JP2012119563A - 半導体装置用フレキシブル基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁ベースフィルム基材2と、該絶縁ベースフィルム基材の表面に形成された配線パターン3と、該配線パターンの表面を被覆する絶縁保護膜4と、該絶縁保護膜上に形成された接着剤層5と、該接着剤層により前記絶縁保護膜に接着された金属層6とを有してなる半導体装置用フレキシブル基板であって、前記接着剤層の弾性率が1.0MPa以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、他の発明は、前記半導体装置用フレキシブル基板に電子部品を実装してなる半導体装置である。
接着剤層の弾性率は1.0MPa以下であり、好ましくは0.3〜1.0MPaであり、より好ましくは0.3〜0.5MPa以下である。接着剤層の弾性率が1.0MPa以下であると、半導体装置用フレキシブル基板の折り曲げ性が向上する。本発明における接着剤層の弾性率は、該接着剤層を形成するために使用される接着剤を用いて弾性率測定用サンプルを作製し、この弾性率測定用サンプルに対し、引張試験装置を用いて、以下の引張試験条件で弾性率を測定したときに得られる値である。弾性率測定用サンプルは、銅箔上に接着剤を50μm厚となるように塗膜し、110〜150℃で加熱硬化させ、その後、銅箔をエッチングして作製される。
サンプル幅:10mm、サンプル厚み:32μm、
引張速度:50mm/min、チャック間距離:50mm
接着剤層の弾性率は、たとえば、接着剤層を形成するために使用される接着剤の硬化温度を適宜変更することにより、前記の大きさに調整することができる。但し、接着剤の硬化温度は、密着力および金属層に影響がない範囲で調整が行われる。
1〜5μmである。接着剤層の厚みが10μm以下であると、半導体装置用フレキシブル基板の折り曲げ性が向上する。接着剤層の厚みは、デジマチックインジケーター(ミツトヨ精密)により求められた数値である。
接着剤層を形成するために使用される接着剤としては、金属層を絶縁保護膜に接着することができ、上記物性を有する接着剤層を形成できる限り制限はなく、たとえば、アクリル系接着剤、エポキシ性接着剤、ポリイミド系接着剤、ウレタン系接着剤等を挙げることができる。
前記配線パターンの材料は、特に制限はないが、通常銅または銅合金である。前記配線パターンの厚みは、通常5〜70μmである。配線パターンのパターン形状は、目的に応じて適宜決定することができる。
以下の方法により、図1に示した半導体装置用フレキシブル基板1と同様の5層構造を有する半導体装置用フレキシブル基板(1)を作製した。
アクリル系熱硬化型接着剤の硬化温度を100℃にして接着剤層を形成したこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(2)を作製した。形成された接着剤層の厚みは8μmであった。
アクリル系熱硬化型接着剤の硬化温度を80℃にして接着剤層を形成したこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(3)を作製した。形成された接着剤層の厚みは8μmであった。
接着剤層および金属層を形成せず、3層構造としたこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(R1)を作製した。
アクリル系熱硬化型接着剤の硬化温度を150℃にして接着剤層を形成したこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(R2)を作製した。形成された接着剤層の厚みは8μmであった。
実施例1〜3、比較例2で使用したアクリル系熱硬化型接着剤を銅箔上に50μm厚となるように塗膜した。そのアクリル系熱硬化型接着剤を110℃で加熱硬化させた。その後、銅箔をエッチングして、弾性率測定用接着剤層サンプル(1)を作製した。アクリル系熱硬化型接着剤を100℃、80℃および150℃で加熱硬化させたこと以外は上記と同様にして、それぞれ弾性率測定用接着剤層サンプル(2)〜(4)を作製した。弾性率測定用接着剤層サンプル(1)〜(4)の厚みは32μmであった。弾性率測定用接着剤層サンプル(1)〜(4)に対し、引張試験装置を用いて、以下の引張試験条件で弾性率を測定した。弾性率測定用接着剤層サンプル(1)〜(4)から得られた測定値をそれぞれ半導体装置用フレキシブル基板(1)、半導体装置用フレキシブル基板(2)、半導体装置用フレキシブル基板(3)および半導体装置用フレキシブル基板(R2)の接着剤層の弾性率として表1に示した。
引張試験装置:インストロン社製 5582
サンプル幅:10mm、
引張速度:50mm/min、チャック間距離:50mm
半導体装置用フレキシブル基板(1)〜(3)および(R1)〜(R2)の折り曲げ性を以下の方法で測定した。
下記条件でMIT試験を行い、金属顕微鏡(倍率100倍)にて半導体装置用フレキシブル基板の組織観察を行い、銅配線の亀裂が観察されたときに半導体装置用フレキシブル基板に破断が生じたと判断し、その破断が生じた時までに行われた往復回数を折り曲げ回数とした。この折り曲げ回数により各半導体装置用フレキシブル基板の折り曲げ性を評価した。
R:0.5mm
加重:100g/10mm幅
速度:175rpm
折り曲げ角度:135°
折り曲げ回数を表1に示した。また、接着剤層の弾性率と折り曲げ回数との関係を図3に示した。
アルミニウム箔に塗工されたアクリル系熱硬化型接着剤の量を調整して、接着剤層の厚みを5μmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(4)を作製した。
アルミニウム箔に塗工されたアクリル系熱硬化型接着剤の量を調整して、接着剤層の厚みを15μmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(R3)を作製した。
アルミニウム箔に塗工されたアクリル系熱硬化型接着剤の量を調整して、接着剤層の厚みを20μmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(R4)を作製した。
アルミニウム箔に塗工されたアクリル系熱硬化型接着剤の量を調整して、接着剤層の厚みを30μmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、半導体装置用フレキシブル基板(R5)を作製した。
半導体装置用フレキシブル基板(4)および(R3)〜(R5)の折り曲げ性を前記と同じ方法で測定した。
2 絶縁ベースフィルム基材
3 配線パターン
4 絶縁保護膜
5 接着剤層
6 金属層
Claims (3)
- 絶縁ベースフィルム基材と、該絶縁ベースフィルム基材の表面に形成された配線パターンと、該配線パターンの表面を被覆する絶縁保護膜と、該絶縁保護膜上に形成された接着剤層と、該接着剤層により前記絶縁保護膜に接着された金属層とを有してなる半導体装置用フレキシブル基板であって、前記接着剤層の弾性率が1.0MPa以下であることを特徴とする半導体装置用フレキシブル基板。
- 前記接着剤層の厚みが10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用フレキシブル基板。
- 請求項1または2に記載の半導体装置用フレキシブル基板に電子部品を実装してなる半導体装置。
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-
2010
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