WO2005091356A1 - 双極型静電チャック - Google Patents

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WO2005091356A1
WO2005091356A1 PCT/JP2005/004557 JP2005004557W WO2005091356A1 WO 2005091356 A1 WO2005091356 A1 WO 2005091356A1 JP 2005004557 W JP2005004557 W JP 2005004557W WO 2005091356 A1 WO2005091356 A1 WO 2005091356A1
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WO
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electrode
electrostatic chuck
bipolar electrostatic
insulating layer
adsorption surface
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PCT/JP2005/004557
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Hiroshi Fujisawa
Kinya Miyashita
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Creative Technology Corporation
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Definitions

  • the present invention relates to a bipolar electrostatic chuck that electrostatically attracts and holds a sample.
  • an etching apparatus When forming an integrated circuit on a semiconductor wafer such as silicon, such as an etching apparatus, a plasma processing apparatus used for forming a thin film by chemical vapor deposition (CVD), an electron exposure apparatus, an ion drawing apparatus, and an ion implantation apparatus.
  • CVD chemical vapor deposition
  • an electron exposure apparatus In addition to the equipment used in the semiconductor manufacturing process required for semiconductor manufacturing, it is also used for TV screens, computer displays, etc., such as substrate bonding equipment and ion doping equipment used when liquid crystal is pressed into insulating substrates such as glass.
  • substrate bonding equipment and ion doping equipment used when liquid crystal is pressed into insulating substrates such as glass.
  • the electrostatic chuck exhibits excellent performance.
  • the flatness of a sample adsorbed on an electrostatic chuck on an adsorption surface is also related to the magnitude of a holding force of the electrostatic chuck for holding a sample. That is, as the size of the sample adsorbed as described above increases, the electrostatic chuck must have a sufficient holding force.
  • a gradient force F generated in the case of an uneven electric field as shown by the following equation (1) is used. Is considered to adsorb dielectric materials such as semiconductor wafers such as silicon and glass substrates, and the gradient force is proportional to the spatial derivative of the square of the electric field strength E, that is, the gradient.
  • bipolar electrostatic chucks in which the distance between adjacent electrodes is reduced.
  • a comb-shaped bipolar electrode of 10 cm ⁇ 10 cm is formed by alternately interdigitating strip-shaped comb-shaped electrodes, and these electrodes are arranged at a pitch of lmm (each electrode having a width of lmm).
  • a bipolar electrostatic chuck in which both electrodes are arranged at an interval of 1 mm and the surface dielectric layer is 50 m (K. Asano, r. Hatakeyama and K.
  • the discharge limit becomes a problem.
  • the electric field is easily concentrated at the sharp points due to the uneven etching at the ends of the first electrode 2 and the second electrode 4.
  • Voids are generated when the adhesive for forming an adhesive layer for fixing the insulating layer and the electrode is fixed to each other, so that the withstand voltage between adjacent electrodes is significantly reduced. Therefore, in the bipolar electrostatic chuck as described above, the electrodes When the distance between the electrodes approaches a certain distance, a discharge may occur between the electrodes.
  • bipolar electrostatic chucks including those described above, have electrodes arranged on the same plane.
  • a plurality of electrodes are provided inside an insulator.
  • a stacked type electrostatic chuck has also been reported (Japanese Patent No. 2838810), but is similar to the bipolar electrostatic chuck in that electrodes having different polarities are arranged on the same plane. I have a limit problem.
  • Patent Document 1 JP-A-10-223742
  • Patent Document 2 JP-T-2000-502509
  • Patent Document 3 Japanese Patent No. 2838810
  • Non-Patent Reference 1 K. Asano, F. Hatakeyama and K. Yatsuzu a, ⁇ Fundamental Study of an Electrostatic Chuck for Silicon Wafer HandlingJ, IA3 ⁇ 4 97.Conference Record of the 1997 IEEE Industry Applications Conference Thirty-Second IAS Annual Meeting (Cat No.97CH36096), Part: vol.3, Page: 1998-2003.
  • the present inventors have paid attention to the fact that the discharge limit of the conventional bipolar electrostatic chuck as described above is about 6 MVZm in electric field strength. This value is generally known empirically. Breakdown electric field strength in vacuum that is lower than lOMVZm, and the withstand voltage of the insulator material, for example, polyimide is overwhelmingly lower than 160 MV / m. It is considered that between the electrodes to which a voltage is applied, the shape of the end portions of the adjacent electrodes and voids in the adhesive layer existing between these electrodes greatly affect the decrease in the breakdown electric field strength. Reached.
  • the first electrode and the second electrode to be applied are arranged in order inside the insulator, with the sample adsorption surface force also directed in the depth direction, and an insulating layer with excellent withstand voltage is provided between these electrodes.
  • the inventors have found that even if the distance between these electrodes is reduced and a strong Dalladant force is exerted, the insulation resistance is excellent, and the present invention has been completed.
  • an object of the present invention is to provide a bipolar electrostatic chuck having excellent insulation resistance and exhibiting an excellent attraction force.
  • Another object of the present invention is to provide a bipolar electrostatic chuck capable of minimizing the difficulty of removing a sample from a sample suction surface after the application of a voltage to an electrode. .
  • the present invention is a bipolar electrostatic chuck having a first electrode and a second electrode inside an insulator, and using the surface of the insulator as a sample adsorption surface.
  • a first electrode, an inter-electrode insulating layer, and a second electrode are arranged in the depth direction in a direction closer to the sample adsorption surface, and the second electrode is non-conductive with respect to the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • This is a bipolar electrostatic chuck having an overlapping region.
  • the present invention is a bipolar electrostatic chuck in which a conductive layer is further formed on the surface of the insulator, and the surface of the conductive layer is used as a sample adsorption surface.
  • the insulator has a first electrode, an interelectrode insulating layer, and a second electrode in order of the sample adsorbing surface force in the depth direction, and the second electrode is formed by the method of the sample adsorbing surface. It is necessary to have a non-overlapping region with respect to the first electrode in the line direction. The first electrode and the second electrode are spaced apart from each other in the depth direction (thickness direction) of the insulator inside the insulator, and It is necessary that an interelectrode insulating layer exists between the first electrode and the second electrode.
  • the phrase “the second electrode has a non-overlapping region with respect to the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface” means only the first electrode and the second electrode existing inside the insulator.
  • the second electrode has a region that does not overlap with the first electrode when viewed in the vertical direction. Specifically, the case where the second electrode does not overlap the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface, and the case where the second electrode partially overlaps the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface (this Except for the overlapping part, the second electrode does not overlap with the first electrode).
  • first electrode and the second electrode are in contact with each other in the normal direction of the sample adsorption surface
  • first electrode and the second electrode are in contact with each other in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the latter example is included in the latter case, that is, the case where a part of the second electrode overlaps the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the second electrode is oriented in the normal direction of the sample adsorption surface. It is sufficient to have a non-overlapping region with respect to the first electrode. For example, the following cases can be mentioned.
  • the first electrode is formed on the band-shaped comb and the second electrode is formed on the band-shaped comb.
  • These two band-shaped comb teeth are interdigitated with each other, and the second electrode can be arranged so as not to overlap the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the second electrode may be formed in a semicircular shape symmetrical with the first electrode, and the second electrode may be arranged so as not to overlap the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the first electrode is formed in a rectangular or square shape
  • the second electrode is formed in a rectangular or square shape symmetrical to the first electrode
  • the second electrode overlaps the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface. Nara! /
  • a case where a part of the second electrode overlaps the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface is, for example, a flat plate in which the first electrode is formed in a band-like comb and the second electrode has a predetermined region.
  • the second electrode may be arranged so that a part of the second electrode overlaps the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the first electrode is formed in a grid pattern and the second electrode is
  • the second electrode may be formed in a flat plate shape having a predetermined area, and a part of the second electrode may be arranged so as to overlap the first electrode in a direction normal to the sample adsorption surface.
  • the first electrode is formed in a predetermined area in a mesh shape having a plurality of openings having a circular shape, a triangular shape, a square shape, a rectangular shape, or a polygonal shape having four or more squares
  • the second electrode is formed in a predetermined shape.
  • the second electrode may be formed in a flat plate shape having a region, and may be arranged so that a part of the second electrode overlaps the first electrode in a normal direction of the sample adsorption surface.
  • the size of the opening in the first electrode (diameter for a circle, diagonal length for a square or larger) is about the same as the distance between adjacent openings, or the distance between the adjacent openings.
  • the first electrode Properly increasing the leakage of the electric field from the second electrode by forming the first electrode, which should be formed to be about 120%, into a mesh with openings of such a size.
  • the specific size of the opening is preferably 0.1 to 3.0 mm from the viewpoint of exhibiting a sufficient gradient force. Further, from the viewpoint of the uniformity of the attraction force, it is preferable that the openings are uniformly present in a predetermined region of the first electrode.
  • the first electrode is formed in a ring shape having a predetermined width
  • the second electrode is formed in a flat plate shape having a predetermined circular region, and a part of the second electrode extends in a direction normal to the sample adsorption surface. You may arrange
  • the first electrode has a first annular portion concentrically arranged at a predetermined distance from the circular portion having a predetermined circular region as a center, and the first electrode has a circular portion and the first annular portion.
  • the first electrode is formed so as to have a first connecting portion connecting the first electrode and the second electrode, and the second electrode is formed in an annular shape having a width smaller than the interval between the circular portion and the first annular portion of the first electrode. May be arranged between the circular portion of the first electrode and the first annular portion as viewed in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the first electrode may be arranged around a circular portion having a predetermined circular region.
  • Lever circular portion force is formed to have a first annular portion concentrically arranged at a predetermined interval and to have a first connecting portion connecting the circular portion and the first annular portion, and a second electrode Are formed in an annular shape having the same width as the interval between the circular portion and the first annular portion of the first electrode.
  • the pole may be disposed between the circular portion and the first annular portion of the first electrode as viewed in a direction normal to the sample adsorption surface.
  • the first electrode has the circular portion, the first annular portion, and the first connection portion, and the second electrode has the annular portion.
  • the first electrode and the second electrode may be formed so as to have a plurality of concentric annular portions, respectively. That is, the first electrode has two or more first annular portions arranged concentrically at a predetermined interval from each other, while the second electrode is arranged concentrically at a predetermined interval from each other.
  • each second annular part of the second electrode is normal to the sample adsorption surface.
  • the first electrode may be disposed between the first annular portions of the first electrode.
  • first electrode and the second electrode are each formed in any of the shapes described above, and the first electrode and the second electrode are arranged in combination to form one of the second electrodes.
  • the portion may be arranged so as to overlap the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • first electrode and the second electrode in the present invention for example, voltages having mutually different polarities are applied, or one electrode is grounded, and the other electrode is a positive electrode or a negative electrode. As a result, a potential difference is generated.
  • the first electrode may be formed by one or more electrode forces, and the second electrode may be formed by one or more electrodes!
  • the regions occupied by the outer peripheral shapes of the first electrode and the second electrode are both samples. It is preferable that the force at the center of the suction surface can also occupy the area up to the peripheral edge. That is, it is preferable that the outer peripheral shape of the first electrode and the outer peripheral shape of the second electrode substantially overlap each other in the normal direction of the sample adsorption surface. More preferably, the outer peripheral shape of the first electrode, the outer peripheral shape of the second electrode, and the outer peripheral shape of the sample held on the sample adsorption surface substantially overlap each other in the normal direction of the sample adsorption surface. / ⁇ .
  • the second electrode extends to the central portion of the sample adsorption surface and the peripheral portion. More preferably, the region where the non-overlapping region exists is even more preferably present in the region occupied by the sample adsorbed on the sample adsorption surface.
  • the region where the first electrode and the second electrode overlap each other in the normal direction of the sample adsorption surface is reduced. It is more preferable that the second electrode does not overlap the first electrode in the normal direction of the sample adsorption surface. If the electrostatic capacity of the electrostatic chuck can be reduced, it is possible to eliminate the difficulty of removing the sample having a surface attraction force after the application of the voltage to both electrodes as much as possible.
  • the distance between the first electrode and the second electrode inside the insulator is preferably 1 to 1000 m, and more preferably 50 to 500 m. If the distance between the first electrode and the second electrode is less than 1 m, for example, when the first electrode, the inter-electrode insulating layer and the second electrode are formed using a commercially available laminate, When using a laminate that has metal foil on both front and back surfaces of a conductive film, it is difficult to obtain an insulating film that forms the inter-electrode insulating layer thinner than 1 ⁇ m on the spot. Conversely, if the distance between the electrodes is larger than 1000 m, the obtained bipolar electrostatic chuck may have a problem in terms of thermal conductivity.
  • the necessary inter-electrode distance can be easily formed by laminating with an adhesive using a commercially available insulating sheet of polyimide or the like to form an inter-electrode insulating layer. If the length is 500 m or less, the thickness of one insulating sheet that can be obtained in the field should be set to a large thickness to form an inter-electrode insulating layer to easily form the necessary inter-electrode distance. In addition to the above, the obtained electrostatic chuck can exhibit a necessary attraction force by a low voltage operation of about several kV. Note that the inter-electrode distance refers to the shortest distance connecting the first electrode and the second electrode with a straight line.
  • the width of the band-shaped portion of the band-shaped comb (hereinafter, also referred to as the “band-shaped electrode width”) and the band-shaped portion adjacent to the band-shaped comb-shaped.
  • this z is preferably within the range of 0.15 to 0.5 mm. More preferably, it should be 0.2-0.4 mm.
  • the first electrode and the second electrode in the present invention can be formed of, for example, copper, tungsten, aluminum, nickel, chromium, silver, platinum, tin, molybdenum, magnesium, palladium, or the like. Copper and aluminum are preferred for productivity. There should be. Further, the first electrode and the second electrode may have the same material strength or may be formed of different materials.
  • the first electrode and the second electrode it is also possible to use a commercially available laminate having a foil having the above-mentioned metal strength on both sides of the insulating film.
  • the above-mentioned metal surface is formed on the upper and lower surfaces of the inter-electrode insulating layer or on one surface of the upper insulating layer or the lower insulating layer, which will be described later, by using a normal sputtering method.
  • Each of the formed electrode surfaces may be formed into a predetermined shape by using a normal etching method.
  • copper, tungsten, aluminum, nickel, chromium, silver, gold, tin, molybdenum, magnesium, and palladium are used.
  • Methods such as a process using a vapor deposition method, a plating process, a method of etching into a predetermined pattern after film formation by a vapor phase growth method, and a method of spraying using a high melting point metal such as molybdenum, tungsten, and tantalum. It may be formed on the surface of the inter-electrode insulating layer or the upper insulating layer or the lower insulating layer described later.
  • both the electrodes have a thickness of 0.2 to 30 m, preferably 1 It is good to be 30 ⁇ m. If the thickness of the electrode is smaller than 0.2 ⁇ m, pinholes and the like will be formed and it will be difficult to manufacture it immediately.If the thickness is larger, a gap will be formed near the electrode inside the insulator, resulting in voids. There may be a problem with strength. If the thickness of the electrode is Lm or more, a reliable electrode can be formed over the entire area even when a large electrostatic chuck is formed.
  • the first electrode When formed by spraying with a predetermined metal such as molybdenum, tungsten, tantalum, etc., the first electrode is 20-100 m, preferably 20-30 m, and the second electrode is 20-m. It should be 100 m, preferably 20-30 m. When the film thickness of both electrodes is less than 20 m, voids are generated and it becomes difficult to function as a conductive film.
  • a predetermined metal such as molybdenum, tungsten, tantalum, etc.
  • the thickness can be set to, for example, about 110 ⁇ m.
  • a cross section in which a part or the whole of the first electrode in the present invention is cut in the normal direction of the sample adsorption surface is not particularly limited, for example, a shape in which a force such as a rectangle, a square, a circle, a triangle, a quadrangle, or a polygon having a larger size is selected.
  • the cross-sectional shape obtained by cutting a part or the whole of the second electrode in the present invention in the normal direction of the sample adsorption surface can be considered in the same manner as in the case of the first electrode.
  • Some or all of the cross-sectional shapes of the second electrode may be different from each other, or the cross-sectional shapes may be the same.
  • the inter-electrode insulating layer in the present invention can be separated so that the first electrode and the second electrode are not in contact with each other inside the insulator, and the first electrode and the second electrode are electrically separated from each other. What is necessary is just to be insulated.
  • Such an inter-electrode insulating layer may be formed of, for example, a resin layer made of one or more selected resins such as polyimide, polyamideimide, polyester, polyethylene terephthalate, epoxy, and attarica.
  • Aluminum oxide, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, zirconium, and titer force One or more selected ceramic layers may be used, or silicon and silicon dioxide may be used.
  • It may be formed by a layer having one or two forces selected from the group consisting of: Of these, from the viewpoint of mass productivity, it is preferable to form a polyimide, polyamide imide, polyester, polyethylene terephthalate, and an epoxy resin by a resin layer of one or more selected resin. It is more preferable to use polyimide in terms of the properties and the viewpoint of the daniological resistance.
  • the resin layer preferably has a resin film strength of 1 or 2 or more.
  • resin films include Kapton (trade name, manufactured by Toray DuPont), Upilex AD sheet (trade name, manufactured by Ube Industries), and Avical (trade name, manufactured by Kanebuchi Chemical Industry Co., Ltd.).
  • Kapton which is preferably polyimide resin.
  • Kapton (trade name, manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) has a breakdown electric field strength of 160 MVZm, and the electrostatic chuck of the present invention using this Kapton as an interelectrode insulating layer exhibits more excellent insulation resistance.
  • the thickness of the resin layer varies depending on the material used, for example, polyimide film. In the case of using an ilme, the thickness should be 1000 / ⁇ ⁇ , preferably 50-500 m. If the thickness of the inter-electrode insulating layer is smaller than 1 ⁇ m, for example, when the first electrode, the inter-electrode insulating layer and the second electrode are formed using a commercially available laminate, that is, the surface of the insulating film, When using a laminate having a metal foil on both back surfaces, it is difficult to obtain an insulating film that forms the inter-electrode insulating layer thinner than 1 ⁇ m on the factory.
  • the obtained bipolar electrostatic chuck may have a problem in terms of thermal conductivity.
  • the thickness of the interelectrode insulating layer is 50 / zm or more, it can be formed by laminating with an adhesive using a commercially available insulating sheet of polyimide or the like. It can be manufactured by setting the thickness of one insulating sheet available in the field to be thicker, and the obtained electrostatic chuck can exhibit the required suction force by operating at a low voltage of several kV. Will be able to do it.
  • the interelectrode insulating layer is formed from a ceramic layer
  • a single body of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, zirconium, yttria, magnesia, and titaure, or a composite thereof may be formed by air or plasma. Alternatively, it may be formed by using a sintered ceramic thin plate.
  • the thickness of the inter-electrode insulating layer can be formed in the range of about 30 to 500 ⁇ m by a general spraying technique, and if necessary, a thickness of up to about 3 mm. It is also possible to increase the thickness up to. If the film thickness is smaller than 30 m, a uniform layer is hardly formed, while if it is larger than 500 m, the gradient force is reduced. In addition, from the viewpoint of minimizing the influence of contamination on samples and equipment due to erosion during use in semiconductor devices and the like, and from the viewpoint of excellent insulation resistance, the purity is preferably 99.99% or more.
  • the upper surface after thermal spraying is preferably flattened by machining or the like.
  • the flatness at this time is important because of the positional relationship of the electrodes in the insulator.
  • the surface roughness Ra is determined. 5 to 50 m , 10 / zm or less.
  • the thickness can be arbitrarily designed, preferably in the range of 30 to 500 m. Good. If the film thickness is smaller than 30 / zm, it is difficult to form a uniform layer. On the other hand, if the film thickness is larger than 500m, the gradient force is reduced.
  • the materials used are the same as in the case of thermal spraying.
  • inter-electrode insulating layer is formed of one or two layers selected from silicon and silicon dioxide
  • an electrode having a thickness of 150 m is formed by, for example, CVD or sputtering.
  • An interlevel insulating layer can be formed.
  • the insulator according to the present invention has a force that needs to include the first electrode, the inter-electrode insulating layer, and the second electrode in the order of the sample adsorption surface force in the depth direction, and preferably the insulator depth. It is preferable to have an upper insulating layer, a first electrode, an inter-electrode insulating layer, a second electrode, and a lower insulating layer in the order closer to the sample adsorption surface in the direction.
  • the upper and lower directions indicating the upper insulating layer and the lower insulating layer mean that the upper surface is closer to the sample adsorbing surface and the lower portion is farther from the surface of the insulator.
  • the upper insulating layer for example, polyimide, polyamide, polyester, polyethylene terephthalate, and epoxy having a thermoplastic polyimide on the lower surface, and an epoxy resin selected from one or two or more resin layers, Aluminum, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, zirconia, yttria, magnesia, and tita-caca are also selected. From the viewpoint of, it is preferable to use a polyimide having a thermoplastic polyimide on the lower surface.
  • the lower insulating layer is the same as the above-described upper insulating layer in addition to the polyimide having a thermoplastic polyimide on the upper surface, and is preferably a polyimide having a thermoplastic polyimide on the upper surface. Is good.
  • the thickness of the upper insulating layer is preferably 10 to 200 m, and more preferably 50 to 100 m. If the thickness of the upper insulating layer is smaller than 50 m, the durability of the film may be affected. If the thickness is larger than 100 m, the gradient force may be reduced.
  • the film thickness when the lower insulating layer is formed by a resin layer About 10 m or more, preferably 50 m or more. If the thickness of the upper insulating layer is less than 50 m, there is a concern that there will be a problem with withstand voltage and an increase in capacitance. It may be sufficient, that is, the object to be cooled may be insufficiently cooled.
  • the upper insulating layer and Z or the lower insulating layer are formed of a ceramic layer, similarly to the case of the interelectrode insulating layer, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, zirconia, yttria , Magnesia, and titaure alone or a composite thereof can be formed by thermal spraying with air or plasma, or can be formed using a sintered ceramic thin plate.
  • the film thickness of the upper insulating layer is the same as that formed by the resin layer.
  • the force is preferably 10 m to 200 m, and the same reason is applied to the lower insulating layer.
  • the force is also preferably between 10 ⁇ m and 200 ⁇ m.
  • the material used and the planarization are the same as in the case of the interelectrode insulating layer.
  • the film thickness can be arbitrarily designed, and is formed by the above-described resin layer or thermal spraying.
  • the same reason force as in the case is preferably set in the range of 10 to 200 m.
  • the materials used are the same as in the case of thermal spraying.
  • the upper insulating layer, the lower insulating layer, and the inter-electrode insulating layer are formed of a ceramic thin plate, an adhesive means is required, and even if an adhesive method such as an epoxy adhesive or brazing is used.
  • the ceramic thin plate may be kept at a high temperature and pressed and bonded in a vacuum furnace.
  • a conductive layer may be further formed on the surface of the insulator, and the surface of the conductive layer may be used as a sample adsorption surface.
  • the time constant of the electrostatic chuck can be reduced by forming a further conductive layer on the surface of the insulator and using the surface of this conductive layer as the sample adsorption surface. After the application of the voltage, the difficulty of removing the sample from the sample adsorption surface can be eliminated as much as possible.
  • Such a conductive layer is formed, for example, by laminating a conductive polyimide sheet or a conductive fluorine resin on the surface of an insulator, or mixing a filler such as carbon to make the insulator itself conductive. Let me do Can be formed.
  • the first electrode and the second electrode are formed on both the upper surface and the lower surface of the inter-electrode insulating layer by the above-described method, respectively.
  • a polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the lower surface is overlaid on the interelectrode insulating layer provided with the first electrode and the second electrode, and the processing temperature is 100-250 ° C and the pressure is 0.1-5MPa.
  • Low-temperature thermocompression molding to form an upper insulating layer and further, on a polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the upper surface, an integrated upper insulating layer, first electrode, interelectrode insulating layer, and second electrode May be stacked and the insulator may be formed by low-temperature thermal compression molding in the same manner as described above.
  • a polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the lower surface as an upper insulating layer, an interelectrode insulating layer having first and second electrodes formed on both upper and lower surfaces, and a thermoplastic polyimide film on the upper surface as a lower insulating layer is stacked and the insulator may be formed by low-temperature thermal compression molding in the same manner as described above.
  • the polyimide film may be sequentially stacked and the insulator may be formed by low-temperature thermocompression molding at a time under the conditions of a processing temperature of 100 to 250 ° C and a pressure of 0.1 to 5 MPa. Then, the above-mentioned insulator is placed on a metal base of aluminum, aluminum alloy, MMC (metal 'matrix' composite), stainless steel, stainless steel alloy, or ceramic material such as alumina, aluminum nitride, etc. through a thermoplastic polyimide film or an epoxy pressure bonding sheet.
  • the electrostatic chuck can be completed by placing it on a ceramic substrate that has the same strength and performing low-temperature thermocompression bonding at a processing temperature of 100 to 250 ° C and a pressure of 0.1 to 5 MPa.
  • polyimide copper-clad laminates such as commercially available Upisel N (trade name of Ube Industries, Ltd.) and Neoflex (trade name of Mitsui Iridaku Co., Ltd.).
  • the first electrode, the inter-electrode insulating layer, and the second electrode are formed by etching the metal foil into a predetermined electrode pattern.
  • An upper insulating layer and a lower insulating layer may be attached in the same manner as described above, and further, may be attached to a metal substrate in the same manner as above to complete the electrostatic chuck. Further, for these electrostatic chucks, a conductive layer may be formed by the method described above.
  • the bipolar electrostatic chuck according to the present invention is characterized in that the sample adsorbing force in the depth direction of the insulator is ascending in the order from the closest. Adopting a structure that has one electrode, an inter-electrode insulating layer, and a second electrode, it has excellent insulation resistance, and the distance between the first and second electrodes can be made as small as possible. Demonstrate excellent adsorption power.
  • the bipolar electrostatic chuck of the present invention is excellent in flatness of the sample to be held, and is suitable for a glass substrate exceeding lm X lm or a silicon wafer having a diameter of 300 mm or more, which corresponds to recent enlargement. In addition, it can exhibit sufficient adsorption performance and exhibit excellent adsorption power, enabling low-voltage driving, which is economically advantageous and minimizes the risk of electric discharge. And high reliability.
  • the bipolar electrostatic chuck of the present invention reduces the electrostatic chuck of the electrostatic chuck by minimizing the region where the first electrode and the second electrode overlap each other in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • the capacity can be reduced, and it is possible to eliminate the difficulty of peeling off a sample having a surface attracting force after the application of the voltage to both electrodes.
  • a further conductive layer is formed on the surface of the insulator and the surface of the conductive layer is used as a sample adsorption surface, the first electrode and the second electrode are arranged in a direction normal to the sample adsorption surface. Regardless of the overlapping area, the time constant of the electrostatic chuck can be reduced, and it is possible to eliminate the difficulty of removing the sample from the sample adsorption surface after applying the voltage to both electrodes of the bipolar electrode .
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view (a part of an A-A cross section in FIG. 1) of the bipolar electrostatic chuck X according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an explanatory partial plan view of a first electrode and a second electrode of the bipolar electrostatic chuck X according to the first embodiment as viewed in a direction normal to a sample adsorption surface.
  • FIG. 4 is an explanatory sectional view of a bipolar electrostatic chuck according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 5 is an explanatory partial plan view of a first electrode and a second electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to a second embodiment as viewed in a direction normal to a sample adsorption surface.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of a bipolar electrostatic chuck X according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view (a part of a cross section AA in FIG. 6) of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 3.
  • FIG. 8 is an explanatory partial plan view of a first electrode and a second electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 3 as viewed in a direction normal to a sample adsorption surface.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 10 is an explanatory partial plan view of a first electrode and a second electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to Example 4 as viewed in a direction normal to a sample suction surface.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIG. 12 is a partial plan explanatory view of a first electrode and a second electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to a fifth embodiment as viewed in a direction normal to a sample adsorption surface.
  • FIG. 13 is an explanatory partial plan view of a first electrode and a second electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 6 of the present invention as viewed in a direction normal to a sample adsorption surface.
  • FIG. 14 is an exploded perspective view of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 7 of the present invention.
  • FIG. 15 is a partial plan explanatory view of a first electrode of a bipolar electrostatic chuck according to Embodiment 8 of the present invention.
  • FIG. 16 is a partially plan explanatory view of a first electrode of a bipolar electrostatic chuck according to embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 17 is an explanatory partial cross-sectional view of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 10 of the present invention.
  • FIG. 18 is an explanatory partial cross-sectional view of an interelectrode insulating layer and a first electrode of a bipolar electrostatic chuck X according to Embodiment 11 of the present invention.
  • FIG. 19 is an explanatory plan view of a first electrode and a second electrode of Reference Example 1.
  • FIG. 20 shows a result obtained by calculating a gradient force distribution of the bipolar electrostatic chuck according to Reference Example 1 by a two-dimensional electric field calculation.
  • FIG. 21 is a two-dimensional distribution diagram of potential contours of the bipolar electrostatic chuck according to Reference Example 1. The result obtained by the electric field calculation is shown.
  • FIG. 22 shows a result of obtaining a distribution of gradient force of the bipolar electrostatic chuck according to Example 1 of the present invention by a two-dimensional electric field calculation.
  • FIG. 23 shows a distribution map of potential contours of the bipolar electrostatic chuck according to Example 1 of the present invention, obtained by a two-dimensional electric field calculation.
  • FIG. 24 shows the result of obtaining the distribution of the gradient force of the bipolar electrostatic chuck according to Example 3 of the present invention by two-dimensional electric field calculation.
  • FIG. 25 shows a result of a distribution map of potential contours of the bipolar electrostatic chuck according to Example 3 of the present invention obtained by two-dimensional electric field calculation.
  • FIG. 26 is a graph showing a time constant when the volume resistivity of the upper insulating layer is changed using the bipolar electrostatic chuck of Reference Example 1 as a model.
  • FIG. 27 is a graph showing optimization of the attraction force with respect to the band-shaped electrode width (inter-electrode gap).
  • FIG. 28 is an explanatory sectional view of a bipolar electrostatic chuck showing a conventional example.
  • X bipolar electrostatic chuck, 1,11: upper insulating layer, 2,12,22,32,42,52,62: first electrode, 2a: strip, 2b: base, 12a: gap Part, 22a: circular part, 22b: annular part, 22c: connecting part, 32a, 42a: opening, 3, 13, 23: insulating layer between electrodes, 4, 14, 24, 34, 44, 54, 64: No. Two electrodes, 4a, 14a: strip, 4b, 14b: root, 34a, 44a: center ring, 34b, 44b: annular, 34c, 44 connection, 5, 15: lower insulating layer, 6: metal base, 7: Sample adsorption surface, 8: Glass substrate, 9: Insulator, 10: DC power supply
  • bipolar electrostatic chuck according to the present invention is not limited to the following embodiments.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the bipolar electrostatic chuck X according to the first embodiment.
  • the bipolar electrostatic chuck X has a length of 100 mm ⁇ 100 mm in width, a film thickness m, and a specific ratio.
  • dielectric Rate ⁇ 3.5
  • upper insulating layer 1 consisting of a polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the lower surface
  • first electrode 2 having a thickness of 3 m, which also has copper force
  • a dielectric constant ⁇ 3.5
  • an interelectrode insulating layer 3 that also has the strength of a polyimide film
  • a second electrode 4 made of copper with a thickness of 3 ⁇ m, a length of lOOmmX and a width of 100 mm, a thickness of 50 ⁇ m
  • the bipolar electrostatic chuck X according to Example 1 was formed as follows. First, using a polyimide copper-clad laminated sheet Neoflex (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) having a copper surface layer on both the upper and lower surfaces (both front and back), a predetermined electrode resist pattern is formed on both the upper and lower surfaces by silk printing. Then, etching was performed using a corrosive agent such as ferric chloride. In this way, the first electrode 2 of the band-shaped comb having an area of 80 mm long and 80 mm wide, the interelectrode insulating layer 3 (polyimide film), and the second electrode of the band-shaped comb tooth having the area of 80 mm long and 80 mm wide Formed four.
  • Neoflex trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.
  • a polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the lower surface for forming the upper insulating layer 1, a first electrode 2, a polyimide film (inter-electrode insulating layer 3), a second electrode 4, and a lower insulating layer 5 are formed. These were successively stacked so that the polyimide film having a thermoplastic polyimide film on the upper surface was formed, and was subjected to low-temperature thermocompression molding at a processing temperature of 150 ° C. and a pressure of 2 MPa to form an insulator 9. Then, the insulator 9 was fixed to the metal base 6 by performing a low-temperature thermocompression treatment under the same conditions as described above via a thermoplastic polyimide film (not shown) to complete the bipolar electrostatic chuck X.
  • the bipolar electrostatic chuck X is connected to the DC power source 10 so that the first electrode 2 side is a negative pole and the second electrode 4 side is a positive pole, and the metal base 6 is a ground electrode. Regarding the voltage applied to the electrodes, the same adsorption effect as described above is exerted even if the first electrode 2 side is a positive electrode and the second electrode 4 side is a negative electrode. In addition, either the first electrode 2 or the second electrode 4 is set as OV (GND), and the remaining A potential difference may be caused between the electrodes.
  • FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view (part of the A-A cross section in FIG. 1) of the bipolar electrostatic chuck X according to the first embodiment
  • FIG. 3 is a cross-sectional view according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a partial plan explanatory view of the first electrode 2 and the second electrode 4 of the bipolar electrostatic chuck X viewed in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • "z" described in FIG. 2 represents the band-shaped electrode width and the inter-electrode gap described in Test Example 5 below.
  • the first electrode 2 is formed in a band-shaped comb
  • the second electrode 4 is formed in a band-shaped comb.
  • the band-shaped comb of the first electrode 2 and the band-shaped comb of the second electrode 4 are alternately arranged.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 are arranged so as to be in contact with each other in the normal direction of the sample adsorption surface 7 and overlap each other.
  • the band-shaped portion 2a of the first electrode 2 formed on the band-shaped comb teeth has an electrode width lmm and a thickness of 3 m, and the band-shaped portions 2a are arranged at a pitch of lmm, and the root of the electrode width 3mm and the thickness 3m.
  • Band-shaped comb teeth are formed integrally with the part 2b.
  • the band-shaped portion 4a of the second electrode 4 has an electrode width lmm and a thickness, and the band-shaped portions 4a are arranged at a pitch of lmm, and are integrally formed with a root portion 4b having an electrode width of 3mm and a thickness of 3m. Comb teeth are formed.
  • the inter-electrode distance Y between the first electrode 2 and the second electrode 4 is 50 ⁇ m, which corresponds to the thickness of the inter-electrode insulating layer 3.
  • the bipolar electrostatic chuck X since the polyimide film forming the interelectrode insulating layer 3 has a withstand voltage of 160 MV Zm, the bipolar electrostatic chuck X according to the first embodiment has an insulation resistance of 8 kV.
  • FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view of the bipolar electrostatic chuck X according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the first embodiment of the bipolar electrostatic chuck X according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a partial plan view showing the second electrode 14 and the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the band width of the band portion 14a of the second electrode 14 is formed to be 0.6 mm, and the band portion 14a of the second electrode 14 is It is arranged so as to be located at the center of the gap (lmm) formed by 2a, and the band-shaped comb teeth of the first electrode 2 and the band-shaped comb teeth of the second electrode 14 are staggered, and the sample adsorption surface
  • the first electrode 2 and the second electrode 14 are arranged in the normal direction of FIG.
  • Example Normal direction of suction surface 7 The distance between the strip 2a of the first electrode 2 and the strip 14a of the second electrode 14 is 0.2 mm.
  • the conditions other than those described above were the same as in Example 1 to complete the bipolar electrostatic chuck X according to Example 2.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the bipolar electrostatic chuck X according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional explanatory view (a part of the A-A cross section in FIG. 6) of the bipolar electrostatic chuck X according to the third embodiment
  • FIG. 8 is a bipolar electrostatic chuck according to the third embodiment.
  • FIG. 3 is a partial plan explanatory view of the first electrode 2 and the second electrode 24 of the electric chuck X as viewed in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • a dotted area indicates a portion where the second electrode 24 overlaps the first electrode 2 in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the bipolar electrostatic chuck X of the third embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the second electrode 24 is formed in a flat plate shape having a flat area of 80 mm in length and 80 mm in width. Electro chuck X was completed.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view of the bipolar electrostatic chuck X according to the fourth embodiment.
  • FIG. 10 is a partial plan view showing the first electrode 12 and the second electrode 24 of the bipolar electrostatic chuck X according to the fourth embodiment as viewed in the normal direction of the sample suction surface 7.
  • a dotted region indicates a portion where the second electrode 24 overlaps the first electrode 12 in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the first electrode 12 is formed in a cross-girder shape, and an area of 100 mm in length and 100 mm in width has a gap portion 12 a of 3 mm in length and 3 mm in width with a pitch of 3 mm in length and width.
  • the electrode has a shape arranged with an electrode width of 3 mm).
  • the other conditions were the same as in Example 3 to complete the bipolar electrostatic chuck X according to Example 4.
  • the first electrode 12 is formed in a grid pattern as described above, the potential can be supplied even if a part of the electrode is cut off by an external impact or the like.
  • FIG. 11 is an exploded perspective view of the bipolar electrostatic chuck X according to the fifth embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating sample adsorption of the bipolar electrostatic chuck X according to the fifth embodiment. Normal from face 7 FIG. 4 is a partial plan explanatory view showing the vicinity of the center when the first electrode 22 and the second electrode 34 are viewed in the directions. It should be noted that the darkly colored (filled) portion in FIG. 12 indicates the portion where the second electrode 34 overlaps the first electrode 22 in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the first electrode 22 has an annular portion 22b formed around a circular portion 22a having a radius of 2 mm and formed concentrically with an electrode width of 3 mm and an interval between the electrodes of 5 mm. And a connecting portion 22c having an electrode width of lmm connecting the circular portion 22a and the annular portion 22b to form a concentric electrode having a radius of 100 mm as a whole.
  • the second electrode 34 has an annular portion 34b formed around a center ring 34a having an inner diameter of 3 mm and an outer diameter of 6 mm and formed concentrically so as to have an electrode width of 3 mm and an interval between the electrodes of 5 mm.
  • a connecting portion 34c having an electrode width of lmm connecting the central ring 34a and the annular portion 34b to form a concentric electrode having a radius of 100 mm as a whole.
  • the conditions other than those described above were the same as in Example 1, and the bipolar electrostatic chuck X according to Example 5 was completed.
  • the connection portion 34c is arranged so as to overlap the connection portion 22c of the first electrode 22 in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • FIG. 13 is an explanatory partial plan view of the first electrode 22 and the second electrode 44 in the normal direction from the sample suction surface 7 of the bipolar electrostatic chuck X according to the sixth embodiment.
  • the darker (filled) portion indicates the portion where the second electrode 44 overlaps the first electrode 22 in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the second electrode 44 according to the sixth embodiment is formed concentrically around a center ring 44a having an inner diameter of 2 mm and an outer diameter of 7 mm so that the electrode width is 5 mm and the interval between the electrodes is 3 mm. It has an annular portion 44b and a connecting portion 44c connecting the central ring 44a and the annular portion 44b to form a concentric electrode having a radius of 100 mm as a whole.
  • the conditions other than those described above were the same as in Example 5, and the bipolar electrostatic chuck X according to Example 6 was completed.
  • the first electrode 22 and the second electrode 44 according to the sixth embodiment are viewed in the normal direction of the sample adsorption surface 7.
  • the connecting portions 44c of the second electrode 44 overlap with the connecting portions 22c of the first electrode 22 in the normal direction of the sample adsorption surface 7 while the annular portions 22b and 44b overlap with each other with a line. Are located.
  • FIG. 14 is an exploded perspective view of the bipolar electrostatic chuck X according to the seventh embodiment.
  • the second electrode 54 according to the seventh embodiment has a circular region with a radius of 100 mm. It is formed in.
  • the other conditions were the same as in Example 5 to complete the bipolar electrostatic chuck X according to Example 7.
  • FIG. 15 is a partial plan view of the first electrode 32 of the bipolar electrostatic chuck X according to the eighth embodiment.
  • the first electrode 32 has a circular area having a thickness of 3 m and a diameter of 300 mm, and a circular opening 32a having a radius of 0.6 mm is uniformly present in the circular area.
  • FIG. 15 is a partial plan view showing a state near the center of the circular region. Focusing on one opening 32a in the first electrode 32, there are six openings 32a around it, and these six openings 32a are positioned such that their centers are located at the vertices of a regular hexagon. It is arranged. The distance R between the center of the center opening 32a and the center of the opening 32a located at the vertex of the regular hexagon is 1.5 mm, and the distance r between the center opening 32a and the adjacent opening 32a is 0.3 mm. is there.
  • the bipolar electrostatic chuck X according to the eighth embodiment was completed in the same manner as the third embodiment.
  • the circular opening 32a it is relatively easy to treat the corner of the opening and a uniform gradient force can be formed.
  • FIG. 16 is a partial plan explanatory view of the first electrode 42 of the bipolar electrostatic chuck X according to the ninth embodiment.
  • the first electrode 42 has a circular area with a thickness of 3 m and a diameter of 300 mm, and a regular hexagonal opening 42a having a side of 0.6 mm is uniformly present in the circular area.
  • FIG. 16 is an explanatory plan view showing a state near the center of the circular region. Focusing on one opening 42a of the first electrode 42, six openings 42a are arranged around the opening 42a such that each side is parallel to each other. Of the opening 42a adjacent to the center of the center opening 42a The distance R from the center is 1.5 mm, and the distance r between the adjacent openings 42a is 0.3 mm.
  • the bipolar electrostatic check X according to the ninth embodiment was completed in the same manner as the third embodiment.
  • the line width of the electrode can be formed uniformly, so that a more uniform suction force can be realized.
  • FIG. 17 is a partial cross-sectional explanatory view of a bipolar electrostatic chuck X according to the tenth embodiment.
  • the bipolar electrostatic chuck X has an aluminum force of 100 mm long ⁇ 100 mm wide ⁇ 10 mm thick.
  • a lower insulating layer 15 made of a ceramic layer having a length of 100 mm, a width of 100 mm, and a thickness of 0.2 mm was formed on the surface of the metal substrate 6 by thermal spraying using plasma using alumina. Next, the upper surface of the ceramic layer formed by thermal spraying was flattened by machining to have a surface roughness Ra of 10 ⁇ m.
  • the surface of the lower insulating layer 15 formed above was sprayed with molybdenum to form a second electrode 64 having a length of 100 mm, a width of 100 mm and a thickness of 50 m.
  • molybdenum was used as described above because the coefficient of thermal expansion must be about the same as the ceramic material of the lower insulating layer 15 formed by thermal spraying in order to suppress thermal distortion.
  • an inter-electrode insulating layer 13 having a length of 100 mm ⁇ a width of 100 mm ⁇ a thickness of 0.1 mm was formed by the same means as the lower insulating layer 15.
  • the inter-electrode insulating layer 13 is formed so as to have a band-shaped comb having the same shape as the first electrode 2 in the first embodiment.
  • the surface of the substrate was subjected to predetermined masking, and molybdenum was sprayed to a thickness of 50 m to form a first electrode 52.
  • the coefficient of thermal expansion with the inter-electrode insulating layer 13 was almost the same as in the case of the second electrode 64.
  • alumina was sprayed on the surface of the first electrode 52, and the upper surface was 100 mm long ⁇ 100 mm wide ⁇ 0.1 mm thick.
  • An insulating layer 11 was formed. After polishing the surface of the upper insulating layer 11, vacuum impregnation is performed with epoxy or silicon to seal the entire surface of the sprayed layer, and the flatness of the entire surface, particularly, the portion to become the sample adsorption surface 7 is obtained.
  • the workpiece was machined so that the surface roughness Ra was within the standard value and deviation required for the manufacturing process in the range of 5-20 ⁇ m. Then, in an organic solvent The sonic cleaning process was performed to complete the electrostatic chuck X.
  • the distance Y between the first electrode 52 and the second electrode 54 according to the tenth embodiment is 0.1 mm.
  • the electrostatic chuck including the insulator formed by spraying the first electrode, the second electrode, the inter-electrode insulating layer, the upper insulating layer, and the lower insulating layer with ceramics
  • Ceramics are resistant to abrasion, and therefore exhibit excellent performance in resistance to harsh environments, such as when particles are generated and the like.
  • it can be manufactured at relatively low cost and is suitable for mass production.
  • FIG. 18 is an explanatory partial cross-sectional view of the interelectrode insulating layer 23 and the first electrode 62 in the bipolar electrostatic chuck X according to the eleventh embodiment.
  • a substrate in which the lower insulating layer 15 and the second electrode 64 were formed on the metal substrate 6 was prepared.
  • a ceramic thin plate having a vertical length of 100 mm, a width of 100 mm and a thickness of 0.1 mm and also having an alumina force was used as the inter-electrode insulating layer 23. Formed.
  • the inter-electrode insulating layer 23 is laminated on the metal substrate 6, the lower insulating layer 15, and the upper surface of the second electrode 64 (the upper surface of the second electrode 64), which have been formed integrally, and the epoxy resin is interposed therebetween. It was fixed.
  • the upper insulating layer 11 was formed on the surface of the first electrode 62 in the same manner as in Example 10. The surface of the upper insulating layer 11 was polished, sealed, machined for flattening, and ultrasonically cleaned in the same manner as in Example 10 to complete the electrostatic chuck X.
  • the inter-electrode insulating layer which requires the highest insulation resistance, also with a ceramic thin plate force, the reliability of insulation between the electrodes is improved. It exhibits the same insulation resistance as when a polyimide sheet is interposed.
  • a bipolar electrostatic chuck in which a first electrode 2 and a second electrode 4 formed in a band-shaped comb are arranged on the same plane so as to be intricately different from each other.
  • a calculation model was created.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 are arranged on the same plane so as to have a pitch between electrodes of lmm (the width of the strip of both electrodes is lmm).
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 are sandwiched between an upper insulating layer made of polyimide and a lower insulating layer made of polyimide, so that potentials of different polarities are applied to adjacent electrodes to form a bipolar electrostatic electrode.
  • An electric chuck is used. Table 1 shows the results.
  • Example 1 and Example 3 are about four times as large as those of Reference Example 1. Note that the results of Reference Example 1 were calculated close to the results disclosed in Non-Patent Document 1 described above. Although the substrate is a silicon wafer in Non-Patent Document 1, the calculation result of Test Example 1 is considered to be reliable in other cases.
  • the capacitances of the bipolar electrostatic chucks X of Examples 1, 3 and Reference Example 1 were calculated by the same calculation as that of Test Example 1. This capacitance is considered to be proportional to the residual attraction force (the difficulty in peeling off the residual charge when the glass substrate 8 is removed from the sample attraction surface 7 after the voltage application is stopped). The results are shown in Table 1. This result indicates that it is advantageous for the capacitance that the first electrode and the second electrode do not overlap in the normal direction of the sample adsorption surface.
  • FIGS. 20 to 25 show Reference Example 1
  • FIGS. 22 and 23 show Example 1
  • FIGS. 24 and 25 show Example 3
  • the electrode portion of each model is shown in an enlarged manner.
  • the gradient force Fy is expressed by the following equation (2) with respect to the normal direction y of the sample adsorption surface 7.
  • FIG. 22 and FIG. 24 show that, as compared with FIG. 20, it can be seen that the dark portion (the portion with a strong Dalladian force) exists widely within the range surrounded by the dotted line in the drawing. It can be seen that the electrostatic chucks of Example 1 and Example 3 all have better gradient force than the case of Reference Example 1. From FIGS. 23 and 25, it can be seen that this gradient force is present in a portion where the equipotential contour lines are narrow and where the force spreads.
  • Example 2 It has a band-shaped comb-shaped first electrode 2 and a band-shaped comb-shaped second electrode 4 as in Example 1 above, and the upper insulating layer 1, the inter-electrode insulating layer 3, and the lower insulating layer 5 are the same as those in Example 1 respectively.
  • the width z of the band portion 2a of the first electrode 2 (the band electrode width z) and the adjacent band portion 2a
  • the width z (band-shaped electrode width z) of the band-shaped portion 4a in the second electrode 4 and the space z (gap z between the electrodes) of the adjacent band-shaped portion 4a are equalized.
  • the change of each value of the attraction force (N / m) per unit length (the right axis in the graph) acting on the book (band-like portion 2a) is shown in a graph.
  • the bipolar electrostatic chuck according to the present invention is excellent in electric field strength and exhibits a gradient force, so that the flatness of the sample to be attracted and held can be excellent, and the large-sized sample can be used. Even if there is, it shows sufficient adsorption power.
  • the glass substrate for liquid crystal displays which is said to be the fourth generation in recent years, is 900 mm x 1100 mm. This can be achieved by fabricating chucks and arranging them on an equipment table that can uniformly mount nine of them.
  • the bipolar electrostatic chuck according to the present invention has only an attraction force consisting of a gradient force.
  • a Coulomb force having a suction force of, for example, about 100 gfZcm 2 is exerted in addition to the gradient force, it can be used for holding a semiconductor substrate such as a silicon wafer by suction. That is, if this bipolar electrostatic chuck is used, an insulating substrate such as the above glass substrate and a semiconductor substrate such as a silicon wafer can be processed by the same apparatus, and in any case, the voltage applied to the electrodes is minimized. These substrates can be adsorbed and held with high reliability under the reduced optimized conditions.

Abstract

 絶縁耐性に優れ、かつ、優れた吸着力を発揮する双極型静電チャックを提供する。また、電極への電圧の印加を終えた後、試料吸着面からの試料のはがし取りにくさを可及的に解消できる双極型静電チャックを提供する。  絶縁体の内部に第一電極と第二電極とを備えてこの絶縁体の表面を試料吸着面とする双極型の静電チャックであり、上記絶縁体がその深さ方向に試料吸着面から近い順に第一電極、電極間絶縁層、及び第二電極を有し、この第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極に対して非重畳領域を有する双極型静電チャックである。

Description

明 細 書
双極型静電チャック
技術分野
[0001] この発明は、静電的に試料を吸着保持する双極型静電チャックに関する。
背景技術
[0002] エッチング装置、化学気相蒸着 (CVD)による薄膜形成などに用いるプラズマ処理 装置、電子露光装置、イオン描写装置、イオン注入装置など、シリコン等の半導体ゥ ェハに集積回路を形成する際に必要な半導体製造プロセスで使用される装置をはじ め、ガラス等の絶縁性基板に液晶の圧入を行う際に用いる基板張り合わせ装置、ィ オンドーピング装置など、テレビ画面やコンピュータ用ディスプレー等に使用される液 晶ディスプレーパネルの製造工程で使用される装置では、ウェハやガラス等の試料 を静電的に吸着保持する静電チャックが広く用いられている。これは、機械的機構を 利用した保持と比較して、試料の損傷の問題、機械的接触による傷等から発生する パーティクルが弓 Iき起こす歩留まりの問題、更には保持した試料の平坦性の補償等 において静電チャックが優れた性能を発揮するためである。
[0003] 近年、大型液晶テレビの普及やフラットパネルディスプレーの開発等を受けて、これ までより大型のガラス基板を処理する必要性が生じ、なかでは大型のものとして lm X lmを超える基板を用いた製品も製造されている。また、半導体製造工程において は、直径 300mmのシリコンウェハの処理が現在の主流となってきている。いずれの 場合も大型化が進み、ガラス基板や半導体ウェハの重量が増すことにも関係して、 高い吸着力と共に、静電チャックに吸着された際の吸着面での試料の平坦性がより 重要になっている。
[0004] 一般に、静電チャックに吸着された試料の吸着面での平坦性は、静電チャックが試 料を保持する保持力の大きさにも関係してくる。すなわち、上記のように吸着する試 料の大型化が進むにつれ、静電チャックが十分な保持力を有さなければならない。 ここで、 2つの電極に正負の電圧を印加する双極型の静電チャックでは、下記式(1 )で示されるような、不均一な電界の場合に発生するグラディエント力 Fの働きによつ てシリコン等の半導体ウェハやガラス基板等の誘電体を吸着すると考えられており、 このグラディエント力は電界強度 Eの 2乗の空間微分、すなわちグラディエントに比例 する。
F V (E2) …… (1)
[0005] そこで、これまでに互いに隣接する電極間の距離を狭めた双極型の静電チャックが いくつか報告されている。例えば、互いに帯状くし歯の形状をした電極を互い違いに 入り組ませて 10cm X 10cmの一層櫛型双極電極を形成し、かつ、これらの互いの電 極を lmmピッチ(それぞれの電極幅が lmmであり、かつ、互いの電極間隔が lmm) で配列すると共に、表面誘電体層を 50 mとした双極型の静電チャックが報告され 飞いる (K.Asano, r .Hatakeyama and K. atsuzuka,「ト undamental Study of an Electrostatic Chuck for Silicon Wafer HandlingJ , IAS '97. Conference Record of the 1997 IEEE Industry Applications Conference Thirty-Second IAS Annual Meeting (Cat. No.97CH36096), Part: vol.3 , Page: 1998-2003.)。そして、この静電チャックで は、被吸着物であるシリコンウェハに対して印加電圧 1500Vで一 3Nの吸着力を得て いる。これは単位面積あたりの吸着力に換算すると一 3gf/cm2となる。また、絶縁体の 内部に対になった帯状電極を備えた双極型の静電チャックにおいて、その帯状電極 の線幅及び帯状電極間をそれぞれ 0. 3— 3mmとした例も報告されている(特開平 1 0— 223742号公報)。更には、誘電性のベース上に間隔が離れた電極を配列し、こ れら電極の電極幅及び電極間隔をそれぞれ 100 μ m以下とする例も報告されて ヽる (特表 2000— 502509号公報)。
[0006] し力しながら、互いに隣接する電極間距離を狭めた場合には放電限界が問題とな る。すなわち、静電チャックに用いる電極材のエッチング断面の制御や、絶縁体の内 部で電極を固定する接着層の形成具合の制御等が難しいため、例えば従来の双極 型静電チャックの断面図を示した図 28の電極付近の断面模式図(拡大図)のように、 第一電極 2及び第二電極 4の端部のエッチング不揃いによる尖った個所には電界が 集中し易ぐまた、絶縁層どうし、あるいは絶縁層と電極とを固定する接着層を形成す るための接着剤が固着する際にボイドが生じるため、隣接する電極間では絶縁耐圧 が著しく低下する。そのため、上記のような双極型の静電チャックでは、電極と電極と の間がある一定距離に近づくと、電極間で放電を起こすおそれがある。
[0007] この放電限界については、一般に、双極型の静電チャックでは、電極間の距離が 0 . 5mmに対して 3kV程度であるとされている。実際には、上記のような双極型静電チ ャックを使用する際には、安全率をみてこれより低い電圧を印加するようにしなければ ならない。そのため、先に説明したような従来の電極間幅を狭めた双極型の静電チヤ ックでは、実際に印加できる電圧は制限されてしまい、直径サイズの大型化が進む半 導体ウェハや、大型化が進む液晶テレビやフラットパネルディスプレー等に使用され るガラス基板に対しては、単位面積当たりの重量が増加するため十分な吸着力(ダラ ディェント力)を発揮することができな 、と 、つた問題がある。
[0008] 一方、絶縁性の試料を静電チャックに吸着させた場合、電極に印加する電圧を切 つても残留電荷によって静電チャックの試料吸着面力も試料がはがれにくいといった 問題があり、特に、上記のように試料の大型化が進むと、この問題はより深刻となる。
[0009] ところで、双極型の静電チャックについては、先に説明したものを含めて電極を同 一平面となるように配設したものほとんどであり、なかには絶縁体の内部に複数の電 極を積層するタイプの静電チャックも報告されているが (特許第 2838810号公報)、 極性の異なる電極を同一平面内に配設する点で上記双極型静電チャックと同じであ り、同様に放電限界の問題を抱える。
特許文献 1:特開平 10 - 223742号公報
特許文献 2:特表 2000-502509号公報
特許文献 3:特許第 2838810号公報
非特干文献 1 : K.Asano, F.Hatakeyama and K. Yatsuzu a,「Fundamental Study of an Electrostatic Chuck for Silicon Wafer HandlingJ , IA¾ 97. Conference Record of the 1997 IEEE Industry Applications Conference Thirty-Second IAS Annual Meeting (Cat. No.97CH36096), Part: vol.3 , Page: 1998-2003.
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] そこで、本発明者らは、上述したような従来の双極型静電チャックの放電限界が電 界強度にして 6MVZm程度であることに注目した。この値は一般に経験的に知られ ている真空中の絶縁破壊電界強度 lOMVZmより低ぐまた、絶縁体の材質の耐圧 、例えばポリイミドでは 160MV/mに比べて圧倒的に低いことから、絶縁体の内部 で隣接する、互いに異なる極性の電圧を印加する電極の間では、隣接する電極端部 の形状やこれらの電極の間に存在する接着層内のボイド等が絶縁破壊電界強度の 低下に大きく影響を与えて 、ると 、う考えに至った。
そして、電界強度に優れ、かつ、大型の試料であっても十分に対応可能な強いダラ ディェント力を発揮する双極型静電チャックの実現にっ 、て鋭意検討した結果、異な る極性の電圧を印加する第一の電極と第二の電極とを絶縁体の内部に試料吸着面 力も深さ方向に向力つて順に並べると共に、これらの電極の間には絶縁耐圧に優れ た絶縁層を配設することによって、これらの電極の電極間距離を狭めて強いダラディ ェント力を発現せしめても絶縁耐性に優れることを見出し、本発明を完成した。
[0011] 従って、本発明の目的は、絶縁耐性に優れ、かつ、優れた吸着力を発揮する双極 型静電チャックを提供することにある。
また、本発明の別の目的は、電極への電圧の印加を終えた後、試料吸着面からの 試料のはがし取りにくさを可及的に解消できる双極型静電チャックを提供することに ある。
課題を解決するための手段
[0012] すなわち、本発明は、絶縁体の内部に第一電極と第二電極とを備えてこの絶縁体 の表面を試料吸着面とする双極型の静電チャックであり、上記絶縁体がその深さ方 向に試料吸着面カゝら近い順に第一電極、電極間絶縁層、及び第二電極を有し、この 第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極に対して非重畳領域を有することを 特徴とする双極型静電チャックである。
また、本発明は、上記絶縁体の表面に更に導電性層を形成し、この導電性層の表 面を試料吸着面とする双極型静電チャックである。
[0013] 本発明においては、絶縁体がその深さ方向に試料吸着面力も近い順に第一電極、 電極間絶縁層、及び第二電極とを有し、この第二電極が試料吸着面の法線方向に 第一電極に対して非重畳領域を有する必要がある。第一電極と第二電極は絶縁体 の内部において絶縁体の深さ方向(厚み方向)に互いに離れて存在すると共に、こ の第一電極と第二電極との間には電極間絶縁層が存在する必要がある。
[0014] 本発明において、第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極に対して非重畳 領域を有するとは、絶縁体の内部に存在する第一電極と第二電極のみを対象として 試料吸着面力 垂直方向にみた場合、第二電極が第一電極とは重ならない領域を 有することを言う。具体的には、第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極と重 ならない場合と、第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に第一電極と重なる場 合 (この重なる部分以外は第二電極が第一電極とは重ならない)とがある。ここで、第 一電極と第二電極とが試料吸着面の法線方向に互いに線で接する場合、及び第一 電極と第二電極とが試料吸着面の法線方向に互いに点で接する場合にっ ヽては、 後者の具体例、すなわち、第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に第一電極と 重なる場合に含めるとする。
[0015] 本発明における第一電極及び第二電極のそれぞれの形状、及び絶縁体の内部に おける両電極の配置については、上述したように第二電極が試料吸着面の法線方 向に上記第一電極に対して非重畳領域を有することができればよぐ例えば、以下の ような場合を挙げることができる。
[0016] すなわち、第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極と重ならない場合として 、例えば、第一電極が帯状くし歯に形成されると共に第二電極が帯状くし歯に形成さ れ、これら 2つの帯状くし歯が互 、違いに入り組まれて第二電極が試料吸着面の法 線方向に第一電極と重ならないように配置してもよぐ第一電極が半円状に形成され ると共に第二電極が第一電極と線対称な半円状に形成され、第二電極が試料吸着 面の法線方向に第一電極と重ならな 、ように配置してもよく、第一電極が長方形又は 正方形状に形成されると共に第二電極が第一電極と線対称な長方形又は正方形状 に形成され、第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極と重ならな!/、ように配置 してちよい。
[0017] 第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に第一電極と重なる場合として、例えば 、第一電極が帯状くし歯に形成されると共に第二電極が所定の領域を有する平板状 に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に上記第一電極と重な るように配置してもよい。また、第一電極が井桁状に形成されると共に第二電極が所 定の領域を有する平板状に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線方 向に上記第一電極と重なるように配置してもよ 、。
また、第一電極が所定の領域内に円形、三角形、正方形、長方形、又は四角形以 上の多角形の形状をした開口部を複数有したメッシュ状に形成されると共に第二電 極が所定の領域を有する平板状に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の 法線方向に上記第一電極と重なるように配置してもよい。第一電極における開口部 の大きさ(円については直径、四角形以上では対角線の長さ)については、隣接する 開口部との距離と同程度か、あるいは隣接する開口部と開口部との距離の 120%程 度となるように形成するのがよぐ第一電極をこのような大きさの開口部を有するメッシ ュ状にすることにより、第二電極からの電界の漏れを適度に多くすることができる。こ の開口部の具体的な大きさについては、十分なグラディエント力を発揮せしめる観点 から、好ましくは 0.1— 3.0mmであるのがよい。更には、吸着力の均一性の観点から 、開口部については好ましくは第一電極の所定の領域内に均一に存在しているのが よい。
また、第一電極が所定の幅を有するリング状に形成されると共に第二電極が所定 の円形領域を有する平板状に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線 方向に上記第一電極と重なるように配置してもよい。また、第一電極が、所定の円形 領域を有する円形部を中心にしてこの円形部から所定の間隔をおいて同心円状に 並ぶ第一環状部を有し、かつ、上記円形部と第一環状部とを結ぶ第一接続部を有 するように形成され、第二電極が、上記第一電極の円形部と第一環状部との間隔より 小さい幅を有する環状に形成され、この第二電極が試料吸着面の法線方向にみて 上記第一電極の円形部と第一環状部との間に配置されてもよぐまた、第一電極が、 所定の円形領域を有する円形部を中心にしてこの円形部力 所定の間隔をおいて 同心円状に並ぶ第一環状部を有し、かつ、上記円形部と第一環状部とを結ぶ第一 接続部を有するように形成され、第二電極が、上記第一電極の円形部と第一環状部 との間隔と同じ幅を有する環状に形成され、この第二電極が試料吸着面の法線方向 にみて上記第一電極の円形部と第一環状部との間に配置されてもよい。上述したよ うに、第一電極が円形部と第一環状部と第一接続部を有すると共に第二電極が環状 に形成される場合、第一電極と第二電極とがそれぞれ複数の同心円状の環状部を 有するように形成してもよい。すなわち、第一電極が、互いに所定の間隔をおいて同 心円状に並ぶ 2つ以上の第一環状部を有し、一方、第二電極が、互いに所定の間隔 をおいて同心円状に並ぶ 2つ以上の第二環状部を有し、かつ、第二環状部の間を結 ぶ第二接続部を有するように形成され、第二電極の各第二環状部が試料吸着面の 法線方向にみて上記第一電極の各第一環状部の間に配置されてもょ 、。
[0019] 更には、第一電極と第二電極とが、上記で説明したいずれかの形状に各々形成さ れ、この第一電極と第二電極とを組み合わせて配置し、第二電極の一部が試料吸着 面の法線方向に第一電極と重なるように配置してもよ 、。
[0020] 本発明における第一電極及び第二電極については、例えば互いに極性の異なる 電圧を印加したり、あるいは一方の電極を Ground (接地)にして残りの電極をプラス極 又はマイナス極とするなどして、互いに電位差を生じさせるようにする。この第一電極 については 1又は 2以上の電極力 形成してもよぐ第二電極についても 1又は 2以上 の電極から形成するようにしてもよ!、。
[0021] 本発明においては、試料吸着面に保持される試料への吸着力の均一性の観点か ら、好ましくは第一電極と第二電極のそれぞれの外周形状が占める領域が、共に試 料吸着面の中央部力も周縁部に至るまでの領域を占めることができるのがよい。すな わち、第一電極の外周形状と第二電極の外周形状とが試料吸着面の法線方向に対 し互いに略重なるのが好ましい。更に好ましくは第一電極の外周形状と第二電極の 外周形状と試料吸着面に保持される試料の外周形状とが試料吸着面の法線方向に 対して互!ヽに略重なるのがよ!/ヽ。
また、第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極に対して有する非重畳領域 については、吸着力の均一性の観点から、好ましくは試料吸着面の中央部力 周縁 部に至るまでの領域に均一に存在しているのがよぐ更に好ましくは上記非重畳領域 が存在する領域が、試料吸着面に吸着される試料が占める領域に均一に存在して いるのがよい。
[0022] 一方、静電チャックの静電容量を低減することができる観点から、好ましくは上記第 一電極と第二電極とが試料吸着面の法線方向に対して互いに重なる領域が少なくな るほどよぐ更に好ましくは第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極と重ならな いのがよい。静電チャックの静電容量を低減することができれば、両電極への電圧の 印加を終えた後に試料吸着面力もの試料のはがし取りにくさを可及的に解消すること ができる。
[0023] 本発明において、絶縁体の内部における第一電極と第二電極との電極間距離に ついては 1一 1000 m、好ましくは 50— 500 mであるのがよい。第一電極と第二 電極との電極間距離が 1 mより小さいと、例えば第一電極、電極間絶縁層及び第 二電極を市販されている積層体を利用して形成する場合、すなわち、絶縁性フィル ムの表裏両面に金属箔を有するような積層体を用いる場合、電極間絶縁層を形成す る絶縁性フィルムが 1 μ mより薄いものを巿場にて入手するのが困難であり、反対に、 上記電極間距離が 1000 mより大きくなると、得られた双極型静電チャックが熱伝 導性の観点で問題が生じるおそれがある。また、上記電極間距離が 50 m以上であ れば市販のポリイミド等の絶縁シートを用いて接着剤により積層して電極間絶縁層を 形成することで必要な電極間距離を容易に形成することができ、また、 500 m以下 であれば巿場にて入手可能な 1枚の絶縁シートの厚さを厚く設定して電極間絶縁層 を形成して必要な電極間距離を容易に形成することができると共に、得られた静電チ ャックが数 kV程度の低電圧動作によって必要な吸着力を発現せしめることができる ようになる。尚、上記電極間距離とは、第一電極と第二電極との間を直線で結ぶ最短 距離を言う。
[0024] また、本発明において第一電極を帯状くし歯に形成する場合、この帯状くし歯の帯 状部分の幅 (以下、「帯状電極幅」と言うこともある)と隣り合う帯状部分との間隔 (以下 、「電極間隙間」と言うこともある)とを等しくしたとき (帯状電極幅 =電極間隙間 =zと する)、この zについては好ましくは 0.15— 0.5mmの範囲内であるのがよぐ更に好ま しくは 0.2— 0.4mmであるのがよい。帯状電極幅と電極間隙間とを等しくしてこれらを 上記範囲内にすることで優れた吸着力を発揮する。
[0025] 本発明における第一電極と第二電極については、例えば銅、タングステン、アルミ ユウム、ニッケル、クロム、銀、白金、錫、モリブデン、マグネシウム、パラジウム等から 形成することができ、電導性あるいは生産性の観点力も好ましくは銅、アルミニウムで あるのがよい。また、第一電極と第二電極とは同じ材質力も形成してもよぐ互いに異 なる材質カゝら形成してもよ ヽ。
そして、第一電極及び第二電極については、絶縁性フィルムの表裏両面に上記の ような金属力もなる箔を有した市販の積層体を利用することも可能である。あるいは、 例えば電極間絶縁層の上面及び下面、あるいは後述する上部絶縁層又は下部絶縁 層におけるそれぞれの一方の面に通常のスパッタ法を用いて上記金属力 なる電極 面を形成し、次 、で形成した電極面を通常のエッチング方法を用いてそれぞれ所定 の形状にしてもよい。また、銅、タングステン、アルミニウム、ニッケル、クロム、銀、白 金、錫、モリブデン、マグネシウム、及びパラジウム力 選ばれた 1以上の金属をぺー スト状にして印刷処理を用いてもよぐイオンプレーティング蒸着法を用いた処理、メ ツキ処理、気相成長法で成膜の後に所定のパターンにエッチングする方法、モリブ デン、タングステン、タンタル等の高融点金属を用いた溶射を用いる方法等の手段に より電極間絶縁層、或は後述する上部絶縁層や下部絶縁層の表面に形成するように してちよい。
[0026] 第一電極と第二電極のそれぞれの厚みについて、絶縁性フィルムの表裏両面に金 属箔を有した積層体を利用する場合には、両電極共に 0. 2— 30 m、好ましくは 1 一 30 μ mであるのがよい。電極の厚みが 0.2 μ mより小さいとピンホール等が入りや すぐ技術的に製作が難しぐ反対に より大きくなると絶縁体の内部における 電極付近にボイド等による隙間が形成されて、絶縁体としての強度に問題が生じるお それがある。また、電極の厚みが: L m以上であれば、特に大型の静電チャックを形 成する場合でも、信頼性のある電極を全域に形成することが可能となる。
モリブデン、タングステン、タンタル等の所定の金属で溶射して形成する場合には、 第一電極については 20— 100 m、好ましくは 20— 30 mであるのがよぐ第二電 極については 20— 100 m、好ましくは 20— 30 mであるのがよい。両電極共に膜 厚が 20 mより小さくなるとボイドが発生し、導電膜として機能し難くなる。
上記その他の方法で第一電極と第二電極を形成する場合においても、例えば 1一 30 μ m程度とすることができる。
[0027] 本発明における第一電極の一部又は全部を試料吸着面の法線方向に切った断面 形状については特に制限はないが、例えば長方形、正方形、円形、三角形、四角形 、又はそれ以上の多角形等力も選ばれた形状を挙げることができる。また、本発明に おける第二電極の一部又は全部を試料吸着面の法線方向に切った断面形状につ いても、上記第一電極の場合と同様に考えることができ、第一電極及び第二電極の 一部又は全部の断面形状を同じ形状に揃えてもよぐ互いに異なる形状にしてよい。
[0028] 本発明における電極間絶縁層については、絶縁体の内部において第一電極と第 二電極とが互いに接しないよう離すことができると共に、第一電極と第二電極とが電 気的に絶縁されるものであればよい。このような電極間絶縁層としては、例えばポリイ ミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ、及びアタリ ルカも選ばれた 1種又は 2種以上の榭脂からなる榭脂層によって形成してもよぐ酸 化アルミ、窒化アルミ、炭化珪素、窒化珪素、ジルコユア及びチタ-ァ力 選ばれた 1 種又は 2種以上力 なるセラミックス層によって形成してもよぐあるいは、珪素及び二 酸ィ匕珪素から選ばれた 1種又は 2種力もなる層などによって形成してもよい。このうち 、量産性の観点から、好ましくはポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリエチレン テレフタレート及びエポキシ力も選ればれた 1種又は 2種以上の榭脂からなる榭脂層 によって形成するのがよぐ耐絶縁性やィ匕学的耐性の観点力も更に好ましくはポリイ ミドであるのがよい。
[0029] 上記榭脂層については、好ましくは 1又は 2以上の榭脂フィルム力もなるのがよい。
このような榭脂フィルムとしては、具体的には、カプトン (東レ 'デュポン社製商品名)、 ユーピレックス ADシート (宇部興産社製商品名)、アビカル (鐘淵化学工業社製商品 名)等を挙げることができ、更に好ましくはポリイミドカもなるカプトンである。電極間絶 縁層を形成する榭脂層に榭脂フィルムを用いることで、第一電極と第二電極の間を ボイドの存在等のおそれを可及的に排除して信頼性のある電極間絶縁層を形成でき 、絶縁耐性に優れた静電チャックを得ることができる。例えばカプトン (東レ'デュポン 社製商品名)の絶縁破壊電界強度は 160MVZmであるとされており、このカプトン を電極間絶縁層とした本発明の静電チャックは、更に優れた絶縁耐性を発揮し得る
[0030] この榭脂層の厚みについては、用いる材質によっても異なる力 例えばポリイミドフ イルムを用いる場合、 1一 1000 /ζ πι、好ましくは 50— 500 mであるのがよい。電極 間絶縁層の厚みが 1 μ mより小さいと、例えば第一電極、電極間絶縁層及び第二電 極を市販されている積層体を利用して形成する場合、すなわち、絶縁性フィルムの表 裏両面に金属箔を有するような積層体を用いる場合、電極間絶縁層を形成する絶縁 性フィルムが 1 μ mより薄いものを巿場にて入手するのが困難であり、反対に、電極 間絶縁層の厚みが 1000 mより大きくなると、得られた双極型静電チャックが熱伝 導性の観点で問題が生じるおそれがある。また、電極間絶縁層の厚みが 50 /z m以 上であれば市販のポリイミド等の絶縁シートを用いて接着剤により積層して形成する ことが可能であり、また、 500 m以下であれば巿場にて入手可能な 1枚の絶縁シー トの厚さを厚く設定することにより製作可能であると共に、得られた静電チャックが数 k V程度の低電圧動作によって必要な吸着力を発現せしめることができるようになる。 電極間絶縁層をセラミックス層から形成する場合は、酸ィ匕アルミニウム、窒化アルミ ユウム、炭化珪素、窒化珪素、ジルコユア、イットリア、マグネシア、及びチタユアの単 体又はこれらの複合体を大気あるいはプラズマなどによる溶射によって形成してよぐ また、焼結済みセラミックス薄板を用 、て形成してもよ 、。
溶射によって形成する際には、電極間絶縁層の膜厚は、一般的な溶射技術によつ て 30— 500 μ m程度の範囲で形成することができ、必要に応じて最大 3mm程度の 厚みまでは厚くすることも可能である。この膜厚が 30 mより小さいと均一な層が形 成し難ぐ反対に 500 mより大きくなるとグラディエント力が小さくなつてしまう。また 、半導体装置等で使用される最中の侵食によって試料や装置等への汚染の影響を 可及的に低減させる目的や、耐絶縁性に優れる観点から、好ましくは 99. 99%以上 の純度の高いものを用いて溶射によりセラミックス層を形成するのがよぐまた、試料 吸着面に保持した試料を効率良く冷却させる観点から、窒化アルミニウム等の熱伝 導性の高 、ものを用いるのが好まし!/、。
溶射によってセラミックス層を形成する場合は、溶射後の上面を機械加工等により 平坦ィ匕するのがよい。この際の平坦度については、絶縁体内における電極の位置関 係から重要であって、電界の形成を均一にしてグラディエント力による吸着力を試料 吸着面において均一にする観点から、表面粗さ Raを 5— 50 m程度とするのがよく 、 10 /z m以下とするのが好ましい。
[0032] 一方、焼結済みのセラミックス薄板を用いて電極間絶縁層を形成する場合は、その 膜厚については任意に設計することができる力 好ましくは 30— 500 mの範囲とす るのがよい。この膜厚が 30 /z mより小さいと均一な層の形成が難しぐ反対に 500 mより大きくなるとグラディエント力が小さくなつてしまう。また、用いる材質については 、溶射の場合と同様である。
[0033] また、電極間絶縁層を珪素及び二酸ィ匕珪素力 選ばれた 1種又は 2種力 なる層 で形成する場合には、例えば CVDあるいはスパッタ法によって膜厚 1一 50 mの電 極間絶縁層を形成することができる。
[0034] また、本発明における絶縁体は、その深さ方向に試料吸着面力も近い順に第一電 極、電極間絶縁層、及び第二電極とを有する必要がある力 好ましくは絶縁体の深さ 方向に試料吸着面から近い順に上部絶縁層、第一電極、電極間絶縁層、第二電極 、及び下部絶縁層を有するのがよい。ここで、上部絶縁層及び下部絶縁層を示す上 下の方向は、絶縁体の表面の試料吸着面側を上として試料吸着面により近い方を上 部、遠い方を下部とする意味である。
[0035] この上部絶縁層については、例えば、下面に熱可塑性ポリイミドを有するポリイミド、 ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、及びエポキシ力 選ばれた 1種 又は 2種以上の榭脂からなる榭脂層、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪 素、窒化珪素、ジルコユア、イットリア、マグネシア、及びチタ-ァカも選ばれた 1種又 は 2種以上力もなるセラミックス層等を挙げることができ、生産性及び絶縁性の観点か ら好ましくは下面に熱可塑性ポリイミドを有するポリイミドであるのがよい。
また、下部絶縁層については、上面に熱可塑性ポリイミドを有するポリイミドのほか 上記上部絶縁層の場合と同様であり、生産性及び絶縁性の観点力 好ましくは上面 に熱可塑性ポリイミドを有するポリイミドであるのがよい。
[0036] 榭脂層によって上部絶縁層を形成する場合、その膜厚については、 10— 200 m 、好ましくは 50— 100 mであるのがよい。上部絶縁層の膜厚が 50 mより小さいと 膜の耐久性に影響が考えられ、反対に 100 mより大きくなるとグラディエント力が小 さくなることが懸念される。また、榭脂層によって下部絶縁層を形成する場合の膜厚 については、 10 m以上、好ましくは 50 m以上であるのがよい。上部絶縁層の膜 厚が 50 mより小さいと耐電圧性の問題や静電容量の増加等の問題が懸念され、 反対に 200 μ mより大きくなると被吸着物力 基盤への熱の伝わり方が不十分となる おそれ、すなわち被吸着物の冷却が不十分となるおそれがある。
[0037] 一方、上部絶縁層及び Z又は下部絶縁層をセラミックス層から形成する場合、電極 間絶縁層の場合と同様に、酸ィ匕アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪 素、ジルコユア、イットリア、マグネシア、及びチタユアの単体又はこれらの複合体を 大気あるいはプラズマなどによる溶射によって形成することができ、また、焼結済みセ ラミックス薄板を用いて形成することができる。
溶射によって形成する場合、その膜厚については、上部絶縁層においては榭脂層 によって形成する場合と同様の理由力も好ましくは 10 m— 200 mであるのがよく 、下部絶縁層においても同様の理由力も好ましくは 10 μ m— 200 μ mであるのがよ い。用 、る材質及び平坦化につ ヽては電極間絶縁層の場合と同様である。
[0038] 上部絶縁層及び Z又は下部絶縁層を焼結済みのセラミックス薄板を用いて形成す る場合、その膜厚については任意に設計することができ、上述した榭脂層又は溶射 によって形成する場合と同様の理由力も好ましくは 10— 200 mの範囲とするのが よい。また、用いる材質については、溶射の場合と同様である。
上部絶縁層、下部絶縁層、又は電極間絶縁層のいずれか 1以上をセラミックス薄板 で形成する場合には、接着手段が必要となり、例えばエポキシ接着剤、ろう付け等に よる接着方法を用いてもよぐセラミックス薄板を高温状態に保ち、真空炉の中で圧 接して接着してもよい。
[0039] また、本発明においては、絶縁体の表面に更に導電性層を形成し、この導電性層 の表面を試料吸着面としてもよい。絶縁体の表面に更に導電性層を形成してこの導 電性層の表面を試料吸着面とすることによって、静電チャックの時定数を低減するこ とができ、双極型電極の両電極への電圧の印加を終えた後に試料吸着面からの試 料のはがし取りにくさを可及的に解消することができる。このような導電性層は、例え ば絶縁体の表面に導電性ポリイミドシートや導電性フッ素榭脂を積層したり、ある ヽ は絶縁体自体に導電性をもたせるためにカーボン等の充填材を混合させるなどして 形成することができる。
[0040] 本発明における双極型静電チャックを作製する方法としては、例えば、先ず電極間 絶縁層の上面及び下面の両面にそれぞれ上述した方法によって第一電極及び第二 電極を形成する。次いで、下面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有するポリイミドフィル ムを第一電極及び第二電極を備えた電極間絶縁層の上に重ねて処理温度 100— 2 50°C、圧力 0. 1— 5MPaの条件で低温熱圧着成型して上部絶縁層を形成し、更に 上面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有するポリイミドフィルムの上に、一体となった上 部絶縁層、第一電極、電極間絶縁層及び第二電極を重ねて上記と同様に低温熱圧 着成型して絶縁体を形成してもよい。また、上部絶縁層として下面に熱可塑性ポリイ ミドフィルムを有するポリイミドフィルム、上下の両表面に第一電極及び第二電極を形 成した電極間絶縁層、下部絶縁層として上面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有する ポリイミドフィルムを順じ重ね、処理温度 100— 250°C、圧力 0. 1— 5MPaの条件で 一度に低温熱圧着成型して絶縁体を形成してもよい。そして、上記絶縁体を熱可塑 性ポリイミドフィルムやエポキシ圧着シート等を介してアルミニウム、アルミニウム合金 、 MMC (メタル'マトリックス 'コンポジット)、ステンレス、ステンレス合金の金属基盤や 、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材等カもなるセラミックス基盤に載せ、処 理温度 100— 250°C、圧力 0. 1— 5MPaの条件で低温熱圧着して静電チャックを完 成することができる。
或は、ポリイミド銅張積層板である市販のュピセル N (宇部興産株式会社製商品名 )やネオフレックス (三井ィ匕学株式会社製商品名)等の銅表面層を有するポリイミドシ ートをはじめとした絶縁フィルムの表裏両面に金属箔を有する積層体を用いて、この 金属箔を所定の電極パターンにエッチングする等して第一電極、電極間絶縁層及び 第二電極を形成し、これに上記と同様にして上部絶縁層及び下部絶縁層を貼付け、 さらに上記と同様にして金属基盤に貼り付けて静電チャックを完成してもよい。また、 これら静電チャックについては、先に説明した方法によって導電性層を形成してもよ い。
発明の効果
[0041] 本発明の双極型静電チャックは、絶縁体の深さ方向に試料吸着面力 近い順に第 一電極、電極間絶縁層、及び第二電極とを有する構造を採用するため、優れた絶縁 耐性を備え、第一電極と第二電極の電極間距離を可及的に狭くすることが可能となり 、優れた吸着力を発揮する。その結果、本発明の双極型静電チャックは、保持する 試料の平坦性に優れると共に、近年の大型化に対応した lm X lmを超えるガラス基 板や直径 300mmあるいはそれ以上のシリコンウェハ等に対しても十分な吸着性能 を発揮し、また、優れた吸着力を発現せしめることができるため、低電圧駆動が可能 となり、経済性の面で有利であると共に放電の心配が可及的に解消されて信頼性も 高い。
更に、本発明の双極型静電チャックは、第一電極と第二電極とが試料吸着面の法 線方向に対して互いに重なる領域を可及的に少なくすることによって、静電チャック の静電容量を低減することができ、両電極への電圧の印加を終えた後に試料吸着面 力もの試料のはがし取りにくさを解消することができる。更にまた、絶縁体の表面に更 に導電性層を形成してこの導電性層の表面を試料吸着面とした場合には、試料吸着 面の法線方向に対する第一電極と第二電極との重なる領域にかかわらずに、静電チ ャックの時定数を低減することができ、双極型電極の両電極への電圧の印加を終え た後に試料吸着面からの試料のはがし取りにくさを解消できる。
図面の簡単な説明
[図 1]図 1は、本発明の実施例 1に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図であ る。
[図 2]図 2は、実施例 1に係る双極型静電チャック Xの断面説明図(図 1の A— A断面 の一部)である。
[図 3]図 3は、実施例 1に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電極とを試料吸 着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 4]図 4は、本発明の実施例 2に係る双極型静電チャックの断面説明図である。
[図 5]図 5は、実施例 2に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電極とを試料吸 着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 6]図 6は、本発明における実施例 3に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明 図である。 [図 7]図 7は、実施例 3に係る双極型静電チャック Xの断面説明図(図 6の A— A断面 の一部)である。
[図 8]図 8は、実施例 3に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電極とを試料吸 着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 9]図 9は、本発明の実施例 4に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図であ る。
[図 10]図 10は、実施例 4に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電極とを試 料吸着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 11]図 11は、本発明の実施例 5に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図で ある。
[図 12]図 12は、実施例 5に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電極とを試 料吸着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 13]図 13は、本発明の実施例 6に係る双極型静電チャック Xの第一電極と第二電 極とを試料吸着面の法線方向にみた一部平面説明図である。
[図 14]図 14は、本発明の実施例 7に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図で ある。
[図 15]図 15は、本発明の実施例 8に係る双極型静電チャックの第一電極の一部平 面説明図を示す。
[図 16]図 16は、本発明の実施例 9に係る双極型静電チャックの第一電極の一部平 面説明図を示す。
[図 17]図 17は、本発明の実施例 10に係る双極型静電チャック Xの一部断面説明図 を示す。
[図 18]図 18は、本発明の実施例 11に係る双極型静電チャック Xの電極間絶縁層及 び第一電極の一部断面説明図を示す。
[図 19]図 19は、参考例 1の第一電極及び第二電極の平面説明図である。
[図 20]図 20は、参考例 1に係る双極型静電チャックのグラディエント力の分布を 2次 元電界計算で求めた結果を示す。
[図 21]図 21は、参考例 1に係る双極型静電チャックの電位等高線の分布図を 2次元 電界計算で求めた結果を示す。
[図 22]図 22は、本発明の実施例 1に係る双極型静電チャックのグラディエント力の分 布を 2次元電界計算で求めた結果を示す。
[図 23]図 23は、本発明の実施例 1に係る双極型静電チャックの電位等高線の分布 図を 2次元電界計算で求めた結果を示す。
[図 24]図 24は、本発明の実施例 3に係る双極型静電チャックのグラディエント力の分 布を 2次元電界計算で求めた結果を示す。
[図 25]図 25は、本発明の実施例 3に係る双極型静電チャックの電位等高線の分布 図を 2次元電界計算で求めた結果を示す。
[図 26]図 26は、参考例 1の双極型静電チャックをモデルとして、上部絶縁層の体積 抵抗率を変化させた場合の時定数を示すグラフである。
[図 27]図 27は、吸着力の帯状電極幅 (電極間隙間)に対する最適化を示すグラフで ある。
[図 28]図 28は、従来例を示す双極型静電チャックの断面説明図である。
符号の説明
[0043] X:双極型静電チャック、 1,11:上部絶縁層、 2,12,22,32,42,52,62:第一電極、 2a:帯状部分、 2b:根元部分、 12a:隙間部分、 22a:円形部分、 22b:環状部分、 22c: 接続部分、 32a,42a:開口部、 3, 13,23:電極間絶縁層、 4, 14,24,34,44,54,64:第 二電極、 4a,14a:帯状部分、 4b,14b:根元部分、 34a,44a:中央リング、 34b,44b:環状 部分、 34c,44 接続部分、 5,15:下部絶縁層、 6:金属基盤、 7:試料吸着面、 8:ガラ ス基板、 9:絶縁体、 10:直流電源
発明を実施するための最良の形態
[0044] 以下、添付図面に示す実施例に基づいて、本発明の好適な実施の形態を具体的 に説明する。尚、本発明における双極型静電チャックは以下の実施例の場合に限定 されない。
実施例 1
[0045] 図 1には、実施例 1に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図が示されており 、この双極型静電チャック Xは、縦 lOOmmX横 100mm、膜厚 m、及び比誘電 率 ε = 3. 5であって下面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有するポリイミドフィルムから なる上部絶縁層 1と、膜厚 3 mの銅力もなる第一電極 2と、縦 lOOmmX横 100mm 、膜厚 50 m、及び比誘電率 ε = 3. 5のポリイミドフィルム力もなる電極間絶縁層 3 と、膜厚 3 μ mの銅からなる第二電極 4と、縦 lOOmmX横 100mm、膜厚 50 μ m、比 誘電率 ε = 3. 5であって上面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有するポリイミドフィル ムからなる下部絶縁層 5と、縦 100mm X横 100mm X厚さ 10mmのアルミニウムから なる金属基盤 6とから形成される。また、この双極型静電チャック Xには、上部絶縁層 1の上面からなる試料吸着面 7に縦 100mm X横 100mm X厚さ 0. 2mmであって比 誘電率 ε = 5. 5のガラス基板 8が吸着'保持される。
この実施例 1に係る双極型静電チャック Xを次のようにして形成した。先ず、上下両 面 (表裏両面)に銅表面層を有するポリイミド銅張積層シートのネオフレックス(三井 化学株式会社製商品名)を用い、その上下両面にシルク印刷によって所定の電極の レジストパターンを形成し、次 、で塩ィ匕第二鉄力 なる腐食剤を用いてエッチングを 行った。このようにして、縦 80mm X横 80mmの領域を有する帯状くし歯の第一電極 2、電極間絶縁層 3 (ポリイミドフィルム)、及び縦 80mm X横 80mmの領域を有する 帯状くし歯の第二電極 4を形成した。
次に、上部絶縁層 1を形成する下面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有したポリイミド フィルム、第一電極 2、ポリイミドフィルム (電極間絶縁層 3)、第二電極 4、及び下部絶 縁層 5を形成する上面に熱可塑性ポリイミドフィルムを有したポリイミドフィルムの順と なるようにこれらを順次重ね、処理温度 150°C、圧力 2MPaの条件で低温熱圧着成 型を行って絶縁体 9を形成した。そして、この絶縁体 9を図示外の熱可塑性ポリイミド フィルムを介して上記と同じ条件の低温熱圧着処理を行って金属基盤 6に固着し、双 極型静電チャック Xを完成させた。
この双極型静電チャック Xについては、第一電極 2側がマイナス極、及び第二電極 4側がプラス極となるように直流電源 10に接続され、また、金属基盤 6はグランド電極 とされる。電極に印加する電圧については、第一電極 2側をプラス極、第二電極 4側 をマイナス電極としても上記と同様の吸着効果を発揮する。なお、第一電極 2又は第 二電極 4のいずれかを OV(GND)として残りの電極をプラス極又はマイナス極として、 互 、の電極に電位差を生じさせるようにしてもょ 、。
[0047] 図 2は、この実施例 1に係る双極型静電チャック Xの断面説明図(図 1の A— A断面 の一部)を示し、また、図 3は、この実施例 1に係る双極型静電チャック Xの第一電極 2と第二電極 4とを試料吸着面 7の法線方向にみた一部平面説明図を示す。尚、図 2 中に記した「z」は、下記の試験例 5で説明する帯状電極幅と電極間隙間とを表す。 上述したように第一電極 2が帯状くし歯に形成されると共に第二電極 4が帯状くし歯 に形成され、この第一電極 2の帯状くし歯と第二電極 4の帯状くし歯とが互い違いに 入り組まれて試料吸着面 7の法線方向に第一電極 2と第二電極 4とが互いに線で接 して重なるように配置されている。帯状くし歯に形成された第一電極 2の帯状部分 2a は電極幅 lmm及び厚さ 3 mであり、この帯状部分 2aは間隔 lmmピッチで配列され て、電極幅 3mm及び厚さ 3 mの根元部分 2bと一体になつて帯状くし歯を形成して いる。同じく第二電極 4の帯状部分 4aは電極幅 lmm、厚さ であり、この帯状部 分 4aは間隔 lmmピッチで配列され、電極幅 3mm、厚さ 3 mの根元部分 4bと一体 になって帯状くし歯を形成している。また、第一電極 2と第二電極 4との間の電極間距 離 Yは上記電極間絶縁層 3の膜厚の値に相当する 50 μ mである。
ところで、電極間絶縁層 3を形成する上記ポリイミドフィルムは、絶縁耐圧 160MV Zmであるため、この実施例 1に係る双極型静電チャック Xでは 8kVの絶縁耐性を備 えることになる。
実施例 2
[0048] 図 4は、実施例 2に係る双極型静電チャック Xの断面説明図を示し、また、図 5は、こ の実施例 2に係る双極型静電チャック Xの第一電極 2と第二電極 14とを試料吸着面 7の法線方向にみた一部平面説明図を示す。
この実施例 2の双極型静電チャック Xは、第二電極 14の帯状部分 14aの電極幅を 0 . 6mmに形成し、この第二電極 14の帯状部分 14aが、第一電極 2の帯状部分 2aによ つて形成される隙間(lmm)の中央に位置するように配置され、第一電極 2の帯状く し歯と第二電極 14の帯状くし歯とが互い違いに入り組まれ、試料吸着面 7の法線方 向に第一電極 2と第二電極 14とがそれぞれの帯状部分 2a、 14aの先端とそれぞれの 根元部分 2b、 14bとが線で接して重なるように配置されている(試料吸着面 7の法線方 向に第一電極 2の帯状部分 2aと第二電極 14の帯状部分 14aとの距離は 0. 2mmであ る)。上記以外の条件は実施例 1と同様にして、この実施例 2に係る双極型静電チヤ ック Xを完成させた。
実施例 3
[0049] 図 6には実施例 3に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図が示されている。
また、図 7は、この実施例 3に係る双極型静電チャック Xの断面説明図(図 6の A— A 断面の一部)を示し、図 8は、この実施例 3に係る双極型静電チャック Xの第一電極 2 と第二電極 24とを試料吸着面 7の法線方向にみた一部平面説明図を示す。尚、この 図 8中で点を付した領域部分は第二電極 24が試料吸着面 7の法線方向に第一電極 2と重なる部分を表す。
この実施例 3の双極型静電チャック Xは、第二電極 24が縦 80mm X横 80mmの平 面領域を有する平板状に形成した以外の条件は上記実施例 1と同様にして、双極型 静電チャック Xを完成させた。
実施例 4
[0050] 図 9には、実施例 4に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図が示されている 。また、図 10は、この実施例 4に係る双極型静電チャック Xの第一電極 12と第二電極 24とを試料吸着面 7の法線方向にみた一部平面説明図を示す。尚、この図 10中で 点を付した領域部分は第二電極 24が試料吸着面 7の法線方向に第一電極 12と重 なる部分を表す。
この実施例 4の双極型静電チャック Xでは、第一電極 12は井桁状に形成されており 、縦 100mm X横 100mmの領域を縦 3mm X横 3mmの隙間部分 12aが縦横 3mm ピッチ(井桁を形成する電極幅 3mm)で配列された形状を有して!/、る。上記以外の 条件は実施例 3と同様にして、この実施例 4に係る双極型静電チャック Xを完成させ た。尚、上記のように井桁状に第一電極 12を形成した場合は、外からの衝撃等で電 極の一部が切断されても電位供給が可能となる。
実施例 5
[0051] 図 11には実施例 5に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図が示されており 、また、図 12は、この実施例 5に係る双極型静電チャック Xの試料吸着面 7から法線 方向に第一電極 22及び第二電極 34をみた中心付近の一部平面説明図を示す。尚 、この図 12中で濃く表示した (塗りつぶした)部分は第二電極 34が試料吸着面 7の法 線方向に第一電極 22と重なる部分を表す。
この実施例 5に係る第一電極 22は、半径 2mmの円形部分 22aを中心として、電極 幅 3mmであって互いの電極間の間隔が 5mmとなるように同心円状に形成された環 状部分 22bを有すると共に、これら円形部分 22aと環状部分 22bとを結ぶ電極幅 lmm の接続部分 22cとを有し、全体で半径 100mmの同心円電極を形成している。一方、 第二電極 34は、内径 3mm及び外径 6mmの中央リング 34aを中心に、電極幅 3mm であって互いの電極間の間隔が 5mmとなるように同心円状に形成された環状部分 34bを有すると共に、これら中央リング 34aと環状部分 34bとを結ぶ電極幅 lmmの接続 部分 34cとを有し、全体で半径 100mmの同心円電極を形成している。上記以外の条 件は実施例 1と同様にして、この実施例 5に係る双極型静電チャック Xを完成させた。 この実施例 5に係る第一電極 22と第二電極 34とを試料吸着面 7の法線方向にみる と、環状部分 22b、 34bが互いに距離 d= lmmを有すると共に、この第二電極 34の接 続部分 34cは試料吸着面 7の法線方向に上記第一電極 22の接続部分 22cと重なるよ うに配置されている。
実施例 6
図 13は、実施例 6に係る双極型静電チャック Xの試料吸着面 7から法線方向に第 一電極 22及び第二電極 44をみた一部平面説明図を示す。尚、この図 13中で濃く表 示した (塗りつぶした)部分は第二電極 44が試料吸着面 7の法線方向に第一電極 22 と重なる部分を表す。
この実施例 6に係る第二電極 44は、内径 2mm及び外径 7mmの中央リング 44aを中 心に、電極幅 5mmであって互いの電極間の間隔が 3mmとなるように同心円状に形 成された環状部分 44bを有すると共に、これら中央リング 44aと環状部分 44bとを結ぶ 接続部分 44cとを有し、全体で半径 100mmの同心円電極を形成している。上記以外 の条件は実施例 5と同様にして、この実施例 6に係る双極型静電チャック Xを完成さ せた。
この実施例 6に係る第一電極 22と第二電極 44とを試料吸着面 7の法線方向にみる と、環状部分 22b、 44bが互いに線で接するように重なると共に、この第二電極 44の接 続部分 44cは試料吸着面 7の法線方向に上記第一電極 22の接続部分 22cと重なるよ うに配置されている。
実施例 7
[0053] 図 14には、実施例 7に係る双極型静電チャック Xの分解斜視説明図が示されてお り、この実施例 7に係る第二電極 54は半径 100mmの円形領域を有するように形成さ れている。上記以外の条件は実施例 5と同様にして、この実施例 7に係る双極型静電 チャック Xを完成させた。
実施例 8
[0054] 図 15には、実施例 8に係る双極型静電チャック Xの第一電極 32の一部平面説明図 を示す。第一電極 32は、厚さ 3 mで直径 300mmの円形領域を有し、この円形領 域の中には半径 0.6mmの円形の開口部 32aが均一に存在して!/、る。図 15はこの円 形領域の中心部付近の様子を示す一部平面説明図である。この第一電極 32におい て一つの開口部 32aに着目すると、その周りに開口部 32aが 6つ存在し、これらの 6つ の開口部 32aは正六角形の頂点にそれぞれの中心が位置するように配置されて 、る 。中央の開口部 32aの中心と正六角形の頂点部分に位置する開口部 32aの中心との 距離 Rは 1.5mmであり、中央の開口部 32aと隣り合う開口部 32aとの間隔 rは 0.3mm である。
上記以外の条件は、実施例 3と同様にして、この実施例 8に係る双極型静電チヤッ ク Xを完成させた。このように円の形状をした開口部 32aであれば、開口部の角の処 理が比較的容易であり、均一なグラディエント力を形成できる。
実施例 9
[0055] 図 16には、実施例 9に係る双極型静電チャック Xの第一電極 42の一部平面説明図 を示す。第一電極 42は、厚さ 3 mで直径 300mmの円形領域を有し、この円形領 域の中には一辺が 0.6mmの正六角形をした開口部 42aが均一に存在している。図 1 6はこの円形領域の中心付近の様子を示す平面説明図である。この第一電極 42に お 、て一つの開口部 42aに着目すると、その周りに 6つの開口部 42aが互 ヽに各辺が 平行となるように配置されている。中央の開口部 42aの中心と隣接する開口部 42aの 中心との距離 Rは 1.5mmであり、隣接する開口部 42a同士の間隔 rは 0.3mmである。 上記以外の条件は、実施例 3と同様にして、この実施例 9に係る双極型静電チヤッ ク Xを完成させた。このように正六角形の開口部 42aを有した第一電極 42では、電極 の線幅が均一に形成できるため、より均一な吸着力を実現できる。
実施例 10
[0056] 図 17は、実施例 10に係る双極型静電チャック Xの一部断面説明図を示しており、 この双極型静電チャック Xは、縦 100mm X横 100mm X厚さ 10mmのアルミニウム 力もなる金属基盤 6の表面に、アルミナを用いてプラズマによる溶射によって縦 100 mm X横 100mm X膜厚 0. 2mmのセラミックス層からなる下部絶縁層 15を形成した 。次いで、溶射によって形成したこのセラミックス層の上面を機械加工により表面粗さ Raが 10 μ mとなるように平坦ィ匕した。
次に、上記で形成した下部絶縁層 15の表面にモリブデンを溶射し、縦 100mm X 横 100mm X膜厚 50 mの第二電極 64を形成した。この際用いる金属は、熱歪を 抑えるため熱膨張係数が上記で溶射して形成した下部絶縁層 15のセラミック材と同 程度とする必要があることから上記のようにモリブデンを用いた。
[0057] 更に、上記で形成した第二電極 64の表面に、下部絶縁層 15と同様の手段によつ て縦 100mm X横 100mm X膜厚 0. 1mmの電極間絶縁層 13を形成した。この電極 間絶縁層 13の表面を下部絶縁層 15の場合と同様に平坦化した後、実施例 1におけ る第一電極 2と同じ形状の帯状くし歯となるように上記電極間絶縁層 13の表面に所 定のマスキングを行い、膜厚 50 mとなるようにモリブデンを溶射して第一電極 52を 形成した。この第一電極 52を形成する際には、第二電極 64の場合と同様に電極間 絶縁層 13との熱膨張係数が同程度となるようにモリブデンを用いた。次いで、下部絶 縁層 15及び電極間絶縁層 13を形成した手段と同様にして、上記第一電極 52の表 面にアルミナを溶射して、縦 100mm X横 100mm X膜厚 0. 1mmの上部絶縁層 11 を形成した。この上部絶縁層 11については、その表面を研摩した後、溶射層の表面 全面を封孔するための真空含浸をエポキシあるいはシリコンで行い、全表面、特に試 料吸着面 7となる部分の平坦度を表面粗さ Raが 5— 20 μ mの範囲で製造プロセス要 求される基準値、偏差内となるように機械加工を行った。その後、有機溶剤の中で超 音波洗浄処理を行い、静電チャック Xを完成させた。尚、この実施例 10に係る第一 電極 52と第二電極 54との電極間距離 Yは 0. 1mmである。
[0058] 上記のように、第一電極、第二電極、電極間絶縁層、上部絶縁層及び下部絶縁層 を溶射によるセラミックスカゝら形成した絶縁体を含む静電チャックによれば、これらの セラミックスは摩耗に強 、ことから、パーティクル発生が多 、等の使用する環境が厳し い場合でも、その耐性において優れた性能を発揮する。また、比較的安価に作製す ることができること力 量産に適して 、る。
実施例 11
[0059] 図 18は、実施例 11に係る双極型静電チャック Xにおける電極間絶縁層 23及び第 一電極 62の一部断面説明図を示す。実施例 10と同様にして、金属基盤 6に下部絶 縁層 15及び第二電極 64を形成したものを用意した。次に、縦 lOOmmX横 100mm X厚さ 0. 1mmのアルミナ力もなるセラミックス薄板を電極間絶縁層 23として、この上 面 (試料吸着面 7側)に実施例 10と同様にして第一電極 62を形成した。
次いで、一体に形成しておいた金属基盤 6、下部絶縁層 15及び第二電極 64の上 面 (第二電極 64の上面)に上記電極間絶縁層 23を積層させ、エポキシ接着剤を介し て固着させた。次に、実施例 10と同様にして、第一電極 62の表面に上部絶縁層 11 を形成した。上部絶縁層 11の表面研摩、封孔処理、平坦ィ匕のための機械加工、及 び超音波洗浄処理を実施例 10と同様に行 ヽ、静電チャック Xを完成させた。
この実施例の静電チャック Xのように、絶縁耐性が最も要求される電極間絶縁層を セラミックス薄板力も形成することで、電極間の絶縁の信頼性が向上し、本発明にお いて電極間にポリイミドシートを介在させた場合と同等の絶縁耐性を発揮する。
[0060] [試験例 1]
上記実施例 1及び実施例 3の双極型静電チャック Xについて、 2次元電界計算によ り計算モデルを作成し、単位面積あたりの吸着力(グラディエント力)をエネルギー変 化方法によって算出した。算出条件として、印加電圧をいずれも ± 1500Vとした。結 果を表 1に示す。
また、参考例 1として、図 19に示したように帯状くし歯に形成した第一電極 2と第二 電極 4とを互 、違いに入り組むようにして同一平面に配置した双極型静電チャックの 計算モデルを作成した。この参考例 1では、第一電極 2と第二電極 4とが電極間ピッ チ lmm (両電極の帯状部分の電極幅 lmm)となるように同一平面内に配列される。 また、これら第一電極 2と第二電極 4とを、ポリイミドからなる上部絶縁層とポリイミドか らなる下部絶縁層とで挟み、隣り合う電極に異なる極性の電位を与えるようにして双 極型静電チャックとする。結果を表 1に示す。
[0061] [表 1]
Figure imgf000027_0001
[0062] 実施例 1及び実施例 3の結果は、いずれも参考例 1と比較して約 4倍であることが分 かる。尚、参考例 1の結果は、上記で説明した非特許文献 1に開示された結果に近 い値が算出されていることから、試料の違いがあるものの(本発明の参考例 1ではガ ラス基板であるのに対し、非特許文献 1ではシリコンウェハ)、この試験例 1の計算結 果は他の事例においても信頼できると考えられる。
[0063] [試験例 2]
上記実施例 1、実施例 3及び参考例 1の双極型静電チャック Xの静電容量を上記試 験例 1と同じ計算により算出した。この静電容量は残留吸着力(電圧印加をやめて、 ガラス基板 8を試料吸着面 7から取り外す際の残留電荷によるはがれにくさ)に比例 すると考えられる。結果を表 1に示す。この結果より、静電容量に関しては第一電極と 第二電極とが試料吸着面の法線方向に重ならない方が有利であることが分力る。
[0064] [試験例 3]
上記実施例 1、実施例 3及び参考例 1におけるグラディエント力と電位等高線の分 布図を 2次元電界計算により計算モデルを作成して算出した。結果を図 20—図 25に 示す(図 20及び図 21が参考例 1、図 22及び図 23が実施例 1、図 24及び図 25が実 施例 3を示す)。尚、各図においては各モデルの電極部分を拡大して表示している。 ここでグラディエント力 Fyは試料吸着面 7の法線方向 yについて以下の式(2)で表す ものである。
Fy= d (Ey2), 3 y…… (2)
[0065] 図 22及び図 24は、図 20と比較して、図中点線で囲む範囲で色の濃い部分 (ダラ ディェント力の強い部分)が広く存在していることが読み取れることから、実施例 1及 び実施例 3の静電チャックは参考例 1の場合と比べていずれも優れたグラディエント 力を有することが分かる。尚、図 23及び図 25から、このグラディエント力は等電位等 高線が狭 、ところ力 広がる部分にぉ 、て存在することが分かる。
[0066] [試験例 4]
参考例 1の双極型静電チャックをモデルとして、上部絶縁層の体積抵抗率を変化さ せて導電性層を想定した場合の時定数の変化をグラフにした。結果を図 26に示す。 体積低効率をポリイミドの持つ 1E 14 Ω 'm力もさらに減らしていくと、時定数が小さく なる。およそ ΙΕΙΟ Ω ·πι位のところで、時定数は 3桁落ちとなって、はがれやすさに 貢献すると考えられる。これは、ガラス基板に蓄積された電荷が導電性層を通って電 極へ流れ込み、これが最終的には電源内部で自然に或は外部に取り付ける放電部 等によって取り除かれるためである。
[0067] [試験例 5]
上記実施例 1のような帯状くし歯の第一電極 2と帯状くし歯の第二電極 4とを有し、 上部絶縁層 1、電極間絶縁層 3及び下部絶縁層 5をそれぞれ実施例 1と同じように膜 厚 50 μ mのポリイミドフィルムカゝら形成した双極型静電チャックをモデルにした場合、 第一電極 2における帯状部分 2aの幅 z (帯状電極幅 z)と隣接する帯状部分 2aの間隔 z (電極間隙間 z)とを等しくすると共に、第二電極 4における帯状部分 4aの幅 z (帯状 電極幅 z)と隣接する帯状部分 4aの間隔 z (電極間隙間 z)とを等しくするようにして、こ の z (=帯状電極幅 =電極間隙間)を変化させて試料吸着面における単位面積あた りの吸着力(gf/cm2)を計算により求めた。結果を図 27に示す。図 27においては、 z = lmmを 1とした場合の吸着力の比を示す吸着力の相対比〔グラフ向力つて左側の軸 〕、 ± 1.5kVの電位を供給した場合の吸着力(gf/cm2)〔グラフ向かって左側の軸〕、 及び ± 1. 5kVの電位を供給した場合に第一電極 2を形成する帯状くし歯のくし歯一 本 (帯状部分 2a)に働く単位長さあたりの吸着力(N/m)〔グラフ向かって右側の軸〕の 各値の変化をグラフにして表している。このグラフより、 zが 0.15— 0.5mmの間に相 対比及び ± 1.5kVの電位を供給した場合の吸着力(gf/cm2)の最大点があり、およそ 0.3mmのところがその最大点に相当する。この結果より明らかなように、 ± 1.5kVの 電位を供給した場合に、最大 30gf/cm2の吸着力が得られることが分力つた。この値 は上記試験例 1における参考例 1の吸着力の 10倍を超える。
[0068] また、電極間絶縁層 3を形成するポリイミドフィルムの膜厚を 25 μ mとした場合と 75
/z mとした場合とについて、その他の条件は上記と同様にして、 z ( =帯状電極幅 = 電極間隙間)を変化させて試料吸着面における単位面積あたりの吸着力(gf/cm2)を 計算により求めた。その結果、先の結果と同様に、いずれの膜厚の場合も zが 0.15— 0.5mmの間で吸着力が最大となり、およそ 0.3mmのところがその最大点となった。 電極間絶縁層の膜厚が 25 μ mの場合では、 ± 1.5kVの電位を供給したときに最大 吸着力が 46gf/cm2の値を示し、電極間絶縁層の膜厚が薄くなるほど吸着力が増大 することが分力つた。
尚、試験例 5の内容については、第二電極が所定の平面領域を有する平板状に形 成した場合でも同様の結果を示した。すなわち、実施例 3のように帯状くし歯の第一 電極 2と所定の平面領域を有する平板状の第二電極 24とを有する双極型静電チヤッ クのモデルにおいて、上記試験例 5に係る条件で計算を行った場合でも、図 27のグ ラフに示した結果と同様の結果が得られることが分力つた。
産業上の利用可能性
[0069] 本発明における双極型静電チャックは、電界強度に優れて強 、グラディエント力を 発揮するため、吸着 ·保持する試料の平坦性を優れたものとすることができると共に、 大型の試料であっても十分な吸着力を発揮する。特に、近時の第四世代と言われる 液晶ディスプレー用のガラス基板は 900mm X 1100mmであり、このガラス基板を吸 着させる静電チャックを実現するには、例えば 300mm X 400mmの本発明の静電 チャックを作製し、これらを 9枚均一に取り付けることのできる装置台に配置させること で可能となる。
また、本発明における双極型静電チャックは、グラディエント力からなる吸着力のみ ならず、例えば lOOgfZcm2程度の吸着力を有するクーロン力もグラディエント力に 加えて発揮するため、シリコンウェハ等の半導体基板の吸着保持にも使用することが できる。すなわち、この双極型静電チャックを用いれば、上記ガラス基板等の絶縁性 基板とシリコンウェハ等の半導体基板とを同じ装置で処理することができ、いずれの 場合においても電極に印加する電圧をできるだけ低くした最適化された条件で信頼 性よくこれらの基板を吸着保持することができる。
また、電極への電圧の印加を終えた後に試料吸着面力もの試料のはがし取りにくさ を可及的に解消できる。そのため、近時大型化が進む液晶パネル分野や半導体製 造分野をはじめとして、各種フラットパネルディスプレーの製造分野や、シリコン、ァモ ルファスシリコン、ガリウムリン、ガリウム砒素、シリコンオンインシユレータ等の半導体 基板、あるいはソーダライムガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス等のガラス基 板、更に近未来に実現可能とされて 、るフレキシブルディスプレー用の榭脂性フィル ム基板等の製造工程に関わる分野等において特に有益である。

Claims

請求の範囲
[1] 絶縁体の内部に第一電極と第二電極とを備えてこの絶縁体の表面を試料吸着面と する双極型の静電チャックであり、上記絶縁体がその深さ方向に試料吸着面力 近 い順に第一電極、電極間絶縁層、及び第二電極を有し、この第二電極が試料吸着 面の法線方向に第一電極に対して非重畳領域を有することを特徴とする双極型静 電チャック。
[2] 絶縁体がその深さ方向に試料吸着面力 近い順に上部絶縁層、第一電極、電極 間絶縁層、第二電極、及び下部絶縁層を有する請求項 1に記載の双極型静電チヤ ック。
[3] 第二電極が試料吸着面の法線方向に第一電極と重ならない請求項 1又は 2に記載 の双極型静電チャック。
[4] 第一電極が帯状くし歯に形成されると共に第二電極が帯状くし歯に形成され、これ ら 2つの帯状くし歯が互 、違いに入り組まれて第二電極が試料吸着面の法線方向に 第一電極と重ならな!/、請求項 3に記載の双極型静電チャック。
[5] 第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に第一電極と重なる請求項 1又は 2に 記載の双極型静電チャック。
[6] 第一電極が帯状くし歯に形成されると共に第二電極が所定の領域を有する平板状 に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に上記第一電極と重な る請求項 5に記載の双極型静電チャック。
[7] 第一電極が井桁状に形成されると共に第二電極が所定の領域を有する平板状に 形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に上記第一電極と重なる 請求項 5に記載の双極型静電チャック。
[8] 第一電極が所定の領域内に円形、三角形、正方形、長方形、及び四角形以上の 多角形から選ばれた 1以上の形状をした開口部を複数有したメッシュ状に形成される と共に第二電極が所定の領域を有する平板状に形成され、この第二電極の一部が 試料吸着面の法線方向に上記第一電極と重なる請求項 5に記載の双極型静電チヤ ック。
[9] 第一電極が所定の幅を有するリング状に形成されると共に第二電極が所定の円形 領域を有する平板状に形成され、この第二電極の一部が試料吸着面の法線方向に 上記第一電極と重なる請求項 5に記載の双極型静電チャック。
[10] 第一電極が、所定の円形領域を有する円形部を中心にしてこの円形部力 所定の 間隔をおいて同心円状に並ぶ第一環状部を有し、かつ、上記円形部と第一環状部 とを結ぶ第一接続部を有するように形成され、また、第二電極が、上記第一電極の円 形部と第一環状部との間隔より小さい幅を有する環状に形成され、この第二電極が 試料吸着面の法線方向にみて上記第一電極の円形部と第一環状部との間に配置さ れる請求項 5に記載の双極型静電チャック。
[11] 第一電極が、所定の円形領域を有する円形部を中心にしてこの円形部力 所定の 間隔をおいて同心円状に並ぶ第一環状部を有し、かつ、上記円形部と第一環状部 とを結ぶ第一接続部を有するように形成され、また、第二電極が、上記第一電極の円 形部と第一環状部との間隔と同じ幅を有する環状に形成され、この第二電極が試料 吸着面の法線方向にみて上記第一電極の円形部と第一環状部との間に配置される 請求項 5に記載の双極型静電チャック。
[12] 第一電極が、互いに所定の間隔をおいて同心円状に並ぶ 2つ以上の第一環状部 を有し、第二電極が、互いに所定の間隔をおいて同心円状に並ぶ 2つ以上の第二 環状部を有し、かつ、各第二環状部の間を結ぶ第二接続部とを有する請求項 10又 は 11に記載の双極型静電チャック。
[13] 第一電極と第二電極との間の電極間距離が 1 μ m以上 1000 μ m以下である請求 項 1又は 2に記載の双極型静電チャック。
[14] 第一電極を帯状くし歯に形成し、この第一電極の帯状電極幅 zと電極間隙間 zとを 等しくした場合、この zが 0.15— 0.5mmの範囲内である請求項 1又は 2に記載の双 極型静電チャック。
[15] 電極間絶縁層力 ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレ ート、エポキシ、及びアクリル力も選ばれた 1種又は 2種以上の榭脂からなる榭脂層で ある請求項 1又は 2に記載の双極型静電チャック。
[16] 榭脂層が 1又は 2以上の榭脂フィルム力もなる請求項 15に記載の双極型静電チヤ ック。
[17] 電極間絶縁層が、酸化アルミ、窒化アルミ、炭化珪素、窒化珪素、ジルコユア及び チタ-ァ力 選ばれた 1種又は 2種以上力 なるセラミックス層である請求項 1又は 2 に記載の双極型静電チャック。
[18] 電極間絶縁層が、珪素及び二酸ィ匕珪素から選ばれた 1種又は 2種力 なる請求項
1又は 2に記載の双極型静電チャック。
[19] 絶縁体の表面に更に導電性層を形成し、この導電性層の表面を試料吸着面とする 請求項 1又は 2に記載の双極型静電チャック。
[20] 第一電極の一部又は全部を試料吸着面の法線方向に切った断面形状力 長方形
、正方形、円形、及び三角形力 選ばれた形状である請求項 1又は 2に記載の双極 型静電チャック。
[21] 第二電極の一部又は全部を試料吸着面の法線方向に切った断面形状力 長方形 、正方形、円形、及び三角形力 選ばれた形状である請求項 1又は 2に記載の双極 型静電チャック。
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