JP6225437B2 - 電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法 - Google Patents

Description

本発明は、電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法に関するものである。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、その表面に電磁波シールド用フィルムが貼付されてきた。

このような電磁波シールド用フィルムとしては、例えば、絶縁性材料からなる基材層と、基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。

特開２００６−１５６９４６公報

さらに、従来技術では上記問題に加え、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、電磁波シールド用フィルムで被覆しようとすると、この電磁波シールド用フィルムの凹凸に対する形状追従性が優れないという問題から、凹凸を備える基板を有する電子部品に対しては、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドと呼ばれるシールド方法が取られてきた。しかし、この金属カンシールドは基板上の各部品個別に対しては実施できず、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。

したがって、本発明の目的は、基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図るとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有する電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１） 基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
基材層と、該基材層の一方の面側に積層された電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが他方の面側からこの順で積層された３層構成をなす積層体を含んで構成され、
前記第１の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が５７０〜７００［ppm／℃］であり、前記第２の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が８００〜２４００［ppm／℃］であり、前記第３の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が４２０〜７００［ppm／℃］であり、
前記第１の層の厚みＴ（Ａ）と、前記第３の層の厚みＴ（Ｂ）と、前記第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、下記関係式（Ｉ）を満たしていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
１．５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜８．０ ・・・ （Ｉ）

（２） 前記第１の層の厚みＴ（Ａ）は、５μｍ以上、１００μｍ以下である上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（３） 前記第３の層の厚みＴ（Ｂ）は、５μｍ以上、１００μｍ以下である上記（１）または（２）に記載の電磁波シールド用フィルム。

（４） 前記第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（５） 前記電磁波遮断層は、反射層と、吸収層とで構成され、これらが前記一方の面側からこの順で積層された積層体である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（６） 当該電磁波シールド用フィルムを前記基板上の凹凸に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上、３，０００μｍ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルム。

（７） 前記基板上の凹凸に、上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層と電子部品とが接着するように貼付する貼付工程と、
前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする電子部品の被覆方法。

本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが備える基材層を、少なくとも２つの層が積層された積層体を含んで構成されるものとすることにより、電磁波シールド用フィルムで覆われる基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図ることが可能であるとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有しているものとすることができる。

本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、基材層と、該基材層の一方の面側に積層された電磁波遮断層とを含んで構成され、前記基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を含んで構成されていることを特徴とする。

また、本発明の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。

このような電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上の凹凸の被覆に適用すると、前記貼付工程において、電磁波シールド用フィルムを加熱しつつ、電磁波シールド用フィルムと基板とが互いに接近するように押圧することで、基材層が、電磁波遮断層が凹凸に対して形状追従性するための基材として機能することから、電磁波遮断層を凹凸の形状に追従した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸が設けられた基板を、電磁波遮断層をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層による凹凸が設けられた基板の電磁波シールド性が向上することとなる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
まずは、本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

本発明の電磁波シールド用フィルムは、基板５上の凹凸６を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムである。

図１に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と、電磁波遮断層３とを含んで構成され、電磁波遮断層３は、基材層１の下面（一方の面）側から、基材層１に接触して、この順で積層されている。

また、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

＜基材層１＞
まず、基材層１について説明する。

基材層１は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３を押し込み（埋め込み）、この電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能するものである。また、剥離工程において、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これらから剥離するものである。

本発明では、この基材層１は、少なくとも２つの層が積層された積層体を含んで構成されている。

このように、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層１を、少なくとも２つの層が積層された積層体を含むものとすることにより、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。すなわち、遮断層３の凹凸６に対する形状追従性の向上が図られる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層３をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。

また、基材層１を、少なくとも２つの層が積層された積層体を含むものとすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が５００μｍ以上、好ましくは１．０〜３．０ｍｍのもののように段差が大きいものであったり、前記凹凸６における凸部６１同士の離間距離（ピッチ）が２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ〜１５０μｍのもののように離間距離が小さいものであったとしても、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。

本実施形態では、２つ以上の層が積層された積層体で構成される基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層された３層構成をなす積層体であり、遮断層３の凹凸６に対する形状追従性が向上するように、これら各層１１〜１３の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる。

以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。
第１の層１１は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。

この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料、が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第１の層１１に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第１の層１１は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第１の層１１の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３の形状追従性が低下するおそれがある。

また、第１の層１１の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、８０〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第１の層１１の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するものとなるため、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置（セイコーインスツルメント社製、「ＴＭＡＳＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分で測定し、２５℃〜１５０℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。

第３の層１２は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対する電磁波遮断層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、基材層１に剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性の機能を有し、かつ、電磁波遮断層３側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。

この第３の層（第２離型層）１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料、が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第３の層１２の電磁波遮断層３との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第３の層１２における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１２の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１２の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第３の層１２は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１２と、前記第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。

第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第３の層１２の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層が変形するおそれがある。また、第３の層１２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。

なお、第３の層１２と、第１の層１１との厚みは、同じであっても異なっていても構わない。

また、第３の層１２の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４０〜１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、８０〜７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第３の層１２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第３の層１２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第３の層１２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

さらに、第３の層１２の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１２を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第３の層１２と電磁波遮断層３との界面において、基材層１を確実に剥離させることができる。

第２の層１３は、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層１２を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層１３は、この押し込む力を、第３の層１２、さらには、この第３の層１２を介して電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。

この第２の層（クッション層）１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１３に、第３の層１２を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。

第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層１３の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１３の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層１３からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。

また、第２の層１３の２５〜１５０℃における平均線膨張係数は、４００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、８００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第２の層１３を、第３の層１２と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層１１〜１３の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、後述する基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を２．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａの範囲内に容易に設定することができる。

また、第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とは、例えば、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０、
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４、
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである、
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、前記関係式を満たすことにより、形状追従性がより向上する。

基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７０μｍ以上、１６０μｍ以下である。基材層１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、基材層１の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３の形状追従性が低下するというおそれがある。

また、上記のような積層体で構成される基材層１は、その１５０℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのが好ましく、１．０Ｅ＋０６〜３．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６〜９．０Ｅ＋０７Ｐａであるのがさらに好ましい。

このように、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層１の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態でより確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層３をもってより確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性がさらに向上することとなる。

また、基材層１は、２５℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０７〜１．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０８〜５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、基材層１を、電磁波シールド用フィルム１００の加熱前には液状ではなく固形状をなし、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時には半固形状（ゲル状）をなすものとすることができる。そのため、基材層１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、基材層１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時には、電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１および第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム１００の加熱後においても、その２５℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、電磁波遮断層３から基材層１を容易に剥離させることができる。

さらに、基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡ［Ｐａ］とし、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢ［Ｐａ］としたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層１は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいものと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもってより確実に押し込むことができる。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５〜２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃および１５０℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

＜遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。

電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

この電磁波遮断層３は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。

以下、反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。
反射層は、上述のとおり、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。

この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ITOなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。

前記導電性接着剤層としては、金属粉とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。

前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に制限されないが、重量比で４０：６０〜９０：１０であることが好ましく、５０：５０〜８０：２０であることがより好ましく、さらには５５：４５〜７０：３０であることが好ましい。金属粉とバインダー樹脂との含有比率が前記下限値未満である場合、導電性の発現が困難になるおそれがある。また、金属粉とバインダー樹脂との含有比率が前記上限値を超える場合、可撓性や電子機器部品との密着性が低下するおそれがある。

前記導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。

反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上、５０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは１０μｍ以上、３０μｍ以下である。反射層の厚みが前記下限値未満である場合、反射層の構成材料等によっては耐ハゼ折り性が不足し、搭載部品端部で破断するおそれがある。反射層の厚みが前記上限値を超える場合、反射層の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴ（Ｅ１）としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、反射層の厚みＴ（Ｅ１）の薄膜化を実現すること、ひいては、遮断層（反射層）３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。

吸収層は、上述のとおり、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。

この吸収層としては、例えば、金属粉および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。

なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。

これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。
誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。

なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子、ＡＴＯ等の金属酸化物、導電性セラミックスが挙げられる。

また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子等が挙げられる。
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。

吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、３μｍ以上、５０μｍ以下である。吸収層の厚みが前記下限値未満である場合、吸収層の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、吸収層の厚みが前記上限値を超える場合、吸収層の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴ（Ｅ２）としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、吸収層の厚みＴ（Ｅ２）の薄膜化を実現すること、ひいては、遮断層（吸収層）３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層３は、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性が５ｄＢ以上であるのが好ましく、３０ｄＢ以上であるのがより好ましく、５０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。このような電磁波シールド性を有する電磁波遮断層３を、優れた電磁波シールド性を有するものと言うことができ、電磁波をより確実に遮断することができる。

また、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

なお、前述のとおり、電磁波遮断層３は、反射層と吸収層とのいずれであってもよいが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有する場合には、吸収層であるのが好ましい。吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層３で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができる。

以上のような構成の電磁波シールド用フィルム１００は、基板５上に電子部品４を搭載することで形成された凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上であることが好ましく、８００μｍ以上であることがより好ましく、さらに好ましくは１０００μｍ以上である。すなわち、凸部６１の上面と凹部６２の上面との高さの差である凹凸６の高さが５００μｍ以上のものを電磁波シールド用フィルム１００で被覆できるのが好ましく、８００μｍ以上のものを被覆できるのがより好ましく、１０００μｍ以上のものを被覆できるのがさらに好ましい。このように凹凸６の高さが高い（段差が大きい）凹凸６であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム１００を、優れた形状追従性を有するものと言うことができ、電磁波遮断層３により、凹凸６に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。

なお、前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。
すなわち、まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成することにより、プリント配線基板を得る。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間の条件で、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールド用フィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。

＜電子部品の被覆方法＞
次に、本発明の電子部品の被覆方法について説明する。

本発明の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。

図２は、図１に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。
（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。

貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法であり、まず、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の電磁波遮断層３側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。

この際、本発明では、基材層１が、少なくとも２つの層が積層された積層体を含んで構成されている。基材層１を、かかる構成のものとすることで、基材層１は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮するものとなる。

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層１が凹凸６の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層１よりも基板５側に位置する、電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して変形する。これにより、凹凸６の形状に対応して電磁波遮断層３が押し込まれた状態で、電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１００℃以上、２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは１２０℃以上、１８０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ＭＰａ以上、３．０ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１分以上、３０分以下であることが好ましく、より好ましくは５分以上、１５分以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、この電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。

（剥離工程）
前記剥離工程とは、例えば、図２（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程である。

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００における基材層１と電磁波遮断層３との界面において、剥離が生じ、その結果、電磁波遮断層３から基材層１が剥離される。これにより、電磁波遮断層３から基材層１を剥離した状態で、電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた電磁波遮断層３による凹凸６の被覆では、図２に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を電磁波遮断層３で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に電磁波遮断層３で被覆することができる。すなわち、電磁波遮断層３による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

また、基材層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形（上記の貼付工程）後の電磁波シールド用フィルム１００が高温の状態では、基材層１が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から基材層１が剥離される。

剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１００℃以下である。

以上のような工程を経ることにより、電磁波遮断層３から基材層１を剥離した状態で、電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。

なお、本実施形態では、図１に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、基材層１（第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２）、電磁波遮断層３がこの順で積層されたものを用いて、電磁波遮断層３で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第２〜第５実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム１００であってもよい。

＜第２実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態について説明する。

図３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図３に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図３に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１の形成が省略され、これにより、基材層１は、第２の層１３と第３の層１２とが上面側からこの順で積層された２層構成をなす積層体をなしていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。

この場合、前記押圧部の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態について説明する。

図４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図４に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図４に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略され、これにより、基材層１は、第１の層１１と第２の層１３とが上面側からこの順で積層された２層構成をなす積層体をなしていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、電磁波遮断層３の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する電磁波遮断層３としては、例えば、導電性高分子やカーボン系材料をポリウレタンのような熱硬化性樹脂に分散させたもの等が挙げられる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態について説明する。

図５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図５に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図５に示す電磁波シールド用フィルム１００では、遮断層３が単層構成ではなく、吸収層３１および反射層３２からなる積層体をなし、基材層１の下面（一方の面）側から、吸収層３１が基材層１（第３の層１２）に接触して、その順で積層されていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、吸収層３１、反射層３２からなる遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。このような積層体で構成された遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、吸収層３１を凹凸６に対して外側に、反射層３２を凹凸６に対して内側に配置した状態で、凹凸６が遮断層３で被覆される。このように、本実施形態では、遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されるため、遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。

また、かかる構成の遮断層３において、吸収層３１は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。

さらに、反射層３２は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。

上記のような順で積層される吸収層３１および反射層３２における貯蔵弾性率を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、前記基材層１からの押圧力に応じて、吸収層３１および反射層３２を備える遮断層３を凹凸６の形状に対応してより確実に変形させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態について説明する。

図６は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図６に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図６に示す電磁波シールド用フィルム１００では、遮断層３が単層構成ではなく、反射層３２および吸収層３１からなる積層体をなし、基材層１の下面（一方の面）側から、反射層３２が基材層１（第３の層１２）に接触して、その順で積層されていること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、反射層３２、吸収層３１からなる遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。このような積層体で構成された遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、反射層３２を凹凸６に対して外側に、吸収層３１を凹凸６に対して内側に配置した状態で、凹凸６が遮断層３で被覆される。このように、本実施形態では、遮断層３が反射層３２と、吸収層３１とからなる積層体で構成されるため、遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。

また、かかる構成の遮断層３において、反射層３２は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。

さらに、吸収層３１は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５〜１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５〜５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。

上記のような順で積層される反射層３２および吸収層３１における貯蔵弾性率を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、前記基材層１からの押圧力に応じて、反射層３２および吸収層３１を備える遮断層３を凹凸６の形状に対応してより確実に変形させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第１実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

なお、前記第４実施形態の電磁波シールド用フィルムと、前記第５実施形態の電磁波シールド用フィルムとでは、遮断層３が有する反射層３２と吸収層３１との積層順序が異なること以外は、互いに同一であるが、前述のとおり、吸収層３１では、吸収層３１に入射した電磁波を吸収することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層３２のように反射した電磁波が遮断層３で被覆されていない他の部材等に対して悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという利点が得られる。そのため、これら第４および第５実施形態の電磁波シールド用フィルムでは、吸収層３１を凹凸６に対して外側に位置する第４実施形態の電磁波シールド用フィルムとするのが好ましい。

また、前記第４実施形態の電磁波シールド用フィルムと、前記第５実施形態の電磁波シールド用フィルムとでは、遮断層３を反射層３２と吸収層３１とをそれぞれ１層ずつ備える２層構成の積層体としたが、遮断層３は、このような２層構成の積層体に限らず、少なくとも反射層３２と吸収層３１とのうちのいずれか一方を２層以上備える、３層以上の積層体で構成されていてもよい。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第１〜第５実施形態の任意の構成を組み合わせることもできる。

また、本発明の電磁波シールド用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

さらに、本発明の電子部品の被覆方法には、１または２以上の任意の工程が追加されていてもよい。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

１．電磁波シールド用フィルムの層構成に関する検討
（実施例１Ａ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層（東洋紡（株）社製、商品名：ＤＷ−２６０Ｈ−１）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであり、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ／℃であった。

さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、１．２Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電子部品の製造＞
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板（サムスン（株）社製、商品名：ＤＤＲ２ ６６７ Ｍ４７０Ｔ６５５４ＥＺ３−ＣＥ６ ＰＣ２−５３００）（段差１，０００μｍ）の表面に、温度１５０度、圧力２．０ＭＰａの条件で、５分間、真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。

（実施例２Ａ）
第１の層の厚みを８０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例３Ａ）
第１の層の厚みを１０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例４Ａ）
第２の層の厚みを９０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例５Ａ）
第２の層の厚みを２０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例６Ａ）
第３の層の厚みを１０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例７Ａ）
第３の層の厚みを９０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例８Ａ）
電磁波遮断層の厚みを５μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例９Ａ）
電磁波遮断層の厚みを１５０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例１０Ａ）
第１の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体（クラレ（株）社製、商品名：セプトンＳ８００７）を重量パーセント濃度で各々６０ｗｔ％、４０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１１Ａ）
第１の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体（クラレ（株）社製、商品名：セプトンＳ８００７）の重量パーセント濃度で各々８０ｗｔ％、２０ｗｔ％配合品を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１２Ａ）
第１の層として、ポリメチルペンテン（三井化学（株）社製、商品名：ＴＰＸ ＭＸ００４）を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１３Ａ）
第１の層として、ポリブチレンテレフタレート（三菱エンジニアリングプラスチックス（株）社製、商品名：ノバデュラン５５０５Ｓ）を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１４Ａ）
第２の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）とポリプロピレン（住友化学（株）社製、商品名：ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２）を重量パーセント濃度で各々７０ｗｔ％、３０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１５Ａ）
第２の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）とポリエチレン（宇部興産（株）社製、商品名：ＵＢＥポリエチレンＦ２２２ＮＨ）を重量パーセント濃度で各々７０ｗｔ％、３０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１６Ａ）
第２の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）とポリエチレン（宇部興産（株）社製、商品名：ＵＢＥポリエチレンＦ２２２ＮＨ）とポリプロピレン（住友化学（株）社製、商品名：ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２）を重量パーセント濃度で各々６０ｗｔ％、２０ｗｔ％、２０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（実施例１７Ａ）
第１の層の厚みを５μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例１８Ａ）
第２の層の厚みを１２０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例１９Ａ）
第３の層の厚みを３μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例２０Ａ）
第２の層の厚みを８０μｍ、第１の層の厚みを１０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例２１Ａ）
第１の層の厚みを５μｍ、第２の層の厚みを８０μｍ、第３の層の厚みを５μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例２２Ａ）
第１の層の形成を省略し、電磁波遮断層に導電性高分子ポリアニリン分散液（レグルス社製ＰＡＮＩ−ＰＤ）を用いたこと以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（実施例２３Ａ）
第３の層の形成を省略したこと以外は、実施例１Ａと同様に行った。

（比較例１Ａ）
基材層として、ポリエチレンテレフタレート（東レ（株）社製、商品名：ルミラーＳ１０）のみを準備し、基材層の厚みを３０μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

（比較例２Ａ）
基材層として、ポリエチレンテレフタレート（東レ（株）社製、商品名：ルミラーＳ１０）のみを準備し、基材層の厚みを１００μｍとした以外は、実施例１Ａと同様に準備した。

＜評価試験＞
実施例１Ａ〜２３Ａ、および比較例１Ａ、２Ａで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。

＜＜形状追従性＞＞
前記形状追従性は、以下のようにして求めることができる。

縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ３ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、各必要段差の溝を、０．２ｍｍ間隔で碁盤目状に形成する。その後、電磁波シールド用フィルムを、真空圧空成形装置を用いて、１５０℃×１ＭＰａ×１０分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。なお、空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察し、評価した。

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
× ：段差 ５００μｍ未満
○ ：段差 ５００μｍ以上、１０００μｍ未満
◎ ：段差１０００μｍ以上、２０００μｍ未満
◎◎ ：段差２０００μｍ以上

＜＜離型性＞＞
前記離型性は、以下のようにして求めることができる。

上記形状追従性の評価方法と同様のプリント配線板に、電磁波シールド用フィルムを熱圧着させた後、基材層のみを手作業で剥離する際の剥がれやすさで評価した。
各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。

×：基材層に樹脂残りが発生
○：基材層に樹脂残りは発生してないが、剥離が若干重い
◎：基材層に樹脂残りもなく、容易に剥離できる

＜＜耐ハゼ折り性＞＞
前記耐ハゼ折り性は、以下のようにして求めることができる。

電磁波シールド用フィルムを、屈曲性のある基板、例えば、フレキシブル回路基板等に貼り、貼り合せたものをハゼ折りし、その折り曲げ箇所を顕微鏡により観察した。但し、折り曲げは手により行い、折り曲げは１回のみ。

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×：折り曲げ部にクラック発生あり
○：折り曲げ部に若干のシワあり
◎：折り曲げ部にクラック発生なし

＜＜第２の層シミ出し性＞＞
前記基材層の第２の層シミ出し性は、以下のようにして求めることができる。

基材層を、１５０℃×２．０ＭＰa×５分間、熱プレスし、シミ出した第２の層の最大長さをノギス等で測定した。

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×：シミ出した第２の層の最大長さが１．０ｍｍ以上
○：シミ出した第２の層の最大長さが０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満
◎：シミ出した第２の層の最大長さが０．５ｍｍ未満

＜＜耐熱性＞＞
前記基材層の耐熱性は、以下のようにして求めることができる。

前記形状追従性の評価方法と同様に、電磁波シールド用フィルムを、真空圧空成形装置を用いて、１５０℃×２ＭＰａ×５分間、プリント配線板に圧着させ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層にシワがあるかどうかを目視観察で判断する。

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×：電磁波遮断層にシワが発生している
○：電磁波遮断層に微細なシワが発生している
◎：電磁波遮断層にシワが発生していない

＜＜カット・打ち抜き作業性＞＞
前記電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性は、以下のようにして求めることができる。

電磁波シールド用フィルムを所定のサイズおよび形状にカット、打ち抜く際に工数がかかり、著しく作業性が低下するかどうかで判断する。

各符号は以下のとおりである。×を不合格とし、それ以外を合格とした。
×：作業性が著しく低下する
○：作業性が若干低下する
◎：作業性で問題なし
以上の各実施例、比較例の評価結果を表１に示す。

表１から明らかなように、実施例１Ａ〜２３Ａは、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れているのに対し、比較例１Ａ、２Ａは、実施例１Ａ〜２３Ａと比較すると、形状追従性が十分でないという結果になった。

２．基材層の貯蔵弾性率に関する検討
（実施例１Ｂ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層（東洋紡（株）社製、商品名：ＤＷ−２６０Ｈ−１）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ｂの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであり、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ｂの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０ｐｐｍ／℃であった。

さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、１．２Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電子部品の製造＞
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板（サムスン（株）社製、商品名：ＤＤＲ２ ６６７ Ｍ４７０Ｔ６５５４ＥＺ３−ＣＥ６ ＰＣ２−５３００）（段差１，０００μｍ）の表面に、温度１５０℃、圧力２．０ＭＰａの条件で、５分真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。

（実施例２Ｂ）
第２の層として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）とポリプロピレン（住友化学（株）社製、商品名：ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２）を重量パーセント濃度で各々７０ｗｔ％、３０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に準備した。

（実施例３Ｂ）
第１の層の厚みを１０μｍとした以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例４Ｂ）
第２の層の厚みを９０μｍとした以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例５Ｂ）
第１の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）とスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体（クラレ（株）社製、商品名：セプトンＳ８００７）を重量パーセント濃度で各々６０ｗｔ％、４０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例６Ｂ）
第１の層の厚みを８０μｍとした以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例７Ｂ）
第１の層の厚みを１００μｍとした以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例８Ｂ）
第１の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）とポリプロピレン（住友化学（株）社製、商品名：ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２）を重量パーセント濃度で各々６０ｗｔ％、４０ｗｔ％の配合品を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例９Ｂ）
第２の層として、ポリプロピレン（住友化学（株）社製、商品名：ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２）を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に行った。

（実施例１０Ｂ）
第１の層として、ポリブチレンテレフタレート（三菱エンジニアリングプラスチックス（株）社製、商品名：ノバデュラン５０２０）を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に準備した。

（実施例１１Ｂ）
第１の層として、６−ナイロン（宇部興産（株）社製、商品名：ＵＢＥナイロン１０２２Ｂ）を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に準備した。

（比較例１Ｂ）
基材層として、環状オレフィン系共重合体（ポリプラスチックス（株）社製、商品名：ＴＯＰＡＳ６０１７）を準備した以外は、実施例１Ｂと同様に準備した。

（比較例２Ｂ）
第３の層の厚みを１μｍ、第１の層の厚みを１μｍとした以外は、実施例１Ｂと同様に準備した。

＜評価試験＞
実施例１Ｂ〜１１Ｂ、および比較例１Ｂ、２Ｂで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品についても、実施例１Ａ〜２３Ａ、および比較例１Ａ、２Ａで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について実施したのと同様にして、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。
以上の各実施例、比較例の評価結果を表２に示す。

表２から明らかなように、実施例１Ｂ〜１１Ｂでは、基材層の１５０℃における貯蔵弾性率が適切な範囲内に設定されていることに起因して、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れている結果となった。

これに対して、比較例１Ｂ、２Ｂでは、基材層の１５０℃における貯蔵弾性率が適切な範囲内に設定されておらず、形状追従性が十分でないという結果になった。

３．遮断層の層構成および貯蔵弾性率に関する検討
（実施例１Ｃ）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、導電性接着剤層（東洋紡（株）社製、商品名：ＤＷ−２６０Ｈ−１）を準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン−メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性接着剤層を、基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１Ｃの電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１４０μｍであり、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

また、実施例１Ｃの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の平均線膨張係数を測定したところ、それぞれ、４２０、２４００および４２０であった。

さらに、基材層および電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、それぞれ、１．８Ｅ＋０７Ｐａ、１．２Ｅ＋０７Ｐａであった。

＜電子部品の製造＞
得られた電磁波シールド用フィルムを、パソコン用メモリー基板（サムスン（株）社製、商品名：ＤＤＲ２ ６６７ Ｍ４７０Ｔ６５５４ＥＺ３−ＣＥ６ ＰＣ２−５３００）（段差１，０００μｍ）の表面に、温度１５０℃、圧力２．０ＭＰａの条件で、５分間、真空圧空成形を行い、貼付を行った。貼付後、基材層のみ手作業で剥離し、電子部品を製造した。

（実施例２Ｃ）
電磁波遮断層として、導電性接着剤層（東洋紡（株）社製、商品名：ＤＷ−２５０Ｈ−５）とした以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例３Ｃ）
電磁波遮断層として、導電性接着剤層（東洋紡（株）社製、商品名：ＤＷ−２５０Ｈ−２３）とした以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例４Ｃ）
電磁波遮断層として、導電性接着剤層（大研化学工業（株）社製、商品名：ＣＡ−２５０３−４Ｂ）とした以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例５Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液（レグルス社製、商品名：ＰＡＮＩ−ＰＤ、厚さ２０μｍ）を準備したこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例６Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する誘電吸収層に多層カーボンナノチューブ分散液（保土谷化学社製、商品名：ＮＴ−７Ｋ、厚さ２０μｍ）を準備したこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例７Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、吸収層として機能する導電吸収層にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂（株）社製、商品名：Ｓ−９４１、厚さ２０μｍ）を準備したこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例８Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層（東洋紡社製、商品名：ＤＷ２６０−Ｈ１、厚さ１０μｍ）と、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液（レグルス（株）社製、商品名：ＰＡＮＩ−ＰＤ、厚さ１０μｍ）とを準備し、これらをフィルムに、反射層、吸収層の順でコーティングしたこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例９Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層（大研化学工業（株）社製、商品名：ＣＡ−２５０３−４Ｂ、厚さ１０μｍ）と、吸収層として機能する誘電吸収層（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂（株）社製、商品名：Ｓ−９４１、厚さ１０μｍ）とを準備し、これらをフィルムに、反射層、吸収層の順でコーティングしたこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例１０Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層（東洋紡社製、商品名：ＤＷ２６０−Ｈ１、厚さ１０μｍ）と、吸収層として機能する導電吸収層にポリアニリン分散液（レグルス（株）社製、商品名：ＰＡＮＩ−ＰＤ、厚さ１０μｍ）とを準備し、これらをフィルムに、吸収層、反射層の順でコーティングしたこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

（実施例１１Ｃ）
遮断層を構成する樹脂として、反射層として機能する導電性接着剤層（大研化学工業（株）社製、商品名：ＣＡ−２５０３−４Ｂ、厚さ１０μｍ）と、吸収層として機能する誘電吸収層（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製、商品名：Ｓ−９４１、厚さ１０μｍ）とを準備し、これらをフィルムに、吸収層、反射層の順でコーティングしたこと以外は、実施例１Ｃと同様に行った。

＜評価試験＞
実施例１Ｃ〜１１Ｃで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品についても、実施例１Ａ〜２３Ａ、および比較例１Ａ、２Ａで作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について実施したのと同様にして、形状追従性、離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性の評価を行った。
以上の各実施例、比較例の評価結果を表３に示す。

表３から明らかなように、実施例１Ｃ〜１１Ｃに示したとおり、基材層の１５０℃における貯蔵弾性率を適切な範囲内に設定するばかりでなく、電磁波遮断層の１５０℃における貯蔵弾性率を適切な範囲内に設定することにより、良好な形状追従性を示し、さらに離型性、耐ハゼ折り性、基材層の第２の層シミ出し性、耐熱性、電磁波シールドのカット・打ち抜き作業性に関してもバランスよく優れたものとし得ることが判った。

本発明に係る電磁波シールド用フィルムは、基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図ることが可能であるとともに、５００μｍ以上の凹凸６に対して、良好な形状追従性を有する電磁波シールド用フィルムである。

１００ 電磁波シールド用フィルム
１ 基材層
１１ 第１の層
１２ 第３の層
１３ 第２の層
３ 電磁波遮断層
３１ 吸収層
３２ 反射層
４ 電子部品
５ 基板
６ 凹凸
６１ 凸部
６２ 凹部

Claims (7)

1. 基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
   基材層と、該基材層の一方の面側に積層された電磁波遮断層とを含んで構成され、
   前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが他方の面側からこの順で積層された３層構成をなす積層体を含んで構成され、
   前記第１の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が５７０〜７００［ppm／℃］であり、前記第２の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が８００〜２４００［ppm／℃］であり、前記第３の層は、２５〜１５０℃における平均線膨張係数が４２０〜７００［ppm／℃］であり、
   前記第１の層の厚みＴ（Ａ）と、前記第３の層の厚みＴ（Ｂ）と、前記第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、下記関係式（Ｉ）を満たしていることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
   １．５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜８．０ ・・・ （Ｉ）
2. 前記第１の層の厚みＴ（Ａ）は、５μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１に記載の電磁波シールド用フィルム。
3. 前記第３の層の厚みＴ（Ｂ）は、５μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１または２に記載の電磁波シールド用フィルム。
4. 前記第２の層の厚みＴ（Ｃ）は、１０μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
5. 前記電磁波遮断層は、反射層と、吸収層とで構成され、これらが前記一方の面側からこの順で積層された積層体である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
6. 当該電磁波シールド用フィルムを前記基板上の凹凸に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上、３，０００μｍ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
7. 前記基板上の凹凸に、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層と電子部品とが接着するように貼付する貼付工程と、
   前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする電子部品の被覆方法。

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