WO2022065006A1

WO2022065006A1 - 積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、積層体及び組成物

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Publication number: WO2022065006A1
Application number: PCT/JP2021/032590
Authority: WO
Inventors: 誠也増田
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2020-09-28
Filing date: 2021-09-06
Publication date: 2022-03-31
Also published as: EP4220859A4; EP4220859A1; TW202212157A; JPWO2022065006A1; US20230216175A1

Abstract

アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体を簡易に製造できる積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、また、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体、及び組成物を提供する。積層体の製造方法は、磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する工程と、組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程とを有し、磁性体パターン部は、アンテナの周囲のうち少なくとも一部に、アンテナと基板上において離間して配置される。

Description

積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、積層体及び組成物

　本発明は、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、積層体及び組成物に関する。

　現在、携帯電話、スマートフォン又はタブレット等の携帯通信端末、インターネット通信、ＷｉＦｉ（Wireless Fidelity）、Bluetooth（登録商標）、ＧＰＳ（Global Positioning System）等、無線技術を利用した多様な通信システムがある。
　多様な通信システムに対応するためには、それぞれの通信システムに使用される電波の送受信が可能なアンテナが必要とされる。また、近年の携帯通信端末の多機能化及び小型化、更には通信のアクセスポイント等に配置される無線通信モジュールの小型化により、半導体素子及びアンテナ等の実装密度が高くなっている。このため、携帯通信端末及び無線通信モジュールにおいて、例えば、半導体素子が、電磁的な干渉を受けて、正常な動作を妨げられることがあり、これにより、誤動作する可能性もある。そこで、携帯通信端末には、半導体素子に対して電磁的に干渉する電磁波を吸収する電磁波吸収体が配置されている。

　電磁波吸収体としては、例えば、特許文献１に、誘電体層と、誘電体層の一方の面に設けられる導電層とを有するシート状の電磁波吸収体が記載されている。この電磁波吸収体は、導電層の厚みが２０ｎｍ～１００μｍの範囲にあり、６０～９０ＧＨｚの周波数帯域において電磁波吸収量が２０ｄＢ以上である周波数帯域の帯域幅が２ＧＨｚ以上である。

特開２０１９－０５７７３０号公報

　近年の携帯通信端末は、上述のように半導体素子及びアンテナ等の実装密度が高く、電磁波吸収体を配置するスペースを十分にとることができない。特許文献１のような誘電体層の一方の面に設けられる導電層を有するシート状の電磁波吸収体を、制限された配置スペースに設けることが難しい。

　本発明の目的は、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体を簡易に製造できる積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法を提供する。
　また、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体、及び、組成物を提供する。

　以下の構成により、上述の目的を達成することができる。
　本発明の一態様は、磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する工程と、組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程とを有し、磁性体パターン部は、アンテナの周囲のうち少なくとも一部に、アンテナと基板上において離間して配置される、積層体の製造方法を提供するものである。

　基板上に、更に半導体素子が配置されており、磁性体パターン部が、基板上においてアンテナと半導体素子との間に配置されることが好ましい。
　磁性体パターン部が、アンテナの全周に存在することが好ましい。
　磁性体パターン部の幅は、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波の波長の１／４の整数倍であることが好ましい。
　磁性体パターン部は、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波の波長の１／４の整数倍の間隔を有することが好ましい。
　磁性体パターン部は、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波の波長の１／４の大きさの整数倍であるラインとスペースの組み合わせによって構成されることが好ましい。
　磁性体パターン部の厚みは、３００μｍ以下であることが好ましい。
　磁性体粒子は、Ｆｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む磁性体粒子であり、磁性体粒子の平均一次粒子径が２０～１０００ｎｍであることが好ましい。

　本発明の一態様は、本発明の積層体の製造方法を含む、アンテナインパッケージの製造方法を提供するものである。
　本発明の一態様は、基板と、基板上に配置されたアンテナと、アンテナとは離間して、アンテナの周囲のうち少なくとも一部に配置された磁性体パターン部とを有する、積層体を提供するものである。
　本発明の一態様は、本発明の積層体中の磁性体パターン部の形成に用いられる組成物であって、磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を提供するものである。

　本発明によれば、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体を簡易に製造できる積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法を提供できる。
　また、本発明によれば、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波を吸収する磁性体パターンを有する積層体、及び、組成物を提供できる。

本発明の実施形態の積層体の一例を示す模式的斜視図である。本発明の実施形態の積層体の一例の製造方法の一工程を示す模式的斜視図である。本発明の実施形態の積層体の一例の製造方法の一工程を示す模式的斜視図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第３の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第４の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第５の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第６の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第７の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第８の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第９の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１０の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１１の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１２の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１３の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１４の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１５の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１６の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１７の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１８の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１９の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２０の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２１の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２２の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２３の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２４の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２５の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２６の例を示す模式図である。本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第２７の例を示す模式図である。

　以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、積層体及び組成物を詳細に説明する。
　なお、以下に説明する図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図に本発明が限定されるものではない。
　なお、以下において数値範囲を示す「～」とは両側に記載された数値を含む。例えば、εが数値α～数値βとは、εの範囲は数値αと数値βを含む範囲であり、数学記号で示せばα≦ε≦βである。
　「平行」及び「直交」等の角度は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
　また、磁性体パターン部の幅は、後述のように定められた幅の値に対して±１０％の範囲内であることが好ましい。

［積層体］
　図１は本発明の実施形態の積層体の一例を示す模式的斜視図である。
　積層体１０は、基板１２上に、例えば、アレイアンテナ１４、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）１８が設けられている。Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８は、例えば、各種の半導体素子で構成される。
　積層体１０は、上述の構成以外にスマートフォン等の携帯通信端末、又は無線通信モジュールが有する各種の回路及び素子等、例えば、ＲＦ（Radio Frequency）回路、送信用パワーアンプ、受信用低雑音アンプ、集積化受動素子、スイッチ、位相シフタ等を有する。

　基板１２は、積層体１０の支持体として機能するものであり、上述のＡ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８等が形成される。基板１２は、ポリイミド又はＳｉＯ_２等で構成される。
　アレイアンテナ１４は、例えば、４つのアンテナ１５を有する。例えば、４つのアンテナ１５は、全て同じである。アレイアンテナ１４及びアンテナ１５の構成は、特に限定されるものではなく、発信又は受信する周波数帯域、受信する偏波方向等に応じて適宜決定される。また、アレイアンテナ１４では、４つのアンテナ１５を有するが、これに限定されるものではない。アレイアンテナ１４ではなく、１つのアンテナでもよい。

　Ａ／Ｄ回路１６は、アナログ信号をデジタル信号に変換するものであり、公知のＡ-Ｄコンバータが用いられる。Ａ／Ｄ回路１６は、アレイアンテナ１４が電波により受信した受信信号をデジタル信号に変換する。
　ＡＳＩＣ１８は、デジタル信号化された受信信号から、アレイアンテナ１４に送信された元のデータ又は信号を得るものである。また、送信データ又は送信信号をデジタル信号の状態で生成するものである。ＡＳＩＣ１８の機能は、特に限定されるものではなく、用途等に応じて適宜決定される。
　また、Ａ／Ｄ回路１６は、ＡＳＩＣ１８で生成された送信データ又は送信信号をアレイアンテナ１４で送信可能なアナログ信号に変換する。

　メモリ１７は、上述のＡＳＩＣ１８において生成された送信データ又は送信信号、アレイアンテナ１４が受信したデジタル信号化された受信信号等を記憶するものである。メモリ１７は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）の揮発性メモリが用いられるが、ＨＢＭ(High Bandwidth Memory)が好ましい。

　積層体１０では、アレイアンテナ１４の周囲のうち少なくとも一部に、アレイアンテナ１４と基板１２上において離間して、磁性体パターン部２０が配置される。磁性体パターン部２０は、アレイアンテナ１４から発信又はアレイアンテナ１４が受信する電磁波を吸収するものである。
　図１の磁性体パターン部２０は、アレイアンテナ１４を除いて、基板１２の表面１２ａにＡ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８を覆って設けられている。
　磁性体パターン部２０の幅は、アレイアンテナ１４から発信又はアレイアンテナ１４が受信する電磁波を吸収させるために、アレイアンテナ１４が発信又は受信する電磁波の波長の１／４の整数倍であることが好ましい。
　磁性体パターン部２０により、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８が、アレイアンテナ１４が発する電磁波による電磁的な干渉が抑制される。これにより、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８は正常な動作を妨げられることがなく、誤動作も抑制される。
　磁性体パターン部２０により、電磁波の吸収を制御することにより、アンテナ出力の指向性を強化したり、更にウエハレベルパッケージの積層体内部に磁性体を構造体として入れたりすることにより、積層体の高集積化と高性能化も可能できる。

［積層体の製造方法］
　磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する工程と、組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程とを有する。
　図２及び図３は本発明の実施形態の積層体の一例の製造方法を工程順に示す模式的斜視図である。なお、図２及び図３において、図１示す構成物と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。

　図２に示すように、基板１２上に、例えば、アレイアンテナ１４、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８が設けられたものを用意する。
　アレイアンテナ１４、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８は、半導体素子の公知の各種の製造方法を用いて、基板１２上に形成される。
　次に、図２に示すように、基板１２の表面１２ａ全面を覆う組成物層２２を形成する。アレイアンテナ１４、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８は組成物層２２により覆われる。例えば、組成物層２２はネガ型であり、現像処理により未露光部が除去される。

　次に、図３に示すフォトマスク２４を配置する。フォトマスク２４は、例えば、アレイアンテナ１４が配置された領域と、磁性体パターン部２０に対応する領域にマスク部２５が設けられている。マスク部２５以外の領域２６は、組成物層２２を露光する露光光Ｌｖが透過する。マスク部２５は露光光Ｌｖを遮る。
　図３に示すフォトマスク２４を用いて露光される組成物層２２はネガ型であり、現像処理により未露光部が除去される。すなわち、アレイアンテナ１４と、磁性体パターン部２０とが未露光部となる。
　なお、組成物層２２がポジ型である場合には、現像処理により露光部が除去されるため、フォトマスク２４は、遮光する領域が図３に示すフォトマスク２４と逆になる。

　フォトマスク２４を、基板１２上に配置して露光した後、現像処理を施して、磁性体パターン部２０（図１参照）を形成する。これにより、図１に示す積層体１０が得られる。
　上述のように、露光処理と現像処理により、磁性体パターン部２０（図１参照）を形成することができ、高集積化と高性能化された積層体を簡易に製造できる。
　なお、従来は磁性体の透磁率の実数部（μ’）と透磁率の複素数部（μ’’）のうち、電磁波吸収を表すμ’’を最大化する磁性体で、通信規格５Ｇ（Generation）に用いられる２８ＧＨｚ、４７ＧＨｚ、又は７８ＧＨｚの電磁波を吸収する非感光性材料を用いている。しかし、この特性に加えて、パターニングにより、磁性体のサイズを、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波の波長の１／４の整数倍とすることにより、共鳴による電磁波吸収が可能となり、省スペースで、遮蔽効率を大幅に改善することができる。

［磁性体パターン部］
　なお、磁性体パターン部は、アンテナの周囲のうち少なくとも一部に、アンテナと基板１２上において離間して配置されていれば、図１に示す、アレイアンテナ１４を除いて、基板１２の表面１２ａにＡ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８を覆って設けられた磁性体パターン部２０に特に限定されるものではない。磁性体パターン部は、様々なパターンのものを用いることができ、ＦＳＳ（Frequency Selective Surface）素子状でもよい。ＦＳＳ素子状とは、アンテナから発信又はアンテナが受信する電磁波の波長の１／４の大きさの整数倍であるラインとスペースの組み合わせによって構成されたもののことである。
　磁性体パターン部２０が、アンテナと基板１２上において離間して配置されているとは、基板の同一面に、アンテナと磁性体パターン部２０とが設けられた形態であり、基板の表面にアンテナが設けられ、基板の裏面に磁性体パターン部が設けられた形態ではない。基板に段差がある場合、基板が曲がっている場合、基板と磁性体パターン部の間に密着層等の他の層を含む場合も同一面とみなす。
　磁性体パターン部は、アンテナの周囲のうち少なくとも一部に配置されているが、アンテナを中心とした水平方向の３６０°のうち、１２０°以上に配置されていることが好ましい。
　磁性体パターン部は、アンテナからの電磁波を遮蔽するために、アンテナの全周に存在することが好ましい。アンテナの全周とは、アンテナを中心とした水平方向の３６０°のうち、３３７．５°以上であることである。

　以下、磁性体パターン部２０について、より具体的に説明する。
　図４～図３０は本発明の実施形態の積層体の磁性体パターン部の第１～第２７の例を示す模式図である。図４～図３０では、基板１２上に１つのアンテナ２７と１つの半導体素子２８との間に、磁性体パターン部が配置された構成としている。

　図４では、アンテナ２７の全周囲を囲む１重円環状の磁性体パターン部３０が設けられている。磁性体パターン部３０は、アンテナ２７の全周に配置され、円環状に配置されている。磁性体パターン部３０の幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。このため、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長により、幅が適宜設定される。アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の周波数が、例えば、６０ＧＨｚであれば、電磁波の波長は約５．００ｍｍであり、磁性体パターン部３０の幅は、約１．２５ｍｍである。なお、磁性体パターン部３０の幅は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよく、定められた幅の値に対して±１０％程度許容する。

　図５では、アンテナ２７の全周囲を囲む２重円環状の磁性体パターン部３２が設けられている。磁性体パターン部３２は、アンテナ２７の全周に配置され、２重円環状に配置されており、円環状の第１パターン部３２ａと、第１パターン部３２ａの全周を取り込む、円環状の第２パターン部３２ｂとを有する。第１パターン部３２ａと、第２パターン部３２ｂとは同心円状に配置されている。第１パターン部３２ａと、第２パターン部３２ｂとは同じ幅であり、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。この場合、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、第１パターン部３２ａ及び第２パターン部３２ｂの幅は、約１．２５ｍｍである。また、第１パターン部３２ａと、第２パターン部３２ｂとの間隔も、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。なお、上述の幅及び間隔は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよく、定められた幅の値に対して±１０％程度許容する。

　図６では、アンテナ２７の全周囲を囲む３重円環状の磁性体パターン部３４が設けられている。磁性体パターン部３４は、アンテナ２７の全周に配置され、３重円環状に配置されており、円環状の第１パターン部３４ａと、第１パターン部３４ａの全周を取り込む、円環状の第２パターン部３４ｂと、第２パターン部３４ｂの全周を取り込む、円環状の第３パターン部３４ｃとを有する。第１パターン部３４ａと、第２パターン部３４ｂと、第３パターン部３４ｃとは同じ幅であり、かつ同心円状に配置されている。第１パターン部３２ａの幅、第２パターン部３２ｂの幅、第３パターン部３４ｃの幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。この場合、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、第１パターン部３２ａの幅、第２パターン部３２ｂの幅、第３パターン部３４ｃの幅は、約１．２５ｍｍである。また、第１パターン部３２ａと、第２パターン部３２ｂと、第３パターン部３４ｃとの間隔も、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。

　図７では、アンテナ２７の全周囲を囲む４重円環状の磁性体パターン部３６が設けられている。磁性体パターン部３６は、アンテナ２７の全周に配置され、４重円環状に配置されており、円環状の第１パターン部３６ａと、第１パターン部３６ａの全周を取り込む、円環状の第２パターン部３６ｂと、第２パターン部３６ｂの全周を取り込む、円環状の第３パターン部３６ｃと、第３パターン部３６ｃの全周を取り込む、円環状の第４パターン部３６ｄとを有する。第１パターン部３６ａと、第２パターン部３６ｂと、第３パターン部３６ｃと、第４パターン部３６ｄとは同じ幅であり、かつ同心円状に配置されている。第１パターン部３６ａの幅、第２パターン部３６ｂの幅、第３パターン部３６ｃの幅、第４パターン部３６ｄの幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。この場合、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、第１パターン部３２ａの幅、第２パターン部３２ｂの幅、第３パターン部３４ｃの幅、第４パターン部３６ｄの幅は、約１．２５ｍｍである。第１パターン部３２ａと、第２パターン部３２ｂと、第３パターン部３４ｃと、第４パターン部３６ｄとの間隔も、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。なお、図５～図７における上述のパターン部の幅及び間隔は、アンテナ２７が送信又は受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよい。
　図４～図７は、いずれもアンテナの全周を囲む円環状の磁性体パターン部であるが、電磁波を遮蔽する能力の観点から、図７に示す４重円環状の磁性体パターン部が好ましい。

　なお、以下に示す図８～図１２において、各パターン部の幅及び各パターン部の間隔は、いずれも、上述のように、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、上述の各パターン部の幅及び各パターン部の間隔は、約１．２５ｍｍである。なお、以下に示す図８～図１２において、各パターン部の幅及び間隔は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよく、定められた幅の値に対して±１０％程度許容する。
　図８では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部３８が設けられている。磁性体パターン部３８は、アンテナ２７の全周に配置され、３重三角形状のパターンを有し、三角形状の第１パターン部３８ａと、第１パターン部３８ａの全周を取り込む、三角形状の第２パターン部３８ｂと、第２パターン部３８ｂの全周を取り込む、三角形状の第３パターン部３８ｃとを有する。第１パターン部３８ａと、第２パターン部３８ｂと、第３パターン部３８ｃとは同じ幅であり、かつ相似形である。第１パターン部３８ａと、第２パターン部３８ｂと、第３パターン部３８ｃとは、重心を一致させて配置されている。

　図９では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部４０が設けられている。磁性体パターン部４０は、アンテナ２７の全周に配置され、３重四角形状のパターンを有し、四角形状の第１パターン部４０ａと、第１パターン部４０ａの全周を取り込む、四角形状の第２パターン部４０ｂと、第２パターン部４０ｂの全周を取り込む、四角形状の第３パターン部４０ｃとを有する。第１パターン部４０ａと、第２パターン部４０ｂと、第３パターン部４０ｃとは相似形であり、中心を一致させて配置されている。なお、中心とは２つの対角線が交わる点である。
　図１０では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部４２が設けられている。磁性体パターン部４２は、アンテナ２７の全周に配置され、３重六角形状のパターンを有し、六角形状の第１パターン部４２ａと、第１パターン部４２ａの全周を取り込む、六角形状の第２パターン部４２ｂと、第２パターン部４２ｂの全周を取り込む、六角形状の第３パターン部４２ｃとを有する。第１パターン部４２ａと、第２パターン部４２ｂと、第３パターン部４２ｃとは同じ幅であり、かつ相似形である。第１パターン部４２ａと、第２パターン部４２ｂと、第３パターン部４２ｃとは、中心を一致させて配置されている。

　図１１では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部４４が設けられている。磁性体パターン部４４は、アンテナ２７の全周に配置され、３重八角形状のパターンを有し、八角形状の第１パターン部４４ａと、第１パターン部４４ａの全周を取り込む、八角形状の第２パターン部４４ｂと、第２パターン部４４ｂの全周を取り込む、八角形状の第３パターン部４４ｃとを有する。第１パターン部４４ａと、第２パターン部４４ｂと、第３パターン部４４ｃとは同じ幅であり、かつ相似形である。第１パターン部４４ａと、第２パターン部４４ｂと、第３パターン部４４ｃとは、中心を一致させて配置されている。
　図１２では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部４６が設けられている。磁性体パターン部４６は、アンテナ２７の全周に配置され、３重十角形状のパターンを有し、十角形状の第１パターン部４６ａと、第１パターン部４６ａの全周を取り込む、十角形状の第２パターン部４６ｂと、第２パターン部４６ｂの全周を取り込む、十角形状の第３パターン部４６ｃとを有する。第１パターン部４６ａと、第２パターン部４６ｂと、第３パターン部４６ｃとは同じ幅であり、かつ相似形である。第１パターン部４６ａと、第２パターン部４６ｂと、第３パターン部４６ｃとは、中心を一致させて配置されている。
　上述の図８～図１２は、いずれも３重の多角形の磁性体パターン部を有する。図８～図１０に示す多角形の外形状が三角形、四角形、及び六角形は、反射した電磁波が集中することが抑制され、図６に示す３重円環状の磁性体パターン部よりも電磁波を遮蔽する能力が高い。一方、図１０は外形状が八角形であり、図１１は外形状が十角形であり、外形状が円に近く、電磁波を遮蔽する能力が図６に示す３重円環状の磁性体パターン部と同程度である。

　図１３では、アンテナ２７の全周囲を囲む磁性体パターン部４８が設けられている。磁性体パターン部４８は、アンテナ２７の全周に設けられており、直線状の第１パターン部４８ａと、直線状の第２パターン部４８ｂと、直線状の第３パターン部４８ｃとを有し、これらが互いに平行に配置されている。
　また、第１パターン部４８ａと、第２パターン部４８ｂと、第３パターン部４８ｃとがアンテナ２７を挟んで、対向して配置されている。
　第１パターン部４８ａ、第２パターン部４８ｂ及び第３パターン部４８ｃの両端に、それぞれ、第１パターン部４８ａ、第２パターン部４８ｂ及び第３パターン部４８ｃと直交する方向に延びた直線状の第４パターン部４８ｄが配置されている。第４パターン部４８ｄと間をあけて、直線状の第５パターン部４８ｅと、直線状の第６パターン部４８ｆとが、互いに平行に配置されている。第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆは、いずれも他のパターン部と接続されていない。また、第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆは同じ幅である。磁性体パターン部４８は、３本のラインアンドスペースの組み合わせたパターンである。
　例えば、音叉のように並行な２本以上の棒が連結されていると、エネルギーが伝わって共振するが、第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆは、いずれも他のパターン部と接続されていないことから、共振が抑制され、電磁波を遮蔽する高い能力が得られる。

　第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆの幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。この場合、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、約１．２５ｍｍである。また、第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆの間隔も、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。なお、上述の幅及び間隔は、アンテナ２７が送信又は受信する電磁波の波長１／４の、２以上の整数倍でもよく、定められた幅の値に対して±１０％程度許容する。

　図１４では、基板１２上において、アンテナ２７と半導体素子２８との間に、磁性体パターン部５０が設けられている。磁性体パターン部５０は、アンテナ２７の片側に設けられている。磁性体パターン部５０は、直線状の第１パターン部５０ａと、直線状の第２パターン部５０ｂと、直線状の第３パターン部５０ｃとが互いに平行に間隔をあけて配置されている。第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとは同じ幅であり、間隔は、幅と同じある。
　第１パターン部５０ａの幅、第２パターン部５０ｂの幅、第３パターン部５０ｃの幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４であり、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、約１．２５ｍｍである。間隔も、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。なお、上述の幅及び間隔は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよい。
　図１５の磁性体パターン部５０は、図１４の磁性体パターン部５０に比して、第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔が異なる以外は、図１４と同様の構成である。第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔は、第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ及び第３パターン部５０ｃの幅の２倍である。間隔は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の２倍である。

　図１６の磁性体パターン部５０は、図１４の磁性体パターン部５０に比して、第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔が異なる以外は、図１４と同様の構成である。第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔は、第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ及び第３パターン部５０ｃの幅の３倍である。間隔は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の３倍である。
　図１７の磁性体パターン部５０は、図１４の磁性体パターン部５０に比して、第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔が異なる以外は、図１４と同様の構成である。第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔は、第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ及び第３パターン部５０ｃの幅の４倍である。間隔は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の４倍である。
　図１４～１７は、いわゆるラインアンドスペースパターンと呼ばれるものである。

　なお、第１パターン部５０ａと、第２パターン部５０ｂと、第３パターン部５０ｃとの間隔と、第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ及び第３パターン部５０ｃの幅との関係は、間隔が幅の５倍でも、６倍でも、７倍でもよい。間隔は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の５倍でも、６倍でも、７倍でもよい。
　磁性体パターン部の幅をＬとし、間隔をＳとするとき、磁性体パターン部の幅と間隔をＬ／Ｓで表す。Ｌ／Ｓ＝１は、磁性体パターン部の幅と間隔が同じであり、図１４に示す構成である。Ｌ／Ｓ＝２は、磁性体パターン部の間隔が幅の２倍であり、図１５に示す構成である。
　Ｌ／Ｓの比率が大きいほど、電磁波の遮蔽能が計算上大きくなるが、Ｌ／Ｓの比率が大きいほど、磁性パターンを配置する領域が大きくなる。このため、Ｌ／Ｓの比率の上限は、磁性パターンを配置する領域の大きさにより適宜決定され、Ｌ／Ｓの比率の上限は、１０程度である。
　なお、図１４～図１７、ならびに後述の図１８～図２１、図２３～図２７、図２９及び図３０においても、各パターン部の幅及び間隔は、定められた幅の値に対して±１０％程度許容する。

　図１８では、アンテナ２７の周囲を囲む磁性体パターン部５２が設けられている。磁性体パターン部５２は、一部が切り欠かれた円環状のパターン部５３を、例えば、４つ有する。
　パターン部５３の切り欠かれた切欠部５３ａの幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４である。この場合、例えば、発信又は受信する電磁波の周波数が６０ＧＨｚであれば、切欠部５３ａの幅は、約１．２５ｍｍである。パターン部５３は、切欠部５３ａをアンテナ２７に向けて、アンテナ２７の周囲に９０°間隔で配置されている。パターン部５３は、仮想的な正方形５３ｂ上に配置される。対向するパターン部５３の中心間の距離は、例えば、１４ｍｍである。なお、切欠部５３ａの幅は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の、２以上の整数倍でもよい。
　切欠部５３ａにより、電磁波の反射がキャンセルされるため、切欠部がない円環状のパターン部の構成に比して電磁波を遮蔽する能力が高くなる。

　図１９の磁性体パターン部５４は、図１８に比して、パターン部５３の数が異なり、例えば、８つ有する。図１９の磁性体パターン部５４は、図１８の磁性体パターン部５２の４つのパターン部５３の角にパターン部５３が配置されている。アンテナ２７の全周をパターン部５３で囲んでいる。図１８の磁性体パターン部５２の４つのパターン部５３の角に設けられたパターン部５３は、切欠部５３ａを他のパターン部５３に接して配置されている。図１９に示す磁性体パターン部５４の方が、図１８に示す磁性体パターン部５２に比して電磁波の遮蔽効果が高く、より好ましい。

　図２０では、基板１２上において、アンテナ２７と半導体素子２８との間に、磁性体パターン部５６が設けられている。磁性体パターン部５６は、パターン部５３が、例えば、線ＣＬ上に１列に配置されており、切欠部５３ａはアンテナ２７側に向けられている。また、アンテナ２７と、パターン部５３が配置される線ＣＬとは、距離Ｌｃ離れている。
　図２１の磁性体パターン部５８は、図２０に示す磁性体パターン部５６に比して、パターン部５８ａの構成が異なる以外は、同じ構成である。パターン部５８ａは、円環状であり、切欠部５３ａが設けられていない。
　図２２の磁性体パターン部６０は、図２０に示す磁性体パターン部５６に比して、パターン部６０ａの構成が異なる以外は、同じ構成である。パターン部６０ａは、円板状であり、切欠部５３ａが設けられていない。
　図２３の磁性体パターン部３７は、図６の磁性体パターン部３６に比して、第１パターン部３７ａ、第２パターン部３７ｂ、及び第３パターン部３７ｃの構成が異なる以外は、同じ構成である。第１パターン部３７ａ、第２パターン部３７ｂ、及び第３パターン部３７ｃには、それぞれ切欠部３７ｄが設けられている。切欠部３７ｄを一致させて第１パターン部３７ａ、第２パターン部３７ｂ、及び第３パターン部３７ｃが、同心円状に配置されている。なお、切欠部３７ｄは、半導体素子２８の反対側に向けて配置されている。なお、切欠部３７ｄは、上述の切欠部５３ａと同じ構成である。
　また、図２３の磁性体パターン部３７は、第１パターン部３７ａ、第２パターン部３７ｂ、及び第３パターン部３７ｃを有するが、これに限定されるものではなく、第１パターン部３７ａだけでもよい。

　図２４の磁性体パターン部６２は、フラクタルを用いたパターンを有するものであり、ＦＳＳ素子状の構成である。
　磁性体パターン部６２は、例えば、４つのＨ字型のパターン部６２ａが、同じ向きに配置されており、上下に配置されたパターン部６２ａを接続するパターン部６２ｂと、パターン部６２ｂを接続するパターン部６２ｃとを有する。パターン部６２ａは、サブパターン部６２ｄ～６２ｆにより構成されている。パターン部６２ａと、パターン部６２ｂと、パターン部６２ｃとで、構成パターン部６２ｇが形成される。磁性体パターン部６２は、２つの構成パターン部６２ｇを有する。磁性体パターン部６２は、フラクタル構造であり、パターン部が３回に繰り返される組み合わせが多くなり、電磁波を遮蔽する能力が高くなる。
　パターン部６２ａ、パターン部６２ｂ、パターン部６２ｃ及びサブパターン部６２ｄは、いずれも幅が、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。また、パターン部６２ｃの延びる方向におけるパターン部の間隔が、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。
　例えば、パターン部６２ａのアンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向に延びたサブパターン部６２ｆは、波長の１／４の６倍であり、上述の向かう方向と直交する方向に延びたサブパターン部６２ｅは、波長の１／４の５倍であり、サブパターン部６２ｅは、波長の１／４の３倍である。パターン部６２ｂは、波長の１／４の１０倍であり、パターン部６２ｃは、波長の１／４の１１倍である。

　図２５の磁性体パターン部６４は、空間充填曲線を用いたパターンを有するものであり、ＦＳＳ素子状の構成である。例えば、磁性体パターン部６４は、ヒルベルト曲線を用いた再帰的構造を有するパターンである。
　磁性体パターン部６４の幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。また、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における磁性体パターン部６４の間隔、すなわち、磁性体パターン部６４のスペースが、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。
　磁性体パターン部６４は、例えば、長さＬｔが、波長の１／４の３倍であり、長さＬｗが波長の１／４の３倍である。

　図２６の磁性体パターン部６６は、渦巻き型パターン部６６ａと、渦巻き型パターン部６６ａ同士を接続するパターン部６６ｂとを有する。例えば、６つの渦巻き型パターン部６６ａが、１列に３つ、合計２列に配置されている。渦巻き型パターン部６６ａと、パターン部６６ｂとは、例えば、同じ幅であり、いずれも幅は、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。磁性体パターン部６６はＦＳＳ素子状の構成である。また、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における磁性体パターン部６６の間隔、すなわち、磁性体パターン部６６のスペースが、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。
　磁性体パターン部６６は、例えば、長さＬｔが、波長の１／４の３倍であり、長さＬｗが波長の１／４の３倍である。

　図２７の磁性体パターン部６８は、フラクタルを用いたパターンを有する。磁性体パターン部６８は、パターン部６８ａと、離間して配置されたパターン部６８ａを接続するパターン部６８ｂとを有する。
　パターン部６８ａは、向きを変えて配置されており、対向して配置されたパターン部６８ａは接続されている。離間したパターン部６８ａは、上述のようにパターン部６８ｂで接続されている。磁性体パターン部６８はＦＳＳ素子状の構成である。パターン部６８ａとパターン部６８ｂとは、例えば、同じ幅であり、いずれも幅は、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。また、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における磁性体パターン部６８の間隔、すなわち、磁性体パターン部６８のスペースが、例えば、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。
　磁性体パターン部６８は、例えば、長さＬｔが、波長の１／４の３倍であり、長さＬｗが波長の１／４の３倍である。

　図２８の磁性体パターン部６９は、アンテナ２７の部分に開口部６９ａを有するパターンである。
　図２９の磁性体パターン部７０は、六角形状のパターン部７０ａを複数有する。磁性体パターン部７０は、ハニカム状のパターンである。各パターン部７０ａは、六角形状の開口部７０ｂを有する。例えば、六角形状のパターン部７０ａが基板１２の表面１２ａに、２次元の最密充填状に配置されている。六角形状のパターン部７０ａは、幅がアンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。
　磁性体パターン部７０は、例えば、長さＬｄが、波長の１／４の３倍である。
　図２９では、六角形状のパターン部７０ａとしたが、これに限定されるものではなく、正形状のパターン部、長方形状のパターン部、及び三角形状のパターン部であってもよく、更には、ボロノイパターンのような異形状の開口領域が不規則に画成されるパターン部であってもよい。

　図３０の磁性体パターン部７２は、例えば、十字状の開口部７２ａを有するパターンである。図３０の磁性体パターン部７２もＦＳＳ素子状の構成である。
　磁性体パターン部７２では、開口部７２ａを除いた、パターン部７２ｂが、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における幅、上述の向かう方向の長さ、上述の向かう方向と直交する方向における長さが、いずれもアンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。また、十字状の開口部７２ａの幅も、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である。十字状の開口部７２ａの幅とは、開口部７２ａが延びる方向と直交する方向における長さのことである。
　磁性体パターン部７２は、例えば、長さＬｆが波長の１／４の９倍であり、長さＬｇが波長の１／４の９倍であり、長さＬｈが波長の１／４の３倍である。
　なお、開口部７２ａの形状は、上述のように各部の寸法がアンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍であれば、十字に限定されるものではない。

　上述のいずれの磁性体パターン部においても、磁性体パターン部の厚みは、アンテナ２７から発信又はアンテナ２７が受信する電磁波の波長の１／４の整数倍以外であれば、特に限定されるものではない。しかしながら、磁性体パターン部の厚みは、パターン形成の観点から、３００μｍ以下であることが好ましい。
　また、磁性体パターン部の厚みが、３００μｍ以下であれば、積層体を低背化できる。

　なお、図１には、アレイアンテナ１４を示したが、アンテナは特に限定されるものではなく、アンテナとしては、以下のものが例示される。
〔アンテナ〕
　周波数帯域が２８ＧＨｚ～８０ＧＨｚを利用する通信規格５Ｇ（Generation）に用いられる各種のアンテナを用いることができる。
　アンテナとして、例えば、パッチアンテナ、ダイポールアンテナ、フェイズドアレイアンテナを用いることができる。
　アンテナは、例えば、銅、アルミニウムで構成される。また、アンテナの厚みは、２０～５０μｍであることが好ましい。なお、例えば、Flame Retardant Type 1～Type 5（ＦＲ－１～ＦＲ－５）等のプリント基板を用いた場合、銅配線の厚みは規格で決まっており、アンテナの厚みも、銅配線の厚みに準ずる。また、ＪＩＳ（Japanese Industrial Standards）　Ｃ　６４８４：２００５にて規定されている銅張積層板の銅はくの厚み（ＪＩＳ　Ｃ　６４８４：２００５の表６等参照）に、アンテナの厚みは準じてもよい。更には、電解めっきを用いて銅により、アンテナを形成した場合、アンテナの厚みは、電解めっきにより形成できる膜厚が好ましい。

　なお、半導体素子としては、以下のものが例示される。
〔半導体素子〕
　半導体素子は、特に限定されるものではなく、例えば、ロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）（例えば、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Product）等）、マイクロプロセッサ（例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等）、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＨＭＣ（Hybrid Memory Cube）、ＭＲＡＭ（Magnetic RAM：磁気メモリ）とＰＣＭ（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ＲｅＲＡＭ（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）、フラッシュメモリ（ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュ）等）、パワー・デバイス、アナログＩＣ（Integrated Circuit）、（例えば、ＤＣ（Direct Current）－ＤＣ（Direct Current）コンバータ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等）、Ａ／Ｄコンバータ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、（例えば、加速度センサー、圧力センサー、振動子、ジャイロセンサ等）、パワーアンプ、ワイヤレス（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）、ＦＭ（Frequency Modulation）、ＮＦＣ（Nearfield communication）、ＲＦＥＭ（RF Expansion Module）、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、ＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）等）、ディスクリート素子、ＢＳＩ（Back Side Illumination）、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、カメラモジュール、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、Passiveデバイス、バンドパスフィルタ、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ、ＲＦ（Radio Frequency）フィルタ、ＲＦＩＰＤ（Radio Frequency Integrated Passive Devices）、ＢＢ（Broadband）等が挙げられる。

［アンテナインパッケージ及びアンテナインパッケージの製造方法］
　アンテナインパッケージは、アンテナとＦＥＭ（Front End Module）を積層した構成である。ＦＥＭは、無線回路において、アンテナ側の送受信端の回路部分のことである。
　例えば、アンテナインパッケージは、例えば、上述の図１に示す積層体１０のように、基板上に、アンテナと、Ａ／Ｄ回路１６と、メモリ１７と、ＡＳＩＣ１８とが少なくとも設けられた構成である。更に、磁性体パターン部２０を有する。
　アンテナインパッケージの製造方法としては、磁性体パターン部２０の製造方法以外は、アンテナと、Ａ／Ｄ回路１６、メモリ１７及びＡＳＩＣ１８等は、公知の方法が適宜利用可能である。

　以下、磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物、及び積層体の製造方法について説明する。
　以下では、まず、組成物に含まれる各種成分について詳述する。

［磁性体粒子］
　磁性体粒子は、金属原子を含む。
　本明細書中、上記金属原子としては、ホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン、及び、テルルのような半金属原子も含まれる。
　上記金属原子は、金属元素を含む合金（好ましくは、磁性合金）、金属酸化物（好ましくは、磁性酸化物）、金属窒化物（好ましくは、磁性酸化物）、又は、金属炭化物（好ましくは、磁性炭化物）として、磁性体粒子に含まれていてもよい。
　磁性体粒子の全質量に対する上記金属原子の含有量は、５０～１００質量％が好ましく、７５～１００質量％がより好ましく、９５～１００質量％が更に好ましい。

　上記金属原子としては特に制限されないが、Ｆｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含んでいるのが好ましい。
　Ｆｅ、Ｎｉ及び、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子の含有量（複数種含まれる場合には、その合計含有量）は、磁性体粒子における金属原子の全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上記含有量の上限値は特に制限されず、例えば、１００質量％以下であり、９８質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましい。

　磁性体粒子はＦｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏ以外の材料を含んでいてもよく、その具体例としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｙ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、及び、Ｏが挙げられる。
　磁性体粒子がＦｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏ以外の金属原子を含む場合、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂ、及び、Ｍｏからなる群から選択される１種以上を含むのが好ましい。

　磁性体粒子としては、Ｆｅ－Ｃｏ系合金（好ましくは、パーメンジュール）、Ｆｅ－Ｎｉ系合金（例えば、パーマロイ）、Ｆｅ－Ｚｒ系合金、Ｆｅ－Ｍｎ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ａｌ系合金、Ｎｉ－Ｍｏ系合金（好ましくは、スーパーマロイ）、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金（好ましくは、センダスト）、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ－Ｃ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ系合金、Ｆｅナノ結晶合金、Ｆｅ基アモルファス合金及びＣｏ基アモルファス合金等の合金、並びに、スピネルフェライト（好ましくは、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト）及び六方晶フェライト（好ましくは、バリウムフェライト、マグネトプランバイト型六方晶フェライト）等のフェライトが挙げられる。なお、上記合金は、アモルファスであってもよい。
　電波吸収性能の観点から好ましい六方晶フェライトとしては、六方晶フェライトの鉄原子の一部がアルミニウム原子に置換された置換型のマグネトプランバイト型六方晶フェライトが挙げられる。更に合金の一部をＢａ、Ｃａ又はＰｂで置き換えたＢａ―Ｆｅ―Ａｌ系合金、Ｃａ―Ｆｅ―Ａｌ系合金、又はＰｂ―Ｆｅ―Ａｌ系合金が、高周波帯域の電波吸収の観点でより好ましい。
　磁性体粒子は、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

　上記磁性体粒子の表面には、表面層が設けられていてもよい。このように、磁性体粒子が表面層を有していることで、磁性体粒子に表面層の材質に応じた機能を付与できる。
　表面層としては、無機層又は有機層が挙げられる。

　表面層の厚みは特に限定されないが、表面層の機能がより発揮される点から、３～１０００ｎｍが好ましい。

　磁性体粒子の平均一次粒子径は、２０～１０００ｎｍが好ましい。磁性体粒子の平均一次粒子径は、組成物中への分散、パターン解像性の観点で２０～５００ｎｍであることがより好ましい。
　磁性体粒子の一次粒子の粒子径は、磁性体粒子を透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１００，０００倍で撮影し、総倍率５００，０００倍になるように印画紙にプリントして得た粒子写真において、デジタイザーで粒子（一次粒子）の輪郭をトレースし、トレースした領域と同じ面積の円の直径（円面積相径）を算出することで測定する。ここで、一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。透過型電子顕微鏡を用いる撮影は、加速電圧３００ｋＶで透過型電子顕微鏡を用いて直接法により行うものとする。透過型電子顕微鏡観察及び測定は、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型及びカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。上記で測定した少なくとも１００個の磁性体粒子の一次粒子の粒子径を算術平均して、平均一次粒子径を算出する。

　磁性体粒子の形状は特に制限されず、板状、楕円状、球状、及び、不定形のいずれでもよい。

　上記磁性体粒子の含有量は、組成物の全質量に対して、２０～９９質量％が好ましく、２５～８０質量％がより好ましく、３０～６０質量％が更に好ましい。
　上記磁性体粒子の含有量は、組成物の全固形分に対して、３０～９９質量％が好ましく、３０～８０質量％がより好ましく、４０～７０質量％が更に好ましい。
　組成物の全固形分とは、組成物中の溶媒を除いた、磁性パターン部を構成する成分を意味する。磁性パターン部を構成する成分であれば、その性状が液状であっても、固形分とみなす。

［重合性化合物］
　重合性化合物は、重合性基を有する化合物（光重合性化合物）であって、例えば、エチレン性不飽和結合を含む基（以下、単に「エチレン性不飽和基」ともいう）を含む化合物、及び、エポキシ基及び／又はオキセタニル基を有する化合物が挙げられ、エチレン性不飽和基を含む化合物が好ましい。
　組成物は、エチレン性不飽和基を含む低分子化合物を、重合性化合物として含むことが好ましい。
　上記重合性化合物は、エチレン性不飽和結合を１個以上含む化合物が好ましく、２個以上含む化合物がより好ましく、３個以上含む化合物が更に好ましく、５個以上含む化合物が特に好ましい。上限は、例えば、１５個以下である。エチレン性不飽和基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アリル基、及び、（メタ）アクリロイル基等が挙げられる。

　上記重合性化合物としては、例えば、特開２００８－２６０９２７号公報の段落００５０、及び、特開２０１５－０６８８９３号公報の段落００４０に記載されている化合物を使用でき、上記の内容は本明細書に組み込まれる。

　上記重合性化合物は、例えば、モノマー、プレポリマー、オリゴマー、及び、これらの混合物、並びに、これらの多量体等の化学的形態のいずれであってもよい。
　上記重合性化合物は、３～１５官能の（メタ）アクリレート化合物が好ましく、３～６官能の（メタ）アクリレート化合物がより好ましい。

　上記重合性化合物は、エチレン性不飽和基を１個以上含む、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。例えば、特開２０１３－０２９７６０号公報の段落０２２７、特開２００８－２９２９７０号公報の段落０２５４～０２５７に記載の化合物を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

　上記重合性化合物は、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３３０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３２０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３１０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ；日本化薬社製、Ａ－ＤＰＨ－１２Ｅ；新中村化学社製）、及び、これらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基又はプロピレングリコール残基を介している構造（例えば、サートマー社から市販されている、ＳＲ４５４、ＳＲ４９９）が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。また、ＮＫエステルＡ－ＴＭＭＴ（ペンタエリスリトールテトラアクリレート、新中村化学社製）、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＲＰ－１０４０、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＥＡ－１２ＬＴ、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ　ＬＴ、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＲＰ－３０６０、及び、ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＥＡ－１２（いずれも商品名、日本化薬社製）等を使用してもよい。

　上記重合性化合物は、カルボン酸基、スルホン酸基、及び、リン酸基等の酸基を有していてもよい。酸基を含む上記重合性化合物としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましく、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応の水酸基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた上記重合性化合物がより好ましく、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトール及び／又はジペンタエリスリトールである化合物が更に好ましい。

　酸基を含む上記重合性化合物の酸価としては、０．１～４０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、５～３０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。上記重合性化合物の酸価が０．１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であれば、現像溶解特性が良好であり、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であれば、製造及び／又は取扱い上、有利である。更には、光重合性能が良好で、硬化性に優れる。

　上記重合性化合物は、カプロラクトン構造を含む化合物も好ましい態様である。
　カプロラクトン構造を含む化合物としては、分子内にカプロラクトン構造を含む限り特に制限されないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、又は、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、（メタ）アクリル酸及びε－カプロラクトンとをエステル化して得られる、ε－カプロラクトン変性多官能（メタ）アクリレートが挙げられる。中でも下記式（Ｚ－１）で表されるカプロラクトン構造を含む化合物が好ましい。

　式（Ｚ－１）中、６個のＲは全てが下記式（Ｚ－２）で表される基であるか、又は、６個のＲのうち１～５個が下記式（Ｚ－２）で表される基であり、残余が下記式（Ｚ－３）で表される基である。

　式（Ｚ－２）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、ｍは１又は２の数を示し、「＊」は結合手を示す。

　式（Ｚ－３）中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示し、「＊」は結合手を示す。

　上記重合性化合物は、下記式（Ｚ－４）又は（Ｚ－５）で表される化合物も使用できる。

　式（Ｚ－４）及び（Ｚ－５）中、Ｅは、－（（ＣＨ_２）_ｙＣＨ_２Ｏ）－、又は、－（（ＣＨ_２）_ｙＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ）－を表し、ｙは、０～１０の整数を表し、Ｘは、（メタ）アクリロイル基、水素原子、又は、カルボン酸基を表す。
　式（Ｚ－４）中、（メタ）アクリロイル基の合計は３個又は４個であり、ｍは０～１０の整数を表し、各ｍの合計は０～４０の整数である。
　式（Ｚ－５）中、（メタ）アクリロイル基の合計は５個又は６個であり、ｎは０～１０の整数を表し、各ｎの合計は０～６０の整数である。

　式（Ｚ－４）中、ｍは、０～６の整数が好ましく、０～４の整数がより好ましい。
　また、各ｍの合計は、２～４０の整数が好ましく、２～１６の整数がより好ましく、４～８の整数が更に好ましい。
　式（Ｚ－５）中、ｎは、０～６の整数が好ましく、０～４の整数がより好ましい。
　また、各ｎの合計は、３～６０の整数が好ましく、３～２４の整数がより好ましく、６～１２の整数が更に好ましい。
　また、式（Ｚ－４）又は式（Ｚ－５）中の－（（ＣＨ_２）_ｙＣＨ_２Ｏ）－又は－（（ＣＨ_２）_ｙＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ）－は、酸素原子側の末端がＸに結合する形態が好ましい。

　式（Ｚ－４）又は式（Ｚ－５）で表される化合物は１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。特に、式（Ｚ－５）において、６個のＸ全てがアクリロイル基である形態、式（Ｚ－５）において、６個のＸ全てがアクリロイル基である化合物と、６個のＸのうち、少なくとも１個が水素原子ある化合物との混合物である態様が好ましい。このような構成として、現像性をより向上できる。

　また、式（Ｚ－４）又は式（Ｚ－５）で表される化合物の上記重合性化合物中における全含有量としては、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
　式（Ｚ－４）又は式（Ｚ－５）で表される化合物の中でも、ペンタエリスリトール誘導体及び／又はジペンタエリスリトール誘導体がより好ましい。

　また、上記重合性化合物は、カルド骨格を含んでいてもよい。
　カルド骨格を含む上記重合性化合物としては、９，９－ビスアリールフルオレン骨格を含む上記重合性化合物が好ましい。
　上記重合性化合物のエチレン性不飽和基の含有量（上記重合性化合物中のエチレン性不飽和基の数を、上記重合性化合物の分子量（ｇ／ｍｏｌ）で除した値を意味する）は５．０ｍｍｏｌ／ｇ以上が好ましい。上限は特に制限されないが、一般に、２０．０ｍｍｏｌ／ｇ以下である。

　組成物中における重合性化合物の含有量としては特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、１～４０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましく、１０～２５質量％が更に好ましい。

　組成物は、上述した磁性体粒子及び重合性化合物以外の他の材料を含んでいてもよい。

［樹脂］
　組成物は、樹脂を含んでいてもよい。
　樹脂としては、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エン・チオール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリアリーレンエーテルホスフィンオキシド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、スチレン樹脂、及び、フェノキシ樹脂等が挙げられる。
　これらの樹脂から１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。

　樹脂の好適態様の一つとしては、不飽和二重結合（例えば、エチレン性不飽和二重結合）、及び、エポキシ基又はオキセタニル基等の重合性基を有する樹脂が挙げられる。
　また、樹脂の好適態様の一つとしては、酸基、塩基性基又はアミド基を有する樹脂が挙げられる。酸基、塩基性基又はアミド基を有する樹脂は、磁性体粒子を分散させる分散剤としての機能を発揮しやすい。
　酸基としては、カルボキシ基、リン酸基、スルホ基、及び、フェノール性水酸基等が挙げられ、カルボキシ基が好ましい。
　塩基性基としては、アミノ基（アンモニア、１級アミン又は２級アミンから水素原子を１つ除いた基）、及び、イミノ基が挙げられる。
　中でも、樹脂は、カルボキシ基又はアミド基を有することが好ましい。

　樹脂が酸基を有する場合、樹脂の酸価は、１０～５００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、３０～４００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。

　樹脂としては、組成物中における樹脂の分散性が向上して、溶媒に対する溶解度が１０ｇ／Ｌ以上である樹脂を用いることが好ましく、溶媒に対する溶解度が２０ｇ／Ｌ以上である樹脂を用いることがより好ましい。
　溶媒に対する樹脂の溶解度の上限値は、２０００ｇ／Ｌ以下が好ましく、１０００ｇ／Ｌ以下がより好ましい。
　溶媒に対する樹脂の溶解度は、２５℃における溶媒１Ｌに対する樹脂の溶解量（ｇ）を意味する。

　樹脂の含有量は、組成物の全質量に対して、０．１～３０質量％が好ましく、１～２５質量％がより好ましく、５～２０質量％が更に好ましい。

　樹脂の好適態様の一つとしては、組成物中において、磁性体粒子を分散させる分散剤として機能する樹脂（以下、「分散樹脂」ともいう。）が挙げられる。分散樹脂を用いることで、本発明の効果がより優れる。

〔グラフト鎖を含む繰り返し単位を有する樹脂〕
　分散樹脂としては、グラフト鎖を含む繰り返し単位を有する樹脂（以下、「樹脂Ａ」ともいう。）が挙げられる。ただし、樹脂Ａは、分散剤としての機能を発揮させる以外の目的で使用できる。

　組成物が樹脂Ａを含む場合、樹脂Ａの含有量は、本発明の効果がより優れる点から、組成物の全質量に対して、０．１～３０質量％が好ましく、０．５～２０質量％がより好ましく、１～１０質量％が更に好ましい。

・グラフト鎖を含む繰り返し単位
　グラフト鎖を含む繰り返し単位において、グラフト鎖が長くなると立体反発効果が高くなり磁性体粒子の分散性は向上する。一方、グラフト鎖が長すぎると磁性体粒子への吸着力が低下して、磁性体粒子の分散性は低下する傾向となる。このため、グラフト鎖は、水素原子を除いた原子数が４０～１００００であることが好ましく、水素原子を除いた原子数が５０～２０００であることがより好ましく、水素原子を除いた原子数が６０～５００であることが更に好ましい。
　ここで、グラフト鎖とは、主鎖の根元（主鎖から枝分かれしている基において主鎖に結合する原子）から、主鎖から枝分かれしている基の末端までを示す。

　また、グラフト鎖は、ポリマー構造を含んでいることが好ましく、このようなポリマー構造としては、例えば、ポリ（メタ）アクリレート構造（例えば、ポリ（メタ）アクリル構造）、ポリエステル構造、ポリウレタン構造、ポリウレア構造、ポリアミド構造、及び、ポリエーテル構造が挙げられる。
　グラフト鎖と溶媒との相互作用性を向上させ、それにより磁性体粒子の分散性を高めるために、グラフト鎖は、ポリエステル構造、ポリエーテル構造、及び、ポリ（メタ）アクリレート構造からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むグラフト鎖であることが好ましく、ポリエステル構造及びポリエーテル構造の少なくともいずれかを含むグラフト鎖であることがより好ましい。

　樹脂Ａは、グラフト鎖を含むマクロモノマー（ポリマー構造を有し、主鎖に結合してグラフト鎖を構成するモノマー）を用いて得られる樹脂であってもよい。
　グラフト鎖を含むマクロモノマー（ポリマー構造を有し、主鎖に結合してグラフト鎖を構成するモノマー）としては、特に制限されないが、反応性二重結合性基を含むマクロモノマーを好適に使用できる。

　上記グラフト鎖を含む繰り返し単位に対応し、樹脂Ａの合成に好適に用いられる市販のマクロモノマーとしては、ＡＡ－６、ＡＡ－１０、ＡＢ－６、ＡＳ－６、ＡＮ－６、ＡＷ－６、ＡＡ－７１４、ＡＹ－７０７、ＡＹ－７１４、ＡＫ－５、ＡＫ－３０、及び、ＡＫ－３２（いずれも商品名、東亞合成社製）、並びに、ブレンマーＰＰ－１００、ブレンマーＰＰ－５００、ブレンマーＰＰ－８００、ブレンマーＰＰ－１０００、ブレンマー５５－ＰＥＴ－８００、ブレンマーＰＭＥ－４０００、ブレンマーＰＳＥ－４００、ブレンマーＰＳＥ－１３００、及び、ブレンマー４３ＰＡＰＥ－６００Ｂ（いずれも商品名、日油社製）が用いられる。

　樹脂Ａは、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及び、環状又は鎖状のポリエステルからなる群より選択される少なくとも１種の構造を含むことが好ましく、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、及び、鎖状のポリエステルからなる群より選択される少なくとも１種の構造を含むことがより好ましく、ポリアクリル酸メチル構造、ポリメタクリル酸メチル構造、ポリカプロラクトン構造、及び、ポリバレロラクトン構造からなる群より選択される少なくとも１種の構造を含むことが更に好ましい。樹脂Ａは、上記構造を１種単独で含んでいてもよいし、これらの構造を複数含んでいてもよい。
　ここで、ポリカプロラクトン構造とは、ε－カプロラクトンを開環した構造を繰り返し単位として含む構造をいう。ポリバレロラクトン構造とは、δ－バレロラクトンを開環した構造を繰り返し単位として含む構造をいう。

　なお、樹脂Ａが後述する式（１）及び後述する式（２）におけるｊ及びｋが５である繰り返し単位を含む場合、樹脂Ａ中に、上述したポリカプロラクトン構造を導入できる。
　また、樹脂Ａが後述する式（１）及び後述する式（２）におけるｊ及びｋが４である繰り返し単位を含む場合、樹脂中に、上述したポリバレロラクトン構造を導入できる。
　また、樹脂Ａが後述する式（４）におけるＸ^５が水素原子であり、Ｒ^４がメチル基である繰り返し単位を含む場合、樹脂Ａ中に、上述したポリアクリル酸メチル構造を導入できる。
　また、樹脂Ａが後述する式（４）におけるＸ^５がメチル基であり、Ｒ^４がメチル基である繰り返し単位を含む場合、樹脂Ａ中に、上述したポリメタクリル酸メチル構造を導入できる。

　樹脂Ａは、グラフト鎖を含む繰り返し単位として、下記式（１）～式（４）のいずれかで表される繰り返し単位を含むことが好ましく、下記式（１Ａ）、下記式（２Ａ）、下記式（３Ａ）、下記式（３Ｂ）、及び、下記式（４）のいずれかで表される繰り返し単位を含むことがより好ましい。

　式（１）～（４）において、Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^３、及び、Ｗ^４は、それぞれ独立に、酸素原子又はＮＨを表す。Ｗ^１、Ｗ^２、Ｗ^３、及び、Ｗ^４は、酸素原子であることが好ましい。
　式（１）～（４）において、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、及び、Ｘ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、及び、Ｘ^５は、合成上の制約の点からは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数（炭素原子数）１～１２のアルキル基が好ましく、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。

　式（１）～（４）において、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、及び、Ｙ^４は、それぞれ独立に、２価の連結基を表し、連結基は特に構造上制約されない。Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、及び、Ｙ^４で表される２価の連結基として、具体的には、下記の（Ｙ－１）～（Ｙ－２１）の連結基等が挙げられる。下記に示した構造において、Ａ及びＢはそれぞれ、式（１）～（４）における左末端基、右末端基との結合部位を意味する。下記に示した構造のうち、合成の簡便性から、（Ｙ－２）又は（Ｙ－１３）がより好ましい。

　式（１）～（４）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、及び、Ｚ^４は、それぞれ独立に、有機基を表す。有機基の構造は、特に制限されないが、具体的には、アルキル基、－Ｏ－を含むアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオエーテル基、アリールチオエーテル基、ヘテロアリールチオエーテル基、及び、アミノ基等が挙げられる。上記置換基は、更に置換基（例えば、水酸基、（メタ）アクリロイルオキシ基等）で置換されていてもよい。
　これらの中でも、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、及び、Ｚ^４で表される有機基としては、特に分散性向上の点から、立体反発効果を含む基が好ましく、それぞれ独立に、炭素数５～２４のアルキル基又はアルコキシ基がより好ましく、その中でも、特にそれぞれ独立に炭素数５～２４の分岐鎖状アルキル基、炭素数５～２４の環状アルキル基、又は、炭素数５～２４のアルコキシ基が更に好ましい。なお、アルコキシ基中に含まれるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれでもよい。

　式（１）～（４）において、ｎ、ｍ、ｐ、及び、ｑは、それぞれ独立に、１～５００の整数である。
　また、式（１）及び（２）において、ｊ及びｋは、それぞれ独立に、２～８の整数を表す。式（１）及び（２）におけるｊ及びｋは、４～６の整数が好ましく、５がより好ましい。
　また、式（１）及び（２）において、ｎ及びｍは、１０以上の整数が好ましく、２０以上の整数がより好ましい。また、樹脂Ａが、ポリカプロラクトン構造、及びポリバレロラクトン構造を含む場合、ポリカプロラクトン構造の繰り返し数と、ポリバレロラクトンの繰返し数の和としては、１０以上の整数が好ましく、２０以上の整数がより好ましい。

　式（３）中、Ｒ^３は分岐鎖状又は直鎖状のアルキレン基を表し、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましく、炭素数２又は３のアルキレン基がより好ましい。ｐが２～５００のとき、複数存在するＲ^３は互いに同じであっても異なっていてもよい。
　式（４）中、Ｒ^４は水素原子又は１価の有機基を表し、この１価の有機基の構造は特に制限されない。Ｒ^４としては、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましい。Ｒ^４がアルキル基である場合、アルキル基としては、炭素数１～２０の直鎖状アルキル基、炭素数３～２０の分岐鎖状アルキル基、又は、炭素数５～２０の環状アルキル基が好ましく、炭素数１～２０の直鎖状アルキル基がより好ましく、炭素数１～６の直鎖状アルキル基が更に好ましい。式（４）において、ｑが２～５００のとき、グラフト鎖中に複数存在するＸ^５及びＲ^４は互いに同じであっても異なっていてもよい。

　また、樹脂Ａは、２種以上の構造が異なる、グラフト鎖を含む繰り返し単位を含んでいてもよい。すなわち、樹脂Ａの分子中に、互いに構造の異なる式（１）～（４）で示される繰り返し単位を含んでいてもよく、また、式（１）～（４）においてｎ、ｍ、ｐ、及びｑがそれぞれ２以上の整数を表す場合、式（１）及び（２）においては、側鎖中にｊ及びｋが互いに異なる構造を含んでいてもよく、式（３）及び（４）においては、分子内に複数存在するＲ^３、Ｒ^４、及びＸ^５は互いに同じであっても異なっていてもよい。

　式（１）で表される繰り返し単位としては、下記式（１Ａ）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。
　また、式（２）で表される繰り返し単位としては、下記式（２Ａ）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

　式（１Ａ）中、Ｘ^１、Ｙ^１、Ｚ^１、及び、ｎは、式（１）におけるＸ^１、Ｙ^１、Ｚ^１、及び、ｎと同義であり、好ましい範囲も同様である。式（２Ａ）中、Ｘ^２、Ｙ^２、Ｚ^２、及び、ｍは、式（２）におけるＸ^２、Ｙ^２、Ｚ^２、及び、ｍと同義であり、好ましい範囲も同様である。

　また、式（３）で表される繰り返し単位としては、下記式（３Ａ）又は式（３Ｂ）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

　式（３Ａ）又は（３Ｂ）中、Ｘ^３、Ｙ^３、Ｚ^３、及び、ｐは、式（３）におけるＸ^３、Ｙ^３、Ｚ^３、及び、ｐと同義であり、好ましい範囲も同様である。

　樹脂Ａは、グラフト鎖を含む繰り返し単位として、式（１Ａ）で表される繰り返し単位を含むことがより好ましい。

　また、樹脂Ａとしては、ポリアルキレンイミン構造とポリエステル構造とを含む繰り返し単位を含むことも好ましい。ポリアルキレンイミン構造とポリエステル構造とを含む繰り返し単位は、主鎖にポリアルキレンイミン構造を含み、グラフト鎖としてポリエステル構造を含むことが好ましい。

　上記ポリアルキレンイミン構造とは、同一又は異なるアルキレンイミン鎖を２つ以上含む重合構造である。アルキレンイミン鎖としては、具体的には下記式（４Ａ）及び下記式（４Ｂ）で表されるアルキレンイミン鎖が挙げられる。

　式（４Ａ）中、Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。ａ^１は、２以上の整数を表す。＊^１はポリエステル鎖、隣接するアルキレンイミン鎖、又は、水素原子若しくは置換基との結合位置を表す。

　式（４Ｂ）中、Ｒ^Ｘ３及びＲ^Ｘ４は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。ａ^２は、２以上の整数を表す。式（４Ｂ）で表されるアルキレンイミン鎖は、アニオン性基を有するポリエステル鎖と、式（４Ｂ）中に明示されるＮ^＋とポリエステル鎖に含まれるアニオン性基が塩架橋基を形成することにより、結合する。

　式（４Ａ）及び式（４Ｂ）中の＊、及び、式（４Ｂ）中の＊^２は、それぞれ独立に、隣接するアルキレンイミン鎖、又は、水素原子若しくは置換基と結合する位置を表す。
　式（４Ａ）及び式（４Ｂ）中の＊としては、なかでも、隣接するアルキレンイミン鎖と結合する位置を表すことが好ましい。

　式（４Ａ）中のＲ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２、並びに式（４Ｂ）中のＲ^Ｘ３及びＲ^Ｘ４は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
　アルキル基の炭素数としては、炭素数１～６が好ましく、炭素数１～３がより好ましい。
　式（４Ａ）中、Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２としては、いずれも水素原子であることが好ましい。
　式（４Ｂ）中、Ｒ^Ｘ３及びＲ^Ｘ４としては、いずれも水素原子であることが好ましい。

　式（４Ａ）中のａ^１及び式（４Ｂ）中のａ^２としては、２以上の整数であれば特に制限されない。その上限値としては１０以下が好ましく、６以下がより好ましく、４以下が更に好ましく、２又は３が更に好ましく、２が特に好ましい。

　式（４Ａ）及び式（４Ｂ）中、＊は、隣接するアルキレンイミン鎖、又は、水素原子若しくは置換基との結合位置を表す。
　上記置換基としては、例えばアルキル基（例えば炭素数１～６のアルキル基）等の置換基が挙げられる。また、置換基として、ポリエステル鎖が結合してもよい。

　式（４Ａ）で表されるアルキレンイミン鎖は、上述した＊¹の位置で、ポリエステル鎖と連結していることが好ましい。具体的には、ポリエステル鎖中のカルボニル炭素が、上述した＊¹の位置で結合することが好ましい。
　上記ポリエステル鎖としては、下記式（５Ａ）で表されるポリエステル鎖が挙げられる。

　アルキレンイミン鎖が式（４Ｂ）で表されるアルキレンイミン鎖である場合、ポリエステル鎖はアニオン性（好ましくは酸素アニオンＯ^－）を含み、このアニオン性と式（４Ｂ）中のＮ^＋とが塩架橋基を形成することが好ましい。
　このようなポリエステル鎖としては、下記式（５Ｂ）で表されるポリエステル鎖が挙げられる。

　式（５Ａ）中のＬ^Ｘ１、及び、式（５Ｂ）中のＬ^Ｘ２は、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数３～３０のアルキレン基が好ましい。

　式（５Ａ）中のｂ^１１、及び、式（５Ｂ）中のｂ^２１は、それぞれ独立に、２以上の整数を表し、その上限は、例えば、２００以下である。

　式（５Ａ）中のｂ^１２、及び、式（５Ｂ）中のｂ^２２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。

　式（５Ａ）中のＸ^Ａ、及び、式（５Ｂ）中のＸ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ポリアルキレンオキシアルキル基、及び、アリール基等が挙げられる。

　上記アルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれでもよい。）、及び、上記アルコキシ基中に含まれるアルキル基（直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれでもよい。）の炭素数としては、１～３０が好ましく、１～１０がより好ましい。また、上記アルキル基は更に置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基及びハロゲン原子（ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及び、ヨウ素原子等）が挙げられる。

　ポリアルキレンオキシアルキル基とは、Ｒ^Ｘ６（ＯＲ^Ｘ７）_ｐ（Ｏ）_ｑ－で表される置換基である。Ｒ^Ｘ６はアルキル基を表し、Ｒ^Ｘ７はアルキレン基を表し、ｐは２以上の整数を表し、ｑは、０又は１を表す。
　Ｒ^Ｘ６で表されるアルキル基は、Ｘ^Ａで表されるアルキル基と同義である。また、Ｒ^Ｘ７で表されるアルキレン基としては、Ｘ^Ａで表されるアルキル基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
　ｐは、２以上の整数であり、その上限値としては、例えば１０以下であり、５以下が好ましい。

　アリール基としては、例えば、炭素数６～２４のアリール基（単環及び多環のいずれであってもよい。）が挙げられる。
　上記アリール基は更に置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、及び、シアノ基等が挙げられる。

　上記ポリエステル鎖としては、ε－カプロラクトン、δ－カプロラクトン、β－プロピオラクトン、γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン、γ－バレロラクトン、エナントラクトン、β－ブチロラクトン、γ－ヘキサノラクトン、γ－オクタノラクトン、δ－ヘキサラノラクトン、δ－オクタノラクトン、δ－ドデカノラクトン、α－メチル－γ－ブチロラクトン、及び、ラクチド（Ｌ体であってもＤ体であってもよい。）等のラクトンを開環した構造が好ましく、ε－カプロラクトン又はδ－バレロラクトンを開環した構造がより好ましい。

　上記ポリアルキレンイミン構造とポリエステル構造を含む繰り返し単位としては、特許第５９２３５５７号に記載の合成方法に準じて合成できる。

　樹脂Ａにおいて、グラフト鎖を含む繰り返し単位の含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、２～１００質量％が好ましく、２～９０質量％がより好ましく、５～３０質量％が更に好ましい。グラフト鎖を含む繰り返し単位がこの範囲内で含まれると、本発明の効果がより優れる。

・疎水性繰り返し単位
　また、樹脂Ａは、グラフト鎖を含む繰り返し単位とは異なる（すなわち、グラフト鎖を含む繰り返し単位には相当しない）疎水性繰り返し単位を含んでいてもよい。ただし、本明細書において、疎水性繰り返し単位は、酸基（例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、フェノール性水酸基等）を有さない繰り返し単位である。

　疎水性繰り返し単位は、ＣｌｏｇＰ値が１．２以上の化合物（モノマー）に由来する（対応する）繰り返し単位であることが好ましく、ＣｌｏｇＰ値が１．２～８の化合物に由来する繰り返し単位であることがより好ましい。これにより、本発明の効果をより確実に発現できる。

　ＣｌｏｇＰ値は、Ｄａｙｌｉｇｈｔ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｓｙｓｔｅｍ，　Ｉｎｃ．から入手できるプログラム「ＣＬＯＧＰ」で計算された値である。このプログラムは、Ｈａｎｓｃｈ，　Ｌｅｏのフラグメントアプローチ（下記文献参照）により算出される「計算ｌｏｇＰ」の値を提供する。フラグメントアプローチは化合物の化学構造に基づいており、化学構造を部分構造（フラグメント）に分割し、そのフラグメントに対して割り当てられたｌｏｇＰ寄与分を合計して化合物のｌｏｇＰ値を推算している。その詳細は以下の文献に記載されている。本明細書では、プログラムＣＬＯＧＰ　ｖ４．８２により計算したＣｌｏｇＰ値を用いる。
　Ａ．　Ｊ．　Ｌｅｏ，　Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，　Ｖｏｌ．４，　Ｃ．　Ｈａｎｓｃｈ，　Ｐ．　Ｇ．　Ｓａｍｍｎｅｎｓ，　Ｊ．　Ｂ．　Ｔａｙｌｏｒ　ａｎｄ　Ｃ．　Ａ．　Ｒａｍｓｄｅｎ，　Ｅｄｓ．，　ｐ．２９５，　Ｐｅｒｇａｍｏｎ　Ｐｒｅｓｓ，　１９９０　Ｃ．　Ｈａｎｓｃｈ　＆　Ａ．　Ｊ．　Ｌｅｏ．　ＳＵｂｓｔｉｔｕｅｎｔ　Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ　Ｆｏｒ　Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｉｎ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｂｉｏｌｏｇｙ．　Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ．　Ａ．Ｊ．　Ｌｅｏ．　Ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ　ｌｏｇＰｏｃｔ　ｆｒｏｍ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．　Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９３，　１２８１－１３０６，　１９９３．

　ｌｏｇＰは、分配係数Ｐ（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）の常用対数を意味し、ある有機化合物が油（一般的には１－オクタノール）と水の２相系の平衡でどのように分配されるかを定量的な数値として表す物性値であり、以下の式で示される。
　　ｌｏｇＰ＝ｌｏｇ（Ｃｏｉｌ／Ｃｗａｔｅｒ）
　式中、Ｃｏｉｌは油相中の化合物のモル濃度を、Ｃｗａｔｅｒは水相中の化合物のモル濃度を表す。
　ｌｏｇＰの値が０をはさんでプラスに大きくなると油溶性が増し、マイナスで絶対値が大きくなると水溶性が増し、有機化合物の水溶性と負の相関があり、有機化合物の親疎水性を見積るパラメータとして広く利用されている。

　樹脂Ａは、疎水性繰り返し単位として、下記式（ｉ）～（ｉｉｉ）で表される単量体に由来の繰り返し単位から選択された１種以上の繰り返し単位を含むことが好ましい。

　上記式（ｉ）～（ｉｉｉ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、及び、Ｒ^３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、及び、臭素原子等）、又は、炭素数が１～６のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、及び、プロピル基等）を表す。
　Ｒ^１、Ｒ^２、及び、Ｒ^３は、水素原子又は炭素数が１～３のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。Ｒ^２及びＲ^３は、水素原子であることが更に好ましい。
　Ｘは、酸素原子（－Ｏ－）又はイミノ基（－ＮＨ－）を表し、酸素原子が好ましい。

　Ｌは、単結合又は２価の連結基である。２価の連結基としては、２価の脂肪族基（例えば、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基、置換アルキニレン基）、２価の芳香族基（例えば、アリーレン基、置換アリーレン基）、２価の複素環基、酸素原子（－Ｏ－）、硫黄原子（－Ｓ－）、イミノ基（－ＮＨ－）、置換イミノ基（－ＮＲ^３１－、ここでＲ^３１は脂肪族基、芳香族基又は複素環基）、カルボニル基（－ＣＯ－）、及び、これらの組合せ等が挙げられる。

　Ｌは、単結合、アルキレン基、又は、オキシアルキレン構造を含む２価の連結基が好ましい。オキシアルキレン構造は、オキシエチレン構造又はオキシプロピレン構造がより好ましい。また、Ｌは、オキシアルキレン構造を２以上繰り返して含むポリオキシアルキレン構造を含んでいてもよい。ポリオキシアルキレン構造としては、ポリオキシエチレン構造又はポリオキシプロピレン構造が好ましい。ポリオキシエチレン構造は、－（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｎ－で表され、ｎは、２以上の整数が好ましく、２～１０の整数がより好ましい。

　Ｚとしては、脂肪族基（例えば、アルキル基、置換アルキル基、不飽和アルキル基、置換不飽和アルキル基、）、芳香族基（例えば、アリール基、置換アリール基、アリーレン基、置換アリーレン基）、複素環基、及び、これらの組み合わせが挙げられる。これらの基には、酸素原子（－Ｏ－）、硫黄原子（－Ｓ－）、イミノ基（－ＮＨ－）、置換イミノ基（－ＮＲ^３１－、ここでＲ^３１は脂肪族基、芳香族基又は複素環基）、又は、カルボニル基（－ＣＯ－）が含まれていてもよい。

　上記式（ｉｉｉ）中、Ｒ^４、Ｒ^５、及び、Ｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、及び臭素原子等）、炭素数が１～６のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、及びプロピル基等）、Ｚ、又はＬ－Ｚを表す。ここでＬ及びＺは、上記における基と同義である。Ｒ^４、Ｒ^５、及び、Ｒ^６としては、水素原子、又は、炭素数が１～３のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。

　上記式（ｉ）で表される単量体として、Ｒ^１、Ｒ^２、及び、Ｒ^３が水素原子又はメチル基であって、Ｌが単結合又はアルキレン基若しくはオキシアルキレン構造を含む２価の連結基であって、Ｘが酸素原子又はイミノ基であって、Ｚが脂肪族基、複素環基、又は芳香族基である化合物が好ましい。
　また、上記式（ｉｉ）で表される単量体として、Ｒ^１が水素原子又はメチル基であって、Ｌがアルキレン基であって、Ｚが脂肪族基、複素環基、又は芳香族基である化合物が好ましい。また、上記式（ｉｉｉ）で表される単量体として、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６が水素原子又はメチル基であって、Ｚが脂肪族基、複素環基、又は芳香族基である化合物が好ましい。

　樹脂Ａにおいて、疎水性繰り返し単位の含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、１０～９０質量％が好ましく、２０～８０質量％がより好ましい。

・磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基
　樹脂Ａは、磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を有していてもよい。
　樹脂Ａは、磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を含む繰り返し単位を更に含むことが好ましい。
　磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基としては、例えば、酸基、塩基性基、配位性基、及び反応性を有する官能基等が挙げられる。
　樹脂Ａが、酸基、塩基性基、配位性基、又は、反応性を有する官能基を含む場合、それぞれ、酸基を含む繰り返し単位、塩基性基を含む繰り返し単位、配位性基を含む繰り返し単位、又は、反応性を有する官能基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。

　酸基としてのアルカリ可溶性基を含む繰り返し単位は、上記のグラフト鎖を含む繰り返し単位と同一の繰り返し単位であっても、異なる繰り返し単位であってもよいが、酸基としてのアルカリ可溶性基を含む繰り返し単位は、上記の疎水性繰り返し単位とは異なる繰り返し単位である（すなわち、上記の疎水性繰り返し単位には相当しない）。

　磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基である酸基としては、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、及び、フェノール性水酸基等があり、カルボン酸基、スルホン酸基、及びリン、酸基のうち少なくとも１種が好ましく、カルボン酸基がより好ましい。カルボン酸基は、磁性体粒子への吸着力が良好で、かつ、分散性が高い。
　すなわち、樹脂Ａは、カルボン酸基、スルホン酸基、及び、リン酸基のうち少なくとも１種を含む繰り返し単位を更に含むことが好ましい。

　樹脂Ａは、酸基を含む繰り返し単位を１種又は２種以上有してもよい。
　樹脂Ａが酸基を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、５～８０質量％が好ましく、１０～６０質量％がより好ましい。

　磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基である塩基性基としては、例えば、第１級アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基、Ｎ原子を含むヘテロ環、及びアミド基等があり、好ましい塩基性基は、磁性体粒子への吸着力が良好で、かつ、分散性が高い点で、第３級アミノ基である。樹脂Ａは、これらの塩基性基を１種又は２種以上含んでいてもよい。
　樹脂Ａが塩基性基を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、０．０１～５０質量％が好ましく、０．０１～３０質量％がより好ましい。

　磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基である配位性基、及び反応性を有する官能基としては、例えば、アセチルアセトキシ基、トリアルコキシシリル基、イソシアネート基、酸無水物、及び酸塩化物等が挙げられる。好ましい官能基は、磁性体粒子への吸着力が良好で、磁性体粒子の分散性が高い点で、アセチルアセトキシ基である。樹脂Ａは、これらの基を１種又は２種以上有してもよい。
　樹脂Ａが、配位性基を含む繰り返し単位、又は反応性を有する官能基を含む繰り返し単位を含む場合、これらの含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、１０～８０質量％が好ましく、２０～６０質量％がより好ましい。

　上記樹脂Ａが、グラフト鎖以外に、磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を含む場合、上記の各種の磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を含んでいればよく、これらの官能基がどのように導入されているかは特に制限されない。例えば、組成物に含まれる樹脂は、下記式（ｉｖ）～（ｖｉ）で表される単量体に由来の繰り返し単位から選択された１種以上の繰り返し単位を含むことが好ましい。

　式（ｉｖ）～（ｖｉ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、及び臭素原子等）、又は炭素数が１～６のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等）を表す。
　式（ｉｖ）～（ｖｉ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３としては、水素原子、又は炭素数が１～３のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましい。一般式（ｉｖ）中、Ｒ^１２及びＲ^１３としては、水素原子が更に好ましい。

　式（ｉｖ）中のＸ_１は、酸素原子（－Ｏ－）又はイミノ基（－ＮＨ－）を表し、酸素原子が好ましい。
　また、式（ｖ）中のＹは、メチン基又は窒素原子を表す。

　また、式（ｉｖ）～（ｖ）中のＬ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基の定義は、上述した式（ｉ）中のＬで表される２価の連結基の定義と同じである。

　Ｌ_１は、単結合、アルキレン基又はオキシアルキレン構造を含む２価の連結基が好ましい。オキシアルキレン構造は、オキシエチレン構造又はオキシプロピレン構造がより好ましい。また、Ｌ_１は、オキシアルキレン構造を２以上繰り返して含むポリオキシアルキレン構造を含んでいてもよい。ポリオキシアルキレン構造としては、ポリオキシエチレン構造又はポリオキシプロピレン構造が好ましい。ポリオキシエチレン構造は、－（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｎ－で表され、ｎは、２以上の整数が好ましく、２～１０の整数がより好ましい。

　式（ｉｖ）～（ｖｉ）中、Ｚ_１は、グラフト鎖以外に磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を表し、カルボン酸基、又は第３級アミノ基が好ましく、カルボン酸基がより好ましい。

　式（ｖｉ）中、Ｒ^１４、Ｒ^１５、及びＲ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、及び臭素原子等）、炭素数が１～６のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、及びプロピル基等）、－Ｚ_１、又はＬ_１－Ｚ_１を表す。ここでＬ_１及びＺ_１は、上記におけるＬ_１及びＺ_１と同義であり、好ましい例も同様である。Ｒ^１４、Ｒ^１５、及びＲ^１６としては、水素原子、又は炭素数が１～３のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。

　式（ｉｖ）で表される単量体として、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３がそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であって、Ｌ_１がアルキレン基又はオキシアルキレン構造を含む２価の連結基であって、Ｘ_１が酸素原子又はイミノ基であって、Ｚ_１がカルボン酸基である化合物が好ましい。
　また、式（ｖ）で表される単量体として、Ｒ^１１が水素原子又はメチル基であって、Ｌ_１がアルキレン基であって、Ｚ_１がカルボン酸基であって、Ｙがメチン基である化合物が好ましい。
　更に、式（ｖｉ）で表される単量体として、Ｒ^１４、Ｒ^１５、及びＲ^１６がそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であって、Ｚ_１がカルボン酸基である化合物が好ましい。

　磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を含む繰り返し単位の含有量は、磁性体粒子との相互作用、経時安定性、及び現像液への浸透性の点から、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、０．０５～９０質量％が好ましく、１．０～８０質量％がより好ましく、１０～７０質量％が更に好ましい。

・エチレン性不飽和基
　樹脂Ａは、エチレン性不飽和基を含んでいてもよい。
　エチレン性不飽和基としては特に制限されないが、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、及び、スチリル基等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　樹脂Ａとしては、なかでも、側鎖にエチレン性不飽和基を含む繰り返し単位を含むことが好ましく、側鎖にエチレン性不飽和基を含み、且つ（メタ）アクリレートに由来する繰り返し単位（以下、「側鎖にエチレン性不飽和基を含む（メタ）アクリル系繰り返し単位」ともいう。）を含むことがより好ましい。
　側鎖にエチレン性不飽和基を含む（メタ）アクリル系繰り返し単位は、例えば、カルボン酸基を含む（メタ）アクリル系繰り返し単位を含む樹脂Ａ中の上記カルボン酸基に、グリシジル基又は脂環式エポキシ基を含むエチレン性不飽和化合物を付加反応させて得られる。このようにして導入されたエチレン性不飽和基（グリシジル基又は脂環式エポキシ基）を反応させれば、側鎖にエチレン性不飽和基を含む（メタ）アクリル系繰り返し単位を得ることができる。

　樹脂Ａがエチレン性不飽和基を含む繰り返し単位を含む場合、その含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、３０～７０質量％が好ましく、４０～６０質量％がより好ましい。

・その他の繰り返し単位
　更に、樹脂Ａは、膜形成能等の諸性能を向上する目的で、本発明の効果を損なわない限りにおいて、グラフト鎖を含む繰り返し単位、疎水性繰り返し単位、及び、磁性体粒子と相互作用を形成し得る官能基を含む繰り返し単位とは異なる、種々の機能を有する他の繰り返し単位を更に有していてもよい。
　このような、他の繰り返し単位としては、例えば、アクリロニトリル類、及び、メタクリロニトリル類等から選ばれるラジカル重合性化合物に由来の繰り返し単位が挙げられる。
　樹脂Ａは、これらの他の繰り返し単位を１種又は２種以上使用でき、その含有量は、質量換算で、樹脂Ａの全質量に対して、０～８０質量％が好ましく、１０～６０質量％がより好ましい。

・樹脂Ａの物性
　樹脂Ａの酸価としては特に制限されないが、例えば、０～４００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、１０～３５０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、３０～３００ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましく、５０～２００ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。
　樹脂Ａの酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であれば、磁性体粒子の沈降安定性をより向上できる。

　本明細書において酸価は、例えば、化合物中における酸基の平均含有量から算出できる。また、樹脂中における酸基を含む繰り返し単位の含有量を変えることで、所望の酸価を有する樹脂を得られる。

　樹脂Ａの重量平均分子量は特に制限されないが、例えば、３，０００以上が好ましく、４，０００以上がより好ましく、５，０００以上が更に好ましく、６，０００以上が特に好ましい。また、上限値としては、例えば、３００，０００以下が好ましく、２００，０００以下がより好ましく、１００，０００以下が更に好ましく、５０，０００以下が特に好ましい。
　樹脂Ａは、公知の方法に基づいて合成できる。

＜アルカリ可溶性樹脂＞
　樹脂は、アルカリ可溶性樹脂を含んでいてもよい。本明細書において、アルカリ可溶性樹脂とは、アルカリ可溶性を促進する基（アルカリ可溶性基、例えばカルボン酸基等の酸基）を含む樹脂を意味し、既に説明した樹脂Ａとは異なる樹脂を意味する。

　アルカリ可溶性樹脂としては、分子中に少なくとも１個のアルカリ可溶性基を含む樹脂が挙げられ、例えば、ポリヒドロキシスチレン樹脂、ポリシロキサン樹脂、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、（メタ）アクリル／（メタ）アクリルアミド共重合体、エポキシ樹脂、及び、ポリイミド樹脂等が挙げられる。

　アルカリ可溶性樹脂の具体例としては、不飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物の共重合体が挙げられる。
　不飽和カルボン酸としては特に制限されないが、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、及び、ビニル酢酸等のモノカルボン酸類；イタコン酸、マレイン酸、及び、フマル酸等のジカルボン酸、又は、その酸無水物；並びに、フタル酸モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）等の多価カルボン酸モノエステル類；等が挙げられる。

　共重合可能なエチレン性不飽和化合物としては、（メタ）アクリル酸メチル等が挙げられる。また、特開２０１０－０９７２１０号公報の段落００２７、及び、特開２０１５－０６８８９３号公報の段落００３６～００３７に記載の化合物も使用でき、上記の内容は本明細書に組み込まれる。

　また、共重合可能なエチレン性不飽和化合物であって、側鎖にエチレン性不飽和基を含む化合物を組み合わせて用いてもよい。つまり、アルカリ可溶性樹脂は、側鎖にエチレン性不飽和基を含む繰り返し単位を含んでいてもよい。
　側鎖に含まれるエチレン性不飽和基としては、（メタ）アクリル酸基が好ましい。
　側鎖にエチレン性不飽和基を含む繰り返し単位は、例えば、カルボン酸基を含む（メタ）アクリル系繰り返し単位のカルボン酸基に、グリシジル基又は脂環式エポキシ基を含むエチレン性不飽和化合物を付加反応させて得られる。

　アルカリ可溶性樹脂としては、硬化性基を含むアルカリ可溶性樹脂も好ましい。
　上記硬化性基としては、例えば、エチレン性不飽和基（例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、及び、スチリル基等）、及び、環状エーテル基（例えば、エポキシ基、オキセタニル基等）等が挙げられるが、これらに制限されない。
　中でも、ラジカル反応で重合制御が可能な点で、硬化性基としては、エチレン性不飽和基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。
　硬化性基を含むアルカリ可溶性樹脂としては、硬化性基を側鎖に有するアルカリ可溶性樹脂等が好ましい。硬化性基を含むアルカリ可溶性樹脂としては、ダイヤナールＮＲシリーズ（三菱レイヨン社製）、Ｐｈｏｔｏｍｅｒ６１７３（ＣＯＯＨ含有　ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ　ａｃｒｙｌｉｃ　ｏｌｉｇｏｍｅｒ．Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｓｈａｍｒｏｃｋ　Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）、ビスコートＲ－２６４、ＫＳレジスト１０６（いずれも大阪有機化学工業社製）、サイクロマーＰシリーズ（例えば、ＡＣＡ２３０ＡＡ）、プラクセル　ＣＦ２００シリーズ（いずれもダイセル社製）、Ｅｂｅｃｒｙｌ３８００（ダイセル・オルネクス社製）、及び、アクリキュアＲＤ－Ｆ８（日本触媒社製）等が挙げられる。

　アルカリ可溶性樹脂としては、ポリイミド前駆体も使用できる。ポリイミド前駆体は、酸無水物基を含む化合物とジアミン化合物とを４０～１００℃下において付加重合反応して得られる樹脂を意味する。

　アルカリ可溶性樹脂としては、〔ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸／必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体、及び、〔アリル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸／必要に応じてその他の付加重合性ビニルモノマー〕共重合体が、膜強度、感度、及び現像性のバランスに優れており、好適である。
　上記その他の付加重合性ビニルモノマーには、１種単独でも２種以上でもよい。
　上記共重合体は、硬化性基を有することが好ましく、（メタ）アクリロイル基等のエチレン性不飽和基を含むことがより好ましい。
　例えば、上記その他の付加重合性ビニルモノマーとして硬化性基を有するモノマーを使用して共重合体に硬化性基が導入されていてもよい。また、共重合体中の（メタ）アクリル酸に由来する単位及び／又は上記その他の付加重合性ビニルモノマーに由来する単位の１種以上の、一部又は全部に、硬化性基（好ましくは（メタ）アクリロイル基等のエチレン性不飽和基）が導入されていてもよい。
　上記その他の付加重合性ビニルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、スチレン系単量体（ヒドロキシスチレン等）、及び、エーテルダイマーが挙げられる。
　上記エーテルダイマーは、例えば、下記一般式（ＥＤ１）で表される化合物、及び、下記一般式（ＥＤ２）で表される化合物が挙げられる。

　一般式（ＥＤ１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２５の炭化水素基を表す。

　一般式（ＥＤ２）中、Ｒは、水素原子又は炭素数１～３０の有機基を表す。一般式（ＥＤ２）の具体例としては、特開２０１０－１６８５３９号公報の記載を参酌できる。

　エーテルダイマーの具体例としては、例えば、特開２０１３－０２９７６０号公報の段落０３１７を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。エーテルダイマーは、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。

　アルカリ可溶性樹脂の酸価としては、特に制限されないが、３０～５００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、５０～２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上がより好ましい。

　組成物がアルカリ可溶性樹脂を含有する場合、アルカリ可溶性樹脂の含有量は、組成物の全質量に対して、０．１～４０質量％が好ましく、０．５～３０質量％がより好ましく、１～２０質量％が更に好ましい。

〔溶媒〕
　組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、水及び有機溶媒が挙げられ、有機溶媒が好ましい。
　溶媒の沸点は、塗布性という点から、１００～４００℃が好ましく、１５０～３００℃がより好ましく、１７０～２５０℃が更に好ましい。本明細書において、沸点とは、特に断りのない限り、標準沸点を意味する。

　有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、エチレンジクロライド、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、３－メトキシプロパノール、メトキシメトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３－メトキシプロピルアセテート、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、及び、乳酸エチル等が挙げられるが、これらに制限されない。

　溶媒の含有量は、本発明の効果がより優れる点から、組成物の全質量に対して、１～６０質量％が好ましく、２～５０質量％がより好ましく、３～４０質量％が更に好ましい。

〔重合開始剤〕
　組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。
　重合開始剤としては特に制限されず、公知の重合開始剤を使用できる。重合開始剤としては、例えば、光重合開始剤、及び、熱重合開始剤等が挙げられ、光重合開始剤が好ましい。なお、重合開始剤としては、いわゆるラジカル重合開始剤が好ましい。
　組成物中における重合開始剤の含有量としては特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、０．５～１５質量％が好ましく、１．０～１０質量％がより好ましく、１．５～８．０質量％が更に好ましい。

　光重合開始剤としては、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有する化合物、オキサジアゾール骨格を有する化合物等）、アシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、α－ヒドロキシケトン化合物、α－アミノケトン化合物等が挙げられる。光重合開始剤としては、露光感度の観点から、トリハロメチルトリアジン化合物、ベンジルジメチルケタール化合物、α－ヒドロキシケトン化合物、α－アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、ホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物、シクロペンタジエン－ベンゼン－鉄錯体、ハロメチルオキサジアゾール化合物、又は、３－アリール置換クマリン化合物が好ましく、オキシム化合物、α－ヒドロキシケトン化合物、α－アミノケトン化合物、及び、アシルホスフィン化合物から選ばれる化合物であることがより好ましく、オキシム化合物であることが更に好ましい。また、光重合開始剤としては、特開２０１４－１３０１７３号公報の段落００６５～０１１１、特許第６３０１４８９号公報に記載された化合物、ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ　３７～６０ｐ，ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．３，２０１９に記載されたパーオキサイド系光重合開始剤、国際公開第２０１８／２２１１７７号に記載の光重合開始剤、国際公開第２０１８／１１０１７９号に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４３８６４号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４４０３０号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－１６７３１３号公報に記載の過酸化物系開始剤、特開２０２０－０５５９９２号公報に記載のオキサゾリジン基を有するアミノアセトフェノン系開始剤、特開２０１３－１９０４５９号公報に記載のオキシム系光重合開始剤等が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

　α－ヒドロキシケトン化合物の市販品としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　１８４、Ｏｍｎｉｒａｄ　１１７３、Ｏｍｎｉｒａｄ　２９５９、Ｏｍｎｉｒａｄ　１２７（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　１８４、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　１１７３、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　２９５９、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　１２７（以上、ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。α－アミノケトン化合物の市販品としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　９０７、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９Ｅ、Ｏｍｎｉｒａｄ　３７９ＥＧ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　９０７、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　３６９、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　３６９Ｅ、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　３７９ＥＧ（以上、ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。アシルホスフィン化合物の市販品としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　８１９、Ｏｍｎｉｒａｄ　ＴＰＯ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　８１９、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＴＰＯ（以上、ＢＡＳＦ社製）等が挙げられる。

　オキシム化合物としては、特開２００１－２３３８４２号公報に記載の化合物、特開２０００－０８００６８号公報に記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１６５３－１６６０）に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１５６－１６２）に記載の化合物、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年、ｐｐ．２０２－２３２）に記載の化合物、特開２０００－０６６３８５号公報に記載の化合物、特表２００４－５３４７９７号公報に記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報に記載の化合物、特開２０１７－０１９７６６号公報に記載の化合物、特許第６０６５５９６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１５／１５２１５３号に記載の化合物、国際公開第２０１７／０５１６８０号に記載の化合物、特開２０１７－１９８８６５号公報に記載の化合物、国際公開第２０１７／１６４１２７号の段落００２５～００３８に記載の化合物、国際公開第２０１３／１６７５１５号に記載の化合物等が挙げられる。オキシム化合物の具体例としては、３－ベンゾイルオキシイミノブタン－２－オン、３－アセトキシイミノブタン－２－オン、３－プロピオニルオキシイミノブタン－２－オン、２－アセトキシイミノペンタン－３－オン、２－アセトキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オン、２－ベンゾイルオキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オン、３－（４－トルエンスルホニルオキシ）イミノブタン－２－オン、及び２－エトキシカルボニルオキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オン等が挙げられる。市販品としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０１、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０２、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０３、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ－ＰＢＧ－３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカオプトマーＮ－１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２－０１４０５２号公報に記載の光重合開始剤２）が挙げられる。また、オキシム化合物としては、着色性が無い化合物や、透明性が高く変色し難い化合物を用いることも好ましい。市販品としては、アデカアークルズＮＣＩ－７３０、ＮＣＩ－８３１、ＮＣＩ－９３０（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。

　光重合開始剤としては、フルオレン環を有するオキシム化合物を用いることもできる。フルオレン環を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１４－１３７４６６号公報に記載の化合物、特許６６３６０８１号公報に記載の化合物、韓国公開特許第１０－２０１６－０１０９４４４号公報に記載の化合物が挙げられる。

　光重合開始剤としては、カルバゾール環の少なくとも１つのベンゼン環がナフタレン環となった骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。そのようなオキシム化合物の具体例としては、国際公開第２０１３／０８３５０５号に記載の化合物が挙げられる。

　光重合開始剤としては、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０－２６２０２８号公報に記載の化合物、特表２０１４－５００８５２号公報に記載の化合物２４、３６～４０、特開２０１３－１６４４７１号公報に記載の化合物（Ｃ－３）等が挙げられる。

　光重合開始剤としては、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物は、二量体とすることも好ましい。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３－１１４２４９号公報の段落００３１～００４７、特開２０１４－１３７４６６号公報の段落０００８～００１２、００７０～００７９に記載されている化合物、特許４２２３０７１号公報の段落０００７～００２５に記載されている化合物、アデカアークルズＮＣＩ－８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。

　光重合開始剤としては、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。具体例としては、国際公開第２０１５／０３６９１０号に記載されているＯＥ－０１～ＯＥ－７５が挙げられる。

　光重合開始剤としては、カルバゾール骨格にヒドロキシ基を有する置換基が結合したオキシム化合物を用いることもできる。このような光重合開始剤としては国際公開第２０１９／０８８０５５号に記載された化合物等が挙げられる。

　本発明において好ましく使用されるオキシム化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

　オキシム化合物は、波長３５０～５００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物が好ましく、波長３６０～４８０ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物がより好ましい。また、オキシム化合物の波長３６５ｎｍ又は波長４０５ｎｍにおけるモル吸光係数は、感度の観点から、高いことが好ましく、１０００～３０００００であることがより好ましく、２０００～３０００００であることが更に好ましく、５０００～２０００００であることが特に好ましい。化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いて測定することができる。例えば、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｙ－５　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶媒を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。

　光重合開始剤としては、２官能又は３官能以上の光ラジカル重合開始剤を用いてもよい。そのような光ラジカル重合開始剤を用いることにより、光ラジカル重合開始剤の１分子から２つ以上のラジカルが発生するため、良好な感度が得られる。また、非対称構造の化合物を用いた場合においては、結晶性が低下して溶剤等への溶解性が向上して、経時で析出しにくくなり、組成物の経時安定性を向上させることができる。２官能あるいは３官能以上の光ラジカル重合開始剤の具体例としては、特表２０１０－５２７３３９号公報、特表２０１１－５２４４３６号公報、国際公開第２０１５／００４５６５号、特表２０１６－５３２６７５号公報の段落０４０７～０４１２、国際公開第２０１７／０３３６８０号の段落００３９～００５５に記載されているオキシム化合物の２量体、特表２０１３－５２２４４５号公報に記載されている化合物（Ｅ）及び化合物（Ｇ）、国際公開第２０１６／０３４９６３号に記載されているＣｍｐｄ１～７、特表２０１７－５２３４６５号公報の段落０００７に記載されているオキシムエステル類光開始剤、特開２０１７－１６７３９９号公報の段落００２０～００３３に記載されている光開始剤、特開２０１７－１５１３４２号公報の段落００１７～００２６に記載されている光重合開始剤（Ａ）、特許第６４６９６６９号公報に記載されているオキシムエステル光開始剤等が挙げられる。

〔その他の任意成分〕
　組成物は、上述した成分以外のその他の任意成分を更に含んでいてもよい。例えば、界面活性剤、重合禁止剤、酸化防止剤、増感剤、共増感剤、架橋剤（硬化剤）、硬化促進剤、熱硬化促進剤、可塑剤、希釈剤、感脂化剤、及び、ゴム成分等が挙げられ、更に、基板表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、及び連鎖移動剤等）等の公知の添加剤を必要に応じて加えてもよい。

＜＜界面活性剤＞＞
　界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の各種界面活性剤が挙げられる。界面活性剤については、国際公開第２０１５／１６６７７９号の段落０２３８～０２４５に記載された界面活性剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　フッ素系界面活性剤としては、特開２０１４－０４１３１８号公報の段落００６０～００６４（対応する国際公開第２０１４／０１７６６９号の段落００６０～００６４）等に記載の界面活性剤、特開２０１１－１３２５０３号公報の段落０１１７～０１３２に記載の界面活性剤、特開２０２０－００８６３４号公報に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファックＦ－１７１、Ｆ－１７２、Ｆ－１７３、Ｆ－１７６、Ｆ－１７７、Ｆ－１４１、Ｆ－１４２、Ｆ－１４３、Ｆ－１４４、Ｆ－４３７、Ｆ－４７５、Ｆ－４７７、Ｆ－４７９、Ｆ－４８２、Ｆ－５５４、Ｆ－５５５－Ａ、Ｆ－５５６、Ｆ－５５７、Ｆ－５５８、Ｆ－５５９、Ｆ－５６０、Ｆ－５６１、Ｆ－５６３、Ｆ－５６５、Ｆ－５６８、Ｆ－５７５、Ｆ－７８０、ＥＸＰ、ＭＦＳ－３３０、Ｒ－０１、Ｒ－４０、Ｒ－４０－ＬＭ、Ｒ－４１、Ｒ－４１－ＬＭ、ＲＳ－４３、ＴＦ－１９５６、ＲＳ－９０、Ｒ－９４、ＲＳ－７２－Ｋ、ＤＳ－２１（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１、ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ－３８２、ＳＣ－１０１、ＳＣ－１０３、ＳＣ－１０４、ＳＣ－１０５、ＳＣ－１０６８、ＳＣ－３８１、ＳＣ－３８３、Ｓ－３９３、ＫＨ－４０（以上、ＡＧＣ（株）製）、ＰｏｌｙＦｏｘ　ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（以上、ＯＭＮＯＶＡ社製）、フタージェント２０８Ｇ、２１５Ｍ、２４５Ｆ、６０１ＡＤ、６０１ＡＤＨ２、６０２Ａ、６１０ＦＭ、７１０ＦＬ、７１０ＦＭ、７１０ＦＳ、ＦＴＸ－２１８、（以上、株）ＮＥＯＳ製）等が挙げられる。

　また、フッ素系界面活性剤として、フッ素原子を含有する官能基を持つ分子構造を有し、熱を加えるとフッ素原子を含有する官能基の部分が切断されてフッ素原子が揮発するアクリル系化合物も好適に使用できる。このようなフッ素系界面活性剤としては、ＤＩＣ（株）製のメガファックＤＳシリーズ（化学工業日報（２０１６年２月２２日）、日経産業新聞（２０１６年２月２３日））、例えばメガファックＤＳ－２１が挙げられる。

　また、フッ素系界面活性剤として、フッ素化アルキル基又はフッ素化アルキレンエーテル基を有するフッ素原子含有ビニルエーテル化合物と、親水性のビニルエーテル化合物との重合体を用いることも好ましい。このようなフッ素系界面活性剤は、特開２０１６－２１６６０２号公報に記載されたフッ素系界面活性剤が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

　フッ素系界面活性剤として、ブロックポリマーを用いることもできる。フッ素系界面活性剤として、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができる。また、特開２０１０－０３２６９８号公報の段落００１６～００３７に記載されたフッ素含有界面活性剤や、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。

　上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３０００～５００００であり、例えば、１４０００である。上記の化合物中、繰り返し単位の割合を示す％はモル％である。

　また、フッ素系界面活性剤として、エチレン性不飽和結合含有基を側鎖に有する含フッ素重合体を用いることもできる。具体例としては、特開２０１０－１６４９６５号公報の段落００５０～００９０及び段落０２８９～０２９５に記載された化合物、ＤＩＣ（株）製のメガファックＲＳ－１０１、ＲＳ－１０２、ＲＳ－７１８Ｋ、ＲＳ－７２－Ｋ等が挙げられる。また、フッ素系界面活性剤として、特開２０１５－１１７３２７号公報の段落００１５～０１５８に記載の化合物を用いることもできる。

　また、国際公開第２０２０／０８４８５４号に記載の界面活性剤を、炭素数６以上のパーフルオロアルキル基を有する界面活性剤の代替として用いることも、環境規制の観点から好ましい。

　また、式（ｆｉ－１）で表される含フッ素イミド塩化合物を界面活性剤として用いることも好ましい。

　式（ｆｉ－１）において、ｍは１又は２を表し、ｎは１～４の整数を表し、αは１又は２を表し、Ｘ^α＋はα価の金属イオン、第１級アンモニウムイオン、第２級アンモニウムイオン、第３級アンモニウムイオン、第４級アンモニウムイオン又はＮＨ_４ ^＋を表す。

　ノニオン系界面活性剤としては、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレート及びプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセロールエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル、プルロニック（登録商標）Ｌ１０、Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ６２、１０Ｒ５、１７Ｒ２、２５Ｒ２（ＢＡＳＦ社製）、テトロニック３０４、７０１、７０４、９０１、９０４、１５０Ｒ１（ＢＡＳＦ社製）、ソルスパース２００００（日本ルーブリゾール（株）製）、ＮＣＷ－１０１、ＮＣＷ－１００１、ＮＣＷ－１００２（和光純薬工業（株）製）、パイオニンＤ－６１１２、Ｄ－６１１２－Ｗ、Ｄ－６３１５（竹本油脂（株）製）、オルフィンＥ１０１０、サーフィノール１０４、４００、４４０（日信化学工業（株）製）等が挙げられる。

　カチオン系界面活性剤としては、テトラアルキルアンモニウム塩、アルキルアミン塩、ベンザルコニウム塩、アルキルピリジウム塩、イミダゾリウム塩等が挙げられる。具体例としては、ジヒドロキシエチルステアリルアミン、２－ヘプタデセニル－ヒドロキシエチルイミダゾリン、ラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、セチルピリジニウムクロライド、ステアラミドメチルピリジウムクロライド等が挙げられる。

　アニオン系界面活性剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸カリウム、ナトリウムジオクチルスルホサクシネート、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテ硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ｔ－オクチルフェノキシエトキシポリエトキシエチル硫酸ナトリウム塩等が挙げられる。

　シリコーン系界面活性剤としては、例えば、トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ７ＰＡ、トーレシリコーンＤＣ１１ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ８４００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＴＳＦ－４４４０、ＴＳＦ－４３００、ＴＳＦ－４４４５、ＴＳＦ－４４６０、ＴＳＦ－４４５２（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）、ＫＰ－３４１、ＫＦ－６００１、ＫＦ－６００２（以上、信越化学工業（株）製）、ＢＹＫ－３０７、ＢＹＫ－３２２、ＢＹＫ－３２３、ＢＹＫ－３３０、ＢＹＫ－３７６０、ＢＹＫ－ＵＶ３５１０（以上、ビックケミー社製）、ＦＺ－２１２２（ダウ・東レ（株）製）等が挙げられる。

　また、シリコーン系界面活性剤には下記構造の化合物を用いることもできる。

［積層体の製造方法］
　本発明の積層体の製造方法は、以下の工程１及び２を有する。
工程１：磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する工程
工程２：組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程
　以下、工程１及び２の手順について詳述する。

〔工程１〕
　工程１では、磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する。
　使用される組成物及びアンテナが配置された基板は、上述した通りである。

　基板上への組成物の塗布方法は特に制限されず、スリット塗布法、インクジェット法、回転塗布法、流延塗布法、ロール塗布法、及び、スクリーン印刷法等の各種の塗布方法が挙げられる。
　塗布後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。乾燥（プリベーク）は、例えば、ホットプレート、オーブン等で５０～１４０℃の温度で１０～１８００秒間で行える。
　組成物層の膜厚としては、１～１００００μｍが好ましく、１０～１０００μｍがより好ましく、１５～８００μｍが更に好ましい。

（工程２）
　工程２は、組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程である。
　露光処理の方法は特に制限されないが、パターン状の開口部を有するフォトマスクを介して組成物層に光照射することが好ましい。フォトマスクのパターン状の開口部は、上述した所定の形状の磁性体パターン部が形成されるように配置される。
　露光は、放射線の照射により行うことが好ましい。露光に際して使用できる放射線としては、ｇ線、ｈ線、及び、ｉ線等の紫外線が好ましく、光源としては高圧水銀灯が好まれる。照射強度は５～１５００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましく、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ^２がより好ましい。

　露光処理の後に、加熱処理（ポストベーク）を行うことが好ましい。
　ポストベークは、硬化を完全にするための現像後の加熱処理である。その加熱温度は、２４０℃以下が好ましく、２２０℃以下がより好ましい。下限は特にないが、効率的かつ効果的な処理を考慮すると、５０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましい。
　ポストベークは、ホットプレート、コンベクションオーブン（熱風循環式乾燥機）、及び、高周波加熱機等の加熱手段を用いて、連続式又はバッチ式で行える。

　現像処理で使用される現像液の種類は特に制限されないが、回路等にダメージを起こさないアルカリ現像液が望ましい。
　現像温度としては、例えば、２０～３０℃である。
　現像時間は、例えば、２０～９０秒間である。残渣をよりよく除去するため、近年では１２０～１８０秒間実施する場合もある。更には、残渣除去性をより向上するため、現像液を６０秒ごとに振り切り、更に新たに現像液を供給する工程を数回繰り返す場合もある。

　アルカリ現像液としては、アルカリ性化合物を濃度が０．００１～１０質量％（好ましくは０．０１～５質量％）となるように水に溶解して調製されたアルカリ性水溶液が好ましい。
　アルカリ性化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム，硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシ、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、及び、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン等が挙げられる（このうち、有機アルカリが好ましい。）。
　なお、アルカリ現像液として用いた場合は、一般に現像後に水で洗浄処理が施される。

　本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の積層体の製造方法、アンテナインパッケージの製造方法、積層体及び組成物について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良又は変更をしてもよいのはもちろんである。

　以下に実施例を挙げて本発明の特徴を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、及び、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない。
　本実施例では、周波数が電磁波の６０ＧＨｚに対する電磁波遮蔽による減衰を評価した。
　基板上に、アンテナと、半導体素子を示すダミーパターンとを配置した。
　アンテナは１辺が１．２５ｍｍの正方形とした。ダミーパターンは１辺が１０ｍｍの正方形の銅パッチで構成した。アンテナとダミーパターンとの距離を２４ｍｍとした。アンテナとダミーパターンとの間に磁性体パターン部を設けた。なお、磁性体パターン部を、幅１．２５ｍｍ、間隔１．２５ｍｍを基準とした倍数の値とした。

　次に、電磁波遮蔽による減衰について説明する。
［電磁波遮蔽による減衰］
　送信アンテナとダミーパターンの位置に同じサイズの受信用パッチアンテナを配置し、カスケードプローブを介してＡｇｉｌｅｎｔ　Ｅ８３６１ＰＮＡネットワークアナライザを用い、周波数が電磁波の６０ＧＨｚに対する電磁波遮蔽による減衰を、周波数６０ＧＨｚの電磁波の減衰率（－ｄＢ）として計測した。
　電磁波遮蔽による減衰（ｄＢ）は、以下に示す評価基準で評価した。
評価基準
Ａ：－４０ｄＢ以上
Ｂ：－４０ｄＢ未満～－３０ｄＢ以上
Ｃ：－３０ｄｂ未満～－２０ｄＢ以上
Ｄ：－２０ｄＢ未満

＜実施例１～１１、比較例１～３＞
　表１に示す、各種成分を混合して、組成物をそれぞれ調製した。
　使用される各成分は以下の通りである。
（磁性体粒子）
・バリウムフェライト：以下の方法で合成した
　液温３５℃に保温した水４００．０ｇを撹拌し、撹拌中の水に、塩化鉄（ＩＩＩ）六水和物〔ＦｅＣｌ_３・６Ｈ_２Ｏ〕５７．０ｇ、塩化バリウム二水和物〔ＢａＣｌ_２・２Ｈ_２Ｏ〕２５．４ｇ及び塩化アルミニウム六水和物〔ＡｌＣｌ_３・６Ｈ_２Ｏ〕１０．２ｇを水２１６．０ｇに溶解して調製した原料水溶液と、濃度５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液１８１．３ｇに水１１３．０ｇを加えて調製した溶液と、をそれぞれ１０ｍＬ／ｍｉｎの流速にて、添加のタイミングを同じにして全量添加し、第１の液を得た。
　次いで、第１の液の液温を２５℃とした後、この液温を保持した状態で、濃度１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液３９．８ｇを添加し、第２の液を得た。得られた第２の液のｐＨは、１０．５±０．５であった。ｐＨは、卓上型ｐＨメータ（堀場製作所社製Ｆ－７１）を用いて測定した。
　次いで、第２の液を１５分間撹拌し、マグネトプランバイト型六方晶フェライトの前駆体となる沈殿物を含む液（前駆体含有液）を得た。
　次いで、前駆体含有液に対し、遠心分離処理（回転数：２０００ｒｐｍ（revolutions per minute）、回転時間：１０分間）を３回行い、得られた沈殿物を回収して水洗した。
　次いで、回収した沈殿物を内部雰囲気温度９５℃のオーブン内で１２時間乾燥させて、前駆体の粉体を得た。
　次いで、前駆体の粉体をマッフル炉の中に入れ、大気雰囲気下において、炉内の温度を１１００℃に設定し、４時間焼成することにより、塊状の焼成体を得た。
　次いで、得られた焼成体を、粉砕機として、カッターミル（大阪ケミカル社製ワンダークラッシャー　ＷＣ－３）を使用し、この粉砕機の可変速度ダイアルを「５」（回転数：約１００００～１５０００ｒｐｍ）に設定して９０秒間粉砕し、磁性粉末を得た。

　上記の各磁性粉体を構成する磁性体の結晶構造を、Ｘ線回折分析により確認した。測定装置としては、粉末Ｘ線回折装置であるＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社のＸ’Ｐｅｒｔ　Ｐｒｏを使用した。測定条件を以下に示す。
－測定条件－
　Ｘ線源：ＣｕＫα線
〔波長：１．５４Å（０．１５４ｎｍ）、出力：４０ｍＡ、４５ｋＶ〕
　スキャン範囲：２０°＜２θ＜７０°
　スキャン間隔：０．０５°
　スキャンスピード：０．７５°／ｍｉｎ
　上記Ｘ線回折分析の結果、得られた磁性粉体は、マグネトプランバイト型の結晶構造を有しており、マグネトプランバイト型以外の結晶構造を含まない単相のマグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体であることが確認された。

（分散剤）
・Ｘ－１：以下構造式で表される樹脂。以下の式中の各繰り返し単位中の数値は、全繰り返し単位に対する含有量（質量％）を表す。

・Ｘ－２：以下構造式で表される樹脂。以下の式中の各繰り返し単位中の数値は、全繰り返し単位に対する含有量（質量％）を表す。

（アルカリ可溶性樹脂）
・Ｂ－１：以下構造式で表される樹脂。以下の式中の各繰り返し単位中の数値は、全繰り返し単位に対する含有量（質量％）を表す。

・Ｂ－２：サイクロマーＰ（ＡＣＡ）２３０ＡＡ（ダイセル化学工業（株）社製）
・Ｂ－３：以下構造式で表される樹脂。以下の式中の各繰り返し単位中の数値は、全繰り返し単位に対する含有量（質量％）を表す。

（重合開始剤）
・ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ（日本化薬社製、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタエリスリトールペンタアクリレートの混合物）
・ＫＡＹＡＲＡＤ　ＲＰ－１０４０（日本化薬社製、４官能アクリレート）
・ＮＫエステル　Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学社製、多官能アクリレート）

（重合開始剤）
・Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦ社製、オキシムエステル系開始剤）
・Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ－０３（ＢＡＳＦ社製、オキシムエステル系開始剤）

（酸化防止剤）
・ｐ－メトキシフェノール（三立ケミー社製）
・アデカスタブＡＯ－８０（ＡＤＥＫＡ社製、下記構造の化合物）

（界面活性剤）
・ＫＦ－６００１（信越化学工業社製、両末端カルビノール変性ポリジメチルシロキサン、水酸基価６２ｍｇＫＯＨ／ｇ）
・Ｐｏｌｙｆｏｘ　ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製、フッ素系界面活性剤）

（溶剤）
・ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）

　上記で作製した組成物をアンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成した。その後、１００℃で２分間の乾燥処理を組成物層に施した。なお、組成物層の厚みは、表１に記載の磁性体パターン部の厚みとなるように、組成物の塗布量を調整した。
　次に、図１３に示すような磁性体パターン部が形成されるように、所定の開口部を有するマスクを介して、ＵＳＨＩＯ簡易露光装置にて、１０ｍＪ／ｃｍ^２の条件で組成物層の露光処理を行った。
　露光後、簡易現像装置（ミカサ社製）を用いて、２３℃で６０秒間のシャワー現像処理を行った。なお、現像液には、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の含有量が０．３質量％である水溶液を用いた。
　現像後、純水を用いたスピンシャワーによるリンス処理を行い、次いで、スピン乾燥した後、２２０℃のホットプレートを用いて５分間の加熱処理（ポストベーク）を行い、所定の形状の磁性体パターン部を形成した。
　なお、比較例１においては磁性体粒子が使用されていなかった。また、比較例２においては重合性化合物が使用されていないため、現像処理の際に組成物層が全て除去されてしまい、磁性体パターン部が形成されなかった。
　また、比較例３においては、上記露光処理を実施せずに、現像処理を実施した。そのため、現像処理の際に組成物層が全て除去されてしまい、磁性体パターン部が形成されなかった。

　表１中、「パターン」は、磁性体パターン部の形状を表す図面の番号を表す。比較例２、及び比較例３は磁性体パターン部が形成されなかったので「パターンなし」とした。
　表１中、「磁性体粒子サイズ」は、磁性体粒子の平均一次粒子径を表す。
　表１中、「膜厚」は、形成される磁性体パターン部の厚みを表す。
　表１中、「Ｌ／Ｓ解像性」は、感光性磁性体組成物がＵＳＨＩＯ簡易露光装置で形成することができる最小パターンサイズを表す。

　表１に示すように、本発明の積層体の製造方法によれば、所望の効果が得られることが確認された。
　なかでも、実施例１と１０との比較より、磁性体粒子が、Ｆｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含み、平均一次粒子径が２０～１０００ｎｍである場合、より優れた効果が得られることが確認された。
　また、実施例１と１１との比較より、磁性体パターン部の厚みが３００μｍ以下である場合、より優れた効果が得られることが確認された。

＜実施例１２～４６＞
　パターンの種類、磁性体粒子の平均一次粒子径、磁性体パターン部の膜厚を後述する表に示すように変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、磁性体パターン部を有する積層体を製造した。
　各実施例の結果を後述する表にまとめて示す。

　なお、実施例１２は図１８に示す磁性体パターン部とした。パターン部５３の幅及び切欠部５３ａの幅を１．２５ｍｍとし、パターン部５３を１辺の長さが１４ｍｍの仮想的な正方形５３ｂ上に配置した。また、パターン部５３の外直径を７ｍｍとした。
　実施例１３は図１９に示す磁性体パターン部とした。実施例１３は、実施例１２に比して、パターン部５３の数が異なる以外は同じとした。
　実施例１４は図２０に示す磁性体パターン部とした。実施例１４では、距離Ｌｃを１０ｍｍとした。パターン部５３は、実施例１２と同じとした。
　実施例１５は図２１に示す磁性体パターン部とした。実施例１５では、距離Ｌｃを１０ｍｍとした。磁性体パターン部５８の外直径を７ｍｍとした。
　実施例１６は図２２に示す磁性体パターン部とした。実施例１６では、距離Ｌｃを１０ｍｍとした。磁性体パターン部６０の直径を７ｍｍとした。
　実施例１７は図１４に示す磁性体パターン部とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。
　実施例１８は図１５に示す磁性体パターン部とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を２．５ｍｍとした。
　実施例１９は図１６に示す磁性体パターン部とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を３．７５ｍｍとした。

　実施例２０は図１７に示す磁性体パターン部とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を５．０ｍｍとした。
　実施例２１は図１４に示す磁性体パターン部とし、Ｌ／Ｓを１／５とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を６．２５ｍｍとした。
　実施例２２は図１４に示す磁性体パターン部とし、Ｌ／Ｓを１／６とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を７．５ｍｍとした。
　実施例２３は図１４に示す磁性体パターン部とし、Ｌ／Ｓを１／７とした。第１パターン部５０ａ、第２パターン部５０ｂ、及び第３パターン部５０ｃの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を８．７５ｍｍとした。
　実施例２４は図４に示す磁性体パターン部とし、磁性体パターン部３０の幅を１．２５ｍｍとし、磁性体パターン部３０の内径を１４ｍｍとした。
　実施例２５は図５に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部３２ａと第２パターン部３２ｂとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部３２ａの内径を１４ｍｍとし、第２パターン部３２ｂの最外径を２１．５ｍｍとした。

　実施例２６は図６に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部３４ａと第２パターン部３４ｂと第３パターン部３４ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部３４ａの内径を１４ｍｍとし、第３パターン部３４ｃの最外径を２６．５ｍｍとした。
　実施例２７は図７に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部３６ａと第２パターン部３６ｂと第３パターン部３６ｃと第４パターン部３６ｄとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部３６ａの内径を１４ｍｍとし、第４パターン部３６ｄの最外径を２７．５ｍｍとした。
　実施例２８は図８に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部３８ａと第２パターン部３８ｂと第３パターン部３８ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部３８ａの内部の高さを６．５ｍｍとし、第３パターン部３８ｃの最大高さを２５．２５ｍｍとした。
　実施例２９は図９に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部４０ａと第２パターン部４０ｂと第３パターン部４０ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部４０ａの内側の辺の長さを７ｍｍとし、第３パターン部４０ｃの外側の辺の長さを１９．５ｍｍとした。

　実施例３０は図１０に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部４２ａと第２パターン部４２ｂと第３パターン部４２ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部４２ａの内側の最大長さを１１．５５ｍｍとし、第３パターン部４２ｃの外側の最大長さ、すなわち、外接円の直径を２５．６０ｍｍとした。
　実施例３１は図１１に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部４４ａと第２パターン部４４ｂと第３パターン部４４ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部４４ａの内側の最大長さを１０．６７ｍｍとし、第３パターン部４４ｃの外側の最大長さを２２．４４ｍｍとした。
　実施例３２は図１２に示す磁性体パターン部とし、第１パターン部４２ａと第２パターン部４２ｂと第３パターン部４２ｃとの幅を１．２５ｍｍとし、間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部４２ａの内側の最大長さを１１．５５ｍｍとし、第３パターン部４２ｃの外側の最大長さ、すなわち、外接円の直径を２４．６９ｍｍとした。
　実施例３３は図２４に示す磁性体パターン部とした。実施例３３は、磁性体パターン部の幅を１．２５ｍｍとし、サブパターン部６２ｄを７．５ｍｍとし、サブパターン部６２ｅを６．２５ｍｍとし、サブパターン部６２ｆを３．７５ｍｍとた。パターン部６２ｂを１２．５ｍｍとし、パターン部６２ｃを１３．７５ｍｍとした。

　実施例３４は図２５に示す磁性体パターン部とした。実施例３４は、磁性体パターン部の幅を１．２５ｍｍとし、長さＬｔ及び長さＬｗを３．７５ｍｍとした。
　実施例３５は図２６に示す磁性体パターン部とした。実施例３５は、磁性体パターン部の幅を１．２５ｍｍとし、長さＬｔ及び長さＬｗを３．７５ｍｍとした。
　実施例３６は図２７に示す磁性体パターン部とした。実施例３６は、磁性体パターン部の幅を１．２５ｍｍとし、長さＬｔ及び長さＬｗを３．７５ｍｍとした。
　実施例３７は図２９に示す磁性体パターン部とした。実施例３７は、パターン部７０ａの幅を１．２５ｍｍとし、長さＬｄを３．７５ｍｍとした。また、パターン部７０ａのアンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向におけるピッチＰｗを３．１３ｍｍとし、上述の向かう方向と直交する方向におけるピッチＰｔを３．５９ｍｍとした。
　実施例３８は図３０に示す磁性体パターン部とした。実施例３８は、長さＬｔ及び長さＬｗを３．７５ｍｍとした。
　実施例３９は図２８に示す磁性体パターン部とした。実施例３９は、開口部６９ａを一辺の長さが５ｍｍの正方形とした。

　実施例４０～４６は図１３に示す磁性体パターン部とした。実施例４０～４６は、３本のラインアンドスペースの組み合わせたパターンである。第１パターン部４８ａ～第６パターン部４８ｆの幅を１．２５ｍｍとし、第１パターン部４８ａ～第３パターン部４８ｃの間隔を１．２５ｍｍとし、第４パターン部４８ｄ～第６パターン部４８ｆの間隔を１．２５ｍｍとした。第１パターン部４８ａ～第３パターン部４８ｃの、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における長さを１２ｍｍとした。第４パターン部４８ｄ～第６パターン部４８ｆの、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向と直交する方向における長さを２５．５ｍｍとした。実施例４０～４６では、アンテナ２７から半導体素子２８に向かう方向における長さを２６．５ｍｍであった。また、アンテナ２７を挟んで対向する第１パターン部４８ａ間の距離が１４ｍｍであり、アンテナ２７を挟んで対向する第４パターン部４８ｄ間の距離が１４ｍｍであった。

　表２～７に示すように、本発明の積層体の製造方法によれば、所望の効果が得られることが確認された。
　実施例１２は、４つの円環状のパターン部をアンテナを囲んで配置した構成である。実施例１３は、８つの円環状のパターン部をアンテナを囲んで配置した構成であり、アンテナの全周を囲んでいる。実施例１３の方が、実施例１２よりも電磁波が漏れる隙間が小さいため、電磁波を遮蔽する能力が高い。
　実施例１４～１６は、アンテナと、ダミーパターンとの間に、１列状の磁性体パターン部を設けた構成であり、アンテナの全周を囲む構成ではない。しかしながら、実施例１２よりも電磁波が漏れる隙間が小さく、電磁波を遮蔽する能力が高い。
　実施例１７～２３は、いわゆるラインアンドスペースパターンである。Ｌ／Ｓの比率が大きいほど、電磁波の遮蔽能が計算上大きくなるが、実施例１７～２３では、差異が見られなかった。
　実施例２４はアンテナの全周囲を囲む１重円環状、実施例２５はアンテナの全周囲を囲む２重円環状、実施例２６はアンテナの全周囲を囲む３重円環状、実施例２７はアンテナの全周囲を囲む４重円環状の磁性体パターン部である。実施例２４～２７から、実施例２７の４重円環状の磁性体パターン部は、電磁波を遮蔽する能力が高い。
　実施例２８～３２は、いずれも３重の多角形の磁性体パターン部を有する。実施例２８～３２のうち、三角形の実施例２８、四角形の実施例２９、六角形の実施例３０は、３重円環状の実施例２６よりも電磁波を遮蔽する能力が高い。八角形の実施例３１、及び十角形の実施例３２は、電磁波を遮蔽する能力が３重円環状の実施例２６と同等であった。実施例３１及び実施例３２は、外形状が円に近くなり、磁性体のパターン部の形状による電磁波の吸収力が低下したことによるものと推測される。

　実施例３３～３６は、ＦＳＳ素子状の構成であり、電磁波を遮蔽する能力が高い。実施例３７、３８も繰り返しパターンを有する。実施例３８はＦＳＳ素子状の構成であるが、アンテナからダミーパターンに向かう方向、すなわち、水平方向に連続した磁性体がつながっている構成であり、電磁波の遮蔽能が低下したが、ベタ膜の構成の実施例３９よりも電磁波を遮蔽する能力が高い。
　実施例４０～４６は、３本のラインアンドスペースの組み合わせであるが、組み合わせた３本のラインアンドスペース同士は接続されていない。このため、電磁波のエネルギーが伝わって、共振することが抑制され、電磁波を遮蔽する能力が得られ、電磁波を遮蔽する能力が高い。

　１０　積層体
　１２　基板
　１２ａ　表面
　１４　アレイアンテナ
　１５、２７　アンテナ
　１６　Ａ／Ｄ回路
　１７　メモリ
　１８　ＡＳＩＣ
　２０　磁性体パターン部
　２２　組成物層
　２４　フォトマスク
　２５　マスク部
　２６　領域
　２８　半導体素子
　３０、３２、３４、３６、３７　磁性体パターン部
　３２ａ、３４ａ、３６ａ、３７ａ、３８ａ、４０ａ　第１パターン部
　３２ｂ、３４ｂ、３６ｂ、３７ｂ、３８ｂ、４０ｂ　第２パターン部
　３４ｃ、３６ｃ、３７ｃ、３８ｃ、４０ｃ　第３パターン部
　３６ｄ　第４パターン部　４８ｄ　第４パターン部
　３７ｄ　切欠部
　３８、４０、４２、４４　磁性体パターン部
　４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａ、５０ａ　第１パターン部
　４２ｂ、４４ｂ、４６ｂ、４８ｂ、５０ｂ　第２パターン部
　４２ｃ、４４ｃ、４６ｃ、４８ｃ、５０ｃ　第３パターン部
　４６、４８、５０、５２、５４　磁性体パターン部
　４８ｅ　第５パターン部
　４８ｆ　第６パターン部
　５３　パターン部
　５３ａ　切欠部
　５３ｂ　仮想的な正方形
　５６、５８、６０、６２　磁性体パターン部
　５８ａ、６０ａ、６２ａ、６２ｂ、６２ｃ　パターン部
　６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ　サブパターン部
　６２ｇ　構成パターン部
　６４、６６、６８、６９、７０、７２　磁性体パターン部
　６６ａ　渦巻き型パターン部
　６６ｂ、６８ａ、６８ｂ、７０ａ、７２ｂ　パターン部
　６９ａ、７０ｂ、７２ａ　開口部
　Ｌｄ、Ｌｆ、Ｌｇ、Ｌｈ、Ｌｔ、Ｌｗ　長さ
　Ｌｖ　露光光
　Ｐｔ、Ｐｗ　ピッチ

Claims

　磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物を、アンテナが配置された基板上に塗布して、組成物層を形成する工程と、
　前記組成物層に露光処理及び現像処理を施して、磁性体パターン部を形成する工程とを有し、
　前記磁性体パターン部は、前記アンテナの周囲のうち少なくとも一部に、前記アンテナと前記基板上において離間して配置される、積層体の製造方法。
　前記基板上に、更に半導体素子が配置されており、
　前記磁性体パターン部が、前記基板上において前記アンテナと前記半導体素子との間に配置される、請求項１に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体パターン部が、前記アンテナの全周に存在する、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体パターン部の幅は、前記アンテナから発信又は前記アンテナが受信する電磁波の波長の１／４の整数倍である、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体パターン部は、前記アンテナから発信又は前記アンテナが受信する電磁波の波長の１／４の整数倍の間隔を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体パターン部は、前記アンテナから発信又は前記アンテナが受信する電磁波の波長の１／４の大きさの整数倍であるラインとスペースの組み合わせによって構成される、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体パターン部の厚みは、３００μｍ以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
　前記磁性体粒子は、Ｆｅ、Ｎｉ、及び、Ｃｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む磁性体粒子であり、
　前記磁性体粒子の平均一次粒子径が２０～１０００ｎｍである、請求項１～７のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
　請求項１～８のいずれか１項に記載の積層体の製造方法を含む、アンテナインパッケージの製造方法。
　基板と、
　前記基板上に配置されたアンテナと、
　前記アンテナとは離間して、前記アンテナの周囲のうち少なくとも一部に配置された磁性体パターン部とを有する、積層体。
　請求項１０に記載の積層体中の磁性体パターン部の形成に用いられる組成物であって、
　磁性体粒子及び重合性化合物を含む組成物。