JP2019009396A - 電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板 - Google Patents

Abstract

【課題】軽量化・薄型化を図るとともに、高周波帯域の電磁波まで吸収可能な電磁波シールド用フィルム、および、電磁波シールド用フィルムで被覆された電子部品搭載基板を提供する。【解決手段】電磁波シールド用フィルムは、導電性材料を含有する導電体層３１と、磁性材料を含有する磁性体層３２とを含むノイズ抑制層３を備えている。ノイズ抑制層３は、基板上に搭載された電子部品に対し、電子部品、磁性体層３２、導電体層３１の順になるように配置され、電子部品を被覆する。【選択図】図２

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板に関するものである。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサ、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる保護層（基材層）と、保護層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。

ところで、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しているが、このような電磁波を遮断する機能を発揮するノイズ抑制層としては、例えば、反射層と、吸収層とがある。

ここで、反射層では、ノイズ抑制層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）し、吸収層では、ノイズ抑制層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで、電磁波を消滅させて遮断する。これらのうち反射層では、反射した電磁波がノイズ抑制層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼすという欠点を有する。そのため、近年、吸収層で構成されたノイズ抑制層について研究がなされ、特に、高周波帯域のものまで効果的に吸収により遮断し得るノイズ抑制層（吸収層）を備える電磁波シールド用フィルムの開発がなされている。

また、このようなノイズ抑制層（吸収層）を備える電磁波シールド用フィルムは、近年高まりつつある要望から、軽量化・薄型化が図られていることが好ましい。

特開２００６−１５６９４６号公報

本発明の目的は、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品がノイズ抑制層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１） 導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料を含有する磁性体層とを含むノイズ抑制層を備え、
前記ノイズ抑制層は、前記導電体層を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、前記磁性体層と前記導電体層との順で前記電子部品を被覆し、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。

（２）周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の電磁波における、２焦点型扁平空洞法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上である上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（３） 前記導電性材料は、導電性高分子および金属系粒子のうちの少なくとも１種を含有する上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（４） 前記磁性材料は、センダスト、パーマロイおよびマグネタイト、フェライト、ニッケルのうちの少なくとも１種を含有する上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（５） 前記導電体層は、その導電率が１×１０^３Ω^−１ｍ^−１以上５×１０^７Ω^−１ｍ^−１以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（６） 前記磁性体層は、周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）が１２０以上２００以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（７） 前記導電体層は、その平均層厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（８） 前記磁性体層は、その平均層厚みが５μｍ以上２００μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（９） 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記ノイズ抑制層の前記導電体層側に積層された保護シートを含む上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（１０） 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆するノイズ抑制層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記ノイズ抑制層は、導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料を含有する磁性体層とを含み、
前記導電体層を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、前記磁性体層と前記導電体層との順で前記電子部品を被覆し、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下であり、
かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを特徴とする電子部品搭載基板。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料を含有する磁性体層とを含むノイズ抑制層を備え、このノイズ抑制層は、前記導電体層を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、前記磁性体層と前記導電体層との順で前記電子部品を被覆することで、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を０．５ｄＢ以下に設定することができる。これにより、電磁波を吸収により効果的に遮断して、電磁波によるノイズを抑制することができる。そのため、電子部品が備える回路上の伝送信号に悪影響を及ぼすのを的確に抑制または防止することができる。

また、ノイズ抑制層は、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上に設定することができる。これにより、高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断して、電磁波によるノイズを抑制することができる。

また、導電体層を、導電性材料として、導電性高分子および金属系粒子のうちの少なくとも１種を含有するものとすることで、ノイズ抑制層の軽量化・薄型化を図ることができる。

本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムが備えるノイズ抑制層を示す縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の電磁波シールド用フィルム１０は、導電性材料を含有する導電体層３１と、磁性材料を含有する磁性体層３２とを含むノイズ抑制層３（電磁波遮断層）を備え、ノイズ抑制層３は、導電体層３１を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、磁性体層３２と導電体層３１との順で電子部品を被覆し、かつ、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下であり、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを特徴とする。

このような電磁波シールド用フィルム１０によれば、高周波帯域の電磁波まで吸収により遮断して、電磁波によるノイズを抑制することができる。そのため、電子部品４が備える回路上の伝送信号に悪影響を及ぼすのを的確に抑制または防止することができる。

以下、この電磁波シールド用フィルムについて説明する。
＜電磁波シールド用フィルム＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムが備えるノイズ抑制層を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１、２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

電磁波シールド用フィルム１０は、基板５上の凹凸６を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１０は、保護層（保護シート）１と、ノイズ抑制層３と、絶縁層２とを含んで構成され、ノイズ抑制層３および絶縁層２は、保護層１の下面（一方の面）側から、ノイズ抑制層３が保護層１に接触して、この順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６５と凹部６６とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１０で被覆する場合について説明する。すなわち、基板５上に搭載された電子部品４を電磁波シールド用フィルム１０で、絶縁層２を電子部品４側にして被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

以下、電磁波シールド用フィルム１０が備える各層１、２、３について説明する。
＜保護層１＞
まず、保護層１について説明する。

保護層（保護シート）１は、ノイズ抑制層３の酸化による劣化を防止する機能を有する。さらに、保護層１は、可撓性を備え、後述する電子部品の被覆方法の貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６に絶縁層２およびノイズ抑制層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、押し込まれた絶縁層２およびノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。

この保護層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴムのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、保護層１の絶縁層２およびノイズ抑制層３に対する保護性、さらには耐熱性を向上させることができる。

また、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０２〜５．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましく、２．０Ｅ＋０４〜３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがさらに好ましい。このように、保護層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、保護層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム１０を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２およびノイズ抑制層３に破断を生じさせることなく絶縁層２およびノイズ抑制層３を凹凸６の形状に対応した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５が、破断の発生が防止されたノイズ抑制層３をもって、凹凸６の形状に追従した状態で被覆されるようになるため、このノイズ抑制層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上するため、電磁波によるノイズが抑制されることとなる。

保護層１の厚みは、特に限定されないが、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７μｍ以上１２μｍ以下である。保護層１の厚みが前記下限値未満である場合、保護層１ひいては絶縁層２およびノイズ抑制層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、保護層１の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。

さらに、保護層１は、そのノイズ抑制層３側の面に、粘着剤層を備えるものであってもよい。すなわち、ノイズ抑制層３は、粘着剤層を介して保護層１に接合されたものであってもよい。これにより、保護層１とノイズ抑制層３との粘着性（密着性）の向上が図られる。

この粘着剤層は、例えば、主として、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびゴム系粘着剤等のうちの少なくとも１種からなる粘着剤で構成される。

アクリル系粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合したものが挙げられる。

また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着するノイズ抑制層３との密着性や粘着性の制御が容易になる。

この場合、粘着剤層には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーが含まれていてもよい。

また、ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム系、イソプレンゴム系、スチレン−ブタジエン系、再生ゴム系、ポリイソブチレン系のものや、スチレン−イソプレン−スチレン、スチレン−ブタジエン−スチレン等のゴムを含むブロック共重合体を主とするもの等が挙げられる。

さらに、シリコーン系粘着剤としては、例えば、ジメチルシロキサン系、ジフェニルシロキサン系のもの等が挙げられる。

なお、粘着剤層に含まれる粘着剤は、硬化型および非硬化型のいずれであってもよいが、硬化型の場合、粘着剤層には、架橋剤が添加されていてもよい。この架橋剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアナート系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド系化合物等が挙げられる。

また、硬化型の場合、粘着剤層には、粘着剤層を紫外線等の光の照射により硬化させる光重合開始剤が添加されていてもよい。この光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフェニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等が挙げられる。

さらに、粘着剤層には、その接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等が添加されていてもよい。

また、粘着剤層には、例えば、可塑剤、粘着付与剤、増粘剤、充填剤、老化防止剤、防腐剤、防カビ剤、染料、顔料等の各種添加剤が必要に応じ添加されていてもよい。

＜ノイズ抑制層３＞
次に、ノイズ抑制層（遮断層）３について説明する。

ノイズ抑制層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、このノイズ抑制層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズを抑制する機能を有する。

ところで、前述のとおり、ノイズ抑制層３（電磁波遮断層）が電磁波を遮断する機能を発揮するには、ノイズ抑制層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波がノイズ抑制層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、ノイズ抑制層を吸収層で構成するのが好ましい。

そこで、本発明者は、吸収により遮断し得るノイズ抑制層（吸収層）について鋭意検討を重ねた結果、ノイズ抑制層３を、導電性材料を含有する導電体層３１と、磁性材料を含有する磁性体層３２とを含む積層体で構成し、このノイズ抑制層３（積層体）により、導電体層３１を基板５上に搭載された電子部品４の反対側にして、磁性体層３２と導電体層３１との順で電子部品４を被覆することで、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を０．５ｄＢ以下とし、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上とすることができることを見出した。すなわち、ノイズ抑制層３を、不整合損を前記上限値以下に抑制して、高周波帯域のものまで効果的に吸収により電磁波を遮断することで、電子部品が備える回路上の伝送信号に悪影響を及ぼすのが的確に抑制または防止された吸収層とし得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

このノイズ抑制層３は、本発明では、図２に示すように、上側（保護層１側）から、導電体層３１および磁性体層３２がこの順で積層されており、これにより、磁性体層３２を電子部品４側に、導電体層３１を電子部品４の反対側にして、電子部品４を被覆する構成となっている。

ここで、一般的に、導電体層３１は電磁波を反射する反射層として機能し、そのため、導電体層３１が、電子部品４が備える回路基板の伝送ライン上近傍にあると、伝送ライン上の信号成分を反射する可能性がある。この際、伝送ライン上の信号成分が反射されているかを評価する方法として、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）が知られている。

このＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３−２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われる。

これらのうち反射成分Ｓ１１は、入射波に対する反射波の電圧（振幅）強度をｄＢで表したものとして測定される。そして、この反射成分Ｓ１１を用いて、下記式（１）から、入射波に対する反射成分以外の電力強度をｄＢで表した不整合損を求めることができる。
不整合損 ＝ −１０・ｌｏｇ｛１−１０＾（２Ｓ１１／１０）｝［ｄＢ］（１）

不整合損における、反射成分以外の成分としては、吸収成分および透過成分が挙げられる。そのため、不整合損の値が大きくなると反射成分が大きく、不整合損の値が小さくなると反射成分が小さくなっていると言うことができる。

なお、反射成分が小さくなるのは、ノイズ抑制層３が備える磁性体層３２により回路上のインピーダンス変化が小さくなり、これにより、回路内での反射を抑制しているものと推察される。

そこで、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下、好ましくは０．２５ｄＢ以下であるノイズ抑制層であれば、高周波帯域の電磁波における不整合損の値が小さくなっていると言うことができ、電子部品４が備える回路上の伝送信号を反射が小さく、伝送信号への影響が小さくなっていると言える。

また、ノイズ抑制層に入射した電磁波の遮断を評価する方法として、さらに、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法が知られている。

ここで、ＫＥＣ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収成分）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射成分）とが加算された値として測定される。

すなわち、このＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなすノイズ抑制層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、ノイズ抑制層３を通過（透過）した電磁波が測定される。すなわち、送信された電磁波（信号）がノイズ抑制層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。

そこで、ノイズ抑制層３を、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上なる関係、好ましくは４０ｄＢ以上なる関係を満足するものとすることで、高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、このノイズ抑制層３を、電磁波を遮断する遮断層であると言える。

よって、ノイズ抑制層３が、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下となっており、さらに、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定される電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であれば、ノイズ抑制層３を、電子部品４が備える基板上の伝送信号の反射を小さくした状態で、電磁波を遮断しているノイズ抑制層であるとより確実に言うことができる。換言すれば、ノイズ抑制層３において、ＭＳＬ法を用いて測定された不整合損の値が小さく、さらに、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定された電磁波シールド性（吸収成分＋反射成分）が大きくなっていれば、ノイズ抑制層３を、電子部品４が備える基板上の伝送信号の反射を小さくした状態で、確実に外部及び内部からの電磁波を遮断できるノイズ抑制層であると言うことができる。

本発明では、前述のように、ノイズ抑制層３が、上側（保護層１側）から、導電体層３１および磁性体層３２がこの順で積層されており、これにより、磁性体層３２を電子部品４側に、導電体層３１を電子部品４の反対側にして、電子部品４を被覆する構成となっている。その結果、この磁性体層３２により伝送ライン信号の反射を抑制し、導電体層３１により高周波帯域の電磁波まで遮断して、電磁波によるノイズを抑制することができるため、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を０．５ｄＢ以下とし、かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上とすることができる。

以下、このノイズ抑制層３を構成する各層３１、３２について説明する。
（導電体層）
導電体層３１は、導電性材料を含有し、これにより、電磁波を反射する反射層として機能するものである。

このような導電体層３１は、如何なる導電性材料を含有するものであってもよく、この導電性材料としては、例えば、導電性高分子、金属および金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む金属系粒子、ならびに、炭素系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、金属系粒子および導電性高分子のうちの少なくとも１種を含有するものであることが好ましい。これにより、金属系粒子を含む導電体層３１の膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、導電体層３１に、優れた反射性を発揮させることができ、結果として、かかる導電体層３１を備えるノイズ抑制層３に、特に優れた遮蔽性を発揮させることができる。したがって、ノイズ抑制層３に、遮蔽性としての機能を発揮させつつ、その薄膜化および軽量化が可能である。

金属系粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ_２Ｏ_４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられる。

また、金属系粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、４．５μｍ以上７．５μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、金属系粒子を導電体層３１中に均一に分散させることができる。そのため、導電体層３１を、この導電体層としての特性をその全体に亘って均質に発揮するものとできる。

また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォール、カーボンブラックのような炭素等が挙げられる。

さらに、導電体層３１は、その構成材料として、導電性材料の他に、バインダー樹脂を含有するものであることが好ましい。これにより、導電性材料を導電体層３１中により均一に分散させることができるため、導電体層３１を、前述した特性を均質に発揮するものとできる。また、導電性材料を、それぞれ、容易に目的とする含有量に設定することができるため、導電体層３１に反射層としての機能を確実に発揮させることができる。

なお、バインダー樹脂としては、各種樹脂材料を用いることができ特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性エラストマー等の熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマーのような熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、導電体層３１の平均層厚みＴ１は、特に限定されないが、０．５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。導電体層３１の厚みが前記下限値未満である場合、導電体層３１の構成材料等によっては、電子部品４の端部で破断するおそれがある。また、導電体層３１の厚みが前記上限値を超える場合、導電体層３１の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴ１としても、優れた電磁波シールド性を発揮して、電磁波を反射する反射層として確実に機能させることができるため、導電体層３１の厚みＴ１の薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２およびノイズ抑制層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

また、導電体層３１における導電性材料の含有量は、２０ｗｔ％以上９５ｗｔ％以下であるのが好ましく、５０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、導電体層３１に反射層としての機能を確実に発揮させることができる。

さらに、導電体層３１の導電率は、１×１０^２Ω^−１ｍ^−１以上８×１０^７Ω^−１ｍ^−１以下であることが好ましく、１×１０^３Ω^−１ｍ^−１以上５×１０^７Ω^−１ｍ^−１以下であることがより好ましい。導電体層３１の導電率をかかる範囲内に設定することで、導電体層３１に、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波を反射する反射層として確実に機能させることができる。その結果、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定される電磁波シールド効果を、前述した範囲内のものに確実に設定することができる。

なお、導電体層３１は、構成材料として、導電性材料を単独で含有する金属箔（金属層）等であってもよい。

（磁性体層）
磁性体層３２は、磁性材料を含有し、電磁吸収により電磁波を吸収する吸収層として機能するものである。

このような磁性体層３２は、如何なる磁性材料を含有するものであってもよいが、特に、軟磁性材料が好ましく用いられる。より具体的には、例えば、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、マグネタイト、フェライト（ソフトフェライト）、ニッケル、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）およびパーメンジュール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、センダスト、パーマロイおよびマグネタイト、フェライト、ニッケルのうちの少なくとも１種であることが好ましく、センダストであることがより好ましい。これにより、磁性体層３２の膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、磁性体層３２に、優れた伝送信号の反射抑制機能を発揮させることができる。したがって、ノイズ抑制層３に、吸収層としての機能を発揮させつつ、その薄膜化および軽量化が可能である。

また、ノイズ抑制層３において、磁性材料は、球状、偏平形状のような粒子状、顆粒状、ペレット状および鱗片状のいずれの形状をなしていてもよいが、磁性材料が粒子状をなして含まれる場合、そのメジアン径（ｄ５０）は、１０μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上５０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、粒子状をなす磁性材料をノイズ抑制層３中に均一に分散させることができる。そのため、ノイズ抑制層３を、前述した特性を均質に発揮するものとできる。

さらに、ノイズ抑制層３は、磁性材料が前記形状をなして含まれる場合、その構成材料として、磁性材料の他に、バインダー樹脂を含有するものであることが好ましい。これにより、磁性材料をノイズ抑制層３中により均一に分散させることができるため、ノイズ抑制層３は、前述した特性を均質に発揮するものとなる。また、磁性材料を、容易に目的とする含有量に設定することができるため、磁性体層３２に吸収層としての機能を確実に発揮させることができる。

なお、バインダー樹脂としては、導電体層３１に含まれるバインダー樹脂として挙げたものと同様のものを用いることができる。

また、磁性体層３２の平均層厚みＴ２は、特に限定されないが、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましい。磁性体層３２の厚みが前記下限値未満である場合、磁性体層３２の構成材料等によっては、電子部品４の端部で破断するおそれがある。また、磁性体層３２の厚みが前記上限値を超える場合、磁性体層３２の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。

また、磁性体層３２における磁性材料の含有量は、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下であるのが好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、磁性体層３２に吸収層としての機能を確実に発揮させることができる。

さらに、磁性体層３２の周波数５ＭＨｚの比透磁率（μ’）は、５０以上２４０以下であることが好ましく、１２０以上２００以下であることがより好ましい。磁性体層３２の透磁率をかかる範囲内に設定することで、優れた伝送信号の反射抑制機能を発揮することができる。その結果、不整合損およびＫＥＣ法（電界）を用いて測定される電磁波シールド効果の双方を、前述した範囲内のものに確実に設定することができる。

なお、磁性体層３２は、構成材料として、軟磁性材料を単独で含有するものであってもよい。

また、上述したマイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）およびＫＥＣ法の他に、ノイズ抑制層に入射した電磁波の遮断を評価する方法、特に、高周波領域の電磁波の遮断の評価を得意とする方法として、さらに、東京工業大学と独立行政法人情報通信研究機構とで開発された２焦点型扁平空洞（ＤＦＦＣ）法がある。

このＤＦＦＣ法を用いた測定は、特開２０１０−１９６５９に記載のように、楕円形の扁平筒状の空洞である２焦点型扁平空洞が画定され、この楕円形の長軸に直交する短軸を通る平面で、２焦点型扁平空洞を切った断面部分に電磁波シールド用フィルム１０が装着可能な２焦点型扁平空洞体を用いて実施される。

より具体的には、電磁波シールド用フィルム１０が２焦点型扁平空洞体に装着されている場合と、装着されていない場合との双方で、楕円形の第１の焦点から電磁波を２焦点型扁平空洞内に放射させると共に、放射された電磁波を楕円形の第２の焦点で捕捉させて、透過係数を得た後、電磁波シールド用フィルム１０が装着されている場合の透過係数と、電磁波シールド用フィルム１０が装着されていない場合の透過係数から、電磁波シールド用フィルム１０についてのシールド効果の測定値を得る方法である。

かかるＤＦＦＣ法では、電磁波シールド用フィルム１０が２焦点型扁平空洞体に装着されている場合、第２の焦点において、ノイズ抑制層３（電磁波シールド用フィルム１０）を通過（透過）した電磁波が捕捉（測定）される。すなわち、第１の焦点から放射（送信）された電磁波がノイズ抑制層３により第２の焦点側でどれだけ減衰したかが測定されることから、ＫＥＣ法と同様に、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射成分と電磁波を吸収する吸収成分との双方を合算した状態で求められる。

そこで、ノイズ抑制層３を、周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の電磁波における、２焦点型扁平空洞法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が好ましくは３０ｄＢ以上なる関係、より好ましくは４０ｄＢ以上なる関係を満足するものとすることで、特に高周波帯域の電磁波を高精度に遮断していると言うことができ、このノイズ抑制層３を、電磁波を遮断する遮断層であると言える。

よって、ノイズ抑制層３が、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下となっており、さらに、周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の電磁波における、２焦点型扁平空洞法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が好ましくは３０ｄＢ以上であれば、ノイズ抑制層３を、反射成分および透過成分を小さくした状態で、吸収成分により高周波領域の電磁波を遮断している吸収層であるとより確実に言うことができる。

さらに、ノイズ抑制層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、後述する貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０の加熱の後、保護層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２およびノイズ抑制層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記保護層１からの押圧力に応じて、ノイズ抑制層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、ノイズ抑制層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

なお、ノイズ抑制層３は、本実施形態では、上側（保護層１側）から、導電体層３１および磁性体層３２がこの順で積層された積層体で構成される場合について説明したが、かかる構成に限定されず、例えば、この積層体がさらに厚さ方向に複数積層された繰り返し体であってもよい。

＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。

絶縁層２は、ノイズ抑制層３に接触して設けられ、保護層１側からノイズ抑制層３、絶縁層２の順で積層されている。このように積層された絶縁層２およびノイズ抑制層３を備える電磁波シールド用フィルム１０を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、ノイズ抑制層３の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁するとともに、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置するノイズ抑制層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。

さらに、この絶縁層２は、ノイズ抑制層３を基板５および電子部品４に接合する接合層（粘着層）としての機能を発揮するとともに、ノイズ抑制層３と電子部品４との離間距離を適切な距離に設定するスペーサとしての機能も発揮する。

この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２およびノイズ抑制層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートのような熱可塑性ポリエステル、α−オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α−オレフィンを用いることが好ましい。

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、ノイズ抑制層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２に屈曲性を確実に付与することができ、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２およびノイズ抑制層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して容易に追従させることができる。また、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）の薄膜化を実現すること、ひいては、絶縁層２およびノイズ抑制層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化および薄型化を実現することができる。

また、絶縁層２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２、さらにはノイズ抑制層３の凹凸６に対する形状追従性が向上することとなる。

なお、この絶縁層２は、図１で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。

さらに、絶縁層２は、そのノイズ抑制層３側の面、および、ノイズ抑制層３と反対側の面の双方または何れか一方に、粘着剤層を備えるものであってもよい。これにより、ノイズ抑制層３と絶縁層２との粘着性（密着性）および／または電磁波シールド用フィルム１０で被覆する基板５と絶縁層２との粘着性（密着性）の向上が図られる。

この粘着剤層としては、前述した保護層１の説明で記載した粘着剤層と同様のものが挙げられる。

また、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０を、絶縁層２を備えるものとすることで、基板５および電子部品４を被覆し、これにより、基板５上で隣接する電子部品４同士を絶縁することとしたが、この絶縁層２による電子部品４同士の絶縁を必要としない場合には、この絶縁層２を省略することもできる。

電磁波シールド用フィルム１０を、上記のような構成の保護層１、ノイズ抑制層３および絶縁層２を備えるものとすることにより、電磁波シールド用フィルム１０の軽量化・薄型化を図ることができる。

また、電磁波シールド用フィルム１０は、波長３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下における光線透過率が０．０１％以上３０％以下であることが好ましく、０．０１％以上１０％以下であることがより好ましい。これにより、光を吸収、遮断しノイズ抑制層３で被覆している内部すなわち電子部品４を見えなくすることができるため、例えば、ノイズ抑制層３で被覆された電子部品搭載基板の流通時における電子部品４の秘匿性を担保することができるという利点が得られる。
なお、前記光線透過率は、例えば、紫外可視分光光度計により求めることができる。

＜電子部品の被覆方法＞
以上のような構成の電磁波シールド用フィルム１０を用いて、例えば、以下のようにして、基板５上に搭載された電子部品４が被覆される。

図３は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第１の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下の電子部品の第１の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。

（貼付工程）
前記貼付工程とは、図３（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する工程である。

凹凸６に追従して貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のような方法が挙げられる。

すなわち、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１０の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１０とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを常温下において、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、加圧することにより実施される。

このように電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧することで、保護層１が凹凸６の形状に追従し、さらに、これに併せて、保護層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２およびノイズ抑制層３も凹凸６の形状に追従する。これにより、凹凸６の形状に保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３が追従した状態で、保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、常温であり、具体的には、５℃以上３５℃以下であることが好ましく、２０℃以上３０℃以下であることがより好ましく、２５℃であることがさらに好ましい。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１ＭＰａ以上０．３ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１秒以上６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは５秒以上３０秒以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０側からの加圧による電子部品４の破損を招くことなく、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２およびノイズ抑制層３が追従した状態で、これら絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６を確実に被覆することができる。

以上のような工程を経ることにより、保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６を追従するように被覆することができる。なお、本実施形態のように、被覆した凹凸６に保護層１が残存する被覆方法では、基板５の反対側に位置する他の部材（電子部品等）とノイズ抑制層３とを絶縁する絶縁層としての機能を保護層１が発揮する。

また、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で凹凸６に追従して被覆する上述した方法の他、凹凸６に追従することなく、電子部品４を被覆するように行ってもよい。

図４は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第２の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下の電子部品の第２の被覆方法は、第１の被覆方法と同様に、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程を有する。

（貼付工程）
この貼付工程では、図４（ａ）に示すように、本実施形態では、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従することなく貼付する。

凹凸６に追従することなく貼付するには、例えば、前記第１の被覆方法で説明した貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１０と基板５とが互いに接近するように、電磁波シールド用フィルム１０側から均一に加圧する際に、この加圧条件を設定することにより実現できる。すなわち、前記加圧条件を、凹凸６に追従させる際の圧力よりも低く設定すること、および、凹凸６に追従させる際の時間よりも短く設定することにより、凹凸６に追従することなく電磁波シールド用フィルム１０を貼付することができる。

このような被覆方法により、凹凸６の形状に保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３が追従していない状態で、保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６が被覆される。

なお、このように、電磁波シールド用フィルム１０を凹凸６の形状に追従させない場合、絶縁層２およびノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能する保護層１の形成を省略することもできる。

さらに、電子部品４の被覆は、電磁波シールド用フィルム１０で被覆する方法、すなわち、保護層１、絶縁層２およびノイズ抑制層３で被覆する上述した方法（第１の被覆方法および第２の被覆方法）の他、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、絶縁層２およびノイズ抑制層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。

図５は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法の第３の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下の電子部品の第３の被覆方法は、基板５上に、電磁波シールド用フィルム１０を絶縁層２と電子部品４が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、保護層１を剥離する剥離工程とを有する。

（貼付工程）
貼付工程では、図３で説明した電子部品の被覆方法と同様に、図５（ａ）に示すように、基板５上に電子部品４を搭載することで設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従するように貼付する。

（剥離工程）
剥離工程では、例えば、図５（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、保護層１を電磁波シールド用フィルム１０から剥離する。

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１０における保護層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から保護層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６が被覆される。

なお、保護層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、まず、保護層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から保護層１をノイズ抑制層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次保護層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から保護層１が剥離される。

以上のような工程を経ることにより、ノイズ抑制層３から保護層１を剥離した状態で、絶縁層２およびノイズ抑制層３により凹凸６を被覆することができる。かかる被覆方法によれば、ノイズ抑制層３で電磁波を遮断する際のさらなる軽量化・薄型化を図ることができる。

また、第２の被覆方法と第３の被覆方法とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１０を追従させることなく貼付した後に、電磁波シールド用フィルム１０から保護層１を剥離して、凹凸６に追従していない絶縁層２およびノイズ抑制層３により、電子部品４を被覆するようにしてもよい。

なお、前記実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１０が備える保護層１が１層で構成される場合について説明したが、かかる構成のものに限定されず、例えば、保護層１は、第１の層、第２の層がこの順で積層された２層の積層体であってもよいし、第１の層、第２の層、第３の層がこの順で積層された３層の積層体であってもよい。

２層の積層体の構成とする場合、第１の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。

第２の層は、第１の層とノイズ抑制層３との間に位置して、電磁波シールド用フィルムの製造方法において、ノイズ抑制層３に保護層（保護シート）１を貼付する際に、第１の層をノイズ抑制層３に粘着（貼付）させる粘着層として機能するものである。

この第２の層は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。

第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の構成材料の種類によっては、第２の層による粘着性が十分に発揮されないおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム１０を用いて被覆する基板５の設計によっては、基板５を電磁波シールド用フィルム１０で被覆した積層体の軽量化・薄型化が実現されないおそれがある。

さらに、３層の積層体の構成とする場合、第１の層および第３の層としては、前記実施形態で説明した、保護層１と同様の構成のものを用いることができる。

第２の層は、電子部品の被覆方法の貼付工程において、保護層１を押し込み用の保護として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２およびノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層は、この押し込む力を、第３の層、さらには、この第３の層を介して絶縁層２およびノイズ抑制層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、ノイズ抑制層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２およびノイズ抑制層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。

この第２の層（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層に、第３の層を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。

第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上６０μｍ以下である。第２の層の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。

また、第２の層の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１０の加熱時において、第２の層を、第３の層と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層、さらにはノイズ抑制層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

また、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば、筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
（実施例１Ａ）
［１］まず、導電体層を形成するための樹脂系材料として、導電性材料としての銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で８０％：２０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、導電体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に導電体層を形成した。

なお、得られた導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、４．２×１０^５Ω^−１ｍ^−１であった。

［２］次に、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。

なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

［３］次に、導電体層と磁性体層とをラミネートした後、導電体層側と磁性体層側との双方の基材（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を剥離させることで、導電体層と磁性体層とがこの順で積層されたノイズ抑制層（積層体）で構成される実施例１Ａの電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、実施例１Ａの電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層および磁性体層の平均厚みは、それぞれ、１０．０μｍおよび１００μｍであった。

（実施例１Ｂ〜１Ｉ）
導電体層および磁性体層の平均厚み、導電体層中における導電性材料およびバインダーの含有率、ならびに、磁性体層中における磁性材粒子およびバインダーの含有率のうちの少なくとも１つを、それぞれ、表１に記載するように変更したこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

（実施例２Ａ）
［１］まず、導電体層を形成するための樹脂系材料として、導電性材料としてのポリアニリン（株式会社レグルス社製、商品名：ＰＡＮＩ）、および銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で１０％：７０％：２０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、導電体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に導電体層を形成した。

なお、得られた導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、１．７×１０^５Ω^−１ｍ^−１であった。

［２］次に、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。

なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

［３］次に、導電体層と、磁性体層とをラミネートした後、導電体層側と磁性体層側との双方の基材（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を剥離させることで、導電体層と磁性体層とがこの順で積層されたノイズ抑制層（積層体）で構成される実施例２Ａの電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、実施例２Ａの電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層および磁性体層の平均厚みは、それぞれ、１０．０μｍおよび１００μｍであった。

（実施例３Ａ）
［１］まず、導電体層として、電解メッキ法を用いて形成された銅メッキ層を準備した。

なお、導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、９．０×１０^６Ω^−１ｍ^−１であった。

［２］次に、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。

なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

［３］次に、導電体層と、磁性体層とをラミネートした後、磁性体層側の基材（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を剥離させることで、導電体層と磁性体層とがこの順で積層されたノイズ抑制層（積層体）で構成される実施例３Ａの電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、実施例３Ａの電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層および磁性体層の平均厚みは、それぞれ、２μｍおよび１００μｍであった。

（実施例３Ｂ、３Ｃ）
導電体層の平均厚みを、表１に記載するように変更したこと以外は、前記実施例３Ａと同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

（比較例１）
［１］まず、導電体層を形成するための樹脂系材料として、導電性材料としての銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で８０％：２０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、導電体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に導電体層を形成した。なお、導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、４．２×１０^５Ω^−１ｍ^−１であった。

その後、基材を剥離させることで、導電体層からなるノイズ抑制層で構成される比較例１の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、比較例１の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層の平均厚みは、１０μｍであった。

（比較例２）
［１］まず、導電体層を形成するための樹脂系材料として、導電性材料としての銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で４０％：６０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、導電体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に導電体層を形成した。

なお、得られた導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、２．１×１０^２Ω^−１ｍ^−１であった。

［２］次に、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。

なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

［３］次に、導電体層と磁性体層とをラミネートした後、導電体層側と磁性体層側との双方の基材（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を剥離させることで、導電体層と磁性体層とがこの順で積層されたノイズ抑制層（積層体）で構成される比較例２の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、比較例２の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層および磁性体層の平均厚みは、それぞれ、２０μｍおよび１００μｍであった。

（比較例３）
［１］まず、導電体層を形成するための樹脂系材料として、導電性材料としての銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）と、バインダーとしてのポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）とを、重量比で８０％：２０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、導電体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に導電体層を形成した。

なお、得られた導電体層の導電率を低抵抗率測定装置（三菱化学アナリテック社製ロレスタ、「ＭＣＰ−Ｔ４００」）を用いて測定したところ、４．２×１０^５Ω^−１ｍ^−１であった。

［２］次に、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。

なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

［３］次に、導電体層と磁性体層とをラミネートした後、導電体層側と磁性体層側との双方の基材（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を剥離させることで、磁性体層と導電体層とがこの順で積層されたノイズ抑制層（積層体）で構成される比較例３の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、比較例３の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する導電体層および磁性体層の平均厚みは、それぞれ、１０μｍおよび１００μｍであった。

（比較例４）
［１］まず、磁性体層を形成するための樹脂系材料として、磁性材粒子としてのセンダストからなる扁平粒子（山陽特殊製鋼社製、商品名：ＦＭＥ３ＤＨ）と、バインダーとしてのポリエステルウレタン樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロンＵＲ−３２００）とを、重量比で５０％：５０％含むものを準備した。

そして、ポリエチレンテレフタラートフィルム（基材：帝人デュポン製、Ａ−３１４、厚み３８μｍ）上に、磁性体層を形成するための樹脂系材料をコーティングした後、加熱・乾燥させて、基材上に磁性体層を形成した。なお、得られた磁性体層の周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）をインピーダンスアナライザ（ヒューレットパッカード社製、「４２９１Ａ」）と磁性材料・テストフィクスチャ（ヒューレットパッカード社製、「１６４５４Ａ」）を用いて測定したところ、１５１であった。

その後、基材を剥離させることで、磁性体層からなるノイズ抑制層で構成される比較例４の電磁波シールド性評価用フィルムを作製した。

なお、比較例４の電磁波シールド性評価用フィルムにおいて、ノイズ抑制層を構成する磁性体層の平均厚みは、１００μｍであった。

＜評価試験＞
＜＜電磁波シールド性（ＫＥＣ法）＞＞
各実施例および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したＫＥＣ法（電界）を用いて、周波数０．０１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、かかる範囲内における電磁波シールド効果の最小値［ｄＢ］を求めた。

＜＜電磁波シールド性（ＤＦＦＣ法）＞＞
各実施例および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したＤＦＦＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、かかる範囲内における電磁波シールド効果の最小値［ｄＢ］を求めた。

＜＜不整合損＞＞
各実施例および各比較例で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数０．１ＧＨｚ以上１０Ｈｚ以下の範囲内における不整合損の値を測定し、かかる範囲内における不整合損の最大値を求めた。
以上の各実施例、各比較例の評価試験の結果を表１に示す。

表１に示した通り、導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料（軟磁性材料）を含有する磁性体層とを含むノイズ抑制層において、磁性体層と導電体層との順で電子部品を被覆するように配置し、さらに、磁性体層および導電体層にそれぞれ含まれる導電性材料および磁性材料の含有量を適宜設定することにより、各実施例のように、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損を０．５ｄＢ以下に設定することができ、また、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上とし、さらに、周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の電磁波における、２焦点型扁平空洞法を用いて測定した際の電磁波シールド効果を３０ｄＢ以上とすることができる。すなわち、ノイズ抑制層を、回路上信号の反射成分を小さくした状態で、効果的に電磁波を遮断しているものとすることができる。

１０ 電磁波シールド用フィルム
１ 保護層
２ 絶縁層
３ ノイズ抑制層
３１ 導電体層
３２ 磁性体層
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６５ 凸部
６６ 凹部

Claims (10)

1. 導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料を含有する磁性体層とを含むノイズ抑制層を備え、
   前記ノイズ抑制層は、前記導電体層を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、前記磁性体層と前記導電体層との順で前記電子部品を被覆し、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下であり、
   かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
2. 周波数１ＧＨｚ以上１５ＧＨｚ以下の電磁波における、２焦点型扁平空洞法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
3. 前記導電性材料は、導電性高分子および金属系粒子のうちの少なくとも１種を含有する請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
4. 前記磁性材料は、センダスト、パーマロイおよびマグネタイト、フェライト、ニッケルのうちの少なくとも１種を含有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
5. 前記導電体層は、その導電率が１×１０^３Ω^−１ｍ^−１以上５×１０^７Ω^−１ｍ^−１以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
6. 前記磁性体層は、周波数５ＭＨｚにおける比透磁率（μ’）が１２０以上２００以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
7. 前記導電体層は、その平均層厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
8. 前記磁性体層は、その平均層厚みが５μｍ以上２００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
9. 当該電磁波シールド用フィルムは、さらに、前記ノイズ抑制層の前記導電体層側に積層された保護シートを含む請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
10. 基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆するノイズ抑制層とを有する電子部品搭載基板であって、
    前記ノイズ抑制層は、導電性材料を含有する導電体層と、磁性材料を含有する磁性体層とを含み、
    前記導電体層を、基板上に搭載された電子部品の反対側にして、前記磁性体層と前記導電体層との順で前記電子部品を被覆し、周波数０．１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の不整合損が０．５ｄＢ以下であり、
    かつ、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の電磁波における、ＫＥＣ法（電界）を用いて測定した際の電磁波シールド効果が３０ｄＢ以上であることを特徴とする電子部品搭載基板。

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