. Auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, ist ein erster konvexer Teilbereich (101a) ausgebildet, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, und auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, ist ein zweiter konvexer Teilbereich (101c) ausgebildet, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarte Technik bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, einen die Halbleitervorrichtung enthaltenden Hochfrequenz-Leistungsverstärker und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung.
  • Hintergrundtechnik
  • In einem herkömmlichen Gehäuse bzw. Package ist eine Struktur, in der ein auf einer oberen Oberfläche eines Kühlkörpers angeordnetes Halbleiterelement von einem Gussmaterial bedeckt ist, die zu dem Zweck, um das Gussmaterial am Kühlkörper zu verankern, das heißt, Erzeugen eines Ankereffekts, genutzt wird, ein Kühlkörper mit einer Form, die einen konvexen Teilbereich auf einem Randteilbereich der von dem Gussmaterial bedeckten oberen Oberfläche aufweist, so dass der konvexe Teilbereich mehr als ein Randteilbereich einer vom Gussmaterial freigelegten unteren Oberfläche übersteht (siehe zum Beispiel Patentdokument 1).
  • Dokumente nach dem Stand der Technik
  • Patentdokumente
  • Patentdokument 1: Internationale Veröffentlichung Nr. 2013/094101
  • Zusammenfassung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Falls der Kühlkörper mit der oben beschriebenen Form verwendet wird, wird jedoch eine parasitäre Induktivitätskomponente auf einer Kühlkörperseite in einem Bereich redundant, wo eine mit dem Halbleiterelement über einen Draht verbundene Leitung und ein Kühlkörper miteinander in einer Auf-Ab- bzw. senkrechten Richtung überlappen, wenn der Kühlkörper geerdet ist. Folglich gibt es ein Problem, dass eine Impedanz in der Leitung nicht auf ein gewünschtes Niveau reduziert werden kann. In diesem Fall ist die Impedanz in der Leitung hoch, so dass eine hohe Leistungsfähigkeit behindert wird, falls eine Halbleitervorrichtung zum Beispiel als Hochfrequenzverstärker genutzt wird.
  • Die in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarte Technik wurde daher gemacht, um die obigen Probleme zu lösen, und es ist eine Aufgabe der Technik, eine Technik bereitzustellen, die imstande ist, eine Impedanz in einer mit einem Halbleiterelement verbundenen Leitung zu reduzieren, während ein Effekt einer Verankerung eines Gussmaterials erzeugt wird.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Eine erste Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik umfasst: einen Kühlkörper, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement, das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; zumindest eine Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers angeordnet ist; und ein Gussmaterial, das so ausgebildet ist, dass es einen Teil der Leitung, zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Kühlkörper so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, und auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, zumindest ein zweiter konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche in der Position übersteht.
  • Eine zweite Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik umfasst: einen Kühlkörper, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement, das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von diesem abgegeben wird; zumindest eine Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers angeordnet ist; und ein Gussmaterial, das so ausgebildet ist, dass es einen Teil der Leitung, zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Kühlkörper so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, zumindest ein Einschnittteilbereich in einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper ausgebildet ist, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, und der Einschnittteilbereich mit dem Gussmaterial gefüllt ist.
  • Eine dritte Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik umfasst: ein Vorbereiten eines Kühlkörpers, dessen zumindest untere Oberfläche geerdet ist; ein Anordnen, auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers, eines Halbleiterelements, in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; ein Anordnen zumindest einer Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden ist, auf einer oberen Seite des Kühlkörpers; ein Anordnen des Kühlkörpers, so dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt; ein Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest eines ersten konvexen Teilbereichs, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht; ein Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, zumindest eines zweiten konvexen Teilbereichs, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht; ein Ausbilden eines Gussmaterials, das einen Teil der Leitung, einen Teil des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt; ein Freilegen zumindest eines Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs im Kühlkörper, um das Gussmaterial auszubilden; und ein Schneiden des Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs nach Ausbilden des Gussmaterials.
  • Effekte der Erfindung
  • Eine erste Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik umfasst: einen Kühlkörper, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement, das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; zumindest eine Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers angeordnet ist; und ein Gussmaterial, das so ausgebildet ist, dass es einen Teil der Leitung, zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Kühlkörper so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, und auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, zumindest ein zweiter konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht. Gemäß solch einer Konfiguration wird die parasitäre Induktivitätskomponente in der lateralen Richtung des Kühlkörpers an der Position reduziert, wo der Kühlkörper in Draufsicht mit der Leitung überlappt. Reduziert wird die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung und dem Kühlkörper über den Kühlkörper geerdet ist. Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung reduziert werden. Das heißt, die Impedanz in der mit dem Halbleiterelement verbundenen Leitung kann reduziert werden, während der Effekt einer Verankerung des Gussmaterials durch den zweiten konvexen Teilbereich erzielt wird.
  • Eine zweite Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technologie umfasst: einen Kühlkörper, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement, das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist wird oder von ihm abgegeben wird; zumindest eine Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers angeordnet ist; und ein Gussmaterial, das so ausgebildet ist, dass es die Leitung, zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Kühlkörper so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, zumindest ein Einschnittteilbereich in einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper ausgebildet ist, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, und der Einschnittteilbereich mit dem Gussmaterial gefüllt ist. Gemäß solch einer Konfiguration wird der Einschnittteilbereich im Kühlkörper mit dem Gussmaterial gefüllt, so dass ein Effekt einer Verankerung des Kühlkörpers und des Gussmaterials, das heißt der Ankereffekt, erzielt werden kann. Die parasitäre Induktivitätskomponente in der lateralen Richtung des Kühlkörpers wird an der Position reduziert, wo der Kühlkörper in Draufsicht mit der Leitung überlappt. Reduziert wird die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung und dem Kühlkörper über den Kühlkörper geerdet ist. Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung reduziert werden. Das heißt, die Impedanz in der mit dem Halbleiterelement verbundenen Leitung kann reduziert werden, während der Effekt einer Verankerung des Gussmaterials durch den Einschnittteilbereich erzielt wird.
  • Eine dritte Ausführungsform einer in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik umfasst: ein Präparieren eines Kühlkörpers, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Anordnen, auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers, eines Halbleiterelements, in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; ein Anordnen zumindest einer Leitung, die über einen Draht mit dem Halbleiterelement elektrisch verbunden ist, auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers; ein Anordnen des Kühlkörpers, so dass er in Draufsicht mit der Leitung teilweise überlappt; ein Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung überlappt, zumindest eines ersten konvexen Teilbereichs, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht; ein Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper, die in Draufsicht mit der Leitung nicht überlappt, zumindest eines zweiten konvexen Teilbereichs, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht; ein Ausbilden eines Gussmaterials, das einen Teil der Leitung, einen Teil des Kühlkörpers und das Halbleiterelement bedeckt; ein Freilegen zumindest eines Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs im Kühlkörper, um das Gussmaterial auszubilden; und ein Schneiden des Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs nach Ausbilden des Gussmaterials. Gemäß solch einer Konfiguration wird die Projektionslänge der unteren Seite des Kühlkörpers, das heißt, die laterale Überstandslänge eines ersten konvexen Teilbereichs so eingerichtet, dass sie lang genug ist, um das Eindringen des Gussmaterials zu verhindern, so dass das Eindringen des Gussmaterials um die seitliche Oberfläche des ersten konvexen Teilbereichs oder die untere Oberfläche des Kühlkörpers herum unterdrückt werden kann. Dementsprechend kann die Halbleitervorrichtung, die imstande ist, die Impedanz in der Leitung zu reduzieren, während das Eindringen des Formharzes unterdrückt wird, hergestellt werden.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • [1]Eine Querschnittsansicht entlang einer X-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
    • [2] Eine Querschnittsansicht entlang einer Y-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
    • [3] Eine perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration eines Kühlkörpers gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
    • [4] Eine Querschnittsansicht entlang einer X-Achsenrichtung, um die Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
    • [5] Eine Draufsicht, die eine Form des Kühlkörpers gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
    • [6] Eine Querschnittsansicht, die eine Struktur zum Bedecken und Fixieren des Kühlkörpers und einer Leitung, die in 5 veranschaulicht sind, mittels eines Gussmaterials veranschaulicht.
    • [7] Eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung, um die Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
    • [8] Eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung, um die Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
    • [9] Eine Zeichnung, die eine äußere Form eines Package veranschaulicht, nachdem es in einem Prozess nach Ausbildung eines Gussmaterialharzes geschnitten ist, gemäß einer Ausführungsform.
    • [10] Eine Querschnittsansicht, die eine Package-Struktur veranschaulicht, die einen Kühlkörper mit einer Form mit einem konvexen Teilbereich auf einen Randteilbereich einer durch das Gussmaterial bedeckten oberen Oberfläche aufweist, so dass der konvexe Teilbereich mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche, übersteht, die vom Gussmaterial freiliegt, gemäß einer Ausführungsform.
  • Beschreibung einer Ausführungsform(en)
  • Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen Ausführungsformen beschrieben.
  • Die Zeichnungen sind schematisch veranschaulicht, so dass eine Konfiguration zum Zwecke einer Erklärung geeignet weggelassen oder vereinfacht ist. Eine wechselseitige Beziehung von Größen und Positionen von Bestandteilen, die in den verschiedenen Zeichnungen jeweils veranschaulicht sind, ist nicht notwendigerweise genau veranschaulicht, sondern kann geeignet geändert werden.
  • In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Bezugsziffern den ähnlichen Bestandteilen in den Zeichnungen zugeordnet, und die Bestandteile mit der gleichen Bezugsziffer haben den gleichen Namen und die gleiche Funktion. Dementsprechend kann in einigen Fällen deren detaillierte Beschreibung weggelassen werden, um eine Wiederholung zu vermeiden.
  • In der folgenden Beschreibung werden, selbst wenn Begriffe, die eine spezifische Position und Richtung angeben, wie etwa „oberer“, „unterer“, „links“, „rechts“, „seitlich“, „Boden“, „vorne“ oder „hinten“ angegeben werden, die Begriffe der Einfachheit halber verwendet, um ein Verständnis der Ausführungsformen zu erleichtern, und sind daher irrelevant für Richtungen in einer praktischen Ausgestaltung.
  • Ferner werden in der folgenden Beschreibung, selbst wenn Ordnungszahlen wie etwa „erster“ oder „zweiter“ angegeben werden, die Begriffe verwendet, um ein Verständnis der Ausführungsformen zu erleichtern, und daher schränkt die Verwendung der Ordnungszahlen die Angabe der Ordnungszahlen nicht auf eine Reihenfolge ein.
  • <Erste Ausführungsform>
  • Im Folgenden werden eine Halbleitervorrichtung, ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, der die Halbleitervorrichtung enthält, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Zuerst wird der einfachen Beschreibung halber eine Package-Struktur beschrieben, die einen Kühlkörper mit einer Form enthält, die einen konvexen Teilbereich auf einem Randteilbereich einer von einem Gussmaterial bedeckten oberen Oberfläche aufweist, so dass der konvexe Teilbereich mehr als ein Randteilbereich einer von dem Gussmaterial freigelegten unteren Oberfläche übersteht.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Package-Struktur veranschaulicht, die einen Kühlkörper mit einer Form enthält, die einen konvexen Teilbereich auf einem Randteilbereich einer von dem Gussmaterial bedeckten oberen Oberfläche aufweist, so dass der konvexe Teilbereich mehr als ein Randteilbereich einer vom Gussmaterial freigelegten unteren Oberfläche vorragt.
  • Wie in 10 veranschaulicht ist, umfasst die Package-Struktur einen Kühlkörper 901 aus Metall, ein Halbleiterelement 902, das über ein Bondingmaterial 1000 auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers 901 angeordnet ist, ein Anpassungselement 903, das über ein Bondingmaterial 1001 auf der oberen Oberfläche des Kühlkörpers 901 angeordnet ist, einen Draht 907, der das Halbleiterelement 902 und das Anpassungselement 903 elektrisch verbindet, eine Leitung 904, die über einen Draht 906 mit dem Halbleiterelement 902 elektrisch verbunden ist und auch mit einer (hierin nicht dargestellten) externen Schaltung elektrisch verbunden ist, eine Leitung 905, die über einen Draht 908 mit dem Anpassungselement 903 elektrisch verbunden und ebenfalls mit einer (hierin nicht dargestellten) externen Schaltung elektrisch verbunden ist, und ein Gussmaterial 909, das so ausgebildet ist, dass es die obere Oberfläche des Kühlkörpers 901, das Halbleiterelement 902, das Anpassungselement 903, einen Teil der Leitung 904 und einen Teil der Leitung 905 bedeckt. Das Gussmaterial 909 hat zum Beispiel auch eine Funktion, um das Halbleiterelement 902 und das Anpassungselement 903 in der Package-Struktur vor einem Kontakt mit einer externen Schaltung zu schützen.
  • Eine untere Oberfläche des Kühlkörpers 901 ist vom Gussmaterial 909 freigelegt und strahlt von dem Halbleiterelement 902 und dem Anpassungselement 903 erzeugte Wärme ab.
  • Das Halbleiterelement 902 ist beispielsweise ein eine Hochfrequenzleistung verstärkendes Element, in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird. Das Anpassungselement 903 ist zum Beispiel ein eine Abgabe anpassendes Schaltungselement des Halbleiterelements 902.
  • Der Kühlkörper 901 hat eine Form mit einem konvexen Teilbereich 901a und einem konvexen Teilbereich 901b, die auf einem Randteilbereich der vom Gussmaterial 909 bedeckten oberen Oberfläche lateral überstehen, das heißt, eine Form, in der eine obere Seite länger als eine untere Seite in 10 ist, zum Zwecke einer Verankerung des Gussmaterials 909 am Kühlkörper 901, das heißt, Erzeugen eines Ankereffekts.
  • In solch einer Struktur wird eine parasitäre Induktivitätskomponente auf einer Seite des Kühlkörpers 901 in einem Bereich redundant, wo die Leitung 904 und der Kühlkörper 901 in einer senkrechten Richtung miteinander überlappen, und einem Bereich, wo die Leitung 905 und der Kühlkörper 901 in der senkrechten Richtung miteinander überlappen, wenn die Package-Struktur auf einer externen Struktur montiert ist und die untere Oberfläche des Kühlkörpers 901 geerdet ist. Somit gibt es ein Problem, dass eine Impedanz in der Leitung 904 und der Leitung 905 nicht auf ein gewünschtes Niveau reduziert werden kann.
  • <Konfiguration einer Halbleitervorrichtung>
  • 1 ist eine Querschnittsansicht entlang einer X-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
  • Wie in 1 veranschaulicht ist, umfasst die Halbleitervorrichtung einen Kühlkörper 101 aus Metall, ein Halbleiterelement 102, das über ein Bondingmaterial 1000 auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers 101 angeordnet ist, ein Anpassungselement 103, das über ein Bondingmaterial 1001 auf der oberen Oberfläche des Kühlkörpers 101 angeordnet ist, einen Draht 107, der das Halbleiterelement 102 und das Anpassungselement 103 elektrisch verbindet, eine Leitung 104, die über einen Draht 106 mit dem Halbleiterelement 102 verbunden ist und auch mit einer (hierin nicht dargestellten) externen Schaltung elektrisch verbunden ist, eine Leitung 105, die über einen Draht 108 mit dem Anpassungselement 103 elektrisch verbunden ist und auch mit einer (hierin nicht dargestellten) externen Schaltung elektrisch verbunden ist, und ein Gussmaterial 109, das so ausgebildet ist, dass es die obere Oberfläche des Kühlkörpers 101, das Halbleiterelement 102, das Anpassungselement 103, einen Teil der Leitung 104 und einen Teil der Leitung 105 bedeckt. Das Gussmaterial 109 hat zum Beispiel auch eine Funktion, das Halbleiterelement 102 und das Anpassungselement 103 in der Package-Struktur vor einem Kontakt mit einer externen Schaltung zu schützen.
  • Wie in 1 veranschaulicht ist, weist der Kühlkörper 101 einen konvexen Teilbereich 101a und einen konvexen Teilbereich 101b auf, die auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche des Kühlkörpers 101 in einem Bereich lateral überstehen, wo der Kühlkörper 101 in einer senkrechten Richtung mit der Leitung 104 oder der Leitung 105 überlappt, das heißt, an einer Position mit der Überlappung in Draufsicht, und eine Form aufweist, in der dessen obere Seite kürzer als dessen untere Seite ist. Somit wird eine parasitäre Induktivitätskomponente auf einer Seite des Kühlkörpers 101 kaum redundant, wenn die Halbleitervorrichtung auf einer externen Struktur montiert und die untere Oberfläche des Kühlkörpers 101 geerdet ist.
  • In dem konvexen Teilbereich 101a in 1 stehen ein oberes Ende und ein unteres Ende des konvexen Teilbereichs 101a in ähnlicher Weise über; jedoch ist ein Ausmaß eines Überstands des oberen Endes und des unteren Endes des konvexen Teilbereichs 101a nicht darauf beschränkt, dass sie einander ähnlich sind. Das heißt, es ist auch möglich, dass ein Überstandsbetrag des oberen Endes des konvexen Teilbereichs 101a klein ist und ein Überstandsbetrag dessen unteren Endes groß ist, so dass der konvexe Teilbereich 101a als Ganzes eine geneigte Form (angeschrägte Form) aufweist. In ähnlicher Weise kann auch der konvexe Teilbereich 101b eine geneigte Form (angeschrägte Form) als Ganzes aufweisen.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Y-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
  • Wie in 2 veranschaulicht ist, hat der Kühlkörper 101 eine Form mit einem konvexen Teilbereich 101c und einem konvexen Teilbereich 101d, die auf dem Randteilbereich der von dem Gussmaterial 109 bedeckten oberen Oberfläche lateral überstehen, das heißt, eine Form, in der die obere Seite länger als die untere Seite in 2 ist, zum Zwecke einer Verankerung des Gussmaterials 109 an dem Kühlkörper 101, das heißt, Erzeugen des Ankereffekts.
  • In dem konvexen Teilbereich 101c in 2 stehen ein oberes Ende und ein unteres Ende des konvexen Teilbereichs 101c in ähnlicher Weise über; jedoch ist ein Ausmaß eines Überstands des oberen Endes und des unteren Endes des konvexen Teilbereichs 101c nicht darauf beschränkt, dass sie einander ähnlich sind. In ähnlicher Weise ist ein Ausmaß eines Überstands eines oberen Endes und eines unteren Endes des konvexen Teilbereichs 101d nicht darauf beschränkt, dass sie einander gleich sind.
  • Der konvexe Teilbereich 101c und der konvexe Teilbereich 101d im Kühlkörper 101 überlappen jedoch in der senkrechten Richtung nicht mit der Leitung 104 und der Leitung 105, so dass sie nicht verhindern, dass die Leitung 104 und die Leitung 105 die Impedanz reduzieren.
  • Der konvexe Teilbereich 101c und der konvexe Teilbereich 101d im Kühlkörper 101, die in 2 veranschaulicht sind, sind ebenfalls in der ähnlichen Weise in einer Querschnittsansicht entlang der Y-Achsenrichtung in einer Konfiguration in der anderen Ausführungsform ausgebildet, die hier im Folgenden als ein Beispiel beschrieben wird, sofern nicht anders angegeben.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Konfiguration des Kühlkörpers gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Hierin entspricht eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung in 3 1. Eine Querschnittsansicht entlang der Y-Achsenrichtung in 3 entspricht 2.
  • Gemäß der in 1 veranschaulichten Konfiguration ist die parasitäre Induktivitätskomponente in einer lateralen Richtung des Kühlkörpers 101 in einem Bereich reduziert, wo der Kühlkörper 101 in der senkrechten Richtung mit der Leitung 104 oder der Leitung 105 überlappt. Die parasitäre Induktivitätskomponente wird zu einer Zeit reduziert, zu der eine parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 104 und dem Kühlkörper 101 und eine parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 105 und dem Kühlkörper 101 über den Kühlkörper 101 geerdet werden. Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung 104 und der Leitung 105 reduziert werden.
  • Wie in 2 veranschaulicht ist, hat der Kühlkörper 101 die Form, in der die obere Seite länger als die untere Seite in dem Bereich ist, wo der Kühlkörper 101 mit der Leitung 104 und der Leitung 105 in der senkrechten Richtung nicht überlappt, so dass der Ankereffekt erzielt werden kann, ohne die Reduzierung der Impedanz in der Leitung 104 und der Leitung 105 zu verhindern.
  • Wie oben beschrieben wurde, sind gemäß der vorliegenden Ausführungsform sowohl die Reduzierung der Impedanz in der Leitung 104 und der Leitung 105 als auch der Effekt einer Verankerung des Kühlkörpers 101 und des Gussmaterials 109, das heißt, der Ankereffekt, erzielbar.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • Beschrieben werden eine Halbleitervorrichtung, ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, der die Halbleitervorrichtung enthält, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. In der Beschreibung werden hierin im Folgenden die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in der obigen Ausführungsform beschrieben wurden, den ähnlichen Bestandteilen in den Zeichnungen zugeordnet, und deren detaillierte Beschreibung wird entsprechend weggelassen.
  • <Konfiguration einer Halbleitervorrichtung>
  • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen.
  • Wie in 4 veranschaulicht ist, umfasst die Halbleitervorrichtung den Kühlkörper 101, das Halbleiterelement 102, das Anpassungselement 103, den Draht 106, den Draht 107, den Draht 108, die Leitung 104, die Leitung 105 und das Gussmaterial 109.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung auf einer externen Struktur montiert ist, sind hierin im Kühlkörper 101 die untere Oberfläche und die konvexen Teilbereiche 101a und 101b, welche die auf dem Randteilbereich der unteren Oberfläche lateral überstehenden konvexen Teilbereiche sind, geerdet.
  • Gemäß der in 4 veranschaulichten Struktur sind nicht nur die untere Oberfläche des Kühlkörpers 101, sondern auch der konvexe Teilbereich 101a und der konvexe Teilbereich 101b geerdet, so dass die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 104 und dem Kühlkörper 101 und die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 105 und dem Kühlkörper 101 über den Kühlkörper 101 geerdet sind, weiter reduziert wird.
  • Die Konfiguration zum Erden des konvexen Teilbereichs 101a und des konvexen Teilbereichs 101b im Kühlkörper 101, die in 4 veranschaulicht sind, ist ebenfalls in einer ähnlichen Weise in einer Konfiguration in der anderen Ausführungsform ausgebildet, die hierin im Folgenden als Beispiel beschrieben wird, sofern nicht anders angegeben.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • Beschrieben werden eine Halbleitervorrichtung, ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, der die Halbleitervorrichtung enthält, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. In der Beschreibung werden hierin im Folgenden die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in der obigen Ausführungsform beschrieben wurden, den ähnlichen Bestandteilen in den Zeichnungen zugeordnet, und deren detaillierte Beschreibung wird entsprechend weggelassen.
  • <Konfiguration einer Halbleitervorrichtung>
  • 5 ist eine Draufsicht, die eine Form des Kühlkörpers in einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht. Wie in 5 veranschaulicht ist, sind in einem Kühlkörper 201 ein Einschnittteilbereich 226, ein Einschnittteilbereich 227, ein Einschnittteilbereich 228 und ein Einschnittteilbereich 229 in Bereichen vorgesehen, welche in Draufsicht mit einer Leitung 204 und einer Leitung 205 nicht überlappen.
  • In 5 sind der konvexe Teilbereich 201a und der konvexe Teilbereich 201b auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche des Kühlkörpers 201 lateral ausgebildet, und der Einschnittteilbereich 226, der Einschnittteilbereich 227, der Einschnittteilbereich 228 und der Einschnittteilbereich 229 sind an Seiten ausgebildet, wo der konvexe Teilbereich 201a und konvexe Teilbereich 201b nicht ausgebildet sind.
  • Der konvexe Teilbereich 101c und der konvexe Teilbereich 101d, die in 2 veranschaulicht sind, sind in dem in 5 veranschaulichten Kühlkörper 201 nicht ausgebildet; jedoch können darin ferner der konvexe Teilbereich 101c und der konvexe Teilbereich 101d, die in 2 veranschaulicht sind, ausgebildet sein.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Struktur veranschaulicht, um den Kühlkörper 201, die Leitung 204 und die Leitung 205, die in 5 veranschaulicht sind, mittels eines Gussmaterials 209 zu bedecken und zu fixieren. Eine Veranschaulichung eines Halbleiterelements und eines Anpassungselements, die vom Gussmaterial 209 bedeckt werden, ist zur Vereinfachung der Zeichnung weggelassen.
  • Gemäß der in 5 und 6 veranschaulichten Struktur sind der Einschnittteilbereich 226, der Einschnittteilbereich 227, der Einschnittteilbereich 228 und der Einschnittteilbereich 229 im Kühlkörper 201 mit dem Gussmaterial 209 gefüllt, so dass der Effekt einer Verankerung des Kühlkörpers 201 und des Gussmaterials 209, das heißt, der Ankereffekt, erzielt werden kann.
  • In dem konvexen Teilbereich 201a in 6 stehen ein oberes Ende und ein unteres Ende des konvexen Teilbereichs 201a in der ähnlichen Weise über; jedoch ist ein Ausmaß eines Überstands des oberen Endes und des unteren Endes des konvexen Teilbereichs 201a nicht darauf beschränkt, dass sie einander ähnlich sind. Das heißt, es ist auch anwendbar bzw. möglich, dass ein Überstandsbetrag des oberen Endes des konvexen Teilbereichs 201a klein ist und ein Überstandsbetrag seines unteren Endes groß ist, so dass der konvexe Teilbereich 201a als Ganzes eine geneigte Form (angeschrägte Form) aufweist. In ähnlicher Weise kann auch der konvexe Teilbereich 201b als Ganzes eine geneigte Form (angeschrägte Form) aufweisen.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • Beschrieben werden eine Halbleitervorrichtung, ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, der die Halbleitervorrichtung enthält, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. In der Beschreibung sind im Folgenden die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in der obigen Ausführungsform beschrieben wurden, den ähnlichen Bestandteilen in den Zeichnungen zugeordnet, und deren detaillierte Beschreibung wird entsprechend weggelassen.
  • <Konfiguration einer Halbleitervorrichtung>
  • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen. 7 veranschaulicht eine Gussform, die in einem Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial in der Halbleitervorrichtung verwendet wird.
  • Wie in 7 veranschaulicht ist, umfasst die Halbleitervorrichtung einen Kühlkörper 301, ein Halbleiterelement 302, ein Anpassungselement 303, einen Draht 306, einen Draht 307, einen Draht 308, eine Leitung 304, eine Leitung 305 und ein Gussmaterial 309.
  • In 7 sind auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche des Kühlkörpers 301 ein konvexer Teilbereich 301a und ein konvexer Teilbereich 301b lateral ausgebildet.
  • Eine Gussform 321 auf der Seite der oberen Oberfläche, eine Gussform 322 auf der Seite der unteren Oberfläche und eine Gussform 323 auf der Seite der unteren Oberfläche werden im Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial 309 verwendet. Ein Trägersubstrat 324 ist ein den Kühlkörper 301 tragendes Substrat.
  • In einem in 7 veranschaulichten Fall wird zuerst der Kühlkörper 301 vorbereitet, dessen untere Oberfläche geerdet ist. Dann werden das Halbleiterelement 302 und das Anpassungselement 303 über ein Bondingmaterial auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers 301 angeordnet. Danach werden die Leitung 304, die über den Draht 306 mit dem Halbleiterelement 302 elektrisch verbunden wird, und die Leitung 305, die über den Draht 308 mit dem Anpassungselement 303 elektrisch verbunden wird, auf einer oberen Seite des Kühlkörpers 301 angeordnet.
  • Der Kühlkörper 301 ist hierin so angeordnet, dass er in Draufsicht mit der Leitung 304 und der Leitung 305 teilweise überlappt. Auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper 301, die in Draufsicht mit der Leitung 304 überlappt, ist ein konvexer Teilbereich 301a ausgebildet, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht. Auf dem Randteilbereich der unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper 301, die in Draufsicht mit der Leitung 305 überlappt, ist ein konvexer Teilbereich 301b ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position übersteht.
  • Auf dem Randteilbereich der oberen Oberfläche ist an einer Position im Kühlkörper 301, die in Draufsicht mit der Leitung 304 nicht überlappt, der konvexe Teilbereich 101c ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position (siehe 2) übersteht. Auf dem Randteilbereich der oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper 301, die in Draufsicht mit der Leitung 305 nicht überlappt, ist der konvexe Teilbereich 101d ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position (siehe 2) übersteht.
  • Danach wird das Gussmaterial 309 ausgebildet, das einen Teil der Leitung 304, einen Teil des Kühlkörpers 301 und das Halbleiterelement 302 bedeckt. Das Gussmaterial 309 wird hierin auf solch eine Weise ausgebildet, dass es zumindest einen Endteilbereich von jedem des konvexen Teilbereichs 301a und des konvexen Teilbereichs 301b im Kühlkörper 301 freilegt.
  • Das Trägersubstrat 324, das die Gussform 321 auf der Seite der oberen Oberfläche, die Gussform 322 auf der Seite der unteren Oberfläche, die Gussform 323 auf der Seite der unteren Oberfläche und den Kühlkörper 301 trägt, wird verwendet, so dass die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform, beispielsweise ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, hergestellt werden kann.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • Beschrieben werden eine Halbleitervorrichtung, ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker, der die Halbleitervorrichtung enthält, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform. In der Beschreibung werden im Folgenden die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in der obigen Ausführungsform beschrieben wurden, den ähnlichen Bestandteilen in den Zeichnungen zugeordnet, und deren detaillierte Beschreibung wird entsprechend weggelassen.
  • <Konfiguration einer Halbleitervorrichtung>
  • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der X-Achsenrichtung, um eine Konfiguration zum Erreichen der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform schematisch zu veranschaulichen. 8 veranschaulicht eine Gussform, die in einem Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial in der Halbleitervorrichtung verwendet wird.
  • Wie in 8 veranschaulicht ist, umfasst die Halbleitervorrichtung einen Kühlkörper 401, das Halbleiterelement 302, das Anpassungselement 303, den Draht 306, den Draht 307, den Draht 308, die Leitung 304, die Leitung 305 und das Gussmaterial 309.
  • Die Gussform 321 auf der Seite der oberen Oberfläche, eine Gussform 322a auf der Seite der unteren Oberfläche und eine Gussform 323a auf der Seite der unteren Oberfläche werden in dem Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial 309 verwendet. Das Trägersubstrat 324 ist das den Kühlkörper 401 tragende Substrat.
  • In 8 sind ein konvexer Teilbereich 401a und ein konvexer Teilbereich 401b auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche des Kühlkörpers 401 lateral ausgebildet.
  • Eine Form der Gussform und des Kühlkörpers 401 in 8 unterdrückt ein Eindringen des Gussmaterials 309 um eine seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401a, eine seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401b oder eine untere Oberfläche des Kühlkörpers 401 herum im Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial 309.
  • Konkret enthält der Kühlkörper 401 eine in einer unteren Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401a ausgebildete Kerbe 402a und eine in einer unteren Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401b ausgebildete Kerbe 402b. Eine Projektionslänge der unteren Oberfläche des Kühlkörpers 401, das heißt, eine laterale Überstandslänge jedes konvexen Teilbereichs, ist so eingerichtet, dass sie lang genug ist, um das Eindringen des Gussmaterials 309 verhindern zu können.
  • Nach dem Versiegeln mit einem Gussharz des Gussmaterials 309 werden die Gussform 321 auf der Seite der oberen Oberfläche, die Gussform 322a auf der Seite der unteren Oberfläche, die Gussform 323a auf der Seite der unteren Oberfläche und das Trägersubstrat 324, die im Prozess zum Versiegeln mit dem Gussmaterial 309 verwendet wurden, entfernt, und anschließend wird ein Teil des Kühlkörpers 401 an einer Position 403a und einer Position 403b, von der Kerbe 402a und der Kerbe 402b aus beginnend, geschnitten. Konkret werden ein Teil des konvexen Teilbereichs 401a und ein Teil des konvexen Teilbereichs 401b abgeschnitten.
  • 9 ist eine Zeichnung, die eine äußere Form eines Package veranschaulicht, nachdem es in dem Prozess nach der Ausbildung des Gussmaterialharzes geschnitten ist. In 9 entsprechen ein Bereich 501a und ein Bereich 501b den Teilen des Kühlkörpers, welche abgeschnitten wurden, konkret Teilbereichen, wo sich der Teil des konvexen Teilbereichs 401a bzw. der Teil des konvexen Teilbereichs 401b befanden.
  • Die Projektionslänge der unteren Seite des Kühlkörpers 401, das heißt, die laterale Überstandslänge jedes konvexen Teilbereichs ist so eingerichtet, dass sie lang genug ist, um das Eindringen des Gussmaterials 309 verhindern zu können, so dass das Eindringen des Gussharzes um die seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401a, die seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401b oder die untere Oberfläche des Kühlkörpers 401 herum unterdrückt werden kann.
  • Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung 304 und der Leitung 305 in 8 reduziert werden, während das Eindringen des Gussharzes unterdrückt wird.
  • <Durch die oben beschriebenen Ausführungsformen erzeugte Effekte>
  • Als Nächstes werden durch die oben beschriebenen Ausführungsformen erzeugte Effekte beschrieben. Es sollte besonders erwähnt werden, dass in der folgenden Beschreibung die Effekte basierend auf den in den oben beschriebenen Ausführungsformen veranschaulichten spezifischen Konfigurationen beschrieben werden, jedoch andere spezifische Konfigurationen anstelle der in der Patentbeschreibung veranschaulichten Konfigurationen innerhalb des Umfangs zum Erzeugen der ähnlichen Effekte verwendet werden können.
  • Außerdem kann ein Austausch mit einer Vielzahl von Ausführungsformen vorgenommen werden. Das heißt, jede der in den entsprechenden Ausführungsformen veranschaulichten Konfigurationen kann mit einer anderen kombiniert werden, um die ähnlichen Effekte zu erzeugen.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform umfasst die Halbleitervorrichtung den Kühlkörper 101, das Halbleiterelement 102, zumindest eine Leitung 104 und das Gussmaterial 109. Zumindest die untere Oberfläche des Kühlkörpers 101 ist geerdet. Das Halbleiterelement 102 ist auf der oberen Oberfläche des Kühlkörpers 101 angeordnet. Das Hochfrequenzsignal wird in das Halbleiterelement 102 eingespeist oder von ihm abgegeben. Die Leitung 104 ist über den Draht 106 mit dem Halbleiterelement 102 elektrisch verbunden. Die Leitung 104 ist auf der oberen Seite des Kühlkörpers 101 angeordnet. Das Gussmaterial 109, das den Teil der Leitung 104, zumindest die obere Oberfläche des Kühlkörpers 101 und das Halbleiterelement 102 bedeckt, ist ausgebildet. Der Kühlkörper 101 ist hierin so angeordnet, dass er in Draufsicht mit der Leitung 104 teilweise überlappt. Auf dem Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position im Kühlkörper 101, die in Draufsicht mit der Leitung 104 überlappt, ist zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position übersteht. Auf dem Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position im Kühlkörper 101, die in Draufsicht mit der Leitung 104 nicht überlappt, ist zumindest ein zweiter konvexer Teilbereich ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position übersteht. Der erste konvexe Teilbereich entspricht hierin beispielsweise zumindest einem des konvexen Teilbereichs 101a, des konvexen Teilbereichs 201a, des konvexen Teilbereichs 101b und des konvexen Teilbereichs 201b. Der zweite konvexe Teilbereich entspricht beispielsweise zumindest einem des konvexen Teilbereichs 101c und des konvexen Teilbereichs 101d.
  • Gemäß solch einer Konfiguration wird die parasitäre Induktivitätskomponente in der lateralen Richtung des Kühlkörpers 101 in dem Bereich reduziert, wo der Kühlkörper 101 in der senkrechten Richtung mit der Leitung 104 überlappt. Die parasitäre Induktivitätskomponente wird zu der Zeit reduziert, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 104 und dem Kühlkörper 101 über den Kühlkörper 101 geerdet ist. Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung 104 reduziert werden. Das heißt, die Impedanz in der mit dem Halbleiterelement 102 verbundenen Leitung kann reduziert werden, während der Effekt einer Verankerung des Gussmaterials durch den konvexen Teilbereich 101c und des konvexen Teilbereichs 101d erzielt wird.
  • Es sollte besonders erwähnt werden, dass die Beschreibung der anderen Konfigurationen außer den Konfigurationen, die in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulicht sind, entsprechend weggelassen werden können. Das heißt, solange die beschriebenen Konfigurationen vorgesehen sind, können die oben beschriebenen Effekte erzeugt werden.
  • Selbst in dem Fall, in dem zumindest eine der anderen Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen der oben beschriebenen Konfiguration geeignet hinzugefügt wird, das heißt andere Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen, auf welche nicht als oben beschriebene Konfigurationen verwiesen wird, geeignet hinzugefügt werden, können die ähnlichen Effekte erzeugt werden.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform liegt der konvexe Teilbereich 101a im Kühlkörper 101 vom Gussmaterial 109 frei. Die untere Oberfläche und der konvexe Teilbereich 101a im Kühlkörper 101 sind geerdet. Gemäß solch einer Konfiguration sind nicht nur die untere Oberfläche, sondern auch der konvexe Teilbereich 101a im Kühlkörper 101 geerdet, so dass die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit weiter reduziert wird, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 104 und dem Kühlkörper 101 über den Kühlkörper 101 geerdet ist.
  • Gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen ist zumindest ein Einschnittteilbereich 226 im Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position im Kühlkörper 201 ausgebildet, die in Draufsicht mit der Leitung 204 nicht überlappt. Der Einschnittteilbereich 226 wird dann mit dem Gussmaterial 209 gefüllt. Gemäß solch einer Konfiguration wird der Einschnittteilbereich 226 im Kühlkörper 201 mit dem Gussmaterial 209 gefüllt, so dass der Effekt einer Verankerung des Kühlkörpers 201 und des Gussmaterials 209, das heißt, der Ankereffekt, erzielt werden kann.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform umfasst die Halbleitervorrichtung den Kühlkörper 201, das Halbleiterelement 102, zumindest eine Leitung 204 und das Gussmaterial 209. Zumindest die untere Oberfläche des Kühlkörpers 201 ist geerdet. Das Halbleiterelement 102 ist auf der oberen Oberfläche des Kühlkörpers 201 angeordnet, und das Hochfrequenzsignal wird in das Halbleiterelement 102 eingespeist oder von ihm abgegeben. Die Leitung 204 ist über den Draht 106 mit dem Halbleiterelement 102 elektrisch verbunden. Die Leitung 204 ist auf der oberen Seite des Kühlkörpers 201 angeordnet. Das Gussmaterial 209, das den Teil der Leitung 204, zumindest die obere Oberfläche des Kühlkörpers 201 und das Halbleiterelement 102 bedeckt, ist ausgebildet. Der Kühlkörper 201 ist hierin so angeordnet, dass er in Draufsicht mit der Leitung 204 teilweise überlappt. Auf dem Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position im Kühlkörper 201, die in Draufsicht mit der Leitung 204 überlappt, ist zumindest ein konvexer Teilbereich 201a ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position übersteht. Zumindest ein Einschnittteilbereich 226 ist im Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position im Kühlkörper 201 ausgebildet, die in Draufsicht mit der Leitung 204 nicht überlappt. Der Einschnittteilbereich 226 wird dann mit dem Gussmaterial 209 gefüllt.
  • Gemäß solch einer Konfiguration wird der Einschnittteilbereich 226 im Kühlkörper 201 mit dem Gussmaterial 209 gefüllt, so dass der Effekt einer Verankerung des Kühlkörpers 201 und des Gussmaterials 209, das heißt, der Ankereffekt, erzielt werden kann. Die parasitäre Induktivitätskomponente in der lateralen Richtung des Kühlkörpers 201 wird in dem Bereich reduziert, wo der Kühlkörper 201 in der senkrechten Richtung mit der Leitung 204 überlappt. Reduziert wird die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 204 und dem Kühlkörper 201 über den Kühlkörper 201 geerdet ist. Dementsprechend kann die Impedanz in der Leitung 204 reduziert werden. Das heißt, die Reduzierung der Impedanz in der mit dem Halbleiterelement 102 verbundenen Leitung kann erzielt werden, während der Effekt einer Verankerung des Gussmaterials durch den Einschnittteilbereich 226 erzielt wird.
  • Es sollte besonders erwähnt werden, dass die Beschreibung der anderen Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen entsprechend weggelassen werden kann. Das heißt, solange die beschriebenen Konfigurationen vorgesehen sind, können die oben beschriebenen Effekte erzeugt werden.
  • Selbst in einem Fall, in dem zumindest eine der anderen Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen der oben beschriebenen Konfiguration entsprechend hinzugefügt wird, das heißt, andere Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen, auf die als oben beschriebene Konfigurationen nicht verwiesen wird, entsprechend hinzugefügt werden, können die entsprechenden Effekte erzeugt werden.
  • Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ist der konvexe Teilbereich 201a im Kühlkörper 201 vom Gussmaterial 209 freigelegt. Die untere Oberfläche und der konvexe Teilbereich 201a im Kühlkörper 201 sind geerdet. Gemäß solch einer Konfiguration sind nicht nur die untere Oberfläche, sondern auch der konvexe Teilbereich 201a im Kühlkörper 201 geerdet, und ferner wird die parasitäre Induktivitätskomponente zu der Zeit, zu der die parasitäre Kapazität zwischen der Leitung 204 und dem Kühlkörper 201 über den Kühlkörper 201 geerdet ist, reduziert.
  • Gemäß der oben beschriebenen Konfiguration enthält der Hochfrequenz-Leistungsverstärker die oben beschriebene Halbleitervorrichtung. Gemäß solch einer Konfiguration kann die Impedanz in der Leitung reduziert werden, so dass die Leistungsfähigkeit bei hoher Frequenz gesteigert werden kann.
  • Gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen wird der Kühlkörper 401, dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist, im Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung vorbereitet. Dann wird auf der oberen Oberfläche des Kühlkörpers 401 das Halbleiterelement 302 angeordnet, in das das Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird. Zumindest eine Leitung 304, die über den Draht 306 mit dem Halbleiterelement 302 elektrisch verbunden ist, wird dann auf der oberen Seite des Kühlkörpers 401 angeordnet. Der Kühlkörper 401 wird hierin so angeordnet, dass er in Draufsicht mit der Leitung 304 teilweise überlappt. Auf dem Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position im Kühlkörper 401, die in Draufsicht mit der Leitung 304 überlappt, wird zumindest ein erster konvexer Teilbereich ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position übersteht. Auf dem Randteilbereich der oberen Oberfläche an der Position im Kühlkörper 403, die in Draufsicht mit der Leitung 304 nicht überlappt, wird zumindest ein zweiter konvexer Teilbereich ausgebildet, der mehr als der Randteilbereich der unteren Oberfläche an der Position übersteht. Danach wird das Gussmaterial 309, das den Teil der Leitung 304, den Teil des Kühlkörpers 401 und das Halbleiterelement 302 bedeckt, ausgebildet. Das Gussmaterial 309 wird hierin auf solch eine Weise ausgebildet, dass es zumindest den Endteilbereich des ersten konvexen Teilbereichs im Kühlkörper 401 freilegt. Der Endteilbereich des ersten konvexen Teilbereichs wird dann nach Ausbilden des Gussmaterials 309 abgeschnitten. Der erste konvexe Teilbereich entspricht zum Beispiel zumindest einem des konvexen Teilbereichs 401a und des konvexen Teilbereichs 401b. Der zweite konvexe Teilbereich entspricht beispielsweise zumindest einem des konvexen Teilbereichs 101c und des konvexen Teilbereichs 101d.
  • Gemäß solch einer Konfiguration wird die Projektionslänge der unteren Seite des Kühlkörpers 401, das heißt, die laterale Überstandslänge jedes des konvexen Teilbereichs 401a und des konvexen Teilbereichs 401b, so eingerichtet, dass sie lang genug ist, um das Eindringen des Gussmaterials 309 verhindern zu können, so dass das Eindringen des Gussharzes um die seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401a, die seitliche Oberfläche des konvexen Teilbereichs 401b oder die untere Oberfläche des Kühlkörpers 401 herum unterdrückt werden kann. Dementsprechend kann die Halbleitervorrichtung hergestellt werden, die imstande ist, die Impedanz in der Leitung 304 und der Leitung 305 zu reduzieren, während das Eindringen des Gussharzes unterdrückt wird.
  • Es sollte besonders erwähnt werden, dass die Beschreibung der anderen Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen entsprechend weggelassen werden kann. Das heißt, solange die beschriebenen Konfigurationen vorgesehen sind, können die oben beschriebenen Effekte erzeugt werden.
  • Selbst in einem Fall, in dem zumindest eine der anderen Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen der oben beschriebenen Konfiguration entsprechend hinzugefügt wird, das heißt, andere Konfigurationen außer den in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung veranschaulichten Konfigurationen, auf die als oben beschriebene Konfigurationen nicht verwiesen wird, entsprechend hinzugefügt werden, können die entsprechenden Effekte erzeugt werden.
  • Die Reihenfolge einer Durchführung jeder Bearbeitung kann geändert werden, es sei denn, es gibt eine spezifische Einschränkung.
  • Gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen wird der Endteilbereich des konvexen Teilbereichs 401a von der Kerbe 402a im konvexen Teilbereich 401a aus abgeschnitten. Gemäß solch einer Konfiguration kann ein Spitzenteilbereich des konvexen Teilbereichs 401a leicht aus einer vorbestimmten Position abgeschnitten werden.
  • <Modifikationsbeispiel in oben beschriebenen Ausführungsformen>
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen können Materialeigenschaften, Materialien, Abmessungen, Formen, Beziehungen einer relativen Anordnung, Bedingungen für eine Implementierung usw. für die jeweiligen Bestandteile beschrieben sein; jedoch repräsentieren diese in allen Aspekten ein bloßes Beispiel und sind nicht auf die Beschreibung in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung beschränkt.
  • Dementsprechend versteht es sich, dass zahlreiche andere Modifikationen, Variationen und Äquivalente konzipiert werden können, ohne vom Umfang der in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik abzuweichen. Beispielsweise sind die folgenden Fälle, in denen zumindest einer der Bestandteile modifiziert, hinzugefügt oder weggelassen werden soll, ferner zumindest einer der Bestandteile von zumindest einer der Ausführungsformen extrahiert wird und dann mit Bestandteilen der anderen Ausführungsform kombiniert wird, einbezogen.
  • Der in den obigen Ausführungsformen beschriebene „eine“ Bestandteil kann „ein oder mehr“ Bestandteile sein, sofern es mit den Ausführungsformen konsistent ist.
  • Ferner sind einzelne Bestandteile konzeptionelle Einheiten. Somit kann innerhalb des Bereichs der in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung offenbarten Technik ein Bestandteil mehrere Strukturen enthalten, kann ein Bestandteil einem Teil einer anderen Struktur entsprechen und können mehrere Bestandteile in einer Struktur enthalten sein.
  • Jeder Bestandteil umfasst eine Struktur mit einer unterschiedlichen Konfiguration oder einer unterschiedlichen Form, solange die Struktur der unterschiedlichen Konfiguration oder der unterschiedlichen Form die gleiche Funktion erfüllt.
  • Auf das in der Patentbeschreibung der vorliegenden Anmeldung Beschriebene wird für alle Zwecke im Hinblick auf die vorliegende Technik verwiesen. Folglich stellt dies keine Anerkennung, dass etwaige der hierin gelieferten Beschreibungen herkömmliche Techniken sind, dar.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen sind, wenn Namen von Materialien angegeben werden, sofern nicht anders spezifiziert, eine Legierung des Materials und andere Additive usw. einbezogen, sofern dies mit den Ausführungsformen konsistent ist.
  • Bezugszeichenliste
  • 101, 201, 301, 401 und 901 Kühlkörper, 101a, 101b, 101c, 101d, 201a, 201b, 301a, 301b, 401a, 401b, 901a und 901b konvexer Teilbereich, 102, 302 und 902 Halbleiterelement, 103, 303 und 903 Anpassungselement, 104, 105, 204, 205, 304, 305, 904 und 905 Leitung, 106, 107, 108, 306, 307, 308, 906, 907 und 908 Draht, 109, 209, 309 und 909 Gussmaterial, 226, 227, 228 und 229 Einschnittteilbereich, 321 Gussform auf der Seite der oberen Oberfläche, 322, 322a, 323 und 323a Gussform auf der Seite der unteren Oberfläche, 324 Trägersubstrat, 402a und 402b Kerbe, 403a und 403b Position, 501a und 501b Bereich, 1000 und 1001 Bondingmaterial

Claims (9)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen Kühlkörper (101, 201), dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement (102), das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers (101, 201) angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; zumindest eine Leitung (104, 105, 204, 205), die über einen Draht (106, 107, 108) mit dem Halbleiterelement (102) elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers (101, 201) angeordnet ist; und ein Gussmaterial (109, 209), das so ausgebildet ist, dass es einen Teil der Leitung (104, 105, 204, 205), zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers (101, 201) und das Halbleiterelement (102) bedeckt, wobei der Kühlkörper (101, 201) so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung (104, 105, 204, 205) teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (101, 201), die in Draufsicht mit der Leitung (104, 105, 204, 205) überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich (101a, 201a, 101b, 201b) ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, und auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (101, 201), die in Draufsicht mit der Leitung (104, 105, 204, 205) nicht überlappt, zumindest ein zweiter konvexer Teilbereich (101c, 101d) ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste konvexe Teilbereich (101a, 201a, 101b, 201b) im Kühlkörper (101, 201) vom Gussmaterial (109) freigelegt ist, und eine untere Oberfläche und der erste konvexe Teilbereich (101a, 201a, 101b, 201b) im Kühlkörper (101, 201) geerdet sind.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest ein Einschnittteilbereich (226, 227, 228, 229) in einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (201) ausgebildet ist, die in Draufsicht mit der Leitung (204, 205) nicht überlappt, und der Einschnittteilbereich (226, 227, 228, 229) mit dem Gussmaterial (209) gefüllt ist.
  4. Hochfrequenz-Leistungsverstärker, aufweisend die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3.
  5. Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen Kühlkörper (201), dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; ein Halbleiterelement (102), das auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers (201) angeordnet ist und in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; zumindest eine Leitung (204, 205), die über einen Draht (106, 107, 108) mit dem Halbleiterelement (102) elektrisch verbunden und auf einer oberen Seite des Kühlkörpers (201) angeordnet ist; und ein Gussmaterial (209), das so ausgebildet ist, dass es einen Teil der Leitung (204, 205), zumindest eine obere Oberfläche des Kühlkörpers (201) und das Halbleiterelement (102) bedeckt, wobei der Kühlkörper (201) so angeordnet ist, dass er in Draufsicht mit der Leitung (204, 205) teilweise überlappt, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (201), die in Draufsicht mit der Leitung (204, 205) überlappt, zumindest ein erster konvexer Teilbereich (201a, 201b) ausgebildet ist, der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht, zumindest ein Einschnittteilbereich (226, 227, 228, 229) in einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (201) ausgebildet ist, die in Draufsicht mit der Leitung (204, 205) nicht überlappt, und der Einschnittteilbereich (226, 227, 228, 229) mit dem Gussmaterial (209) gefüllt ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei der konvexe Teilbereich (201a, 201b) im Kühlkörper (201) vom Gussmaterial (209) freigelegt ist, und eine untere Oberfläche und der konvexe Teilbereich (201a, 201b) im Kühlkörper (201) geerdet sind.
  7. Hochfrequenz-Leistungsverstärker, aufweisend: die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6.
  8. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Vorbereiten eines Kühlkörpers (201, 401), dessen untere Oberfläche zumindest geerdet ist; Anordnen, auf einer oberen Oberfläche des Kühlkörpers (201, 401), eines Halbleiterelements (302), in das ein Hochfrequenzsignal eingespeist oder von ihm abgegeben wird; Anordnen zumindest einer Leitung (204, 205, 304, 305), die über einen Draht (306, 307, 308) mit dem Halbleiterelement (302) elektrisch verbunden ist, auf einer oberen Seite des Kühlkörpers (201, 401); Anordnen des Kühlkörpers (201, 401), so dass er in Draufsicht mit der Leitung (204, 205, 304, 305) teilweise überlappt; Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer unteren Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (201, 401), die in Draufsicht mit der Leitung (204, 205, 304, 305) überlappt, zumindest eines ersten konvexen Teilbereichs (401a, 401b), der mehr als ein Randteilbereich einer oberen Oberfläche an der Position übersteht; Ausbilden, auf einem Randteilbereich einer oberen Oberfläche an einer Position im Kühlkörper (201, 401), die in Draufsicht mit der Leitung (204, 205, 304, 305) nicht überlappt, zumindest eines zweiten konvexen Teilbereichs (101c, 101d), der mehr als ein Randteilbereich einer unteren Oberfläche an der Position übersteht; Ausbilden eines Gussmaterials (209, 309), das einen Teil der Leitung (204, 205, 304, 405), einen Teil des Kühlkörpers (201, 401) und das Halbleiterelement (302) bedeckt; Freilegen zumindest eines Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs (401a, 401b) im Kühlkörper (201, 401), um das Gussmaterial (209, 309) auszubilden; und Schneiden des Endteilbereichs des ersten konvexen Teilbereichs (401a, 401b) nach Ausbilden des Gussmaterials (209, 309).
  9. Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein Endteilbereich des ersten konvexen Teilbereichs (401a, 401b) von einer Kerbe (402a, 402b) im ersten konvexen Teilbereich (401a, 401b) aus geschnitten wird.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6952894B2 (ja) * 2018-06-21 2021-10-27 三菱電機株式会社 パワーモジュール装置
JP2020188082A (ja) * 2019-05-13 2020-11-19 合同会社オフィス西村 半導体パッケージ
DE112019007823T5 (de) 2019-10-15 2022-06-30 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
NL2025182B1 (en) * 2020-03-20 2021-10-20 Ampleon Netherlands Bv Electronic package and electronic device comprising the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216283A (en) * 1990-05-03 1993-06-01 Motorola, Inc. Semiconductor device having an insertable heat sink and method for mounting the same
US5105259A (en) * 1990-09-28 1992-04-14 Motorola, Inc. Thermally enhanced semiconductor device utilizing a vacuum to ultimately enhance thermal dissipation
JP2004072126A (ja) * 1992-06-03 2004-03-04 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
US5566052A (en) * 1995-06-08 1996-10-15 Northern Telecom Limited Electronic devices with electromagnetic radiation interference shields and heat sinks
DE69636853T2 (de) 1996-11-27 2007-11-08 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Herstellunsgverfahren einer Kunststoffpackung für elektronische Anordnungen mit einer Wärmesenke
JP2002343906A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Denso Corp 樹脂封止型半導体部品及びその製造方法
JP2004200264A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4204993B2 (ja) * 2004-02-12 2009-01-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4225246B2 (ja) 2004-06-14 2009-02-18 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
JP4333505B2 (ja) * 2004-04-14 2009-09-16 株式会社デンソー 半導体装置
DE102005016830A1 (de) 2004-04-14 2005-11-03 Denso Corp., Kariya Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2006310425A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Renesas Technology Corp 電子装置およびその製造方法
KR101715761B1 (ko) * 2010-12-31 2017-03-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US8937374B2 (en) 2011-12-22 2015-01-20 Panasonic Corporation Semiconductor package, method and mold for producing same, input and output terminals of semiconductor package
CN103703682B (zh) 2012-05-25 2017-02-22 松下知识产权经营株式会社 高频放大电路
JP6226365B2 (ja) * 2013-09-05 2017-11-08 株式会社東芝 半導体装置
US20160005680A1 (en) * 2014-07-02 2016-01-07 Nxp B.V. Exposed-Heatsink Quad Flat No-Leads (QFN) Package
JP6316708B2 (ja) 2014-08-26 2018-04-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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