JP5469678B2 - 基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体 - Google Patents
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Description
即ち、本発明に係る基板加熱処理装置の温度制御方法は、真空排気可能な処理室の内部に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、
前記フィラメントと前記加熱容器との間に、加速電源により印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、加速した該熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板の熱処理を行う基板加熱処理装置の温度制御方法であって、
前記加速電源のエミッション電流値を一定に維持して処理温度を上昇させる手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達前の第1の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値を低下させ、前記処理温度がアニール温度に到達前の前記第1の設定温度より高い第2の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値をさらに低下させて昇温を継続する手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達した後アニール処理が完了するまで、前記アニール温度に到達時点の前記加速電源のエミッション電流値で処理温度を一定に維持する手順と、
を有することを特徴とする。
また、本発明は、炭化珪素基板に不純物をイオン注入した後、アニール処理して不純物を活性化させるアニール処理の工程を有する半導体デバイスの製造方法において、
上記本発明の方法により温度制御して前記アニール処理を行うことを特徴とする。
さらに、本発明の温度制御プログラムは、真空排気可能な処理室の内部に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、
前記フィラメントと前記加熱容器との間に、加速電源により印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、加速した該熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板の熱処理を行う基板加熱処理装置の温度制御プログラムであって、
前記加速電源のエミッション電流値を一定に維持して処理温度を上昇させる手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達前の第1の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値を低下させ、前記処理温度がアニール温度に到達前の前記第1の設定温度より高い第2の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値をさらに低下させて昇温を継続する手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達した後アニール処理が完了するまで、前記アニール温度に到達時点の前記加速電源のエミッション電流値で処理温度を一定に維持する手順と、
を前記基板加熱処理装置の制御装置に実行させることを特徴とする。
またさらに、本発明の記録媒体は、上記本発明の温度制御プログラムを記録したことを特徴とするコンピュータで読み取り可能な記録媒体である。
また、ヒータ温度を直接測定してフィードバックをかけなくても、基板ステージの裏面温度を測定することで、温度制御が可能となる。
一方、加熱源の出力を一段階のみ低下させた後の保温時にPID制御を用いる場合には、高速、安定性良く温度を制御することが出来ない。これは、以下の理由によるものと思われる。すなわち、基板サイズの大口径化に伴い、ヒータや基板ステージの拡大による熱容量が増大している。また、SiC基板の活性化アニール処理には、1500℃以上の超高温領域を用いるためにフィラメントから熱電子を発生させている。そのため、この温度領域では、フィラメント電流を可変させても、フィラメント温度の変化が遅くなる。
実施例1は、図1及び図2の電子衝撃加熱装置1を用いて、本発明の温度制御方法を用いて半導体デバイスを製造する場合について説明する。
実施例2では、実施例1と同じ基板を用いて、1500℃で1分間の活性化アニール処理を施す場合について説明する。
実施例3では、実施例1と同じ基板を用いて、1550℃で1分間の活性化アニール処理を施す場合について説明する。
実施例4では、実施例1と同じ基板を用いて、1600℃で1分間の活性化アニール処理を施す場合について説明する。
2a 処理室
3 真空容器
10 加熱装置
11 加熱容器
14 フィラメント
21 処理基板
42 加速電源
46 加速電圧計
47 エミッション電流計
Claims (7)
- 真空排気可能な処理室の内部に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、
前記フィラメントと前記加熱容器との間に、加速電源により印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、加速した該熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板の熱処理を行う基板加熱処理装置の温度制御方法であって、
前記加速電源のエミッション電流値を一定に維持して処理温度を上昇させる手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達前の第1の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値を低下させ、前記処理温度がアニール温度に到達前の前記第1の設定温度より高い第2の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値をさらに低下させて昇温を継続する手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達した後アニール処理が完了するまで、前記アニール温度に到達時点の前記加速電源のエミッション電流値で処理温度を一定に維持する手順と、
を有することを特徴とする基板加熱処理装置の温度制御方法。 - 前記アニール温度が1500℃〜2000℃の場合に、前記第1の設定温度をアニール温度よりも40℃〜100℃低い温度に設定することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱処理装置の温度制御方法。
- 前記基板加熱処理装置が前記処理室内に基板を載置する基板ステージを具備し、前記処理温度は、前記基板ステージの裏面温度として検出することを特徴とする請求項2に記載の基板加熱処理装置の温度制御方法。
- 炭化珪素基板に不純物をイオン注入した後、アニール処理して不純物を活性化させるアニール処理の工程を有する半導体デバイスの製造方法において、
請求項1から3のいずれか1項に記載の方法により温度制御して前記アニール処理を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 真空排気可能な処理室の内部に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、
前記フィラメントと前記加熱容器との間に、加速電源により印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、加速した該熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板の熱処理を行う基板加熱処理装置の温度制御プログラムであって、
前記加速電源のエミッション電流値を一定に維持して処理温度を上昇させる手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達前の第1の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値を低下させ、前記処理温度がアニール温度に到達前の前記第1の設定温度より高い第2の設定温度に到達した後、前記加速電源のエミッション電流値をさらに低下させて昇温を継続する手順と、
前記処理温度がアニール温度に到達した後アニール処理が完了するまで、前記アニール温度に到達時点の前記加速電源のエミッション電流値で処理温度を一定に維持する手順と、
を前記基板加熱処理装置の制御装置に実行させることを特徴とする基板加熱処理装置の温度制御プログラム。 - 前記アニール温度が1500℃〜2000℃の場合に、前記第1の設定温度をアニール温度よりも40℃〜100℃低い温度に設定することを特徴とする請求項5に記載の基板加熱処理装置の温度制御プログラム。
- 請求項5又は6に記載の温度制御プログラムを記録したことを特徴とするコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
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