CN112684832B - 克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备。其中，所述方法包括：以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备，可以有效避免糖衣锅内碳化硅环状载体温度的控制滞后现象。

Description

克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备

技术领域

本发明实施例涉及工业控制技术领域，尤其涉及一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备。

背景技术

当前，主流的BC—118催化剂是苯氧化生产顺丁烯二酸酐(简称顺酐)的新一代催化剂。该催化剂具有活性高、选择性好、收率高、负荷大、生产的顺酐产品质量好等有点。在顺丁烯二酸酐的生产过程中，发现升温喷涂时，温度的控制采用现有的控制方法根本没有办法解决。这主要是因为，催化剂是附着在Ф6×1.5×5mm的碳化硅环状载体上，碳化硅环状载体在糖衣锅中搅拌加热，糖衣锅则由天然气燃烧加热。当糖衣锅中的碳化硅环状载体5分钟到8分钟加热到210℃时，将配好的常温顺酐料液压入喷枪，均匀地喷洒在碳化硅环状载体上。在喷洒的过程中，继续升温，当温度达到295℃时恒温，温度误差必须控制在±5℃范围内，温度太低活性料液很难附着在碳化硅环状载体上，温度太高，则附着在碳化硅环状载体上的活性涂层在搅拌过程中极易脱落。在喷涂结束后，仍需在295℃视情况恒温2—3小时然后冷却晾置。由于天然气加热的糖衣锅中的碳化硅环状载体的控制温度精度要求比较高，但是从控制调节阀动作到载体温度变化滞后比较大，尝试使用传统控制方法，均无法达到控制要求。因此，找到一种可以克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，有效避免糖衣锅内碳化硅环状载体温度的控制滞后现象，就成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备。

第一方面，本发明的实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，包括：以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，在所述以温度为主回路，压力为副回路之前，还包括：设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述气动薄膜调节阀的开度，大于等于所述初始开度值。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，包括：若K≥1，则P＝1；若0.45≤K＜1，则P＝T-2；若0.25≤K＜0.45，则P＝T-1；若-0.25≤K＜0.25，则P＝T；若-0.45≤K＜-0.25，则P＝T+1.5；若-1≤K＜-0.45，则P＝T+4；若K＜-1，则P＝10；其中，K＝(W_测－W_设)/t；t为测量糖衣锅内碳化硅环状载体实际温度所经过的时长；W_测为糖衣锅内碳化硅环状载体实际测量温度值；W_设为糖衣锅内碳化硅环状载体预设温度值；P为压力控制中的压力设定值；T为恒温时天然气压力设定值。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述恒温温度，包括：180℃、210℃、240℃、270℃、330℃、360℃或390℃。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述预设误差范围，包括：0.5％、1％、1.5％或2％。

进一步地，在上述方法实施例内容的基础上，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值，包括：设置天然气压力PID控制回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

第二方面，本发明的实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置，包括：

加温模块，用于以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；

温度修正模块，用于对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。

第三方面，本发明的实施例提供了一种电子设备，包括：

至少一个处理器；以及

与处理器通信连接的至少一个存储器，其中：

存储器存储有可被处理器执行的程序指令，处理器调用程序指令能够执行第一方面的各种可能的实现方式中任一种可能的实现方式所提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法。

第四方面，本发明的实施例提供了一种非暂态计算机可读存储介质，非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，计算机指令使计算机执行第一方面的各种可能的实现方式中任一种可能的实现方式所提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法。

本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法及设备，通过将糖衣锅内的碳化硅环状载体加温至喷涂活性料液的温度，然后将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，可以在生产顺丁烯二酸酐过程中，及时控制糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，有效避免糖衣锅内碳化硅环状载体温度的控制滞后现象。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法流程图；

图2为本发明实施例提供的糖衣锅顺酐温度控制中的升温及恒温曲线示意图；

图3为本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置结构示意图；

图4为本发明实施例提供的电子设备的实体结构示意图；

图5为本发明实施例提供的F102A糖衣锅T型图程序示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。另外，本发明提供的各个实施例或单个实施例中的技术特征可以相互任意结合，以形成可行的技术方案，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时，应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

顺丁烯二酸酐催化剂生产过程中，糖衣锅共有4台，分别为F102A、F102B、F102C、F102D，对4台糖衣锅分别加热、摸索控制方法的过程中，发现通过控制天然气压力，能够很好的控制糖衣锅内的温度。在反复实践的过程中，记录了大量的数据，对这些数据进行量化分析过程中，发现并总结出了一系列规律如下：

W_测：糖衣锅内碳化硅环状载体实际测量温度值

W_设：糖衣锅内碳化硅环状载体设定温度值

15℃≤W_测－W_设时，天然气压力控制在0.1Mpa左右，W_测与W_设快速接近；10℃≤W_测－W_设≤15℃时，天然气压力控制在0.2Mpa左右，W_测与W_设快速接近；5℃≤W_测－W_设≤10℃时，天然气压力控制在0.3Mpa左右，W_测与W_设快速接近；-3℃≤W_测－W_设≤5℃时，天然气压力控制在0.4Mpa左右，W_测与W_设快速接近；-5℃≤W_测－W_设≤-3℃时，天然气压力控制在0.55Mpa左右，W_测与W_设快速接近；-10℃≤W_测－W_设≤-5℃时，天然气压力控制在0.8Mpa左右，W_测与W_设快速接近；W_测－W_设≤-10℃时，天然气压力控制在1.0Mpa左右，W_测与W_设快速接近；在对4台糖衣锅进行加热、恒温控制过程中，发现天然气压力控制的数值，稍微有些许偏差。针对上述分析、总结得出的规律，将记录数据进一步量化，本发明实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，参见图1，该方法包括：

101、以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；具体地，所述预设时长可以为3秒、5秒、10秒或其他任意设定的时长。

102、对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。其中，所述糖衣锅包括四种型号，分别为：F102A、F102B、F102C和/或F102D。

其中，对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，包括启用人工智能自动修正系统，在活性料液喷涂过程中及喷涂完成的恒温阶段，使加热锅内温度保持在允许的误差范围内。人工智能修正系统是将人工智能判断结果引入到压力PID，从而准确、有效的控制加热锅内的温度，由人工智能判断模块和压力PID组成。人工智能判断模块中，系统的误差e(t)，误差对时间的倒数

以及时间t构成了控制问题求解的信息空间。这里，误差e(t)＝r(t)-y(t)，r(t)是系统的输入，y(t)是系统的输出。控制的目的是当t→∞时，使得

对所有采集的数据建立特征模型，是一种对系统的动态特征的定量与定性描述相结合的模型，特征模型为所有特征状态的集合，即

特征状态由一些特征基元q_i的组合来描述，特征基元集为Q＝{q₁，q₂，q₃，······q_m}。

启发与直觉推理规则Ω是通过数据对人(专家)决策过程的这一种模仿，依据特征辨识结果确定决策与控制策略，可用产生式规则形成“IF—THEN—”予以描述。特征辨识与多模态控制是一种具有二次映射关系的信息处理过程，即Ω_i：

人工智能判断模块的控制算法：选择描述系统动态特征的特征模型φ为

选择决策与控制模式ψ为

其中，u控制器的输出；K_P为控制器的增益系数；K为控制器的保持系数；u₀(n-1)为u₀的第n-1次保持值；E为系统的偏差；

为偏差的变化率E_mi为第i个极值。

Ω＝{ω₁,ω₂，ω₃，ω₄}

启发式与直觉推理规则，即产生式规则Q为：

基于上述方法实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，在所述以温度为主回路，压力为副回路之前，还包括：设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

基于上述方法实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述气动薄膜调节阀的开度，大于等于所述初始开度值。具体地，可以采用PID控制方法进行天然气压力回路的控制。在实践中发现，当天然气压力PID回路中气动薄膜调节阀的初始开度值，小于一定阈值后，当压力迅速减小时，很容易出现糖衣锅天然气熄火，为了避免熄火发生，就需要设定一个气动薄膜调节阀的初始开度值，需要保证当气动薄膜调节阀的开度值大于所述初始开度值后，糖衣锅不会发生熄火。由此可知，气动薄膜调节阀开度值，应当大于等于所述初始开度值，小于等于开度满值。

基于上述方法实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，包括：

若K≥1，则P＝1；

若0.45≤K＜1，则P＝T-2；

若0.25≤K＜0.45，则P＝T-1；

若-0.25≤K＜0.25，则P＝T；

若-0.45≤K＜-0.25，则P＝T+1.5；

若-1≤K＜-0.45，则P＝T+4；

若K＜-1，则P＝10；

其中，K＝(W_测－W_设)/t；t为测量糖衣锅内碳化硅环状载体实际温度所经过的时长；W_测为糖衣锅内碳化硅环状载体实际测量温度值；W_设为糖衣锅内碳化硅环状载体预设温度值；P为压力控制中的压力设定值；T为恒温时天然气压力设定值。具体地，采用GE公司的Proficy Process Systems 2.0，以F102A糖衣锅为例编程相应程序，F102B、F102C、F102D方法相同，程序如图5所示。

程序调校过程中，按照顺丁烯二酸酐工艺操作流程，对F102A、F102B、F102C、F102D的升温控制进行反复多次测试，均能满足工艺控制要求，具体可以参见图2，由图2中可见，升温曲线201平滑，恒温曲线202平稳。

基于上述方法实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述恒温温度，包括：180℃、210℃、240℃、270℃、330℃、360℃或390℃。具体地，在满足顺丁烯二酸酐工艺控制的基础上，对其他设定温度也进行了大量测试。将恒温温度分别设定为180℃、210℃、240℃、270℃、330℃、360℃或390℃，针对恒定温度的高低，对压力设定值、压力稳定值随时进行相应增减，以达到控制要求。该梯形图程序一直运行平稳，温度控制精度较高，为顺丁烯二酸酐催化剂的高质量生产提供了保障。

基于上述方法实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，所述预设误差范围，包括：0.5％、1％、1.5％或2％。

所述设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值，包括：设置天然气压力PID控制回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，通过将糖衣锅内的碳化硅环状载体加温至喷涂活性料液的温度，然后将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，可以在生产顺丁烯二酸酐过程中，及时控制糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，有效避免糖衣锅内碳化硅环状载体温度的控制滞后现象。

本发明各个实施例的实现基础是通过具有处理器功能的设备进行程序化的处理实现的。因此在工程实际中，可以将本发明各个实施例的技术方案及其功能封装成各种模块。基于这种现实情况，在上述各实施例的基础上，本发明的实施例提供了一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置，该装置用于执行上述方法实施例中的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法。参见图3，该装置包括：

加温模块301，用于以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；

温度修正模块302，用于对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。

本发明实施例提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置，采用加温模块和温度修正模块，通过将糖衣锅内的碳化硅环状载体加温至喷涂活性料液的温度，然后将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，可以在生产顺丁烯二酸酐过程中，及时控制糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，有效避免糖衣锅内碳化硅环状载体温度的控制滞后现象。

需要说明的是，本发明提供的装置实施例中的装置，除了可以用于实现上述方法实施例中的方法外，还可以用于实现本发明提供的其他方法实施例中的方法，区别仅仅在于设置相应的功能模块，其原理与本发明提供的上述装置实施例的原理基本相同，只要本领域技术人员在上述装置实施例的基础上，参考其他方法实施例中的具体技术方案，通过组合技术特征获得相应的技术手段，以及由这些技术手段构成的技术方案，在保证技术方案具备实用性的前提下，就可以对上述装置实施例中的装置进行改进，从而得到相应的装置类实施例，用于实现其他方法类实施例中的方法。例如：

基于上述装置实施例的内容，作为一种可选的实施例，本发明实施例中提供的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置，还包括：初始开度值设置模块，用于设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

本发明实施例的方法是依托电子设备实现的，因此对相关的电子设备有必要做一下介绍。基于此目的，本发明的实施例提供了一种电子设备，如图4所示，该电子设备包括：至少一个处理器(processor)401、通信接口(Communications Interface)404、至少一个存储器(memory)402和通信总线403，其中，至少一个处理器401，通信接口404，至少一个存储器402通过通信总线403完成相互间的通信。至少一个处理器401可以调用至少一个存储器402中的逻辑指令，以执行如下方法：以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。

此外，上述的至少一个存储器402中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。例如包括：以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。基于这种认识，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

在本专利中，术语"包括"、"包含"或者其任何其它变体意在涵盖非排它性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句"包括……"限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，包括：

以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；

对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内；

其中，所述将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，包括：

若K≥1，则P=1；

若0.45≤K＜1，则P=T-2；

若0.25≤K＜0.45，则P=T-1；

若-0.25≤K＜0.25，则P=T；

若-0.45≤K＜-0.25，则P=T+1.5；

若-1≤K＜-0.45，则P=T+4；

若K＜-1，则P=10；

其中，K=（W_测－W_设）/t；t为测量糖衣锅内碳化硅环状载体实际温度所经过的时长；W_测为糖衣锅内碳化硅环状载体实际测量温度值；W_设为糖衣锅内碳化硅环状载体预设温度值；P为压力控制中的压力设定值；T为恒温时天然气压力设定值。

2.根据权利要求1所述的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，在所述以温度为主回路，压力为副回路之前，还包括：

设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

3.根据权利要求2所述的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，所述气动薄膜调节阀的开度，大于等于所述初始开度值。

4.根据权利要求1所述的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，所述恒温温度，包括：

180℃、210℃、240℃、270℃、330℃、360℃或390℃。

5.根据权利要求1所述的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，所述预设误差范围，包括：

0.5%、1%、1.5%或2%。

6.根据权利要求2所述的克服碳化硅环状载体温度反应滞后的方法，其特征在于，所述设置天然气压力回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值，包括：

设置天然气压力PID控制回路中，气动薄膜调节阀的初始开度值。

7.一种克服碳化硅环状载体温度反应滞后的装置，其特征在于，包括：

加温模块，用于以温度为主回路，压力为副回路，在预设时长内，对糖衣锅内的碳化硅环状载体进行加温，直至达到喷涂活性料液的温度；

温度修正模块，用于对所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度进行修正，将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内；

其中，所述将活性料液喷涂过程中所述糖衣锅内碳化硅环状载体的温度，以及喷涂完成后所述糖衣锅内碳化硅环状载体的恒温温度，限定在预设误差范围内，包括：

若K≥1，则P=1；

若0.45≤K＜1，则P=T-2；

若0.25≤K＜0.45，则P=T-1；

若-0.25≤K＜0.25，则P=T；

若-0.45≤K＜-0.25，则P=T+1.5；

若-1≤K＜-0.45，则P=T+4；

若K＜-1，则P=10；

其中，K=（W_测－W_设）/t；t为测量糖衣锅内碳化硅环状载体实际温度所经过的时长；W_测为糖衣锅内碳化硅环状载体实际测量温度值；W_设为糖衣锅内碳化硅环状载体预设温度值；P为压力控制中的压力设定值；T为恒温时天然气压力设定值。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器、至少一个存储器、通信接口和总线；其中，

所述处理器、存储器、通信接口通过所述总线完成相互间的通信；

所述存储器存储有可被所述处理器执行的程序指令，所述处理器调用所述程序指令，以执行如权利要求1至6任一项权利要求所述的方法。

9.一种非暂态计算机可读存储介质，其特征在于，所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令，所述计算机指令使所述计算机执行如权利要求1至6中任一项权利要求所述的方法。

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