WO2005084082A1

WO2005084082A1 - Organische elektronische vorrichtungen

Info

Publication number: WO2005084082A1
Application number: PCT/EP2005/001710
Authority: WO
Inventors: Anja Gerhard; Horst Vestweber; Philipp STÖSSEL
Original assignee: Merck Patent Gmbh
Priority date: 2004-02-20
Filing date: 2005-02-18
Publication date: 2005-09-09
Also published as: KR20060133584A; JP2007527116A; EP1716724A1; CN100482023C; US7776455B2; US20070164273A1; KR101175959B1; JP5253739B2; JP2007526634A; US7838126B2; DE102004008304A1; US20070170419A1; WO2005084081A1; CN1922929A; CN1922930A; KR20060127138A; EP1716725A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft die Verbesserung organischer elektronischer Vorrichtungen, insbesondere fluoreszierender Elektromineszenzvorrichtungen, indem Elektronentransportmaterialien gemäss Formel (1) bis (4) gemäss Schema 1 verwendet werden.

Description

Beschreibung

Organische elektronische Vorrichtungen

Die vorliegende Erfindung beschreibt den neuartigen Einsatz bestimmter Verbindungen in organischen elektronischen Vorrichtungen.

In einer Reihe verschiedenartiger Anwendungen, die im weitesten Sinne der Elektronikindustrie zugerechnet werden können, ist der Einsatz organischer Halbleiter seit geraumer Zeit Realität bzw. wird in naher Zukunft erwartet. Der Einsatz halbleitender organischer Verbindungen, die zur Emission von Licht im sichtbaren Spektralbereich befähigt sind, steht gerade am Anfang der Markteinführung, zum Beispiel in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen. Für einfache OLEDs enthaltende Vorrichtungen ist die Markteinführung bereits erfolgt, wie die Autoradios der Firma Pioneer, die Mobiltelefone der Firmen Pioneer und SNMD und eine Digitalkamera der Firma Kodak mit "organischem Display" belegen. Weitere derartige Produkte stehen kurz vor der Einführung. Organische Solarzellen (O-SCs), organische Feldeffekt-Transistoren (O-FETs), organische Dünnfilmtransistoren (O-TFTs), organische Schaltelemente (O-ICs), organische optische Verstärker oder organische Laserdioden (O-Laser) sind in einem Forschungsstadium weit fortgeschritten und könnten in der Zukunft große Bedeutung erlangen.

Der allgemeine Aufbau organischer Elektrolumineszenzvorrichtungen (OLEDs) ist beispielsweise in US 4,539,507, US 5,151 ,629, EP 0676461 , WO 98/27136 und in WO 04/058911 beschrieben, wobei diese Vorrichtungen üblicherweise aus mehreren Schichten bestehen. Organische Solarzellen (z. B. WO 98/48433, WO 94/05045), organische Feld-Effekt-Transistoren (z. B. US 5705826, US 5596208, WO 00/42668), organische Dünnschichttransistoren, organische Schaltelemente (z. B. WO 95/31833, WO 99/10939), organische optische Verstärker oder organische Laserdioden (z. B. WO 98/03566) weisen einen ähnlichen allgemeinen Aufbau auf.

Allerdings gibt es immer noch erhebliche Probleme, die einer dringenden Verbesserung bedürfen:

1. Die Effizienz ist in den letzten Jahren verbessert worden, ist aber gerade bei bei fluoreszierenden OLEDs immer noch zu niedrig und muß verbessert werden.

2. Die Betriebsspannung und der Betriebsstrom sind gerade bei fluoreszierenden OLEDs recht hoch und müssen daher weiter verringert werden, um die Leistungseffizienz zu verbessern. Das ist gerade für mobile Anwendungen von großer Bedeutung.

3. Die operative Lebensdauer der elektronischen Vorrichtungen ist immer noch gering, so daß bis dato nur einfache Anwendungen kommerziell realisiert werden konnten.

4. Für viele Anwendungen werden dickere Elektronentransportschichten benötigt, als sie mit den derzeit verwendeten Materialien realisiert werden können, da die Ladungsträgerbeweglichkeit dieser Materialien nicht ausreicht.

5. Der meist verwendete Elektronenleiter AIQ hat verschiedene Nachteile, die unten detailliert ausgeführt werden.

Für viele Anwendungen wäre es wünschenswert, dickere Schichten eines Elektronentransportmaterials verwenden zu können. Dies hätte den Vorteil, daß dadurch das Auftreten von Kurzschlüssen verringert bzw. ganz verhindert werden könnte. Weiterhin gilt dies insbesondere, wenn eine Kombination aus fluoreszierenden blauen und phosphoreszierenden roten und grünen OLEDs in Displays verwendet wird. Da die phosphoreszierenden OLEDs im allgemeinen eine dickere Schichtstruktur aufweisen, muß die fluoreszierende blaue OLED eine dickere Elektronentransportschicht enthalten, damit die unterschiedlichen OLEDs die gleiche Dicke aufweisen. Da jedoch die Elektronenbeweglichkeit der

Elektronentransportverbindungen gemäß dem Stand der Technik hierfür nicht ausreicht, ist dies in der Praxis noch nicht möglich.

Fluoreszierende Elektrolumineszenzvorrichtungen, die AIQ₃ als Elektronenleiter verwenden, sind schon lange bekannt und wurden schon 1993 in US 4,539,507 beschrieben; AIQ₃ wird seither in den meisten OLEDs als

Elektronentransportmaterial verwendet. In der oben genannten Anmeldung wird es als Elektronentransportmaterial in der Emissionsschicht verwendet. AIQ₃ hat allerdings mehrere Nachteile: Es läßt sich nicht rückstandsfrei aufdampfen, da es sich bei der Sublimationstemperatur teilweise zersetzt, was insbesondere für

Produktionsanlagen ein großes Problem darstellt. Dies hat zur Folge, daß die Aufdampfquellen immer wieder gereinigt oder gewechselt werden müssen. Des weiteren gelangen Zersetzungsprodukte von AIQ₃ in die OLED, die dort zu einer verringerten Lebensdauer und reduzierten Quanten- und Leistungseffizienz beitragen. Ein entscheidender praktischer Nachteil ist die starke Hygroskopie von

AIQ₃. Unter normalen Bedingungen synthetisiert und aufbewahrt, enthält AIQ₃ neben den Hydroxychinolin-Liganden immer noch ein Molekül Wasser pro Komplexmolekül (H. Schmidbaur et al., Z. Naturforsch. 1991, 46b, 901-911), welches extrem schwer zu entfernen ist. Für die Verwendung in OLEDs muss AIQ₃ deshalb in komplizierten, mehrstufigen Sublimations-Verfahren aufwendig gereinigt und im Anschluß daran unter Wasserausschluß in einer Schutzgasatmosphäre gelagert und gehandhabt werden. Weiterhin wurden große Schwankungen in der Qualität einzelner AIQ₃- Chargen, sowie eine schlechte Lagerstabilität festgestellt (S. Karg, E-MRS

Konferenz 30.5.00-2.6.00, Straßburg). AIQ₃ hat außerdem eine niedrige Elektronenbeweglichkeit, was zu höheren Spannungen und damit zu einer niedrigeren Leistungseffizienz führt. Um Kurzschlüsse im Display zu vermeiden, würde man gern die Schichtdicke erhöhen; dies ist mit AIQ₃ wegen der geringen Ladungsträgerbeweglichkeit und der daraus resultierenden Spannungserhöhung nicht möglich. Die Ladungsträgerbeweglichkeit anderer Elektronenleiter (US 4,539,507) ist ebenfalls zu gering, um dickere Schichten damit aufzubauen, wobei die Lebensdauer der OLED noch schlechter ist als bei Verwendung von AIQ₃. Als sehr ungünstig erweist sich auch die Eigenfarbe (im Feststoff gelb) von AIQ₃, die gerade bei blauen OLEDs durch Reabsorption und schwache Reemission zu

Farbverschiebungen führen kann. Hier sind blaue OLEDs nur mit starken Effizienzbzw. Farborteinbußen darstellbar. Weiterer Nachteil des Einsatzes von AIQ₃ ist die Instabilität gegenüber Löchern (Z. Popovic et al, Proceedings of SPIE 1999, 3797, 310-315), was bei einem Langzeiteinsatz immer zu Problemen im Bauelement führen kann.

Trotz der genannten Nachteile stellt AIQ₃ in OLEDs bislang immer noch den besten Kompromiß für die verschiedenartigen Anforderungen an ein Elektronentransportmaterial dar. Auch für die anderen genannten Anwendungen wurde bislang noch kein zufriedenstellendes Elektronentransportmaterial gefunden.

Es besteht also weiterhin Bedarf an Elektronentransportmaterialien, die in organischen elektronischen Vorrichtungen zu guten Effizienzen und gleichzeitig zu hohen Lebensdauern führen. Es wurde nun überraschend gefunden, daß organische elektronische Vorrichtungen, die bestimmte - im folgenden aufgeführte - Verbindungen als Elektronentransportmaterialien enthalten, deutliche

Verbesserungen gegenüber dem Stand der Technik aufweisen. Mit diesen Materialien ist es möglich, gleichzeitig hohe Effizienzen und lange Lebensdauern zu erhalten, was mit Materialien gemäß dem Stand der Technik nicht möglich ist. Zudem wurde gefunden, daß zusätzlich die Betriebsspannungen deutlich gesenkt werden können, was höheren Leistungseffizienzen entspricht und zusätzlich dickere

Elektronentransportschichten verwendet werden können, was die Häufigkeit von Kurzschlüssen reduziert bzw. verhindert und weitere oben bereits ausgeführte Vorteile bringt. Gegenstand der Erfindung ist eine organische elektronische Vorrichtung, enthaltend Kathode, Anode und mindestens eine organische Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Schicht mindestens eine definierte Verbindung A mit der chemischen Struktureinheit Y=X enthält, wobei für die verwendeten Symbole gilt: Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden P, As, Sb, Bi, S, Se oder Te;

X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden O, S, Se, Te oder NR;

R ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein organischer Rest mit 1 bis 22 Kohlenstoffatomen oder OH oder NH₂; mit der Maßgabe, daß die Verbindung A ein Molekulargewicht von > 150 g/mol und < 10000 g/mol aufweist und daß die Vorrichtung keinen phosphoreszierenden

Emitter enthält; und weiterhin mit der Maßgabe, daß die folgenden Verbindungen von der Erfindung ausgenommen sind:

Das oben und im folgenden verwendete Symbol , ,=" steht für eine Doppelbindung im Sinne der Lewis-Schreibweise.

Unter einer „definierten Verbindung" im Sinne dieser Erfindung soll eine Verbindung verstanden werden, die eine exakt zu beschreibende Zusammensetzung und Struktur hat. Es sind hiermit also keine Polymere bzw. allgemein keine Verbindungen mit einer Molekulargewichtsverteilung gemeint. Kleinere Anteile von

Verunreinigungen, wie sie bei Verwendung organischer Materialien immer auftreten, sollen jedoch den Begriff „definierte Verbindung" nicht entwerten.

Bevorzugt sind organische elektronische Vorrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Verbindung A gemäß Formel (1 ) bis (4) (Schema 1) enthalten,

Forme! (1 ) Formel (2) Formel (3) Formel (4)

(Schema 1 ) wobei die verwendeten Symbole folgende Bedeutung haben: Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden P, As, Sb oder Bi in Formel (1 ) und (3) und S, Se oder Te in Formel (2) und (4); X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden NR⁴, O, S, Se oder Te; R¹, R², R³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden N(R⁴)₂, eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 40 C- Atomen, die mit R⁵ substituiert oder auch unsubstituiert sein kann, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte CH₂-Gruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C ≡C-, Si(R⁶)₂, Ge(R⁶)₂, Sn(R⁶)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR⁶, -O-, -S-, -NR⁶- oder -CONR⁶- ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H- Atome durch F, Cl, Br, I, CN oder NO₂ ersetzt sein können; dabei können mehrere Reste R¹, R² und/oder R³ miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem bilden; oder ein aromatisches oder heteroaromatisches System mit 1 bis 40 aromatischen C-Atomen, die durch einen oder mehrere Reste R⁵ substituiert sein können, wobei mehrere Substituenten R¹, R² und/oder R³ miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem bilden können, oder ein über eine bivalente Gruppe -Z- gebundenes aromatisches bzw. heteroaromatisches System mit 1 bis 40 aromatischen C-Atomen, wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, Cl, Br oder I ersetzt sein können oder die durch einen oder mehrere Reste R⁴ substituiert sein kann; dabei können mehrere Substituenten R¹, R² und/oder R³ ein weiteres mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem aufspannen; R⁴ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxykette mit 1 bis 22 C-Atomen, in der auch ein oder mehrere nicht benachbarte C-Atome durch -R⁶C=CR⁶-, -C ≡C-, Si(R⁶)₂, Ge(R⁶)₂, Sn(R⁶)₂, -NR⁶-, -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-O- ersetzt sein können, wobei auch ein oder mehrere H-Atome durch Fluor ersetzt sein können, eine Aryl-, Heteroaryl- oder Aryloxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen, welche auch durch einen oder mehrere Reste R⁶ substituiert sein kann, oder OH, NH₂, NH(R⁵) oder N(R⁵)₂;

R⁵ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden R⁴ oder CN, B(R⁶)₂ oder Si(R⁶)₃; R⁶ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H oder ein aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen;

Z ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein konjugierter Rest mit 1 bis 40 C-Atomen, der bevorzugt in Konjugation mit den beiden anderen Substituenten steht, wobei bevorzugt die Anzahl der Atome von Z, die die Gruppe Y=X und den aromatischen Rest verknüpfen, eine gerade Zahl beträgt, wobei ein oder mehrere C-Atome durch einen Rest R⁵ oder Halogen substituiert sein können; mit der Maßgabe, daß die Molmasse der Verbindung A größer 150 g/mol und kleiner

10000 g/mol ist; und weiterhin mit der Maßgabe, daß die folgenden Verbindungen von der Erfindung ausgenommen sind:

Unter einem aromatischen oder heteroaromatischen System im Sinne dieser Erfindung soll ein System verstanden werden, das nicht notwendigerweise nur aromatische bzw. heteroaromatische Gruppen enthält, sondern in dem auch zwei oder mehrere aromatische oder heteroaromatische Gruppen durch eine kurze, nicht aromatische Einheit (bevorzugt < 10 % der von H verschiedenen Atome), wie z. B. ein sp³-hybridisiertes C-, N- oder O-Atom, unterbrochen sein können. So sollen also beispielsweise auch Systeme wie 9,9^'-Spirobifluoren, 9,9-DiaryIfluoren, Triarylamin, etc. als aromatische Systeme im Sinne dieser Anmeldung verstanden werden.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung werden unter einer Cr bis C₂₂-Alkylgruppe, in der auch einzelne H-Atome oder CH₂-Gruppen durch die oben genannten Gruppen substituiert sein können, besonders bevorzugt die Reste Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, i-Butyl, s-Butyl, t-Butyl, 2-Methylbutyl, n-Pentyl, s-Pentyl, Cyclopentyl, n-Hexyl, Cyclohexyl, n-Heptyl, Cycloheptyl, n-Octyl, Cyclooctyl,

2-Ethylhexyl, Trifluormethyl, Pentafluorethyl, 2,2,2-Trifluorethyl, Ethenyl, Propenyl, Butenyl, Pentenyl, Cyclopentenyl, Hexenyl, Cyclohexenyl, Heptenyl, Cycloheptenyl, Octenyl, Cyclooctenyl, Ethinyl, Propinyl, Butinyl, Pentinyl, Hexinyl oder Octinyl verstanden. Unter einer Ci- bis C₂₂-Alkoxygruppe werden besonders bevorzugt Methoxy, Ethoxy, n-Propoxy, i-Propoxy, n-Butoxy, i-Butoxy, s-Butoxy, t-Butoxy oder

2-Methylbutoxy verstanden. Unter einem C C₄o aromatischen oder heteroaromatischen Ringsystem, das noch jeweils mit den oben genannten Resten R³ substituiert sein kann, werden insbesondere Gruppen verstanden, welche abgeleitet sind von Benzol, Naphthalin, Biphenylen, Terphenylen, Fluoren, Spirobifluoren, Dihydrophenanthren, Tetrahydropyren, eis- oder trans-lndenofluoren,

Furan, Benzofuran, Isobenzofuran, Dibenzofuran, Thiophen, Benzothiophen, Isobenzothiophen, Dibenzothiophen, Pyrrol, Indol, Isoindol, Carbazol, Pyridin, Chinolin, Isochinolin, Acridin, Phenanthridin, Benzo-5,6-chinolin, Benzo-6,7-chinolin, Benzo-7,8-chinolin, Phenothiazin, Phenoxazin, Pyrazol, Indazol, Imidazol, Benzimidazol, Naphthimidazol, Phenanthrimidazol, Pyrid imidazol, Pyrazinimidazol, Chinoxalinimidazol, Oxazol, Benzoxazol, Naphthoxazol, Anthroxazol, Phenanthroxazol, Isoxazol, 1 ,2-Thiazol, 1 ,3-Thiazol, Benzothiazol, Pyridazin, Benzopyridazin, Pyrimidin, Benzpyrimidin, Chinoxalin, Pyrazin, Phenazin, Naphthyridin, Azacarbazol, Benzocarbolin, Phenanthrolin, 1 ,2,3-TriazoI, 1 ,2,4- Triazol, Benzotriazol, 1 ,2,3-Oxadiazol, 1 ,2,4-Oxadiazol, 1 ,2,5-Oxadiazol, 1 ,3,4-

Oxadiazol, 1 ,2,3-Thiadiazol, 1 ,2,4-Thiadiazol, 1 ,2,5-Thiadiazol, 1 ,3,4-Thiadiazol, 1 ,3,5-Triazin, 1 ,2,4-Triazin, 1 ,2,3-Triazin, Tetrazol, 1 ,2,4,5-Tetrazin, 1 ,2,3,4-Tetrazin, 1 ,2,3,5-Tetrazin, Purin, Pteridin, Indolizin und Benzothiadiazol.

Elektronische Vorrichtungen im Sinne dieser Erfindung sind bevorzugt organische

Elektrolumineszenzvorrichtungen (organische Leuchtdioden, OLEDs), organische Dünnfilmtransistoren (O-TFTs), organische Feld-Effekt-Transistoren (O-FETs), organische Solarzellen (O-SCs), organische Photorezeptoren oder organische Laser (O-Laser), insbesondere organische Elektrolumineszenzvorrichtungen.

Besonders bevorzugt ist eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß Y für P oder S steht.

Besonders bevorzugt ist weiterhin eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß X für O steht. .

Besonders bevorzugt ist weiterhin eine organische elektronische Vorrichtugn, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Reste R¹, R² und/oder R³ für ein aromatisches oder heteroaromatisches System steht; insbesondere stehen mindestens zwei der Reste R¹, R² und/oder R³ für ein aromatisches oder heteroaromatisches System.

Falls einer der Reste R¹, R² und/oder R³ für eine Alkylgruppe steht, ist es bevorzugt, wenn dieser keine Wasserstoffeatome in α-Stellung zur Gruppe Y=X aufweist. Dies ist durch die erhöhte Azidität der Protonen in dieser Position und daher der erhöhten

Reaktivität zu begründen. So sind bevorzugte Alkylgruppen beispielsweise tert-Butyl, Adamantyl, Norbornyl, etc..

Ganz besonders bevorzugt sind organische elektronische Vorrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungen enthaltend Einheiten gemäß den Formeln

(1), (2), (3) und (4) nur aus den Elementen Kohlenstoff, Wasserstoff, Sauerstoff und Phosphor oder Schwefel bestehen. Dabei kann es auch bevorzugt sein, wenn die Verbindung A mehr als eine Einheit Y=X bzw. mehr als eine Einheit gemäß Formel (1 ) bis (4) enthält. Dabei kann dann auch eine Gruppe R¹ bzw. R² bzw. R³ zwei oder mehrere Einheiten Y=X verbrücken.

Als besonders geeignete Verbindungen gemäß Formel (1) bis (4) haben sich

Verbindungen erwiesen, die nicht planar aufgebaut sind. Insbesondere können auch entsprechende Substituenten R¹, R² und/oder R³ für eine Abweichung der Gesamtstruktur von der Planarität sorgen. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn mindestens einer der Substituenten R¹, R², R³ und/oder R⁴ wenigstens ein sp³-hybridisiertes Kohlenstoff-, Silicium-, Germanium- und/oder Stickstoffatom enthält, welches dadurch näherungsweise tetraedrische oder im Fall von Stickstoff pyramidale Bindungsgeometrie aufweist.

Um eine deutliche Abweichung von der Planarität zu erreichen, ist es bevorzugt, wenn wenigstens eines der sp³-hybridisierten Atome ein sekundäres, tertiäres oder quartäres Atom ist, besonders bevorzugt ein tertiäres oder quartäres Atom, im Fall von Kohlenstoff, Silicium oder Germanium ganz besonders bevorzugt ein quartäres Atom.

Unter einem sekundären, tertiären oder quartären Atom wird ein Atom mit zwei, drei bzw. vier Substituenten ungleich Wasserstoff verstanden.

Bevorzugt sind weiterhin Verbindungen, die in mindestens einem der Reste R¹ bis

R⁴ ein 9,9'-Spirobifluorenderivat, bevorzugt verknüpft über die 2- und/oder 2,7- und/oder 2,2^'-und/oder 2,2^',7- und/oder 2,2^',7,7^'-Position, ein 9,9-disubstituiertes Fluorenderivat, bevorzugt verknüpft über die 2- und/oder 2,7-Position, ein 6,6- und/oder 12,12-di- oder tetrasubstituiertes Indenofluorenderivat, ein

Triptycenderivat, bevorzugt verknüpft über die 9- und/oder 10-Position, ein Dihydrophenanthren-Derivat, bevorzugt verknüpft über die 2- und/oder 2,7-Position, oder ein Hexaarylbenzolderivat, bevorzugt verknüpft über die p-Position am bzw. an den Aromaten, enthalten. Besonders bevorzugt sind Verbindungen, die in mindestens einem der Reste R¹ bis

R⁴ ein 9,9'-Spirobifluorenderivat enthalten.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist mindestens einer der Substituenten R¹, R² und/oder R³ eine Biaryl-Verbindung, die durch Drehung um die Aryl-Aryl-Achse nicht planar gebaut ist. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die mindestens eine der Arylgruppen, bevorzugt beide, in ortho-Stellung zur Aryl- Aryl-Verknüpfung substituiert sind, beispielsweise ein ortho-verknüpftes Biphenyl oder ein 1 ,1'-Binaphthyl. Weiterhin bevorzugt sind Verbindungen, die dendritisch aufgebaut sind. Außerdem bevorzugt sind 1 ,3,5-trisubstituierte Benzole.

Beispiele für geeignete Strukturen sind die folgenden Beispiele 1 bis 52:

Bevorzugt wird die Verbindung A als Elektronentransportmaterial eingesetzt. Ein Elektronentransportmaterial ist ein Material, welches in der elektronischen Vorrichtung vorwiegend Elektronen leitet.

Weiterhin bevorzugt ist eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, die Verbindung A enthält, aus mindestens 50 %, bevorzugt aus mindestens 80 % dieser Verbindung und ganz besonders bevorzugt nur aus Verbindung A als Reinschicht besteht. Aber auch die Verwendung einer Mischung aus Verbindung A und weiteren Verbindungen kann bevorzugt sein. Dabei können die weiteren Verbindungen sowohl organisch sein wie auch anorganisch, beispielsweise die Dotierung mit einem unedlen Metall, wie z. B. Alkali- und/oder Erdalkalimetalle, oder mit einer metallorganischen Verbindung, wie z. B. Co(Cp)₂ oder Ni(Cp)₂.

Weiterhin bevorzugt ist eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung A amorph ist und die Glastemperatur T_g der Verbindung A größer als 100 °C, besonders bevorzugt größer als 130 °C, insbesondere größer als 160 °C ist. Außer der Schicht, die die Verbindung A enthält, kann die organische elektronische Vorrichtung noch weitere Schichten enthalten. Diese können beispielsweise sein: Lochinjektionsschicht, Lochtransportschicht, Emissionsschicht, Lochblockierschicht, Elektronentransportschicht und/oder Elektroneninjektionsschicht. Es sei aber an dieser Stelle darauf hingewiesen, daß nicht notwendigerweise jede dieser Schichten vorhanden sein muß. In einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung ist notwendigerweise eine Emissionsschicht vorhanden.

Ein bevorzugter Aspekt der Erfindung ist eine erfindungsgemäße organische Elektrolumineszenzvorrichtung, enthaltend zwischen der fluoreszierenden

Emissionsschicht und der Kathode mindestens eine Elektronentransportschicht, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektronentransportmaterial wenigstens eine Verbindung A enthält.

Die Dicke der Elektronentransportschicht liegt bevorzugt zwischen 5 und 500 nm, besonders bevorzugt zwischen 10 und 100 nm, ganz besonders bevorzugt zwischen 20 und 70 nm.

Dabei wurde festgestellt, daß das erfindungsgemäße Elektronentransportmaterial eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit im Vergleich zu bekannten Elektronentransportmaterialien, wie z. B. AIQ₃, aufweist, was einen technologischen

Vorteil darstellt, da dadurch größere Schichtdicken dieses Materials verwendet werden können.

Ein weiterer bevorzugter Aspekt der Erfindung ist eine erfindungsgemäße organische Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die

Emissionsschicht mindestens einen fluoreszierenden Emitter und mindestens ein Elektronentransportmaterial enthält, wobei das Elektronentransportmaterial mindestens eine Verbindung A enthält. Dabei ist es nicht zwangsläufig notwendig, daß die Verbindung A als Host in einem hohen Anteil in der Schicht vorhanden ist. Bereits ein geringer Anteil der Verbindung A kann die elektronenleitenden

Eigenschaften der Emissionsschicht schon deutlich verbessern.

Es kann auch bevorzugt sein, wenn sowohl eine Elektronentransportschicht, enthaltend mindestens eine Verbindung A, wie auch eine Emissionsschicht, enthaltend mindestens eine Verbindung A, die gleich oder verschieden sein kann, in der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung vorhanden sind.

Weiterhin kann es bevorzugt sein, wenn in einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung die Emissionsschicht, die die Verbindung A enthält, direkt an die Elektroneninjektionsschicht oder an die Kathode angrenzt ohne Verwendung einer separaten Elektronentransportschicht. Ebenfalls kann es bevorzugt sein, wenn in einer organischen Elektrolumineszensvorrichtung die Emissionsschicht, die die Verbindung A enthält, direkt an die Lochinjektionsschicht angrenzt.

Weiterhin bevorzugt ist eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß der bzw. die Emitter bei geeigneter Anregung im sichtbaren Spektralbereich mit einem oder mehreren Maxima zwischen 380 nm und 750 nm fluoreszieren. Dabei kann es auch bevorzugt sein, wenn die Emitter mehrere unterschiedliche Emissionsmaxima aufweisen, so daß insgesamt weiße Emission resultiert.

Weiterhin bevorzugt ist eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Schichten mit einem Sublimationsverfahren beschichtet werden. Dabei werden die Materialien in Vakuum-Sublimationsanlagen bei einem Druck kleiner 10^"5 mbar, bevorzugt kleiner 10^"6 mbar, besonders bevorzugt kleiner 10^"7 mbar aufgedampft.

Bevorzugt ist ebenfalls eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Schichten mit dem OVPD (Organic Vapour Phase Deposition) Verfahren oder mit Hilfe einer Trägergassublimation beschichtet werden. Dabei werden die Materialien bei einem Druck zwischen 10^"5 mbar und

1 bar aufgebracht.

Weiterhin bevorzugt ist eine organische elektronische Vorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Schichten aus Lösung, wie z. B. durch Spincoating, oder mit einem beliebigen Druckverfahren, wie z. B. Siebdruck, Flexodruck oder Offsetdruck, besonders bevorzugt aber LITI (Light Induced Thermal Imaging, Thermotransferdruck) oder Ink-Jet Druck (Tintenstrahl-Druck), hergestellt werden.

Die oben beschriebenen emittierenden Vorrichtungen weisen nun folgende überraschende Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf:

1. Die Effizienz entsprechender Vorrichtungen wird höher im Vergleich zu Systemen, die gemäß dem Stand der Technik AIQ₃ als Elektronentransportmaterial enthalten. 2. Die Stabilität entsprechender Vorrichtungen wird höher im Vergleich zu Systemen, die gemäß dem Stand der Technik AIQ₃ als Elektronentransportmaterial enthalten.

3. Die Betriebsspannung wird wesentlich verringert. Dadurch erhöht sich die Leistungseffizienz. Dies gilt insbesondere, wenn keine separate Elektronentransportschicht verwendet wird.

4. Insbesondere blaue OLEDs lassen sich in besserer Farbreinheit darstellen, da die Verbindungen A farblos sind und nicht durch Reabsorption und Reemission die Effizienz und die Farbe der OLED beeinträchtigen. 5. Da die Verbindungen A im allgemeinen nicht hygroskopisch sind, lassen sie sich leichter und mit geringerem technischen Aufwand im Vergleich zu AIQ₃ verarbeiten. 6. Da die Verbindungen A eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit aufweisen als Elektronentransportmaterialien gemäß dem Stand der Technik, wie z. B. AIQ₃, können dickere Elektronentransportschichten verwendet werden. Dies ist, wie oben bereits beschrieben, wichtig für die Vermeidung von Kurzschlüssen und ist weiterhin insbesondere für die Kombination aus fluoreszierenden und phosphoreszierenden OLEDs in einem Display nötig, da die dickere Schichtdicken der phosphoreszierenden OLEDs durch eine dickere Elektronentransportschicht der fluoreszierenden OLEDs ausgeglichen werden muß.

Im vorliegenden Anmeldetext und auch in den weiteren folgenden Beispielen wird vor allem auf organische Leuchtdioden und die entsprechenden Displays abgezielt. Trotz dieser Beschränkung der Beschreibung ist es für den Fachmann ohne weiteres erfinderisches Zutun möglich, Verbindungen A bzw. Verbindungen gemäß Formel (1) bis (4) auch für verwandte Vorrichtungen, z. B. für organische Solarzellen, organische Dünnfilmtransistoren, organische Feld-Effekt-Transistoren oder auch organische Laserdioden, zu verwenden.

Beispiele:

Die nachfolgenden Synthesen wurden, sofern nicht anders angegeben, unter einer Schutzgasatmosphäre durchgeführt. Die Edukte wurden von ALDRICH bzw. ABCR (Lösemittel, Magnesium, n-BuLi, Phosphortrichlorid, Thionylchlorid). 2,2'-Bis(diphenylphosphinoyI)-1 ,1'-binaphthyl (H. Takaya et al., Organic Synthesis

1989, 67, 20) wurden nach Literaturmethoden dargestellt und wie unten beschrieben gereinigt. Bis(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-phenyl-phosphinoxid (E1) und Bis(9,9^'- spirobifluoren-2-yl)su!foxid (E3) wurden, wie in WO 05/003253 beschrieben, synthetisiert.

Synthese-Beispiel 1 : rac-2,2'-Bis(diphenylphosphinoyl)-1,1'-binaphthyl (E2) Das nach der oben genannten Vorschrift erhaltene 2,2'-Bis(diphenylphosphinoyl)-

1 ,1'-binaphthyl wurde wie folgt gereinigt: Zunächst wurden 50 g des Rohprodukts in einem Soxhlett-Extraktor plaziert und mit Chloroform durch eine Glasfaserextraktionshülse (Porengröße 0.1 μm) extrahiert. Das Chloroform wurde auf ein Volumen von 100 ml eingeengt und mit 500 ml Ethanol versetzt. Der resultierende Niederschlag wurde abgesaugt und mit Ethanol gewaschen.

Anschließend wurde fünfmal mit je 1000 ml Ethylacetat unter Rückfluß ausgerührt. Die Sublimation erfolgte bei T = 325 °C, p = 5 x 10^"5 mbar im statischen Vakuum. Tm = 308 °C, T_g = 138 °C. Die Ausbeute an reinem 2,2'-Bis(diphenylphosphinoyl)- 1 ,1 -binapht yl betrug 37.3 g, bei einer Reinheit von > 99.9 % (nach HPLC).

Synthese-Beispiel 2: Tris(9,9^'-spirobifluoren-2-yI)phosphinoxid (E4)

Aus 14.10 g (580 mmol) ausgeheiztem Magnesium und einer Lösung von 197.65 g (500 mmol) 2-Brom-9,9^'-spirobifluoren in einem Gemisch aus 1500 ml THF, 300 ml Dimethoxyethan und 4.8 ml (50 mmol) 1 ,2-Dichlormethan wurde eine Lösung des entsprechenden Grignardreagenzes dargestellt. Zu diesem Grignardreagenz wurde bei 20 °C ein Gemisch von 12.2 ml (140 mmol) Phosphortrichlorid in 200 ml THF während 30 min. zugetropft. Anschließend wurde noch 3 h unter Rückfluß und 16 h bei Raumtemperatur gerührt. Nach Zugabe von 5 ml Wasser wurde die Reaktionsmischung komplett einrotiert (1 mbar, 90 °C). Der Rückstand wurde in 1000 ml Dichlormethan aufgenommen und dreimal mit 500 ml Wasser gewaschen.

Die Dichlormethanphase wurde tropfenweise unter sehr gutem Rühren mit einem Gemisch aus 21 ml Wasserstoffperoxid (35 Gew.-%) und 80 ml Wasser versetzt. Nach 24 h Rühren wurde die wäßrige Phase abgetrennt. Die organische Phase wurde dreimal mit je 500 ml Wasser gewaschen und dann bis auf ein Volumen von 200 ml eingeengt. Nach Zugabe von 1000 ml Ethanol wurde der feinkristalline

Niederschlag abgesaugt und mit 200 ml Ethanol gewaschen. Die Reinigung erfolgte durch wiederholte Umkristallisation aus DMSO (ca. 10 ml/g). Abschließend wurde in 1000 ml NMP gelöst und bei 100 °C durch Zugabe von 1000 ml Ethanol gefällt, um im Kristallgitter eingeschlossenes DMSO zu entfernen. Die Sublimation erfolgte bei T = 445 °c_ι p = 5 x 10^"5 mbar im statischen Vakuum. T_m = 433 °C, T_g = 137 °C. Die Ausbeute an Tris(9,9'-spirobifluoren-2-yl)phosphinoxid betrug 76.0 g (76 mmol), entsprechend 54.6 % d. Th., bei einer Reinheit von > 99.9 % (nach HPLC). ¹H-NMR (CDCI₃): D [ppm] = 7.80 (d, 3H), 7.73 (dd, 6H), 7.64 (dd, 3H), 7.35 (dd, 3H), 7.28 (dd, 6H), 7.13 (dd, 3H), 7.09 (dd, 6H), 7.02 (dd, 6H), 6.69 (d, 3H), 6.55 (d, 6H).

³¹P{¹H}-NMR (CDCI3): □ [ppm] = 31.6 (s).

Herstellung der OLEDs:

Die Herstellung von OLEDs erfolgte nach einem allgemeinen Verfahren gemäß WO 05/003253, das im Einzelfall auf die jeweiligen Gegebenheiten (z. B.

Schichtdickenvariation, um optimale Effizienz bzw. Farbe zu erreichen) angepaßt werden mußte.

In den folgenden Beispielen werden die Ergebnisse verschiedener OLEDs vorgestellt. Der grundlegende Aufbau und Schichtdicken, außer der

Emissionsschicht und der Elektronentransportschicht, waren zur besseren Vergleichbarkeit identisch. Analog dem o. g. allgemeinen Verfahren wurden OLEDs mit folgendem Aufbau erzeugt:

Lochinjektionsschicht (HIL) 60 nm PEDOT (aus Wasser aufgeschleudert; bezogen von H. C. Starck; Poly(3,4-ethylendioxy-2,5-thiophen)

Lochtransportschicht (HTM) 20 nm NaphDATA (aufgedampft; bezogen von SynTec; 4,4',4"-Tris(N-1-naphthyl-N-phenyl-amino)- triphenylamin Lochtransportschicht (HTM) 20 nm S-TAD (aufgedampft; hergestellt nach WO 99/12888; 2,2',7,7'-Tetrakis(diphenylamino)-spiro- 9,9'-bifluoren) Emissionschicht (EML) 30 nm - 40 nm (genauer Aufbau siehe Beispiele in Tabelle 1 ) Elektronenleiter (ETL) 10 nm - 50 nm (genauer Aufbau siehe Beispiele in Tabelle 1) (aufgedampft: AIQ₃ bezogen von SynTec; Tris(chinolinato)aluminium(lll) oder Bis(9,9'- spirobifluoren-2-yl)-phenyl-phosphinoxid) (synthetisiert gemäß der nicht offengelegten Anmeldung DE 10330761.3)) Ba-Al (Kathode) 3 nm Ba, darauf 150 nm AI. Diese noch nicht optimierten OLEDs wurden standardmäßig charakterisiert; hierfür wurden die Elektrolumineszenzspektren, die Effizienz (gemessen in cd/A), die Leistungseffizienz (gemessen in Im/W) in Abhängigkeit der Helligkeit, berechnet aus Strom-Spannungs-Helligkeit-Kennlinien (lUL-Kennlinien), und die Lebensdauer bestimmt. Als Lebensdauer wird die Zeit definiert, nach der die Anfangshelligkeit der

OLED bei einer konstanten Stromdichte von 10 mA/cm² auf die Hälfte gesunken ist. Für die Elektronentransportschicht wurde für jedes Material separat die Schichtdicke optimiert. Zum besseren Vergleich sind jedoch auch die dickeren AIQ₃-Schichtdicken mit aufgeführt, die direkt mit den Schichtdicken von E1 bis E4 vergleichbar sind.

In Tabelle 1 sind die Ergebnisse einiger Beispiele zusammengefaßt, wobei jeweils die Zusammensetzung der ETL inklusive der Schichtdicken mit aufgeführt ist. Die ETLs enthalten beispielsweise als Elektronentransportmaterial die Verbindung E1 Bis(9,9'-spirobifluoren-2-yl)-phenyl-phosphinoxid bzw. die weiteren

Elektronentransportmaterialien E2 bis E4. Alternativ oder zusätzlich werden diese Materialien auch in der Emissionsschicht verwendet. Als Vergleichsbeispiele dienen OLEDs, die gemäß dem Stand der Technik als Elektronenleiter AIQ₃ enthalten. Zur besseren Übersichtlichkeit sind die entsprechenden Strukturformeln der verwendeten Elektronentransportverbindungen im folgenden dargestellt:

AIQ, E1

E2 E3

E4

Außerdem sind im folgenden die Strukturen der verwendeten Emitter (bzw. weiterer Komponenten der Emissionsschicht) abgebildet:

EM7

Tabelle 1 :

Alle OLEDs zeigen blaue Emission aus den Fluoreszenzemittern EM1 bis EM7. Dabei erhält man höhere photometrische Effizienzen in Devices, bei denen der Elektronenleiter AIQ₃ durch die erfindungsgemäßen Elektronenleiter ersetzt wurden. Da hier auch die Spannungen, die man zur Erreichung einer bestimmten Helligkeit benötigt, niedrig sind, erhält man eine sehr gute Leistungseffizienz. Weiterhin steigt die Lebensdauer.

Insbesondere sind bei gleicher Schichtdicke der ETL die Effizienzen, die Leistungseffizienzen, die Lebensdauer und die Farbe mit den erfindungsgemäßen Elektronentransportmaterialien besser als mit dem Standard-Elektronenleiter AIQ₃.

Zusammenfassend kann gesagt werden, daß OLEDs, gefertigt nach dem neuen Designprinzip, eine höhere Effizienz bei niedrigeren Spannungen und längerer Lebensdauer aufweisen, wie man leicht Tabelle 1 entnehmen kann.

Claims

Patentansprüche:

1. Elektronische Vorrichtung, enthaltend Kathode, Anode und mindestens eine organische Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Schicht mindestens eine definierte Verbindung A mit der chemischen Struktureinheit Y=X enthält, wobei für die verwendeten Symbole gilt: Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden P, As, Sb, Bi, S, Se oder Te; X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden O, S, Se, Te oder NR; R ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein organischer Rest mit 1 bis 22 Kohlenstoffatomen oder OH oder NH₂; mit der Maßgabe, daß die Verbindung A ein Molekulargewicht von > 150 g/mol und < 10000 g/mol aufweist und daß die Vorrichtung keinen phosphoreszierenden Emitter enthält; und weiterhin mit der Maßgabe, daß die folgenden Verbindungen von der Erfindung ausgenommen sind:

2. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Verbindung A gemäß Formel (1 ) bis (4) (Schema 1) enthält,

Formel (1) Formel (2) Formel (3) Formel (4)

(Schema 1 ) wobei die verwendeten Symbole. folgende Bedeutung haben: Y ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden P, As, Sb oder Bi in Formel (1 ) und (3) und S, Se oder Te in Formel (2) und (4); X ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden NR⁴, O, S, Se oder Te; R¹, R², R³ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden N(R⁴)₂, eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppe mit 1 bis 40 C- Atomen, die mit R⁵ substituiert oder auch unsubstituiert sein kann, wobei ein oder mehrere nicht benachbarte -CH₂-Gruppen durch -R⁶C=CR⁶-, -C =€-, Si(R⁶)₂, Ge(R⁶)₂, Sn(R⁶)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR⁶, -O-, -S-, -NR⁶- oder -CONR⁶- ersetzt sein können und wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, Cl, Br, I, CN oder NO₂ ersetzt sein können; dabei können mehrere Reste R¹, R² und/oder R³ miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem bilden; oder ein aromatisches oder heteroaromatisches System mit 1 bis 40 aromatischen C-Atomen, die durch ein oder mehrere Reste R⁵ substituiert sein können, wobei mehrere Substituenten R¹, R² und/oder R³ miteinander ein mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem bilden können, oder ein über eine bivalente Gruppe -Z- gebundenes aromatisches bzw. heteroaromatisches System mit 1 bis 40 aromatischen C- Atomen, wobei ein oder mehrere H-Atome durch F, Cl, Br oder I ersetzt sein können oder die durch einen oder mehrere Reste R⁵ substituiert sein kann; dabei können mehrere Substituenten R¹, R² und/oder R³ ein weiteres mono- oder polycyclisches, aliphatisches oder aromatisches Ringsystem aufspannen; R⁴ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden eine geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkyl- oder Alkoxykette mit 1 bis 22 C-Atomen, in der auch ein oder mehrere nicht benachbarte C-Atome durch -R⁶C=CR⁶-, -C ≡C-, Si(R⁶)₂, Ge(R⁶)₂, Sn(R⁶)₂, -NR⁶-, -O-, -S-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-O- ersetzt sein können, wobei auch ein oder mehrere H-Atome durch Fluor ersetzt sein können, ein Aryl, Heteroaryl oder eine Aryloxygruppe mit 1 bis 40 C-Atomen, welche auch durch ein oder mehrere Reste R⁶ substituiert sein kann, oder OH, NH₂, NH(R⁵) oder N(R⁵)₂; R⁵ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden R⁴ oder CN, B(R⁶)₂ oder Si(R⁶)₃; R⁶ ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden H oder ein aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen; Z ist bei jedem Auftreten gleich oder verschieden ein konjugierter Rest mit 1 bis 40 C-Atomen, wobei ein oder mehrere C-Atome durch einen Rest R⁵ oder Halogen substituiert sein können; mit der Maßgabe, daß die Molmasse der Verbindung A größer 150 g/mol und kleiner 10000 g/mol ist; und weiterhin mit der Maßgabe, daß die folgenden Verbindungen von der Erfindung ausgenommen sind:

3. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Y für P oder S steht.

4. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß X für O steht.

Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Reste R¹, R² und/oder R³ für ein aromatisches oder heteroaromatisches System steht.

6. Organische elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung A mehr als eine Einheit Y=X bzw. mehr als eine Einheit gemäß Formel (1 ) bis (4) enthält.

7. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung gemäß Formel (1 ) bis (4) nicht planar aufgebaut sind.

8. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Substituenten R¹, R², R³ und/oder R⁴ wenigstens ein sp³- hybridisiertes Kohlenstoff-, Silicium-, Germanium- und/oder Stickstoffatom enthält.

9. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß wweenniiggsstteennss eeiinneess c der sp³-hybridisierten Atome ein sekundäres, tertiäres oder quartäres Atom ist

10. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eines der sp³-hybridisierten Atome ein quartäres Atom ist.

11. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß in mindestens einem der Reste R¹ bis R⁴ ein 9,9'- Spirobifluorenderivat, ein 9,9-disubstituiertes Fluorenderivat, ein 6,6- und/oder 12,12-di- oder tetrasubstituiertes Indenofluorenderivat, ein Triptycenderivat, ein Dihydrophenanthren-Derivat oder ein Hexaarylbenzolderivat enthalten ist.

12. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, daß in mmiirndestens einem der Reste R¹ bis R⁴ ein 9,9'-Spirobifluorenderivat enthalten ist.

13. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht-planare Rest R¹ bzw. R² bzw. R³ eine Biaryl-Gruppe darstellt.

14. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung gemäß Formel (1) bis (4) aus den Beispielstrukturen 1 bis 52 ausgewählt ist.

15. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung A amorph ist und die Glastemperatur T_g der Verbindung A größer als 100 °C ist.

16. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung A als Elektronentransportmaterial eingesetzt wird.

17. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, enthaltend Verbindung A, zu mindestens 50 % aus dieser Verbindung besteht.

18. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, enthaltend Verbindung A, nur aus dieser Verbindung als Reinschicht besteht.

19. Elektronische Vorrichtungen gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, organische Dünnfilmtransistoren, organische Feld-Effekt-Transistoren, organische Solarzellen, organische Photorezeptoren oder organische Laser handelt.

20. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß außer der Schicht, die die Verbindung A enthält, noch weitere Schichten vorhanden sind.

21. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß diese weiteren Schichten ausgewählt sind aus Lochinjektionsschicht, Lochtransportschicht, Emissionsschicht, Lochblockierschicht, Elektronentransportschicht und/oder Elektroneninjektionsschicht.

22. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der fluoreszierenden Emissionsschicht und der Kathode mindestens eine Elektronentransportschicht, enthaltend wenigstens eine Verbindung A, enthalten ist.

23. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsschicht mindestens einen fluoreszierenden Emitter und mindestens ein Elektronentransportmaterial enthält, wobei das Elektronentransportmaterial mindestens eine Verbindung A enthält.

24. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl eine Elektronentransportschicht, enthaltend mindestens eine Verbindung A, wie auch eine Emissionsschicht, enthaltend mindestens eine Verbindung A, die gleich oder verschieden sein kann, vorhanden sind.

25. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsschicht, die die Verbindung A enthält, direkt an die Elektroneninjektionsschicht oder an die Kathode angrenzt ohne Verwendung einer separaten Elektronentransportschicht.

26. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Emissionsschicht, die die Verbindung A enthält, direkt an die Lochinjektionsschicht angrenzt.

27. Elektronische Vorrichtung gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung handelt bei der der bzw. die Emitter bei geeigneter Anregung im sichtbaren Spektralbereich mit einem oder mehreren Maxima zwischen 380 nm und 750 nm fluoreszieren.