JP5682780B2 - 半導電性ゴム組成物 - Google Patents

Description

本発明は半導電性ゴム組成物に関する。本発明の半導電性ゴム組成物及びその加硫物はその半導電特性により、コピー機、プリンター等における電子写真プロセスの現像ロール、帯電ロール、転写ロールを構成する材料として有用であり、加工性及び押出性に優れているため、押出及びインジェクション成形時の生産性が向上する点で好ましい。

近年、接触帯電方式に用いられる帯電ロール、転写ロール、現像ロールにおいて、より高画質化、高速化及び製造過程での高生産性が要求されてきており、それに伴って基材部分であるゴム材料の更なる機能向上が求められている。

ＯＡ用ロールの製造方法としては押出成形、インジェクション成形がある。これらは基材となるゴムに必要な配合剤を混合した後に高温にして溶融させ成形する手法であるが、混合した後のコンパウンドの粘度が高いと溶融が十分に起こらず、インジェクション成形での充填不足などの不具合や押出成形時の流れ性の低下による生産性の悪化といったことが起こる。

従来、コンパウンドの粘度を下げるには例えば様々な液状の可塑剤等を加えてきた。しかし、可塑剤等はロールへの通電や湿度等の周囲環境の変化に伴ってブリードし、接触している感光体への汚染が問題となる。このブリードを防ぐために、低分子量で低粘度であるゴムを加えたり、分子量の大きい可塑剤を加えることで粘度の改良が試みられてきたが、体積抵抗率の悪化などの問題が起こっていた。そこで、体積抵抗率等の物性を低下させないためにゴム自体の粘度改良が兼ねてより要求されてきた。

特開２００７−２９８８２１号公報

本発明は、かかる事情を背景としてなされたものであり、コピー機、プリンター等に使用される電子写真プロセスの帯電、現像、転写などの半導電性ゴムロール及び半導電性ベルトに用いられる半導電性ゴム組成物及びその加硫物を提供することを目的とする。

本発明者らは、（１）エピクロルヒドリンに由来する構成単位として１０〜４０ｍｏｌ％、（２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位として６０〜９０ｍｏｌ％、（３）エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として０〜１０ｍｏｌ％を有するゴム組成物において、該ゴム組成物の１００℃におけるメルトフローレートが３×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が８０万以上である半導電性ゴム組成物が上記課題を解決することを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明により得られた半導電性ゴム加硫物はこれまで帯電ロール、現像ロール、転写ロール等に使用されてきたゴムと同様に半導電性を持ち、かつ加工性及び成形性に優れているため押出及びインジェクション成形における生産性が良好であり、その加硫物はコピー機、プリンター等の半導電性ゴムロール及びベルト等に非常に有用である。

以下に、本発明について詳細に説明する。

本発明の半導電性ゴム組成物は、（１）エピクロルヒドリンに由来する構成単位として１０〜４０ｍｏｌ％、（２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位として６０〜９０ｍｏｌ％、（３）エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として０〜１０ｍｏｌ％を有するゴム組成物において、該ゴム組成物の１００℃におけるメルトフローレートが３×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が８０万以上である半導電性ゴム組成物である。

本発明の半導電性ゴム組成物は、単独のゴム、又は２種以上のブレンドゴムとして（１）エピクロルヒドリンに由来する構成単位として１０〜４０ｍｏｌ％、（２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位として６０〜９０ｍｏｌ％、（３）エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として０〜１０ｍｏｌ％を有する半導電性ゴム組成物であればよい。

本発明の半導電性ゴム組成物においては、（１）エピクロルヒドリンに由来する構成単位として１０〜４０モル％を有するが好ましく、１０〜３５モル％を有することがより好ましく、１５〜３０モル％を有することが特に好ましい。

本発明の半導電性ゴム組成物においては、（２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位として６０〜９０ｍｏｌ％を有するが好ましく、６０〜８０モル％を有するがより好ましく、６５〜８０モル％を有することが特に好ましい。また、アルキレンオキサイドに由来する構成単位はエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選択されるアルキレンオキサイドに由来する構成単位であることが好ましく、半導電性の観点からエチレンオキサイドに由来する構成単位であることが特に好ましい。

本発明の半導電性ゴム組成物においては、（３）エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位として０〜１０ｍｏｌ％であることが好ましく、２〜１０モル％有することが好ましく、３〜７モル％有することが特に好ましい。また、エチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位はアリルグリシジルエーテルに由来する構成単位であることが好ましい。

本発明の半導電性ゴム組成物の好ましい具体例としては、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体及び／又はエピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル共重合体が例示され、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体及び／又はエピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル共重合体とエピクロルヒドリン単独重合体及び／又はエピクロルヒドリン−アリルグリシジルエーテル共重合体とのブレンドであってもよい。

メルトフローレート
本発明における半導電性ゴム組成物のメルトフローレートは３×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であり、５×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であることが好ましく、７×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であることが特に好ましい。メルトフローレートの上限は特に限定されないが、５．０×１０^−１ｃｍ^３／秒以下であることが好ましい。メルトフローレートはＪＩＳ Ｋ ７２１０のＢ法に準拠して測定することができる。

重量平均分子量
本発明における半導電性ゴム組成物の重量平均分子量は８０万以上であり、９０万以上であることが好ましく、１００万以上であることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は１５０万以下であることが好ましく、１４５万以下であることが特に好ましい。重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いてポリスチレン換算により測定することができる。

加硫剤
本発明の半導電性ゴム組成物を加硫するために用いられる加硫剤は、塩素原子の反応性を利用する公知の加硫剤が使用できる。例示すると、例えば、ポリアミン系加硫剤、チオウレア系加硫剤、チアジアゾール系加硫剤、メルカプトトリアジン系加硫剤、ピラジン系加硫剤、キノキサリン系加硫剤、ビスフェノール系加硫剤等である。また、側鎖二重結合の反応性を利用する公知の加硫剤としては硫黄系加硫剤、有機酸化物系加硫剤等があげられる。

ポリアミン系加硫剤としては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンテトラミン、ｐ−フェニレンジアミン、クメンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジシンナミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、エチレンジアミンカーバメート、ヘキサメチレンジアミンカーバメート等があげられる。

チオウレア系加硫剤としては、エチレンチオウレア、１，３−ジエチルチオウレア、１，３−ジブチルチオウレア、トリメチルチオウレア等があげられる。

チアジアゾール系加硫剤としては、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−５−チオベンゾエート等があげられる。

メルカプトトリアジン系加硫剤としては、２，４，６−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン、２−メトキシ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−ヘキシルアミノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−ジエチルアミノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−シクロヘキサンアミノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−アニリノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、２−フェニルアミノ−４，６−ジメルカプトトリアジン等があげられる。

ピラジン系加硫剤としては、２，３−ジメルカプトピラジン誘導体等があげられ、２，３−ジメルカプトピラジン誘導体を例示すると、ピラジン−２，３−ジチオカーボネート、５−メチル−２，３−ジメルカプトピラジン、５−エチルピラジン−２，３−ジチオカーボネート、５，６−ジメチル−２，３−ジメルカプトピラジン、５，６−ジメチルピラジン−２，３−ジチオカーボネート等があげられる。

キノキサリン系加硫剤としては、２，３−ジメルカプトキノキサリン誘導体等があげられ、２，３−ジメルカプトキノキサリン誘導体を例示すると、キノキサリン−２，３−ジチオカーボネート、６−メチルキノキサリン−２，３−ジチオカーボネート、６−エチル−２，３−ジメルカプトキノキサリン、６−イソプロピルキノキサリン−２，３−ジチオカーボネート、５，８−ジメチルキノキサリン−２，３−ジチオカーボネート等があげられる。

ビスフェノール系加硫剤としては、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン（ビスフェノールＳ）、１，１−シクロヘキシリデン−ビス(４−ヒドロキシベンゼン)、２−クロロ−１，４−シクロヘキシレン−ビス (４−ヒドロキシベンゼン)、２,２−イソプロピリデン−ビス(４−ヒドロキシベンゼン)（ビスフェノールＡ）、ヘキサフルオロイソプロピリデン−ビス（４−ヒドロキシベンゼン)（ビスフェノールＡＦ）および２−フルオロ−１，４−フェニレン−ビス(４−ヒドロキシベンゼン)等があげられる。

硫黄系加硫剤としては、硫黄、モルホリンジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルチウラムジスルフィド、ジペンタンメチレンチウラムテトラスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、ジペンタメチレンチウラムヘキサスルフィドが挙げられる。

有機酸化物系加硫剤としては、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、１，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ベンゾイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエートが挙げられる。

加硫剤の配合量は、本発明における半導電性ゴム組成物１００重量部に対して０．１〜１０重量部であることが好ましく、０．１〜５重量部であることがより好ましい。

加硫促進剤
また、加硫剤と共に用いられる公知の促進剤（即ち、加硫促進剤）を本発明の半導電性ゴム組成物に、そのまま用いることができる。

前記加硫促進剤の例としては、チアゾール系加硫促進剤、スルフェンアミド系加硫促進剤、チウラム系加硫促進剤等を挙げることができる。

例示するならば、チアゾール系促進剤の例としては、ジ−２−ベンゾチアゾリルジスルフィド、２−メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、２−メルカプトベンゾチアゾールの亜鉛塩等が挙げられる。スルフェンアミド系加硫促進剤の具体例としては、Ｎ−エチル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ−ｔ−ブチル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ，Ｎ−ジ−イソプロピル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ，Ｎ−ジ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド、Ｎ−オキシ−ジ−エチレン−２−ベンゾチアジルスルフェンアミド等が挙げられる。チウラム系加硫促進剤の具体例としては、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド等が挙げられる。

加硫促進剤の配合量は本発明における半導電性ゴム組成物１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましく、０．３〜３重量部であることがより好ましい。

受酸剤
本発明で用いられる受酸剤としては、公知の受酸剤を使用できるが、好ましくは金属化合物および／または無機マイクロポーラス・クリスタルである。金属化合物としては、周期表第ＩＩ族（２族および１２族）金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、亜リン酸塩、周期表ＩＩＩ族（３族および１３族）金属の酸化物、水酸化物、カルボン酸塩、ケイ酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、周期表第ＩＶ族（４族および１４族）金属の酸化物、塩基性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩基性亜リン酸塩、塩基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸塩等の金属化合物が挙げられる。

前記金属化合物の具体例としては、マグネシア、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、亜鉛華、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基性フタル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、ステアリン酸錫、塩基性亜リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三塩基性硫酸鉛等を挙げることができ、炭酸ナトリウム、マグネシア、水酸化マグネシウム、生石灰、消石灰、ケイ酸カルシウム、亜鉛華等が好ましい。

前記無機マイクロポーラス・クリスタルとは、結晶性の多孔体を意味し、無定型の多孔体、例えばシリカゲル、アルミナ等とは明瞭に区別できるものである。このような無機マイクロポーラス・クリスタルの例としては、ゼオライト類、アルミノホスフェート型モレキュラーシーブ、層状ケイ酸塩、合成ハイドロタルサイト、チタン酸アルカリ金属塩等が挙げられる。特に好ましい受酸剤としては、合成ハイドロタルサイトが挙げられる。

前記ゼオライト類は、天然ゼオライトの外、Ａ型、Ｘ型、Ｙ型の合成ゼオライト、ソーダライト類、天然ないしは合成モルデナイト、ＺＳＭ−５などの各種ゼオライトおよびこれらの金属置換体であり、これらは単独で用いても２種以上の組み合わせで用いても良い。また金属置換体の金属はナトリウムであることが多い。ゼオライト類としては酸受容能が大きいものが好ましく、Ａ型ゼオライトが好ましい。

前記合成ハイドロタルサイトは下記一般式（１）で表される。
Ｍｇ_ＸＺｎ_ＹＡｌ_Ｚ（ＯＨ）_{（２（Ｘ+Ｙ）+３Ｚ−２）}ＣＯ_３・ｗＨ_２Ｏ （１）
［式中、ｘとｙはそれぞれｘ＋ｙ＝１〜１０の関係を有する０〜１０の実数、ｚは１〜５の実数、ｗは０〜１０の実数をそれぞれ示す。］

前記一般式（１）で表されるハイドロタルサイト類の例として、Ｍｇ_４.５Ａｌ_２（ＯＨ）_１３ＣＯ_３・３．５Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_４.５Ａｌ_２（ＯＨ）_１３ＣＯ_３、Ｍｇ_４Ａｌ_２（ＯＨ）_１２ＣＯ_３・３．５Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_６Ａｌ_２（ＯＨ）_１６ＣＯ_３・４Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_５Ａｌ_２（ＯＨ）_１４ＣＯ_３・４Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_３Ａｌ_２（ＯＨ）_１０ＣＯ_３・１．７Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_３ＺｎＡｌ_２（ＯＨ）_１２ＣＯ_３・３．５Ｈ_２Ｏ、Ｍｇ_３ＺｎＡｌ_２（ＯＨ）_１２ＣＯ_３等を挙げることができる。

受酸剤の配合量は本発明における半導電性ゴム組成物１００重量部に対して０．２〜５０重量部であることが好ましく、１〜２０重量部であることがより好ましい。

本発明の半導電性ゴム組成物に対しては、本発明の効果を損なわない限り、上記以外の配合剤、例えば、滑剤、老化防止剤、充てん剤、補強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を任意に配合し、半導電性ゴム材料用組成物としてもよい。さらに本発明の特性が失われない範囲で、当該技術分野で通常行われている、ゴム、樹脂等のブレンドを行うことも可能である。

加工方法
本発明の半導電性ゴム組成物又は半導電性ゴム材料用組成物の加工方法としては、従来ポリマー加工の分野において利用されている任意の手段、例えばミキシングロール、バンバリーミキサー、各種ニーダー類等を用いることができる。

成型方法
成型方法としては、金型による圧縮成型、押出成型、インジェクション成型等が例示できるが、本発明の半導電性ゴム組成物を用いた押出成型、インジェクション成型することが好ましい。

加硫方法
本発明の半導電性ゴム組成物を用いた加硫物は、前記半導電性ゴム組成物に所定の加硫剤等を加えて、通常１００〜２００℃に加熱する事で得られ、加硫時間は温度により異なるが、０．５〜３００分の間で行われるのが通常である。

実施例、比較例
以下において、代表的な例として実施例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。

重合触媒の合成
温度計および攪拌装置を伏した三ツ口フラスコにジブチル錫オキシド１０．０ｇ、トリブチルホスフェート２３．４ｇをいれ、窒素気流下に攪拌しながら２６０℃で１５分間加熱して留出物を留去させ、残留物として固体状の縮合物質を得た。この縮合物質を触媒として以下の重合を行った。

実施例１
内容量２０ＬのＳＵＳ反応器（温度計および攪拌装置付き）の内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒７．２ｇ、水分１０ｐｐｍ以下のノルマルヘキサン４５００ｇ、エピクロルヒドリン５６０ｇ、エチレンオキサイド８２０ｇの６０％量、アリルグリシジルエーテル１２０ｇ、ノルマルブタノール０．１２ｇを仕込み３５℃にて２０時間反応させた。なお反応時間１．５時間目と２．５時間目におのおのエチレンオキサイドの２５％量、１５％量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下６０℃にて８時間乾燥し、ゴム組成物を得た。

実施例２
内容量２０ＬのＳＵＳ反応器（温度計および攪拌装置付き）の内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒７．２ｇ、水分１０ｐｐｍ以下のノルマルヘキサン４５００ｇ、エピクロルヒドリン５６０ｇ、エチレンオキサイド８２０ｇの６０％量、アリルグリシジルエーテル１２０ｇ、ノルマルブタノール０．０６ｇを仕込み３５℃にて２０時間反応させた。なお反応時間１．５時間目と２．５時間目におのおのエチレンオキサイドの２５％量、１５％量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下６０℃にて８時間乾燥し、ゴム組成物を得た。

実施例３
内容量２０ＬのＳＵＳ反応器（温度計および攪拌装置付き）の内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒７．２ｇ、水分１０ｐｐｍ以下のノルマルヘキサン４５００ｇ、エピクロルヒドリン５６０ｇ、エチレンオキサイド８２０ｇの６０％量、アリルグリシジルエーテル１２０ｇ、ノルマルブタノール０．０３ｇを仕込み３５℃にて２０時間反応させた。なお反応時間１．５時間目と２．５時間目におのおのエチレンオキサイドの２５％量、１５％量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下６０℃にて８時間乾燥し、ゴム組成物を得た。

比較例１
内容量２０ＬのＳＵＳ反応器（温度計および攪拌装置付き）の内部を窒素置換し、上記縮合物質触媒７．２ｇ、水分１０ｐｐｍ以下のノルマルヘキサン４５００ｇ、エピクロルヒドリン５６０ｇ、エチレンオキサイド８２０ｇの６０％量、アリルグリシジルエーテル１２０ｇ、ノルマルブタノール０．２４ｇを仕込み３５℃にて２０時間反応させた。なお反応時間１．５時間目と２．５時間目におのおのエチレンオキサイドの２５％量、１５％量を添加した。反応溶液を除去した後、減圧下６０℃にて８時間乾燥し、ゴム組成物を得た。

比較例２
ダイソー株式会社製のエピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体「ＥＰＩＯＮ−３０１」を比較例２とした。

重合体の分析
得られたゴム組成物の共重合組成について、塩素含有量及びヨウ素価により求める。
塩素含有量はＪＩＳ Ｋ７２２９に記載の方法に従い、電位差滴定法によって求めた。
電位差滴定は電極に複合銀電極Ｃ−８７８を備えた京都電子工業株式会社製ＡＴ−４２０Ｎ電位差滴定装置を用いて行い、得られた塩素含有量からエピクロルヒドリンに由来する構成単位のモル分率を算出する。
ヨウ素価はＪＩＳ Ｋ６２３５に準じた方法で測定した。共栓付きフラスコにサンプル約０．７０ｇとクロロホルム８０ｍＬを加えて４０℃に加熱してサンプルを溶解させた後、ウィイス試薬２０ｍＬと酢酸ナトリウム水溶液１０ｍＬを加えてよく振り混ぜ、暗所で２０分間静置する。次に２０％ヨウ化カリウム水溶液５ｍＬを加えてよく振り混ぜる。その後、微量複合白金電極（酸化還元滴定）を備えた自動滴定装置を用いて０．１Ｎ−チオ硫酸ナトリウム水溶液で電位差滴定を行い、得られたヨウ素価からエチレン性不飽和基含有モノマーに由来する構成単位のモル分率を算出する。
アルキレンオキサイドのモル分率は、エピクロルヒドリンに由来する構成単位のモル分率、エチレン性不飽和基含有モノマーユニットのモル分率より算出する。

重量平均分子量の測定
分子量の測定方法としては、ゴムを溶剤であるテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量及び重量平均分子量を測定した。すなわち、株式会社島津製作所製ＧＰＣ装置ＲＩＤ−６Ａ、Ｓｈｏｄｅｘ社製カラムＫＦ−８０１、ＫＦ−８０２、ＫＦ−８０３、ＫＦ−８０４、ＫＦ−８０６Ｌを用いて、流量１．０ｍＬ／ｍｉｎ、濃度を３０ｍｇポリマー／ＴＨＦ１０ｍＬとし、注入量２００μＬ、カラム温度４０℃で測定を行った。重量平均分子量の測定結果を表１に組成とともに示した。

メルトフローレート
メルトフローレートはＪＩＳ Ｋ ７２１０のＢ法に準拠して測定した。すなわち、株式会社島津製作所製ＣＦＴ５００Ｃを用いて、ピストン断面積１ｃｍ^２、ダイ穴径１ｍｍ、ダイ長さ１０ｍｍの装置において、予熱時間３００秒、試料温度を１００℃、シリンダー圧力を２００ｋｇｆ／ｃｍ^２、フローレート測定位置を３ｍｍ〜７ｍｍとしてメルトフローレート（ｃｍ^３／秒）を測定した。測定結果を表１に示した。

加工性評価
加工性は二本ロールでの作業性で評価した。具体的には蒸気を用いて７０〜８０℃に加熱した二本ロールへ各実施例及び比較例に示すゴムを投入し、ロールへの粘着性を観察し、以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
○：粘着性がなく作業性が良い
×：粘着性があり作業性が悪い

押出性評価
押出性はメルトフローレート測定時の押出肌で評価した。具体的にメルトフローレート測定後に押し出したサンプルの表面を観察し、以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
○：押出表面がなめらか
×：押出表面が荒い

表１の各種ゴムを表２に示す各材料とともにオープンロールで混練し、未加硫ゴムシートを作製した。得られた未加硫ゴムシートを用い、１７０℃で１５分プレス加硫した。得られた架橋シートを２３℃/５０％ＲＨ環境下にて状態調整を行った後、ＪＩＳ Ｋ６２７１に準拠し、二重リング電極を用いた三菱油化株式会社製ハイレスタを用いて、１０Ｖ印加、１分後の体積抵抗率を測定した。測定値を表３に示した。

以下に実施例、比較例で用いた配合剤を示す。
※１ ダイソー株式会社製 エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体「ＥＰＩＯＮ−３０１」
※２ 大内新興化学株式会社製 チアゾール系加硫促進剤「ノクセラーＤＭ」
※３ 大内新興化学株式会社製 チウラム系加硫促進剤「ノクセラーＴＳ」

表１に示すように、実施例１〜３及び比較例１〜２はそれぞれ（１）エピクロルヒドリン（２）エチレンオキサイド（３）アリルグリシジルエーテルを含んだ組成物である。その加工性において、比較例１は分子量が低すぎるためにロールへの粘着が起こり混練りできず、加工性が悪い。また、押出性についてはメルトフローレートが本発明に記載された範囲ではない比較例２は押出表面が荒い。一方、重量平均分子量が８０万以上であり、メルトフローレートが３×１０^−２ｃｍ^３／秒以上である実施例１〜３は加工性、押出性とも良好であった。
また、本発明のゴム組成物を用いた半導電性ゴム材料である実施例４〜６は表３に示すように２３℃／５０％ＲＨでの体積抵抗率が１．１×１０^７と半導電性を維持していた。

本発明の対象となる半導電性ゴム組成物は、半導電性を維持しつつ、液状可塑剤等を混合せずとも生産性の向上した材料として、レーザープリンタ、コピー機における現像、帯電、転写ロールとして幅広く応用可能である。

Claims (10)

1. （１）エピクロルヒドリンに由来する構成単位として１０〜４０ｍｏｌ％、（２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位として６０〜９０ｍｏｌ％、（３）アリルグリシジルエーテルに由来する構成単位として０〜１０ｍｏｌ％を有する単独のゴム、又は２種以上のブレンドゴムであるゴム組成物において、該ゴム組成物の１００℃におけるメルトフローレートが３×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であり、該組成物の重量平均分子量が８０万以上である半導電性ゴム組成物。
2. メルトフローレートが５×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導電性エピクロルヒドリン系ゴム組成物。
3. メルトフローレートが７×１０^−２ｃｍ^３／秒以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導電性エピクロルヒドリン系ゴム組成物。
4. 重量平均分子量が１００万以上であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。
5. 重量平均分子量が１００万以上１５０万以下であることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。
6. （２）アルキレンオキサイドに由来する構成単位がエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイドから選択されるアルキレンオキサイドに由来する構成単位である請求項１〜５いずれかに記載の半導電性ゴム組成物。
7. 請求項１〜６いずれかに記載の半導電性ゴム組成物を加硫してなる半導電性ゴム材料。
8. 請求項１〜６いずれかに記載の半導電性ゴム組成物を用いて押出成形又はインジェクション成形で成形し、加硫してなる半導電性ゴム材料。
9. 請求項７又は請求項８に記載の半導電性ゴム材料を用いた半導電性ゴムロール又はベルト。
10. 請求項１〜６いずれかに記載された半導電性ゴム組成物を用いて押出成形又はインジェクション成形により成形することを特徴とする半導電性ゴム材料の製造方法。