TWI593976B - Substrate contact method for probe card - Google Patents

Description

朝向探針卡之基板抵接方法

本發明係關於朝向探針卡之基板抵接方法，該探針卡係使基板例如形成於晶圓之半導體元件的電極抵接於設置在基板檢查裝置之探針卡的探針。

作為晶圓檢查裝置，例如已知對形成於晶圓之複數個半導體元件進行電性特性檢查的探針裝置或預燒檢查裝置。

圖11係表示以往之探針裝置之概略構成的剖面圖。

在圖11中，探針裝置100係具備：裝載室101，形成搬送晶圓W之搬送區域；檢查室102，對形成於晶圓W之複數個半導體元件進行電性特性檢查；藉由控制裝置控制裝載室101及檢查室102內的各種機器，並對半導體元件進行電性特性檢查。檢查室102係具備：載置台106，從裝載室101載置由搬送臂103所搬入之晶圓W且在X、Y、Z及θ方向移動；彈性框架109，配置於載置台106的上方；探針卡108，支撐於彈性框架109； 定位機構110，對與載置台106一同動作且設置於探針卡108之複數個探針(檢查針)與形成於晶圓W之複數個半導體元件之各電極的相對位置進行對位。藉由定位機構110與載置台106的一同動作，進行晶圓W與探針卡108之相對位置的對位後，各別抵接探針卡108之各探針與晶圓W之各電極，並進行形成於晶圓W之複數個半導體元件的電性特性檢查(例如，參閱專利文獻1)。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-140241號公報

但是，以往之晶圓檢查裝置中的探針卡與晶圓之抵接方法係使載置晶圓W之載置台(卡盤構件)移動至晶圓檢查裝置之晶圓檢查用介面所支撐的探針卡位置後，藉由每載置台、升降裝置(升降器)使晶圓W上升，藉此，使設置於晶圓W之半導體元件之各電極抵接於設置在探針卡之各探針者，在半導體元件之各電極與各探針之抵接部份中的電性接觸電阻中會容易產生誤差，且會產生無法良好地檢查半導體元件之電性特性的問題。

本發明之課題係提供一朝向能夠良好地對設置於基板之半導體元件進行電性特性檢查之基板檢查裝置 中的探針卡之基板抵接方法。

根據本發明，係提供一朝向探針卡之基板抵接方法，使前述基板抵接於對形成在基板之半導體元件進行電性特性檢查之基板檢查裝置的探針卡，其特徵係，具有：搬送工程，經由板狀構材，將前述基板載置於卡盤構件且搬送至與前述探針卡對向之位置為止；抵接工程，使前述搬送工程所搬送之基板與前述板狀構材一起朝前述探針卡移動，並使設置於前述基板之半導體元件之複數的電極各自抵接於設置在前述探針卡之複數個探針後，使前述基板與前述板狀構材一起朝前述探針卡移動一預定量；保持工程，對前述抵接工程後的前述探針卡與前述板狀構材之間的空間進行減壓，並保持前述半導體元件之複數個電極與前述探針卡之複數個探針的抵接狀態；脫離工程，前述保持工程後，由前述板狀構材切離前述卡盤構件。

在本發明中，前述抵接工程中的預定量係10μm~150μm為較佳。

在本發明中，前述保持工程中前述空間的減壓壓力係，被調整為能獲得以下之抵接力的壓力為較佳，該抵接力係指能夠承受前述基板及前述板狀構材的自重、與前述半導體元件之複數個電極和前述探針卡之複數個探 針之抵接反力的合計。

在本發明中，於前述保持工程中對前述空間的壓力進行階段性的減壓為較佳。

在本發明中，於前述板狀構材的周圍設置密封構件為較佳，該密封構件係密封該板狀構材與前述探針卡之間的空間。

在本發明中，前述脫離工程後的卡盤構件係使用於移動至對應於與前述探針卡不同之探針卡的位置為止，並對形成於與前述基板不同之基板之半導體元件的電性特性進行檢查為較佳。

在本發明中，於前述保持工程，根據距離檢測感測器的檢測值，調整前述空間的壓力為較佳。該距離檢測感測器係檢測前述卡盤構件的上面與前述探針卡的安裝面或前述卡盤構件的上面與前述探針卡的下面之間的距離。

在本發明中，具有減壓工程為較佳。前述脫離工程後，更對前述空間進行減壓並提高前述半導體元件之複數個電極與前述探針卡之複數個探針的抵接壓力。

根據本發明，使用卡盤構件使設置於基板之半導體元件之複數個電極各自抵接於設置於探針卡之複數個探針後，更使基板朝向探針卡移動一預定量，然後，對探針卡與板狀構材之間的空間進行減壓並保持電極與探針 之抵接狀態，接下來，使卡盤構件脫離，因此朝向基板中之探針卡的抵接面會如同由探針卡之探針的前端部所形成之虛擬平面，藉此，不會產生電性接觸電阻的誤差而能夠使設置於基板之半導體元件之各電極與設置於探針卡之各探針接觸，因而能夠良好地對設置於基板之半導體元件的電性特性進行檢查。

W‧‧‧晶圓

S‧‧‧空間

21‧‧‧搬入搬出機構

22‧‧‧卡盤構件

24‧‧‧對位裝置

31‧‧‧檢查部

32‧‧‧晶圓檢查用介面

36‧‧‧探針卡

37‧‧‧晶圓板片

38‧‧‧O形環

42‧‧‧搬送機構

43‧‧‧升降裝置(升降器)

45‧‧‧距離檢測感測器

50‧‧‧晶圓檢查裝置

[圖1]表示適用於朝向本發明實施形態之探針卡的基板抵接方法之晶圓檢查裝置之概略構成的平面圖。

[圖2]沿著圖1中晶圓檢查裝置之II-II線的剖面圖。

[圖3]表示圖2中檢查部與搬送機構之關係的剖面圖。

[圖4]表示朝向本發明之探針卡之基板抵接方法之工程的圖。

[圖5]表示朝向本發明之探針卡之基板抵接方法之工程的圖。

[圖6]表示朝向本發明之探針卡之基板抵接方法之工程的圖。

[圖7]表示朝向本發明之探針卡之基板抵接方法之工程的圖。

[圖8]與僅藉由驅動裝置進行相同之抵接操作之情況做比較，且表示對朝向本實施形態之探針卡之基板抵接方法中抵接工程後之半導體元件的電極與探針之抵接部中電 性接觸電阻之誤差與過驅動量之關係的圖。

[圖9]表示對探針卡與晶圓板片之間的空間進行減壓時之減壓方法的圖。

[圖10]表示於卡盤構件設置距離檢測感測器之基板檢查裝置之檢查部的剖面圖。

[圖11]表示以往之探針裝置之概略構成的剖面圖。

以下，參閱圖面來詳細說明關於本發明之實施形態。

圖1係表示適用於對本發明之實施形態之探針卡的基板抵接方法之晶圓檢查裝置的概略構成的平面圖，圖2係沿著圖1中晶圓檢查裝置之II-II的剖面圖，圖3係表示圖2中檢查部與搬送機構之關係的剖面圖。該晶圓檢查裝置係一次接觸型之檢查裝置，該一次接觸型之檢查裝置係對探針卡的所有探針，使設置於晶圓之所有半導體元件之所有電極進行一次抵接並進行電性特性檢查。

在圖1中，晶圓檢查裝置50主要係由以下來構成，其中包括：檢查區域S30，對設置於晶圓之半導體元件進行電性特性檢查；搬入搬出區域S10，於該晶圓檢查裝置50搬入搬出晶圓、晶圓板片、探針卡等；搬送區域20，設置於該搬入搬出區域S10與檢查區域S30之間。

搬入搬出區域S10係被分割為複數個單位搬入搬出區域11。在各單位搬入搬出區域11係例如設置有 環箍F之收容機構。此外，亦能夠設置針跡檢查裝置(皆省略圖示)，該針跡檢查裝置係鄰接於單位搬入搬出區域11之一部份且對臨時對位裝置(預先對準)或檢查後的晶圓進行針跡檢查。

在搬送區域S20設置有搬入搬出機構21，該 搬入搬出機構21係沿著搬送區域S20搬送由搬入搬出區域S10之環箍F所接收之檢查前的晶圓，收授至載置於檢查區域S30之後述之搬送機構42上部之卡盤構件22例如晶圓板片37(參閱圖3)上，並同時由載置於檢查區域S30之上述卡盤構件22的晶圓板片37，接受檢查後的晶圓並搬送至搬入搬出區域S10為止。

檢查區域S30中，設置有複數個檢查部31(測 試器)。鄰接之檢查部31彼此不會特別被分割，於連續的空間排列有各別具備晶圓檢查用介面之複數個檢查部31。

在圖2中，晶圓檢查裝置50中的檢查區域 S30係複數層，圖2中被分成3層，在各層例如設置有相同數目的檢查部31，並各別設置有在該檢查部31彼此間移動之搬送機構42與省略圖示之對位裝置及對位用攝像機。

搬送機構42係藉由搬入搬出機構21，於載置 於該搬送機構42之上部之卡盤構件22的晶圓板片(板狀構材)37上，接受被搬送至檢查區域S30與搬送區域S20之邊界部之檢查前的晶圓W，然後，如圖3所示，搬送至在檢查部31彼此間移動之對位裝置24為止，進行載置於 卡盤構件22的晶圓板片37與晶圓W的對位，且進行與設置於與晶圓W對應之檢查部31之晶圓檢查用介面32之探針卡36的對位。接下來，搬送機構42係對探針卡36將所對位之晶圓W搬送至晶圓檢查用介面32的正下方為止，然後，升降裝置43係使晶圓W及晶圓板片37與卡盤構件22一起朝探針卡36向上移動，藉此，使晶圓W抵接於探針卡36。檢查部31係對設置在抵接於探針卡36之晶圓W之複數個半導體元件進行電性特性檢查。

半導體元件之電性特性檢查結束後，升降裝 置43係使檢查完成之晶圓W及晶圓板片37與卡盤構件22一起下降至晶圓檢查用介面32的下方為止，然後，搬送機構42係將檢查完成之晶圓W與晶圓板片37一起搬送至檢查區域S30與搬送區域S20之邊界部為止，並將檢查完成之晶圓W收授至搬入搬出機構21。由搬送機構42接受檢查完成之晶圓W之搬入搬出機構21係將檢查完成之晶圓W收授至例如設置於搬入搬出區域S10之一部份的針跡檢查裝置(省略圖示)，針跡檢查裝置係對檢查完成之晶圓中各半導體元件之電極中的針跡(探針之接觸痕跡)進行檢查，然後，搬入搬出機構21係將檢查完成之晶圓W搬入至搬入搬出區域S10的環箍F。

該情況下，藉由搬入搬出機構21及搬送機構 42的一同動作，對由第1環箍F所搬出之第1晶圓W進行對位後，搬入第1檢查部31，以第1檢查部31進行形成於第1晶圓W之半導體元件之電性特性檢查的期間， 能夠對由第2環箍F所搬出之第2晶圓W進行對位且搬入第2檢查部31。又，以第1檢查部31進行形成於第1晶圓W之半導體元件之電性特性檢查的期間，亦能夠藉由搬入搬出機構21及搬送機構42的一同動作，由第3檢查部搬出檢查後的第3晶圓W且搬入第3環箍F。即，搬入搬出機構21及搬送機構42係一同動作，且在複數個環箍F及複數個檢查部31間依序收授及搬入搬出晶圓W，複數個檢查部31係依序對複數個晶圓進行形成於該晶圓之半導體元件的電性特性檢查。

以下，說明關於朝向使用該構成之晶圓檢查裝置之本發明實施形態之探針卡的基板抵接方法。

圖4~7係表示朝向圖1之晶圓檢查裝置中探針卡之基板抵接方法之工程的圖。

在圖4中，首先，使檢查部31返回初始狀態(圖4A)。在此，檢查部31之初始狀態係指於具有蓋板33與形成該蓋板33之下部的彈性框架34之晶圓檢查用介面32之彈性框架34的下面，經由接觸板35，在支撐有探針卡36之檢查部31中，將用於載置晶圓之晶圓板片37配置為與探針卡36的下面對向，藉由對由晶圓板片37、設置於該晶圓板片37周圍之密封構件(O形環)38、接觸板35所包圍之空間S進行減壓，而晶圓板片37對晶圓檢查用介面32進行吸附且予以支持的狀態。

此時，空間S的壓力係例如調整為2kPa~10kPa。此外，在本說明書中，以下，將上述空間S 稱作探針卡36與晶圓板片37之間的空間。O形環38係由外部密封探針卡36與晶圓板片37之間的空間S。

接下來，搬送機構42係移動至初始狀態之檢 查部31的下方(圖4B)，藉由驅動該搬送機構42之升降裝置43，使搬送機構42之上部的卡盤構件22抵接於晶圓板片37的下面(圖4C)，在該狀態下解除空間S的減壓狀態。解除空間S之減壓狀態後，升降裝置43會進行驅動，搬送機構42係於卡盤構件22上載置晶圓板片37的狀態下進行下降(圖5A)。此時，晶圓板片37係被吸附固定於卡盤構件22。此外，在初始狀態中，晶圓板片37係藉由省略圖示之防止落下用之鈎狀支撐構件，被懸吊於晶圓檢查用介面32，搬送機構42於卡盤構件22上載置晶圓板片37且進行下降時，一旦稍微提起該晶圓板片37後，在水平方向進行移動且回避鈎狀之支撐構件後，使不具有該鈎狀之支撐構件的區域下降。

接下來，搬送機構42係將載置於卡盤構件22 之晶圓板片37搬送至檢查區域S30與搬送區域S20的邊界部為止。又，搬送區域S20之搬入搬出機構21係由搬入搬出區域S10之環箍F接收檢查前的晶圓W，並將此搬送至搬送區域S20與檢查區域S30的邊界部為止，且收授至載置於上述搬送機構42上部之卡盤構件22的晶圓板片37。此時，晶圓板片37係使用由該晶圓板片37之上面自由進入退出而設置的支撐銷25，接收晶圓W(圖5B)，並將所接收之晶圓W吸附、固定於晶圓板片37(圖5C)。

接下來，接收晶圓W之搬送機構42係移動至 對位裝置24為止，進行對晶圓板片37之晶圓W的對位(圖6A)，而該對位裝置24係鄰接於具有晶圓檢查用介面32的檢查部31。此時，對晶圓板片37之晶圓W的對位係以監視攝像機進行監視，並同時藉由將搬送機構42移動至X、Y、Z方向及θ方向來進行。

此外，對位裝置24係設置為可在檢查區域 S30內移動，前進至鄰接於對應之檢查部31的位置為止並進行上述的對位，然後，移動至預定之待機位置或移動至該檢查部31以外的檢查部31為止。

接下來，搬送機構42係經由晶圓板片37，將 載置於卡盤構件22之晶圓W搬送至檢查部31之晶圓檢查用介面32的下方，在此，進行對探針卡36之晶圓板片37且晶圓W的對位(圖6B)。

接下來，搬送機構42載置已對探針卡36所 對位之晶圓W，移動至晶圓檢查用介面32的正下方(圖6C)，驅動升降裝置43且使晶圓W及晶圓板片37與卡盤構件22同時上升，且使設置於晶圓W之半導體元件之複數個電極與設置於探針卡36之複數個探針進行抵接，然後，更使晶圓W僅上升一預定量且各別使設置於該晶圓W之半導體元件之複數個電極與設置於探針卡36之複數個探針確實地進行抵接(圖7A)。

該情況下，使晶圓W朝向探針卡36再僅移動 一預定量(以下，將該移動稱作「過驅動(overdrive)」)之 移動量係例如為10~150μm。

接下來，藉由省略圖示之減壓手段，對探針 卡36與晶圓板片37之間的空間S進行減壓，然後，由晶圓板片37切離卡盤構件22並使卡盤構件22下降(圖7B)。此時，空間S之壓力係被調整為能獲得抵接力的壓力，例如調整為0.2kPa~20kPa，該抵接力係能夠承受基板W及晶圓板片37的自重、與半導體元件之複數個電極與探針卡36之複數個探針之抵接力對向之反力的合計。此外，空間S之最合適之減壓壓力係藉由處理條件例如設置於探針卡36的探針個數等進行變化。

如此，使晶圓W抵接於支撐在檢查部31的晶 圓檢查用介面32之探針卡36後，檢查部31會對設置於晶圓W之半導體元件進行電性特性檢查。

根據本實施形態，經由晶圓板片37使載置於 卡盤構件22之晶圓W抵接於探針卡36後，並使再進行一預定量的過驅動，然後對探針卡36與晶圓板片37之間的空間S進行減壓且保持晶圓W與探針卡36之抵接狀態，因此能夠確實地抵接半導體元件之複數個電極與探針卡36之複數個探針並降低抵接部中的電性接觸電阻，且減少各電極與探針之抵接部中電性接觸電阻的誤差，並能夠提高半導體元件之電性特性的檢查精度。

圖8係與僅藉由驅動裝置進行相同之抵接操 作之情況做比較，且表示對朝向本實施形態之探針卡之基板抵接方法中抵接工程後之半導體元件的電極與探針之抵 接部中電性接觸電阻之誤差與過驅動量之關係的圖。

在圖8中，可了解到與僅使用升降裝置而進 行相同操作的情況做比較，同時使用升降裝置與真空裝置(保持工程)之本實施形態，其電性接觸電阻會快速地下降且在誤差較小的狀態下為穩定的。這是由於在保持工程後的脫離工程中，卡盤構件22由晶圓板片37脫離，因此由晶圓W與晶圓板片37所構成之構造系統的剛性會下降，藉此，晶圓W朝向探針卡36的抵接面會變形為如同由探針卡36之探針的前端部所形成的虛擬平面，因此，例如即使探針卡36之探針長度不固定時，或探針卡36與晶圓W非平行時，探針之前端部與半導體元件之各電極亦會良好地進行接觸。

又，根據本實施形態，在對空間S進行減壓 之前，在過驅動狀態下使設置於晶圓W之半導體元件的電極與設置於探針卡36之探針抵接，因此電極與探針之抵接位置不會偏移，藉此，能夠防止由於針位置偏移所產生之製品不良。對此，例如使半導體元件之電極與探針卡之探針抵接前，對空間S進行減壓，藉此，在使電極與探針抵接的方法中，對探針之電極的抵接力會不足且電極與探針之抵接位置會容易產生偏移，因此恐怕會有因針跡變大而產生製品不良的可能性。

又，根據本實施形態，對應各檢查部31，自 由移動地設置對位裝置24及對位用攝像機，因此，在各檢查部31中，能夠以即時方式來進行晶圓W與探針卡36 的對位，且對位裝置24及對位用攝像機亦不會妨礙搬送機構42的移動。

在本實施形態中，脫離工程後的卡盤構件22 係藉由搬送機構42，移動至對應於與探針卡36不同之探針卡的位置為止，並用於對形成於與基板W不同之基板之半導體元件的電性特性進行檢查。

在本實施形態中，不止係在搬入搬出機構21 及搬送機構42搬送晶圓W，亦能夠用於搬送探針卡36及其他構成構件。

在本實施形態之保持工程中，對空間S的壓 力進行階段性的減壓為較佳。藉此，能夠防止空間S的過度減壓，且能夠防止因針跡變大而產生製品的品質下降。

圖9係表示對探針卡與晶圓板片之間的空間S 進行減壓時之減壓方法的圖。

在圖9中，記載有空間S的減壓方法，該空 間S的減壓方法係將減壓至保持工程中最後減壓狀態為止的減壓壓力設為100%，例如每20%階段性地增加減壓量。藉此，並不會對晶圓W之半導體元件之電極與探針卡36之探針的抵接部產生不良影響，而能夠對空間S進行減壓。

在圖9中，將所有減壓時間設為1(sec)，將使 減壓量產生變化之單位時間設為200(msec)，但並不限於此者，亦能夠因應條件變更所有減壓時間及單位減壓時間。又，可規則且階段性地增加減壓壓力，但亦可不規則且 階段性地增加減壓壓力。

朝向本實施形態之探針卡的基板抵接方法， 係以具備有圖1所示之複數個檢查部、於該複數個檢查部彼此間或該複數個檢查部與複數個單位搬入搬出區域之間各自搬送基板之基板搬送機構的基板檢查裝置為基準，亦適用在探針裝置，該探針裝置係於一檢查室內具備與一晶圓檢查用介面對向之一卡盤構件(基板搬送機構)。

在本實施形態中，能夠適用距離檢測感測器 。該距離檢測感測器係檢測由卡盤構件22之上面(吸盤頂)22a至作為探針卡36之安裝面之接觸板35之下面35a的距離或由吸盤頂22a至探針卡36之下面(由各探針之前端所構成之虛擬面)的距離。

即，設置於晶圓W之半導體元件之各電極與 設置於探針卡36之各探針的抵接狀態係在該工程後的保持工程中，藉由對探針卡36與晶圓板片37之間的空間S進行減壓來予以保持，當保持工程中空間S內的壓力產生變動時，則晶圓板片37的位置、作為抵接於晶圓板片37之下面之卡盤構件22之上面的吸盤頂22a會產生移位。 當吸盤頂22a產生移位時，則載置於吸盤頂22之晶圓W中半導體元件的各電極與設置於探針卡36之各探針的抵接狀態，即抵接部中過載量會產生變動，而變得無法保持穩定的抵接狀態。

在此，適用檢測由吸盤頂22a至接觸板35之 下面35a的距離(L1)或由吸盤頂22a至探針卡36之下面 的距離(L2)(以下，僅稱作「吸盤頂22的高度」)之距離檢測感測器，在保持工程中，能夠藉由反饋距離檢測感測器之檢測資料，並同時對空間S進行減壓，來回避因空間S之壓力變動所產生之吸盤頂22的移位，進而回避設置於晶圓W之半導體元件的各電極與設置於探針卡36之各探針之抵接部中過載量的變動。

圖10係表示於卡盤構件22設置距離檢測感 測器45之基板檢查裝置之檢查部的剖面圖。

在圖10中，於卡盤構件22之端部設置有檢 測吸盤頂22a之高度的距離檢測感測器45。

在該構成之檢查部中，使設置於晶圓W之半 導體元件之複數個電極抵接於設置在探針卡36之複數個探針後，使晶圓W僅上升一預定量，且在藉由預定之過驅動量，各自使設置於該晶圓W之半導體元件之複數個電極與設置於探針卡36之複數個探針抵接之抵接工程後的保持工程中，反饋關於由距離檢測感測器45所檢測之吸盤頂22a高度之資料，並同時對空間S內進行減壓。

此時，例如當因基板檢查裝置之環境溫度產 生變化、空間S之洩漏等使空間S內之壓力產生變動時，吸盤頂22a的高度會移位，會變得無法保持預定之過驅動量。在此，藉由距離檢測感測器45檢測吸盤頂22a的高度，藉由將關於該所檢測之吸盤頂22a之高度的資料反饋至空間S內的減壓手段，並同時對空間S進行減壓，來回避吸盤頂22a的移位而保持良好的抵接狀態。藉此，即使 因環境溫度的變動等而空間S內之壓力產生變動，亦可抑制該壓力變動，因此能夠良好的保持半導體元件之電極與探針卡36之探針之抵接部中預定的過驅動量，且更能夠提高半導體元件之電性特性的檢查精度。

在本實施形態中，於使脫離晶圓板片37與卡 盤構件22的脫離工程後，能夠進一步對空間S進行減壓且更能夠提高晶圓W之半導體元件之複數個電極與探針卡36之複數個探針的抵接壓力。藉此，能夠確實地使半導體元件之複數個電極與探針卡之複數個探針抵接，且更能夠達到使抵接部中電性接觸電阻下降的目的。

以上，使用上述實施形態說明關於本發明，本發明並不限定上述實施形態者。

本申請係基於在2012年7月31日所申請之日本專利申請號2012-169513來主張優先權者，記載於該日本申請之所有全內容皆可引用於本申請。

11‧‧‧單位搬入搬出區域

21‧‧‧搬入搬出機構

31‧‧‧檢查部

42‧‧‧搬送機構

50‧‧‧晶圓檢查裝置

S10‧‧‧搬入搬出區域

S20‧‧‧搬送區域

S30‧‧‧檢查區域

F‧‧‧環箍

Claims (8)

1. 一種朝向探針卡之基板抵接方法，將前述基板抵接於檢查形成於基板之半導體元件之電性特性之基板檢查裝置的探針卡，其特徵係，具有：搬送工程，經由板狀構材，將前述基板載置於卡盤構件且搬送至與前述探針卡對向之位置為止；抵接工程，使在前述搬送工程所搬送之前述基板與前述板狀構材一起朝前述探針卡移動，並使設置於前述基板之前述半導體元件之複數的電極各自抵接於設置在前述探針卡之複數個探針後，使前述基板與前述板狀構材一起朝前述探針卡移動一預定量；保持工程，前述基板與前述板狀構材一起朝前述探針卡移動前述一預定量後，對前述探針卡與前述板狀構材之間的空間進行減壓，並保持前述半導體元件之前述複數個電極與前述探針卡之前述複數個探針的抵接狀態；脫離工程，前述保持工程後，由前述板狀構材切離前述卡盤構件。
2. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，前述抵接工程中的前述預定量係10μm~150μm。
3. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，前述保持工程中前述空間的減壓壓力，係被調整為能獲得以下之抵接力的壓力，該抵接力係能夠承受前述基板 及前述板狀構材的自重、與前述半導體元件之前述複數個電極與前述探針卡之前述複數個探針之抵接反力的合計。
4. 如請求項3之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，於前述保持工程，對前述空間的壓力進行階段性的減壓。
5. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，於前述板狀構材的周圍設置有密封構件，該密封構件係密封該板狀構材與前述探針卡之間的前述空間。
6. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，前述脫離工程後的卡盤構件係使用於移動至對應於與前述探針卡不同之探針卡的位置為止，並對形成於與前述基板不同之基板之半導體元件的電性特性進行檢查。
7. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，於前述保持工程，根據距離檢測感測器的檢測值，調整前述空間內的壓力，該距離檢測感測器係檢測前述卡盤構件之上面與前述探針卡之安裝面或前述卡盤構件之前述上面與前述探針卡下面之間的距離。
8. 如請求項1之朝向探針卡之基板抵接方法，其中，更具有減壓工程，前述脫離工程後，更對前述空間進 行減壓並提高前述半導體元件之前述複數個電極與前述探針卡之前述複數個探針的抵接壓力。