WO2014097454A1 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014097454A1
WO2014097454A1 PCT/JP2012/083100 JP2012083100W WO2014097454A1 WO 2014097454 A1 WO2014097454 A1 WO 2014097454A1 JP 2012083100 W JP2012083100 W JP 2012083100W WO 2014097454 A1 WO2014097454 A1 WO 2014097454A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
semiconductor substrate
anode
electrode
diode
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/083100
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
亀山　悟
圭佑 木村
Original Assignee
トヨタ自動車株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by トヨタ自動車株式会社 filed Critical トヨタ自動車株式会社
Priority to CN201280077788.5A priority Critical patent/CN104871312B/zh
Priority to DE112012007249.9T priority patent/DE112012007249B4/de
Priority to PCT/JP2012/083100 priority patent/WO2014097454A1/ja
Priority to US14/443,199 priority patent/US10074719B2/en
Priority to JP2014552840A priority patent/JP5924420B2/ja
Publication of WO2014097454A1 publication Critical patent/WO2014097454A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
    • H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes

Definitions

  • the technology described in this specification relates to a semiconductor device.
  • Japanese Patent Publication No. 2012-43890 discloses a semiconductor device in which an IGBT region and a diode region are formed on the same semiconductor substrate.
  • a surface electrode is provided on the front surface of the semiconductor substrate, and a back electrode is provided on the back surface of the semiconductor substrate.
  • the IGBT region includes a first conductivity type collector layer in contact with the back electrode, a second conductivity type IGBT drift layer provided on the surface side of the semiconductor substrate with respect to the collector layer, and an IGBT drift layer.
  • a first conductivity type body layer that is provided on the surface side of the semiconductor substrate and is in contact with the surface electrode, and a trench that extends from the surface of the semiconductor substrate to the IGBT drift layer.
  • a gate electrode insulated from the surface electrode, and a second conductivity type emitter layer that is partially provided between the body layer and the surface electrode and is in contact with the insulating film of the gate electrode and the surface electrode .
  • the diode region is provided with a high second conductivity type cathode layer in contact with the back electrode, and a second conductivity type diode having an impurity concentration lower than that of the cathode layer.
  • the drift layer is provided on the surface side of the semiconductor substrate with respect to the diode drift layer.
  • the first conductivity type anode layer is in contact with the surface electrode, and the trench extends from the surface of the semiconductor substrate to the diode drift layer.
  • a first conductivity type that is disposed between the trench electrode insulated from the semiconductor substrate by the insulating film and between the anode layer and the surface electrode, and is in contact with the surface electrode and has a higher impurity concentration than the anode layer;
  • the anode contact layer is provided.
  • the diode region is partitioned into unit diode regions by a gate electrode or a trench electrode.
  • the anode contact layer is widely formed in the diode region, the amount of holes injected from the anode contact layer to the diode drift layer increases during diode operation, and switching loss increases. For this reason, in order to improve the switching loss during the diode operation, it is preferable to reduce the proportion of the anode contact layer in the diode region. However, if the anode contact layer is simply reduced, forward voltage fluctuations due to gate interference increase during diode operation.
  • This specification discloses a semiconductor device in which an IGBT region and a diode region are formed on the same semiconductor substrate.
  • a surface electrode is provided on the front surface of the semiconductor substrate, and a back electrode is provided on the back surface of the semiconductor substrate.
  • the IGBT region includes a first conductivity type collector layer in contact with the back electrode, a second conductivity type IGBT drift layer provided on the surface side of the semiconductor substrate with respect to the collector layer, and an IGBT drift layer.
  • a first conductivity type body layer that is provided on the surface side of the semiconductor substrate and is in contact with the surface electrode, and a trench that extends from the surface of the semiconductor substrate to the IGBT drift layer.
  • a gate electrode insulated from the surface electrode, and a second conductivity type emitter layer that is partially provided between the body layer and the surface electrode and is in contact with the insulating film of the gate electrode and the surface electrode .
  • the diode region is provided with a high second conductivity type cathode layer in contact with the back electrode, and a second conductivity type diode having an impurity concentration lower than that of the cathode layer.
  • the drift layer is provided on the surface side of the semiconductor substrate with respect to the diode drift layer.
  • the first conductivity type anode layer is in contact with the surface electrode, and the trench extends from the surface of the semiconductor substrate to the diode drift layer.
  • An anode contact layer of one conductivity type is provided.
  • the diode region is partitioned into unit diode regions by a gate electrode or a trench electrode. In the unit diode region adjacent to the IGBT region, when the surface of the semiconductor substrate is viewed in plan, the anode layer and the anode contact layer are mixedly arranged, and at least at the place facing the emitter layer with the gate electrode interposed therebetween, An anode contact layer is disposed.
  • the anode contact layer is not formed entirely but partially formed in the unit diode region adjacent to the IGBT region. With this configuration, the amount of holes injected from the anode contact layer into the diode drift layer during diode operation is reduced. The reverse recovery characteristic of the diode region can be improved and the switching loss can be reduced.
  • the influence of gate interference during diode operation can be suppressed. That is, even when a gate voltage is applied to the gate electrode in the IGBT region and a channel connecting the emitter layer and the IGBT drift layer is formed in the vicinity of the gate electrode during diode operation, a unit adjacent to the IGBT region is formed. In the diode region, since the anode contact layer is formed at a position facing the emitter layer with the gate electrode interposed therebetween, it is possible to suppress the reduction of holes due to the formation of the channel. Thereby, fluctuations in the forward voltage due to gate interference during diode operation can be suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device according to Example 1.
  • FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 1. It is a top view of the semiconductor device which concerns on a modification. It is a top view of the semiconductor device which concerns on a modification. It is a top view of the semiconductor device which concerns on a modification. It is a top view of the semiconductor device which concerns on a modification.
  • anode contact layers and anode layers are alternately arranged in the unit diode region adjacent to the IGBT region in the direction in which the gate electrode extends when the surface of the semiconductor substrate is viewed in plan view. Can be configured.
  • the anode contact layer is left in a portion facing the emitter layer with the gate electrode interposed therebetween, and the proportion of the anode contact layer in the unit diode region is reduced. Can be made.
  • the semiconductor device disclosed in this specification includes an anode contact layer in the vicinity of a gate electrode in a unit diode region adjacent to the IGBT region in a direction orthogonal to the direction in which the gate electrode extends when the surface of the semiconductor substrate is viewed in plan view.
  • the anode layer is arranged in the center of the unit diode region.
  • the anode contact layer is left in a portion facing the emitter layer with the gate electrode interposed therebetween, and the proportion of the anode contact layer in the unit diode region is reduced. Can be made.
  • the semiconductor device 2 shown in FIG. 1 to FIG. 3 is an RC-IGBT in which an IGBT and a diode are formed on the same semiconductor substrate 4.
  • the semiconductor device 2 has a plurality of IGBT regions and a plurality of diode regions alternately arranged, and has a plurality of boundaries between the IGBT regions and the diode regions.
  • 1 to 3 illustrate one of the boundaries between the plurality of IGBT regions and the diode region, and each of the plurality of boundaries of the semiconductor device 2 has the same configuration as in FIGS. ing.
  • the semiconductor device 2 includes a semiconductor substrate 4, a dummy gate 8, an insulating gate 10 and a surface insulating film 12 formed on the surface side of the semiconductor substrate 4, a surface electrode 6 in contact with the surface of the semiconductor substrate 4, and the semiconductor substrate 4 And a back electrode 14 in contact with the back surface.
  • the dummy gate 8 and the insulated gate 10 are formed on the semiconductor substrate 4 at a substantially constant interval.
  • the semiconductor substrate 4 includes a diode region 16 and an IGBT region 18.
  • the diode region 16 is made of an anode contact layer 20 made of a p-type semiconductor having a high impurity concentration, an anode layer 22 made of a p-type semiconductor, and an n-type semiconductor having a low impurity concentration.
  • a drift layer 24, a buffer layer 26 made of an n-type semiconductor, and a cathode layer 28 made of an n-type semiconductor having a high impurity concentration are formed.
  • the anode contact layer 20 and the anode layer 22 are exposed on the surface of the semiconductor substrate 4 and are in contact with the surface electrode 6.
  • the anode contact layer 20 is partially formed on the surface layer portion of the anode layer 22.
  • the drift layer 24 is formed on the back surface of the anode layer 22.
  • the buffer layer 26 is formed on the back surface of the drift layer 24.
  • the cathode layer 28 is formed on the back surface of the buffer layer 26. The cathode layer 28 is exposed on the back surface of the semiconductor substrate 4 and is in contact with the back electrode 14.
  • the IGBT region 18 includes a body contact layer 30 made of a p-type semiconductor having a high impurity concentration, an emitter layer 32 made of an n-type semiconductor having a high impurity concentration, a body layer 34 made of a p-type semiconductor, and an n having a low impurity concentration.
  • a drift layer 24 made of a p-type semiconductor, a buffer layer 26 made of an n-type semiconductor, and a collector layer 36 made of a p-type semiconductor having a high impurity concentration are formed.
  • the body contact layer 30, the emitter layer 32, and the body layer 34 are exposed on the surface of the semiconductor substrate 4 and are in contact with the surface electrode 6.
  • the body contact layer 30 and the emitter layer 32 are partially formed on the surface layer portion of the body layer 34.
  • the drift layer 24 is formed on the back surface of the body layer 34.
  • the buffer layer 26 is formed on the back surface of the drift layer 24.
  • the collector layer 36 is formed on the back surface of the buffer layer 26. The collector layer 36 is exposed on the back surface of the semiconductor substrate 4 and is in contact with the back electrode 14.
  • the drift layer 24 (also referred to as a diode drift layer) in the diode region 16 and the drift layer 24 (also referred to as an IGBT drift layer) in the IGBT region 18 are formed as a common layer.
  • the buffer layer 26 in the diode region 16 and the buffer layer 26 in the IGBT region 18 are formed as a common layer.
  • the anode layer 22 in the diode region 16 and the body layer 34 in the IGBT region 18 are formed as a common layer. In other words, the anode layer 22 in the diode region 16 and the body layer 34 in the IGBT region 18 have a common depth and impurity concentration from the surface of the semiconductor substrate 4.
  • the dummy gate 8 penetrates the anode layer 22 from the surface side of the semiconductor substrate 4 and reaches the inside of the drift layer 24 in the diode region 16.
  • the dummy gate 8 includes a dummy gate insulating film 40 formed inside a trench 38 formed on the surface side of the semiconductor substrate 4, and a dummy gate electrode covered with the dummy gate insulating film 40 and filled in the trench 38. 42.
  • the dummy gate electrode 42 is in contact with the surface electrode 6 and is electrically connected to the surface electrode 6.
  • the insulated gate 10 penetrates the body layer 34 from the surface side of the semiconductor substrate 4 and reaches the inside of the drift layer 24 in the IGBT region 18.
  • the insulated gate 10 includes a gate insulating film 46 formed on the inner wall of the trench 44 formed on the surface side of the semiconductor substrate 4 and a gate electrode 48 covered with the gate insulating film 46 and filled in the trench 44. I have.
  • the gate electrode 48 is isolated from the surface electrode 6 by the surface insulating film 12.
  • the gate electrode 48 is electrically connected to a gate electrode terminal (not shown).
  • the diode region 16 is composed of a plurality of unit diode regions partitioned by the trench 38 of the dummy gate 8 or the trench 44 of the insulated gate 10.
  • the IGBT region 18 is composed of a plurality of unit IGBT regions partitioned by the trench 44 of the insulated gate 10.
  • a unit diode region adjacent to the IGBT region 18 is referred to as a unit diode region 16a
  • a unit IGBT region adjacent to the unit diode region 16a is referred to as a unit IGBT region 18a.
  • the emitter layer 32 is between two insulated gates 10 arranged side by side in a direction (Y direction in the figure) in which the insulated gate 10 extends from one insulated gate 10 to the other insulated gate 10. It arrange
  • the body layer 34 is partitioned into a rectangular range by the insulated gate 10 and the emitter layer 32, and the body contact layer 30 is disposed near the center of the partitioned body layer 34. Has been.
  • the anode contact layer 20 is disposed only in a region close to the insulated gate 10 or the dummy gate 8.
  • the anode contact layer 20 is disposed only on the extension line in the direction in which the emitter layer 32 extends in the IGBT region 18. That is, in the unit diode region 16a adjacent to the IGBT region 18, the anode contact layer 20 is disposed at a position facing the emitter layer 32 of the unit IGBT region 18a adjacent to the unit diode region 16a with the insulating gate 10 interposed therebetween. Yes.
  • the anode contact layer 20 and the anode layer 22 are alternately arranged in the vicinity of the insulating gate 10 in the direction in which the insulating gate 10 extends (Y direction in the figure).
  • the anode contact layer 20 is disposed in the vicinity of the insulating gate 10 in the unit diode region 16a adjacent to the unit IGBT region 18a in the direction orthogonal to the direction in which the insulating gate 10 extends (X direction in the figure).
  • the anode layer 22 is disposed at the center of the unit diode region 16a.
  • the impurity concentration of the anode layer 22 at a location facing the emitter layer 32 with the insulating gate 10 interposed therebetween is higher.
  • the impurity concentration of the anode layer 22 in the unit diode region 16a adjacent to the unit IGBT region 18a is a maximum value at a location facing the emitter layer 32 with the insulated gate 10 interposed therebetween.
  • the anode contact layer 20 is formed in a unit diode region 16a adjacent to the unit IGBT region 18a at a location facing the emitter layer 32 with the insulating gate 10 interposed therebetween.
  • the influence of gate interference during diode operation can be suppressed. That is, even when a gate voltage is applied to the gate electrode 48 of the unit IGBT region 18a and a channel connecting the emitter layer 32 and the drift layer 24 is formed in the vicinity of the insulated gate 10 during diode operation, Since the anode contact layer 20 is formed at a position facing the emitter layer 32 across the insulated gate 10 in the diode region 16a, the reduction of holes due to the formation of the channel can be suppressed. Thereby, fluctuations in the forward voltage due to gate interference during diode operation can be suppressed.
  • the anode contact layer 20 is not formed entirely but partially formed in the unit diode region 16a adjacent to the unit IGBT region 18a. With this configuration, the amount of holes injected from the anode contact layer 20 into the drift layer 24 during diode operation is reduced. The reverse recovery characteristic of the diode region 16 can be improved and the switching loss can be reduced.
  • the arrangement of the anode contact layer 20 in the diode region 16 is not limited to that in the above embodiment.
  • the anode contact layer 20 has a direction (X direction in the figure) orthogonal to the direction (Y direction in the figure) in which the insulated gate 10 or the dummy gate 8 extends. It may be arranged to extend.
  • the anode contact layer 20 is disposed only on the extension line in the direction in which the emitter layer 32 extends in the IGBT region 18.
  • the anode contact layer 20 and the anode layer 22 are alternately arranged in the direction in which the insulated gate 10 extends (Y direction in the drawing). .
  • the anode contact layer 20 may be formed in a ladder shape having a partial opening.
  • the anode contact layer 20 and the anode layer are formed in the center of the unit diode region 16a with respect to the direction in which the insulated gate 10 extends (Y direction in the figure). 22 are alternately arranged.
  • the anode contact layer is located in the vicinity of the insulating gate 10 in the direction orthogonal to the direction in which the insulating gate 10 extends (X direction in the figure). 20 is disposed, and the anode layer 22 is disposed in the center of the unit diode region 16a.
  • the arrangement of the emitter layer 32 in the IGBT region 18 is not limited to that in the above embodiment.
  • the emitter layers 32 may be arranged in a lattice pattern as in the semiconductor device 54 of the modification shown in FIG.
  • the emitter layer 32 may be arranged in a ladder shape having a partial opening.
  • the anode contact layer 20 in the diode region 16 is disposed at a location facing the emitter layer 32 with the insulated gate 10 interposed therebetween.
  • the anode contact layer 20 in the diode region 16 extends parallel to the direction (Y direction) in which the insulated gate 10 or the dummy gate 8 extends at a location close to the insulated gate 10 or the dummy gate 8. Is arranged.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

　本明細書は、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置を開示する。ＩＧＢＴ領域は、コレクタ層と、ＩＧＢＴドリフト層と、ボディ層と、ゲート電極と、エミッタ層を備えている。ダイオード領域は、カソード層と、ダイオードドリフト層と、アノード層と、トレンチ電極と、アノードコンタクト層を備えている。ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されている。ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、アノード層とアノードコンタクト層が混在して配置されており、少なくともゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所に、アノードコンタクト層が配置されている。

Description

半導体装置
　本明細書に記載の技術は、半導体装置に関する。
　日本国特許公開公報２０１２－４３８９０号には、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置が開示されている。半導体基板の表面には表面電極が設けられており、半導体基板の裏面には裏面電極が設けられている。ＩＧＢＴ領域は、裏面電極に接している第１導電型のコレクタ層と、コレクタ層に対して半導体基板の表面側に設けられた、第２導電型のＩＧＢＴドリフト層と、ＩＧＢＴドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のボディ層と、半導体基板の表面からＩＧＢＴドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板と表面電極から絶縁されたゲート電極と、ボディ層と表面電極の間に部分的に設けられており、ゲート電極の絶縁膜と表面電極に接している第２導電型のエミッタ層を備えている。ダイオード領域は、裏面電極に接している高い第２導電型のカソード層と、カソード層に対して半導体基板の表面側に設けられており、不純物濃度がカソード層よりも低い第２導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のアノード層と、半導体基板の表面からダイオードドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板から絶縁されたトレンチ電極と、アノード層と表面電極の間に設けられており、表面電極に接している、不純物濃度がアノード層よりも高い第１導電型のアノードコンタクト層を備えている。ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されている。
　ダイオード領域においてアノードコンタクト層が広く形成されていると、ダイオード動作時に、アノードコンタクト層からダイオードドリフト層への正孔注入量が多くなり、スイッチング損失が増大してしまう。このため、ダイオード動作時のスイッチング損失を改善するためには、ダイオード領域においてアノードコンタクト層が占める割合を低減することが好ましい。しかしながら、単純にアノードコンタクト層を縮小すると、ダイオード動作時に、ゲート干渉による順方向電圧の変動が大きくなってしまう。
　本明細書は、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置を開示する。半導体基板の表面には表面電極が設けられており、半導体基板の裏面には裏面電極が設けられている。ＩＧＢＴ領域は、裏面電極に接している第１導電型のコレクタ層と、コレクタ層に対して半導体基板の表面側に設けられた、第２導電型のＩＧＢＴドリフト層と、ＩＧＢＴドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のボディ層と、半導体基板の表面からＩＧＢＴドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板と表面電極から絶縁されたゲート電極と、ボディ層と表面電極の間に部分的に設けられており、ゲート電極の絶縁膜と表面電極に接している第２導電型のエミッタ層を備えている。ダイオード領域は、裏面電極に接している高い第２導電型のカソード層と、カソード層に対して半導体基板の表面側に設けられており、不純物濃度がカソード層よりも低い第２導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のアノード層と、半導体基板の表面からダイオードドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板から絶縁されたトレンチ電極と、アノード層と表面電極の間に部分的に設けられており、表面電極に接している、不純物濃度がアノード層よりも高い第１導電型のアノードコンタクト層を備えている。ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されている。ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、アノード層とアノードコンタクト層が混在して配置されており、少なくともゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所に、アノードコンタクト層が配置されている。
　上記の半導体装置では、ＩＧＢＴ領域に隣接する単位ダイオード領域において、アノードコンタクト層が、全面的に形成されているわけではなく、部分的に形成されている。このような構成とすることによって、ダイオード動作時の、アノードコンタクト層からダイオードドリフト層への正孔の注入量が低減される。ダイオード領域の逆回復特性を向上し、スイッチング損失を低減することができる。
　また、上記の半導体装置によれば、ダイオード動作時のゲート干渉の影響を抑制することができる。すなわち、ダイオード動作時に、ＩＧＢＴ領域のゲート電極にゲート電圧が印加されて、ゲート電極の近傍にエミッタ層とＩＧＢＴドリフト層を接続するチャネルが形成される場合であっても、ＩＧＢＴ領域に隣接する単位ダイオード領域において、ゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所にアノードコンタクト層が形成されているため、チャネルの形成に起因する正孔の低減を抑制することができる。これによって、ダイオード動作時のゲート干渉による順方向電圧の変動を抑制することができる。
実施例１に係る半導体装置の平面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。 変形例に係る半導体装置の平面図である。 変形例に係る半導体装置の平面図である。 変形例に係る半導体装置の平面図である。 変形例に係る半導体装置の平面図である。
　本明細書が開示する半導体装置は、ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、ゲート電極が伸びる方向に関して、アノードコンタクト層とアノード層が交互に配置されているように構成することができる。
　上記の半導体装置によれば、ＩＧＢＴ領域に隣接する単位ダイオード領域において、ゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所にアノードコンタクト層を残存させつつ、単位ダイオード領域においてアノードコンタクト層が占める割合を低減させることができる。
　本明細書が開示する半導体装置は、ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、ゲート電極が伸びる方向に直交する方向に関して、ゲート電極の近傍にアノードコンタクト層が配置されており、単位ダイオード領域の中央にアノード層が配置されているように構成することができる。
　上記の半導体装置によれば、ＩＧＢＴ領域に隣接する単位ダイオード領域において、ゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所にアノードコンタクト層を残存させつつ、単位ダイオード領域においてアノードコンタクト層が占める割合を低減させることができる。
　図１－図３に示す半導体装置２は、ＩＧＢＴとダイオードが同一の半導体基板４に形成されたＲＣ－ＩＧＢＴである。なお、図１に示す平面図は、半導体基板４の表面に形成された表面電極６の図示を省略しており、半導体基板４の表面を図示している。また、半導体装置２は、複数のＩＧＢＴ領域と複数のダイオード領域が交互に配置されており、ＩＧＢＴ領域とダイオード領域の境界を複数有している。図１－図３は、複数のＩＧＢＴ領域とダイオード領域の境界のうちの１つを図示しており、半導体装置２の複数の境界は、いずれも図１－図３と同様の構成を有している。
　半導体装置２は、半導体基板４と、半導体基板４の表面側に形成されたダミーゲート８，絶縁ゲート１０および表面絶縁膜１２と、半導体基板４の表面に接する表面電極６と、半導体基板４の裏面に接する裏面電極１４とを備えている。ダミーゲート８と絶縁ゲート１０は、略一定の間隔で半導体基板４に形成されている。半導体基板４は、ダイオード領域１６と、ＩＧＢＴ領域１８とを備えている。
　図２および図３に示すように、ダイオード領域１６には、不純物濃度の高いｐ型半導体からなるアノードコンタクト層２０と、ｐ型半導体からなるアノード層２２と、不純物濃度の低いｎ型半導体からなるドリフト層２４と、ｎ型半導体からなるバッファ層２６と、不純物濃度の高いｎ型半導体からなるカソード層２８が形成されている。アノードコンタクト層２０、アノード層２２は、半導体基板４の表面に露出しており、表面電極６に接触している。アノードコンタクト層２０は、アノード層２２の表層部分に部分的に形成されている。ドリフト層２４は、アノード層２２の裏面に形成されている。バッファ層２６は、ドリフト層２４の裏面に形成されている。カソード層２８は、バッファ層２６の裏面に形成されている。カソード層２８は半導体基板４の裏面に露出しており、裏面電極１４に接触している。
　ＩＧＢＴ領域１８には、不純物濃度の高いｐ型半導体からなるボディコンタクト層３０と、不純物濃度の高いｎ型半導体からなるエミッタ層３２と、ｐ型半導体からなるボディ層３４と、不純物濃度の低いｎ型半導体からなるドリフト層２４と、ｎ型半導体からなるバッファ層２６と、不純物濃度の高いｐ型半導体からなるコレクタ層３６が形成されている。ボディコンタクト層３０、エミッタ層３２、ボディ層３４は、半導体基板４の表面に露出しており、表面電極６に接触している。ボディコンタクト層３０およびエミッタ層３２は、ボディ層３４の表層部分に部分的に形成されている。ドリフト層２４は、ボディ層３４の裏面に形成されている。バッファ層２６は、ドリフト層２４の裏面に形成されている。コレクタ層３６は、バッファ層２６の裏面に形成されている。コレクタ層３６は半導体基板４の裏面に露出しており、裏面電極１４に接触している。
　半導体装置２では、ダイオード領域１６のドリフト層２４（ダイオードドリフト層ともいう）と、ＩＧＢＴ領域１８のドリフト層２４（ＩＧＢＴドリフト層ともいう）が、共通の層として形成されている。半導体装置２では、ダイオード領域１６のバッファ層２６とＩＧＢＴ領域１８のバッファ層２６が、共通の層として形成されている。また、半導体装置２では、ダイオード領域１６のアノード層２２とＩＧＢＴ領域１８のボディ層３４が、共通の層として形成されている。言い換えると、ダイオード領域１６のアノード層２２とＩＧＢＴ領域１８のボディ層３４は、半導体基板４の表面からの深さや、不純物濃度が共通している。
　ダミーゲート８は、ダイオード領域１６において、半導体基板４の表面側からアノード層２２を貫通し、ドリフト層２４の内部まで達している。ダミーゲート８は、半導体基板４の表面側に形成されたトレンチ３８の内側に形成されたダミーゲート絶縁膜４０と、ダミーゲート絶縁膜４０に覆われてトレンチ３８内に充填されているダミーゲート電極４２とを備えている。ダミーゲート電極４２は、表面電極６に接触しており、表面電極６と電気的に接続されている。
　絶縁ゲート１０は、ＩＧＢＴ領域１８において、半導体基板４の表面側からボディ層３４を貫通し、ドリフト層２４の内部まで達している。絶縁ゲート１０は、半導体基板４の表面側に形成されたトレンチ４４の内壁に形成されたゲート絶縁膜４６と、ゲート絶縁膜４６に覆われてトレンチ４４内に充填されているゲート電極４８とを備えている。ゲート電極４８は、表面絶縁膜１２によって、表面電極６と隔離されている。ゲート電極４８は、図示しないゲート電極端子と電気的に接続されている。
　ダイオード領域１６は、ダミーゲート８のトレンチ３８または絶縁ゲート１０のトレンチ４４によって区画された複数の単位ダイオード領域から構成されている。ＩＧＢＴ領域１８は、絶縁ゲート１０のトレンチ４４によって区画された複数の単位ＩＧＢＴ領域から構成されている。以下では、特に、ＩＧＢＴ領域１８に隣接する単位ダイオード領域を単位ダイオード領域１６ａと表記し、単位ダイオード領域１６ａに隣接する単位ＩＧＢＴ領域を単位ＩＧＢＴ領域１８ａと表記する。
　以下では、図１に示すように半導体基板４を上面視したときの配置の特徴について述べる。ＩＧＢＴ領域１８において、エミッタ層３２は、並んで配置された２つの絶縁ゲート１０の間で、一方の絶縁ゲート１０から他方の絶縁ゲート１０まで、絶縁ゲート１０が伸びる方向（図のＹ方向）に対して直交する方向（図のＸ方向）に伸びるように配置されている。半導体基板４を上面視したときに、ボディ層３４は、絶縁ゲート１０とエミッタ層３２によって、矩形の範囲に区画されており、ボディコンタクト層３０は、区画されたボディ層３４の中央付近に配置されている。ダイオード領域１６において、アノードコンタクト層２０は、絶縁ゲート１０またはダミーゲート８に近接する領域にのみ配置されている。アノードコンタクト層２０は、ＩＧＢＴ領域１８においてエミッタ層３２が伸びる方向の延長線上にのみ配置されている。すなわち、ＩＧＢＴ領域１８に隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、アノードコンタクト層２０は、単位ダイオード領域１６ａに隣接する単位ＩＧＢＴ領域１８ａのエミッタ層３２と、絶縁ゲート１０を挟んで対向する位置に配置されている。本実施例では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、絶縁ゲート１０の近傍において、絶縁ゲート１０が伸びる方向（図のＹ方向）に関して、アノードコンタクト層２０とアノード層２２が交互に配置されている。また、本実施例では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、絶縁ゲート１０が伸びる方向に直交する方向（図のＸ方向）に関して、絶縁ゲート１０の近傍にアノードコンタクト層２０が配置されており、単位ダイオード領域１６ａの中央にアノード層２２が配置されている。
　アノードコンタクト層２０をアノード層２２の一部として捉える場合、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａでは、絶縁ゲート１０を挟んでエミッタ層３２と対向する箇所のアノード層２２の不純物濃度が、その単位ダイオード領域１６ａにおけるアノード層２２の平均的な不純物濃度よりも高い。あるいは、絶縁ゲート１０が伸びる方向（Ｙ方向）に関して、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおけるアノード層２２の不純物濃度は、絶縁ゲート１０を挟んでエミッタ層３２と対向する箇所で極大値を有する。
　本実施例の半導体装置２では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、絶縁ゲート１０を挟んでエミッタ層３２と対向する箇所に、アノードコンタクト層２０が形成されている。このような構成とすることによって、半導体装置２がＩＧＢＴ動作をしており、ＩＧＢＴ領域１８がオンからオフに切り換わる際、単位ダイオード領域１６ａのドリフト層２４に蓄積した正孔が単位ＩＧＢＴ領域１８ａのボディコンタクト層３０に集中して流れることを防ぐことができる。単位ＩＧＢＴ領域１８ａのターンオフ時のボディコンタクト層３０への正孔電流が抑制されることで、エミッタ層３２に起因するラッチアップを抑制し、半導体装置２のＲＢＳＯＡ耐量を向上することができる。
　また、本実施例の半導体装置２では、ダイオード動作時のゲート干渉の影響を抑制することができる。すなわち、ダイオード動作時に、単位ＩＧＢＴ領域１８ａのゲート電極４８にゲート電圧が印加されて、絶縁ゲート１０の近傍にエミッタ層３２とドリフト層２４を接続するチャネルが形成される場合であっても、単位ダイオード領域１６ａの絶縁ゲート１０を挟んでエミッタ層３２と対向する位置にアノードコンタクト層２０が形成されているため、チャネルの形成に起因する正孔の低減を抑制することができる。これによって、ダイオード動作時のゲート干渉による順方向電圧の変動を抑制することができる。
　本実施例の半導体装置２では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、アノードコンタクト層２０が、全面的に形成されているわけではなく、部分的に形成されている。このような構成とすることによって、ダイオード動作時の、アノードコンタクト層２０からドリフト層２４への正孔の注入量が低減される。ダイオード領域１６の逆回復特性を向上し、スイッチング損失を低減することができる。
　（変形例）
　ダイオード領域１６におけるアノードコンタクト層２０の配置は、上記の実施例のものに限られるものではない。例えば、図４に示す変形例の半導体装置５０のように、アノードコンタクト層２０は、絶縁ゲート１０またはダミーゲート８が伸びる方向（図のＹ方向）に対して直交する方向（図のＸ方向）に伸びるように配置されていてもよい。図４に示す変形例では、アノードコンタクト層２０は、ＩＧＢＴ領域１８においてエミッタ層３２が伸びる方向の延長線上にのみ配置されている。図４に示す変形例では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、絶縁ゲート１０が伸びる方向（図のＹ方向）に関して、アノードコンタクト層２０とアノード層２２が交互に配置されている。
　あるいは、図５に示す変形例の半導体装置５２のように、アノードコンタクト層２０が部分的な開口を有する梯子状に形成されていてもよい。図５に示す変形例では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、単位ダイオード領域１６ａの中央において、絶縁ゲート１０が伸びる方向（図のＹ方向）に関して、アノードコンタクト層２０とアノード層２２が交互に配置されている。また、図５に示す変形例では、単位ＩＧＢＴ領域１８ａに隣接する単位ダイオード領域１６ａにおいて、絶縁ゲート１０が伸びる方向に直交する方向（図のＸ方向）に関して、絶縁ゲート１０の近傍にアノードコンタクト層２０が配置されており、単位ダイオード領域１６ａの中央にアノード層２２が配置されている。
　ＩＧＢＴ領域１８におけるエミッタ層３２の配置は、上記の実施例のものに限られない。例えば、図６に示す変形例の半導体装置５４のように、エミッタ層３２が、格子状に配置されていてもよい。あるいは、図７に示す変形例の半導体装置５６に示すように、エミッタ層３２が、部分的な開口を有する梯子状に配置されていてもよい。図６に示す変形例では、ダイオード領域１６のアノードコンタクト層２０は、絶縁ゲート１０を挟んでエミッタ層３２と対向する箇所に配置されている。図７に示す変形例では、ダイオード領域１６のアノードコンタクト層２０は、絶縁ゲート１０またはダミーゲート８に近接する箇所において、絶縁ゲート１０またはダミーゲート８が伸びる方向（Ｙ方向）と平行に伸びるように配置されている。
　本発明の代表的かつ非限定的な具体例について、図面を参照して詳細に説明した。この詳細な説明は、本発明の好ましい例を実施するための詳細を当業者に示すことを単純に意図しており、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。また、開示された追加的な特徴ならびに発明は、さらに改善された半導体装置を提供するために、他の特徴や発明とは別に、又は共に用いることができる。
　また、上記の詳細な説明で開示された特徴や工程の組み合わせは、最も広い意味において本発明を実施する際に必須のものではなく、特に本発明の代表的な具体例を説明するためにのみ記載されるものである。さらに、上記の代表的な具体例の様々な特徴、ならびに、特許請求の範囲に記載されるものの様々な特徴は、本発明の追加的かつ有用な実施形態を提供するにあたって、ここに記載される具体例のとおりに、あるいは列挙された順番のとおりに組合せなければならないものではない。
　本明細書及び／又は特許請求の範囲に記載された全ての特徴は、実施例及び／又は特許請求の範囲に記載された特徴の構成とは別に、出願当初の開示ならびに特許請求の範囲に記載された特定事項に対する限定として、個別に、かつ互いに独立して開示されることを意図するものである。さらに、全ての数値範囲及びグループ又は集団に関する記載は、出願当初の開示ならびに特許請求の範囲に記載された特定事項に対する限定として、それらの中間の構成を開示する意図を持ってなされている。
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims (3)

  1. 　ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、
    　半導体基板の表面には表面電極が設けられており、半導体基板の裏面には裏面電極が設けられており、
    　ＩＧＢＴ領域は、
    　裏面電極に接している第１導電型のコレクタ層と、
    　コレクタ層に対して半導体基板の表面側に設けられた、第２導電型のＩＧＢＴドリフト層と、
    　ＩＧＢＴドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のボディ層と、
    　半導体基板の表面からＩＧＢＴドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板と表面電極から絶縁されたゲート電極と、
    　ボディ層と表面電極の間に部分的に設けられており、ゲート電極の絶縁膜と表面電極に接している第２導電型のエミッタ層を備えており、
    　ダイオード領域は、
    　裏面電極に接している高い第２導電型のカソード層と、
    　カソード層に対して半導体基板の表面側に設けられており、不純物濃度がカソード層よりも低い第２導電型のダイオードドリフト層と、
    　ダイオードドリフト層に対して半導体基板の表面側に設けられており、表面電極に接している第１導電型のアノード層と、
    　半導体基板の表面からダイオードドリフト層まで達するトレンチの内部に配置されており、絶縁膜によって半導体基板から絶縁されたトレンチ電極と、
    　アノード層と表面電極の間に部分的に設けられており、表面電極に接している、不純物濃度がアノード層よりも高い第１導電型のアノードコンタクト層を備えており、
    　ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されており、
    　ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、アノード層とアノードコンタクト層が混在して配置されており、少なくともゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所に、アノードコンタクト層が配置されている、半導体装置。
  2. 　ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、ゲート電極が伸びる方向に関して、アノードコンタクト層とアノード層が交互に配置されている、請求項１の半導体装置。
  3. 　ＩＧＢＴ領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、ゲート電極が伸びる方向に直交する方向に関して、ゲート電極の近傍にアノードコンタクト層が配置されており、単位ダイオード領域の中央にアノード層が配置されている、請求項１または２の半導体装置。
PCT/JP2012/083100 2012-12-20 2012-12-20 半導体装置 WO2014097454A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280077788.5A CN104871312B (zh) 2012-12-20 2012-12-20 半导体装置
DE112012007249.9T DE112012007249B4 (de) 2012-12-20 2012-12-20 Halbleitervorrichtung
PCT/JP2012/083100 WO2014097454A1 (ja) 2012-12-20 2012-12-20 半導体装置
US14/443,199 US10074719B2 (en) 2012-12-20 2012-12-20 Semiconductor device in which an insulated-gate bipolar transistor ( IGBT) region and a diode region are formed on one semiconductor substrate
JP2014552840A JP5924420B2 (ja) 2012-12-20 2012-12-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/083100 WO2014097454A1 (ja) 2012-12-20 2012-12-20 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014097454A1 true WO2014097454A1 (ja) 2014-06-26

Family

ID=50977832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/083100 WO2014097454A1 (ja) 2012-12-20 2012-12-20 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10074719B2 (ja)
JP (1) JP5924420B2 (ja)
CN (1) CN104871312B (ja)
DE (1) DE112012007249B4 (ja)
WO (1) WO2014097454A1 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015177058A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 半導体装置
WO2016009714A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
WO2016021299A1 (ja) * 2014-08-06 2016-02-11 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2016100464A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 三菱電機株式会社 逆導通型半導体装置
CN106206573A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2017152523A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社日立製作所 パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール
WO2018074427A1 (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 富士電機株式会社 半導体装置
JP2018113470A (ja) * 2014-11-17 2018-07-19 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2018182216A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US10763252B2 (en) 2017-03-15 2020-09-01 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
CN112054022A (zh) * 2019-06-07 2020-12-08 英飞凌科技股份有限公司 半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置
CN113394279A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 三菱电机株式会社 半导体装置
JP2021158199A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102021125993A1 (de) 2020-10-21 2022-04-21 Mitsubishi Electric Corporation Rückwärts leitende Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer rückwärts leitenden Halbleitervorrichtung
US12002806B2 (en) 2020-10-21 2024-06-04 Mitsubishi Electric Corporation Reverse conducting semiconductor device and method for manufacturing reverse conducting semiconductor device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112016006787T5 (de) * 2016-04-25 2019-01-17 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
JP6935351B2 (ja) * 2018-03-20 2021-09-15 株式会社東芝 半導体装置
JP7222180B2 (ja) * 2018-04-04 2023-02-15 富士電機株式会社 半導体装置
JP7250473B2 (ja) * 2018-10-18 2023-04-03 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7241656B2 (ja) * 2019-09-25 2023-03-17 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP7339908B2 (ja) * 2020-03-19 2023-09-06 株式会社東芝 半導体装置およびその制御方法
JP7403401B2 (ja) * 2020-07-10 2023-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221012A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置とその製造方法
JP2010171385A (ja) * 2008-12-24 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置
JP2012043890A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Denso Corp 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066694A (ja) * 2006-03-16 2008-03-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP2003694B1 (en) * 2007-06-14 2011-11-23 Denso Corporation Semiconductor device
JP4952638B2 (ja) 2008-04-07 2012-06-13 トヨタ自動車株式会社 半導体素子と半導体装置とその駆動方法
JP5672766B2 (ja) 2010-05-17 2015-02-18 株式会社デンソー 半導体装置
DE102011079747A1 (de) * 2010-07-27 2012-02-02 Denso Corporation Halbleitervorrichtung mit Schaltelement und Freilaufdiode, sowie Steuerverfahren hierfür
US8716746B2 (en) * 2010-08-17 2014-05-06 Denso Corporation Semiconductor device
JP2012064849A (ja) 2010-09-17 2012-03-29 Toshiba Corp 半導体装置
CN103765582B (zh) 2011-08-30 2016-08-24 丰田自动车株式会社 半导体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221012A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Fuji Electric Device Technology Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置とその製造方法
JP2010171385A (ja) * 2008-12-24 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置
JP2012043890A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Denso Corp 半導体装置

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015177058A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 半導体装置
EP3171410A4 (en) * 2014-07-14 2017-07-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
WO2016009714A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP2016021472A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US9793266B2 (en) 2014-07-14 2017-10-17 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2016039215A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9966372B2 (en) 2014-08-06 2018-05-08 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having parallel contact holes between adjacent trenches
WO2016021299A1 (ja) * 2014-08-06 2016-02-11 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2018113470A (ja) * 2014-11-17 2018-07-19 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2016100464A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 三菱電機株式会社 逆導通型半導体装置
CN106206573A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2016225327A (ja) * 2015-05-26 2016-12-28 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
CN106206573B (zh) * 2015-05-26 2019-02-01 丰田自动车株式会社 半导体装置
JP2017152523A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 株式会社日立製作所 パワー半導体素子およびそれを用いるパワー半導体モジュール
WO2018074427A1 (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 富士電機株式会社 半導体装置
JPWO2018074427A1 (ja) * 2016-10-17 2019-03-07 富士電機株式会社 半導体装置
US10741547B2 (en) 2016-10-17 2020-08-11 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US10763252B2 (en) 2017-03-15 2020-09-01 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2018182216A (ja) * 2017-04-20 2018-11-15 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
CN112054022A (zh) * 2019-06-07 2020-12-08 英飞凌科技股份有限公司 半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置
CN113394279A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 三菱电机株式会社 半导体装置
JP2021158199A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7359053B2 (ja) 2020-03-26 2023-10-11 三菱電機株式会社 半導体装置
US11908954B2 (en) 2020-03-26 2024-02-20 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other
DE102021125993A1 (de) 2020-10-21 2022-04-21 Mitsubishi Electric Corporation Rückwärts leitende Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer rückwärts leitenden Halbleitervorrichtung
JP2022067730A (ja) * 2020-10-21 2022-05-09 三菱電機株式会社 逆導通型半導体装置および逆導通型半導体装置の製造方法
JP7370309B2 (ja) 2020-10-21 2023-10-27 三菱電機株式会社 逆導通型半導体装置および逆導通型半導体装置の製造方法
US12002806B2 (en) 2020-10-21 2024-06-04 Mitsubishi Electric Corporation Reverse conducting semiconductor device and method for manufacturing reverse conducting semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20150295042A1 (en) 2015-10-15
DE112012007249T5 (de) 2015-10-08
DE112012007249B4 (de) 2021-02-04
CN104871312A (zh) 2015-08-26
JP5924420B2 (ja) 2016-05-25
CN104871312B (zh) 2017-06-16
JPWO2014097454A1 (ja) 2017-01-12
US10074719B2 (en) 2018-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5924420B2 (ja) 半導体装置
CN106688083B (zh) 半导体装置
CN106206698B (zh) 反向导通绝缘栅双极性晶体管
JP6022774B2 (ja) 半導体装置
JP6221974B2 (ja) 半導体装置
JP6281548B2 (ja) 半導体装置
US9853024B2 (en) Semiconductor device
JP6135636B2 (ja) 半導体装置
JP5630582B2 (ja) 半導体装置
JP6053050B2 (ja) 逆導通ｉｇｂｔ
WO2010143288A1 (ja) 半導体装置
JP6098707B2 (ja) 半導体装置
JP2013026534A (ja) 半導体装置
JP2013080796A (ja) 半導体装置
JP6283468B2 (ja) 逆導通ｉｇｂｔ
JP5941214B2 (ja) 半導体装置
US9899374B2 (en) Semiconductor device
JP2014103352A (ja) 半導体装置
JP6179468B2 (ja) 半導体装置
JP5700028B2 (ja) 半導体装置
WO2024029153A1 (ja) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
JP2018182216A (ja) 半導体装置
JP2013187399A (ja) ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12890276

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014552840

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14443199

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120120072499

Country of ref document: DE

Ref document number: 112012007249

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12890276

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1