TWI765861B - 用於原位清洗銅表面以及沉積與移除自組裝單層的方法與設備 - Google Patents

用於原位清洗銅表面以及沉積與移除自組裝單層的方法與設備 Download PDF

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Abstract

一種處理方法，包括：將基材提供至熱絲化學氣相沉積（HWCVD）腔室內的基材支撐件，該基材具有污染物材料，該污染物材料配置在銅表面上；提供氫（H2 ）氣至該HWCVD腔室；將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至足以解離該氫（H2 ）氣之溫度；將該基材暴露至解離的該氫（H2 ）氣，以從該銅表面移除至少一些的該污染物材料；將該一或多個燈絲冷卻至室溫；將該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積自組裝單層；以及於該基材頂上沉積第二層。

Description

用於原位清洗銅表面以及沉積與移除自組裝單層的方法與設備
本案揭露內容之實施例大體上關於原位清洗銅表面及沉積與移除自組裝單層。
半導體工業中，處理銅（Cu）基材之表面的主要挑戰在於這樣的表面在暴露到環境（甚至是無塵室環境）時形成薄的表面氧化物層，例如含有Cu(OH)2 、CuO、Cu2 O、與CuCO3 的薄表面層。需要適當地清洗銅表面以適當地沉積元件堆疊中的其他層。一般的清洗氧化的銅表面之方法包括溼化學清洗、電漿清洗、或臭氧處理。然而，發明人已觀察到，溼清洗製程可非所期望地污染銅表面，這是由於使用各種酸及其他化學物質所致。以電漿為基礎的清洗製程特別是在處理銅之薄層（例如約25nm至約50nm）時可非所期望地損壞銅表面。
因此，發明人已開發改良的方法與設備，以原位清洗銅表面及沉積與移除自組裝單層。
在此提供用於原位清洗銅表面及沉積與移除自組裝單層的方法與設備。一些實施例中，處理具暴露銅表面之基材之方法包括：（a）將基材提供至熱絲化學氣相沉積（HWCVD）腔室內的基材支撐件，該基材具有污染物材料，該污染物材料配置在銅表面上；（b）提供氫（H2 ）氣至該HWCVD腔室；（c）將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至足以解離該氫（H2 ）氣之溫度；（d）將該基材暴露至解離的該氫（H2 ）氣，以從該銅表面移除至少一些的該污染物材料；（e）將該一或多個燈絲冷卻至室溫；（f）將該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積自組裝單層；以及（g）於該基材頂上沉積第二層。
一些實施例中，處理具暴露銅表面的基材的方法包括：將基材提供至熱絲化學氣相沉積（HWCVD）腔室內的基材支撐件，該基材具有汙染物材料，該污染物材料配置在銅表面上；提供氫（H2 ）氣至該HWCVD腔室；將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至約攝氏1000度至約攝氏2400度的溫度，以解離該氫（H2 ）氣，且將該基材支撐件加熱至約攝氏50度至約攝氏400度的溫度；將該基材暴露至解離的該氫（H2 ）氣，以從該銅表面移除該汙染物材料之至少一些；將該一或多個燈絲冷卻至室溫；將耦接至該HWCVD腔室的一或多個安瓿加熱至約攝氏25度至約攝氏200度的溫度，該安瓿含有一或多個化學前驅物；使用載氣將該一或多個化學前驅物之蒸氣從該一或多個安瓿拉引；使該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積自組裝單層，其中該基材被加熱到約攝氏25度至約攝氏350度的溫度；其中該HWCVD腔室中在該自組裝單層沉積期間的壓力為約80毫托至約500托；且其中該基材暴露至該一或多個前驅物達約30至約600秒；以及於該基材頂上沉積第二層。
一些實施例中，有一種電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體上儲存有指令，當執行該等指令時，該等指令引發處理腔室執行處理基材之方法，該基材具有暴露銅表面以及暴露含矽表面。該方法可包括本文所述之實施例的任一者。
於下文敘述本案揭露內容之其他與進一步的實施例。
在此提供用於改善熱絲化學氣相沉積（HWCVD）腔室內的銅表面的原位清洗以及相同HWCVD腔室內自組裝單層之沉積與移除的方法與設備。該等具發明性之方法可有利地提供清洗銅表面（例如移除表面污染物、氧化物層、或類似物）以及後續在相同處理腔室內沉積與移除額外層之方法，該方法相較於習知基材清洗與沉積製程更有效率且更不耗時，上述額外層例如自組裝單層、介電層、UV BLOKTM層等，該BLOKTM是碳化矽膜，該碳化矽膜可透過使用化學氣相沉積（CVD）或電漿增強CVD製程形成，描述於共同擁有的美國專利號6,287,990 B1（於2001年9月11日頒布）以及美國專利號6,303,523 B2（於2001年10月16日頒布）。
第5圖是根據本案揭露內容之一些實施例的方法500之流程圖，該方法500處理具有暴露銅表面與暴露含矽表面的基材。第6A圖至第6G圖與第7A圖至第7F圖是根據本案揭露內容之一些實施例的第5圖的處理序列之不同階段期間的基材之說明性剖面圖。該等具發明性之方法可在適合根據本案揭露內容之實施例處理半導體基材的任何HWCVD腔室中執行，諸如下文中針對第1圖至第4圖論述的HWCVD腔室。
方法500大體上開始於502，將基材提供至熱絲化學氣相沉積（HWCVD）腔室內的基材支撐件，該基材具有汙染物材料，該污染物材料配置在銅表面上。一些實施例中，該基材可以是半導體晶圓，諸如200或300mm之半導體晶圓。亦可使用其他尺寸與幾何形狀的基材。
一些實施例中，如第6A圖中所描繪，基材600包括暴露銅表面602與暴露含矽表面604。一些實施例中，如第7A圖中所描繪，基材600包括阻障層702與暴露銅表面602，該阻障層702諸如鉭或氮化鉭，該阻障層702配置在基材600頂上，而該暴露銅表面602在該阻障層702頂上。
基材600包括污染物材料606，該污染物材料606配置在銅表面602上。一些實施例中，待移除之污染物材料606可於銅表面602上形成層。一些實施例中，污染物材料606亦可存在於含矽表面604上。污染物材料606可以是任何類型的需要移除的材料。例如，一些實施例中，形成於銅表面602上的污染物材料606可包括氧，例如氧化物層，諸如包括Cu(OH)2、CuO、Cu2O、與CuCO3的表面氧化物或原生氧化物層。例如，一些實施例中，形成在含矽表面604上的污染物材料606可包括氧，例如氧化物層，諸如包括氧化矽的表面氧化物或原生氧化物層。污染物材料606可具有例如約0.5nm至約20nm的厚度。
接著，於504，可提供氫(H2)氣至HWCVD腔室。可以任何適合的流速將氫(H2)氣提供至HWCVD腔室，舉例而言，該流速諸如約100至約700sccm(例如，對於300mm晶圓處理腔室而言)。本文提供之流速可取決於受清洗之基材尺寸及/或HWCVD腔室的處理空間的尺寸而有所變化。一些實施例中，可用例如惰性氣體稀釋氫（H2 ）氣，該惰性氣體諸如為氦（He）、氬（Ar）、或類似物。一些實施例中，例如，可以體積計約5%至約10%的惰性氣體稀釋氫（H2 ）氣。可調整以體積計的惰性氣體的量，以提供在產生所需量的能量（當解離時）以助移除污染物材料606方面所必須的氫（H2 ）量。
在其中氫（H2 ）氣被稀釋的實施例中，氫（H2 ）氣與惰性氣體可在提供該等氣體至HWCVD腔室之前混合。或者，一些實施例中，氫（H2 ）氣與惰性氣體可經由兩個獨立的氣體供應器共同流進HWCVD腔室，且在HWCVD腔室內混合。
接著，在506，HWCVD腔室中配置的一或多個燈絲被加熱至足以解離氫（H2 ）氣的溫度。該一或多個燈絲可為任何類型的燈絲，例如，該一或多個燈絲可由鉭、鎢、或銥構成。一些實施例中，該一或多個燈絲可為是適合引發氫（H2 ）氣解離的任何數目的燈絲，例如20至32個燈絲。該一或多個燈絲可被加熱至適合引發氫（H2 ）氣解離的任何溫度，且進一步提供移除污染物材料606所需的適合量的能量，舉例而言，所述溫度諸如為約攝氏1000度至約攝氏2400度，更精確而言，約攝氏1400度至約攝氏1900度。一些實施例中，該溫度可至少部分由污染物材料606之組成所規定，而因此至少部分由解離之氣體與污染物材料606之間的反應活化能及/或需要裂解污染物材料606化合物之化學鍵的能量的量所規定，藉此助於移除污染物材料606。一些實施例中，該一或多個燈絲耦接電源，該電源適合將該一或多個燈絲加熱到上述之溫度範圍。一些實施例中，適合的電源提供在約85A至約90A下約35V至約50V的電力給該一或多個燈絲。
接著，在508及如第6B圖與第7B圖中所描繪，基材600暴露至解離的氫（H2 ）氣614以從銅表面602移除至少一些污染物材料606。如第6C圖與第7C圖中所描繪，藉由將基材600暴露至解離的氫（H2 ）氣614，氫原子與配置在基材表面上的材料（諸如污染物材料606）反應，而助於移除污染物材料606，藉此清洗基材600之銅表面602。例如，在污染物材料606包括氧化物（例如，原生氧化物層）的實施例中，氫原子與氧化物反應，而引發氧化物還原且揮發性產物形成，即元素之分子或元素之氫化物及/或較低階之氧化物。
基材600可暴露至解離的氫（H2 ）氣614達任何時間量，該時間量適合助於從銅表面602移除污染物材料606。例如，一些實施例中，基材600可暴露至解離的氫（H2 ）氣614達約150至約900秒，以從含銅表面移除污染物材料606。
為了助於移除污染物材料606，基材600可定位在HWCVD源（例如，下文針對第1圖至第4圖所述之燈絲或金屬絲（wire））下方，使得基材600暴露至氫氣與該氫氣之分解的物種。基材600可定位在HWCVD源下方且位在基材支撐件上（例如，下文針對第4圖描述的基材支撐底座408）處於靜態位置，或在一些實施例中處於動態，以當基材600通過HWCVD源下方時助於清洗。
除了上文所述外，額外的處理參數可用於助於從基材600移除污染物材料606，且可至少部分由需要移除該污染物材料606的能量之量所規定。例如，一些實施例中，處理腔室可維持在約100托至約500托的壓力。本文所提供之腔室壓力可取決於受清洗之基材的尺寸及/或HWCVD腔室之處理空間的尺寸而有所變化。一些實施例中，基材600可被加熱至約攝氏50度至約攝氏400度之溫度，更精確而言約攝氏50度至約攝氏300度，以助於從基材600移除污染物材料606。以替代方式或組合方式，在一些實施例中，可調整HWCVD腔室之物理參數（例如，燈絲直徑、燈絲至燈絲之距離、或燈絲至基材的距離），以助於從基材600移除污染物材料606。
在上述實施例之任一者中，處理參數（例如，氫（H2 ）氣流速、氫氣（H2 ）對惰性氣體之比例、基材溫度、燈絲溫度、額外處理參數、HWCVD腔室之物理參數、或類似參數）之任一者可針對彼此調整，以提供助於移除污染物材料606所需的能量的量（所述能量諸如解離氣體與污染物材料之間的反應活化能）及/或需要裂解污染物材料606化合物的化學鍵所需的能量的量，從而助於移除污染物材料606。上文所述在504至508的具發明性的方法有利地利用適合的化學條件以處理受污染的銅表面，而移除受污染的材料，且提供有原子級平坦表面的半導體品質的銅。
接著，在510，停止氫氣至處理腔室的流動，且使一或多個燈絲得以冷卻至約攝氏30度至約攝氏45度的溫度。例如，可使該一或多個燈絲得以冷卻達約60至約200秒。
接著，在512且如第6D圖至第6E圖與第7D圖至第7E圖所描繪，HWCVD腔室中的基材600暴露至一或多個化學前驅物608，以在銅表面602頂上沉積自組裝單層610。該自組裝單層610包括複數個有機分子，該等有機分子於銅表面上自組裝而形成該自組裝單層610。自組裝單層610可適合作為擴散阻障層，如第7A圖至第7F圖所描繪；或該自組裝單層610可適合作為用在後續介電質沉積製程的犧牲層，如第6A圖至第6G圖所描繪。
用於形成自組裝單層610的一或多個化學前驅物608包括接近基材600的頭部基團與遠離基材600的末尾基團。這些頭部基團與末尾基團是透過中間部分連接，該中間部分稱作鏈（chain）。頭部基團選為下述之化學基團：該化學基團鍵結至銅表面602且提供在超過約攝氏300度的化學穩定度（亦即，在超過約攝氏300度，該化學基團不會分解）。化學前驅物608分子之頭部基團可含有含硫基團，例如硫醇（thiol）基團。一些實施例中，適合的含硫醇頭部基團之範例包括（但不限於）：甲硫醇（CH3 SH）、乙硫醇（C2 H5 SH）或丁硫醇（C4 H9 SH）、n烷硫醇（CH3 (CH2 )n-1 SH），其中n為8、12、16、18、20、22、或29。用在頭部基團中的適合的以CF3 與CF2 封端的硫醇之範例包括：CF3 (CF2 )n (CH2 )11 )SH與CF3 (CF2 )9 (CH2 )n SH （其中n為2、11、或17)以及(CF3 (CH2 )n SH)，其中n為9至15。一些實施例中，頭部基團可含有含氮基團，例如胺基團，諸如(3-胺丙基)三乙氧基矽烷（APTES）、（3-胺丙基）三甲氧基矽烷（APTMS）、1,3-二胺丙烷、乙二胺、乙二胺四乙酸（EDTA）、二乙胺、或甲胺。一些實施例中，頭部基團可進一步包括矽烷、膦酸（phosphonic acid）封端基團與膦酸之衍生物。例如，一些實施例中，頭部基團可進一步包括：[12-(苯并[b]苯并[4,5] 噻吩[2,3-d] 噻2吩)十二烷基]膦酸（BTBT-C12-PA）、N-(2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基)-N’-(十一烷基-11-膦酸) 苝-3,4,9,10-四羧酸雙醯亞胺（PBIF-PA）、N-(2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基)-N’-(十一烷基-11-膦酸二乙酯) 苝-3,4,9,10-四羧酸雙醯亞胺、12-環己基十二烷基膦酸（CDPA）、以及4-環己基丁基膦酸（CBPA）。界面的銅表面602與化學前驅物608之分子的頭部基團之間的化學交互作用使銅分子不動，且抑制銅離子化與擴散。末尾基團是選以透過大於約100度(例如約110至約120度)的接觸角提供疏水性。一些實施例中，該末尾基團可以是諸如烷氧矽烷基團之類的官能基，該烷氧矽烷基團諸如十八烷基三甲氧基矽烷(ODTMS)、九氟己基三甲氧基矽烷(NFHTMS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯矽烷(PFTS)、氯二甲基十八烷基矽烷(CDODS)、(3-巰基丙基)甲基二甲氧基矽烷、具有化學式CH3(CH2)17Si(OCH3)3的十八烷基三甲氧基矽烷(OTMS)、具有化學式H2N(CH2)17Si(OCH3)3的(17-胺十七烷基)三甲氧基矽烷(AHTMS)。一些實施例中，該末尾基團可進一步包括丁基三氯矽烷(BTS)、氯矽烷、與具有化學式H3CO2C(CH2)22SiCl3的(三氯矽基)二十三碳酸酯((trichlorosilyl)tricosanoate(MTST))。
鏈包括線性或芳香族碳氫化合物，諸如-CH2、C6H5、C6H4、C2H5、或-CH2CH2CH3。鏈對銅擴散的影響是藉由選擇適合鏈長度的化學前驅物608而改善。例如，假設末端基團類似，則有機分子之較長鏈相似物可比較短鏈的化學前驅物608更好地抑制擴散。例如，發明人已觀察到，具約8埃或更長的鏈長度的碳氫化合物在抑制擴散上比具較短鏈長度(諸如約3埃至約5埃)的碳氫化合物更佳。一些實施例中，諸如3-巰基丙基三甲氧基矽烷(MPTMS)(具有化學式HS(CH2)3Si(OCH3)3)與11-巰基十一烷基三甲氧基 矽烷(MUTMS)有利地用於抑制銅擴散，而諸如十八烷基三氯矽烷[CH3(CH2)17SiCl3]與氧雙鄰苯二甲酸(ODPA)之類的化合物用作為犧牲層。
在選擇適合的自組裝單層610上，期望的特性包括疏水性(即，水接觸角大於100度)、熱穩定性(以減少或防止後續介電質沉積期間分解)、與便於移除自組裝單層610。一個實施例中，用於在銅表面602頂上形成自組裝單層610的適合化學前驅物608之範例包括具有化學式HS(CH2)3Si(OCH3)3的3-巰基丙基三甲氧基矽烷(MPTMS)、11-巰基十一烷基三甲氧基矽烷(MUTMS)、十八烷基三氯矽烷[CH3(CH2)17SiCl3]、氧雙鄰苯二甲酸(ODPA)、十八烷基三甲氧基矽烷(ODTMS)、九氟己基三甲氧基矽烷(NFHTMS)、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯矽烷(PFTS)、(3-胺丙基)三乙氧基矽烷(APTES)、或(3-胺丙基)三甲氧基矽烷(APTMS)。
該一或多個化學前驅物608藉由蒸氣拉引沉積製程引入處理腔室。一些實施例中，液態化學前驅物608放置在安瓿中，該安瓿耦接處理腔室(例如，耦接處理腔室402的氣體供應器462)且被加熱至適合形成該化學前驅物608之蒸氣的溫度，例如約攝氏45度至約攝氏200度的溫度。使用例如惰性載氣(即，不會與該化學前驅物蒸氣起化學反應的載氣，諸如氮、氬、或類似物)從安瓿拉引來自化學前驅物608的蒸氣，且遞送到處理腔室。一些實施例中，該化學前驅物608是固體前驅物（例如ODPA或氯二甲基十八烷基矽烷（CDODS））且先溶解在極性溶劑中，之後才如上文所述般於安瓿中加熱該溶液，而該極性溶劑諸如IPA、THF、DMSO、DMF、乙腈、硝基甲烷、二氯甲烷、碳酸丙烯酯、或類似物。在此類實施例中，溶劑於起泡器中蒸發，且化學前驅物之蒸氣遞送到處理腔室。
在銅表面上沉積這些層的處理條件可有所變化，且大多數取決於經受熱能的這些分子的蒸氣壓與穩定性。一些實施例中，用在於銅表面頂上沉積自組裝單層610的處理參數包括：約攝氏45度至約攝氏65度的腔室溫度、約攝氏25度至約攝氏350度的基材溫度、約75毫托至約500托的腔室壓力。一些實施例中，基材暴露至化學前驅物608達充分的時間量，以形成具適當厚度的自組裝單層610。例如，一些實施例中，基材暴露至化學前驅物608達約30秒至約900秒。一些實施例中，例如其中自組裝單層610用作為銅阻障層的實施例中，自組裝單層610之厚度為約8埃至約16埃，以使元件效能最佳化。自組裝單層610的厚度取決於前驅物分子的鏈長度。如上文所描述，具較長鏈長度從而形成較厚自組裝單層610的化學前驅物608提供自組裝單層610作為阻障層以及犧牲層的改善效能。發明人已觀察到，由較長鏈長度之化學前驅物608形成的自組裝單層610能夠提供改善的基材表面覆蓋率以及耐受後續沉積條件的改善的能力，所述後續沉積條件例如用於Barrier Low-K介電膜/ Black Diamond® 材料沉積及用於介電材料沉積，該Barrier Low-K介電膜為BLOKTM，其為可透過使用化學氣相沉積（CVD）或電漿增強CVD製程形成的碳化矽膜，描述於共同擁有的美國專利號6,287,990 B1（於2001年9月11日頒布）與美國專利號6,303,523 B2（於2001年10月16日頒布），而該Black Diamond® 是可購自美國加州Santa Clara的應用材料公司的介電材料。發明人已觀察到，上述處理條件可取決於所選的化學前驅物而有所變化，以有利地形成具如上所述之厚度的自組裝單層610。一些實施例中，例如其中化學前驅物608是MPTMS的實施例中，該化學前驅物608在起泡器中於攝氏65度加熱，且該化學前驅物之蒸氣經由遞送線路提供至HWCVD處理腔室，該遞送線路被加熱至約攝氏75度以防止冷凝。該HWCVD腔室之壁維持在約攝氏65度。該基材暴露至該化學前驅物之蒸氣達約180秒，而腔室壓力為約80毫托，基材溫度為約攝氏25度至約攝氏85度。
一些實施例中，於514，且如第6F圖與第7F圖中所描繪，在沉積自組裝單層610之後，在HWCVD腔室中將第二層612沉積在基材600頂上。一些實施例中，自組裝單層610可適合作為擴散阻障層，如第7A圖至第7F圖中所描繪。在此類實施例中，第二層612是UV BLOKTM層。發明人已觀察到，沉積自組裝單層610作為銅阻障層使UV BLOKTM層（一般是約100埃）得以更薄（例如約50埃），從而有利地減少製造成本與處理時間。一些實施例中，自組裝單層610可適合作為犧牲層，如第6A圖至第6G圖所描繪。此類實施例中，第二層612是介電層。銅表面602上自組裝單層610之層的存在防止在銅表面上有介電質沉積，這是由於自組裝單層610的疏水本質所致。任何適合的介電層，諸如氧化鉿（HfO2 ）、Al2 O3 、TiO2 、Ti摻雜的SiO2 、氧化矽（SiO2 ）、氮化矽（SiN）、氮氧化矽（SiON）、或氧化鉭（Ta2 O5 ）可於相同的處理腔室中經由化學沉積製程沉積。
於其中自組裝單層610用作為擴散阻障層的實施例中沉積UV BLOKTM層之後，方法500大體上結束，且基材600可進行進一步之處理。一些實施例中，可執行諸如沉積、蝕刻、退火、或類似物之後續製程，以製造最終的元件，諸如第7G圖中所描繪的記憶體元件，該元件具有形成於額外層706中的特徵704，該等額外層706例如下述之一或多者：金屬層、含金屬層、介電層、或抗反射塗層（ARC）之層。
在沉積介電層之後，移除用作為犧牲層的自組裝單層610，如下文所述。儘管自組裝單層610可藉由溼蝕刻製程移除，但發明人已觀察到此類製程無法完全移除該自組裝單層610且難以運用。相反地，發明人已觀察到，如下所述般移除自組裝單層610有利地完全移除自組裝單層610。
為了移除自組裝單層610，提供氫（H2 ）氣至HWCVD腔室。可以任何適合流速提供氫（H2 ）氣至HWCVD腔室，舉例而言，該流速諸如約100sccm至約400sccm（例如，對300mm晶圓的處理腔室而言）。本文提供之流速可取決於受清潔的基材之尺寸及/或HWCVD腔室之處理空間的尺寸而有所變化。一些實施例中，可例如以惰性氣體稀釋氫（H2 ）氣，該惰性氣體諸如氦（He）、氬（Ar）、或類似物。一些實施例中，例如，可以約5%至約10%（以體積計）的惰性氣體稀釋氫（H2 ）氣。可調整以體積計的惰性氣體的量，以提供在產生所需量之能量（當解離時）以助於移除自組裝單層610方面所必須的氫（H2 ）量。在氫（H2 ）氣被稀釋的實施例中，氫（H2 ）氣與惰性氣體可先混合，再提供該等氣體至HWCVD腔室。或者，一些實施例中，氫（H2 ）氣與惰性氣體可經由兩個獨立的氣體供應器共同流進HWCVD腔室，且在HWCVD腔室內混合。
接著，將配置在HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至足以解離氫（H2 ）氣的溫度。該溫度可為適合引發氫（H2 ）氣解離且進一步提供移除自組裝單層610所需之適合量的能量的任何溫度，舉例而言，該溫度諸如約攝氏1000度至約攝氏2400度，更精確而言，約攝氏1400度至約攝氏1900度。一些實施例中，該溫度可至少部分由自組裝單層610之組成所規定，從而由解離氣體與自組裝單層610之間的反應活化能及/或裂解自組裝單層610之化學鍵所需的能量的量所規定，從而助於移除自組裝單層610。
接著，如第6G圖中所描繪，基材600暴露至解離氫（H2 ）氣614以從銅表面602移除自組裝單層610。藉由將基材600暴露至解離氫（H2 ）氣614，氫原子與自組裝單層614之分子（包括例如碳、氮、氧、硫、與矽）反應，從而助於以二氧化碳、氣態氫、與水蒸氣之形式移除自組裝單層610。
基材600可暴露至解離的氫（H2 ）氣614達任何適合助於移除自組裝單層610的時間量。例如，一些實施例中，基材可暴露至解離的氫（H2 ）氣614達約10秒至約600秒，更精確而言，從約10秒至約300秒。
為了助於移除自組裝單層610，基材600可定位在HWCVD源（例如下文針對第1圖至第4圖所述之燈絲或金屬絲）下方，使得基材600暴露至氫氣及該氫氣之分解物種。基材600可定位在HWCVD源下方而以靜態位置定位於基材支撐件（例如，下文針對第4圖所述之基材支撐底座408）上，或在一些實施例中，動態地定位而在基材600通過HWCVD源下方時助於清洗。
除了上文所述之外，可利用額外的處理參數以助於從基材600移除自組裝單層610，且該額外的處理參數可至少部分由移除自組裝單層610所需的能量的量所規定。例如，一些實施例中，該處理腔室可維持在約80毫托至約400托的壓力。本文提供的腔室壓力可取決於受清洗之基材的尺寸及/或HWCVD腔室之處理空間的尺寸而有所變化。以替代方式或組合方式，於一些實施例中，可調整HWCVD腔室之物理參數（例如，燈絲直徑、燈絲至燈絲之距離、或燈絲至基材之距離）以助於將自組裝單層610從基材600移除。
在上述實施例之任一者中，處理參數（例如，氫（H2 ）氣之流速、氫（H2 ）氣對惰性氣體之比例、基材溫度、燈絲溫度、額外處理參數、HWCVD腔室之物理參數、或類似參數）之任一者可對彼此調整，以提供助於移除自組裝單層610所需之能量（舉例而言，諸如介於解離氣體與自組裝單層610之間的反應活化能）的量及/或需要裂解自組裝單層610之化學鍵的能量的量，從而助於移除自組裝單層610。
再者，發明人已觀察到，從基材清洗污染物材料606、沉積自組裝單層610、沉積後續介電層、與移除自組裝單層610一般是在多個個別處理腔室中執行，或是在包括多個腔室的群集工具中執行，從而需要移送基材。相反地，發明人已觀察到，方法500可在單一處理腔室（諸如下文針對第1圖至第4圖所述的HWCVD處理腔室）內執行，以有利地改善製程效能與晶圓產量。
第1圖至第4圖描繪適合執行上文所述之方法500的熱絲化學氣相沉積腔室。參考第1圖，設備100大體上包括容座102，該容座具有燈絲組件（熱絲源）106，該燈絲組件106裝設成定位在容座102內。該容座102裝設成配適（fit）於處理腔室內及/或耦接該處理腔室。例如，容座102可裝設成耦接於腔室主體與腔室蓋之間，諸如在下文針對第4圖所述的處理腔室中。一些實施例中，該容座102大體上包括頂部124、底部126、相對側132、144（將頂部124耦接至底部126）、第一開放端128、與相對的第二端130，該第二端130與該第一開放端128相對。第二端130亦可為開放端。凹部107形成於該容座中位於第一開放端128與第二端130之間，以將燈絲組件106配適於凹部107中。穿孔104形成為穿過容座102之頂部124與底部126，以暴露燈絲組件106的一部分。容座102可由任何適合的製程相容材料製造，舉例而言，諸如鋁、不鏽鋼、或類似物之金屬。
一些實施例中，頂部124與底部126裝設成將容座102耦接到（或界面相接（interface））處理腔室（例如，底部126對腔室主體，頂部124對腔室蓋，如第4圖所描繪），且可包括一或多個特徵以助於這樣的耦接或界面相接。舉例而言，一些實施例中，一或多個銷（圖中顯示三個銷122）可耦接容座102的頂部124，或從該容座102的頂部124突出。當該一或多個銷存在時，這些銷裝設成與處理腔室的特徵界面相接，以提供容座102對處理腔室的預定對準。一些實施例中，底部126可包括一或多個銷（圖中未示），該等銷之功能類似頂部124的一或多個銷。或者，底部126可包括一或多個開口（以虛線顯示的開口123），該等開口可與從腔室主體延伸的一或多個銷配合（mate）。
穿孔104暴露燈絲組件106之燈絲（顯示於第3圖至第3A圖），以使處理氣體得以提供到燈絲，且由處理氣體與該燈絲之交互作用所形成的所得製程資源（例如，解離的氣體）得以提供到處理腔室之內部空間，而助於執行製程。一些實施例中，穿孔104可具有適合暴露預定燈絲量的尺寸，且在一些實施例中，穿孔104可取決於處理腔室內的氣體分配機構（例如噴頭、噴嘴、或類似物）之尺寸、處理腔室之內部空間（容積）、或是受處理之基材的尺寸。一些實施例中，通道138可形成在穿孔104附近，以容納O形環，而助於在容座102耦接處理腔室時形成容座102與處理腔室之間的氣密密封。一些實施例中，襯墊108可配置於穿孔104的內表面上。當襯墊108存在時，該襯墊108可保護處理期間容座102的暴露部分。襯墊108可由任何適合的製程相容材料製造，該材料例如鋁、氧化鋁（Al2 O3 ）、不鏽鋼、或類似物。儘管顯示通道138與襯墊108只在容座102之頂部124上，但通道138與襯墊108之任一者或兩者亦可設置在容座102之底部126上。
一些實施例中，第一蓋板110與第二蓋板112可耦接容座102，以分別覆蓋第一開放端128與第二端130。第一蓋板110與第二蓋板112可經由複數個緊固件134、136耦接容座102。一些實施例中，第一蓋板110可包括一或多個電饋通件（electrical feedthrough），該等電饋通件配置成穿過第一蓋板110，而助於提供電力給燈絲組件106。舉例而言，一些實施例中，第一電饋通件114可配置成穿過第一蓋板110以助於提供電力給燈絲組件106（使用時經過導體115），而第二電饋通件116可配置穿過第一蓋板110以提供返回路徑（經由導體117）給經由第一電饋通件114提供的電力。
一些實施例中，一或多個氣體孔（圖中顯示兩個氣體孔118、120）可配置在容座102之頂部124中，而與處理腔室之氣體輸入件（諸如腔室蓋）界面相接，而使得當該設備耦接處理腔室時處理氣流通過容座102而至腔室蓋的氣體分配機構（例如噴頭、噴嘴、或類似物）。該一或多個氣體孔118、120經由形成在容座102中的導管140、142（部分以虛線顯示）流體上耦接（fluidly couple）設置在容座102之底部126中的各別的氣體孔（圖中未示）。導管140、142提供從底部126中之氣體孔到頂部124中的氣體孔118、120的流徑，使得甚至是在無法取得直線路徑時（例如，因第一開放端128處的開口所造成），頂部124與底部126中的氣體孔定位成對準腔室主體與腔室蓋（容座將會附接到腔室主體與腔室蓋，如下文針對第4圖所論述）中的各別氣體孔。一些實施例中，頂部124與底部126中的每一氣體孔可包括形成在氣體孔周圍的溝槽，以容納O形環，而在容座102耦接處理腔室時提供與處理腔室之部件（例如氣體導管）的真空密封。
參考第2圖，一些實施例中，容座102可包括複數個特徵212、214、216、218（例如，延伸部、截切部、或類似物），以界面相接處理腔室之表面或特徵。例如，容座102可具有周邊幾何形狀，該周邊幾何形狀類似與等同於腔室主體與腔室蓋界面處的處理腔室幾何形狀，使得容座102可插置於腔室主體與腔室蓋之間。容座102之底部126維持如腔室蓋的所有關鍵特徵，以用於對準、流體耦接、或類似作用。類似地，容座102之頂部124維持如腔室主體的所有關鍵特徵，以用於對準、流體耦接、或類似作用。就此而言，腔室蓋可耦接容座102正宛如腔室蓋耦接腔室主體，且腔室主體可耦接容座102正宛如腔室主體耦接腔室蓋。
第一開放端128尺寸設計成使燈絲組件（第1圖中的106）得以穿過第一開放端128插入容座102中。一些實施例中，溝槽210可形成在第一開放端128附近以容納O形環，而在第一蓋板110耦接容座時提供第一蓋板（第1圖中之110）與容座102之間的氣密密封。一些實施例中，一或多個銷（圖中顯示兩個銷224、226）可配置在第一開放端128附近，該等銷224、226裝設成與形成在第一蓋板110中的孔界面相接，以當第一蓋板110耦接容座102時提供第一蓋板110與容座102的對準。一些實施例中，類似的溝槽（圖中未示）與銷（圖中未示）可配置在第二開放端（第1圖中的第二端130）附近，上述溝槽與銷作用類似配置在第一開放端128附近的溝槽210與銷224、226。
一些實施例中，一或多個孔220、222可形成於容座102的底部126中而位在第一開放端128內，以接收緊固件，而助於將燈絲組件106固定在容座102內。一些實施例中，孔220、222可紋有螺紋而與緊固件的配合螺紋界面相接。
參考第3圖，一些實施例中，燈絲組件（熱絲源）106大體上包括框架302、頂部348、與底部340。框架302可由任何適合的製程相容材料製造，例如金屬，該金屬諸如鋁、不鏽鋼、或類似物。
頂部348與底部340覆蓋框架302的至少一部分，且在一些實施例中，頂部348與底部340提供額外的結構性支撐給框架302。頂部348與底部340可經由例如複數個緊固件354耦接框架302。穿孔342配置成穿過頂部348與底部340的各者，而形成開口343，該開口343對應容座102之頂部124與底部126中由穿孔104界定的開口（上文所述）。
框架302在形狀上大體呈矩形，且尺寸設計成相稱於第一開放端（第1圖與第2圖的128）內，以使燈絲組件106得以插入容座102中。設置可從容座組件移除的框架302容許燈絲組件106得以容易移除與修復（例如，置換壞掉的燈絲）或被例如不同的燈絲組件106置換，以助於無須移除腔室蓋即執行預定製程，而上述之不同的燈絲組件106具有相同或不同的燈絲裝設方式。框架302大體上包括第一端310、第二端312、與側面304、306，該等側面304、306將第一端310耦接第二端312。
一些實施例中，第一端310與第二端312之各者包括複數個連接件314、316，該等連接件314、316裝設成將複數個燈絲308以預定間距及/或預定張力撐托於框架302內，且提供電接觸給該複數個燈絲308。一些實施例中，一組複數個連接件（例如，第二端312之連接件316）可包括彈簧352，以在複數個燈絲308上施加張力，而防止燈絲在處理期間垂弛，舉例而言，諸如第3A圖中所示。一些實施例中，燈絲308的張力可經由連接件314、316之任一者或二者調整。往回參考第3圖，一些實施例中，第一端310與第二端312之每一者包括複數個穿孔344、346，以使複數個燈絲308得以透過第一端310與第二端312至連接件314、316。在此類實施例中，穿孔344、346之各者可具有足以防止與燈絲接觸的直徑，且可視情況任選包括電絕緣材料，該電絕緣材料配置在穿孔344、346之各者中，以助於將複數個燈絲308電隔離第一端310與第二端312。
一些實施例中，第一端310與第二端312之每一者包括複數個凸耳（tab）322、324、334、336，該等凸耳裝設成對應形成在容座102中的孔220、222，以助於將燈絲組件106固定在容座102內。一些實施例中，第一端310與第二端312之每一者可具有外構件328、356，以將第一端310與第二端312耦接框架302。外構件328、356包括複數個穿孔357，以接收緊固件而將第一端310與第二端312耦接側面304、306。
一些實施例中，第一端310包括第一電耦接件318與第二電耦接件320，以與容座102之第一電饋通件114與第二電饋通件116（上文所述）界面相接，而助於提供電力給複數個燈絲308。此類實施例中，第一電饋通件114與第二電饋通件116電耦接至複數個燈絲308以助於提供電力給複數個燈絲308。
可提供電力至作為群組（例如，於單一區塊）或是多重區塊中的複數個燈絲308，該多重區塊之每一區塊包括一或多個燈絲308。例如，一些實施例中，一或多個燈絲308可以單一區塊裝設。此類實施例中，一或多個燈絲308可彼此並聯式電耦接，且可被供有來自單一電源的電力。或者，一些實施例中，一或多個燈絲308可以複數個區塊裝設。一或多個燈絲308可以任何數目的區塊裝設，舉例而言，諸如兩個區塊或三個區塊。一些實施例中，複數個區塊的每一區塊可耦接至各別的電源，以容許獨立地調整複數個區塊的每一區塊。可與本文所述之一或多個燈絲308組合使用的這類區塊式裝設方式的範例更詳細地揭露於美國專利申請案第13/723,409號，該申請案於2012年12月21日提出申請，發明名稱為「用於以氫氣清洗基材表面的方法與設備」。
儘管第3圖中僅顯示複數個燈絲308的兩個燈絲，但複數個燈絲308可包括任何數目的燈絲，該數目足以覆蓋框架302內的預定面積。一些實施例中，複數個燈絲(金屬絲)308可為分開的金屬絲，或可為來回橫越框架302拉設的單一金屬絲。複數個燈絲308可包括任何適合的導電材料，舉例而言，諸如鎢、鉭、銥、鎳鉻、鈀、或類似物。複數個燈絲308可具有適合協助處理腔室內預定製程的任何厚度、幾何形狀、及/或密度，且可取決於例如製程中所用的基材組成、材料、及/或處理氣體以及處理腔室的尺寸。一些實施例中，複數個燈絲308之每一燈絲之間的距離(即金屬絲至金屬絲之距離)可根據特定應用而有所變化。
第4圖描繪根據本案揭露內容之一些實施例的適合用於處理基材的系統400。系統400可包括控制器450與處理腔室402，該處理腔室402具有排氣系統420，該排氣系統420用於從處理腔室402之內部移除過量的處理氣體、處理副產物、或類似物。示範性處理腔室可包括化學氣相沉積（CVD）腔室或其他處理腔室，上述腔室可購自美國加州Santa Clara的應用材料公司。可類似地使用其他適合的處理腔室。
處理腔室402具有大體上包圍處理空間405的腔室主體404與腔室蓋406。處理空間405可例如界定於基材支撐底座408與一或多個氣體入口之間，該基材支撐底座408配置在處理腔室402內以用於在處理期間於該基材支撐底座408上支撐基材410，而該一或多個氣體入口諸如耦接腔室蓋406的噴頭414及/或設置在預定位置的噴嘴。一些實施例中，設備100可耦接處理腔室402，且配置在腔室主體404與腔室蓋406之間。此類實施例中，可經由噴頭414提供一或多種處理氣體至燈絲組件（熱絲源）106的燈絲308，以助於處理空間405內的製程。電源供應器460（例如，直流電源供應器）耦接設備100以提供電力給燈絲308。
一些實施例中，基材支撐底座408可包括將基材410保持或支撐在基材支撐底座408上的機構，諸如靜電夾盤、真空夾盤、基材固定夾、或類似物（圖中未示）。一些實施例中，基材支撐底座408可包括用於控制基材溫度的機構（諸如加熱及/或冷卻裝置，圖中未示）及/或用於控制基材表面附近的物種通量及/或離子能量的機構。
舉例而言，一些實施例中，基材支撐底座408可包括RF偏壓電極440。RF偏壓電極440可透過一或多個各別的匹配網路（圖中顯示的匹配網路436）耦接一或多個偏壓電源（圖中顯示一個偏壓電源438）。一或多個偏壓電源可有能力產生最多達12,000W，頻率為約2MHz、或約13.56MHz、或約60MHz。一些實施例中，可提供兩個偏壓電源以各別約2MHz與約13.56MHz的頻率透過各別的匹配網路將RF電力耦接到RF偏壓電極440。一些實施例中，可提供三個偏壓電源以各別約2MHz、約13.56MHz、及約60MHz的頻率透過各別的匹配網路將RF電力耦接到RF偏壓電極440。至少一個偏壓電源可提供連續式或脈衝式電力。一些實施例中，取而代之，偏壓電源可為DC或脈衝式DC源。
基材410可經由腔室402之壁中的開口412進入處理腔室402。可經由狹縫閥418（或是用於選擇性提供通過開口412進出腔室內部的其他機構）選擇性密封開口412。基材支撐底座408可耦接升舉機構434，該升舉機構434可控制基材支撐底座408在下方位置（如圖所示）與可選擇的上方位置之間的位置，該下方位置適合用於經由開口412將基材移送進及送出腔室，該可選擇的上方位置適合用於處理。可選擇該處理位置以使針對特定製程的製程均勻度最大化。當基材支撐底座408處於多個上升處理位置之至少其中一者時，該基材支撐底座408可配置在開口412上方，以提供對稱的處理區域。
氣體供應器462可耦接設備100及/或噴頭414，以提供一或多種處理氣體至設備100及/或噴頭414以供處理。舉例而言，氣體供應器462可耦接腔室主體404，而所提供的氣體行進通過腔室主體404，通過容座102（例如經由導管140），且通過腔室蓋406，而至噴頭414。或者，氣體供應器462可直接耦接噴頭，如以虛線所示。設備100可有利地裝設成與處理腔室402界面相接。儘管噴頭414顯示於第4圖，但可設置額外的或替代的氣體入口，諸如配置在處理腔室402之頂壁中或側壁上的噴嘴或入口，或者上述噴嘴或入口位在其他適合提供氣體至處理腔室402之位置處，諸如處理腔室的基座、基材支撐底座的周邊、或類似位置處。
排氣系統420大體上包括泵送氣室424與一或多個導管，該等導管將該泵送氣室424例如經由一或多個入口422（第4圖中顯示兩個入口）耦接處理腔室402的內空間（且大體上耦接處理空間405）。真空泵428可經由泵送口426耦接泵送氣室424以將廢氣從處理腔室402泵送出。真空泵428可在流體上耦接排氣出口432以依照需要將廢氣送至適當的廢氣處理裝備。閥430（諸如閘閥或類似物）可配置在泵送氣室424中，以結合真空泵428的操作而助於控制廢氣的流速。儘管顯示z方向運動的閘閥，但可利用控制廢氣流動的任何適合的製程相容的閥。
為了助於控制上文所述之處理腔室402，控制器450可以是任何形式的通用電腦處理器，該通用電腦處理器可用在工業設施中以控制各種腔室與次處理器。CPU 452之記憶體（或電腦可讀媒體）456可以是易於取得的記憶體（諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、或任何其他形式的遠端或本地端數位儲存裝置）之一或多者。支援電路454耦接CPU 452，以用習知方式支援處理器。這些電路包括高速緩衝儲存器、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出電路與次系統、及類似物。
製程大體上可儲存在記憶體456中而作為軟體常式458，當該軟體常式458由CPU 452執行時會引發處理腔室402執行本案揭露內容之製程。軟體常式458也可由第二CPU（圖中未示）儲存及/或執行，該第二CPU位在由CPU452控制的硬體的遠端。本案揭露內容的方法的其中一些或全部也可在硬體中執行。就此而言，製程可在軟體中實施且於硬體（例如應用專一的積體電路或其他類型的硬體實施方式）中使用電腦系統而執行，或作為軟體與硬體之組合。軟體常式458可在基材410定位於基材支撐底座408之後執行。軟體常式458在由CPU 452執行時會將通用電腦轉換成專用電腦（控制器）450，該專用電腦450控制腔室操作使得執行製程。
雖前述內容涉及本案揭露內容之實施例，但可不背離本案揭露內容之基本範疇而設計本案揭露內容之其他與進一步之實施例。
100‧‧‧設備 102‧‧‧容座 104‧‧‧穿孔 106‧‧‧燈絲組件 107‧‧‧凹部 108‧‧‧襯墊 110‧‧‧第一蓋板 112‧‧‧第二蓋板 114‧‧‧第一電饋通件 115‧‧‧導體 116‧‧‧第二電饋通件 117‧‧‧導體 118、120‧‧‧氣體孔 122‧‧‧銷 123‧‧‧開口 124‧‧‧頂部 126‧‧‧底部 128‧‧‧第一開放端 130‧‧‧第二端 132‧‧‧側 134、136‧‧‧緊固件 138‧‧‧通道 140、142‧‧‧導管 144‧‧‧側 212、214、216、218‧‧‧特徵 220、222‧‧‧孔 224、226‧‧‧銷 302‧‧‧框架 304、306‧‧‧側面 308‧‧‧燈絲 310‧‧‧第一端 312‧‧‧第二端 314、316‧‧‧連接件 318‧‧‧第一電耦接件 320‧‧‧第二電耦接件 322、324‧‧‧凸耳 328‧‧‧外構件 334、336‧‧‧凸耳 340‧‧‧底部 342‧‧‧穿孔 343‧‧‧開口 344、346‧‧‧孔 348‧‧‧頂部 352‧‧‧彈簧 354‧‧‧緊固件 356‧‧‧構件 357‧‧‧孔 400‧‧‧系統 402‧‧‧處理腔室 404‧‧‧腔室主體 405‧‧‧處理空間 406‧‧‧腔室蓋 408‧‧‧基材支撐底座 410‧‧‧基材 412‧‧‧開口 414‧‧‧噴頭 418‧‧‧狹縫閥 420‧‧‧排氣系統 422‧‧‧入口 424‧‧‧泵送氣室 426‧‧‧泵送口 428‧‧‧真空泵 430‧‧‧閥 432‧‧‧排氣出口 434‧‧‧升舉機構 436‧‧‧匹配網路 438‧‧‧偏壓電源 440‧‧‧RF偏壓電極 450‧‧‧控制器 452‧‧‧CPU 454‧‧‧支援電路 456‧‧‧記憶體 458‧‧‧軟體常式 460‧‧‧電源供應器 462‧‧‧氣體供應器 500‧‧‧方法 502-514‧‧‧步驟 600‧‧‧基材 602‧‧‧銅表面 604‧‧‧含矽表面 606‧‧‧污染物材料 608‧‧‧化學前驅物 610‧‧‧自組裝單層 612‧‧‧第二層 614‧‧‧氫（H2）氣 702‧‧‧阻障層 704‧‧‧特徵 706‧‧‧額外層
可透過參考繪示於附圖中的本案揭露內容之說明性實施例，可得到上文簡要總結且於下文更詳細論述的本案揭露內容之實施例。然而，應注意附圖僅說明本案揭露內容之典型實施例，因此不應被視為限制本案揭露內容之範疇，因為本案揭露內容可容許其他等效實施例。
第1圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪將熱絲源耦接處理腔室的設備。
第2圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪將熱絲源耦接處理腔室的設備的一部分。
第3圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪將熱絲源耦接處理腔室的設備的一部分。
第3A圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪第3圖中所描繪之設備的細節。
第4圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪適合與將熱絲源耦接處理腔室的設備一併使用的處理腔室。
第5圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪處理基材之方法的流程圖。
第6A圖至第6G圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪處理基材的階段。
第7A圖至第7G圖根據本案揭露內容之一些實施例描繪處理基材的階段。
為了助於瞭解，在可能之處已使用相同的元件符號指定各圖共通的相同元件。該等圖式並未按照比例尺繪製，且可為了明確起見而經簡化。一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例而無須進一步記載。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
500‧‧‧方法
502-514‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種處理具暴露銅表面之基材之方法，包括下述步驟：(a)將一基材提供至一熱絲化學氣相沉積(HWCVD)腔室內的一基材支撐件，該基材具有一污染物材料，該污染物材料配置在該銅表面上；(b)提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室；(c)將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至足以解離該氫(H2)氣之一溫度；(d)將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣，以從該銅表面移除該污染物材料；(e)將該一或多個燈絲冷卻至室溫；(f)將該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積一自組裝單層；以及(g)於該基材頂上沉積一第二層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中沉積該第二層之步驟進一步包括下述步驟：在沉積該自組裝單層後，在該HWCVD腔室中於該基材之一暴露含矽表面頂上選擇性沉積一介電層；提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室； 將配置在該HWCVD腔室中的該一或多個燈絲加熱至足以解離該氫(H2)氣的一溫度；以及將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣以從該銅表面移除該自組裝單層。
  3. 如請求項1所述之方法，其中沉積該第二層之步驟進一步包括下述步驟：在該自組裝單層頂上沉積一UV阻障低K介電膜層。
  4. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中解離該氫(H2)氣的該燈絲之溫度是約攝氏1000度至約攝氏2400度。
  5. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該一或多個燈絲包括20個至32個燈絲。
  6. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該一或多個燈絲由鉭、鎢、或銥構成。
  7. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中在(b)至(d)期間，將該基材支撐件加熱到約攝氏50度至約攝氏400度。
  8. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該自組裝單層的厚度為約12埃至約13埃。
  9. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該一或多個化學前驅物包括一頭部基團、一尾部 基團、與一鏈，該頭部基團鍵結該銅表面且提供超過約攝氏300度的熱穩定度，該尾部基團提供疏水性，該鏈將該頭部基團連接到該尾部基團。
  10. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中將該基材暴露至一或多個化學前驅物之步驟進一步包括下述步驟：加熱一或多個安瓿，該安瓿含有一或多個化學前驅物；以及使用一載氣從該一或多個安瓿拉引該一或多個化學前驅物的蒸氣。
  11. 如請求項10所述之方法，進一步包括下述步驟：將該一或多個安瓿加熱至約攝氏45度至約攝氏200度的溫度。
  12. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該基材在該自組裝單層沉積的期間的溫度是約攝氏25度至約攝氏350度。
  13. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該HWCVD腔室中在該自組裝單層沉積期間的壓力是約80毫托至約500托。
  14. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該基材暴露至該一或多個化學前驅物達約30秒至約600秒。
  15. 如請求項1至請求項3任一項所述之方法，其中該基材在從該銅表面移除該自組裝單層的期間 的溫度為約攝氏25度至約攝氏350度。
  16. 一種處理具暴露銅表面的基材的方法，包括下述步驟：將一基材提供至一熱絲化學氣相沉積(HWCVD)腔室內的一基材支撐件，該基材具有一汙染物材料，該污染物材料配置在銅表面上；提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室；將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至約攝氏1000至約攝氏2400度的溫度，以解離該氫(H2)氣，且將該基材支撐件加熱至約攝氏50度至約攝氏400度的溫度；將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣，以從該銅表面移除該汙染物材料；將該一或多個燈絲冷卻至室溫；將耦接至該HWCVD腔室的一或多個安瓿加熱至約攝氏25度至約攝氏200度的一溫度，該安瓿含有一或多個化學前驅物；使用一載氣將該一或多個化學前驅物之蒸氣從該一或多個安瓿拉引；使該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積一自組裝單層，其中該基材被加熱到約攝氏25度至約攝氏350度的 一溫度；其中該HWCVD腔室中在該自組裝單層沉積期間的一壓力為約80毫托至約500托；且其中該基材暴露至該一或多個前驅物達約30至約600秒；以及於該基材頂上沉積一第二層。
  17. 如請求項16所述之方法，其中沉積該第二層之步驟進一步包括下述步驟：在沉積該自組裝單層後，在該HWCVD腔室中於該基材之一暴露含矽表面頂上選擇性沉積一介電層；提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室；將配置在該HWCVD腔室中的該一或多個燈絲加熱至足以解離該氫(H2)氣的溫度；以及將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣以從該銅表面移除該自組裝單層，其中該基材在從該銅表面移除該自組裝單層的期間的溫度為約攝氏150度至約攝氏350度。
  18. 如請求項16至請求項17任一項所述之方法，其中沉積該第二層之步驟進一步包括下述步驟：在該自組裝單層頂上沉積一UV阻障低K界面膜層。
  19. 一種電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體上儲存有指令，當執行該等指令時，該等指令引發處理腔室執行處理基材之方法，該基材具有一暴露銅表面及一暴露含矽表面，該方法包括下述步驟：(a)將一基材提供至一熱絲化學氣相沉積(HWCVD)腔室內的一基材支撐件，該基材具有一污染物材料，該污染物材料配置在該銅表面上；(b)提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室；(c)將配置在該HWCVD腔室中的一或多個燈絲加熱至足以解離該氫(H2)氣之溫度；(d)將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣，以從該銅表面移除該污染物材料；(e)將該一或多個燈絲冷卻至室溫；(f)將該HWCVD腔室中的該基材暴露至一或多個化學前驅物，以於該銅表面頂上沉積一自組裝單層；以及(g)於該基材頂上沉積一第二層。
  20. 如請求項19所述之電腦可讀媒體，其中沉積該第二層之步驟進一步包括下述步驟：在沉積該自組裝單層後，在該HWCVD腔室中於該基材之該含矽表面頂上選擇性沉積一介電層；提供氫(H2)氣至該HWCVD腔室； 將配置在該HWCVD腔室中的該一或多個燈絲加熱至足以解離該氫(H2)氣的溫度；以及將該基材暴露至解離的該氫(H2)氣以從該銅表面移除該自組裝單層。
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Families Citing this family (301)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN205177785U (zh) * 2013-03-14 2016-04-20 应用材料公司 处理腔室及用于将热线源耦接至该处理腔室的装置
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10814349B2 (en) 2015-10-09 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US9869018B2 (en) * 2016-04-26 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Solid precursor delivery method using liquid solvent for thin film deposition
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10373820B2 (en) * 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10794853B2 (en) 2016-12-09 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US20180308685A1 (en) * 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Low temperature selective epitaxial silicon deposition
US11424104B2 (en) * 2017-04-24 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with electrode filaments extending from ceiling
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
TWI850084B (zh) 2017-06-14 2024-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於達成無缺陷自組裝單層的晶圓處理設備
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI772516B (zh) * 2017-09-12 2022-08-01 美商應用材料股份有限公司 藉由化學蝕刻去除選擇性沉積缺陷
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10513778B2 (en) 2017-09-22 2019-12-24 Applied Materials, Inc. Native or uncontrolled oxide reduction by HWCVD H* using specific metal chamber liner
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10892161B2 (en) 2017-11-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Enhanced selective deposition process
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
TWI757565B (zh) * 2017-12-22 2022-03-11 美商應用材料股份有限公司 在導電表面上沉積阻擋層的方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US20190368040A1 (en) * 2018-06-01 2019-12-05 Asm Ip Holding B.V. Infiltration apparatus and methods of infiltrating an infiltrateable material
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10643889B2 (en) 2018-08-06 2020-05-05 Lam Rasearch Corporation Pre-treatment method to improve selectivity in a selective deposition process
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200023196A (ko) * 2018-08-23 2020-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI845579B (zh) 2018-12-21 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
TWI842830B (zh) 2019-03-01 2024-05-21 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室與沉積交替材料層的方法
TWI818151B (zh) 2019-03-01 2023-10-11 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積腔室及其操作方法
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP7118023B2 (ja) * 2019-03-25 2022-08-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US10961624B2 (en) * 2019-04-02 2021-03-30 Gelest Technologies, Inc. Process for pulsed thin film deposition
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TWI845677B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7365898B2 (ja) * 2019-12-27 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
CN115917037A (zh) 2020-05-27 2023-04-04 盖列斯特有限公司 从n-烷基取代的全氢化环三硅氮烷制备的硅基薄膜
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
US11810817B2 (en) * 2020-10-14 2023-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. In-situ CMP self-assembled monolayer for enhancing metal-dielectric adhesion and preventing metal diffusion
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010009154A1 (en) * 1998-08-19 2001-07-26 Tue Nguyen In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6764952B1 (en) * 2002-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Systems and methods to retard copper diffusion and improve film adhesion for a dielectric barrier on copper
WO2009061322A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Midwest Research Institute Low-temperature junction growth using hot-wire chemical vapor deposition
TW201300562A (zh) * 2011-06-10 2013-01-01 Applied Materials Inc 使用熱線化學氣相沉積腔室清潔基材表面之方法
TW201303072A (zh) * 2011-07-01 2013-01-16 Metal Ind Res & Dev Ct 薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法
US20130302595A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 Biao Liu Super-hydrophobic and oleophobic transparent coatings for displays
TW201418156A (zh) * 2012-10-26 2014-05-16 Applied Materials Inc 銅基板上的奈米碳管之生長

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2660944B2 (ja) 1992-09-14 1997-10-08 光技術研究開発株式会社 半導体表面の清浄化方法
US5409543A (en) 1992-12-22 1995-04-25 Sandia Corporation Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen
JPH09190979A (ja) 1996-01-10 1997-07-22 Nec Corp 選択シリコンエピタキシャル成長方法及び成長装置
JPH10340857A (ja) 1997-06-10 1998-12-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JPH11202099A (ja) 1998-01-13 1999-07-30 Nissin High Voltage Co Ltd 電子線加速器のクリーニング方法
US6319728B1 (en) 1998-06-05 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method for treating a deposited film for resistivity reduction
US6427622B2 (en) 1998-08-28 2002-08-06 Mv Systems, Inc. Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods
US6395099B1 (en) 1999-02-08 2002-05-28 Micron Technology Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces
JP4459329B2 (ja) 1999-08-05 2010-04-28 キヤノンアネルバ株式会社 付着膜の除去方法及び除去装置
EP1258914B1 (en) 2000-09-14 2006-11-22 Japan as represented by President of Japan Advanced Institute of Science and Technology Heating element cvd device
US20020104481A1 (en) 2000-12-06 2002-08-08 Chiang Tony P. System and method for modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
KR20020083767A (ko) 2001-04-30 2002-11-04 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장 공정에서의 기판 세정 방법
JP2004103745A (ja) 2002-09-06 2004-04-02 Japan Science & Technology Corp ホットワイヤｃｖｄ法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法
CN101457338B (zh) 2003-02-14 2011-04-27 应用材料股份有限公司 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备
US7220665B2 (en) 2003-08-05 2007-05-22 Micron Technology, Inc. H2 plasma treatment
KR100900073B1 (ko) 2005-03-16 2009-05-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판처리방법 및 기판처리장치
US7727590B2 (en) 2006-05-18 2010-06-01 California Institute Of Technology Robust filament assembly for a hot-wire chemical vapor deposition system
US20070278682A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Chung-Chi Ko Self-assembled mono-layer liner for cu/porous low-k interconnections
US7518128B2 (en) 2006-06-30 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned
US20080045030A1 (en) 2006-08-15 2008-02-21 Shigeru Tahara Substrate processing method, substrate processing system and storage medium
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP4412360B2 (ja) 2007-06-27 2010-02-10 コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 画像形成装置
US8409351B2 (en) 2007-08-08 2013-04-02 Sic Systems, Inc. Production of bulk silicon carbide with hot-filament chemical vapor deposition
WO2009059614A1 (en) 2007-11-06 2009-05-14 Carl Zeiss Smt Ag Method for removing a contamination layer from an optical surface, method for generating a cleaning gas, and corresponding cleaning and cleaning...
US8043976B2 (en) 2008-03-24 2011-10-25 Air Products And Chemicals, Inc. Adhesion to copper and copper electromigration resistance
US8117987B2 (en) 2009-09-18 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Hot wire chemical vapor deposition (CVD) inline coating tool
US8709537B2 (en) 2010-10-22 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Methods for enhancing tantalum filament life in hot wire chemical vapor deposition processes
US8642376B2 (en) 2011-05-16 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Methods for depositing a material atop a substrate
US8653190B2 (en) 2011-08-08 2014-02-18 3M Innovative Properties Company Curable cyclic anhydride copolymer/silicone composition
US8785304B2 (en) 2011-08-26 2014-07-22 Applied Materials, Inc. P-I-N structures and methods for forming P-I-N structures having an i-layer formed via hot wire chemical vapor deposition (HWCVD)
US8906454B2 (en) 2011-09-12 2014-12-09 Applied Materials, Inc. Methods for depositing metal-polymer composite materials atop a substrate
KR101290896B1 (ko) 2011-10-13 2013-07-29 중앙대학교 산학협력단 산질화를 이용한 내식성 금속 및 내식성 향상을 위한 금속 표면 개질 방법
WO2013096748A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning substrate surfaces with atomic hydrogen
US20140179110A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing germanium containing material, a iii-v compound containing material, or a ii-vi compound containing material disposed on a substrate using a hot wire source

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010009154A1 (en) * 1998-08-19 2001-07-26 Tue Nguyen In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6764952B1 (en) * 2002-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Systems and methods to retard copper diffusion and improve film adhesion for a dielectric barrier on copper
WO2009061322A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Midwest Research Institute Low-temperature junction growth using hot-wire chemical vapor deposition
TW201300562A (zh) * 2011-06-10 2013-01-01 Applied Materials Inc 使用熱線化學氣相沉積腔室清潔基材表面之方法
TW201303072A (zh) * 2011-07-01 2013-01-16 Metal Ind Res & Dev Ct 薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法
US20130302595A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 Biao Liu Super-hydrophobic and oleophobic transparent coatings for displays
TW201418156A (zh) * 2012-10-26 2014-05-16 Applied Materials Inc 銅基板上的奈米碳管之生長

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Publication number Publication date
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