CN205177785U - 处理腔室及用于将热线源耦接至该处理腔室的装置 - Google Patents

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哈恩·阮
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Abstract

本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在某些实施方式中,一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置可包括:壳体,所述壳体具有开放端与通孔,所述通孔形成为穿过所述壳体的顶部与底部;以及灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。

Description

处理腔室及用于将热线源耦接至该处理腔室的装置
技术领域
本实用新型的实施方式一般涉及半导体基板处理。
背景技术
发明人已经观察到,使用热线源(hotwiresource)的传统处理腔室通常包括灯丝(线)构造,灯丝(线)构造在没有导致处理腔室的无法接受的停工期的情况下,是不容易改变或更换的。
因此,根据本实用新型的某些实施方式,发明人提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
实用新型内容
使用热线源的传统处理腔室通常包括灯丝(线)构造,灯丝(线)构造在没有导致处理腔室的无法接受的停工期的情况下,是不容易改变或更换的。为了克服上述缺陷,本实用新型提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
本文提供一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在某些实施方式中,一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置可包括:壳体,所述壳体具有开放端与通孔,所述通孔穿过所述壳体的顶部与底部而形成;以及灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
在某些实施方式中,一种处理腔室可包括:腔室主体,所述腔室主体具有盖子;热线源,所述热线源耦接至所述腔室主体,所述热线源包括:壳体,所述壳体具有第一开放端与通孔,所述通孔穿过所述壳体的顶部与底部而形成,所述通孔被配置成对应于设置于所述处理腔室内的喷头,其中所述壳体的所述顶部被配置成耦接于所述腔室主体的所述盖子,且所述壳体的所述底部被配置成耦接于所述腔室主体;以及灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
本实用新型的其他与进一步实施方式叙述于下。
本实用新型装置可有利地提供可以容易移除且更换的灯丝组件,由此允许被不同地配置的灯丝组件能被安装在处理腔室内,以执行期望的处理。另外,本实用新型装置可促成原本并非配置来与热线源一起使用的处理腔室的翻新改进。
附图说明
通过参照附图中绘示的本实用新型的例示实施方式,可理解在下面更详细讨论且简要概述于上的本实用新型的实施方式。但是,注意到,附图只例示本实用新型的典型实施方式,因此不视为限制本实用新型的范围,因为本实用新型可容许其他等效实施方式。
图1示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置。
图2示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置的一部分。
图3示出根据本实用新型的某些实施方式的用于将热线源耦接至处理腔室的装置的一部分。
图3A示出根据本实用新型的某些实施方式的图3中所示的装置的细部。
图4示出根据本实用新型的某些实施方式的处理腔室,所述处理腔室适于与用于将热线源耦接至处理腔室的装置一起使用。
为了助于理解,已经在任何可能的地方使用相同的元件符号来表示附图中共同的相同元件。附图未按比例绘制,且可以为了清楚加以简化。预期一个实施方式的元件与特征可有利地并入其他实施方式中,而不用另外详述。
具体实施方式
本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在至少某些实施方式中,本实用新型装置可有利地提供可以容易移除且更换的灯丝组件,由此允许被不同地配置的灯丝组件能被安装在处理腔室内,以执行期望的处理。另外,本实用新型装置可促成原本并非配置来与热线源一起使用的处理腔室的翻新改进。
参见图1,装置100通常包括壳体102,壳体102使灯丝组件(热线源)106配置成设置于壳体102内。壳体102被配置成配装于处理腔室内和/或耦接于处理腔室。例如,壳体102可被配置成耦接于腔室主体与腔室盖子之间,例如在关于图4描述于下的处理腔室中。在某些实施方式中,壳体102通常包括顶部124、底部126、将顶部124耦接于底部126的相对侧部132、134、第一开放端128与相对于第一开放端的相对第二端130。第二端130也可为开放端。凹槽107形成于壳体102中并且在第一开放端128与第二端130之间,以将灯丝组件106配装于凹槽107内。通孔104穿过壳体102的顶部124与底部126而形成,以暴露灯丝组件106的一部分。壳体102可由任何合适的工艺相容(processcompatible)材料制成,例如金属,诸如铝、不锈钢或类似金属。
在某些实施方式中,顶部124与底部126被配置成将壳体102耦接于处理腔室或者将壳体102与处理腔室相接合(interfacewith)(例如,底部126耦接于腔室主体,并且顶部124耦接于腔室盖子,如图4所示),并且顶部124与底部126可包括一或更多个特征部来促成此种耦接或接合。例如,在某些实施方式中,一或更多个销(图示三个销122)可耦接于壳体102的顶部124并且从壳体102的顶部124突伸。当存在时,一或更多个销被配置成与处理腔室的特征部相接合,以提供壳体102相对于处理腔室的期望的对准。在某些实施方式中,底部126可包括一或更多个销(未图示),所述一或更多个销的作用类似于顶部124的一或更多个销。或者,底部126可包括一或更多个开口(以虚线图示的开口123),所述一或更多个开口能够与从腔室主体延伸的一或更多个销相配合。
通孔104暴露灯丝组件106的灯丝(图示于图3至图3A中),以使处理气体能被提供至灯丝,且使处理气体与灯丝的相互作用所形成的生成处理源(例如,分离后的气体)能被提供至处理腔室的内部空间,以帮助执行处理。在某些实施方式中,通孔104可具有适于暴露期望数量的灯丝的尺寸,且在某些实施方式中,通孔104可取决于处理腔室内气体分配机构(例如,喷头、喷嘴或类似机构)的尺寸、处理腔室的内部空间或被处理的基板的尺寸。在某些实施方式中,通道138可形成于通孔104的周围以容纳O型环,以当壳体102耦接于处理腔室时,帮助形成壳体102与处理腔室之间的气密密封。在某些实施方式中,衬里108可设置于通孔104的内表面上。当存在时,衬里108可在处理期间保护壳体102的暴露部分。衬里108可由任何合适的工艺相容材料制成,所述材料例如是铝、氧化铝(Al2O3)、不锈钢或类似材料。虽然仅图示在壳体102的顶部124上,但是通道138与衬里108任一或两者也可设置于壳体102的底部126上。
在某些实施方式中,第一盖板110与第二盖板112可耦接于壳体102,以分别覆盖第一开放端128与第二端130。第一盖板110与第二盖板112可通过多个紧固件134、136而耦接于壳体102。在某些实施方式中,第一盖板110可包括一或更多个电馈通部,所述一或更多个电馈通部被设置成穿过第一盖板110以帮助提供电力至灯丝组件106。例如,在某些实施方式中,第一电馈通部114可被设置成穿过第一盖板110,以帮助(在使用期间通过导体115)提供电力至灯丝组件106,并且第二电馈通部116可被设置成穿过第一盖板110,以对通过第一电馈通部114所提供的电力(通过导体117)提供返回路径。
在某些实施方式中,一或更多个气孔(图示两个气孔118、120)可设置于壳体102的顶部124中以与处理腔室的气体输入部(例如,腔室盖子)相接合,以当所述装置耦接于处理腔室时,使得处理气体能流动经过壳体102到腔室盖子的气体分配机构(例如,喷头、喷嘴或类似机构)。通过形成于壳体102中的相应的导管140、142(以虚线部分地图示),一或更多个气孔118、120流体地耦接于设置于壳体102的底部126中的相应气孔(未图示)。导管140、142提供从底部126中的气孔到顶部124中的气孔118、120的流动路径,使得甚至当直线路径无法实现时(例如,因为第一开放端128处的开口),顶部124与底部126中的气孔被定位成对准于将要附接壳体的腔室主体和腔室盖子中的相应气孔(如关于图4于下面所讨论的)。在某些实施方式中,顶部124与底部126中的每个气孔可包括形成于气孔周围的沟槽以容纳O型环,以当壳体102耦接于处理腔室时,提供与处理腔室的部件(例如,气体导管)的真空密封。
参见图2,在某些实施方式中,壳体102可包括多个特征部212、214、216、218(例如,延伸部、切除部或类似特征部),以与处理腔室的表面或特征部相接合。例如,壳体102可具有与在腔室主体和腔室盖子的界面处的处理腔室几何形状相同或相似的周边几何形状,使得壳体102可插设于腔室主体与腔室盖子之间。壳体102的底部126维持用于对准、流体耦接或类似者的所有关键特征部,如同腔室盖子。类似地,壳体102的顶部124维持用于对准、流体耦接或类似者的所有关键特征部,如同腔室主体。照此,腔室盖子可耦接于壳体102,就像壳体102将耦接于腔室主体一样,并且腔室主体可耦接于壳体102,就像壳体102将耦接于腔室盖子一样。
第一开放端128的尺寸被设计成使得灯丝组件(图1中的106)能通过第一开放端128而插入壳体102中。在某些实施方式中,沟槽210可形成于第一开放端128的周围以容纳O型环,以当第一盖板(图1中的110)耦接于壳体102时,提供第一盖板110与壳体102之间的气密密封。在某些实施方式中,一或更多个销(图示两个销224、226)可设置于第一开放端128的周围,销224、226被配置成与形成于第一盖板110中的孔相接合,以当第一盖板110耦接于壳体102时,提供第一盖板110与壳体102的对准。在某些实施方式中,类似的沟槽(未图示)与销(未图示)可设置于第二开放端(图1的第二端130)的周围,作用类似于设置于第一开放端128的周围的沟槽210与销224、226。
在某些实施方式中,一或更多个孔220、222可形成于壳体102的底部126中并且在第一开放端128内,以接纳紧固件,来帮助将灯丝组件106固定在壳体102内。在某些实施方式中,孔220、222可设有螺纹,以与紧固件的配合螺纹相接合。
参见图3,在某些实施方式中,灯丝组件(热线源)106通常包括框部302、顶部348与底部340。框部302可由任何合适的工艺相容材料制成,例如金属,诸如铝、不锈钢或类似金属。
顶部348与底部340覆盖框部302的至少一部分,且在某些实施方式中,顶部348与底部340给框部302提供额外的结构支撑。顶部348与底部340可通过例如多个紧固件354而耦接于框部302。通孔342被设置成穿过顶部348与底部340每一个,以形成开口343,开口343对应于(上述)壳体102的顶部124与底部126中的通孔104所界定的开口。
框部302大体上为矩形的形状,且框部302的尺寸经过设计以配装于第一开放端(图1与图2中的128)内,以使灯丝组件106能被插入壳体102中。提供可从壳体组件移除的框部302允许灯丝组件106能被简易移除与修复(例如,更换坏掉的灯丝),或者利用例如具有相同或不同灯丝构造的不同灯丝组件106来替换,以帮助执行期望的处理而不需要移除腔室盖子。框部302通常包括第一端310、第二端312与侧部304、306,侧部304、306将第一端310耦接于第二端312。
在某些实施方式中,第一端310与第二端312每一端包括多个连接器314、316,多个连接器314、316被配置成以期望的间距和/或期望的张力将多个灯丝308保持在框部302内并且提供对于多个灯丝308的电接触。在某些实施方式中,多个连接器(例如,第二端312的连接器316)中的一组连接器可包括弹簧352以施加张力于多个灯丝308上,以防止灯丝在处理期间下垂,例如图3A所示。在某些实施方式中,灯丝308的张力可以是通过连接器314、316任一或两者可调整的。返回参见图3,在某些实施方式中,第一端310与第二端312每一端包括多个通孔344、346,以使得多个灯丝308能穿过第一端310与第二端312到达连接器314、316。在这样的实施方式中,通孔344、346每一个可具有足以防止与灯丝相接触的直径,且通孔344、346每一个可选择性地包括设置于通孔344、346每一个内的电性绝缘材料,以帮助将多个灯丝308与第一端310和第二端312电性隔离开。
在某些实施方式中,第一端310与第二端312每一端包括多个突出部(tab)322、324、334、336,多个突出部(tab)322、324、334、336被配置成对应于形成于壳体102中的孔220、222,以帮助将灯丝组件106固定于壳体102内。在某些实施方式中,第一端310与第二端312每一端可具有外部构件328、356,以将第一端310与第二端312耦接于框部302。外部构件328、356包括多个通孔357以接纳紧固件,以将第一端310与第二端312耦接于侧部304、306。
在某些实施方式中,第一端310包括第一电耦接部318与第二电耦接部320,以与(上述)壳体102的第一电馈通部114与第二电馈通部116相接合,来帮助提供电力至多个灯丝308。在这样的实施方式中,第一电馈通部114与第二电馈通部116电耦接于多个灯丝308,来帮助提供电力至多个灯丝308。
电力可被提供至作为一群组(例如,单一区中)的多个灯丝308,或提供至多个区中的多个灯丝308,所述多个区的每一区包括一或更多个灯丝308。例如,在某些实施方式中,一或更多个灯丝308可被配置在单一区中。在这样的实施方式中,所述一或更多个灯丝308可并联地电耦接于彼此并且由单一电源来提供电力。或者,在某些实施方式中,一或更多个灯丝308可配置在多个区中。一或更多个灯丝308可被配置在任何数量的区中,例如两个区或三个区。在某些实施方式中,多个区的每一区可被耦接成具有分开的电源,以允许多个区的每一区的独立调整。可与本文所述的一或更多个灯丝308结合使用的这样分区的配置的范例更详细揭示于序列号为第13/723,409号的美国专利申请中,所述申请于2012年12月21日递交,发明名称为“MethodsandApparatusforCleaningSubstrateSurfaceswithHydrogen(用于用氢清洁基板表面的方法和设备)”。
虽然图3仅示出多个灯丝308的两个灯丝,但可了解到,多个灯丝308可包括足以覆盖框部302内期望区域的任何数量的灯丝。在某些实施方式中,多个灯丝(线)308可以是分开的线,或者可以是来回跨过框部302的单根线。多个灯丝308可包括任何合适的导电材料,例如钨、钽、铱、镍铬、钯或类似材料。多个灯丝308可具有适于促成处理腔室中的期望处理的任何厚度、几何外形和/或密度,且多个灯丝308可取决于例如基板成分、处理中所用的材料和/或处理气体以及处理腔室的尺寸。在某些实施方式中,多个灯丝308的每一灯丝之间的距离(亦即,线到线的距离)可根据特定应用而改变。
图4示出根据本实用新型的某些实施方式的适于处理基板的系统400。系统400可包括控制器450与处理腔室402,处理腔室402具有排放系统420,排放系统420用于从处理腔室402的内部移除多余的处理气体、处理的副产物或类似物。示例性的处理腔室可包括化学气相沉积(CVD)或其他处理腔室,可从SantaClara,California(加州的圣克拉拉)的AppliedMaterialsInc.(应用材料公司)取得。类似地可使用其他合适的处理腔室。
处理腔室402具有腔室主体404与腔室盖子406,腔室主体404与腔室盖子406大体上围绕处理空间405。处理空间405可被界定于例如基板支撑基座408与一或更多个气体入口(诸如,耦接于腔室盖子406的喷头414和/或设置于期望位置的喷嘴)之间,基板支撑基座408设置于处理腔室402内,基板支撑基座408用于在处理期间将基板410支撑于基板支撑基座408上。在某些实施方式中,本实用新型的设备100可耦接于处理腔室402并且设置于腔室主体404与腔室盖子406之间。在这样的实施方式中,一或更多个处理气体可通过喷头414被提供至灯丝组件(热线源)106的灯丝308,以促成处理空间405内的处理。电源460(例如,DC电源)被耦接于装置100,以提供电力至灯丝308。
在某些实施方式中,基板支撑基座408可包括将基板410保持或支撑于基板支撑基座408的表面上的机构,诸如静电夹具、真空夹具、基板保持夹或类似机构(未图示)。在某些实施方式中,基板支撑基座408可包括用于控制基板温度的机构(例如加热和/或冷却装置,未图示)和/或用于控制基板表面附近的离子能量和/或物种通量(speciesflux)的机构。
例如,在某些实施方式中,基板支撑基座408可包括RF偏压电极440。RF偏压电极440可通过一或更多个相应的匹配网络(图示匹配网络436)而耦接于一或更多个偏压电源(图示一个偏压电源438)。一或更多个偏压电源可以能在大约2MHz或大约13.56MHz或大约60MHz的频率下产生高达12000W。在某些实施方式中,可提供两个偏压电源,用于在大约2MHz与大约13.56MHz的相应频率下通过相应的匹配网络将RF电力耦接至RF偏压电极440。在某些实施方式中,可提供三个偏压电源,用于在大约2MHz、大约13.56MHz与大约60MHz的相应频率下通过相应的匹配网络将RF电力耦接至RF偏压电极440。至少一个偏压电源可提供连续式或脉冲式电力。在某些实施方式中,偏压电源替代地可以是DC或脉冲DC源。
基板410可通过处理腔室402的壁中的开口412进入处理腔室402。开口412可通过狭缝阀418来被选择性地密封,或者通过其他机构被选择性地密封,所述其他机构用于选择性地提供通过开口412进出腔室内部的方式。基板支撑基座408可耦接于升举机构434,升举机构434可控制基板支撑基座408的在下部位置(如图所示)与可选择的上部位置之间的位置,该下部位置适于通过开口412传送基板进与出腔室,且该上部位置适于用于处理。可选择处理位置,以最大化特定处理的处理均匀性。当在至少一个升高的处理位置时,基板支撑基座408可设置于开口412之上,以提供对称的处理区域。
气体供应源462可耦接于装置100和/或喷头414,以提供一或更多个处理气体至装置100和/或喷头414,用于处理。例如,气体供应源462可耦接于腔室主体404,而所提供的气体行经腔室主体404、(例如,通过导管140)行经壳体102且行经腔室盖子406到达喷头414。或者,气体供应源462可直接耦接于喷头414,如同虚线所示。装置100可有利地配置成以实质上它现有的构造来与处理腔室402相接合。虽然图4绘示喷头414,但可提供额外或替代的气体入口,诸如设置于处理腔室402的侧壁上或顶板中的入口或喷嘴,或者在其他适用于如期望地提供气体至处理腔室402的位置处提供额外或替代的气体入口,诸如在处理腔室的基座、基板支撑基座的周边或类似位置。
排放系统420通常包括泵送气室424与一或更多个导管,所述一或更多个导管例如通过一或更多个入口422(图4绘示两个入口)将泵送气室424耦接于处理腔室402的内部空间(以及大体上,处理空间405)。真空泵428可通过泵送端口426耦接于泵送气室424,真空泵428用于从处理腔室402泵抽出排放气体。真空泵428可流体地耦接于排放出口432,排放出口432用于如同所需地将排放物按照路线发送至合适的排放物处理装备。阀430(例如,闸阀或类似的阀)可设置于泵送气室424中,以结合真空泵428的操作来促成排放气体的流率的控制。虽然图示z方向运动(z-motion)的闸阀,但可使用任何合适的、工艺相容的(processcompatible)阀来控制排放物的流动。
为了如上所述地促成处理腔室402的控制,控制器450可以是任何形式的通用计算机处理器之一,可用于控制各种腔室与子处理器的工业设定中。CPU452的存储器(或计算机可读介质)456可以是一种或更多种易于获得的存储器,例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的本地或远程的数字储存器。支持电路454耦接于CPU452,用于以常用的方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路与子系统、以及类似电路。
各处理过程可以通常作为软件程序458被储存在存储器456中,软件程序458在被CPU452执行时,导致处理腔室402执行本实用新型的各处理过程。软件程序458也可被第二CPU(未图示)储存和/或由第二CPU执行,第二CPU在距受CPU452控制的硬件的远程位置。本实用新型的该方法的一些或全部也可用硬件执行。因此,可用软件实施所述处理过程并且用硬件利用计算机系统执行所述处理过程,所述硬件例如是一种应用专用集成电路或其他种类的硬件设施,或者作为软件与硬件的组合。软件程序458可在基板410定位在基板支撑基座408上之后执行。软件程序458在被CPU452执行时,将通用计算机转换成控制腔室操作的专用计算机(控制器)450,使得这些处理过程被执行。
因此,本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。本实用新型装置的实施方式有利地促成将热线源耦接至处理腔室,同时提供从处理腔室移除和/或更换热线源的便利,而不需移除腔室盖子。
虽然前述是关于本实用新型的实施方式,但本实用新型的其他与进一步实施方式可被设想出而无偏离本实用新型的基本范围。

Claims (15)

1.一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置,所述装置包括:
壳体,所述壳体具有第一开放端与通孔,所述通孔穿过所述壳体的顶部与底部而形成;及
灯丝组件,所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内,所述灯丝组件具有框部与多个灯丝,所述多个灯丝设置成横跨所述框部,其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时,所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部,且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述壳体的所述底部被配置成耦接至所述处理腔室的腔室主体,且所述顶部被配置成耦接至所述处理腔室的盖子。
3.如权利要求1所述的装置,其中所述壳体包括一或更多个气孔,所述一或更多个气孔设置成穿过所述壳体并且被配置成与所述处理腔室的气体输入部相接合,以使处理气体能流动经过所述壳体到所述处理腔室的气体分配机构。
4.如权利要求1至3任一项所述的装置,进一步包括:
第一盖板,所述第一盖板可移除地耦接于所述第一开放端,以密封所述第一开放端。
5.如权利要求4所述的装置,其中所述第一盖板包括第一电馈通部与第二电馈通部,所述第一电馈通部设置成穿过所述第一盖板并且被配置成与所述灯丝组件的第一电耦接部相接合,以提供电力至所述灯丝组件,且所述第二电馈通部设置成穿过所述第一盖板并且被配置成与第二电耦接部相接合,以对提供至所述灯丝组件的所述电力提供返回路径。
6.如权利要求1至3任一项所述的装置,其中所述壳体进一步包括第二开放端,所述第二开放端设置成与所述第一开放端相对。
7.如权利要求6所述的装置,其中所述壳体进一步包括第二盖板,所述第二盖板可移除地耦接于所述第二开放端,以密封所述第二开放端。
8.如权利要求1至3任一项所述的装置,进一步包括衬里,所述衬里围绕形成于所述壳体的所述顶部与所述底部中的所述通孔的内表面而设置。
9.如权利要求1至3任一项所述的装置,其中所述框部包括第一端、第二端与多个侧部,这些侧部将所述第一端耦接于所述第二端,其中所述第一端与所述第二端每一端包括多个通孔与多个连接器,其中所述多个灯丝每一个设置成穿过所述多个通孔中相应的通孔并且被所述多个连接器中相应的连接器保持到位。
10.如权利要求9所述的装置,其中所述多个连接器中的一组连接器包括弹簧,以维持所述多个灯丝每一个上的期望张力。
11.如权利要求9所述的装置,其中所述框部进一步包括设置于所述框部的相应顶部与底部上的顶部与底部,所述顶部与底部具有与形成于所述壳体的顶部与底部中的所述通孔对应的通孔。
12.一种处理腔室,包括:
腔室主体,所述腔室主体具有盖子;
喷头,所述喷头设置于所述盖子的下方;及
热线源,所述热线源耦接至所述腔室主体,其中所述热线源包括如权利要求1至11任一项所述的装置,并且其中所述通孔与所述喷头相对准。
13.如权利要求12所述的处理腔室,进一步包括:
气体供应源,所述气体供应源耦接至所述喷头以将气体提供给所述处理腔室。
14.如权利要求13所述的处理腔室,其中所述气体供应源通过所述装置的所述壳体耦接至所述喷头,所述装置的所述壳体用于将所述热线源耦接至所述处理腔室。
15.如权利要求12至13任一项所述的处理腔室,进一步包括:
电源,所述电源耦接至所述热线源以将电力提供给所述多个灯丝。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110537242A (zh) * 2017-04-24 2019-12-03 应用材料公司 具有电极线状物的等离子体反应器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102339176B1 (ko) * 2020-06-09 2021-12-14 한국고요써모시스템(주) 열처리 오븐의 히터 전원 공급장치

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970986A (en) * 1989-08-03 1990-11-20 General Electric Company Apparatus for synthetic diamond deposition including spring-tensioned filaments
US5146481A (en) * 1991-06-25 1992-09-08 Diwakar Garg Diamond membranes for X-ray lithography
USH1249H (en) * 1991-07-01 1993-11-02 Machonkin Mary A Coating processes with a polycrystalline diamond passivation layer
US6124186A (en) * 1992-05-05 2000-09-26 Midwest Research Institute Deposition of device quality, low hydrogen content, hydrogenated amorphous silicon at high deposition rates with increased stability using the hot wire filament technique
US5776819A (en) * 1992-05-05 1998-07-07 Midwest Research Institute Deposition of device quality, low hydrogen content, amorphous silicon films by hot filament technique using "safe" silicon source gas
US5397737A (en) * 1992-05-05 1995-03-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Deposition of device quality low H content, amorphous silicon films
EP0756636A4 (en) 1994-04-22 1997-12-17 American Cyanamid Co CHONDROITINASES I AND II, PROCESSES FOR THEIR PREPARATION AND THEIR USE
US5928427A (en) * 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
KR0182373B1 (ko) * 1996-07-18 1999-04-01 박원훈 박막 증착 장치
US6468885B1 (en) * 1996-09-26 2002-10-22 Midwest Research Institute Deposition of device quality, low hydrogen content, hydrogenated amorphous silicon at high deposition rates
KR100217501B1 (ko) 1997-01-04 1999-10-01 윤종용 반도체소자 제조용 포커스 이온 빔 장치의 전원공급부
US6251183B1 (en) * 1998-05-21 2001-06-26 Midwest Research Institute Rapid low-temperature epitaxial growth using a hot-element assisted chemical vapor deposition process
US6427622B2 (en) * 1998-08-28 2002-08-06 Mv Systems, Inc. Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods
US6383954B1 (en) * 1999-07-27 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films
JP4459329B2 (ja) 1999-08-05 2010-04-28 キヤノンアネルバ株式会社 付着膜の除去方法及び除去装置
AU2002366943A1 (en) * 2001-12-20 2003-07-09 Tokyo Electron Limited Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece
US6497734B1 (en) 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US20050109276A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US7279049B2 (en) * 2004-02-05 2007-10-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for reducing entrapment of foreign matter along a moveable shaft of a substrate support
KR100782369B1 (ko) * 2004-11-11 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US20060185595A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Coll Bernard F Apparatus and process for carbon nanotube growth
KR100688836B1 (ko) * 2005-05-11 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치
KR100732858B1 (ko) * 2005-05-13 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 다결정질 박막의 현장 성장방법
KR100688838B1 (ko) * 2005-05-13 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치 및 촉매 화학기상증착방법
JP4340727B2 (ja) * 2005-09-02 2009-10-07 東京応化工業株式会社 終点検出方法及び終点検出装置、並びに終点検出装置を備えた気相反応処理装置
US20070128861A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Kim Myoung S CVD apparatus for depositing polysilicon
JP4948021B2 (ja) * 2006-04-13 2012-06-06 株式会社アルバック 触媒体化学気相成長装置
US20080078325A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Tokyo Electron Limited Processing system containing a hot filament hydrogen radical source for integrated substrate processing
US9157152B2 (en) * 2007-03-29 2015-10-13 Tokyo Electron Limited Vapor deposition system
US8291856B2 (en) * 2008-03-07 2012-10-23 Tokyo Electron Limited Gas heating device for a vapor deposition system
US8357435B2 (en) * 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US20100206229A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-19 Alta Devices, Inc. Vapor deposition reactor system
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
US7989365B2 (en) * 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8272347B2 (en) * 2009-09-14 2012-09-25 Tokyo Electron Limited High temperature gas heating device for a vapor deposition system
US9127364B2 (en) * 2009-10-28 2015-09-08 Alta Devices, Inc. Reactor clean
CN102668032A (zh) * 2009-11-20 2012-09-12 京瓷株式会社 沉积膜形成装置
KR101098975B1 (ko) 2009-12-01 2011-12-28 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
JP5469678B2 (ja) 2009-12-25 2014-04-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体
JP5434614B2 (ja) * 2010-01-14 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20110244128A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Tokyo Electron Limited Flow plate utilization in filament assisted chemical vapor deposition
WO2011149615A2 (en) * 2010-05-24 2011-12-01 Applied Materials, Inc. Hybrid hotwire chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition method and apparatus
US9139910B2 (en) * 2010-06-11 2015-09-22 Tokyo Electron Limited Method for chemical vapor deposition control
JP5903666B2 (ja) * 2010-10-27 2016-04-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 成膜装置及びそれを用いた成膜方法
US20120213929A1 (en) 2011-02-18 2012-08-23 Tokyo Electron Limited Method of operating filament assisted chemical vapor deposition system
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
DE102011018324A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-25 Forschungszentrum Jülich GmbH Heißdrahtverfahren zur Abscheidung von Halbleiter-Material auf einem Substrat und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US20120269967A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Applied Materials, Inc. Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use
US8662941B2 (en) * 2011-05-12 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Wire holder and terminal connector for hot wire chemical vapor deposition chamber
US20130164445A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Garry K. Kwong Self-Contained Heating Element
SG11201403005TA (en) 2011-12-23 2014-09-26 Applied Materials Inc Methods and apparatus for cleaning substrate surfaces with atomic hydrogen
US9416450B2 (en) * 2012-10-24 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Showerhead designs of a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) chamber
US9673042B2 (en) * 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110537242A (zh) * 2017-04-24 2019-12-03 应用材料公司 具有电极线状物的等离子体反应器
US11424104B2 (en) 2017-04-24 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with electrode filaments extending from ceiling

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US20160005631A1 (en) 2016-01-07
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