JP2016006808A - 電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。
【解決手段】基材層と、該基材層に積層された、電磁波遮断層とを含んで構成され、前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電磁波シールド用フィルムである。前記導電性高分子は、ポリアニリンであることが好ましく、前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることが好ましい。
【選択図】図２

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。

さらに、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しており、電磁波シールド用フィルムは、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域のものまで効果的に遮断し得ることが求められている。

特開２００６−１５６９４６公報

本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）基材層と、該基材層に積層された、電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
（２）前記導電性高分子は、ポリアニリンである（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（３）前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉である、（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（４）前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が５ｄＢ以上である（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
（５）前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が２５ｄＢ以上である（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
（６）前記電磁波遮断層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下である（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
（７）前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
（８）当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる（１）ないし（７）のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
（９）基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電子部品搭載基板。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、基材層と、導電性高分子と金属粉を主材料として含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。

本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基材層と、該基材層に積層された、導電性高分子と金属粉を主材料として含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることを特徴する。

このような電磁波シールド用フィルムによれば、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図る
ことができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断す
ることができる。
＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

なお、本実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルムを、基板５上の凹凸６を被覆するために用いる場合を、一例に説明する。

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とを含んで構成され、絶縁層２および電磁波遮断層３は、基材層１の下面（一方の面）側から、絶縁層２が基材層１に接触して、この順で積層されている。

また、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板(ＦＰＣ)上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

＜基材層１＞
まず、基材層１について説明する。

基材層１は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込み（埋め込み）、これら絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能するものである。また、剥離工程において、凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これらから剥離するものである。

また、この基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０５〜２．０Ｅ＋０８Ｐａであるのが好ましく、１．０Ｅ＋０６〜１．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６〜６．０Ｅ＋０７Ｐａであるのがさらに好ましい。前記貯蔵弾性率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が５００μｍ以上、好ましくは１．０〜３．０ｍｍのもののように段差が大きいものであったり、前記凹凸６における凸部６１同士の離間距離（ピッチ）が２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ〜１５０μｍのもののように離間距離が小さいものであったとしても、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。

また、基材層１は、２５℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０７〜１．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０８〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、基材層１を、電磁波シールド用フィルム１００の加熱前には液状ではなく固形状をなし、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時には半固形状（ゲル状）をなすものとすることができる。そのため、基材層１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、基材層１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時には、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１および第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム１００の加熱後においても、その２５℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、絶縁層２から基材層１を容易に剥離させることができる。

さらに、基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡ［Ｐａ］とし、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢ［Ｐａ］としたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層１は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいものと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもってより確実に押し込むことができる。

このように、絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層１の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層３をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃および１５０℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

本実施形態では、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されたものであり、上述したように、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して押し込むことができるように、これら各層１１〜１３の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる。

以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。

第１の層１１は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。

この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第１の層１１に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第１の層１１は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第１の層１１の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するおそれがある。

また、第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第１の層１１の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するものとなるため、電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置（セイコーインスツルメント社製、「ＴＭＡＳＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分で測定し、２５℃〜１５０℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。

第３の層１２は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対する絶縁層２および電磁波遮断層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、基材層１に剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性の機能を有し、かつ、絶縁層２側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。

この第３の層（第２離型層）１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第３の層１２の絶縁層２との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第３の層１２における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１２の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１２の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第３の層１２は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１２と、前記第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。

第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第３の層１２の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層および絶縁層が変形するおそれがある。また、第３の層１２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。

なお、第３の層１２と、第１の層１１の厚みは、同じであっても異なっていても構わない。

また、第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第３の層１２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第３の層１２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第３の層１２、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

さらに、第３の層１２の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１２を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第３の層１２と絶縁層２との界面において、基材層１を確実に剥離させることができる。

第２の層１３は、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層１２を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層１３は、この押し込む力を、第３の層１２、さらには、この第３の層１２を介して絶縁層２および電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。

この第２の層（クッション層）１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１３に、第３の層１２を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。

第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層１３の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１３の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層１３からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。

また、第２の層１３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第２の層１３を、第３の層１２と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層１１〜１３の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を２．０Ｅ＋０５〜２．０Ｅ＋０８Ｐａの範囲内に容易に設定することができる。

また、第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とは、例えば、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０、
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４、
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである、
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、前記関係式を満たすことにより、形状追従性がより向上する。

基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７０μｍ以上、１６０μｍ以下である。基材層１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、基材層１の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するというおそれがある。
＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。

絶縁層２は、本実施形態では、基材層１（第３の層１２）に接触して設けられ、基材層１側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で積層されている。このように積層された絶縁層２および電磁波遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に電磁波遮断層３が接触し、基板５側から電磁波遮断層３、絶縁層２の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、電磁波遮断層３を介して被覆し、これにより、基板５、電子部品４および電磁波遮断層３を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する他の部材（電子部品等）から絶縁する。

この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、２０μｍ以下である。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。

また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、この絶縁層２は、図１、２で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。
＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。

電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮するには、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。

そこで、本発明者は、電磁波を遮断する電磁波遮断層として知られる導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層に着目し、かかる電磁波遮断層について、鋭意検討した結果、導電性高分子と金属粉を併用することで、反射層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することなく、吸収層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することがわかってきた。

すなわち、電磁波遮断層が、導電性高分子と金属粉を含むことで、吸収層としての機能を的確に発揮させることができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波を効果的に遮断し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

次に導電性高分子について説明する。

本発明の導電性高分子は、特に限定されず、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ／ｐｏｌｙ−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリンであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができるようになる。

また、導電性高分子として、ポリアニリンを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上、５．０μｍ以下であるのがより好ましい。

ポリアニリンの粒子径を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができるとともに、形成される電磁波遮断層３をより均一な膜厚を有するものとすることができる。

また、電磁波遮断層３における導電性高分子の含有量は、５ｗｔ％以上、５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、８ｗｔ％以上、４０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。

次に金属粉について説明する。

本発明の金属粉は、特に限定されず、例えば、金、銀、銀コート銅、銅、ニッケル等であり、中でも銀、銀コート銅が導電性の点から好ましい。

金属粉の形状は、特に限定されず、例えば、球状、針状、樹枝状、鱗片状、フレーク状などが挙げられる。中でも、鱗片状を用いると、粒子同士が接触しやすくなり、導電性が向上するため好ましい。

鱗片状の形状とは、平板な形状であればよく、特に平面形状は限定されない。種々の形状の粒子を押しつぶしたり、叩き潰したりして形成した鱗片状金属粉が、コストや生産性の面で好適に用いられる。

鱗片状金属粉の大きさは、平均厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、かつ、平均粒径が１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲内であると分散性と配向性が良好であり電磁波シールド性が保たれるため好ましい。

なお、金属粉の平均粒径や平均厚さは、レーザー回折散乱法により測定することができる。

電磁波遮断層３における金属粉の含有量は、４０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４５ｗｔ％以上、７５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性が保たれるため好ましい。

上記のような、導電性高分子と、金属粉を併用することで、これらのいずれか一方を単独使用した場合と比較して、高周波帯域の電磁波を遮蔽する効果が格段に向上することが認められる。これは、金属粉粒子間の隙間を導電性高分子が埋めることによって、抵抗値が下がり、電磁波を遮蔽する効果が向上すると考えられる。

電磁波遮断層３は、前述した導電性高分子と金属粉以外の樹脂を用いてもよい。すなわち、導電性高分子を製膜することで、金属粉以外の成分を含有することなく、フィルム化してもよいが、バインダー樹脂を使用して、製膜化してもよい。

バインダー樹脂としては特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を使用することができる。電磁波遮断層３の耐熱性と柔軟性を両立できるポリエステル樹脂を使用することが好ましい。

上記ポリエステル樹脂としては、市販のポリエステル樹脂が利用できる。好ましくは、熱可塑性飽和型共重合ポリエステル樹脂を用いるとよい。その中でも、平均分子量が２０００〜４００００の範囲に有るものが好ましく使用できる。

電磁波遮断層３の厚みＴは、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、３μｍ以上、５０μｍ以下である。電磁波遮断層３の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層３の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層３の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層３は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が５ｄＢ以上であるのが好ましく、６ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、主として電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）を表す値として測定される。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層３であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われ、電磁波シールド性（吸収性）は、下記式（１）および下記式（２）を用いることにより求めることができる。

ロス率（Ｐ（ｌｏｓｓ）／Ｐ（ｉｎ））＝１−（Ｓ１１２＋Ｓ２１２）／１ （１）
電磁波シールド性（伝送減衰率） ＝ −１０・ｌｏｇ［１０＾（Ｓ２１／１０）／｛１−１０＾（Ｓ１１／１０）｝］（２）
さらに、電磁波遮断層３は、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて測定した周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が２５ｄＢ以上であるのが好ましく、３５ｄＢ以上であるのがより好ましく、４０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＫＥＣ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射能）とが加算された値として測定される。したがって、ＭＳＬ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性）が前記範囲内であり、かつ、ＫＥＣ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が前記範囲内であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射性と電磁波を吸収する吸収性との双方を合算した状態で求められる。

また、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

さらに、電磁波シールド用フィルム１００は、基板５上に電子部品４を搭載することで形成された凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上であることが好ましく、８００μｍ以上であることがより好ましく、さらに好ましくは１０００μｍ以上である。すなわち、凸部６１の上面と凹部６２の上面との高さの差である凹凸６の高さが５００μｍ以上のものを電磁波シールド用フィルム１００で被覆できるのが好ましく、８００μｍ以上のものを被覆できるのがより好ましく、１０００μｍ以上のものを被覆できるのがさらに好ましい。このように高さが高い（段差が大きい）凹凸６であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム１００を、優れた形状追従性を有するものと言うことができ、絶縁層２および電磁波遮断層３により、凹凸６に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。

なお、前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。

すなわち、まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成するとにより、プリント配線基板を得る。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間の条件で、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールド用フィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた遮断層および絶縁層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察することにより評価される。

＜電子部品の被覆方法＞
次に、電子部品の被覆方法について説明する。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有する。

図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。

（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。

貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。

真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法であり、まず、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。

この際、基材層１が上述したような構成のものであることから、基材層１は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する。

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層１が凹凸６の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２および電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して変形する。これにより、凹凸６の形状に対応して絶縁層２および電磁波遮断層３が押し込まれた状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１００℃以上、２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは１２０℃以上、１８０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ＭＰａ以上、３．０ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１分以上、３０分以下であることが好ましく、より好ましくは５分以上、１５分以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これら絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。
（剥離工程）
前記剥離工程とは、例えば、図２（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程である。

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００における基材層１と絶縁層２との界面において、剥離が生じ、その結果、絶縁層２から基材層１が剥離される。これにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の被覆では、図２に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。すなわち、絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

また、基材層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形（上記の貼付工程）後の電磁波シールド用フィルム１００が高温の状態では、基材層１が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を絶縁層２から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、絶縁層２から基材層１が剥離される。

剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１００℃以下である。

以上のような工程を経ることにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。

なお、本実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、基材層１（第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２）、絶縁層２、電磁波遮断層３がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層２および電磁波遮断層３で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第２〜第５実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム１００であってもよい。

＜第２実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態について説明する。

図３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図３に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図３に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１の形成が省略されていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。

この場合、前記押圧部の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態について説明する。

図４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図４に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その
説明を省略する。

図４に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、絶縁層２の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層２から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する絶縁層２としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態について説明する。

図５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図５に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図５に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１と第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１の第２の層１３を構成する樹脂としてポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態について説明する。

図６は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図６に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図６に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略され、さらに、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、電磁波遮断層３の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する電磁波遮断層３としては、例えば、炭素同素体や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させたもの等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第６実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第６実施形態について説明する。

図７は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図７に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図７に示す電磁波シールド用フィルム１００では、絶縁層２および電磁波遮断層３の積
層順が逆転していること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層３および絶縁層２を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する電磁波遮断層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、例えば、電磁波遮断層３が導電性材料を含む構成のものであったとしても、隣接する電子部品４同士を絶縁層２により確実に絶縁することができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

また、前記実施形態では、絶縁層２は、電磁波遮断層３の上面または下面の何れか一方に１つの層が積層される場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、電磁波遮断層３の上面および下面の双方に１層ずつ別層として積層されていてもよいし、その形成を省略するようにしてもよい。

さらに、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。

＜第７実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態について説明する。

図８は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図６に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図８に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１と第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図６に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３および絶縁層２を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１の第２の層１３を構成する樹脂としてポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられる。
このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

前記、第１実施形態〜第７実施形態では、貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程を有していたが、剥離することなく、基材層１を部品の保護層として使用し、剥離せず用いてもよい。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明した
が、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第１〜第６実施形態の任意の構
成を組み合わせることもできる。

また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様
の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（実施例１）
＜ワニスの調整＞
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン２０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調整した。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
ポリエチレンテレフタレートフィルム（パナック（株）社製、厚み１２５μｍ）に前記ワニスをコンマコーターで塗工し、６０℃で乾燥させ、電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

このとき、電磁波シールド層は２０μｍとなった。

＜電磁波シールド性＞
実施例１で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン（ユニチカ（株）社製、商品名：アローベースＴＣ−４０１０）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調整したワニスを準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性ワニスを、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを、この順で基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１６０μｍであり、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、絶縁層の厚みは２０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

（実施例２）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）５０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）４０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例３）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２５質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）５質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）７０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例４）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）４０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）５０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例５）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）１０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）８０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例６）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）１０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）８０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例７）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）５質量部、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製 S-941）５質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）７０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例８）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、凝集状銀粉（三井金属社製、ST-M 平均粒子径１．１μｍ）７０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例９）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）１０質量部、銀コート銅粉（福田金属箔粉工業社製、FCC-2000 １０％コート 平均粒子径１０μｍ）７０質量部とし、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（比較例１）
ポリアニリンを用いず、飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）３０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF 平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン６０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（比較例２）
銀粉を用いず、飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製 PANT）８０質量部、をトルエン３０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調整した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

結果を表１に示す。

表１から明らかなように、実施例１〜９では、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。

これに対して、比較例では、実施例１〜９と比較すると、高周波帯域の電磁波が効果的に遮断されているとはいえない結果であった。

１００ 電磁波シールド用フィルム
１ 基材層
１１ 第１の層
１２ 第３の層
１３ 第２の層
２ 絶縁層
３ 電磁波遮断層
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６１ 凸部
６２ 凹部

Claims (9)

1. 基材層と、該基材層に積層された、電磁波遮断層とを含んで構成され、
   前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
2. 前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
3. 前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉である、請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
4. 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が５ｄＢ以上である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
5. 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が２５ｄＢ以上である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
6. 前記電磁波遮断層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
7. 前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
8. 当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
9. 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
   前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電子部品搭載基板。

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