JP2002134387A - ステージ装置および露光装置 - Google Patents

ステージ装置および露光装置

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JP2002134387A
JP2002134387A JP2000321756A JP2000321756A JP2002134387A JP 2002134387 A JP2002134387 A JP 2002134387A JP 2000321756 A JP2000321756 A JP 2000321756A JP 2000321756 A JP2000321756 A JP 2000321756A JP 2002134387 A JP2002134387 A JP 2002134387A
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JP
Japan
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stage
movable body
guide bar
reticle
wafer
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JP2000321756A
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English (en)
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Susumu Makinouchi
進 牧野内
Takeyuki Hashimoto
豪之 橋本
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Abstract

(57)【要約】 【課題】 振動に起因する悪影響を排除して、基板に対
する優れた位置制御性を持たせる。 【解決手段】 基板を保持して移動する第1可動体ST
と、第1可動体STを相対移動自在に支持して移動する
第2可動体XGとを有する。第1可動体STの位置情報
を検出する第1検出装置と、第1検出装置の検出結果に
基づいて第1可動体STを駆動制御する第1制御装置3
8と、第2可動体XGの位置情報を検出する第2検出装
置と、第2検出装置の検出結果に基づいて第2可動体X
Gを第1可動体STに対して独立して駆動制御する第2
制御装置39とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクやウエハ、
ガラス基板等の基板を保持する可動体が移動するステー
ジ装置、およびこのステージ装置に保持されたマスクと
感光基板とを用いて露光処理を行う露光装置に関し、特
に半導体集積回路や液晶ディスプレイ等のデバイスを製
造する際に、リソグラフィ工程で用いて好適なステージ
装置および露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程の
1つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレ
チクル(以下、レチクルと称する)に形成された回路パ
ターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガ
ラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用
いられている。
【0003】例えば、半導体デバイス用の露光装置とし
ては、近年における集積回路の高集積化に伴うパターン
の最小線幅(デバイスルール)の微細化に応じて、レチ
クルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小転
写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
【0004】この縮小投影露光装置としては、レチクル
のパターンをウエハ上の複数のショット領域(露光領
域)に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の
静止露光型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)
や、このステッパを改良したもので、特開平8−166
043号公報等に開示されるようなレチクルとウエハと
を一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ
上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査露光型の露光装置(いわゆるスキャニン
グ・ステッパ)が知られている。
【0005】これらの縮小投影露光装置においては、ス
テージ装置として、床面に先ず装置の基準になるベース
プレートが設置され、その上に床振動を遮断するための
防振台を介してレチクルステージ、ウエハステージおよ
び投影光学系(投影レンズ)等を支持する本体コラムが
載置されたものが多く用いられている。最近のステージ
装置では、前記防振台として、内圧が制御可能なエアマ
ウント、ボイスコイルモータ等のアクチュエータを備
え、本体コラム(メインフレーム)に取り付けられた、
例えば6個の加速度計の計測値に基づいて前記ボイスコ
イルモータ等を制御することにより本体コラムの振動を
制御するアクティブ防振台が採用されている。
【0006】図12に、従来のステージ装置の一例を簡
略的に示す。この図に示すステージ装置は、X方向に延
在し、その両端がそれぞれリニアモータの可動子として
駆動されてY方向に移動自在なXガイドバーXGと、X
ガイドバーXGとの間に介装されたエアベアリング等の
エアガイドによって、Y方向に微少量のエアギャップを
もってXガイドバーXGに対してX方向に相対移動自在
に支持・拘束された試料台STとを主体として構成され
ている。
【0007】試料台STは、基板としてのウエハを真空
吸着等により吸着保持しており、XガイドバーXGに設
けられたリニアモータの固定子との間の電磁気的相互作
用により駆動される可動子としてX方向に移動する。試
料台STの上面端縁にはY方向に延びる移動鏡M1とX
方向に延びる移動鏡M2とが固定されている。移動鏡M
1の反射面に対しては、レーザ干渉計L1が測長ビーム
を照射して移動鏡M1との間の距離を計測することによ
り、試料台STのX方向の位置を高精度に計測すること
ができる。また、移動鏡M2の反射面に対しては、レー
ザ干渉計L2、L3が測長ビームを照射して移動鏡M2
との間の距離を計測することにより、試料台STのY方
向およびθZ(Z軸回りの回転)方向の位置を高精度に
計測することができる。なお、XガイドバーXGには、
試料台STとのX方向の相対位置を計測するエンコーダ
Eが配設されており、試料台STのX方向の位置とエン
コーダEの計測結果とを用いることでXガイドバーXG
のX方向の位置を間接的に検出できる構成になってい
る。
【0008】従って、このステージ装置では、これらレ
ーザ干渉計L1〜L3の計測結果に基づいて、試料台S
TをX方向にサーボ駆動することで試料台STのX方向
の位置を制御し、XガイドバーXGをY方向にサーボ駆
動することで試料台STのY方向の位置を制御すること
ができる。また、試料台STのθZ方向の回転は、Xガ
イドバーXGの両端の可動子に対して各駆動量を調整す
ることで制御することができる。このように、試料台S
TをX方向、Y方向およびθZ方向に関してそれぞれ高
精度にサーボ制御することで、ウエハを所定の露光位置
に位置決めできるとともに、所定の走査速度で同期移動
させることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のステージ装置および露光装置には、以下
のような問題が存在する。エアベアリング等のエアガイ
ドは剛性を有しているため、剛性が不足している場合に
は、試料台STやXガイドバーXGの移動に伴ってその
バネ性により、図13に示すように、試料台STの重量
および上記バネ性に応じた固有振動数fで共振する虞が
ある。この共振は、Y方向のみならず、θZ方向の剛性
の影響によりθZ方向にも発生して、試料台STのヨー
イングの原因になることもある。
【0010】このように、共振が発生すると、試料台S
Tの位置制御におけるサーボ系に悪影響を及ぼし、応答
性が悪化する等の不具合を生じさせてしまう。特に、試
料台STのY方向およびθZ方向の位置はXガイドバー
XGの駆動により制御しているので、試料台STとXガ
イドバーXGとの間で共振が発生すると、試料台STに
対する位置計測結果に基づいてXガイドバーXGを駆動
しても、安定した高精度の位置制御が困難になるという
問題があった。
【0011】また、発生した振動を抑制するように、X
ガイドバーXGを駆動することも考えられるが、上述し
たように、試料台STを計測した結果のみでは、Xガイ
ドバーXGの振動状態を把握するのに充分ではなく、確
実な制振駆動を実行できないという問題があった。この
ように、試料台STに対する位置制御を安定して実施で
きないと、ウエハの位置決めや速度制御に支障を来し、
結果として露光精度にも悪影響を及ぼす可能性があっ
た。
【0012】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、振動に起因する悪影響を排除して、基板に
対する優れた位置制御性を有するステージ装置および露
光装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図10に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明のステー
ジ装置は、基板(W)を保持して移動する第1可動体
(ST)と、第1可動体(ST)を相対移動自在に支持
して移動する第2可動体(XG)とを有するステージ装
置(7)であって、第1可動体(ST)の位置情報を検
出する第1検出装置(46)と、第1検出装置(46)
の検出結果に基づいて第1可動体(ST)を駆動制御す
る第1制御装置(38)と、第2可動体(XG)の位置
情報を検出する第2検出装置(47)と、第2検出装置
(47)の検出結果に基づいて第2可動体(XG)を第
1可動体(ST)に対して独立して駆動制御する第2制
御装置(39)とを備えることを特徴とするものであ
る。
【0014】従って、本発明のステージ装置では、検出
した第1可動体(ST)の位置情報に基づいて第1可動
体(ST)の駆動をサーボ制御するとともに、検出した
第2可動体(XG)の位置情報に基づいて第2可動体
(XG)の駆動を独立してサーボ制御することで、第2
可動体(XG)の駆動を介して第1可動体(ST)を駆
動する場合でも、応答性よく共振の影響を抑制できる。
【0015】また、本発明のステージ装置は、基板
(W)を保持して移動する第1可動体(ST)と、第1
可動体(ST)を相対移動自在に支持して移動する第2
可動体(XG)とを有するステージ装置(7)であっ
て、第1可動体(ST)または第2可動体(XG)の移
動に伴って第2可動体(XG)に加わる力を検出する検
出装置(55)と、検出装置(55)の検出結果に基づ
いて第2可動体(XG)を第1可動体(ST)に対して
独立して駆動制御する制御装置(39)とを備えること
を特徴とするものである。
【0016】従って、本発明のステージ装置では、検出
した第1可動体(ST)の位置情報に基づいて第1可動
体(ST)の駆動をサーボ制御するとともに、検出した
第2可動体(XG)に加わる力を相殺するように第2可
動体(XG)の駆動を独立してサーボ制御することで、
応答性よく共振の影響を抑制できる。
【0017】そして、本発明の露光装置は、マスクステ
ージ(2)に保持されたマスク(R)のパターンを基板
ステージ(5)に保持された感光基板(W)に露光する
露光装置(1)において、マスクステージ(2)と基板
ステージ(5)との少なくとも一方のステージとして、
請求項1から9のいずれか1項に記載されたステージ装
置(7)が用いられることを特徴とするものである。
【0018】従って、本発明の露光装置では、マスク
(R)や感光基板(W)に対する位置決め制御や、走査
露光時の速度制御を効果的に実行することが可能にな
り、重ね合わせ精度等、露光処理に係る精度を維持でき
る。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明のステージ装置およ
び露光装置の第1の実施の形態を、図1ないし図5を参
照して説明する。ここでは、例えば露光装置として、レ
チクルとウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成さ
れた半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写す
る、スキャニング・ステッパを使用する場合の例を用い
て説明する。また、この露光装置においては、本発明の
ステージ装置をウエハステージに適用するものとする。
なお、これらの図において、従来例として示した図12
と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略
する。
【0020】図1に示す露光装置1は、光源(不図示)
からの露光用照明光によりレチクル(マスク)R上の矩
形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一な照度で照明
する照明光学系IUと、レチクルRを保持して移動する
レチクルステージ(マスクステージ)2および該レチク
ルステージ2を支持するレチクル定盤3を含むステージ
装置4と、レチクルRから射出される照明光をウエハ
(基板、感光基板)W上に投影する投影光学系PLと、
試料であるウエハWを保持して移動するウエハステージ
(基板ステージ)5および該ウエハステージ5を保持す
るウエハ定盤6を含むステージ装置7と、上記ステージ
装置4および投影光学系PLを支持するリアクションフ
レーム8とから概略構成されている。なお、ここで投影
光学系PLの光軸方向をZ方向とし、このZ方向と直交
する方向でレチクルRとウエハWの同期移動方向をY方
向とし、非同期移動方向をX方向とする。また、それぞ
れの軸周りの回転方向をθZ、θY、θXとする。
【0021】照明光学系IUは、リアクションフレーム
8の上面に固定された支持コラム9によって支持され
る。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプから射出される紫外域の輝線(g線、i線)および
KrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外
光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長19
3nm)およびF2レーザ光(波長157nm)等の真
空紫外光(VUV)などが用いられる。
【0022】リアクションフレーム8は、床面に水平に
載置されたベースプレート10上に設置されており、そ
の上部側および下部側には、内側に向けて突出する段部
8aおよび8bがそれぞれ形成されている。
【0023】ステージ装置4の中、レチクル定盤3は、
各コーナーにおいてリアクションフレーム8の段部8a
に防振ユニット11を介してほぼ水平に支持されており
(なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せ
ず)、その中央部にはレチクルRに形成されたパターン
像が通過する開口3aが形成されている。なお、レチク
ル定盤3の材料として金属やセラミックスを用いること
ができる。防振ユニット11は、内圧が調整可能なエア
マウント12とボイスコイルモータ13とが段部8a上
に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニ
ット11によって、ベースプレート10およびリアクシ
ョンフレーム8を介してレチクル定盤3に伝わる微振動
がマイクロGレベルで絶縁されるようになっている(G
は重力加速度)。
【0024】レチクル定盤3上には、レチクルステージ
2が該レチクル定盤3に沿って2次元的に移動可能に支
持されている。レチクルステージ2の底面には、複数の
エアベアリング(エアパッド)14が固定されており、
これらのエアベアリング14によってレチクルステージ
2がレチクル定盤3上に数ミクロン程度のクリアランス
を介して浮上支持されている。また、レチクルステージ
2の中央部には、レチクル定盤3の開口3aと連通し、
レチクルRのパターン像が通過する開口2aが形成され
ている。
【0025】レチクルステージ2について詳述すると、
図2に示すように、レチクルステージ2は、レチクル定
盤3上を一対のYリニアモータ15、15によってY軸
方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステー
ジ16と、このレチクル粗動ステージ16上を一対のX
ボイスコイルモータ17Xと一対のYボイスコイルモー
タ17YとによってX、Y、θZ方向に微小駆動される
レチクル微動ステージ18とを備えた構成になっている
(なお、図1では、これらを1つのステージとして図示
している)。
【0026】各Yリニアモータ15は、レチクル定盤3
上に非接触ベアリングである複数のエアベアリング(エ
アパッド)19によって浮上支持されY軸方向に延びる
固定子20と、この固定子20に対応して設けられ、連
結部材22を介してレチクル粗動ステージ16に固定さ
れた可動子21とから構成されている。このため、運動
量保存の法則により、レチクル粗動ステージ16の+Y
方向の移動に応じて、固定子20は−Y方向に移動す
る。この固定子20の移動によりレチクル粗動ステージ
16の移動に伴う反力を相殺するとともに、重心位置の
変化を防ぐことができる。また、固定子20は、レチク
ル定盤3上に代えて、リアクションフレーム8に設けて
もよい。固定子20をリアクションフレーム8に設ける
場合には、エアベアリング19を省略し、固定子20を
リアクションフレーム8に固定して、レチクル粗動ステ
ージ16の移動により固定子20に作用する反力をリア
クションフレーム8を介して床に逃がしてもよい。
【0027】レチクル粗動ステージ16は、レチクル定
盤3の中央部に形成された上部突出部3bの上面に固定
されY軸方向に延びる一対のYガイド51、51によっ
てY軸方向に案内されるようになっている。また、レチ
クル粗動ステージ16は、これらYガイド51、51に
対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持さ
れている。
【0028】レチクル微動ステージ18には、不図示の
バキュームチャックを介してレチクルRが吸着保持され
るようになっている。レチクル微動ステージ18の−Y
方向の端部には、コーナキューブからなる一対のY移動
鏡52a、52bが固定され、また、レチクル微動ステ
ージ18の+X方向の端部には、Y軸方向に延びる平面
ミラーからなるX移動鏡53が固定されている。そし
て、これら移動鏡52a、52b、53に対して測長ビ
ームを照射する3つのレーザ干渉計(いずれも不図示)
が各移動鏡との距離を計測することにより、レチクルス
テージ2のX、Y、θZ(Z軸回りの回転)方向の位置
が高精度に計測される。なお、レチクル微動ステージ1
8の材質として金属やコージェライトまたはSiCから
なるセラミックスを用いることができる。
【0029】図1に戻り、投影光学系PLとして、ここ
では物体面(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両
方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や
蛍石を光学硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)から
なる1/4(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使
用されている。このため、レチクルRに照明光が照射さ
れると、レチクルR上の回路パターンのうち、照明光で
照明された部分からの結像光束が投影光学系PLに入射
し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系PLの
像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像
される。これにより、投影された回路パターンの部分倒
立像は、投影光学系PLの結像面に配置されたウエハW
上の複数のショット領域のうち、1つのショット領域表
面のレジスト層に縮小転写される。
【0030】投影光学系PLの鏡筒部の外周には、該鏡
筒部に一体化されたフランジ23が設けられている。そ
して、投影光学系PLは、リアクションフレーム8の段
部8bに防振ユニット24を介してほぼ水平に支持され
た鋳物等で構成された鏡筒定盤25に、光軸方向をZ方
向として上方から挿入されるとともに、フランジ23が
係合している。なお、鏡筒定盤25として、高剛性・低
熱膨張のセラミックス材を用いてもよい。
【0031】フランジ23の素材としては、低熱膨張の
材質、例えばインバー(Inver;ニッケル36%、
マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元素を含
む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。このフ
ランジ23は、投影光学系PLを鏡筒定盤25に対して
点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆるキネ
マティック支持マウントを構成している。このようなキ
ネマティック支持構造を採用すると、投影光学系PLの
鏡筒定盤25に対する組み付けが容易で、しかも組み付
け後の鏡筒定盤25および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
【0032】防振ユニット24は、鏡筒定盤25の各コ
ーナーに配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットにつ
いては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント26
とボイスコイルモータ27とが段部8b上に直列に配置
された構成になっている。これら防振ユニット24によ
って、ベースプレート10およびリアクションフレーム
8を介して鏡筒定盤25(ひいては投影光学系PL)に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
【0033】ステージ装置7は、ウエハステージ5、こ
のウエハステージ5をXY平面に沿った2次元方向に移
動可能に支持するウエハ定盤6、ウエハステージ5と一
体的に設けられウエハWを吸着保持する試料台(第1可
動体)ST、これらウエハステージ5および試料台ST
を相対移動自在に支持するXガイドバー(第2可動体)
XGを主体に構成されている。ウエハステージ5の底面
には、非接触ベアリングである複数のエアベアリング
(エアパッド)28が固定されており、これらのエアベ
アリング28によってウエハステージ5がウエハ定盤6
上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮
上支持されている。
【0034】ウエハ定盤6は、ベースプレート10の上
方に、防振ユニット29を介してほぼ水平に支持されて
いる。防振ユニット29は、ウエハ定盤6の各コーナー
に配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットについては
図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント30とボイ
スコイルモータ31とがベースプレート10上に並列に
配置された構成になっている。これら防振ユニット29
によって、ベースプレート10を介してウエハ定盤6に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
【0035】図3に示すように、XガイドバーXGは、
X方向に沿った長尺形状を呈しており、その長さ方向両
端には電機子ユニットからなる可動子36,36がそれ
ぞれ設けられている。これらの可動子36,36に対応
する磁石ユニットを有する固定子37,37は、ベース
プレート10に突設された支持部32、32に設けられ
ている(図1参照、なお図1では可動子36および固定
子37を簡略して図示している)。そして、これら可動
子36および固定子37によってムービングコイル型の
リニアモータ33、33が構成されており、可動子36
が固定子37との間の電磁気的相互作用により駆動され
ることで、XガイドバーXGはY方向に移動するととも
に、リニアモータ33、33の駆動を調整することでθ
Z方向に回転移動する。すなわち、このリニアモータ3
3によってXガイドバーXGとほぼ一体的にウエハステ
ージ5(および試料台ST、以下単に試料台STと称す
る)がY方向およびθZ方向に駆動されるようになって
いる。
【0036】また、XガイドバーXGの−X方向側に
は、Xトリムモータ34の可動子が取り付けられてい
る。Xトリムモータ34は、X方向に推力を発生するこ
とでXガイドバーXGのX方向の位置を調整するもので
あって、その固定子(不図示)はリアクションフレーム
8に設けられている。このため、ウエハステージ5をX
方向に駆動する際の反力は、リアクションフレーム8を
介してベースプレート10に伝達される。
【0037】試料台STは、XガイドバーXGとの間に
Z方向に所定量のギャップを維持する磁石およびアクチ
ュエータからなる磁気ガイドを介して、XガイドバーX
GにX方向に相対移動自在に非接触で支持・保持されて
いる。また、試料台STは、XガイドバーXGに埋設さ
れたXリニアモータ35による電磁気的相互作用により
X方向に駆動される。なお、試料台STの上面には、ウ
エハホルダ41を介してウエハWが真空吸着等によって
固定される(図1参照、図3以降では図示略)。
【0038】また、ステージ装置7には、図4に示すよ
うに、試料台STの位置情報を検出するための試料台検
出装置(第1検出装置)46と、XガイドバーXGの位
置情報を検出するためのガイドバー検出装置(第2検出
装置)47とが配設されている。
【0039】試料台検出装置46は、試料台ST上の側
縁にY方向に沿って延設された移動鏡43と、移動鏡4
3に対向配置されたレーザ干渉計(干渉計)44と、試
料台ST上の側縁にX方向に沿って延設された移動鏡4
8と、移動鏡48に対してX方向に間隔をあけて対向配
置されたレーザ干渉計(干渉計)49a、49bとを主
体として構成されている。
【0040】レーザ干渉計44は、移動鏡43の反射面
と投影光学系PLの鏡筒下端に固定された参照鏡42と
に向けてそれぞれレーザ光(検知光)を照射するととも
に、その反射光と入射光との干渉に基づいて、移動鏡4
3と参照鏡42との相対変位を計測することにより、試
料台ST(ひいてはウエハW)のX方向の位置を所定の
分解能、例えば0.5〜1nm程度の分解能でリアルタ
イムに検出する。
【0041】レーザ干渉計49a、49bは、移動鏡4
8の反射面と投影光学系PLの鏡筒下端に固定された参
照鏡(不図示)とに向けてそれぞれレーザ光(検知光)
を照射するとともに、その反射光と入射光との干渉に基
づいて、移動鏡48と参照鏡との相対変位を計測するこ
とにより、試料台ST(ひいてはウエハW)のY方向の
位置、およびθZ方向(相対移動方向と直交する軸線回
り)の位置(Z軸回りの回転)を所定の分解能、例えば
0.5〜1nm程度の分解能でリアルタイムに検出す
る。これらレーザ干渉計44、49a、49bの検出結
果は、後述する試料台制御系(第1制御装置)38(図
5参照)に出力される。
【0042】ガイドバー検出装置47は、Xガイドバー
XGの+X側に対向配置されたレーザ干渉計(干渉計)
40と、XガイドバーXGの+Y側にそれぞれ対向配置
されたレーザ干渉計(干渉計)50a、50bとを主体
として構成されている。
【0043】レーザ干渉計40は、XガイドバーXGの
+X側に位置する反射面と投影光学系PLの鏡筒下端に
固定された参照鏡42とに向けてそれぞれレーザ光(検
知光)を照射するとともに、その反射光と入射光との干
渉に基づいて、XガイドバーXGと参照鏡42との相対
変位を計測することにより、XガイドバーXGのX方向
の位置を所定の分解能、例えば0.5〜1nm程度の分
解能でリアルタイムに検出する。
【0044】レーザ干渉計50a、50bは、Xガイド
バーXG+Y側に位置する反射面と投影光学系PLの鏡
筒下端に固定された参照鏡(不図示)とに向けてそれぞ
れレーザ光(検知光)を照射するとともに、その反射光
と入射光との干渉に基づいて、XガイドバーXGと参照
鏡との相対変位を計測することにより、XガイドバーX
GのY方向の位置、およびθZ方向(相対移動方向と直
交する軸線回り)の位置(Z軸回りの回転)を所定の分
解能、例えば0.5〜1nm程度の分解能でリアルタイ
ムに検出する。これらレーザ干渉計40、50a、50
bの検出結果は、後述するガイドバー制御系(第2制御
装置)38(図5参照)に対して出力される。
【0045】さらに、投影光学系PLのフランジ23に
は、異なる3カ所に3つのレーザ干渉計45が固定され
ている(ただし、図1においてはこれらのレーザ干渉計
のうち1つが代表的に示されている)。各レーザ干渉計
45に対向する鏡筒定盤25の部分には、開口25aが
それぞれ形成されており、これらの開口25aを介して
各レーザ干渉計45からZ方向のレーザビーム(測長ビ
ーム)がウエハ定盤6に向けて照射される。ウエハ定盤
6の上面の各測長ビームの対向位置には、反射面がそれ
ぞれ形成されている。このため、上記3つのレーザ干渉
計45によってウエハ定盤6の異なる3点のZ位置がフ
ランジ23を基準としてそれぞれ計測される(ただし、
図1においては、ウエハステージ5上のウエハWの中央
のショット領域が投影光学系PLの光軸の直下にある状
態が示されているため、測長ビームがウエハステージ5
で遮られた状態になっている)。なお、試料台STの上
面に反射面を形成して、この反射面上の異なる3点のZ
方向位置を投影光学系PLまたはフランジ23を基準と
して計測する干渉計を設けてもよい。
【0046】また、本実施の形態では、上記試料台ST
とXガイドバーXGとは、それぞれ異なる独立したサー
ボ制御系で位置制御される。すなわち、図5の制御ブロ
ック図に示されるように、試料台STは、試料台制御系
38がXリニアモータ35の駆動を制御することで、X
方向の位置が制御される。同様に、XガイドバーXG
は、ガイドバー制御系39がリニアモータ33の駆動を
制御することで、Y方向の位置およびθZ方向の位置が
試料台STとは独立して制御される。そして、これら試
料台制御系38およびガイドバー制御系39に対して
は、主制御系(不図示)からショット領域の配列位置や
露光順序等の露光データ(レシピ)が試料台ST、Xガ
イドバーXGのそれぞれに関し指示される。
【0047】次に、上記のように構成されたステージ装
置および露光装置の中、まずステージ装置7の動作につ
いて説明する。図5に示すように、主制御系から試料台
制御系38に対しては、試料台STの目標値(目標位
置)が指示される。同時に、主制御系からガイドバー制
御系39に対しては、XガイドバーXGの目標値(目標
位置)が指示される。
【0048】試料台制御系38に指示される目標値は、
移動前の試料台STの位置と目標位置との差分の中、X
方向に関する差分として設定される。また、ガイドバー
制御系39に指示される目標値は、移動前の試料台ST
の位置と目標位置との差分の中、Y方向およびθZ方向
に関する差分として設定される。
【0049】ガイドバー制御系39は、レーザ干渉計4
0が検出したXガイドバーXGのX方向の位置と、レー
ザ干渉計50a、50bが検出したXガイドバーXGの
Y方向の位置およびθZ方向の位置とをモニターしなが
らリニアモータ33、33を駆動することによって、X
ガイドバーXGを指示された位置または速度に駆動制御
することができる。XガイドバーXGの移動と並行し
て、試料台制御系38は、レーザ干渉計44が検出した
試料台STのX方向の位置をモニターしながらXリニア
モータ35を駆動することによって、試料台STを指示
された位置または速度に駆動制御することができる。
【0050】ここで、XガイドバーXGと試料台STと
のY方向およびθZ方向の相対位置関係は、磁気ガイド
により維持されているため、試料台制御系38が試料台
STのX方向の位置を制御し、ガイドバー制御系39が
XガイドバーXGのY方向の位置およびθZ方向の位置
を制御することで、試料台STをX方向、Y方向および
θZ方向のいずれの方向についても位置制御できる。
【0051】このように位置制御された試料台ST上の
ウエハWに対して、上記露光装置1では、露光時に照明
光学系IUからの露光用照明光により、レチクルR上の
所定の矩形状の照明領域が均一な照度で照明される。こ
の照明領域に対してレチクルRがY方向に走査されるの
に同期して、この照明領域と投影光学系PLに関して共
役な露光領域に対してウエハWを走査する。これによ
り、レチクルRのパターン領域を透過した照明光が投影
光学系PLにより1/4倍に縮小され、レジストが塗布
されたウエハW上に照射される。そして、ウエハW上の
露光領域には、レチクルRのパターンが逐次転写され、
1回の走査でレチクルR上のパターン領域の全面がウエ
ハW上のショット領域に転写される。
【0052】本実施の形態のステージ装置では、レーザ
干渉計44、49a、49bで試料台STの位置情報を
検出するのみならず、レーザ干渉計40、50a、50
bでXガイドバーXGの位置情報を直接検出しているの
で、試料台STとXガイドバーXGとの間で振動が発生
した場合でも、双方の検出結果に基づいて試料台STお
よびXガイドバーXGをそれぞれ駆動制御することで、
優れた応答性で共振の影響を抑制でき、安定した位置制
御を実施することができる。特に、Y方向またはθZ方
向に関して共振が発生した場合でも、これら共振を減衰
させるよう、リニアモータ33、33を駆動すること
で、試料台STにおける共振の影響を大幅に低減でき
る。
【0053】従って、本実施の形態の露光装置では、ウ
エハWに対する位置決め制御や、走査露光時の速度制御
を、効果的に制振した状態で実行することが可能にな
り、重ね合わせ精度等、露光処理に係る精度を確実に維
持することができる。
【0054】図6および図7は、本発明のステージ装置
および露光装置の第2の実施の形態を示す図である。こ
れらの図において、図1ないし図5に示す第1の実施の
形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付
し、その説明を省略する。第2の実施の形態と上記の第
1の実施の形態とが異なる点は、試料台STとXガイド
バーXGとの間の支持構造、および制御形態である。
【0055】すなわち、本実施の形態において、試料台
STはXガイドバーXGとの間に介装されたエアベアリ
ング等のエアガイド(流体軸受;不図示)によって、Y
方向に微少量のエアギャップをもってXガイドバーXG
に対してX方向に相対移動自在に支持・拘束されてい
る。また、図6の制御ブロック図に示されるように、ガ
イドバー制御系39は、試料台STの位置情報に基づい
て、XガイドバーXGを駆動制御する。
【0056】本実施の形態のステージ装置では、試料台
制御系38が試料台検出装置46の検出結果に応じて試
料台STを目標値に向けて駆動制御するとともに、ガイ
ドバー制御系39がガイドバー検出装置47の検出結果
に応じてXガイドバーXGを目標値に向けてそれぞれ駆
動制御するが、例えば試料台STが目標値近傍に達する
と、スイッチによりその位置情報がガイドバー制御系3
9に出力される。ガイドバー制御系39は、さらにこの
位置情報をモニターしながらXガイドバーXGの駆動を
独立制御する。この場合、試料台STまたはXガイドバ
ーXGの移動に伴って発生する振動は、図7に示す特性
を有するものであり、図13に示した振動特性に比較し
て固有振動数fにおいても急激に発生することなく、安
定した状態になる。そのため、本実施の形態のステージ
装置においても、上記第1の実施の形態と同様に、共振
の影響を応答性よく抑制して、安定した位置制御を実施
することができる。
【0057】図8は、本発明のステージ装置および露光
装置の第3の実施の形態を示す図である。この図におい
て、図6および図7に示す第2の実施の形態の構成要素
と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省
略する。第3の実施の形態と上記の第2の実施の形態と
が異なる点は、試料台STおよびXガイドバーXGに対
する制御形態を振動制御としたことである。
【0058】図8は、振動制御を含む制御ブロック図で
ある。なお、この図においては、試料台制御系38およ
びガイドバー制御系39の図示を省略している。この図
に示すように、目標値に対する試料台STの差分(誤
差)は、アンプ54で増幅され、その差分に応じてリニ
アモータ33を駆動することでXガイドバーXGの位置
が制御される。
【0059】一方、試料台検出装置46が検出した試料
台STの位置情報と、ガイドバー検出装置47が検出し
たXガイドバーXGの位置情報とはガイドバー制御系3
9に出力される。そして、ガイドバー制御系39は、入
力した位置情報に基づいて、エアガイドのバネ性による
振動、すなわちバネ外乱を推定し、この振動を減衰させ
るようにリニアモータ33、33を駆動してXガイドバ
ーXGをサーボ制御する。
【0060】このように、試料台STまたはXガイドバ
ーXGの移動に伴って発生する振動を、試料台STおよ
びXガイドバーXGの位置情報に基づいて制振すること
で、いわゆる状態フィードバックが行われ、上記第2の
実施の形態と同様に、共振の影響を抑制して、安定した
位置制御を応答性よく実施することができる。
【0061】なお、上記バネ外乱の推定は、ガイドバー
制御系39で実施せずに主制御系で実施してもよい。こ
の場合、主制御系からガイドバー制御系39に対して、
振動を減衰させるための駆動信号が出力され、ガイドバ
ー制御系39は、この駆動信号に基づいてリニアモータ
33を駆動制御すればよい。
【0062】図9および図10は、本発明のステージ装
置および露光装置の第4の実施の形態を示す図である。
これらの図において、図6および図7に示す第2の実施
の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付
し、その説明を省略する。第4の実施の形態と上記の第
2の実施の形態とが異なる点は、ガイドバー検出装置と
して加速度計を設けたことである。
【0063】すなわち、図9に示されるように、Xガイ
ドバーXG(可動子36)の両端には、XガイドバーX
Gの加速度を計測する加速度計55、55がそれぞれ設
けられている。そして、図10に示すように、加速度計
55の計測結果はバンドパスフィルターBPFに出力さ
れる。本実施の形態では、これら加速度計55、バンド
パスフィルターBPF等によりガイドバー検出装置47
が構成される。
【0064】ここで、加速度計55が計測した加速度を
積分することで、XガイドバーXGの位置情報を得るこ
とができるが、この場合、得られた位置情報にはドリフ
ト(オフセット)が乗りやすい。そのため、本実施の形
態では、バンドパスフィルターBPFにより、加速度計
55が計測した加速度の中、特定の周波数、具体的には
試料台STの重量およびエアガイドのバネ性に応じた共
振周波数成分を取り出して積分(および位相シフト)す
ることで、XガイドバーXGの位置情報を検出する。そ
して、検出された位置情報を試料台STに対するサーボ
制御系に供給することにより、フィードフォワード制御
で共振の影響を除去することができ、上記第2の実施の
形態と同様に、安定した位置制御を実施することができ
る。
【0065】なお、上記第4の実施の形態では、加速度
計55を用いてXガイドバーXGの位置情報を検出する
構成としたが、加速度計55の計測結果とXガイドバー
XGに係る質量とから、XガイドバーXGに加わる力を
検出する構成としてもよい。この場合、検出された力を
ガイドバー制御系39に供給することにより、ガイドバ
ー制御系39はこの力を相殺する(打ち消す)ようにリ
ニアモータ33、33を駆動させれば、XガイドバーX
Gに加わる力に起因して発生する共振の影響を除去する
ことができ、上記実施の形態と同様に安定した位置制御
を実施することができる。
【0066】さらに、加速度計55を用いた構成とし
て、検出した加速度に基づいて、例えば加速度の増減周
期に基づき、XガイドバーXGに加わる振動を検出して
もよい。この場合、検出された振動を相殺(減衰)する
ようにリニアモータ33、33を駆動させれば、Xガイ
ドバーXGに加わる共振の影響を除去することができ、
上記実施の形態と同様に安定した位置制御を実施するこ
とができる。
【0067】また、上記実施の形態では、流体軸受とし
てエアガイドを設ける構成としたが、これに限られず、
他の流体を用いてもよい。例えば、露光装置内を光化学
的に不活性なガス雰囲気にした場合には、この不活性ガ
スの噴出により、試料台STを移動自在に支持する構成
としてもよい。
【0068】また、上記実施の形態では、試料台STが
X方向、Y方向、θZ方向の3自由度を有する構成とし
たが、X方向、Y方向、Z方向、θX(X軸回りの回
転)方向、θY(Y軸回りの回転)方向、θZ方向に移
動自在な6自由度を有する場合にも適用可能である。
【0069】また、上記実施の形態では、本発明のステ
ージ装置をウエハステージとして用いる構成としたが、
レチクルステージに対しても、レチクル微動ステージ、
レチクル粗動ステージの各位置情報を検出する検出装置
をそれぞれ設けるとともに、各ステージの駆動を独立し
て制御する構成としてもよい。この場合は、レチクルス
テージの移動に伴って発生する共振の影響を除去するこ
とができ、レチクルに対して安定した位置制御を実施す
ることができる。
【0070】さらに、上記実施の形態では、本発明のス
テージ装置を露光装置1に適用する構成としたが、これ
に限定されるものではなく、露光装置1以外にも転写マ
スクの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装置等
の精密測定機器にも適用可能である。
【0071】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
【0072】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
【0073】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
【0074】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【0075】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
PLを用いることなく、レチクルRとウエハWとを密接
させてレチクルRのパターンを露光するプロキシミティ
露光装置にも適用可能である。
【0076】ウエハステージ5やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、5
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0077】各ステージ2、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、5を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、5に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、5の移動
面側(ベース)に設ければよい。
【0078】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0079】半導体デバイスは、図11に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この
設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する
ステップ202、シリコン材料からウエハを製造するス
テップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレ
チクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステッ
プ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工
程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)20
5、検査ステップ206等を経て製造される。
【0080】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るス
テージ装置は、第2検出装置が第2可動体の位置情報を
検出し、第2制御装置が第2検出装置の検出結果に基づ
いて第2可動体を第1可動体とは独立して駆動制御する
構成となっている。これにより、このステージ装置で
は、優れた応答性で共振の影響を抑制でき、基板に対し
て安定した位置制御を実施できるという効果が得られ
る。
【0081】請求項2に係るステージ装置は、第2検出
装置が少なくとも第2可動体の相対移動方向と直交する
軸線回りの位置情報を検出する構成となっている。これ
により、このステージ装置では、ヨーイング方向に共振
した場合でも、その悪影響を応答性よく抑制でき、基板
に対して安定した位置制御を実施できるという効果が得
られる。
【0082】請求項3に係るステージ装置は、第1検出
装置および第2検出装置が干渉計を有する構成となって
いる。これにより、このステージ装置では、干渉が計測
した位置情報に基づいて共振の影響を抑制でき、安定し
た位置制御を実施できるという効果が得られる。
【0083】請求項4に係るステージ装置は、第1検出
装置が干渉計を有し、第2検出装置が加速度計を有する
構成となっている。これにより、このステージ装置で
は、計測した加速度から求めた位置情報に基づいて共振
の影響を抑制でき、安定した位置制御を実施できるとい
う効果が得られる。
【0084】請求項5に係るステージ装置は、検出装置
が第1可動体または第2可動体の移動に伴って第2可動
体に加わる力を検出し、制御装置が検出装置の検出結果
に基づいて、第2可動体を第1可動体とは独立して駆動
制御する構成となっている。これにより、このステージ
装置では、第2可動体に加わる力に起因して発生する共
振の影響を応答性よく除去することができ、基板に対し
て安定した位置制御を実施できるという効果が得られ
る。
【0085】請求項6に係るステージ装置は、検出装置
が第2可動体の加速度を計測する加速度計を有する構成
となっている。これにより、このステージ装置では、計
測した加速度から求めた力に基づいて共振の影響を抑制
でき、基板に対して安定した位置制御を実施できるとい
う効果が得られる。
【0086】請求項7に係るステージ装置は、第1可動
体と第2可動体とがそれぞれ電磁気的相互作用で駆動さ
れる構成となっている。これにより、このステージ装置
では、電磁気的相互作用を用いて基板を駆動する場合で
も、共振の影響を抑制でき、基板に対して安定した位置
制御を実施できるという効果が得られる。
【0087】請求項8に係るステージ装置は、第1可動
体が前記第2可動体に流体軸受を介して保持されて相対
移動する構成となっている。これにより、このステージ
装置では、第1可動体が流体軸受を介して保持された場
合でも、共振の影響を抑制でき、基板に対して安定した
位置制御を実施できるという効果が得られる。
【0088】請求項9に係るステージ装置は、第1可動
体が前記第2可動体に磁気ガイドを介して保持されて相
対移動する構成となっている。これにより、このステー
ジ装置では、第1可動体が磁気ガイドを介して保持され
た場合でも、共振の影響を抑制でき、基板に対して安定
した位置制御を実施できるという効果が得られる。
【0089】請求項10に係る露光装置は、マスクステ
ージと基板ステージとの少なくとも一方のステージとし
て、請求項1から9のいずれか1項に記載されたステー
ジ装置が用いられる構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、マスクや感光基板に対する位置決め制
御や、走査露光時の速度制御を、効果的に制振した状態
で実行することが可能になり、重ね合わせ精度等、露光
処理に係る精度を確実に維持できるという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 レチクルステージ、ウエハステージおよび
投影光学系が振動に関して独立して配置された露光装置
の概略構成図である。
【図2】 同露光装置を構成するレチクルステージの
外観斜視図である。
【図3】 同露光装置を構成するウエハ側ステージ装
置の外観斜視図である。
【図4】 同ウエハ側ステージ装置の概略平面図であ
る。
【図5】 本発明の第1の実施の形態における制御ブ
ロック図である。
【図6】 本発明の第2の実施の形態における制御ブ
ロック図である。
【図7】 本発明の第2の実施の形態における振動特
性図である。
【図8】 本発明の第3の実施の形態における制御ブ
ロック図である。
【図9】 本発明の第4の実施の形態を示す図であっ
て、加速度計が設けられたステージ装置の概略平面図で
ある。
【図10】 本発明の第4の実施の形態における制御
ブロック図である。
【図11】 半導体デバイスの製造工程の一例を示す
フローチャート図である。
【図12】 従来技術によるウエハ側ステージ装置の
概略平面図である。
【図13】 従来技術によるステージ装置の振動特性
図である。
【符号の説明】
R レチクル(マスク) ST 試料台(第1可動体) XG Xガイドバー(第2可動体) W ウエハ(基板、感光基板) 1 露光装置 2 レチクルステージ(マスクステージ) 5 ウエハステージ(基板ステージ) 7 ステージ装置 38 試料台制御系(第1制御装置) 39 ガイドバー制御系(第2制御装置、制御装置) 46 試料台検出装置(第1検出装置) 47 ガイドバー検出装置(第2検出装置) 40、44、49a、49b、50a、50b レーザ
干渉計(干渉計) 55 加速度計(検出装置)
フロントページの続き Fターム(参考) 2F078 CA02 CA08 CB02 CB05 CB09 CB12 CB13 CB16 CC07 CC15 5F031 CA02 CA05 CA07 HA55 JA22 JA51 KA06 MA27 5F046 CC01 CC02 CC16 CC18 DB04 DB10

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持して移動する第1可動体
    と、該第1可動体を相対移動自在に支持して移動する第
    2可動体とを有するステージ装置であって、 前記第1可動体の位置情報を検出する第1検出装置と、 前記第1検出装置の検出結果に基づいて前記第1可動体
    を駆動制御する第1制御装置と、 前記第2可動体の位置情報を検出する第2検出装置と、 前記第2検出装置の検出結果に基づいて前記第2可動体
    を前記第1可動体に対して独立して駆動制御する第2制
    御装置とを備えることを特徴とするステージ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のステージ装置におい
    て、 前記第2検出装置は、少なくとも前記第2可動体の前記
    相対移動方向と直交する軸線回りの位置情報を検出する
    ことを特徴とするステージ装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のステージ装置
    において、 前記第1検出装置および前記第2検出装置は、検知光の
    干渉により前記位置情報をそれぞれ検出する干渉計を有
    することを特徴とするステージ装置。
  4. 【請求項4】 請求項1または2記載のステージ装置
    において、 前記第1検出装置は、検知光の干渉により前記位置情報
    を検出する干渉計を有し、 前記第2検出装置は、前記第2可動体の加速度を計測す
    る加速度計を有することを特徴とするステージ装置。
  5. 【請求項5】 基板を保持して移動する第1可動体
    と、該第1可動体を相対移動自在に支持して移動する第
    2可動体とを有するステージ装置であって、 前記第1可動体または前記第2可動体の移動に伴って該
    第2可動体に加わる力を検出する検出装置と、 該検出装置の検出結果に基づいて前記第2可動体を前記
    第1可動体に対して独立して駆動制御する制御装置とを
    備えることを特徴とするステージ装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のステージ装置におい
    て、 前記検出装置は、前記第2可動体の加速度を計測する加
    速度計を有することを特徴とするステージ装置。
  7. 【請求項7】 請求項1から6のいずれかに記載のス
    テージ装置において、 前記第1可動体と前記第2可動体とは、それぞれ電磁気
    的相互作用で駆動されることを特徴とするステージ装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項1から7のいずれかに記載のス
    テージ装置において、 前記第1可動体は、前記第2可動体に流体軸受を介して
    保持されて相対移動することを特徴とするステージ装
    置。
  9. 【請求項9】 請求項1から7のいずれかに記載のス
    テージ装置において、 前記第1可動体は、前記第2可動体に磁気ガイドを介し
    て保持されて相対移動することを特徴とするステージ装
    置。
  10. 【請求項10】 マスクステージに保持されたマスク
    のパターンを基板ステージに保持された感光基板に露光
    する露光装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
    一方のステージとして、請求項1から9のいずれか1項
    に記載されたステージ装置が用いられることを特徴とす
    る露光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008300579A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009141283A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、およびステージ装置の制御方法
JP2012118601A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Nsk Ltd 二次元位置決め装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008300579A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009141283A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Nikon Corp ステージ装置、露光装置、およびステージ装置の制御方法
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