TWI586975B - A substrate abutment device for the probe card, and a substrate inspection device provided with a substrate abutment device - Google Patents

A substrate abutment device for the probe card, and a substrate inspection device provided with a substrate abutment device Download PDF

Info

Publication number
TWI586975B
TWI586975B TW102126294A TW102126294A TWI586975B TW I586975 B TWI586975 B TW I586975B TW 102126294 A TW102126294 A TW 102126294A TW 102126294 A TW102126294 A TW 102126294A TW I586975 B TWI586975 B TW I586975B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
probe card
substrate
wafer
abutting
contact
Prior art date
Application number
TW102126294A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201421042A (zh
Inventor
Hiroshi Yamada
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50027714&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI586975(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201421042A publication Critical patent/TW201421042A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI586975B publication Critical patent/TWI586975B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)

Description

朝探針卡的基板抵接裝置及具備基板抵接裝置的基板檢查裝置
本發明係關於使基板，例如被形成在晶圓之半導體裝置之複數電極，各抵接於設置於基板檢查裝置之探針卡的複數探針之朝探針卡的基板抵接裝置及具備該基板抵接裝置的基板檢查裝置。
就以基板檢查裝置而言，所知的有例如針對被形成在晶圓之複數半導體裝置進行電特性檢查之探針裝置或預燒檢查裝置。
圖9為表示以往代表性的探針裝置之概略構成的剖面圖。
該探針裝置100被構成具備搬運晶圓W之裝載室111、與該裝載室111鄰接而被設置，進行被形成在晶圓W之半導體裝置之電特性檢查的檢查室112、被設置在裝載室111之上部的控制裝置113，藉由控制裝置113控制裝載室111及檢查室112內之各種機構而進行半導體裝置之電特性檢查。
檢查室112具備：接收經裝載室111而被搬入至檢查室112內之晶圓W的吸盤構件114；同時載置該吸盤構件114和晶圓W，在X、Y、Z及θ方向的載置台115；被配置在檢查室112之頂棚部分，具備頂板117，形成該頂板117之下面的彈簧框118及被支撐於該彈簧框118下面之探針卡119的檢查用介面116；和與載置台115協動而對準備設置在探針卡119之複數探針(檢查針)119b和被形成在晶圓W之複數半導體裝置之各電極之相對位置的對準機構120。
對準機構120具有在檢查室112之頂棚部分移動的上部攝影部121，和被固定在吸盤構件114之下部攝影部122。
藉由具有上部攝影部121及下部攝影部122的對準機構120和載置台115之協動，晶圓W和探針卡119之相對位置對準，之後，藉由載置台115之升降裝置(省略圖示)伸長將吸盤構件114朝圖9中上方向移動，使被載置在該吸盤構件114之晶圓W之各電極分別抵接於探針卡119之各探針119b，在該狀態下，進行被形成在晶圓W之複數半導體裝置之電特性檢查(例如，參照專利文獻1)。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2004-140241號公報
但是，以往之基板檢查裝置中之探針卡和晶圓之抵接技術，係於晶圓W和探針卡119之相對位置對準之後，藉由載置台115將載置有晶圓W之吸盤構件114，移動至晶圓檢查用介面116之探針卡119之正下方，之後，使載置台115之升降裝置伸長而使晶圓W與吸盤構件114同時朝上方向移動，依此使被設置在晶圓W之半導體裝置之各電極抵接於被設置在探針卡119之各探針119b，半導體裝置之各電極和探針卡119之各探針119b之抵接部中之電性接觸電阻容易產生偏差，有無法良好檢查半導體裝置之電特性的問題。
本發明之課題係提供可以良好地進行被設置在基板之半導體裝置之電特性檢查的基板檢查裝置之朝探針卡的基板抵接裝置及具備基板抵接裝置的基板檢查裝置。
若藉由本發明，則提供一種基板抵接裝置，使基板抵接於具有檢查被形成在上述基板之半導體裝置之電特性的檢查部；和被配置在該檢查部之上部的基板檢查用介面的基板檢查裝置之上述基板檢查用介面之探針卡，該朝探針卡的基板抵接裝置之特徵為具有：搬運機構，其係將上述基板與板狀構件同時搬運至與上述探針卡相向之 位置；抵接機構，其係使利用該搬運機構被搬運之上述基板與上述板狀構件同時朝向上述探針卡移動而令被設置在上述基板之上述半導體裝置之複數電極各抵接於被設置在上述探針卡之複數探針之後，使上述基板進一步與上述板狀構件同時朝向上述探針卡而移動特定量；保持機構，其係減壓上述探針卡和上述板狀構件之間的空間而保持上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接狀態；及脫離機構，其係藉由上述保持機構而保持上述抵接狀態之後，將上述搬運機構從上述板狀構件分離。
再者，在本發明中，以上述特定量為10~150μm為佳。
再者，在本發明中，上述保持機構係將上述探針卡和上述板狀構件之間的空間，減壓至在上述探針卡和上述基板之抵接部，作用能承受上述基板及上述板狀構件之自重，和上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接反力的合計的抵接力之壓力為佳。
再者，在本發明中，上述保持機構以階段性地減壓上述空間之上述壓力為佳。
再者，在本發明中，以在上述板狀構件之周圍，設置密封上述板狀構件和上述探針卡之間的上述空間的密封構件為佳。
再者，在本發明中，又具有藉由上述脫離機 構使上述搬運機構從上述板狀構件分離之後，更減壓上述空間而提高上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接壓力的減壓機構為佳。
再者，在本發明中，又具有檢測出上述板狀構件之基準面和上述探針卡之安裝面或上述探針卡之下面之間之距離的距離檢測感測器為佳。
再者，在本發明中，上述板狀構件以被支撐於吸盤構件的晶圓板為佳。
再者，在本發明中，上述板狀構件以被載置於上述搬運機構之吸盤構件為佳。
若藉由本發明，則提供一種基板檢查裝置，具有如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡之基板抵接裝置。
若藉由本發明時，依據藉由抵接機構使利用搬運機構所搬運之基板與板狀構件同時朝向被配置在檢查室之上部的探針卡移動，使被設置在基板之半導體裝置之複數電極分別抵接於被設置在探針卡之複數探針之後，使基板與板狀構件同時又朝向探針卡移動特定量，之後，因藉由保持機構減壓探針卡和板狀構件之間的空間而保持電極和探針之抵接狀態，接著，藉由脫離機構使搬運機構從板狀構件脫離，故基板中之朝探針卡的抵接面，仿效以探針卡之探針前端部所形成之假想平面，依此可以使被設置 在基板之半導體裝置之各電極和被設置在探針卡之各探針不會產生電性接觸電阻之偏差地予以接觸，進而可以良好地進行被設置在基板之半導體裝置之電特性的檢查。
W‧‧‧晶圓
S‧‧‧空間
12‧‧‧檢查室
14‧‧‧吸盤構件
15‧‧‧載置台
16‧‧‧晶圓檢查用介面
17‧‧‧頂板
18‧‧‧彈簧框
19‧‧‧探針卡
19b‧‧‧探針
21‧‧‧上部攝影部
22‧‧‧下部攝影部
24‧‧‧晶圓板
25‧‧‧O型環
26‧‧‧減壓路徑
27‧‧‧距離檢測感測器
圖1為表示與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置之概略構成的剖面圖。
圖2為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖3為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖4為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖5為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖6為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖7為表示使用與本發明之實施形態有關之朝探針卡 之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
圖8為表示與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置之變形例的剖面圖。
圖9為表示以往代表性的探針裝置之概略構成的剖面圖。
以下，針對本發明之實施形態一面參照圖面一面予以詳細說明。
圖1為表示與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置之概略構成的剖面圖。
在圖1中，該朝探針卡之基板抵接裝置(以下，單稱為「基板抵接裝置」)為構成基板檢查裝置之一部分，使晶圓W抵接於基板檢查裝置中被支撐於晶圓檢查用介面16之探針卡19，該基板檢查裝置具有當作檢查被形成在作為基板之晶圓W的半導體裝置之電特性之檢查部的檢查室12，和被配置在該檢查室12之上部之晶圓檢查用介面16。
圖1之基板抵接裝置具備：載置台15，其係當作將晶圓W與作為板狀構件之例如晶圓板24同時搬運至與探針卡19相向之位置的搬運機構；升降裝置15a，其係當作使以該載置台15所搬運之晶圓W與晶圓板24同時朝向探針卡19移動而使被設置在晶圓W之半導體裝 置之複數電極各自抵接於被設置在探針卡19之複數探針，之後將晶圓W又與晶圓板24同時朝向探針卡19移動特定量之抵接機構；減壓路徑26，其係當作藉由該升降裝置15a使晶圓W移動特定量之後，減壓探針卡19和晶圓板24之間的空間S而保持半導體裝置之複數電極和探針卡19之複數探針19b之抵接狀態的保持機構；及脫離機構，其係當作藉由該減壓路徑26保持抵接狀態之後，使載置台15上之吸盤構件14從晶圓板24脫離。
具備如此之構成的基板抵接裝置之基板檢查裝置具備用以將晶圓W搬運至檢查室12之裝載室11，和被設置在該裝載室11內之基板搬運機構(皆省略圖示)。
接著，針對使用如此構成之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法予以說明。
圖2~圖7各為表示使用與本發明之實施形態有關之基板抵接裝置的朝探針卡之基板抵接方法之工程之一部分的圖示。
在圖2中，在實行朝探針卡之基板抵接方法的基板抵接裝置之檢查室12內，在其頂棚部分配置有晶圓檢查用介面16。晶圓檢查用介面16主要係由頂板17、被設置在該頂板17之下面的彈簧框18、被支撐於該彈簧框18之下面的探針卡19所構成。探針卡19具備基板19a，和被設置在該基板19a之與晶圓W相向面上的複數探針19b。
檢查室12又具有載置晶圓W之吸盤構件14；被載置在該吸盤構件14而在其上面當作支撐晶圓W之板狀構件的晶圓板24；將吸盤構件14、晶圓板24及被載置在該晶圓板24之晶圓W在X方向、Y方向或Z方向移動，或在θ方向轉動之載置台15；攝影隔著晶圓板24被載置在吸盤構件14之晶圓W中之半導體裝置之電極位置的上部攝影部21；及攝影探針卡19中之探針19b之位置的下部攝影部22。上部攝影部21被構成例如可沿著檢查室12之頂棚而藉由被設置在X方向之導軌及沿著該導軌而可在Y方向移動之橫方向移動部(皆無圖式)，而在X方向及Y方向移動，下部攝影部22被固定在吸盤構件14，與該吸盤構件14同時藉由載置台15在檢查室12內於X方向、Y方向或Z方向移動，或在θ方向轉動。
在如此之基板抵接裝置之檢查室12中，當開始朝探針卡的基板抵接處理時，首先載置有吸盤構件14之載置台15移動，將經裝載室11(參照圖1)而被搬入至檢查室12內之晶圓W，隔著晶圓板24而在吸盤構件14之上面接取。接著，載置台15係將吸盤構件14、晶圓板24及晶圓W在以該順序載置之狀態下移動至上部攝影部21之下部，使被固定於吸盤構件14之下部攝影部22相向於上部攝影部21，並使上部攝影部21和下部攝影部22之焦點一致(圖2)。此時，為了在探針卡19之中央部(探測中心)之附近進行使上部攝影部21和下部攝影部22之焦點一致的所謂攝影機對準，上部攝影部21進出 至與晶圓檢查用介面16鄰接之晶圓攝影位置。
於上側攝影部21和下側攝影部22之焦點一致之後，藉由上部攝影部21攝影被設置在載置於吸盤構件14之晶圓W的半導體裝置之複數電極位置(圖3)。此時，例如在使上部攝影部21停止於晶圓W之攝影位置之狀態下，攝影被設置在晶圓W之半導體裝置之電極位置。即是，使上部攝影部21進出至晶圓W之攝影位置，在停止於該晶圓W之攝影位置的狀態下，在上部攝影部21之下方，使用載置台15而將被載置於吸盤構件14之晶圓W，在上部攝影部21覆蓋晶圓W之X方向之兩端和Y方向之兩端的區域(以下，稱為「晶圓W之第1移動區域」)內移動，依此上部攝影部21攝影被形成在晶圓W之全半導體裝置之各電極位置。
如此一來，於攝影被設置在晶圓W之半導體裝置之全電極位置之後，上部攝影部21退避至晶圓W之第1移動區域之外側及後述之晶圓W之第2移動區域之外側(圖4)。
接著，使用下部攝影部22而攝影被設置在晶圓檢查用介面16之探針卡19的全探針19b之位置(圖5)。被設置在探針卡19之全探針19b之攝影係在X方向及Y方向移動之下部攝影部22攝影探針卡19之下方。即是，下部攝影部22必須攝影通過探針卡19之中心的X方向之兩端，和Y軸方向之兩端，該下部攝影部22在可以覆蓋該攝影區域的區域(晶圓W之第2移動區域)內移 動而攝影探針卡19之全探針19b之位置。並且，雖然晶圓W之第1移動區域和晶圓W之第2移動區域大部分重疊，但由於下部攝影部22被設置在偏離晶圓W之中心，即是吸盤構件14之中心的位置，使得兩者偏離。
如此一來，於結束藉由上部攝影部21攝影被設置在晶圓W之半導體裝置的電極位置，及藉由下部攝影部22攝影被設置在探針卡19之探針19b之位置之後，根據其攝影結果，控制裝置(省略圖示)，算出被設置在晶圓W之半導體裝置之各電極用以接觸於各自所對應的探針19b之X、Y、Z座標，之後，根據算出結果，載置台15將吸盤構件14例如在X方向或Y方向移動或在θ方向轉動而將載置於該吸盤構件14之晶圓W，搬運至晶圓檢查用介面16之正下方，使成為被設置在該晶圓W之半導體裝置之電極和探針卡19之探針19b位置對準的狀態(搬運工程)。
接著，載置台15係使被設置在該載置台15之升降裝置15a伸長，將晶圓W與晶圓板24同時朝圖中上方向移動而使被設置在晶圓W之半導體裝置之複數電極抵接於被設置在探針卡19之複數探針19b，之後，又使晶圓W與晶圓板24同時朝向探針卡19朝上方向僅移動特定量而分別使被設置在該晶圓W之半導體裝置之複數電極和被設置在探針卡19之複數探針19b更確實抵接(抵接工程)(圖6)。此時，使晶圓W朝向探針卡19又僅移動特定量(以下，將該移動稱為「過驅動」)的移 動量以例如10~150μm為佳。
當被設置在晶圓W之半導體裝置之複數電極和被設置在探針卡19之複數探針19b抵接時，當作沿著晶圓板24之上面之周圍而設置之密封構件的O型環25之上端部抵接於探針卡19之基部19a之下部外周部，依此在探針卡19和與該探針卡19相向之晶圓板24之間形成密閉的空間S。
接著，藉由省略圖示之保持機構(參照圖1)減壓探針卡19和晶圓板24之間的空間S而保持抵接狀態(保持工程)，之後使載置台15之升降裝置短縮而使吸盤構件14從晶圓板24分離，並使吸盤構件14下降(脫離工程)(圖7)。此時，空間S之壓力被調整成能取得承受晶圓W及晶圓板24之自重，和與半導體裝置之複數電極和探針卡之複數探針之抵接力對抗的反力之合計之抵接力的壓力，例如-0.2kPa~-20kPa。並且，空間S之最佳減壓壓力依處理條件，例如被設置在探針卡19之探針19b之數量等而變化。再者，作為保持機構之減壓路徑26(參照圖1)被連接於壓力調整裝置。
如此一來，晶圓W抵接於檢查室12中之晶圓檢查用介面16之探針卡19之後，檢查室12進行被設置在晶圓W之半導體裝置之電特性檢查。
若藉由本實施形態時，因於使被載置在晶圓板24之晶圓W抵接於探針卡19之後，又使過驅動特定量，之後減壓探針卡19和晶圓板24之間的空間S而保持 晶圓W和探針卡19之抵接狀態，故可以使半導體裝置之複數電極和探針卡19之複數探針19b確實抵接而降低電性接觸電阻，進而可以提升半導體裝置的電特性之檢查精度。
再者，若藉由本實施形態時，可以降低被設置在晶圓W之半導體裝置之各電極和被設置在探針卡19的各探針19b之抵接部中之電性接觸電阻的偏差。
該係因使被設置在晶圓W之半導體裝置之複數電極和被設置在探針卡19之複數探針19b抵接之後，吸盤構件14從當作板狀構件之晶圓板24脫離，故由晶圓W和晶圓板24所構成之構造系統之剛性下降，依此因晶圓W中之朝探針卡19之抵接面，仿效在探針卡19之探針19b之前端部所形成之假想平面而變形，故即使在例如探針卡19之探針長度非一定之情況，或探針卡19和晶圓W非平行之情況下，探針19b之前端部和晶圓W之半導體裝置之各電極亦良好接觸。就以板狀構件而言，雖然針對適用晶圓板24之情形而予以說明，但是板狀構件並不限定於晶圓板24，亦可以當作使吸盤構件14抵接於晶圓W之板狀構件而加以適用。
再者，若藉由本實施形態時，可以防止由於半導體裝置之電極和探針卡19之探針19b的抵接位置偏離而產生製品不良的之情形。
即是，在本實施形態中，因於對空間S施予減壓之前，使被設置在晶圓W之半導體裝置之電極和被 設置在探針卡19之探針19b於過驅動狀態抵接，故電極和探針19b之抵接狀態維持原樣，不會有抵接位置偏離之情形。因此，可以防止由於針位置偏離而導致產生製品不良於未然。對此，例如，於使半導體裝置之電極和探針卡之探針抵接之前，形成空間S，對該空間S進行減壓而使電極和探針抵接之方法中，電極對探針之抵接力不足使得電極和探針之抵接位置容易偏離，有針跡變大而產生製品不良之虞。
再者，若藉由本實施形態時，因將上側攝影部21構成可退避至晶圓W之第1移動區域及第2移動區域之外部，故上側攝影部21不會妨礙載置晶圓W之吸盤構件14之移動。
在本實施形態中，使空間S之壓力階段性減壓為佳。依此，可以防止空間S之過減壓，防止針跡變大而使得製品之品質下降之情形。就以使空間S之壓力階段性減壓之方法而言，例如可舉出將減壓至保持工程中之最終的減壓狀態的減壓壓力設為100%之時，例如以每次20%階段性地增加減壓量之減壓方法。依此。不會對晶圓W之半導體裝置之電極和探針卡19之探針19b之抵接部造成壞影響，可以使空間S減壓。再者，除了使減壓壓力規則性地且階段性地變化之方法外，亦可以不規則地且階段性變化。
與本實施形態有關之基板抵接裝置亦可以一檢查室內具備有與一晶圓檢查用介面相向之一吸盤構件 (基板搬運機構)之探針裝置為首，適用在具備有複數檢查部，和在該複數檢查部相互間或該複數檢查部和複數單位搬出入區域之間各自搬運基板之基板搬運機構。
在本實施形態中，可以適用檢測出從當作板狀構件之吸盤構件14之基準面，例如從上面(吸盤頂)14a至探針卡19之安裝面之彈簧框18之下面18a的距離，或是從吸盤頂14a至探針卡19之下面(以各探針19b之前端所構成之假想面)之距離的距離檢測感測器27。
即是，被設置在晶圓W之半導體裝置之各電極和被設置在探針卡19之各探針19b之抵接狀態，由於在抵接工程後之保持工程中藉由使探針卡19和晶圓板24之間的空間S減壓而被保持，但是當保持工程中之空間S內之壓力變動時，抵接於晶圓板24之上面或晶圓板24之下面的吸盤構件14之上面的吸盤頂14a(基準面)移位。當吸盤頂14a移位時，無法保持被載置在吸盤頂14a之晶圓W中之半導體裝置之各電極和被設置在探針卡19之各探針19b之抵接狀態，即是抵接部中之過載量變動，無法保持安定的抵接狀態。
於是，適用檢測出從吸盤頂14a至彈簧框18之下面18a之距離(L1)或從吸盤頂14a至探針卡19之下面的距離(L2)(以下，單稱為「吸盤頂14a之高度」)的距離檢測感測器27，在保持工程中，藉由邊反饋距離檢測感測器27之檢測資料邊減壓空間S，可以回 避由於空間S內之壓力變動而引起之吸盤頂14a之移位，進而回避被設置在晶圓W之半導體裝置之各電極和被設置在探針卡19之各探針19b之抵接部中之過載量之變動。
圖8為表示與本發明之實施形態有關之朝探針卡之基板抵接裝置之變形例的剖面圖。
在圖8中，在吸盤構件14之端部設置有檢測出吸盤頂14a之高度的距離檢測感測器27。
在如此之構成的檢查室12中，使被設置在晶圓W之半導體裝置之複數電極抵接於被設置在探針卡19之複數探針19b之後，又在使晶圓W僅以特定量上升而使被設置在該晶圓W之半導體裝置之複數電極和被設置在探針卡19之複數探針19b各自持有特定之過驅動量而抵接的抵接工程後的保持工程中，邊反饋與藉由距離檢測感測器27所檢測出之吸盤頂14a之高度有關的資料，邊使空間S內減壓。
此時，例如可以回避當由於基板檢查裝置之氛圍溫度變化、空間S之洩漏等引起空間S內之壓力變動時，吸盤頂14a之高度移位，無法保持特定之過驅動量，但是在本實施形態之變形例中，藉由距離檢測感測器27檢測出吸盤頂14a之高度，邊將與該檢測出之吸盤頂14a之高度有關的資料反饋至被連接於減壓路徑26(參照圖1)之壓力調整裝置，邊使空間S減壓，依此可以回避吸盤頂14a之移位，進而回避過驅動量之變動，保持良好的 抵接狀態。依此，即使因氛圍溫度之變動等而引起空間S內之壓力變動，亦可以抑制該壓力變動而良好地保持半導體裝置之電極和探針卡19之探針19b之抵接部中之特定過驅動量，進而又可以提升半導體裝置之電特性之檢查精度。
在本實施形態中，也可以於使晶圓板24和吸盤構件14脫離之後，又使空間S減壓而更提高晶圓W之半導體裝置之複數電極和探針卡19之複數探針19b之抵接壓力。依此，也可以確實抵接半導體裝置之複數電極和探針卡19之複數探針19b，而謀求更降低抵接部中之電性接觸電阻。
以上，使用實施形態針對本發明予以說明，本發明並不限定於上述實施形態。
本申請案係以2012年7月31日在日本申請的專利申請第2012-169512號為基礎而主張優先權，本申請案援用該日本專利申請案所記載之全內容。
12‧‧‧檢查室
14‧‧‧吸盤構件
15‧‧‧載置台
15a‧‧‧升降裝置
16‧‧‧晶圓檢查用介面
17‧‧‧頂板
18‧‧‧彈簧框
19‧‧‧探針卡
19b‧‧‧探針
24‧‧‧晶圓板
26‧‧‧減壓路徑

Claims (10)

  1. 一種朝探針卡的基板抵接裝置，使基板抵接於具有檢查被形成在上述基板之半導體裝置之電特性的檢查部；和被配置在該檢查部之上部的基板檢查用介面的基板檢查裝置之上述基板檢查用介面之探針卡，該朝探針卡的基板抵接裝置之特徵為具有：搬運機構，其係將上述基板與板狀構件同時搬運至與上述探針卡相向之位置；抵接機構，其係使利用該搬運機構被搬運之上述基板與上述板狀構件同時朝向上述探針卡移動而令被設置在上述基板之上述半導體裝置之複數電極各抵接於被設置在上述探針卡之複數探針之後，使上述基板進一步與上述板狀構件同時朝向上述探針卡而移動特定量；保持機構，其係在上述基板與上述板狀構件同時朝向上述探針卡移動特定量的狀態下，減壓上述探針卡和上述板狀構件之間的空間而保持上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接狀態；及脫離機構，其係藉由上述保持機構而保持上述抵接狀態之後，將上述搬運機構從上述板狀構件分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中上述特定量為10~150μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中 上述保持機構係將上述探針卡和上述板狀構件之間的空間，減壓至在上述探針卡和上述基板之抵接部，作用能承受上述基板及上述板狀構件之自重，和上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接反力的合計的抵接力之壓力。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中上述保持機構係階段性地減壓上述空間之上述壓力。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中在上述板狀構件之周圍，設置有密封該板狀構件和上述探針卡之間的上述空間的密封構件。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中又具有藉由上述脫離機構使上述搬運機構從上述板狀構件分離之後，更減壓上述空間而提高上述半導體裝置之上述複數電極和上述探針卡之上述複數探針之抵接壓力的減壓機構。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中又具有檢測出上述板狀構件之基準面和上述探針卡之安裝面或上述探針卡之下面之間之距離的距離檢測感測器。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板 抵接裝置，其中上述板狀構件為被支撐在吸盤構件的晶圓板。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置，其中上述板狀構件為被載置在上述搬運機構的吸盤構件。
  10. 一種基板檢查裝置，其特徵為：具有申請專利範圍第1項所記載之朝探針卡的基板抵接裝置。
TW102126294A 2012-07-31 2013-07-23 A substrate abutment device for the probe card, and a substrate inspection device provided with a substrate abutment device TWI586975B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012169512A JP5993649B2 (ja) 2012-07-31 2012-07-31 プローブカードへの基板当接装置、基板当接装置を備えた基板検査装置、及びプローブカードへの基板当接方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201421042A TW201421042A (zh) 2014-06-01
TWI586975B true TWI586975B (zh) 2017-06-11

Family

ID=50027714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102126294A TWI586975B (zh) 2012-07-31 2013-07-23 A substrate abutment device for the probe card, and a substrate inspection device provided with a substrate abutment device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9915698B2 (zh)
JP (1) JP5993649B2 (zh)
KR (1) KR101744055B1 (zh)
CN (1) CN104508505A (zh)
TW (1) TWI586975B (zh)
WO (1) WO2014021024A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003231310B2 (en) 2002-05-03 2007-03-29 Vitro Flat Glass Llc Substrate having thermal management coating for an insulating glass unit
US10388579B2 (en) * 2017-09-21 2019-08-20 Texas Instruments Incorporated Multi-plate semiconductor wafer testing systems
WO2019130952A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日本電産リード株式会社 検査装置及び検査方法
JP2020096028A (ja) * 2018-12-11 2020-06-18 東京エレクトロン株式会社 検査装置、及び、検査方法
KR20220002101A (ko) 2020-06-30 2022-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 장치 및 검사 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201007172A (en) * 2008-05-15 2010-02-16 Tokyo Electron Ltd Probe apparatus and method for correcting contact position
TW201140095A (en) * 2010-02-05 2011-11-16 Advantest Corp Electronic device test apparatus
TW201209429A (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Advantest Corp Testing method for semiconductor wafer, semiconductor wafer transport device, and semiconductor wafer testing device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774219A (ja) * 1993-08-31 1995-03-17 Kurisutaru Device:Kk プローブ基板およびその製造方法並びにプローブ装置
JPH11251379A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Toshiba Microelectronics Corp ウエハプロービング装置
JP2002158154A (ja) * 2000-11-16 2002-05-31 Canon Inc 露光装置
JP4198338B2 (ja) * 2001-07-09 2008-12-17 株式会社 東北テクノアーチ ステージ装置
JP4548817B2 (ja) 2002-10-18 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP4623095B2 (ja) * 2004-06-17 2011-02-02 株式会社ニコン 液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正
US7825675B2 (en) * 2006-11-01 2010-11-02 Formfactor, Inc. Method and apparatus for providing active compliance in a probe card assembly
JP4950719B2 (ja) * 2007-03-23 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブの針先位置の検出方法、アライメント方法、針先位置検出装置及びプローブ装置
JP5074878B2 (ja) 2007-10-15 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP5258395B2 (ja) * 2008-06-03 2013-08-07 株式会社日本マイクロニクス プロービング装置
JP2011091262A (ja) 2009-10-23 2011-05-06 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバおよびプローブ検査方法
US8587331B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-19 Tommie E. Berry Test systems and methods for testing electronic devices
JP5889581B2 (ja) * 2010-09-13 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置
US9354254B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Test-yield improvement devices for high-density probing techniques and method of implementing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201007172A (en) * 2008-05-15 2010-02-16 Tokyo Electron Ltd Probe apparatus and method for correcting contact position
TW201140095A (en) * 2010-02-05 2011-11-16 Advantest Corp Electronic device test apparatus
TW201209429A (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Advantest Corp Testing method for semiconductor wafer, semiconductor wafer transport device, and semiconductor wafer testing device

Also Published As

Publication number Publication date
CN104508505A (zh) 2015-04-08
US9915698B2 (en) 2018-03-13
TW201421042A (zh) 2014-06-01
US20150177317A1 (en) 2015-06-25
JP2014029916A (ja) 2014-02-13
WO2014021024A1 (ja) 2014-02-06
KR20150037965A (ko) 2015-04-08
KR101744055B1 (ko) 2017-06-07
JP5993649B2 (ja) 2016-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI593976B (zh) Substrate contact method for probe card
CN108133903B (zh) 接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质
TWI586975B (zh) A substrate abutment device for the probe card, and a substrate inspection device provided with a substrate abutment device
JP5664938B2 (ja) プローバ及びプローブ検査方法
JP2014115115A (ja) 補正装置、プローブ装置、および試験装置
KR101335146B1 (ko) 프로브 카드 검출 장치, 웨이퍼의 위치 정렬 장치 및 웨이퍼의 위치 정렬 방법
KR20160064002A (ko) 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템
CN111742399B (zh) 接触精度保证方法、接触精度保证机构和检查装置
KR102413295B1 (ko) 검사 시스템
CN110709972B (zh) 检查系统和检查系统中的温度测定方法
JP5747428B2 (ja) 位置決め固定装置
US11933839B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2011192676A (ja) 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
CN111312618B (zh) 检查装置和检查方法
KR20160052192A (ko) 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 검사 장치
JP2018041838A (ja) プローバ
CN117981064A (zh) 检查装置和检查方法
JP2015073126A (ja) 測定装置及び測定方法