TWI675617B - 電磁波遮蔽用膜片及電子零件之被覆方法 - Google Patents

電磁波遮蔽用膜片及電子零件之被覆方法 Download PDF

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Abstract

本發明之電磁波遮蔽用膜片，係用於將基板上之凸部被覆，其係包含基材層、與疊層在該基材層之其中一面側之阻擋層而構成。該基材層係由至少2層疊層而得之疊層體構成。本發明提供一種電磁波遮蔽用膜片，可提高基板之設計自由度且達成輕量化．薄型化，且對於具有500μm以上之凸部之電子零件，有良好的形狀追隨性。又，本發明提供使用此電磁波遮蔽用膜片之電子零件之被覆方法。

Description

電磁波遮蔽用膜片及電子零件之被覆方法
本發明係關於電磁波遮蔽用膜片、及電子零件之被覆方法。
以往，如行動電話、醫療設備之易受電磁波影響的電子零件、或半導體元件等發熱性電子零件，及電容器、線圈等各種電子零件、或將該等電子零件安裝於電路基板而得之電子設備，為了減輕電磁波所致雜訊的影響，係於其表面貼附電磁波遮蔽用膜片。
如此的電磁波遮蔽用膜片，例如已開發出具有由絕緣性材料構成之基材層、及疊層於基材層之其中一或兩面之金屬層的電磁波遮蔽用膜片(例如參照專利文獻1。)。
但是如專利文獻1所記載，當電磁波遮蔽用膜片具有金屬層時，會有無法滿足近年來要求持續升高的輕質化．薄型化的問題。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2006-156946公報
再者，習知技術，除了上述問題，尚有若欲以電磁波遮蔽用膜片來被覆具有帶有凸部之基板的電子零件，此電磁波遮蔽用膜片對於凸部之形狀追隨性不優良的問題。所以，以往係實施對於帶有凸部之基板的電子零件，以鋁或SUS形成之金屬罐遮蔽的遮蔽方法。但是此使用金屬罐遮蔽之遮蔽方法，無法對於基板上之各零件個別實施，而係對於以種類別配置之零件集合體實施。所以，基板上之各零件之配置受限制，因而基板之設計自由度從機能面方面並不一定係最良好。
因此本發明之目的在於提供一種電磁波遮蔽用膜片，其能達成基板之設計自由度提高且輕量化．薄型化，且同時對於帶有凸部之基板之電子零件有良好形狀追隨性。又，本發明之另一目的在於提供使用了該電磁波遮蔽用膜片之電子零件之被覆方法。
如此的目的可依下列(1)~(17)記載之本發明達成。
(1)一種電磁波遮蔽用膜片，係用於被覆基板上之凸部，其特徵為：含有基材層、及疊層於該基材層之一面側之電磁波阻擋層而構成，該基材層，係以至少2層疊層而得之疊層體構成。
(2)如(1)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層，係第1層、第2層、與第3層從另一面側起以此順序疊層而成為3層構成之疊層體。
(3)如(2)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層於25~150℃之平均線膨脹係數為40~1000[ppm/℃]。
(4)如(2)或(3)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層之厚度T(A)為5μm 以上、100μm以下。
(5)如(2)至(4)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第3層於25~150℃之平均線膨脹係數為40~1000[ppm/℃]。
(6)如(2)至(5)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第3層之厚度T(B)為5μm以上、100μm以下。
(7)如(2)至(6)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第2層於25~150℃之平均線膨脹係數為400以上[ppm/℃]。
(8)如(第)2至(7)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第2層之厚度T(C)為10μm以上、100μm以下。
(9)如(2)至(8)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層之厚度T(A)、該第3層之厚度T(B)、與該第2層之厚度T(C)，滿足下列關係式(I)：0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10．．．(I)。
(10)如(1)至(9)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該電磁波阻擋層，係由反射層與吸收層構成，且係將此等層從該基材層之該其中一面側起以此順序疊層而得之疊層體。
(11)如(1)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層係第1層與第2層從另一面側起以此順序疊層而成為2層構成之疊層體。
(12)如(1)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層係第2層與第3層從另一面側起以此順序疊層而成為2層構成之疊層體。
(13)如(1)至(12)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，將該電磁波遮蔽用膜片以溫度150℃、壓力2MPa、時間5分鐘之條件熱壓接於該基板上之 該凸部時之形狀追隨性為500μm以上、3,000μm以下。
(14)如(1)至(13)中任一項之電磁波遮蔽用膜片，更包含疊層於該基材層與該電磁波阻擋層之間的絕緣層。
(15)如(14)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該絕緣層係以具有熱塑性之絕緣樹脂構成。
(16)如(14)或(15)之電磁波遮蔽用膜片，其中，該絕緣層之厚度T(D)為3μm以上、50μm以下。
(17)一種電子零件之被覆方法，其特徵為包含以下步驟：貼附步驟，將如(1)至(16)中任一項之電磁波遮蔽用膜片貼附於該基板上之該凸部，使得該電磁波阻擋層與電子零件黏著；剝離步驟，於該貼附步驟之後，將該基材層從該電磁波阻擋層剝離。
依照本發明，可藉由以至少2層疊層而得之疊層體來構成電磁波遮蔽用膜片所具備之基材層，而達成以電磁波遮蔽用膜片被覆之基板之設計自由度提高，且輕量化．薄型化。再者，能對於帶有凸部之基板之電子零件發揮良好的形狀追隨性。
1‧‧‧基材層
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧阻擋層
4‧‧‧電子零件
5‧‧‧基板
11‧‧‧第1層
12‧‧‧第3層
13‧‧‧第2層
31‧‧‧吸收層
32‧‧‧反射層
61‧‧‧凸部
62‧‧‧凹部
100‧‧‧電磁波遮蔽用膜片
圖1顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第1實施形態之縱剖面圖。
圖2(a)~(b)顯示使用圖1所示電磁波遮蔽用膜片來說明電子零件之被覆方法之縱剖面圖。
圖3顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第2實施形態之縱剖面圖。
圖4顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第3實施形態之縱剖面圖。
圖5顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第4實施形態之縱剖面圖。
圖6顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第5實施形態之縱剖面圖。
圖7顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第6實施形態之縱剖面圖。
圖8(a)~(b)顯示使用圖7所示電磁波遮蔽用膜片來說明電子零件之被覆 方法之縱剖面圖。
圖9顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第7實施形態之縱剖面圖。
圖10顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第8實施形態之縱剖面圖。
圖11顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第9實施形態之縱剖面圖。
圖12顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第10實施形態之縱剖面圖。
圖13顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第11實施形態之縱剖面圖。
圖14顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第12實施形態之縱剖面圖。
以下依據附帶圖式所示之理想實施形態，詳細說明本發明之電磁波遮蔽用膜片、及電子零件之被覆方法。
本發明之電磁波遮蔽用膜片，係為了被覆基板上之凸部而使用之電磁波遮蔽用膜片。此電磁波遮蔽用膜片，係包含基材層、及於該基材層之其中一面側疊層之電磁波阻擋層而構成。前述基材層，係以至少2層疊層而得之疊層體構成。
又，本發明之電子零件之被覆方法，特徵為包含以下步驟：貼附步驟，將前述電磁波遮蔽用膜片貼附於前述基板上，使得前述電磁波阻擋層與係凸部之電子零件黏著；及剝離步驟，在前述貼附步驟之後，將前述基材層從前述電磁波阻擋層剝離。
若使用如此之電磁波遮蔽用膜片來被覆基板上之凸部，則藉由於前述貼附步驟，邊加熱電磁波遮蔽用膜片，邊進行推壓使得電磁波遮蔽用膜片與基板彼此接近，則基材層、電磁波阻擋層會作為對於凸部有形狀追隨性之基材的作用。由此，能將電磁波阻擋層以追隨於凸部形狀之狀態推入凹部。其結果，能將此設有凸部之基板確實地以電磁波阻擋層被覆。因此，能以此電磁波阻擋層提高設有凸部之基板之電磁波遮蔽性。
<電磁波遮蔽用膜片>
首先說明本發明之電磁波遮蔽用膜片。
<第1實施形態>
圖1顯示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第1實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中，為說明方便，圖1中之上側稱為「上」、下側稱為「下」。
本發明之電磁波遮蔽用膜片，係用於將基板5上之凸部61予以被覆之電磁波遮蔽用膜片。
如圖1所示，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100係包含基材層1、電磁波阻擋層3而構成。電磁波阻擋層3，係於基材層1之底面(其中一面)側與基材層1接觸，並以此順序疊層於基材層1。
又，基材層1，係由第1層11、第2層13、第3層12構成。此等係從基材層1之頂面(另一面)側以此順序疊層。
又，以下，針對於基板5上已裝載(載置)電子零件4，並藉由此電子零件4之裝載，使得於基板5上形成凸部61、及凸部61彼此間之凹部62，且此凸部61以電磁波遮蔽用膜片100被覆之情形說明。又，於基板5上裝載之電子零件4，例如：於可撓性電路基板(FPC)上裝載之LCD驅動IC、觸控面板周邊之IC+電容器或電子電路基板(主機板)。
<基材層1>
首先針對基材層1說明。
基材層1之功能為作為：於貼附步驟，藉由將電磁波遮蔽用膜片100之電磁波阻擋層3推入到基板5上之凹部62，使得在將此凸部61被覆時，推入(填埋)電磁波阻擋層3、提高此電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性的基材。又，基材層1，於剝離步驟，係於已在凹部62推入電磁波阻擋 層3之狀態，從電磁波阻擋層3剝離。
本發明中，此基材層1係由至少2層疊層之疊層體構成。
如上，藉由使作為用於提高電磁波阻擋層3對凸部61之形狀追隨性的基材的基材層1以至少2層疊層之疊層體構成，能夠於使用電磁波遮蔽用膜片100將基板5上之凸部61予以被覆時，確實地將電磁波阻擋層3以對應於凸部61之形狀之狀態確實被覆。亦即，可達成電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性之提高。其結果，可將設有此凸部61之基板5以電磁波阻擋層3確實地被覆，故此電磁波阻擋層3所致之對於設有凸部61之基板5之電磁波遮蔽(阻擋)性會提高。
又，藉由使基材層1係由至少2層疊層之疊層體構成，即使基板5設置之凸部61之高度是500μm以上，進一步為1.0~3.0mm之大，前述凸部61彼此之分離距離(節距)是200μm以下，進一步為100μm~150μm之小，能仍將電磁波阻擋層3以因應於凸部61之形狀的狀態確實地推入凹部62。
本實施形態中，由2層以上之層疊層而得之疊層體構成之基材層1，係以第1層11、第2層13、與第3層12構成。基材層1，係此等由基材層1之頂面(另一面)側依序疊層而成的3層構成的疊層體。為了提高電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性，此等各層11~13之種類、及厚度等可適當組合。
以下針對此等各層11~13分別說明。
第1層11，具有以下作用：於貼附步驟，將電磁波阻擋層3使用例如真空加壓式層合機等推入基板5上之凹部62時，將真空加壓式層合機等所具有之推壓部予以釋放(release)的作用。又，第1層11，具有從推壓部對於第2層13側施予推壓力之機能。
作為此第1層(第1離型層)11之構成材料，不特別限定，例如：對排聚 苯乙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、環狀烯烴聚合物、矽酮之類的樹脂材料等。該等之中，宜使用對排聚苯乙烯較佳。如上，藉由使用具有對排結構之聚苯乙烯作為聚苯乙烯，聚苯乙烯會具有結晶性。因而，能使第1層11與裝置間之離型性，及耐熱性及形狀追隨性優良。
第1層11使用前述對排聚苯乙烯時，其含量不特別限制，宜為60重量%以上較佳，70重量%以上、95重量%以下更佳，又更佳為80重量%以上、90重量%以下較佳。對排聚苯乙烯之含量小於前述下限值時，第1層11之離型性有下降之虞。又，對排聚苯乙烯之含量超過前述上限值時，第1層11之形狀追隨性有下降之虞。
又，第1層11，也可僅由對排聚苯乙烯構成。又，第1層11，除了含有前述對排聚苯乙烯，也可更含有苯乙烯系彈性體、聚乙烯或聚丙烯等。
第1層11之厚度T(A)不特別限定，宜為5μm以上、100μm以下較佳，更佳為10μm以上、70μm以下，又更佳為20μm以上、50μm以下。第1層11之厚度小於前述下限值時，第1層11有斷裂且其離型性下降之虞。又，第1層11之厚度超過前述上限值時，基材層1之形狀追隨性有下降，且電磁波阻擋層3之形狀追隨性有下降之虞。
又，第1層11於25~150℃之平均線膨脹係數宜為40~1000[ppm/℃]較理想，80~700[ppm/℃]更理想。藉由將第1層11之平均線膨脹係數設定在此範圍內，於電磁波遮蔽用膜片100加熱時，第1層11具有優良的伸縮性。所以，能更確實提高電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性。
又，各層之平均線膨脹係數，例如可使用熱機械分析裝置(精工儀器公司製、「TMASS6100」)獲得。具體而言，於25~200℃、49mN之固定負荷之拉伸模式、升溫速度5℃/分之條件測定待測定之各層之貯藏彈性係數。分別讀取此時熱機械分析裝置中於25℃~150℃之平均線膨脹係數。藉此，可求取平均線膨脹係數。
再者，第1層11之表面張力宜為20~40[mN/m]較理想，25~35[mN/m]更理想。具有此範圍內之表面張力之第1層11，具備優良的離型性。又，在使用真空加壓式層合機等進行推入處理後，可從推壓部將第1層11剝離。
第3層12具有以下作用：於貼附步驟，在使用真空加壓式層合機等實施將電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62後，於剝離步驟在將基材層1從電磁波阻擋層3剝離時，對於基材層1賦予剝離性。又，第3層12，同時具有以下作用：具有因應基板5上之凸部61之形狀而追隨之追隨性，且具有從推壓部對於電磁波阻擋層3側賦予推壓力。
作為此第3層(第2離型層)12之構成材料，不特別限定，例如：對排聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、環狀烯烴聚合物、矽酮之類的樹脂材料。該等之中，宜使用對排聚苯乙烯較佳。如上，藉由使用具有對排結構之聚苯乙烯作為聚苯乙烯，聚苯乙烯會具有結晶性。因而，第3層12與電磁波阻擋層3間之離型性，及耐熱性及形狀追隨性優良。
第3層12中，前述對排聚苯乙烯之含量不特別限定，可以僅由對排聚苯乙烯構成，但宜60重量%以上較佳，70重量%以上、95重量%以下更佳，又更佳為80重量%以上、90重量%以下較佳。對排聚苯乙烯之含量低於前述下限值時，第3層12之離型性有下降之虞。又，對排聚苯乙烯之含量超過前述上限值時，第3層12之形狀追隨性有下降之虞。
又，第3層12除了含有前述對排聚苯乙烯以外，也可更含有苯乙烯系彈性體、聚乙烯或聚丙烯等。又，構成第3層12、與構成前述第1層11之樹脂，可相同也可不同。
第3層12之厚度T(B)不特別限定，宜為5μm以上、100μm以下較佳，10μm以上、70μm以下更佳，又更佳為20μm以上、50μm以下。第3層12之厚度小於前述下限值時，耐熱性下降，基材層於熱壓接步驟的耐熱性下 降，有發生變形且發生電磁波阻擋層變形之虞。又，第3層12之厚度超過前述上限值時，電磁波遮蔽用膜片全體之總厚度有增厚，裁切等作業性下降之虞。又，成本面也不經濟。
又，第3層12、與第1層11之厚度可相同也可不同。
又，第3層12於25~150℃之平均線膨脹係數，宜為40~1000[ppm/℃]較理想，80~700[ppm/℃]更理想。藉由設定第3層12之平均線膨脹係數為此範圍內，電磁波遮蔽用膜片100加熱時，第3層12會具有優良的伸縮性。所以，能使第3層12，進一步使電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性更確實提高。
再者，第3層12之表面張力宜為20~40[mN/m]較理想，25~35[mN/m]更理想。具有此範圍內之表面張力的第3層12，具備優良的離型性。又，在使用真空加壓式層合機等之推壓處理後，將基材層1從電磁波阻擋層3剝離時，能將基材層1確實地在第3層12與電磁波阻擋層3間之界面剝離。
第2層13，係於貼附步驟當作將基材層1推入用之基材，在將電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62時，第3層12具有對於凹部62推入(埋入)之緩衝機能。又，第2層13，具有將其推入力賦予第3層12、進一步是介隔此第3層12對於電磁波阻擋層3均勻施加的機能。藉此，能不使電磁波阻擋層3、與凹部62及凸部61之間發生孔隙，而能以優良的密閉性將電磁波阻擋層3對於凹部62推入。
此第2層(緩衝層)13之構成材料，例如：聚乙烯、聚丙烯等α烯烴系聚合體、將乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、己烯、甲基戊烯等作為共聚物成分的α烯烴系共聚物、聚醚碸、聚伸苯基硫醚等工程塑膠系樹脂，此等可以單獨使用或併用多數。該等之中，使用α烯烴系共聚物較佳。具體而言，可列舉乙烯等α烯烴與(甲基)丙烯酸酯之共聚物、乙烯與乙酸乙烯酯之共聚物、乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物(EMMA)、及此等的部分離子交聯物等。α烯 烴系共聚物，形狀追隨性優異且比起第3層12之構成材料，柔軟性較優異。由此，能對於由該構成材料構成之第2層13，確實地賦予用以將第3層12對於凹部62推入(埋入)之緩衝機能。
第2層13之厚度T(C)不特別限定，宜為10μm以上、100μm以下較佳，20μm以上、80μm以下更佳，又更佳為30μm以上、60μm以下。第2層13之厚度小於前述下限值時，第2層13之形狀追隨性下降，於熱壓接步驟對於凸部61之追隨性有下降之虞。又，第2層13之厚度超過前述上限值時，於熱壓接步驟，樹脂從第2層13之滲出增多，其附著於壓接裝置之熱盤，作業性有下降之虞。
又，第2層13於25~150℃之平均線膨脹係數，宜為400以上[ppm/℃]較理想，800以上[ppm/℃]更理想。藉由設定第2層13之平均線膨脹係數為此範圍內，於電磁波遮蔽用膜片100加熱時，第2層13，相比於第3層12，容易有更優良的伸縮性。所以，能使第2層13、進一步使電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性更確實地提高。
又，藉由將各層11~13之平均線膨脹係數分別適當設定為前述範圍內，能輕易設定後述基材層1於150℃之貯藏彈性係數為2.0E+05~5.0E+08Pa之範圍內。
又，第1層11之厚度T(A)、第3層12之厚度T(B)，與第2層13之厚度T(C)，例如宜滿足以下關係式較佳，0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10，滿足以下關係式更佳，0.14<T(C)/(T(A)+T(B))<4，更佳為滿足以下關係式0.3<T(C)/(T(A)+T(B))<1.5。
第1層11之厚度T(A)、第3層12之厚度T(B)，與第2層13之厚度 T(C)，藉由滿足前述關係式，形狀追隨性更提高。
基材層1之全體之厚度T(F)不特別限定，宜為20μm以上、300μm以下較佳，40μm以上、220μm以下更佳，又更佳為70μm以上、160μm以下。基材層1之全體之厚度小於前述下限值時，第1層11會有斷裂且基材層1之離型性有下降之虞。又，基材層1之全體之厚度超過前述上限值時，基材層1之形狀追隨性下降，且電磁波阻擋層3之形狀追隨性有下降之虞。
又，以如上述疊層體構成之基材層1，其於150℃之貯藏彈性係數宜為2.0E+05~5.0E+08Pa較理想，1.0E+06~3.0E+08Pa更佳，3.0E+06~9.0E+07Pa又更佳。
如上，藉由將作用為用以使電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性提高的基材之基材層1於加熱時之貯藏彈性係數設定在前述範圍內，當使用電磁波遮蔽用膜片100來被覆基板5上之凸部61時，能以電磁波阻擋層3因應於凸部61之形狀之狀態，更確實地推入凹部62。其結果，能以電磁波阻擋層3更確實地被覆此設有凸部61之基板5。所以，可藉由此電磁波阻擋層3，來進一步提高對於設有凸部61之基板5的電磁波遮蔽(阻擋)性。
又，基材層1於25℃之貯藏彈性係數宜為1.0E+07~1.0E+10Pa較理想，5.0E+08~5.0E+09Pa更理想。如上，藉由將常溫(室溫)時，亦即25℃之貯藏彈性係數設定為前述範圍內，能使基材層1在電磁波遮蔽用膜片100之加熱前為固體狀而不是液狀，且於電磁波遮蔽用膜片100之加熱時成為半固形狀(凝膠狀)。所以，基材層1(電磁波遮蔽用膜片100)貼附於基板5時，能將基材層1貼附於基板5而不發生皺紋等。又，電磁波遮蔽用膜片100裁切為規定尺寸時之作業性也提高。再者，推入在基板5設置之凹部62時，能以基材層1確實地將電磁波阻擋層3推入凹部62內。又，於具有此貯藏彈性係數之特性之基材層1中宜至少第1層11及第3層12係以熱塑性樹脂構成，且於貼附步驟之電磁波遮蔽用膜片100之加熱後，宜維持其於25℃之貯藏彈性係數為前述範圍內較佳。藉此，能於剝離步驟從電磁 波阻擋層3將基材層1輕易地剝離。
再者，當令基材層1於120℃之貯藏彈性係數為A[Pa]，基材層1於150℃之貯藏彈性係數為B[Pa]時，宜滿足0.02≦A/B≦1.00之關係較理想，滿足0.02≦A/B≦0.50之關係更理想。滿足此關係之基材層1，在其加熱時，可說係由於加熱時之溫度變化所致基材層1之貯藏彈性係數之變化幅度小者。因此即使加熱時之溫度條件改變，由於此溫度變化所致之基材層1之貯藏彈性係數變化之幅度仍可在必要最小限度內。所以，能以此基材層1更確實地將電磁波阻擋層3推入凹部62內。
又，各層於25℃、120℃及150℃之貯藏彈性係數，可使用例如：動態黏彈性測定裝置(精工儀器公司製、「DMS6100」)獲得。具體而言，於25~200℃、49mN之固定負荷之拉伸模式、升溫速度5℃/分、頻率1Hz之條件來測定待測定之各層之貯藏彈性係數。分別讀取動態黏彈性測定裝置中，於25℃、120℃及150℃之貯藏彈性係數。藉此可求取貯藏彈性係數。
<阻擋層3>
其次針對電磁波阻擋層(阻擋層)3說明。
電磁波阻擋層3，具有以下作用：阻擋(遮蔽)由設於基板5上之電子零件4(凸部61)、及位於介隔此電磁波阻擋層3而與基板5(電子零件4)為相反側之其他電子零件等中至少一方產生之電磁波。
此電磁波阻擋層3不特別限定、可以任意形態將電磁波予以阻擋者，例如藉由反射對於電磁波阻擋層3入射之電磁波以阻擋(遮蔽)之反射層、及藉由吸收對於電磁波阻擋層3入射之電磁波以阻擋(遮蔽)之吸收層。
以下針對反射層及吸收層分別說明。
反射層，如上述，係藉由將入射於反射層之電磁波予以反射而阻擋者。
此反射層，例如：導電性黏著劑層、金屬薄膜層、已施有金屬網、ITO等導電性材料之表面處理之層等。此等可單獨或併用。該等之中，宜使用導電性黏著劑層較佳。導電性黏著劑層，即使其膜厚(厚度)設為較薄仍能發揮優良的電磁波遮蔽性，故適於作為反射層。
作為前述導電性黏著劑層，係含有金屬粉與黏結劑樹脂而構成。金屬粉，例如：金、銀、銅或銀塗覆銅、鎳等。該等之中，從電磁波遮蔽性優異之理由，宜使用銀較佳。
前述導電性黏著劑層中，金屬粉與黏結劑樹脂之含有比例不特別限制，以重量比計，為40：60~90：10較佳，50：50~80：20更佳，又更佳為55：45~70：30。當金屬粉與黏結劑樹脂之含有比例低於前述下限值時，有導電性展現變得困難之虞。又，若金屬粉與黏結劑樹脂之含有比例超過前述上限值時，有可撓性或與電子設備零件間之密合性下降之虞。
前述導電性黏著劑層，除了含有前述金屬粉與黏結劑樹脂，也可更含有阻燃劑、塗平劑、黏度調整劑等。
反射層之厚度T(E1)不特別限定，為5μm以上、100μm以下較佳，8μm以上、50μm以下更佳，又更佳為10μm以上、30μm以下。反射層之厚度小於前述下限值時，取決於反射層之構成材料等，耐折疊性下降，裝載零件有於端部斷裂之虞。反射層之厚度超過前述上限值時，取決於反射層之構成材料等，形狀追隨性有下降之虞。又，若反射層之厚度T(E1)設定為該範圍內，能發揮優良的電磁波遮蔽性。所以，能達成反射層之厚度T(E1)之薄膜化，甚至能達成裝載著以電磁波阻擋層(反射層)3被覆之電子零件4的基板5的輕量化。
吸收層，如上述，係吸收已入射於吸收層之電磁波，並將電磁能變換為熱能以阻擋電磁波者。
此吸收層，例如：主材料為金屬粉及導電性高分子材料等導電吸收材料所構成之導電吸收層、主材料為碳系材料及導電性高分子材料等介電吸收材料所構成之介電吸收層、主材料為軟磁性金屬等磁性吸收材料所構成之磁性吸收層等，此等可單獨或併用。
又，導電吸收層，在施加電場時藉由流動於材料內部之電流將電磁能變換為熱能以吸收電磁波。介電吸收層，係利用介電損失將電磁波之能量變換為熱能以吸收電磁波。磁性吸收層，係利用過電流損失、滯後損失(hysteresis loss)、磁共振等磁性損失，將電波之能量變換為熱而予以消耗，以吸收電磁波。
該等之中，宜使用介電吸收層、導電吸收層較佳。
介電吸收層及導電吸收層，其膜厚(厚度)即使設為較薄，仍能發揮特別優異之電磁波遮蔽性。所以，宜作為吸收層。又，此層中所含之材料之粒徑可小或其添加量可少，所以其膜厚較容易設定為薄，也能輕量化。
又，導電吸收材料，例如：導電性高分子、ATO等金屬氧化物、導電性陶瓷。
又，導電性高分子，例如：聚乙炔、聚吡咯、PEDOT(poly-ethylenedioxythiophene)、PEDOT/PSS、聚噻吩、聚苯胺、聚(對伸苯)、聚茀、聚咔唑、聚矽烷或該等之衍生物等，可使用該等中之1種或組合使用2種以上。
作為介電吸收材料，可列舉碳系材料、導電性高分子等。
又，碳系材料，例如：單層奈米碳管、多層奈米碳管之類的奈米碳管、奈米碳纖維、CN奈米管、CN奈米纖維、BCN奈米管、BCN奈米纖維、石墨烯、碳微線圈、碳奈米線圈、碳奈米角(carbon nanohorn)、碳奈米毛線(carbon nanowool)之類的碳等，可使用該等中之1種或組合使用2種以上。
再者，磁性吸收材料，例如：鐵、矽鋼、磁性不銹鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)、鐵矽鋁磁合金(Sendust)(Fe-Si-Al合金)、坡莫合金(permalloy)(Fe-Ni合金)、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金之類之軟磁性金屬、肥粒鐵(ferrite)等。
吸收層之厚度T(E2)不特別限定，為1μm以上、100μm以下較佳，2μm以上、80μm以下更佳，又更佳為3μm以上、50μm以下。吸收層之厚度小於前述下限值時，取決於吸收層之構成材料等，基板裝載零件有於端部斷裂之虞。又，吸收層之厚度超過前述上限值時，取決於吸收層之構成材料等，形狀追隨性有下降之虞。又，若設定吸收層之厚度T(E2)為此範圍內，能發揮優良的電磁波遮蔽性。所以，可達成吸收層之厚度T(E2)之薄膜化，甚至達到裝載了以電磁波阻擋層(吸收層)3被覆之電子零件4的基板5的輕量化。
如以上之電磁波阻擋層3，阻擋(遮蔽)電磁波之電磁波遮蔽性為5dB以上較理想，30dB以上更佳，50dB以上又更佳。具有如此之電磁波遮蔽性之電磁波阻擋層3，具有優良的電磁波遮蔽性，能更確實地阻擋電磁波。
又，電磁波阻擋層3，其於150℃之貯藏彈性係數宜為1.0E+05~1.0E+09Pa較理想，5.0E+05~5.0E+08Pa更理想。藉由設定前述貯藏彈性係數為此範圍內，於貼附步驟，電磁波遮蔽用膜片100加熱後，利用來自基材層1之推壓力將電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62以被覆此凸部61時，可因應來自前述基材層1之推壓力，使電磁波阻擋層3因應凸部61之形狀而變形。亦即，能提高電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性。
又，如前述，電磁波阻擋層3可為反射層與吸收層中任一者，但此等具有大約相同之電磁波遮蔽性時，為吸收層較佳。吸收層，係藉由吸收已對吸收層入射之電磁波，並將電磁波能量變換為熱能以將電磁波阻擋。因此，由於此吸收使電磁波消滅，可確實地防止如反射層般反射的電磁波對於未被電磁波阻擋層3被覆之其他構件等造成誤作動等不利影響。
將如以上構成之電磁波遮蔽用膜片100，以溫度150℃、壓力2MPa、時間5分鐘之條件熱壓接於在基板5上裝載電子零件4以形成之凹部62、凸部61時，電磁波遮蔽用膜片100之形狀追隨性宜為500μm以上較佳，800μm以上更佳，又更佳為1000μm以上。亦即，宜能將凸部61之頂面與凹部62之底面的差距，亦即，將高度500μm以上之凸部61用電磁波遮蔽用膜片100被覆較理想，能將高度800μm以上之凸部61被覆更佳，能將高度1000μm以上之凸部61被覆又更佳。如此，能被覆高度高之凸部61(高低差大)之電磁波遮蔽用膜片100，具有優良的形狀追隨性。又，可利用電磁波阻擋層3，以相對於凹部62為優良的填埋率來被覆凸部61。
又，前述形狀追隨性可如以下方式求得。
亦即，首先，在縱100mm×橫100mm×高度2mm之印刷電路板(主機板)，以0.2mm間隔，以棋盤格狀形成寬0.2mm、既定高低差之溝，以獲得印刷電路基板。之後，使用真空加壓式層合機將電磁波遮蔽用膜片以150℃×2MPa×5分鐘之條件壓接於印刷電路板，並貼附在印刷電路板。貼附後，從電磁波遮蔽用膜片將基材層剝離。然後，判斷已貼附於印刷電路板之阻擋層與印刷電路板上之溝之間是否有空隙。又，是否有空隙，係以顯微鏡(microscope)或顯微鏡觀察並評價。
<電子零件之被覆方法>
其次針對本發明之電子零件之被覆方法說明。
本發明之電子零件之被覆方法，特徵為包含以下步驟：貼附步驟，於前述基板上，貼附前述電磁波遮蔽用膜片，使得前述電磁波阻擋層與電子零件黏著；及剝離步驟，在前述貼附步驟之後，將前述基材層從前述電磁波阻擋層剝離。
圖2係說明使用圖1所示之電磁波遮蔽用膜片之電子零件之被覆方法之縱剖面圖。
以下針對電子零件之被覆方法之各步驟依序說明。
(貼附步驟)
前述貼附步驟，例如：圖2(a)所示，係將電磁波遮蔽用膜片100貼附於基板5，使得被覆設於基板5上之凸部61之步驟。
貼附方法不特別限定，例如：真空壓空成形法。
真空壓空成形法，係例如使用真空加壓式層合機，以電磁波遮蔽用膜片100被覆基板5上之凸部61的方法。首先在能設定為真空氣體環境之密閉空間內，放置基板5與電磁波遮蔽用膜片100使其重疊，並使得基板5之形成了凸部61之側之面，與電磁波遮蔽用膜片100之電磁波阻擋層3側之面為彼此相對。之後，將此等於加熱下，使前述密閉空間處於真空氣體環境下，並使得電磁波遮蔽用膜片100從電磁波遮蔽用膜片100側均勻地向基板5接近。之後將此等加壓。藉此實施真空壓空成形法。
此時，本發明中，基材層1係由至少2層疊層而得之疊層體構成。藉由使基材層1為此構成，基材層1於以真空壓空成形法加熱時，能對於凸部61發揮優良的形狀追隨性。
因此於此狀態，藉由從電磁波遮蔽用膜片100側對於電磁波遮蔽用膜片100均勻地加壓，且同時使前述密閉空間處於真空氣體環境下，基材層1會因應凸部61之形狀而變形。再者，配合此變形，位於比基材層1更靠基板5側之電磁波阻擋層3，會因應凸部61之形狀而變形。藉此，會以電磁波阻擋層3因應凸部61之形狀而被推入凹部62之狀態，以電磁波阻擋層3來被覆凸部61。
在如此之貼附步驟，貼附溫度不特別限定，宜為100℃以上、200℃以下較佳，更佳為120℃以上、180℃以下。
又，貼附壓力不特別限定，宜為0.5MPa以上、5.0MPa以下較佳，更 佳為1.0MPa以上、3.0MPa以下。
再者，貼附時間不特別限定，宜為1分鐘以上、30分鐘以下較佳，更佳為5分鐘以上、15分鐘以下。
藉由將貼附步驟中條件設為上述範圍內，能以已將電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62之狀態，以此電磁波阻擋層3確實地被覆凸部61。
(剝離步驟)
前述剝離步驟，例如：圖2(b)所示，係於前述貼附步驟之後將基材層1從電磁波遮蔽用膜片100剝離之步驟。
依此剝離步驟，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100中之基材層1與電磁波阻擋層3之界面發生剝離，其結果將基材層1從電磁波阻擋層3剝離。藉此，以已從電磁波阻擋層3剝離基材層1之狀態，利用電磁波阻擋層3來被覆凸部61。
又，如此之利用使用電磁波遮蔽用膜片100之電磁波阻擋層3來被覆凸部61，如圖2，可因應貼附之電磁波遮蔽用膜片100之形狀，而將凸部61以電磁波阻擋層3被覆。所以，藉由因應待被覆之凸部61之形狀而適當設定電磁波遮蔽用膜片100之形狀，能將待被覆之凸部61選擇性的以電磁波阻擋層3被覆。亦即，能以電磁波阻擋層3進行凸部61之選擇性的電磁波遮蔽。
又，作為剝離基材層1之方法，不特別限定，由於真空壓空成形法結束(上述貼附步驟)後之電磁波遮蔽用膜片100為高溫狀態時，會有可能發生基材層1伸長、樹脂殘留等，且剝離作業性下降，所以可列舉以手工作業剝離。
該利用手工作業之剝離，例如：首先握持基材層1之其中一端部。然後， 以此握持之端部為起點，將基材層1從電磁波阻擋層3剝離。其次，從此端部向基材層1之中央部，再向基材層1之另一端部，依序將基材層1從電磁波阻擋層3剝離。如此，從電磁波阻擋層3將基材層1剝離。
剝離溫度為180℃以下較佳，更佳為150℃以下，又更佳為100℃以下。
藉由經過如以上之步驟，能以已從電磁波阻擋層3剝離基材層1之狀態，以電磁波阻擋層3來被覆凸部61。
又，本實施形態中，如圖1所示，係針對使用依序疊層了基材層1(第1層11、第2層13、第3層12)、電磁波阻擋層3之磁波遮蔽用膜片100，以電磁波阻擋層3來被覆基板5上之凸部61之情形說明。但是電磁波遮蔽用膜片100之層構成不限於此情形，例如可如以下所示之第2~第12實施形態之層構成的電磁波遮蔽用膜片100。
<第2實施形態>
以下針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第2實施形態說明。
圖3係代表本發明之電磁波遮蔽用膜片之第2實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中，為方便說明，圖3中之上側稱為「上」、下側稱為「下」。
以下針對圖3所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖3所示之電磁波遮蔽用膜片100中，省略了基材層1具備之第1層11之形成，藉此，基材層1成為第2層13與第3層12從頂面側起依序疊層之2層構成之疊層體，除此以外與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序由疊層第2層 13、第3層12構成之基材層1、與電磁波阻擋層3而得之疊層體。
此構成之電磁波遮蔽用膜片100，在貼附步驟中使用在將電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62之真空加壓式層合機等所擁有之推壓部，具備與第2層13之離型性，因而省略第1層11之形成。
於此情形，前述推壓部與第2層13之接觸面之離型性程度，可以用前述接觸面之表面張力表示。前述接觸面之表面張力，宜為20~40mN/m較理想，25~35mN/m更理想。藉由使前述接觸面具有此範圍內之表面張力，在使用真空加壓式層合機等之推入處理之後，能從第2層13將推壓部確實地剝離。
如此構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可以與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣之效果。
<第3實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第3實施形態說明。
圖4係代表本發明之電磁波遮蔽用膜片之第3實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖4中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖4所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖4所示之電磁波遮蔽用膜片100，省略形成基材層1所具備之第3層12，因而，基材層1成為第1層11與第2層13從頂面側起依序疊層之2層構成之疊層體，除此以外與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序疊層由第1層 11、第2層13構成之基材層1、與電磁波阻擋層3而得之疊層體。
此構成之電磁波遮蔽用膜片100，在剝離步驟中將基材層1從電磁波阻擋層3剝離時，係將基材層1在第2層13與電磁波阻擋層3之界面從電磁波阻擋層3剝離。如此之剝離中，電磁波阻擋層3具備與第2層13之離型性，因此省略第3層12之形成。
於此情形，電磁波阻擋層3與第2層13之接觸面之離型性程度，可以用前述接觸面之表面張力表示。前述接觸面之表面張力，宜為20~40mN/m較理想，25~35mN/m更理想。藉由使前述接觸面具有此範圍內之表面張力，在使用真空加壓式層合機等之推入處理之後，能從第2層13將電磁波阻擋層3確實地剝離。
如此之具有表面張力之電磁波阻擋層3，例如使導電性高分子、碳系材料分散於如聚胺甲酸酯之熱硬化性樹脂而得之樹脂等。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
<第4實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第4實施形態說明。
圖5係代表本發明之電磁波遮蔽用膜片之第4實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖5中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖5所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖5所示之電磁波遮蔽用膜片100中，阻擋層3並非單層構成，而是 由吸收層31及反射層32構成的疊層體，此等層從基材層1之底面(其中一面)側起依此順序疊層，並且吸收層31接觸基材層1(第3層12)，除此以外與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序將由第1層11、第2層13、第3層12構成之基材層1、及由吸收層31、反射層32構成之阻擋層3疊層而得之疊層體。藉由使用由如此之疊層體構成之具備阻擋層3之電磁波遮蔽用膜片100來被覆基板5上之凸部61，能在配置吸收層31於相對於凸部61而言反射層32之相反側，配置反射層32於與凸部61接觸之側之狀態，將凸部61以阻擋層3被覆。如此，本實施形態中，阻擋層3係由吸收層31與反射層32構成之疊層體構成，所以能提高阻擋層3所致之電磁波遮蔽性。
又，此構成之阻擋層3中，吸收層31於150℃之貯藏彈性係數為1.0E+05~1.0E+09Pa較理想，5.0E+05~5.0E+08Pa更理想。
再者，反射層32於150℃之貯藏彈性係數為1.0E+05~1.0E+09Pa較理想，5.0E+05~5.0E+08Pa更理想。
藉由將以如上述順序疊層之吸收層31及反射層32之貯藏彈性係數分別設為前述範圍內，能因應來自前述基材層1之推壓力，使具備吸收層31及反射層32之阻擋層3因應凸部61之形狀而更確實地變形。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
<第5實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第5實施形態說明。
圖6係代表本發明之電磁波遮蔽用膜片之第5實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖6中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖6所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖6所示之電磁波遮蔽用膜片100中，阻擋層3並非單層構成，而是由反射層32及吸收層31構成之疊層體，此等層從基材層1之底面(其中一面)側起以此順序疊層，且反射層32接觸基材層1(第3層12)，除此以外與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序疊層由第1層11、第2層13、第3層12構成之基材層1、及由反射層32、吸收層31構成之阻擋層3疊層而得之疊層體。藉由使用由如此之疊層體構成之具備阻擋層3之電磁波遮蔽用膜片100來被覆基板5上之凸部61，於係配置反射層32於吸收層31相對於凸部61為相反側、配置吸收層31於接觸凸部61之側之狀態，將凸部61以阻擋層3被覆。如此，本實施形態中，阻擋層3係由反射層32與吸收層31構成的疊層體構成，所以能更提高阻擋層3所致之電磁波遮蔽性。
又，此構成之阻擋層3中，反射層32於150℃之貯藏彈性係數為1.0E+05~1.0E+09Pa較理想，5.0E+05~5.0E+08Pa更理想。
再者，吸收層31於150℃之貯藏彈性係數為1.0E+05~1.0E+09Pa較理想，5.0E+05~5.0E+08Pa更理想。
藉由將依如上述順序疊層之反射層32及吸收層31之貯藏彈性係數分別設為前述範圍內，能因應來自前述基材層1之推壓力，使具備反射層32及吸收層31之阻擋層3因應凸部61之形狀更確實地變形。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
又，前述第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100、與前述第5實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，除了阻擋層3所擁有之反射層32與吸收層31的疊層順序不同，除此以外彼此相同。如前述，吸收層31係藉由將入射於吸收層31之電磁波吸收以阻擋電磁波，所以因此吸收，電磁波消滅。因此，第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，能夠有確實防止由反射層32反射之電磁波對於未被阻擋層3被覆之其他構件等帶來不利影響的好處。所以，此等第4及第5實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，較佳宜配置吸收層31於反射層32相對於凸部61為相反側之第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100較佳。
又，前述第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100、與前述第5實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，係成為阻擋層3具備了反射層32與吸收層31各1層之2層構成之疊層體。但是阻擋層3不限於如此之2層構成之疊層體，也可由至少具備反射層32與吸收層31中任一者2層以上之3層以上之疊層體構成。
<第6實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第6實施形態說明。
圖7係代表本發明之電磁波遮蔽用膜片之第6實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖7中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100，係在基材層1與電磁波阻擋層3之間形成了絕緣層2，除此以外與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，如圖7所示、本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100係包含基材層1、絕緣層2、及電磁波阻擋層3而構成。絕緣層2及電磁波阻擋層3，係依此順序從基材層1之底面(其中一面)側起疊層，且絕緣層2接觸基材層1。
<基材層1>
首先針對與圖1所示之電磁波遮蔽用膜片100之基材層1之不同點說明。
第1層11於25~150℃之平均線膨脹係數，為50~1000[ppm/℃]較理想，100~700[ppm/℃]更理想。藉由設定第1層11之平均線膨脹係數為此範圍內，電磁波遮蔽用膜片100加熱時，第1層11具有優良的伸縮性。所以，能更確實提高電磁波阻擋層3及絕緣層2對於凸部61之形狀追隨性。
又，第2層13於25~150℃之平均線膨脹係數，為500以上[ppm/℃]較理想，1000以上[ppm/℃]更理想。藉由設定第2層13之平均線膨脹係數為此範圍內，電磁波遮蔽用膜片100加熱時，第2層13，相比於第3層12容易有更優良的伸縮性。所以，能使第2層13，進一步使電磁波阻擋層3及絕緣層2對於凸部61之形狀追隨性更確實地提高。
又，藉由將各層11~13之平均線膨脹係數分別適當設定為前述範圍內，能輕易設定後述基材層1於150℃之貯藏彈性係數為2.0E+05~2.0E+08Pa之範圍內。
又，以如上述疊層體構成之基材層1，於150℃之貯藏彈性係數為2.0E+05~2.0E+08Pa較理想，1.0E+06~1.0E+08Pa更佳，3.0E+06~6.0E+07Pa又更佳。
如此，藉由將作用為提高絕緣層2及阻擋層3對於凸部61之形狀追隨 性之基材的基材層1加熱時之貯藏彈性係數設定為前述範圍內，當使用電磁波遮蔽用膜片100來被覆基板5上之凸部61時，能以絕緣層2及電磁波阻擋層3對應於凸部61之形狀之狀態，更確實地推入凹部62。其結果。能以阻擋層3更確實地被覆此設有凸部61之基板5，故能更提高此電磁波阻擋層3所致之對於設有凸部61之基板5之電磁波遮蔽(阻擋)性。
<絕緣層2>
其次針對絕緣層2說明。
絕緣層2，在本實施形態中係與基材層1(第3層12)接觸而設置。從基材層1側起，依序疊層絕緣層2、電磁波阻擋層3。藉由使用以如此方式疊層之具備絕緣層2及電磁波阻擋層3之電磁波遮蔽用膜片100來被覆基板5上之凸部61，能使電磁波阻擋層3接觸基板5及電子零件4，且從基板5側起依序以電磁波阻擋層3、絕緣層2來被覆電子零件4。
如上，本實施形態中，絕緣層2係介隔電磁波阻擋層3而被覆基板5及電子零件4。藉此將基板5、電子零件4及電磁波阻擋層3，與介隔絕緣層2而位在與基板5為相反側之其他構件(電子零件等)絕緣。
作為此絕緣層2，例如具有熱硬化性之絕緣樹脂或具有熱塑性之絕緣樹脂(絕緣膜)。該等之中，宜使用具有熱塑性之絕緣樹脂較佳。具有熱塑性之絕緣樹脂，係彎曲性優異之膜。故，貼附步驟中，將基材層1當作對於凹部62進行推入用基材，並將絕緣層2及電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62時，能使絕緣層2因應凸部61之形狀確實地追隨。又，具有熱塑性之絕緣樹脂若加熱到其軟化點溫度，能從黏著對象之基板再剝離，所以於修理基板時特別有用。
具有熱塑性之絕緣樹脂，例如：熱塑性聚酯、α-烯烴、乙酸乙烯酯、聚乙烯基縮醛、乙烯乙酸乙烯酯、氯乙烯、壓克力、聚醯胺、纖維素。該等之中，從與基板之密合性、彎曲性、耐藥品性優異之理由，使用熱塑性聚 酯、α-烯烴較佳。
再者，具有熱塑性之絕緣樹脂中，在不損及耐熱性、耐彎曲性等性能之範圍，也可含有苯酚系樹脂、矽酮系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等。又，具有熱塑性之絕緣樹脂中，與後述導電性黏著劑層之情形同樣，在不降低黏著性、耐回焊性之範圍，也可添加矽烷偶聯劑、抗氧化劑、顏料、染料、黏著賦予樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、流平調整劑、填充劑、阻燃劑等。
絕緣層2之厚度T(D)不特別限定，宜為3μm以上、50μm以下較佳，4μm以上、30μm以下更佳，又更佳為5μm以上、20μm以下。絕緣層2之厚度小於前述下限值時，耐折疊性下降，在對於凸部61熱壓接後，於彎折部會有發生裂痕之虞。又，膜強度下降，難以承當作為導電性黏著劑層之絕緣性支持體的任務。超過前述上限值時，形狀追隨性有下降之虞。亦即，藉由設定絕緣層2之厚度T(D)為前述範圍內，絕緣層2能成為彎曲性更優良者。又，貼附步驟中，基材層1作為對於凹部62推入用基材，且將絕緣層2及電磁波阻擋層3推入基板5上之凹部62時，絕緣層2能因應凸部61之形狀而更確實地追隨。
又，絕緣層2於25~150℃之平均線膨脹係數，為50~1000[ppm/℃]較理想，100~700[ppm/℃]更理想。藉由設定絕緣層2之平均線膨脹係數為此範圍內，電磁波遮蔽用膜片100加熱時、絕緣層2具有優良的伸縮性。所以，能使絕緣層2，進一步使電磁波阻擋層3對於凸部61之形狀追隨性更確實地提高。
又，此絕緣層2，如圖7、8所示，係以1層構成，除此以外，也可為疊層上述絕緣膜當中為不同者而得之2層以上之疊層體。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第1實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
<第7實施形態>
以下針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第7實施形態說明。
圖9係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第7實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明稱圖9中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖9所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖3所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖9所示之電磁波遮蔽用膜片100中，絕緣層2係形成於基材層1與電磁波阻擋層3之間，除此以外與圖3所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序將由第2層13與第3層12構成之基材層1、及絕緣層2、電磁波阻擋層3疊層而得之疊層體。又，絕緣層2與第6實施形態之絕緣層2相同，故將其說明省略。
如此構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可以與前述第2實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，並獲得與前述第2實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。又，本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100具有絕緣層2，故可以與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣使用並與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100獲得同樣效果。
<第8實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第8實施形態說明。
圖10係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第8實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖10中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖10所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖4所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖10所示之電磁波遮蔽用膜片100中，絕緣層2係形成在基材層1與電磁波阻擋層3之間，除此以外與圖4所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序疊層由第1層11與第2層13構成之基材層1、絕緣層2、及電磁波阻擋層3而得之疊層體。又，絕緣層2與第6實施形態之絕緣層2相同，故將其說明省略。
如此構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可以與前述第3實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，並獲得與前述第3實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。又，本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100具有絕緣層2，故可以與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣使用並與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100獲得同樣效果。
<第9實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第9實施形態說明。
圖11係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第9實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖11中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖11所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖11所示之電磁波遮蔽用膜片100中，省略形成基材層1具備之第3層12，因此基材層1，係第1層11與第2層13從頂面側起依序疊層而得之2層構成之疊層體，且絕緣層2及電磁波阻擋層3之疊層順序相反，除 此以外與圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係依序疊層由第1層11與第2層13構成之基材層1、電磁波阻擋層3、及絕緣層2而得之疊層體。
此構成之電磁波遮蔽用膜片100，於剝離步驟將基材層1從電磁波阻擋層3剝離時，係於第2層13與電磁波阻擋層3間之界面將基材層1從電磁波阻擋層3剝離。如此之剝離中，電磁波阻擋層3具備與第2層13間的離型性，因而省略第3層12之形成。
於此情形，電磁波阻擋層3與第2層13之接觸面之離型性程度，可以用前述接觸面之表面張力表示。前述接觸面之表面張力，宜為20~40mN/m較理想，25~35mN/m更理想。藉由使前述接觸面具有此範圍內之表面張力，在使用真空加壓式層合機等之推入處理之後，能從電磁波阻擋層3將第2層13確實地剝離。
如此之具有表面張力之電磁波阻擋層3，例如：使碳系材料或導電性高分子分散於聚胺甲酸酯等熱硬化性樹脂中而得之樹脂等。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
<第10實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第10實施形態說明。
圖12係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第10實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖12中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖12所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖12所示之電磁波遮蔽用膜片100中，絕緣層2及電磁波阻擋層3之疊層順序相反，除此以外與圖7所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係將由第1層11、第2層13、第3層12構成之基材層1、絕緣層2、電磁波阻擋層3依序疊層而得之疊層體。藉由使用如此之已疊層之具備電磁波阻擋層3及絕緣層2之電磁波遮蔽用膜片100，來被覆基板5上之凸部61，絕緣層2會接觸基板5及電子零件4，且從基板5側起依序以絕緣層2、電磁波阻擋層3被覆電子零件4。
如上，本實施形態中，絕緣層2係以與基板5及電子零件4接觸的狀態將此等被覆。藉此，基板5及電子零件4，會與介隔絕緣層2而位在與基板5為相反側之電磁波阻擋層3及其他構件(電子零件等)絕緣。
所以，此構成之電磁波遮蔽用膜片100即使例如：電磁波阻擋層3含有導電性材料，也能利用絕緣層2確實地使相鄰的電子零件4彼此絕緣。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。
<第11實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第11實施形態說明。
圖13係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第11實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明，稱圖13中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖13所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖5所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖13所示之電磁波遮蔽用膜片100中，絕緣層2係形成於電磁波阻擋層3與基材層1之間，除此以外與圖5所示之電磁波遮蔽用膜片100為相同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係將由第1層11、第2層13、第3層12構成之基材層1、絕緣層2、及由吸收層31、反射層32構成之電磁波阻擋層3，依序疊層而成疊層體。又，絕緣層2與第6實施形態之絕緣層2相同，故將其說明省略。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第4實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。又，本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100具有絕緣層2，故可以與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣使用並與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100獲得同樣效果。
<第12實施形態>
其次針對本發明之電磁波遮蔽用膜片之第12實施形態說明。
圖14係表示本發明之電磁波遮蔽用膜片之第12實施形態之縱剖面圖。又，以下說明中為了方便說明稱圖14中之上側為「上」、下側為「下」。
以下針對圖14所示之電磁波遮蔽用膜片100說明，但針對與圖6所示之電磁波遮蔽用膜片100之不同點說明，關於同樣事項則將說明省略。
圖14所示之電磁波遮蔽用膜片100中，絕緣層2係形成於電磁波阻擋層3與基材層1之間，除此以外與圖6所示之電磁波遮蔽用膜片100為相 同。
亦即，本實施形態中，電磁波遮蔽用膜片100，係將由第1層11、第2層13、第3層12構成之基材層1、絕緣層2、與由反射層32、吸收層31構成之電磁波阻擋層3依序疊層而成之疊層體。又，絕緣層2與第6實施形態之絕緣層2相同，故將其說明省略。
如此之構成之本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，也可與前述第5實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣地使用，可獲得與前述第5實施形態之電磁波遮蔽用膜片100為同樣的效果。又，本實施形態之電磁波遮蔽用膜片100具有絕緣層2，故可以與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100同樣使用並與前述第6實施形態之電磁波遮蔽用膜片100獲得同樣效果。
又，前述第11實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，與前述第12實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，除了電磁波阻擋層3擁有之反射層32與吸收層31的疊層順序不同以外，彼此相同。如前述，吸收層31係藉由吸收入射於吸收層31之電磁波以阻擋電磁波，故由於此吸收，電磁波消滅。由此，前述第11實施形態之電磁波遮蔽用膜片100有以下好處：能確實防止於反射層32反射之電磁波對於未被電磁波阻擋層3被覆之其他構件等造成不利影響。所以，此等第11及第12實施形態之電磁波遮蔽用膜片100中，宜為吸收層31係位在反射層32相對於凸部61為相反側的第11實施形態之電磁波遮蔽用膜片100較佳。
又，前述第11實施形態之電磁波遮蔽用膜片100、與前述第12實施形態之電磁波遮蔽用膜片100，係電磁波阻擋層3具備反射層32與吸收層31各1層之2層構成之疊層體。但是電磁波阻擋層3不限於如此之2層構成之疊層體，也可由至少反射層32與吸收層31中任一者有2層以上之3層以上之疊層體構成。
又，前述實施形態中，係針對在電磁波阻擋層3之頂面或底面中任一者疊層了1層絕緣層2的情形說明，但不限於此情形，也可於電磁波阻擋層3之頂面及底面兩者各疊層1層為其他層的絕緣層2。
以上針對本發明之電磁波遮蔽用膜片、及電子零件之被覆方法說明，但本發明不限於此等。
例如：本發明之電磁波遮蔽用膜片，也可組合前述第1~第12實施形態之任意之構成。
又，也可對於本發明之電磁波遮蔽用膜片追加能發揮同樣機能的任意層。
再者，也可對於本發明之電子零件之被覆方法追加1或2以上之任意步驟。
【實施例】
以下依據實施例對於本發明詳細說明，但本發明不限於此等實施例。
1.關於電磁波遮蔽用膜片之層構成之探討
(實施例1A)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)，作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)，作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)，作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層之前述對排聚苯乙烯、與作為第3層之前述對排聚苯乙烯、作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，使用進料組體(feed block)及多歧管模進行共擠製予以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層塗覆於基材層，製成電磁波遮蔽用膜片。
實施例1A之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為140μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1A之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420ppm/℃。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150度、壓力2.0MPa之條件，以5分鐘、真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製造電子零件。
(實施例2A)
設定第1層之厚度為80μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3A)
設定第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4A)
設定第2層之厚度為90μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5A)
設定第2層之厚度為20μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6A)
設定第3層之厚度為10μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7A)
設定第3層之厚度為90μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8A)
設定電磁波阻擋層之厚度為5μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9A)
設定電磁波阻擋層之厚度為150μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10A)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合之摻合品，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例11A)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)各以重量百分比濃度80wt%、20wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例12A)
作為第1層，準備聚甲基戊烯(三井化學(股)公司製、商品名：TPX MX004)，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例13A)
作為第1層，準備聚對苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑膠(股)公司製、商品名：NOVADURAN 5505S)，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例14A)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例15A)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚乙烯(宇部興產(股)公司製、商品名：UBE聚乙烯F222NH)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例16A)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、 商品名：ACRYFT WD106)與聚乙烯(宇部興產(股)公司製、商品名：UBE聚乙烯F222NH)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度60wt%、20wt%、20wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例17A)
設定第1層之厚度為5μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例18A)
設定第2層之厚度為120μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例19A)
設定第3層之厚度為3μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例20A)
設定第2層之厚度為80μm、第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例21A)
設定第1層之厚度為5μm、第2層之厚度為80μm、第3層之厚度為5μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例22A)
省略第1層之形成，並且於電磁波阻擋層使用導電性高分子聚苯胺分散液(REGULUS公司製PANI-PD)，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例23A)
省略第3層之形成，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例1A)
作為基材層，僅準備聚對苯二甲酸乙二醇酯(東麗(股)公司製、商品名：LUMIRROR S10)，並設定基材層之厚度為30μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例2A)
作為基材層，僅準備聚對苯二甲酸乙二醇酯(東麗(股)公司製、商品名：LUMIRROR S10)，並設定基材層之厚度為100μm，除此以外與實施例1A同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1A~23A、及比較例1A、2A製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，評價形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性。以下針對該等評價方法說明。
<<形狀追隨性>>
前述形狀追隨性可如以下方式求取。
於縱100mm×橫100mm×高度3mm之印刷電路板(主機板)，以0.2mm間隔以棋盤格狀形成寬0.2mm、既定高低差(深度)之溝。之後，使用真空壓空成形裝置將電磁波遮蔽用膜片以150℃×1MPa×10分鐘的條件壓接於印刷電路板，並貼附於印刷電路板。貼附後，將基材層從電磁波阻擋層剝離。然後判斷貼附於印刷電路板之電磁波阻擋層與印刷電路板上之溝之間是否有空隙。又，是否有空隙，係以顯微鏡(microscope)或顯微鏡觀察並評價。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：高低差小於500μm。
○：高低差為500μm以上、小於1000μm。
◎：高低差為1000μm以上、小於2000μm。
◎◎：高低差為2000μm以上。
<<離型性>>
前述離型性，可依如下方式求得。
將電磁波遮蔽用膜片熱壓接於與上述形狀追隨性之評價方法為同樣之印刷電路板。之後，以利用手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離時之剝離容易度實施評價。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：基材層有樹脂殘留。
○：基材層沒有樹脂殘留，但是基材層之剝離稍許沉重。
◎：基材層沒有樹脂殘留，能輕易地剝離基材層。
<<耐折疊性>>
前述耐折疊性，可利用以下方式求取。
將電磁波遮蔽用膜片貼合在有彎曲性的基板，例如：可撓性電路基板等。將已貼合者折疊，以顯微鏡觀察其彎折處。惟彎折係以手進行，僅彎折1次。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：彎折部發生了裂痕。
○：彎折部有若干的皺紋。
◎：彎折部未發生裂痕。
<<第2層滲出性>>
前述基材層之第2層滲出性，可利用以下方式求取。
將基材層以150℃×2.0MPa×5分鐘的條件熱壓製。以游標卡尺等測定滲出的第2層之構成材料距第2層之端部的最大距離。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：最大距離1.0mm以上
○：最大距離0.5mm以上、小於1.0mm
◎：最大距離小於0.5mm
<<耐熱性>>
前述基材層之耐熱性可利用以下方式求取。
與前述形狀追隨性之評價方法同樣地，使用真空壓空成形裝置，以150℃×2MPa×5分鐘的條件，將電磁波遮蔽用膜片熱壓接於印刷電路板，並貼附於印刷電路板。貼附後，將基材層從電磁波阻擋層剝離。然後，以目視觀察貼附在印刷電路板的電磁波阻擋層是否有皺紋。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：電磁波阻擋層出現皺紋。
○：電磁波阻擋層處現微細的皺紋。
◎：電磁波阻擋層未出現皺紋。
<<裁切．衝壓作業性>>
前述電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，可利用以下方式求取。
以將電磁波遮蔽用膜片裁切、衝壓為既定尺寸及形狀時是否須要多數步驟且顯著作業性下降來進行判斷。
各符號如下。×評為不合格，其他評為合格。
×：作業性顯著下降。
○：作業性有若干下降。
◎：作業性無間題。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表1所示。
如表1可明白：實施例1A~23A之電磁波遮蔽用膜片，顯示良好的形狀追隨性，而關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性均為均衡性良好且優良。相對於此，比較例1A、2A之電磁波遮蔽用膜片，比起實施例1A~23A之電磁波遮蔽用膜片，係形狀追隨性未充分令人滿意的結果。
2.關於基材層之貯藏彈性係數之探討
(實施例1B)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)，作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)，作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)，作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層前述對排聚苯乙烯、作為第3層之前述對排聚苯乙烯、與作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，使用進料組體及多歧管模進行共擠製以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層塗覆於基材層，製成電磁波遮蔽用膜片。
實施例1B之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為140μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1B之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420ppm/℃。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150℃、壓力2.0MPa之條件，進行5分鐘真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製成電子零件。
(實施例2B)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3B)
設定第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4B)
設定第2層之厚度為90μm，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5B)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6B)
設定第1層之厚度為80μm，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7B)
設定第1層之厚度為100μm，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8B)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合之摻合品，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9B)
作為第2層，準備聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10B)
作為第1層，準備聚對苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑膠(股)公司製、商品名：NOVADURAN 5020)，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例11B)
作為第1層，準備6-尼龍(宇部興產(股)公司製、商品名：UBE尼龍1022B)，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例1B)
作為基材層，準備環狀烯烴系共聚物(POLYPLASTICS(股)公司製、商 品名：TOPAS6017)，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例2B)
設定第3層之厚度為1μm、第1層之厚度為1μm，除此以外與實施例1B同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1B~11B、及比較例1B、2B製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，也與針對實施例1A~23A、及比較例1A、2A製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件實施者同樣進行，實施形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性之評價。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表2所示。
如表2可明白：實施例1B~11B之電磁波遮蔽用膜片，由於將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定在適當範圍內，顯示良好的形狀追隨性。再者，關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，也係均衡性良好，為優良結果。
相對於此，比較例1B、2B之電磁波遮蔽用膜片，未將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定為適當範圍內，形狀追隨性不充分令人滿意。
3.關於阻擋層之層構成及貯藏彈性係數之探討
(實施例1C)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)，作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)，作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)，作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層之前述對排聚苯乙烯、作為第3層之前述對排聚苯乙烯、與作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，利用使用進料組體及多歧管模之共擠製予以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層塗覆於基材層，製成電磁波遮蔽用膜片。
實施例1C之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為140μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1C之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之 平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150度、壓力2.0MPa之條件，以5分鐘、真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製造電子零件。
(實施例2C)
將導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-250H-5)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3C)
將導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-250H-23)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4C)
將導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備聚苯胺分散液用於作為吸收層之導電吸收層(REGULUS公司製、商品名：PANI-PD、厚度20μm)，除此以外與實 施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備多層奈米碳管分散液用於作為吸收層之介電吸收層(保土谷化學公司製、商品名：NT-7K、厚度20μm)，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備PEDOT/PSS用於作為吸收層之導電吸收層(中京油脂(股)公司製、商品名：S-941、厚度20μm)，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(東洋紡公司製、商品名：DW260-H1、厚度10μm)、與準備用於作為吸收層之導電吸收層的聚苯胺分散液(REGULUS(股)公司製、商品名：PANI-PD、厚度10μm)，並將此等依反射層、吸收層之順序塗覆於膜，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B、厚度10μm)、與用於作為吸收層之介電吸收層(PEDOT/PSS(中京油脂(股)公司製、商品名：S-941、厚度10μm)，將此等以反射層、吸收層之順序塗覆於膜，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(東洋紡公司製、商品名：DW260-H1、厚度10μm)、與準備用於作為吸收層之導電吸收層的聚苯胺分散液(REGULUS(股)公司製、商品名：PANI-PD、厚度 10μm)，將此等以吸收層、反射層之順序塗覆成膜，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例11C)
作為構成阻擋層之樹脂，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B、厚度10μm)、與用於作為吸收層之介電吸收層(PEDOT/PSS(中京油脂公司製、商品名：S-941、厚度10μm)，將此以吸收層、反射層之順序塗覆成膜，除此以外與實施例1C同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1C~11C製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，也與針對實施例1A~23A、及比較例1A、2A製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件所實施者同樣進行，進行形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性之評價。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表3所示。
如表3可明白：如實施例1C~11C所示，藉由不僅將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定在適當範圍內，也將電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數設定為適當範圍內，顯示良好的形狀追隨性。再者，關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，也能獲得均衡性良好之優良者。
4.關於電磁波遮蔽用膜片之層構成之探討
(實施例1D)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)，作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備聚烯烴系乳劑(UNITIKA(股)公司製、商品名：A-BASE TC-4010)作為構成絕緣層之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層之前述對排聚苯乙烯、作為第3層之前述對排聚苯乙烯、與作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，使用進料組體及多歧管模進行共擠製，以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層，作為絕緣層之前述聚烯烴系乳劑，以此順序塗覆於基材層，製成電磁波遮蔽用膜片。
實施例1D之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為160μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、絕緣層之厚度為20μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1D之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之 平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420ppm/℃。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150度、壓力2.0MPa之條件，以5分鐘、真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製造電子零件。
(實施例2D)
設定第1層之厚度為80μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3D)
設定第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4D)
設定第2層之厚度為90μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5D)
設定第2層之厚度為20μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6D)
設定第3層之厚度為10μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波 遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7D)
設定第3層之厚度為90μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8D)
設定絕緣層之厚度為5μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9D)
設定絕緣層之厚度為50μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10D)
設定電磁波阻擋層之厚度為5μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例11D)
設定電磁波阻擋層之厚度為150μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例12D)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例13D)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)分別以重量百分比濃度80wt%、20wt%摻合而得之 摻合品，除此以外與實施例1D同樣準備。
(實施例14D)
作為第1層，準備聚甲基戊烯(三井化學(股)公司製、商品名：TPX MX004)，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例15D)
作為第1層，準備聚對苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑膠(股)公司製、商品名：NOVADURAN 5505S)，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例16D)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例17D)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚乙烯(宇部興產(股)公司製、商品名：UBE聚乙烯F222NH)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例18D)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)、聚乙烯(宇部興產(股)公司製、商品名：UBE聚乙烯F222NH)、與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度60wt%、20wt%、20wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例19D)
作為絕緣層，準備飽和共聚合聚酯乳劑(UNITIKA(股)公司製、商品名：ELITEL KT-8803)，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例20D)
設定第1層之厚度為5μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例21D)
設定第2層之厚度為120μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例22D)
設定第3層之厚度為3μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例23D)
設定第2層之厚度為80μm、第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例24D)
設定第1層之厚度為5μm、第2層之厚度為80μm、第3層之厚度為5μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例25D)
省略第1層之形成，且電磁波阻擋層使用導電性高分子聚苯胺分散液(REGULUS公司製PANI-PD)，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例26D)
省略第3層之形成，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例1D)
作為基材層，僅準備聚對苯二甲酸乙二醇酯(東麗(股)公司製、商品名：LUMIRROR S10)，並設定基材層之厚度為30μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例2D)
作為基材層，僅準備聚對苯二甲酸乙二醇酯(東麗(股)公司製、商品名：LUMIRROR S10)，並設定基材層之厚度為100μm，除此以外與實施例1D同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1D~26D、及比較例1D、2D製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，與前述<評價試驗>同樣地評價形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表4所示。
由表4可明白：實施例1D~24D之電磁波遮蔽用膜片顯示良好的形狀追隨性，且關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，也係均衡性良好，為優異。相對於此，比較例1D、2D之電磁波遮蔽用膜片，比起實施例1D~26D之電磁波遮蔽用膜片，為形狀追隨性不充分令人滿意的結果。
5.關於基材層之貯藏彈性係數之探討
(實施例1E)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備聚烯烴系乳劑(UNITIKA(股)公司製、商品名：A-BASE TC-4010)作為構成絕緣層之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層之前述對排聚苯乙烯、作為第3層之前述對排聚苯乙烯、與作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，使用進料組體及多歧管模，以共擠製予以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層、作為絕緣層之前述聚烯烴系乳劑，以此順序塗覆於基材層，而製成電磁波遮蔽用膜片。
實施例1E之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為160μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、絕緣層之厚度為20μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1E之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之 平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420ppm/℃。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150度、壓力2.0MPa之條件，以5分鐘、真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製造電子零件。
(實施例2E)
作為第2層，準備將乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度70wt%、30wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3E)
設定第1層之厚度為10μm，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4E)
設定第2層之厚度為90μm，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5E)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(可樂麗(股)公司製、商品名：SEPTON S8007)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合而得之摻 合品，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6E)
設定第1層之厚度為80μm，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7E)
設定第1層之厚度為100μm，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8E)
作為第1層，準備將對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)與聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)各以重量百分比濃度60wt%、40wt%摻合而得之摻合品，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9E)
作為第2層，準備聚丙烯(住友化學(股)公司製、商品名：NOBRENE FS2011DG2)，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10E)
作為第1層，準備聚對苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑膠(股)公司製、商品名：NOVADURAN 5020)，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例1E)
作為基材層，準備環狀烯烴系共聚物(POLYPLASTICS(股)公司製、商品名：TOPAS6017)，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(比較例2E)
設定第3層之厚度為1μm、第1層之厚度為1μm，除此以外與實施例1E同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1E~10E、及比較例1E、2E製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，也與針對實施例1D~26D、及比較例1D、2D製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件所實施者同樣進行，實施形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性之評價。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表5所示。
由表5可明白：實施例1E~10E，因為將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定為為適當範圍內，顯示良好的形狀追隨性。再者，關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，也係均衡性良好，為優良結果。
相對於此，比較例1E、2E中，未將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定為適當範圍內，結果形狀追隨性未充分令人滿意。
6.關於阻擋層之層構成及貯藏彈性係數之探討
(實施例1F)
<電磁波遮蔽用膜片之製造>
為了獲得電磁波遮蔽用膜片，準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第1層(第1離型層)之樹脂。準備對排聚苯乙烯(出光興產(股)公司製、商品名：XAREC S107)作為構成第3層(第2離型層)之樹脂。準備乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(住友化學(股)公司製、商品名：ACRYFT WD106)作為構成第2層(緩衝層)之樹脂。準備聚烯烴系乳劑(UNITIKA(股)公司製、商品名：A-BASE TC-4010)作為構成絕緣層之樹脂。準備導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-260H-1)作為構成電磁波阻擋層之樹脂。
將作為第1層之前述對排聚苯乙烯、作為第3層之前述對排聚苯乙烯、與作為第2層之前述乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物，使用進料組體及多歧管模進行共擠製以膜化。將作為電磁波阻擋層之前述導電性黏著劑層，作為絕緣層之前述聚烯烴系乳劑，依此順序塗覆於基材層，而製作電磁波遮蔽用膜片。
實施例1F之電磁波遮蔽用膜片之全體之厚度為160μm，第1層之厚度為30μm、第3層之厚度為30μm、第2層之厚度為60μm、絕緣層之厚度為20μm、電磁波阻擋層之厚度為20μm。
又，測定實施例1F之電磁波遮蔽用膜片之第1層、第2層及第3層之平均線膨脹係數，結果各為420、2400及420。
再者，測定基材層及電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數，結果各為1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
<電子零件之製造>
將獲得之電磁波遮蔽用膜片，以溫度150度、壓力2.0MPa之條件，以5分鐘、真空壓空成形法，貼附在個人電腦用記憶體基板(Samsung(股)公司製、商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3-CE6 PC2-5300)(高低差1,000μm)之表面。貼附後，以手工作業僅將基材層從電磁波阻擋層剝離，製造電子零件。
(實施例2F)
將導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-250H-5)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例3F)
將導電性黏著劑層(東洋紡(股)公司製、商品名：DW-250H-23)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例4F)
將導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B)作為電磁波阻擋層，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例5F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備聚苯胺分散液(REGULUS公司製、商品名：PANI-PD、厚度20μm)作為用於吸收層之導電吸收層，除此以外與實 施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例6F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備多層奈米碳管分散液(保土谷化學公司製、商品名：NT-7K、厚度20μm)作為用於吸收層之介電吸收層，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例7F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備PEDOT/PSS作為用於吸收層之導電吸收層(中京油脂公司製、商品名：S-941、厚度20μm)，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例8F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備聚苯胺分散液用於作為反射層之導電性黏著劑層(東洋紡公司製、商品名：DW260-H1、厚度10μm)、與作為吸收層之導電吸收層(REGULUS公司製、商品名：PANI-PD、厚度10μm)，並將此等依反射層、吸收層之順序塗覆成膜，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例9F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B、厚度10μm)、與用於作為吸收層之介電吸收層(PEDOT/PSS(中京油脂(股)公司製、商品名：S-941、厚度10μm)，並將此等以反射層、吸收層之順序塗覆成，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例10F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(東洋紡公司製、商品名：DW260-H1、厚度10μm)、與準備用於作為吸收層之導電吸收層的聚苯胺分散液(REGULUS公司製、商品名：PANI-PD、厚度 10μm)，並將此等以吸收層、反射層之順序塗覆成膜，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
(實施例11F)
就構成阻擋層之樹脂而言，準備用於作為反射層之導電性黏著劑層(大研化學工業(股)公司製、商品名：CA-2503-4B、厚度10μm)、與用於作為吸收層之介電吸收層(PEDOT/PSS(中京油脂公司製、商品名：S-941、厚度10μm)，並將此等以吸收層、反射層之順序塗覆成膜，除此以外與實施例1F同樣地製造電磁波遮蔽用膜片與電子零件。
<評價試驗>
針對實施例1F~11F製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件，也與針對實施例1D~26D、及比較例1D、2D製作之電磁波遮蔽用膜片、或電子零件所實施者同樣進行，實施形狀追隨性、離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性之評價。
以上之各實施例、比較例之評價結果如表6所示。
由表6可明白：如實施例1F~11F所示，藉由不僅將基材層於150℃之貯藏彈性係數設定為適當範圍內，也將電磁波阻擋層於150℃之貯藏彈性係數設定為適當範圍內，會顯示良好的形狀追隨性。再者，可獲得關於離型性、耐折疊性、基材層之第2層滲出性、耐熱性、電磁波遮蔽之裁切．衝壓作業性，也均衡性良好，為優良者。
【產業利用性】
本發明之電磁波遮蔽用膜片，能提高基板之設計自由度，且可達到輕量化．薄型化，係對於500μm以上之凸部61有良好之形狀追隨性的電磁波遮蔽用膜片。

Claims (17)

  1. 一種電磁波遮蔽用膜片，係用於被覆基板上之凸部，其特徵為：含有基材層、及疊層於該基材層之一面側之電磁波阻擋層而構成，該基材層，係能夠從該電磁波阻擋層剝離，係以至少2層疊層而得之疊層體構成，該電磁波阻擋層，係對應於該凸部之形狀而變形，且以覆蓋該凸部的方式形成於該基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層，係第1層、第2層、與第3層從另一面側起以此順序疊層而成為3層構成之疊層體。
  3. 如申請專利範圍第2項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層於25~150℃之平均線膨脹係數為40~1000[ppm/℃]。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層之厚度T(A)為5μm以上、100μm以下。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第3層於25~150℃之平均線膨脹係數為40~1000[ppm/℃]。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第3層之厚度T(B)為5μm以上、100μm以下。
  7. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第2層於25~150℃之平均線膨脹係數為400以上[ppm/℃]。
  8. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第2層之厚度T(C)為10μm以上、100μm以下。
  9. 如申請專利範圍第2或3項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該第1層之厚度T(A)、該第3層之厚度T(B)、與該第2層之厚度T(C)，滿足下列關係式(I)：0.05<T(C)/(T(A)+T(B))<10‧‧‧(I)。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該電磁波阻擋層，係由反射層與吸收層構成，且係將此等層從該基材層之該其中一面側起以此順序疊層而得之疊層體。
  11. 如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層係第1層與第2層從另一面側起以此順序疊層而成為2層構成之疊層體。
  12. 如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該基材層係緩衝層與離型層從另一面側起以此順序疊層而成為2層構成之疊層體。
  13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波遮蔽用膜片，其中，將該電磁波遮蔽用膜片以溫度150℃、壓力2MPa、時間5分鐘之條件熱壓接於該基板上之該凸部時之形狀追隨性為500μm以上、3,000μm以下。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之電磁波遮蔽用膜片，更包含疊層於該基材層與該電磁波阻擋層之間的絕緣層。
  15. 如申請專利範圍第14項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該絕緣層係以具有熱塑性之絕緣樹脂構成。
  16. 如申請專利範圍第14項之電磁波遮蔽用膜片，其中，該絕緣層之厚度T(D)為3μm以上、50μm以下。
  17. 一種電子零件之被覆方法，其特徵為包含以下步驟：貼附步驟，將如申請專利範圍第1至16項中任一項之電磁波遮蔽用膜片貼附於該基板上之該凸部，使得該電磁波阻擋層與電子零件黏著；剝離步驟，於該貼附步驟之後，將該基材層從該電磁波阻擋層剝離。
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