JP2000277675A - 放熱板の接合方法及びそれに使用する放熱板フレーム - Google Patents

放熱板の接合方法及びそれに使用する放熱板フレーム

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JP2000277675A JP7715199A JP7715199A JP2000277675A JP 2000277675 A JP2000277675 A JP 2000277675A JP 7715199 A JP7715199 A JP 7715199A JP 7715199 A JP7715199 A JP 7715199A JP 2000277675 A JP2000277675 A JP 2000277675A
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frame
pad
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恵一 刀根
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームのパッドの裏面に放熱板を超
音波接合する際に、生産性を向上する。 【解決手段】 リードフレーム1aの上方に放熱板フレ
ーム8aを直交させ、任意のリードフレーム1のパッド
3とこれに対応する放熱板8とを位置合わせした状態
で、加圧ツール14を放熱板8に当接させて超音波振動
を印加することによりパッド3と放熱板8とを超音波接
合する際に、超音波振動により放熱板8を連結フレーム
18から個別に分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は放熱板の接合方法及
びそれに使用する放熱板に係り、更に詳細には、超音波
接合にてパッド裏面に放熱板を接合する方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の多機能化、高集
積化に伴い、半導体素子の消費電力の増加とそれに起因
する発熱量の増大が半導体装置の信頼性を損ねる原因と
して大きな問題となってきている。このような半導体素
子の発熱量の増大に対する対策として、半導体装置の基
材であるリードフレームの半導体素子搭載面の裏面に、
高熱伝導体からなる放熱板を装着したリードフレームが
用いられている。
【0003】ここでリードフレームの一例について説明
すると、図8に示すようにリードフレーム1は、平行に
配置された一対の連結細条2と、連結細条2間のほぼ中
央に配置された半導体素子を搭載するためのパッド3
と、一端部はパッド3に接続され、また他端部は連結細
条2に接続される、パッド3を支持するサポートバー4
と、パッド3の周囲に配置され、外方に放射状に伸長す
るインナーリード5と、隣接するインナーリード5間を
連結し、根本部が連結細条2に接続されるダムバー6
と、インナーリード5のそれぞれに連接されたアウター
リード7とから構成される。そして前述したように、パ
ッド3の半導体素子搭載面の裏面側には、パッド3の外
径と略同一の外径に形成された放熱板8が装着される。
【0004】なお、このように放熱板8が装着されたリ
ードフレーム1には、図9に示すように、その後パッド
3の放熱板8装着面とは反対の面に半導体素子9が装着
され、半導体素子9の電極とインナーリード5とをボン
ディングワイヤ10によって接続した後、封止樹脂11
によって半導体チップ9及びボンディングワイヤ10を
含む必要領域を樹脂封止し、更にアウターリード7を所
望の形状に成形加工して、図に示すような半導体装置1
2が得られる。
【0005】ところで、前述したリードフレーム1と放
熱板8との接合に際しては、これまでは絶縁性接着テー
プによる接合や溶接、あるいはかしめによる接合が用い
られていたが、これらの接合方法は、それぞれ接合時の
熱履歴や機械的衝撃により、リードフレーム、ひいては
半導体装置の信頼性を低下させてしまうことがあった。
また絶縁性接着テープなどの接着材料を使用する場合に
は、その材料分コストが増大してしまうといった問題も
あった。
【0006】そこで近年、特開平8−125092号公
報などに開示されているように、リードフレームに放熱
板を装着する際に、超音波接合を用いることが注目を集
めている。
【0007】ここで超音波接合の方法の一例について説
明する。図7は超音波接合装置の概略を示す図である。
ここで示す超音波接合装置は、リードフレーム1及び放
熱板8を載置する支持台13と、リードフレーム1の上
方に配置され、リードフレーム1のパッド3に当接させ
てリードフレーム1及び放熱板8を加圧し、超音波振動
を伝達する加圧ツール14とからなり、また支持台13
のリードフレーム1当接面側には放熱板8の外径とほぼ
等しい外径を有する凹部15が設けられており、この凹
部15内には多数の小突起16が形成されている。ま
た、加圧ツール14のリードフレーム1のパッド3当接
面側にも多数の小突起17が形成されている。
【0008】このような超音波接合装置を使用した接合
方法について説明すると、まず図6(a)に示すよう
に、個片状に形成された放熱板8を支持台13の上面に
設けられた凹部15内に供給し、載置する。それから、
複数のリードフレーム1を連結して、帯状あるいは短尺
状に形成したリードフレーム1aを接合装置内に送り、
放熱板8と対応する任意のリードフレーム1のパッド3
とを位置合わせして、パッド3の半導体素子搭載面の裏
面側と放熱板8とが当接して重なり合うように、支持台
13上にリードフレーム1を載置する。なおパッド3の
上方には加圧ツール14が配置されており、この加圧ツ
ール14は、図示しない超音波ホーンに接続されてい
る。
【0009】次に図6(b)に示すように、加圧ツール
14を下降してその先端をパッド3に当接させるととも
に、パッド3の半導体素子搭載面に小突起17を食い込
ませる。また、このとき支持台13の凹部15に載置さ
れている放熱板8のパッド3当接面の裏面側には、凹部
15の底面に形成された小突起16が食い込む。そし
て、このように加圧ツール14にてパッド3を加圧した
状態で、図示しない超音波発振器により超音波の電気信
号を発信して、これを超音波振動子にて機械振動に変換
する。そしてこの機械振動が超音波ホーンを通じて加圧
ツール14に印加され、この加圧ツール14を介してリ
ードフレーム1のパッド3に超音波振動を付加する。す
るとパッド3と放熱板8の接触面で、それぞれの表面を
覆っている酸化膜が破壊され、活性した金属面が現れ
る。更に摩擦により境界での極部温度が上昇しているの
で、活性原子間の距離が近づいて金属接合が行われ、こ
の結果リードフレーム1のパッド3と放熱板8とが固相
接合されるのである。
【0010】このような超音波振動を利用した接合方法
によれば、接合時に発熱がほとんど生じないため、リー
ドフレームに熱履歴が生じず、またリードフレームが機
械的衝撃にさらされることもないので、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。更に接合材料などが不
要なので、製造コストも低減できる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超音波
接合においては、前述したように放熱板を個片として形
成して供給するため、非常に生産性が悪かった。また放
熱板を個片として供給するためには、放熱板を個片に切
断するための金型や、個片状の放熱板をピックアップす
る装置及び移送する装置などの複雑かつ高価な設備が必
要であり、このために製造コストが高くなってしまうと
いった問題があった。
【0012】なお、放熱板を連結フレームなどにより複
数連結した状態で接合装置に供給し、リードフレームに
放熱板を接合した後に、金型装置により放熱板と連結フ
レームとの接続部を切断、除去して放熱板を個片に分離
することもできなくはないが、その場合、放熱板の切断
時に生じる応力によってリードフレームがダメージを受
けてしまうという問題があった。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、複数の放熱板を連結した状態で超音
波接合装置に送り、超音波接合時に生じる機械的振動に
より放熱板を個片に分離するようにしたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明は、リードフレームのパッ
ドと放熱板とを当接し、この状態で超音波振動を付加す
ることによってパッドに放熱板を接合する放熱板の接合
方法において、複数の放熱板を、それぞれ支持リードに
よって連結フレームに連結した状態で超音波接合装置に
送り、超音波接合時の振動によりそれぞれの放熱板の支
持リードを破断することによって、放熱板を個別に分離
するものである。
【0015】なお、その場合に使用される放熱板フレー
ムとしては、各放熱板のそれぞれの支持リードの一部
が、振動により破断されやすい形状に形成されていると
よい。ここで破断されやすい形状としては、例えば、支
持リードの放熱板との接続部分を細幅に形成するのが望
ましい。なお、この細幅部は、支持リードの他の部分の
幅と比較して50%以下、望ましくは30%程度の幅と
することが好ましい。また、同部分を支持リードの他の
部分と比較して薄肉に形成したり、あるいはこれらを組
み合わせた形状としてもよい。更に、同部分に溝や凹部
などを形成するようにしてもよいし、更にまた、スリッ
トもしくは貫通孔を設けるようにしてもよい。
【0016】
【実施例】(第1の実施例)以下、本発明について、図
面を参照しつつ説明する。まず、A194などの銅系ま
たはA42などの鉄系の帯状材料をプレスにより打ち抜
き、あるいはエッチングすることによって形状加工を行
い、図1に示すような、複数のリードフレーム1を直列
に連結した短尺状あるいは帯状のリードフレーム1aを
形成する。
【0017】また、リードフレーム1aの形成とは別
に、放熱板の形状加工を行う。ここで放熱板の材質とし
ては、銅及び銅合金、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、亜鉛及びこれらの合金などの熱伝導性の良好な金
属、あるいは各種セラミックが使用される。
【0018】なお本実施例においては、放熱板8は、図
1に示すように、連結フレーム18にて複数の放熱板8
を直列に連結した短尺状あるいは帯状の放熱板フレーム
8aとして形成され、各放熱板8は、それぞれ支持リー
ド19により連結フレーム18と接続されている。また
本実施例においては、支持リード19の放熱板8との接
続部分は、図2に示すように、支持リード19の他部の
幅の1/3程度の細幅に形成されており、超音波接合時
の振動で容易に破断されるようにしてある。
【0019】次に、上述したようにそれぞれ別体に形成
されたリードフレーム1と放熱板8とを超音波接合す
る。本実施例においては、図1に示すように、まずリー
ドフレーム1aの任意のリードフレーム1を、リードフ
レーム1のパッド3に対応する個所に多数の小突起16
aが形成された支持台13a上に、半導体素子搭載面側
が支持台13aに当接するように、位置合わせして載置
する。なお本実施例においては、支持台13a上には位
置決めピン20が複数設けられており、この複数の位置
決めピン20を、リードフレーム1aの連結細条2に形
成された複数の位置決め孔21に挿入することにより、
両者の位置決めを行うようにしている。
【0020】それから、複数の放熱板8を連結フレーム
18にて連結した放熱板フレーム8aを、リードフレー
ム1aの送り方向に直交させて支持台13a上のリード
フレーム1aの上方に送り、任意の放熱板8を対応する
リードフレーム1のパッド3の半導体素子搭載面の裏面
側に位置合わせして当接させる。なお、この場合の位置
決めも、放熱板フレーム8aの連結フレーム18に設け
られた、リードフレーム1aに設けられた複数の位置決
め孔21に対応する複数の位置決め孔22に位置決めピ
ン20を挿入することにより行われる。
【0021】そしてこの状態で、放熱板8の上方に配置
された加圧ツール14aを下降させる。なお加圧ツール
14aは、図示しない超音波ホーンに接続されており、
また加圧ツール14aの先端のパッド3との当接面に
は、多数の小突起17aが形成されている。
【0022】それから、従来同様に加圧ツール14aを
下降させ、その先端を放熱板8に当接させるとともに、
放熱板8の表面に小突起17aを食い込ませる。また、
このとき支持台13a上に載置されているリードフレー
ム1のパッド3の半導体素子搭載面側には、支持台13
aのパッド3に対応する個所に形成された多数の小突起
16aが食い込む。そしてこのように加圧ツール14a
にて放熱板8を加圧した状態で、図示しない超音波発振
器により超音波の電気信号を発信し、これを超音波振動
子にて機械振動に変換する。そしてこの機械振動が超音
波ホーンを通じて加圧ツール14aに印加され、この加
圧ツール14aを介してリードフレーム1のパッド3に
超音波振動を印加することにより、リードフレーム1の
パッド3と放熱板8とを固相接合するのである。
【0023】この両者の接合と、その経緯を図面を参照
しつつ簡単に説明すると、まず図3(a)に示すよう
に、前述したとおりリードフレーム1のパッド3の半導
体素子搭載面の裏面側に放熱板フレーム8aを重ね合わ
せ、パッド3と任意の放熱板8とを当接させた状態で放
熱板8の上方に配置された加圧ツール14aを下降させ
る。そして図3(b)に示すように、この状態で加圧ツ
ール14aに超音波振動を印加する。このとき加圧ツー
ル14aを介して放熱板8及びパッド3にも超音波振動
が印加され、このとき生じる機械的振動は、特に加圧ツ
ール14aと当接している放熱板8a全体に伝達される
ことになる。ここで放熱板8と連結フレーム18とを連
結する支持リード19の放熱板8との接続部分は、前述
したように細幅に形成されているため、他の部分と比較
して機械的強度が弱くなっており、そのため図3(b)
に拡大して示すように、この部分が接合時の振動に耐え
きれずに破断し、この結果連結フレーム18と放熱板8
とが分離されるのである。この後図3(c)に示すよう
に、連結フレーム18をリードフレーム1から分離させ
ると、超音波接合された放熱板8のみがリードフレーム
1のパッド3上に残るというわけである。
【0024】その後、放熱板8が装着されたリードフレ
ーム1を以後の工程に送り、リードフレーム1のパッド
3の放熱板8装着面とは反対の面に、銀ペーストなどの
接着剤によって半導体素子9を装着し、半導体素子9の
電極とインナーリード5とをボンディングワイヤ10に
よって接続した後、封止樹脂11によって半導体チップ
9及びボンディングワイヤ10を含む必要領域を樹脂封
止し、更にダムバー6を切除して各アウターリード7を
分離するとともにサポートバー4を連結細条2から分離
させる。それからアウターリード7を所望の形状に成形
加工することにより、図9に示すような半導体装置12
が得られる。
【0025】なお本実施例においては、支持リード19
の放熱板8との接続部分を細幅に形成することにより振
動によって破断しやすい形状に形成したが、このような
破断しやすい形状の形成箇所は本実施例に限定されず、
支持リード19の任意の破断させたい個所に設けること
ができる。
【0026】また本実施例においては、支持台13a、
リードフレーム1a、放熱板フレーム8aの位置決めに
位置決めピン20を使用したが、これに限定されず、他
の周知の機械的あるいは光学的な位置決め方法を適用す
ることも可能である。
【0027】(第2の実施例)次に、本発明の第2の実
施例について説明する。本実施例においては、図4に示
すように、4つのリードフレーム1を直列に連結した短
尺状のリードフレーム1bとして形成し、また放熱板8
もリードフレーム1bの各リードフレーム1の連結ピッ
チと等しく、各リードフレーム1のパッド3に対応した
4つの放熱板8を連結フレーム18bにて直列に連結し
た短尺状の放熱板フレーム8bとして形成している。な
お、リードフレーム1b及び放熱板フレーム8bには、
第1の実施例同様それぞれ複数の位置決め孔21、複数
の位置決め孔22が形成されている。
【0028】そして図4に示すように、このように形成
されたリードフレーム1bを、リードフレーム1bのサ
イズ及びパターンに対応した長方形状の支持台13b上
に、半導体素子搭載面が支持台13bに当接するように
載置する。なお支持台13bの上面には、リードフレー
ム1bそれぞれのリードフレーム1のパッド3に対応す
る個所に多数の小突起16bが形成されており、またリ
ードフレーム1bの複数の位置決め孔21に対応する複
数の位置決めピン20が設けられていて、これら位置決
めピン20を、それぞれ対応するリードフレーム1bの
複数の位置決め孔21に挿入することにより、支持台1
3bとリードフレーム1bとの位置決めががなされる。
【0029】次にリードフレーム1bの上に放熱板フレ
ーム8bを重ね合わせる。なお、このときも支持台13
bに設けられた位置決めピン20をそれぞれ対応する放
熱板フレーム8bの位置決め孔22に挿入して位置決め
を行う。このとき、リードフレーム1bの各リードフレ
ーム1のパッド3と放熱板フレーム8bの各放熱板8と
は、それぞれ対応するように形成されているので、両者
は正確かつ容易に位置決めされる。
【0030】ここで放熱板フレーム8bの各放熱板8の
上方には、それぞれに対応する加圧ツール14bが配置
されており、この状態で各加圧ツール14bを下降させ
る。なお加圧ツール14bは、それぞれ図示しない超音
波ホーンに接続されており、また加圧ツール14bの先
端の各放熱板8との当接面には、多数の小突起17bが
形成されている。
【0031】それから従来同様に、下降させた各加圧ツ
ール14bの先端をそれぞれ対応する放熱板8に当接さ
せるとともに、各放熱板8の表面に小突起17aを食い
込ませる。また、このとき支持台13b上に載置されて
いるリードフレーム1bの各リードフレーム1のパッド
3の半導体素子搭載面側には、支持台13bの各パッド
3に対応する個所に形成された多数の小突起16bが食
い込む。そしてこの状態で超音波接合を行うことは、第
1の実施例と同様である。
【0032】本実施例によれば、複数個のリードフレー
ム1及びそれに対応する放熱板8を一括して接合するこ
とができるので、生産性が格段に向上する。なお本実施
例においては、複数のリードフレーム1及び放熱板3を
それぞれ短尺状に連結し形成した例について説明した
が、これは例えば帯状に形成してもよいし、また本実施
例においてはリードフレーム及び放熱板を一列に直列に
連結した例について説明したが、これは例えばマトリッ
クス状に連結してもよい。
【0033】(第3実施例)次に、本発明の更に他の実
施例について説明する。図5に示す放熱板フレーム8a
の放熱板8及び支持リード19を含む部分のA−A´部
の断面形状としては、通常図5(a)に示すように、放
熱板8、支持リード19、連結フレーム18の各部の厚
さは等しく形成されるが、本実施例においては、図5
(b)に示すように、少なくとも支持リード19の片面
側の板厚を他部よりも薄い薄肉部として形成するか、ま
たは図5(c)に示すように、少なくとも支持リード1
9の両面の板厚を他部よりも薄い薄肉部として形成して
いる。なお薄肉部は、通常の板厚の30〜50%程度薄
肉化するとよい。本実施例では、図5(b)の場合には
板厚が0.6mmの放熱板フレーム8aにおいて、パッ
ド3接合面側の支持リード19及び放熱板8の周縁部を
0.18mm薄肉化している。また図5(c)の場合に
は、同じく板厚が0.6mmの放熱板フレーム8aにお
いて、パッド3接合面側及びその裏面側の支持リード1
9及び放熱板8の周縁部を、片側0.18mmずつ薄肉
化している。このようにすれば、支持リード部19の機
械的強度が更に弱くなるため、超音波接合時に更に破断
しやすくなる。また、前述したように放熱板8の周縁部
も他部よりも薄く形成しておくと、図9に示すような半
導体装置12として組立後、放熱板8と封止樹脂11と
の密着性が良くなるなど、半導体装置の信頼性を向上さ
せることができる。
【0034】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0035】複数の放熱板を連結した状態で超音波接合
装置内に送り、パッドと放熱板とを超音波接合する際
に、超音波振動により支持リードを破断させて放熱板を
連結フレームから分離させるので、生産性が向上すると
ともに、高価な設備などが不要となり、製造コストを低
減することができる。
【0036】また、放熱板を連結フレームと連結するた
めの支持リードの一部が振動により破断されやすい形状
に形成されているので、放熱板を容易に連結フレームか
ら分離することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す図。
【図2】本発明の実施例を示す図。
【図3】本発明の実施例を示す図。
【図4】本発明の他の実施例を示す図。
【図5】本発明の他の実施例を示す図。
【図6】従来の実施例を示す図。
【図7】従来の実施例を示す図。
【図8】リードフレームを示す図。
【図9】半導体装置を示す図。
【符号の説明】
1、1a、1b リードフレーム 2 連結細条 3 パッド 4 サポートバー 5 インナーリード 6 ダムバー 7 アウターリード 8 放熱板 8a、8b 放熱板フレーム 9 半導体素子 10 ボンディングワイヤ 11 封止樹脂 12 半導体装置 13、13a、13b 支持台 14、14a、14b 加圧ツール 15 凹部 16、16a、16b 小突起 17、17a、17b 小突起 18 連結フレーム 19 支持リード 20 位置決めピン 21 位置決め孔 22 位置決め孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームのパッドと放熱板とを当
    接し、この状態で超音波振動を付加することによってパ
    ッドに放熱板を接合する放熱板の接合方法において、複
    数個の放熱板を、それぞれ支持リードによって連結フレ
    ームに連結した状態で超音波接合装置に送り、超音波接
    合時の振動によりそれぞれの放熱板の支持リードを破断
    することによって、放熱板を個別に分離することを特徴
    とする放熱板の接合方法。
  2. 【請求項2】 各放熱板のそれぞれの支持リードの一部
    が、振動により破断されやすい形状に形成されているこ
    とを特徴とする放熱板フレーム。
JP7715199A 1999-03-23 1999-03-23 放熱板の接合方法及びそれに使用する放熱板フレーム Pending JP2000277675A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101662265B1 (ko) * 2015-08-06 2016-10-04 최윤화 반도체 칩 패키지용 클립과 방열 슬러그의 접합 장치
US10361148B1 (en) 2018-03-30 2019-07-23 Semiconductor Components Industries, Llc Leadframe with efficient heat dissipation for semiconductor device package assembly

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101662265B1 (ko) * 2015-08-06 2016-10-04 최윤화 반도체 칩 패키지용 클립과 방열 슬러그의 접합 장치
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