TWI612601B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI612601B
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小林健司
奧谷學
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斯克林集團公司
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Abstract

本發明的基板處理方法，係包括有：有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排除步驟；該有機溶劑置換步驟係將表面張力為較低於清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至基板之上表面，該清洗液係附著在以水平姿勢所保持之上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，而利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；該基板高溫化步驟係在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；該有機溶劑排除步驟係將浮起之上述有機溶劑的液膜，從上述基板之上表面的上方加以排除。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於對半導體晶圓等基板施行處理的基板處理方法及基板處理裝置。
半導體裝置之製造步驟中，對半導體晶圓等基板的表面供給處理液，並使用處理液對該基板的表面施行處理。
例如，每次處理1片基板的單片式基板處理裝置，係具備有：在呈略水平狀態保持基板狀態下，使該基板旋轉的旋轉夾具；以及為對由該旋轉夾具進行旋轉的基板表面供給處理液的噴嘴。例如對由旋轉夾具保持的基板供給藥液，然後再藉由供給清洗液，而將基板上的藥液置換為清洗液。然後，執行為排除基板上之清洗液的旋轉乾燥處理。旋轉乾燥處理時，藉由高速旋轉基板，在基板上所附著的清洗液便被甩乾並除去(乾燥)。在此種旋轉乾燥處理時，進入於基板表面微細圖案間隙中的清洗液無法充分除去，結果會有發生乾燥不良之虞。
所以，如US Patent No.5,882,433所記載，提案：對經清洗處理後的基板表面供給異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液等常溫有機溶劑，而將進入基板表面圖案間隙中的清洗液置換為有機溶劑，而使基板表面乾燥的手法。
在旋轉乾燥處理時，會有鄰接圖案彼此間相拉近並接觸，導致圖案崩壞的情況。此項原因之一推測係因鄰接圖案間所存在液體衍生的表面張力造成。如US Patent No.5,882,433，當在旋轉乾燥前便對基板供給有機溶劑時，因為在圖案間存在的係低表面張力的有機溶劑，因而削弱鄰接圖案彼此間互拉靠近的力，結果認為能防止圖案崩壞。
然而，近年在半導體基板表面上，有為求高積體化而形成微細且高寬深比的微細圖案(凸狀圖案、線狀圖案等)。因為微細且高寬深比的微細圖案較容易崩壞，因而僅依靠在旋轉乾燥處理前對基板表面供給有機溶劑，仍會有無法充分抑制此種微細圖案崩壞的可能性。
因此，本發明目的在於提供：於抑制或防止圖案崩壞情況下，並可使基板表面良好乾燥的基板處理方法及基板處理裝置。
本發明所提供的基板處理方法，係包括有：有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排除步驟；該有機溶劑置換步驟係將表面張力為較低於清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至基板之上表面，該清洗液係附著在以水平姿勢所保持之上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，而利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；該基板高溫化步驟係在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之 上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；該有機溶劑排除步驟係將浮起之上述有機溶劑的液膜，從上述基板之上表面的上方加以排除。
根據該方法，藉由對基板上表面供給液體有機溶劑， 而在基板上形成覆蓋基板上表面的有機溶劑液膜，藉此利用液體有機溶劑置換基板上表面所附著的清洗液。因為有機溶劑液膜係覆蓋基板上表面全區域，因而基板上表面全區域均能良好地置換清洗液。然後，在形成有機溶劑液膜後，便使基板上表面溫度到達第1溫度。藉此，在基板上表面全區域，於有機溶劑液膜與基板上表面之間形成有機溶劑的蒸發氣體膜，且在該有機溶劑的蒸發氣體膜上方浮起有機溶劑液膜。在此狀態下，於基板上表面與有機溶劑液膜之間所生成的摩擦力大小係趨近於零，因而有機溶劑的液膜容易沿基板上表面移動。
有機溶劑排除步驟中，對有機溶劑液膜作用為朝基板 側邊移動的力。藉此，有機溶劑液膜便沿基板上表面移動，並被從基板周緣部排出。有機溶劑液膜的移動係一方面維持液塊狀態(即、不會分裂為多數小滴)一方面進行，藉此有機溶劑液膜便可從基板W上方順暢且完全地排除。
所以，在有機溶劑液膜經排除後的基板上表面，不會 有有機溶劑呈小滴狀殘留。即，即便在基板上表面形成微細圖案的情況，在微細圖案的間隙中仍不會有液相有機溶劑殘留。所以，即便對上表面有形成微細圖案的基板施行處理時，仍可在抑制或防止圖案崩壞情況下，使基板上表面良好地乾燥。
在本發明一實施形態中，上述基板處理方法係更進一 步包含有覆液步驟，該覆液步驟係與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板之旋轉產生停止，或者以覆液(paddle)速度使上述基板產生旋轉。
根據該方法，在有機溶劑置換步驟時，並行執行覆液步驟。覆液步驟中，停止基板的旋轉、或依覆液速度使基板旋轉。隨此種基板的減速，作用於基板上之液體有機溶劑的離心力變為零或變小，便使液體有機溶劑不會被從基板周緣部排出而滯留於基板上表面。其結果，在基板上表面保持覆液狀態的有機溶劑液膜。因為利用基板上表面所保持有機溶劑液膜中含有的有機溶劑，基板上表面的清洗液便被置換，因而藉此可將基板上表面的清洗液更良好地利用有機溶劑置換。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有第1高速旋轉步驟，該第1高速旋轉步驟係在上述覆液步驟之前，與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板以較在上述覆液步驟中之上述基板之旋轉速度為更快速的第1旋轉速度進行旋轉。
根據該方法，在覆液步驟之前，便執行第1高速旋轉步驟。第1高速旋轉步驟係使基板依第1旋轉速度旋轉，藉此，基板上的液體有機溶劑便承接因基板旋轉衍生的離心力並朝基板周緣部擴展。所以，可使液體有機溶劑遍佈基板上表面全區域。故，在第1高速旋轉步驟後接著執行的覆液步驟中，可在基板上表面保持覆蓋基板上表面全區域的覆液狀態有機溶劑液膜。藉此，基板上表面全區域，可利用液體有機溶劑良好地置換基板上表面的清洗液。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有第2高速旋 轉步驟，該第2高速旋轉步驟係在上述覆液步驟之後，與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板以較在上述覆液步驟中之上述基板之旋轉速度為更快速的第2旋轉速度進行旋轉。
在覆液步驟中，因為作用於基板上液體的有機溶劑之 離心力係零或較小，因而有機溶劑液膜的厚度較厚。若在此厚度狀態下移往基板高溫化步驟，因為在基板上方浮起的有機溶劑厚度變厚，因而會有在液膜排除步驟中為排除有機溶劑液膜而需要較長期間之虞。
根據上述方法，在有機溶劑置換步驟後，且基板高溫 化步驟開始之前，便執行第2高速旋轉步驟。第2高速旋轉步驟係使基板依第2旋轉速度進行旋轉，藉此，基板上的有機溶劑液膜被薄膜化。其結果，利用第2高速旋轉步驟之後接著執行的基板高溫化步驟，便削薄在基板上方浮起的有機溶劑液膜厚度。藉此，可縮短液膜排除步驟的執行期間。
上述基板高溫化步驟亦可在上述基板為旋轉停止的 狀態下被加以執行。
根據該方法，在基板停止旋轉的狀態下執行基板高溫 化步驟。
假設，若在基板高溫化步驟中旋轉基板，基板周緣部 的旋轉速度變快速，使該周緣部遭冷卻，結果會有基板上表面周緣部的溫度不會到達所需溫度(即第1溫度)之虞。此情況，在基板周緣部會有有機溶劑液膜不會良好浮起之虞。
相對於此，上述方法因為係在基板停止旋轉的狀態下 執行基板高溫化步驟，因而可使基板上表面周緣部升溫至所需溫度(第1溫度)。藉此，可在基板上表面全區域使有機溶劑的液膜浮起。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有基板加熱步 驟，該基板加熱步驟係與上述有機溶劑置換步驟產生並行，以上述基板之上表面成為較上述有機溶劑之沸點為更低之既定之第2溫度的方式，對上述基板進行加熱。
根據該方法係在有機溶劑置換步驟時並行施行基板 加熱。即，基板上表面被加熱，提高接觸於基板上表面的液體有機溶劑之擴散係數。藉此，可提升利用有機溶劑進行的置換效率。因為有機溶劑置換步驟中的置換效率獲提高，因而可縮短有機溶劑置換步驟的執行期間。
上述基板處理方法亦可更進一步包含有清洗步驟，該 清洗步驟在上述有機溶劑置換步驟之前，將清洗液供給至上述基板的上表面；而上述基板加熱步驟係在執行上述清洗步驟之時開始進行。
在上述基板高溫化步驟中的上述第1溫度，亦可為在 上述基板高溫化步驟中使浮起之上述有機溶劑液膜不產生沸騰的溫度。此情況，可抑制或防止浮起的有機溶劑液膜發生龜裂等。藉此，在有機溶劑液膜中，能有效地抑制或防止因龜裂等的發生所造成乾燥後的圖案崩壞、水痕等缺陷發生。
在上述基板高溫化步驟中的上述第1溫度亦可為較 上述有機溶劑之沸點為高出10~50℃的溫度。
上述基板高溫化步驟中的上述第1溫度、及上述基板 高溫化步驟的執行期間中之至少其中一者，亦可被設定在如以下狀 態之溫度及執行期間：在上述有機溶劑之蒸發氣體膜中所含之氣相的有機溶劑，不會突破上述有機溶劑之液膜而突出至該液膜上。此情況，能有效地抑制或防止浮起的有機溶劑液膜發生龜裂等。藉此，在有機溶劑液膜中，能抑制或防止因龜裂等的發生所造成乾燥後的圖案崩壞、水痕等缺陷發生。
在上述基板高溫化步驟中所浮起之上述有機溶劑之 液膜的膜厚，亦可被設定為在上述基板高溫化步驟中上述有機溶劑液膜不產生分裂的厚度。根據該方法，可抑制或防止浮起的有機溶劑液膜發生龜裂等。藉此，在有機溶劑液膜中，能有效地抑制或防止因龜裂等的發生所造成乾燥後的圖案崩壞、水痕等缺陷發生。
亦可更進一步包含有有機溶劑供給步驟，該有機溶劑 供給步驟係與上述基板高溫化步驟產生並行，將上述有機溶劑供給至上述基板的上表面。
根據該方法，在有機溶劑置換步驟中，於基板上方浮 起的有機溶劑液膜厚度能保持所需大小。藉此，在有機溶劑液膜中，能有效地抑制或防止因龜裂等的發生所造成乾燥後的圖案崩壞、水痕等缺陷發生。
又，本發明所提供的基板處理裝置，係為對基板而加 以執行使用清洗液之清洗步驟的基板處理裝置，其包含有：基板保持單元、有機溶劑供給單元、加熱單元、及控制單元；該基板保持單元係以呈水平之方式保持上述基板；該有機溶劑供給單元係將表面張力為較低於上述清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至被上述基板保持單元所保持之上述基板的上表面；該加熱單元係從下方對上述基板進行加熱；控制單元係以控制上述有機溶劑供給單元及上 述加熱單元之方式，執行有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排除步驟；該有機溶劑置換步驟係將上述有機溶劑供給至上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；該基板高溫化步驟係在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；該有機溶劑排除步驟係從上述基板的上方，將上述有機溶劑的液膜加以排除。
根據此項構成，藉由對基板上表面供給液體有機溶 劑，而在基板上形成覆蓋基板上表面的有機溶劑液膜，藉此便將在基板上表面附著的清洗液利用液體有機溶劑置換。因為有機溶劑液膜覆蓋基板上表面全區域，因而基板上表面全區域均能良好地置換清洗液。然後，在有機溶劑液膜形成後，使基板上表面的溫度到達第1溫度。藉此，在基板上表面全區域，於有機溶劑液膜與基板上表面之間形成有機溶劑的蒸發氣體膜，且在該有機溶劑的蒸發氣體膜上方浮起有機溶劑液膜。在此狀態下，在基板上表面與有機溶劑液膜之間生成的摩擦力大小係趨近於零，因而有機溶劑液膜容易沿基板上表面移動。
在有機溶劑排除步驟中，對有機溶劑液膜作用為朝基 板側邊移動的力。藉此，有機溶劑液膜便沿基板上表面移動，並被基板周緣部排出。有機溶劑液膜的移動係一方面維持液塊狀態(即 不會分裂為多數小滴)一方面實施，藉此有機溶劑液膜便可從基板上方順暢且完全地排除。
所以，在有機溶劑液膜排除後的基板上表面，不會有有機溶劑呈小滴狀殘留。即，即便在基板上表面形成微細圖案的情況，在微細圖案的間隙中仍不會有液相有機溶劑殘留。所以，即便對上表面有形成微細圖案的基板施行處理時，仍可在抑制或防止圖案崩壞情況下，使基板上表面良好乾燥。
本發明的前述或其他目的、特徵及效果，經參照所附示圖式進行如下述實施形態說明便可闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔
5‧‧‧基板保持旋轉單元
6‧‧‧加熱板
6a‧‧‧基板對向面
7‧‧‧處理液供給單元
8‧‧‧有機溶劑供給單元
9‧‧‧杯
10‧‧‧固定銷
11‧‧‧支撐環
11a‧‧‧上表面
12‧‧‧可動銷
13‧‧‧環旋轉單元
14‧‧‧板保持軸
15‧‧‧加熱器
16‧‧‧板升降單元
17‧‧‧支撐構件
17a‧‧‧支撐面
18‧‧‧下配管
19‧‧‧第2貫通孔
20‧‧‧下吐出口
21‧‧‧第1藥液下閥
22‧‧‧第2藥液下閥
23‧‧‧清洗液下閥
24‧‧‧伸縮單元
25‧‧‧伸縮驅動單元
26‧‧‧第1藥液噴嘴
27‧‧‧第2藥液噴嘴
28‧‧‧清洗液噴嘴
29‧‧‧機械臂
30‧‧‧機械臂擺動單元
31‧‧‧第1藥液配管
32‧‧‧第1藥液閥
33‧‧‧第2藥液配管
34‧‧‧第2藥液閥
35‧‧‧清洗液配管
36‧‧‧清洗液閥
37‧‧‧下杯
38‧‧‧開口
39‧‧‧蓋構件
39a‧‧‧中央部
39b‧‧‧上環狀溝
39c‧‧‧周緣部
40‧‧‧底壁部
41‧‧‧周壁部
41a‧‧‧上端面
43‧‧‧密封構件
44‧‧‧清洗液上配管
45‧‧‧有機溶劑上配管
46‧‧‧氮氣上配管
47‧‧‧清洗液吐出口
48‧‧‧清洗液上閥
49‧‧‧有機溶劑吐出口
50‧‧‧有機溶劑閥
51‧‧‧氮氣吐出口
52‧‧‧氮氣閥
53‧‧‧密封環
54‧‧‧蓋升降單元
55‧‧‧第1貫通孔
61‧‧‧壓花
62‧‧‧第1假想圓
63‧‧‧第2假想圓
64‧‧‧第3假想圓
65‧‧‧小溝槽
66‧‧‧球體
67‧‧‧接著劑
69‧‧‧第4假想圓
71‧‧‧第1下軸部
72‧‧‧第1上軸部
73‧‧‧錐面
74‧‧‧第2下軸部
75‧‧‧第2上軸部
75a‧‧‧圓筒面
76‧‧‧夾具開閉單元
77‧‧‧驅動用永久磁石
78‧‧‧銷側永久磁石
79‧‧‧操縱環
80‧‧‧操縱桿
80a‧‧‧前端部
81‧‧‧桿操縱單元
82‧‧‧N極性部
83‧‧‧S極性部
84‧‧‧圓柱狀部
85‧‧‧伸出片
86‧‧‧被操縱片
90‧‧‧加熱板姿勢變更單元
100‧‧‧上表面
101‧‧‧微細圖案
102‧‧‧構造體
102A‧‧‧上端面
111‧‧‧液膜
112‧‧‧蒸發氣體膜
113‧‧‧龜裂等
161‧‧‧壓花
210‧‧‧固定銷
224‧‧‧伸縮單元
225‧‧‧伸縮單元
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧旋轉軸線
CR‧‧‧基板搬送機器人
H‧‧‧高度
T‧‧‧膜厚
TE1‧‧‧液膜浮起溫度
TE2‧‧‧事前加熱溫度
W‧‧‧基板
W1‧‧‧線寬
W2‧‧‧間隙
t1‧‧‧高速旋轉時間
t2‧‧‧覆液時間
t3‧‧‧薄膜化時間
v1‧‧‧覆液速度
v2‧‧‧薄膜化旋轉速度
v3‧‧‧液處理旋轉速度
v4‧‧‧高速旋轉速度
圖1係本發明一實施形態的基板處理裝置構成示意平面圖。
圖2係圖1所示基板處理裝置中具備的腔內部剖視圖。
圖3係圖2所示基板保持旋轉單元及加熱板的平面圖。
圖4係圖3沿切剖面線IV-IV切剖時的剖視圖。
圖5係加熱板的基板對向面放大縱剖圖。
圖6係固定銷構成的示意剖視圖。
圖7係可動銷及夾具開閉單元構成的示意剖視圖。
圖8係可動銷呈挾持狀態時，夾具開閉單元的示意圖。
圖9係可動銷從挾持狀態轉移至開放狀態的中途，夾具開閉單元的示意圖。
圖10係可動銷呈開放狀態時，夾具開閉單元的示意圖。
圖11係處理單元之處理對象基板的表面放大剖視圖。
圖12係處理單元所執行藥液處理的第1處理例說明步驟圖。
圖13A至13I係第1處理例的說明示意圖。
圖14A至14D係第1處理例的基板上表面狀態說明示意剖視圖。
圖15係基板高溫化步驟中，從水平方向觀看基板保持旋轉單元及加熱板時的縱剖圖。
圖16係有機溶劑排出步驟中，從水平方向觀看基板保持旋轉單元及加熱板時的縱剖圖。
圖17係有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排出步驟中，IPA吐出流量變化、及基板旋轉速度變化圖。
圖18係本發明第2處理例的最終清洗步驟說明示意圖。
圖19係本發明第3處理例中，IPA吐出流量變化、及基板旋轉速度變化圖。
圖20係加熱板的第1變化例圖。
圖21係加熱板的第2變化例圖。
圖1所示係本發明一實施形態的基板處理裝置1之示意平面圖。圖2所示係基板處理裝置1所具備腔4之內部的縱剖視圖。
如圖1所示，基板處理裝置1係每次處理1片半導體晶圓等圓板狀基板W的單片式裝置。基板處理裝置1係包含有：複數處理單元2、基板搬送機器人CR、及控制裝置(控制單元)3。該等複數處理單元2係利用處理液、處理氣體對基板W施行處理。該基板搬送機器人CR係對各處理單元2的腔4執行基板W的搬入及搬出。該控制裝置(控制單元)3係對基板處理裝置1所具備裝置 的動作、閥的開閉等進行控制。
處理單元2係供對圓形基板W的表面(圖案形成面) 及背面，施行使用第1藥液及第2藥液之藥液處理(洗淨處理、蝕刻處理等)的單片式單元。各處理單元2係包含有：箱形腔4、基板保持旋轉單元(基板保持單元)5、加熱板(基板保持單元、加熱單元)6、加熱板姿勢變更單元90、處理液供給單元7、有機溶劑供給單元8、及杯9。該箱形腔4係設有內部空間。該基板保持旋轉單元(基板保持單元)5係在腔4內一邊呈水平姿勢保持一片基板W，一邊使基板W圍繞通過基板W中心的鉛直旋轉軸線A1進行旋轉。 該加熱板(基板保持單元、加熱單元)6係具有從下方加熱基板W的基板對向面6a，且接觸於基板W下表面而從下方支撐著基板W。 該加熱板姿勢變更單元90(參照圖4)係使加熱板6在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。該處理液供給單元7係對由基板保持旋轉單元5保持的基板W，供給第1藥液、第2藥液、清洗液等處理液。該有機溶劑供給單元8係對由基板保持旋轉單元5或加熱板6所保持的基板W上表面，供給表面張力較低於清洗液的液體有機溶劑一例之液體IPA。該杯9係能依密閉狀態收容著基板保持旋轉單元5及加熱板6。
圖3所示係基板保持旋轉單元5及加熱板6的平面 圖。圖4所示係圖3沿切剖面線IV-IV切剖時的剖視圖。
如圖2至圖4所示，基板保持旋轉單元5係具有外徑 略大於基板W的圓環狀支撐環11。支撐環11係由具耐藥性的樹脂材料製成，具有與基板W之旋轉軸線A1同心的旋轉中心。支撐環11係具有水平且平坦的圓環狀上表面11a。在上表面11a上分別設 有：對支撐環11呈不動的複數支(例如6支)固定銷10、以及對支撐環11呈較少於固定銷10的複數支(例如3支)可動銷12。
複數支固定銷10係在支撐環11的上表面11a，沿圓 周方向呈等間隔配置。複數支可動銷12係在支撐環11的上表面11a沿圓周方向配置。複數支可動銷12係相對於複數支固定銷10中預定彼此相鄰且與可動銷12同數量(例如3支)之固定銷10，呈1對1對應設置。各可動銷12係配置於靠近所對應固定銷10的位置，即複數支可動銷12係在支撐環11的圓周方向上呈局部性配置。
支撐環11結合著使支撐環11圍繞旋轉軸線A1進行 旋轉的環旋轉單元13。環旋轉單元13係由馬達、及其所附設的傳動機構等構成。
如圖2至圖4所示，加熱板6係使用例如陶瓷、碳化 矽(SiC)形成，呈圓板狀。加熱板6係設有成為較基板W略小徑的圓形平坦基板對向面6a。基板對向面6a係具有較小於支撐環11內徑的小徑。即加熱板6與基板保持旋轉單元5的支撐環11係正面觀呈不會重複狀態。在加熱板6的內部埋設有例如電阻式加熱器15。藉由對加熱器15的通電而使加熱器15發熱，藉此包含基板對向面6a在內的加熱板6全體便被加熱。
如圖3所示，在加熱板6的基板對向面6a上，多數 個(圖3中例如24個)分散配置著供從下方抵接支撐著基板W的略半球狀微小壓花(emboss)61。壓花61的配置密度係在基板對向面6a全區域呈略均勻。具體而言，在以旋轉軸線A1為中心的第1假想圓62上，依等間隔配置4個壓花61。在與第1假想圓62呈同心的第2假想圓63上，依等間隔配置8個壓花61。在與第1假想圓 62呈同心的第3假想圓64上，依等間隔配置12個壓花61。第2及第3假想圓63、64的直徑分別設定為第1假想圓62直徑的約2倍及約3倍。多數個壓花61係具有相互相等的直徑。
藉由多數個壓花61與基板W下表面的抵接，便在基 板對向面6a的上方，依與基板對向面6a隔開微小間隔(下述圖5中的高度H)配置著基板W。利用在多數個壓花61與基板W下表面間所生成的摩擦力，使基板W支撐於加熱板6上，在此狀態下若加熱器15發熱，則基板對向面6a亦發熱，該熱便利用熱輻射、經由在基板對向面6a與基板W間之空間內的流體熱傳導、及多數個壓花61的熱傳導，提供給基板W。藉此，由多數個壓花61支撐的基板W便被加熱。
圖5所示係加熱板6的基板對向面6a放大縱剖圖。
各壓花61係利用嵌合於在基板對向面6a分散形成多 數個小溝槽65中的球體66，從所對應小溝槽65朝上方突出的部分形成。球體66係利用接著劑67固定於小溝槽65內。
球體66係使用例如陶瓷、碳化矽(SiC)等形成。多數 個壓花61係設定為例如均勻高度。各壓花61的高度H係設定為能防止由多數個壓花61所支撐的基板W會吸附於基板對向面6a，且基板對向面6a上的污染物質不會轉印於該基板W下表面的充分高度(例如約0.1mm左右)。
所以，由於在與基板對向面6a隔開間隔的狀態下支 撐著基板W，故能抑制或防止基板W吸附於基板對向面6a並貼附於基板對向面6a。又，即便基板對向面6a上有污染物質的情況，能可抑制或防止該污染物質轉印於基板W(的下表面)。
又，由於利用在基板對向面6a上分散配置的多數個 壓花61，支撐著基板W，因而在基板W面內便可均勻保持從基板對向面6a朝基板W利用熱傳導進行之熱傳遞容易度。又，可抑制或防止在基板W中發生翹曲情形。
又，多數個壓花61亦可相互非為均勻高度。例如基 板對向面6a中央部的壓花61高度，相對地較低於周緣部壓花61的高度，即基板對向面6a周緣部的壓花61高度，亦可設計呈相對地較高於中央部壓花61的高度。
如圖2及圖4所示，加熱板6係經由複數個(例如3 個)伸縮單元24、及例如呈圓板狀或環狀(圖2中為圓板狀)的支撐構件17，利用呈鉛直的板保持軸14從下方支撐。支撐構件17係設有由水平平坦面構成的支撐面17a，並固定安裝於板保持軸14的上端。在支撐構件17的支撐面17a周緣部於圓周方向呈等間隔配置複數個(例如3個)伸縮單元24。3個伸縮單元24的配置位置係例如與6個固定銷10中相隔1個排列的3個固定銷10，在加熱板6圓周方向上對齊。
伸縮單元24係具備有能朝長邊方向伸縮之伸縮桿的 汽缸。伸縮單元24的長度係藉由使伸縮桿伸縮，便可在最縮小狀態與最擴大狀態間之範圍內調整為任意長度。複數伸縮單元24係依伸縮桿長邊方向朝向鉛直方向的姿勢配置。各伸縮單元24係從下方支撐著加熱板6的周緣部。複數伸縮單元24分別具有相同要件。所以，複數伸縮單元24的最縮小狀態長度係相同。各伸縮單元24結合著使各伸縮桿朝長邊方向伸縮且供給驅動流體的伸縮驅動單元25。本實施形態中，伸縮單元24及伸縮驅動單元25分別由 各自構件設置而成，但伸縮單元24及伸縮驅動單元25亦可由電磁致動器等單一構件構成。本實施形態中，加熱板姿勢變更單元90係含有：支撐構件17、伸縮單元24、及伸縮驅動單元25。
圖4所示正常狀態下，所有的伸縮單元24均保持於 最縮小狀態，所以所有的伸縮單元24均具有同等長度。藉此，加熱板6被呈水平姿勢保持。在此狀態下，加熱板6的基板對向面6a呈水平面。又，如後述，雖在基板對向面6a上有暫時性載置基板W的情況，但即便在基板對向面6a上載置基板W，藉由前述壓花61的摩擦力作用，仍使基板W不會移動而呈靜止狀態。
從如圖4所示加熱板6的水平姿勢，如後述圖16所 示，一方面將3個伸縮單元24中既定之1個伸縮單元24長度保持原狀，一方面將其餘2個伸縮單元24長度拉長較目前更長，便使加熱板6呈傾斜姿勢。藉此，利用簡單的構成，便可使加熱板6在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
板保持軸14係沿鉛直方向延伸。板保持軸14係呈中 空軸，在板保持軸14的內部插通著對加熱器15的供電線(未圖示)，且插通著下配管18。
下配管18係分別經由在朝厚度方向貫通支撐構件17 中央部的第1貫通孔55、及朝厚度方向貫通加熱板6中央部的第2貫通孔19，連通於在加熱板6的基板對向面6a中央部呈開口的下吐出口20。下配管18係至少靠近下吐出口20的部分由軟管構成。 對下配管18，經由第1藥液下閥21、第2藥液下閥22及清洗液下閥23，選擇性供給第1藥液一例之氟酸、第2藥液一例之APM(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水-過氧化氫水混合 液)、及清洗液。清洗液係例如純水(去離子水：Deionized Water)。 清洗液並不僅侷限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)鹽酸水中之任一者。供給給下配管18的第1及第2藥液、以及清洗液，係通過第2貫通孔19的內部從下吐出口20朝上方吐出。
具體而言，在關閉第2藥液下閥22及清洗液下閥23 的狀態下，若開啟第1藥液下閥21，便從下吐出口20朝上方吐出第1藥液。當由基板保持旋轉單元5保持基板W時，便對基板W的下表面中央部供給第1藥液。
同樣地，在關閉第1藥液下閥21及清洗液下閥23的 狀態下，若開啟第2藥液下閥22，便從下吐出口20朝上方吐出第2藥液。當由基板保持旋轉單元5保持基板W時，便朝基板W的下表面中央部供給第2藥液。
又，在關閉第1藥液下閥21及第2藥液下閥22的狀 態下，若開啟清洗液下閥23，便從下吐出口20朝上方吐出清洗液。 當由基板保持旋轉單元5保持基板W時，便朝基板W的下表面中央部供給清洗液。
如圖2至圖4所示，當下吐出口20僅設置1個的情 況，在各處理液間共用吐出口，但下吐出口20亦可設有複數吐出口，此情況，亦可使每種處理液的吐出口均不同。
板保持軸14結合著為使板保持軸14升降的板升降單 元16(參照圖2)。板升降單元16係包含有例如滾珠螺桿、馬達。藉由利用板升降單元16驅動而使板保持軸14進行升降，便使板保持軸14、複數個伸縮單元24、支撐構件17及加熱板6呈一體地進行 升降。藉由板升降單元16的驅動，加熱板6便在下位置與上位置之間升降。該下位置係從由基板保持旋轉單元5保持的基板W下表面，朝下方大幅遠離(圖13A等所示位置。至少加熱板6的基板對向面6a係位於從由基板保持旋轉單元5保持的基板W下表面朝下方大幅遠離的高度位置。於加熱板6經常設為ON的情況，基板W下表面不會因加熱板6而受太大加熱的高度位置。)。該上位置係基板對向面6a較由基板保持旋轉單元5保持的基板W下表面略靠下方的位置(圖13G等所示位置)。如前述，因為加熱板6與基板保持旋轉單元5的支撐環11係在鉛直方向上不會重複，因而在加熱板6升降時，加熱板6及基板保持旋轉單元5不會相互干擾。
如圖2所示，處理液供給單元7係包含有：吐出第1 藥液的第1藥液噴嘴26、吐出第2藥液的第2藥液噴嘴27、以及吐出清洗液的清洗液噴嘴28。第1藥液噴嘴26、第2藥液噴嘴27及清洗液噴嘴28係在吐出口朝下方的狀態下，安裝於朝略水平延伸的機械臂29前端。機械臂29係設計呈可圍繞既定旋轉軸線擺動。第1藥液噴嘴26、第2藥液噴嘴27及清洗液噴嘴28係整合於機械臂29的擺動方向。機械臂29結合著為使機械臂29能在既定角度範圍內擺動的機械臂擺動單元30。利用機械臂29的擺動，便使噴嘴26~28在由基板保持旋轉單元5或加熱板6保持的基板W中央部上、與設定於杯9外的機械原點之間移動。
如圖2所示，第1藥液噴嘴26係例如依連續流狀態 朝下方吐出屬於第1藥液一例之氟酸的直線型噴嘴。第1藥液噴嘴26連接著形成來自第1藥液供給源之第1藥液供給通路的第1藥液配管31。第1藥液噴嘴26連接著形成來自第1藥液供給源之第1 藥液供給通路的第1藥液配管31。在第1藥液配管31中介設有用以開閉第1藥液供給的第1藥液閥32。若開啟第1藥液閥32，便從第1藥液配管31朝第1藥液噴嘴26供給第1藥液，又，若關閉第1藥液閥32，便停止從第1藥液配管31朝第1藥液噴嘴26的第1藥液供給。
如圖2所示，第2藥液噴嘴27係例如依連續流狀態 朝下方吐出屬於第2藥液一例之APM的直線型噴嘴。第2藥液噴嘴27連接著形成來自第2藥液供給源之第2藥液供給通路的第2藥液配管33。第2藥液噴嘴33連接著形成來自第2藥液供給源之第2藥液供給通路的第2藥液配管33。在第2藥液配管33中介設有為開閉第2藥液供給的第2藥液閥34。若開啟第2藥液閥34，便從第2藥液配管33朝第2藥液噴嘴27供給第2藥液，又，若關閉第2藥液閥34，便停止從第2藥液配管33朝第2藥液噴嘴27的第2藥液供給。
如圖2所示，清洗液噴嘴28係例如依連續流狀態朝 下方吐出清洗液的直線型噴嘴。清洗液噴嘴28連接著形成來自清洗液供給源之清洗液供給通路的清洗液配管35。清洗液配管35連接著形成來自清洗液供給源之清洗液供給通路的清洗液配管35。在清洗液配管35中介設有為開閉清洗液供給的清洗液閥36。若開啟清洗液閥36，便從清洗液配管35朝清洗液噴嘴28供給清洗液，又，若關閉清洗液閥36，便停止從清洗液配管35朝清洗液噴嘴28的清洗液供給。
又，圖2係圖示第1及第2藥液噴嘴26、27、以及 清洗液噴嘴28配置於1個機械臂29上的情況，但亦可採用噴嘴 26、27、28分別在複數機械臂上各配置一個的構成。
如圖2所示，杯9係具備有：收容著基板保持旋轉單元5及加熱板6的下杯37、及為封閉下杯37開口38的蓋構件39。藉由蓋構件39封閉下杯37的開口38，便形成內部具有密閉空間的密閉杯。
下杯37係呈略圓筒容器狀，且上表面設有圓形開口38。下杯37係一體性設有：略圓板狀底壁部40、以及從底壁部40朝上方立起的周壁部41。周壁部41係形成以旋轉軸線A1為中心的圓筒狀。周壁部41係具有圓環狀上端面41a。底壁部40的上表面連接於廢液路(未圖示)的一端。廢液路另一端連接於本機外的廢液設備(未圖示)。
在周壁部41的周圍配設有捕獲從由基板保持旋轉單元5或加熱板6所保持基板W飛散之處理液的捕獲杯(未圖示)。該捕獲杯係連接於本機外的廢液設備(未圖示)。板支撐軸14與底壁部40中心部之間，利用圓環狀密封構件43密封。
蓋構件39係在下杯37的上方，依大致水平姿勢、且其中心位於基板W旋轉的旋轉軸線A1上之方式配置。蓋構件39係結合著蓋升降單元54。蓋升降單元54係包含有例如滾珠螺桿、馬達。藉由蓋升降單元54的驅動，使蓋構件39在將下杯37之開口38予以封閉的封蓋位置、與退縮至較下杯37更靠上方而開放下杯37之開口38的蓋開放位置間進行升降。在蓋構件39的下表面，於除中央部39a與周緣部39c之外的區域中，形成與蓋構件39呈同心圓筒狀上環狀溝39b。
蓋構件39的下表面中央部39a係設有圓形水平平坦 面。蓋構件39的下表面中央部39a係與由基板保持旋轉單元5所保持的基板W上表面中央部、或由加熱板6所保持的基板W上表面中央部呈相對向。
在蓋構件39的下表面周緣部39c橫跨全周設置密封 環53。密封環53係使用例如樹脂彈性材料形成。在蓋構件39位於封蓋位置的狀態下，在蓋構件239下表面周緣部39c配置的密封環53，係在圓周方向全區域抵接於下杯37的上端面41a，而將蓋構件39與下杯37間予以密封。
如圖2所示，在蓋構件39的中央部39a朝鉛直方向 延伸鄰接插通著清洗液上配管44、有機溶劑上配管45及氮氣上配管46。
清洗液上配管44的下端係在蓋構件39的下表面中央 部39a呈開口，形成清洗液吐出口47。在清洗液上配管44的上游端連接著清洗液供給源。對清洗液上配管44從清洗液供給源供給清洗液。在清洗液上配管44中，介設為開閉清洗液供給用的清洗液上閥48。
有機溶劑上配管45的下端係在蓋構件39的下表面中 央部39a呈開口，形成有機溶劑吐出口49。有機溶劑上配管45的上游端連接著IPA供給源。對有機溶劑上配管45從IPA供給源供給液體IPA。在有機溶劑上配管45中，介設為開閉液體IPA供給用的有機溶劑閥50。藉由有機溶劑上配管45及有機溶劑閥50構成有機溶劑供給單元8。
氮氣上配管46的下端係在蓋構件39的下表面中央部 39a呈開口，形成供吐出惰性氣體一例之氮氣(N2)用的氮氣吐出口 51。氮氣上配管46的上游端連接著氮氣供給源。從氮氣供給源以氮氣上配管46為氮氣供給通路，對氮氣吐出口51供給氮氣。在氮氣上配管46中，介設有開閉氮氣供給用的氮氣閥52。
圖6所示係固定銷10構成的示意剖視圖。使用圖3 依如上述，複數支固定銷10係在支撐環11上表面11a沿圓周方向呈等間隔配置。如圖6中圖解所示，各固定銷10係包含有：結合於支撐環11的第1下軸部71、以及在第1下軸部71上端一體形成的第1上軸部72。第1下軸部71及第1上軸部72分別形成圓柱形狀。第1上軸部72係設計呈從第1下軸部71的中心軸線偏心狀態。 第1下軸部71的第1上軸部72所連結部分，形成隨朝下方向迅速成為大徑的錐面73。
圖7所示係可動銷12、及可動銷12周邊的構成示意 剖視圖。各可動銷12係包含有：結合於可圍繞轉動軸線A2進行旋轉的支撐環11且朝鉛直方向延伸的第2下軸部74、以及依中心軸線偏心於旋轉軸線A2的狀態固定於第2下軸部74的第2上軸部75。第2上軸部75係具有能抵接於基板W周端的圓筒面75a。藉由第2下軸部74的旋轉，第2上軸部75的圓筒面75a便在遠離基板W之旋轉軸線A1(參照圖2)的開放位置、與接近旋轉軸線A1的保持位置之間位移。各可動銷12係連接於夾具開閉單元76。夾具開閉單元76係藉由使第2上軸部75的位置在開放位置與保持位置之間位移，而開閉基板W的挾持。
如圖6所示，在利用複數支固定銷10從下方支撐著 基板W的狀態下，基板W周端抵接於各固定銷10的錐面73。在此狀態下，複數支可動銷12的第2上軸部75從開放位置位移於圖 7所示之保持位置。若各第2上軸部75從開放位置位移至保持位置，圓筒面75a便抵接於基板W的周端，且將抵接的基板W周端朝基板W內向擠入。藉此，以旋轉軸線A1為界位於該抵接的基板W周端對向側之基板W周端，係被押抵於以旋轉軸線A1為界位於可動銷12對向側的固定銷10之第1上軸部72。依此，藉由使複數支可動銷12的第2上軸部75從開放位置位移至保持位置，複數支可動銷12便呈挾持狀態。藉此，利用複數支固定銷10及複數支可動銷12呈水平姿勢挾持著基板W。
又，亦可非由圓筒面75a押抵基板W周端的構成， 而改為採用在圓筒面75a上形成朝旋轉軸線A1側且水平方向呈開口的V溝，藉由構成該V溝的上下錐面抵接於基板W周端，而挾持基板W的構成。
圖8至圖10所示係夾具開閉單元76的動作示意圖。 圖8至圖10所示係圖7沿切剖面線VIII-VIII切剖的狀態。參照圖7至圖10，針對夾具開閉單元76的構成進行說明。
夾具開閉單元76係包含有：驅動用永久磁石77、銷 側永久磁石78、操縱環79、操縱桿80、及桿操縱單元81。
驅動用永久磁石77係在支撐環11上表面11a的可動 銷12之第2下軸部74外側，例如依磁極方向朝向沿基板保持旋轉單元5旋轉半徑方向的狀態，固定式配置於上表面11a。具體而言，驅動用永久磁石77在本實施形態中，依朝基板保持旋轉單元5旋轉半徑方向的內向具有N極，且朝旋轉半徑方向的外邊具有S極的方式配置。
銷側永久磁石78係形成厚壁的圓環狀體或圓筒體狀 磁石。銷側永久磁石78係依中心一致於由可動銷12旋轉形成的旋轉軸線A2狀態，外嵌固定於第2下軸部74的中途部。銷側永久磁石78中，被磁化為N極的N極性部82、與被磁化為S極的S極性部83係在圓周方向上設置於不同位置處。本實施形態中，S極性部83相對於N極性部82，以轉動軸線A2為中心，俯視朝逆時針錯開例如約90°。
操縱環79係依中心一致於由可動銷12旋轉形成的旋 轉軸線A2的狀態，在銷側永久磁石78的下方外嵌固定於第2下軸部74。操縱環79係包含有圓柱狀部84及尖頭狀的一對伸出片85。 該一對伸出片85係從在圓柱狀部84的側壁錯開180°的不同2個位置，朝旋轉半徑方向的外邊伸出。一對伸出片85其中一者係具有當作抵接於操縱桿80而被操縱的被操縱片86功能。操縱環79的伸出片85另一者係在圓周方向上呈與銷側永久磁石78的N極性部82對齊狀態。操縱環79係設計呈能與銷側永久磁石78一起進行旋轉。
銷側永久磁石78係依外周面相對向於驅動用永久磁 石77之N極性的方式配置。由於銷側永久磁石78固定於第2下軸部74，因而銷側永久磁石78的外周面中，相對向於驅動用永久磁石77之N極性的部分會依第2下軸部74的旋轉而變化。
操縱桿80係具有例如棒狀的前端部80a，且全體呈 線形狀設計。操縱桿80係設計呈能沿水平方向且沿既定方向滑行移動狀態。隨操縱桿80的移動，操縱桿80的前端部80a會圍繞旋轉軸線A2進行轉動。操縱桿80係將加熱板6的下方空間朝加熱板6的半徑方向外邊，一方面靠近加熱板6的下表面一方面延伸。因 為加熱板6的下表面有形成凹凸，因而操縱桿80係依不會碰抵加熱板6下表面的方式，配合加熱板6的下表面形狀形成曲柄狀。
操縱桿80結合著利用汽缸等構成的桿操縱單元81。 藉由桿操縱單元81的驅動，使操縱桿80在前端部80a退縮於被操縱片86側邊的退縮位置(圖8所示位置)、與後述解除位置(圖10所示位置)之間，朝水平方向滑行移動。
圖8所示係可動銷12呈挾持狀態的情況，圖9所示 係可動銷12從挾持狀態轉移為開放狀態的中途情況。圖10所示係可動銷12呈開放狀態的情況。在圖8所示可動銷12的挾持狀態下，第2上軸部75(參照圖7)被配置於保持位置(圖7及圖8所示位置)。 又，在圖10所示可動銷12的開放狀態下，第2上軸部75被配置於開放位置(圖10所示位置)。
如圖8至圖10所示，在可動銷12的挾持狀態下，驅 動用永久磁石77的N極性、與銷側永久磁石78的S極性部83呈相對向，而在可動銷12的開放狀態下，驅動用永久磁石77的N極性、與銷側永久磁石78的N極性部82呈相對向。第2上軸部75(參照圖7)的開放位置(圖10所示位置)係從第2上軸部75的保持位置(圖7及圖8所示位置)，以旋轉軸線A2為中心，俯視朝逆時針旋轉約90°的位置。
如圖8所示，在可動銷12的挾持位置，如前述，驅 動用永久磁石77的N極性、與銷側永久磁石78的S極性部83係呈相對向。此情況，在銷側永久磁石78相對向於驅動用永久磁石77之部分的極性，係不同於驅動用永久磁石77徑向內側磁極的極性。所以，驅動用永久磁石77係對銷側永久磁石78作用沿徑向的 相吸磁力。故，在可動銷12的挾持狀態下，銷側永久磁石78係保持於S極性部83相對向於驅動用永久磁石77的姿勢，藉此第2上軸部75維持保持位置(圖7及圖8所示位置)狀態。在可動銷12的挾持狀態下，利用桿操縱單元81，使操縱桿80退縮至退縮位置(圖8所示位置)。
在使可動銷12從圖8所示挾持狀態轉移至圖10所示 開放狀態時，如圖9所示，利用桿操縱單元81移動操縱桿80，使操縱桿80的前端部80a抵接於被操縱片86。在抵接於被操縱片86後，仍持續利用桿操縱單元81進行的操縱桿80移動，該前端部80a便一方面維持與被操縱片86間之抵接狀態，一方面以旋轉軸線A2為中心呈俯視朝逆時針轉動。藉此，反抗驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78間之相吸磁力，被操縱片86便圍繞旋轉軸線A2進行轉動，隨被操縱片86的轉動，第2下軸部74及第2上軸部75亦圍繞旋轉軸線A2進行旋轉。當操縱桿80移動至解除位置(圖10所示位置)時，第2上軸部75(參照圖7)便位移至開放位置(圖10所示位置)，藉此可動銷12便呈開放狀態。
如圖10所示，在可動銷12呈開放狀態下，如前述， 驅動用永久磁石77的N極性、與銷側永久磁石78的N極性部82呈相對向。又，利用桿操縱單元81，操縱桿80被保持於解除位置。 此情況，在銷側永久磁石78相對向於驅動用永久磁石77之部分的極性，係與驅動用永久磁石77徑向內側的磁極為相同極性。在此狀態下，驅動用永久磁石77係對銷側永久磁石78作用朝圓周方向的反斥磁力。然而，因為被保持於解除位置的操縱桿80係與被操縱片86相卡合，因而第2上軸部75與被操縱片86均不會轉動。 故，第2上軸部75(參照圖7)維持呈開放位置(圖10所示位置)。
在使可動銷12從圖10所示開放狀態轉移至圖8所示 挾持狀態時，利用桿操縱單元81移動操縱桿80，使操縱桿80返回退縮位置(圖8所示位置)。如前述，在第2上軸部75(參照圖7)呈開放位置(圖10所示位置)狀態下，對驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78之間作用反斥磁力，更具體而言，銷側永久磁石78係俯視作用朝向順時針的力。所以，若藉由操縱桿80返回退縮位置(圖8所示位置)，而解除操縱桿80前端部80a與被操縱片86間之卡合，則銷側永久磁石78便俯視朝順時針旋轉。藉此，第2上軸部75(參照圖7)從開放位置(圖10所示位置)朝保持位置(圖7及圖8所示位置)位移，便使可動銷12呈挾持狀態。
又，驅動用永久磁石77亦可依在旋轉半徑方向的內 向具有S極，而在旋轉半徑方向的外邊具有N極的方式配置。
又，前述說明係舉在第2上軸部75(參照圖7)位於開 放位置(圖10所示位置)狀態下，對驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78之間作用反斥磁力，而在第2上軸部75位於保持位置(圖7及圖8所示位置)狀態下，對驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78之間作用相吸磁力的情況為例進行說明。然而，亦可構成在第2上軸部75位於開放位置的狀態下，對驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78之間作用相吸磁力，而在第2上軸部75位於保持位置狀態下，則對驅動用永久磁石77與銷側永久磁石78之間作用反斥磁力。
如圖1所示，控制裝置3係由例如微電腦等構成。控 制裝置3係依照預定程式，對環旋轉單元13、伸縮驅動單元25、板升降單元16、機械臂擺動單元30、蓋升降單元54、夾具開閉單 元76、及桿操縱單元81等的動作進行控制。又，控制裝置3係調整對加熱器15供給的電力。又，控制裝置3係針對第1藥液下閥21、第2藥液下閥22、清洗液下閥23、第1藥液閥32、第2藥液閥34、清洗液閥36、清洗液上閥48、有機溶劑閥50、及氮氣閥52等的開閉進行控制。
圖11所示利用處理單元2處理對象基板W的表面放 大剖視圖。處理對象的基板W係例如矽晶圓，在其圖案形成面的表面(上表面100)形成微細圖案101。微細圖案101亦可如圖11所示，由具凸形狀(柱狀)構造體102呈行列狀配置的圖案。此情況，分別將構造體102的線寬W1設計為例如10nm~45nm左右，並微細圖案101的間隙W2設計為例如10nm~數μm左右。
又，微細圖案101亦可重複排列著由微細溝渠形成的 線狀圖案。
又，微細圖案101亦可藉由在薄膜上設置複數微細孔 (孔洞(void)或孔隙(pore))而形成。
再者，微細圖案101亦可藉由在薄膜上設置複數微細 孔(孔洞(void)或孔隙(pore))而形成。
微細圖案101係包含有例如絕緣膜。又，微細圖案 101亦可含有導體膜。更具體而言，微細圖案101亦可由經積層複數膜的積層膜形成，更亦可含有絕緣膜與導體膜。微細圖案101亦可由單層膜構成的圖案。絕緣膜亦可為氧化矽膜(SiO2膜)、氮化矽膜(SiN膜)。又，導體膜亦可係為求低電阻化而導入不純物的非晶矽膜，亦可係金屬膜(例如金屬佈線膜)。
又，微細圖案101的膜厚T係例如50nm~5μm左右。 又，微細圖案101係例如寬深比(膜厚T對線寬W1的比)亦可為例如5~500左右(典型係5~50左右)。
圖12所示係針對由處理單元2所執行藥液處理的第 1處理例進行說明之步驟圖。圖13A至13I所示係第1處理例的說明示意圖。圖14A至14D所示係第1處理例中，基板W上表面的狀態說明示意剖視圖。圖15及圖16所示係從水平方向觀看基板保持旋轉單元5及加熱板6時的縱剖圖。圖15所示係基板高溫化步驟(S10)時，圖16所示係有機溶劑排出步驟(S11)時。圖17所示係有機溶劑置換步驟(S9)、基板高溫化步驟(S10)及有機溶劑排出步驟(S11)中，IPA的吐出流量變化、及基板W的旋轉速度變化圖。
以下，參照圖1及圖2。適當參照圖11至圖17。另 外，以下說明中，「基板W的表面(上表面)」係包含基板W自體的表面(上表面)及微細圖案101的表面(上表面)。
當利用處理單元2處理基板W時，便執行將未處理 基板W搬入於腔4內的基板搬入步驟(圖12中的步驟S1)。在基板搬入步驟(S1)之前，控制裝置3係預先將加熱器15開啟(通電狀態)，並使加熱板6配置於從由基板保持旋轉單元5進行的基板W保持位置，朝下方大幅退縮的下位置，且使所有噴嘴從基板保持旋轉單元5的上方退縮。又，控制裝置3係使所有可動銷12呈開放狀態。
基板搬入步驟(S1)中，控制裝置3係使保持著基板W 的搬送機器人CR(參照圖1)之機械臂進入於腔4內，利用搬送機器人CR依圖案形成面(表面)朝上方的狀態，使基板W讓渡給基板保持旋轉單元5。基板保持旋轉單元5所接收到的基板W係利用複數 支固定銷10從下方支撐。然後，控制裝置3使複數支可動銷12均呈挾持狀態。藉此，如圖13A所示，由複數支(例如6支)固定銷10及複數支(例如3支)可動銷12呈水平姿勢挾持著基板W(圖13A中僅圖示固定銷10)。控制裝置3係在基板W讓渡給基板保持旋轉單元5之後，便使搬送機器人CR的機械臂從腔4內退縮。
若由複數支固定銷10及複數支可動銷12挾持著基板 W，控制裝置3便控制環旋轉單元13，開始基板W的旋轉。基板W的旋轉速度係上升至預定液處理旋轉速度v3(參照圖17。例如100~1500rpm左右)後，便維持於該液處理旋轉速度v3。
從基板搬入步驟(S1)起，加熱器15被控制呈導通狀 態，因此加熱板6便處於發熱狀態(此時的基板對向面之表面溫度係例如約60~250℃)，但因為加熱板6係位於下位置，因而來自加熱板6的熱不會充分到達基板W。
接著，執行朝基板W供給第1藥液的藥液供給步驟(圖12中的步驟S2)。
具體而言，如圖13B所示，控制裝置3係藉由控制著機械臂擺動單元30，而使機械臂29從機械原點擺動，便使第1藥液噴嘴26從退縮位置移動至基板W上。藉此，第1藥液噴嘴26便被配置於處理位置(基板W上方因基板W旋轉而形成的旋轉軸線A1上之處理位置)。在第1藥液噴嘴26被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第2藥液閥34及清洗液閥36的狀態下，開啟第1藥液閥32。藉此，從第1藥液噴嘴26的吐出口吐出第1藥液。又，控制裝置3係在關閉第2藥液下閥22及清洗液下閥23的狀態下，開啟第1藥液下閥21。藉此，從下吐出口20朝上方吐出第1藥液。
朝基板W上表面中央部供給的第1藥液承受因基板 W旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝向基板W周緣部流動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的第1藥液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面朝基板W周緣部流動。藉此，第1藥液便被供給給基板W的上下表面全區域，而對基板W的上下表面全區域施行藉由第1藥液進行的處理。供給給基板W上下表面的第1藥液會從基板W周緣部朝基板W側邊濺散。
從基板W上下表面周緣部濺散的第1藥液係由前述 捕獲杯的內壁承接，經由廢液路(未圖示)被送入本機外的廢液設備(未圖示)，並在該處施行處理。亦可不是送入廢液設備中，而是送入回收設備中並在該處再利用。
若從第1藥液開始吐出起經預定時間後，控制裝置3 便關閉第1藥液閥32及第1藥液下閥21，停止從第1藥液噴嘴26及下吐出口20的第1藥液吐出。
接著，執行為從基板W上除去第1藥液的清洗步驟 (圖12中的步驟S3)。
具體而言，如圖13C所示，控制裝置3係藉由控制機 械臂擺動單元30而使機械臂29擺動，便使清洗液噴嘴28配置於處理位置。在清洗液噴嘴28被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第1藥液閥32及第2藥液閥34的狀態下，開啟清洗液閥36。 藉此，從清洗液噴嘴28的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3在關閉第1藥液下閥21及第2藥液下閥22的狀態下，開啟清洗液下閥23。藉此，從下吐出口20朝上方吐出清洗液。
供給給基板W上表面中央部的清洗液承受因基板W 旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝基板W周緣部流動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的清洗液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面傳播並朝基板W周緣部流動。 藉此，對基板W上表面全區域及下表面全區域供給清洗液，而沖洗在基板W上下表面所附著的第1藥液。供給給基板W上下表面的清洗液會從基板W周緣部朝基板W側邊濺散。
從基板W上下表面周緣部濺散的清洗液係由下杯37 周壁部41的內壁承接，並在該內壁上傳遞且滯留於下杯37的底部。滯留於下杯37底部的清洗液經由廢液路(未圖示)被送入於本機外的廢液設備(未圖示)，並在該處施行處理。
若從清洗液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便關 閉清洗液閥36及清洗液下閥23，停止從清洗液噴嘴28及下吐出口20的清洗液吐出。
接著，執行朝基板W供給第2藥液的第2藥液步驟(圖 12中的步驟S4)。
具體而言，如圖13D所示，控制裝置3係藉由控制 著機械臂擺動單元30，而使機械臂29擺動，便使第2藥液噴嘴27配置於處理位置。在第2藥液噴嘴27被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第1藥液閥32及清洗液閥36的狀態下，開啟第2藥液閥34。藉此，從第2藥液噴嘴27的吐出口吐出第2藥液。又，控制裝置3係在關閉第1藥液下閥21及清洗液下閥23的狀態下，開啟第2藥液下閥22。藉此，從下吐出口20朝上方吐出第2藥液。
朝基板W上表面中央部供給的第2藥液承受因基板 W旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝向基板W周緣部流 動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的第2藥液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面傳播並朝基板W周緣部流動。藉此，第2藥液便被供給給基板W上表面全區域及下表面全區域，而對基板W上下表面全區域施行藉由第2藥液進行的處理。供給給基板W上下表面的第2藥液會從基板W周緣部朝基板W側邊濺散。
從基板W上下表面周緣部濺散的第2藥液係由下杯 37周壁部41的內壁承接，並在該內壁上傳遞且滯留於下杯37的底部。滯留於下杯37底部的第2藥液經由廢液路(未圖示)被送入於本機外的廢液設備(未圖示)，並在此處施行處理。亦可不是送入廢液設備中，而是送入回收設備中並在該處再利用。
若從第2藥液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便 關閉第2藥液閥34及第2藥液下閥22，停止從第2藥液噴嘴27及下吐出口20的第2藥液吐出。
接著，執行為從基板W上除去第2藥液的第2清洗 步驟(圖12中的步驟S5。請再度參照圖13C)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元 30而使機械臂29擺動，便使清洗液噴嘴28配置於處理位置。在清洗液噴嘴28被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第1藥液閥32及第2藥液閥34的狀態下，開啟清洗液閥36。藉此，從清洗液噴嘴28的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3在關閉第1藥液下閥21及第2藥液下閥22的狀態下，開啟清洗液下閥23。藉此，從下吐出口20朝上方吐出清洗液。
供給給基板W上表面中央部的清洗液承受因基板W 旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝基板W周緣部流動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的清洗液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面傳播並朝基板W周緣部流動。 藉此，對基板W上表面全區域及下表面全區域供給清洗液，而沖洗在基板W上下表面所附著的第2藥液。供給給基板W上下表面的清洗液會從基板W周緣部朝基板W側邊濺散。
若從清洗液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便關 閉清洗液閥36及清洗液下閥23，停止從清洗液噴嘴28及下吐出口20的清洗液吐出。接著，再度執行朝基板W供給第1藥液的第1藥液步驟(圖12中的步驟S6，請再度參照圖13B)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制著機械臂擺動單元 30，而使機械臂29擺動，且使第1藥液噴嘴26配置於處理位置。 在第1藥液噴嘴26被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第2藥液閥34及清洗液閥36的狀態下，開啟第1藥液閥32。藉此，從第1藥液噴嘴26的吐出口吐出第1藥液。又，控制裝置3係在關閉第2藥液下閥22及清洗液下閥23的狀態下，開啟第1藥液下閥21。藉此，從下吐出口20朝上方吐出第1藥液。
朝基板W上表面中央部供給的第1藥液承受因基板 W旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝向基板W周緣部流動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的第1藥液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面傳播並朝基板W周緣部流動。藉此，第1藥液便被供給給基板W上表面全區域及下表面全區域，而對基板W上下表面全區域施行利用第1藥液進行的處理。供給給基板W上下表面的第1藥液會從基板W周緣部朝基 板W側邊濺散。
若從第1藥液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便 關閉第1藥液閥32及第1藥液下閥21，停止從第1藥液噴嘴26及下吐出口20的第1藥液吐出。接著，執行為從基板W上除去第1藥液的第3清洗步驟(圖12中的步驟S7。請再度參照圖13C)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元 30而使機械臂29擺動，且使清洗液噴嘴28配置於處理位置。在清洗液噴嘴28被配置於處理位置後，控制裝置3便在關閉第1藥液閥32及第2藥液閥34的狀態下，開啟清洗液閥36。藉此，從清洗液噴嘴28的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3在關閉第1藥液下閥21及第2藥液下閥22的狀態下，開啟清洗液下閥23。藉此，從下吐出口20朝上方吐出清洗液。
供給給基板W上表面中央部的清洗液承受因基板W 旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝基板W周緣部流動。另一方面，供給給基板W下表面中央部的清洗液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W下表面傳播並朝基板W周緣部流動。 藉此，對基板W上表面全區域及下表面全區域供給清洗液，而沖洗在基板W上下表面所附著的第1藥液。供給給基板W上下表面的清洗液會從基板W周緣部朝基板W側邊濺散。
若從清洗液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便關 閉清洗液閥36及清洗液下閥23，停止從清洗液噴嘴28及下吐出口20的清洗液吐出，且控制機械臂擺動單元30使機械臂29返回機械原點。藉此，第1藥液噴嘴26、第2藥液噴嘴27及清洗液噴嘴28便返回於退縮位置。
其次，控制裝置3控制蓋升降單元54，使蓋構件39 下降至封蓋位置。利用經下降至封蓋位置處的蓋構件39，下杯37的開口38便被封閉。在此狀態下，若利用鎖構件(未圖示)將蓋構件39與下杯37相結合，配置於蓋構件39下表面周緣部39c的密封環53，便橫跨圓周方向全區域抵接於下杯37的上端面41a，而將下杯37與蓋構件39之間予以密封。藉此，下杯37及蓋構件39的內部空間便被密閉。在此狀態下，清洗液吐出口47、有機溶劑吐出口49及氮氣吐出口51分別係與基板W上表面呈相對向配置。
接著，對基板W施行最終清洗步驟(圖12中的步驟S8)。
具體而言，如圖13E所示，控制裝置3開啟清洗液上閥48，從清洗液上配管44的清洗液吐出口47吐出清洗液。從清洗液吐出口47吐出的清洗液落滴於基板W的上表面中央部。
供給給基板W上表面中央部的清洗液承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝基板W周緣部流動。藉此，對基板W上表面全區域供給清洗液，而對基板W上表面施行清洗處理。在最終清洗步驟(步驟S8)中，如圖14A所示，清洗液係遍及在基板W上表面100所形成微細圖案101的間隙底部(該空間中極接近基板W自體上表面100的位置)。
又，從基板W周緣部濺散的清洗液係由下杯37周壁部41的內壁承接，並在該內壁上傳播且滯留於下杯37的底部。滯留於下杯37底部的清洗液經由廢液路(未圖示)被送入於本機外的廢液設備(未圖示)，並在該處施行處理。
若從清洗液開始吐出起經預定時間，控制裝置3便關 閉清洗液上閥48，停止從清洗液吐出口47的清洗液吐出。
接著，對基板W的上表面供給液體IPA，執行利用 IPA置換基板W上表面之清洗液的有機溶劑置換步驟(圖12中的步驟S95)。
在最終清洗步驟(S8)結束後，控制裝置3便使基板W 的旋轉，從液處理旋轉速度v3(參照圖17)加速至高速旋轉速度v4(參照圖17。例如800rpm)。
若基板W的旋轉速度到達高旋轉速度v4，控制裝置 3便如圖13F所示，開啟有機溶劑閥50，從有機溶劑上配管45的有機溶劑吐出口49呈連續流狀吐出液體IPA。從有機溶劑吐出口49吐出的IPA係具有常溫[即未滿IPA沸點(82.4℃)]液溫，屬於液體。從有機溶劑吐出口49吐出的液體IPA會落滴於基板W上表面的中央部。藉由開始吐出IPA，便開始執行有機溶劑置換步驟(S9)。
供給給基板W上表面中央部的液體IPA承受因基板W旋轉而產生的離心力，在基板W上表面朝基板W周緣部流動。所以，供給給基板W上表面中央部的液體IPA便可朝周緣部擴展。藉此，可使基板W上表面全區域遍佈液體IPA。此時，加熱板6位於下位置，來自加熱板6的熱不會充分傳導給基板W。所以，基板W上表面的溫度係例如常溫(例如25℃)，IPA則在維持常溫狀態下，於基板W的上表面流動。
控制裝置3係在有機溶劑置換步驟(S9)時執行：依高旋轉速度v4旋轉的高速旋轉步驟(步驟S91。參照圖17)，以及接著高速旋轉步驟(S91)，依覆液速度v1(趨近零的低速。例如未滿50rpm範圍，例如約20rpm)使基板W旋轉的覆液步驟(步驟S92。參照圖 17)。
具體而言，控制裝置3係在有機溶劑置換步驟(S9)開 始後的既定高速旋轉時間t1(例如約15秒鐘)期間，使基板W依高速旋轉速度v4旋轉(高速旋轉步驟(S91))。經高速旋轉時間t1之後，控制裝置3便使基板W的旋轉速度從高速旋轉速度v4減速至覆液速度v1。隨基板W的減速，作用於基板W上的液體IPA之離心力變小，液體IPA不會被從基板W周緣部排出而滯留於基板W上表面。結果，在基板W上表面保持著覆液狀態的IPA液膜111(覆液步驟(S92))。因為在板W上表面全區域遍佈著液體IPA，因而IPA液膜111覆蓋著基板W的上表面全區域。IPA的液膜111係具有既定膜厚(例如1mm左右)。
因為供給給基板W上表面的IPA係液體，因而如圖 14B所示，可良好地置換在微細圖案101間隙中所存在的清洗液。 因為IPA液膜111係覆蓋著基板W上表面全區域，因而在基板W的上表面全區域可將清洗液良好地置換為液體IPA。經覆液時間t2(例如約15秒鐘)後，控制裝置3便控制環旋轉單元13，使基板W的旋轉停止。
針對在覆液步驟(S92)中，依低速的覆液速度v1使基 板W旋轉之例子進行說明，但亦可在覆液步驟(S92)中，使基板W的旋轉停止(旋轉速度為零)。此情況，在覆液步驟(S92)中，作用於基板W上的液體IPA之離心力便成為零，液體IPA不會被從基板W的周緣部排出，而滯留於基板W的上表面，在基板W的上表面保持覆液狀態的IPA液膜111。
然後，執行基板高溫化步驟(圖12中的步驟S10)。
具體而言，控制裝置3控制著板升降單元16，使加 熱板6從下位置上升至上位置。若使加熱板6上升至與支撐環11相同高度，加熱板6的基板對向面6a上之多數個壓花61便抵接於基板W的下表面。然後，若使加熱板6更進一步上升，由複數固定銷10從下方支撐的基板W便脫離該等複數固定銷10，並讓渡給加熱板6。讓渡給加熱板6的基板W係利用多數個壓花61從下方支撐。加熱板6配置於上位置的狀態係如圖13G及圖15所示。
加熱器15呈經常開啟狀態，因而加熱板6(基板對向 面6a)處於發熱狀態。在加熱板6上載置基板W的狀態下，來自基板對向面6a的熱，熱輻射、經由在基板對向面6a與基板W間之空間內的流體熱傳導、及多數個壓花61的熱傳導，被提供給基板W的下表面。藉此，基板W下表面便被加熱。提供給基板W的每單位面積熱量係基板W全區域大致均勻。
在基板高溫化步驟(S10)中，藉由加熱板6對基板W 的加熱，便使基板W的上表面升溫至預定的液膜浮起溫度(第1溫度)TE1。液膜浮起溫度TE1係設定為較IPA沸點(82.4℃)高出例如40~120℃範圍的既定溫度。又，如前述，在基板高溫化步驟(S10)中，IPA液膜111從基板W的上表面浮起，但液膜浮起溫度TE1係浮起的IPA液膜111不會沸騰的溫度。
在基板W上表面的溫度到達液膜浮起溫度TE1之 後，基板W上表面的溫度(微細圖案101(參照圖14C等)上表面的溫度，更詳言之係各構造體102上端面102A的溫度)維持於液膜浮起溫度TE1。基板W的上表面全區域維持於液膜浮起溫度TE1。此時，加熱器15每單位時間的發熱量係以藉由加熱板6所載置之基 板W的上表面成為液膜浮起溫度TE1的方式而設定。
當從基板W上表面的溫度到達液膜浮起溫度TE1起 經短暫時間後，基板W上表面的IPA液膜111其中一部分會蒸發並氣相化，充滿微細圖案101的間隙，且在基板W上表面(各構造體102的上端面102A)的上方空間形成IPA的蒸發氣體膜112。藉此，IPA液膜111便從基板W的上表面(各構造體102的上端面102A)浮起(參照圖14C)。又，微細圖案101的間隙被氣相的IPA充滿。
例如當微細圖案101的間隙被液相IPA充滿時，若從 該狀態使基板W乾燥，便施加將鄰接構造體102彼此間相拉靠近的力，所以微細圖案101會有崩壞的可能性。相對於此，圖14C的狀態，微細圖案101的間隙被氣相IPA充滿。所以，在相鄰構造體102間僅會生成極小的表面張力。其結果，可抑制或防止因表面張力造成的微細圖案101崩壞。
然後，在圖14C所示狀態下，因為IPA的液膜111 會從基板W的上表面(各構造體102的上端面102A)浮起，因而基板W上表面與IPA液膜111之間所生成的摩擦力大小便趨近於零。
又，基板高溫化步驟(S10)的執行期間(開始由加熱板 6保持基板W以後的的期間)，係設定為使加熱板6上的基板W上表面全區域均能浮起IPA液膜111，且微細圖案101間隙的液相IPA能氣相化之充分時間長度。第1處理例中，基板高溫化步驟(S10)的執行期間係例如1~2分鐘。
當基板W上表面100的微細圖案101之寬深比較大 時，液相IPA與微細圖案101內之構造體102間的接觸面積會增加，為使相鄰構造體102間之空間中的液相IPA蒸發，便需要更大的熱 量。此情況為使構造體102間之空間內的液相IPA蒸發，最好配合處理對象基板W的微細圖案101之寬深比大小，調節液膜浮起溫度TE1、基板高溫化時間。
但是，在基板W上方浮起的IPA液膜111會發生龜 裂、斷裂(以下稱「龜裂等113」)。發生龜裂等113的結果，在該部分處會於IPA液滴與基板W之間形成固液界面，因而在乾燥時會有發生因表面張力造成圖案崩壞的可能性。又，在發生龜裂等113的部分處，在乾燥後亦會有發生水痕等缺陷之虞。所以，在基板高溫化步驟(S10)中，必需抑制或防止浮起的IPA液膜111發生龜裂等113。
在浮起的IPA液膜111中發生龜裂等113的要因，可例如下述2項要因。
第1項要因係因基板W長時間加熱而導致生成大量的IPA蒸氣、及/或IPA液膜111沸騰。若生成大量IPA蒸發氣體、及/或IPA液膜111出現沸騰，IPA的蒸發氣體膜112便會突破位於上方的IPA液膜111，並從該IPA液膜111從上方噴出。結果，會有在IPA的液膜111發生龜裂等113之虞。
相關該第1項要因，在處理例1中，藉由將基板高溫化步驟(S10)的液膜浮起溫度TE1及基板高溫化步驟(S10)之執行期間，分別設定為不會產生龜裂等113的範圍因應。且，在基板高溫化步驟(S10)中，藉由持續供給液體IPA，便在基板高溫化步驟(S10)的全期間中，使浮起的IPA液膜111維持於不會發生龜裂等113之程度的厚度。
發生龜裂等113的第2項要因係因承受基板W旋轉 所衍生的離心力，而發生IPA液膜111分裂。相關第2項要因，處理例1係在基板高溫化步驟(S10)中停止基板W的旋轉。所以，可防止IPA液膜111發生因離心力造成的分裂。藉此，便可防止發生龜裂等113。
在基板高溫化步驟(S10)之後，接著執行將位於蒸發 氣體膜112上方的IPA液膜111，在保持液塊狀態下排除的有機溶劑排除步驟(圖12中的步驟S11)。
具體而言，若從基板W讓渡給加熱板6起經預定時 間，控制裝置3便如圖13G及圖16所示，控制裝置係控制著伸縮單元24，使加熱板6從水平姿勢變更為傾斜姿勢。
一方面參照圖16一方面詳述有機溶劑排除步驟。一 方面使3個伸縮單元24中的既定1個伸縮單元224之長度保持原狀，一方面使其他2個伸縮單元225(圖16中僅圖示1個)的長度拉長較目前更長。此時2個伸縮單元225的延伸量係相互相等。藉此，可使加熱板6姿勢變更為傾斜姿勢。加熱板6的傾斜姿勢呈現基板對向面6a傾斜於水平面。此時的傾斜角度係例如約1°。即加熱板6的傾斜姿勢係基板對向面6a傾斜於水平面例如約1°，藉此由加熱板6支撐的基板W上表面亦傾斜於水平面例如約1°。此時，加熱板6相關加熱板6圓周方向上，對應於2個伸縮單元225配置位置的正中間位置成為最高，而伸縮單元224的配置位置則成為最低。
又，在基板W成為傾斜姿勢的狀態，如圖16所示， 長度最短的伸縮單元224、與在加熱板6圓周方向上對齊(最靠近長度最短的伸縮單元224)的固定銷10(固定銷210)之第1上軸部72、錐面73(參照圖6)，抵接於傾斜基板W的周緣部最低部分，藉此阻 止基板W沿基板對向面6a的方向移動。
利用在多數個壓花61與基板W下表面之間所產生的 摩擦力，由加熱板6上支撐著基板W。在基板W及加熱板6成為水平姿勢的狀態下，利用上述摩擦力的作用，基板W便不會移動而呈靜止狀態。另一方面，在基板W呈傾斜狀態下，自重會作用於基板W。若因自重而產生沿基板對向面6a方向的力，大於上述摩擦力，便會有基板W沿基板對向面6a方向移動的可能性。然而，在基板W及加熱板6呈傾斜姿勢的狀態下，固定銷210(在加熱板6圓周方向上對齊於伸縮單元224的固定銷10)，抵接於傾斜基板W的周緣部最低部分，藉此阻止基板W沿加熱板6上的方向移動，俾防止基板W從加熱板6上滑落。故，可一方面確實防止基板W從加熱板6上滑落，一方面將基板W及加熱板6雙方保持傾斜姿勢。
又，因為藉由支撐著基板W的固定銷210，便可達成 基板W從加熱板6上滑落，因而相較於在固定銷210之外另行設置防滑落構件的情況下，可減少零件數量並可達成本降低。
在基板高溫化步驟(S10)結束的時點，如前述，在基板W上表面與IPA液膜111之間生成的摩擦力大小係趨近於零。所以，IPA液膜111可沿基板W的上表面輕易移動。在有機溶劑排除步驟(S11)中，因為基板W的上表面傾斜於水平面，因而IPA的液膜111承受自重而朝向傾斜基板W周緣部的最低部分，沿基板W上表面移動。IPA液膜111的移動係一方面維持液塊狀態(即不會分裂為多數小滴)一方面進行，藉此IPA液膜111便被從基板W上方排除。
在基板W上方完全排除IPA液膜111之後，控制裝置3便控制著伸縮單元24，使加熱板6從傾斜姿勢返回水平姿勢。又，控制裝置3係控制著板升降單元16，使加熱板6從上位置下降至下位置。在加熱板6從上位置下降至下位置的途中，基板W的下表面周緣部會抵接於固定銷10的錐面73。然後，藉由使加熱板6更進一步下降，基板W便離脫加熱板6，並利用基板保持旋轉單元5的複數支固定銷10從下方支撐著。可動銷12呈開放狀態，因而基板W僅利用固定銷10從下方支撐，並沒有被固定銷10、可動銷12等挾持。
再者，控制裝置3驅動鎖構件(未圖示)，解除蓋構件39與下杯37間之結合。然後，控制裝置3如圖13I所示，控制蓋升降單元54，使蓋構件39上升至蓋開放位置。
使加熱板6下降至下位置後，因為加熱板6、與由基板保持旋轉單元5所保持基板W間之間隔，便為較大於加熱板6位於上位置時，來自加熱板6的熱(熱輻射、基板對向面6a與基板W間之空間內的流體熱傳導、及經由多數個壓花61的熱傳導)不會充分到達基板W。藉此，結束利用加熱板6進行的基板W加熱，使基板W降溫至大致常溫。
藉此，結束對1片基板W的藥液處理，並利用搬送機器人CR(參照圖1)，將處理畢基板W從腔4中搬出((圖12中的步驟S12)。
依上述，藉由對基板W的上表面供給液體IPA，在基板W上形成覆蓋基板W上表面的IPA液膜111，則在微細圖案101間隙中所存在的清洗液便被液體IPA置換。由於IPA液膜111覆蓋 基板W上表面全區域，因而基板W上表面全區域均可良好地置換微細圖案101間隙中所存在之清洗液。然後，在形成IPA液膜111後，使基板W上表面的溫度到達液膜浮起溫度TE1。藉此，在基板W的上表面全區域，於IPA液膜111與基板W上表面之間形成IPA蒸發氣體膜112，且在該IPA蒸發氣體膜112的上方浮起IPA液膜111。在此狀態下，由於在基板W上表面與IPA液膜111間生成的摩擦力大小係趨近於零，因而IPA液膜111可沿基板W上表面輕易地移動。
在有機溶劑排除步驟(S11)中，一方面將基板W與加 熱板6的相對姿勢維持一定，一方面使基板W及加熱板6進行姿勢變更為傾斜姿勢，便使基板W上表面傾斜於水平面。藉此，浮起的IPA液膜111承受自重而朝向傾斜基板W周緣部的最低部分，沿基板W上表面移動，再被從基板W周緣部排出。IPA液膜111的移動係一方面維持液塊狀態(即不會分裂為多數小滴)一方面進行，藉此IPA液膜111可從基板W上方順暢且完全地排除。
所以，在經IPA液膜111排除後的基板W上表面， 不會有IPA呈小滴狀殘留。即，即便在基板W上表面有形成微細圖案101的情況，在微細圖案101的間隙中不會有液相IPA殘留。 所以，即便對上表面有形成微細圖案101的基板W施行處理時，仍可在抑制或防止微細圖案101崩壞情況下，使基板W上表面良好地乾燥。
又，與有機溶劑置換步驟(S9)並行實施依覆液速度v1 使基板W旋轉。隨此種基板W的減速，作用於基板W上的液體IPA之離心力便成為零或減小，使液體IPA不會被從基板W周緣部排 出而滯留於基板W上表面。其結果，在基板W上表面保持著覆液狀態的IPA液膜111。由於藉由基板W上表面所保持IPA液膜111中含有的IPA，置換基板W上表面的清洗液，因而藉此在基板W上表面可更良好地利用IPA置換清洗液。
又，在覆液步驟(S92)之前便執行第1高速旋轉步驟 (S91)。在第1高速旋轉步驟(S91)中，使基板W依第1旋轉速度進行旋轉。藉此，基板W上的液體IPA承受因基板W旋轉而產生的離心力，而朝基板W的周緣部擴展。因而，可使液體IPA遍佈於基板W上表面全區域。所以，在第1高速旋轉步驟(S91)後接著執行的覆液步驟(S92)中，在基板W上表面能保持著覆蓋基板W上表面全區域的覆液狀態IPA液膜111，藉此基板W上表面全區域便可藉由液體IPA，良好地置換基板W上表面的清洗液。
又，在基板W停止旋轉狀態下執行基板高溫化步驟 (S10)。若在基板高溫化步驟(S10)中使基板W旋轉，基板W周緣部的旋轉速度會加速，導致該周緣部被冷卻，結果基板W上表面周緣部的溫度會有不會到達液膜浮起溫度TE1的可能性。此情況，在基板W的周緣部會有IPA液膜111不會良好浮起之虞。
相對於此，處理例1中，因為在基板W停止旋轉狀 態下執行基板高溫化步驟(S10)，所以可使基板W上表面周緣部升溫至液膜浮起溫度TE1。藉此，可使基板W上表面全區域均浮起IPA液膜111。
又，加熱板6便一方面從下方加熱基板W，一方面從 下方接觸支撐該基板W。藉由使該加熱板6從水平姿勢進行姿勢變更為傾斜姿勢，便可一方面利用加熱板6良好地保持基板W，一方 面使該基板W的上表面傾斜於水平面。藉此，可一方面利用加熱板6加熱基板W，一方面使該基板W的上表面傾斜於水平面。
又，加熱板6的周緣部係利用複數伸縮單元24被從 下方支撐。藉由將複數伸縮單元24的長度設為相互相等，便可使加熱板6保持呈水平姿勢。又，藉由使複數伸縮單元24中之至少1個伸縮單元24的長度，不同於其餘伸縮單元24，便使加熱板6保持傾斜姿勢。藉此，依簡單構成便可使加熱板6在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
圖18所示係第2處理例的最終清洗步驟(步驟S8)說 明示意圖。
在基板處理裝置1中執行的第2處理例不同於前述第 1處理例之處在於：最終清洗步驟(步驟S8)及有機溶劑置換步驟(S9)中，利用加熱板6加熱基板W上表面。一連串的步驟流程係同圖12所示第1處理例的情況。
此情況，在最終清洗步驟(步驟S8)之前、或最終清洗 步驟(S8)中，控制裝置3便控制著板升降單元16，使加熱板6從下位置(圖13A等所示位置)上升至中間位置(圖18所示位置。至少加熱板6的基板對向面6a，位於較由基板保持旋轉單元5所保持基板W的下表面更靠下方之高度位置。)。所以加熱板6係橫跨最終清洗步驟(S8)與有機溶劑置換步驟(S9)期間而配置於中間位置。
在加熱板6位於中間位置的狀態下，若加熱器15呈 發熱狀態，來自基板對向面6a的熱便利用熱輻射提供給由基板保持旋轉單元5保持的基板W。在此狀態下，由於加熱板6與基板W係隔開間隔配置，因而此時提供給基板W的熱量較小於將基板W 載置於加熱板6上的情況。
在第2處理例的最終清洗步驟(S8)中，藉由加熱板6 進行的基板W加熱，便使基板W的上表面升溫至預定的事前加熱溫度(第2溫度)TE2。事前加熱溫度TE2係設定為較低於IPA沸點(82.4℃)且較高於常溫的既定溫度(例如約40℃~約80℃)。
在基板W的上表面溫度到達事前加熱溫度TE2後， 基板W上表面的溫度(微細圖案101(參照圖14C等)的上表面，更詳言之，各構造體102上端面102A的溫度)被維持於事前加熱溫度TE2。此時，基板W的上表面全區域均維持於事前加熱溫度TE2。 即依基板W的上表面成為事前加熱溫度TE2的方式，設定加熱板6中間位置的高度。
藉此，在第2處理例的最終清洗步驟(S8)及有機溶劑 置換步驟(S9)中，基板W的上表面會被加熱至事前加熱溫度TE2。 所以，接觸於基板W上表面的液體IPA擴散係數上升。藉此，可提高IPA的置換效率。其結果，可縮短有機溶劑置換步驟(S9)的執行期間。
又，因為在基板W的上表面被加熱狀態下開始進行 基板高溫化步驟(S10)，因而可縮短基板W上表面升溫至液膜浮起溫度TE1所需要的時間。其結果，可縮短基板高溫化步驟(S10)的執行期間。
然後，若有機溶劑置換步驟(S9)的執行期間結束，控 制裝置3便控制著板升降單元16，使加熱板6從中間位置(圖18所示位置)上升至上位置(圖13G等所示位置)。藉此，基板W便脫離基板保持旋轉單元5，將基板W讓渡給加熱板6，接著執行基板高 溫化步驟(S10)。
又，第2處理例中，利用加熱板6進行的基板W加 熱係從最終清洗步驟(步驟S8)開始，但亦可從有機溶劑置換步驟(S9)開始起便進行基板W加熱。
圖19所示係本發明第3處理例中，IPA吐出流量變 化及基板W旋轉速度變化圖。
在基板處理裝置1執行的第3處理例，不同於前述第 1處理例之處在於：在有機溶劑置換步驟(S9)中，於覆液步驟(S92)結束後，便於基板高溫化步驟(S10)開始之前，執行薄膜化步驟(步驟S93。參照圖19)。在薄膜化步驟(S93)中，係在有機溶劑置換步驟(S9)時，並行使基板W依較覆液步驟(S92)中的基板W旋轉速度v1更快速度、且較慢於液處理旋轉速度v3的處理速度v2(薄膜化旋轉速度)進行旋轉。又，在開始薄膜化步驟(S93)之同時亦停止IPA的吐出。
具體而言，在覆液步驟(S92)結束後，控制裝置3係 使基板W之旋轉從覆液速度v1加速至薄膜化旋轉速度v2(覆液速度v1以上、且未滿液處理旋轉速度v3。例如50rpm以上且未滿100rpm)。基板W便在既定高速旋轉時間t3(例如約5秒鐘)期間內，依高旋轉速度v2進行旋轉。又，在薄膜化步驟(S93)旋轉之同時亦停止IPA的吐出。藉由在停止IPA供給狀態下的基板W低速旋轉，對基板W上的IPA液膜111便作用因基板W旋轉而生成的離心力，使IPA的液膜111被推擠擴散，IPA液膜111的厚度便被薄膜化(例如0.5mm)。
在覆液步驟(S92)中，因為作用於基板W上液體的IPA 之離心力係零或較小，因而IPA液膜111的厚度較厚(例如1mm)。 若在此厚度狀態下移往基板高溫化步驟(S10)，因為在基板W上方浮起的IPA液膜111之厚度會變厚，因而會有在液膜排除步驟(S11)中為排除IPA液膜111而需要較長期間之虞。
相對於此，處理例3中，因為在基板高溫化步驟(S10) 之前便執行薄膜化步驟(S93)，因而在基板高溫化步驟(S10)中，基板W上方浮起的IPA液膜111的厚度會變薄(例如0.5mm)，藉此可縮短液膜排除步驟(S11)的執行期間(為排除IPA液膜111所需要的期間)。
又，第1至第3處理例中，針對在下杯37及蓋構件 39的內部空間被密閉狀態下，執行最終清洗步驟(S8)進行說明，但亦可在下杯37及蓋構件39的內部空間呈開放(蓋構件39位於蓋開放位置)狀態下，執行最終清洗步驟(S8)。亦可將來自清洗液上配管44之清洗液吐出口47的清洗液供給給基板W的上表面，亦可使清洗液噴嘴28配置於呈對向於基板W上表面，並將來自清洗液噴嘴28的清洗液供給給基板W的上表面。此情況下，在最終清洗步驟(S8)之後，下杯37及蓋構件39的內部空間便被呈密閉狀態。
又，在第1至第3處理例中，數次(2次)重複施行第 1藥液步驟(S2、S6)，但第1藥液步驟(S2、S6)亦可僅施行1次。
又，第1至第3處理例的第1藥液步驟及第2藥液步 驟(S2、S4、S6)、以及第1至第3清洗步驟(S3、S5、S7)，舉施行基板W的上下雙面處理為例進行說明，但該等步驟(S2~S7)中，亦可僅對基板W的上表面(圖案形成面)施行處理。
再者，第1至第3處理例中，亦可省略第3清洗步驟 (S7)。
以上，針對本發明一實施形態進行說明，但本發明亦 可依其他形態實施。
例如，如圖20所示，亦可多數個壓花61並非配置於 基板對向面6a全區域，而是僅配置於基板對向面6a的周緣部。圖20所示係在基板對向面6a的周緣部，於以旋轉軸線A1為中心的第4假想圓69上，依等間隔配置多數個壓花61。
又，係可取代利用球體66其中一部分構成的壓花 61，改為如圖21所示，採用與加熱板6呈一體而設之壓花161。
又，前述實施形態中，各伸縮單元24的配置位置係 針對例如與固定銷10在加熱板6圓周方向上對齊的情況進行說明，但亦可在加熱板6圓周方向上呈錯開狀態。此情況，在基板W成為傾斜姿勢的狀態下，藉由最靠近於長度最短伸縮單元224的固定銷10(固定銷210)，抵接於傾斜基板W周緣部的低位側部分，亦可防止基板W從加熱板6上滑落。
再者，前述處理例1~3，在有機溶劑排除步驟(S11) 中，為使IPA液膜111朝基板W側邊移動，而使基板W及加熱板6均姿勢變更為傾斜姿勢。亦可取代此手法，改為依相對向於基板周緣部的狀態，設置具有誘導面的誘導構件(誘導銷、誘導環)，並在有機溶劑排除步驟(S11)中，使誘導構件朝基板W內向移動，使誘導構件的誘導面接觸到浮起IPA液膜111。因為在基板W上表面與IPA液膜111間生成的摩擦力大小係趨近於零，因而利用誘導構件的誘導面與IPA液膜111間之接觸，浮起的IPA液膜111便一方面維持液塊狀態(不會分裂為多數小滴)，一方面在誘導面傳播並被 朝基板W側邊導引。藉此，可將IPA液膜111從基板W上方完全排除。採用此種手法時，在有機溶劑排除步驟(S11)中，基板W及加熱板6均可維持呈水平姿勢。此情況，基板處理裝置1亦可省略加熱板姿勢變更單元90。
又，在有機溶劑排除步驟(S11)中，亦可取代使基板 W及加熱板6均姿勢變更為傾斜姿勢的手法，改為開啟氮氣閥52，從氮氣吐出口51吐出氮氣，並將氮氣朝基板W上表面吹抵於中央部。藉此，在浮起IPA液膜111的中央部形成小徑圓形狀乾燥區域。 因為在基板W上表面與IPA液膜111間所生成的摩擦力大小係趨近於零，因而隨從氮氣吐出口51的氮氣吐出，上述乾燥區域會擴大，使乾燥區域擴展於基板W上表面全區域，藉此浮起IPA液膜111便會在一方面維持液塊狀態狀態(不會分裂為多數小滴)下，一方面被朝基板W側邊導引。藉此可將IPA液膜111從基板W上方完全排除。
又，在有機溶劑排除步驟(S11)中，亦可使上述誘導 構件朝向基板W內向移動，且將氮氣朝基板W上表面吹抵於中央部。
又，前述實施形態中，舉藉由使加熱板6升降，而構 成在加熱板6與基板保持旋轉單元5之間受讓基板W的例子進行說明，但亦可藉由使基板保持旋轉單元5升降，且使加熱板6與基板保持旋轉單元5雙方均進行升降，而在與加熱板6之間進行基板W的受讓。
又，亦可在固定銷210之外另行設置防滑落構件，該 防滑落構件係藉由依傾斜姿勢卡合於基板W低位側的周緣部，而 達防止基板W從加熱板6上滑落。
又，在基板W及加熱板6成為傾斜姿勢的狀態下， 當上述傾斜角度充分小的情況、或在壓花61與基板W下表面之間所生成接觸摩擦力的大小充分大的情況，基板W不會沿基板對向面6a方向移動。所以，在此情況，亦可不需利用固定銷210、其他防滑落構件等防止基板W滑落。例如若壓花61(161)前端係由高接觸摩擦力構件構成，則即便未利用固定銷210等支撐著基板W周緣部，僅利用壓花61(161)便可防止傾斜的基板W滑落。
又，前述實施形態中，針對基板高溫化步驟(S10)中， 於加熱板6上載置基板W狀態下加熱基板W進行說明，但亦可在基板高溫化步驟(S10)中，基板W係在靠近由基板保持旋轉單元5所保持基板W的下表面配置加熱板6並加熱基板W。此情況，藉由使加熱板6與基板W間之間隔變化，便可調整提供給基板W的熱量。
又，前述實施形態中，藉由使用板升降單元16使加 熱板6升降，而調整基板W的加熱溫度，但當加熱板6的發熱量係可依至少2階段(ON狀態與OFF狀態)調整的情況，則不必依靠板升降單元216便可調整基板W的加熱溫度。
此情況，可在基板高溫化步驟(S10)時，並行使基板 W旋轉。基板高溫化步驟(S10)中的基板W旋轉亦可在基板高溫化步驟(S10)其中一部分期間中執行，亦可橫跨全期間均執行。但，基板W的旋轉速度最好係基板W上表面周緣部不會被冷卻程度的低速(例如約10rpm至約100rpm左右)。當基板W的旋轉速度係低速的情況，於基板高溫化步驟(S10)中對IPA液膜111僅會作用較小的 離心力。所以，可更確實地防止IPA液膜111發生龜裂等113。
前述實施形態中，就第1及第2藥液分別例示氟酸及 APM，但在洗淨處理、蝕刻處理等之時，第1或第2藥液係可採用含有例如：硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧化四甲銨等)、界面活性劑、防腐蝕劑中之至少1者的溶液。
又，亦可非採用複數種(2種)藥液，而是僅使用1種 藥液對基板W施行處理。
又，就具有表面張力較小於水的有機溶劑係舉IPA為 例進行說明，但作為有機溶劑，除IPA之外，尚可採用例如：甲醇、乙醇、丙酮、及HFE(氫氟醚)等。
又，前述實施形態的藥液處理(蝕刻處理、洗淨處理 等)係在大氣壓下執行，但處理環境的壓力並不僅侷限於此。例如亦可將利用蓋構件39與下杯37區隔的密閉空間環境，使用既定壓力調整單元施行加壓或減壓，調整為較高於大氣壓的高壓環境、或較低於大氣壓的減壓環境，再執行各實施形態的蝕刻處理、洗淨處理等。
又，上述各實施形態中，在使加熱板6基板對向面 6a接觸於基板W背面的狀態下，加熱基板W，但即便在使基板W與基板對向面6a未接觸而相靠近的狀態下，加熱基板W的態樣，仍可實施本發明。
針對本發明實施形態進行詳細說明，惟該等只不過為闡明本發明技術內容而採用的具體例而已，本發明不應解釋為僅侷限於該等具體例，本發明範圍僅受所附申請專利範圍的限定。
本申請案係對應於2014年3月25日對日本特許廳所提出申請的特願2014-62400號，該申請案的全部揭示均援引並融入於本案中。

Claims (13)

  1. 一種基板處理方法，其包括有：有機溶劑置換步驟，其將表面張力為較低於清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至基板之上表面，該清洗液係附著在以水平姿勢所保持之上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，而利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；基板高溫化步驟，其在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；以及有機溶劑排除步驟，其將浮起之上述有機溶劑的液膜，從上述基板之上表面的上方加以排除。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述基板處理方法係更進一步包含有：覆液步驟，其與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板之旋轉產生停止，或者以覆液速度使上述基板產生旋轉。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，上述基板處理方法係更進一步包含有：第1高速旋轉步驟，其在上述覆液步驟之前，與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板以較在上述覆液步驟中之上述基板之旋轉速度為更快速的第1旋轉速度進行旋轉。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理方法，其中，上述基板 處理方法係更進一步包含有：第2高速旋轉步驟，其在上述覆液步驟之後，與上述有機溶劑置換步驟產生並行，使上述基板以較在上述覆液步驟中之上述基板之旋轉速度為更快速的第2旋轉速度進行旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理方法，其中，上述基板高溫化步驟係在上述基板為旋轉停止的狀態下被加以執行。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理方法，其中，上述基板處理方法係更進一步包含有：基板加熱步驟，其與上述有機溶劑置換步驟產生並行，以上述基板之上表面成為較上述有機溶劑之沸點為更低之既定之第2溫度的方式，對上述基板進行加熱。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，上述基板處理方法係更進一步包含有：清洗步驟，其在上述有機溶劑置換步驟之前，將清洗液供給至上述基板的上表面；且，上述基板加熱步驟係在執行上述清洗步驟之時開始進行。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在上述基板高溫化步驟中的上述第1溫度，係為在上述基板高溫化步驟中使浮起之上述有機溶劑液膜不產生沸騰的溫度。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，在上述基板高溫化步驟中的上述第1溫度係為較上述有機溶劑之沸點為高出10~50℃的溫度。
  10. 如申請專利範圍第1、8及9項中任一項之基板處理方法，其 中，在上述基板高溫化步驟中之上述第1溫度、及上述基板高溫化步驟之執行期間的至少其中一者，係被設定在如以下狀態之溫度及執行期間：在上述有機溶劑之蒸發氣體膜中所含之氣相的有機溶劑，不會突破上述有機溶劑之液膜而突出至該液膜上。
  11. 如申請專利範圍第1、8及9項中任一項之基板處理方法，其中，在上述基板高溫化步驟中所浮起之上述有機溶劑之液膜的膜厚，係被設定為在上述基板高溫化步驟中上述有機溶劑液膜不產生分裂的厚度。
  12. 如申請專利範圍第1、8及9項中任一項之基板處理方法，其中，更進一步包含有：有機溶劑供給步驟，其與上述基板高溫化步驟產生並行，將上述有機溶劑供給至上述基板的上表面。
  13. 一種基板處理裝置，其為對基板而加以執行使用清洗液之清洗步驟的基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其以呈水平之方式保持上述基板；有機溶劑供給單元，其將表面張力為較低於上述清洗液之液體的有機溶劑，加以供給至被上述基板保持單元所保持之上述基板的上表面；加熱單元，其從下方對上述基板進行加熱；以及控制單元，其以控制上述有機溶劑供給單元及上述加熱單元之方式，執行有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排除步驟；該有機溶劑置換步驟係將上述有機溶劑供給至上述基板的上表面，在上述基板上形成將上述基板之上表面加以覆蓋之上述有機溶劑的液膜，利用上述有機溶劑對上述清洗液進行置換；該基板高溫 化步驟係在形成上述有機溶劑之液膜之後，使上述基板之上表面到達至高於上述有機溶劑之沸點的既定之第1溫度，藉此在上述有機溶劑之液膜的全區域，於上述有機溶劑之液膜與上述基板之上表面之間，形成有機溶劑之蒸發氣體膜，並且使上述有機溶劑之液膜浮起在上述有機溶劑之蒸發氣體膜的上方；該有機溶劑排除步驟係從上述基板的上方，將上述有機溶劑的液膜加以排除。
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Families Citing this family (369)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6270270B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN106133880B (zh) * 2014-03-28 2019-03-22 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN104538345B (zh) * 2014-12-31 2017-06-06 北京七星华创电子股份有限公司 一种盘状物夹持旋转装置
CN105826219B (zh) * 2015-01-23 2019-01-04 株式会社思可林集团 基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6418554B2 (ja) * 2015-06-10 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
JP6593920B2 (ja) * 2015-08-18 2019-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
JP6643029B2 (ja) * 2015-10-06 2020-02-12 東洋炭素株式会社 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6466315B2 (ja) * 2015-12-25 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP6586697B2 (ja) * 2015-12-25 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6611172B2 (ja) * 2016-01-28 2019-11-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
TWI736579B (zh) * 2016-02-15 2021-08-21 日商東京威力科創股份有限公司 液體處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
JP6653608B2 (ja) * 2016-03-29 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6712482B2 (ja) * 2016-03-31 2020-06-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
KR101910041B1 (ko) * 2016-04-29 2018-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
JP6710608B2 (ja) * 2016-08-30 2020-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6881922B2 (ja) * 2016-09-12 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6728009B2 (ja) 2016-09-26 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
JP7297664B2 (ja) * 2016-11-09 2023-06-26 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ，インコーポレイテッド プロセスチャンバ中でマイクロエレクトロニクス基板を処理するための磁気的な浮上および回転するチャック
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
WO2018106952A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-14 Tel Fsi, Inc. Wafer edge lift pin design for manufacturing a semiconductor device
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6811619B2 (ja) * 2017-01-12 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6826890B2 (ja) * 2017-01-12 2021-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6836913B2 (ja) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
KR102493551B1 (ko) 2017-01-27 2023-01-30 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 프로세스 챔버에서 기판을 회전 및 병진시키기 위한 시스템 및 방법
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6916003B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6892774B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11133176B2 (en) * 2017-08-09 2021-09-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, recording medium and substrate processing system
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102075685B1 (ko) 2017-10-16 2020-02-11 세메스 주식회사 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법
US11133200B2 (en) * 2017-10-30 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate vapor drying apparatus and method
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10658221B2 (en) * 2017-11-14 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US20190164787A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
KR102042789B1 (ko) * 2017-11-30 2019-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7008489B2 (ja) 2017-12-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR20200121829A (ko) 2018-02-19 2020-10-26 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 제어 가능한 빔 크기를 갖는 처리 스프레이를 가지는 마이크로전자 처리 시스템
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP7209494B2 (ja) * 2018-08-24 2023-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、処理液および基板処理方法
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
CN112997277B (zh) * 2018-11-16 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP7311988B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置
JP7183094B2 (ja) * 2019-03-26 2022-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
WO2020218813A1 (ko) * 2019-04-23 2020-10-29 주식회사 제우스 식각장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
JP7194645B2 (ja) * 2019-05-31 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN110406140B (zh) * 2019-08-07 2021-08-03 电子科技大学 基于液膜破裂自组装的柔性电致变色图形化薄膜的制备方法和薄膜
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
CN112420485B (zh) * 2019-08-21 2023-03-31 长鑫存储技术有限公司 晶圆加工方法
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112768378B (zh) * 2020-12-31 2023-02-10 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
CN113492138B (zh) * 2021-06-21 2022-09-06 望江县天长光学仪器有限公司 一种显微镜片高压清洗机
CN113539937B (zh) * 2021-07-09 2023-03-03 江西龙芯微科技有限公司 一种晶圆承载装置
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7506728B2 (ja) * 2021-12-24 2024-06-26 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN114975178B (zh) * 2022-05-18 2024-04-05 江苏微导纳米科技股份有限公司 温度控制组件、半导体处理腔室及半导体处理设备
CN114653660B (zh) * 2022-05-20 2022-09-16 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种磁性夹块及半导体基材清洗装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110189858A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Lam Research Corporation Method for reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures
US20140041685A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium
US20140060573A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP2003178946A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
US7531039B2 (en) * 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP2004321880A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Seiko Epson Corp 洗浄方法及び保管方法、パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
KR100689680B1 (ko) * 2005-06-16 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 구조물의 처리 방법 및 이를 이용한 반도체커패시터의 제조 방법
CN100501921C (zh) * 2006-06-27 2009-06-17 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法以及基板处理装置
US7371998B2 (en) * 2006-07-05 2008-05-13 Semitool, Inc. Thermal wafer processor
JP4555320B2 (ja) * 2007-06-15 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法及び半導体装置の製造方法
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
US8419964B2 (en) * 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
JP5620234B2 (ja) * 2010-11-15 2014-11-05 株式会社東芝 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置
JP2013118347A (ja) * 2010-12-28 2013-06-13 Central Glass Co Ltd ウェハの洗浄方法
JP5486569B2 (ja) * 2011-09-05 2014-05-07 日本電信電話株式会社 パターン識別方法、パターン識別装置、およびプログラム
JP5889691B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US9406501B2 (en) * 2012-05-31 2016-08-02 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning substrate
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6400919B2 (ja) * 2013-03-07 2018-10-03 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6276924B2 (ja) * 2013-03-18 2018-02-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP6351993B2 (ja) * 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5736017B2 (ja) * 2013-09-09 2015-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI626701B (zh) * 2014-02-27 2018-06-11 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110189858A1 (en) * 2010-02-01 2011-08-04 Lam Research Corporation Method for reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures
US20140041685A1 (en) * 2012-08-07 2014-02-13 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory medium
US20140060573A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150111316A (ko) 2015-10-05
CN108417477A (zh) 2018-08-17
TW201539628A (zh) 2015-10-16
US20190385835A1 (en) 2019-12-19
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US9698031B2 (en) 2017-07-04
JP2015185767A (ja) 2015-10-22
CN108417477B (zh) 2022-12-02
US20150279708A1 (en) 2015-10-01
CN104952699B (zh) 2018-06-12
JP6304592B2 (ja) 2018-04-04
US20170243736A1 (en) 2017-08-24

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