WO2004090953A1 - ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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Yuichi Shibazaki
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Nikon Corporation
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    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Definitions

  • the present invention relates to a stage apparatus and an exposure apparatus, and more particularly, to a stage apparatus including a stage that holds and moves an object, an exposure apparatus including the stage apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as an “r reticle”) is projected onto a wafer or a wafer coated with a resist or the like via a projection optical system.
  • a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (so-called stepper) for transferring onto a photosensitive member such as a glass plate (hereinafter collectively referred to as a “wafer”), or a step that improves this stepper.
  • Scanning projection exposure apparatuses of the AND scan type (so-called scanning-stepper) are mainly used.
  • a stage apparatus having a table for holding a wafer as an object to be exposed, a stage for holding the table for two-dimensional movement, and a drive mechanism for driving this stage is used.
  • a linear motor type stage device using a linear motor as a driving source has become mainstream.
  • a first axis linear motor that drives a stage in a first axis direction
  • the first axis linear motor and the stage are integrally formed in a second axis direction orthogonal to the first axis.
  • a two-axis drive linear motor type stage device including a pair of second-axis linear motors that are driven in parallel is widely used.
  • a table is provided for a stage with, for example, three voice coil motors or three EI cores.
  • the table is connected via a fine movement mechanism, and the fine movement mechanism causes the table to rotate on the stage about the first axis, the rotation about the second axis, and the third axis orthogonal to the first axis and the second axis respectively. Fine movement in the direction is possible.
  • the table is driven in six degrees of freedom by the fine movement mechanism and the linear motor.
  • the stage ST since the stage is supported in a non-contact manner with respect to the movement reference plane, a predetermined distance is provided between the stage and the movement reference plane.
  • An air pad for forming a clearance is provided.
  • the stage ST may be tilted (pitched and vibrated) according to the unevenness of the movement reference surface BS as shown in FIG. 11A.
  • the table TB may slide (shift vibration) due to the inclination of the stage.
  • a stage that holds a body and is movable in at least an in-plane direction of a two-dimensional plane orthogonal to the direction of gravity and a tilt direction with respect to the two-dimensional plane; a plurality of movers connected to the stage; A plurality of stators arranged along a predetermined uniaxial direction of the above, and a driving device for driving the stage by a driving force in a direction parallel to the two-dimensional plane. It is a stage device.
  • a driving device having a plurality of movers connected to the stage and a plurality of stators arranged along a predetermined uniaxial direction applies a driving force parallel to the two-dimensional surface to the stage. Then, the stage is driven at least in an in-plane direction of the two-dimensional plane orthogonal to the direction of gravity and in a tilt direction with respect to the two-dimensional plane.
  • a stage having a complicated structure including a movable body movable in a two-dimensional plane and a table movable in the inclined direction on the movable body is employed as in the related art.
  • the stage, and thus the object held by the stage is moved in at least one degree of freedom in the in-plane direction of the two-dimensional plane and in a direction of inclination with respect to the two-dimensional plane (one or two degrees of freedom). It becomes possible.
  • the stage since the stage can be manufactured as an integral object, the structure of the stage can be simplified, and the above-mentioned problem caused by the combination of the two-dimensional moving stage and the table, which has conventionally been a problem, There is no danger that the position controllability of the stage will decrease due to the same factors as the phenomenon of the decrease in the position controllability of the table. Therefore, highly accurate position control of the object held on the stage can be realized with a simple structure.
  • the driving device can also drive the stage in a rotational direction in the two-dimensional plane. In such a case, it is possible to drive the stage in a maximum of five degrees of freedom.
  • the driving device may drive the stage also in the gravity direction.
  • stator that drives the stage in the direction of gravity is disposed between a plurality of stators that drive the stage in the in-plane direction of the two-dimensional surface. Can be.
  • the driving device may move the stage in three directions of freedom in the two-dimensional surface, two degrees of freedom in a tilt direction with respect to the two-dimensional surface, and six degrees of freedom in the direction of gravity. It can be driven in the degree direction.
  • the stage may have a box shape. In such a case, higher rigidity than that of a plate-like stage can be secured.
  • the first stage device of the present invention includes a cylinder portion provided at a bottom portion of the stage, and a piston portion inserted into the cylinder portion and movable relative to the cylinder portion.
  • the cylinder may further include a dead weight support mechanism for supporting the dead weight of the stage above a predetermined support surface by positive pressure of gas inside the cylinder part for urging the part downward in the direction of gravity.
  • the apparatus may further include a position detection device that is disposed near the dead weight support mechanism and that detects a position of the stage.
  • a stage which holds an object and is movable in a plane perpendicular to the direction of gravity; a cylinder provided on the stage; and a cylinder inserted into the cylinder.
  • a piston portion that is relatively movable with respect to the cylinder portion; and a positive pressure of gas inside the cylinder portion that urges the biston portion downward in the direction of gravity, thereby causing the weight of the stage to rise above a predetermined support surface by a positive pressure of the gas inside the cylinder portion.
  • a weight supporting mechanism supported by the second stage device.
  • a cylinder part and a piston part inserted into the cylinder part and movable relative to the cylinder part are provided on a stage that can move in a plane perpendicular to the direction of gravity while holding the object.
  • a self-weight support mechanism for supporting the weight of the stage above a predetermined support surface by positive pressure of gas inside the cylinder part for urging the biston portion downward in the direction of gravity. Therefore, the stage's own weight is supported by the positive pressure of the gas by its own weight support mechanism.
  • the rigidity can be made lower than that of. This minimizes the transmission of vibrations and the like of the support member (stage base) on which the support surface is formed to the stage. As a result, high-precision position control of the stage and, consequently, the object held by the stage is achieved. It can be realized.
  • the self-weight support mechanism may include a first bearing mechanism that forms a predetermined clearance between the self-weight support mechanism and the support surface.
  • the first bearing mechanism includes: a gas outlet formed on a surface of the piston portion facing the support surface; a gas outlet formed on the piston portion; And an air supply passage communicating with the positive pressure space.
  • the self-weight supporting mechanism when the self-weight supporting mechanism has the first bearing mechanism, the self-weight supporting mechanism may be disposed between an inner peripheral surface of the cylinder portion and an outer peripheral surface of the piston portion.
  • the vehicle may further include a second bearing mechanism that forms a predetermined clearance.
  • the second bearing mechanism includes a gas outlet formed on an outer peripheral surface of the piston portion, and a gas outlet formed on the piston portion and a positive pressure space inside the cylinder. And an air supply passage to be communicated.
  • the self-weight support mechanism may be provided at at least three places that are not on a straight line.
  • Each of the first and second stage devices of the present invention can further include a stage base on which the support surface is formed.
  • the stage base when the stage moves in the two-dimensional in-plane direction, the stage base is configured to be movable in accordance with the law of conservation of momentum by the action of a reaction force of a driving force causing the movement. can do.
  • a driving mechanism for driving the stage base in the two-dimensional plane may be further provided.
  • a reflecting surface provided on the stage is irradiated with a measuring beam, and the measuring beam receives reflected light of the reflecting surface
  • the apparatus may further include a light wave interference type length measuring device for measuring the position of the stage in the direction of gravity.
  • the present invention provides, in a third aspect, a plurality of stages each for holding an object; and each of the stages is arranged at least in a two-dimensional in-plane direction orthogonal to the direction of gravity and in a tilt direction with respect to the two-dimensional surface.
  • a driving system that individually drives using a driving force in a direction parallel to the plane.
  • the drive system moves the plurality of stages each holding the object at least in a two-dimensional in-plane direction orthogonal to the direction of gravity and in a direction inclined with respect to the two-dimensional surface, in a direction parallel to the two-dimensional surface. Since individual driving is performed using the driving force, it is possible to employ an integrated stage as each stage. Therefore, as described above, it is possible to realize highly accurate position control of the object held on each stage. In addition, since multiple stages are provided, improvement in resiliency through parallel processing using multiple stages is expected.
  • an exposure apparatus for illuminating a mask with an energy beam and transferring a pattern formed on the mask to a photosensitive object, wherein at least one of the mask and the photosensitive object is provided.
  • An exposure apparatus comprising any one of the first to third stage devices of the present invention as a drive system.
  • any one of the first to third stage devices of the present invention having high position controllability is provided as at least one of the drive system of the mask and the photosensitive object.
  • the transferred pattern can be transferred to a photosensitive object with high precision.
  • FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the stage device of FIG.
  • FIG. 3A is a perspective view showing the wafer stage WS T1 and the driving device
  • FIG. 3B is a perspective view showing the wafer stage WS T1, which is taken out.
  • FIG. 4A is a perspective view showing a state where the wafer stage is viewed from the lower surface side
  • FIG. 4B is a perspective view showing a state where the flat mirror of FIG. 4A is removed.
  • FIG. 5 is a sectional view showing the internal configuration of the dead weight canceller.
  • FIG. 6 is a perspective view showing the dead weight canceller in a longitudinal section.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the self-weight canceller.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a Z-axis interferometer.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a modification.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example in which the stage device of the present invention is used for a reticle drive system.
  • 11A to 11C are diagrams for explaining the background art.
  • FIG. 1 schematically shows an exposure apparatus 10 according to one embodiment.
  • the exposure apparatus 10 uses a reticle R as a mask and a wafer W 1 (or W 2) as an object (and a photosensitive object) in a one-dimensional direction (here, in FIG.
  • the circuit pattern formed on the reticle R is transferred to the plurality of shot areas on the wafer W1 (or W2) via the projection optical system PL while moving synchronously in the Y-axis direction, which is the inner left / right direction.
  • This is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper.
  • the exposure apparatus 10 includes an illumination system 12 for illuminating the reticle R with illumination light I as an energy beam, a reticle stage RST as a mask stage on which the reticle R is mounted, and illumination light emitted from the reticle R.
  • a projection optical system PL for projecting the IL onto the wafer W1 (or W2), a stage device 20 on which the wafer W1 (or W2) is placed, and a control system for these components are provided.
  • the illumination system 12 includes a light source and an illumination optical system, and a rectangular or arc-shaped illumination area IAR defined by a field stop (also referred to as a masking blade or a reticle blind) disposed therein has illumination light IL.
  • a field stop also referred to as a masking blade or a reticle blind
  • illumination light IL To illuminate the reticle R on which the circuit pattern is formed with uniform illuminance.
  • An illumination system similar to the illumination system 12 is disclosed in, for example, JP-A-6-349701 and corresponding US Pat. No. 5,534,970.
  • JP-A-6-349701 JP-A-6-349701 and corresponding US Pat. No. 5,534,970.
  • the disclosures in the above-mentioned gazettes and corresponding US patents shall be incorporated by reference into this specification.
  • K r F excimer one laser light (wavelength 248 nm)
  • a r F excimer laser beam (wavelength 1 93 nm) far ultraviolet light such as, or F 2 Les Ichizako (Wavelength Vacuum ultraviolet light such as (157 nm) is used.
  • ultraviolet emission lines g-rays, ⁇ -rays, etc.
  • a reticle R is fixed, for example, by vacuum suction.
  • the reticle stage RS ⁇ is moved by the reticle stage drive unit 22 in the X-axis direction, ⁇ -axis direction, and 0 ⁇ in a ⁇ plane perpendicular to the optical axis of the illumination system 12 (coincides with the optical axis ⁇ of the projection optical system PL)
  • Driving in the direction (rotation direction around the ⁇ axis) It is possible to drive at a specified scanning speed in a predetermined scanning direction (Y-axis direction) along the upper surface of a reticle stage base (not shown).
  • the reticle stage drive section 22 is a mechanism using a linear motor, a voice coil motor, or the like as a drive source, but is shown as a simple block in FIG. 1 for convenience of illustration.
  • the reticle stage RS is a coarse movement stage that is driven one-dimensionally in the Y-axis direction, and the reticle R is moved in at least three degrees of freedom with respect to the coarse movement stage (X-axis direction, Y-axis direction, and 0 z It is a matter of course that a stage having a coarse / fine movement structure having a fine movement stage capable of fine driving in the direction (1) and (2) may be employed.
  • the position (including ⁇ z rotation) of the reticle stage RST in the XY plane is formed (or provided) at the end of the reticle stage RST by a reticle laser interferometer (hereinafter referred to as ⁇ reticle interferometer) 16. Also, it is constantly emitted through the reflecting surface with a resolution of, for example, about 0.5 to 1 nm.
  • Position information of the reticle stage R ST from the reticle interferometer 16 (including rotation information such as the 0 z rotation amount (jowing amount)) is supplied to the main controller 50.
  • Main controller 50 drives and controls reticle stage R ST via reticle stage drive section 22 based on the position information of reticle stage R ST.
  • the projection optical system PL As the projection optical system PL, a reduction system in which both the object plane side (reticle side) and the image plane side (wafer side) are telecentric and whose projection magnification is 1/4 (or 1/5) is used. Therefore, when the reticle R is irradiated with the illumination light (ultraviolet pulse light) IL from the illumination system 12, an image is formed from a portion of the circuit pattern area formed on the reticle R illuminated by the ultraviolet pulse light. The light beam enters the projection optical system PL, and the image (partially inverted image) of the circuit pattern in the illumination area of the illumination light IL (the above-described illumination area IAR) is projected each time the pulsed ultraviolet pulse light is applied.
  • the illumination light ultraviolet pulse light
  • the image is restricted to a slit (or rectangular (polygon)) elongated in the X-axis direction.
  • the projected partial inverted image of the circuit pattern is formed by a plurality of shots on the wafer W1 or W2 arranged on the image plane of the projection optical system PL.
  • One of the regions is reduced and transferred to the resist layer on the surface of the shot region.
  • a refraction system including only a refractive optical element is mainly used.
  • a so-called catadioptric system catadioptric system
  • a refractive optical element and a reflective optical element concave mirror, beam splitter, or the like
  • a reflective system composed of only a reflective optical element is mainly used.
  • the stage device 20 is disposed below the projection optical system PL in FIG. 1, and includes wafer stages WST 1 and WST 2 as stages for holding the wafers W 1 and W 2, respectively, and wafer stages WST 1 and WST 2. , X-axis (first axis) direction, Y-axis (second axis) direction, Z-axis (third axis) direction, and rotation directions around the X, Z, and Z axes ( ⁇ X, ⁇ y, 0 z directions) And a drive system that drives individually in the six degrees of freedom.
  • Each of wafer stages WST1 and WST2 is driven by a drive system at a predetermined stroke in the X-axis direction and the Y-axis direction, and is minutely driven in other directions.
  • FIG. 2 shows the stage device 20 in a perspective view and with reference to other drawings as appropriate.
  • the wafer stages WST 1 and WST 2 are supported substantially horizontally on a floor surface F of a clean room via a plurality (for example, three) of vibration isolation units (not shown). It is located above the stage base SB.
  • the plurality of vibration isolation units insulate micro vibration (dark vibration) transmitted from the floor F to the stage base SB at a micro G level.
  • a so-called active vibration isolation device that actively dampens the stage base SB based on the output of a vibration sensor such as a semiconductor accelerometer fixed to a predetermined location of the stage base SB is used. It is of course possible to use it.
  • the one wafer stage WST 1 is made of a lightweight and high-rigidity material such as MMC (metal-based composite material: a composite of metal and ceramics (aluminum alloy or metal silicon as a matrix material, in which various ceramic reinforcing materials are used). Composite material)) and has a roughly box-like shape.
  • MMC metal-based composite material: a composite of metal and ceramics (aluminum alloy or metal silicon as a matrix material, in which various ceramic reinforcing materials are used). Composite material)) and has a roughly box-like shape.
  • an X-moving mirror MX 1 extending in the Y-axis direction is provided at one end in the X-axis direction (the end on the + X side) in FIG.
  • a Y movable mirror MY 1 extending in the X-axis direction is provided at one end (the end on the negative side).
  • the interferometer beams (measurement beam ) Is projected and the reflected light is received by each interferometer, so that a fixed mirror is placed at the reference position of each moving mirror reflection surface (generally, a fixed mirror is placed on the side of the projection optical system or the side of the alignment system).
  • the wafer W1 is fixed to the upper surface of the wafer stage WST1 via a wafer holder H1 by electrostatic suction or vacuum suction.
  • a wafer holder H1 by electrostatic suction or vacuum suction.
  • FIG. 1 only the movable mirror M Y1 is shown as a movable mirror on the wafer stage WST 1 side.
  • Wafer stage WST 1 is driven by a driving device DA in the X-axis direction at a predetermined stroke, and is minutely driven in the remaining five degrees of freedom. That is, wafer stage WST 1 is driven in six degrees of freedom by drive unit DA.
  • the driving device DA is driven by the pair of Y-axis linear motors LY 1 and LY 2 in a long stroke in the Y-axis direction integrally with the wafer stage WST 1.
  • the driving device DA will be described in detail.
  • FIG. 3A is a perspective view showing the wafer stage WST1 and the driving device DA
  • FIG. 3B is a perspective view showing the movable portion including the wafer stage WST1.
  • the driving device DA is embedded in the wafer stage WST1 and five movers (44A to 44E) fixed on both sides in the Y-axis direction of the wafer stage WST1.
  • movers 44A to 44E there are a total of six movers 44A to 44F, one mover (44F), and the inside (hollow portion) of each of these movers 44A to 44F.
  • a stator 46 A to 46 F whose longitudinal direction is in the X-axis direction.
  • the stators 46 to 46 are fixed at both ends in the longitudinal direction to Y-axis movers 48 A and 48 B having a substantially T-shaped cross section (this will be described later).
  • the positional relationship between the stators 46A to 46F is maintained at a predetermined positional relationship.
  • the mover 44 A has a yoke 52 having a rectangular YZ section and a cylindrical shape as a whole, and an upper and lower opposing surface inside the yoke 52 in the X-axis direction.
  • each case c having a plurality of ⁇ stone 5 4 disposed, 5 4 between field adjacent to the X-axis direction the magnet, the magnet 5 4 together boundary face in the Z-axis direction at a predetermined distance along the
  • the polarities are opposite to each other. Therefore, an alternating magnetic field is formed in the internal space of the yoke 52 in the X-axis direction.
  • the stator 46 A inserted into the mover 44 A has a hollow housing whose longitudinal direction is in the X-axis direction, and a housing along the X-axis direction in the housing.
  • the armature unit includes a plurality of armature coils (not shown) arranged at predetermined intervals.
  • the Lorentz force generated by the electromagnetic interaction between the current flowing through the armature coil forming the stator 46 A and the magnetic field (alternating magnetic field) generated by the field magnet forming the mover 44 A The drive force in the X-axis direction acts on the mover 4 4 A Then, the mover 44 A is driven in the X-axis direction along the stator 46 A. That is, in the present embodiment, the first X-axis linear motor LX1 composed of a moving magnet type linear motor is configured by the stator 46A and the mover 44A (FIG. 3A). reference).
  • the mover 44B is provided on the lower side (1Z side) of the mover 44A described above.
  • the mover 44B has the same configuration as the mover 44A.
  • the stator 46 B inserted into the inside (hollow portion) of the mover 44 B has the same configuration as that of the stator 46 A. Therefore, the Lorentz force generated by the electromagnetic interaction between the current flowing through the armature coil forming the stator 46B and the magnetic field (alternating magnetic field) generated by the field magnet forming the mover 44B
  • the driving force in the X-axis direction acts on the mover 44 B, and the mover 44 B is driven in the X-axis direction on the stator 46 B. That is, in the present embodiment, the stator 46 B and the mover 44 B constitute a second X-axis linear motor X 2 composed of a moving magnet type linear motor (see FIG. 3A). .
  • the mover 44 C is fixed to the center of the wafer stage WST 1 on the + Y side in the Z-axis direction, and has a similar configuration to the movers 44 A and 44 B described above, although the size is different. I have. Further, the stator 46 C inserted into the mover 44 C (hollow portion) has the same configuration as the above-described stators 46 A and 46 B.
  • the Lorentz force generated by the electromagnetic interaction between the current flowing through the armature coil forming the stator 46 C and the magnetic field (alternating magnetic field) generated by the field magnet forming the mover 44 C acts on the mover 44C, and the mover 44C is driven in the X-axis direction along the stator 46C.
  • the third X-axis linear motor LX3 composed of a moving magnet type linear motor is configured by the stator 46C and the mover 44C (see FIG. 3A). .
  • the third X-axis linear motor LX3 is a larger linear motor than the first and second X-axis linear motors LX1 and LX2, as can be seen from FIGS. 3A and 3B.
  • the third X-axis linear motor LX 3 can generate twice as much thrust as the first and second X-axis linear motors LX 1 and LX 2 .
  • plate members 81A and 81B made of a non-magnetic material are attached to the upper and lower surfaces of the mover 44C (see FIG. 3B).
  • first to third X-axis linear motors LX1 to LX3 thrust M is applied to the first and second X-axis linear motors LX1 and LX2, and thrust M is applied to the third X-axis linear motor LX3 ( 2 XM), the magnitude and direction of the current supplied to the armature coils in the stator (armature unit) constituting each linear motor are controlled by the main controller 50 in FIG. This makes it possible to drive the wafer stage WST 1 in the X-axis direction.
  • the main controller 50 also controls the total thrust generated by the first and second X-axis linear motors LX 1 and LX 2 and the thrust generated by the third X-axis linear motor LX 3 so as to be slightly different.
  • the wafer stage WS T1 can be minutely driven in the direction of rotation around the Z axis (0z direction). It is possible. Further, the main controller 50 controls the generated thrust of the first X-axis linear motor LX1 and the generated thrust of the second X-axis linear motor LX2 so as to be slightly different from each other in the armature unit constituting these linear motors. By controlling the current supplied to the armature coil, it is possible to minutely drive wafer stage WST 1 in the rotation direction around the Y axis ( ⁇ y direction).
  • the first to third X-axis linear motors LX1 to X3 can be used to control the wafer stage WST1 and the first and second X-axis linear motors LX. 1, LX 2 enables rolling control of wafer stage WST 1.
  • a mover 44D is provided above the mover 44C (+ Z side) of the third X-axis linear motor LX3 via a plate member 81A.
  • the mover 44D includes a frame-shaped member 56 made of a magnetic material having a rectangular YZ section, and an inner portion of the frame-shaped member 56.
  • a pair of permanent magnets 58 A and 58 B are provided on a pair of opposing surfaces (upper surface and lower surface) and extend in the X-axis direction.
  • the permanent magnet 58 A and the permanent magnet 58 B have opposite polarities. Therefore, between the permanent magnet 58 A and the permanent magnet 58 B, a magnetic field having a magnetic flux direction of + Z direction (or 1Z direction) is generated.
  • stator 46 D inserted into the space formed by the permanent magnets 58 A and 58 B and the frame-shaped member 56 includes a housing and, for example, Mover 4
  • a pair of rectangular coils elongated in the X-axis direction and arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction can be used as the armature coils.
  • the magnitude and the direction of the current supplied to the armature coils constituting the stator 46D are controlled by the main controller 50.
  • the magnitude and direction of the driving force (Lorentz force) for driving the mover 4 4D in the Y-axis direction are arbitrarily controlled. That is, the first Y-axis fine movement motor VY1 that minutely drives the wafer stage WS T1 in the Y-axis direction is constituted by the mover 44D and the stator 46D (see FIG. 3A). .
  • the mover 44E is provided below the mover 44C of the third X-axis linear motor LX3 via a plate member 81B.
  • the mover 44E is arranged substantially vertically symmetrically with respect to the mover 44D described above with respect to the mover 44C.
  • the mover 44 E has the same configuration as the mover 44 D, and a magnetic field in the + Z direction (or one Z direction) is generated inside the mover 44 E.
  • a stator 46E is inserted into the hollow portion of the mover 44E.
  • the stator 46E has the same configuration as the stator 46D.
  • the magnitude and the direction of the current supplied to the armature coils constituting the stator 46E are controlled by the main controller 50.
  • the magnitude and direction of the driving force (Mouth Lenz force) for driving the mover 44E relative to the stator 46E in the Y-axis direction are arbitrarily controlled. That is, a second Y-axis fine movement motor VY2 for minutely driving the wafer stage WS T1 in the Y-axis direction is constituted by the mover 44E and the stator 46E (see FIG. 3A).
  • the wafer stage WST1 can be moved in the Y-axis direction.
  • the wafer stage WST1 can be finely driven in the rotation direction (0x direction) around the X-axis by making the thrust generated by each of the Y-axis fine movement motors VY1 and VY2 different. It is possible.
  • the pitching control of the wafer stage WS 1 can be performed by the first and second Y-axis fine movement motors VY 1 and VY 2.
  • the mover 44F is embedded substantially in the center of the wafer stage WST1 so as to penetrate the wafer stage WST1 in the X-axis direction.
  • the mover 44F has a frame-like member 60 made of a magnetic material having a rectangular YZ section, and an elongated member in the X-axis direction provided on a pair of opposing surfaces (the surface on the soil Y side) inside the frame-like member 60.
  • a pair of extending permanent magnets 62A and 62B are provided.
  • the permanent magnet 62A and the permanent magnet 62B have opposite polarities. Therefore, between the permanent magnet 62A and the permanent magnet 62B, a magnetic field having a magnetic flux direction of + Y direction (or one Y direction) is generated.
  • the stator 46F inserted in the space formed by the permanent magnets 62A and 62B and the frame-shaped member 60 includes a housing whose longitudinal direction is in the X-axis direction, One or more components arranged inside such that the current can flow only in the + X direction or only in the one X direction in the magnetic field in the Y-axis direction formed in the mover 44F, for example.
  • Armature coil In this case, as the armature coil, for example, a pair of rectangular coils elongated in the X-axis direction and arranged at predetermined intervals in the Z-axis direction can be used.
  • the current supplied to the armature coil constituting the stator 46F is The size and the direction are controlled by the main controller 50, so that the driving force (the port—the Lenz force) for driving the mover 44F with respect to the stator 46F in the Z-axis direction. ) Is arbitrarily controlled in size and direction. That is, the mover 44 F and the stator 46 F constitute a Z-axis fine movement motor VZ that minutely drives the wafer stage WST 1 in the Z-axis direction (see FIG. 3A).
  • the wafer stage WST 1 is driven by the first to third X-axis linear motors LX 1 to LX 3 by coarse movement in the X-axis direction and rotation direction around the Z-axis (0 z Direction) and fine rotation in the rotation direction (0 y direction) around the Y axis.
  • the first and second Y-axis fine movement motors VY 1 and VY 2 rotate the rotation direction (0 x Direction), and Z-axis fine movement is performed by the Z-axis fine movement motor VZ.
  • a pair of Y-axis linear motors Y 1 and L Y 2 that drive the wafer stage WST 1 together with the driving device DA with a long stroke in the Y-axis direction will be described.
  • a Y-axis linear motor LY 1 has a stator 64 A extending along the Y-axis direction at the + X side end of the stage base SB shown in FIG. And a mover 48 A driven in the Y-axis direction by electromagnetic interaction between them.
  • the stator 64 A includes a yoke having a U-shaped cross section, and a plurality of field magnets disposed at predetermined intervals along a Y-axis direction on a pair of opposing surfaces (upper and lower opposing surfaces) of the yoke. have.
  • the field magnets adjacent in the Y-axis direction and the field magnets facing in the Z-axis direction have opposite polarities. For this reason, an alternating magnetic field is formed in the internal space of the yoke in the Y-axis direction.
  • the stator 64 A is actually substantially horizontally separated from the upper surface of the stage base SB by a support member (not shown) provided on the floor F with a predetermined interval. Supported.
  • the mover 48 A is provided at one end of the stators 46 A to 46 F constituting the drive device DA (see FIG. 3A), and has a hollow XZ T-shaped section.
  • the other Y-axis linear motor LY2 has the same structure as the one Y-axis linear motor LY1 although it is symmetrical in the left-right direction as viewed from the Y-axis direction. That is, the Y-axis linear motor LY 2 is configured such that the stator 64 B extending in the Y-axis direction at one end on the X side of the stage base SB and the stator 64 B by electromagnetic interaction. A mover 48 B driven in the Y-axis direction is provided. Actually, the stator 64B is supported substantially horizontally at a predetermined distance from the upper surface of the stage base SB by a support member (not shown) provided on the floor surface F.
  • the magnitude and direction of the current flowing through the armature coil constituting mover 48B are controlled by main controller 50, and the current and the magnetic field generated by the field magnet constituting stator 64B
  • the mover 48B is driven in the Y-axis direction along the stator 64B by Lorentz force generated by an electromagnetic interaction between the mover 48B and the (alternating magnetic field).
  • a pair of Y-axis linear motors LY 1 and LY 2 configured as described above are used to drive the wafer stage WST 1 together with the driving device DA by a long stroke in the Y-axis direction. .
  • a reaction force of the driving force acts on the stators 64 A and 64 B.
  • the reaction force is applied to the stators 64 A and 64 B. It is transmitted (released) to the floor surface F via supporting members (not shown) that support each.
  • the wafer stage WS 1 has the first and second Y-axis fine movement motors VY constituting the driving device DA in the Y-axis direction which is the scanning direction (scanning direction). 1 and VY 2
  • the pair of Y-axis linear motors L ⁇ 1 and L ⁇ 2 are driven within a predetermined stroke range.
  • the other wafer stage WS # 2 has the same configuration as wafer stage WS # 1 described above. That is, the wafer stage WS # 2 is composed of a lightweight and high-rigidity member such as MMC, for example, and has a roughly box-like shape, and its upper surface (+ ⁇ side surface) has an X-axis direction in FIG.
  • the X movable mirror MX 2 extending in the ⁇ -axis direction is provided at one end (+ ⁇ side end) of the, and Y extending in the X-axis direction is provided at one end in the Y-axis direction (+ Y side end).
  • a moving mirror MY2 is provided.
  • the interferometer beams from the interferometers of the respective measurement axes, which constitute the interferometer system described later, are projected onto the reflecting surfaces of these moving mirrors MX 2 and MY 2, and the two-dimensional position of the wafer stage WS T 2 is adjusted. It is to be measured in the same manner as the above-mentioned wafer stage WS T1.
  • FIG. 1 shows only the movable mirror MY2.
  • the wafer stage WS T 2 on which the wafer W 2 is fixed by electrostatic suction or vacuum suction via a wafer holder H 2 is provided on the upper surface of the wafer stage WS T 2, as shown in FIG.
  • the drive device DB configured in the same manner as the drive device DA is driven in the X-axis direction at a predetermined stroke, and is minutely driven in the remaining five degrees of freedom.
  • a pair of movers 48C, 48D are provided at one end and the other end in the longitudinal direction of the stator of each motor constituting the drive device DB, respectively.
  • a pair of stators 64 A and 64 B described above constitute a pair of Y-axis linear motors LY 3 and LY 4.
  • the drive device DB is driven with a long stroke in the Y-axis direction integrally with the wafer stage WST2.
  • the magnitude and direction of the current supplied to each motor constituting the driving device DB and each armature coil of the Y-axis linear motors LY3 and LY4 are controlled by the main controller 50.
  • the Y-axis linear motor L Y1 and the Y-axis linear motor Y3 share a stator 64 mm
  • the Y-axis linear motor LY2 and the Y-axis linear motor LY4 share a stator 64B.
  • the wafer stages WST 1 and WST 2 including the driving devices DA and DB and the Y-axis linear motors LY 1 to LY 4 are individually moved in the directions of six degrees of freedom.
  • a drive system for driving is configured.
  • FIG. 4A is a perspective view of the movable part on the wafer stage WS T 1 side of FIG. 3B, which is turned upside down and is a perspective view.
  • FIG. 4B is a bottom view of the wafer stage WS T 1 of FIG. 4A. The state in which the flat mirror MZ 1 (which will be described later) attached to the camera is removed is shown in a perspective view.
  • a part of the interior of the wafer stage WST 1 is removed from the bottom surface side, and three empty weight cancellers 70 A as a dead weight supporting mechanism are placed in the space formed by the removal. 70 B and 70 C are arranged.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the fiber showing the self-weight canceller 70A
  • FIG. 6 is a perspective view showing a cross section near the lower end of the self-weight canceller 70A.
  • the self-weight canceller 7 OA has a cylindrical cylinder portion 17 OA having an open lower end (one Z side end) and a closed upper end (+ Z side end).
  • a piston portion 170B is inserted into the cylinder portion 17OA through the opening, and is relatively movable with respect to the cylinder portion.
  • the outer diameter of the ceiling wall (upper wall) of the cylinder section 170A is somewhat larger than the other parts.
  • the cylinder portion 170A is integrally formed, but the ceiling wall portion may be formed separately from the remaining portion, and both may be fixed.
  • annular first annular projection 72a is formed near the lower end (one Z-side end) of the cylinder 17OA near the entire inner peripheral surface thereof. Also, the first ring A second annular convex portion 72b is formed at a predetermined interval below the convex portion 72a (on the Z side).
  • the cylindrical bottom surface of the annular concave groove 72d having a predetermined depth formed between the first annular convex portion 72a and the second annular convex portion 72b of the cylinder portion 17OA is provided with a cylinder.
  • Through holes 72c communicating the internal space of the portion 170A with the outside are formed at a plurality of locations at predetermined intervals.
  • the piston portion 170B has a predetermined clearance formed between the outer peripheral surface thereof and the first and second annular convex portions 72a and 72b. Has been inserted.
  • the piston portion 170B is composed of a cylindrical portion having a first diameter and a disk portion having a second diameter (> the first diameter) provided on one Z side and concentric with the cylindrical portion. It has a stepped cylindrical shape.
  • This piston portion 1 7 0 B, c vent line 7 4 a of the vent line 7 4 a is formed as a supply duct of the Z-axis direction extending from the central portion of the upper surface to the bottom, Bisuton portion In the vicinity of the lower end surface of the piston portion 170B, it is formed so as to become narrower as approaching the lower end surface. ing. That is, the lower end of the ventilation pipe 74a is formed so as to function as a kind of nozzle (a tapered nozzle).
  • the groove 74b has a shape combining a circle and a cross, as shown in FIG. 4A.
  • An almost airtight space 80 is formed above the piston part 17 OB inside the cylinder part 17 OA.
  • One end of an air supply pipe is connected to the space 80 through an opening (not shown) formed in a part of the cylinder section 170A, and the other end of the air supply pipe is connected to a gas (not shown).
  • a gas not shown
  • the supply device for example, a rare gas such as helium, nitrogen, or the like is supplied into the space 80 through an air supply pipe, and the space 80 has a higher positive pressure than the outside of the cylinder 17 OA. It is a space. Therefore, hereinafter, the space 80 is also referred to as a “positive pressure space 80”.
  • FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the operation of the self-weight canceller 7OA.
  • the space 80 is defined as a positive pressure space, so that the gas flow indicated by the arrow A i in the ventilation pipe 74 a.
  • flow Gas represented by this flow, is ejected from the convergent nozzle portion of the lower end of the vent line 7 4 a described above produces a flow of gas indicated by an arrow A 2 in the groove 7 4 in b.
  • This gas spreads over the entire area of the groove 74b and is ejected from the entire groove toward the support surface (here, the upper surface of the stage base SB) SBa.
  • the static pressure of gas pressure in the gap
  • the bottom surface of the piston portion 170B and the support surface causes a gap between the bottom surface of the piston portion 170B and the support surface SBa of the stage base SB.
  • a predetermined clearance ⁇ ⁇ is formed.
  • a kind of gas hydrostatic bearing is substantially formed on the bottom surface of the piston 170 mm, and the piston 170 mm is floatingly supported in a non-contact manner above the support surface SBa. I have.
  • this hydrostatic gas bearing is also referred to as “thrust bearing”.
  • a gas static pressure bearing is substantially formed on the peripheral wall of the biston portion 170 mm, and the piston 170 mm and the cylinder portion 170 mm are not in contact with each other.
  • this hydrostatic bearing is also referred to as “radial bearing J”.
  • a gas flow indicated by an arrow d is generated in the plurality of through holes 72c formed at predetermined intervals in the annular concave groove 72d of the cylinder portion 170A, whereby the second annular convex portion is formed.
  • 72 b the jetted Tagged gas, gas and the like 80 in between positive pressure, the gas in the clearance delta L 2 is adapted to be discharged to the outside.
  • the other dead weight cancellers 70B and 70C have the same configuration as the dead weight canceller 70A described above.
  • the self-weight cancellers 70A to 70C when the wafer stage WST1 is supported at the upper end thereof, its own weight is supported by the positive pressure of the positive pressure space 80 and the upper surface of the stage pace SB, that is, the support surface. It is possible to always maintain the clearance ⁇ ⁇ _ ⁇ between SB a and the thrust bearing. In addition, even if a force is generated to tilt the wafer stage WS ⁇ 1 in the tilt direction ( ⁇ ⁇ , ⁇ y direction), the clearance AL 2 is maintained by the action of the radial bearing. The inclination of the wafer stage WST 1 is absorbed. Therefore, according to the self-weight cancellers 70A to 7OC, it is possible to support the wafer stage WST1 with low rigidity by positive pressure and to absorb the inclination of the wafer stage WST1.
  • the groove 74 b and the ventilation pipe 74 a constitute a thrust bearing as the first bearing mechanism, and are formed by the throttle hole 78 and the ventilation pipes 76 a to 76 d.
  • a radial bearing is configured as a second bearing mechanism.
  • the flat mirror ⁇ ⁇ 1 is attached to the bottom surface (one side surface) of the wafer stage WST 1 over the entire area excluding the portion where the dead weight cancellers 70 ⁇ to 70 C are arranged. (See Fig. 4 ⁇ ).
  • the bottom surface of wafer stage WST 1 is a flat surface, the bottom surface of wafer stage WST 1 may be mirror-finished instead of plane mirror MZ 1.
  • FIG. 8 is a side view schematically showing the wafer stage WST1.
  • a Z-axis interferometer 150 serving as a lightwave interferometer is provided in the stage base SB, and is provided in a passage SB b formed in the stage base SB.
  • Beam splitter 83 A composed of a prism or the like that splits the measurement beam from axis interferometer 150 in one X direction and + Y direction, and a beam splitter provided on one X side of beam splitter 83 A It has a prism 83B that reflects the length measurement beam transmitted through 83A and folds it in the + Z direction.
  • the measuring beam reflected by the beam splitter 83 A is further branched by a beam splitter (not shown), and each split beam (measuring beam) is directed in the + Z direction by another prism or the like. It is designed to be reflected.
  • the measurement beam from Z-axis interferometer 150 is applied to three points on plane mirror MZ1 provided on the bottom surface of wafer stage WST1. Then, the return lights of the respective measurement beams reflected by the plane mirror MZ 1 return to the inside of the Z-axis interferometer 150 along the same path, are branched inside, are respectively coaxially synthesized with the reference beam, and When the interference light beams are received by different detectors, the position and inclination (rotation amounts in the 0x and 0y directions) of the wafer stage WST1 in the Z-axis direction are measured.
  • an optical system including the Z-axis interferometer 150, the beam splitter 83A, the prism 83B and the like constitutes a position detecting device.
  • three Z-axis interferometers may be provided, or the Z position of only one point of the flat mirror MZ1 may be measured by the Z-axis interferometer.
  • the measured value of the Z-axis interferometer 150 is supplied to the main controller 50.
  • the wafer stage WS T 1 controls the self-weight canceller 7 OA to 7 OC in order to minimize the obstruction of the irradiation of the measurement beam from the Z-axis interferometer 150 to the plane mirror MZ 1.
  • a configuration having only one may be adopted.
  • the height position and rotation of the wafer stage WST 1 can always be measured within the movement range of the wafer stage WST 1. It is desirable to adopt such an arrangement.
  • a flat mirror is also mounted on the bottom surface (surface on the Z side) of the wafer stage WS T2 over the entire area excluding the portion where the self-weight canceller is arranged. At least three points of the flat mirror are attached to the flat mirror.
  • the measurement beam from the Z-axis interferometer is irradiated through a beam splitter prism and the like provided on the stage base SB, and the position and inclination of the wafer stage WS T2 in the Z-axis direction are the same as described above. It is possible to measure the amount of rotation in the direction (0x, 0y direction).
  • the wafer stages WST1 and WST2 are levitated and supported above the support surface SBa by the three dead weight cancellers (70A to 70C), and have their Z position and inclination ( ⁇ x , 0 y-direction) are measured by the Z-axis interferometer.
  • the upper surface SBa of the stage base SB does not need to be a movement reference surface of the wafer stages WS T 1 and WST 2, there is no need to increase the flatness as in the conventional stage surface plate.
  • the processing is easy and the manufacturing cost can be reduced.
  • a pair of alignment systems ALG 1 and ALG2 as off-axis mark detection systems are the same distance from the optical axis AX of the projection optical system PL (substantially coincides with the projection center of the reticle pattern image). It is installed at a remote location.
  • FIA Field Image Alignment
  • FIA Field Image Alignment
  • These alignment systems ALG 1 and ALG 2 are configured to include a light source (eg, a halogen lamp) and an imaging optical system, an index plate on which index marks serving as detection standards are formed, and an imaging device (CCD). ing.
  • a light source eg, a halogen lamp
  • an imaging optical system e.g., an imaging optical system
  • the mark to be detected is illuminated by broadband (broadband) light from the light source, and the reflected light from the vicinity of the mark is reflected by the CCD through the imaging optical system and index.
  • the image of the mark is formed on the imaging surface of the GCD together with the image of the target.
  • predetermined signal processing on the image signal (imaging signal) from the CCD, the position of the mark with respect to the center of the index mark as the detection reference point is measured.
  • Alignment type FIA type alignment sensors such as ALG1 and ALG2 are particularly effective for detecting asymmetric marks on aluminum layers and wafer surfaces.
  • the alignment system ALG1 is formed on an alignment mark on the wafer held on the wafer stage WST1 and a reference mark plate (not shown) fixed on the wafer stage WST1. It is used for measuring the position of the reference mark.
  • the alignment systems A and G2 correspond to an alignment mark on the wafer held on the wafer stage WST2 and a reference mark formed on a reference mark plate (not shown) fixed on the wafer stage WST2. Used for mark position measurement.
  • Image signals from the alignment system ALG1 and ALG2 are AZD converted by an alignment controller (not shown), and the digitized waveform signal is processed to detect the position of the mark with reference to the index center. Is done. The information of this mark position is The data is sent from an alignment control device (not shown) to the main control device 50.
  • the reflecting surface of the moving mirror MY1 on the wafer stage WST1 has a Y-axis passing through the optical axis of the projection optical system PL and the optical axis of the alignment system ALG1,
  • the interferometer beam indicated by the measurement axis BI 1 Y from the Y-axis interferometer 1 16 is illuminated.
  • the reflecting surface of the Y moving mirror MY 2 on the wafer stage WST 2 has a Y axis along the Y axis passing through the optical axis of the projection optical system P and the optical axis of the alignment system A LG 2.
  • the interferometer beam indicated by the measurement axis BI 2 Y from the interferometer 1 18 is illuminated.
  • the Y-axis interferometers 1 16 and 1 18 receive the reflected light from the moving mirrors MY 1 and MY 2, respectively, and measure the relative displacement of the reflecting surface of each moving mirror from the reference position, It measures the position of the wafer stage WS T 1 WST 2 in the Y-axis direction.
  • the Y-axis interferometers 1 16 and 1 18 are three-axis interferometers each having three optical axes, and in addition to the measurement of the wafer stage WS T 1 and 3 2 in the ⁇ axis direction, pitching (Rotation around the X axis (0 X rotation)) and measurement (rotation in the 0 z direction) are possible.
  • the output value of each optical axis can be measured independently.
  • pitching measurement of wafer stages WST 1 and WST 2 can be performed by the above-described Z-axis interferometer, pitching measurement may not necessarily be performed by Y-axis interferometers 1 16 and 1 18.
  • the interferometer beams of the measuring axis BI 1 Y and the measuring axis ⁇ I 2 ⁇ ⁇ always hit the moving mirrors MY 1 and MY 2 over the entire movement range of the wafer stage WS ⁇ 1 and WS ⁇ 2. Therefore, in the Y-axis direction, the wafer stage WS T1 and WS are both used when the projection optical system PL is used for exposure and when the alignment systems A LG 1 and A LG 2 are used.
  • the position of T2 is managed based on the measurement values of the measurement axis BI 1 Y and the measurement axis ⁇ I 2 ⁇ .
  • an X-axis interferometer 146 having a measurement axis ⁇ I 2 X perpendicularly intersecting with the measurement axes B ⁇ 1Y and ⁇ I 2 ⁇ in the optical axis of the projection optical system P, X-axis interferometer 1 44, which has the measuring axes BI 1 X and BI 3 X, respectively, which intersects the measuring axes BI 1 ⁇ and BI 2 ⁇ at the optical axes of the alignment systems A LG 1 and A LG 2 respectively. 1 48 are provided.
  • the measured value of the axis interferometer 1 46 is used, and when measuring the position in the X direction of the wafer stage WS T 1 when the alignment system ALG 1 is used, the measurement axis BI passing through the optical axis of the alignment system A LG 1
  • the measurement value of the X-axis interferometer 144 having 1 X is used, and the optical axis of the alignment system A LG 2 is used to measure the X direction position of the wafer stage WS T 2 when the alignment system A LG 2 is used.
  • the measurement of the X-axis interferometer 148 with the passing length measurement axis BI 3 X is used.
  • the XY of the wafer stage WS T WS T 2 is controlled by a total of five interferometers of the Y-axis interferometers 116 and 118 and the X-axis interferometers 144, 146 and 148.
  • a wafer interferometer system that manages two-dimensional coordinate positions is configured.
  • the distance between the measurement beams of the X-axis interferometers 144, 146, and 148 is larger than the length of the moving mirrors MX 1 and MX 2 in the longitudinal direction. Will be off the reflecting surfaces of wafer stages WST 1 and WST 2. That is, when moving from the alignment position to the exposure position, or from the exposure position to the wafer exchange position, the interferometer beam in the X-axis direction does not hit the moving mirror of the wafer stages WS T 1 and WS T 2. A state occurs, and it is necessary to switch the interferometer used for control. In consideration of such a point, a linear encoder (not shown) for measuring the positions of the wafer stages WST 1 and WST 2 in the X-axis direction is provided.
  • the main controller 50 moves the wafer stages WST 1 and WST 2 from the above-described alignment position to the exposure position, or from the exposure position to the wafer exchange position, and so forth. Based on the Y position information of the wafer stages WST 1 and WST 2 measured by the interferometer and the X position information of the wafer stages WST 1 and WST 2 measured by the linear encoder, the wafer stages WST 1 and ⁇ ⁇ 5 Controls the movement of 2 ⁇ position and X position.
  • main controller 50 when the interferometer beam from the X-axis interferometer of the measurement axis, which had not been used for control, hits the moving mirrors of wafer stages WST1 and WST2 again, Resets (or presets) the X-axis interferometer, and thereafter controls the movement of wafer stages WST 1 and WST 2 based only on the measured values of the X-axis and Y-axis interferometers that make up the interferometer system I do.
  • the X-axis interferometers 144, 146, and 148 are two-axis interferometers each having two optical axes.
  • Rolling rotation around Y axis (0 y rotation)
  • the output value of each optical axis can be measured independently.
  • rolling measurement may not always be possible, but a configuration in which the measurement beam from the Z-axis interferometer may not be irradiated on at least one of the three points may occur. In such a case, it is desirable that rolling measurement can be performed. This is the same for the pitching measurement described above.
  • Main controller 50 controls wafer stages WST 1 and WST 2 independently via drive devices DA and DB and Y-axis linear motors LY 1 to LY 4 based on the output values of each interferometer. .
  • a reticle mark on the reticle R and a reference (not shown) on the wafer stages WST 1 and WST 2 are provided above the reticle R via the projection optical system PL.
  • a reticle alignment system of the TR (Through The Reticle) system using the exposure wavelength is provided.
  • the detection signals of these reticle alignment systems are sent to the main controller via an alignment controller (not shown).
  • the reticle alignment system is described in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-176468 and US Patent No. 5,646,413 corresponding thereto. To the extent permitted by the national laws of the designated State designated in this International Application or of the selected elected State, a part of the description of this specification is incorporated by reference to the disclosures in the above-mentioned publications and corresponding US patents. And
  • each of the projection optical system PL and the alignment systems ALG1 and ALG2 has an autofocus auto-leveling measurement mechanism (hereinafter referred to as an “AF”) for checking a focus position. / AL system ”).
  • AF autofocus auto-leveling measurement mechanism
  • the configuration of the exposure apparatus in which the AF / AL system is provided for each of the projection optical system PL and the pair of alignment systems A LG 1 and A LG 2 is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. U.S. Pat.No. 6,341,00F corresponding to U.S. Patent No. 6,341,00, and the disclosure in the above U.S. Patent is incorporated by reference as far as the designated countries designated in this international application or the national laws of the selected elected countries permit. As part of the description in this specification.
  • the wafer stage WST 1 while the wafer stage WST 1 is performing the exposure operation immediately below the projection optical system PL, the wafer exchange is performed on the wafer stage WST 2 side.
  • the wafer alignment operation immediately below the alignment system ALG 2 is performed (states in Figs. 1 and 2).
  • the wafer stage WST2 while the wafer stage WST2 performs an exposure operation immediately below the projection optical system P, the wafer stage WST1 performs wafer exchange and a wafer alignment operation immediately below the alignment system ALG1. Is That is, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the resilience throughput is improved by performing the parallel processing operation on the wafer stages WST1 and WST2 in this manner.
  • the position of the wafer in the Z-axis direction is measured via the Z-axis interferometer 150, and according to the measurement result, the main controller 50 sets the wafer stage WST 1 (or WST 2) is driven via the drive DA (or DB).
  • the position of the wafer in the Z direction may be measured using the AF / AL system.
  • the Z position of the wafer may be measured simultaneously by the Z-axis interferometer 150 and the AFZAL system, and the position of the wafer stage in the Z-axis direction may be controlled based on both measurement results.
  • a wafer loader (not shown) unloads an exposed wafer placed on wafer stage WS T1 (or wafer stage WS T2) and loads a new wafer.
  • step-to-shot step for moving wafer stage WS T1 (or wafer stage WS T2) to an acceleration start position for exposure of each shot area on wafer W1 (or wafer W2).
  • a step-and-scan exposure operation is performed in which the operation and the exposure operation for transferring the pattern of the reticle R to the shot area to be exposed by the above-described scanning exposure are repeated. Note that this exposure operation is performed in the same manner as in a normal scanning step, and a detailed description thereof will be omitted.
  • main controller 50 sets wafer stage WST 1 (or While driving WS T 2) in the Y-axis direction (scanning direction) via a pair of ⁇ -axis linear motors L ⁇ 1 and L ⁇ 2 (or LY3, LY4) for a long stroke, drive device D ⁇ (or DB)
  • the wafer stage WST 1 (or WST 2) is minutely driven in the direction of 6 degrees of freedom via the.
  • the wafer stage is finely driven by the Y-axis fine movement motors VY1 and VY2 so as to absorb a synchronization error between the wafer stage and the reticle stage RST by driving a pair of Y-axis linear motors. can do.
  • the movers 44A to 44F provided on the wafer stage WS T1 (or WS T 2) are arranged along the X-axis direction.
  • the driving device DA (or DB) having the fixed stators 46A to 46F applies a parallel driving force to the wafer stage WST1 (or WST2) on the XY plane, and the wafer stage WST1 (or WST 2) is a two-dimensional plane (XY plane) perpendicular to the direction of gravity (Z-axis direction), inward (X-axis, Y-axis and 02 directions), tilt direction to XY plane (0x, 0y directions) , And drive in the Z-axis direction.
  • a stage having a complicated structure having a movable body movable in a two-dimensional plane and a table movable in the tilt direction on the movable body is not required.
  • the wafer stage, and thus the wafer held on the wafer stage can be moved in the above six degrees of freedom.
  • the wafer stage can be manufactured as a single body, the structure of the wafer stage can be simplified, and the above-mentioned problem caused by the combination of the two-dimensional movement stage and the table, which has been a problem in the past, is considered.
  • the wafer stage since the wafer stage has a box shape, high rigidity of the wafer stage can be realized. (4) It is possible to drive the wafer stage stably. That is, highly accurate positioning of the wafer can be realized.
  • the cylinder stage 170A and the cylinder stage 170A which are inserted into the cylinder unit 170A and move relative to the cylinder unit, are mounted on the wafer stages WS T1 and WS T2 which can hold the wafer and move in the XY plane.
  • a movable piston part 170B, and a self-weight canceller for supporting the self-weight of the wafer stage above the stage base SB by the positive pressure of the gas inside the cylinder part which urges the piston part downward in the direction of gravity. Since 70 A to 70 C is provided, the conventional wafer stage is supported in the Z-axis direction by supporting the own weight of the wafer stages WS T 1 and WS T 2 by positive gas pressure.
  • the rigidity can be reduced as compared with the air bearing mechanism that has been used. As a result, transmission of vibrations of the stage base SB to the wafer stages WS T1 and WS T2 can be suppressed as much as possible, and from this point, it is possible to realize highly accurate position control of the stage. Become.
  • the heights of the wafer stages WS T 1 and WS T 2 are measured.
  • the position can always be detected.
  • the Z-axis interferometer is placed in a space under the wafer stage where the gas environment is stable.
  • the self-weight cancellers 70A to 70C have thrust bearings that form a predetermined clearance between the stage base SB and the upper surface (support surface) of the stage base SB. It is possible to support the wafer stages WS T 1 and WS T 2.
  • a thrust bearing is formed by a groove (gas outlet) 74b formed on the surface of the piston portion 170B on the side facing the upper surface of the stage base SB, and a piston portion 170B.
  • a supply passage 74a that communicates the groove 7b with the positive pressure space inside the cylinder 17OA, so that a bearing mechanism that requires piping etc. must be provided separately. Therefore, non-contact between the self-weight canceller and the stage base can be realized.
  • the self-weight cancellers 70A to 70C have radial bearings that form a predetermined clearance between the inner peripheral surface of the cylinder portion 170A and the outer peripheral surface of one piston portion 0B.
  • the radial bearing is provided with a gas outlet (restricted hole) 78 formed on the outer peripheral surface of the piston 170B and a gas outlet (restricted hole) formed on the piston 170B.
  • (Aperture) 78 and the air supply passage (vent pipe) 76a-76d that connects the cylinder 17 OA with the positive pressure space inside the OA require separate piping, etc. Since there is no need to provide a bearing mechanism for performing the operation, there is no danger of dragging the piping, and it is possible to control the drive of the wafer stage with high accuracy.
  • the self-weight cancellers are provided at three locations that are not on a straight line, it is possible to stably support the wafer stage in the Z-axis direction.
  • the exposure apparatus 10 of the present embodiment since the stage apparatus 20 capable of high-accuracy position control is provided, it is possible to transfer the pattern formed on the reticle onto the wafer with high accuracy. Is possible. Further, in this embodiment, since two wafer stages WST1 and WST2 are provided, the exposure operation, the alignment operation, and the like can be performed in parallel on the two wafer stages. Can be improved.
  • the wafer stages WST 1 and WST 2 are driven in six degrees of freedom.
  • the present invention is not limited to this, and the stage device of the present invention Move the object held on the stage in at least one degree of freedom in the two-dimensional plane direction and the tilt direction with respect to the two-dimensional plane. It is only necessary to be able to drive in the degree direction or two degrees of freedom direction.
  • the wafer stage of the present invention is employed in a twin stage type stage apparatus having two wafer stages.
  • the present invention is not limited to this. It can also be applied to a single-stage type wafer stage device provided. Also, a multi-type wafer stage device having three or more wafer stages can be employed.
  • the alignment system can be improved. It can be one.
  • the position of the wafer stage in the Z-axis direction is measured using the Z-axis interferometer, but the present invention is not limited to this, and without providing a Z-axis interferometer,
  • the position of the wafer stage in the Z-axis direction may be measured using an AF mechanism.
  • the wafer stage is described as having a box shape.
  • the present invention is not limited to this, and corresponds to a plurality of stators arranged along a predetermined uniaxial direction.
  • the wafer stage may have any shape as long as the mover of each motor described above can be provided on the wafer stage side.
  • the case where the stage base SB is supported substantially horizontally on the floor via the vibration isolating unit (not shown) has been described, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG.
  • the stators 64 A of the Y-axis linear motors LY 1 and LY 3 and the stators 64 B of the Y-axis linear motors LY 2 and LY 4 are fixed to the stage base SB.
  • a plurality of air pads AP are provided on the bottom surface of the stage base SB, and these air pad APs make the above-mentioned components above the stage base SB non-contact above the upper surface of another stage base 45. May be used for floating support.
  • the stage base SB necessarily has a large mass (weight), so it is not necessary to secure a very large movement stroke of the stage base SB.
  • a drive mechanism (trim motor) that can drive the stage base SB in the XY plane may be provided. In such a case, the trim base motor can return the position of the stage base SB to a predetermined position when the exposure is not affected.
  • the configuration in which the wafer stage is provided with the self-weight canceller is adopted.
  • the present invention is not limited to this, and the wafer is driven by the Z-axis fine movement motor VZ that generates driving force in the Z-axis direction.
  • VZ Z-axis fine movement motor
  • a configuration that supports the stage's own weight may be employed.
  • FIG. 10 shows an example in which the stage device of the present invention is applied to a reticle drive system.
  • the reticle-side stage device 101 shown in FIG. 10 includes a reticle stage RST ′ as a substantially flat stage holding a reticle R and a reticle stage RST ′ having a long stroke in the Y-axis direction. And a driving device that minutely drives in the X-axis direction, the Z-axis direction, and the 0 °, ⁇ y0z directions.
  • the driving device 'and the Y-axis direction of the driving force Ru reacted Y-axis linear motor 1 03 ⁇ 1 03 4, a reticle stage RS T' reticle stage R ST applies a drive force in the X axis direction with respect to an X-axis fine movement motor 1 05, and a Z-axis fine driving motor 1 07 1 07 2 which applies a drive force in the Z axis direction with respect to the reticle stage R ST '.
  • the Y-axis linear motor 103i comprises a magnetic pole unit 113A embedded in a reticle stage RST 'and an armature unit 113B disposed opposite to the magnetic pole unit 113A. Electromagnetic interaction between the alternating magnetic field in the Y-axis direction formed by the pole unit 113A and the current flowing through the armature coils provided in the armature unit 113B As a result, a driving force in the Y-axis direction is generated.
  • the other Y-axis linear motors 1032 to 1034 are similarly configured.
  • the X-axis fine movement motor 105 is constituted by a voice coil motor, and is provided at one end on the X side of the reticle stage RST 'with a permanent magnet 115A having a longitudinal direction in the Y-axis direction, and a platen.
  • An armature unit 115B is provided on 99 via a mounting member 97, and has a U-shaped XZ section with the Y-axis direction as a longitudinal direction.
  • An armature coil is provided in the armature unit 115B so that a current flows in the magnetic field formed by the permanent magnets 115A in the Y-axis direction.
  • An electromagnetic interaction between the current and the magnetic field in the Z-axis direction by the permanent magnet generates a driving force in the X-axis direction acting on the reticle stage RST '.
  • the Z-axis drive motor 107 071072 is also constituted by a voice coil motor, and has a permanent magnet provided on the lower end surface of the reticle stage RST 'and A magnetic pole unit having a U-shaped cross section is provided. As a result, a driving force in the Z-axis direction acts on the reticle stage RST '.
  • the reticle stage RS T ' Linear motors but X, Y, be driven ⁇ axially course, the linear motor 1 03Iota located above of the ⁇ -shaft linear motors 1 03 ⁇ ⁇ 1 03 4, you located 1 03 3 and the lower
  • reticle stage RST ' can be finely driven in the rotation direction (pitching direction) around the X axis, and is located one X side from reticle R.
  • Rotating reticle stage RST 'around ⁇ axis by making the driving force of linear motors 103 03 and 103 2 different from those of linear motors 103 3 and 1303 located on the + ⁇ side of reticle R. It is possible to finely drive in the (handing direction). Furthermore, the reticle stage RST 'can be minutely driven in the rotation direction (rolling direction) around the ⁇ axis by making the driving forces of the two ⁇ axis drive motors 107 1 07 2 different.
  • the reticle-side stage device it is possible to drive the reticle stage RST 'in six degrees of freedom without using a reticle stage having a coarse / fine movement structure. As a result, highly accurate position control of the reticle can be performed, and the size and weight of the reticle stage can be reduced.
  • a pair of X-axis fine movement motors arranged in upper and lower two stages may be employed instead of X-axis fine movement motor 105.
  • the driving force in the X-axis direction generated by the pair of X-axis fine movement motors is made different, whereby the reticle stage RST 'can be minutely driven in the rotation direction (rolling direction) around the ⁇ axis. It becomes possible.
  • the exposure apparatus 10 of the above-described embodiment is equivalent.
  • the exposure accuracy can be improved by improving the position controllability of the reticle R, and by improving the synchronization accuracy between the reticle and the wafer.
  • the stage device of the present invention may be applied only to the reticle drive system.
  • the stator of the Y-axis linear motor that drives reticle stage RST 'in the Y-axis direction is a rectangular frame-shaped member that is levitated and supported on platen 99 around the reticle stage.
  • the present invention is applied to a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method.
  • a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method
  • the scope of the present invention is not limited to this. That is, the present invention can be suitably applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus, a step-and-stick type projection exposure apparatus, and the like.
  • far ultraviolet light such as K r F excimer laser light as illumination light IL, F 2 laser, A r F vacuum ultraviolet light such as an excimer laser, or bright lines in the ultraviolet region from an ultra high pressure mercury lamp (G-line, i-line, etc.) is used, but other vacuum ultraviolet light such as At- 2 laser light (wavelength: 126 nm) may be used.
  • vacuum ultraviolet light wavelength: 126 nm
  • a harmonic wave amplified by a fiber amplifier doped with (E r) (or both erbium and ytterbium (Y b)) and wavelength-converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.
  • an exposure apparatus that uses EUV light, X-ray, or a charged particle beam such as an electron beam or an ion beam as the illumination light IL an exposure apparatus that does not use a projection optical system, such as a proximity type exposure apparatus, a mirror projection aligner, and the like.
  • the present invention may be applied to an immersion type exposure apparatus or the like disclosed in International Publication No. W099Z4955, in which a liquid is filled between a projection optical system PL and a wafer.
  • the exposure apparatus may be a scanning exposure system using a catadioptric projection optical system or a static exposure system using a projection optical system with a projection magnification of 18.
  • the illumination optical system and projection optical system composed of multiple lenses are incorporated into the exposure apparatus main body to perform optical adjustment, and a reticle stage consisting of many mechanical parts and a wafer stage are attached to the exposure apparatus main body for wiring and wiring.
  • the exposure apparatus of the above embodiment can be manufactured by connecting pipes and performing overall adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, etc.). It is desirable to manufacture the exposure equipment in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.
  • the present invention is not limited to an exposure apparatus for manufacturing semiconductors, but is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element and the like, and is used for manufacturing a thin film magnetic head for exposing a device pattern onto a glass plate.
  • the present invention can be applied to an exposure apparatus for transferring a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus used for manufacturing an imaging device (CCD, etc.), a micromachine, an organic E / DNA chip, and the like.
  • an imaging device CCD, etc.
  • micromachine a micromachine
  • organic E / DNA chip and the like.
  • micro devices such as semiconductor Hatako, glass substrates or silicon wafers for manufacturing reticles or masks used in light exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a substrate.
  • a transmissive reticle is generally used in an exposure apparatus that uses DUV (far ultraviolet) light or VUV (vacuum ultraviolet) light, and the reticle substrate is quartz glass, fluorine-doped quartz glass, or fluorite. , Magnesium fluoride, quartz, or the like is used.
  • a transmission type mask stencil mask, membrane mask
  • a silicon wafer is used as a mask substrate.
  • the steps to perform device function / performance design A step of manufacturing a reticle based on a step; a step of manufacturing a wafer from a silicon material; a step of transferring a reticle pattern onto the wafer by the above-described method using the exposure apparatus of the above-described embodiment (exposure step); It is manufactured through assembly steps (including dicing, bonding, and packaging processes) and inspection steps.
  • the exposure apparatus and the exposure method of the above embodiment are used in the exposure step, the pattern of the reticle can be transferred onto the wafer with high accuracy, and as a result, a device with a high degree of integration can be produced. (Including yield) can be improved.
  • the stage device of the present invention is suitable for an object positioning stage. Further, the exposure apparatus of the present invention is suitable for transferring a pattern onto a photosensitive object. Increasingly, the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing micro devices.

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Abstract

 ステージ(WST1)に接続された複数の可動子(44A~44F)と所定の一軸方向に沿って配設された複数の固定子(46A~46F)とを有する駆動装置(DA)により、ステージに2次元面に平行な駆動力を作用させて、ステージを2次元面内方向及び該2次元面に対する傾斜方向に駆動する。これにより、従来のように、2次元移動ステージと、該ステージ上で前記傾斜方向に移動可能なテーブルとを有する構成を採用しなくとも、ステージを2次元面内方向及び傾斜方向に移動することができるので、ステージを簡素な一体物で構成することができる。従って、2次元移動ステージとテーブルとの組み合わせに起因するテーブルの位置制御性の低下現象と同様の要因によりステージの位置制御性が低下するおそれがない。

Description

明 細 書
ステージ装置及び露光装置、 並びにデバイス製造方法 技術分野
本発明は、 ステージ装置及び露光装置に係り、 更に詳しくは、 物体を保持し て移動するステージを備えるステージ装置及び該ステージ装置を備える露光装 置、 並びに該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。 背景技術
半導体素子、 液晶表示素子等を製造するためのリソグラフイエ程では、 マス ク又はレチクル (以下 rレチクル」 と総称する) に形成されたパターンを投影 光学系を介してレジスト等が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の感光物 体 (以下、 「ウェハ」 と総称する) 上に転写するステップ'アンド ' リピート方 式の縮小投影露光装置 (いわゆるステツパ) や、 このステツバに改良を加えた ステップ。アンド■スキャン方式の走査型投影露光装置 (いわゆるスキヤニン グ -ステツパ) などが主として用いられている。
ステツパなどの投影露光装置では、 被露光物体であるウェハを保持するテー ブルと、 該テーブルを保持して 2次元移動するステージと、 このステージを駆 動する駆動機構とを備えたステージ装置が用いられている。 近年、 ステージ装 置としては、 リニアモータを駆動源とするリニアモータ方式のステージ装置が 主流となっている。 このリニアモータ方式のステージ装置としては、 ステージ を第 1軸方向に駆動する第 1軸リニァモータと、 該第 1軸リニァモータとステ 一ジとを一体的に、 第 1軸に直交する第 2軸方向に駆動する一対の第 2軸リニ ァモータとを備えた、 2軸駆動リニァモータ方式のステージ装置が比較的多く 用いられている。 この種のステージ装置では、 例えば国際公開第 0 2 Z O 8 0 1 8 5号パンフ レットなどに開示されるように、 テーブルはステージに対し、 例えば 3つのポ イスコイルモータあるいは 3つの E Iコア等の微動機構を介して接続されてお リ、 該微動機構によりテーブルがステージ上で第 1軸回りの回転方向、 第 2軸 回りの回転方向及び第 1軸、 第 2軸それぞれに直交する第 3軸方向への微動が 可能とされている。 これら微動機構と前記リニァモータとによりテーブルの 6 自由度方向への駆動が実現されている。
上記国際公開第 0 2 0 8 0 1 8 5号パンフレツ卜に記載のステージ装置で は、 ステージを移動基準面に対して非接触で支持するため、 ステージと移動基 準面との間に所定のクリアランスを形成するエアパッドを備えている。 しかし ながら、 このエアパッドは高剛性であるため、 図 1 1 Aに示されるように、 移 動基準面 B Sの凹凸に応じて、ステージ S Tが傾斜する(ピッチング振動する) 場合があり、 このような場合に、 ステージの傾斜に起因してテーブル T Bがス ライドする (シフト振動する) おそれがあった。
また、 テーブル T Bとステージ S Tとの間を板ばねで結合する場合には、 板 ばねによる結合部分が高剛性であることに起因して、 図 1 1 Bに示されるよう に、 テーブルにシフト振動が生じるおそれがあった。
更には、 図 1 1 Cに示されるように、 ボイスコイルモータ又は E Iコア等を 用いたテーブルのレべリング制御において、 テーブルにシフト外乱が生じるお それもあった。
上記のテーブルのシフト振動ゃシフト外乱などは、 テーブルが板状であるこ とに起因する、 固有振動数や剛性等の影響がステージの制御への悪影響として 現れた結果と考えられる。 発明の開示
本発明は、 上述した事情の下になされたもので、 第 1の観点からすると、 物 体を保持し、 少なくとも重力方向に直交する 2次元面の面内方向及び該 2次元 面に対する傾斜方向に移動可能なステージと ;前記ステージに接続された複数 の可動子と、 前記 2次元面内の所定の一軸方向に沿って配設された複数の固定 子とを有し、 前記 2次元面に平行な方向の駆動力によリ前記ステージを駆動す る駆動装置と ; を備える第 1のステージ装置である。
これによれば、 ステージに接続された複数の可動子と所定の一軸方向に沿つ て配設された複数の固定子とを有する駆動装置により、 ステージに 2次元面に 平行な駆動力を作用させて、 ステージを少なくとも重力方向に直交する 2次元 面の面内方向及び該 2次元面に対する傾斜方向に駆動する。 このようにするこ とで、 従来のように、 2次元面内で移動可能な移動体と、 該移動体上で前記傾 斜方向に移動可能なテーブルとを有する複雑な構造のステージを採用しなくと も、 ステージ、 ひいては該ステージに保持された物体を、 2次元面の面内方向 の少なくとも 1 自由度方向及び 2次元面に対する傾斜方向 (1 自由度方向又は 2自由度方向) に移動させることが可能となる。 この場合、 ステージを一体物 で製作することができるので、 ステージの構造を簡素化することができるとと もに、 従来問題となっていた 2次元移動ステージとテーブルとの組み合わせに 起因する前述のテーブルの位置制御性の低下現象と同様の要因によるステージ の位置制御性の低下が生じるおそれが全く無い。 従って、 シンプルな構造で、 ステージに保持される物体の高精度な位置制御を実現することが可能となる。 この場合において、 前記駆動装置は、 前記ステージを前記 2次元面内の回転 方向にも駆動することとすることができる。 かかる場合には、 最大 5自由度方 向にステージを駆動することが可能となる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記駆動装置は、 前記ステージを前記重 力方向にも駆動することとすることができる。
この場合において、 前記ステージを前記重力方向に駆動する固定子は、 前記 ステージを前記 2次元面の面内方向に駆動する複数の固定子の間に配設されて いることとすることができる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記駆動装置は、 前記ステージを前記 2 次元面内の 3自由度方向、及び前記 2次元面に対する傾斜方向の 2自由度方向、 並びに前記重力方向の 6自由度方向に駆動することとすることができる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記ステージは、 箱状の形状を有するこ ととすることができる。 かかる場合には、 板状のステージに比べての高い剛性 を確保することができる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記ステージの底部に設けられたシリン ダ部と、 該シリンダ部の内部に挿入され該シリンダ部に対して相対移動可能な ビストン部とを有し、 前記ビストン部を重力方向下方に付勢する前記シリンダ 部内部の気体の陽圧によリ、 前記ステージの自重を所定の支持面の上方で支持 する自重支持機構を更に備えることとすることができる。
この場合において、 前記自重支持機構の近傍に配置され、 前記ステージの位 置を検出する位置検出装置を更に備えることとすることができる。
本発明は、 第 2の観点からすると、 物体を保持して、 重力方向に直交する面 内を移動可能なステージと ;前記ステージに設けられたシリンダ部と、 該シリ ンダ部の内部に挿入され該シリンダ部に対して相対移動可能なピストン部とを 有し、 前記ビストン部を重力方向下方に付勢する前記シリンダ部内部の気体の 陽圧により、 前記ステージの自重を所定の支持面の上方で支持する自重支持機 構と ; を備える第 2のステージ装置である。
これによれば、 物体を保持して重力方向に直交する面内を移動可能なステー ジに、 シリンダ部と、 該シリンダ部の内部に挿入され該シリンダ部に対して相 対移動可能なビストン部とを有し、 ビストン部を重力方向下方に付勢する前記 シリンダ部内部の気体の陽圧によリ、 ステージの自重を所定の支持面の上方で 支持する自重支持機構が設けられている。 したがって、 自重支持機構により、 ステージの自重を気体の陽圧により支持することから、 従来のエアべァリング に比べ剛性を低くすることができる。 これにより、 支持面が形成された支持部 材 (ステージベース) の振動等がステージに伝達するのが極力抑制され、 結果 的にステージ、 ひいては該ステージに保持される物体の高精度な位置制御を実 現することが可能となる。
本発明の第 1、 第 2のステージ装置のそれぞれでは、 前記自重支持機構は、 前記支持面との間に所定のクリアランスを形成する第 1の軸受機構を有するこ ととすることができる。
この場合において、 前記第 1の軸受機構は、 前記ピストン部の前記支持面に 対向する側の面に形成された気体噴出口と、 前記ピストン部に形成され、 前記 気体噴出口と前記シリンダの内部の陽圧空間とを連通させる給気通路と、 を含 むこととすることができる。
本発明の第 1、 第 2のステージ装置のそれぞれでは、 前記自重支持機構は、 前記第 1の軸受機構を有する場合に、 前記シリンダ部の内周面と前記ピストン 部の外周面との間に所定のクリアランスを形成する第 2の軸受機構を更に有す ることとすることができる。
この場合において、 前記第 2の軸受機構は、 前記ピストン部の外周面に形成 された気体噴出口と、 前記ピストン部に形成され、 前記気体噴出口と前記シリ ンダの内部の陽圧空間とを連通させる給気通路と、 を含むこととすることがで ぎる。
本発明の第 1、 第 2のステージ装置のそれぞれでは、 前記自重支持機構は、 一直線上にない少なくとも 3箇所に設けられていることとすることができる。 本発明の第 1、 第 2のステージ装置のそれぞれでは、 前記支持面が形成され たステージベースを更に備えることとすることができる。
この場合において、 前記ステージベースは、 前記ステージの前記 2次元面内 方向の移動の際に、 その移動を生じさせる駆動力の反力の作用によって運動量 保存則に従って移動可能に構成されていることとすることができる。 この場合において、 前記ステージベースを前記 2次元面内で駆動する駆動機 構を更に備えることとすることができる。
本発明の第 1、 第 2のステージ装置のそれぞれでは、 前記ステージに設けら れた反射面に測長ビームを照射し、 該測長ビームの前記反射面での反射光を受 光して、 前記ステージの重力方向の位置を計測する光波干渉式測長器を、 更に 備えることとすることができる。
本発明は、 第 3の観点からすると、 物体をそれぞれ保持する複数のステージ と ;前記各ステージを、 少なくとも重力方向に直交する 2次元面内方向及び該 2次元面に対する傾斜方向に、 前記 2次元面に平行な方向の駆動力を用いて個 別に駆動する駆動システムと ; を備える第 3のステージ装置である。
これによれば、 駆動システムは、 物体をそれぞれ保持する複数のステージを 少なくとも重力方向に直交する 2次元面内方向及ぴ該 2次元面に対する傾斜方 向に、 前記 2次元面に平行な方向の駆動力を用いて個別に駆動するので、 一体 物のステージを各ステージとして採用することが可能となる。 従って、 前述と 同様に、 各ステージに保持された物体の高精度な位置制御を実現することが可 能となる。 また、 ステージを複数備えているので 複数ステージを用いた並行 処理によリスループッ卜の向上も期待される。
本発明は、 第 4の観点からすると、 エネルギビームによりマスクを照明し、 前記マスクに形成されたパターンを感光物体に転写する露光装置であって、 前 記マスクと前記感光物体との少なくとも一方の駆動系として、 本発明の第 1〜 第 3のステージ装置のいずれかを具備することを特徴とする露光装置である。 これによれば、 位置制御性の高い本発明の第 1〜第 3のステージ装置のいず れかを、 前記マスクと前記感光物体との少なくとも一方の駆動系として具備す るので、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写することが可 能となる。
また、 リソグラフイエ程において、 本発明の露光装置を用いて露光を行うこ とにより、感光物体上にパターンを精度良く形成することができ、これにより、 よリ高集積度のマイク口デバイスを歩留まり良く製造することができる。 従つ て、 本発明の更に別の観点からは、 本発明の露光装置を用いるデバイス製造方 法であるとも言える。 図面の簡単な説明
図 1は、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図 2は、 図 1のステージ装置の構成を示す斜視図である。
図 3 Aは、 ウェハステージ WS T 1及び駆動装置を取り出して示す斜視図で あり、 図 3 Bは、 ウェハステージ W S T 1を取り出して示す斜視図である。 図 4 Aは、 ウェハステージを下面側から見た状態を示す斜視図であり 図 4 Bは、 図 4 Aの平面ミラーを取り外した状態を示す斜視図である。
図 5は、 自重キャンセラの内部構成を示す断面図である。
図 6は、 自重キャンセラを縦断面して示す斜視図である。
図 7は、 自重キャンセラの作用を説明するための図である。
図 8は Z軸干渉計を説明するための図である。
図 9は、 変形例を説明するための図である。
図 1 0は、 本発明のステージ装置をレチクルの駆動系に採用した場合の一例 を示す図である。
図 1 1 A〜図 1 1 Cは、 背景技術を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の一実施形態を図 1〜図 8に基づいて説明する。 図 1には、 一実施形 態の露光装置 1 0が概略的に示されている。
この露光装置 1 0は、 マスクとしてのレチクル Rと物体 (及び感光物体) と してのウェハ W 1 (又は W 2 ) とを一次元方向 (ここでは、 図 1における紙面 内左右方向である Y軸方向とする) に同期移動しつつ、 レチクル Rに形成され た回路パターンを投影光学系 P Lを介してウェハ W1 (又は W2) 上の複数の ショッ卜領域にそれぞれ転写する、 ステップ■アンド■スキャン方式の走査型 露光装置、 すなわちいわゆるスキャニング■ステツパである。
露光装置 1 0は、 エネルギビームとしての照明光 I しによリレチクル Rを照 明する照明系 1 2、 レチクル Rが載置されるマスクステージとしてのレチクル ステージ RST、 レチクル Rから射出される照明光 I Lをウェハ W1 (又は W 2) 上に投射する投影光学系 P L、 ウェハ W1 (又は W2) が載置されるステ ージ装置 20、 及びこれらの制御系等を備えている。
前記照明系 1 2は、 光源、 及び照明光学系を含み、 その内部に配置された視 野絞り (マスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる) で規定さ れる矩形又は円弧状の照明領域 I A Rに照明光 I Lを照射し、 回路パターンが 形成されたレチクル Rを均一な照度で照明する。照明系 1 2と同様の照明系は、 例えば特開平 6— 349701号公報及びこれに対応する米国特許第 5 , 53 4, 970号などに開示されている。 本国際出願で指定した指定国又は選択し た選択国の国内法令が許す限りにおいて、 上記公報及びこれに対応する米国特 許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
ここで、 照明光 I しとしては、 K r Fエキシマレ一ザ光 (波長 248 nm)、 A r Fエキシマレーザ光 (波長 1 93 nm) などの遠紫外光、 あるいは F2 レ 一ザ光 (波長 1 57 nm) などの真空紫外光などが用いられる。 照明光 I しと して、 超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線 (g線、 ί線等) を用いることも 可肯 である。
前記レチクルステージ RS Τ上には、 レチクル Rが、 例えば真空吸着により 固定されている。 レチクルステージ RS Τは、 レチクルステージ駆動部 22に よって、 照明系 1 2の光軸 (投影光学系 P Lの光軸 ΑΧに一致) に垂直な ΧΥ 平面内で X軸方向、 Υ軸方向及び 0 ζ方向 (Ζ軸回りの回転方向) に微少駆動 可能であるとともに、 不図示のレチクルステージベースの上面に沿って所定の 走査方向 (Y軸方向) に指定された走査速度で駆動可能となっている。 なお、 レチクルステージ駆動部 2 2は、 リニアモータ、 ボイスコイルモータ等を駆動 源とする機構であるが、 図 1では図示の便宜上から単なるブロックとして示さ れている。 なお、 レチクルステージ R S丁としては、 Y軸方向に一次元駆動す る粗動ステージと、 該粗動ステージに対してレチクル Rを少なくとも 3自由度 方向 (X軸方向、 Y軸方向、 及び 0 z方向) に微小駆動可能な微動ステージと を有する粗微動構造のステージを採用しても勿論良い。
レチクルステージ R S Tの X Y面内の位置 ( Θ z回転を含む) は、 レチクル レーザ干渉計 (以下、 Γレチクル干渉計」 という) 1 6によって、 レチクルステ ージ R S T端部に形成された (又は設けられた) 反射面を介して、 例えば 0 . 5〜 1 n m程度の分解能で常時檎出される。 レチクル干渉計 1 6からのレチク ルステージ R S Tの位置情報 (0 z回転量 (ョーイング量) などの回転情報を 含む) は主制御装置 5 0に供給される。 主制御装置 5 0では、 レチクルステー ジ R S Tの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部 2 2を介してレチクル ステージ R S Tを駆動制御する。
前記投影光学系 P Lとしては、 物体面側 (レチクル側) と像面側 (ウェハ側) の両方がテレセントリックでその投影倍率が 1 / 4 (又は 1 / 5 ) の縮小系が 用いられている。 このため、 レチクル Rに照明系 1 2から照明光 (紫外パルス 光) I Lが照射されると、 レチクル R上に形成された回路パターン領域のうち の紫外パルス光によって照明された部分からの結像光束が投影光学系 P Lに入 射し、 その照明光 I Lの照射領域 (前述の照明領域 I A R ) 内の回路パターン の像 (部分倒立像) が紫外パルス光の各パルス照射の度に投影光学系 P Lの像 面側の視野の中央に X軸方向に細長いスリツト状(又は矩形状 (多角形)) に制 限されて結像される。 これにより、 投影された回路パターンの部分倒立像は、 投影光学系 P Lの結像面に配置されたウェハ W 1又は W 2上の複数のショット 領域のうちの 1つのショッ卜領域表面のレジス卜層に縮小転写される。
投影光学系 P Lとしては、 照明光 I Lとして K r Fエキシマレーザ光又は A r Fエキシマレーザ光などを用いる場合には、 屈折光学素子 (レンズ素子) の みから成る屈折系が主として用いられるが、 照明光 I Lとして F2 レーザ光を 用いる場合には、 例えば特開平 3— 2 8 2 5 2 7号公報及びこれに対応する米 国特許第 5 , 2 2 0 , 4 5 4号などに開示されるような、 屈折光学素子と反射 光学素子 (凹面鏡やビームスプリッタ等) とを組み合わせたいわゆるカタディ ォプトリック系(反射屈折系)、あるいは反射光学素子のみから成る反射系が主 として用いられる。 なお、 本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の 国内法令が許す限りにおいて、 上記公報及びこれに対応する米国特許における 開示を援用して本明細書の記載の一部とする。 但し、 F 2 レーザ光を用いる場 合に、 屈折系を用いることは可能である。
前記ステージ装置 2 0は 投影光学系 P Lの図 1における下方に配置され、 ウェハ W 1、 W 2をそれぞれ保持するステージとしてのウェハステージ W S T 1、 W S T 2と、 ウェハステージ WS T 1 , W S T 2を、 X軸 (第 1軸) 方向、 Y軸 (第 2軸) 方向、 Z軸 (第 3軸) 方向、 及び X, Υ , Z軸回りの回転方向 ( θ X , Θ y , 0 z方向) の 6自由度方向に、 個別に駆動する駆動システムと を備えている。
ウェハステージ W S T 1 , W S T 2のそれぞれは、 駆動システムによって、 X軸方向及び Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、 その他の方向 に微小駆動される。
以下、 ステージ装置 2 0の構成各部について、 ステージ装置 2 0を斜視図に て示す図 2を中心に、 適宜その他の図面を参照しつつ説明する。
前記ウェハステージ W S T 1、 WS T 2は、 図 2に示されるように、 クリー ンルームの床面 F上で複数 (例えば 3つ) の防振ユニット (不図示) を介して 略水平に支持されたステージベース S Bの上方に配置されている。 前記複数の防振ュニットは、 床面 Fからステージベース S Bに伝達される微 振動 (暗振動) を、 マイクロ Gレベルで絶縁する。 なお、 複数の防振ユニット として、 ステージベース S Bの所定個所にそれぞれ固定された半導体加速度計 等の振動センサの出力に基づいてステージベース S Bをそれぞれ積極的に制振 する、 いわゆるアクティブ防振装置を用いることは勿論可能である。
前記一方のウェハステージ W S T 1は、 軽量且つ高剛性の素材、 例えば M M C (金属基複合材:金属とセラミックスの複合体 (アルミ合金又は金属シリコ ンをマトリックス材として、 その中に各種セラミックス強化材を複合化させた 素材)) により構成され、 概略箱状の形状を有している。
ウェハステージ W S T 1の上面 (+ Z側面) には、 図 2における X軸方向の 一端部 (+ X側の端部) に Y軸方向に延びる X移動鏡 M X 1が設けられ、 Y軸 方向の一端部 (ー丫側の端部) には、 X軸方向に延びる Y移動鏡 M Y 1が設け られている。 これらの移動鏡 M X 1 , Y 1の各反射面には、 図 2に示される ように、 後述する干渉計システムを構成する各測長軸の干渉計からの干渉計ビ ーム(測長ビーム)が投射され、その反射光を各干渉計で受光することによリ、 各移動鏡反射面の基準位置 (一般には投影光学系側面や、 ァライメント系の側 面に固定ミラーを配置し、 そこを基準面とする) からの変位が計測され、 これ により、ウェハステージ W S T 1の 2次元位置が計測されるようになっている。 また、 ウェハステージ W S T 1の上面には、 ウェハホルダ H 1を介してウェハ W 1が静電吸着又は真空吸着によリ固定されている。 なお、 図 1では、 ウェハ ステージ WS T 1側の移動鏡として移動鏡 M Y 1のみが図示されている。
ウェハステージ W S T 1は、 駆動装置 D Aにより X軸方向へ所定ストロ一ク で駆動されるとともに、 残りの 5自由度方向に微小駆動される。 すなわち、 駆 動装置 D Aによって、 ウェハステージ W S T 1は 6自由度方向に駆動される。 また、 この駆動装置 D Aは、 一対の Y軸リニアモータ L Y 1 , L Y 2によって、 ウェハステージ W S T 1と一体的に Y軸方向に長ス卜ロークで駆動される。 ここで、 前記駆動装置 D Aについて詳細に説明する。
図 3 Aは、 ウェハステージ W S T 1及び駆動装置 D Aを取り出して示す斜視 図であり、 図 3 Bは、 ウェハステージ WS T 1を含む可動部を取り出して示す 斜視図である。
駆動装置 D Aは、 図 3 Aに示されるように、 ウェハステージ W S T 1の Y軸 方向両側面に固定された 5つの可動子 (4 4 A〜4 4 E ) 及びウェハステージ W S T 1に埋め込まれた 1つの可動子 (4 4 F ) の計 6つの可動子 4 4 A〜 4 4 Fと、 これら可動子 4 4 A〜4 4 Fそれぞれの内部 (中空部) に図 3 Aに示 されるようにして挿入された、 X軸方向を長手方向とする固定子 4 6 A〜4 6 Fとを備えている。 固定子4 6 〜4 6ドは、 それぞれの長手方向両端部にお いて、 断面略 T字状の Y軸可動子 4 8 A , 4 8 B (これについては後述する) に固定され、 これによリ固定子 4 6 A〜4 6 F相互間の位置関係が所定の位置 関係に維持されている。
前記可動子 4 4 Aは、 図 3 Bに示されるように、 Y Z断面が矩形で全体とし て筒状の形状を有するヨーク 5 2と、 該ヨーク 5 2の内側の上下対向面に X軸 方向に沿って所定間隔でそれぞれ配設された複数の羿磁石 5 4とを有している c この場合、 X軸方向に隣り合う界磁石 5 4同士、 Z軸方向で向かい合う界磁石 5 4同士が相互に逆極性とされている。このため、ヨーク 5 2の内部空間には、 X軸方向に関して交番磁界が形成されている。
これに対し、 可動子 4 4 Aに挿入された状態の前記固定子 4 6 Aは、 X軸方 向を長手方向とする内部が中空の筐体と、 該筐体内に X軸方向に沿って所定間 隔で配設された不図示の複数の電機子コイルとを含む、 電機子ュニットにより 構成されている。
すなわち、 固定子 4 6 Aを構成する電機子コイルを流れる電流と、 可動子 4 4 Aを構成する界磁石の発生する磁界 (交番磁界) との間の電磁相互作用によ リ発生するローレンツ力によって、 可動子 4 4 Aには X軸方向の駆動力が作用 し、 可動子 4 4 Aが固定子 4 6 Aに沿って X軸方向に駆動される。 すなわち、 本実施形態では、 固定子 4 6 Aと可動子 4 4 Aとによって、 ムービングマグネ ット型のリニアモータから成る、 第 1の X軸リニアモータ L X 1が構成されて いる (図 3 A参照)。
前記可動子 4 4 Bは、 上述した可動子 4 4 Aの下側 (一 Z側) に設けられて いる。 この可動子 4 4 Bは、 可動子 4 4 Aと同様の構成となっている。 また、 この可動子 4 4 Bの内部 (中空部) に挿入された状態の前記固定子 4 6 Bは、 上記固定子 4 6 Aと同様の構成となっている。 このため、 固定子 4 6 Bを構成 する電機子コイルを流れる電流と、 可動子 4 4 Bを構成する界磁石の発生する 磁界(交番磁界)との間の電磁相互作用により発生するローレンツ力によって、 可動子 4 4 Bに X軸方向の駆動力が作用し、 可動子 4 4 Bが固定子 4 6 Bに つて X軸方向に駆動される。 すなわち、 本実施形態では、 固定子 4 6 Bと可動 子 4 4 Bとによって、 ムービングマグネット型のリニアモータから成る 第 2 の X軸リニアモータし X 2が構成されている (図 3 A参照)。
前記可動子 4 4 Cは、 ウェハステージ W S T 1の + Y側面の Z軸方向中央部 に固定され、 大きさは異なるものの、 前述した可動子 4 4 A、 4 4 Bと同様の 構成となっている。 また、 可動子 4 4 Cの内部 (中空部) に挿入された状態の 前記固定子 4 6 Cは、 上記固定子 4 6 A , 4 6 Bと同様の構成となっている。 このため、 固定子 4 6 Cを構成する電機子コイルを流れる電流と、 可動子 4 4 Cを構成する界磁石の発生する磁界 (交番磁界) との間の電磁相互作用により 発生するローレンツ力によって、可動子 4 4 Cには X軸方向の駆動力が作用し、 固定子 4 6 Cに沿って X軸方向に駆動される。 すなわち、 本実施形態では、 固 定子 4 6 Cと可動子 4 4 Cとによって、 ムービングマグネット型のリニアモー タから成る、 第 3の X軸リニアモータ L X 3が構成されている (図 3 A参照)。 なお、 第 3の X軸リニアモータ L X 3は、 図 3 A、 図 3 Bからわかるように、 第 1 , 第 2の X軸リニアモータ L X 1, L X 2よりも大型のリニアモータであ リ、 ここでは、 第 3の X軸リニアモータ LX 3は、 第 1、 第 2の X軸リニアモ ータ LX 1 , LX 2に比べて、 2倍の推力を発生することが可能となっている。 なお、 可動子 44 Cの上下面には、 非磁性体から成る板状部材 81 A, 81 B が貼付されている (図 3 B参照)。
上記第 1〜第 3の X軸リニアモータ LX 1 ~LX3によると、 第 1、 第 2の X軸リニアモータ LX 1 , L X 2それぞれに推力 Mが、 第 3の X軸リニアモー タ LX3に推力 (2 XM) が発生するように、 各リニアモータを構成する固定 子 (電機子ユニット) 内の電機子コイルに供給される電流の大きさ、 方向等が 図 1の主制御装置 50によって制御されることにより、 ウェハステージ WS T 1を X軸方向に駆動することが可能である。 また、 第 1、 第 2の X軸リニアモ ータ LX 1 , LX 2により発生する合計推力と、 第 3の X軸リニアモータ LX 3の発生推力が僅かに異なるように主制御装置 50によリ各リニァモータを構 成する電機子ュニット内の電機子コィルに供給される電流が制御されることに より、 ウェハステージ WS T 1を Z軸回りの回転方向 (0 z方向) に微小駆動 することが可能である。 更に、 第 1の X軸リニアモータ LX 1の発生推力と第 2の X軸リニアモータ LX 2の発生推力を僅かに異なるように主制御装置 50 によりこれらのリニアモータを構成する電機子ュニット内の電機子コイルに供 給される電流が制御されることで、 ウェハステージ WS T 1を Y軸回りの回転 方向 (Θ y方向) に微小駆動することが可能である。 すなわち、 第 1〜第 3の X軸リニァモータ L X 1〜し X 3によリウェハステージ WS T 1のョ一ィング 制御を行うことが可能であリ、 第 1、 第 2の X軸リニアモータ LX 1 , LX 2 によりウェハステージ W S T 1のローリング制御を行うことが可能となってい る。
前記第 3の X軸リニァモータ L X 3を構成する可動子 44 Cの上側(+Z側) に板状部材 81 Aを介して可動子 44 Dが設けられている。 この可動子 44 D は、 YZ断面矩形の磁性体から成る枠状部材 56と、 該枠状部材 56の内側の 一対の対向面 (上面及び下面) にそれぞれ設けられた一対の X軸方向に細長く 延びる永久磁石 5 8 A、 5 8 Bとを備えている。 永久磁石 5 8 Aと永久磁石 5 8 Bとは、 互いに逆極性とされている。 従って、 永久磁石 5 8 Aと永久磁石 5 8 Bとの間には、磁束の向きが + Z方向(又は一 Z方向)の磁界が生じている。 また、 この永久磁石 5 8 A、 5 8 Bと枠状部材 5 6とによって形成される空間 内に挿入された状態の固定子 4 6 Dは、 筐体と、 該筐体の内部に、 例えば可動 子 4 4 D内に形成された Z軸方向の磁界中で + X方向にのみあるいは一 X方向 にのみ電流を流すことができるような配置で配設された 1つ又は複数の電機子 コイルとを備えている。 この場合、 電機子コイルとしては、 例えば Y軸方向に 所定間隔で配置された X軸方向に細長く延びる長方形状の一対のコイルを用い ることができる。
本実施形態では、 この固定子 4 6 Dを構成する電機子コイルに供給される電 流の大きさ及ぴ方向が主制御装置 5 0によって制御されるようになつており、 これによつて、 可動子 4 4 Dを Y軸方向に駆動する駆動力 (ローレンツ力) の 大きさ及び方向が任意に制御される。 すなわち、 可動子 4 4 Dと、 固定子 4 6 Dとによって、 ウェハステージ WS T 1を Y軸方向に微小駆動する第 1の Y軸 微動モータ V Y 1が構成されている (図 3 A参照)。
前記第 3の X軸リニアモータ L X 3を構成する可動子 4 4 Cの下側に板状部 材 8 1 Bを介して前記可動子 4 4 Eが設けられている。 この可動子 4 4 Eは、 可動子 4 4 Cを中心として前述の可動子 4 4 Dと略上下対称の配置となってい る。 可動子 4 4 Eは、 可動子 4 4 Dと同様の構成となっており、 可動子 4 4 E の内部には + Z方向 (又は一 Z方向) の磁界が生じている。 また、 可動子 4 4 Eの中空部には、 図 3 Aに示されるように、 固定子 4 6 Eが挿入されている。 この固定子 4 6 Eは、 前記固定子 4 6 Dと同様の構成となっている。
本実施形態では、 固定子 4 6 Eを構成する電機子コイルに供給される電流の 大きさ及び方向が主制御装置 5 0によって制御されるようになっており、 これ によって、可動子 44 Eを固定子 46 Eに対して Y軸方向に駆動する駆動力(口 一レンツ力) の大きさ及び方向が任意に制御される。 すなわち、 可動子 44 E と、 固定子 46 Eとによって、 ウェハステージ WS T 1を Y軸方向に微小駆動 する第 2の Y軸微動モータ VY 2が構成されている (図 3 A参照)。
したがって、 第 1、 第 2の Y軸微動モータ V Y 1, VY 2によると、 各 Y軸 微動モータ VY 1 , VY 2に同一の推力を発生させることにより、 ウェハステ ージ WST 1を Y軸方向に微小駆動することができるとともに、 各 Y軸微動モ ータ VY 1 , VY 2の発生推力を異ならせることにより、 ウェハステージ WS T 1を X軸回りの回転方向 (0 x方向) に微小駆動することが可能である。 す なわち、 第 1、 第 2の Y軸微動モータ VY 1 , V Y 2により、 ウェハステージ WS丁 1のピッチング制御を行うことが可能となっている。
前記可動子 44 Fは、 ウェハステージ WS T 1のほぼ中央部において ゥェ ハステージ WS T 1を X軸方向に貫通する状態で埋め込まれている。 この可動 子 44 Fは、 YZ断面矩形の磁性体から成る枠状部材 60と、 該枠状部材 60 の内側の一対の対向面 (土 Y側の面) にそれぞれ設けられた X軸方向に細長く 延びる一対の永久磁石 62 A、 62 Bとを備えている。 永久磁石 62 Aと永久 磁石 62 Bとは、 互いに逆極性とされている。 従って、 永久磁石 62 Aと永久 磁石 62 Bとの間には、 磁束の向きが +Y方向 (又は一 Y方向) の磁界が生じ ている。 これらの永久磁石 62 A、 62 Bと枠状部材 60とによって形成され る空間内に挿入された状態の前記固定子 46 Fは、 X軸方向を長手方向とする 筐体と、 該筐体の内部に、 例えば可動子 44 F内に形成された Y軸方向の磁界 中で + X方向にのみあるいは一 X方向にのみ電流を流すことができるような配 置で配設された 1つ又は複数の電機子コイルとを備えている。 この場合、 電機 子コイルとしては、 例えば Z軸方向に所定間隔で配置された X軸方向に細長く 延びる長方形の一対のコイルを用いることができる。
本実施形態では、 固定子 46 Fを構成する電機子コイルに供給される電流の 大きさ及び方向が主制御装置 5 0によって制御されるようになっており、 これ によって、可動子 4 4 Fを固定子 4 6 Fに対して Z軸方向に駆動する駆動力(口 —レンツ力) の大きさ及び方向が任意に制御される。 すなわち、 可動子 4 4 F と、 固定子 4 6 Fとによって、 ウェハステージ W S T 1を Z軸方向に微小駆動 する Z軸微動モータ V Zが構成されている (図 3 A参照)。
このように、 駆動装置 D Aによると、 ウェハステージ W S T 1は、 第 1〜第 3の X軸リニアモータ L X 1〜L X 3により、 X軸方向の粗動と Z軸回りの回 転方向 (0 z方向)、 Y軸回りの回転方向 (0 y方向) の微動が行われ、 第 1、 第 2の Y軸微動モータ V Y 1 , V Y 2により、 Y軸方向、 X軸回りの回転方向 ( 0 x方向) の微動が行われ、 Z軸微動モータ V Zにより、 Z軸方向の微動が rわれる。
次に、 ウェハステージ WS T 1を駆動装置 D Aとともに Y軸方向に長ストロ —クで駆動する一対の Y軸リニァモータし Y 1 , L Y 2について説明する。 一方の Y軸リニアモータ L Y 1は、 図 2に示されるステージベース S Bの + X側端部に Y軸方向に沿って延設された固定子 6 4 Aと、 該固定子 6 4 Aとの 間の電磁相互作用により、 Y軸方向に駆動される可動子 4 8 Aとを備えている。 前記固定子 6 4 Aは、 断面 U字状のヨークと、 該ヨークの一対の対向面 (上 下の対向面) に Y軸方向に沿って所定間隔でそれぞれ配設された複数の界磁石 とを有している。 この場合、 Y軸方向に隣り合う界磁石同士、 Z軸方向で向か い合う界磁石同士が逆極性とされている。 このため、 ヨークの内部空間には、 Y軸方向に関して交番磁界が形成されている。 本実施形態では、 固定子 6 4 A は、 実際には、 床面 F上に設けられた不図示の支持部材によって、 ステージべ —ス S Bの上面との間に所定間隔を隔てて略水平に支持されている。
前記可動子 4 8 Aは、 前述の駆動装置 D Aを構成する固定子 4 6 A〜4 6 F の一端部に設けられ(図 3 A参照)、内部が中空とされた X Z断面 T字状の筐体 と、 該筐体内に Y軸方向に沿って所定間隔で配設された不図示の複数の電機子 コイルとにより構成されている。
この場合、 可動子 4 8 Aを構成する電機子コイルを流れる電流と、 固定子 6 4 Aを構成する界磁石の発生する磁界 (交番磁界) との間の電磁相互作用によ リ発生するローレンツ力によって、 可動子 4 8 Aが固定子 6 4 Aに沿って Y軸 方向に駆動される。 可動子 4 8 Aを構成する電機子コイルを流れる電流の大き さ及び方向が、 主制御装置 5 0によって制御されるようになっている。
他方の Y軸リニアモータ L Y 2も、 上記一方の Y軸リニアモータ L Y 1 と Y 軸方向から見て左右対称ではあるが同様に構成されている。 すなわち、 Y軸リ ニァモータ L Y 2は、 ステージベース S Bの一 X側端部に Y軸方向に延設され た固定子 6 4 Bと、 該固定子 6 4 Bとの間の電磁相互作用により、 Y軸方向に 駆動される可動子 4 8 Bとを備えている。 固定子 6 4 Bは、 実際には、 床面 F 上に設けられた不図示の支持部材によって、 ステージベース S Bの上面との間 に所定間隔を隔てて略水平に支持されている。
この場合も、 可動子 4 8 Bを構成する電機子コイルを流れる電流の大きさと 方向とが主制御装置 5 0により制御され、 その電流と固定子 6 4 Bを構成する 界磁石の発生する磁界 (交番磁界) との間の電磁相互作用により発生するロー レンツ力により、可動子 4 8 Bが固定子 6 4 Bに沿って Y軸方向に駆動される。 上述のようにして構成された一対の Y軸リニアモータ L Y 1, L Y 2によつ て駆動装置 D Aとともにウェハステージ W S T 1が、 Y軸方向に長ス卜ローク で駆動されるようになっている。 このウェハステージ WS T 1の Y軸方向の駆 動時に固定子 6 4 A、 6 4 Bにその駆動力の反力が作用するが、 その反力は、 固定子 6 4 A、 6 4 Bをそれぞれ支持する不図示の支持部材を介して床面 Fに 伝達される (逃がされる) ようになつている。
また、 これまでの説明から明らかなように、 ウェハステージ W S丁 1は、 走 査方向 (スキャン方向) である Y軸方向に関して、 駆動装置 D Aを構成する第 1、 第 2の Y軸微動モータ V Y 1 , V Y 2により微小駆動されるとともに、 一 対の Y軸リニアモータ L Υ 1 , L Υ 2によって所定ストローク範囲で駆動され るようになっている。
他方のウェハステージ WS Τ 2は、 上述のウェハステージ WS Τ 1 と同様に 構成されている。 すなわち、 ウェハステージ WS Τ 2は、 例えば、 MMC等の 軽量且つ高剛性の部材で構成され、 概略箱状の形状を有し、 その上面 (+Ζ側 面) には、 図 2における X軸方向の一端部 (+ Χ側の端部) に Υ軸方向に延び る X移動鏡 MX 2が設けられ、 Y軸方向の一端部 (+Y側の端部) には、 X軸 方向に延びる Y移動鏡 MY 2が設けられている。 これらの移動鏡 MX 2, MY 2の各反射面には、 後述する干渉計システムを構成する各測長軸の干渉計から の干渉計ビームが投射され、 ウェハステージ WS T 2の 2次元位置が上記ゥェ ハステージ WS T 1と同様にして計測されるようになっている。 なお、 図 1で は、 移動鏡 MY 2のみが図示されている。
また、 ウェハステージ WS T 2の上面には、 図 2に示されるように、 ウェハ ホルダ H 2を介してウェハ W 2が静電吸着又は真空吸着により固定されている ウェハステージ WS T 2は、 前述した駆動装置 D Aと同様に構成された駆動装 置 DBにより X軸方向へ所定ス卜ロークで駆動されるとともに、 残りの 5自由 度方向に微小駆動される。 また、 この駆動装置 DBを構成する各モータの固定 子の長手方向の一端部と他端部には、 一対の可動子 48 C, 48 Dがそれぞれ 設けられ、 これらの可動子 48 C, 48 Dのそれぞれと前述の一対の固定子 6 4 A, 64 Bとによって、 一対の Y軸リニァモータ L Y 3, L Y 4が構成されて いる。 これらの Y軸リニアモータ LY3,LY4によって、 ウェハステージ WS T 2と一体的に駆動装置 DBが、 Y軸方向に長ストロークで駆動されるように なっている。 駆動装置 DBを構成する各モータ及び Y軸リニアモータ L Y 3, LY 4の各電機子コイルに供給される電流の大きさ及び方向が、 主制御装置 5 0によって制御される。
これまでの説明から明らかなように、 本実施形態では、 Y軸リニアモータ L Y 1と Y軸リニアモータし Y 3とは、 固定子 64 Αが共通とされ、 Y軸リニア モータ LY 2と Y軸リニアモータ LY4とは、 固定子 64 Bが共通とされてい る。 但し、 各固定子を別々に設けることは可能である。
本実施形態では、 上述のようにして、 駆動装置 DA, DB及び Y軸リニアモ ータ L Y 1〜 L Y 4を含んで、ウェハステージ WS T 1 , WS T 2を、個別に、 6自由度方向に駆動する駆動システムが構成されている。
図 4 Aには、 図 3 Bのウェハステージ WS T 1側の可動部が上下反転して斜 視図にて示されており、 図 4Bには、 図 4 Aのウェハステージ WS T 1の底面 に取り付けられた平面ミラー MZ 1 (これについては後述する) が取り外され た状態が斜視図にて示されている。 この図 4 Bからわかるように、 ウェハステ ージ WST 1の内部は、 その底面側からその一部が除去され、 それにより形成 された空所内に、 3つの自重支持機構としての自重キャンセラ 70 A, 70 B, 70 Cが配置されている。
以下、 3つの自重キャンセラ 7 OA〜70 Cのうちの一つの自重キャンセラ 70 Aについて、 図 5〜図 7に基づいて詳細に説明する。
図 5は、 自重キャンセラ 70 Aを示す纖断面図であり、 図 6は 自重キャン セラ 70 A下端部近傍を断面して示す斜視図である。
図 5に示されるように、 自重キャンセラ 7 OAは、 下端部 (一 Z側端部) が 開口し、 上端部 (+Z側端部) が閉塞された円筒状のシリンダ部 1 7 OAと、 該シリンダ部 1 7 OAの内部に前記開口を介して挿入され、 該シリンダ部に対 して相対移動可能なピストン部 1 70 Bとを備えている。 シリンダ部 1 70 A の天井壁 (上壁) は、 その外径が他の部分より幾分大きく形成されている。 こ の場合、シリンダ部 1 70 Aは、一体成形されているが、上記天井壁の部分を、 残りの部分と別々に成形し、 両者を固定しても良い。
前記シリンダ部 1 7 OAには、 その下端部 (一Z側端部) 近傍にその内周面 の全周にわたって環状の第 1環状凸部 72 aが形成されている。 また、 第 1環 状凸部 7 2 aの下側 (一 Z側) には所定間隔をあけて第 2環状凸部 7 2 bが形 成されている。 そして、 シリンダ部 1 7 O Aの第 1環状凸部 7 2 aと第 2環状 凸部 7 2 bとの間に形成された所定深さの環状凹溝 7 2 dの内部底面には、 シ リンダ部 1 7 0 Aの内部空間と外部とを連通する貫通孔 7 2 cが所定の間隔で 複数箇所に形成されている。
前記ピストン部 1 7 0 Bは、 その外周面と前記第 1、 第 2環状凸部 7 2 a , 7 2 bとの間に所定のクリアランスが形成された状態で、 シリンダ部 1 7 0 A 内に挿入されている。
ピストン部 1 7 0 Bは、 第 1の直径の円柱部と、 その一 Z側に設けられ円柱 部と同心の第 2の直径 (>第 1の直径) の円板部との 2部分から成る段付き円 柱状の形状を有している。 このピストン部 1 7 0 Bには、 上端面の中央部から 底面まで達する Z軸方向の給気管路としての通気管路 7 4 aが形成されている c 通気管路 7 4 aは、ビストン部 1 7 0 Bの下端面(一Z側端面)に形成された、 溝 7 4 bに連通し、 ピストン部 1 7 0 Bの下端面近傍では、 該下端面に近づく ほど狭くなるように加工されている。 すなわち、 通気管路 7 4 aの下端部は、 一種のノズル ('先細ノズル) の役目を果たすように形成されている。 なお 溝 7 4 bは、 図 4 Aに示されるように、 円と十字とを組み合わせた形状を有して いる。
また、 ピストン部 1 7 0 Bの上端面の周縁の近傍には、 中心角 9 0 ° の間隔 で給気管路としての 4つの通気管路 7 6 a〜7 6 d (ただし、 図 5では通気管 路 7 6 a , 7 6 c、 図 6では通気管路 7 6 a〜 7 6 cのみを図示、 通気管路 7 6 dについては不図示) が、 ピストン部 1 7 0 Bの高さ方向中央部やや上側の 位置まで掘り下げられた状態で形成されている。 これら通気管路 7 6 a ~ 7 6 dの下端部近傍にはビストン部 1 7 0 Bの外周面の外側に連通する気体噴出口 としての絞リ孔 7 8が貫通形成されている。
この場合、 シリンダ部 1 7 O Aの内部のビストン部 1 7 O Bより上方には、 ほぼ気密状態の空間 8 0が形成されている。 この空間 8 0には、 シリンダ部 1 7 0 Aの一部に形成された不図示の開口を介して給気管の一端が接続されてお リ、 この給気管の他端は、 不図示の気体供給装置に接続されている。 この気体 供給装置から、 例えばヘリウムなどの希ガス又は窒素等が給気管を介して空間 8 0内に供給され、 該空間 8 0は、 シリンダ 1 7 O Aの外部に比べて気圧の高 い陽圧空間とされている。 従って、 以下では、 空間 8 0を 「陽圧空間 8 0」 と も呼ぶものとする。
図 7には、 上記自重キャンセラ 7 O Aの作用を説明するための模式図が示さ れている。
この図 7に示されるように、 自重キャンセラ 7 O Aでは、 空間 8 0が陽圧空 間とされることによリ通気管路 7 4 a内には矢印 A i で示されるガスの流れ
(以下、適宜「流れ Α ι」とも呼ぷ)が生じる。この流れ で示されるガスが、 前述の通気管路 7 4 aの下端の先細ノズル部から噴出され、 溝 7 4 b内に矢印 A2 で示されるガスの流れが生じる。このガスが、溝 7 4 bの全域に行き渡り、 溝の全体から支持面 (ここでは ステージベース S Bの上面) S B aに向けて 噴出される。 これにより ピストン部 1 7 0 Bの底面と支持面との間のガスの 静圧 (隙間内圧力) により、 ピストン部 1 7 0 Bの底面とステージベース S B の支持面 S B aとの間に、 所定のクリアランス Δ ί^ が形成されるようになつ ている。 すなわち、 ピストン部 1 7 0 Βの底面には、 実質的に、 一種の気体静 圧軸受が形成されており、 ビストン部 1 7 0 Βが支持面 S B aの上方に非接触 で浮上支持されている。 以下では、 この気体静圧軸受を Γスラスト軸受」 とも 呼ぶものとする。
通気管路 7 4 aと同様に、 通気管路 7 6 a〜7 6 dにも矢印 で示される ガスの流れが生じることとなり、 これに伴って、 絞リ孔 7 8には、 ピストン部 1 7 0 B内部から外部に向かう、 矢印 B 2 で示されるガスの流れが生じ、 絞り 孔 7 8から噴出されたガスは、 第 2環状凸部 7 2 bに対して噴き付けられるこ ととなる。 このとき、 第 2環状凸部 72 bとビストン部 1 70 B外周面との間 のガスの静圧 (隙間内圧力) により、 ピストン部 1 7 OBの外周面と、 第 1、 第 2環状凸部 72 a, 72 bとの間には、 所定のクリアランス Δ ΐ_2 が形成さ れるようになっている。すなわち、ビストン部 1 70 Βの周壁には、実質的に、 気体静圧軸受が形成されておリ、 ピストン部 1 70 Βとシリンダ部 1 70 Αと の間は非接触とされている。 以下では、 この気体静圧軸受を 「ラジアル軸受 J とも呼ぷものとする。
更に、 シリンダ部 1 70 Aの環状凹溝 72 dに所定間隔で形成された複数の 貫通孔 72 cには、矢印 d で示されるガスの流れが生じており、これにより、 第 2環状凸部 72 bに噴き付けられたガス、 陽圧空間 80内のガス等、 クリア ランス Δ L2 内のガスが外部に排出されるようになっている。
その他の自重キャンセラ 70 B, 70Cは、 上述の自重キャンセラ 70 Aと 同様に構成されている。
これら自重キャンセラ 70A〜70Cによると、 その上端部でウェハステ一 ジ WS T 1を支持した際に、 その自重は、 陽圧空間 80の陽圧により支持され るとともに ステージペース S Bの上面、 すなわち支持面 S B aとの間には、 スラスト軸受の作用により、 常にクリアランス Δ ΐ_ι を維持することが可能と なっている。 また、 ウェハステージ WS Τ 1に傾斜方向 (θ χ、 Θ y方向) に 傾こうとする力が生じた場合であっても、 ラジアル軸受の作用により、 クリア ランス A L2 を維持しょうとするので、 ウェハステージ WS T 1の傾斜が吸収 されることとなる。 従って、 自重キャンセラ 70 A〜7 OCによると、 ウェハ ステージ WST 1を陽圧により低剛性で支持するとともに、 ウェハステージ W S T 1の傾斜を吸収することが可能となっている。
これまでの説明から分かるように、 溝 74 bと通気管路 74 aとにより第 1 の軸受機構としてのスラスト軸受が構成され、 絞リ孔 78と通気管路 76 a〜 76 dとによリ第 2の軸受機構としてのラジアル軸受が構成されている。 前述のように、 ウェハステージ WS T 1の底面 (一 Ζ側の面) には、 自重キ ヤンセラ 7 0 Α〜7 0 Cの配置される部分を除く全域にわたり、 平面ミラー Μ Ζ 1が貼付されている (図 4 Α参照)。 なお、 ウェハステージ WS T 1の底面が 平面である場合には、 平面ミラー M Z 1に代えて、 ウェハステージ W S T 1の 底面を鏡面加工することとしても良い。
図 8には、 ウェハステージ W S T 1を模式的に示す側面図が示されている。 この図 8からわかるように、 ステージベース S B内には、 光波干渉式測長器と しての Z軸干渉計 1 5 0、 ステージベース S B内に形成された通路 S B b内に 設けられ、 Z軸干渉計 1 5 0からの測長ビームを一 X方向と + Y方向に分岐す るプリズム等から成るビ一ムスプリッタ 8 3 A、 及びビームスプリッタ 8 3 A の一 X側に設けられ ビームスプリッタ 8 3 Aを透過した測長ビームを反射し て + Z方向に折り曲げるプリズム 8 3 B等を備えている。 また、 ビームスプリ ッタ 8 3 Aで反射された測長ビームは さらに不図示のビームスプリッタで分 岐され、 それぞれの分岐光束 (測長ビーム) は、 別のプリズム等によって + Z 方向に向けて反射されるようになっている。
すなわち、 このような構成により Z軸干渉計 1 5 0からの測長ビームは ウェハステージ W S T 1の底面に設けられた平面ミラー M Z 1の 3点に対して 照射される。 そして、 平面ミラー M Z 1で反射されたそれぞれの測長ビームの 戻り光が同じ経路で Z軸干渉計 1 5 0内部に戻り、内部でそれぞれ分岐されて、 それぞれ参照ビームと同軸に合成されて、 その干渉光束が別々のディテクタで 受光されることにより、ウェハステージ W S T 1の Z軸方向の位置及び傾斜(0 x、 0 y方向の回転量) が計測されるようになっている。 すなわち、 Z軸干渉 計 1 5 0とビームスプリッタ 8 3 A、 プリズム 8 3 B等を含む光学系によリ位 置検出装置が構成されている。 勿論、 Z軸干渉計を 3つ設けても良いし、 Z軸 干渉計によリ平面ミラー M Z 1の 1点のみの Z位置を計測しても良い。 Z軸干 渉計 1 5 0の計測値は、 主制御装置 5 0に供給されている。 この場合、 自重キャンセラ 7 OA〜7 OCが、 Z軸干渉計 1 50からの測長 ビームの平面ミラー MZ 1への照射を妨げるのを極力抑制するために、 ウェハ ステージ WS T 1が自重キャンセラを 1つのみ有する構成を採用しても良い。 ここで、 Z軸干渉計 1 50及びビームスプリッタ 83 A、 プリズム 83 B等 の配置としては、 ウェハステージ WS T 1の移動範囲内で常時ウェハステージ WST 1の高さ方向の位置及び回転を計測できるような配置を採用するのが望 ましい。
また、 他方のウェハステージ WS T 2においても、 ウェハステージ WST 1 に設けられた自重キヤンセラ 70 A〜70 Cと同様の 3つの自重キャンセラが 設けられ、 これら 3つの自重キャンセラによリ、 ウェハステージ WS T 2を陽 圧により低剛性で支持するとともに、 ウェハステージ W S T 2の傾斜を吸収す ることが可能となっている。
ま† ウェハステージ WS T 2の底面 (一 Z側の面) にも、 自重キャンセラ が配置される部分を除く全域にわたり、 平面ミラーが取り付けられており、 こ の平面ミラーの少なくとも 3点に対して、 ステージベース S Bに設けられたピ 一ムスプリツタ プリズム等を介して、 Z軸干渉計からの測長ビームが照射さ れ、 前述と同様にして、 ウェハステージ WS T 2の Z軸方向の位置及び傾斜方 向 (0 x、 0 y方向の) 回転量を計測することが可能となっている。
このように、 本実施形態では、 ウェハステージ WST 1、 WST 2が、 各 3 つの自重キャンセラ (70A〜70C) によって支持面 S B aの上方に浮上支 持され、 かつその Z位置と傾斜 ( Θ x、 0 y方向の回転量) が Z軸干渉計によ つて計測されるようになっている。 このため、 ステージベース S Bの上面 S B aは、ウェハステージ WS T 1 ,WS T 2の移動基準面とする必要がないので、 従来のステージ定盤のようにその平坦度を高くする必要がなく、 その加工が容 易であるとともに、 製造コス卜の低減が可能となっている。
図 1に戻り、 前記投影光学系 Pしの X軸方向の両側には、 同じ機能を持った 才ファクシス (off-axis)方式のマーク検出系としての一対のァライメン卜系 A LG 1 , ALG2が、 投影光学系 P Lの光軸 AX (レチクルパターン像の投影 中心とほぼ一致) よりそれぞれ同一距離だけ離れた位置に設置されている。 前記ァライメント系 A LG 1、 A LG 2としては、 本実施形態では、 画像処 理方式の結像式ァライメン トセンサの一種である F I A (Field Image Alignment) 系のァライメントセンサが用いられている。 これらのァライメン 卜系 A LG 1、 ALG 2は、 光源 (例えばハロゲンランプ) 及び結像光学系、 検出基準となる指標マークが形成された指標板、 及び撮像素子 (CCD) 等を 含んで構成されている。 これらのァライメント系 A LG 1、 A LG 2では、 光 源からのブロードバンド (広帯域) 光により検出対象であるマークを照明し、 このマーク近傍からの反射光を結像光学系及び指標を介して CCDで受光する このとき マークの像が指標の像とともに G CDの撮像面に結像される。 そし て CCDからの画像信号 (撮像信号) に所定の信号処理を施すことにより、 検出基準点である指標マークの中心を基準とするマークの位置を計測する。 ァ ライメント系 A LG 1、 A LG 2のような F I A系のァライメントセンサは、 アルミ層やウェハ表面の非対称マークの検出に特に有効である。
本実施形態では、 ァライメント系 A LG 1は、 ウェハステージ WS T 1上に 保持されたウェハ上のァライメントマーク及びウェハステージ WS T 1上に固 定された不図示の基準マーク板上に形成された基準マークの位置計測等に用い られる。 また、 ァライメント系 Aし G 2は、 ウェハステージ WS T 2上に保持 されたウェハ上のァライメントマーク及びウェハステージ WS T 2上に固定さ れた不図示の基準マーク板上に形成された基準マークの位置計測等に用いられ る。
ァライメント系 A LG 1、 A LG 2からの画像信号は、 不図示のァライメン ト制御装置により、 AZD変換され、 デジタル化された波形信号を演算処理し て指標中心を基準とするマークの位置が検出される。このマーク位置の情報が、 不図示のァライメント制御装置から主制御装置 50に送られるようになつてい る。
次に、 各ウェハステージの 2次元位置を計測する前記干渉計システムについ て、 図 2を参照しつつ説明する。
図 2に示されるように、 ウェハステージ WS T 1上の移動鏡 MY 1の反射面 には、 投影光学系 P Lの光軸とァライメント系 A LG 1の光軸とを通る Y軸に 沿って、 Y軸干渉計 1 1 6からの測長軸 B I 1 Yで示される干渉計ビームが照 射されている。 同様に、 ウェハステージ WS T 2上の Y移動鏡 MY 2の反射面 には、 投影光学系 Pしの光軸とァライメン卜系 A LG 2の光軸とを通る Y軸に 沿って、 Y軸干渉計 1 1 8からの測長軸 B I 2 Yで示される干渉計ビームが照 射されている。 そして、 Y軸干渉計 1 1 6、 1 1 8では移動鏡 MY 1、 MY 2 からの反射光をそれぞれ受光することにより、 各移動鏡の反射面の基準位置か らの相対変位を計測し、 ウェハステージ WS T 1 WST 2の Y軸方向位置を 計測するようになっている。 ここで、 Y軸干渉計 1 1 6、 1 1 8は、 各 3つの 光軸を有する 3軸干渉計であり、 ウェハステージ WS T 1、 3丁 2の丫軸方 向の計測以外に、ピッチング(X軸回りの回転(0 X回転))及ぴョーイング(0 z方向の回転) の計測が可能となっている。 各光軸の出力値は独立に計測でき るようになっている。 但し、 前述の Z軸干渉計により、 ウェハステージ WST 1、 WS T 2のピッチング計測が可能であるので、 Y軸干渉計 1 1 6、 1 1 8 は、 ピッチング計測は必ずしもできなくても良い。
なお、 測長軸 B I 1 Y、 測長軸 Β I 2 Υの各干渉計ビームは、 ウェハステー ジ WS Τ 1、 WS Τ 2の移動範囲の全域で常に移動鏡 MY 1 , MY 2に当たる ようになつており、 従って、 Y軸方向については、 投影光学系 P Lを用いた露 光時、 ァライメント系 A LG 1、 A LG 2の使用時等のいずれのときにもゥェ ハステージ WS T 1、 WS T 2の位置は、 測長軸 B I 1 Y、 測長軸 Β I 2 Υの 計測値に基づいて管理される。 また、 本実施形態では、 投影光学系 Pしの光軸で測長軸 B Ϊ 1 Y、 Β I 2 Υ と垂直に交差する測長軸 Β I 2 Xを有する X軸干渉計 1 46と、 ァライメント 系 A LG 1、 A LG 2の光軸で測長軸 B I 1 丫、 B I 2丫とそれぞれ垂直に交 差する測長軸 B I 1 X、 B I 3 Xをそれぞれ有する X軸干渉計 1 44, 1 48 とが設けられている。
本実施形態の場合、 投影光学系 P Lを用いた露光時のウェハステージ WST 1 , WST 2の X方向位置計測には、 投影光学系 P Lの光軸を通過する測長軸 B I 2 Xを有する X軸干渉計 1 46の計測値が用いられ、 ァライメント系 A L G 1の使用時等のウェハステージ WS T 1の X方向位置計測には、 ァライメン ト系 A LG 1の光軸を通過する測長軸 B I 1 Xを有する X軸干渉計 1 44の計 測値が用いられ、 ァライメン卜系 A LG 2使用時等のウェハステージ WS T 2 の X方向位置計測には、 ァライメント系 A LG 2の光軸を通過する測長軸 B I 3 Xを有する X軸干渉計 1 48の計測値が用いられる。
このように、 本実施形態では、 Y軸干渉計 1 1 6、 1 1 8及び X軸干渉計 1 44, 1 46, 1 48の合計 5つの干渉計によって、ウェハステージ WS T WS T 2の X Y 2次元座標位置を管理するウェハ干渉計システムが構成されて いる。
本実施形態では、 X軸干渉計 1 44、 1 46、 1 48の測長ビーム間の距離 が移動鏡 MX 1 , MX 2の長手方向の長さよりも大きいので、状況によっては、 X軸干渉計の測長軸がウェハステージ W S T 1、 WS T 2の反射面よリ外れる こととなる。 すなわち、 ァライメント位置から露光位置への移動、 あるいは露 光位置からウェハ交換位置への移動などの際に、 X軸方向の干渉計ビームがゥ ェハステージ WS T 1 , WS T 2の移動鏡に当たらなくなる状態が生じ、 制御 に用いる干渉計の切り替えが必須となる。 かかる点を考慮して、 ウェハステー ジ WS T 1 , WS T 2の X軸方向の位置を計測する不図示のリニアエンコーダ が設けられている。 すなわち、 本実施形態では、 主制御装置 5 0が、 ウェハステージ W S T 1 , W S T 2の上記のァライメント位置から露光位置への移動、 あるいは露光位置 からウェハ交換位置への移動などの際に、 Y軸干渉計により計測されるウェハ ステージ W S T 1 , W S T 2の Y位置情報とリニアエンコーダによリ計測され るウェハステージ WS T 1、 W S T 2の X位置情報とに基づいて、 ウェハステ ージ W S T 1 , \^5丁 2の丫位置、 X位置の移動を制御する。
勿論、 主制御装置 5 0では、 それまで制御に用いられていなかった測長軸の X軸干渉計からの干渉計ビームが再度ウェハステージ W S T 1 , W S T 2の移 動鏡に当たったときには、 その X軸干渉計をリセット (又はプリセッ卜) し、 以後、 干渉計システムを構成する X軸干渉計, Y軸干渉計の計測値のみに基づ いてウェハステージ W S T 1 , WS T 2の移動を制御する。
なお、 上記 X軸干渉計 1 4 4、 1 4 6、 1 4 8は、 各 2つの光軸を有する 2 軸干渉計であり、ウェハステージ W S T 1、W S T 2の X軸方向の計測以外に、 ローリング (Y軸回りの回転 (0 y回転)) の計測が可能となっている。 また、 各光軸の出力値は独立に計測できるようになつている。 この場合も、 前述と同 様の理由により、 ローリング計測は必ずしもできなくても良いが Z軸干渉計 からの測長ビームが 3点のうち少なくとも一点に照射されなくなることが生じ るような構成の場合には、ローリング計測ができることが望ましい。この点は、 前述のピッチング計測についても同様である。
上述のようにして構成された干渉計システムを構成する各干渉計の計測値は, 主制御装置 5 0に送られるようになっている。 主制御装置 5 0では、 各干渉計 の出力値に基づいてウェハステージ WS T 1、 WS T 2を前述した駆動装置 D A、 D B及び Y軸リニアモータ L Y 1〜 L Y 4を介して独立に制御する。
更に、 本実施形態では、 図示は省略されているが、 レチクル Rの上方に、 投 影光学系 P Lを介してレチクル R上のレチクルマークとウェハステージ WS T 1 , W S T 2上の不図示の基準マーク板上のマークとを同時に観察するための 露光波長を用いた" Γ T R (Through The Reticle)方式のレチクルァライメン卜 系が設けられている。 これらのレチクルァライメント系の検出信号は、 不図示 のァライメント制御装置を介して主制御装置 50に供給されるようになってい る。 なお、 レチクルァライメン卜系の構成は、 例えば特開平 7— 1 76468 号公報及びこれに対応する米国特許第 5, 646, 41 3号などに詳細に開示 されている。 本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許 す限りにおいて、 上記公報及び対応する上記米国特許における開示を援用して 本明細書の記載の一部とする。
また、図示は省略されているが、投影光学系 P L、ァライメン卜系 A LG 1、 A LG 2のそれぞれには、 合焦位置を調べるためのオートフォーカス ォート レべリング計測機構(以下、 「A F/A L系」 という)がそれぞれ設けられてい る。 このように、 投影光学系 P L及ぴ一対のァライメント系 A LG 1、 A LG 2のそれぞれに、 A F/A L系を設けた露光装置の構成は、 例えば特開平 1 0 一 21 4783号公報及びこれに対応する米国特許第 6, 341 , 00フ号な どに詳細に開示されており、 本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国 の国内法令が許す限りにおいて 上記米国特許における開示を援用して本明細 書の記載の一部とする。
上述のようにして構成された本実施形態の露光装置 1 0では、 ウェハステー ジ WST 1が投影光学系 P Lの直下において露光動作を行っている間に、 ゥェ ハステージ WS T 2側ではウェハ交換とァライメン卜系 A L G 2直下における ウェハァライメント動作とが行われる (図 1、 図 2の状態)。 同様に、 ウェハス テージ WS T 2が投影光学系 Pしの直下において露光動作を行っている間に、 ウェハステージ WST 1側ではウェハ交換、 ァライメント系 A LG 1直下にお けるウェハァライメント動作が行われる。 すなわち、 本実施形態の露光装置 1 0では、 このようにしてウェハステージ WS T 1、 WST 2上で並行処理動作 を行うことによリスループッ卜の向上が図られている。 上記露光動作の際には、 ウェハの Z軸方向の位置について、 前記 Z軸干渉計 1 50を介して計測し、 この計測結果に応じて、 主制御装置 50は、 ウェハス テージ WST 1 (又は WST 2) を駆動装置 D A (又は DB) を介して駆動す る。 なお、 Z軸干渉計 1 50からの測長ビームが平面ミラーに当たらない場合 等においては、 前記 A F/A L系を用いてウェハの Z方向の位置について計測 することとしても良い。 また、 Z軸干渉計 1 50と A FZA L系によるウェハ の Z位置計測を同時に行い、 両計測結果に基づいてウェハステージの Z軸方向 位置を制御することとしても良い。
前記ウェハ交換では、 不図示のウェハローダによって、 ウェハステージ WS T 1 (又はウェハステージ WS T 2) 上に載置された露光済みのウェハのアン ロード及び新たなウェハのロードが行なわれる。
また、 ウェハァライメント動作では、 ァライメント系 A L G 1又は A L G 2 を用いて例えば特開昭 61 -44429号公報及びこれに対応する米国特許第 4, 780, 61 7号などに開示される EG A (ェンハンスト 'グローバル . ァライメン卜) 方式等のウェハァライメン卜が実行される。 本国際出願で指定 した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、 上記公報及び これに対応する上記米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部と する。
このようなウェハァライメン卜の終了後、 ウェハ W1 (又はウェハ W2) 上 の各ショット領域の露光のための加速開始位置にウェハステージ WS T 1 (又 はウェハステージ WS T 2) を移動させるショット間ステッピング動作と、 前 述した走査露光によりその露光対象のショット領域にレチクル Rのパターンを 転写する露光動作とを繰り返す、 ステップ ·アンド■スキャン方式の露光動作 が行なわれる。 なお、 この露光動作は、 通常のスキャニング 'ステツバと同様 にして行われるので、 詳細説明は省略する。
上記露光動作において、 主制御装置 50は、 ウェハステージ WST 1 (又は WS T 2) を Y軸方向 (スキャン方向) に一対の Υ軸リニアモータ L Υ 1 , L Υ 2 (又は LY3, LY4) を介して長ストロークに駆動しつつ、 駆動装置 D Α (又は DB) を介して、 ウェハステージ WST 1 (又は WST 2) を 6自由 度方向に微小駆動する。 特に、 スキャン方向については、 一対の Y軸リニアモ ータの駆動によるウェハステージのレチクルステージ RS Tとの同期誤差を吸 収するように、 Y軸微動モータ VY 1、 VY 2によってウェハステージを微小 駆動することができる。
以上詳細に説明したように、 本実施形態に係るステージ装置 20によると、 ウェハステージ WS T 1 (又は WS T 2) に設けられた可動子 44 A〜 44 F と X軸方向に沿って配設された固定子 46 A〜46 Fとを有する駆動装置 DA (又は DB) により、 ウェハステージ WST 1 (又は WST 2) に XY面に平 行な駆動力を作用させて、 ウェハステージ WST 1 (又は WST 2) を重力方 向 (Z軸方向) に直交する 2次元面 (XY面) 内方向 (X軸、 Y軸及ぴ 02方 向)、 XY面に対する傾斜方向 (0 x, 0 y方向)、 及び Z軸方向に駆動する。 このようにすることで 従来のように、 2次元面内で移動可能な移動体と、 該 移動体上で前記傾斜方向に移動可能なテーブルとを有する複雑な構造のステー ジを採用しなくとも、 ウェハステージ、 ひいては該ウェハステージに保持され たウェハを、 上記の 6自由度方向に移動させることが可能となる。 この場合、 ウェハステージを一体物で製作することができるので、 ウェハステージの構造 を簡素化することができるとともに、 従来問題となつていた 2次元移動ステー ジとテーブルとの組み合わせに起因する前述のテーブルの位置制御性の低下現 象と同様の要因によるステージの位置制御性の低下が生じるおそれが全く無い c 従って、 シンプルな構造で、 ウェハステージに保持されるウェハの高精度な位 置制御の実現が可能となる。
また、 本実施形態のステージ装置 20では、 ウェハステージが、 箱状の形状 を有しているので、 ウェハステージの高剛性を実現することができ、 これによ リ、 ウェハステージを安定して駆動することが可能となる。 すなわち、 ウェハ の高精度な位置決めを実現することが可能となる。
また、 ウェハを保持し XY面内を移動可能なウェハステージ WS T 1、 WS T 2に、 シリンダ部 1 70 Aと、 該シリンダ部 1 70 Aの内部に挿入され該シ リンダ部に対して相対移動可能なピストン部 1 70 Bとを有し、 ピストン部を 重力方向下方に付勢する前記シリンダ部内部の気体の陽圧により、 ウェハステ ージの自重をステージベース S Bの上方で支持する自重キャンセラ 70 A〜7 0 Cが設けられていることから、 ウェハステージ WS T 1 , WS T 2の自重を 気体の陽圧によリ支持することによリ、 従来ウェハステージを Z軸方向に関し て支持していたエアベアリング機構に比べ剛性を低くすることができる。 これ により、 ステージベース S Bの振動等がウェハステージ WS T 1、 WS T 2に 伝達するのを極力抑制することができるので、 この点からもステージの高精度 な位置制御を実現することが可能となる。
また、 本実施形態ではウェハステージ WS T 1, \^3丁 2の2軸方向位置を 計測する Z軸干渉計が設けられているので、 ウェハステージ WS T 1 , WS T 2の高さ方向の位置を常時検出することができる。 この場合、 露光精度を向上 するためにウェハステージ上方にダウンフローの空調系の噴出し口が設けられ る場合には、 ウェハステージの下側のガス環境が安定した空間に Z軸干渉計が 配置されるので、 干渉計ビームの揺らぎ等が発生するのが極力抑制され、 ゥェ ハステージの高さ方向の位置を高精度に検出することが可能となっている。 また、 自重キャンセラ 70 A〜70 Cは、 ステージベース SBの上面 (支持 面) との間に所定のクリアランスを形成するスラスト軸受を有しているので、 ステージベース S Bに対して非接触の状態でウェハステージ WS T 1 , WS T 2を支持することが可能である。
また、 スラスト軸受が、 ピストン部 1 70 Bのステージベース S Bの上面に 対向する側の面に形成された溝 (気体噴出口) 74 bと、 ビストン部 1 70 B に形成され、 溝 7 bとシリンダ 1 7 O Aの内部の陽圧空間とを連通させる給 気通路 7 4 aとを含んで構成されているので、 配管等を必要とする軸受機構を 別途設けることなく、 自重キャンセラとステージベースとの間の非接触を実現 することができる。
更に、 自重キャンセラ 7 0 A〜7 0 Cは、 シリンダ部 1 7 0 Aの内周面とピ ス卜ン部 1つ 0 Bの外周面との間に所定のクリアランスを形成するラジアル軸 受を備えているので、 ウェハステージの傾斜を吸収することができ、 これによ リウェハステージの振動を抑制することができる。 この場合においても、 ラジ アル軸受を、 ピストン部 1 7 0 Bの外周面に形成された気体噴出口 (絞リ孔) 7 8と、 ピストン部 1 7 0 Bに形成され、 気体噴出口 (絞リ孔) 7 8とシリン ダ 1 7 O Aの内部の陽圧空間とを連通させる給気通路 (通気管路) 7 6 a〜7 6 dとを含む構成とすることで 別途配管等を必要とする軸受機構を設けなく ても良いので、 配管を引きずる等のおそれがなく、 高精度なウェハステージの 駆動制御を行うことが可能である。
また、 自重キャンセラは、 一直線上にない 3箇所に設けられているので、 ゥ ェハステージを Z軸方向に関して安定して支持することが可能である。
また、 本実施形態の露光装置 1 0によると、 高精度な位置制御が可能なステ ージ装置 2 0を備えていることから、 レチクルに形成されたパターンをウェハ 上に高精度に転写することが可能である。 更に、 本実施形態では、 2つのゥェ ハステージ W S T 1、 W S T 2を備えていることから、 露光動作、 ァライメン ト動作等を 2つのウェハステージ上で並行処理することができるので、 スルー プッ卜の向上を図ることが可能である。
なお、 上記実施形態では、 ウェハステージ W S T 1 , W S T 2を 6自由度方 向に駆動するものとしたが、 本発明がこれに限られるものではなく、 本発明の ステージ装置では、 ステージ、 ひいては該ステージに保持された物体を、 2次 元面内方向の少なくとも 1 自由度方向及び 2次元面に対する傾斜方向 (1 自由 度方向又は 2自由度方向) に駆動可能であれば良い。
なお、 上記実施形態では、 ウェハステージを 2つ備えるツインステージタイ プのステージ装置に本発明のウェハステージを採用した場合について説明した が、 本発明がこれに限られるものではなく、 ウェハステージを 1つ備えるシン グルステージタイプのウェハステージ装置に採用することもできる。 また、 3 つ以上のウェハステージを備えるマルチタイプのウェハステージ装置を採用す ることもできる。
また、ウェハステージ W S T 1、W S T 2を固定子から着脱可能な構成とし、 ウェハステージ W S T 1、 W S T 2を互いに交換する構成を追加して、 スイツ チングタイプのツインステージにすれば、 ァライメン卜系を 1つにすることが できる。
また、 上記実施形態では、 ウェハステージの Z軸方向の位置を Z軸干渉計を 用いて計測することとしたが 本発明がこれに限られるものではなく、 Z軸干 渉計を設けずに、 A F機構を用いてウェハステージの Z軸方向位置を計測する こととしても良い。
なお、 上記実施形態では、 ウェハステージが箱状であるものとして説明した が、 本発明がこれに限られるものではなく、 所定の一軸方向に沿って配設され た複数の固定子に対応して前述した各モータの可動子をウェハステージ側に設 けることができるのであれば、ウェハステージはいかなる形状であっても良い。 さらに、 上記実施形態では、 ステージベース S Bを不図示の防振ユニットを 介して床面上で略水平に支持する場合について説明したが、 本発明がこれに限 られるものではない。 例えば、 図 9に示されるように、 Y軸リニアモータ L Y 1 , L Y 3の固定子 6 4 A、 及び Y軸リニアモータ L Y 2 , L Y 4の固定子 6 4 Bを、 ステージベース S Bに固定し、 このステージベース S Bの底面に、 複 数のエアパッド A Pを設け、 これらのエアパッド A Pにより、 別のステージべ ース 4 5の上面の上方にステージベース S Bより上の前述の構成各部を非接触 で浮上支持しても良い。 このような構成を採用すると、 ウェハステージ W S T 1、 W S T 2が X Y面内で移動すると、 その移動を生じさせる駆動力の反力が 固定子 6 4 A , 6 4 Bに作用し、 これにより、 運動量保存則に従って、 反力を 相殺する方向にステージベース S Bが移動する。 従って、 ウェハステージ W S T 1、 W S T 2の X Y面内での移動に起因する振動の発生を略確実に防止でき るとともに、 ステージベース S Bを含む系の重心位置の移動も生じないので、 偏荷重が生じるのも防止できる。 また、 この場合、 ステージベース S Bは、 必 然的に質量 (重量) が大きくなるので、 ステージベース S Bの移動ストローク をあまり大きく確保しておく必要がない。 さらに、 ステージベース S Bを X Y 面内で駆動可能な駆動機構 (トリムモータ) を備えることとしても良い。 かか る場合には、 露光に影響を与えないときなどに、 トリムモータによりステージ ベース S Bの位置を所定の位置に戻すことができる。
なお、 上記実施形態では、 ウェハステージが自重キャンセラを備える構成を 採用するものとしたが、 本発明がこれに限られるものではなく、 Z軸方向の駆 動力を発生する Z軸微動モータ V Zによりウェハステージの自重を支持する構 成などを採用しても良い。
なお、 上記実施形態では、 本発明のステージ装置がウェハの駆動系に適用さ れた場合について説明したが、 本発明がこれに限られるものではなく、 レチク ルの駆動系として本発明のステージ装置を適用することも可能である。 図 1 0 には、 レチクルの駆動系に本発明のステージ装置を適用した場合の一例が示さ れている。
この図 1 0に示されるレチクル側のステージ装置 1 0 1は、 レチクル Rを保 持する概略平板状のステージとしてのレチクルステージ R S T ' と、 該レチク ルステージ R S T ' を Y軸方向に長ストロークで駆動するとともに、 X軸方向 及び Z軸方向並びに、 0 χ、 Θ y 0 z方向に微小駆動する駆動装置とを備え ている。 前記駆動装置は、 レチクルステージ R ST' に Y軸方向の駆動力を作用させ る Y軸リニアモータ 1 03ι〜 1 034 と、 レチクルステージ RS T' に対して X軸方向の駆動力を作用させる X軸微動モータ 1 05と、 レチクルステージ R ST' に対して Z軸方向の駆動力を作用させる Z軸微小駆動モータ 1 07 1 072 とを備えている。
前記 Y軸リニアモータ 1 03i は、 レチクルステージ RST' に埋め込まれ た状態の磁極ュニット 1 1 3Aと、 該磁極ュニット 1 1 3 Aに対向して配置さ れた電機子ュニット 1 1 3 Bとを備えており、 磁極ュニット 1 1 3 Aにより形 成される Y軸方向の交番磁界と、 電機子ュニット 1 1 3 B内に設けられた複数 の電機子コイルを流れる電流との間の電磁相互作用により、 Y軸方向の駆動力 が発生する。その他の Y軸リニァモータ 1 032〜 1 034 についても同様に構 成されている。
前記 X軸微動モータ 1 05は、 ボイスコイルモータによって構成され、 レチ クルステージ R S T ' の一 X側端部に設けられた Y軸方向を長手方向とする永 久磁石 1 1 5 Aと、 定盤 99上に取付部材 97を介して設けられた、 Y軸方向 を長手方向とし XZ断面が U字状の電機子ユニット 1 1 5 Bとを備えている。 電機子ュニッ卜 1 1 5 B内には、 永久磁石 1 1 5 Aにより形成される磁界の中 を電流が Y軸方向に流れるように電機子コイルが設けられており、 この Y軸方 向の電流と永久磁石による Z軸方向の磁界との間の電磁相互作用によリ、 レチ クルステージ RS T' に作用する X軸方向の駆動力が発生する。
前記 Z軸駆動モータ 1 07^ 1 072 も、前記 X軸微動モータ 1 05と同様、 ボイスコイルモータにより構成され、 レチクルステージ RST' の下端面に設 けられた永久磁石と、 定盤 99上に設けられた断面 U字状の磁極ュニッ卜とを 備えている。 これにより、 レチクルステージ RST' に Z軸方向の駆動力が作 用するようになっている。
上記のようにして構成される駆動装置によると、 レチクルステージ RS T' が X, Y、 Ζ軸方向に駆動されることは勿論、 Υ軸リニアモータ 1 03ι~ 1 034のうちの上側に位置するリニアモータ 1 03ι, 1 033 と下側に位置す るリニアモータ 1 032, 1 034 の駆動力を異ならせることにより、 レチクル ステージ RST' を X軸回りの回転方向 (ピッチング方向) に微小駆動するこ とが可能であり、 レチクル Rよりも一 X側に位置するリニアモータ 1 03ι, 1 032 と、 レチクル Rよりも + Χ側に位置するリニアモータ 1 033, 1 03 4 の駆動力を異ならせることにより、 レチクルステージ RST' を Ζ軸回りの 回転方向 (ョ一イング方向) に微小駆動することが可能である。 更に、 2つの Ζ軸駆動モータ 1 07 1 072 の駆動力を異ならせることによリ、 レチクル ステージ RST' を Υ軸回りの回転方向 (ローリング方向) に微小駆動するこ とが可能である。
このように、 レチクル側のステージ装置として上述したような構成を搮用す ることにより、 粗微動構造のレチクルステージを採用することなく、 レチクル ステージ RST' を 6自由度方向に駆動することが可能になり、 これにより、 レチクルの高精度な位置制御が可能になるとともに、レチクルステージの小型、 軽量化を図ることが可能になる。
また、 図 1 0の構成において、 X軸微動モータ 1 05に代えて、 上下 2段に 配置された一対の X軸微動モータを採用しても良い。 このようにすると、 この 一対の X軸微動モータがそれぞれ発生する X軸方向の駆動力を異ならせること により、 レチクルステージ RS T' を Υ軸回りの回転方向 (ローリング方向) に微小駆動することが可能となる。
従って、 この図 1 0に示されるレチクル側のステージ装置を、 前述の図 1の レチクルステージ R S Τを含むレチクル側の各構成要素に置き換えることによ り、 上記実施形態の露光装置 1 0と同等の作用効果を奏する他、 レチクル Rの 位置制御性の向上、 ひいてはレチクルとウェハとの同期精度の向上による、 露 光精度の向上が可能となる。 勿論、レチクルの駆動系にのみ本発明のステージ装置を適用しても構わない。 なお、 図 1 0の構成において、 レチクルステージ R S T ' を Y軸方向に駆動 する Y軸リニアモータの固定子を、 定盤 9 9上でレチクルステージを取り囲ん だ状態で浮上支持される矩形枠状部材に固定することとしても良い。 これによ リ、 レチクルステージの駆動による反力によって枠状部材が Y軸方向に移動す るので、 前記反力をキャンセルすることが可能となる。 この場合も、 矩形枠状 部材を駆動するトリムモータを設けても良い。
なお、 上記実施形態では、 ステップ■アンド■スキャン方式等の走査型露光 装置に本発明が適用された場合について説明したが、 本発明の適用範囲がこれ に限定されないことは勿論である。 すなわちステップ■アンド " リピー卜方式 の投影露光装置、 ステップ■アンド■スティツチ方式の投影露光装置などにも 本発明は好適に適用できる。
また、 上記実施形態では、 照明光 I Lとして K r Fエキシマレーザ光などの 遠紫外光、 F 2 レーザ、 A r Fエキシマレーザ等の真空紫外域光、 あるいは超 高圧水銀ランプからの紫外域の輝線 (g線 i線等) などを用いるものとした が、 これに限らず A t- 2 レーザ光 (波長 1 2 6 n m) などの他の真空紫外光を 用いても良い。 また、 例えば、 真空紫外光として上記各光源から出力されるレ 一ザ光に限らず、 D F B半導体レーザ又はファイバ一レーザから発振される赤 外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム ( E r ) (又はエル ビゥムとイッテルビウム ( Y b ) の両方) がドープされたファイバーアンプで 増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 更に、 照明光 I Lとして E U V光、 X線、 あるいは電子線やイオンビームな どの荷電粒子線を用いる露光装置、 投影光学系を用いない、 例えばプロキシミ ティ方式の露光装置、 ミラープロジェクシヨン 'ァライナー、 及び例えば国際 公開 W0 9 9 Z 4 9 5 0 4号などに開示される、 投影光学系 P Lとウェハとの 間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用しても良い。 液浸 露光装置は、 反射屈折型の投影光学系を用いる走査露光方式でも良いし、 ある いは投影倍率が 1 8の投影光学系を用いる静止露光方式でも良い。 後者の液 浸型露光装置では、 ウェハなどの物体上に大きなパターンを形成するために、 前述のステップ 'アンド 'スティツチ方式を採用することが好ましい。
なお、 複数のレンズから構成される照明光学系、 投影光学系を露光装置本体 に組み込み、 光学調整をするとともに、 多数の機械部品からなるレチクルステ ージゃウェハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、 更に 総合調整 (電気調整、 動作確認等) をすることにより、 上記実施形態の露光装 置を製造することができる。 なお、 露光装置の製造は温度及びクリーン度等が 管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
なお 本発明は、 半導体製造用の露光装置に限らず、 液晶表示素子などを含 むディスプレイの製造に用いられる、 デバイスパターンをガラスプレート上に 転写する露光装置 薄膜磁気へッドの製造に用いられるデバイスパターンをセ ラミックウェハ上に転写する露光装置、及び撮像素子(C C Dなど)、 マイクロ マシン、 有機 Eし、 D N Aチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適 用することができる。 また 半導体秦子などのマイクロデバイスだけでなく、 光露光装置、 E U V露光装置、 X線露光装置、 及び電子線露光装置などで使用 されるレチクル又はマスクを製造するために、 ガラス基板又はシリコンウェハ などに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。 ここで、 D U V (遠紫外) 光や V U V (真空紫外) 光などを用いる露光装置では一般的に 透過型レチクルが用いられ、 レチクル基板としては石英ガラス、 フッ素がドー プされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。 また、 プロキシミティ方式の X線露光装置、 又は電子線露光装置などでは透過 型マスク (ステンシルマスク、 メンブレンマスク) が用いられ、 マスク基板と してはシリコンウェハなどが用いられる。
半導体デバイスは、 デバイスの機能■性能設計を行うステップ、 この設計ス テツプに基づいたレチクルを製作するステツプ、 シリコン材料からウェハを製 作するステップ、 前述した実施形態の露光装置を用いて前述の方法によりレチ クルのパターンをウェハに転写するステップ(露光ステップ)、デバイス組み立 てステップ (ダイシング工程、 ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検 査ステップ等を経て製造される。 この場合、 露光ステップにおいて上記実施形 態の露光装置及びその露光方法が用いられるので、 ウェハ上にレチクルのパタ ーンを高精度に転写することができ、結果的に高集積度のデバイスを生産性 (歩 留まりを含む) を向上させることが可能となる。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明のステージ装置は、 物体の位置決めステージに 適している。 また、 本発明の露光装置は、 感光物体上にパターンを転写するの に適している。 ます 本幾明のデバイス製造方法は、 マイクロデバイスの製造 に適している。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 物体を保持し、 少なくとも重力方向に直交する 2次元面内方向及び該 2 次元面に対する傾斜方向に移動可能なステージと ;
前記ステージに接続された複数の可動子と、 前記 2次元面内の所定の一軸方 向に沿って配設された複数の固定子とを有し、 前記 2次元面に平行な方向の駆 動力により前記ステージを駆動する駆動装置と ; を備えるステージ装置。
2 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記駆動装置は、 前記ステージを前記 2次元面内の回転方向にも駆動するこ とを特徴とするステージ装置。
3 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記駆動装置は、 前記ステージを前記重力方向にも駆動することを特徴とす るステ一ン装 ii:。
4 . 請求項 3に記載のステージ装置において、
前記ステージを前記重力方向に駆動する固定子は、 前記ステージを前記 2次 元面の面内方向に駆動する複数の固定子の間に配設されていることを特徴とす ステーン装 ii0
5 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記駆動装置は、 前記ステージを前記 2次元面内の 3自由度方向、 及び前記 2次元面に対する傾斜方向の 2自由度方向、 並びに前記重力方向の 6自由度方 向に駆動することを特徴とするステージ装置。
6 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記ステージは、 箱状の形状を有することを特徴とするステージ装置。
7 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記ステージの底部に設けられたシリンダ部と、 該シリンダ部の内部に挿入 され該シリンダ部に対して相対移動可能なビストン部とを有し、 前記ビストン 部を重力方向下方に付勢する前記シリンダ部内部の気体の陽圧によリ、 前記ス テージの自重を所定の支持面の上方で支持する自重支持機構を更に備えるステ ージ装置。
8 . 請求項 7に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構の近傍に配置され、 前記ステージの位置を検出する位置検 出装置を更に備えるステージ装置。
9 . 請求項 7に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 前記支持面との間に所定のクリアランスを形成する第 1の軸受機構を有することを特徴とするステージ装置。
1 0 . 請求項 9に記載のステージ装置において、
前記第 1の軸受機構は、 前記ビストン部の前記支持面に対向する側の面に形 成された気体噴出口と、 前記ピストン部に形成され、 前記気体噴出口と前記シ リンダの内部の陽圧空間とを連通させる給気通路と、 を含むことを特徴とする ステージ装置。
1 1 . 請求項 9に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 前記シリンダ部の内周面と前記ビストン部の外周面と の間に所定のクリアランスを形成する第 2の軸受機構を更に有することを特徴 とするステージ装置。
1 2 . 請求項 1 1に記載のステージ装置において、
前記第 2の軸受機構は、前記ビストン部の外周面に形成された気体噴出口と、 前記ビストン部に形成され、 前記気体噴出口と前記シリンダの内部の陽圧空間 とを連通させる給気通路と、 を含むことを特徴とするステージ装置。
1 3 . 請求項フに記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 一直線上にない少なくとも 3箇所に設けられているこ とを特徴とするステージ装置。
1 4 . 請求項 7に記載のステージ装置において、
前記支持面が形成されたステージベースを更に備えるステージ装置。
1 5 . 請求項 1 4に記載のステージ装置において、
前記ステージベースは、 前記ステージの前記 2次元面内方向の移動の際に、 その移動を生じさせる駆動力の反力の作用によって運動量保存則に従って移動 可能に構成されていることを特徴とするステージ装置。
1 6 . 請求項 1 5に記載のステージ装置において、
前記ステージベースを前記 2次元面内で駆動する駆動機構を更に備えるステ ージ装置。
1 7 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記ステージに設けられた反射面に測長ビームを照射し、 該測長ビームの前 記反射面での反射光を受光して、 前記ステージの重力方向の位置を計測する光 波干渉式測長器を、 更に備えるステージ装置。
1 8 . 物体を保持して、 重力方向に直交する面内を移動可能なステージと ; 前記ステージに設けられたシリンダ部と、 該シリンダ部の内部に挿入され該 シリンダ部に対して相対移動可能なビストン部とを有し、 前記ビストン部を重 力方向下方に付勢する前記シリンダ部内部の気体の陽圧により、 前記ステージ の自重を所定の支持面の上方で支持する自重支持機構と ; を備えるステージ装
1 9 . 請求項 1 8に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 前記支持面との間に所定のクリアランスを形成する第 1の軸受機構を有することを特徴とするステージ装置。
2 0 . 請求項 1 9に記載のステージ装置において、
前記第 1の軸受機構は、 前記ピストン部の前記支持面に対向する側の面に形 成された気体噴出口と、 前記ピストン部に形成され、 前記気体噴出口と前記シ リンダの内部の陽圧空間とを連通させる給気通路と、 を含むことを特徴とする ステージ装置。
2 1 . 請求項 1 9に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 前記シリンダ部の内周面と前記ビストン部の外周面と の間に所定のクリアランスを形成する第 2の軸受機構を更に有することを特徴 とするステージ装置。
2 2 . 請求項 2 1に記載のステージ装置において、 前記第 2の軸受機構は、前記ビストン部の外周面に形成された気体噴出口と、 前記ピストン部に形成され、 前記気体噴出口と前記シリンダの内部の陽圧空間 とを連通させる給気通路と、 を含むことを特徴とするステージ装置。
2 3 . 請求項 1 8に記載のステージ装置において、
前記自重支持機構は、 一直線上にない少なくとも 3箇所に設けられているこ とを特徴とするステージ装置。
2 4 . 請求項 1 8に記載のステージ装置において、
前記支持面が形成されたステージベースを更に備えるステージ装置。
2 5 . 請求項 2 4に記載のステージ装置において、
前記ステージベースは、 前記ステージの前記 2次元面内方向の移動の際に その移動を生じさせる駆動力の反力の作用によって運動量保存則に従って移動 可能に構成されていることを特徴とするステージ装置。
2 6 . 請求項 2 5に記載のステージ装置において、
前記ステージベースを前記 2次元面内で駆動する駆動機構を更に備えるステ ージ装置。
2 7 . 請求項 1 8に記載のステージ装置において、
前記ステージに設けられた反射面に測長ビームを照射し、 該測長ビームの前 記反射面での反射光を受光して、 前記ステージの重力方向の位置を計測する光 波干渉式測長器を、 更に備えるステージ装置。
2 8 . 物体をそれぞれ保持する複数のステージと ; 前記各ステージを、 少なくとも重力方向に直交する 2次元面内方向及び該 2 次元面に対する傾斜方向に、 前記 2次元面に平行な方向の駆動力を用いて個別 に駆動する駆動システムと ; を備えるステージ装置。
2 9 . 請求項 2 8に記載のステージ装置において、
前記駆動システムは、 前記各ステージに個別に対応して設けられ、 対応する ステージを、 前記 2次元面に平行な方向の駆動力を用いて、 少なくとも重力方 向に直交する 2次元面内方向及び該 2次元面に対する傾斜方向に駆動する、 複 数の駆動装置を含むことを特徴とするステージ装置。
3 0 . 請求項 2 9に記載のステージ装置において、
前記各駆動装置は 前記 2次元面内の所定の一軸方向に沿って配設された複 数の固定子と 前記ステージに接続され前記各固定子に対応する複数の可動子 と、 を有することを特徴とするステージ装置。
3 1 . 請求項 3 0に記載のステージ装置において
前記各駆動装置は、 前記ステージを前記 2次元面内の回転方向にも駆動する ことを特徴とするステージ装置。
3 2 . 請求項 3 0に記載のステージ装置において、
前記各駆動装置は、 前記ステージを前記重力方向にも駆動することを特徴と するステージ装置。
3 3 . エネルギビームによりマスクを照明し、 前記マスクに形成されたバタ 一ンを感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクと前記感光物体との少なくとも一方の駆動系として、 請求項 1〜 3 2のいずれか一項に記載のステージ装置を具備することを特徴とする露光装
3 4 . リソグラフィ工程を含むデバィス製造方法であって、
前記リソグラフイエ程では、 請求項 3 3に記載の露光装置を用いて、 前記マ スクに形成されたパターンを感光物体に転写することを特徴とするデバイス製 造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101114730B1 (ko) 2008-10-03 2012-02-29 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 표시용 패널 노광 장치 및 노광 방법 및 표시용 패널 노광 장치의 조립 또는 조정 방법
US10222708B2 (en) 2004-11-18 2019-03-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072024B2 (en) * 2004-01-20 2006-07-04 Nikon Corporation Lithographic projection method and apparatus
US7456935B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) * 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100698751B1 (ko) * 2005-12-27 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 노광 장치의 웨이퍼 반송 장치 및 그 구동 방법
KR101780574B1 (ko) * 2006-01-19 2017-10-10 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
KR100671241B1 (ko) * 2006-05-12 2007-01-19 충주대학교 산학협력단 공극 변위 측정을 이용한 평면 스테이지 면내 위치 검출방법 및 장치
TW201738667A (zh) * 2006-08-31 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法
JP4863948B2 (ja) 2007-07-30 2012-01-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4377424B2 (ja) * 2007-07-31 2009-12-02 住友重機械工業株式会社 反力処理装置
US20090201484A1 (en) * 2007-10-29 2009-08-13 Nikon Corporation Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus
JP2009147078A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Taiheiyo Cement Corp 真空吸着装置およびその製造方法
JP5219534B2 (ja) * 2008-01-31 2013-06-26 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US8358401B2 (en) * 2008-04-11 2013-01-22 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
US8063383B2 (en) 2008-11-04 2011-11-22 Sergiy Pryadkin Inertial positioner and an optical instrument for precise positioning
TW201102757A (en) * 2009-07-01 2011-01-16 Els System Technology Co Ltd Position adjustment apparatus and exposure machine containing same
JP5578485B2 (ja) * 2009-10-14 2014-08-27 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法
NL2008696A (en) * 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv A multi-stage system, a control method therefor, and a lithographic apparatus.
NL2009827A (en) * 2011-12-22 2013-06-26 Asml Netherlands Bv A stage system and a lithographic apparatus.
JP5910992B2 (ja) * 2012-04-04 2016-04-27 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP6121727B2 (ja) * 2013-01-23 2017-04-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
CA2990873A1 (en) * 2015-06-25 2016-12-29 Profusa, Inc. Transcutaneous reader for use with implantable analyte sensors
JP6197909B2 (ja) * 2016-04-06 2017-09-20 株式会社ニコン 移動体装置
JP6735693B2 (ja) 2017-02-27 2020-08-05 株式会社日立ハイテク ステージ装置、及び荷電粒子線装置
US10254659B1 (en) * 2017-09-27 2019-04-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Exposure apparatus and method for exposure of transparent substrate
TWI645192B (zh) * 2017-10-23 2018-12-21 由田新技股份有限公司 半導體料片之整平裝置及其方法
CN110010189B (zh) * 2019-04-23 2022-02-15 山东理工大学 一种可实现运动解耦的大行程二维精密微动平台
CN113108715B (zh) * 2021-04-13 2024-01-23 南京中安半导体设备有限责任公司 悬浮物的测量装置和气浮卡盘
CN115127388B (zh) * 2022-05-10 2023-12-12 北京机械设备研究所 一种基于直线电机的自动装填抛投装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02139146A (ja) * 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段6自由度位置決めテーブル
WO2000036734A1 (fr) * 1998-12-16 2000-06-22 Nikon Corporation Dispositif moteur plat, son procede d'assemblage et d'entrainement, dispositif a etage et procede d'entrainement associe, systeme et procede d'exposition, et dispositif et procede de production associes
JP2001037201A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2002093686A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002319541A (ja) * 2001-02-15 2002-10-31 Canon Inc レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置
JP2002343706A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Nikon Corp ステージ装置及びステージの駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4952858A (en) * 1988-05-18 1990-08-28 Galburt Daniel N Microlithographic apparatus
JP2881363B2 (ja) * 1993-02-02 1999-04-12 キヤノン株式会社 平行移動装置およびレンズ移動装置
US5699621A (en) * 1996-02-21 1997-12-23 Massachusetts Institute Of Technology Positioner with long travel in two dimensions
JP3634530B2 (ja) * 1996-02-29 2005-03-30 キヤノン株式会社 位置決め装置および露光装置
JPH09239628A (ja) * 1996-03-05 1997-09-16 Canon Inc 自重支持装置
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
KR100522886B1 (ko) * 1997-07-22 2005-10-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가스베어링을 구비한 지지장치
JPH11142556A (ja) 1997-11-13 1999-05-28 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ装置、及び該装置を備えた露光装置
TWI242113B (en) * 1998-07-17 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Positioning device and lithographic projection apparatus comprising such a device
EP1111469B1 (en) * 1999-12-21 2007-10-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a balanced positioning system
JP2002231622A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
JPWO2003015139A1 (ja) * 2001-08-08 2004-12-02 株式会社ニコン ステージシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6777833B1 (en) * 2001-12-17 2004-08-17 Ultratech Stepper, Inc. Magnetic levitation stage apparatus and method
US6724000B2 (en) * 2002-05-16 2004-04-20 Nikon Corporation Reaction frame apparatus and method
JP2004162899A (ja) * 2002-09-27 2004-06-10 Bando Chem Ind Ltd 摩擦伝動ベルト

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02139146A (ja) * 1988-11-15 1990-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 一段6自由度位置決めテーブル
WO2000036734A1 (fr) * 1998-12-16 2000-06-22 Nikon Corporation Dispositif moteur plat, son procede d'assemblage et d'entrainement, dispositif a etage et procede d'entrainement associe, systeme et procede d'exposition, et dispositif et procede de production associes
JP2001037201A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nikon Corp モータ装置、ステージ装置及び露光装置
JP2002093686A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2002319541A (ja) * 2001-02-15 2002-10-31 Canon Inc レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置
JP2002343706A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Nikon Corp ステージ装置及びステージの駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1610362A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10222708B2 (en) 2004-11-18 2019-03-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101114730B1 (ko) 2008-10-03 2012-02-29 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 표시용 패널 노광 장치 및 노광 방법 및 표시용 패널 노광 장치의 조립 또는 조정 방법

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