JP2001019843A - 半導電性加硫ゴム用組成物および半導電性加硫ゴム材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導電性ゴムロールまたはベルトを構成する
材料として好適に使用可能なように、１０⁵ 〜１０⁹ Ω
ｃｍ程度で、かつ、周囲の環境条件の変化によっても安
定した電気抵抗値を示す半導電性加硫ゴム材料を提供す
る。 【解決手段】 含ハロゲンポリエーテルポリマー100重
量部と、下記式[I]で表される第四級アンモニウム塩0.1
〜10重量部とを含んでなる半導電性加硫ゴム用組成物で
ある。式中、Ｒ₁ はＣ１〜１８のアルキルもしくはアル
ケニルまたはＲ₄−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₅ ）−Ｒ₆ −（Ｒ₄ は
Ｃ_１〜１８のアルキルまたはアルケニル、Ｒ₅ はＨ原子
またはＣ_１〜１８のアルキルもしくはアルケニル、Ｒ₆
はＣ_１〜６のアルキレンを示す）、Ｒ₂ およびＲ₃ は同
一もしくは互いに異なるＣ_１〜１８のアルキルもしくは
アルケニルまたはヒドロキシエチル、Ｘ⁻は１価のアニ
オン、ｎは１〜１５の整数をそれぞれ示す。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、含ハロゲンポリエ
ーテル系ポリマーをベースとする半導電性加硫ゴム用組
成物、および同組成物を加硫してなる半導電性加硫ゴム
材料に関する。本発明による半導電性加硫ゴム材料は、
コピー機、プリンター等における電子写真用プロセスの
現像ロールまたはベルト、帯電ロールまたはベルト、転
写ロールまたはベルト等の半導電性ゴムロールまたはベ
ルトを構成する材料として有用である。

【０００２】

【従来の技術】近年、コピー機、プリンター等では非接
触型帯電方式であるコロナ放電に代わって接触型帯電方
式のものが採用されて来ている。接触型帯電方式では、
一般に、帯電ロール、現像ロール等の半導電性ゴムロー
ルは感光体と接触するため、ロール表面のゴム層の物性
が画像の高画質化に大きな影響を及ぼす。

【０００３】また、帯電ロール、現像ロール等は、適度
の電気抵抗値、すなわち１０⁵ 〜１０⁹ Ωｃｍ程度の電
気抵抗値を持っていないと、感光体上に均一な帯電を付
与することができない。しかも、この電気抵抗値は、複
写機の高画質化の要求から、高温高湿下でも低温低湿下
でも変動幅が小さいこと、すなわち、周囲の環境条件の
変化によっても安定した値を示すことが要求されてい
る。

【０００４】従って、前記ゴム層の材料としては、通
常、電気抵抗値が１０⁵ 〜１０⁹ Ωｃｍ程度で、かつ、
周囲の環境条件の変化によっても安定した電気抵抗値を
示す耐環境性に優れたものであることが要求されてい
る。

【０００５】また、帯電ロール、現像ロールは、通常、
トナーをロールから離し易くするように、ゴム層の表面
にコーティング層が設けられている。そのため、ロール
全体の抵抗値が高くなってしまうので、これを防ぐには
ゴム層自身の抵抗値をできるだけ低くすることが望まれ
ている。さらに、帯電ロール、現像ロール等は、ロール
の両端部に荷重が掛かって、長期に渡り荷重変形が繰り
返されることが多く、ゴムのへたりが問題となる。その
ため、これらロールは圧縮永久歪性に優れたものである
ことも要求されている。

【０００６】これらの要求を満たすため、従来から導電
性を有する物質をポリマーに添加する等の方法が知られ
ている。

【０００７】しかしながら、従来の方法では、得られる
半導電性ゴムの電気抵抗値は、添加物の添加量、分散に
よって大きく左右されるといった欠点がある。例えば、
カーボンブラックを添加する方法では、わずかな添加量
の差異や分散不良等により電気抵抗値の再現性が確保さ
れなかったり、得られる半導電性ゴムの硬度上昇が起こ
るといった問題が生じる。また、Ｌｉ塩等のイオン導電
剤を添加する方法では、半導電性ゴムとしての抵抗値は
低下するものの、環境依存性が大きくなるといった問題
がある。

【０００８】特開平７−１４０７６０号、特開平７−７
７８５９号、特開平６−２６４９１９号、特開平６−２
６４９１８号の各公報には、ゴムロールの抵抗調整層に
導電剤として第四級アンモニウム塩を添加する方法が提
案されている。しかしながら、これらは、半導電性加硫
ゴム材料に対する上記のような要求をすべて満たしたも
のではない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実状に
鑑み、コピー機、プリンター等の現像ロールまたはベル
ト、帯電ロールまたはベルト、転写ロールまたはベルト
等の半導電性ゴムロールまたはベルトを構成する材料と
して好適に使用可能なように、１０⁵ 〜１０⁹ Ωｃｍ程
度で、かつ、周囲の環境条件の変化によっても安定した
電気抵抗値を示す半導電性加硫ゴム材料を提供すること
を目的をする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々研究
を重ねた結果、含ハロゲンポリエーテルポリマーに特定
の第四級アンモニウム塩を添加することにより、上記要
求をすべて満たす半導電性加硫ゴム用組成物および半導
電性加硫ゴム材料が得られることを見いだし、本発明を
完成した。

【００１１】すなわち、本発明は、含ハロゲンポリエー
テルポリマー１００重量部と、下記一般式[Ｉ]で表され
る第四級アンモニウム塩０．１〜１０重量部とを含んで
なる半導電性加硫ゴム用組成物である。

【００１２】

【化２】 ［式中、Ｒ₁ は炭素原子数１〜１８のアルキル基もしく
はアルケニル基またはＲ₄ −ＣＯ−Ｎ（Ｒ₅ ）−Ｒ₆ −
基（Ｒ₄ は炭素原子数１〜１８のアルキル基またはアル
ケニル基を示し、Ｒ₅ は水素原子または炭素原子数１〜
１８のアルキル基もしくはアルケニル基を示し、Ｒ₆ は
炭素原子数１〜６のアルキレン基を示す）を示し、Ｒ₂
およびＲ₃ は同一もしくは互いに異なる炭素原子数１〜
１８のアルキル基もしくはアルケニル基またはヒドロキ
シエチル基を示し、Ｘ⁻は１価のアニオンを示し、ｎは
１〜１５の整数を示す。］

【００１３】また、本発明においては、加硫剤として
２，３−ジメルカプトキノキサリン誘導体を使用するこ
とにより、圧縮永久歪率の小さい半導電性ゴム材料が得
られる。

【００１４】本発明による加硫ゴム用組成物の主構成成
分である含ハロゲンポリエーテル系ポリマーとは、エピ
ハロヒドリン単独重合体、または、エピハロヒドリンと
これに共重合可能な他のエポキシド、例えばエチレンオ
キサイド、プロピレンオキサイド、アリルグリシジルエ
ーテル等との共重合体をいう。含ハロゲンポリエーテル
系ポリマーを例示すれば、エピクロルヒドリン単独重合
体、エピブロムヒドリン単独重合体、エピクロルヒドリ
ン−エチレンオキサイド共重合体、エピブロムヒドリン
−エチレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン−
プロピレンオキサイド共重合体、エピブロムヒドリン−
プロピレンオキサイド共重合体、エピクロルヒドリン−
エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共
重合体、エピブロムヒドリン−エチレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル三元共重合体、エピクロルヒド
リン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル四元共重合体、エピブロムヒド
リン−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド−ア
リルグリシジルエーテル四元共重合体等を挙げることが
できる。

【００１５】含ハロゲンポリエーテル系ポリマーとして
特に好ましいものは、エピクロルヒドリン単独重合体、
エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体、エ
ピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシ
ジルエーテル三元共重合体であり、更に好ましくはエピ
クロルヒドリン−エチレンオキサイド共重合体、エピク
ロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジル
エーテル三元共重合体である。

【００１６】これら単独重合体または共重合体の分子量
は、ムーニー粘度表示でＭＬ₁₊₄ （１００℃）＝３０〜
１５０程度であることが好ましい。

【００１７】本発明による加硫ゴム用組成物のもう１つ
の構成成分である第四級アンモニウム塩化合物におい
て、一般式[Ｉ]中のＲ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ およびＲ₅
として定義されている炭素原子数１〜１８のアルキル基
は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブ
チル基、第二ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチル
ヘキシル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、
ヘキサデシル基、オクタデシル基等である。Ｒ₁、
Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ としての炭素原子数１〜１８の
アルケニル基は、例えば、ビニル基、アリル基、オレイ
ル基等である。Ｒ₆ としての炭素原子数１〜６のアルキ
レン基は、例えば、メチレン基、１，２−エチレン基、
１，２−プロピレン基、１，３−ブロピレン基、１，４
−ブチレン基、１，６−へキシレン基である。

【００１８】また、一般式[Ｉ]中のＸ⁻としての１価の
アニオンは、例えば、ハロゲン化物イオン、無機酸イオ
ン、有機酸イオン等である。ハロゲン化物イオンは、フ
ッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物
イオン等であり、無機酸イオンとしては、過塩素酸イオ
ン、炭酸イオン、硝酸イオン、硫化物イオン等が例示さ
れる。Ｘ⁻としては過塩素酸イオンが好ましい。

【００１９】ｎは１〜１５、好ましくは２〜１５の整数
を意味する。

【００２０】第四級アンモニウム塩[Ｉ]はその１種を単
独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２１】第四級アンモニウム塩[Ｉ]の添加量は、含
ハロゲンポリエーテル系ポリマー１００重量部に対して
０．１〜１０重量部、好ましくは０．２〜５重量部であ
る。第四級アンモニウム塩[Ｉ]の添加量が０．１重量部
未満であると、電気抵抗値の低下が不十分であり、また
１０重量部を超えても、特に効果が増大することはな
い。

【００２２】本発明による半導電性加硫ゴム用組成物に
含まれる加硫剤としては、塩素原子の反応性を利用する
公知の加硫剤、即ちポリアミン類、チオウレア類、チア
ジアゾール類、メルカプトトリアジン類、キノキサリン
類等が、また、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイ
ド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体のような重
合体の側鎖二重結合の反応性を利用する公知の加硫剤、
例えば、有機過酸化物、硫黄、モルホリンポリスルフィ
ド類、チウラムポリスルフィド類等が適宜使用される。

【００２３】本発明組成物に用いられる加硫剤を例示す
れば、ポリアミン類としては、エチレンジアミン、ヘキ
サメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチ
レンテトラミン、ヘキサメチレンテトラミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、クメンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジシンナ
ミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、エチレンジアミ
ンカーバメート、ヘキサメチレンジアミンカーバメート
等が挙げられ、チオウレア類としては、２−メルカプト
イミダゾリン、１，３−ジエチルチオウレア、１，３−
ジブチルチオウレア、トリメチルチオウレア等が挙げら
れ、チアジアゾール類としては、２，５−ジメルカプト
−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−１，
３，４−チアジアゾール―５―チオベンゾエート等が挙
げられ、メルカプトトリアジン類としては、２，４，６
−トリメルカプト−１，３，５−トリアジン、１−メト
キシ−３，５−ジメルカプトトリアジン、１−ヘキシル
アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン、１−ジエチ
ルアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン、１−シク
ロヘキサンアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン、
１−ジブチルアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジ
ン、２−アニリノ−４，６−ジメルカプトトリアジン、
１−フェニルアミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン
等が挙げられ、キノキサリン類としては、２，３−ジメ
ルカプトキノキサリン誘導体等が挙げられ、有機過酸化
物としては、tert−ブチルヒドロパーオキサイド、ｐ−
メンタンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイ
ド、tert−ブチルパーオキサイド、１，３−ビス（tert
−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５−
ジメチル−２，５−ジ（tert−ブチルパーオキシ）ヘキ
サン、ベンゾイルパーオキサイド、tert−ブチルパーオ
キシベンゾエート等が挙げられ、モルホリンポリスルフ
ィド類としては、モルホリンジスルフィド等が挙げら
れ、チウラムポリスルフィド類としては、テトラメチル
チウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフ
ィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、Ｎ，Ｎ’−
ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルチウラムジスルフィ
ド、ジペンタンメチレンチウラムテトラスルフィド、ジ
ペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、ジペンタメ
チレンチウラムヘキサスルフィド等が挙げられる。

【００２４】上記加硫剤のうち、硫黄または２，３−ジ
メルカプトキノキサリン誘導体が特に好ましい。

【００２５】また、２，３−ジメルカプトキノキサリン
誘導体を用いると、良好な圧縮永久歪率が得られるた
め、これは本発明組成物において特に好適である。

【００２６】２，３−ジメルカプトキノキサリン誘導体
の例としては、キノキサリン−２，３−ジチオカーボネ
ート、６−メチルキノキサリン−２，３−ジチオカーボ
ネート、６−イソプロピルキノキサリン−２，３−ジチ
オカーボネート、５，８−ジメチルキノキサリン−２，
３−ジチオカーボネート等が挙げられる。２，３−ジメ
ルカプトキノキサリン誘導体の添加量は、含ハロゲンポ
リエーテル系ポリマー１００重量部に対して通常０．１
〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。こ
の範囲未満の添加量では、優れた圧縮永久歪性を得るこ
とが困難になり、一方この範囲を超えると得られた加硫
物が剛直になりすぎて、含ハロゲンポリエーテル系ポリ
マー加硫物に通常期待される物性が得られなくなること
がある。２，３−ジメルカプトキノキサリン誘導体以外
の加硫剤の添加量も上記と同じ範囲であってよい。

【００２７】加硫剤はその１種を単独で用いても２種以
上を組み合わせて用いてもよい。

【００２８】また、加硫剤と共に公知の促進剤（加硫促
進剤）、遅延剤などを含ハロゲンポリエーテル系ポリマ
ーに添加することもできる。加硫促進剤の例としては、
アミン類、アミンの弱酸塩類、塩基性シリカ、第四級ア
ンモニウム塩類、第四級ホスホニウム塩類、多官能ビニ
ル化合物、メルカプトベンゾチアゾール類、スルフェン
アミド類、ジメチオカーバメート類、チウラムポリスル
フィド類等を挙げることができる。また、遅延剤として
はＮ−シクロヘキシルチオフタルイミド等を挙げること
ができる。

【００２９】これらは単独で用いても２種以上を組み合
わせて用いてもよい。

【００３０】促進剤または遅延剤の添加量は、含ハロゲ
ンポリエーテル系ポリマー１００重量部に対して０〜１
０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。

【００３１】本発明による半導電性加硫ゴム用組成物は
受酸剤を含んでいてもよい。受酸剤としては、周期表第
II族の金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸
塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、亜リン酸塩、周期表第IV族の
金属の酸化物、塩基性炭酸塩、塩基性カルボン酸塩、塩
基性亜リン酸塩、塩基性亜硫酸塩、三塩基性硫酸鉛等、
および下記一般式[II] Ｍｇ_x Ｚｎ_y Ａｌ_z （ＯＨ）_2(x+y)+3z-2 ＣＯ₃ ・ｗＨ₂ Ｏ ……[II] （式中、ｘとｙは０〜１０、ただしｘ＋ｙ＝１〜１０、
ｚは１〜５、ｗは０〜１０の実数をそれぞれ示す）で表
される合成ハイドロタルサイト類等が適宜使用される。

【００３２】受酸剤の具体例としては、マグネシア、水
酸化マグネシウム、水酸化バリウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸バリウム、生石灰、消石灰、炭酸カルシウム、
ケイ酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリ
ン酸亜鉛、フタル酸カルシウム、亜リン酸カルシウム、
酸化亜鉛、酸化錫、リサージ、鉛丹、鉛白、二塩基性フ
タル酸鉛、二塩基性炭酸鉛、ステアリン酸錫、塩基性亜
リン酸鉛、塩基性亜リン酸錫、塩基性亜硫酸鉛、三塩基
性硫酸鉛などを挙げることができる。さらに、合成ハイ
ドロタルサイト類としては、Ｍｇ_4.5 Ａｌ₂ （ＯＨ）₁₃
ＣＯ₃ ・３．５Ｈ₂ Ｏ、Ｍｇ_4.5 Ａｌ₂ （ＯＨ）₁₃ＣＯ
₃ 、Ｍｇ₄ Ａｌ₂ （ＯＨ）₁₂ＣＯ₃ ・３．５Ｈ₂ Ｏ、Ｍ
ｇ₆ Ａｌ₂ （ＯＨ）₁₆ＣＯ₃ ・４Ｈ₂ Ｏ、Ｍｇ₃ Ａｌ₂
（ＯＨ）₁₀ＣＯ₃ ・１．７Ｈ₂ Ｏ、Ｍｇ₃ ＺｎＡｌ
₂ （ＯＨ）₁₂ＣＯ₃ ・ｗＨ₂ Ｏ、Ｍｇ₃ＺｎＡｌ₂ （Ｏ
Ｈ）₁₂ＣＯ₃ 等を挙げることができる。

【００３３】受酸剤はその１種を単独で用いても２種以
上を組み合わせて用いてもよい。

【００３４】受酸剤の量は、含ハロゲンポリエーテル系
ポリマー１００重量部に対して０〜５０重量部、好まし
くは０．５〜２０重量部である。

【００３５】また、本発明による半導電性加硫ゴム用組
成物は、他の添加剤、例えば滑剤、老化防止剤、充填
剤、補強剤、可塑剤、加工助剤、難燃剤、顔料等を適宜
含むことができる。さらに本発明の技術的特徴が失われ
ない範囲で、当該技術分野で通常行われているゴム、樹
脂等のブレンドを行うことも可能である。

【００３６】本発明による組成物の構成成分の配合手段
としては、従来ポリマー加工の分野において利用されて
いる任意の手段、例えばミキシングロール、バンバリー
ミキサー、各種ニーダー類等を利用することができる。

【００３７】本発明による半導電性加硫ゴム用組成物
は、これを通常１００〜２５０℃の温度に加熱すること
で加硫物とすることができる。加硫時間は温度によって
も異なるが、通常は０．５〜３００分の間である。加硫
成型の方法としては、金型による圧縮成型、射出成型、
スチーム缶、エアーバス、赤外線あるいはマイクロウェ
ーブによる加熱等、任意の方法を用いることができる。

【００３８】本発明による半導電性加硫ゴム材料は、温
度２３℃で相対湿度５０％における体積固有電気抵抗値
が１０⁵ Ωｃｍ以上１０⁹ Ωｃｍ未満の範囲、好ましく
は１０⁶ Ωｃｍ以上１０⁷ Ωｃｍ未満の範囲にあるもの
である。

【００３９】また、本発明による半導電性加硫ゴム材料
は、温度１０℃で相対湿度１５％における体積固有電気
抵抗値（Ａ）および温度３０℃で相対湿度８０％におけ
る体積固有電気抵抗値（Ｂ）の対数の差 ｌｏｇ₁₀（Ａ）−ｌｏｇ₁₀（Ｂ） で定義される環境依存性の評価値が１．０〜１．８の範
囲にあるものである。

【００４０】本発明による半導電性加硫ゴム材料は、コ
ピー機、プリンター等における電子写真用プロセスの現
像ロールまたはベルト、帯電ロールまたはベルト、転写
ロールまたはベルト等の半導電性ゴムロールまたはベル
トを構成する材料として有用である。

【００４１】

【発明の実施の形態】つぎに本発明の実施例を幾つか挙
げるが、これらは本発明を限定するものではない。

【００４２】［実施例１］表１に示す成分を配合して、
加硫ゴム用組成物を得た。

【００４３】この組成物を、温度７０℃に調整したオー
プンロールで混練りし、得られた混練物を温度１７０℃
で１５分間プレス加硫し、２ｍｍ厚の加硫ゴムシートを
得た。

【００４４】［実施例２〜４］［比較例１〜５］成分お
よび配合量を表１および表２に示すように変更した点を
除いて、実施例１と同様の操作を行い、加硫ゴムシート
を得た。

【００４５】性能評価試験 実施例および比較例で得られた加硫ゴムシートに対し、
体積固有電気抵抗および環境依存性について、下記の方
法で性能評価試験を行った。

【００４６】・体積固有電気抵抗 加硫ゴムシートおよび絶縁抵抗計（三菱油化（株）製
「ハイレスタＨＰ」）を、温度１０℃で相対湿度（Ｒ
Ｈ）１５％、温度２３℃で５０％ＲＨ（この条件が標準
的な条件である）、および温度３０℃で８０％ＲＨの各
環境条件下に設定した恒温恒湿槽内に入れ、２４時間以
上放置した。その後、電圧を１０Ｖ印加し、１分後のシ
ートの抵抗値を測定した。

【００４７】・環境依存性 体積固有電気抵抗の環境依存性を、温度１０℃で相対湿
度１５％における体積固有電気抵抗値（Ａ）および温度
３０℃で相対湿度８０％における体積固有電気抵抗値
（Ｂ）の対数の差と定義する。

【００４８】すなわち、環境依存性の評価値は、上記測
定によって得られた抵抗値から、式： ｌｏｇ₁₀（Ａ）−ｌｏｇ₁₀（Ｂ） で算出した値である。

【００４９】得られた体積固有電気抵抗値および環境依
存性の評価値を表３および表４に、またＪＩＳＫ６３０
１に従って測定した、温度７０℃で２２時間圧縮の条件
における圧縮永久歪率を表５および表６にそれぞれ示
す。

【００５０】

【表１】

【００５１】

【表２】

【００５２】１）ＥＰ／ＥＯ／ＡＧＥ共重合ゴム：「エ
ピクロマーＣＧ−１０２」（ダイソー（株）製、エピク
ロルヒドリン（ＥＰ）／エチレンオキサイド（ＥＯ）／
アリルグリシジルエーテル（ＡＧＥ）三元共重合体、モ
ノマー比：ＥＰ／ＥＯ／ＡＧＥ＝４０／５６／４ｍｏｌ
％） ２）「ＤＨＴ−４Ａ」（協和化学工業（株）製ハイドロ
タルサイト） ３）ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７ ４）ｎ＝１および＝２の混合物（ｎ＝１ ４５重量％、
ｎ＝２ ５５重量％）

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【００５３】

【発明の効果】本発明による半導電性加硫ゴム材料は、
体積固有電気抵抗値が１０⁵ Ωｃｍ以上１０⁹ Ωｃｍ未
満の範囲にあり、かつ、周囲の環境条件の変化によって
も安定した電気抵抗値を示す耐環境性に優れたものであ
る。

【００５４】また、加硫剤として２，３−ジメルカプト
キノキサリン誘導体を使用することにより、圧縮永久歪
率の小さい半導電性ゴム材料を得ることができる。

【００５５】よって、本発明より得られた半導電性加硫
ゴム材料は、このような特性の故に、コピー機、プリン
ター等における電子写真用プロセスの現像ロールまたは
ベルト、帯電ロールまたはベルト、転写ロールまたはベ
ルト等の半導電性ゴムロールまたはベルトを構成する材
料として好適に用いることができるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三隅 好三 兵庫県尼崎市大高洲町９番地 ダイソー株 式会社内 Ｆターム(参考） 4F070 AA52 AC05 AC46 AC50 AE08 GA06 GB02 GC02 4J002 CH041 CH052 DA047 EK017 EK037 EK047 EK057 EN037 EN047 EN077 EN097 EN136 EV127 EV167 EV347 FD030 FD112 FD116 FD147 FD150 GM00 GM01 GQ02

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 含ハロゲンポリエーテルポリマー１００
   重量部と、下記一般式[Ｉ]で表される第四級アンモニウ
   ム塩０．１〜１０重量部とを含んでなる半導電性加硫ゴ
   ム用組成物。 【化１】 ［式中、Ｒ₁ は炭素原子数１〜１８のアルキル基もしく
   はアルケニル基またはＲ₄ −ＣＯ−Ｎ（Ｒ₅ ）−Ｒ₆ −
   基（Ｒ₄ は炭素原子数１〜１８のアルキル基またはアル
   ケニル基を示し、Ｒ₅ は水素原子または炭素原子数１〜
   １８のアルキル基もしくはアルケニル基を示し、Ｒ₆ は
   炭素原子数１〜６のアルキレン基を示す）を示し、Ｒ₂
   およびＲ₃ は同一もしくは互いに異なる炭素原子数１〜
   １８のアルキル基もしくはアルケニル基またはヒドロキ
   シエチル基を示し、Ｘ⁻は１価のアニオンを示し、ｎは
   １〜１５の整数を示す。］
2. 【請求項２】 ｎが２〜１５の整数を示す請求項１記載
   の半導電性加硫ゴム用組成物。
3. 【請求項３】 Ｘ⁻が過塩素酸イオンである請求項１ま
   たは２記載の半導電性加硫ゴム用組成物。
4. 【請求項４】 含ハロゲンポリエーテルポリマー１００
   重量部と、第四級アンモニウム塩０．２〜５重量部とを
   含んでなる請求項１〜３のいずれかに記載の半導電性加
   硫ゴム用組成物。
5. 【請求項５】 加硫剤が硫黄である請求項１〜４のいず
   れかに記載の半導電性加硫ゴム用組成物。
6. 【請求項６】 加硫剤が２，３−ジメルカプトキノキサ
   リン誘導体である請求項１〜５のいずれかに記載の半導
   電性加硫ゴム用組成物。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の組成物
   を加硫してなる半導電性加硫ゴム材料。
8. 【請求項８】 温度２３℃で相対湿度５０％における体
   積固有電気抵抗値が１０⁵ Ωｃｍ以上１０⁹ Ωｃｍ未満
   の範囲にある請求項７記載の半導電性加硫ゴム材料。
9. 【請求項９】 温度２３℃で相対湿度５０％における体
   積固有電気抵抗値が１０⁶ Ωｃｍ以上１０⁷ Ωｃｍ未満
   の範囲にある請求項７記載の半導電性加硫ゴム材料。
10. 【請求項１０】 温度１０℃で相対湿度１５％における
    体積固有電気抵抗値（Ａ）および温度３０℃で相対湿度
    ８０％における体積固有電気抵抗値（Ｂ）の対数の差 ｌｏｇ₁₀（Ａ）−ｌｏｇ₁₀（Ｂ） で定義される環境依存性の評価値が１．０〜１．８の範
    囲にある請求項７〜９のいずれかに記載の半導電性加硫
    ゴム材料。