JP2013527590A - 像補正をするアドレス可能な静電チャックシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】像補正用アドレス可能静電チャックは、基板と、複数の第1電極と、複数の第2電極と、支持層と、を備える。複数の第1電極は、基板に配置され、第1方向に均一に間隔を空けている。複数の第2電極は、基板に配置され、第1方向に略垂直である第2方向に均一に間隔を空けている。支持層は、物体を支持するために複数の第1電極及び第2電極の上方に配置されている。複数の第1電極及び第2電極の位置的に重なり合う部位が静電力点の行列を形成しており、所与の力点に関連付けられた複数の第1電極及び第2電極のある1つの組への印加によって、その所与の力点の近傍にて物体に不均一静電力が作用する。
【選択図】図3
Description
本発明は、像補正用のアドレス可能な静電チャックシステムを指向する。この明細書は本発明の特徴を組み入れた1つ又は複数の実施の形態を開示する。開示された実施の形態は単に本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示された実施の形態には限定されない。本発明は添付の請求項により定義される。
A.反射型リソグラフィシステム及び透過型リソグラフィシステムの例示
図1A及び図1Bはそれぞれ、リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’の概略を示す。リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’はそれぞれ、放射ビームB(例えばDUV放射またはEUV放射)を調整するよう構成されている照明系(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク、レチクル、または動的パターニングデバイス)MAを支持し、パターニングデバイスMAを正確に位置決めする第1位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストでコーティングされたウェーハ)Wを保持し、基板を正確に位置決めする第2位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、を含む。また、リソグラフィ装置100、100’は、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを含む)目標部分Cに投影するよう構成されている投影系PSを有する。リソグラフィ装置100ではパターニングデバイスMA及び投影系PSが反射性であり、リソグラフィ装置100’ではパターニングデバイスMA及び投影系PSが透過性である。
1.ステップモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンの全体が1回の照射で1つの目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる(すなわち1回の静的な露光)。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期して走査される(すなわち1回の動的な露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められる。
3.別のモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTは移動または走査される。パルス放射源SOが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは基板テーブルWTが移動するたびに、または1回の走査中において連続するパルスとパルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラム可能ミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
図2は、本発明のある実施の形態に係る代表的なEUVリソグラフィ装置200の概略を示す。図2において、EUVリソグラフィ装置200は、放射システム42、照明光学ユニット44、及び投影系PSを含む。放射システム42は放射源SOを含み、ここで放射ビームが例えば放電プラズマにより形成される。ある実施の形態においては、EUV放射は、例えばキセノンガス、リチウム蒸気、またはスズ蒸気などの気体または蒸気により生成される。これらの気体または蒸気では非常に高温のプラズマが生成され、EUV域の電磁スペクトルの放射が発せられる。この超高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを例えば電気放電により生成することで生み出される。放射を十分に生成するには、Xe、Li、Sn蒸気または適当な他の気体または蒸気の分圧は例えば10Paとされる必要があり得る。放射源SOにより発せられる放射は、ソースチャンバ47の開口部の内部又は背部に位置するガスバリア又は汚染物質トラップ49を介して、ソースチャンバ47からコレクタチャンバ48へと進入する。ある実施の形態においては、ガスバリア49はチャネル構造を備えてもよい。
図3は、本発明の一実施形態に係り、拡大された静電チャックアセンブリ300の概略を示す。図3においては、静電チャックアセンブリ300は、チャック基板310、静電クランプ320、及びピンチャック330を含む。静電チャックアセンブリ300は、リソグラフィ動作中に物体を定位置にしっかりと支持(即ち固定)するよう構成されている。本発明の少なくとも1つの実施例においては、上記物体は像パターン基板340(つまりマスク又はレチクル)である。
図9Bに示す実施形態においては、定位置に保持(即ちチャック保持)されるべき物体が、標準的な均一の非カスタマイズの静電場で像補正用アドレス可能静電チャック300(例えば図3に示されている)に固定される(ステップ910)。結像性能の測定(つまり、像のアライメント、像の湾曲、像の焦点、像のディストーション、及び非点収差)がステップ920で行われ、動的静電場コントローラ(図示せず)に送信される。コントローラは、結像性能が良であるか否かを決定する(ステップ940)。結像性能が良であると決定されない場合、コントローラは、測定した不規則性(ステップ920)を複数の静電力値(即ち、表面不規則性の補正に要する静電力の大きさ)に変換する(ステップ952)内部ロジックを有する。ステップ954では、コントローラは、静電力値のそれぞれを、2つの細長電極の交差により形成される行列点のいずれか又は二次元静電ピクセルアレイ上の点のいずれかに関連付ける。ステップ956では、関連付けられた静電力が固定されている物体に与えられるように、各行列点又は二次元アレイの各点への印加レベルが計算される。ステップ958では、計算された印加レベルがコントローラによって静電チャック300の電極に与えられる。印加レベルを電極に与えることで(ステップ958)、結像性能を補正するステップ950が達成される。異なる複数の印加レベルは、チャック保持されている物体に異なる複数の静電力を生成する。このように静電場を異ならせることで、チャックは、保持されている物体の形を整えて、その物体の表面不規則性を修正することができる。
「発明の概要」および「要約」の欄ではなく、「詳細な説明」の欄が特許請求の範囲の解釈に使用されるよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」および「要約」の欄は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べている訳ではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。
Claims (29)
- 静電チャックであって、
基板と、
前記基板に配置され、第1方向に均一に間隔を空けている複数の第1電極と、
前記基板に配置され、前記複数の第1電極により定まる領域に位置し、前記第1方向に略垂直である第2方向に均一に間隔を空けている複数の第2電極と、
物体を支持するために前記複数の第1電極及び第2電極の上方に配置されている支持層と、を備え、
所与の力点に関連付けられた前記複数の第1電極及び第2電極のある1つの組への印加によって、前記物体に前記所与の力点の近傍にて不均一静電力が作用するように、前記複数の第1電極及び第2電極の位置的に重なり合う部位が静電力点の行列を形成する、静電チャック。 - 前記複数の第1電極及び第2電極は、直線帯状電極からなる間隙直交電極パターンを備える、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記複数の第1電極及び第2電極の各電極の印加レベルは、補正データセットに基づく、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記補正データセットは、前記静電チャックにより修正されるべき誤差の測定量から生成される、請求項3に記載の静電チャック。
- 前記補正データセットは、チャックステージ走査速度に調和する速度で走査位置の関数として変更される、請求項3に記載の静電チャック。
- 前記複数の第1電極及び第2電極は、独立に電気的にアドレス可能なピクセルの二次元アレイを備える電極パターンを備える、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記二次元アレイは、ある補正データセットが前記第2方向に変化し前記第1方向には変化しない特徴を有するとき、前記第1方向に変化し前記第2方向には変化しない特徴を有する別の補正データセットによって電気的にアドレス指定される、請求項6に記載の静電チャック。
- 前記二次元アレイは、ある補正データセットが前記第1方向及び前記第2方向に変化する特徴を有するとき、前記第1方向に変化し前記第2方向には変化しない特徴を有する別の補正データセットによって電気的にアドレス指定される、請求項6に記載の静電チャック。
- 前記複数の第1電極の間隔は、前記複数の第2電極の間隔とは実質的に異なる、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記複数の第1電極は前記第1方向に不均一に間隔を空けており、
前記複数の第2電極は前記第1方向に略垂直である前記第2方向に不均一に間隔を空けている、請求項1に記載の静電チャック。 - 前記複数の第1電極の間隔は、前記複数の第2電極の間隔とは実質的に異なる、請求項10に記載の静電チャック。
- 前記物体はレチクルである、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記物体はウェーハである、請求項1に記載の静電チャック。
- リソグラフィシステムであって、
パターン付けられたビームをレチクルが生み出すよう放射ビームの経路に該レチクルを固定するためのレチクル支持部と、
基板の目標部分に前記パターン付けられたビームを投影するための投影系と、
リソグラフィ処理中に前記基板を支持するための基板支持部と、
前記レチクル支持部に連結された静電チャックと、を備え、該静電チャックは、
チャック基板と、
前記チャック基板に配置され、第1方向に均一に間隔を空けている複数の第1電極と、
前記チャック基板に配置され、前記複数の第1電極により定まる領域に位置し、前記第1方向に略垂直である第2方向に均一に間隔を空けている複数の第2電極と、
物体を支持するために前記複数の第1電極及び第2電極の上方に配置されている支持層と、を備え、
所与の力点に関連付けられた前記複数の第1電極及び第2電極のある1つの組への印加によって、前記物体に前記所与の力点の近傍にて不均一静電力が作用するように、前記複数の第1電極及び第2電極の位置的に重なり合う部位が静電力点の行列を形成する、リソグラフィシステム。 - 前記複数の第1電極及び第2電極は、直線帯状電極からなる間隙直交電極フィールドを備える、請求項14に記載のリソグラフィシステム。
- 前記複数の第1電極及び第2電極は、独立に電気的にアドレス可能なピクセルの二次元アレイを備える電極パターンを備える、請求項14に記載のリソグラフィシステム。
- 物体の表面不規則性を決定することと、
前記不規則性に基づいて複数の静電補正力値を決定することと、
チャックの支持層の下方で基板に配置され均一に間隔を空けて互いに他方に対し略垂直に方向付けられている第1及び第2の電極セットにより形成される複数の行列点に、前記複数の静電補正力値を関係付けることと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に与えられる前記関連付けられた補正力値に対応する前記第1及び第2の電極セットの各電極のための印加レベルを決定することと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に静電補正力を生成するために前記第1及び第2の電極セットの各電極に前記印加レベルを適用することと、を備える方法。 - 物体の表面不規則性を決定するために干渉計を使用することと、
前記不規則性に基づいて複数の静電補正力値を決定することと、
チャックの支持層の下方で基板に配置され均一に間隔を空けて互いに他方に対し略垂直に方向付けられている第1及び第2の電極セットにより形成される複数の行列点に、前記複数の静電補正力値を関係付けることと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に与えられる前記関連付けられた補正力値に対応する前記第1及び第2の電極セットの各電極のための印加レベルを決定することと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に静電補正力を生成するために前記第1及び第2の電極セットの各電極に前記印加レベルを適用することと、
前記干渉計で、前記静電補正力の適用後に残る前記物体の表面不規則性を決定することと、を備える方法。 - 補正のために決定される前記表面不規則性は、チャック保持された物体に存在するのではなく、チャック保持された物体が結像される表面に存在する、請求項18に記載の方法。
- チャック保持された物体はチャック保持前には最小かつ予め定められた表面不規則性を有しており、チャック保持により誘起される前記表面不規則性はチャック表面不規則性または空間的不均一固定に起因する、請求項18に記載の方法。
- 結像される物体の結像性能に影響する複数の結像誤差を決定するために結像性能評価システムを使用することと、
前記複数の結像誤差に基づいて複数の静電補正力値を決定することと、
チャックの支持層の下方で基板に配置され均一に間隔を空けて互いに他方に対し略垂直に方向付けられている第1及び第2の電極セットにより形成される複数の行列点に、前記複数の静電補正力値を関係付けることと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に与えられる前記関連付けられた補正力値に対応する前記第1及び第2の電極セットの各電極のための印加レベルを決定することと、
前記複数の行列点の各々で前記物体に静電補正力を生成するために前記第1及び第2の電極セットの各電極に前記印加レベルを適用することと、を備える方法。 - 前記複数の結像誤差は、像面湾曲、像の焦点性能、像のディストーション、及び非点収差の少なくとも1つを含む、請求項21に記載の方法。
- 少なくとも1つの電極セットは、チャック保持された物体の走査方向への垂線に沿って略直線的にアドレス指定される複数の電極を備える、請求項21に記載の方法。
- 前記結像性能評価システムで、前記静電補正力の適用後に残る前記結像される物体の結像性能に影響する前記結像誤差を決定すること、をさらに備える、請求項21に記載の方法。
- 少なくとも1つの電極セットは、チャック保持された物体の走査方向に垂直な略円弧形状に沿ってアドレス指定される複数の電極を備える、請求項21に記載の方法。
- 前記静電補正力は、ステージ、チャック、物体基板、または像基板に垂直な位置誤差を生成する走査不正確性のためにある、請求項21に記載の方法。
- 結像性能評価がリソグラフィツールにおける結像に先んじて存在する、請求項21に記載の方法。
- リソグラフィツールの結像能力及び結像評価能力を利用することで、該リソグラフィツールの現場で結像性能評価を得る、請求項21に記載の方法。
- アドレス可能静電チャックにより、結像される物体の結像性能を改善するための方法であって、
静電チャックの表面不規則性を補正することと、
静電チャック表面不規則性補正後の結像性能が予め定められた許容しきい値を上回るか否かを決定することと、
否の場合、レチクルの平坦度不規則性を補正することと、
レチクル平坦度不規則性補正後の結像性能が前記予め定められた許容しきい値を上回るか否かを決定することと、
否の場合、システム結像誤差を補正することと、
システム結像誤差補正後の結像性能が前記予め定められた許容しきい値を上回るか否かを決定することと、
否の場合、走査誤差を補正することと、
走査誤差補正後の結像性能が前記予め定められた許容しきい値を上回るか否かを決定することと、
ウェーハの不規則性を補正することと、を備える方法。
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