JP6481612B2 - 電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板 - Google Patents

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関する。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するフィルムが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。

さらに、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しており、電磁波シールド用フィルムは、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断し得ることが求められている。

特開２００６−１５６９４６公報

本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１） 基材層と、該基材層に積層された電磁波遮断層とを含む電磁波シールド用フィルムであって、
前記電磁波遮断層は、ポリアニリンおよびポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のうちの一方である第１の材料で構成される第１の層と、ポリアニリンおよびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのうちの他方である第２の材料で構成される第２の層とがこの順で前記基材層側から交互に積層された積層体で構成され、その表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であり、
電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下であることを特徴する電磁波シールド用フィルム。
（２） 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（３） 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が１０ｄＢ以上である上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（４） 前記電磁波遮断層は、周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が３０以上である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（５） 前記電磁波遮断層の誘電正接（ｔａｎδ）の値は、２以上、１００以下である上記（４）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（６） 前記電磁波遮断層の複素誘電率（ε）は、空洞共振器法を用いて測定される上記（４）または（５）に記載の電磁波シールド用フィルム。
（７） 前記第１の層の厚みは、１μｍ以上、３０μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（８） 前記第２の層の厚みは、１μｍ以上、３０μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（９） 前記電磁波遮断層の厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（１０） 前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（１１） 当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。
（１２） 基板と、
該基板上に搭載された電子部品と、
上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルムを用いて形成され、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有することを特徴する電子部品搭載基板。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、基材層と、導電性材料および磁性吸収材料のうちの少なくとも１種を含む材料で構成された電磁波遮断層とを含み、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下である。これにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。
さらに、本発明の電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である。
この電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品を被覆した際に、電磁波シールド用フィルムが、光を吸収、遮断することにより、電磁波遮断層で被覆している内部すなわち電子部品を見えなくすることができる。これにより、例えば、電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品の秘匿性を担保することができる。

図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。 図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。 図３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。 図４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。 図５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図である。 図６は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。 図７は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。 図８は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図である。 図９は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。 図１０は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。 図１１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１２実施形態を示す縦断面図である。 図１２は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１３実施形態を示す縦断面図である。 図１３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１４実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基材層と、該基材層に積層された電磁波遮断層とを含み、電磁波遮断層は、導電性材料および磁性吸収材料のうちの少なくとも１種を含む材料で構成され、その表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下である。

このような電磁波シールド用フィルムによれば、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。
さらに、本発明の電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である。
この電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品を被覆した際に、電磁波シールド用フィルムが、光を吸収、遮断することにより、電磁波遮断層で被覆している内部すなわち電子部品を見えなくすることができる。これにより、例えば、電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品の秘匿性を担保することができる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

なお、本実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルムを、基板５上の凹凸６を被覆するために用いる場合を、一例に説明する。

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とで構成されている。かかる電磁波シールド用フィルム１００は、絶縁層２および電磁波遮断層３が、基材層１の下面（一方の面）側から、絶縁層２が基材層１に接触して、この順で積層されている。

また、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）されることにより形成される凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆する場合について説明する。なお、この凹凸６は、電子部品４の搭載により基板５上に形成される凸部６１と凹部６２とからなる。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板(ＦＰＣ)上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

＜基材層１＞
まず、基材層１について説明する。

基材層１は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際、凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む（埋め込む）ことが行われるが、これら絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する。また、剥離工程において、凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これらから剥離する。

また、この基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０５〜２．０Ｅ＋０８Ｐａであるのが好ましく、１．０Ｅ＋０６〜１．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６〜６．０Ｅ＋０７Ｐａであるのがさらに好ましい。
上述したように、基材層１は、絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する。この基材層１の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層３をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
さらに、前記貯蔵弾性率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６の段差（凸部の高さ）が５００μｍ以上、特に、１．０〜３．０ｍｍとなるように段差が大きい場合や、前記凹凸６における隣接する凸部６１同士の離間距離（ピッチ）が２００μｍ以下、特に、１００μｍ〜１５０μｍとなるように離間距離が小さい場合であったとしても、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。

また、基材層１は、２５℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０７〜１．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０８〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱前には、基材層１を液状ではなく固形状とし、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時には、基材層１を半固形状（ゲル状）とすることができる。そのため、基材層１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、基材層１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができる。また、規定のサイズにカットする際の作業性が向上する。さらに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時には、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１および第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム１００の加熱後においても、その２５℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、絶縁層２から基材層１を容易に剥離させることができる。

さらに、基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡ［Ｐａ］とし、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢ［Ｐａ］としたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層１は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１により確実に押し込むことができる。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃および１５０℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

本実施形態では、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている。上述したように、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して押し込むことができるように、これら各層１１〜１３の種類、および厚み等が適宜組み合わされる。

以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。
第１の層１１は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性を付与する機能を有する。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播する。

この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するシンジオタクチックポリスチレンを用いることにより、ポリスチレンは、結晶性を備えるため、これに起因して、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を向上させることができる。

第１の層１１に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以上、９０重量％以下であることがさらに好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第１の層１１は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。第１の層１１の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するおそれがある。

また、第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第１の層１１の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するため、電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置（セイコーインスツルメント社製、「ＴＭＡＳＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分で測定し、２５℃〜１５０℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１は優れた離型性を備えると言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。

第３の層１２は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対する絶縁層２および電磁波遮断層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、基材層１に剥離性を付与する機能を有する。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性の機能を有し、かつ、絶縁層２側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つ。

この第３の層（第２離型層）１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するシンジオタクチックポリスチレンを用いることにより、ポリスチレンは、結晶性を備えるため、これに起因して、第３の層１２の絶縁層２との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を向上させることができる。

第３の層１２における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以上、９０重量％以下であることがさらに好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１２の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１２の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第３の層１２は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１２と、前記第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。

第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以上、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。第３の層１２の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層および絶縁層が変形するおそれがある。また、第３の層１２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。

なお、第３の層１２と、第１の層１１の厚みは、同じであっても異なっていても構わない。

また、第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第３の層１２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第３の層１２は、優れた伸縮性を有するため、第３の層１２、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

さらに、第３の層１２の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１２は優れた離型性を備えると言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第３の層１２と絶縁層２との界面において、基材層１を確実に剥離させることができる。

第２の層１３は、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層１２を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有する。また、第２の層１３は、この押し込む力を、第３の層１２、さらには、この第３の層１２を介して絶縁層２および電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。

この第２の層（クッション層）１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１３に、第３の層１２を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。

第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。第２の層１３の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するおそれがある。また、第２の層１３の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層１３からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するおそれがある。

また、第２の層１３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第２の層１３を、第３の層１２と比較してより優れた伸縮性を有する層に容易にすることができる。そのため、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層１１〜１３の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を２．０Ｅ＋０５〜２．０Ｅ＋０８Ｐａの範囲内に容易に設定することができる。

また、第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）としたとき、Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））の値は、特に限定されないが、例えば、次の条件を満たすことが好ましい。すなわち、Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））の値は、０．０５よりも大きく、１０よりも小さいのが好ましく、０．１４よりも大きく、４よりも小さいのがより好ましく、０．３よりも大きく、１．５よりも小さいのがさらに好ましい。

Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））の値が、上記範囲内であれば、形状追従性がより向上する。

基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以上、１６０μｍ以下であることがさらに好ましい。基材層１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、基材層１の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するというおそれがある。

＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。

絶縁層２は、本実施形態では、基材層１（第３の層１２）に接触して設けられ、基材層１側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で積層されている。このように積層された絶縁層２および電磁波遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に電磁波遮断層３が接触し、基板５側から電磁波遮断層３、絶縁層２の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、電磁波遮断層３を介して被覆し、これにより、基板５、電子部品４および電磁波遮断層３を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する他の部材（電子部品等）から絶縁する。

この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２の屈曲性がより向上する。これにより、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。

また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、絶縁層２の伸縮性をより向上させることができる。これにより、絶縁層２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、この絶縁層２は、図１、２で示したように、１層で構成されていてもよいし、上述した絶縁フィルムのうち異なる種類のフィルム同士を積層させた２層以上の積層体であってもよい。

＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。

電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮する電磁波遮断層としては、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。

反射層では、入射した電磁波を反射するため、反射された電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼす。これに対して、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層と吸収層とが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有している場合には、反射層における上述した悪影響を確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。

そこで、本発明者は、電磁波を遮断する電磁波遮断層として知られる導電性材料または磁性吸収材料を含有する電磁波遮断層に着目し、かかる電磁波遮断層について、鋭意検討した結果、導電性材料または磁性吸収材料を含有する電磁波遮断層の表面抵抗値が、電磁波遮断層が電磁波を遮断するメカニズムに関与するパラメーターであることが判ってきた。

すなわち、電磁波遮断層の表面抵抗値が、電磁波を反射することにより遮断する反射層としての機能を電磁波遮断層が優位に発揮するか、または、電磁波を吸収することにより遮断する吸収層としての機能を電磁波遮断層が優位に発揮するかを左右するパラメーターであることが判ってきた。そして、本発明者は、この電磁波遮断層の表面抵抗値についてさらに検討を行った結果、電磁波遮断層の表面抵抗値を低くし過ぎる（例えば、１×１０^−３Ω／□未満）と、電磁波遮断層が反射層としての機能を際立てて発揮することを見出した。これに対して、かかる表面抵抗値を適切な範囲、具体的には電磁波遮断層の表面抵抗値を１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下に設定することにより、反射層としての機能を減衰させて、吸収層としての機能を的確に発揮させることができることを見出した。さらに、この場合、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波を効果的に遮断し得ることを見出した。

なお、電磁波遮断層３の表面抵抗値は、１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であればよいが、１０Ω／□以上、５×１０^５Ω／□以下であるのが好ましく、１５０Ω／□以上、１×１０^４Ω／□以下であるのがより好ましい。これにより、より高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができる。

電磁波遮断層３を構成する導電性材料および磁性吸収材料は、特に限定されないが、導電性材料としては、導電性高分子、炭素同素体、銀等の金属材料等が挙げられ、磁性吸収材料としては、軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。
なお、導電性高分子としては、特に限定されず、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ／ｐｏｌｙ−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳまたはポリアニリンであるのが好ましい。これらによれば、その表面抵抗値を前記範囲内に設定した際に、たとえ電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができる。

なお、導電性高分子として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、８０ｎｍ以下であるのがより好ましい。

また、導電性高分子として、ポリアニリンを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上、５．０μｍ以下であるのがより好ましい。

ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳおよびポリアニリンの粒子径を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができるとともに、形成される電磁波遮断層３をより均一な膜厚を持たせることができる。

なお、導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層３は、導電性高分子で構成される単独層であってもよいが、導電性高分子の他にその他の材料を含有する混合層であってもよい。また、その他の材料としては、特に限定されないが、例えば、増感剤、ｍ−クレゾール、エチレングリコール等が挙げられる。

また、電磁波遮断層３を混合層とした際に、電磁波遮断層３における導電性高分子の含有量は、５０ｗｔ％以上、１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、８０ｗｔ％以上、１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。

また、炭素同素体としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、カーボンナノチューブ（特に、多層カーボンナノチューブ）であるのが好ましい。

なお、電磁波遮断層３の構成材料として、炭素同素体を用いる場合、電磁波遮断層３は、炭素同素体で構成される単独層であってもよいが、炭素同素体と樹脂材料とで構成される混合層であるのが好ましい。これにより、電磁波遮断層３の形状安定性を向上させることができる。

このような樹脂材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。さらに、電磁波遮断層３を混合層とした際に、電磁波遮断層３における炭素同素体の含有量は、５ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。

さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。

電磁波遮断層３の厚みＴは、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以上、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。電磁波遮断層３の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層３の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層３の厚みＴの薄膜化を実現することができる。結果として、基板５上に絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層３は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が３ｄＢ以上であるのが好ましく、５ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。さらに、周波数２〜３ＧＨｚにおける、電磁波シールド性が５ｄＢ以上であるのが好ましく、１０ｄＢ以上であるのがより好ましく、２０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、主として電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）を表す値として測定される。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層３であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ_１１と透過成分Ｓ_２１を測定することにより行われ、電磁波シールド性（吸収性）は、下記式（１）および下記式（２）を用いることにより求めることができる。

ロス率（Ｐ（ｌｏｓｓ）／Ｐ（ｉｎ））＝１−（Ｓ_１１ ^２＋Ｓ_２１ ^２）／１ （１）
電磁波シールド性（伝送減衰率） ＝
−１０・ｌｏｇ［１０＾（Ｓ_２１／１０）／｛１−１０＾（Ｓ_１１／１０）｝］（２）

さらに、電磁波遮断層３は、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて測定した周波数０．２〜１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が１０ｄＢ以上であるのが好ましく、１５ｄＢ以上であるのがより好ましく、２０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＫＥＣ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射能）とが加算された値として測定される。したがって、ＭＳＬ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性）が前記範囲内であり、かつ、ＫＥＣ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が前記範囲内であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界とに分けて評価する方法である。この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定される。すなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射性と電磁波を吸収する吸収性との双方を合算した状態で求められる。

また、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

また、本発明の電磁波シールド用フィルム１００は、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である。
この電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上に搭載された電子部品４を被覆した際に、電磁波シールド用フィルム１００が、光を吸収、遮断することにより、電磁波遮断層３で被覆している内部すなわち電子部品４を見えなくすることができる。これにより、例えば、電磁波遮断層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性を担保することができる。
なお、電磁波シールド用フィルム１００の波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率は、０．０１％以上、３０％以下であるが、０．０１％以上、１０％以下であることがより好ましい。これにより、電磁波遮断層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性をより確実に担保することができる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。

さらに、電磁波シールド用フィルム１００は、基板５上に電子部品４を搭載することで形成された凹凸６に対して、温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上であることが好ましく、８００μｍ以上であることがより好ましく、１０００μｍ以上であることがさらに好ましい。すなわち、凸部６１の上面と凹部６２の上面との高さの差である凹凸６の高さが５００μｍ以上の凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆できるのが好ましく、８００μｍ以上の凹凸６を被覆できるのがより好ましく、１０００μｍ以上の凹凸６を被覆できるのがさらに好ましい。このように高さが高い（段差が大きい）凹凸６であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム１００を、優れた形状追従性を有すると言うことができ、絶縁層２および電磁波遮断層３により、凹凸６に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。

なお、前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。
すなわち、まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ（厚み）２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成することにより、プリント配線基板を得る。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間の条件で、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールド用フィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた遮断層および絶縁層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察することにより評価される。

＜電子部品の被覆方法＞
次に、電子部品の被覆方法について説明する。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品とが接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有する。

図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。
（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。
貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。

真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法である。かかる方法では、まず、真空雰囲気下として得る閉空間内に、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットする。その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。

この際、基材層１が上述したような構成であることから、基材層１は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する。

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層１が凹凸６の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２および電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して変形する。これにより、凹凸６の形状に対応して絶縁層２および電磁波遮断層３が基板５側に押し込まれた状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１００℃以上、２００℃以下であることが好ましく、１２０℃以上、１８０℃以下であることがより好ましい。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、１．０ＭＰａ以上、３．０ＭＰａ以下であることがより好ましい。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１分以上、３０分以下であることが好ましく、５分以上、１５分以下であることがより好ましい。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これら絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。

（剥離工程）
前記剥離工程とは、例えば、図２（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程である。

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００における基材層１と絶縁層２との界面において、剥離が生じ、その結果、絶縁層２から基材層１が剥離される。これにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の被覆では、図２に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。すなわち、絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

また、基材層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形（上記の貼付工程）後の電磁波シールド用フィルム１００が高温の状態では、基材層１が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を絶縁層２から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へ、さらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、絶縁層２から基材層１が剥離される。

剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらに好ましい。

以上のような工程を経ることにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。

なお、本実施形態では、図１に示したように、上面側から、基材層１（第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２）、絶縁層２、電磁波遮断層３がこの順で積層された電磁波シールド用フィルム１００を用いて、絶縁層２および電磁波遮断層３で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。電磁波シールド用フィルム１００の層構成としては、例えば、後述するような第４〜第７実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム１００であってもよい。

＜第２実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態について説明する。
なお、本実施形態では、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００は、電磁波遮断層３の周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が、３０以上であること以外は、前述した第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

本発明者の検討により、電磁波遮断層における複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が、吸収層に入射した電磁波の吸収に対して相関性を示すパラメーターであることが判ってきた。そして、本発明者は、この複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）についてさらに検討を行った結果、電磁波遮断層３の周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）を３０以上に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波をより効果的に遮断し得ることを見出した。

なお、本実施形態において、虚数部（ε”）は、３０以上であればよいが、１００以上、５００００以下であるのが好ましく、２００以上、４００００以下であるのがより好ましい。これにより、より高周波帯域の電磁波であっても、より効果的に遮断することができる。

また、電磁波遮断層３の複素誘電率（ε）は、その誘電正接（ｔａｎδ）が２以上、１００以下であるのが好ましく、５以上、３０以下であるのがより好ましい。これにより、高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができる。換言すれば、ｔａｎδの値が前記範囲内となっている電磁波遮断層３は、高周波帯域の電磁波であってもより確実に吸収する吸収層であると言うことができる。

なお、電磁波遮断層の複素誘電率（ε）は、例えば、ＪＩＳ Ｃ２５２６に準拠して、空洞共振器法を用いて求めることができる。空洞共振器法によれば、優れた精度でかつ短時間に電磁波遮断層の複素誘電率（ε）を測定することができる。

本実施形態では、電磁波遮断層３の構成材料が、前述した第１実施形態の電磁波遮断層３の構成材料として挙げた材料のうち、周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が３０以上となる材料であれば、如何なる材料であってもよい。特に、電磁波遮断層３の構成材料は、導電性高分子および炭素同素体のうちの少なくとも１種であるのが好ましい。かかる構成材料で電磁波遮断層３を構成することにより、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた吸収性を発揮する。これにより、電磁波遮断層３の周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）の値を前記範囲内に設定することができる。また、その層中に含まれる材料の粒子径を小さくしたり、その添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。

なお、導電性高分子としては、前述した第１実施形態における導電性高分子を用いることができるが、ポリアニリンまたはＰＥＤＯＴ/ＰＳＳであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３の周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）の値を前記範囲内により容易に設定することができる。

また、導電性高分子としてＰＥＤＯＴ/ＰＳＳを用いる場合、電磁波遮断層３の表面抵抗値は、１×１０^４Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であるのが好ましく、５×１０^４Ω／□以上、５×１０^５Ω／□以下であるのがより好ましい。これにより、前記虚数部（ε”）の値を前記範囲内にさらに容易に設定することができる。

なお、ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳを含有する電磁波遮断層３の表面抵抗値は、ＰＥＤＯＴおよびＰＳＳの重量平均分子量、ならびにＰＥＤＯＴとＰＳＳとの配合比率等を適宜設定することにより調整することができる。

さらに、導電性高分子としてポリアニリンを用いる場合、電磁波遮断層３中に含まれるポリアニリンとして、分子量が大きいポリアニリンを選択するのが好ましい。これにより、前記虚数部（ε”）の値を前記範囲内にさらに容易に設定することができる。

また、炭素同素体としては、前述した第１実施形態における炭素同素体を用いることができるが、カーボンナノチューブ（特に、多層カーボンナノチューブ）であるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３の周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）の値を前記範囲内により容易に設定することができる。

また、炭素同素体として多層カーボンナノチューブを用いる場合、多層カーボンナノチューブの比表面積は、２０ｍ^２／ｇ以上であるのが好ましく、２００ｍ^２／ｇ以上、３００ｍ^２／ｇ以下であるのがより好ましい。これにより、前記虚数部（ε”）の値を前記範囲内にさらに容易に設定することができる。

なお、電磁波遮断層３の構成材料として、炭素同素体を用いる場合、電磁波遮断層３は、炭素同素体で構成される単独層であってもよいが、炭素同素体と樹脂材料とで構成される混合層であるのが好ましい。これにより、電磁波遮断層３の形状安定性を向上させることができる。

このような樹脂材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。さらに、電磁波遮断層３を混合層とした際に、混合層における炭素同素体の含有量は、５ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。

さらに、磁性吸収材料としては、前述した第１実施形態における磁性吸収材料を用いることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第３実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態について説明する。
なお、本実施形態では、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００は、電磁波遮断層３の構成材料として、アスペクト比が１０以上、４０００以下であるカーボンナノチューブを含有している以外は、前述した第１および第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

本発明者は、吸収層としての機能を発揮する電磁波遮断層のうち、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含有する電磁波遮断層に着目し、かかる電磁波遮断層について、鋭意検討した。その結果、主材料であるカーボンナノチューブのアスペクト比（長さ／粒径）が、吸収層に入射した電磁波の吸収に対して相関性を示すパラメーターであることが判ってきた。そして、本発明者は、このカーボンナノチューブのアスペクト比についてさらに検討を行った結果、このアスペクト比を１０以上、４０００以下に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波をより効果的に遮断し得ることを見出した。

なお、本実施形態において、カーボンナノチューブのアスペクト比は、１０以上、４０００以下であればよいが、５０以上、１０００以下であるのが好ましく、１００以上、５００以下であるのがより好ましい。これにより、より高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができる。

このようなカーボンナノチューブの粒径は、その平均値（平均粒径）が１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下であるのがより好ましい。

また、カーボンナノチューブの長さは、その平均値（平均長さ）が０．１μｍ以上、１００μｍ以下であるのが好ましく、０．１μｍ以上、５０μｍ以下であるのがより好ましい。

カーボンナノチューブの粒径および長さを前記範囲内に設定することにより、カーボンナノチューブのアスペクト比を容易に前記範囲内に設定することができる。

カーボンナノチューブの比表面積は、その平均値（比表面積）が２０ｍ^２／ｇ以上であるのが好ましく、２００ｍ^２／ｇ以上、３００ｍ^２／ｇ以下であるのがより好ましい。これにより、高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができる。換言すれば、比表面積の値が前記範囲内となっているカーボンナノチューブを含有する電磁波遮断層３は、高周波帯域の電磁波であってもより確実に吸収する吸収層であると言うことができる。

このようなカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブのうちのいずれであってもよいが、多層カーボンナノチューブであるのが好ましい。電磁波遮断層３が、主として多層カーボンナノチューブで構成される場合、多層カーボンナノチューブのアスペクト比を前記範囲内に設定した際に、たとえ電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができる。

また、カーボンナノチューブを含有する電磁波遮断層３は、カーボンナノチューブで構成される単独層であってもよいが、カーボンナノチューブと樹脂材料とで構成される混合層であるのが好ましい。このような混合層で電磁波遮断層３を構成することにより、電磁波遮断層３の形状安定性を向上させることができる。

このような樹脂材料としては、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられるが、中でも、ポリウレタン樹脂であるのが好ましい。これにより、電磁波遮断層３の形状安定性を向上させつつ、電磁波遮断層３中にカーボンナノチューブを均一に分散させて、層中における電磁波遮断層３としての機能の均質化（均一化）を図ることができる。

また、電磁波遮断層３を混合層とした際に、混合層におけるカーボンナノチューブの含有量は、５ｗｔ％以上、３０ｗｔ％以下であるのが好ましく、１０ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、電磁波遮断層３としての機能を確実に発揮させつつ、電磁波遮断層３の形状安定性を向上させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１および第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１および第２実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第４実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態について説明する。

図３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図３に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図３に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１の形成が省略されていること以外は、前述した第１〜第３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えている。これにより、第１の層１１の形成が省略される。

この場合、前記押圧部の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態について説明する。

図４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図４に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図４に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略されていること以外は、前述した第１〜第３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えている。これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、絶縁層２の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層２から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する絶縁層２としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第４実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第４実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第６実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第６実施形態について説明する。

図５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図５に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図５に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略され、さらに、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、前述した第１〜第３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、電磁波遮断層３の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する電磁波遮断層３としては、例えば、炭素同素体や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させた混合材料等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第５実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第５実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第７実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態について説明する。

図６は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図６に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図６に示す電磁波シールド用フィルム１００では、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、前述した第１〜第３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層３および絶縁層２を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する電磁波遮断層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、例えば、電磁波遮断層３が導電性材料を含む構成であったとしても、隣接する電子部品４同士を絶縁層２により確実に絶縁することができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第６実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第６実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第８実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態について説明する。
図７は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、図７に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００は、電磁波遮断層３が、複数の層が積層された積層体で構成され、隣接する各層が異なる材料で構成されている以外は、前述した第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

本発明者の検討により、電磁波遮断層を構成する材料（導電性材料または磁性吸収材料）を１種ではなく、２種以上の複数種とすることで、反射層としての機能を電磁波遮断層が優位に発揮することなく、吸収層としての機能を電磁波遮断層が優位に発揮することが判ってきた。そして、本発明者は、複数種の前記材料を含有する電磁波遮断層についてさらに検討を行なった結果、この電磁波遮断層を、複数の層で構成される積層体とし、さらに、複数の層のうち隣接する各層が異なる前記材料を含有する構成とすることにより、反射層としての機能を減衰させて、吸収層としての機能を的確に発揮させることができることを見出した。さらに、この場合、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波をより効果的に遮断し得ることを見出した。

なお、本実施形態において、隣接する各層に含まれる材料が異なるとは、各層に含まれる材料の種類の数が異なる場合が、これに該当する。また、その他、各層に含まれる材料の種類の数が同一である際には、各層に含まれる複数の材料のうち１種でも異なる種類の材料が含まれている場合も該当する。

また、かかる構成の電磁波遮断層は、２層以上の積層体で構成され、積層体を構成する層のうち隣接する層同士が異なる材料を含有していればよい。本実施形態では、電磁波遮断層３が、第１の層３１と、第２の層３２と、第１の層３３との３層をなす積層体で構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている積層体を一例に説明する。

このような電磁波遮断層３の各層３１〜３３に含まれる材料としては、前述した第１実施形態の電磁波遮断層３を構成する各種材料（各種導電性材料または各種磁性吸収材料）を用いることができ、これらのうちの少なくとも２種以上が用いられ、これらを単独または組み合わせて用いることにより、隣接する各層３１〜３３に異なる材料を含ませることができる。

本実施形態では、第１の層３１と第１の層３３との組み合わせにおいて同一の材料で構成され、第１の層３１、３３と第２の層３２との組み合わせにおいて異なる材料で構成されている。これにより、隣接する各層３１〜３３に含まれる材料が異なるようになっている。

すなわち、第１の層３１、３３には、第１の材料が含まれ、第２の層３２には、第２の材料が含まれており、これにより、隣接する各層３１〜３３に含まれる材料が異なっている。

特に、本実施形態では、第１の材料を含有する第１の層３１、３３と、第２の材料を含有する第２の層３２とが交互に積層された３層をなす積層体となっている。換言すれば、第１の材料を含有する第１の層３１、３３で、第２の材料を含有する第２の層３２を挾持する構成の積層体となっている。かかる構成の積層体では、電磁波遮断層３に吸収層としての機能をより的確に発揮させることができる。特に、２．０〜３．０ＧＨｚの高周波帯域の電磁波を、電磁波の吸収によって、より効果的に遮断することができる。

また、かかる構成の電磁波遮断層（積層体）３において、第１の層３１、３３に含まれる第１の材料は、ポリアニリンおよびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのうちの一方であり、第２の層３２に含まれる第２の材料は、ポリアニリンおよびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのうちの他方であることが好ましい。このような材料（導電性高分子）の組み合わせとすることにより、電磁波遮断層３に吸収層としての機能をより顕著に発揮させることができる。また、たとえ電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができるようになる。

さらに、第１の層３１、３３および第２の層３２の表面抵抗値は、それぞれ、１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であるのが好ましく、１０Ω／□以上、５×１０^５Ω／□以下であるのがより好ましく、１５０Ω／□以上、１×１０^４Ω／□以下であるのがさらに好ましい。これにより、電磁波遮断層３を、反射層としての機能をより減衰させて、吸収層としての機能をより的確に発揮させることができ、特に、より高周波帯域の電磁波であっても効果的に遮断することができる。

なお、第１の層３１、３３および第２の層３２は、換言すれば、電磁波遮断層３を構成する各層３１〜３３は、それぞれ、上述した材料（各種導電性材料または各種磁性吸収材料）で構成される単独層であってもよいが、かかる材料の他に、その他の材料を含有する混合層であってもよい。その他の材料としては、特に限定されないが、例えば、増感剤、ｍ−クレゾール、エチレングリコール等が挙げられる。

また、第１の層３１、３３および第２の層３２おける導電性材料または磁性吸収材料の含有量は、５０ｗｔ％以上、１００ｗｔ％以下であるのが好ましく、８０ｗｔ％以上、１００ｗｔ％以下であるのがより好ましい。

さらに、第１の層３１、３３の厚みＴ１は、特に限定されないが、１μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、２５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。

また、第２の層３２の厚みＴ２は、特に限定されないが、１μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、２５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。

第１の層３１、３３の厚みＴ１および第２の層３２の厚みＴ２がそれぞれ前記下限値未満である場合、各層３１〜３３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、第１の層３１、３３の厚みＴ１および第２の層３２の厚みＴ２がそれぞれ前記上限値を超える場合、各層３１〜３３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴ１、Ｔ２としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、第１の層３１、３３の厚みＴ１および第２の層３２の厚みＴ２の薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。また、かかる範囲内の厚みＴ１、Ｔ２とすることにより、電磁波遮断層３を、反射層としての機能をより減衰させて、吸収層としての機能をより的確に発揮させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第７実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第７実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第９実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第９実施形態について説明する。

図８は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図８に示す電磁波シールド用フィルム１００では、電磁波遮断層３が備える第１の層３３の形成が省略されていること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と、絶縁層２と、第１の層３１および第２の層３２からなる電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、電磁波遮断層３が、異なる材料を含有する第１の層３１と第２の層３２との２層からなる積層体で構成されていることにより、電磁波遮断層３に吸収層としての機能をより的確に発揮させることができる。特に、２．０〜３．０ＧＨｚの高周波帯域の電磁波であっても、電磁波の吸収によって、より効果的に遮断することができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第１０実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態について説明する。

図９は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図９に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図９に示す電磁波シールド用フィルム１００では、電磁波遮断層３が、各層３１〜３３の他に、さらに第２の層３４を電磁波遮断層３の基材層１と反対側の面に備えていること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と；絶縁層２と；第１の層３１、第２の層３２、第１の層３３および第２の層３４からなる電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、第１の導電性高分子で構成される第１の層３１、３３と、第２の導電性高分子で構成される第２の層３２、３４とが交互に積層された４層をなす積層体で構成されている。換言すれば、第１の層３１と、第２の層３２と、第１の層３３と、第２の層３４とが基材層１側からこの順で積層された４層をなす積層体で構成されている。このように、電磁波遮断層３を、第１の層３１、３３と、第２の層３２、３４との層数を同一として、第１の導電性高分子で構成される第１の層３１、３３で、第２の導電性高分子で構成される第２の層３２を挾持し、さらに、第２の導電性高分子で構成される第２の層３２、３４で、第１の導電性高分子で構成される第１の層３３を挾持する構成の積層体とする。これにより、電磁波遮断層３に吸収層としての機能を発揮させることができる。なお、本実施形態のように、第１の層３１、３３と第２の層３２、３４とで構成される電磁波遮断層３を４層以上の積層体とすることで、吸収層としての機能を維持しつつ、反射層としての機能を顕著に発揮させることができる。そのため、４層以上の積層体は、吸収層および反射層の双方の機能を電磁波遮断層３に発揮させる場合に、電磁波遮断層３として好ましく適用される。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第９実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第９実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第１１実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態について説明する。

図１０は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１０に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１０に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１の形成が省略されていること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えている。これにより、第１の層１１の形成が省略される。

この場合、前記押圧部の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第１０実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第１０実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第１２実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１２実施形態について説明する。

図１１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１１に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１１に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略されていること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えている。これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、絶縁層２の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層２から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する絶縁層２としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第１１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第１１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第１３実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１３実施形態について説明する。

図１２は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１２に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１２に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略され、さらに、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、電磁波遮断層３の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができる。かかる前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する電磁波遮断層３としては、例えば、炭素同素体や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させた混合材料等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第１２実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第１２実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第１４実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１４実施形態について説明する。

図１３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１４実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１３に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図７に示す第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１３に示す電磁波シールド用フィルム１００では、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、前述した第８実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層３および絶縁層２を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する電磁波遮断層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、例えば、電磁波遮断層３が導電性材料を含む構成であったとしても、隣接する電子部品４同士を絶縁層２により確実に絶縁することができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１〜第１３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１〜第１３実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

また、前記実施形態では、絶縁層２は、電磁波遮断層３の上面または下面の何れか一方に１つの層が積層される場合について説明したが、本発明は、かかる場合に限定されない。例えば、電磁波遮断層３の上面および下面の双方に１層ずつ別層として積層されていてもよいし、その形成を省略するようにしてもよい。

さらに、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されない。例えば、筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して電磁波シールド用フィルムを被覆するようにしてもよい。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されない。

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第１〜第１４実施形態の任意の構成を組み合わせることもできる。

また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。

（実施例１Ａ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを基材層フィルムにコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであった。なお、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ／℃であった。

さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、２．８８Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
次に、電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製、Ｓ−８０１）を準備した。

次いで、ポリエチレンテレフタレートシート上に、電磁波遮断層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングすることにより、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、１００Ω／□であった。

また、電磁波遮断層の表面抵抗値の測定は、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製、「ロレスターＧＰ・ＭＣＰ−Ｔ６１０」）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ７１９４に準拠して、４端子４探針法（定電流印加方式）により実施した。

（実施例２Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−９８５）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様に行って、実施例２Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、３００Ω／□であった。

（実施例３Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−９４２）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様にして、実施例３Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、１０００Ω／□であった。

（実施例４Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−９４１）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様にして、実施例４Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、４５００Ω／□であった。

（実施例５Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−９８６）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様に行って、実施例５Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、８０００Ω／□であった。

（実施例６Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様に行って、実施例６Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、５００Ω／□であった。

（実施例７Ａ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−８０１）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製、Ｓ−９８７）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様に行って、実施例７Ａの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムが備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される電磁波遮断層の表面抵抗値は、２０００００Ω／□であった。

＜評価試験＞
＜＜凹凸追従性＞＞
まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ（厚み）３ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成した。

その後、実施例１Ａ〜７Ａで作製した電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、真空圧空成形装置を用いて、１５０℃×１ＭＰａ×１０分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。

各符号は以下のとおりである。Ｄを不合格とし、それ以外を合格とした。
Ａ：段差２０００μｍ以上
Ｂ：段差１０００μｍ以上、２０００μｍ未満
Ｃ：段差 ５００μｍ以上、１０００μｍ未満
Ｄ：段差 ５００μｍ未満

＜＜電磁波シールド性＞＞
実施例１Ａ〜７Ａで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚおよび周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜＜光線透過率＞＞
実施例１Ａ〜７Ａで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、「Ｖ−６５０」）を用いて、波長３００ｎｍ、５００ｎｍおよび８００ｎｍにおける光線透過率、ならびに３００〜８００ｎｍにおける光線透過率の最大値を測定した。
以上の各実施例の評価試験の結果を表１に示す。

表１から明らかなように、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。
また、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、いずれも、光線透過率が十分に低いことが分かった。すなわち、これらの実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

また、電磁波遮断層の表面抵抗値が１００００Ω／□以下であった実施例１Ａ〜６Ａの電磁波シールド用フィルムの電磁波シールド性は、電磁波遮断層の表面抵抗値が２０００００Ω／□であった実施例７Ａの電磁波シールド用フィルムに比べて、優れていた。

また、実施例１Ａ〜５Ａのように、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含む電磁波遮断層を備える電磁波シールド用フィルムでは、特に優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

（実施例１Ｂ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを基材層フィルムにコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ｂの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであった。なお、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ｂの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ/℃であった。
さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、１．２Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
次に、電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製）を準備した。

次いで、ポリエチレンテレフタレートシート上に、電磁波遮断層としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングすることにより、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

（実施例２Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（荒川化学工業株式会社、商品名：アラコート ＡＳ６２５）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例２Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

（実施例３Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（綜件化学株式会社製、商品名：ベラゾールＥＤ−０１３９−Ｍ）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例３Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

（実施例４Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、ポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例４Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

（実施例５Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ｗｔ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例５Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

（実施例６Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、水−カーボンナノチューブ分散液（宇部興産株式会社製、商品名：ＡＷＣ水分散液 ＵＷ−２５０）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例６Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

（実施例７Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、カーボンナノファイバー／水分散液（エムディーナノテック株式会社製、商品名：ＭＤＣＮＦ−Ｄ）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、実施例７Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

（比較例１Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えて、高配向ＣＮＴ分散液（太陽日産株式会社製、商品名：高配向カーボンナノチューブエタノール分散液）を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、比較例１Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

（比較例２Ｂ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂株式会社製）に代えてポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＷ））を用いたこと以外は、実施例１Ｂと同様にして、比較例２Ｂの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

＜評価試験＞
＜＜凹凸追従性＞＞
まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ（厚み）３ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成した。

その後、実施例１Ｂ〜７Ｂ、および比較例１Ｂ、２Ｂで作製した電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、真空圧空成形装置を用いて、１５０℃×１ＭＰａ×１０分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。

各符号は以下のとおりである。Ｄを不合格とし、それ以外を合格とした。
Ａ：段差２０００μｍ以上
Ｂ：段差１０００μｍ以上、２０００μｍ未満
Ｃ：段差 ５００μｍ以上、１０００μｍ未満
Ｄ：段差 ５００μｍ未満

＜＜電磁波シールド性＞＞
実施例１Ｂ〜７Ｂ、および比較例１Ｂ、２Ｂで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述した空洞共振器法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の実数部（ε’）、虚数部（ε”）および誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。さらに、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚおよび周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜＜光線透過率＞＞
実施例１Ｂ〜７Ｂ、および比較例１Ｂ、２Ｂで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、「Ｖ−６５０」）を用いて、波長３００ｎｍ、５００ｎｍおよび８００ｎｍにおける光線透過率、ならびに３００〜８００ｎｍにおける光線透過率の最大値を測定した。
以上の各実施例、比較例の評価試験の結果を表２に示す。

表２から明らかなように、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。
特に、実施例１Ｂ〜７Ｂで得られた電磁波シールド用フィルムでは、周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が３０以上であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができた。
また、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、いずれも、光線透過率が十分に低いことが分かった。すなわち、これらの実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

これに対して、比較例１Ｂ、２Ｂは、各実施例と比較すると、高周波帯域の電磁波が効果的に遮断されているとはいえない結果であった。

さらに、実施例１Ｂ〜３Ｂのように、ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳを含む電磁波遮断層を備える電磁波シールド用フィルムでは、他の実施例および比較例１Ｂ、２Ｂの電磁波シールド用フィルムと比較して、より優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

（実施例１Ｃ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ｗｔ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層としてカーボンナノチューブとポリウレタン樹脂との混合層を基材層フィルムにコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ｃの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであった。なお、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ｃの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ/℃であった。

さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、２．８８Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
次に、電磁波遮断層を構成する樹脂として、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ｗｔ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）を準備した。

次いで、ポリエチレンテレフタレートシート上に、電磁波遮断層としてカーボンナノチューブとポリウレタン樹脂との混合層をコーティングすることにより、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて形成された電磁波遮断層は、ともに、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

また、電磁波遮断層に含まれるＣＮＴの粒径、長さ、アスペクト比および比表面積は、それぞれ、６５ｎｍ、６．５μｍ、１００および２８ｍ^２／ｇであった。

（実施例２Ｃ）
電磁波遮断層を構成する材料（樹脂）として、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ＷＴ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）に代えて、水−カーボンナノチューブ分散液（宇部興産株式会社製、商品名：ＡＷＣ水分散液 ＵＷ−２５０）を用いたこと以外は、実施例１Ｃと同様にして、実施例２Ｃの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

また、電磁波遮断層に含まれるＣＮＴの粒径、長さ、アスペクト比および比表面積は、それぞれ、５〜１５ｎｍ、０．６〜０．８μｍ、１００および２３０ｍ^２／ｇであった。

（実施例３Ｃ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ＷＴ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）に代えて、カーボンナノファイバー／水分散液（エムディーナノテック株式会社製、商品名：ＭＤＣＮＦ−Ｄ）を用いたこと以外は、実施例１Ｃと同様にして、実施例３Ｃの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

また、電磁波遮断層に含まれるＣＮＴの粒径、長さ、アスペクト比および比表面積は、それぞれ、１０〜２０ｎｍ、０．１〜１０μｍ、５００および２４０ｍ^２／ｇであった。

（比較例１Ｃ）
電磁波遮断層を構成する樹脂として、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ＷＴ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）に代えて、高配向ＣＮＴ分散液（太陽日産株式会社製、商品名：高配向カーボンナノチューブエタノール分散液）を用いたこと以外は、実施例１Ｃと同様にして、比較例１Ｃの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、形成された電磁波遮断層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。

また、電磁波遮断層に含まれるＣＮＴの粒径、長さ、アスペクト比および比表面積は、それぞれ、５〜２０ｎｍ、５０〜１５０μｍ、５０００および４００ｍ^２／ｇであった。

＜評価試験＞
＜＜電磁波シールド性＞＞
実施例１Ｃ〜３Ｃ、および比較例１Ｃで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚおよび周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜＜光線透過率＞＞
実施例１Ｃ〜３Ｃ、および比較例１Ｃで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、「Ｖ−６５０」）を用いて、波長３００ｎｍ、５００ｎｍおよび８００ｎｍにおける光線透過率、ならびに３００〜８００ｎｍにおける光線透過率の最大値を測定した。
以上の各実施例、比較例の評価試験の結果を表３に示す。

表３から明らかなように、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。
特に、実施例１Ｃ〜３Ｃで得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層に含まれるカーボンナノチューブのアスペクト比が１０以上、４０００以下であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であってもより効果的に遮断することができた。
また、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、いずれも、光線透過率が十分に低いことが分かった。すなわち、これらの実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

これに対して、比較例１Ｃは、実施例１Ｃ〜３Ｃと比較すると、高周波帯域の電磁波が効果的に遮断されているとはいえない結果であった。

また、実施例２Ｃ、３Ｃのように、カーボンナノチューブのアスペクト比が１００以上、５００以下であり、カーボンナノチューブの比表面積が２００ｍ^２／ｇ以上、３００ｍ^２／ｇ以下であることにより、高周波帯域の電磁波がより効果的に遮断されている結果が得られた。

（実施例１Ｄ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
＜１＞まず、電磁波シールド用フィルムを得るために、基材層が備える第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。基材層が備える第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。基材層が備える第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。また、電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｓ−９４１中京油脂社製）およびポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）を準備した。

＜２＞次に、第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化して基材層フィルムを得た。

＜３＞次に、基材層フィルムに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングした後、さらに、ポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとをこの順でコーティングすることで、３層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成することで、電磁波シールド用フィルムを作製した。

なお、実施例１Ｄの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１５０μｍであった。なお、基材層が備える第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍであった。また、３層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ１０μｍ）であった。

また、実施例１Ｄの電磁波シールド用フィルムの基材層における、第１の層、第２の層および第３の層の線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ／℃であった。

さらに、基材層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
＜１＞まず、電磁波遮断層を構成する樹脂として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｓ−９４１中京油脂社製）およびポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＴ）を準備した。

＜２＞次に、ポリエチレンテレフタレートシート上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングした後、さらに、ポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとをこの順でコーティングすることで、３層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成することで、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、実施例１Ｄの電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、３層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ１０μｍ）であった。

（実施例２Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ポリアニリンをコーティングした後、さらに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとポリアニリンとをこの順でコーティングした。このようにして３層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１Ｄと同様にして、実施例２Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

（実施例３Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングした後、さらに、ポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとポリアニリンとをこの順でコーティングした。このようにして６層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１Ｄと同様にして、実施例３Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、実施例３Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、６層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ５μｍ）であった。

（実施例４Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ポリアニリンをコーティングした後、さらに、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとポリアニリンとＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとをこの順でコーティングした。このようにして６層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１Ｄと同様にして、実施例４Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、実施例４Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、６層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ５μｍ）であった。

（実施例５Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングした後、さらに、ポリアニリンをコーティングした。このようにして２層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、実施例５Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、２層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ１５μｍ）であった。

（実施例６Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングした後、さらに、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液（保土谷化学工業株式会社製、商品名：５ｗｔ％ＮＴ−７Ｋ含有水分散液）をコーティングした。このようにして２層構成をなす積層体からなる電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、水−ＣＮＴウレタン樹脂分散液から形成された層は、ＣＮＴとポリウレタン樹脂との混合層であり、層中における、ＣＮＴの含有量は１２ｗｔ％、ポリウレタン樹脂の含有量は８８ｗｔ％であった。
また、実施例５Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、２層の積層体で構成される電磁波遮断層の厚みは３０μｍ（各層の厚みはそれぞれ１５μｍ）であった。

（実施例７Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳをコーティングすることで、１層構成をなす電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１Ｄと同様にして、実施例７Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、実施例７Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは３０μｍ、また、電磁波遮断層の表面抵抗値は４４００Ω／□であった。

なお、電磁波遮断層の表面抵抗値の測定は、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製、「ロレスターＧＰ・ＭＣＰ−Ｔ６１０」）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ７１９４に準拠して、４端子４探針法（定電流印加方式）により実施した。

（実施例８Ｄ）
電磁波シールド用フィルムを製造する際の前記工程＜３＞および電磁波シールド性評価用フィルムを製造する際の前記工程＜２＞において、ポリアニリンをコーティングすることで、１層構成をなす電磁波遮断層を形成したこと以外は、実施例１Ｄと同様に行って、実施例８Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムを得た。

なお、実施例８Ｄの電磁波シールド用フィルムおよび電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、電磁波遮断層の厚みは１９μｍ、また、電磁波遮断層の表面抵抗値は５００Ω／□であった。

＜評価試験＞
＜＜凹凸追従性＞＞
まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ（厚み）３ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成した。

その後、実施例１Ｄ〜８Ｄで作製した電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、真空圧空成形装置を用いて、１５０℃×１ＭＰａ×１０分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。

各符号は以下のとおりである。Ｄを不合格とし、それ以外を合格とした。
Ａ：段差２０００μｍ以上
Ｂ：段差１０００μｍ以上、２０００μｍ未満
Ｃ：段差 ５００μｍ以上、１０００μｍ未満
Ｄ：段差 ５００μｍ未満

＜＜電磁波シールド性＞＞
実施例１Ｄ〜８Ｄで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚ、周波数２．４ＧＨｚおよび周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜＜光線透過率＞＞
実施例１Ｄ〜８Ｄで作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、「Ｖ−６５０」）を用いて、波長３００ｎｍ、５００ｎｍおよび８００ｎｍにおける光線透過率、ならびに３００〜８００ｎｍにおける光線透過率の最大値を測定した。
以上の各実施例、比較例の評価試験の結果を表４に示す。

なお、表４中において、実施例１Ｄ〜５Ｄ、７Ｄおよび８Ｄでは、電磁波遮断層が備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される層を第１の層とし、ポリアニリンで構成される層を第２の層とする。また、実施例６Ｄでは、電磁波遮断層が備える、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される層を第１の層とし、ＣＮＴで構成される層を第２の層とする。
また、表４中における電磁波遮断層が備える複数の第１の層および第２の層は、それぞれ、基材層側からの積層順を示している。

表４から明らかなように、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であることにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。
特に、実施例１Ｄ〜５Ｄで得られた電磁波シールド用フィルムでは、電磁波遮断層を、隣接する各層が異なる導電性高分子を含有する積層体で構成することにより、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することでより効果的に遮断することができた。
また、各実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、いずれも、光線透過率が十分に低いことが分かった。すなわち、これらの実施例で得られた電磁波シールド用フィルムは、優れた光吸収性（光遮蔽性）を有していることが分かった。

なお、高周波帯域（特に、２．０〜３．０ＧＨｚ）の電磁波に対しては、実施例７Ｄ、８Ｄよりも、実施例１Ｄ〜６Ｄの方がより効果的に遮断することができた。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、基材層と、導電性材料および磁性吸収材料のうちの少なくとも１種を含む材料で構成された電磁波遮断層とを含み、電磁波遮断層の表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下である。これにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。さらに、本発明の電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下である。この電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品を被覆した際に、電磁波シールド用フィルムが、光を吸収、遮断することにより、電磁波遮断層で被覆している内部すなわち電子部品を見えなくすることができる。これにより、例えば、電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品の秘匿性を担保することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。

Claims (12)

1. 基材層と、該基材層に積層された電磁波遮断層とを含む電磁波シールド用フィルムであって、
   前記電磁波遮断層は、ポリアニリンおよびポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のうちの一方である第１の材料で構成される第１の層と、ポリアニリンおよびＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのうちの他方である第２の材料で構成される第２の層とがこの順で前記基材層側から交互に積層された積層体で構成され、その表面抵抗値が１×１０^−３Ω／□以上、１×１０^６Ω／□以下であり、
   電磁波シールド用フィルムは、波長３００ｎｍ以上、８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上、３０％以下であることを特徴する電磁波シールド用フィルム。
2. 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３ｄＢ以上である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
3. 前記電磁波遮断層は、周波数０．２〜１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が１０ｄＢ以上である請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
4. 前記電磁波遮断層は、周波数１ＧＨｚにおける複素誘電率（ε）の虚数部（ε”）が３０以上である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
5. 前記電磁波遮断層の誘電正接（ｔａｎδ）の値は、２以上、１００以下である請求項４に記載の電磁波シールド用フィルム。
6. 前記電磁波遮断層の複素誘電率（ε）は、空洞共振器法を用いて測定される請求項４または５に記載の電磁波シールド用フィルム。
7. 前記第１の層の厚みは、１μｍ以上、３０μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
8. 前記第２の層の厚みは、１μｍ以上、３０μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
9. 前記電磁波遮断層の厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
10. 前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
11. 当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
12. 基板と、
    該基板上に搭載された電子部品と、
    請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルムを用いて形成され、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および前記電子部品を被覆する電磁波遮断層とを有することを特徴する電子部品搭載基板。

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