WO2010050494A1 - 半導電性ゴム組成物及びその加硫物 - Google Patents

半導電性ゴム組成物及びその加硫物 Download PDF

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和敬 安田
大高　豊史
忠宏 小野
恒志朗 濱口
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ダイソー株式会社
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    • C08L33/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
    • C08L33/20—Homopolymers or copolymers of acrylonitrile

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductive rubber composition and a vulcanized product thereof, and is used as a material constituting a developing roll, a charging roll, and a transfer roll in an electrophotographic process in a copying machine, a printer or the like.
  • the development, charging, and transfer rolls used in laser printers, etc. have low hardness, good compression set, and shape retention for the surrounding environment because they have contact with the photoconductor in addition to semiconductivity. Is required.
  • ethylene propylene rubber, urethane rubber, epichlorohydrin rubber, acrylonitrile butadiene rubber, and the like have been blended or used alone in accordance with volume resistance values required for the conductive, developing, and transfer rolls.
  • the present invention has been made in the background of such circumstances, and the object of the present invention is to provide a rubber composition that achieves low hardness and low compression set while maintaining semiconductivity and a vulcanized product thereof. There is to do.
  • the quinoxaline compound used in the present invention is an excellent vulcanizing agent that gives excellent low compression strain to a vulcanized product obtained by vulcanization.
  • a quinoxaline compound is used as a vulcanizing agent, the addition of acrylonitrile butadiene rubber in an amount that sufficiently reduces the hardness of the vulcanizate, particularly the addition of liquid acrylonitrile butadiene rubber, as described above,
  • the compression set of the vulcanizate when vulcanized is greatly deteriorated.
  • An object of this invention is to solve said subject in the case of using a quinoxaline type compound as a vulcanizing agent.
  • the present inventors blended acrylonitrile butadiene rubber as a reactive plasticizer with epichlorohydrin rubber having good semiconductivity, and blended zinc oxide, thiuram compound, quinoxaline compound, and the above problems. I found that it can be solved.
  • the present invention (A) 50 to 90% by weight of epichlorohydrin rubber, (B) 10-50% by weight of acrylonitrile butadiene rubber For 100 parts by weight of the blended rubber, (C) 0.1-5 parts by weight of a thiuram compound, (D) 1 to 10 parts by weight of zinc oxide, (E) A semiconductive vulcanizing rubber composition comprising 0.1 to 5 parts by weight of a quinoxaline compound.
  • the epichlorohydrin rubber is an epichlorohydrin-ethylene oxide-allyl glycidyl ether terpolymer.
  • the number average molecular weight of (b) acrylonitrile butadiene rubber is preferably 1000 to 20000.
  • the (c) thiuram compound is preferably a thiuram sulfide compound, and more preferably dipentamethylene thiuram tetrasulfide.
  • the quinoxaline compound is preferably a 2,3-dimercaptoquinoxaline derivative, and preferably 6-methylquinoxaline-2,3-dithiocarbonate. More preferred.
  • the semiconductive vulcanized rubber material of the present invention is preferably formed by vulcanizing the rubber composition for semiconductive vulcanization.
  • a rubber composition having semiconductivity, low hardness and low compression set can be obtained.
  • the vulcanizate can be widely applied as development, charging, and transfer rolls in laser printers and copiers.
  • the semiconductive rubber composition of the present invention refers to a rubber composition before vulcanization, and contains at least epichlorohydrin rubber, acrylonitrile butadiene rubber, thiuram compound, zinc oxide, and quinoxaline compound. .
  • the epichlorohydrin rubber refers to an epichlorohydrin homopolymer or a copolymer with another epoxide copolymerizable with epichlorohydrin, such as ethylene oxide, propylene oxide, allyl glycidyl ether, and the like.
  • the preferred copolymerization ratio in the epichlorohydrin-ethylene oxide-allyl glycidyl ether terpolymer is 5 mol% to 40 mol%, more preferably 15 mol% to 40 mol%, and more preferably 15 mol% to 40 mol% of the ethylene chloride component. 94 mol%, more preferably 55 mol% to 80 mol%, and the allyl glycidyl ether component is 1 mol% to 10 mol%, more preferably 1 mol% to 5 mol%.
  • Acrylonitrile butadiene rubber means a terpolymer of acrylonitrile and butadiene or a terpolymer of acrylonitrile, butadiene and unsaturated carboxylic acid, which is a so-called high nitrile (generally having an acrylonitrile content).
  • acrylonitrile butadiene rubber 36 to 42% by weight of acrylonitrile butadiene rubber
  • medium to high nitrile generally refers to acrylonitrile butadiene rubber having an acrylonitrile content of 31 to 35% by weight
  • medium nitrile generally having an acrylonitrile content of 25 to 25%
  • This is commonly referred to as 30% by weight of acrylonitrile butadiene rubber
  • low nitrile generally refers to acrylonitrile butadiene rubber having an acrylonitrile content of 24% by weight or less
  • carboxynitrile generally refers to acrylonitrile butadiene rubber
  • GPC gel permeation chromatography
  • a liquid acrylonitrile butadiene rubber having an average molecular weight of 3000 to 10,000 is more preferred. If the number average molecular weight is within the above range, the hardness of the vulcanizate becomes low and the processing becomes easy, which is preferable.
  • the acrylonitrile content of the acrylonitrile butadiene rubber used is preferably 15% by weight to 40% by weight, and more preferably 20% by weight to 40% by weight. Deviating from the above range is not preferable because the rubber composition is not settled during kneading or the vulcanized product becomes rigid.
  • the acrylonitrile content is preferably 20% by weight to 40% by weight, and more preferably 30% by weight to 40% by weight. When it is within the above range, the hardness of the vulcanizate becomes low and the processing becomes easy, which is preferable.
  • the composition of the rubber component of the semiconductive rubber composition of the present invention is preferably 50 to 90% by weight of epichlorohydrin rubber, 10 to 50% by weight of acrylonitrile butadiene rubber, and 60 to 80 of epichlorohydrin rubber. More preferably, the weight percentage is 20% to 40% by weight.
  • the ratio of epichlorohydrin rubber exceeds 90% by weight, the characteristics of nitrile rubber are not exhibited and the hardness is not lowered.
  • the liquid nitrile rubber exceeds 50% by weight, the viscosity becomes very low and it becomes difficult to process.
  • the thiuram compound of the present invention is exemplified by a thiuram sulfide compound represented by the following general formula [I].
  • R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and are, for example, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, etc.
  • thiuram sulfide compounds having the above structure include tetramethyl thiuram disulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, tetraethyl thiuram disulfide, tetrabutyl thiuram disulfide, dipentamethylene thiuram tetrasulfide, and the like, and dipentamethylene thiuram tetrasulfide. Is particularly preferred.
  • the blending amount of the thiuram compound is preferably 0.1 to 5 parts by weight and preferably 0.2 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the blend rubber component of epichlorohydrin rubber and acrylonitrile butadiene rubber. More preferable. When the amount exceeds 5 parts by weight, the vulcanizate becomes too hard. On the other hand, when the blending amount is less than 0.1 parts by weight, vulcanization does not proceed and compression set tends to deteriorate.
  • the blending amount of zinc oxide is preferably 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the blend rubber component of epichlorohydrin rubber and acrylonitrile butadiene rubber. More preferably, it is 3 to 8 parts by weight.
  • the amount of zinc oxide is less than 1 part by weight, a sufficient effect of reducing compression set cannot be obtained, and when the amount exceeds 10 parts by weight, the hardness of the vulcanizate becomes too high.
  • a transfer roll formed using the semiconductive vulcanizing rubber composition of the present invention has a problem of compression set, but if it is within the above range, it can be used without any problem and is preferable.
  • zinc oxide not only reduces compression set, but also acts as a vulcanization acceleration aid and acid acceptor.
  • Acid acceptor In the semiconductive rubber composition of the present invention, only zinc oxide may be used as an acid acceptor. However, as long as various properties required as a semiconductive vulcanized rubber material are not impaired, A known acid acceptor can be blended according to the sulfurizing agent, and examples thereof include metal compounds and / or inorganic microporous crystals. Examples of such metal compounds include Group II metal oxides, hydroxides, carbonates, carboxylates, silicates, borates, phosphites, Periodic Table Group IVA metals. Oxides, basic carbonates, basic carboxylates, basic phosphites, basic sulfites, tribasic sulfates and the like.
  • the metal compound serving as the acid acceptor include magnesia, magnesium hydroxide, barium hydroxide, magnesium carbonate, barium carbonate, sodium carbonate, quicklime, slaked lime, calcium carbonate, calcium silicate, calcium stearate, and zinc stearate.
  • Particularly preferred acid acceptors include magnesia, calcium carbonate, slaked lime, quicklime and sodium carbonate.
  • the inorganic microporous crystal means a crystalline porous body and can be clearly distinguished from amorphous porous bodies such as silica gel and alumina.
  • amorphous porous bodies such as silica gel and alumina.
  • examples of such inorganic microporous crystals include zeolites, aluminophosphate type molecular sieves, layered silicates, synthetic hydrotalcites, alkali metal titanates and the like.
  • a particularly preferred acid acceptor is synthetic hydrotalcite.
  • the zeolites are natural zeolites, A-type, X-type, Y-type synthetic zeolites, sodalites, natural or synthetic mordenites, various zeolites such as ZSM-5, and metal substitutes thereof. It may be used in combination of two or more. Further, the metal of the metal substitution product is often sodium. As the zeolite, those having a large acid-accepting ability are preferable, and A-type zeolite is preferable.
  • the synthetic hydrotalcite is represented by the following general formula (1).
  • z is a real number of 1 to 5
  • w is a real number of 0 to 10, respectively.
  • Examples of the hydrotalcites represented by the general formula (1) include Mg 4.5 Al 2 (OH) 13 CO 3 .3.5H 2 O, Mg 4.5 Al 2 (OH) 13 CO 3 , Mg 4 Al 2 (OH) 12 CO 3 .3.5H 2 O, Mg 6 Al 2 (OH) 16 CO 3 .4H 2 O, Mg 5 Al 2 (OH) 14 CO 3 .4H 2 O, Mg 3 Al 2 (OH) 10 CO 3 ⁇ 1.7H 2 O, Mg 3 ZnAl 2 (OH) 12 CO 3 ⁇ 3.5H 2 O, can be cited Mg 3 ZnAl 2 (OH) 12 CO 3 , etc..
  • quinoxaline-based compounds examples include 2,3-dimercaptoquinoxaline derivatives. Specific examples include quinoxaline-2,3-dithiocarbonate, 6-methylquinoxaline-2,3-dithiocarbonate, 6-isopropylquinoxaline-2,3-dithiocarbonate, 5,8-dimethylquinoxaline-2,3-dithiocarbonate. 6-methylquinoxaline-2,3-dithiocarbonate is preferable.
  • the blending amount of the quinoxaline compound is preferably 0.1 to 5 parts by weight and preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the blend rubber component of epichlorohydrin rubber and acrylonitrile butadiene rubber. More preferred is 1 to 3 parts by weight.
  • the blending amount is less than 0.1 parts by weight, the effect as a vulcanizing agent cannot be expected, and compression set tends to deteriorate.
  • the amount exceeds 5 parts by weight the hardness of the vulcanizate becomes too high.
  • accelerators that is, vulcanization accelerators
  • retarders used together with the vulcanizing agent can be used as they are in the semiconductive rubber composition of the present invention.
  • vulcanization accelerator examples include sulfur, thiuram sulfides, morpholine sulfides, amines, weak acid salts of amines, basic silica, quaternary ammonium salts, quaternary phosphonium salts, polyfunctional vinyl compounds, mercaptobenzothiazoles. , Sulfenamides, dimethiocarbamates and the like.
  • Specific vulcanization accelerators include 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (hereinafter abbreviated as DBU) salt, 1,5-diazabicyclo (4,3,0) nonene-5. (Hereinafter abbreviated as DBN) salts and white carbon.
  • DBU salts include DBU-carbonate, DBU-stearate, DBU-2-ethylhexylate, DBU-benzoate, DBU-salicylate, DBU-3-hydroxy-2-naphthoate, DBU-phenol.
  • Resin salts, DBU-2-mercaptobenzothiazole salts, DBU-2-mercaptobenzimidazole salts, etc., and DBN salts include DBN-carbonate, DBN-stearate, DBN-2-ethylhexylate, DBN- Benzoates, DBN-salicylate, DBN-3-hydroxy-2-naphthoate, DBN-phenol resin salt, DBN-2-mercaptobenzothiazole salt, DBN-2-mercaptobenzimidazole salt, etc.
  • Preferred examples of the vulcanization accelerator include sodium stearate.
  • retarder examples include N-cyclohexanethiophthalimide, organic zinc compound, acidic silica and the like.
  • compounding agents other than the above such as lubricants, anti-aging agents, fillers, reinforcing agents, plasticizers, processing aids, flame retardants
  • pigments can be arbitrarily blended.
  • Method of compounding semiconductive rubber composition As a method of compounding the semiconductive rubber composition of the present invention, any means conventionally used in the field of polymer processing, such as mixing rolls, Banbury mixers, various kneaders, etc. Can be used.
  • the semiconductive vulcanized rubber material of the present invention is obtained by heating the semiconductive rubber composition usually at 100 to 200 ° C., and the vulcanization time is the temperature. Usually, it is carried out within 0.5 to 300 minutes, depending on the case.
  • a method of vulcanization molding any method such as compression molding using a mold, injection molding, air bath, infrared or microwave heating can be used.
  • Examples 1-2 and Comparative Examples 1-6 Each compounding agent shown in Table 1 below was kneaded with a pressure kneader at 120 ° C. to prepare an A-kneaded compound. This A kneaded compound was kneaded with an open roll to prepare a B kneaded compound.
  • the prepared B-kneaded compound in a sheet was placed in a mold immediately after kneading and press vulcanized at 170 ° C. for 15 minutes to form a vulcanized rubber sheet. Further, secondary vulcanization was performed in an air oven at 150 ° C. for 2 hours.
  • the hardness of the vulcanized rubber sheet was measured according to JIS K6253.
  • the hardness varies depending on the content of blending and required properties, but when used for a semiconductive roll, it is preferably 20 to 40, more preferably 25 to 35. If it is in the said range, it is effective at the point that the contact area of a roll and a photoreceptor can be enlarged.
  • the compression set test was measured according to JIS K6262.
  • the above-mentioned B kneaded compound was set in a mold for preparing a test piece for compression set test, press vulcanized at 170 ° C. for 20 minutes, and a cylindrical vulcanized rubber test piece (thickness of about 12.5 mm ⁇ diameter about 29 mm). Further, secondary vulcanization was performed in an air oven at 150 ° C. for 2 hours.
  • the compression set varies depending on the content of blending and required characteristics, but when used for a semiconductive roll, it is preferably 15% or less, more preferably 10% or less. Within the above range, it is effective in that the deformation of the roll is prevented and stable image quality can be obtained.
  • the volume resistivity value was measured in accordance with JIS K6271. That is, after leaving a vulcanized sheet and an insulation resistance meter (Insulation Resistance Meter Hiresta HP, manufactured by Mitsubishi Yuka Co., Ltd.) at 23 ° C. and a relative humidity of 50% for 24 hours or more, 10V was applied and the value after 1 minute was read.
  • the volume resistance value varies depending on the content of blending and required characteristics, but when used for a semiconductive roll, it is 1.0 ⁇ 10 4 ⁇ ⁇ cm to 1.0 ⁇ 10 10 ⁇ ⁇ cm. Preferably, it is 1.0 ⁇ 10 5 ⁇ ⁇ cm to 1.0 ⁇ 10 9 ⁇ ⁇ cm. Within this range, it is effective in that stable image quality can be obtained even at high speed printing.
  • Table 2 shows the test results of Examples and Comparative Examples obtained by each test method.
  • Comparative Example 3 since zinc oxide and thiuram compound were not blended, vulcanization was not promoted even after pressing, and in Comparative Example 4, zinc oxide and quinoxaline compound were not blended. As in Examples 2 and 3, vulcanization was not promoted even after pressing, and a rubber material (molded product) could not be obtained.
  • Comparative Example 5 the semi-conductivity was ensured because the blending ratio of epichlorohydrin rubber was high, but the blending ratio of the liquid nitrile rubber was low, so the hardness was high, and the semi-conducting roll was used. It was confirmed that an appropriate rubber material (molded article) could not be obtained.
  • Comparative Example 6 the proportion of liquid nitrile rubber is high, and even when a vulcanizing agent such as a quinoxaline compound or a thiuram compound is blended, sufficient vulcanization does not proceed and the press itself cannot be performed. confirmed.
  • a vulcanizing agent such as a quinoxaline compound or a thiuram compound
  • the semiconductive rubber material obtained by vulcanizing the rubber composition for vulcanization which is the subject of the present invention, realizes a low volume specific resistance value with a low hardness, and is an excellent compression set material. It can be widely applied as a developing roll, a charging roll, and a transfer roll in laser printers and copiers.

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Abstract

　半導電性を維持しつつ、低硬度、低圧縮永久歪性を実現するゴム組成物及びその加硫物を提供することにある。良好な半導電性を持つエピクロルヒドリン系ゴムと反応性の可塑剤としてアクリロニトリルブタジエンゴムをブレンドし、酸化亜鉛、チウラム系化合物、キノキサリン系化合物を配合する。

Description

半導電性ゴム組成物及びその加硫物
　本発明は半導電性ゴム組成物及びその加硫物に関するものであり、コピー機、プリンター等における電子写真プロセスの現像ロール、帯電ロール、転写ロールを構成する材料として用いられる。
　レーザープリンタなどで使用される現像、帯電、転写ロールはその機構上、半導電性に加えて感光体との接触があることから低硬度と良好な圧縮永久歪性、周囲の環境に対する形状保持性が要求される。一般的にはエチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴムなどが、導電、現像、転写ロールそれぞれに対して要求される体積抵抗値に合わせてブレンド、もしくは単独で使用されてきた。
　これまで、ゴム材料を低硬度にする方法としてプロセスオイルや可塑剤等の低粘度物を添加する方法が用いられてきた。しかし、これら可塑剤を導電性ゴム組成物に添加すると感光体への汚染が懸念されるために好ましくない。そこで、感光体を汚染することなく、低硬度なゴム材料を得るために低分子量で液状のアクリロニトリルブタジエンゴムの添加が検討されている（特許文献１参照）。液状のアクリロニトリルブタジエンゴムの添加は、感光体への貼り付きや、圧縮永久歪性に悪影響を及ぼす。これは粘性の低い液状ゴムが架橋に関与しないためであると考えられる。
特開２００６－９１１１８
　本発明はかかる事情を背景として為されたものであり、課題とするところは、半導電性を維持しつつ、低硬度、低圧縮永久歪性を実現するゴム組成物及びその加硫物を提供することにある。本発明に用いるキノキサリン系化合物は、加硫して得られる加硫物に優れた低圧縮歪性を与える優れた加硫剤である。しかし、キノキサリン系化合物を加硫剤として用いた場合であっても、加硫物の硬度を十分に低下させる量のアクリロニトリルブタジエンゴムの添加、特に液状アクリロニトリルブタジエンゴムの添加は、上述のように、加硫した場合の加硫物の圧縮永久歪性を大きく悪化させる。一方、アクリロニトリルブタジエンゴムの添加、特に液状アクリロニトリルブタジエンゴムの添加が少量であれば、ゴム材料の圧縮永久歪性に与える影響はほとんど無いが、加硫物を十分に低硬度化することができない。本発明は、加硫剤としてキノキサリン系化合物を用いた場合における上記の課題を解決することを目的とする。
　本発明者らは、良好な半導電性を持つエピクロルヒドリン系ゴムと反応性の可塑剤としてアクリロニトリルブタジエン系ゴムをブレンドし、酸化亜鉛、チウラム系化合物、キノキサリン系化合物を配合することにより、上記課題を解決できることを見出した。
　即ち、本発明は、
　（ａ）エピクロルヒドリン系ゴム５０～９０重量％、
　（ｂ）アクリロニトリルブタジエン系ゴム１０～５０重量％
よりなるブレンドゴム１００重量部に対して、
　（ｃ）チウラム系化合物０．１～５重量部、
　（ｄ）酸化亜鉛１～１０重量部、
　（ｅ）キノキサリン系化合物０．１～５重量部
を含むことを特徴とする半導電性加硫用ゴム組成物である。
　本発明の半導電性加硫用ゴム組成物は、（ａ）エピクロルヒドリン系ゴムが、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体であることが好ましい。
　本発明の半導電性加硫用ゴム組成物は、（ｂ）アクリロニトリルブタジエン系ゴムの数平均分子量が１０００～２００００であることが好ましい。
　本発明の半導電性加硫用ゴム組成物は、（ｃ）チウラム系化合物がチウラムスルフィド系化合物であることが好ましく、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィドであることがより好ましい。
　本発明の半導電性加硫用ゴム組成物は、（ｅ）キノキサリン系化合物が２，３－ジメルカプトキノキサリン誘導体であることが好ましく、６－メチルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネートであることがより好ましい。
　本発明の半導電性加硫ゴム材料は、前記半導電性加硫用ゴム組成物を加硫してなることが好ましい。
　本発明によれば、半導電性を持ち低硬度で低圧縮永久歪性を示すゴム組成物が得られる。その加硫物はレーザープリンタ、コピー機における現像、帯電、転写ロールとして広く応用可能である。
　以下、本発明の構成について詳細に説明する。
半導電性ゴム組成物
　本発明の半導電性ゴム組成物は、加硫前のゴム組成物を指し、少なくともエピクロルヒドリン系ゴム、アクリロニトリルブタジエン系ゴム、チウラム系化合物、酸化亜鉛、キノキサリン系化合物を含有する。
エピクロルヒドリン系ゴム
　本発明の組成物において、エピクロルヒドリン系ゴムは、エピクロルヒドリン単独重合体またはエピクロルヒドリンと共重合可能な他のエポキシド、例えばエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、アリルグリシジルエーテル等との共重合体をいい、エピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン－プロピレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン－プロピレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－プロピレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル四元共重合体等が挙げられる。本発明においては、エピクロルヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体であることが好ましく、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体であることが特に好ましい。
　これら単独重合体または共重合体の分子量は特に制限されないが、通常ムーニー粘度表示でＭＬ1+4（１００℃）＝３０～１５０程度である。
　エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体において好ましい共重合割合は、エピクロルヒドリン成分が５モル％～４０モル％、更に好ましくは１５モル％～４０モル％、エチレンオキサイド成分が５０モル％～９４モル％、更に好ましくは５５モル％～８０モル％、アリルグリシジルエーテル成分が１モル％～１０モル％、更に好ましくは１モル％～５モル％である。
アクリロニトリルブタジエン系ゴム
　アクリロニトリルブタジエン系ゴムは、アクリロニトリルとブタジエンの二元共重合体またはアクリロニトリルとブタジエンと不飽和カルボン酸との三元共重合体を意味し、いわゆる高ニトリル（一般的にはアクリロニトリル含量が３６～４２重量％のアクリロニトリルブタジエンゴムを指す。）、中高ニトリル（一般的にはアクリロニトリル含量が３１～３５重量％のアクリロニトリルブタジエンゴムを指す。）、中ニトリル（一般的にはアクリロニトリル含量が２５～３０重量％のアクリロニトリルブタジエンゴムを指す。）、低ニトリル（一般的にはアクリロニトリル含量が２４重量％以下のアクリロニトリルブタジエンゴムを指す。）、カルボキシニトリル等と通称されるものである。本発明においては、ゲルパーミエイション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いた常法による分子量測定において、ポリスチレン換算で数平均分子量が１０００～２００００である液状アクリロニトリルブタジエン系ゴムを用いることが特に好ましく、数平均分子量が３０００～１００００である液状アクリロニトリルブタジエン系ゴムが更に好ましい。数平均分子量が前記範囲内にあると、加硫物の硬度が低くなり、かつ加工も容易となり、好ましい。
　使用するアクリロニトリルブタジエン系ゴムのアクリロニトリル含量としては１５重量％～４０重量％であることが好ましく、２０重量％～４０重量％であることがより好ましい。前記範囲内を逸脱すると、混練時にゴム組成物がまとまらなかったり、加硫物が剛直になったりするので好ましくない。また、液状アクリロニトリルブタジエン系ゴムの場合、アクリロニトリル含量が２０重量％～４０重量％であることが好ましく、３０重量％～４０重量％であることがより好ましい。前記範囲内にあると、加硫物の硬度が低くなり、かつ加工も容易となり、好ましい。
　本発明の半導電性ゴム組成物のゴム成分の組成としては、エピクロルヒドリン系ゴムが５０～９０重量％、アクリロニトリルブタジエン系ゴムが１０～５０重量％であることが好ましく、エピクロルヒドリン系ゴムが６０～８０重量％、アクリロニトリルブタジエン系ゴムが２０～４０重量％であることがより好ましい。エピクロルヒドリン系ゴムの比率が９０重量％を超えるとニトリルゴムの特性が発現せず低硬度とならない。一方、液状のニトリルゴムが５０重量％を超えると非常に粘度が低くなり、加工しにくくなる。
チウラム系化合物
　本発明のチウラム系化合物とは下記一般式[Ｉ]で示されるチウラムスルフィド系化合物が例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  
（式中のR3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は同一もしくは異なってもよく、例えば、水素原子、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アラルキル基等である。R3とR4および／またはR5とR6は互いに結合して、ヘテロ原子を介してまたは介さずに環を形成してよい。xは、１～６の整数である）
　上記構造を持つチウラムスルフィド系化合物の具体例としてはテトラメチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等が挙げられ、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィドが特に好ましい。
　チウラム系化合物の配合量としては、エピクロルヒドリン系ゴムとアクリロニトリルブタジエン系ゴムとのブレンドゴム成分１００重量部に対して、０．１～５重量部が好ましく、０．２～５重量部であることが、より好ましい。５重量部を超える配合量の場合には加硫物が硬くなりすぎる。一方、０．１重量部未満の配合量の場合には加硫が進行せず、圧縮永久歪が悪化する傾向にある。
酸化亜鉛
　本発明の半導電性ゴム組成物において、酸化亜鉛の配合量は、エピクロルヒドリン系ゴムとアクリロニトリルブタジエン系ゴムとのブレンドゴム成分１００重量部に対して、１～１０重量部であることが好ましく、３～８重量部であることが、より好ましい。酸化亜鉛が１重量部未満の配合量の場合には、圧縮永久歪を低減させる十分な効果が得られず、また１０重量部を超える配合量の場合には加硫物の硬度が高くなりすぎる。また、本発明の半導電性加硫用ゴム組成物を用いて形成した転写ロールなどは、圧縮永久歪性が問題になるが、前記範囲内であれば、問題なく使用でき、好ましい。本発明においては、酸化亜鉛は圧縮永久歪を低減させるだけではなく、加硫促進助剤及び受酸剤としても作用する。
受酸剤
　本発明の半導電性ゴム組成物においては、酸化亜鉛のみを受酸剤として用いても良いが、半導電性加硫ゴム材料として必要とされる諸性質を損なわない限りにおいて、加硫剤に応じて公知の受酸剤を配合することができ、金属化合物および／または無機マイクロポーラス・クリスタルを例示することができる。このような金属化合物としては、周期律表第ＩＩ族金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、亜リン酸塩、周期律表第ＩＶＡ族金属の酸化物、塩基性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜リン酸塩、塩基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸塩等が挙げられる。
　前記受酸剤となる金属化合物の具体例としては、マグネシア、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、炭酸ナトリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基性フタル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、塩基性ケイ酸鉛、ステアリン酸錫、塩基性亜リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三塩基性硫酸鉛等を挙げることができる。 特に好ましい受酸剤としてはマグネシア、炭酸カルシウム、消石灰、生石灰、炭酸ナトリウムが挙げられる。
　前記無機マイクロポーラス・クリスタルとは、結晶性の多孔体を意味し、無定型の多孔体、例えばシリカゲル、アルミナ等とは明瞭に区別できるものである。このような無機マイクロポーラス・クリスタルの例としては、ゼオライト類、アルミノホスフェート型モレキュラーシーブ、層状ケイ酸塩、合成ハイドロタルサイト、チタン酸アルカリ金属塩等が挙げられる。特に好ましい受酸剤としては、合成ハイドロタルサイトが挙げられる。
　前記ゼオライト類は、天然ゼオライトの外、Ａ型、Ｘ型、Ｙ型の合成ゼオライト、ソーダライト類、天然ないしは合成モルデナイト、ＺＳＭ－５などの各種ゼオライトおよびこれらの金属置換体であり、これらは単独で用いても２種以上の組み合わせで用いても良い。また金属置換体の金属はナトリウムであることが多い。ゼオライト類としては酸受容能が大きいものが好ましく、Ａ型ゼオライトが好ましい。
　前記合成ハイドロタルサイトは下記一般式（１）で表される。
　　ＭｇＸＺｎＹＡｌＺ（ＯＨ）（２（Ｘ+Ｙ）+３Ｚ-２）ＣＯ３・ｗＨ２Ｏ　　　　　　（１）
［式中、ｘとyはそれぞれｘ＋ｙ＝１～１０の関係を有する０～１０の実数、ｚは１～５の実数、ｗは０～１０の実数をそれぞれ示す。］
　前記一般式（１）で表されるハイドロタルサイト類の例として、Ｍｇ４.５Ａｌ２（ＯＨ）１３ＣＯ３・３．５Ｈ２Ｏ、Ｍｇ４.５Ａｌ２（ＯＨ）１３ＣＯ３、Ｍｇ４Ａｌ２（ＯＨ）１２ＣＯ３・３．５Ｈ２Ｏ、Ｍｇ６Ａｌ２（ＯＨ）１６ＣＯ３・４Ｈ２Ｏ、Ｍｇ５Ａｌ２（ＯＨ）１４ＣＯ３・４Ｈ２Ｏ、Ｍｇ３Ａｌ２（ＯＨ）１０ＣＯ３・１．７Ｈ２Ｏ、Ｍｇ３ＺｎＡｌ２（ＯＨ）１２ＣＯ３・３．５Ｈ２Ｏ、Ｍｇ３ＺｎＡｌ２（ＯＨ）１２ＣＯ３等を挙げることができる。
キノキサリン系化合物
　キノキサリン系化合物としては２，３－ジメルカプトキノキサリン誘導体が例示される。具体例としてはキノキサリン－２，３－ジチオカーボネート、６－メチルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネート、６－イソプロピルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネート、５，８－ジメチルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネート等が挙げられ、６－メチルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネートが好ましい。
　キノキサリン系化合物の配合量としては、エピクロルヒドリン系ゴムとアクリロニトリルブタジエン系ゴムとのブレンドゴム成分１００重量部に対して、０．１～５重量部が好ましく、０．５～５重量部であることがより好ましく、さらに好ましくは１～３重量部である。０．１重量部未満の配合量の場合には加硫剤としての効果が期待できず、圧縮永久歪が悪化する傾向にある。また５重量部を超える配合量の場合には加硫物の硬度が高くなりすぎる。
　また、加硫剤と共に用いられる公知の促進剤（即ち、加硫促進剤）や、遅延剤等を本発明の半導電性ゴム組成物に、そのまま用いることができる。
　前記加硫促進剤の例としては、硫黄、チウラムスルフィド類、モルホリンスルフィド類、アミン類、アミンの弱酸塩類、塩基性シリカ、四級アンモニウム塩類、四級ホスホニウム塩類、多官能ビニル化合物、メルカプトベンゾチアゾール類、スルフェンアミド類、ジメチオカーバメート類等を挙げることができる。また、具体的な加硫促進剤としては、１,８－ジアザビシクロ（５,４,０）ウンデセン－７（以下ＤＢＵと略）塩、１，５－ジアザビシクロ（４,３,０）ノネン－５（以下ＤＢＮと略）塩およびホワイトカーボンが挙げられる。ＤＢＵ塩としては、ＤＢＵ－炭酸塩、ＤＢＵ－ステアリン酸塩、ＤＢＵ－２－エチルヘキシル酸塩、ＤＢＵ－安息香酸塩、ＤＢＵ－サリチル酸塩、ＤＢＵ－３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸塩、ＤＢＵ－フェノール樹脂塩、ＤＢＵ－２－メルカプトベンゾチアゾール塩、ＤＢＵ－２－メルカプトベンズイミダゾール塩等であり、ＤＢＮ塩としては、ＤＢＮ－炭酸塩、ＤＢＮ－ステアリン酸塩、ＤＢＮ－２－エチルヘキシル酸塩、ＤＢＮ－安息香酸塩、ＤＢＮ－サリチル酸塩、ＤＢＮ－３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸塩、ＤＢＮ－フェノール樹脂塩、ＤＢＮ－２－メルカプトベンゾチアゾール塩、ＤＢＮ－２－メルカプトベンズイミダゾール塩等が挙げられ、特に好ましい加硫促進剤としては、ステアリン酸ナトリウムなどが挙げられる。
　前記遅延剤の例としては、Ｎ－シクロヘキサンチオフタルイミド、有機亜鉛化合物、酸性シリカ等を挙げることができる。
　本発明の半導電性ゴム組成物には、本発明の効果を損なわない限り、上記以外の配合剤、例えば、滑剤、老化防止剤、充てん剤、補強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を任意に配合できる。さらに本発明の特性が失われない範囲で、当該技術分野で通常行われている、ゴム、樹脂等のブレンドを行うことも可能である。
半導電性ゴム組成物の配合方法
　本発明の半導電性ゴム組成物の配合方法としては、従来ポリマー加工の分野において利用されている任意の手段、例えばミキシングロール、バンバリーミキサー、各種ニーダー類等を用いることができる。
半導電性ゴム組成物組成物の加硫方法
　本発明の半導電性加硫ゴム材料は、前記半導電性ゴム組成物を通常１００～２００℃に加熱する事で得られ、加硫時間は温度により異なるが、０．５～３００分の間で行われるのが通常である。加硫成型の方法としては、金型による圧縮成型、射出成型、エアーバス、赤外線或いはマイクロウェーブによる加熱等任意の方法を用いることが出来る。
　以下、本発明を実施例、具体例により具体的に説明する。ただし、本発明はその要旨に逸脱しない限り以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１～２、比較例１～６
　以下の表１に示す各配合剤を１２０℃の加圧式ニーダーにて混練しＡ練りコンパウンドを作成した。このＡ練りコンパウンドをオープンロールにて混練しＢ練りコンパウンドを作成した。
　以下に実施例、比較例で用いた配合剤を示す。
※１　ダイソー株式会社製　エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体「エピクロマーＣＧ－１０２」、ムーニー粘度：ＭＬ1+4（１００℃）＝４８
※２　ＪＳＲ株式会社製　液状（中高）ニトリルゴム「ＪＳＲ　Ｎ２８０」、アクリロニトリル含量：３２重量％
※３　白石カルシウム株式会社製　軽質炭酸カルシウム「Ｓｉｌｖｅｒ－Ｗ」
※４　協和化学工業株式会社製　合成ハイドロタルサイト「ＤＨＴ－４Ａ」
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　作成したＢ練りコンパウンドをシート化したものをＪＩＳ　Ｋ６２５０に準拠して、混練直後に金型にいれ、１７０℃で１５分間プレス加硫し、加硫ゴムシートを成形した。さらに、１５０℃のエアーオーブンで２時間、二次加硫を行った。
　加硫ゴムシートの硬度は、ＪＩＳ　Ｋ６２５３に準拠して測定した。硬度としては、配合内容や要求される特性により異なるが、半導電性ロール用に使用する場合であれば、２０～４０であることが好ましく、２５～３５であることがより好ましい。前記範囲内であれば、ロールと感光体との接触面積を大きく出来るという点で、有効である。
　圧縮永久歪試験はＪＩＳ　Ｋ６２６２に準拠して測定した。つまり、ＪＩＳ　Ｋ６２５０に準拠して圧縮永久歪試験用試験片作成用金型に前述のＢ練コンパウンドをセットして１７０℃で２０分間プレス加硫し、円柱状加硫ゴム試験片（厚さ約１２．５ｍｍ×直径約２９ｍｍ）を作成した。さらに、１５０℃のエアーオーブンで２時間、二次加硫を行った。圧縮永久歪としては、配合内容や要求される特性により異なるが、半導電性ロール用に使用する場合であれば、１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。前記範囲内であれば、ロールの変形を防止し、安定した画質が得られるという点で、有効である。
　体積固有抵抗値の測定はＪＩＳ　Ｋ６２７１に準拠して行った。すなわち、加硫シート及び絶縁抵抗計（三菱油化(株)製絶縁抵抗計ハイレスタＨＰ）を２３℃、相対湿度５０％の条件下においた恒温恒湿槽中に２４時間以上静置した後、１０Ｖ印加し１分後の値を読み取った。体積抵抗値としては、配合内容や要求される特性により異なるが、半導電性ロール用に使用する場合であれば、１．０×１０４Ω・ｃｍ～１．０×１０１０Ω・ｃｍであることが好ましく、１．０×１０５Ω・ｃｍ～１．０×１０９Ω・ｃｍであることがより好ましい。前記範囲内であれば、高速の印刷でも安定した画質が得られるという点で、有効である。
　各試験方法により得られた実施例及び比較例の試験結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
　表２の評価結果より、実施例においては、半導電性を維持しつつ、低硬度かつ圧縮永久歪性の非常によいゴム加硫物であることが確認できた。一方、比較例１では、チウラム系化合物とキノキサリン化合物を用いることにより加硫物を得ることができたが、酸化亜鉛を配合しなかったため、実施例１と比較して、液状アクリロニトリルブタジエン系ゴム（液状ニトリルゴム）の添加による圧縮永久歪性の悪化が確認された。また、比較例２では、チウラム系化合物を配合していないため、プレス後であっても加硫が促進されず、ゴム材料（成形品）を得ることができなかった。また、比較例３では、酸化亜鉛及びチウラム系化合物を配合しなかったため、プレス後であっても加硫が促進されず、比較例４では、酸化亜鉛及びキノキサリン系化合物を配合しなかったため、比較例２及び３と同様、プレス後であっても加硫が促進されず、ゴム材料（成形品）を得ることができなかった。また、比較例５においては、エピクロルヒドリンゴムの配合割合が高いため、半導電性は確保できたが、液状のニトリルゴムの配合割合が低いため、硬度が高くなり、半導電性ロールなどの用途に適切なゴム材料（成形品）を得ることができないことが確認された。比較例６では、液状ニトリルゴムの配合割合が高く、キノキサリン系化合物やチウラム系化合物などの加硫剤を配合しても、十分な加硫が進行せず、プレス自体ができない状態であることが確認された。
　本発明の対象となる加硫用ゴム組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料は、低硬度で低体積固有抵抗値を実現し、圧縮永久歪性の優れた材料となっており、レーザープリンタ、コピー機における現像ロールや、帯電ロール、転写ロールとして広く応用可能である。
 
 

Claims (8)

  1. 　（ａ）エピクロルヒドリン系ゴム５０～９０重量％、
    　（ｂ）アクリロニトリルブタジエン系ゴム１０～５０重量％
    よりなるブレンドゴム１００重量部に対して、
    　（ｃ）チウラム系化合物０．１～５重量部、
    　（ｄ）酸化亜鉛１～１０重量部、
    　（ｅ）キノキサリン系化合物０．１～５重量部
    を含むことを特徴とする半導電性加硫用ゴム組成物。
  2. 　（ａ）エピクロルヒドリン系ゴムが、エピクロルヒドリン－エチレンオキサイド－アリルグリシジルエーテル三元共重合体である請求項１に記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  3. 　（ｂ）アクリロニトリルブタジエン系ゴムの数平均分子量が１０００～２００００である請求項１又は２に記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  4. 　（ｃ）チウラム系化合物がチウラムスルフィド系化合物である請求項1～３いずれかに記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  5. 　（ｃ）チウラム系化合物がジペンタメチレンチウラムテトラスルフィドである請求項1～４いずれかに記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  6. 　（ｅ）キノキサリン系化合物が２，３－ジメルカプトキノキサリン誘導体である請求項１～５いずれかに記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  7. 　（ｅ）キノキサリン系化合物が６－メチルキノキサリン－２，３－ジチオカーボネートである請求項１～６いずれかに記載の半導電性加硫用ゴム組成物。
  8. 　請求項１～７に記載の半導電性加硫用ゴム組成物を加硫してなる半導電性加硫ゴム材料。
     
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013071965A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Tokai Rubber Ind Ltd ゴム組成物および帯電ロール
JP2013139490A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Sumitomo Rubber Ind Ltd 導電性ゴム組成物およびそれを用いた現像ローラ
EP2696246A1 (en) * 2011-04-05 2014-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Conductive member for electrophotography, electrophotographic device, and process cartridge
WO2018116723A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 Nok株式会社 アクリロニトリル・ブタジエン共重合ゴム－エピクロロヒドリン系ゴム組成物
WO2020218144A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 住友理工株式会社 電子写真機器用導電性ロール

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010021169A1 (ja) * 2008-08-22 2010-02-25 ダイソー株式会社 空気バネ用加硫ゴム組成物及び空気バネ用ゴム成型体
KR20150034515A (ko) * 2013-09-26 2015-04-03 삼성전자주식회사 화상 형성 장치용 반도전성 롤러
JP2016157014A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 シンジーテック株式会社 導電性ロール及びその製造方法
CN105061836B (zh) * 2015-08-18 2017-12-05 平田橡塑五金制品（深圳）有限公司 一种高分子发泡半导体转印辊及其制备方法
CN105694420B (zh) * 2016-03-24 2018-03-20 远东电缆有限公司 智能中压橡套电缆内护套用半导电橡皮及制备方法
JP2019516830A (ja) * 2016-05-13 2019-06-20 ゼオン ケミカルズ、エル．ピー． 導電性ポリマー組成物および適用
CN113583312B (zh) * 2021-08-31 2023-06-13 中广核高新核材科技（苏州）有限公司 一种半导电橡胶辊及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000191837A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴム組成物
JP2000212330A (ja) * 1999-01-26 2000-08-02 Nippon Zeon Co Ltd 加硫性ゴム組成物
JP2000313769A (ja) * 1999-03-01 2000-11-14 Daiso Co Ltd ブレンドゴム加硫用組成物
JP2003096253A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Three Bond Co Ltd 塩素系殺菌水に安定なゴム組成物
JP2006091118A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Canon Chemicals Inc 導電性ゴムローラー及び転写ローラー

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701138B2 (ja) * 1995-03-13 1998-01-21 ニチアス株式会社 加硫ゴム組成物
US6078778A (en) * 1997-09-05 2000-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Electrifying member comprising an electrically conductive elastomer, and electrophotograph apparatus using said electrifying member
JPH1184819A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Canon Inc 帯電部材及びこれを用いた電子写真装置
US20030096917A1 (en) * 2001-08-23 2003-05-22 Sumitomo Rubber Industries, Ltd. Polymer composition for conductive roller, polymer composition, conductive roller, and conductive belt
JP5061641B2 (ja) 2006-03-03 2012-10-31 ダイソー株式会社 ゴム組成物及び加硫ゴム成形体
JP5471176B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-16 富士ゼロックス株式会社 導電性ローラ用組成物、導電性ローラ、帯電装置、画像形成装置およびプロセスカートリッジならびに導電性ローラの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000191837A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Rubber Ind Ltd ゴム組成物
JP2000212330A (ja) * 1999-01-26 2000-08-02 Nippon Zeon Co Ltd 加硫性ゴム組成物
JP2000313769A (ja) * 1999-03-01 2000-11-14 Daiso Co Ltd ブレンドゴム加硫用組成物
JP2003096253A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Three Bond Co Ltd 塩素系殺菌水に安定なゴム組成物
JP2006091118A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Canon Chemicals Inc 導電性ゴムローラー及び転写ローラー

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2351793A4

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2696246A1 (en) * 2011-04-05 2014-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Conductive member for electrophotography, electrophotographic device, and process cartridge
EP2696246A4 (en) * 2011-04-05 2014-08-27 Canon Kk CONDUCTIVE ELEMENT FOR ELECTROPHOTOGRAPHY, ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE AND PROCESS CARTRIDGE
JP2013071965A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Tokai Rubber Ind Ltd ゴム組成物および帯電ロール
JP2013139490A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Sumitomo Rubber Ind Ltd 導電性ゴム組成物およびそれを用いた現像ローラ
WO2018116723A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 Nok株式会社 アクリロニトリル・ブタジエン共重合ゴム－エピクロロヒドリン系ゴム組成物
JPWO2018116723A1 (ja) * 2016-12-22 2018-12-20 Nok株式会社 アクリロニトリル・ブタジエン共重合ゴム−エピクロロヒドリン系ゴム組成物
WO2020218144A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 住友理工株式会社 電子写真機器用導電性ロール
JP2020181065A (ja) * 2019-04-25 2020-11-05 住友理工株式会社 電子写真機器用導電性ロール
JP7132883B2 (ja) 2019-04-25 2022-09-07 住友理工株式会社 電子写真機器用導電性ロール

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