DE102017218365A1

DE102017218365A1 - Die-Kontaktstelle, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE102017218365A1
Application number: DE102017218365.9A
Authority: DE
Inventors: Kazuhiko SAKUTANI
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2016-10-19
Filing date: 2017-10-13
Publication date: 2018-04-19
Also published as: JP6758151B2; US10290563B2; US20190181073A1; CN107968082A; CN107968082B; US10658271B2; JP2018067613A; US20180108599A1

Abstract

Die Beschreibung offenbart eine Technik zum Verhindern, dass ein Verbindungsmaterial die oberen und unteren Oberflächen eines Halbleiter-Chips beim Verbinden des Halbleiter-Chips unter Verwendung des Verbindungsmaterials erreicht. Eine Die-Kontaktstelle der in der Beschreibung offenbarten Technik weist das Folgende auf: ein Die-Kontaktstellensubstrat (70); eine erste Erhebung (4, 4D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, wobei die erste Erhebung (4, 4D) eine Sockelform aufweist; eine zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) eine Bankform aufweist; und eine dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) eine Bankform aufweist.

Description

Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
Die Beschreibung offenbart eine Technik, die sich auf eine Die-Kontaktstelle, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung bezieht.
Beschreibung des Stands der Technik
In den letzten Jahren benötigen integrierte Schaltungen (ICs) oder hochintegrierte Schaltungen (LSIs) zum Beispiel einen hohen Grad an Integration. Insbesondere müssen die Halbleiter-Chips für ihre verbesserten Stapelungsmöglichkeiten in einer Dicke reduziert werden.
Eine solche Dickenreduzierung der Halbleiter-Chips hat auch auf dem Gebiet von Leistungshalbleitern Fortschritte gemacht, um Energieverluste zu reduzieren (z.B. offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 2001-127233 ). Ein typischer Halbleiter-Chip wird mit einem Verbindungsmaterial an die obere Oberfläche einer Die-Kontaktstelle auf der oberen Oberfläche eines Leiterrahmens verbunden. Alternativ wird der Halbleiter-Chip mit dem Verbindungsmaterial an die obere Oberfläche der Die-Kontaktstelle auf der oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats verbunden.
Wenn der Halbleiter-Chip so reduziert ist, dass er zum Beispiel eine Dicke von 200 µm oder weniger aufweist, breitet sich das Verbindungsmaterial bis zu der oberen Oberfläche des Halbleiter-Chips aus, sodass es möglicherweise eine Elektrode auf einer Oberfläche des Halbleiter-Chips bedeckt. Weiter erreicht das Verbindungsmaterial, wenn der Halbleiter-Chip so reduziert wird, dass er zum Beispiel eine Dicke von 200 µm oder weniger aufweist, die oberen und unteren Oberflächen des Halbleiter-Chips, sodass es möglicherweise einen elektrischen Kurzschluss zwischen den oberen und unteren Oberflächen des Halbleiter-Chips verursacht.
Zusammenfassung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Technik zum Verhindern, dass ein Verbindungsmaterial die oberen und unteren Oberflächen eines Halbleiter-Chips bei einem Verbinden des Halbleiter-Chips unter Verwendung des Verbindungsmaterials erreicht.
Eine Die-Kontaktstelle gemäß einem ersten Aspekt der in der Beschreibung offenbarten Technik weist das Folgende auf: ein Die-Kontaktstellensubstrat; eine erste Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, wobei die erste Erhebung eine Sockelform aufweist; eine zweite Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung eine Bankform aufweist; und eine dritte Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung eine Bankform aufweist.
Eine Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Aspekt der in der Beschreibung offenbarten Technik weist eine Die-Kontaktstelle und einen Halbleiter-Chip auf, der über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch ein Verbindungsmaterial angebracht ist. Die Die-Kontaktstelle weist das Folgende auf: ein Die-Kontaktstellensubstrat; eine erste Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats in einem Bereich angeordnet ist, der mit dem Halbleiter-Chip versehen ist, wobei die erste Erhebung eine Sockelform aufweist; eine zweite Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung eine Bankform aufweist; und eine dritte Erhebung, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung eine Bankform aufweist. Der Halbleiter-Chip, welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, weist ein Ende auf, das sich über einer ersten Vertiefung zwischen der ersten Erhebung und der zweiten Erhebung, über einer zweiten Vertiefung zwischen der zweiten Erhebung und der dritten Erhebung oder über dem Die-Kontaktstellensubstrat, das sich von der dritten Erhebung nach außen erstreckt, befindet.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Aspekt der in der Beschreibung offenbarten Technik weist ein Präparieren einer Die-Kontaktstelle und ein Platzieren eines Halbleiter-Chips über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch ein Verbindungsmaterial auf. Das Präparieren der Die-Kontaktstelle weist das Folgende auf: Präparieren eines Die-Kontaktstellensubstrats; Ausbilden einer ersten Vertiefung, die einen Teilbereich umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats, um eine erste Erhebung auszubilden, die eine Sockelform aufweist; Ausbilden einer zweiten Vertiefung, die die erste Vertiefung umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats, um eine zweite Erhebung auszubilden, die eine Bankform aufweist; und Ausbilden einer dritten Vertiefung, die die zweite Vertiefung umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats, um eine dritte Erhebung auszubilden, die eine Bankform aufweist. Das Platzieren des Halbleiter-Chips über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats durch das Verbindungsmaterial weist das Folgende auf: Platzieren des Halbleiter-Chips über der ersten Erhebung, welche auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, durch das Verbindungsmaterial. Wenn der Halbleiter-Chip durch das Verbindungsmaterial über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle angebracht ist, weist der Halbleiter-Chip, welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, ein Ende auf, das über der ersten Vertiefung, über der zweiten Vertiefung oder über der dritten Vertiefung angeordnet ist.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher, wenn sie Im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gesehen wird.
Figurenliste

1 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung zum Erzielen einer Die-Kontaktstelle gemäß einer bevorzugten Ausführungsform;
2 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur, in welcher ein Halbleiter-Chip an die obere Oberfläche der Die-Kontaktstelle, die mit Erhebungen versehen ist, verbunden ist, gemäß der bevorzugten Ausführungsform;
3 ist eine Querschnittsansicht der Struktur, aufgenommen entlang der Linie A-A’ in 2;
4 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur gemäß der bevorzugten Ausführungsform, in welcher eine einzelne Erhebung, die eine andere Erhebung in einer Draufsicht umgibt, aus einer Mehrzahl von Teilen gebildet ist, die mit einem Abstand voneinander angeordnet sind;
5 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung zum Erzielen einer Die-Kontaktstelle gemäß einer bevorzugten Ausführungsform;
6 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur, in welcher ein Halbleiter-Chip an die obere Oberfläche einer Die-Kontaktstelle, die mit Erhebungen versehen ist, verbunden ist, gemäß der bevorzugten Ausführungsform;
7 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung zum Erzielen einer Die-Kontaktstelle gemäß einer bevorzugten Ausführungsform; und
8 ist eine Querschnittsansicht einer Anordnung zum Erzielen einer Die-Kontaktstelle gemäß einer bevorzugten Ausführungsform.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Die bevorzugten Ausführungsformen werden mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Die Zeichnungen sind schematisch, und somit sind einige Anordnungen nicht gezeigt oder sind der Einfachheit wegen kurz dargestellt. Weiter sind wechselseitige Verhältnisse zwischen den Größen und Positionen von Bildern, welche in unterschiedlichen Zeichnungen dargestellt sind, nicht notwendigerweise genau und können somit geeignet verändert werden.
In den nachfolgenden Beschreibungen werden gleiche Komponenten durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und sind außerdem mit den gleichen Namen und den gleichen Funktionen versehen. Daher können detaillierte Beschreibungen von den gleichen Komponenten weggelassen sein, um Wiederholungen zu vermeiden.
In den nachfolgenden Beschreibungen werden alle Begriffe wie „oben“, „unten“, „links“, „rechts“, „Seite“, „Unterseite“, „Vorderseite“ und „Rückseite“, welche bestimmte Positionen und bestimmte Richtungen bezeichnen, zum Zweck eines einfachen Verständnisses der bevorzugten Ausführungsformen verwendet. Diese Begriffe haben somit nichts mit tatsächlichen Richtungen zu tun, wenn die Ausführungsformen tatsächlich implementiert werden.
In den nachfolgenden Beschreibungen werden Ordnungszahlen wie „erst“ und „zweit“, wenn sie vorkommen, zum Zweck eines einfachen Verständnisses der bevorzugten Ausführungsformen verwendet. Die Beschreibungen sind somit nicht auf Reihenfolgen beschränkt, die aus diesen Ordnungszahlen resultieren.
<Erste bevorzugte Ausführungsform>
Das Folgende beschreibt eine Die-Kontaktstelle, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform.
<Anordnung der Die-Kontaktstelle>
1 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung zum Erzielen der Die-Kontaktstelle gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform. Angesichts eines einfachen Verständnisses der Anordnung kann 1 ein Weglassen oder eine Vereinfachung von einigen Komponenten aufweisen.
Wie in 1 dargestellt, weist die Die-Kontaktstelle das Folgende auf: ein Die-Kontaktstellensubstrat 70; eine Erhebung 4, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist, wobei die Erhebung 4 eine Sockelform aufweist; eine Erhebung 71, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgibt, wobei die Erhebung 71 eine Bankform aufweist; und eine Erhebung 72, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie weiter die Erhebung 71 in einer Draufsicht umgibt, wobei die Erhebung 72 eine Bankform aufweist.
Die Erhebung 4, die Erhebung 71 und die Erhebung 72 sind mit dem Die-Kontaktstellensubstrat 70 integriert. Die Erhebung 4, die Erhebung 71 und die Erhebung 72 sind außerdem zum Beispiel durch Stanzen, Ätzen oder Schichtbildung ausgebildet.
Obwohl 1 darstellt, dass zwei Erhebungen, welche die Erhebung 71 und die Erhebung 72 sind, die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgeben, kann jede Zahl von Erhebungen die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgeben. Das heißt, mehr als zwei Erhebungen können die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgeben. Alternativ kann eine einzelne Erhebung allein die Erhebung 4 umgeben. Die Anzahl von Erhebungen, die die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgeben, kann als Folge von Anforderungen für individuelle Halbleiter-Chips verändert werden, wenn die Mehrzahl von Halbleiter-Chips auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist.
Die folgende Beschreibung richtet sich auf einen Halbleiter-Chip 1, einen Halbleiter-Chip 11 und einen Halbleiter-Chip 12, wobei der Halbleiter-Chip 1 eine Fläche aufweist, die ausreicht, um die Erhebung 4 in einer Draufsicht zu bedecken, wobei der Halbleiter-Chip 11 eine Fläche aufweist, die ausreicht, die Erhebung 4 und die Erhebung 71 in einer Draufsicht zu bedecken, und wobei der Halbleiter-Chip 12 eine Fläche aufweist, die ausreicht, die Erhebung 4, die Erhebung 71 und die Erhebung 72 in einer Draufsicht zu bedecken.
2 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur, in welcher der Halbleiter-Chip 11 an die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70, das mit der Erhebung 4, der Erhebung 71 und der Erhebung 72 versehen ist, verbunden ist. 3 ist eine Querschnittsansicht der Struktur, aufgenommen entlang der Linie A-A’ in 2.
Wie in 2 und 3 dargestellt, ist der Halbleiter-Chip 11 durch ein Verbindungsmaterial 3 an die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 verbunden. Der Halbleiter-Chip 11 erstreckt sich von einem Bereich, der mit der Erhebung 4 versehen ist, über einen Bereich, der mit der Erhebung 71 versehen ist.
Obwohl in 2 und 3 nicht dargestellt ist die Die-Kontaktstelle auf der oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats als Teil des Halbleitersubstrats angeordnet; alternativ ist die Die-Kontaktstelle auf der oberen Oberfläche eines Leiterrahmens als Teil des Leiterrahmens angeordnet. Die Die-Kontaktstelle besteht aus einem leitfähigen Bauteil.
An die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips 11 ist zum Beispiel ein leitfähiger Draht oder ein leitfähiges Metallmaterial verbunden, um eine elektrische Leitung herzustellen.
Der Halbleiter-Chip 11 weist Enden auf, die sich jeweils über einer Vertiefung 101 zwischen der Erhebung 71 und der Erhebung 72 befinden. Mit anderen Worten befinden sich die Enden des Halbleiter-Chips 11 jenseits des äußeren Umfangs der Erhebung 71.
2 und 3 stellen dar, dass jede Seite des äußeren Umfangs der Erhebung 71 kürzer ist als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 11. 2 und 3 stellen außerdem dar, dass jede Seite des inneren Umfangs der Erhebung 72 länger ist als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 11.
Der Halbleiter-Chip 11 ist durch das Verbindungsmaterial 3 an die Erhebung 4 und die Erhebung 71 verbunden.
Genauer wird zuerst eine notwendige Menge des Verbindungsmaterials 3 durch Ausgeben und Drucken auf die obere Oberfläche der individuellen Erhebungen, das heißt die obere Oberfläche der Erhebung 4 und die obere Oberfläche der Erhebung 71, bereitgestellt.
Anschließend wird der Halbleiter-Chip 11 unter Verwendung einer Halbleiter-Chip-Montagevorrichtung, wie ein Mounter oder ein Die-Bonder, angebracht. Zu diesem Zeitpunkt wird das Verbindungsmaterial 3 durch den Halbleiter-Chip 11 gepresst, sodass es sich zu der oberen Oberfläche jeder Erhebung ausbreitet. Das Verbindungsmaterial 3 erreicht dann die Enden jeder Erhebung und fällt dann schließlich herunter, sodass es sich zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 ausbreitet.
Das Verbindungsmaterial 3 kann auf beliebige Weise bereitgestellt werden. Entsprechend kann das Verbindungsmaterial 3 konzentriert an eine einzelne Stelle auf der oberen Oberfläche der Erhebung 4 oder an eine einzelne Stelle auf der oberen Oberfläche der Erhebung 71 bereitgestellt werden. Alternativ kann das Verbindungsmaterial 3 an eine Mehrzahl von Stellen verteilt werden.
Das Verbindungsmaterial 3 kann auch so bereitgestellt werden, dass es sich über die obere Oberfläche der Erhebung 4 und über die obere Oberfläche der Erhebung 71 ausbreitet, vorausgesetzt, das Verbindungsmaterial 3 wird so bereitgestellt, dass es in einer Draufsicht immer innerhalb des Halbleiter-Chips 11 vorhanden ist.
Die Erhebung 4 und die Erhebung 71 umgeben eine Vertiefung 100. Wieviel und wo das Verbindungsmaterial 3 bereitzustellen ist, wird hierbei so geregelt, dass die Vertiefung 100 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt ist, und dass die Vertiefung 101, welche durch die Erhebung 71 und die Erhebung 72 umgeben wird, teilweise aber nicht vollständig mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt ist.
Entsprechend fällt das Verbindungsmaterial 3, wenn es bereitgestellt wird, die Vertiefung 100 hinunter und weiter die Vertiefung 101 hinunter, bevor es die Enden des Halbleiter-Chips 11 erreicht. Folglich nimmt die Menge des Verbindungsmaterials 3 ab, welches sich zu den Seitenoberflächen des Halbleiter-Chips 11 und zu der oberen Oberfläche des Halbleiter-Chips 11 ausbreitet, während die Menge des Verbindungsmaterials 3 zunimmt, welches sich zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 ausbreitet. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die Seitenoberflächen des Halbleiter-Chips 11 und die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips 11 erreicht.
Obwohl in 2 und 3 nicht dargestellt, weist der Halbleiter-Chip 1 Enden auf, die sich jeweils über der Vertiefung 100 befinden, welche zwischen der Erhebung 4 und der Erhebung 71 angeordnet ist. Das heißt, jedes Ende des Halbleiter-Chips 1 befindet sich jenseits der korrespondierenden Seitenoberfläche der Erhebung 4.
Weiter ist, obwohl in 2 und 3 nicht gezeigt, der Halbleiter-Chip 1 so ausgelegt, dass jede Seite des äußeren Umfangs der Erhebung 4 kürzer ist als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 1. Weiter ist, obwohl in 2 und 3 nicht gezeigt, der Halbleiter-Chip 1 so ausgelegt, dass jede Seite des inneren Umfangs der Erhebung 71 länger ist als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 1.
Obwohl in 2 und 3 nicht gezeigt, weist der Halbleiter-Chip 12 Enden auf, die sich jeweils über dem Die-Kontaktstellensubstrat 70 befinden, das sich von der Erhebung 72 nach außen erstreckt.
Noch weiter ist, obwohl in 2 und 3 nicht gezeigt, der Halbleiter-Chip 12 so ausgelegt, dass jede Seite des äußeren Umfangs der Erhebung 72 kürzer ist als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 12.
Wenn der Halbleiter-Chip 1 verbunden wird, wird, wieviel und wo das Verbindungsmaterial 3 bereitzustellen ist, so geregelt, dass die Vertiefung 100 teilweise aber nicht vollständig mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt ist.
Wenn der Halbleiter-Chip 12 verbunden wird, wird, wieviel und wo das Verbindungsmaterial 3 bereitzustellen ist, so geregelt, dass die Vertiefung 100 und die Vertiefung 101 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt werden, und dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats 70 hinunterfällt, das sich von der Erhebung 72 nach außen erstreckt.
Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die Seitenoberflächen und die obere Oberfläche jedes Halbleiter-Chips erreicht, wenn einer von dem Halbleiter-Chip 1, dem Halbleiter-Chip 11 und dem Halbleiter-Chip 12, die unterschiedlich groß sind, in Übereinstimmung mit Arten von Halbleitervorrichtungen auf der oberen Oberfläche des gleichen Die-Kontaktstellensubstrats 70 angebracht wird.
Zu diesem Zeitpunkt weist der äußere Umfang der Erhebung, die zu dem individuellen Halbleiter-Chip korrespondiert, bevorzugt Seiten auf, die angesichts aller Faktoren wie einer Halbleiter-Chip-Montagegenauigkeit einer Vorrichtung, auf welcher ein Halbleiter-Chip zu montieren ist, Variationen eines Sägens eines Halbleitersubstrats in Halbleiter-Chips und einer Genauigkeit eines Ausbildens von Erhebungen auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70, jeweils zum Beispiel um 100 µm oder mehr kürzer sind als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips.
Mit anderen Worten ist jede Seite der Erhebung 4 in einer Draufsicht bevorzugt um 100 µm oder mehr kürzer als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 1. Weiter ist jede Seite des äußeren Umfangs der Erhebung 71 in einer Draufsicht bevorzugt um 100 µm oder mehr kürzer als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 11. Noch weiter ist jede Seite des äußeren Umfangs der Erhebung 72 in einer Draufsicht bevorzugt um 100 µm oder mehr kürzer als die korrespondierende Seite des Halbleiter-Chips 12.
Eine solche Auslegung ermöglicht wahrscheinlicher, dass sich die Enden des Halbleiter-Chips jenseits der äußersten Erhebung befinden.
Die vorstehend genannten Verhältnisse, die sich auf die Längen beziehen, reduzieren Bedingungen, in welchen eine Fehlausrichtung zwischen jedem Halbleiter-Chip und der korrespondierenden Erhebung bewirkt, dass eine der Seiten des Halbleiter-Chips sich nicht jenseits der kleineren Erhebung erstreckt. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die Enden des Halbleiter-Chips erreicht, bevor es die Enden der Erhebung erreicht.
Die Erhebung 71 und die Erhebung 72, welche die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgeben, brauchen keine einzelne durchgehende Erhebung zu sein.
4 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur, in welcher die individuelle Erhebung, welche die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgibt, aus einer Mehrzahl von Teilen zusammengesetzt ist, die mit einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Wie in 4 dargestellt, weist die Die-Kontaktstelle das Folgende auf: das Die-Kontaktstellensubstrat 70; die Erhebung 4, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist, wobei die Erhebung 4 eine Sockelform aufweist; eine Erhebung 71A, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht umgibt; und eine Erhebung 72A, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie weiter die Erhebung 71A in einer Draufsicht umgibt.
Hierbei weist die Erhebung 71A eine Erhebung 711, eine Erhebung 712, eine Erhebung 713 und eine Erhebung 714 auf. Weiter weist die Erhebung 72A eine Erhebung 721, eine Erhebung 722, eine Erhebung 723 und eine Erhebung 724 auf.
Es wird Bezug genommen auf die Erhebung 71A. Die Erhebung 711 und die Erhebung 713 sind an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet. Weiter sind die Erhebung 712 und die Erhebung 714 an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet.
Nun wird Bezug genommen auf die Erhebung 72A. Die Erhebung 721 und die Erhebung 723 sind an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet. Weiter sind die Erhebung 722 und die Erhebung 724 an einander gegenüberliegenden Positionen angeordnet.
Zu diesem Zeitpunkt fällt, wenn zum Beispiel der Halbleiter-Chip 11 montiert wird, das Verbindungsmaterial 3, welches die Enden der Erhebung 71A erreicht hat, in die Vertiefung 100 zwischen der Erhebung 71A und der Erhebung 72A hinunter. Hierbei bewirkt eine größere Menge des Verbindungsmaterials 3 als geeignet, wenn überhaupt, dass sich das Verbindungsmaterial 3 bis zu einem oberen Teilbereich der Erhebung 72A ausbreitet, wenn es die Erhebung 72A erreicht.
Die Erhebung 72A weist jedoch eine Mehrzahl von Erhebungen auf, die mit einem Abstand voneinander angeordnet sind, nämlich die Erhebung 721, die Erhebung 722, die Erhebung 723 und die Erhebung 724. Entsprechend tritt das Verbindungsmaterial 3 zwischen diesen Erhebungen der Erhebung 72A, die mit einem Abstand voneinander angeordnet sind, hindurch, um somit außerhalb der Erhebung 72A auszutreten. Dies verhindert, dass sich das Verbindungsmaterial 3 bis zu der oberen Oberfläche der Erhebung 72A ausbreitet, und verhindert weiter, dass sich das Verbindungsmaterial 3 bis zu den Seitenoberflächen des Halbleiter-Chips 11 und der oberen Oberfläche des Halbleiter-Chips 11 ausbreitet.
Das Verbindungsmaterial 3 kann ein Harzkleber sein. Alternativ kann das Verbindungsmaterial 3 ein Metallverbindungsmaterial wie ein Lötmittel oder ein geschmolzenes Material sein. Die Verwendung eines leitfähigen Verbindungsmaterials wie einem Lötmittel, Ag-Paste oder geschmolzenem Ag ermöglicht, dass die erste bevorzugte Ausführungsform bei einer Halbleitervorrichtung eingesetzt wird, welche eine elektrische Leitung von der oberen Oberfläche eines Halbleiter-Chips durch das Innere des Halbleiter-Chips zu der unteren Oberfläche des Halbleiter-Chips, Erhebungen und weiter einer Die-Kontaktstelle herstellen muss.
<Zweite bevorzugte Ausführungsform>
Das Folgende beschreibt eine Die-Kontaktstelle, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten, die ähnlich zu denjenigen sind, die in der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform beschrieben sind, durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die detaillierten Beschreibungen der ähnlichen Komponenten werden wenn nötig weggelassen.
<Anordnung der Die-Kontaktstelle>
5 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung für ein Erzielen der Die-Kontaktstelle gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform. Angesichts eines einfachen Verständnisses der Anordnung kann 5 ein Weglassen oder eine Vereinfachung von einigen der Komponenten aufweisen.
Wie in 5 dargestellt, weist die Die-Kontaktstelle das Folgende auf: das Die-Kontaktstellesubstrat 70; die Erhebung 4, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats 70 angeordnet ist, wobei die Erhebung 4 eine Sockelform aufweist; eine Erhebung 71B, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht teilweise umgibt; und eine Erhebung 72B, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellesubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie die Erhebung 71B in einer Draufsicht teilweise umgibt.
Die Erhebung 71B ist so vorgesehen, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht teilweise umgibt. Mit anderen Worten umgibt die Erhebung 71B den Umriss der Erhebung 4 in einer Draufsicht nicht vollständig; das heißt, die Erhebung 71B weist eine solche Form auf, dass ihr Umriss teilweise fehlt. Wenn die Erhebung 4 in einer Draufsicht rechteckig ist, fehlt der Erhebung 71B etwas an einer Stelle nah an der Erhebung 4, die mindestens einer der Seiten der Erhebung 4 oder einem Teil dieser Seite gegenüberliegt, wie in 5 dargestellt.
Die Erhebung 72B ist ähnlich so vorgesehen, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht teilweise umgibt, und ist außerdem ähnlich so vorgesehen, dass sie die Erhebung 71B in einer Draufsicht teilweise umgibt. Mit anderen Worten umgibt die Erhebung 72B den Umriss der Erhebung 71B in einer Draufsicht nicht vollständig; das heißt, die Erhebung 72B weist eine solche Form auf, dass ihr Umriss teilweise Lücken aufweist. Wenn die Erhebung 71B in einer Draufsicht rechteckig ist, weist die Erhebung 72B an einer Stelle angrenzend an die Erhebung 71B, die mindestens einer der Seiten der Erhebung 71B oder Teilen dieser Seite gegenüberliegt, Lücken auf, wie in 5 dargestellt.
Der Halbleiter-Chip 1, der Halbleiter-Chip 11 oder der Halbleiter-Chip 12 wird so angebracht, dass sich eine der Seiten des Halbleiter-Chips außerhalb einer der vier Seiten der Erhebung 4 befindet. Es wird Bezug genommen auf die drei übrigen Seiten jedes Halbleiter-Chips. Für den Halbleiter-Chip 1 befinden sich die drei übrigen Seiten außerhalb der Erhebung 4; für den Halbleiter-Chip 11 außerhalb der Erhebung 71B; und für den Halbleiter-Chip 12 außerhalb der Erhebung 72B.
6 ist eine perspektivische Ansicht einer Struktur, in welcher der Halbleiter-Chip 11 mit der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 verbunden ist, das mit der Erhebung 4, der Erhebung 71B und der Erhebung 72B versehen ist. Es ist zu beachten, dass jede andere Zahl von Erhebungen vorgesehen sein kann als drei Erhebungen, wie in 6 dargestellt. In einigen Ausführungsformen sind weitere zusätzliche Erhebungen vorgesehen, welche die Erhebung 4 in einer Draufsicht teilweise umgeben. Alternativ kann eine einzelne Erhebung vorgesehen sein, die die Erhebung teilweise umgibt.
Für Halbleiter-Chips, die voneinander verschiedene Größen aufweisen, ermöglicht eine solche Anordnung, dass eine der Seiten des individuellen Halbleiter-Chips an einer gemeinsamen Position angeordnet ist. Das heißt, eine der Seiten jedes Halbleiter-Chips, wobei die eine Seite keine Erhebung 71B und keine Erhebung 72B aufweist, ist an der gleichen Position angeordnet. Dies erzielt einen gleichmäßigen Abstand zwischen einer bestimmten Stelle und den unterschiedlich großen Halbleiter-Chips.
<Dritte bevorzugte Ausführungsform>
Das Folgende beschreibt eine Die-Kontaktstelle, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten bevorzugten Ausführungsform. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten, die ähnlich zu denjenigen sind, die in den vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen beschrieben sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und die detaillierten Beschreibungen der ähnlichen Komponenten sind wenn notwendig weggelassen.
<Verfahren zum Ausbilden von Erhebungen>
Nachfolgend wird eine Beschreibung über ein Verfahren zum Ausbilden von individuellen Erhebungen gegeben, die auf dem Die-Kontaktstellensubstrat 70 angeordnet sind.
Jede Erhebung, wie in den vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen beschrieben, braucht nicht von dem Die-Kontaktstellensubstrat 70 nach oben exponiert zu sein. 7 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Anordnung zum Erzielen der Die-Kontaktstelle gemäß der dritten bevorzugten Ausführungsform. Angesichts eines einfachen Verständnisses der Anordnung kann 7 ein Weglassen oder eine Vereinfachung von einigen der Komponenten aufweisen.
Wie in 7 dargestellt, weist das Verfahren ein Ausbilden einer ringförmigen Vertiefung 9 auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 auf, um eine Erhebung 4C auszubilden, die eine Sockelform aufweist. Das Verfahren weist weiter ein Ausbilden einer Mehrzahl von Vertiefungen auf: eine Vertiefung 91; und eine Vertiefung 92 in dem äußeren Umfang der Vertiefung 9, sodass eine Erhebung 71C, die eine Bankform aufweist, und eine Erhebung 72C, die eine Bankform aufweist, ausgebildet werden.
Zu diesem Zeitpunkt ist die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 bündig mit der oberen Oberfläche der Erhebung 4C, bevor jede Vertiefung ausgebildet ist. Jede Vertiefung muss einfach durch Stanzen oder Ätzen ausgebildet werden. Für einen Leiterrahmen kann die Ausbildung jeder Vertiefung mit dem Formen des Leiterrahmens zusammenfallen; außerdem kann für ein Halbleitersubstrat die Ausbildung jeder Vertiefung mit der Ausbildung der Die-Kontaktstelle zusammenfallen. Jede Erhebung wird somit einfach ausgebildet.
Es ist zu beachten, dass eine Mehrzahl von Vertiefungen in den äußeren Umfängen der drei übrigen Seiten der Vertiefung ausgebildet sein kann, ausgenommen eine Seite davon, sodass die Strukturen wie in 5 und 6 eingerichtet werden können, um somit eine begrenzte Position zum Anbringen des Halbleiter-Chips bereitzustellen.
<Vierte bevorzugte Ausführungsform>
Das Folgende beschreibt eine Die-Kontaktstelle, eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten bevorzugten Ausführungsform. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten, die ähnlich zu denjenigen sind, die in den vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen beschrieben sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und die detaillierten Beschreibungen der ähnlichen Komponenten sind wenn notwendig weggelassen
<Anordnung einer Die-Kontaktstelle>
8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Anordnung zum Erzielen der Die-Kontaktstelle gemäß der vierten bevorzugten Ausführungsform. Angesichts eines einfachen Verständnisses der Anordnung kann 8 ein Wegelassen oder eine Vereinfachung von einigen der Komponenten aufweisen.
Wie in 8 dargestellt, weist die Die-Kontaktstelle das Folgende auf: das Die-Kontaktstellensubstrat 70; eine Erhebung 4D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist, wobei die Erhebung 4D eine Sockelform aufweist; eine Erhebung 71D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie die Erhebung 4D in einer Draufsicht umgibt, wobei die Erhebung 71D eine Bankform aufweist; und eine Erhebung 72D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet ist, dass sie weiter die Erhebung 71D in einer Draufsicht umgibt, wobei die Erhebung 72D eine Bankform aufweist.
Wie in 8 dargestellt, ist die Erhebung 4D mit Seitenoberflächen versehen, die jeweils eine geneigte Form 200 aufweisen, welche sich nach außen in Richtung einer niedrigeren Position der Erhebung 4D erstreckt, d.h. sodass sie sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 4D nach außen in Richtung der unteren Oberfläche einer Vertiefung 100A erstreckt. Wie in 8 dargestellt, ist die Erhebung 71D mit einer äußeren Umfangsoberfläche versehen, die eine geneigte Form 201 aufweist, welche sich nach außen in Richtung einer niedrigeren Position der Erhebung 71D erstreckt, d.h. sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 71D in Richtung der unteren Oberfläche einer Vertiefung 101A erstreckt. Wie in 8 dargestellt, ist die Erhebung 72D mit einer äußeren Umfangsoberfläche versehen, die eine geneigte Form 202 aufweist, welche sich nach außen in Richtung einer niedrigeren Position der Erhebung 72D erstreckt, d.h. sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 72D nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 erstreckt, das angrenzend an dem äußeren Umfang der Erhebung 72D liegt.
Entsprechend fällt das Verbindungsmaterial 3 die Vertiefungen zwischen den Positionen entlang der Neigungen hinunter. Somit wird das Verbindungsmaterial 3 stabil an Ecken verteilt, die durch jede Erhebung und das Die-Kontaktstellensubstrat 70 gebildet werden, d.h. Ecken auf der unteren Oberfläche jeder Vertiefung.
Wenn zum Beispiel der Halbleiter-Chip 11 verbunden wird, breitet sich das Verbindungsmaterial 3, welches an die obere Oberfläche der Erhebung 4D bereitgestellt wird, entlang der geneigten Form 200 aus. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu inneren Ecken der Vertiefung 100A und weiter zu äußeren Ecken der Vertiefung 100A aus.
Das Verbindungsmaterial 3 erreicht dann die obere Oberfläche der Erhebung 71D und breitet sich weiter entlang der geneigten Form 201 aus. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu inneren Ecken der Vertiefung 101A und weiter zu äußeren Ecken der Vertiefung 101A aus.
Wenn der Halbleiter-Chip 12 verbunden wird, erreicht das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche der Erhebung 72D und breitet sich weiter entlang der geneigten Form 202 aus. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu äußeren Ecken der Erhebung 72D aus.
Dies reduziert Luftblasen an den inneren Ecken und den äußeren Ecken der Vertiefung und weiter an den externen Ecken der Erhebung 72D. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips und die Seitenoberflächen des Halbleiter-Chips erreicht, und behält weiter eine gleichmäßige Verbindungsqualität bei.
<Wirkungen der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen>
Das Folgende beschreibt Wirkungen der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen. Obwohl diese Wirkungen auf bestimmten Anordnungen basieren, welche in den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen dargestellt sind, können diese bestimmten Anordnungen bis zu einem Ausmaß, dass ähnliche Wirkungen erzielt werden, durch unterschiedliche bestimmte Ausführungsformen ersetzt werden, welche in der Beschreibung dargestellt sind.
Der Austausch kann über mehrere bevorzugte Ausführungsformen vorgenommen werden. Das heißt, Kombinationen der individuellen Anordnungen, welche in den unterschiedlichen bevorzugten Ausführungsformen dargestellt sind, können ähnliche Wirkungen erbringen.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform, weist die Die-Kontaktstelle das Die-Kontaktstellensubstrat 70, eine erste Erhebung, die eine Sockelform aufweist, eine zweite Erhebung, die eine Bankform aufweist, und eine dritte Erhebung, die eine Bankform aufweist, auf. Die erste Erhebung, welche eine Sockelform aufweist, ist auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet. Die zweite Erhebung ist so auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet, dass sie in einer Draufsicht mindestens einen Teil der ersten Erhebung umgibt. Die dritte Erhebung ist so auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet, dass sie in einer Draufsicht mindestens einen Teil der zweiten Erhebung umgibt. Hierbei korrespondiert die erste Erhebung zum Beispiel zu der Erhebung 4; die zweite Erhebung zu der Erhebung 71; und die dritte Erhebung zu der Erhebung 72.
Aufgrund einer solchen Anordnung werden die Vertiefungen zwischen den Erhebungen auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt, oder das Verbindungsmaterial 3 tritt zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 aus, wobei es sich von der Erhebung des Die-Kontaktstellensubstrats 70 nach außen ausbreitet, wenn der Halbleiter-Chip unter Verwendung des Verbindungsmaterial 3 verbunden wird. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere oder untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht. Außerdem ist eine solche Anordnung, in welcher die Mehrzahl von Vertiefungen vorgesehen ist, auf Halbleiter-Chips anwendbar, die voneinander verschiedene Größen aufweisen.
Es ist zu beachten, dass unterschiedliche Anordnungen, die in der Beschreibung dargestellt sind, außer den vorstehenden Anordnungen wenn notwendig weggelassen werden können. Das heißt, mindestens die vorstehenden Anordnungen allein ergeben die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
Die vorstehenden Anordnungen können jedoch zusätzlich wenn notwendig mindestens eine der unterschiedlichen Anordnungen, die in der Beschreibung dargestellt sind, aufweisen; das heißt, die vorstehenden Anordnungen können zusätzlich die unterschiedlichen Anordnungen, die in der vorliegenden Beschreibung dargestellt sind, aufweisen, welche von diesen Anordnungen ausgeschlossen sind. Solche zusätzlich eingeschlossenen Anordnungen ergeben immer noch die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform weist die Erhebung 71A eine Mehrzahl von Erhebungen auf, die in Abständen in einer Umfangsrichtung der Erhebung 71A angeordnet sind. Eine solche Anordnung ermöglicht, dass das Verbindungsmaterial 3 von Lücken in der Umfangsrichtung der Erhebung 71A nach außen austritt. Dies verhindert wirksam, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht, oder verhindert wirksam, dass das Verbindungsmaterial 3 die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform weist die Erhebung 72A eine Mehrzahl von Erhebungen auf, die in Abständen in einer Umfangsrichtung der Erhebung 72A angeordnet sind. Eine solche Anordnung ermöglicht, dass das Verbindungsmaterial 3 von Lücken in der Umfangsrichtung der Erhebung 72A nach außen austritt. Dies verhindert wirksam, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht, oder verhindert wirksam, dass das Verbindungsmaterial 3 die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist die Erhebung 71B so vorgesehen, dass sie die Erhebung 4 in einer Draufsicht teilweise umgibt. Aufgrund einer solchen Anordnung werden die Vertiefungen zwischen den Erhebungen auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt, oder das Verbindungsmaterial 3 tritt zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 aus, wobei es sich von der Erhebung des Die-Kontaktstellensubstrats 70 nach außen ausbreitet. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche oder die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist die Erhebung 72B so vorgesehen, dass sie die Erhebung 71B in einer Draufsicht teilweise umgibt. Aufgrund einer solchen Anordnung werden die Vertiefungen zwischen den Erhebungen auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt, oder das Verbindungsmaterial 3 tritt zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 aus, wobei es sich von der Erhebung des Die-Kontaktstellensubstrats 70 nach außen ausbreitet. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche oder die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht. Außerdem können die Erhebung 71B und die Erhebung 72B so vorgesehen sein, dass sie nicht die gleiche von den Seiten des Halbleiter-Chips umgeben. Wenn Halbleiter-Chips vorgesehen sind, die voneinander verschiedene Größen aufweisen, würde eine der Seiten jedes Halbleiter-Chips, die nicht durch die Erhebung 71B und die Erhebung 72B umgeben ist, an der gleichen Position angeordnet. Dies ermöglicht einen gleichmäßigen Abstand zwischen einer bestimmten Stelle und jedem der Halbleiter-Chips mit unterschiedlichen Größen. Ein Draht kann zum Beispiel verwendet werden, um eine Verbindung des Halbleiter-Chips herzustellen. In diesem Fall ist der Halbleiter-Chip so angeordnet, dass er nah an einem der Enden des Drahts angeordnet ist, entfernt von dem Halbleiter-Chip. Dies ermöglicht, dass der Draht kurz ist.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist die Erhebung 4D mit Seitenoberflächen versehen, die jeweils eine geneigte Form 200 aufweisen, welche sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 4D nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angrenzend an den äußeren Umfang der Erhebung 4D erstrecken. In einer solchen Anordnung breitet sich das Verbindungsmaterial 3, welches auf der oberen Oberfläche der Erhebung 4D bereitgestellt wird, entlang der geneigten Form 200 aus, wenn der Halbleiter-Chip 11 verbunden wird. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu den inneren Ecken der Vertiefung 100A und weiter zu den externen Ecken der Vertiefung 100A aus. Dies entspannt die folgende Situation: Das Verbindungsmaterial 3 tritt aus der oberen Oberfläche der Erhebung 4D aus, um sich über die Vertiefung 100A auszubreiten; und zu dieser Zeit werden Luftblasen an den inneren Ecken der Vertiefung 100A und weiter an den externen Ecken der Vertiefung 100A erzeugt.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist die Erhebung 71D mit Seitenoberflächen versehen, die jeweils die geneigte Form 201 aufweisen, welche sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 71D nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angrenzend an den äußeren Umfang der Erhebung 71D erstreckt. In einer solchen Anordnung breitet sich das Verbindungsmaterial 3, welches auf der oberen Oberfläche der Erhebung 4D bereitgestellt wird, entlang der geneigten Form 201 über die obere Oberfläche der Erhebung 71D aus, wenn der Halbleiter-Chip 11 verbunden wird. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu den internen Ecken der Vertiefung 101A und weiter zu den externen Ecken der Vertiefung 101A aus. Dies entspannt die folgende Situation: Das Verbindungsmaterial 3 tritt aus der oberen Oberfläche der Erhebung 71D aus, um sich über die Vertiefung 101A auszubreiten; und zu dieser Zeit werden Luftblasen an den internen Ecken der Vertiefung 101A und weiter an den externen Ecken der Vertiefung 101A erzeugt.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist die Erhebung 72D mit Seitenoberflächen versehen, die jeweils die geneigte Form 202 aufweisen, welche sich von der oberen Oberfläche der Erhebung 72D nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angrenzend an den äußeren Umfang der Erhebung 72D erstreckt. In einer solchen Anordnung erreicht das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche der Erhebung 72D und breitet sich dann weiter entlang der geneigten Form 202 aus, wenn der Halbleiter-Chip 12 verbunden wird. Das Verbindungsmaterial 3 breitet sich dann zu den externen Ecken der Erhebung 72D aus. Dies entspannt die folgende Situation: Das Verbindungsmaterial 3 tritt aus der oberen Oberfläche der Erhebung 72D aus, um sich zu dem äußeren Umfang der Erhebung 72D auszubreiten; und zu diesem Zeitpunkt werden Luftblasen an den externen Ecken der Erhebung 72D erzeugt.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform weist die Halbleitervorrichtung die Die-Kontaktstelle und den Halbleiter-Chip 11 auf. Der Halbleiter-Chip 11 ist durch das Verbindungsmaterial 3 über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle angebracht. Die Die-Kontaktstelle weist das Die-Kontaktstellensubstrat 70, die Erhebung 4, die eine Sockelform aufweist, die Erhebung 71, die eine Bankform aufweist, und die Erhebung 72, die eine Bankform aufweist, auf. Die Erhebung 4, welche eine Sockelform aufweist, ist auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 in einem Bereich angeordnet, der mit dem Halbleiter-Chip 11 versehen ist. Die Erhebung 71, welche eine Bankform aufweist, ist auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet, dass sie in einer Draufsicht mindestens einen Teil der Erhebung 4 umgibt. Die Erhebung 72, welche eine Bankform aufweist, ist auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 so angeordnet, dass sie in einer Draufsicht mindestens einen Teil der Erhebung 71 umgibt. Der Halbleiter-Chip 11, welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist, weist Enden auf, die sich jeweils über einer ersten Vertiefung zwischen der Erhebung 4 und der Erhebung 7, über einer zweiten Vertiefung zwischen der Erhebung 71 und der Erhebung 72 oder über dem Die-Kontaktstellensubstrat 70, das die von der Erhebung 72 nach außen erstreckt, befinden. Hierbei korrespondiert die erste Vertiefung zum Beispiel zu der Vertiefung 100. Weiter korrespondiert die zweite Vertiefung zum Beispiel zu der Vertiefung 101.
In einer solchen Anordnung werden die Vertiefungen auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt, oder das Verbindungsmaterial 3 tritt zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 aus, wobei es sich von der Erhebung des Die-Kontaktstellensubstrats 70 nach außen ausbreitet, wenn der Halbleiter-Chip unter Verwendung des Verbindungsmaterials verbunden wird. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche oder die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht. Eine solche Anordnung, in welcher die Mehrzahl von Vertiefungen vorgesehen ist, ist auf Halbleiter-Chips anwendbar, die voneinander verschiedene Größen aufweisen.
Es ist zu beachten, dass unterschiedliche Anordnungen, die in der Beschreibung dargestellt sind, außer den vorstehenden Anordnungen wenn notwendig weggelassen werden können. Das heißt, mindestens die vorstehenden Anordnungen allein ergeben die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
Die vorstehenden Anordnungen können jedoch wenn notwendig zusätzlich mindestens eine der unterschiedlichen Anordnungen aufweisen, die in der Beschreibung dargestellt sind; das heißt, die vorstehenden Anordnungen können zusätzlich die unterschiedlichen Anordnungen, die in der vorliegenden Beschreibung dargestellt sind, welche von diesen Anordnungen ausgeschlossen sind, aufweisen. Solche zusätzlich eingeschlossenen Anordnungen ergeben immer noch die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform befindet sich jedes Ende des Halbleiter-Chips 1 über der Vertiefung 100, der Halbleiter-Chip 1 weist eine Breite auf, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite eines Bereichs, der mit der Erhebung 4 versehen ist. Weiter befindet sich jedes Ende des Halbleiter-Chips 11 über der Vertiefung 101, der Halbleiter-Chip 11 weist eine Breite auf, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite eines Bereichs, der mit der Erhebung 71 versehen ist. Noch weiter weist der Halbleiter-Chip 12, wenn sich jedes Ende des Halbleiter-Chips 12 über dem Die-Kontaktstellensubstrat 70 befindet, das sich von der Erhebung 72 nach außen erstreckt, eine Breite auf, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite eines Bereichs, der mit der Erhebung 72 versehen ist. Eine solche Anordnung würde verhindern, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche des Halbleiter-Chips oder die untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht, wenn Variationen wie eine Toleranz in einer Verarbeitung eines typischen Halbleiter-Chips, eine Toleranz in einer Verarbeitung eines typischen Leiterrahmens und eine Genauigkeit bei einer Montage des Halbleiter-Chips berücksichtigt werden.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform ist das Verbindungsmaterial 3 leitfähig. In einer solchen Anordnung ermöglicht die Verwendung eines leitfähigen Materials wie Lötmittel, Ag-Paste oder geschmolzenes Silber als das Verbindungsmaterial 3, dass die Die-Kontaktstelle gemäß der bevorzugten Ausführungsform für eine Halbleitervorrichtung verwendet wird, welche eine elektrische Leitung zwischen einer Bond-Oberfläche eines Halbleiter-Chips und der Die-Kontaktstelle herstellen muss.
In der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform weist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung ein Präparieren einer Die-Kontaktstelle und ein Platzieren eines Halbleiter-Chips über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch das Verbindungsmaterial 3 auf. Hierbei weist der Schritt des Präparierens der Die-Kontaktstelle das Folgende auf: Präparieren des Die-Kontaktstellensubstrats 70; Ausbilden der Vertiefung 9, die einen Teilbereich umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70, um eine Erhebung auszubilden, die eine Sockelform aufweist; Ausbilden der Vertiefung 91, die die Vertiefung 9 umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70, um eine zweite Erhebung auszubilden, die eine Bankform aufweist; und Ausbilden einer dritten Vertiefung, die die Vertiefung 91 umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70, um eine dritte Erhebung auszubilden, die eine Bankform aufweist. Hierbei korrespondiert die dritte Vertiefung zum Beispiel zu der Vertiefung 92. Weiter korrespondiert die erste Erhebung zum Beispiel zu der Erhebung 4C. Noch weiter korrespondiert die zweite Erhebung zum Beispiel zu der Erhebung 71C. Noch weiter korrespondiert die dritte Erhebung zum Beispiel zu der Erhebung 72C. Der Schritt des Platzierens des Halbleiter-Chips über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch das Verbindungsmaterial 3 beinhaltet ein Platzieren des Halbleiter-Chips 11 in einem Bereich, der durch die Vertiefung 9 umgeben ist, welche auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet ist, durch das Verbindungsmaterial 3. Wenn der Halbleiter-Chip durch das Verbindungsmaterial 3 über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle platziert ist, weist der Halbleiter-Chip 11, welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 platziert ist, Enden auf, die jeweils über der Vertiefung 9, über der Vertiefung 91 oder über der Vertiefung 92 angeordnet sind.
In einer solchen Anordnung werden die Vertiefungen, welche auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 angeordnet sind, mit dem Verbindungsmaterial 3 gefüllt, oder das Verbindungsmaterial 3 tritt zu der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 aus, wobei es sich von den Erhebungen des Die-Kontaktstellensubstrats 70 nach außen ausbreitet, wenn der Halbleiter-Chip unter Verwendung des Verbindungsmaterials 3 verbunden wird. Dies verhindert, dass das Verbindungsmaterial 3 die obere Oberfläche der unteren Oberfläche des Halbleiter-Chips erreicht. Außerdem wird die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats 70 einer Bearbeitung wie einem Stanzen oder Ätzen unterzogen, um die Vertiefung 9, die Vertiefung 91 und weiter die Vertiefung 92 auszubilden. Dies ermöglicht die Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß der bevorzugten Ausführungsform. Außerdem ist diese Anordnung, in welcher die Mehrzahl von Vertiefungen ausgebildet ist, auf Halbleiter-Chips anwendbar, die voneinander verschiedene Größen aufweisen.
Es ist zu beachten, dass unterschiedliche Anordnungen, die in der Beschreibung dargestellt sind, außer den vorstehenden Anordnungen wenn notwendig weggelassen werden können. Das heißt, mindestens die vorstehenden Anordnungen allein ergeben die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
Die vorstehenden Anordnungen können jedoch wenn notwendig zusätzlich mindestens eine der unterschiedlichen Anordnungen aufweisen, die in der Beschreibung dargestellt sind; das heißt, die vorstehenden Anordnungen können zusätzlich die unterschiedlichen Anordnungen, die in der vorliegenden Beschreibung dargestellt sind, welche von diesen Anordnungen ausgeschlossen sind, aufweisen. Solche zusätzlich eingeschlossenen Anordnungen ergeben immer noch die vorstehend beschriebenen Wirkungen.
Die Reihenfolge der individuellen Prozessschritte kann verändert werden, es sei denn, sie ist andernfalls besonders eingeschränkt.
<Modifikationen der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen>
Die Materialqualität, das Material, die Größe und Form jeder Komponente, die Positionen von Komponenten relativ zueinander und Bedingungen für eine Implementierung, die in jeder der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform beschrieben sind, sind in allen Aspekten darstellend. Somit sind sie nicht auf das beschränkt, was in der vorliegenden Erfindung beschrieben ist.
Entsprechend können zahlreiche nicht gezeigte Variationen innerhalb des Gültigkeitsumfangs der in der Beschreibung offenbarten Technik angenommen werden. Beispiele der Variationen schließen die Modifikation, das Hinzufügen und Weglassen von mindestens einer Komponente ein. Ein anderes Beispiel ist ein Extrahieren von mindestens einer Komponente von mindestens einer der bevorzugten Ausführungsformen und dann ein Kombinieren der extrahierten Komponente mit einer anderen Komponente einer unterschiedlichen bevorzugten Ausführungsform.
Soweit nicht anders entgegengehalten wird, kann „eine“ Komponente, die in jeder der bevorzugten Ausführungsformen beschrieben ist, „eine oder mehr“ Komponenten enthalten.
Individuelle Komponenten sind konzeptionelle Einheiten. Somit kann innerhalb der Technik, die in der Beschreibung offenbart ist, eine Komponente mehrere Strukturen aufweisen, eine Komponente kann zu einem Teil einer Struktur korrespondieren, und mehrere Komponenten können in einer Struktur enthalten sein.
Jede Komponente weist eine Struktur einer unterschiedlichen Anordnung oder einer unterschiedlichen Form auf, solange die Struktur der unterschiedlichen Anordnung oder der unterschiedlichen Form die gleiche Funktion erzielt.
Auf die Beschreibungen in der vorliegenden Beschreibung wird für alle Zwecke, die die vorliegende Technik betreffen, Bezug genommen. Es ist somit kein Zugeständnis, dass jede der hier zur Verfügung gestellten Beschreibungen herkömmliche Techniken sind.
Wenn die vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsformen Beschreibungen über Materialien enthalten, ohne dass sie besonders spezifiziert sind, soll verstanden werden, dass ein Beispiel dieser Materialien eine Legierung ist, die andere Zusätze in diesen Materialien aufweist, soweit dem nicht anderweitig widersprochen wird.
Obwohl die Erfindung detailliert gezeigt und beschrieben worden ist, ist die vorstehende Beschreibung in allen Aspekten darstellend und nicht einschränkend. Es ist daher zu verstehen, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen entworfen werden können, ohne den Gültigkeitsumfang der Erfindung zu verlassen.
Zusammengefasst offenbart die Beschreibung eine Technik zum Verhindern, dass ein Verbindungsmaterial die oberen und unteren Oberflächen eines Halbleiter-Chips beim Verbinden des Halbleiter-Chips unter Verwendung des Verbindungsmaterials erreicht. Eine Die-Kontaktstelle der in der Beschreibung offenbarten Technik weist das Folgende auf: ein Die-Kontaktstellensubstrat 70; eine erste Erhebung 4, 4D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats angeordnet ist, wobei die erste Erhebung 4, 4D eine Sockelform aufweist; eine zweite Erhebung 71, 71A, 71B, 71D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung 71, 71A, 71B, 71D eine Bankform aufweist; und eine dritte Erhebung 72, 72A, 72B, 72D, die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung 72, 72A, 72B, 72D eine Bankform aufweist.
Bezugszeichenliste

3: Verbindungsmaterial
4, 4C, 4D: erste Erhebung
9: erste Vertiefung
11: Halbleiter-Chip
70: Kontaktstellensubstrat
71, 71A - 71D: zweite Erhebung
72, 72A - 72D: dritte Erhebung
91: zweite Vertiefung
92: dritte Vertiefung
100, 100A: erste Vertiefung
101, 101A: zweite Vertiefung
200, 201, 202: geneigte Form
711 - 714: Erhebung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2001127233 [0003]

Claims

Die-Kontaktstelle, aufweisend: ein Die-Kontaktstellensubstrat (70); eine erste Erhebung (4, 4D), die auf einer oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) angeordnet ist, wobei die erste Erhebung (4, 4D) eine Sockelform aufweist; eine zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung (4, 4D) in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) eine Bankform aufweist; und eine dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) eine Bankform aufweist.
Die-Kontaktstelle gemäß Anspruch 1, wobei die zweite Erhebung (71A) eine Mehrzahl von Teilen aufweist, die in einer Umfangsrichtung davon mit einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Die-Kontaktstelle gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die dritte Erhebung (72A) eine Mehrzahl von Teilen aufweist, die in einer Umfangsrichtung davon mit einem Abstand voneinander angeordnet sind.
Die-Kontaktstelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Erhebung (71B) so vorgesehen ist, dass sie die erste Erhebung (4, 4D) in einer Draufsicht teilweise umgibt.
Die-Kontaktstelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die dritte Erhebung (72B) so vorgesehen ist, dass sie die zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) in einer Draufsicht teilweise umgibt.
Die-Kontaktstelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die erste Erhebung (4D) eine Seitenoberfläche aufweist, die eine geneigte Form (200) aufweist, welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten Erhebung (4D) nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) erstreckt, angrenzend an eine äußere Peripherie der ersten Erhebung (4D).
Die-Kontaktstelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die zweite Erhebung (71D) eine Seitenoberfläche aufweist, die eine geneigte Form (201) aufweist, welche sich von einer oberen Oberfläche der zweiten Erhebung (71D) nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) erstreckt, angrenzend an eine äußere Peripherie der zweiten Erhebung (71D).
Die-Kontaktstelle gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die dritte Erhebung (72D) eine Seitenoberfläche aufweist, die eine geneigte Form (202) aufweist, welche sich von einer oberen Oberfläche der dritten Erhebung (72D) nach außen in Richtung der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) erstreckt, angrenzend an eine äußere Peripherie der dritten Erhebung (72D).
Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Die-Kontaktstelle; und einen Halbleiter-Chip (1, 11, 12), der durch ein Verbindungsmaterial (3) über einer oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle angeordnet ist, wobei die Die-Kontaktstelle aufweist ein Die-Kontaktstellensubstrat (70), eine erste Erhebung (4, 4D), die auf einer oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) in einem Bereich angeordnet ist, der mit dem Halbleiter-Chip (1, 11, 12) versehen ist, wobei die erste Erhebung (4, 4D) eine Sockelform aufweist, eine zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der ersten Erhebung (4, 4D) in einer Draufsicht umgibt, wobei die zweite Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) eine Bankform aufweist, und eine dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D), die auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) so angeordnet ist, dass sie mindestens einen Teil der zweiten Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) in einer Draufsicht umgibt, wobei die dritte Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) eine Bankform aufweist, und wobei der Halbleiter-Chip (1, 11, 12), welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) angeordnet ist, ein Ende aufweist, das sich über einer ersten Vertiefung (100, 100A, 9) zwischen der ersten Erhebung (4, 4D) und der zweiten Erhebung (71, 71A, 71B, 71D), über einer zweiten Vertiefung (101, 101A, 91) zwischen der zweiten Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) und der dritten Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) oder über dem Die-Kontaktstellensubstrat (70), das sich von der dritten Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) nach außen erstreckt, befindet.
Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei, wenn sich das Ende des Halbleiter-Chips (1) über der ersten Vertiefung (100, 100A, 9) befindet, der Halbleiter-Chip (1) eine Breite aufweist, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite eines Bereichs, der mit der ersten Erhebung (4, 4D) versehen ist, wobei, wenn sich das Ende des Halbleiter-Chips (11) über der zweiten Vertiefung (101, 101A, 91) befindet, der Halbleiter-Chip (11) eine Breite aufweist, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite, die mit der zweiten Erhebung (71, 71A, 71B, 71D) versehen ist, und wobei, wenn sich das Ende des Halbleiter-Chips (12) über dem Die-Kontaktstellesubstrat (70) befindet, das sich von der dritten Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) nach außen erstreckt, der Halbleiter-Chip (12) eine Breite aufweist, die um 100 µm oder mehr größer ist als eine Breite eines Bereichs, der mit der dritten Erhebung (72, 72A, 72B, 72D) versehen ist.
Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei das Verbindungsmaterial (3) leitfähig ist.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist: Präparieren einer Die-Kontaktstelle; und Platzieren eines Halbleiter-Chips über einer oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch ein Verbindungsmaterial (3), wobei das Präparieren der Die-Kontaktstelle aufweist: Präparieren eines Die-Kontaktstellensubstrats (70), Ausbilden einer ersten Vertiefung (9), die einen Teilbereich umgibt, auf eine obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70), um eine erste Erhebung (4C) auszubilden, die eine Sockelform aufweist, Ausbilden einer zweiten Vertiefung (91), die die erste Vertiefung (9) umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70), um eine zweite Erhebung (71C) auszubilden, die eine Bankform aufweist, und Ausbilden einer dritten Vertiefung (92), die die zweite Erhebung (91) umgibt, auf die obere Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70), um eine dritte Erhebung (72C) auszubilden, die eine Bankform aufweist, wobei das Platzieren des Halbleiter-Chips über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle durch das Verbindungsmaterial (3) aufweist Platzieren des Halbleiter-Chips (1, 11, 12) über der ersten Erhebung (4C), welche auf der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) angeordnet ist, durch das Verbindungsmaterial (3), und wobei, wenn der Halbleiter-Chip (1, 11, 12) durch das Verbindungsmaterial (3) über der oberen Oberfläche der Die-Kontaktstelle platziert ist, der Halbleiter-Chip (1, 11, 12), welcher über der oberen Oberfläche des Die-Kontaktstellensubstrats (70) angeordnet ist, ein Ende aufweist, das über der ersten Vertiefung (9), über der zweiten Vertiefung (91) oder über der dritten Vertiefung (92) positioniert ist.