JP6459019B2 - 封止用積層シートおよびその製造方法ならびに封止用積層シートを用いて封止された実装構造体およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の電子部品を一括封止するための積層シートおよびこれを用いて封止された実装構造体に関する。

回路基板には様々な電子部品が搭載されている。これらの電子部品の多くは、電磁波の影響を低減するために、導電性材料を含むシールド層で覆うことが望ましい。そこで、複数の電子部品と回路基板をモジュール化する際には、絶縁性の樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積み重ねた積層シートを形成し、これにより、回路基板に搭載された電子部品を封止することが提案されている（特許文献１）。

特許文献１の樹脂膜は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなり、かつ複数の高さの異なる電子部品を同時に埋設させるだけの十分な厚みを有している。樹脂膜の厚さは、例えば、最大の高さを有する電子部品の高さよりも０．１ｍｍ程度厚く形成される。また、導電膜は、樹脂膜の外側から、樹脂膜全面を覆うことにより、シールド効果を発揮している。

特開２０００−２２３６４７号公報

シールド効果を発揮する導電性材料は高価であり、実装構造体の製造コストを増大させる要因となる。しかし、特許文献１のように、従来の実装構造体では、導電膜は、樹脂膜の外側から、樹脂膜全面を覆っている。よって、導電性材料の使用量を低減してコスト削減することが困難である。

また、従来の実装構造体では、最大の高さを有する電子部品の高さよりも樹脂膜の厚さが大きく、かつ樹脂膜の外側に、更に所定厚さを有する導電膜が形成されている。このため、高さの低い電子部品と導電膜との間には、厚い樹脂膜が介在することになり、電子部品と導電膜との距離が大きくなる。従って、シールド効果の低減を避けるために、導電膜の厚さも大きくする必要がある。これにより、導電膜にかかるコストが更に増大するとともに、モジュールの高さが高くなり、低背化にも不利となる。

一方、電子部品モジュールに中空の空間を必要とする電子部品（ＲＦＩＣ、ＳＡＷなど）が含まれる場合、確保しようとする空間に封止材料が侵入しないように工夫する必要がある。そこで、予め電子部品を加工して、中空の空間を保持したパッケージを形成することが行われている。しかし、電子部品の加工には手間がかかり、コスト削減は更に困難となっている。また、微小化の傾向を強める電子部品においては、基板上に配列される電子部品同士の間隔は一層狭くなる傾向にある。基板との間に中空の空間を必要とする電子部品の場合、その空間を確保するために電子部品が嵩高くならざるを得ない。

上記に鑑み、本発明の一局面は、未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域を有し、絶縁性を有する第１層と、未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層と、前記第１層と前記第２層との間に選択的形状で配置された導電性材料と、を有し、前記第１領域の２５℃における伸び率が、５０〜３０００％である、封止用積層シートに関する。

本発明の別の局面は、（i）未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域を有し、絶縁性を有する第１層を形成する工程と、（ii）未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層を形成する工程と、（iii）前記第１層および／または前記第２層の表面に、導電性材料を選択的形状で配置する工程と、を有し、前記第１領域の２５℃における伸び率が、５０〜３０００％である、封止用積層シートの製造方法に関する。

本発明の別の局面は、回路基板と、それぞれ実装面を前記回路基板の表面に対向させて前記回路基板の表面に実装された第１電子部品および第２電子部品と、前記第１電子部品および前記第２電子部品を封止する保護層と、を具備し、前記保護層は、第１熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む第１ａ領域を有し、絶縁性を有し、かつ前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆うＡ層と、導電性材料を含み、かつ前記第１電子部品および／または前記第２電子部品を覆う選択的形状のシールド層と、第２熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み、前記Ａ層および前記シールド層を介して前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆うＢ層と、を有し、前記第１ａ領域は、少なくとも前記第１電子部品を覆っている、実装構造体に関する。

本発明の更に別の局面は、（I）回路基板と、それぞれ実装面を前記回路基板の表面に対向させて前記回路基板の表面に実装された第１電子部品および第２電子部品と、を具備し、前記第１電子部品の前記実装面と前記回路基板との間に、中空の空間を有する実装構造体の前駆体を準備する工程と、（II）上記の封止用積層シートを準備する工程と、（III）前記積層シートの前記第１層側が、前記第１電子部品および前記第２電子部品と対向するように、前記積層シートを前記実装構造体の前駆体に配置する工程と、（IV）減圧雰囲気中で、前記積層シートを前記回路基板に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱することにより、前記第１電子部品および前記第２電子部品を封止する保護層を形成する工程と、を具備し、前記工程（IV）において、前記第１ａ領域が少なくとも前記第１電子部品を覆うように、前記第１層により、前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆うＡ層を形成し、前記導電性材料により、前記第１電子部品および／または前記第２電子部品を覆う選択的形状のシールド層を形成し、前記第２層により、前記Ａ層および前記シールド層を介して前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆う前記Ｂ層を形成する、実装構造体の製造方法に関する。

本発明によれば、例えば、中空の空間が形成されるように封止すること（以下、中空封止）が必要な電子部品を含む複数種の電子部品を一括封止することができるとともに、優れたシールド効果を有する積層シートを低コストで提供することができる。このような積層シートを用いることによって、優れた性能の実装構造体もしくは電子部品モジュールを低コストで提供することができる。また、基板上に狭ピッチで配列された複数の電子部品および／または嵩高チップを含む複数の電子部品を一括封止することも容易となる。

一括封止される前の電子部品が搭載された回路基板の一例の外観を模式的に示す上面図である。 一実施形態に係る積層シートの外観を模式的に示す上面図である。 同積層シートのIII−III線矢視断面図である。 別の実施形態に係る積層シートの外観を模式的に示す上面図である。 一実施形態に係る一括封止された電子部品モジュールの外観を模式的に示す上面図である。 別の実施形態に係る一括封止された複数の電子部品モジュールの集合体の外観を模式的に示す上面図である。 図５の電子部品モジュールの内部構造の一部を示すａ−ａ線矢視断面図である。 同電子部品モジュールの内部構造の一部を示すｂ−ｂ線矢視断面図である。 同電子部品モジュールの内部構造の一部を示すｃ−ｃ線矢視断面図である。 同電子部品モジュールの内部構造の一部を示すｄ−ｄ線矢視断面図である。 同電子部品モジュールの内部構造の一部を示すｅ−ｅ線矢視断面図である。 図５の電子部品モジュールの変形例の内部構造の一部を示すａ−ａ線矢視断面図に対応する断面図である。 シールド層とグランド電極との接続状態を示す図５のｆ−ｆ線矢視断面図である。

（１）本実施形態に係る封止用積層シート（以下、単に「積層シート」とも称する。）は、未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域を有し、絶縁性を有する第１層と、未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層と、第１層と第２層との間に選択的形状で配置された導電性材料とを有する。ただし、第１領域の２５℃における伸び率は、５０〜３０００％であり、１００〜１５００％であることが好ましい。ここで、導電性材料の選択的形状とは、当該導電性材料で覆われる電子部品の形状および大きさ、電子部品の数などにより定まる形状である。

本実施形態の積層シートは、回路基板上に搭載された複数の電子部品を一括して封止して、実装構造体もしくは電子部品モジュールを製造する際に用いられる。電子部品は、バンプを介して回路基板に実装される部品でもよく、バンプを介さずに実装される部品でもよい。

導電性材料を、熱硬化性樹脂組成物を含む第１層と第２層の間に介在させることで、熱硬化性樹脂組成物を電子部品の封止材料として利用するとともに、導電性材料をシールド層として利用することができる。また、シールド層は第１層に由来する封止材料だけを介して電子部品と接近した位置に形成されるため、電子部品とシールド層との距離は小さくなり、少量の導電性材料から形成された薄いシールド層でも十分なシールド効果が発揮される。更に、シールド層が薄いことに加え、最大の高さを有する電子部品を基準に封止材料の厚さを決定したり、その上に導電性材料を重ねたりする必要がないため、モジュールの低背化にも有利となる。

次に、導電性材料は、所定の電子部品だけを覆うように、第１層と第２層との間に、選択的形状で配置される。よって、導電性材料の必要量が更に低減し、コストが更に削減される。なお、コスト削減の観点からは、選択的形状で配置される導電性材料の面積は、第１層の面積に対する割合で、８０％以下であり、例えば１〜８０％であることが好ましい。ただし、導電性材料の面積および第１層の面積（もしくは第２層の面積）とは、積層シートをその法線方向から見たときの導電性材料および第１層（もしくは第２層）の投影面積である。

また、第２層の面積は、第1層の面積より大きくてもよく、小さくてもよい。第２層の面積が第１層の面積より大きい積層シートは、例えば、後述のモールドアンダーフィルを行う場合に利用できる。このとき、積層シートの第２層は、アンダーフィル材料を兼ねることができる。

また、第１層の第１領域の２５℃における伸び率が５０〜３０００％と大きいことから、導電性材料が封止温度（積層シートにより電子部品を封止するときの成形温度）で流動性を有する場合には、導電性材料が第１層の伸びに追随して、任意の形状に変形できる。よって、電子部品を搭載した回路基板に、電子部品と接するように積層シートを押圧することで、第１領域もしくは第１層と導電性材料とが、電子部品の形状に沿って変形もしくは延伸し、回路基板との対向面を除く電子部品のほぼ全面を覆うことが容易となる。よって、シールド効果が高められる。第１領域の伸び率が５０％未満になると、一括封止の際に第１層が破れる可能性があり、一括封止が困難となる。

第１領域の１００℃における破断時の伸長粘度は、１０⁵Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、１０⁶〜１０⁹Ｐａ・ｓであることが更に好ましい。これにより、第１層が、更に、電子部品の形状に沿って変形もしくは延伸しやすくなり、流動性を有する導電性材料も電子部品を覆いやすくなる。１００℃での破断時の伸長粘度を１０⁵Ｐａ・ｓ以上とすることで、一括封止の際に第１層の流動性を制御しやすく、例えば過度な流動が防止される。よって、一括封止が容易となる。

第１領域の１００℃における弾性率Ｇ´は、１０³〜１０⁹Ｐａであることが好ましく、１０⁴〜１０⁷Ｐａであることが更に好ましい。上記弾性率がこの範囲であれば、第１熱硬化性樹脂が軟化もしくは硬化する際にも、第１領域もしくは第１層が十分な強度を有することから、電子部品の形状に沿って積層シートが変形する際に、第１層にピンホールが形成されたり、破断したりする可能性が小さくなる。このような第１領域により、回路基板との対向面を除く電子部品のほぼ全面を覆うことにより、電子部品と回路基板との間の空間への封止材料の侵入を阻害することができる。よって、中空封止を容易に行うことができる。また、予め中空の空間を保持した電子部品パッケージを形成する必要がなくなる。

導電性材料の厚さは、１〜４００μｍであることが好ましく、１〜１００μｍであることが更に好ましい。これにより、コストの削減と十分なシールド効果を得ることが容易となる。

第１層の厚さは、１〜５００μｍであることが好ましい。これにより、電子部品と導電性材料との距離を小さくすることができ、少量の導電性材料の使用によって優れたシールド効果を発揮することが容易となる。また、電子部品の中空封止が行われる際に、中空の空間に封止材料が侵入するのを阻害するのに十分な強度を確保しやすくなる。この観点から、第１層の厚さは、２〜４００μｍが更に好ましく、５〜３００μｍがより好ましい。

上記実施形態の好ましい一態様では、導電性材料の一部は、第１層と重ならずに第１層側に露出している。この態様は、例えば、第１層がグランド接続用の孔を有する態様である。このような孔を設けることで、電子部品を積層シートで封止する際に、導電性材料が流動して孔に侵入し、回路基板などに設けられたグランド電極と接触する。これにより、導電性材料から形成されるシールド層とグランド電極との接続が容易に達成される。

グランド電極と導電性材料（シールド層）との接続を達成する手段は、上記に限られない。例えば、回路基板に設けられているグランド電極に、当該グランド電極と導通して回路基板から離れる方向に突出する突起を設けてもよい。このような突起は、電子部品を搭載した回路基板に積層シートを押圧する際に、積層シートの第１層を貫通する。これにより、突起と導電性材料との接続が達成される。

上記実施形態の好ましい一態様では、導電性材料は、複数の選択的形状を含む規則的なパターンで第１層と第２層との間に配置されている。このような積層シートは、複数の電子部品モジュールを一括封止する際に使用される。一括封止の後、封止されたモジュールは個片化される。

上記実施形態の一態様では、第１層が、第１領域とは異なる第２領域を有している。第２領域は、第１領域の伸び率の要件を満たさない領域であり、例えば２５℃における伸び率が５０％未満の領域である。すなわち、第１層は、第１領域のみで構成されてもよいが、互いに物性の異なる第１領域と第２領域とで構成されてもよい。また、第２領域は異なる物性の２種以上の領域を有してもよい。つまり、第１層は、３種以上の異なる物性を有する領域を含むことができる。

第２領域は、熱硬化性樹脂組成物（第３熱硬化性樹脂組成物）を含む。第２領域は、第１層の一部であるため、当然に絶縁性を有する。第２領域は、例えば、第１層の中空封止を要さない電子部品を覆う部分に配置される。すなわち、第１層のうち、第１領域は、少なくとも中空封止を要する電子部品を覆い、第２領域は、例えば、中空封止を要さない電子部品を覆う。

第１層は、単層構造でもよく、多層構造でもよい。換言すれば、第１領域および／または第２領域は、単層構造でもよく、多層構造でもよい。単層構造とは、積層シートの一方の表面から他方の表面までの領域が同じ物性を有する構造であり、多層構造とは、一方の表面から他方の表面までの領域の物性が厚さ方向に沿って段階的に変化する構造である。

（２）次に、本実施形態に係る封止用積層シートの製造方法は、（i）未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域（第１領域の２５℃における伸び率は、５０〜３０００％である）を有し、絶縁性を有する第１層を形成する工程と、（ii）未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層を形成する工程と、（iii）第１層および／または第２層の表面に、導電性材料を選択的形状で配置する工程とを有する。

第１層を形成する工程（i）、第２層を形成する工程（ii）および導電性材料を配置する工程（iii）の順序は限定されない。導電性材料（層）は、第１層を形成した後、第１層の表面に配置してもよく、第２層を形成した後、第２層の表面に配置してもよい。第１層および第２層のそれぞれの表面に導電性材料（層）の一部を配置し、これらを第１層と第２層との間に挟み込んでもよい。また、第１層または第２層を形成した後、その表面に導電性材料（層）を配置し、導電性材料（層）が付与された層の表面に、他方の層を形成し、積層化してもよい。

上記実施形態の一態様では、第１層と第２層とを形成した後、導電性材料を挟み込むように、第１層と第２層とを積層し、第１層、第２層および導電性材料が一体化される。このような一体化は、第１層と第２層とを、対ローラやプレス装置などにより圧着する方法により行うことができる。

上記実施形態の別の一態様では、工程（i）が、第１熱硬化性樹脂組成物を含む液状組成物を調製し、液状組成物から薄膜状の前記第１領域を形成することを含む。液状組成物は特に限定されないが、例えば、第１熱硬化性樹脂組成物および溶剤を含むワニスであり得る。この場合、工程（i）は、（i-i）第１熱硬化性樹脂組成物および溶剤を含むワニスを調製し、（i-ii）ワニスから薄膜を形成し、（i-iii）薄膜から溶剤を除去して第１領域を形成することを含む。このように、工程（i-i）で第１熱硬化性樹脂組成物をワニス化することで、工程（i-ii）で均一な組成を有し、かつ非常に薄い膜を形成することが容易となる。よって、モジュールの低背化に適し、かつ緻密な第１層を得ることができる。

工程（i-i）では、第１熱硬化性樹脂組成物と溶剤とを混合し、樹脂成分を溶剤に溶解させることが好ましい。第１熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂を含む場合、エポキシ樹脂はＡステージであることが好ましい。Ａステージとは、反応が進んでおらず、溶剤に可溶な状態である。

次に、工程（i-ii）では、例えば、ダイ、ロールコーター、ドクターブレードなどを用いて、剥離性基材もしくは予め作製された第２層の導電性材料が付与された面に、ワニスを塗工して、薄膜化すればよい。ワニスの塗工方法にもよるが、ワニスの塗工時の粘度は、１０〜１００００ｍＰａ・ｓとなるように調整することが好ましい。

その後、工程（i-iii）で、脱溶剤のために、薄膜を７０〜１５０℃で、１〜１０分間乾燥すればよい。このとき、第１層は、例えば、５〜３００μｍであることが望ましい。また、第１層を含む積層シートの厚みは、電子部品と回路基板との間の隙間と、電子部品の高さとの合計をＬとするとき、Ｌの０．５〜２倍の厚さを有することが好ましく、Ｌの１．５倍以下の厚さを有することが更に好ましい。

例えば、回路基板に弾性表面波デバイス（ＳＡＷ）が搭載されている場合、ＳＡＷの高さは、一般に２００〜４００μｍである。また、ＳＡＷが具備するバンプの高さ（すなわち回路基板とＳＡＷチップとの間の隙間の大きさ）は、一般に２０〜８０μｍである。このとき、回路基板に搭載されているＳＡＷの高さが最も大きいと仮定すると、積層シートの厚さは、１１０〜９６０μｍであることが好ましく、２２０〜７２０μｍであることが更に好ましい。

上記実施形態の工程（i）の別の一態様は、例えば、（i−iａ）第１熱硬化性樹脂組成物およびゲル化剤を含む無溶剤ペーストを調製し、（i−iiａ）ペーストから薄膜を形成し、（i−iiiａ）薄膜をゲル化させることにより第１領域を形成することを含む。また、上記実施形態の工程（i）の更に別の一態様は、（i−iｂ）第１熱硬化性樹脂組成物を含む無溶剤ペーストを調製し、（i−iiｂ）ペーストから薄膜を形成し、（i−iiiｂ）薄膜を半硬化させることにより第１領域を形成することを含む。

上記製造方法では、導電性材料の一部が第１層と重ならずに第１層側に露出するように、第１層に開口（グランド接続用の孔）を形成してもよい。このような開口は、レーザ加工機による加工、プレス、パターン形成ができる印刷などにより形成することができる。開口の最大径は、例えば５〜４００μｍである。

導電性材料は、封止温度（成形温度）で流動性を有することが好ましく、例えば、導電性粉末を含むペーストであることが好ましい。導電性材料が流動性を有することで、電子部品の形状に追随しやすくなり、上記のような開口を設ける場合には、開口を通過してグランド電極に達することも容易となる。このようなペーストは、導電性粉末と熱硬化性樹脂とを含む熱硬化性樹脂組成物（第４熱硬化性樹脂組成物）であることが好ましい。導電性材料を選択的形状に塗布するには、印刷法などを用いればよい。

（３）次に、本実施形態に係る実装構造体は、回路基板と、それぞれ実装面を回路基板の表面に対向させて回路基板の表面に実装された第１電子部品および第２電子部品と、第１電子部品および第２電子部品を封止する保護層と、を具備する。
ここで、保護層は、第１熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む第１ａ領域を有し、絶縁性を有し、かつ第１電子部品および第２電子部品を覆うＡ層と、導電性材料を含み、かつ第１電子部品および／または第２電子部品を覆う選択的形状のシールド層と、第２熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み、Ａ層およびシールド層を介して第１電子部品および第２電子部品を覆うＢ層とを有する。ただし、第１ａ領域は、少なくとも第１電子部品を覆っている。第１ａ領域の弾性率Ｇ´（硬化後）は、例えば、２５℃において１ＧＰａ以上であり、かつ１００℃において０．５ＭＰａ以上である。

ここで、Ａ層は、第１層の硬化物であり、第１ａ領域は、第１領域の硬化物である。シールド層は、導電性材料が熱硬化性樹脂組成物である場合には、導電性材料の硬化物である。Ｂ層は、第２層の硬化物である。なお、積層シートの場合と同様に、Ａ層は、第１ａ領域以外の第２ａ領域を有してもよい。第２ａ領域は、第２領域の硬化物である。

第１ａ領域の２５℃における弾性率Ｇ´は、１ＧＰａ〜５０ＧＰａであることが好ましい。第１ａ領域の１００℃における弾性率Ｇ´は、１ＭＰａ〜４０ＧＰａであることが好ましい。ただし、第１ａ領域の各温度での弾性率Ｇ´は、硬化前の第１領域の同温度での弾性率Ｇ´より大きくなる。第１ａ領域が上記条件を満たすことで、信頼性の高い一括封止が可能となる。

第１ａ領域は、少なくとも第１電子部品を覆っている。よって、第１電子部品は、中空封止を要する電子部品である。第１ａ領域は、第１電子部品とともに第２電子部品を覆ってもよい。従って、第２電子部品も中空封止を要する電子部品であってもよい。なお、第２電子部品が中空封止を要さない電子部品である場合でも、第１ａ領域が第２電子部品を覆うことで、第１ａ領域に接するシールド層により、回路基板との対向面を除く第２電子部品のほぼ全面を覆うことが容易となる。

上記実施形態の好ましい一態様において、シールド層は、第１電子部品および前記第２電子部品を覆っている。これにより、電子部品モジュールの性能を向上させることができる。

上記実施形態の別の一態様では、シールド層は、第１電子部品および第２電子部品の一方を覆い、他方を覆っていない。電子部品の中には、電磁波の影響を受けにくいものもあるため、必ずしも全ての電子部品をシールド層で覆う必要はないからである。

第１電子部品が中空封止されている場合、第１電子部品の実装面と回路基板との間には、第１ａ領域により囲われ、保護層が侵入しない中空の空間が存在する。第２電子部品が中空封止されている場合にも、第２電子部品の実装面と回路基板との間には、第１ａ領域により囲われ、保護層が侵入しない中空の空間が存在する。ここで、中空の空間に侵入することを防止すべき保護層とは、主に、第２層に由来するＢ層である。第１層に由来するＡ層は、伸び率が大きいため、中空封止される電子部品のように嵩高な電子部品であっても、良好な封止状態を確保できる。また、回路基板と電子部品との隙間には、第２層（Ｂ層）が侵入しにくくなる。

上記実施形態の別の一態様では、第２電子部品の実装面と回路基板との間に、保護層が侵入している。この場合、第２電子部品は、第１ａ領域により覆われず、第２ａ領域に覆われていることが好ましい。第２ａ領域の原料である第３熱硬化性樹脂組成物は、電子部品と回路基板との間の隙間に侵入しやすいアンダーフィル材料として適した配合とすればよい。

上記実施形態の好ましい別の一態様では、回路基板の表面に複数の第１電子部品および複数の第２電子部品が規則的なパターンで実装されており、シールド層が、複数の第１電子部品および／または複数の第２電子部品の配置に対応して、複数の選択的形状を含む規則的なパターンで形成されている。このような実装構造体は、複数の電子部品モジュールの集合体であり、個片化して用いられる。すなわち、本実施形態に係る実装構造体は、複数の電子部品を一括封止して得られる電子部品モジュールだけでなく、複数の電子部品モジュールを一括封止して得られる複数の電子部品モジュール集合体を包含する。

上記実装構造体に、中空封止される電子部品が含まれる場合、当該電子部品の底面（回路基板との対向面）と回路基板との間の隙間と、電子部品の高さ（バンプなどを除く正味の厚さ）との合計は、例えば１００μｍ以上である。また、互いに最近接する電子部品同士の間隔は、例えば最大でも５００μｍである。更に、最少の電子部品の面積（電子部品を回路基板の法線方向から見たときの電子部品の投影面積）は、例えば０．０１ｍｍ²である。本実施形態によれば、このように嵩高い電子部品が含まれ、かつ複数の電子部品が狭ピッチで配列される構造であっても、良好な封止が可能である。

上記実装構造体において、回路基板の表面にグランド電極が設けられている場合には、シールド層の一部を、Ａ層に設けたグランド接続用の孔からＡ層側に露出させ、当該グランド電極に接続することができる。

（４）次に、本実施形態に係る実装構造体の製造方法は、（I）実装構造体の前駆体（積層シートで封止される前の電子部品モジュールなど）を準備する工程と、（II）本実施形態に係る積層シートを準備する工程と、（III）積層シートを実装構造体の前駆体に配置する工程と、（IV）減圧雰囲気中で、積層シートを回路基板に対して押圧（例えば熱プレス）するとともに、積層シートを加熱することにより、保護層を形成する工程とを具備する。このとき、プレス圧力は、例えば０．０５〜５０ＭＰａが好ましく、０．１〜３０ＭＰａが好ましい。

工程（III）では、積層シートの第１層側が、第１電子部品および第２電子部品と対向するように、積層シートが実装構造体の前駆体に配置される。これにより、第１電子部品および第２電子部品が一括して積層シートに覆われる。

工程（IV）では、例えば０．００１〜０．０５ＭＰａの減圧雰囲気中で、例えば５０〜２００℃（好ましくは１２０〜１８０℃）で、１秒〜３００分（好ましくは６０分〜３００分）の加熱を行い、積層シート中の熱硬化性樹脂を硬化させることにより、第１電子部品および第２電子部品を封止する保護層が形成される。熱プレスと積層シートの硬化とは、別々に実施してもよく、同時に実施してもよい。例えば、減圧雰囲気下、積層シートに含まれる熱硬化性樹脂の硬化温度未満で熱プレスした後、減圧を解除して、大気圧下で更に高温に加熱して、熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。また、減圧雰囲気下で、硬化温度で熱プレスすることにより、減圧中に熱硬化性樹脂を硬化させてもよい。減圧雰囲気下で熱プレスすることにより、積層シートは各電子部品間から回路基板の表面に達するまで伸展することが容易となり、各電子部品の封止の信頼性を高めることができる。

ここで、実装構造体の前駆体は、回路基板と、それぞれ実装面を回路基板の表面に対向させて回路基板の表面に実装された第１電子部品および第２電子部品とを具備し、例えば第１電子部品の実装面と回路基板との間には、中空の空間を有する。

よって、工程（IV）では、第１ａ領域が少なくとも第１電子部品を覆うように、第１層により、第１電子部品および第２電子部品を覆うＡ層が形成される。また、導電性材料により、第１電子部品および／または第２電子部品を覆う選択的形状のシールド層が形成される。更に、第２層により、Ａ層およびシールド層を介して第１電子部品および第２電子部品を覆うＢ層が形成される。

上記実施形態の好ましい一形態では、回路基板の表面に複数の第１電子部品および複数の第２電子部品が規則的なパターンで実装されている。また、積層シートの導電性材料は、複数の第１電子部品および／または複数の第２電子部品の配置に対応して、複数の選択的形状を含む規則的なパターンで配置されている。これにより、工程（IV）において、複数の第１電子部品および複数の第２電子部品を覆うＡ層、複数の第１電子部品および／または複数の第２電子部品を覆うシールド層、ならびにＡ層およびシールド層を介して複数の第１電子部品および複数の第２電子部品を覆うＢ層が一括して形成される。

工程（IV）を経ることにより、実装構造体の前駆体が有する中空の空間は、第１ａ領域により囲われることになり、中空のまま保持される。

また、積層シートにおいて、導電性材料の一部が、第１層と重ならずに第１層側に露出しており、かつ回路基板の表面にグランド電極が設けられているときは、工程（IV）において、導電性材料の一部が流動してグランド電極に到達し、両者の接続が達成される。これにより、グランド電極と接続されたシールド層を形成することができる。

上記のように、積層シートにより複数の電子部品を一括封止する場合、保護層の全体的な厚さを薄く形成することが可能である。よって、保護層の最も薄い部分の厚さは、例えば３００μｍ以下であり、１０μｍ〜２００μｍとすることも可能である。なお、保護層の最も薄い部分は、回路基板に搭載されている第１電子部品および第２電子部品のうち、最も嵩高い電子部品を封止する部分（当該電子部品の最上部を封止する部分）に形成される。

以下、実装構造体の各構成要素について、更に詳述する。
（シールド層）
シールド層は、周囲から電子部品への電磁波の影響を低減するため、あるいは電子部品自身から周囲への影響を低減するために設けられる。シールド層は、導電性材料を含む。導電性材料としては、柔軟な金属箔、金属めっき層、柔軟な金属メッシュなどを用いることもできるが、導電性粉末を含むペーストを用いることが好ましい。例えば、導電性粉末と熱硬化性樹脂とを含む流動性を有する熱硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、第１層および／または第２層にも使用可能な熱硬化性樹脂を硬化剤などと組み合わせて用いることができる。

導電性粉末としては、銀、銅、ニッケルなどの金属粉末や炭素粉末を用いることができる。これらのうちでは、銀粉末が好ましい。一方、銀粉末は高価であるため、その使用量を低減することが特に望まれる。これに対し、本実施形態によれば、導電性材料もしくはシールド層を、電子部品の種類、形状、個数、配置等に応じて、選択的形状で設けることができる。すなわち、導電性材料を第１層および／または第２層の表面全面に塗布するのではなく、選択された領域だけに、選択された電子部品だけを覆い得る形状で塗布する。

本来、シールド層は、全ての電子部品に設けることが高性能を確保する観点から好ましい。しかし、コスト削減の観点から、一部の電子部品を選択してシールド層を設ける場合もある。例えば第１電子部品は、中空封止を要する電子部品であり、少なくともＡ層の第１領域で覆われているが、必ずしもシールド層で覆う必要はない。一方、一部の電子部品は、中空封止を要さないが、シールド層で覆う必要がある。上記実施形態に係る積層シートは、そのような場合にも、全ての電子部品を一括封止することができ、製造プロセスが簡略化される。このように、本実施形態はシールド層を選択的に設ける点に大きな特徴がある。

（電子部品）
中空封止を要する部品としては、ＲＦＩＣ、ＳＡＷ、センサーチップ（加速度センサー等）、圧電振動子チップ、水晶振動子チップ、ＭＥＭＳデバイスなどが挙げられる。このような電子部品を用いる場合、機能素子の活性面が保護層で封止されないようにしなければならない。例えば、ＳＡＷの活性面には、弾性表面波電極が形成されており、その機能を発揮させるためには、電極面を中空の空間に露出させる必要がある。

なお、回路基板に搭載される前から、既に機能面が中空封止されている電子部品を用いる場合には、積層シートを用いて電子部品を封止する際に、更に中空封止する必要はない。よって、このような電子部品は、本実施形態では第２電子部品に分類される。

シールド層を設けることがより好ましい電子部品としては、ＲＦＩＣ、ＳＡＷ、ＦＢＡＲ、ＢＡＷ、チップ多層ＬＣフィルタ、誘電体フィルタ、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）などが挙げられる。一方、コンデンサなどは、必ずしもシールド層を形成する必要はない。

以上の電子部品は、（ａ）第１ａ領域で覆われることにより中空封止されており、シールド層で覆われている電子部品、（ｂ）中空封止されておらず、シールド層で覆われている電子部品、（ｃ）第１ａ領域で覆われることにより中空封止されており、シールド層で覆われていない電子部品、（ｄ）中空封止されておらず、シールド層で覆われていない電子部品、の４タイプに分類することができる。

上記のうち、第１電子部品に分類され得るのは（ａ）と（ｃ）のタイプであり、第２電子部品に分類され得るのは（ａ）以外のタイプである。いずれのタイプの第１電子部品と第２電子部品との組み合わせの場合にも、上記実施形態に係る積層シートにより、一括封止することができる。

本実施形態に係る実装構造体もしくは電子部品モジュールは、上記（ａ）と（ｂ）のタイプの組み合わせ、上記（ａ）と（ｃ）のタイプの組み合わせ、上記（ａ）と（ｄ）のタイプの組み合わせ、上記（ｂ）と（ｃ）のタイプの組み合わせ、のいずれかを含む。たとえば、ＳＡＷとＭＬＣＣとコンデンサとの組み合わせ、ＲＦＩＣとＭＬＣＣとコンデンサとの組み合わせ、ＲＦＩＣとＳＡＷとＭＬＣＣとコンデンサとの組み合わせを含む電子部品モジュールが上記組み合わせに該当する。

中空封止されていない電子部品（第２電子部品）には、（ｘ）Ａ層の第１ａ領域で覆われている場合、（ｙ）第２ａ領域で覆われている場合、（ｚ）Ａ層で覆われていない場合、の３タイプがある。

（ｘ）〜（ｚ）のいずれの場合にも、上記実施形態に係る積層シートにより、一括封止することができる。ただし、（ｚ）の場合、積層シートは第２層だけの領域を部分的に有することになる。このとき、回路基板と第２電子部品との間に空隙が存在する場合には、空隙にＢ層が充填されてもよい。すなわち、本実施形態は、積層シートがアンダーフィル材料を兼ねるモールドアンダーフィルを包含する。なお、第２電子部品は、積層シートによる一括封止の前に予めアンダーフィルを充填したアンダーフィル部品であってもよい。

（第１層およびＡ層）
第１層は、２５℃における伸び率が５０〜３０００％、好ましくは１００〜１５００％である第１領域を有することから、薄膜化されても引っ張り張力による破れを生じにくい。よって、電子部品を搭載した回路基板に積層シートを押圧したときに、第１領域は、電子部品の回路基板との対向面を除くほぼ全面を覆うように延伸する。よって、第１層は、これに隣接するシールド層により電子部品のほぼ全面を覆うための、また、一部の電子部品を中空封止するための、重要な役割を担う。このような第１層を有する積層シートを用いることにより、信頼性よく、かつ歩留まりよく、中空封止を要する電子部品を含む微小な複数の電子部品を一括封止することができる。

（第１熱硬化性樹脂組成物）
第１層の第１領域を構成する第１熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、ユリア樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもエポキシ樹脂が好ましい。

熱硬化性樹脂は、未硬化状態でもよく、半硬化状態でもよい。半硬化状態とは、熱硬化性樹脂がモノマーおよび／またはオリゴマーを含む状態であり、熱硬化性樹脂の三次元架橋構造の発達が不十分な状態をいう。半硬化状態の熱硬化性樹脂は、室温（２５℃）では溶剤に溶解しないが硬化は不完全な状態、いわゆるＢステージであることが望ましい。

エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式脂肪族エポキシ樹脂、有機カルボン酸類のグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、プレポリマーであってもよく、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂と他のポリマーとの共重合体であってもよい。これらのうちでは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および／またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が、耐熱性および耐水性に優れ、かつ安価である点で好ましい。

エポキシ樹脂は、樹脂組成物の粘度調節のために、エポキシ基を分子中に１つ有する１官能エポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全体に対して０．１〜３０質量％程度含むことができる。このような１官能エポキシ樹脂としては、フェニルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、エチルジエチレングリコールグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエングリシジルエーテル、２−ヒドロキシエチルグリシジルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

第１熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤を含むことができる。硬化剤は、特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤（フェノール樹脂等）、ジシアンジアミド系硬化剤（ジシアンジアミド等）、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤、酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤などを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化剤の種類は、熱硬化性樹脂に応じて適宜選択される。中でも、硬化時の低アウトガス性、耐湿性、耐ヒートサイクル性などの点から、フェノール系硬化剤を用いることが好ましい。

硬化剤の量は、硬化剤の種類によって異なる。ただし、エポキシ基１当量あたり、硬化剤の官能基の当量数が０．００１〜２当量、更には０．００５〜１．５当量となる量の硬化剤を用いることが好ましい。

なお、ジシアンジアミド系硬化剤、尿素系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、ポリアミン塩系硬化剤、アミンアダクト系硬化剤は、潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤の活性温度は、６０℃以上、更には８０℃以上であるのが好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。これにより、活性温度以上で迅速に硬化する熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。

第１熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤は、特に限定されないが、変性イミダゾール系硬化促進剤、変性脂肪族ポリアミン系促進剤、変性ポリアミン系促進剤などが挙げられる。硬化促進剤は、エポキシ樹脂などの樹脂との反応生成物（アダクト）として使用することが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の活性温度は、保存安定性の点から、６０℃以上、更には８０℃以上が好ましい。また、活性温度は、２５０℃以下、更には１８０℃以下であるのが好ましい。

ここで、活性温度とは、潜在性硬化剤および／または硬化促進剤の作用により、熱硬化性樹脂の硬化が急速に早められる温度である。

硬化促進剤の量は、硬化促進剤の種類によって異なる。通常、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。なお、硬化促進剤をアダクトとして使用する場合、硬化促進剤の量は、硬化促進剤以外の成分（エポキシ樹脂など）を除いた硬化促進剤の正味の量を意味する。

第１熱硬化性樹脂組成物は、上記以外の第三成分を含んでもよい。第三成分としては、熱可塑性樹脂、無機フィラー、重合開始剤、難燃剤、顔料、シランカップリング剤、チキソ性付与剤などを挙げることができる。

熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン、ポリウレタン、ブロックイソシアネート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、ポリアミド、塩化ビニル、セルロースなどが挙げられる。中でも、第１熱硬化性樹脂組成物は、ポリエステル樹脂を含むことが好ましい。ポリエステル樹脂の量は、エポキシ樹脂１００質量部あたり、５〜２００質量部が好ましく、１０〜１５０質量部が特に好ましい。また、第１熱硬化性樹脂組成物は、ブロックイソシアネートを含むことが好ましく、特にＮＣＯ当量３００〜１０００のブロックイソシアネートを含むことが好ましい。

無機フィラーとしては、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素などを挙げることができる。無機フィラーの平均粒径は、第１層の厚さより小さいことが好ましく、体積粒度分布の累積体積５０％における粒径（Ｄ５０）は、例えば０．０１〜１００μｍである。無機フィラーの量は、エポキシ樹脂１００質量部あたり、１〜５０００質量部が好ましく、１０〜３０００質量部がより好ましい。

重合開始剤は、光照射および／または加熱により、硬化性を発現する。重合開始剤としては、ラジカル発生剤、酸発生剤、塩基発生剤などを用いることができる。具体的には、ベンゾフェノン系化合物、ヒドロキシケトン系化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、芳香族スルホニウム塩、脂肪族スルホニウム塩などのスルホニウム塩などを用いることができる。重合開始剤の量は、エポキシ樹脂１００質量部あたり、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。

第１熱硬化性樹脂組成物および溶剤を含むワニスを調製する場合、溶剤は特に限定されないが、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤などを用いることができる。より具体的には、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ)などを挙げることができる。

溶剤の量は、第１熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分１００質量部あたり、１〜２００００質量部が好ましい。ここで、樹脂成分とは、溶剤に溶解する成分であり、例えば、熱硬化性樹脂、硬化剤（潜在性硬化剤を含む）、硬化促進剤および第三成分に含まれ得る熱可塑性樹脂などである。

第１層が、第１領域と第２領域を有する場合（Ａ層が第１ａ領域と第２ａ領域を有する場合）には、例えば、上記方法でワニスから第１層を形成した後、その一部を除去し、除去された部分に第３熱硬化性樹脂組成物を充填すればよい。このような充填は、例えばスクリーン印刷により行うことができる。

（第２層およびＢ層）
第２層は、積層シートの多くの割合を占める部分であり、従来の一般的な封止材料に対応する部分である。第２層を構成する第２熱硬化性樹脂組成物は、所望の機能を有するように適宜配合される。通常、第２熱硬化性樹脂組成物には、透湿性および流動性を制御する観点から、無機フィラーが配合される。

第２熱硬化性樹脂組成物の各成分は、既に述べた第１熱硬化性樹脂組成物の構成成分から適宜選択すればよい。各成分の配合割合についても、上記と同様である。なお、第２領域を形成する第３熱硬化性樹脂組成物や導電性粉末を含むペーストを構成する第４熱硬化性樹脂組成物についても同様である。

次に、図面を参照しながら説明する。
図１は、一括封止される前の電子部品が搭載された回路基板１０（すなわち実装構造体の前駆体）の一例の外観を模式的に示す上面図である。回路基板１０の上面には、電子部品として、第１ＲＦＩＣ２１、第１ＭＬＣＣ２２、第１ＳＡＷ２３、第２ＲＦＩＣ２４、第２ＭＬＣＣ２５および第２ＳＡＷ２６が搭載されており、これらが集合して１つの電子部品モジュールを形成している。

図２は、上記複数の電子部品を一括封止するための積層シート３０の外観を模式的に示す上面図であり、図３は、概念的な積層シート３０のIII−III線矢視断面図である。積層シート３０は、第１層３１と、第２層３２と、これらの間に介在する選択的形状の導電性材料３３とで構成されている。ただし、第１層３１の一部は切り欠かかれており、積層シートの一部は第２層のみからなる領域（図２右下の破線で囲まれた領域）を有する。更に、第1層３１は、グランド接続用の孔４０を有する。孔４０の存在により、導電性材料３３の一部は第１層と重なることなく第１層側に露出している。

図４は、複数の電子部品モジュールを一括封止するための積層シート３０Ａの外観を模式的に示す上面図である。積層シート３０Ａは、複数の積層シート３０を規定のピッチでマトリックス状に配置した形態である。

図５は、積層シート３０により一括封止された電子部品モジュールの外観を模式的に示す上面図であり、図６は、積層シート３０Ａにより一括封止された複数の電子部品モジュールの集合体の外観を模式的に示す上面図である。

図５に示すように、第２ＲＦＩＣ２４以外の電子部品は、保護層３００のＡ層３１０およびＢ層３２０で封止され、第２ＲＦＩＣ２４はＢ層３２０のみで封止されている。また、回路基板１０の第１ＲＦＩＣ２１および第１ＭＬＣＣ２２を搭載する領域には、選択的にシールド層３３０が設けられている。

図７〜１１は、それぞれ図５の電子部品モジュールの内部構造の一部を示すａ−ａ線矢視断面図、ｂ−ｂ線矢視断面図、ｃ−ｃ線矢視断面図、ｄ−ｄ線矢視断面図およびｅ−ｅ線矢視断面図である。

図７のａ−ａ線矢視断面図は、第１ＲＦＩＣ２１および第１ＭＬＣＣ２２の断面図を示している。第１ＲＦＩＣ２１および第１ＭＬＣＣ２２は、いずれもＡ層３１０で覆われ、かつその上からシールド層３３０で覆われている。これにより、第１ＲＦＩＣ２１の下面と回路基板１０との間には中空の空間が保持されている。また、シールド層３３０と電子部品の間には絶縁性を有するＡ層３１０が介在しているため、電子部品の短絡は起こらない。また、Ｂ層３２０は、回路基板１０の上方の全体を覆っている。

図８のｂ−ｂ線矢視断面図は、第１ＲＦＩＣ２１および第１ＳＡＷ２３の断面図を示している。第１ＳＡＷ２３は、シールド層３３０で覆う必要はないが、中空封止が必要である。よって、第１ＳＡＷ２３は、Ａ層３１０だけで覆われている。

図９のｃ−ｃ線矢視断面図は、第１ＲＦＩＣ２１および第２ＭＬＣＣ２５の断面図を示している。第２ＭＬＣＣ２５は、シールド層３３０で覆う必要も、中空封止も必要ではない。ただし、特に必要がない限り、Ａ層３１０から第２ＭＬＣＣ２５に対応する部分を削除する必要はなく、Ａ層３１０で覆ってしまうことが効率的である。

図１０のｄ−ｄ線矢視断面図は、第２ＳＡＷ２６および第１ＭＬＣＣ２２の断面図を示している。第２ＳＡＷ２６は、シールド層３３０で覆う必要はないが、中空封止が必要である。

図１１のｅ−ｅ線矢視断面図は、第２ＲＦＩＣ２４および第２ＭＬＣＣ２５の断面図を示している。第２ＲＦＩＣ２４は、予め中空封止された部品であり、シールド層３３０で覆う必要も、中空封止も必要ではない。一方、第２ＲＦＩＣ２４と回路基板１０との間にはアンダーフィルが必要である。よって、第２ＲＦＩＣ２４だけは、Ａ層もシールド層も介さずにＢ層で直接封止されている。この形態では、Ｂ層がアンダーフィルの役割も果たしている。

図１２は、図７に示すａ−ａ線矢視断面図の変更例である。この形態では、Ａ層の大半は第２領域３１０ａであり、シールド層３３０を形成すべき領域に対応する領域だけに第１領域３１０ｂが形成されている。

図１３は、図５のｆ−ｆ線矢視断面図であり、シールド層３３０と回路基板１０に設けられているグランド電極４００との接続状態を示している。

以下、実施例により、本発明の実施形態を更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

《実施例１》
（１）電子部品モジュール
ＲＦＩＣ（サイズ：３．５ｍｍ×２．５ｍｍ、バンプを含む高さ０．６５ｍｍ）、ＳＡＷ（サイズ：２．０ｍｍ×２．０ｍｍ、バンプを含む高さ０．３７ｍｍ）およびＭＬＣＣ（サイズ：０．４ｍｍ×０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ）が搭載されたセラミックス製の回路基板（京セラ株式会社製）を準備した。各電子部品の高さは回路基板にはんだ接合された状態での高さである。ＲＦＩＣと回路基板との間には、高さ５０μｍの隙間が形成されており、ＳＡＷと回路基板との間には、高さ８０μｍの隙間が形成されている。最近接するチップ同士の間隔は３００μｍとした。

（２）積層シート
（第１層）
（第１ワニス：第１領域形成用）
エポキシ樹脂（１）１００質量部、硬化剤（１）６３質量部、硬化促進剤（１）１．０質量部、フィラー（１）７５質量部、樹脂Ａ２０質量部、樹脂Ｂ３．５質量部、シランカップリング剤３質量部および微粉シリカ１質量部を含む第１熱硬化性樹脂組成物を、溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と混合し、２５℃での粘度が２００００ｍＰａ・ｓの第１ワニスを得た。

上記材料の詳細を以下に示す。
エポキシ樹脂（１）：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６７）、商品名ｊＥＲ８０７（三菱化学（株）製）
硬化剤（１）：フェノール樹脂（水酸基当量１０６）、商品名Ｈ−１（明和化成工業（株）製）
硬化促進剤（１）：イミダゾール系化合物、商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成工業（株）製）
フィラー（１）：球状溶融シリカ（平均粒径１０μｍ）、商品名ＳＥ−９０２（トクヤマ（株）製）
樹脂Ａ：ポリエステル樹脂（水酸基当量３３００）、商品名ＵＥ−３９８０（ユニチカ株式会社）
樹脂Ｂ：ブロックイソシアネート（ＮＣＯ当量５３８）、商品名ＴＲＩＸＥＮＥ７９９０（（株）ＧＳＩクレオス製）
シランカップリング剤：商品名ＫＢＭ−４０３（信越化学工業（株）製）
微粉シリカ：商品名ＲＹ−２００（日本アエロジル株式会社）

（第２ワニス：第２領域形成用）
エポキシ樹脂（２）１００質量部、硬化剤（１）５８質量部、硬化促進剤（１）１．０質量部、フィラー（１）４７０質量部、シランカップリング剤３質量部および微粉シリカ１質量部を含む第３熱硬化性樹脂組成物を、溶剤であるＰＧＭＥＡと混合し、２５℃での粘度が２００００ｍＰａ・ｓの第２ワニスを得た。

上記材料の詳細を以下に示す。
エポキシ樹脂（２）：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０）、商品名ｊＥＲ８２８（三菱化学（株）製）
硬化剤（１）、硬化促進剤（１）、フィラー（１）、シランカップリング剤および微粉シリカは、上記第１熱硬化性樹脂組成物用と同じ

得られた第１および第２ワニスを用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基材フィルム上に第１層を形成した。具体的には、第１および第２ワニスをスクリーン印刷機で基材フィルム上に塗工して薄膜化し、薄膜を１１０℃で１０分間乾燥させ、乾燥後の厚さが２００μｍの第１層を得た。その際、第１および第２ワニスを塗り分けることにより、第１領域と第２領域とを有する第１層を形成した。第１領域は、電子部品モジュールの中空封止部分（ＲＦＩＣおよびＳＡＷ搭載部分）に対応し、第２領域はそれ以外の部分に対応する。

（第２層）
エポキシ樹脂（３）１００質量部、硬化剤（１）５３質量部、硬化促進剤（２）１．０質量部、フィラー（２）６５０質量部、シランカップリング剤３質量部および微粉シリカ１質量部を含む第２熱硬化性樹脂組成物を、溶剤であるＰＧＭＥＡと混合し、２５℃での粘度が２００００ｍＰａ・ｓの第３ワニスを得た。得られたワニスを第１層と同様の方法で厚さ７００μｍの基材フィルム上に成形し、第２層を得た。

以下に、第２熱硬化性樹脂組成物の各成分の詳細を示す。
エポキシ樹脂（３）：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）、商品名ＥＯＣＮ１０２０−５５（日本化薬（株）製）
硬化促進剤（２）：リン系化合物、ＴＰＰ（サンアプロ（株）製）
フィラー（２）：球状溶融シリカ（平均粒径１０μｍ）、商品名Ｓ４３０（新日鐵住金マテリアルズ（株）製）
硬化剤（１）、シランカップリング剤および微粉シリカは、上記第１熱硬化性樹脂組成物用と同じ

（導電性材料）
エポキシ樹脂（１）１００質量部、硬化剤（１）６３質量部、硬化促進剤（１）１．０質量部、導電性フィラー（銀粉末）１５００質量部、樹脂Ａ２０質量部、樹脂Ｂ３．５質量部およびシランカップリング剤３質量部および微粉シリカ１質量部を含む第４熱硬化性樹脂組成物（銀ペースト）を調製した。銀ペーストを溶剤であるＰＧＭＥＡと混合し、２５℃での粘度が２００００ｍＰａ・ｓの第４ワニスを得た。得られたワニスを、スクリーン印刷機で基材フィルム上に塗工して薄膜化し、薄膜を１１０℃で１０分間乾燥させ、乾燥後の厚さが５０μｍの導電性材料のシートを得た。このシートを第１層の一方の表面に、所定の選択的形状となるように積層した。第１層の面積に対する導電性材料の面積の割合は４０％であった。

以下に、第４熱硬化性樹脂組成物の各成分の詳細を示す。
導電性フィラー：福田金属箔粉（株）の銀粉末（商品名Ａｇ−ＸＦ３０１（平均粒径６μｍ））と、日本アトマイズ加工（株）製の銀粉末（商品名ＨＸＲ−Ａｇ（平均粒径１μｍ））との質量比７５％：２５％の混合物
エポキシ樹脂（１）、硬化剤（１）、硬化促進剤（１）、樹脂Ａ、樹脂Ｂ、シランカップリング剤および微粉シリカは、上記第１熱硬化性樹脂組成物用と同じ

導電性材料が選択的形状で積層された第１層と第２層とを、導電性材料を挟み込むように積層し、全体をプレス装置でプレスして３層を一体化し、積層シートを得た。第１層と第２層の面積は同じとした。

［評価方法］
（１）第１層の第１領域の伸び率
以下の条件で測定した。
サンプル幅：１０ｍｍ
装置：ＡＲＥＳ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）
温度条件：２５℃
モード：一定Ｈｅｎｃｋｙ歪

（２）中空封止の状態
電子部品を搭載した回路基板に、ＲＦＩＣとＭＬＣＣだけが導電性材料で覆われ、ＳＡＷは覆われないように位置合わせして、第１層側が電子部品と接触するように積層シートを配置した。その後、０．０１ＭＰａの減圧雰囲気下で、積層シートを回路基板に対して０.５ＭＰａで押圧しながら１００℃で１分間加熱した。その後、１５０℃で更に３時間加熱し、積層シートを硬化させ、電子部品を一括封止し、実装構造体Ａ１を得た。
以下の基準で評価した。
○：ＲＦＩＣおよびＳＡＷが中空封止されている
×：ＲＦＩＣおよびＳＡＷは中空封止されていない

（３）シールド性能
ＫＥＣ法（治具：アンリツ株式会社製のＭＡ８６０２Ｂ、周波数：１００ｋ〜１ＧＨｚ）により、電磁波シールド性能を評価した。
○：シールド効果３０ｄＢ以上
△：シールド効果１０ｄＢ以上〜３０ｄＢ未満
×：シールド効果１０ｄＢ未満
３０ｄＢ以上のシールド効果が得られる場合、基板および／またはＩＣなどのノイズ源から誘起される輻射ノイズの抑制に有効である。

（４）小型化
従来品である下記の比較例２と比較し、積層シートによる封止後の実装構造体の厚みが薄くなっている場合（低背化ができている場合）を○、厚くなっている場合を×と評価した。

（５）封止プロセス
比較例２に比べ、工程数が少なくなる場合を○、同じか多くなる場合を×と評価した。

《実施例２》
実施例１の銀ペーストのワニスの代わりに、圧延銅箔（厚み９μｍ、ＪＸ日鉱日石金属（株）製）に網目状の切り込みを入れたシートを用いた。その他は、実施例１と同様に積層シートを製造し、電子部品を一括封止し、実装構造体Ａ２を得た。

《比較例１》
第１層に第１領域を設けず、導電性材料を第１層と第２層との間に介在させなかったこと以外、実施例１と同様に積層シートを製造し、電子部品を一括封止した。その後、電子部品を個片化し、ＲＦＩＣおよびＭＬＣＣがカバーできるように金属キャップ（金属層の厚み３００μｍ）を装着して、シールド層を形成し、実装構造体Ｂ１を得た。

《比較例２》
第１層に第２領域を設けず、導電性材料を第１層と第２層との間に介在させなかったこと以外、実施例１と同様に、積層シートＡを製造した。一方、第１層に第１領域を設けず、導電性材料を第１層と第２層との間に介在させなかったこと以外、実施例１と同様に、積層シートＢを製造した。積層シートＡにより、電子部品モジュールのＲＦＩＣとＳＡＷが搭載されている部分を封止するとともに、積層シートＢにより、ＭＬＣＣが搭載されている部分を封止した。その後、積層シートから形成された保護層の全面が覆われるように、スクリーン印刷により、銀ペーストのワニスを印刷し、乾燥させ、導電性材料からなるシールド層（厚さ１００μｍ）を形成し、実装構造体Ｂ２を得た。

実施例１によれば、シールド層を保護層内に設けることができ、かつ複数の電子部品を一括封止できるため、実装構造体の低背化やプロセスの簡略化が可能であり、低コスト化も可能である。また、実施例２では、銀の代わりに銅を用いているため、更なる低コスト化が可能である。

一方、比較例１では、複数の電子部品の一括封止は可能であるが、電子部品モジュールの個片化後に金属キャップを形成する必要がある。よって、工程数が多くなり、実装構造体の小型化および低背化も困難であった。比較例２では、個々のシートで別々のプロセスで電子部品を封止したため、プロセスが煩雑化し、製造コストが高くなった。

本発明によれば、様々な電子部品を一括封止することができ、同時に、電磁波シールドおよび放熱の作用を有するシールド層を設置できる。よって、実装構造体の製造プロセスの簡略化と製造コストの低減が可能である。本発明は、例えば中空封止が必要な部品を含む様々な種類の電子部品を回路基板に搭載した実装構造体の分野において有用である。

１０・・・回路基板、２１・・・第１ＲＦＩＣ、２２・・・第１ＭＬＣＣ、２３・・・第１ＳＡＷ、２４・・・第２ＲＦＩＣ、２５・・・第２ＭＬＣＣ、２６・・・第２ＳＡＷ、３０（３０Ａ）・・・積層シート、３１・・・第1層、３２・・・第２層、３３・・・導電性材料、４０・・・グランド接続用の孔、３００・・・保護層、３１０・・・Ａ層、３１０ａ・・・第２領域、３１０ｂ・・・第１領域、３２０・・・Ｂ層、３３０・・・シールド層、４００・・・グランド電極

Claims (13)

1. 未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域を有し、絶縁性を有する第１層と、
   未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層と、
   前記第１層と前記第２層との間に選択的形状で配置された導電性材料と、を有し、
   前記第１領域の２５℃における伸び率が、５０〜３０００％である、封止用積層シート。
2. 前記導電性材料の一部が、前記第１層と重ならずに前記第１層側に露出している、請求項１に記載の封止用積層シート。
3. 前記導電性材料が、複数の前記選択的形状を含む規則的なパターンで前記第１層と前記第２層との間に配置されている、請求項１または２に記載の封止用積層シート。
4. 前記第１層が、前記第１領域とは異なる第２領域を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の封止用積層シート。
5. （i）未硬化または半硬化の状態の第１熱硬化性樹脂組成物を含む第１領域を有し、絶縁性を有する第１層を形成する工程と、
   （ii）未硬化または半硬化の状態の第２熱硬化性樹脂組成物を含む第２層を形成する工程と、
   （iii）前記第１層および／または前記第２層の表面に、
   導電性材料を選択的形状で配置する工程と、を有し、
   前記第１領域の２５℃における伸び率が、５０〜３０００％である、封止用積層シートの製造方法。
6. 前記第１層と前記第２層とを形成した後、前記導電性材料を挟み込むように、前記第１層と前記第２層とを積層し、前記第１層、前記第２層および前記導電性材料を一体化する工程、を更に有する、請求項５に記載の封止用積層シートの製造方法。
7. 前記工程（i）が、
   （i-i）前記第１熱硬化性樹脂組成物および溶剤を含むワニスを調製し、
   （i-ii）前記ワニスから薄膜を形成し、
   （i-iii）前記薄膜から前記溶剤を除去して前記第１領域を形成する、ことを含む、請求項５または６に記載の封止用積層シートの製造方法。
8. 前記導電性材料の一部が、前記第１層と重ならずに前記第１層側に露出するように、前記第１層に開口を形成する工程、を更に有する、請求項５〜７のいずれか１項に記載の封止用積層シートの製造方法。
9. 前記導電性材料が、導電性粉末を含むペーストである、請求項５〜８のいずれか１項に記載の封止用積層シートの製造方法。
10. （I）回路基板と、それぞれ実装面を前記回路基板の表面に対向させて前記回路基板の表面に実装された第１電子部品および第２電子部品と、を具備し、前記第１電子部品の前記実装面と前記回路基板との間に、中空の空間を有する実装構造体の前駆体を準備する工程と、
    （II）請求項１に記載の封止用積層シートを準備する工程と、
    （III）前記積層シートの前記第１層側が、前記第１電子部品および前記第２電子部品と対向するように、前記積層シートを前記実装構造体の前駆体に配置する工程と、
    （IV）減圧雰囲気中で、前記積層シートを前記回路基板に対して押圧するとともに、前記積層シートを加熱することにより、前記第１電子部品および前記第２電子部品を封止する保護層を形成する工程と、を具備し、
    前記工程（IV）において、
    前記第１ａ領域が少なくとも前記第１電子部品を覆うように、前記第１層により、前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆うＡ層を形成し、
    前記導電性材料により、前記第１電子部品および／または前記第２電子部品を覆う選択的形状のシールド層を形成し、
    前記第２層により、前記Ａ層および前記シールド層を介して前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆う前記Ｂ層を形成する、実装構造体の製造方法。
11. 前記回路基板の前記表面に複数の前記第１電子部品および複数の前記第２電子部品が規則的なパターンで実装されており、
    前記積層シートの前記導電性材料が、前記複数の第１電子部品および／または前記複数の第２電子部品の配置に対応して、複数の前記選択的形状を含む規則的なパターンで配置されており、
    前記工程（IV）において、複数の前記第１電子部品および複数の前記第２電子部品を覆う前記Ａ層、複数の前記第１電子部品および／または複数の前記第２電子部品を覆うシールド層、ならびに前記Ａ層および前記シールド層を介して複数の前記第１電子部品および前記第２電子部品を覆う前記Ｂ層を一括して形成する、請求項１０に記載の実装構造体の製造方法。
12. 前記工程（IV）により、前記中空の空間を前記第１ａ領域により囲うことにより、中空のまま保持する、請求項１０または１１に記載の実装構造体の製造方法。
13. 前記積層シートにおいて、前記導電性材料の一部が、前記第１層と重ならずに前記第１層側に露出しており、かつ前記回路基板の前記表面にグランド電極が設けられており、
    前記工程（IV）において、前記導電性材料の一部を流動させて前記グランド電極に接触させることにより、前記グランド電極と接続された前記シールド層を形成する、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の実装構造体の製造方法。