TWI648783B - 乾式蝕刻方法 - Google Patents

乾式蝕刻方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI648783B
TWI648783B TW105121921A TW105121921A TWI648783B TW I648783 B TWI648783 B TW I648783B TW 105121921 A TW105121921 A TW 105121921A TW 105121921 A TW105121921 A TW 105121921A TW I648783 B TWI648783 B TW I648783B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
etching
dry
etchant
volume
dry etching
Prior art date
Application number
TW105121921A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201709321A (zh
Inventor
大森啟之
Hiroyuki Oomori
八尾章史
Akifumi Yao
Original Assignee
中央硝子股份有限公司
Central Glass Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中央硝子股份有限公司, Central Glass Company, Limited filed Critical 中央硝子股份有限公司
Publication of TW201709321A publication Critical patent/TW201709321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI648783B publication Critical patent/TWI648783B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/73—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
TW105121921A 2015-08-12 2016-07-12 乾式蝕刻方法 TWI648783B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015159517 2015-08-12
JP2015-159517 2015-08-12
JP2015172721 2015-09-02
JP2015-172721 2015-09-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201709321A TW201709321A (zh) 2017-03-01
TWI648783B true TWI648783B (zh) 2019-01-21

Family

ID=57983063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105121921A TWI648783B (zh) 2015-08-12 2016-07-12 乾式蝕刻方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10741406B2 (enExample)
JP (1) JP6327295B2 (enExample)
KR (1) KR102090650B1 (enExample)
CN (2) CN114512399B (enExample)
TW (1) TWI648783B (enExample)
WO (1) WO2017026197A1 (enExample)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7261159B2 (ja) * 2017-06-08 2023-04-19 株式会社レゾナック エッチング方法
JP6896522B2 (ja) * 2017-06-27 2021-06-30 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード エッチング方法およびプラズマエッチング用材料
CN107665829B (zh) 2017-08-24 2019-12-17 长江存储科技有限责任公司 晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法
US11075084B2 (en) * 2017-08-31 2021-07-27 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Chemistries for etching multi-stacked layers
JP7181734B2 (ja) * 2017-09-01 2022-12-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10586710B2 (en) * 2017-09-01 2020-03-10 Tokyo Electron Limited Etching method
JP2019050305A (ja) 2017-09-11 2019-03-28 東芝メモリ株式会社 プラズマエッチング方法、及び、半導体装置の製造方法
WO2019087850A1 (ja) 2017-11-02 2019-05-09 昭和電工株式会社 エッチング方法及び半導体の製造方法
KR102741055B1 (ko) * 2018-02-15 2024-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치
JP7158252B2 (ja) * 2018-02-15 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
CN118263107A (zh) * 2018-03-16 2024-06-28 朗姆研究公司 在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
US20190362983A1 (en) * 2018-05-23 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching oxide nitride stacks
TWI804638B (zh) * 2018-06-22 2023-06-11 日商關東電化工業股份有限公司 使用含硫原子之氣體分子之電漿蝕刻方法
KR102272823B1 (ko) * 2018-07-30 2021-07-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
WO2020028119A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Lam Research Corporation Non-selective and selective etching through alternating layers of materials
JP7030648B2 (ja) * 2018-08-09 2022-03-07 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法およびエッチングガス
JP7173799B2 (ja) 2018-09-11 2022-11-16 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法およびエッチングガス
JP2020068221A (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
CN111373511B (zh) * 2018-10-26 2023-12-26 株式会社日立高新技术 等离子体处理方法
CN112997280A (zh) * 2018-11-02 2021-06-18 中央硝子株式会社 干蚀刻方法
US10629451B1 (en) * 2019-02-01 2020-04-21 American Air Liquide, Inc. Method to improve profile control during selective etching of silicon nitride spacers
US10593518B1 (en) * 2019-02-08 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for etching semiconductor structures
WO2020172208A1 (en) * 2019-02-20 2020-08-27 Tokyo Electron Limited Method for selective etching at an interface between materials
JP2020141033A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 東京エレクトロン株式会社 堆積処理方法及びプラズマ処理装置
KR102765856B1 (ko) 2019-03-22 2025-02-11 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 드라이 에칭 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP7277225B2 (ja) * 2019-04-08 2023-05-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、及び、プラズマ処理装置
DE102019114980A1 (de) 2019-06-04 2020-12-10 Technische Universität Bergakademie Freiberg Verbindungen zur Behandlung von Nitrid-Keramiken
JP7493378B2 (ja) * 2019-07-05 2024-05-31 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及び基板処理装置
JP7390134B2 (ja) * 2019-08-28 2023-12-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法およびエッチング処理装置
CN110544627A (zh) * 2019-09-12 2019-12-06 长江存储科技有限责任公司 高深宽比开口的刻蚀方法及刻蚀气体
JP7387377B2 (ja) 2019-10-18 2023-11-28 キオクシア株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
EP4050641A4 (en) 2019-11-08 2023-12-13 Tokyo Electron Limited Etching method
CN112786441B (zh) 2019-11-08 2026-01-23 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法及等离子体处理装置
WO2021090516A1 (ja) 2019-11-08 2021-05-14 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
SG10202010798QA (en) * 2019-11-08 2021-06-29 Tokyo Electron Ltd Etching method and plasma processing apparatus
US11456180B2 (en) 2019-11-08 2022-09-27 Tokyo Electron Limited Etching method
CN111154490A (zh) * 2020-01-02 2020-05-15 长江存储科技有限责任公司 刻蚀气体、刻蚀方法及3d存储器件制造方法
WO2021171458A1 (ja) 2020-02-27 2021-09-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法
CN113785382B (zh) * 2020-04-10 2023-10-27 株式会社日立高新技术 蚀刻方法
US11373877B2 (en) 2020-04-13 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ protection liners for high aspect ratio reactive ion etching
JP7524003B2 (ja) * 2020-05-29 2024-07-29 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
US11688609B2 (en) * 2020-05-29 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
JP7653327B2 (ja) * 2021-03-31 2025-03-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング処理装置
TW202245053A (zh) * 2021-03-31 2022-11-16 日商東京威力科創股份有限公司 蝕刻方法及蝕刻處理裝置
JP2022159653A (ja) * 2021-04-05 2022-10-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング処理装置
WO2022234648A1 (ja) * 2021-05-07 2022-11-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
WO2022234647A1 (ja) * 2021-05-07 2022-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20230094212A1 (en) * 2021-09-30 2023-03-30 Tokyo Electron Limited Plasma etch process for fabricating high aspect ratio (har) features
JP7674223B2 (ja) 2021-11-01 2025-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
CN116918042A (zh) 2022-02-14 2023-10-20 株式会社日立高新技术 蚀刻处理方法
JP2023170855A (ja) * 2022-05-20 2023-12-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
TW202405936A (zh) * 2022-07-08 2024-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法
KR20260115110A (ko) * 2023-11-20 2026-07-23 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 에칭 방법, 에칭 장치 및 보호막 형성용 가스

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW442866B (en) * 1997-09-19 2001-06-23 Applied Materials Inc Plasma process for selectively etching oxide using fluoropropane or fluoropropylene
JP2008300616A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Nippon Zeon Co Ltd エッチング方法
TWI444456B (zh) * 2010-07-12 2014-07-11 中央硝子股份有限公司 Dry etchant and dry etching method
TWI455203B (zh) * 2007-05-03 2014-10-01 蘭姆研究公司 開孔之硬遮罩及藉由開孔之硬遮罩施行之蝕刻輪廓控制

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322695B1 (ko) 1995-03-20 2002-05-13 윤종용 강유전성캐패시터의제조방법
KR100338808B1 (ko) 2000-03-10 2002-05-31 윤종용 이리듐(Ｉｒ) 전극의 건식 식각방법
JP2003086568A (ja) 2001-09-10 2003-03-20 Tokyo Electron Ltd エッチング方法
US20050103441A1 (en) 2001-11-14 2005-05-19 Masanobu Honda Etching method and plasma etching apparatus
WO2003043072A1 (en) * 2001-11-14 2003-05-22 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma etcher
US7547635B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-16 Lam Research Corporation Process for etching dielectric films with improved resist and/or etch profile characteristics
JP4749683B2 (ja) * 2004-06-08 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US20070105295A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Dongbuanam Semiconductor Inc. Method for forming lightly-doped-drain metal-oxide-semiconductor (LDD MOS) device
CN103258729B (zh) 2007-12-21 2016-07-06 朗姆研究公司 硅结构的制造和带有形貌控制的深硅蚀刻
JP2011124239A (ja) * 2008-03-31 2011-06-23 Daikin Industries Ltd ドライエッチングガス及びそれを用いたドライエッチング方法
JP2011009556A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI442866B (zh) 2010-02-01 2014-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 框架結構
US9093388B2 (en) 2010-02-01 2015-07-28 Central Glass Company, Limited Dry etching agent and dry etching method using the same
KR101962191B1 (ko) * 2011-03-29 2019-03-26 제온 코포레이션 플라즈마 에칭 가스 및 플라즈마 에칭 방법
JP2013030531A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Central Glass Co Ltd ドライエッチング剤
KR20130057670A (ko) * 2011-11-24 2013-06-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
WO2014006559A1 (en) 2012-07-02 2014-01-09 Lumenis Ltd. Optical fiber tip attachment
JP6154820B2 (ja) 2012-11-01 2017-06-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6267953B2 (ja) 2013-12-19 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP6745199B2 (ja) 2016-06-10 2020-08-26 東京エレクトロン株式会社 銅層をエッチングする方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW442866B (en) * 1997-09-19 2001-06-23 Applied Materials Inc Plasma process for selectively etching oxide using fluoropropane or fluoropropylene
TWI455203B (zh) * 2007-05-03 2014-10-01 蘭姆研究公司 開孔之硬遮罩及藉由開孔之硬遮罩施行之蝕刻輪廓控制
JP2008300616A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Nippon Zeon Co Ltd エッチング方法
TWI444456B (zh) * 2010-07-12 2014-07-11 中央硝子股份有限公司 Dry etchant and dry etching method

Also Published As

Publication number Publication date
CN107924837A (zh) 2018-04-17
JP2017050529A (ja) 2017-03-09
US10741406B2 (en) 2020-08-11
CN107924837B (zh) 2022-02-01
US20180204728A1 (en) 2018-07-19
WO2017026197A1 (ja) 2017-02-16
CN114512399B (zh) 2025-06-24
KR102090650B1 (ko) 2020-03-18
JP6327295B2 (ja) 2018-05-23
TW201709321A (zh) 2017-03-01
KR20180030145A (ko) 2018-03-21
CN114512399A (zh) 2022-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6327295B2 (ja) ドライエッチング方法
US9728422B2 (en) Dry etching method
KR102547222B1 (ko) 드라이 에칭 방법
TWI491711B (zh) Dry etchant
TWI491710B (zh) Dry etchants and dry etching methods using them
US11566177B2 (en) Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device
JP6788177B2 (ja) ドライエッチング方法、ドライエッチング剤及び半導体装置の製造方法
TWI621179B (zh) Dry etching method
CN111052318A (zh) 用于蚀刻多个堆叠层的化学过程
WO2020195559A1 (ja) ドライエッチング方法及び半導体デバイスの製造方法
CN110571150A (zh) 高深宽比开口的刻蚀方法及半导体器件
TW202543978A (zh) 氫氟碳化合物及其在積體電路製造方法的用途