CN104584708A - 电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 - Google Patents

电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 Download PDF

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Abstract

本发明的电磁波屏蔽用膜为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，该电磁波屏蔽用膜构成为包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的遮断层。上述基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成。本发明提供一种电磁波屏蔽用膜，其提高基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有500μm以上的凸部的电子部件，具有良好的形状追随性。另外，本发明提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部件的覆盖方法。

Description

电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法
技术领域
本发明涉及电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法。
背景技术
以往，在便携电话、医疗设备这样易于受到电磁波的影响的电子部件、半导体元件等发热性电子部件、进而电容器、线圈等各种电子部件、或者将这些电子部件安装于电路基板得到的电子设备中，为了减轻因电磁波造成的噪声的影响，而在其表面贴附电磁波屏蔽用膜。
作为这样的电磁波屏蔽用膜，例如开发了具有由绝缘性材料构成的基材层、和叠层于基材层的一个或两个面的金属层的电磁波屏蔽用膜(例如，参照专利文献1。)。
然而，如专利文献1所述，在电磁波屏蔽用膜具有金属层的情况下，存在无法应对近年来要求不断提高的轻量化、薄型化的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006－156946公报
发明内容
发明所要解决的课题
此外，在现有技术中，除了上述问题以外，还存在如下问题：如果对于具有具备凸部的基板的电子部件，想要用电磁波屏蔽用膜进行覆盖，则该电磁波屏蔽用膜对于凸部的形状追随性不良。因此，对于具有具备凸部的基板的电子部件，实施了使用由铝或SUS形成的金属罐屏蔽的屏蔽方法。但是，该使用金属罐屏蔽的屏蔽方法，无法对基板上的各部件个别地实施，是对于按照种类配置的部件集合体实施的。因此，基板上的各部件的配置受到制约，由此，基板的设计自由度从功能方面来看也并不能说一定是最优的。
因此，本发明的目的在于：提供一种电磁波屏蔽用膜，其提高基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有具备凸部的基板的电子部件，具有良好的形状追随性。另外，本发明的另一个目的在于：提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部件的覆盖方法。
用于解决课题的方法
这样的目的通过下述(1)～(17)所述的本发明达成。
(1)一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜构成为包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电磁波遮断层，
上述基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成。
(2)如上述(1)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述基材层是从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层的形成3层结构的叠层体。
(3)如上述(2)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第一层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(4)如上述(2)或(3)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
(5)如上述(2)～(4)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
(6)如上述(2)～(5)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
(7)如上述(2)～(6)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上[ppm/℃]。
(8)如上述(2)～(7)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
(9)如上述(2)～(8)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述第一层的厚度T(A)、上述第三层的厚度T(B)和上述第二层的厚度T(C)满足下述关系式(I)。
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10···(I)
(10)上述(1)～(9)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述遮断层由反射层和吸收层构成，上述遮断层是反射层和吸收层从上述基材层的上述一个面侧依次叠层得到的叠层体。
(11)上述(1)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述基材层是从另一个面侧依次叠层有第一层和第二层的形成2层结构的叠层体。
(12)上述(1)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述基材层是从另一个面侧依次叠层有第二层和第三层的形成2层结构的叠层体。
(13)如上述(1)～(12)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏蔽用膜热压接于上述基板上的上述凸部时的形状追随性为500μm以上、3,000μm以下。
(14)如上述(1)～(13)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其中，还包括叠层于上述基材层与上述电磁波遮断层之间的绝缘层。
(15)如上述(14)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
(16)如上述(14)或(15)所述的电磁波屏蔽用膜，其中，上述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。
(17)一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：
贴附工序，将上述(1)～(16)中任一项所述的电磁波屏蔽用膜以使上述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式，贴附于上述基板上的上述凸部；和
剥离工序，上述贴附工序之后，将上述基材层从上述电磁波遮断层剥离。
发明的效果
根据本发明，电磁波屏蔽用膜具备的基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成，由此能够提高电磁波屏蔽用膜所覆盖的基板的设计自由度，且能够实现轻量化、薄型化。此外，对于具有具备凸部的基板的电子部件，能够发挥良好的形状追随性。
附图说明
图1是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。
图2是用于说明使用图1所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的方法的纵剖面图。
图3是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第二实施方式的纵剖面图。
图4是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第三实施方式的纵剖面图。
图5是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第四实施方式的纵剖面图。
图6是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第五实施方式的纵剖面图。
图7是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第六实施方式的纵剖面图。
图8是用于说明使用图7所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的方法的纵剖面图。
图9是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第七实施方式的纵剖面图。
图10是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第八实施方式的纵剖面图。
图11是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第九实施方式的纵剖面图。
图12是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十实施方式的纵剖面图。
图13是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十一实施方式的纵剖面图。
图14是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十二实施方式的纵剖面图。
具体实施方式
下面，根据附图所示的优选实施方式，详细说明本发明的电磁波屏蔽用膜以及电子部件的覆盖方法。
本发明的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜。该电磁波屏蔽用膜构成为包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电磁波遮断层。上述基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成。
另外，本发明的电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：贴附工序，将上述电磁波屏蔽用膜以使上述电磁波遮断层与作为凸部的电子部件粘接的方式，贴附于上述基板上；和剥离工序，上述贴附工序之后，将上述基材层从上述电磁波遮断层剥离。
如果使用这样的电磁波屏蔽用膜，覆盖基板上的凸部，则在上述贴附工序中，通过一边加热电磁波屏蔽用膜，一边以使电磁波屏蔽用膜和基板互相接近的方式按压，从而基材层、电磁波遮断层作为对于凸部具有形状追随性的基材发挥功能。由此，能够将电磁波遮断层以追随凸部的形状的状态进行凹部压入。其结果，能够将设置有该凸部的基板用电磁波遮断层可靠地覆盖。因此，通过该电磁波遮断层，设置有凸部的基板的电磁波屏蔽性提高。
＜电磁波屏蔽用膜＞
首先，对于本发明的电磁波屏蔽用膜进行说明。
＜第一实施方式＞
图1是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第一实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图1中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
本发明的电磁波屏蔽用膜是用于覆盖基板5上的凸部61的电磁波屏蔽用膜。
如图1所示，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100构成为包括基材层1和电磁波遮断层3。电磁波遮断层3在基材层1的下面(一个面)侧与基材层1接触，以该顺序叠层于基材层1。
另外，基材层1由第一层11、第二层13和第三层12构成。它们从基材层1的上面(另一个面)侧依次叠层。
此外，下面对于以下情况进行说明：即，在基板5上搭载(载置)电子部件4，通过该电子部件4的搭载在基板5上形成凸部61和凸部61彼此之间的凹部62，将该凸部61用电磁波屏蔽用膜100覆盖的情况。此外，作为在基板5上搭载的电子部件4，可以列举例如：在柔性电路基板(FPC)上搭载的LCD驱动IC、触摸面板周边的IC+电容器或电子电路基板(母板)。
＜基材层1＞
首先，说明基材层1。
在贴附工序中，通过在基板5上的凹部62压入电磁波屏蔽用膜100的电磁波遮断层3，在覆盖该凸部61时，压入(埋入)电磁波遮断层3，基材层1作为用于提高该电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性的基材发挥功能。另外，基材层1在剥离工序中，以将电磁波遮断层3压入凹部62的状态，从电磁波遮断层3剥离。
本发明中，该基材层1由叠层有至少2个层的叠层体构成。
这样，由叠层有至少2个层的叠层体，构成作为用于提高电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性的基材发挥功能的基材层1，由此在使用电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61时，能够将电磁波遮断层3以对应凸部61的形状的状态可靠地进行覆盖。即，可以实现电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性的提高。其结果，能够用电磁波遮断层3可靠地覆盖设置有该凸部61的基板5，因此，能够提高该电磁波遮断层3对于设置有凸部61的基板5的电磁波屏蔽(遮断)性。
另外，通过由叠层有至少2个层的叠层体构成基材层1，即使设置于基板5的凸部61的高度为500μm以上，进而为大至1.0～3.0mm，上述凸部61彼此的离开距离(间距)为200μm以下，进而小至100μm～150μm，也能够将电磁波遮断层3以对应凸部61的形状的状态可靠地压入凹部62。
在本实施方式中，由叠层有2个以上的层的叠层体构成的基材层1，由第一层11、第二层13和第三层12构成。基材层1是上述层从基材层1的上面(另一个面)侧依次叠层得到的形成3层结构的叠层体。为了提高电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性，可以适当组合这些各层11～13的种类和厚度等。
下面，对于这些各层11～13分别进行说明。
第一层11在贴附工序中，例如使用真空加压式层压机等将电磁波遮断层3压入基板5上的凹部62时，具有将真空加压式层压机等所具有的按压部脱模的功能。另外，第一层11具有对第二层13侧赋予来自按压部的按压力的功能。
作为该第一层(第一脱模层)11的构成材料，没有特别限定，可以列举例如：间规聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、环状烯烃聚合物、有机硅之类的树脂材料等。这些之中，优选使用间规聚苯乙烯。这样，通过作为聚苯乙烯使用具有间规结构的聚苯乙烯，聚苯乙烯就具备结晶性。由此，能够使第一层11的与装置的脱模性、进而耐热性和形状追随性变得优异。
在第一层11使用上述间规聚苯乙烯的情况下，其含量没有特别限制，优选为60重量％以上，更优选为70重量％以上、95重量％以下，更加优选为80重量％以上、90重量％以下。在间规聚苯乙烯的含量低于上述下限值的情况下，第一层11的脱模性有可能降低。另外，在间规聚苯乙烯的含量超过上述上限值的情况下，第一层11的形状追随性有可能降低。
此外，第一层11也可以仅由间规聚苯乙烯构成。另外，第一层11除了上述间规聚苯乙烯以外，还可以含有苯乙烯类弹性体、聚乙烯或聚丙烯等。
第一层11的厚度T(A)没有特别限定，优选为5μm以上、100μm以下，更优选为10μm以上、70μm以下，更加优选为20μm以上、50μm以下。在第一层11的厚度低于上述下限值的情况下，有可能第一层11破裂，其脱模性降低。另外，在第一层11的厚度超过上述上限值的情况下，有可能基材层1的形状追随性降低，电磁波遮断层3的形状追随性降低。
另外，第一层11的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为40～1000[ppm/℃]，更优选为80～700[ppm/℃]。通过将第一层11的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，第一层11具有优异的伸缩性。因此，能够更加可靠地使电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性提高。
此外，各层的平均线膨胀系数例如可以使用热机械分析装置(SeikoInstruments Inc.制，“TMASS6100”)得到。具体而言，在25～200℃、49mN的一定负荷的拉伸模式、升温速度5℃/分钟的条件下测定要测定的各层的贮藏弹性模量。分别读取此时的热机械分析装置的25℃～150℃时的平均线膨胀系数。由此，能够求出平均线膨胀系数。
此外，第一层11的表面张力优选为20～40[mN/m]，更优选为25～35[mN/m]。具有上述范围内的表面张力的第一层11具备优异的脱模性。另外，在使用真空加压式层压机等进行的压入过程之后，能够使第一层11从按压部剥离。
第三层12在贴附工序中，使用真空加压式层压机等实施电磁波遮断层3相对于基板5上的凹部62的压入之后，在剥离工序中，将基材层1从电磁波遮断层3剥离时，具有对基材层1赋予剥离性的功能。另外，第三层12具有根据基板5上的凸部61的形状进行追随的追随性的功能，且兼具对电磁波遮断层3侧赋予来自按压部的按压力的功能。
作为该第三层(第二脱模层)12的构成材料，没有特别限定，可以列举例如：间规聚苯乙烯、聚甲基戊烯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚丙烯、环状烯烃聚合物、有机硅之类的树脂材料。这些之中，优选使用间规聚苯乙烯。通过这样作为聚苯乙烯使用具有间规结构的聚苯乙烯，聚苯乙烯就具有结晶性。由此，能够使第三层12的与电磁波遮断层3的脱模性、进而耐热性和形状追随性变得优异。
第三层12中的上述间规聚苯乙烯的含量没有特别限制，可以仅由间规聚苯乙烯构成，但优选为60重量％以上，更优选为70重量％以上、95重量％以下，更加优选为80重量％以上、90重量％以下。在间规聚苯乙烯的含量低于上述下限值的情况下，第三层12的脱模性有可能降低。另外，在间规聚苯乙烯的含量超过上述上限值的情况下，第三层12的形状追随性有可能降低。
此外，第三层12除了上述间规聚苯乙烯以外，还可以含有苯乙烯类弹性体、聚乙烯或聚丙烯等。另外，构成第三层12和上述第一层11的树脂既可以相同也可以不同。
第三层12的厚度T(B)没有特别限定，优选为5μm以上、100μm以下，更优选为10μm以上、70μm以下，更加优选为20μm以上、50μm以下。在第三层12的厚度低于上述下限值的情况下，有可能耐热性降低，热压接工序中基材层的耐热性降低，发生变形，电磁波遮断层变形。另外，在第三层12的厚度超过上述上限值的情况下，有可能电磁波屏蔽用膜整体的总厚度变厚，切割等的作业性降低。另外，成本方面也不经济。
此外，第三层12和第一层11的厚度既可以相同也可以不同。
另外，第三层12的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为40～1000[ppm/℃]，更优选为80～700[ppm/℃]。通过将第三层12的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，第三层12成为具有优异的伸缩性的层。因此，能够进一步可靠地使第三层12、进而电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性提高。
此外，第三层12的表面张力优选为20～40[mN/m]，更优选为25～35[mN/m]。具有上述范围内的表面张力的第三层12具备优异的脱模性。另外，在使用真空加压式层压机等进行的压入过程之后，从电磁波遮断层3剥离基材层1时，能够在第三层12与电磁波遮断层3的界面，使基材层1可靠地剥离。
第二层13在贴附工序中，在使用基材层1作为压入用的基材对基板5上的凹部62压入电磁波遮断层3时，具有用于对凹部62压入(埋入)第三层12的缓冲功能。另外，第二层13具有将该压入力均匀地赋予第三层12、进而经由该第三层12均匀地赋予电磁波遮断层3的功能。由此，电磁波遮断层3与凹部62和凸部61之间不产生空隙，能够以优异的密闭性相对凹部62压入电磁波遮断层3。
作为该第二层(缓冲层)13的构成材料，可以列举例如：聚乙烯、聚丙烯等的α烯烃类聚合物、具有乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、己烯、甲基戊烯等作为共聚物成分的α烯烃类共聚物、聚醚砜、聚苯硫醚等的工程塑料类树脂，它们可以单独使用或者并用多种。它们之中，优选使用α烯烃类共聚物。具体而言，可以列举乙烯等α烯烃和(甲基)丙烯酸酯的共聚物、乙烯和乙酸乙烯酯的共聚物、乙烯和(甲基)丙烯酸的共聚物(EMMA)、以及它们的部分离子交联物等。α烯烃类共聚物的形状追随性优异，而且与第三层12的构成材料相比较，柔软性优异。由此，能够对由这样的构成材料构成的第二层13可靠地赋予用于相对凹部62压入(埋入)第三层12的缓冲功能。
第二层13的厚度T(C)没有特别限定，优选为10μm以上、100μm以下，更优选为20μm以上、80μm以下，更加优选为30μm以上、60μm以下。在第二层13的厚度小于上述下限值的情况下，有可能第二层13的形状追随性降低，在热压接工序中对凸部61的追随性降低。另外，在第二层13的厚度超过上述上限值的情况下，在热压接工序中，有可能树脂从第二层13的渗出变多，其附着于压接装置的热盘，作业性降低。
另外，第二层13的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为400以上[ppm/℃]，更优选为800以上[ppm/℃]。通过将第二层13的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，第二层13与第三层12相比较容易具有更加优异的伸缩性。因此，能够使第二层13、进而电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性更为可靠地提高。
此外，通过将各层11～13的平均线膨胀系数分别适当地设定在上述范围内，能够将后述的基材层1的150℃时的贮藏弹性模量容易地设定在2.0E+05～5.0E+08Pa的范围内。
另外，第一层11的厚度T(A)、第三层12的厚度T(B)和第二层13的厚度T(C)例如优选满足如下的关系式：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10，
更优选满足如下的关系式：
0.14＜T(C)/(T(A)+T(B))＜4，
更加优选满足如下的关系式：
0.3＜T(C)/(T(A)+T(B))＜1.5。
通过使第一层11的厚度T(A)、第三层12的厚度T(B)和第二层13的厚度T(C)满足上述关系式，形状追随性更加提高。
基材层1的整体的厚度T(F)没有特别限定，优选为20μm以上、300μm以下，更优选为40μm以上、220μm以下，更加优选为70μm以上、160μm以下。在基材层1的整体的厚度小于上述下限值的情况下，有可能第一层11破裂，基材层1的脱模性降低。另外，在基材层1的整体的厚度超过上述上限值的情况下，有可能基材层1的形状追随性降低，电磁波遮断层3的形状追随性降低。
另外，由如上所述的叠层体构成的基材层1的150℃时的贮藏弹性模量优选为2.0E+05～5.0E+08Pa，更优选为1.0E+06～3.0E+08Pa，更加优选为3.0E+06～9.0E+07Pa。
这样，将作为用于提高电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性的基材发挥功能的基材层1的加热时的贮藏弹性模量设定在上述范围内，由此在使用电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61时，能够将电磁波遮断层3以对应于凸部61的形状的状态更为可靠地压入凹部62。其结果，能够用电磁波遮断层3将设置有该凸部61的基板5更为可靠地覆盖。因此，通过该电磁波遮断层3，对于设置有凸部61的基板5的电磁波屏蔽(遮断)性就更加提高。
另外，基材层1的25℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+07～1.0E+10Pa，更优选为5.0E+08～5.0E+09Pa。这样，通过将常温(室温)时、即25℃时的贮藏弹性模量设定在上述范围内，能够使基材层1在电磁波屏蔽用膜100的加热前不为液态而为固态，在电磁波屏蔽用膜100的加热时为半固态(凝胶状)。因此，在基材层1(电磁波屏蔽用膜100)向基板5的贴附时，能够将基材层1不产生褶皱等地贴附于基板5。另外，将电磁波屏蔽用膜100切割成规定尺寸时的作业性也提高。此外，在向设置于基板5的凹部62压入时，也能够利用该基材层1将电磁波遮断层3可靠地压入凹部62内。此外，在具有上述贮藏弹性模量的特性的基材层1中，优选至少第一层11和第三层12由热塑性树脂构成，即使在贴附工序中的电磁波屏蔽用膜100的加热后，该25℃时的贮藏弹性模量维持在上述范围内。由此，在剥离工序中，能够使基材层1容易地从电磁波遮断层3剥离。
此外，优选将基材层1的120℃时的贮藏弹性模量设为A[Pa]、将基材层1的150℃时的贮藏弹性模量设为B[Pa]时，满足0.02≤A/B≤1.00的关系，更优选满足0.02≤A/B≤0.50的关系。满足上述关系的基材层1在其加热时，能够说因加热时的温度变化引起的基材层1的贮藏弹性模量的变化的幅度小。因此，即使使加热时的温度条件改变，也能够将由该温度变化引起的基材层1的贮藏弹性模量的变化的幅度限制在必要的最小限度。因此，能够利用该基材层1将电磁波遮断层3更为可靠地压入凹部62内。
此外，各层的25℃、120℃和150℃时的贮藏弹性模量例如使用动态粘弹性测定装置(Seiko Instruments Inc.制，“DMS6100”)获得。具体而言，在25～200℃以49mN的一定负荷的拉伸模式、升温速度5℃/分钟、频率1Hz的条件下测定要测定的各层的贮藏弹性模量。分别读取动态粘弹性测定装置的25℃、120℃和150℃时的贮藏弹性模量。由此，能够求得贮藏弹性模量。
＜遮断层3＞
接着，说明电磁波遮断层(遮断层)3。
电磁波遮断层3具有遮断(屏蔽)从设置于基板5上的电子部件4(凸部61)、和经由该电磁波遮断层3位于与基板5(电子部件4)相反侧的其他电子部件等中的至少一者产生的电磁波的功能。
该电磁波遮断层3没有特别限定，可以是以任何形态遮断电磁波的层，可以列举例如：通过使入射到电磁波遮断层3的电磁波反射而进行遮断(遮蔽)的反射层、和通过吸收入射到电磁波遮断层3的电磁波而进行遮断(遮蔽)的吸收层。
以下，对于反射层和吸收层分别进行说明。
反射层，如上所述，是通过使入射到反射层的电磁波反射而进行遮断的层。
作为该反射层，可以列举例如：导电性粘接剂层、金属薄膜层、金属网、ITO等实施了导电性材料的表面处理的层等。它们可以单独使用或者并用。它们之中优选使用导电性粘接剂层。导电性粘接剂层即使将其膜厚(厚度)设定得比较薄，也发挥优异的电磁波屏蔽性，因此优选作为反射层使用。
作为上述导电性粘接剂层，构成为包含金属粉和粘合剂树脂。金属粉可以列举例如金、银、铜或银包铜、镍等。它们之中，从电磁波屏蔽性优异的理由出发，优选使用银。
上述导电性粘接剂层中的金属粉和粘合剂树脂的含有比率没有特别限制，以重量比计，优选为40：60～90：10，更优选为50：50～80：20，更加优选为55：45～70：30。在金属粉和粘合剂树脂的含有比率低于上述下限值的情况下，有可能难以表现导电性。另外，在金属粉和粘合剂树脂的含有比率超过上述上限值的情况下，有可能可挠性或与电子设备部件的密合性降低。
上述导电性粘接剂层除上述金属粉和粘合剂树脂以外，还可以含有阻燃剂、流平剂、粘度调整剂等。
反射层的厚度T(E1)没有特别限定，优选为5μm以上、100μm以下，更优选为8μm以上、50μm以下，更加优选为10μm以上、30μm以下。在反射层的厚度小于上述下限值的情况下，根据反射层的构成材料等，有可能耐卷边性降低，搭载部件在端部破裂。在反射层的厚度超过上述上限值的情况下，根据反射层的构成材料等，有可能形状追随性降低。另外，如果将反射层的厚度T(E1)设定在上述范围内，能够发挥优异的电磁波屏蔽性。因此，能够实现反射层的厚度T(E1)的薄膜化，进而能够实现由电磁波遮断层(反射层)3覆盖的搭载有电子部件4的基板5的轻量化。
吸收层，如上所述，通过吸收入射到吸收层的电磁波，将电磁能转换成热能，从而遮断电磁波。
作为该吸收层，可以列举例如：以金属粉和导电性高分子材料等的导电吸收材料作为主要材料所构成的导电吸收层、以碳类材料和导电性高分子材料等的介电吸收材料作为主要材料所构成的介电吸收层、以软磁性金属等的磁性吸收材料作为主要材料所构成的磁性吸收层等，它们可以单独使用或者并用。
此外，导电吸收层通过在施加电场时在材料内部流动的电流将电磁能转换成热能，由此吸收电磁波。介电吸收层通过介质损耗将电磁波的能量转换成热能，由此吸收电磁波。磁性吸收层通过过电流损耗、磁滞损耗、磁共振等磁损耗，将电波的能量转换成热而消耗，由此吸收电磁波。
它们之中，优选使用介电吸收层、导电吸收层。
介电吸收层和导电吸收层即使将其膜厚(厚度)设定得比较薄，也发挥特别优异的电磁波屏蔽性。因此，优选作为吸收层使用。另外，由于该层中所含的材料的粒径小以及其添加量也能够减少，所以能够将其膜厚比较容易地较薄地设定，还能够轻量化。
此外，作为导电吸收材料，可以列举例如：导电性高分子、ATO等的金属氧化物、导电性陶瓷。
另外，作为导电性高分子，可以列举例如：聚乙炔、聚吡咯、PEDOT(聚亚乙基二氧噻吩，poly－ethylenedioxythiophene)、PEDOT/PSS、聚噻吩、聚苯胺、聚(对亚苯基)、聚芴、聚咔唑、聚硅烷或它们的衍生物等，能够使用它们中的1种或组合使用2种以上。
作为介电吸收材料，可以列举碳类材料、导电性高分子等。
另外，作为碳类材料，可以列举例如：单层碳纳米管、多层碳纳米管之类的碳纳米管、碳纳米纤维、CN纳米管、CN纳米纤维、BCN纳米管、BCN纳米纤维、石墨烯、或碳微线圈、碳纳米线圈、碳纳米角、碳纳米墙之类的碳等，能够使用它们中的1种或组合使用2种以上。
此外，作为磁性吸收材料，可以列举例如：铁、硅钢、磁性不锈钢(Fe－Cr－Al－Si合金)、森达斯特铝硅铁合金(Fe－Si－Al合金)、坡莫合金(强磁性铁镍合金)(Fe－Ni合金)、硅铜(Fe－Cu－Si合金)、Fe－Si合金、Fe－Si－B(－Cu－Nb)合金之类的软磁性金属、铁素体等。
吸收层的厚度T(E2)没有特别限定，优选为1μm以上、100μm以下，更优选为2μm以上、80μm以下，更加优选为3μm以上、50μm以下。在吸收层的厚度低于上述下限值的情况下，根据吸收层的构成材料等，基板搭载部件有可能在端部破裂。另外，在吸收层的厚度超过上述上限值的情况下，根据吸收层的构成材料等有可能形状追随性降低。另外，如果将吸收层的厚度T(E2)设定在上述范围内，则能够发挥优异的电磁波屏蔽性。因此，能够实现吸收层的厚度T(E2)的薄膜化，进而能够实现由电磁波遮断层(吸收层)3覆盖的搭载有电子部件4的基板5的轻量化。
如上那样的电磁波遮断层3优选遮断(屏蔽)电磁波的电磁波屏蔽性为5dB以上，更优选为30dB以上，更加优选为50dB以上。具有这样的电磁波屏蔽性的电磁波遮断层3具有优异的电磁波屏蔽性，能够更为可靠地遮断电磁波。
另外，电磁波遮断层3的150℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+05～1.0E+09Pa，更优选为5.0E+05～5.0E+08Pa。通过将上述贮藏弹性模量设定在上述范围内，在贴附工序中，电磁波屏蔽用膜100的加热之后，通过来自基材层1的按压力，将电磁波遮断层3压入基板5上的凹部62，由此，在覆盖该凸部61时，能够根据来自上述基材层1的按压力，使电磁波遮断层3对应于凸部61的形状变形。即，能够使电磁波遮断层3相对于凸部61的形状追随性提高。
此外，如上所述，电磁波遮断层3可以是反射层和吸收层的任意一种，但在它们具有大致相同的电磁波屏蔽性的情况下，优选为吸收层。就吸收层而言，吸收入射到吸收层的电磁波，将电磁波能转换成热能，由此遮断电磁波。因此，通过该吸收，电磁波消失，由此能够可靠地防止反射层那样反射的电磁波对于没有被电磁波遮断层3覆盖的其他构件等进行误动作等的不良影响。
以温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件，将如上那样构成的电磁波屏蔽用膜100热压接于通过在基板5上搭载电子部件4所形成的凹部62、凸部61时，电磁波屏蔽用膜100的形状追随性优选为500μm以上，更优选为800μm以上，更加优选为1000μm以上。即，优选能够用电磁波屏蔽用膜100覆盖凸部61的上表面与凹部62的底面之差、即、高度为500μm以上的凸部61，更优选能够覆盖高度800μm以上的凸部61，更加优选能够覆盖高度1000μm以上的凸部61。这样，能够覆盖高度高的凸部61(高低差大的)的电磁波屏蔽用膜100具有优异的形状追随性。另外，通过电磁波遮断层3，能够相对于凹部62以优异的埋入率覆盖凸部61。
此外，能够如下求出上述形状追随性。
即，首先，在长100mm×宽100mm×高2mm的印刷配线板(母板)，以0.2mm间隔，棋盘格状地形成宽度0.2mm、规定的高低差的槽，由此得到印刷配线基板。然后，使用真空加压式层压机，以150℃×2MPa×5分钟的条件，使电磁波屏蔽用膜压接于印刷配线板，而贴附于印刷配线板。贴附后，将基材层从电磁波屏蔽用膜剥离。接着，判断贴附于印刷配线板的遮断层与印刷配线板上的槽之间是否有空隙。此外，是否有空隙利用Microscope(显微镜)或显微镜观察来评价。
＜电子部件的覆盖方法＞
接着，说明本发明的电子部件的覆盖方法。
本发明的电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：贴附工序，将上述电磁波屏蔽用膜以使上述电磁波遮断层和电子部件粘接的方式，贴附于上述基板上；和剥离工序，在上述贴附工序之后，将上述基材层从上述电磁波遮断层剥离。
图2是用于说明使用图1所示的电磁波屏蔽用膜覆盖电子部件的方法的纵剖面图。
以下，依次说明电子部件的覆盖方法的各工序。
(贴附工序)
上述贴附工序是指，例如，如图2(a)所示，以覆盖设置于基板5上的凸部61的方式，将电磁波屏蔽用膜100贴附于基板5的工序。
作为贴附的方法，没有特别限定，可以列举例如真空压空成型法。
真空压空成型法是指，例如使用真空加压式层压机，用电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61的方法。首先，在能够设定为真空气氛的密闭空间内，以基板5的形成有凸部61一侧的面和电磁波屏蔽用膜100的电磁波遮断层3一侧的面相对的方式，将基板5和电磁波屏蔽用膜100以重合的状态设置。然后，将它们在加热下，以使电磁波屏蔽用膜100从电磁波屏蔽用膜100侧均匀地接近基板5的方式，使上述密闭空间处于真空气氛下。然后，对它们加压。由此，实施真空压空成型法。
此时，在本发明中，基材层1由叠层有至少2个层的叠层体构成。通过将基材层1设为上述构成，基材层1在真空压空成型法的加热时，发挥对于凸部61优异的形状追随性。
因此，在该状态下，一边从电磁波屏蔽用膜100侧对电磁波屏蔽用膜100均匀地加压，一边使上述密闭空间处于真空气氛下，由此基材层1对应于凸部61的形状进行变形。进而，与该变形一起，位于比基材层1更靠基板5侧的电磁波遮断层3对应于凸部61的形状进行变形。由此，以电磁波遮断层3对应于凸部61的形状被压入凹部62的状态下，凸部61被电磁波遮断层3覆盖。
在这样的贴附工序中，贴附的温度，没有特别限定，优选为100℃以上、200℃以下，更优选为120℃以上、180℃以下。
另外，贴附的压力，没有特别限定，优选为0.5MPa以上、5.0MPa以下，更优选为1.0MPa以上、3.0MPa以下。
此外，贴附的时间，没有特别限定，优选为1分钟以上、30分钟以下，更优选为5分钟以上、15分钟以下。
通过将贴附工序的条件设定在上述范围内，能够以将电磁波遮断层3压入基板5上的凹部62的状态，用该电磁波遮断层3可靠地覆盖凸部61。
(剥离工序)
上述剥离工序是指，例如，如图2(b)所示，在上述贴附工序之后，将基材层1从电磁波屏蔽用膜100剥离的工序。
通过该剥离工序，在本实施方式中，在电磁波屏蔽用膜100的基材层1与电磁波遮断层3的界面中，产生剥离，其结果，基材层1从电磁波遮断层3剥离。由此，以从电磁波遮断层3剥离了基材层1的状态，由电磁波遮断层3覆盖凸部61。
此外，在使用这样的电磁波屏蔽用膜100、利用电磁波遮断层3覆盖凸部61时，如图2所示，能够对应于贴附的电磁波屏蔽用膜100的形状，用电磁波遮断层3覆盖凸部61。因此，通过与要覆盖的凸部61的形状对应地适当设定电磁波屏蔽用膜100的形状，能够选择性地用电磁波遮断层3覆盖要覆盖的凸部61。即，能够利用电磁波遮断层3进行凸部61的选择性电磁波屏蔽。
另外，作为剥离基材层1的方法，没有特别限定，由于真空压空成型法结束(上述的贴附工序)后的电磁波屏蔽用膜100在高温的状态下，基材层1伸长，发生树脂残留等，存在剥离作业性降低的可能性，因此，可以列举利用手工作业进行剥离。
在该利用手工作业进行剥离时，例如，首先拿着基材层1的一个端部。接着，以该拿着的端部作为起点，将基材层1从电磁波遮断层3揭下。接着，将基材层1从该端部向着基材层1的中央部、进而向着基材层1的另一个端部，依次从电磁波遮断层3揭下。通过这样操作，从电磁波遮断层3剥离基材层1。
剥离的温度优选为180℃以下，更优选为150℃以下，更加优选为100℃以下。
通过经过以上那样的工序，能够以从电磁波遮断层3剥离了基材层1的状态，由电磁波遮断层3覆盖凸部61。
此外，在本实施方式中，如图1所示，对于使用依次叠层有基材层1(第一层11、第二层13、第三层12)、电磁波遮断层3的磁波屏蔽用膜100，以电磁波遮断层3覆盖基板5上的凸部61的情况进行说明。但是，电磁波屏蔽用膜100的层构成不限定于这样的情况，例如，也可以是如下所示那样的形成第二～第十二实施方式那样的层构成的电磁波屏蔽用膜100。
＜第二实施方式＞
以下，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第二实施方式。
图3是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第二实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图3中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图3所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图3所示的电磁波屏蔽用膜100中，省略基材层1具备的第一层11的形成，由此，基材层1形成为从上面侧依次叠层有第二层13和第三层12的形成2层结构的叠层体，除此以外，与图1所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第二层13和第三层12的基材层1与电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。
在这样构成的电磁波屏蔽用膜100中，在贴附工序中，将电磁波遮断层3压入基板5上的凹部62时所使用的真空加压式层压机等具有的按压部，具备与第二层13的脱模性，由此，省略第一层11的形成。
此时，上述按压部的与第二层13接触的接触面的脱模性的程度能够用上述接触面的表面张力表示。上述接触面的表面张力优选为20～40mN/m，更优选为25～35mN/m。通过上述接触面具有这样范围内的表面张力，在使用真空加压式层压机等的压入过程之后，就能够使按压部可靠地从第二层13剥离。
这样构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第三实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第三实施方式。
图4是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第三实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图4中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图4所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图4所示的电磁波屏蔽用膜100中，省略基材层1具备的第三层12的形成，由此，基材层1形成为从上面侧依次叠层有第一层11和第二层13的形成2层结构的叠层体，除此以外，与图1所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11和第二层13的基材层1与电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。
在这样构成的电磁波屏蔽用膜100中，在剥离工序中，将基材层1从电磁波遮断层3剥离时，在第二层13与电磁波遮断层3的界面，基材层1从电磁波遮断层3剥离。在这样的剥离中，电磁波遮断层3具备与第二层13的脱模性，由此，省略第三层12的形成。
此时，电磁波遮断层3的与第二层13接触的接触面的脱模性的程度能够用上述接触面的表面张力表示。上述接触面的表面张力优选为20～40mN/m，更优选为25～35mN/m。通过上述接触面具有这样范围内的表面张力，在使用真空加压式层压机等的压入过程之后，能够使第二层13可靠地从电磁波遮断层3剥离。
作为具有这样的表面张力的电磁波遮断层3，可以列举例如：使导电性高分子或碳类材料分散于聚氨酯这样的热固性树脂中得到的树脂等。
这样构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第四实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第四实施方式。
图5是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第四实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图5中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图5所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图5所示的电磁波屏蔽用膜100中，遮断层3不是单层构成，而是形成包括吸收层31和反射层32的叠层体，它们从基材层1的下面(一个面)侧以上述顺序叠层，吸收层31与基材层1(第三层12)接触，除此以外，与图1所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11、第二层13、第三层12的基材层1与包括吸收层31、反射层32的遮断层3依次叠层而成的叠层体。通过使用由这样的叠层体构成的具备遮断层3的电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61，以将吸收层31配置在反射层32的与凸部61的相反侧、将反射层32配置在与凸部61接触的一侧的状态，用遮断层3覆盖凸部61。这样，在本实施方式中，由于遮断层3由包括吸收层31和反射层32的叠层体构成，所以能够使遮断层3产生的电磁波屏蔽性进一步提高。
另外，在这样构成的遮断层3中，吸收层31的150℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+05～1.0E+09Pa，更优选为5.0E+05～5.0E+08Pa。
此外，反射层32的150℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+05～1.0E+09Pa，更优选为5.0E+05～5.0E+08Pa。
通过将以如上所述顺序叠层的吸收层31和反射层32的贮藏弹性模量分别设定在上述范围内，能够根据来自上述基材层1的按压力，使具备吸收层31和反射层32的遮断层3对应于凸部61的形状更加可靠地变形。
这样构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第五实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第五实施方式。
图6是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第五实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图6中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图6所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图6所示的电磁波屏蔽用膜100中，遮断层3不是单层构成，而是形成包括反射层32和吸收层31的叠层体，它们从基材层1的下面(一个面)侧按照上述顺序叠层，反射层32与基材层1(第三层12)接触，除此以外，与图1所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11、第二层13、第三层12的基材层1与包括反射层32、吸收层31的遮断层3依次叠层而成的叠层体。通过使用由这样的叠层体构成的具备遮断层3的电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61，以将反射层32配置在吸收层31的与凸部61的相反侧、将吸收层31配置在与凸部61接触一侧的状态，用遮断层3覆盖凸部61。这样，在本实施方式中，遮断层3由包括反射层32和吸收层31的叠层体构成，因此，能够使遮断层3产生的电磁波屏蔽性进一步提高。
另外，在这样的构成的遮断层3中，反射层32的150℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+05～1.0E+09Pa，更优选为5.0E+05～5.0E+08Pa。
此外，吸收层31的150℃时的贮藏弹性模量优选为1.0E+05～1.0E+09Pa，更优选为5.0E+05～5.0E+08Pa。
通过将以如上所述的顺序叠层的反射层32和吸收层31的贮藏弹性模量分别设定在上述范围内，能够根据来自上述基材层1的按压力，使具备反射层32和吸收层31的遮断层3对应于凸部61的形状更加可靠地变形。
这样构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
此外，在上述第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100和上述第五实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，除了遮断层3具有的反射层32和吸收层31的叠层顺序不同以外，彼此都相同。如上所述，吸收层31通过吸收入射到吸收层31的电磁波来遮断电磁波，因此通过该吸收，电磁波消失。由此可知，第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有能够可靠地防止在反射层32所反射的电磁波对于没有被遮断层3覆盖的其他构件等带来不良影响的优点。因此，在这些第四和第五实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，优选设为使吸收层31位于反射层32的与凸部61的相反侧的第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100。
另外，在上述第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100和上述第五实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，将遮断层3设为分别具备反射层32和吸收层31各1层的2层结构的叠层体。但是，遮断层3不限于这样的2层结构的叠层体，也可以由具备2层以上的至少反射层32和吸收层31中的任意一方的、3层以上的叠层体构成。
＜第六实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第六实施方式。
图7是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第六实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图7中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图7所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图7所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了在基材层1与电磁波遮断层3之间形成有绝缘层2以外，与图1所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，如图7所示，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100构成为包含基材层1、绝缘层2和电磁波遮断层3。绝缘层2和电磁波遮断层3从基材层1的下面(一个面)侧依次叠层，绝缘层2与基材层1接触。
＜基材层1＞
首先，说明与图1所示的电磁波屏蔽用膜100的基材层1的不同点。
第一层11的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为50～1000[ppm/℃]，更优选为100～700[ppm/℃]。通过将第一层11的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，第一层11具有优异的伸缩性。因此，能够使电磁波遮断层3和绝缘层2对于凸部61的形状追随性更加可靠地提高。
另外，第二层13的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为500以上[ppm/℃]，更优选为1000以上[ppm/℃]。通过将第二层13的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，第二层13与第三层12相比较更容易具有优异的伸缩性。因此，能够使第二层13、进而使电磁波遮断层3和绝缘层2对于凸部61的形状追随性更加可靠地提高。
此外，通过将各层11～13的平均线膨胀系数分别适当设定在上述范围内，能够将后述的基材层1的150℃时的贮藏弹性模量容易地设定在2.0E+05～2.0E+08Pa的范围内。
另外，由如上所述的叠层体构成的基材层1，其150℃时的贮藏弹性模量优选为2.0E+05～2.0E+08Pa，更优选为1.0E+06～1.0E+08Pa，更加优选为3.0E+06～6.0E+07Pa。
这样，将作为用于提高绝缘层2和遮断层3对于凸部61的形状追随性的基材发挥功能的基材层1的加热时的贮藏弹性模量设定在上述范围内，由此在使用电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61时，能够将绝缘层2和电磁波遮断层3以对应于凸部61的形状的状态更加可靠地压入凹部62。其结果，能够用遮断层3更加可靠地覆盖设置有该凸部61的基板5，因此该电磁波遮断层3对于设置有凸部61的基板5的电磁波屏蔽(遮断)性进一步提高。
＜绝缘层2＞
接着，说明绝缘层2。
绝缘层2在本实施方式中，与基材层1(第三层12)接触设置。从基材层1侧依次叠层有绝缘层2、电磁波遮断层3。通过使用这样叠层的具备绝缘层2和电磁波遮断层3的电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61，电磁波遮断层3与基板5和电子部件4接触，从基板5侧以电磁波遮断层3、绝缘层2的顺序覆盖电子部件4。
这样，在本实施方式中，绝缘层2经由电磁波遮断层3覆盖基板5和电子部件4。由此，将基板5、电子部件4和电磁波遮断层3经由绝缘层2与位于基板5相反侧的其他构件(电子部件等)绝缘。
作为该绝缘层2，可以列举例如具有热固性的绝缘树脂或具有热塑性的绝缘树脂(绝缘膜)。这些之中，优选使用具有热塑性的绝缘树脂。具有热塑性的绝缘树脂为屈挠性优异的膜。由此，在贴附工序中，使用基材层1作为向凹部62的压入用的基材，相对于基板5上的凹部62压入绝缘层2和电磁波遮断层3时，能够使绝缘层2对应于凸部61的形状可靠地追随。另外，具有热塑性的绝缘树脂如果加热到其软化点温度，则能够从粘接对象的基板再剥离，因此在基板的修理时特别有用。
作为具有热塑性的绝缘树脂，可以列举例如：热塑性聚酯、α－烯烃、乙酸乙烯酯、聚乙烯醇缩醛、乙烯乙酸乙烯酯、氯乙烯、丙烯酸、聚酰胺、纤维素。这些之中，从与基板的密合性、屈挠性、耐药品性优异等理由出发，优选使用热塑性聚酯、α－烯烃。
此外，在具有热塑性的绝缘树脂中，能够以不损害耐热性和耐屈挠性等性能的范围，含有酚醛类树脂、有机硅类树脂、脲醛类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂等。另外，在具有热塑性的绝缘树脂中，也可以与后述的导电性粘接剂层的情况同样地，在不使粘接性、耐回流焊性降低的范围内，添加硅烷偶联剂、抗氧化剂、颜料、染料、粘接赋予树脂、增塑剂、紫外线吸收剂、消泡剂、流平调整剂、填充剂、阻燃剂等。
绝缘层2的厚度T(D)没有特别限定，优选为3μm以上、50μm以下，更优选为4μm以上、30μm以下，更加优选为5μm以上、20μm以下。在绝缘层2的厚度低于上述下限值的情况下，耐卷边性降低，向凸部61的热压接后在弯曲部有可能产生裂缝。另外，膜强度降低，难以承担作为导电性粘接剂层的绝缘性支撑体的作用。在超过上述上限值的情况下，形状追随性有可能降低。即，通过将绝缘层2的厚度T(D)设定在上述范围内，能够使绝缘层2的屈挠性更加优异。另外，在贴附工序中，使用基材层1作为向凹部62的压入用的基材，在对于基板5上的凹部62压入绝缘层2和电磁波遮断层3时，能够使绝缘层2对应于凸部61的形状更加可靠地追随。
另外，绝缘层2的25～150℃时的平均线膨胀系数优选为50～1000[ppm/℃]，更优选为100～700[ppm/℃]。通过将绝缘层2的平均线膨胀系数设定在上述范围内，在电磁波屏蔽用膜100的加热时，绝缘层2具有优异的伸缩性。因此，能够使绝缘层2、进而使电磁波遮断层3对于凸部61的形状追随性更加可靠地提高。
此外，该绝缘层2，如图7、8所示，为由1层构成的层，除此以外，还可以是使上述绝缘膜中、不同的层叠层得到的2层以上的叠层体。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样使用，得到与上述第一实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第七实施方式＞
以下，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第七实施方式。
图9是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第七实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图9中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图9所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图3所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图9所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了绝缘层2形成于基材层1与电磁波遮断层3之间以外，与图3所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第二层13和第三层12的基材层1、绝缘层2和电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。此外，绝缘层2与第六实施方式的绝缘层2相同，因此省略其说明。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第二实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第二实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。另外，由于本实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有绝缘层2，所以能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第八实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第八实施方式。
图10是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第八实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图10中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图10所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图4所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图10所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了绝缘层2形成于基材层1与电磁波遮断层3之间以外，与图4所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11和第二层13的基材层1、绝缘层2和电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。此外，绝缘层2与第六实施方式的绝缘层2相同，因此省略其说明。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第三实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第三实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。另外，由于本实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有绝缘层2，所以能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第九实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第九实施方式。
图11是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第九实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图11中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图11所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图7所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图11所示的电磁波屏蔽用膜100中，省略基材层1具备的第三层12的形成，由此，基材层1形成为从上面侧依次叠层有第一层11和第二层13的形成2层结构的叠层体，并且绝缘层2和电磁波遮断层3的叠层顺序反转，除此以外，与图7所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11和第二层13的基材层1、电磁波遮断层3和绝缘层2依次叠层而成的叠层体。
在这样构成的电磁波屏蔽用膜100中，在剥离工序中，将基材层1从电磁波遮断层3剥离时，基材层1在第二层13与电磁波遮断层3的界面从电磁波遮断层3剥离。在这样的剥离中，电磁波遮断层3具备与第二层13的脱模性，由此，省略第三层12的形成。
此时，电磁波遮断层3的与第二层13接触的接触面的脱模性的程度能够由上述接触面的表面张力表示。上述接触面的表面张力优选为20～40mN/m，更优选为25～35mN/m。通过上述接触面具有上述范围内的表面张力，在使用真空加压式层压机等的压入过程之后，能够使第二层13可靠地从电磁波遮断层3剥离。
作为具有这样的表面张力的电磁波遮断层3，可以列举例如：使碳类材料、导电性高分子分散于聚氨酯等的热固性树脂中而得到的树脂等。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第十实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第十实施方式。
图12是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图12中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图12所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图7所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图12所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了绝缘层2和电磁波遮断层3的叠层顺序反转以外，与图7所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11、第二层13、第三层12的基材层1、绝缘层2和电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。通过使用这样叠层的具备电磁波遮断层3和绝缘层2的电磁波屏蔽用膜100覆盖基板5上的凸部61，绝缘层2与基板5和电子部件4接触，从基板5侧以绝缘层2、电磁波遮断层3的顺序覆盖电子部件4。
这样，在本实施方式中，绝缘层2将基板5和电子部件4以与它们接触的状态覆盖。由此，将基板5和电子部件4经由绝缘层2与位于基板5相反侧的电磁波遮断层3和其他构件(电子部件等)绝缘。
因此，在这样构成的电磁波屏蔽用膜100中，例如，即使电磁波遮断层3含有导电性材料，也能够通过绝缘层2将相邻的电子部件4彼此可靠地绝缘。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第十一实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第十一实施方式。
图13是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十一实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图13中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图13所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图5所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图13所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了绝缘层2形成于电磁波遮断层3与基材层1之间以外，与图5所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11、第二层13、第三层12的基材层1、绝缘层2和包括吸收层31、反射层32的电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。此外，绝缘层2与第六实施方式的绝缘层2相同，因此省略其说明。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第四实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。另外，由于本实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有绝缘层2，所以能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，能够得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
＜第十二实施方式＞
接着，说明本发明的电磁波屏蔽用膜的第十二实施方式。
图14是表示本发明的电磁波屏蔽用膜的第十二实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，为了方便说明，将图14中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，说明图14所示的电磁波屏蔽用膜100，但以与图6所示的电磁波屏蔽用膜100的不同点为中心进行说明，对于同样的事项，省略其说明。
在图14所示的电磁波屏蔽用膜100中，除了绝缘层2形成于电磁波遮断层3与基材层1之间以外，与图6所示的电磁波屏蔽用膜100相同。
即，在本实施方式中，电磁波屏蔽用膜100形成为包括第一层11、第二层13、第三层12的基材层1、绝缘层2和包括反射层32、吸收层31的电磁波遮断层3依次叠层而成的叠层体。此外，绝缘层2与第六实施方式的绝缘层2相同，因此省略其说明。
这样的构成的本实施方式的电磁波屏蔽用膜100也能够与上述第五实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，得到与上述第五实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。另外，由于本实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有绝缘层2，所以能够与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样地使用，能够得到与上述第六实施方式的电磁波屏蔽用膜100同样的效果。
此外，在上述第十一实施方式的电磁波屏蔽用膜100和上述第十二实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，除了电磁波遮断层3具有的反射层32和吸收层31的叠层顺序不同以外，彼此都相同。如上所述，吸收层31通过吸收入射到吸收层31的电磁波来遮断电磁波，因此通过该吸收，电磁波消失。由此可知，上述第十一实施方式的电磁波屏蔽用膜100具有能够可靠地防止在反射层32反射的电磁波对于没有被电磁波遮断层3覆盖的其他构件等带来不良影响的优点。因此，在这些第十一和第十二实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，优选设为使吸收层31位于反射层32的与凸部61的相反侧的第十一实施方式的电磁波屏蔽用膜100。
另外，在上述第十一实施方式的电磁波屏蔽用膜100和上述第十二实施方式的电磁波屏蔽用膜100中，将电磁波遮断层3设为分别各具有1层反射层32和吸收层31的2层结构的叠层体。但是，电磁波遮断层3不限于这样的2层结构的叠层体，也可以由具备2层以上的至少反射层32和吸收层31中的任意一方的、3层以上的叠层体构成。
另外，在上述实施方式中，说明了在电磁波遮断层3的上面或下面的任何一方叠层1个绝缘层2的情况，但不限于这样的情况，也可以在电磁波遮断层3的上面和下面的双方作为其他层各叠层1层绝缘层2。
以上，说明了本发明的电磁波屏蔽用膜、和电子部件的覆盖方法，但本发明不限定于这些。
例如，在本发明的电磁波屏蔽用膜中，也能够组合上述第一～第十二实施方式的任意的构成。
另外，本发明的电磁波屏蔽用膜中也可以追加能够发挥同样功能的任意的层。
此外，本发明的电子部件的覆盖方法中也可以追加1或2个以上的任意的工序。
实施例
以下，基于实施例详细地说明本发明，但本发明并不限于此。
1.关于电磁波屏蔽用膜的层构成的研究
(实施例1A)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1A的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为140μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1A的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420ppm/℃。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
将所得到的电磁波屏蔽用膜在温度150度、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，通过手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2A)
除了将第一层的厚度设为80μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3A)
除了将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4A)
除了将第二层的厚度设为90μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5A)
除了将第二层的厚度设为20μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6A)
除了将第三层的厚度设为10μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7A)
除了将第三层的厚度设为90μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8A)
除了将电磁波遮断层的厚度设为5μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9A)
除了将电磁波遮断层的厚度设为150μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10A)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例11A)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合80wt％、20wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例12A)
作为第一层，准备聚甲基戊烯(三井化学株式会社制，商品名：TPX MX004)，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例13A)
作为第一层，准备聚对苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑料株式会社制，商品名：Novaduran 5505S)，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例14A)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例15A)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚乙烯(宇部兴产株式会社制，商品名：UBE polyethylene F222NH)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例16A)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)、聚乙烯(宇部兴产株式会社制，商品名：UBE polyethylene F222NH)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、20wt％、20wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例17A)
除了将第一层的厚度设为5μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例18A)
除了将第二层的厚度设为120μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例19A)
除了将第三层的厚度设为3μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例20A)
除了将第二层的厚度设为80μm、将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例21A)
除了将第一层的厚度设为5μm、将第二层的厚度设为80μm、将第三层的厚度设为5μm以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例22A)
省略第一层的形成，在电磁波遮断层中使用导电性高分子聚苯胺分散液(Regulus公司制PANI－PD)，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例23A)
除了省略第三层的形成以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例1A)
作为基材层，仅准备聚对苯二甲酸乙二醇酯(Toray株式会社制，商品名：Lumirror S10)，将基材层的厚度设为30μm，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例2A)
作为基材层，仅准备聚对苯二甲酸乙二醇酯(Toray株式会社制，商品名：Lumirror S10)，将基材层的厚度设为100μm，除此以外，与实施例1A同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
对于实施例1A～23A、以及比较例1A、2A中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，进行形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性的评价。以下，对于这些评价方法进行说明。
＜＜形状追随性＞＞
上述形状追随性能够如下操作来求出。
在长100mm×宽100mm×高3mm的印刷配线板(母板)以0.2mm间隔、棋盘格状地形成宽0.2mm、规定的高低差(深度)的槽。然后，使用真空压空成型装置，以150℃×1MPa×10分钟使电磁波屏蔽用膜压接于印刷配线板，使其贴附于印刷配线板。贴附后，将基材层从电磁波遮断层剥离。接着，判断贴附于印刷配线板的电磁波遮断层与印刷配线板上的槽之间是否有空隙。此外，是否有空隙利用Microscope(显微镜)或显微镜观察进行评价。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：高低差小于500μm。
○：高低差为500μm以上、小于1000μm。
◎：高低差为1000μm以上、小于2000μm。
◎◎：高低差为2000μm以上。
＜＜脱模性＞＞
上述脱模性能够如下操作来求出。
在与上述形状追随性的评价方法相同的印刷配线板上热压接电磁波屏蔽用膜。然后，通过利用手工作业仅将基材层从电磁波遮断层剥离时的剥落容易度来评价。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：在基材层残留有树脂。
○：在基材层没有树脂残留，但是基材层的剥离略严重。
◎：在基材层不残留树脂，能够容易地剥离基材层。
＜＜耐卷边性＞＞
上述耐卷边性能够如下操作来求出。
将电磁波屏蔽用膜贴合于具有屈挠性的基板、例如、柔性电路基板等。将贴合的板进行卷边，利用显微镜观察其弯曲部位。其中，弯曲用手进行，弯曲仅为1次。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：弯曲部产生裂缝。
○：弯曲部存在一些褶皱。
◎：弯曲部没有产生裂缝。
＜＜第二层渗出性＞＞
上述基材层的第二层渗出性能够如下操作来求出。
将基材层以150℃×2.0MPa×5分钟进行热压。用游标卡尺等测定渗出的第二层的构成材料距离第二层的端部的最大距离。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：最大距离为1.0mm以上。
○：最大距离为0.5mm以上、小于1.0mm。
◎：最大距离小于0.5mm。
＜＜耐热性＞＞
上述基材层的耐热性能够如下操作来求出。
与上述形状追随性的评价方法同样地，使用真空压空成型装置，以150℃×2MPa×5分钟，将电磁波屏蔽用膜压接于印刷配线板，并将其贴附于印刷配线板。贴附后，将基材层从电磁波遮断层剥离。接着，用目测观察贴附于印刷配线板的电磁波遮断层是否有褶皱。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：电磁波遮断层产生了褶皱。
○：电磁波遮断层产生了微细的褶皱。
◎：电磁波遮断层没有产生褶皱。
＜＜切割-冲裁作业性＞＞
上述电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性能够如下操作来求出。
将电磁波屏蔽用膜切割、冲裁成规定的尺寸和形状时，需要大量工序数，用作业性是否明显降低进行判断。
各符号如下所示。×为不合格，其以外的情况为合格。
×：作业性明显低下。
○：作业性略微降低。
◎：作业性没有问题。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表1中。
从表1可知，实施例1A～23A的电磁波屏蔽用膜显示良好的形状追随性，此外关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性也平衡良好且优异。相对于此，比较例1A、2A的电磁波屏蔽用膜如果与实施例1A～23A的电磁波屏蔽用膜相比较，则结果为形状追随性不充分。
2.关于基材层的贮藏弹性模量的研究
(实施例1B)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出，将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1B的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为140μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1B的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420ppm/℃。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
在温度150℃、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法将所得到的电磁波屏蔽用膜贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，用手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2B)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3B)
除了将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4B)
除了将第二层的厚度设为90μm以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5B)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6B)
除了将第一层的厚度设为80μm以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7B)
除了将第一层的厚度设为100μm以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8B)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：NobreneFS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9B)
作为第二层，准备聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：NobreneFS2011DG2)，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10B)
作为第一层，准备聚对苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑料株式会社制，商品名：Novaduran 5020)，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例11B)
作为第一层，准备6－尼龙(宇部兴产株式会社制，商品名：UBENylon 1022B)，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例1B)
作为基材层，准备环状烯烃类共聚物(Polyplastics株式会社制，商品名：TOPAS6017)，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例2B)
将第三层的厚度设为1μm、将第一层的厚度设为1μm，除此以外，与实施例1B同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
关于实施例1B～11B以及比较例1B、2B中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，也与对于实施例1A～23A以及比较例1A、2A中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件实施的试验同样地操作，进行形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性的评价。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表2中。
从表2可知，在实施例1B～11B的电磁波屏蔽用膜中，由于基材层的150℃时的贮藏弹性模量被设定在适当的范围内，而显示良好的形状追随性。此外，关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性，结果也为平衡良好且优异。
相对于此，在比较例1B、2B的电磁波屏蔽用膜中，基材层的150℃时的贮藏弹性模量没有被设定在适当的范围内，结果形状追随性不充分。
3.关于遮断层的层构成和贮藏弹性模量的研究
(实施例1C)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出，将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1C的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为140μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1C的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
在温度150℃、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法，将所得到的电磁波屏蔽用膜贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，用手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2C)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－250H－5)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3C)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－250H－23)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4C)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5C)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备聚苯胺分散液(Regulus公司制，商品名：PANI－PD、厚度20μm)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6C)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的介电吸收层中准备多层碳纳米管分散液(保土谷化学株式会社制，商品名：NT－7K、厚度20μm)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7C)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度20μm)，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8C)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW260－H1、厚度10μm)，具有作为吸收层的功能的导电吸收层准备聚苯胺分散液(Regulus株式会社制，商品名：PANI－PD、厚度10μm)，将它们以反射层、吸收层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9C)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B、厚度10μm)和具有作为吸收层的功能的介电吸收层(PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度10μm)，将它们以反射层、吸收层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10C)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW260－H1、厚度10μm)和在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备聚苯胺分散液(Regulus株式会社制，商品名：PANI－PD、厚度10μm)，将它们以吸收层、反射层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例11C)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B、厚度10μm)和具有作为吸收层的功能的介电吸收层(PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度10μm)，将它们以吸收层、反射层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1C同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
关于实施例1C～11C中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，也与对于实施例1A～23A以及比较例1A、2A中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件实施的试验同样地操作，进行形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性的评价。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表3中。
表3
＊X:反射层接触绝缘层且以反射层、吸收层的顺序叠层的情况
Y:吸收层接触绝缘层且以吸收层、反射层的顺序叠层的情况
从表3可知，如实施例1C～11C所示，通过不仅将基材层的150℃时的贮藏弹性模量设定在适当的范围内，而且将电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量设定在适当的范围内，显示良好的形状追随性。此外，关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性，也判定为平衡良好且优异。
4.关于电磁波屏蔽用膜的层构成的研究
(实施例1D)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成绝缘层的树脂，准备聚烯烃类乳液(Unitika株式会社制，商品名：ARROW BASE(アローベース)TC－4010)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出，将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层、另外将作为绝缘层的上述聚烯烃类乳液依次涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1D的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为160μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，绝缘层的厚度为20μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1D的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420ppm/℃。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
在温度150度、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法将所得到的电磁波屏蔽用膜贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，用手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2D)
除了将第一层的厚度设为80μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3D)
除了将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4D)
除了将第二层的厚度设为90μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5D)
除了将第二层的厚度设为20μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6D)
除了将第三层的厚度设为10μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7D)
除了将第三层的厚度设为90μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8D)
除了将绝缘层的厚度设为5μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9D)
除了将绝缘层的厚度设为50μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10D)
除了将电磁波遮断层的厚度设为5μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例11D)
除了将电磁波遮断层的厚度设为150μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例12D)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例13D)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合80wt％、20wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1D同样地准备。
(实施例14D)
作为第一层，准备聚甲基戊烯(三井化学株式会社制，商品名：TPX MX004)，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例15D)
作为第一层，准备聚对苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑料株式会社制，商品名：Novaduran 5505S)，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例16D)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例17D)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚乙烯(宇部兴产株式会社制，商品名：UBE polyethylene F222NH)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例18D)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)、聚乙烯(宇部兴产株式会社制，商品名：UBE polyethylene F222NH)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、20wt％、20wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例19D)
作为绝缘层，准备饱和共聚聚酯乳液(Unitika株式会社制，商品名：Elitel KT－8803)，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例20D)
除了将第一层的厚度设为5μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例21D)
除了将第二层的厚度设为120μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例22D)
除了将第三层的厚度设为3μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例23D)
除了将第二层的厚度设为80μm、将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例24D)
除了将第一层的厚度设为5μm、将第二层的厚度设为80μm、将第三层的厚度设为5μm以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例25D)
省略第一层的形成，在电磁波遮断层中使用导电性高分子聚苯胺分散液(Regulus公司制PANI－PD)，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例26D)
除了省略第三层的形成以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例1D)
作为基材层，仅准备聚对苯二甲酸乙二醇酯(Toray株式会社制，商品名：Lumirror S10)，将基材层的厚度设为30μm，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例2D)
作为基材层，仅准备聚对苯二甲酸乙二醇酯(Toray株式会社制，商品名：Lumirror S10)，将基材层的厚度设为100μm，除此以外，与实施例1D同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
关于实施例1D～26D以及比较例1D、2D中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，也与上述的＜评价试验＞同样地评价形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表4中。
从表4可知，实施例1D～24D的电磁波屏蔽用膜显示良好的形状追随性，而且关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性也平衡良好且优异。相对于此，比较例1D、2D的电磁波屏蔽用膜如果与实施例1D～26D的电磁波屏蔽用膜相比较，结果其形状追随性不充分。
5.关于基材层的贮藏弹性模量的研究
(实施例1E)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成绝缘层的树脂，准备聚烯烃类乳液(Unitika株式会社制，商品名：ARROW BASE(アローベース)TC－4010)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出，将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层、另外将作为绝缘层的上述聚烯烃类乳液，依次涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1E的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为160μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，绝缘层的厚度为20μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1E的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420ppm/℃。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
在温度150℃、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法，将得到的电磁波屏蔽用膜贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，用手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2E)
作为第二层，准备将乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：Nobrene FS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合70wt％、30wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3E)
除了将第一层的厚度设为10μm以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4E)
除了将第二层的厚度设为90μm以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5E)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和苯乙烯－乙烯－丁烯－苯乙烯嵌段共聚物(KURARAY株式会社制，商品名：SEPTON S8007)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6E)
除了将第一层的厚度设为80μm以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7E)
除了将第一层的厚度设为100μm以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8E)
作为第一层，准备将间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)和聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：NobreneFS2011DG2)以重量百分比浓度计分别配合60wt％、40wt％而得到的配合品，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9E)
作为第二层，准备聚丙烯(住友化学株式会社制，商品名：NobreneFS2011DG2)，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10E)
作为第一层，准备聚对苯二甲酸丁二醇酯(三菱工程塑料株式会社制，商品名：Novaduran 5020)，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例1E)
作为基材层，准备环状烯烃类共聚物(Polyplastics株式会社制，商品名：TOPAS6017)，除此以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(比较例2E)
除了将第三层的厚度设为1μm、将第一层的厚度设为1μm以外，与实施例1E同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
对于实施例1E～10E以及比较例1E、2E中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，也与对于实施例1D～26D以及比较例1D、2D中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件实施的试验同样操作，进行形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性的评价。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表5中。
表5
从表5可知，在实施例1E～10E中，由于基材层的150℃时的贮藏弹性模量被设定在适当的范围内，所以显示良好的形状追随性。此外，关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性，结果也为平衡良好且优异。
相对于此，在比较例1E、2E中，基材层的150℃时的贮藏弹性模量没有被设定在适当的范围内，结果为形状追随性不充分。
6.关于遮断层的层构成和贮藏弹性模量的研究
(实施例1F)
＜电磁波屏蔽用膜的制造＞
为了得到电磁波屏蔽用膜，作为构成第一层(第一脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第三层(第二脱模层)的树脂，准备间规聚苯乙烯(出光兴产株式会社制，商品名：XAREC S107)。作为构成第二层(缓冲层)的树脂，准备乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(住友化学株式会社制，商品名：ACRYFT WD106)。作为构成绝缘层的树脂，准备聚烯烃类乳液(Unitika株式会社制，商品名：ARROW BASE TC－4010)。作为构成电磁波遮断层的树脂，准备导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－260H－1)。
使用进料块和多歧管模头通过共挤出，将作为第一层的上述间规聚苯乙烯、作为第三层的上述间规聚苯乙烯和作为第二层的上述乙烯-丙烯酸甲酯共聚物进行膜化。将作为电磁波遮断层的上述导电性粘接剂层、另外将作为绝缘层的上述聚烯烃类乳液依次涂布于基材层，制作电磁波屏蔽用膜。
实施例1F的电磁波屏蔽用膜的整体的厚度为160μm，第一层的厚度为30μm，第三层的厚度为30μm，第二层的厚度为60μm，绝缘层的厚度为20μm，电磁波遮断层的厚度为20μm。
另外，测定实施例1F的电磁波屏蔽用膜中的第一层、第二层和第三层的平均线膨胀系数，结果分别为420、2400和420。
此外，测定基材层和电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量，结果分别为1.8E+07Pa、1.2E+07Pa。
＜电子部件的制造＞
在温度150℃、压力2.0MPa的条件下，以5分钟用真空压空成型法，将所得到的电磁波屏蔽用膜贴附于电脑用存储基板(三星株式会社制，商品名：DDR2 667 M470T6554EZ3－CE6 PC2－5300)(高低差1,000μm)的表面。贴附后，用手工作业，仅将基材层从电磁波遮断层剥离，制造电子部件。
(实施例2F)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－250H－5)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例3F)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW－250H－23)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例4F)
作为电磁波遮断层，设为导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例5F)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备聚苯胺分散液(Regulus公司制，商品名：PANI－PD、厚度20μm)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例6F)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的介电吸收层中准备多层碳纳米管分散液(保土谷化学社制，商品名：NT－7K、厚度20μm)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例7F)
作为构成遮断层的树脂，在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度20μm)，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例8F)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW260－H1、厚度10μm)和在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备聚苯胺分散液(Regulus公司制，商品名：PANI－PD、厚度10μm)，将它们以反射层、吸收层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例9F)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B、厚度10μm)和在具有作为吸收层的功能的介电吸收层中准备(PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度10μm)，将它们以反射层、吸收层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例10F)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(东洋纺株式会社制，商品名：DW260－H1、厚度10μm)和在具有作为吸收层的功能的导电吸收层中准备聚苯胺分散液(Regulus公司制，商品名：PANI－PD、厚度10μm)，将它们以吸收层、反射层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
(实施例11F)
作为构成遮断层的树脂，准备具有作为反射层的功能的导电性粘接剂层(大研化学工业株式会社制，商品名：CA－2503－4B、厚度10μm)和具有作为吸收层的功能的介电吸收层中准备(PEDOT/PSS(中京油脂株式会社制，商品名：S－941、厚度10μm)，将它们以吸收层、反射层的顺序涂布于膜，除此以外，与实施例1F同样地制造电磁波屏蔽用膜和电子部件。
＜评价试验＞
关于实施例1F～11F中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件，也与关于实施例1D～26D以及比较例1D、2D中制作的电磁波屏蔽用膜或电子部件实施的试验同样地操作，进行形状追随性、脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性的评价。
以上的各实施例、比较例的评价结果表示在表6中。
表6
＊X：反射层接触绝缘层且以反射层、吸收层的顺序叠层的情况
Y：吸收层接触绝缘层且以吸收层、反射层的顺序叠层的情况
从表6可知，如实施例1F～11F所示，通过不仅将基材层的150℃时的贮藏弹性模量设定在适当的范围内，而且将电磁波遮断层的150℃时的贮藏弹性模量设定在适当的范围内，显示良好的形状追随性。此外，关于脱模性、耐卷边性、基材层的第二层渗出性、耐热性、电磁波屏蔽的切割-冲裁作业性，也判定为平衡良好且优异。
工业上的可利用性
本发明涉及的电磁波屏蔽用膜是能够提高基板的设计自由度，且能够实现轻量化、薄型化，并且对于500μm以上的凸部61，也具有良好的形状追随性的电磁波屏蔽用膜。

Claims (17)

1.一种电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
其为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，
该电磁波屏蔽用膜构成为包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的电磁波遮断层，
所述基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述基材层是从另一个面侧依次叠层有第一层、第二层和第三层的形成3层结构的叠层体。
3.如权利要求2所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第一层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
4.如权利要求2或3所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述第一层的厚度T(A)为5μm以上、100μm以下。
5.如权利要求2～4中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述第三层的25～150℃时的平均线膨胀系数为40～1000[ppm/℃]。
6.如权利要求2～5中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述第三层的厚度T(B)为5μm以上、100μm以下。
7.如权利要求2～6中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述第二层的25～150℃时的平均线膨胀系数为400以上[ppm/℃]。
8.如权利要求2～7中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述第二层的厚度T(C)为10μm以上、100μm以下。
9.如权利要求2～8中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述第一层的厚度T(A)、所述第三层的厚度T(B)和所述第二层的厚度T(C)满足下述关系式(I)：
0.05＜T(C)/(T(A)+T(B))＜10      ···(I)。
10.如权利要求1～9中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：所述电磁波遮断层由反射层和吸收层构成，所述电磁波遮断层是反射层和吸收层从所述基材层的所述一个面侧依次叠层得到的叠层体。
11.如权利要求1所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述基材层是从另一个面侧依次叠层有第一层和第二层的形成2层结构的叠层体。
12.如权利要求1所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述基材层是从另一个面侧依次叠层有第二层和第三层的形成2层结构的叠层体。
13.如权利要求1～12中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：在温度150℃、压力2MPa、时间5分钟的条件下，将该电磁波屏蔽用膜热压接于所述基板上的所述凸部时的形状追随性为500μm以上、3,000μm以下。
14.如权利要求1～13中任一项所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：还包括叠层于所述基材层与所述电磁波遮断层之间的绝缘层。
15.如权利要求14所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述绝缘层由具有热塑性的绝缘树脂构成。
16.如权利要求14或15所述的电磁波屏蔽用膜，其特征在于：
所述绝缘层的厚度T(D)为3μm以上、50μm以下。
17.一种电子部件的覆盖方法，其特征在于，包括：
贴附工序，将权利要求1～16中任一项所述的电磁波屏蔽用膜以使所述电磁波遮断层与电子部件粘接的方式，贴附于所述基板上的所述凸部；和
剥离工序，所述贴附工序之后，将所述基材层从所述电磁波遮断层剥离。
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