JP2010258359A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 110
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 17
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 113
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 28
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 abstract description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N Carbon-12 Chemical compound [12C] OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 110
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 13
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 12
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】不純物が注入されたシリコン基板11の表面に炭素の薄膜12を形成してなる半導体ウェハーWにフラッシュランプからフラッシュ光を照射する。フラッシュ光を吸収することによって炭素の薄膜12が昇温し、薄膜12が形成されていない場合に比較して不純物が注入されているシリコン基板11の表面をより高温に昇温してシート抵抗値を低下させることができる。また、高濃度の酸素雰囲気中にて炭素の薄膜12が形成された半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射すれば、薄膜12の炭素が酸化されて気化するため、フラッシュ加熱と同時に薄膜12の剥離処理を行うことができる。
【選択図】図10
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
11 シリコン基板
12 薄膜
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
81 ガス導入路
82,87 ガスバルブ
85 流量調整弁
88 ガス供給源
99 ランプ電源
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (12)
- 不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
不純物が注入された基板の表面に炭素または炭素化合物の薄膜を形成する工程と、
薄膜が形成された基板をチャンバー内に収容する工程と、
前記チャンバーに収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射する工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記チャンバーに前記基板を収容した後、フラッシュ光を照射する前に前記チャンバー内に酸素ガスを導入する工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項2記載の熱処理方法において、
フラッシュ光を照射する時点での前記チャンバー内の酸素濃度を90%以上とすることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項2または請求項3に記載の熱処理方法において、
前記チャンバー内に基板が収容されていないときに前記チャンバー内の酸素濃度を90%以上としてフラッシュ光を照射する工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
不純物が注入された基板の表面に形成する薄膜の膜厚を70nm以上280nm以下とすることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の熱処理方法において、
不純物が注入された基板の表面にアモルファス炭素の薄膜を形成することを特徴とする熱処理方法。 - 不純物が注入された基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
不純物が注入された後に炭素または炭素化合物の薄膜が表面に形成された基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7記載の熱処理装置において、
前記チャンバー内に酸素ガスを導入する酸素導入手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項8記載の熱処理装置において、
前記酸素導入手段は、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する時点での前記チャンバー内の酸素濃度を90%以上とすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項8または請求項9に記載の熱処理装置において、
前記チャンバー内に基板が収容されていないときに、前記チャンバー内の酸素濃度が90%以上となるように前記酸素導入手段を制御するとともに、酸素濃度が90%以上となっている前記チャンバー内にフラッシュ光を照射するように前記フラッシュランプを制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7から請求項10のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記薄膜の厚さが70nm以上280nm以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7から請求項11のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記薄膜の材質はアモルファス炭素であることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009109318A JP5523735B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 熱処理方法および熱処理装置 |
US12/732,591 US8129284B2 (en) | 2009-04-28 | 2010-03-26 | Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation |
US13/362,555 US8787741B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-01-31 | Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009109318A JP5523735B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 熱処理方法および熱処理装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014079471A Division JP5770880B2 (ja) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 熱処理方法 |
JP2014079472A Division JP2014146831A (ja) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258359A true JP2010258359A (ja) | 2010-11-11 |
JP5523735B2 JP5523735B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=43318900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009109318A Active JP5523735B2 (ja) | 2009-04-28 | 2009-04-28 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5523735B2 (ja) |
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- 2009-04-28 JP JP2009109318A patent/JP5523735B2/ja active Active
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