JP6777423B2 - 電子部品モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の電子部品が電子機器の機能・用途ごとに集約されている電子部品モジュールおよびその製造方法に関する。

電子機器は、近年、多機能化の進展が著しく、小型化や生産効率の向上に伴い、モジュール化が加速している。モジュール化とは、電子機器を機能的なまとまりのある「モジュール」として要素ごとに分割し、各要素間のインターフェースを単純化・ルール化することを意味している。機能的なまとまりをもって集約されている複数の電子部品が電子部品モジュールと呼ばれ、例えば、Bluetooth(登録商標), Wi-Fiなどの無線モジュール、電源回路を一つの要素とした電源管理モジュール、センサおよびセンサ起動回路を一つの要素としたセンサモジュールなど、様々な電子部品モジュールが存在している。

一方、電子機器において、多機能化が進展すると、各モジュールで発生する不要輻射や干渉波が他のモジュールに良くない影響を及ぼすおそれがある。そのため、従来の電子機器では、内部にシールド部材が配置されて不要輻射や干渉波の影響を軽減することが行われていた。例えば、特許文献１には、次のような携帯電話端末が開示されている。この携帯電話端末では、基板の一方に実装されている複数の電子部品のほぼすべてを覆うように磁気シールドシートが配置され、基板の他方にも、その少なくとも電源ラインが配置されている部分を覆うように磁気シールドシートが配置されている。

また、特許文献２には、次のような半導体装置パッケージが開示されている。この半導体装置パッケージでは、基板上に形成されている半導体チップなどの複数の要素を覆う樹脂パッケージ体の表面上に、シード層、第１のシールド層、第２のシールド層および保護層を備えた電磁干渉シールド層が形成されている。

そして、特許文献３には、銅シールドと磁性シートを含むシールドが、コイルユニットを収納するコイルケースの内面に貼り付けられた車両が開示されている。また、特許文献４には、磁気シールド膜とバッファ膜とを含む構造体が複数積層されているヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置が開示されている。

特開２００７−１０４０４９号公報 米国特許第９，２６９，６７３ Ｂ１号明細書 特開２０１４−７５９７５号公報 特開２０１０−２７８４１８号公報

前述した特許文献１に開示されている技術によって、振幅変調波受信機能に影響を与えるノイズが軽減される。また、特許文献２に開示されている技術によって、電磁干渉を引き起こす電磁ノイズが軽減される。

しかしながら、特許文献１に開示されている携帯電話端末では、１つの基板上に機能ごとにグループ化された複数の電子部品が実装され、その各グループがそれぞれ別体の金属製シールドケースによって覆われている。したがって、特許文献１の従来技術では、１枚の基板を形状の異なる複数の金属製シールドケースで覆わねばならないため、携帯電話端末の組み立て作業に手間がかかり、製造を簡略化することが困難であった。また、グループ化された複数の電子部品が１つの基板上に実装されていて、その基板全体に１つの磁気シールドシートが形成されている。複数の電子部品がグループ単位に分けられていない（モジュール化されていない）ため、１つのグループだけを変更、交換するにも基板上のすべてのグループを変更、交換しなければならないから、特許文献１に開示されている携帯電話端末は汎用性に乏しいという課題もあった。

しかも、磁気シールドシートが基板の両面に配置されねばならないから、磁気シールドの存在が端末内部の低背化に影響を及ぼし、携帯電話端末の厚さを薄くすることが困難であるという課題もあった。

一方、電子部品モジュールがインダクタのような電流磁界を発生する電子部品を含むときは、その電流磁界を有効に軽減できるように、多くの磁束が磁気シールドの内側をその断面を貫くように通ること、すなわち、磁束が磁気シールドを貫くことが望ましい。

しかし、例えば、特許文献２の第２のシールド層の厚さを増やして、多くの磁束が第２のシールド層を貫くようにすると、厚みの増加に伴い、第２のシールド層の内部応力が積算され、第２のシールド層が剥離しやすくなるという課題があった。

したがって、従来技術では、磁気シールド層について、磁気ノイズの有効なシールド効果を備えながら剥離しないようにすることが困難であった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、磁気ノイズの有効なシールド効果を備えながら剥離することのない磁気シールド層を有し、電子機器の組み立ておよび製造の簡略化と、低背化への影響が少なく、汎用性の高い構造を備えた電子部品モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、基板と、その基板の一方の側の主表面に形成されている少なくとも一つの電子部品と、封止樹脂を用いてその電子部品を封止するように形成された樹脂モールド層と、その樹脂モールド層の主表面と対向する樹脂表面に形成されている薄膜磁気シールド層とを有し、その薄膜磁気シールド層は、薄膜単位シールド層が複数積層されたシールド多重構造を有する薄膜多重シールド層を有し、薄膜単位シールド層は、軟磁性材料からなる軟磁性層と、その軟磁性層と応力の方向が相違し得る応力相違金属材料からなる応力相違金属層との積層構造を有する電子部品モジュールを特徴とする。

上記電子部品モジュールでは、薄膜単位シールド層が軟磁性層と応力相違金属層との積層構造を有するので、軟磁性層の内部応力が応力相違金属層の内部応力によって相殺されている。薄膜磁気シールド層は、このような薄膜単位シールド層が複数積層されたシールド多重構造を有するので、内部応力が緩和され、しかも、軟磁性層が多重されていることで、磁気ノイズに有効な磁性層全体の膜厚は大きく確保されている。

また、上記電子部品モジュールの場合、薄膜単位シールド層は、軟磁性層の膜厚が応力相違金属層の膜厚よりも大きく、少なくとも応力相違金属層の膜厚の２０倍から６０倍の大きさに設定され、かつ軟磁性層が引張応力を示し、かつ応力相違金属層が圧縮応力を示すように、または軟磁性層が圧縮応力を示し、かつ応力相違金属層が引張応力を示すように形成されたスパッタリング薄膜または蒸着薄膜であることが好ましい。

さらに、薄膜磁気シールド層は、樹脂モールド層の樹脂表面に直に形成されている密着シード層と、その密着シード層と薄膜多重シールド層との間に積層されている電磁波シールド層と、薄膜多重シールド層に直に形成されている保護層とを更に有し、その密着シード層、保護層が応力相違金属材料と同じ金属材料を用いて形成され、かつ電磁波シールド層が、銅、銀、アルミニウムその他の導電性金属材料を用いて形成されていることが好ましい。

薄膜磁気シールド層は、樹脂モールド層の樹脂表面と交差する樹脂側面にも形成されているようにすることができる。

また、樹脂モールド層は、樹脂表面と、その樹脂表面と交差する樹脂側面との間に湾曲面または接続端面が形成され、その接続端面と樹脂表面とのなす角およびその接続端面と樹脂側面とのなす角がいずれも鈍角に設定され、薄膜磁気シールド層が樹脂モールド層の樹脂側面および湾曲面または接続端面にも形成されていることが好ましい。

さらに、樹脂モールド層は、樹脂表面の各電子部品の間に対応した部品間対応位置に凹部が形成され、薄膜磁気シールド層がその凹部の内表面にも形成されていることが好ましい。

軟磁性層の軟磁性材料としてパーマロイ系合金，鉄および鉄系の合金，ＦｅＣｒＳｉ合金、その他のＮｉまたはＦｅを含む金属材料が用いられているようにすることができる。

また、応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮが用いられているようにすることができる。

応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮが用いられ、密着シード層および保護層の材料として、Ｃｒが用いられているようにすることもできる。

そして、本発明は、基板の一方の側の主表面に形成されている少なくとも一つの電子部品を封止樹脂を用いて封止するように樹脂モールド層を形成する樹脂モールド層形成工程と、その樹脂モールド層の主表面と対向する樹脂表面に薄膜磁気シールド層を形成する薄膜磁気シールド層形成工程とを有し、その薄膜磁気シールド層形成工程は、軟磁性材料からなる軟磁性層と、その軟磁性層と応力の方向が相違し得る応力相違金属材料からなる応力相違金属層との積層構造を有する薄膜単位シールド層を形成する薄膜単位シールド層形成工程を繰り返し実行することによって、薄膜単位シールド層が複数積層されたシールド多重構造を有する薄膜多重シールド層を形成する薄膜多重シールド層形成工程を有する電子部品モジュールの製造方法を提供する。

上記製造方法において、薄膜単位シールド層形成工程は、軟磁性材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって引張応力を示す薄膜を軟磁性層として形成し、かつ応力相違金属材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって圧縮応力を示すように形成された薄膜を応力相違金属層として形成するか、または、スパッタリングまたは蒸着によって圧縮応力を示す薄膜を軟磁性層として形成し、かつ応力相違金属材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって引張応力を示すように形成された薄膜を応力相違金属層として形成することが好ましい。

また、薄膜磁気シールド層形成工程は、樹脂表面に密着シード層を形成する密着シード層形成工程と、薄膜多重シールド層に保護層を形成する保護層形成工程とを更に有し、応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮを用いて薄膜単位シールド層形成工程を実行し、かつ密着シード層および保護層の材料としてＣｒを用いて密着シード層形成工程および保護層形成工程を実行することが好ましい。

さらに、薄膜磁気シールド層形成工程は、銅、銀、アルミニウムその他の導電性金属材料を用いて密着シード層に電磁波シールド層を形成する電磁波シールド層形成工程を更に有することが好ましい。

本発明のその他の側面、特徴および有利な点は、添付図面に関連する以下の詳細な説明によって明らかになる。添付図面は、本件の開示範囲の一部であって本発明の原理原則を一例として図示したものである。

以上詳述したように、本発明によれば、磁気ノイズの有効なシールド効果を備えながら剥離することのない磁気シールド層を有し、電子機器の組み立ておよび製造の簡略化と、低背化への影響が少なく、汎用性の高い構造を備えた電子部品モジュールおよびその製造方法が得られる。

本発明の実施の形態に係る電子部品モジュールの図７における１−１線断面図である。 図１の点線で囲まれた部分Ｑ２を拡大した断面図である。 図１の点線で囲まれた部分Ｑ３を拡大した断面図である。 変形例にかかる電子部品モジュールの図３に対応した断面図である。 別の変形例にかかる電子部品モジュールの図３に対応した断面図である。 （ａ）は図１に示した薄膜磁気シールド層を通過する磁気ノイズを模式的に示した図、（ｂ）は図４に示した変形例にかかる薄膜磁気シールド層を通過する磁気ノイズを模式的に示した図、（ｃ）は図５に示した別の変形例にかかる薄膜磁気シールド層を通過する磁気ノイズを模式的に示した図である。 図１の電子部品モジュールを含む複数の電子部品モジュールが実装されている電子機器の内部構造の要部を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る電子部品モジュールの製造工程を示す平面図である。 図８の後続の工程を示す平面図である。 図９の後続の工程を示す平面図である。 電子部品モジュールの変形例に係る製造工程を示し、図８の後続の工程を示す平面図である。 図９の１２−１２線断面図である。 図１０の１３−１３線断面図である。 図１１の１４−１４線断面図である。 図１４の後続の工程を示す断面図である。 変形例にかかる電子部品モジュールに形成されている薄膜多重シールド層の図２に対応した断面図である。 薄膜磁気シールド層形成工程の実行順序を示した図である。 別の変形例に係る電子部品モジュールの図１に対応した断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。

（電子部品モジュールの構造）
まず、図１〜図３、図７を参照して本発明の実施の形態に係る電子部品モジュールの構造について説明する。ここで、図１は本発明の実施の形態に係る電子部品モジュール１００の図７における１−１線断面図、図２は図１の点線で囲まれた部分Ｑ２を拡大した断面図、図３は図１の点線で囲まれた部分Ｑ３を拡大した断面図である。図７は、電子部品モジュール１００を含む複数の電子部品モジュール１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄが実装されている電子機器２００の内部構造の要部を示す平面図である。

図１に示すように、電子部品モジュール１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された複数の電子部品１０２と、樹脂モールド層１１０と、薄膜磁気シールド層１７０とを有している。電子部品モジュール１００では、複数の電子部品１０２が機能的なまとまりをもって集約されている。図７に示すように、電子部品モジュール１００は、他の電子部品モジュール１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄとともに電子機器２００（図７に示した電子機器２００は、多機能携帯電話機）の内部に収容されている。電子機器２００の場合、その内部にバッテリ１０２Ｂが収容され、その隣接する領域に電子部品モジュール１００、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄが実装されている。

基板１０１は、樹脂等を用いて形成されたプリント回路基板（ＰＣＢ）とすることができる。電子部品１０２は、基板１０１の一方の側の主表面１０１ａ上に複数形成されている。複数の電子部品１０２には、少なくとも磁気ノイズを発生し得る電子部品（例えば、インダクタ）が含まれている。電子部品モジュール１００では、図７に示すように、複数の電子部品１０２として、インダクタＬ１，Ｌ２と、コンデンサＣ１，Ｃ２とが含まれている。なお、図示はしないが、電子部品１０２として、集積回路を備えたＩＣチップ、電源装置、抵抗素子が含まれていてもよい。

樹脂モールド層１１０は、封止樹脂を用いて電子部品１０２を封止するように形成されている。例えば、封止樹脂は、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）によって形成されたフィラー（図示せず）が充填されたエポキシ樹脂を用いて形成されている。樹脂モールド層１１０は、図１、図３に示すように、樹脂表面１１０Ａと、樹脂側面１１０Ｂとを有している。樹脂表面１１０Ａは、樹脂モールド層１１０の表面のうちの主表面１０１ａと対向している表面である。樹脂側面１１０Ｂは、樹脂モールド層１１０の側面であって、樹脂表面１１０Ａと交差している表面である。

薄膜磁気シールド層１７０は、図３にも詳しく示すように、樹脂モールド層１１０の樹脂表面１１０Ａと、樹脂側面１１０Ｂとに形成されている。薄膜磁気シールド層１７０の樹脂表面１１０Ａ上に直に形成されている部分が磁気シールド層１７０Ａ，樹脂側面１１０Ｂ上に直に形成されている部分が磁気シールド１７０Ｂである。薄膜磁気シールド層１７０は、基板１０１の寸法（縦横ともに数ｍｍ程度の大きさ）と比べて、厚さが極めて小さい薄膜状に形成されている（薄膜磁気シールド層１７０の膜厚が基板１０１の寸法の１／５００から１／５０程度の大きさ）。

薄膜磁気シールド層１７０は、図２に示すように、薄膜多重シールド層１１９と、密着シード層１６１と、電磁波シールド層１６２と、保護層１６３とを有している。

薄膜多重シールド層１１９は、シールド多重構造を有している。シールド多重構造とは、薄膜単位シールド層が多数積層された構造を意味している。図２では、薄膜単位シールド層１２１，１２２，１２３から１５８，１５９，１６０までの４０層（図示の都合上、１２３から１５８は省略されている）が積層されることによって、薄膜多重シールド層１１９が形成されている。薄膜単位シールド層１２１は、少なくとも１０層程度積層されていればよいし、４１層以上積層されていてもよい。

そして、薄膜単位シールド層１２１，１２２，１２３から１５８，１５９，１６０は、それぞれ応力相違金属層１２１ａ，１２２ａ，１２３ａから１５８ａ，１５９ａ，１６０ａと、軟磁性層１２１ｂ，１２２ｂ，１２３ｂから１５８ｂ，１５９ｂ，１６０ｂとを有している（図示の都合上、１２３ａから１５８ａ，１２３ｂから１５８ｂは省略されている）。

軟磁性層１２１ｂ，１２２ｂ，１２３ｂから１５８ｂ，１５９ｂ，１６０ｂは、軟磁性材料を用いてスパッタリング（または蒸着でもよい）によって薄膜状に形成されている。例えば、パーマロイ系合金（パーマロイ：ＮｉＦｅ、スーパーマロイ、ミューメタル、ハードパームなど）、鉄および鉄系合金（電磁軟鉄、ケイ素鋼、センダスト、アルパーム、パーメンジュールなど）、フェライト化合物、ＦｅＣｒＳｉ合金、その他のＮｉまたはＦｅを含む金属材料が用いられている。軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂは、例えば０．２５μｍから０．５μｍ程度の膜厚で形成することができる。または０．０１μｍから０．２５μｍ程度の膜厚で形成することもできる。図２では、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが軟磁性材料としてパーマロイ（ＮｉＦｅ）が用いられ、同じ膜厚で形成されている場合が示されている。なお、本実施の形態において、蒸着とは、金属や酸化物などを蒸発させて、素材の表面に付着させる表面処理または薄膜を形成する方法を意味している。蒸着には、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）と、化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）とがある。

応力相違金属層１２１ａ，１２２ａ，１２３ａから１５８ａ，１５９ａ，１６０ａは、応力相違金属材料を用いてスパッタリング（または蒸着でもよい）によって薄膜状に形成されている。応力相違金属材料とは、軟磁性層と応力の方向が相違し得る金属材料（軟磁性層と方向の異なる内部応力を有し得る金属材料）を意味している。応力相違金属材料として、例えば、Ｃｒを用いることができる。その他、Ｗ（タングステン）や、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮを用いることもできる。応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、例えば０．０１μｍ程度の膜厚、または０．００１μｍから０．０１μｍ程度の膜厚で形成することができる。図２に示した応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、同じ膜厚で形成されている。

詳しくは、後述するが、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、それぞれスパッタリング（または蒸着でもよい）によって、応力パターンＰ１で形成されている。応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、応力パターンＰ１で形成されている場合、圧縮応力を示す。また、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、応力パターンＰ２で形成されることもできる。この場合、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、引張応力を示すように形成されている。

そして、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの膜厚が応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの膜厚よりも大きく設定されている。本実施の形態では、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの膜厚が少なくとも応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの膜厚の２０倍から６０倍の大きさに設定されている。

軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂと、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａとは、それぞれの内部応力が逆方向を向き、応力の方向が相違している。軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂと、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａとは、それぞれスパッタリング（または蒸着でもよい）によって、応力パターンＰ１または応力パターンＰ２で形成された薄膜（蒸着で形成された薄膜が蒸着薄膜である）である。

応力パターンとは、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂと、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａそれぞれの応力の組み合わせの態様であって、本実施の形態では、Ｐ１またはＰ２がある。応力パターンＰ１の場合、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが引張応力を示し、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａが圧縮応力を示す。応力パターンＰ２の場合、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが圧縮応力を示し、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａが引張応力を示す（詳しくは後述する）。

密着シード層１６１は、樹脂モールド層１１０の樹脂表面１１０Ａおよび樹脂側面１１０Ｂ上に直に形成されている。密着シード層１６１は、電磁波シールド層１６２がめっきで形成されるときの下地層であり、その電磁波シールド層１６２を樹脂表面１１０Ａおよび樹脂側面１１０Ｂ上に密着させる効果（密着作用）も有している。本実施の形態では、密着シード層１６１が応力相違金属材料と同様のＣｒを用いて形成されている。密着シード層１６１は、例えば０．０１μｍから０．１μｍ程度の膜厚で形成することができる。

電磁波シールド層１６２は、図３に詳しく示すように、密着シード層１６１上に直に形成されている。電磁波シールド層１６２は、薄膜多重シールド層１１９と、密着シード層１６１との間に積層されている。電磁波シールド層１６２は、銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）などの導電性の良好な金属材料を用いて形成されている。電磁波シールド層１６２は、例えば０．５μｍから５μｍ程度の膜厚で形成することができる。

保護層１６３は、薄膜多重シールド層１１９の表面に直に形成されている。保護層１６３は、薄膜磁気シールド層１７０の最も外側に配置されており、薄膜多重シールド層１１９を保護する作用を有している。保護層１６３は、密着シード層１６１と同様に、応力相違金属材料と同様のＣｒを用いて形成されている。保護層１６３は、例えば０．０１μｍから５μｍ程度の膜厚で形成することができる。

（電子部品モジュールの製造方法）
続いて、図８，９，１０，１２，１３を参照して、電子部品モジュール１００の製造方法について説明する。電子部品モジュール１００は次のようにして製造する。

まず、基板１０１の主表面１０１ａ上において、インダクタＬ１，Ｌ２、コンデンサＣ１，Ｃ２を含む複数の電子部品１０２が各モジュール領域９９に実装される。各モジュール領域９９は、それぞれ後に電子部品モジュール１００となる領域である。

その後、樹脂モールド層形成工程が実行される。この工程では、図８に示すように、基板１０１の主表面１０１ａ上に封止樹脂１０８が塗布されて樹脂モールド層１１０が形成される。

次に、図９、１２に示すように、図示しないダイシングソーなどを用いて基板１０１と樹脂モールド層１１０に、縦方向および横方向にそれぞれ複数のカットラインＣＬが形成されて、基板１０１と樹脂モールド層１１０とが複数のモジュール領域９９に区分けされる。なお、基板１０１の裏面（主表面１０１ａと対向している表面）に、基板１０１と同程度の大きさを有する図示しないダイシングシート１８７（図１２参照）が貼り付けられている。そして、ダイシングソーがダイシングシート１８７に到達するが、ダイシングシート１８７がカットされないようにして、カットラインＣＬが形成される。このとき、図１２に示すように、カットラインＣＬに沿った溝部１０３が各モジュール領域９９の間に形成される。図１２では、モジュール領域９９Ａ，９９Ｂと、それらの間の溝部１０３が示されている。

続いて、薄膜磁気シールド層形成工程が実行される。薄膜磁気シールド層形成工程では、図１０，図１３に示すように、樹脂モールド層１１０に薄膜磁気シールド層１７０が形成される。この場合、薄膜磁気シールド層形成工程が実行される前に、溝部１０３が各モジュール領域９９の間に形成されているので、薄膜磁気シールド層１７０は、溝部１０３の内側にも入り込み、樹脂表面１１０Ａだけでなく、樹脂側面１１０Ｂにも形成される。さらには、溝部１０３が基板１０１にも形成されているので、薄膜磁気シールド層１７０は基板１０１の側面にも形成される。

なお、この工程の前に複数のモジュール領域９９がダイシングシート１８７から磁気シールド形成用シート１８８（図１３参照）に移し替えられる。図１０、図１３には、この移し替えが行われた後が示されている。このとき、各モジュール領域９９の間の間隔が、カットラインＣＬが形成されたときの間隔よりも広くなるように、各モジュール領域９９の位置が調整されている（この点は図示せず）。これにより、樹脂側面１１０Ｂおよび基板１０１の側面に薄膜磁気シールド層１７０が形成される。

そして、薄膜磁気シールド層形成工程は、図１７に示すように、密着シード層形成工程Ｓ１と、電磁波シールド層形成工程Ｓ２と、薄膜多重シールド層形成工程Ｓ３と、保護層形成工程Ｓ４とを有している。薄膜磁気シールド層形成工程では、密着シード層形成工程Ｓ１、電磁波シールド層形成工程Ｓ２、薄膜多重シールド層形成工程Ｓ３、保護層形成工程Ｓ４が図１７に示した順に実行される。

密着シード層形成工程Ｓ１では、前述した密着シード層１６１が樹脂表面１１０Ａと樹脂側面１１０Ｂとに形成される。密着シード層形成工程Ｓ１では、Ｃｒで製造されたターゲットが用いられ、スパッタリングによって、密着シード層１６１が形成される。

電磁波シールド層形成工程Ｓ２では、前述した電磁波シールド層１６２が密着シード層１６１に形成される。電磁波シールド形成工程Ｓ２では、銅、銀、アルミニウムその他の導電性の良好な金属材料で製造されたターゲットが用いられ、スパッタリングによって、電磁波シールド層１６２が形成される。

薄膜多重シールド層形成工程Ｓ３では、薄膜単位シールド層形成工程を同様の条件で繰り返し実行することによって、前述したシールド多重構造を有する薄膜多重シールド層１１９が形成される。薄膜単位シールド層形成工程が実行されるごとに薄膜単位シールド層１２１から薄膜単位シールド層１６０までの４０層が順次積層される。

そして、薄膜単位シールド層形成工程は、軟磁性層形成工程と、応力相違金属層形成工程とを有している。軟磁性層形成工程では、パーマロイ等の前述した軟磁性材料からなるターゲット（図示せず）が用いられる。そして、軟磁性層形成工程では、スパッタリング（または蒸着）によって、薄膜が応力パターンＰ１またはＰ２で形成される。その薄膜は、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａ上に直に軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂとして形成される。

応力相違金属層形成工程では、Ｃｒ等の応力相違金属材料からなるターゲット（図示せず）が用いられる。そして、応力相違金属層形成工程では、スパッタリング（または蒸着）によって、薄膜が応力パターンＰ１またはＰ２で形成される。その薄膜は、電磁波シールド層１６２、軟磁性層１２１ｂ〜１５９ｂ上に直に応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａとして形成される。

保護層形成工程Ｓ４では、前述した保護層１６３が薄膜多重シールド層１１９の軟磁性層１６０ｂ上に形成される。保護層形成工程Ｓ４では、密着シード層形成工程Ｓ１および応力相違金属層形成工程と同様、Ｃｒで製造されたターゲットが用いられ、スパッタリングによって、保護層１６３が形成される。

（電子部品モジュールの作用効果）
以上の説明のとおり、電子部品モジュール１００は、薄膜磁気シールド層１７０を有するため、次のような作用効果を有する。薄膜磁気シールド層１７０は薄膜多重シールド層１１９を有していて、その薄膜多重シールド層１１９はシールド多重構造を有している。

薄膜磁気シールド層１７０は、基板１０１の寸法と比べて厚さが極めて小さい薄膜状に形成され、樹脂モールド層１１０の樹脂表面１１０Ａおよび樹脂側面１１０Ｂ上に直に形成され、基板１０１の裏面側には形成されていない。そのため、電子部品モジュール１００が電子機器２００の内部に収容されていても、その薄膜磁気シールド層１７０が電子機器２００の低背化に及ぼす影響は極めて小さい。

一方、電子部品１０２が発生する磁気ノイズが有効に遮断されるためには、薄膜磁気シールド層１７０が透磁率の高い材料、すなわち軟磁性材料で形成されることによって、磁束が薄膜磁気シールド層１７０の内部を貫きやすくなっていることが望ましい。それだけではなく、薄膜磁気シールド層１７０の内部を貫く磁束の飽和が起きないようにすることが望ましい。そのためには、薄膜磁気シールド層１７０の厚さを厚くして、より多くの磁束が薄膜磁気シールド層１７０を貫くようにすることが望ましい。

この点、例えば、特許文献２に開示されている従来技術において、その磁気シールドシート（第２のシールド層）の厚さを厚くしたとする。この場合、厚さの増加に伴い、磁気シールドシートの内部応力が増える。すると、磁気シールドシートの基板との密着力が弱まり、磁気シールドシートが剥離しやすくなる。磁気シールドシートが剥離すると、磁気ノイズを有効に遮断できなくなるおそれがある。

一方、薄膜磁気シールド層１７０の薄膜多重シールド層１１９は、各薄膜単位シールド層１２１〜１６０が、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａと軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂとの積層構造を有している。応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａと軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂとは、前述した応力パターンＰ１で形成されている。そのため、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａが圧縮応力を示すように形成され、かつ、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが引張応力を示すように形成されている。

そして、薄膜単位シールド層１２１〜１６０は、このような積層構造を有していることによって、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの内部に発生する応力が、それぞれ応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの内部に発生する応力によって相殺されている。軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの内部応力と、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの内部応力の方向が概ね反対（逆）方向を向いているからである。

すると、シールド多重構造を有する薄膜多重シールド層１１９の全体の内部応力が緩和されるので、薄膜多重シールド層１１９が剥離するおそれがなくなる。

一方、スパッタリングで形成されている薄膜（スパッタリング薄膜）は、圧縮応力を示す。ところが、Ｃｒからなるターゲットを用いて製造されているスパッタリング薄膜は、特定条件下で形成されたときに内部応力が圧縮応力から引張応力に代わり、引張応力を有するように形成されることが知られている。Ｃｒのほかに、Ｗ（タングステン）や、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，反応性スパッタリングで形成されたＡｌＮ薄膜も、特定条件下で形成されたときに引張応力を示すことが知られている。

特定条件（本実施の形態では、内部応力が変化するときの条件なので、「応力変化条件」ともいう）とは、例えば、スパッタリング薄膜の膜厚、スパッタリングに用いるアルゴン（Ａｒ）等の希ガスの圧力、蒸着速度などがある。例えば、Ｃｒからなるターゲットを用いてスパッタリング薄膜が製造されている場合、膜厚が０．３μｍ以下であり、Ａｒガスの圧力が０．６７Ｐａ〜１．６７Ｐａ程度であることを応力変化条件とすることができる。応力変化条件にしたがって形成されたスパッタリング薄膜の場合、内部応力が引張応力になる。応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａは、このような応力変化条件に従い、引張応力を示すように形成されることもできる。

これに対し、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂは、スパッタリング薄膜なので、圧縮応力を示すように形成されることもできる。これは、応力パターンＰ２に相当するので、薄膜単位シールド層１２１〜１６０は、前述した応力パターンＰ２で形成されることも可能である。したがって、薄膜多重シールド層１１９が、このような応力変化条件にしたがい引張応力を示すように形成された応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａと、圧縮応力を示す軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂとの積層構造を有することもできる。

一般にスパッタリング、蒸着、めっきで磁性層が形成される場合、磁性層が薄膜化されるので、電子部品モジュールの低背化に有効である。これらの磁性層の透磁率を高めるためには、成膜後に磁性焼鈍処理を行うことが望ましい。

しかし、電子部品モジュールでは、実装されている電子部品や接続部分の材料からみて、磁性層が成膜された後、その磁性層について磁性焼鈍処理を行うことが困難である。

また、前述したように、より多くの磁束が貫くように磁性層の膜厚を大きくすると（例えば１μｍ〜１．５μｍ程度）、磁性層の剥離の問題が生じる。

そこで、電子部品モジュール１００では、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが、剥離の問題が発生しない程度の膜厚で形成されている。それでもなお、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが引張応力を有するため、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの間に圧縮応力を有するように形成された応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａが介在している。これは、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの引張応力を応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの圧縮応力で相殺することで磁気シールド層全体の内部応力を緩和し、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの多重化によって磁性層の全体の膜厚をできるだけ大きくするためである。

このようにすることで、磁気ノイズの有効なシールド効果を備え、しかも剥離しない薄膜磁気シールド層１７０が得られる。電子部品モジュール１００では、このような薄膜磁気シールド層１７０が磁性焼鈍処理を行うことなく形成されている。

薄膜磁気シールド層１７０は、薄膜単位シールド層１２１が多数積層されているため、軟磁性層の占める領域が大きく確保されている。したがって、薄膜磁気シールド層１７０は、磁束が貫く部分が大きく確保されているため、より多くの磁束が薄膜磁気シールド層１７０を貫く。薄膜磁気シールド層１７０の内部は、他の部分よりも磁気ノイズが通過しやすい。そのため、他の電子部品モジュールから発生した磁気ノイズは他の部分よりも薄膜磁気シールド層１７０の内部を通り、電子部品１０２を迂回するようになる。また、磁気ノイズが電子部品１０２から発生した後、薄膜磁気シールド層１７０の内部を通り、薄膜磁気シールド層１７０の外部に漏れ出しにくくなる。すると、他の電子部品モジュールから発生した磁気ノイズが電子部品１０２に到達することと、電子部品１０２から発生した磁気ノイズが電子部品モジュール１００に外部に漏れ出すこととがなくなり、これによって、磁気ノイズに対して、有効なシールド効果が得られる。

そのうえ、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの膜厚が応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａよりも大きく、２０倍から６０倍に設定されている。すなわち、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａの膜厚が軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの膜厚の１／２０から１／６０の大きさにとどめられている。そのため、薄膜磁気シールド層１７０の中で、磁束の通過に有効な軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの占める割合を可能な限り増やし、磁束の通過に不要な応力相違金属層１２１ａから１６０ａの占める割合をできるだけ小さくしている。こうして、薄膜磁気シールド層１７０全体の膜厚が大きくならないようにしながら、より多くの磁束が薄膜磁気シールド層１７０を貫くようにしている。よって、電子部品モジュール１００は、電子機器２００の低背化への影響を少なくしながら有効なシールド効果を確保している。

また、薄膜磁気シールド層１７０が薄膜状の軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが重ねられて形成されているため、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの結晶の大きさを小さくすることができる。よって、各軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂにおいて、内部を貫く磁束の方向が概ね平面方向（基板１０１に沿った方向）に形成される。そのため、磁気ノイズが薄膜磁気シールド層１７０の内部を樹脂モールド層１１０の樹脂表面１１０Ａおよび樹脂側面１１０Ｂに沿った方向に流れるようになるため、より有効なシールド効果が得られる。

しかも、薄膜磁気シールド層１７０が樹脂表面１１０Ａだけでなく、樹脂側面１１０Ｂに沿った部分にも形成されているので、側面部分から侵入しようとする磁気ノイズおよび側面部分から放射する（漏れ出す）磁気ノイズも有効に遮断することができる。よって、電子部品モジュール１００は高いシールド効果を備えている。

一方、電子部品モジュール１００では、一つの基板１０１に機能的なまとまりをもった複数の電子部品１０２が形成されている。機能的なまとまりに必要とされない電子部品は基板１０１には形成されていない。基板１０１は、形状の異なる複数の金属製シールドケースで覆う必要がないので、電子機器２００の組み立て作業に必要以上の手間がかかることはなく、製造を簡略化できる。また、基板１０１ごとに機能的なまとまりをもった電子部品１０２が形成されているので、電子部品モジュール１００は、他の電子機器に実装したり、交換するうえでの制約が少なく、したがって汎用性も高い。

さらに、薄膜磁気シールド層１７０は、密着シード層１６１を有し、これが樹脂モールド層１１０に形成されているから、確実に樹脂モールド層１１０に密着している。しかも、薄膜磁気シールド層１７０が保護層１６３を有しているから、薄膜多重シールド層１１９の保護効果も有している。電磁波シールド層１６２を有しているから、電子部品モジュール１００は電磁波のシールド効果を有している。

そして、これら密着シード層１６１、保護層１６３は、応力相違金属層１２１ａと同じＣｒを用いて形成されているので、これらの材料を応力相違金属層１２１ａと兼用とすることができる。したがって、電子部品モジュール１００の製造段階の手間を削減でき、電子部品モジュール１００は容易に製造することができる。

（変形例１）
前述の電子部品モジュール１００は、図３に示したように、樹脂モールド層１１０の角部において、樹脂表面１１０Ａと樹脂側面１１０Ｂとが直交している。そして、その直交部分を被覆するように、薄膜磁気シールド層１７０が形成されている。電子部品モジュール１００は、樹脂モールド層１１０と薄膜磁気シールド層１７０の代わりに図４に示す樹脂モールド層１１１と薄膜磁気シールド層１７１を有していてもよい。

樹脂モールド層１１１は、樹脂モールド層１１０と比べて、樹脂表面１１１Ａと、樹脂側面１１１Ｂおよび湾曲面１１１Ｒを有する点で相違している。薄膜磁気シールド層１７１は、薄膜磁気シールド層１７０と比べて、磁気シールド層１７１Ａ、１７１Ｂ、１７１Ｒを有する点で相違している。磁気シールド層１７１Ａ、１７１Ｂ、１７１Ｒでは、磁気シールド層１７１Ａ、１７１Ｂの間に磁気シールド層１７１Ｒが配置されている。

樹脂表面１１１Ａと、樹脂側面１１１Ｂの間に湾曲面１１１Ｒが配置されている。湾曲面１１１Ｒは、樹脂表面１１１Ａと樹脂側面１１１Ｂとを滑らかにつなぐように湾曲した曲面である。この湾曲面１１１Ｒ上に形成されている部分が磁気シールド層１７１Ｒである。

また、電子部品モジュール１００は、樹脂モールド層１１０と薄膜磁気シールド層１７０の代わりに図５に示す樹脂モールド層１１２と薄膜磁気シールド層１７２を有していてもよい。

樹脂モールド層１１２は、樹脂モールド層１１０と比べて、樹脂表面１１２Ａと、樹脂側面１１２Ｂおよび接続端面１１２Ｃを有する点で相違している。薄膜磁気シールド層１７２は、薄膜磁気シールド層１７０と比べて、磁気シールド層１７２Ａ、１７２Ｂ、１７２Ｃを有する点で相違している。磁気シールド層１７２Ａ、１７２Ｂ、１７２Ｃでは、磁気シールド層１７２Ａ、１７２Ｂの間に磁気シールド層１７２Ｃが配置されている。

樹脂表面１１２Ａと、樹脂側面１１２Ｂの間に接続端面１１２Ｃが配置されている。接続端面１１２Ｃは平坦に形成されているが、樹脂表面１１２Ａと接続端面１１２Ｃとのなす角β１、樹脂表面１１２Ｂと接続端面１１２Ｃとのなす角β２は、いずれも鈍角（１３０度から１４０度程度）に設定されている。この接続端面１１２Ｃ上に形成されている部分が磁気シールド層１７２Ｃである。

そして、図６（ａ）に示すように、薄膜磁気シールド層１７０の場合、角部付近が直交している。電子部品を流れる電流によって発生する磁界は円形を描くように形成される。そのため、薄膜磁気シールド層１７０の内部を透過する磁束ｍｓ１は、直交状に曲がる角部付近で薄膜磁気シールド層１７０の外部に漏れだすおそれがある。

これに対し、図６（ｂ）に示すように、薄膜磁気シールド層１７１の場合、角部付近に湾曲面１１１Ｒが配置されているため、その内部を透過する磁束ｍｓ２は、比較的スムーズに内部を通過し、外部に漏れ出すおそれが軽減されるる。また、図６（ｃ）に示すように、薄膜磁気シールド層１７２の場合も、角部付近に接続端面１１２Ｃが配置されているため、その内部を通過する磁束ｍｓ３も比較的スムーズに内部を通過し、外部に漏れ出すおそれが軽減される。

したがって、電子部品モジュール１００が薄膜磁気シールド層１７１，１７２を備えることによって、磁気ノイズに対して、より有効なシールド効果を得ることができる。

以上のような薄膜磁気シールド層１７１，１７２が形成されるには、基板１０１に樹脂モールド層１１１，１１２が形成されればよい。そのためには、図９に示したように、カットラインＣＬが形成されることによって、溝部１０３が形成されるときのダイシングソーを変更し、溝部１０３の断面に湾曲面１１１Ｒまたは接続端面１１２Ｃが出現するように角部を加工する加工工程を実行すればよい。また、ダイシングソー以外にも、予め角部加工が施された金型（図示せず）が用いられてもよい。カットラインＣＬが形成された後、切削治具を用いて角部が切削されてもよいし、角部にサンドブラストが施されて角部が研磨されてもよい。

（変形例２）
電子部品モジュール１００では、薄膜多重シールド層１１９を構成している各薄膜単位シールド層１２１〜１６０の軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂと、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａがそれぞれ同じ膜厚で形成されていた。本発明における「薄膜単位シールド層」とは、シールド多重構造を構成するひとつのまとまりとなった層を意味し、各層の膜厚が等しい場合だけでなく、各層の膜厚が異なる場合も含まれる。

例えば、電子部品モジュール１００は、図１６に示す薄膜多重シールド層２１９を有していてもよい。薄膜多重シールド層２１９は、薄膜多重シールド層１１９と比較して、薄膜単位シールド層１２２，１２３の代わりに薄膜単位シールド層２２２，２２３を有している点で相違している。薄膜単位シールド層２２２，２２３は、それぞれ薄膜単位シールド層１２２，１２３と比較して、それぞれ応力相違金属層１２２ａ、１２３ａと、軟磁性層２２２ｂ、２２３ｂを有する点で相違している。軟磁性層２２２ｂ、２２３ｂは、軟磁性層１２２ｂ、１２３ｂと比較して、膜厚が相違していて、軟磁性層１２１ｂ＞２２２ｂ＞２２３ｂの順に膜厚が小さくなっている。

薄膜多重シールド層１１９のように、各薄膜単位シールド層１２１〜１６０において、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂの膜厚が一定の場合には、各薄膜単位シールド層１２１〜１６０がある特定の磁気ノイズに対して共振し、シールド効果が低下するおそれがある。

しかし、その場合でも、薄膜多重シールド層２１９のように、膜厚の異なる薄膜単位シールド層２２２，２２３を有していることで、各薄膜単位シールド層１２１，２２２，２２３〜１６０がある特定の磁気ノイズに対して共振するおそれを少なくすることができる。こうして、シールド効果が低下するおそれを少なくすることができる。

（変形例３）
上記実施形態では、図９、図１０に示したように、溝部１０３が形成された後、薄膜磁気シールド層１７０が形成されている。このほか、図１１、図１４、図１５に示したように、溝部１０３よりも先に薄膜磁気シールド層１７０が形成され、その後で溝部１０３が形成され、電子部品モジュール１００Ｅ、１００Ｆが形成されてもよい。このようにすると、図１５に示すように、少なくとも、樹脂表面には薄膜磁気シールド層１７０が形成される。

薄膜単位シールド層１２１，２２２，２２３〜１６０は、応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａ上に直に軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂが形成された２層構造を有しているが、軟磁性層１２１ｂ〜１６０ｂ上に直に応力相違金属層１２１ａ〜１６０ａが形成された２層構造を有していてもよい。すなわち、図２に関して述べれば、軟磁性層１２１ｂと、応力相違金属層１２２ａとが薄膜単位シールド層１２１を形成し、これと同様の２層構造を有する薄膜単位シールド層の多重構造を電子部品モジュール１００が有していてもよい。

（変形例４）
図１８に示すように、電子部品モジュール１００は、図５に示した樹脂モールド層１１２と薄膜磁気シールド層１７２の代わりに樹脂モールド層１１３と薄膜磁気シールド層１７３を有していてもよい。樹脂モールド層１１３は、樹脂モールド層１１２と比べて、Ｖ字凹部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃを有する点で相違している。Ｖ字凹部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃは、いずれも断面が概ねＶ字の溝状凹部であって、それぞれ樹脂表面１１２ＡのインダクタＬ１、Ｌ２、コンデンサＣ１，Ｃ２の間に対応した位置（部品間対応位置ともいう）に形成されている。例えば、Ｖ字凹部１１３ａは、インダクタＬ１、Ｌ２の間に対応した位置に形成されている。また、薄膜磁気シールド層１７３は、薄膜磁気シールド層１７２と比べて、Ｖ字凹部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃの内表面にも形成されている点で相違している。

例えば、インダクタＬ１から発生した磁束は、インダクタＬ１を中心とする円形ループ状に形成される。Ｖ字凹部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃの断面が概ねＶ字であるから、薄膜磁気シールド層１７３のＶ字凹部１１３ａ付近の形状が、薄膜磁気シールド層１７２よりもインダクタＬ１を中心とする円形ループ状に近い形状である。そのため、インダクタＬ１から発生した磁束がＶ字凹部１１３ａ付近を通過するときに、スムーズに通過し、外部に漏れ出すおそれが軽減される。

したがって、電子部品モジュール１００が薄膜磁気シールド層１７３を備えることによって、磁気ノイズに対して、より有効なシールド効果を得ることができる。

以上の説明は、最も実践的で好ましい実施の形態であると考えられる事項にそって詳しく説明されているが、本発明は、開示されている実施の形態に限定されるものではない。様々な変形例および本発明の精神及び範囲内に含まれる均等な配置をも包含するものと理解される。

本発明を適用することにより、磁気ノイズの有効なシールド効果を備えながら剥離することのない磁気シールド層を有し、電子機器の組み立ておよび製造の簡略化と、低背化への影響が少なく、汎用性の高い構造を備えた電子部品モジュールおよびその製造方法が得られる。本発明は、電子部品モジュールおよびその製造方法に利用することができる。

１００，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ…電子部品モジュール、１０１…基板、１０１ａ…主表面、１０２…電子部品、１０３…溝部、１０８…封止樹脂、１１０，１１１，１１２，１１２Ａ…樹脂モールド層、１１０Ａ，１１１Ａ，１１２Ａ…樹脂表面、１１０Ｂ，１１１Ｂ，１１２Ｂ……樹脂側面、１１０Ｒ…湾曲面、１１２Ｃ…接続端面、１１９，２１９…薄膜多重シールド層、１２１，１２２，１２３〜１５８，１５９，１６０，２２２，２２３…薄膜単位シールド層、１２１ａ，１２２ａ，１２３ａ〜１５８ａ，１５９ａ，１６０ａ…応力相違金属層、１２１ｂ，１２２ｂ，１２３ｂ〜１５８ｂ，１５９ｂ，１６０ｂ，２２２ｂ，２２３ｂ…軟磁性層、１６１…密着シード層、１６２…電磁波シールド層、１６３…保護層、１７０，１７１，１７２，１７１Ａ、１７１Ｂ、１７１Ｒ，１７２Ａ、１７２Ｂ，１７２Ｃ，１７３…薄膜磁気シールド層。

Claims (13)

1. 基板と、該基板の一方の側の主表面に形成されている少なくとも一つの電子部品と、
   封止樹脂を用いて該電子部品を封止するように形成された樹脂モールド層と、
   該樹脂モールド層の前記主表面と対向する樹脂表面に形成されている薄膜磁気シールド層とを有し、
   該薄膜磁気シールド層は、薄膜単位シールド層が複数積層されたシールド多重構造を有する薄膜多重シールド層を有し、
   前記薄膜単位シールド層は、軟磁性材料からなる軟磁性層と、該軟磁性層と応力の方向が相違し得る応力相違金属材料からなる応力相違金属層との積層構造を有する電子部品モジュール。
2. 前記薄膜単位シールド層は、前記軟磁性層の膜厚が前記応力相違金属層の膜厚よりも大きく、少なくとも前記応力相違金属層の膜厚の２０倍から６０倍の大きさに設定され、かつ前記軟磁性層が引張応力を示し、かつ前記応力相違金属層が圧縮応力を示すように、または前記軟磁性層が圧縮応力を示し、かつ前記応力相違金属層が引張応力を示すように形成されたスパッタリング薄膜または蒸着薄膜である請求項１記載の電子部品モジュール。
3. 前記薄膜磁気シールド層は、前記樹脂モールド層の前記樹脂表面に直に形成されている密着シード層と、該密着シード層と前記薄膜多重シールド層との間に積層されている電磁波シールド層と、前記薄膜多重シールド層に直に形成されている保護層とを更に有し、
   該密着シード層、保護層が前記応力相違金属材料と同じ金属材料を用いて形成され、かつ前記電磁波シールド層が、銅、銀、アルミニウムその他の導電性金属材料を用いて形成されている請求項１または２記載の電子部品モジュール。
4. 前記薄膜磁気シールド層は、前記樹脂モールド層の前記樹脂表面と交差する樹脂側面にも形成されている請求項１〜３のいずれか一項記載の電子部品モジュール。
5. 前記樹脂モールド層は、前記樹脂表面と、該樹脂表面と交差する樹脂側面との間に湾曲面または接続端面が形成され、該接続端面と前記樹脂表面とのなす角および該接続端面と前記樹脂側面とのなす角がいずれも鈍角に設定され、前記薄膜磁気シールド層が前記樹脂モールド層の前記樹脂側面および前記湾曲面または接続端面にも形成されている請求項１〜３のいずれか一項記載の電子部品モジュール。
6. 前記樹脂モールド層は、前記樹脂表面の各前記電子部品の間に対応した部品間対応位置に凹部が形成され、前記薄膜磁気シールド層が該凹部の内表面にも形成されている請求項１〜５のいずれか一項記載の電子部品モジュール。
7. 前記軟磁性層の前記軟磁性材料としてパーマロイ系合金、鉄および鉄系合金、ＦｅＣｒＳｉ合金、その他のＮｉまたはＦｅを含む金属材料が用いられている請求項１〜６のいずれか一項記載の電子部品モジュール。
8. 前記応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮが用いられている請求項１または２記載の電子部品モジュール。
9. 前記応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮが用いられ、前記密着シード層および前記保護層の材料として、Ｃｒが用いられている請求項３記載の電子部品モジュール。
10. 基板の一方の側の主表面に形成されている少なくとも一つの電子部品を封止樹脂を用いて封止するように樹脂モールド層を形成する樹脂モールド層形成工程と、
    該樹脂モールド層の前記主表面と対向する樹脂表面に薄膜磁気シールド層を形成する薄膜磁気シールド層形成工程とを有し、
    該薄膜磁気シールド層形成工程は、軟磁性材料からなる軟磁性層と、該軟磁性層と応力の方向が相違し得る応力相違金属材料からなる応力相違金属層との積層構造を有する薄膜単位シールド層を形成する薄膜単位シールド層形成工程を繰り返し実行することによって、前記薄膜単位シールド層が複数積層されたシールド多重構造を有する薄膜多重シールド層を形成する薄膜多重シールド層形成工程を有する電子部品モジュールの製造方法。
11. 前記薄膜単位シールド層形成工程は、前記軟磁性材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって引張応力を示す薄膜を前記軟磁性層として形成し、かつ前記応力相違金属材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって圧縮応力を示すように形成された薄膜を前記応力相違金属層として形成するか、または、スパッタリングまたは蒸着によって圧縮応力を示す薄膜を前記軟磁性層として形成し、かつ前記応力相違金属材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングまたは蒸着によって引張応力を示すように形成された薄膜を前記応力相違金属層として形成する請求項１０記載の電子部品モジュールの製造方法。
12. 前記薄膜磁気シールド層形成工程は、前記樹脂表面に密着シード層を形成する密着シード層形成工程と、前記薄膜多重シールド層に保護層を形成する保護層形成工程とを更に有し、
    前記応力相違金属材料として、ＣｒまたはＷ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＡｌＮを用いて前記薄膜単位シールド層形成工程を実行し、かつ前記密着シード層および前記保護層の材料としてＣｒを用いて前記密着シード層形成工程および保護層形成工程を実行する請求項１０または１１記載の電子部品モジュールの製造方法。
13. 前記薄膜磁気シールド層形成工程は、銅、銀、アルミニウムその他の導電性金属材料を用いて前記密着シード層に電磁波シールド層を形成する電磁波シールド層形成工程を更に有する請求項１２記載の電子部品モジュールの製造方法。

Images