JP2004072126A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】 リードフレーム1のリード2で形成された空間部内に配設され、又はリードフレームのダイパッド3に固定され、そのボンディングパッドがワイヤによりリードにそれぞれ接続された半導体素子6と、熱伝導の良好な材料からなり、その外周がリードと重なる大きさに形成され、リード上にその一部にテープ状の絶縁物を介して配設されかつ中央部に直接又はダイパッドを介して半導体素子が配設された放熱ブロック5又は放熱板とを備え、リードの一部及び放熱ブロックの端面又はリードの一部を残して樹脂等により封止した。
【選択図】 図1
Description
また、上述のように、放熱ブロック5はダイパッド3に固定されているだけなので、樹脂封止の際にその圧力によって放熱ブロック5の位置が変り易く、このためワイヤ7が変形したり、放熱ブロック5の表面まで樹脂が回り込んで被覆してしまい、充分な放熱効果が得られないという問題がある。
(作用)
本発明の一つの態様による半導体装置(請求項1)においては、放熱ブロック又は放熱板はその外周が前記リードと重なる大きさに形成され、そして、前記リード上に一部にテープ状の絶縁物を介して配設されているので、放熱ブロック又は放熱板の支持は安定している。従って、樹脂封止の際のブロック等の移動が抑えられ、安定した樹脂封止ができる。特に、放熱ブロックの場合にはブロック表面に樹脂が回ってしまうとう事態が避けられる。また、放熱ブロック又は放熱板はその外周が前記リードと重なる大きさに形成されているので、ワイヤボンデイングの際にリード部の押さえにそのまま放熱ブロック又は放熱板を使用することができ、複雑な治具を用意する必要がない。
また、ワイヤボンディングの際にその熱を利用して放熱ブロック5を接着してもよい。
また、絶縁物14の最適の厚さTは、次式で表わすことができる。
ここにXは、
X=P1 −F1 /2−T1
である。
2 リード
3 ダイパット
4 支持腕
5 放熱ブロック
6 半導体素子
7 ワイヤ
8 パッケージ
14 絶縁物
Claims (13)
- リードフレームのリードで形成された空間部内に配設され、又はリードフレームのダイパッドに固定され、そのボンディングパッドがワイヤにより前記リードにそれぞれ接続された半導体素子と、
熱伝導の良好な材料からなり、その外周が前記リードと重なる大きさに形成され、前記リード上にその一部にテープ状の絶縁物を介して配設されかつ中央部に直接又は前記ダイパッドを介して前記半導体素子が配設された放熱ブロック又は放熱板とを備え、
前記リードの一部及び放熱ブロックの端面又はリードの一部を残して樹脂等により封止したことを特徴とする半導体装置。 - リードフレームに設けた支持腕に放熱ブロック又は放熱板が支持され、該放熱ブロック又は放熱板に半導体素子が固定されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- リードフレームのリードにテープ状の絶縁物を介して放熱ブロック又は放熱板が接着され、該放熱ブロック又は放熱板に半導体素子が固定されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- リードフレームのダイパッドに半導体素子が固定され、該ダイパッドの裏面及びリードフレームのリードにテープ状の絶縁物を介して放熱ブロック又は放熱板が接着されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 放熱ブロック又は放熱板の周囲に複数の突起腕を設け、該突起腕の一部を折曲げて支持部を形成し、該支持部に電気的に導通可能にリードを固定したことを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の半導体装置。
- 放熱ブロック又は放熱板の上下方向に複数の貫通穴を設けたことを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の半導体装置。
- 貫通穴を放熱ブロック又は放熱板の四隅の上下方向に設けたことを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 放熱ブロック又は放熱板に酸化処理又はメッキ処理を施して表面を黒色化又は暗色化したことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の半導体装置。
- リードフレームのリードで形成された空間部に半導体素子を配設し又は前記リードフレームのダイパッドに半導体素子を固定し、熱伝導の良好な材料からなり前記リードと重なる大きさに形成された放熱ブロック又は放熱板を前記リード上にその一部にテープ状の絶縁物を介して当接又は固定して該放熱ブロック又は放熱板に前記半導体素子又はダイパッドを当接又は固定し、
ついで、リード押えにより前記リードを圧下してその先端部を前記放熱ブロック又は放熱板に当接させて固定し、前記半導体素子のボンディングパッドとリードとをそれぞれワイヤで接続したのちリード押えを除去し、
前記リードの一部及び放熱ブロックの端面又はリードの一部を残して樹脂等により封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - リードフレームのリード上に絶縁物を介して放熱ブロック又は放熱板を固定し、ついで、ダイパッド又は放熱ブロック若しくは放熱板に半導体素子を固定することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子をリードフレーム上に設置すると同時に放熱ブロック又は放熱板をリードフレーム上に固定することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子のボンディングパッドとリードとをワイヤで接続する際に放熱ブロック又は放熱板をリードフレーム上に接着することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 上面外周部にテープ状の絶縁物が設けられた放熱ブロックを樹脂注入用金型の下型内に設置し、
リードで形成した空間部に配設された半導体素子又はダイパッドに固定された半導体素子のボンディングパッドとリードとをそれぞれワイヤで接続してなるリードフレームを前記放熱ブロック及び下型上に載置し、
ついで前記下型の上に上型を設置して両者の間に前記リードフレームを挟持し、前記上型と下型で形成する中空部に樹脂等を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003386720A JP2004072126A (ja) | 1992-06-03 | 2003-11-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP14237992 | 1992-06-03 | ||
JP14238092 | 1992-06-03 | ||
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Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10315993A Division JP3572628B2 (ja) | 1992-06-03 | 1993-04-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=32033968
Family Applications (1)
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JP2003386720A Withdrawn JP2004072126A (ja) | 1992-06-03 | 2003-11-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004072126A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012190866A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
CN111133571A (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法 |
-
2003
- 2003-11-17 JP JP2003386720A patent/JP2004072126A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012190866A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
CN111133571A (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法 |
CN111133571B (zh) * | 2017-09-28 | 2024-03-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、高频功率放大器及半导体装置的制造方法 |
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