JPH0774219A - プローブ基板およびその製造方法並びにプローブ装置 - Google Patents

プローブ基板およびその製造方法並びにプローブ装置

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JPH0774219A
JPH0774219A JP5240496A JP24049693A JPH0774219A JP H0774219 A JPH0774219 A JP H0774219A JP 5240496 A JP5240496 A JP 5240496A JP 24049693 A JP24049693 A JP 24049693A JP H0774219 A JPH0774219 A JP H0774219A
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probe substrate
film
wiring
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JP5240496A
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Takahiro Masuda
隆弘 増田
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KURISUTARU DEVICE KK
Original Assignee
KURISUTARU DEVICE KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッドの密度の高い半導体ウェハ等の検査を
安価に行い得る。 【構成】 プローブ基板１０１では、ベースフィルム７
の一主面の上に、バンプ状の対物電極４と中継電極５と
が配設されており、これらの間は配線パターン６で電気
的に接続されている。対物電極４は、半導体ウェハのパ
ッドに当接し、中継電極５は外部の試験装置の電気信号
に接続される。対物電極４は、基材２の開口部３の直下
に位置しており、開口部３には空気を充填された風袋１
１が載置され、この風袋１１は付勢ユニット１６１によ
って下方向に押圧される。 【効果】 対物電極がパッドに均等に押圧付勢されるこ
とによって、対物電極とパッドの良好な電気的接触が保
障されるので、精度のよいウェハの検査が可能である。
しかも、対物電極は高い密度をもって容易に形成するこ
とができるので、パッドの密度の高い半導体ウェハ等の
検査を容易かつ安価に実行可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体チップ
が形成された半導体ウェハ、多数の半導体チップが配列
されるマルチチップモジュールの基板などの半導体集積
回路装置の検査を行う際に、被検査物としての半導体集
積回路装置の測定部位と外部の試験装置の電気信号とを
接続するプローブ基板、およびその製造方法、並びにプ
ローブ基板が組み込まれ、このプローブ基板を被検査物
の所定の位置に当接させることによって検査を可能にす
るプローブ装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の検査を行うため
に、この半導体集積回路の測定部位と外部の試験装置と
を接続する装置としては、いわゆるプローブカードが従
来知られている。図１０１は、この従来のプローブカー
ドの概略斜視図である。このプローブカード４００は、
中央部に開口部を有するカード本体４０１に探針４０２
が取り付けられた構造をなしている。探針４０２は、被
検査物としてのウェハＷＨのパッドの個数および配列に
対応して、必要個数が適正な配列をもって設置されてい
る。探針４０２は、外部の試験装置の信号配線と電気的
に接続される。
【０００３】図１０２は、探針４０２が対向するパッド
付近におけるウェハＷＨの正面断面図である。ウェハＷ
Ｈの表面には、配線パターンＰｔに接続されたパッドＰ
ｄが配列されている。探針４０２の先端部がこのパッド
Ｐｄに当接することによって、外部の試験装置とパッド
Ｐｄとが電気的に接続される。ウェハＷＨとプローブカ
ード４００はともにプローバ（プローブ装置）に組み込
まれており、プローバの働きによって、互いが適切な相
対位置をもって当接し合う。
【０００４】外部の試験装置は、コンピュータを備えて
おり、試験目的に応じた電気信号、すなわちテストパタ
ーンを探針４０２を介してパッドＰｄへ供給する。この
テストパターンに応答してウェハＷＨが出力する電気信
号、すなわち応答信号が探針４０２を介し試験装置へ入
力される。試験装置は、この応答信号を、その内部に蓄
積する基準信号と比較し、これらが互いに一致するか否
かを検出する。そして、一致しておればウェハＷＨを良
品であると判定し、不一致であれば不良品であると判定
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブカード
４００は以上のように構成されているので、探針４０２
を精密にプローブカード本体に配置するのは手作業に依
存し、作業者に高度の熟練を要する。このため、例えば
２００本の探針４０２を備えるプローブカード４００で
は百万円台の市販価格が提示されており、検査に要する
費用が高価になるという問題があった。
【０００６】また近年、半導体ウェハＷＨに形成される
半導体チップの高性能化に伴ってパッドＰｄの個数が激
増するとともに、パッドＰｄの間隔も狭くなる方向に向
かっている。また、近年では半導体ウェハＷＨのみなら
ず、例えばマルチチップモジュールの出現によっても、
探針３０２の高密度化への要求が熾烈になっている。図
１０３に、マルチチップモジュールの正面断面図を示
す。このマルチチップモジュール４１０は、モジュール
本体４１１の中に、基板ＳＢを有しており、この基板Ｓ
Ｂの上に半導体チップＳＣが裸のままで多数搭載されて
いる。
【０００７】図１０４に、基板ＳＢの斜視図を示す。基
板ＳＢの上には多数のパッドＰｄが形成され、各パッド
Ｐｄの間を配線パターンが接続している。図１０３に戻
って、基板ＳＢの上に搭載された半導体チップＳＣのパ
ッドと基板ＳＢのパッドＰｄの間は、導電ワイヤＷＲに
よって接続されている。このマルチチップモジュール４
１０においても、ウェハＷＨと同様にパッドＰｄの間隔
はより狭く、かつ個数はより多い方向に向かっている。
【０００８】このような半導体集積回路装置の近年の動
きに伴って、探針４０２も個数を増大させるとともに、
高密度化を行うことが要求されている。しかしながら、
プローブカード４００ではプローブピッチ、すなわち探
針４０２の間隔に制限があって、プローブピッチは１０
０μｍ程度が限界であるといわれている。また、この限
界のプローブピッチでは、探針４０２の個数は５００本
程度が限界であると言われている。そして、これらの限
界のプローブピッチと個数とを備えた探針４０２では、
その価格は数百万円にも昇るものと予測されている。
【０００９】また、プローブカード４００はこのように
高価であるにも拘らず、それ自体が消耗品であり、被検
査対象との接触を繰り返す毎に摩耗するため、ある一定
の期間が過ぎるとこれを交換する必要が生じる。このこ
とが検査に要するコストに反映されて、被検査物として
の半導体集積回路装置の製品価格の上昇につながるとい
う問題があった。
【００１０】さらに、プローブカード４００を用いて検
査を行なう際に、オーバードライブと称して、探針４０
２とパッドＰｄとの間の接触抵抗を低減させるために、
外力により一旦探針４０２を押圧して、探針４０２の先
端部をパッドＰｄにくい込ませる作業が行われる。その
際に、押圧力の微妙な調整に失敗すると、探針４０２が
塑性変形を起こしてしまい、元に戻らないという不都合
が発生する。また、探針４０２は、その構造上破損し易
いので、作業者自身が誤って探針４０２に触れてしまう
ことによって、破損されるという事故も高い頻度で発生
している。
【００１１】この発明は上記の問題点を解決するために
なされたものであり、測定部位の間隔が狭くかつ測定部
位の数が大きい被検査物を容易に検査し得て、かつ安価
で、検査コストを低減し得るプローブ基板、およびその
製造方法、並びにプローブ装置を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
に記載のプローブ基板は、被検査物である集積回路装置
の測定部位と、試験装置とを接続するプローブ基板であ
って、（ａ）配線フィルムと、（ｂ）前記配線フィルム
が固定的に取り付けられた基材と、を備え、前記配線フ
ィルムが、（ａ−１）実質的に絶縁体から成るベースフ
ィルムと、（ａ−２）実質的に前記ベースフィルムの表
面上に形成された配線層と、を備え、前記配線層が、
（ａ−２−１）実質的に導電体から成る突起状の電極で
あって、当該突起の少なくとも先端部分が外部に露出
し、当該先端部分が前記被検査物の測定部位に接触する
ように設けられた対物電極と、（ａ−２−２）実質的に
導電体から成る電極であって、少なくとも表面の一部が
外部に露出し、前記試験装置との間で電気信号を授受す
る中継電極と、（ａ−２−３）実質的に導電体から成
り、前記対物電極と前記中継電極とを電気的に結合する
配線パターンと、を備える。
【００１３】この発明に係る請求項２に記載のプローブ
基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、前記
基材が、中央部分に開口部を有し、前記対物電極が、前
記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に設けられ
ている。
【００１４】この発明に係る請求項３に記載のプローブ
基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前記
対物電極の先端部分は、前記基材に取り付けられる側と
は反対側の前記配線フィルムの表面に露出する。
【００１５】この発明に係る請求項４に記載のプローブ
基板は、請求項３に記載のプローブ基板であって、
（ｃ）内部に流体を収納し、前記開口部に挿入された弾
性体の風袋、を更に備え、前記風袋が前記配線フィルム
に向かって外部より押圧付勢されたときに、前記風袋が
接触する前記配線フィルムの領域内に前記対物電極が位
置するように、当該対物電極が前記開口部の開口端から
所定の距離をもって設けられている。
【００１６】この発明に係る請求項５に記載のプローブ
基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前記
対物電極が、前記中継電極よりも、当該対物電極が接触
すべき前記被検査物の表面に向かって突出した位置に設
けられている。
【００１７】この発明に係る請求項６に記載のプローブ
基板は、請求項５に記載のプローブ基板であって、前記
配線フィルムの周辺部分が、前記基材に曲折されて取り
付けられ、この曲折した部分に前記中継電極が設けられ
ている。
【００１８】この発明に係る請求項７に記載のプローブ
基板は、請求項５に記載のプローブ基板であって、前記
中継電極が、前記配線フィルムを挟んで、前記対物電極
が露出する側とは反対側に露出する。
【００１９】この発明に係る請求項８に記載のプローブ
基板は、請求項７に記載のプローブ基板であって、前記
基材が平板形状であり、その主面の１つに前記配線フィ
ルムの前記対物電極が露出する側とは反対側の主面が貼
着されており、（ｃ）前記基材の前記配線フィルムが貼
着される側とは反対側の主面に設けられ、前記試験装置
に結合される外部中継電極と、（ｄ）前記中継電極と前
記外部中継電極とを電気的に結合するワイヤと、を更に
備える。
【００２０】この発明に係る請求項９に記載のプローブ
基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、 前
記配線パターンが、前記配線層の中で多層状に形成され
ている。
【００２１】この発明に係る請求項１０に記載のプロー
ブ基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前
記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に、当該配
線フィルムを貫通する貫通孔が形成されている。
【００２２】この発明に係る請求項１１に記載のプロー
ブ基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前
記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に貫通孔が
形成されており、当該貫通孔は、その一部が前記配線パ
ターンによって覆われ、かつ当該配線パターンを除いて
前記配線フィルムを貫通するように形成されている。
【００２３】この発明に係る請求項１２に記載のプロー
ブ基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前
記被検査物の表面に対向する前記配線フィルムの領域に
一定のピッチで周期的に配列する貫通孔が形成されてお
り、当該貫通孔は前記配線フィルムを貫通するように形
成されており、しかも当該貫通孔の少なくとも１は前記
開口部に面する前記配線フィルムの領域内に形成されて
いる。
【００２４】この発明に係る請求項１３に記載のプロー
ブ基板は、請求項１１に記載のプローブ基板であって、
前記基材の前記貫通孔に対向する部分に凹部が設けられ
ている。
【００２５】この発明に係る請求項１４に記載のプロー
ブ基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、前
記被検査物の前記測定部位毎に複数個の前記対物電極が
接触するように、当該対物電極が設けられている。
【００２６】この発明に係る請求項１５に記載のプロー
ブ基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、前
記被検査物に対応した対物電極の組が、互いに並列して
前記配線層に複数個配設されている。
【００２７】この発明に係る請求項１６に記載のプロー
ブ基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、複
数種類の前記被検査物における前記測定部位同士の間の
間隔の最大公約数に相当する間隔で、前記対物電極がマ
トリックス状に配列されている。
【００２８】この発明に係る請求項１７に記載のプロー
ブ基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、前
記基材を保持する外部の部材に当該基材を締結するため
のネジ孔が当該基材に形成されている。
【００２９】この発明に係る請求項１８に記載のプロー
ブ基板は、請求項１に記載のプローブ基板であって、前
記基材が磁性体を有する。
【００３０】この発明に係る請求項１９に記載のプロー
ブ基板は、請求項２に記載のプローブ基板であって、前
記対物電極が磁性体を有する。
【００３１】この発明に係る請求項２０に記載のプロー
ブ基板は、請求項３に記載のプローブ基板であって、
（ｃ）前記開口部における前記配線フィルム上に載置さ
れ、磁性体を有する磁性押圧部材、を更に備える。
【００３２】この発明に係る請求項２１に記載のプロー
ブ装置は、プローブ基板を被検査物である集積回路装置
の所定位置に当接させることにより、被検査物の測定部
位と外部の試験装置とを接続するプローブ装置であっ
て、（ａ）請求項１に記載のプローブ基板と、（ｂ）前
記プローブ基板の前記対物電極を前記被検査物の前記測
定部位に押圧付勢する付勢手段と、を備える。
【００３３】この発明に係る請求項２２に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項４に記載のプローブ基板であ
って、前記付勢手段が、（ｂ−１）前記風袋を前記配線
フィルムに向かって押圧付勢する加圧手段、を備える。
【００３４】この発明に係る請求項２３に記載のプロー
ブ装置は、請求項２２に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−２）前記風袋の内部に収納され
る流体に超音波振動を付与する超音波振動発生手段、を
更に備える。
【００３５】この発明に係る請求項２４に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項３に記載のプローブ基板であ
って、前記付勢手段が、（ｂ−１）前記開口部を覆う流
体密壁であって、当該開口部に面する前記配線フィルム
とともに、当該開口部に流体室を規定する流体密壁と、
（ｂ−２）前記流体室に圧力を有する流体を供給する流
体供給手段と、を備える。
【００３６】この発明に係る請求項２５に記載のプロー
ブ装置は、請求項２４に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−３）前記流体室内の流体に超音
波振動を付与する超音波振動発生手段、を更に備える。
【００３７】この発明に係る請求項２６に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項３に記載のプローブ基板であ
って、前記付勢手段が、（ｂ−１）一端面が開口し剛性
を有する容器本体と当該一端面を覆う弾性膜体とを有
し、内圧を付加した状態で流体を内部に保持し、前記弾
性膜体が前記配線フィルムに当接するように前記開口部
に挿入された流体密閉容器、を備える。
【００３８】この発明に係る請求項２７に記載のプロー
ブ装置は、請求項２６に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−２）前記流体密閉容器の内部と
連通し、当該容器内部の流体の圧力を調整する圧力調整
手段、を更に備える。
【００３９】この発明に係る請求項２８に記載のプロー
ブ装置は、請求項２６に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−２）前記流体密閉容器の内部の
流体に超音波振動を付与する超音波発生手段、を更に備
える。
【００４０】この発明に係る請求項２９に記載のプロー
ブ装置は、請求項２８に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−３）前記流体密閉容器の内部の
流体の温度を所定の高さに保持する温度調節手段、を更
に備える。
【００４１】この発明に係る請求項３０に記載のプロー
ブ装置は、請求項２６に記載のプローブ装置であって、
前記付勢手段が、（ｂ−２）前記流体密閉容器が挿入さ
れた前記基材の開口部を外気から気密に保つように、前
記流体密閉容器と前記基材との間に設けられた気密隔壁
であって、当該気密隔壁の内部に規定される気密室が減
圧されている気密隔壁、を更に備える。
【００４２】この発明に係る請求項３１に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項１９または請求項２０に記載
のプローブ基板であって、前記付勢手段が、（ｂ−１）
前記被検査物を挟んで前記プローブ基板とは反対側に設
置され、磁石を有する対物電極吸引手段、を備える。
【００４３】この発明に係る請求項３２に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項７または請求項８に記載のプ
ローブ基板であって、前記付勢手段が、（ｂ−１）一端
面が開口し剛性を有する気密容器であって、前記被検査
物をその内部に収納し、前記一端面が前記プローブ基板
によって気密的に封じられている気密容器と、（ｂ−
２）前記気密容器の内部の気圧を減圧する減圧手段と、
を備える。
【００４４】この発明に係る請求項３３に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項１０ないし請求項１３に記載
のプローブ基板であって、前記プローブ装置が、（ｃ）
前記開口部に対向する位置に設置され、前記貫通孔を通
して被検査物の表面を観察する顕微鏡、を更に備える。
【００４５】この発明に係る請求項３４に記載のプロー
ブ装置は、請求項３３に記載のプローブ装置であって、
（ｄ）前記プローブ基板に連結して設けられ、前記被検
査物を光学的に観察する撮像手段、を更に備える。
【００４６】この発明に係る請求項３５に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項１０に記載のプローブ基板で
あって、前記プローブ装置が、（ｃ）前記貫通孔を通し
て被検査物の表面にマーキングを施すマーキング手段、
を更に備える。
【００４７】この発明に係る請求項３６に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
（ｃ）前記被検査物の測定部位を光学的に観察する手
段、を更に備える。
【００４８】この発明に係る請求項３７に記載のプロー
ブ装置は、請求項３６に記載のプローブ装置であって、
（ｄ）前記被検査物の測定部位にレーザビームを照射す
るレーザ照射手段、を更に備え、前記手段（ｃ）が、
（ｃ−１）前記測定部位からの前記レーザビームの反射
波を検出する反射波検出手段、を備える。
【００４９】この発明に係る請求項３８に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
（ｃ）前記プローブ基板に連結して設置され、当該プロ
ーブ基板と前記被検査物の間の間隔を測定する間隔測定
手段、を更に備える。
【００５０】この発明に係る請求項３９に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
（ｃ）光学的に撮像することにより、前記被検査物の表
面に沿った方向の当該被検査物の位置を光学的に認識す
る第１の撮像手段と、（ｄ）光学的に撮像することによ
り、前記被検査物の表面に平行な方向の前記プローブ基
板の位置を光学的に認識する第２の撮像手段と、を更に
備える。
【００５１】この発明に係る請求項４０に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が、請求項１７に記載のプローブ基板
であって、（ｃ）前記ネジ孔にネジを螺合させることに
よって、前記基材を固定的に締結する基板保持部材、を
更に備える。
【００５２】この発明に係る請求項４１に記載のプロー
ブ装置は、請求項４０に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板の前記基材が実質的に導電体から成
り、前記基板保持部材が、実質的に導電体から成ってお
り、しかも電気的に接地されている。
【００５３】この発明に係る請求項４２に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
前記プローブ基板が請求項１８に記載のプローブ基板で
あって、（ｃ）前記プローブ基板の基材が当接する基板
保持部材と、（ｄ）前記基材が当接する前記基板保持部
材の部分の近傍に設けられ、磁石を有する基材吸引部材
と、を備える。
【００５４】この発明に係る請求項４３に記載のプロー
ブ装置は、請求項２１に記載のプローブ装置であって、
（ｃ）前記被検査物と当該被検査物に対向する前記配線
フィルムの間の間隙に、イオン化空気を送り込む静電ブ
ロー手段、を更に備える。
【００５５】この発明に係る請求項４４に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、（ａ）基材を準備する工程と、
（ｂ）配線フィルムを製作する工程と、（ｃ）前記配線
フィルムを前記基材に固定的に取り付ける工程と、を備
え、前記工程（ｂ）が、（ｂ−１）実質的に絶縁体から
成るベースフィルムを準備する工程と、（ｂ−２）実質
的に前記ベースフィルムの表面上に配線層を形成する工
程と、を備え、前記工程（ｂ−２）が、（ｂ−２−１）
実質的に導電体から成る配線パターンを前記ベースフィ
ルム上に形成する工程と、（ｂ−２−２）実質的に導電
体から成り、少なくとも先端部分が外部に露出する突起
状の対物電極を前記配線パターン上の第１の所定の位置
に形成する工程と、（ｂ−２−３）実質的に導電体から
成り、少なくとも表面の一部が外部に露出する中継電極
を前記配線パターン上の第２の所定の位置に形成する工
程と、を備える。
【００５６】この発明に係る請求項４５に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４４に記載の製造方法であ
って、前記工程（ｂ−２−１）が、（ｂ−２−１−１）
前記ベースフィルムの一方の主面上に実質的に導電体か
ら成る金属層を形成する工程と、（ｂ−２−１−２）前
記金属層を選択的にエッチングすることにより、配線パ
ターンを形成する工程と、（ｂ−２−１−３）前記配線
パターンおよび前記ベースフィルムの上に実質的に絶縁
体から成る保護膜を塗布する工程と、を備え、前記工程
（ｂ−２−２）が、（ｂ−２−２−１）前記配線パター
ン上の前記第１の所定の位置において前記保護膜を選択
的に除去して、前記保護膜に第１の開口部を形成する工
程と、（ｂ−２−２−２）前記第１の開口部に鍍金を施
すことにより、実質的に導電体から成る突起状の前記対
物電極を形成する工程と、を備え、前記工程（ｂ−２−
３）が、（ｂ−２−３−１）前記配線パターン上の前記
第２の所定の位置において前記保護膜を選択的に除去し
て、前記保護膜に第２の開口部を形成する工程と、（ｂ
−２−３−２）前記第２の開口部に鍍金を施すことによ
り、実質的に導電体から成る突起状の前記中継電極を形
成する工程と、を備える。
【００５７】この発明に係る請求項４６に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する基材を準備する工程、を備え、前記工程（ｃ）
が、（ｃ−１）前記対物電極および前記中継電極が露出
する側とは反対側の表面が前記基材に当接するように、
前記配線フィルムを前記基材に固定的に取り付ける工
程、を備える。
【００５８】この発明に係る請求項４７に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４６に記載の製造方法であ
って、（ｄ）内部に流体を収納する弾性体の風袋を準備
する工程と、（ｅ）前記風袋を前記基材の前記開口部に
挿入する工程と、を更に備える。
【００５９】この発明に係る請求項４８に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する平板において、周囲が一方の主面の方向に最大
１８０゜まで屈曲した形状の基材を準備する工程、を備
え、前記工程（ｃ）が、（ｃ−１）前記対物電極および
前記中継電極が露出する側とは反対側の表面が、前記基
材の屈曲する方向とは反対側の表面に当接するように、
前記配線フィルムを前記基材に固定的に取り付ける工
程、を備える。
【００６０】この発明に係る請求項４９に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する平板形状の基材を準備する工程、を備え、前記
工程（ｃ）が、（ｃ−１）前記対物電極および前記中継
電極が露出する側とは反対側の表面が、前記基材の主面
に当接するように、前記配線フィルムを前記基材に固定
的に取り付ける工程、を備え、前記製造方法が、（ｄ）
前記配線フィルムが取り付けられた状態で、前記基材の
周囲を一方の主面の方向に最大１８０゜まで屈曲させる
工程、を更に備える。
【００６１】この発明に係る請求項５０に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する平板形状の基材を準備する工程、を備え、前記
工程（ｃ）が、（ｃ−１）前記対物電極および前記中継
電極が露出する側とは反対側の前記配線フィルムの表面
が前記基材の主面に当接し、しかも当該配線フィルムの
中央部が当接する前記基材の主面とは反対側の主面に当
該配線フィルムの周囲が当接するように、前記配線フィ
ルムを前記基材に固定的に取り付ける工程、を備える。
【００６２】この発明に係る請求項５１に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する基材を準備する工程、を備え、前記工程（ｂ−
２−２−２）が、（ｂ−２−２−２−１）前記第１の開
口部に磁性材料を有する金属を鍍金することにより、実
質的に導電体から成り、しかも磁性体を有する突起状の
対物電極を形成する工程、を備える。
【００６３】この発明に係る請求項５２に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４６に記載の製造方法であ
って、（ｄ）磁性体を有する磁性押圧部材を準備する工
程と、（ｅ）前記磁性押圧部材を前記基材の前記開口部
に挿入し、前記配線フィルム上に載置する工程と、を更
に備える。
【００６４】この発明に係る請求項５３に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４４に記載の製造方法であ
って、前記工程（ｂ−２−１）が、（ｂ−２−１−１）
前記ベースフィルムの主面上に実質的に導電体から成る
金属層を形成する工程と、（ｂ−２−１−２）前記金属
層を選択的にエッチングすることにより、配線パターン
を形成する工程と、（ｂ−２−１−３）以下の工程（ｂ
−２−１−３−１）〜（ｂ−２−１−３−４）を少なく
とも１回以上実行する工程と、を備え；ここで、前記工
程（ｂ−２−１−３−１）〜（ｂ−２−１−３−４）
は、（ｂ−２−１−３−１）前記配線パターンを含めて
表面に露出する面の上に実質的に絶縁体から成る保護膜
を塗布する工程と、（ｂ−２−１−３−２）前記配線パ
ターン上の所定の位置において前記保護膜を選択的に除
去して、前記保護膜にコンタクト用開口部を形成する工
程、（ｂ−２−１−３−３）前記保護膜および前記配線
パターンの上に、実質的に導電体から成る金属層を新た
に形成する工程、および（ｂ−２−１−３−４）前記新
たに形成された金属層を選択的にエッチングすることに
より、配線パターンを新たに形成する工程、であり；前
記工程（ｂ−２−１）が、（ｂ−２−１−４）前記最終
の工程で形成された最上層配線パターンを含めて表面に
露出する面の上に、実質的に絶縁体から成る最上層保護
膜を塗布する工程、を更に備え、前記工程（ｂ−２−
２）が、（ｂ−２−２−１）前記最上層配線パターンの
上の第１の所定の位置において前記最上層保護膜を選択
的に除去して、当該最上層保護膜に第１の開口部を形成
する工程と、（ｂ−２−２−２）前記第１の開口部に鍍
金を施すことにより、実質的に導電体から成る突起状の
前記対物電極を形成する工程と、を備え、前記工程（ｂ
−２−３）が、（ｂ−２−３−１）前記最上層配線パタ
ーン上の前記第２の所定の位置において前記最上層保護
膜を選択的に除去して、当該最上層保護膜に第２の開口
部を形成する工程と、（ｂ−２−３−２）前記第２の開
口部に鍍金を施すことにより、実質的に導電体から成る
突起状の前記中継電極を形成する工程と、を備える。
【００６５】この発明に係る請求項５４に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４４に記載の製造方法であ
って、前記工程（ｂ−２−１）が、（ｂ−２−１−１）
前記ベースフィルムの主面上に実質的に導電体から成る
金属層を形成する工程と、（ｂ−２−１−２）前記金属
層を選択的にエッチングすることにより、配線パターン
を形成する工程と、（ｂ−２−１−３）以下の工程（ｂ
−２−１−３−１）〜（ｂ−２−１−３−３）を少なく
とも１回以上実行する工程と、を備え；ここで、前記工
程（ｂ−２−１−３−１）〜（ｂ−２−１−３−３）
は、（ｂ−２−１−３−１）前記配線パターンを含めて
表面に露出する面の上に実質的に絶縁体から成る保護膜
を塗布する工程と、（ｂ−２−１−３−２）前記保護膜
の上に、実質的に導電体から成る金属層を新たに形成す
る工程、および、（ｂ−２−１−３−３）前記新たに形
成された金属層を選択的にエッチングすることにより、
配線パターンを新たに形成する工程、であり、前記工程
（ｂ−２−１）が、（ｂ−２−１−４）前記工程（ｂ−
２−１−３−３）で形成された配線パターンを含めて表
面に露出する面の上に、実質的に絶縁体から成る保護膜
を新たに塗布する工程、を更に備え、前記工程（ｂ−２
−２）が、（ｂ−２−２−１）前記各工程で形成された
各配線パターンの上の第１の所定の位置において前記各
工程で形成された保護膜を選択的に除去して、当該保護
膜に第１の開口部を形成する工程と、（ｂ−２−２−
２）前記第１の開口部に鍍金を施すことにより、実質的
に導電体から成る突起状の対物電極を形成する工程と、
を備え、前記工程（ｂ−２−３）が、（ｂ−２−３−
１）前記各工程で形成された各配線パターンの上の第２
の所定の位置において前記各工程で形成された保護膜を
選択的に除去して、当該保護膜に第２の開口部を形成す
る工程と、（ｂ−２−３−２）前記第２の開口部に鍍金
を施すことにより、実質的に導電体から成る突起状の中
継電極を形成する工程と、を備える。
【００６６】この発明に係る請求項５５に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する基材を準備する工程、を備え、前記製造方法
が、（ｄ）前記基材の開口部に位置する前記ベースフィ
ルムに貫通孔を形成する工程、を更に備える。
【００６７】この発明に係る請求項５６に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項５５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ｄ）が、（ｄ−１）前記基材の開口部
に位置する前記ベースフィルムに貫通孔を形成する工程
であって、しかも、前記配線パターンが当該貫通孔の一
部を覆うように、当該貫通孔を形成する工程、を備え
る。
【００６８】この発明に係る請求項５７に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項４５に記載の製造方法であ
って、前記工程（ａ）が、（ａ−１）中央部分に開口部
を有する基材を準備する工程、を備え、前記工程（ｂ−
１）が、（ｂ−１−１）実質的に絶縁体から成り、しか
も所定の位置に貫通孔が形成されたベースフィルムを準
備する工程、を備える。
【００６９】この発明に係る請求項５８に記載のプロー
ブ基板の製造方法は、請求項５７に記載の製造方法であ
って、前記工程（ｂ−２−１−２）が、（ｂ−２−１−
２−１）前記金属層を選択的にエッチングすることによ
り、配線パターンを形成する工程であって、当該配線パ
ターンが前記貫通孔の一部を覆うように前記配線パター
ンを形成する工程、を備える。
【００７０】
【作用】＜請求項１に記載の発明の作用＞この発明のプ
ローブ基板では、配線フィルムに設けられた対物電極が
被検査物の測定部位に接触する。この対物電極は、配線
パターンを介して中継電極に電気的に結合している。こ
の中継電極が外部の試験装置と電気信号を授受する。す
なわち、このプローブ基板では、対物電極、配線パター
ン、および中継電極が、従来のプローブカードにおける
プローブピンと同様の機能を果たす。
【００７１】＜請求項２に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、基材が開口部を有しており、対物
電極は開口部に面する配線フィルムの領域内に設けられ
ている。このため、配線フィルムがたわむことによっ
て、対物電極の高さおよび測定部位の高さにおけるばら
つきが吸収され、対物電極と測定部位との間に良好な電
気的接触が実現する。
【００７２】＜請求項３に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、対物電極が基材とは反対側の配線
フィルムに露出するので、被検査物内に配列する複数の
単位検査領域を逐次移動して測定する際に、被検査物が
基材と干渉することがない。このため、被検査物のサイ
ズが広大であっても、開口部の大きさは略単位検査領域
の広さで足りる。
【００７３】＜請求項４に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、開口部に挿入された風袋を外部よ
り配線フィルムに向かって押圧することによって、対物
電極が被検査物へ押圧付勢される。配線フィルムは適度
にたわむことができるので、押圧力が対物電極へ伝わ
る。しかも風袋は弾性体であって、内部に流体が収納さ
れているので、各対物電極に均等に押圧力が付勢され
る。
【００７４】＜請求項５に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、対物電極が中継電極よりも突出し
た位置に設けられているので、被検査物内に配列する複
数の単位検査領域を逐次移動して測定する際に、被検査
物が中継電極と干渉することがない。更に、中継電極の
外部の試験装置への接続が、被検査物との干渉を防止し
つつ容易に行い得る。
【００７５】＜請求項６に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、中継電極が配線フィルムの曲折し
た部分に設けられているので、被検査物と中継電極との
干渉を簡単に防止し得る。
【００７６】＜請求項７に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、配線フィルムを挟んで対物電極と
中継電極とが互いに反対側に露出しているので、外部の
試験装置と中継電極との接続が容易に行われ得る。特
に、例えば被検査物が載置される空間が減圧される場合
など、対物電極が外部から隔絶されている場合において
も、外部の試験装置と中継電極との接続が容易に行われ
得る。
【００７７】＜請求項８に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、中継電極の他に更に試験装置との
間を中継する外部中継電極が設けられており、これらの
２種類の中継電極の間がワイヤで結合されているので、
配線パターンの長さを短くすることができる。
【００７８】＜請求項９に記載の発明の作用＞この発明
のプローブ基板では、配線パターンが多層状に形成され
ているので、ピッチの狭い測定部位に対応して、対物電
極の密度の高いプローブ基板を容易に構成することがで
きる。
【００７９】＜請求項１０に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、配線フィルムの開口部に面する
領域内に貫通孔が設けられているので、この貫通孔を通
して、被検査物を観測することにより、プローブ基板と
被検査物との相対位置を調整することが可能である。ま
た、この貫通孔を介して、例えば検査結果の不良を表現
するマーキングを被検査物に施すことが可能である。
【００８０】＜請求項１１に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、貫通孔を通して配線パターンの
一部を観測することができるので、この配線パターンの
一部を位置合わせの基準とすることができる。このた
め、このプローブ基板を用いることにより、プローブ基
板と被検査物との間の相対位置の精密な調整を容易に行
うことが可能である。
【００８１】＜請求項１２に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、開口部に位置する貫通孔を介し
て、例えば検査結果の不良を表現するマーキングを被検
査物に施すことが可能である。更に、貫通孔が一定のピ
ッチで配列しているので、被検査物内に一定のピッチを
もって周期的に配列する複数の単位検査領域を逐次移動
して検査する際に、単位検査領域に記されたマーキング
が配線フィルムに接触する恐れがない。
【００８２】＜請求項１３に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、配線フィルムに周期的に配列し
て設けられた貫通孔に併せて、この貫通孔に対向する基
材の部分に凹部が設けられているので、被検査物に施さ
れたマーキングが基材の表面に接触する恐れがない。
【００８３】＜請求項１４に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、測定部位毎に複数個の対物電極
が接触するので、１つの測定部位に接触する複数の対物
電極間の電気的導通を試験することによって、対物電極
と測定部位との間の接触の良否を確認することが可能で
ある。併せて、対物電極と測定部位間の相対位置の良否
を確認することも可能である。
【００８４】＜請求項１５に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、対物電極の組が複数個並列して
設けられているので、互いに並列して載置される複数個
の被検査物、あるいは同一の被検査物の中の複数個の単
位検査領域を同時に検査することが可能である。
【００８５】＜請求項１６に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、複数種類の被検査物における測
定部位同士の間隔の最大公約数に相当する間隔で、対物
電極がマトリックス状に配列されているので、１種類の
プローブ基板を用いて測定部位の位置および間隔が異な
る複数種類の被検査物を検査することが可能である。
【００８６】＜請求項１７に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、基材にネジ孔が設けられている
ので、このネジ孔に締結用ネジを螺合させることによっ
て、基材を容易に外部の基板保持部材に固定的に取り付
けることができるので、基板保持部材へのプローブ基板
の脱着が容易に行われ得る。
【００８７】＜請求項１８に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、基材が磁性体を有するので、こ
の基材が取り付けられるべき基板保持部材に磁石を設け
ることによって、磁力の作用で基材を基板保持部材に固
定することが可能である。このため、プローブ基板の脱
着が一層容易に行われ得るのに加えて、脱着に伴う発塵
が抑えられる。
【００８８】＜請求項１９に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、対物電極が磁性体を有するの
で、被検査物を挟んでプローブ基板とは反対側に磁石を
設置することによって、磁気的吸引力の作用で対物電極
を被検査物の測定部位に押圧付勢することが可能であ
る。しかも各対物電極に均等に押圧力を付与することが
できる。
【００８９】＜請求項２０に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ基板では、磁性押圧部材が開口部の配線フ
ィルム上に載置されるので、被検査物を挟んでプローブ
基板とは反対側に磁石を設置することによって、磁気的
吸引力の作用で対物電極を被検査物の測定部位に押圧付
勢することが可能である。
【００９０】＜請求項２１に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、プローブ基板に設けられた対物
電極が被検査物の測定部位に押圧付勢されるので、対物
電極と測定部位との電気的接触が実現する。この対物電
極は、配線パターンを介して中継電極に電気的に結合
し、更にこの中継電極が外部の試験装置と電気信号を授
受するので、このプローブ装置を用いて被検査物の検査
を実行することが可能である。
【００９１】＜請求項２２に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、開口部に挿入された風袋が、加
圧手段によって配線フィルムに向かって押圧付勢される
のにともなって、対物電極が被検査物へ押圧付勢され
る。配線フィルムは適度にたわむことができるので、押
圧力が対物電極へ伝わる。しかも風袋は弾性体であっ
て、内部に流体が収納されているので、各対物電極には
均等に押圧力が付与される。
【００９２】＜請求項２３に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、超音波振動発生手段によって風
袋に収納される流体に超音波振動が付与される。この超
音波振動は対物電極に伝達され、例えば測定部位の表面
の酸化膜などの、対物電極と測定部位との間の接触抵抗
を増大させる素因が、対物電極の超音波振動にともなっ
て除去される。
【００９３】＜請求項２４に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、流体室に圧力を有する流体が供
給されるので、この流体の圧力によって開口部に位置す
る配線フィルムが被検査物に向かって押圧付勢される。
その結果、対物電極が被検査物へ押圧付勢される。流体
の圧力で押圧されるので、各対物電極には均等に押圧力
が付与される。
【００９４】＜請求項２５に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、超音波振動発生手段によって流
体室内の流体に超音波振動が付与される。この超音波振
動は対物電極に伝達され、対物電極と測定部位との間の
接触抵抗を増大させる素因が、対物電極の超音波振動に
ともなって除去される。
【００９５】＜請求項２６に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、流体密閉容器の内部に保持され
た流体が内圧を有しているので、この流体の内圧によっ
て弾性膜体が当接する開口部内の配線フィルムが被検査
物に向かって押圧付勢される。その結果、対物電極が被
検査物へ押圧付勢される。流体の圧力で押圧されるの
で、各対物電極には均等に押圧力が付与される。
【００９６】＜請求項２７に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、圧力調整手段によって流体密閉
容器の内部の流体の圧力が調整されるので、常に適正な
押圧力をもって対物電極を押圧付勢することが可能であ
る。
【００９７】＜請求項２８に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、超音波発生手段によって流体密
閉容器の内部の流体に超音波振動が付与される。この超
音波振動は対物電極に伝達され、対物電極と測定部位と
の間の接触抵抗を増大させる素因が、対物電極の超音波
振動にともなって除去される。
【００９８】＜請求項２９に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、温度調節手段によって流体密閉
容器の内部の流体の温度が一定の高さを保持するように
調節されるので、外気の温度変化等に伴って引き起こさ
れる流体の温度変化が防止され、常に一定の圧力が保持
される。 ＜請求項３０に記載の発明の作用＞この発明のプローブ
装置では、気密隔壁によって気密室が形成され、しかも
この気密室が減圧されるので、弾性膜体と開口部内に位
置する配線フィルムとの間の密着性が高まる。このた
め、流体密閉容器内の流体の内圧によって、弾性膜体が
当接する開口部内の配線フィルムが、被検査物に向かっ
て一様に押圧付勢される。その結果、各対物電極には一
層均等に押圧力が付与される。
【００９９】＜請求項３１に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、対物電極に磁性体を有するプロ
ーブ基板、または磁性押圧部材が開口部の配線フィルム
上に載置されたプローブ基板を用い、検査物を挟んでプ
ローブ基板とは反対側に対物電極吸引手段が設置されて
いる。磁石を有するこの対物電極吸引手段は、磁気的吸
引力の作用によって対物電極を被検査物の測定部位に押
圧付勢する。
【０１００】＜請求項３２に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、気密容器内の載置手段に被検査
物が載置され、減圧手段によって気密容器内の気圧が減
圧される。このため、開口部に位置する配線フィルムが
気密容器の内部に向かって吸引されるので、この配線フ
ィルムが被検査物へ押圧付勢される。その結果、対物電
極が被検査物へ押圧付勢される。配線フィルムに作用す
る差圧によって押圧力が発生するので、各対物電極には
均等に押圧力が付与される。
【０１０１】＜請求項３３に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、配線フィルムの開口部に面する
領域内に貫通孔が設けられたプローブ基板を用い、更に
顕微鏡を用いて貫通孔を通して被検査物を観察すること
により、プローブ基板と被検査物との相対位置を微細に
調整することが可能である。
【０１０２】＜請求項３４に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、撮像手段が設けられるので、同
一種類の複数の被検査物を検査する際に、最初の被検査
物とプローブ基板との相対位置の調整は顕微鏡を用いて
行い、同時に撮像手段で調整された位置を確認してお
く。第２番目以降の被検査物における相対位置の調整
は、撮像手段によって被検査物の位置を確認し、この位
置と調整すべき位置との間のずれを算出し、更にこのず
れを解消するように被検査物とプローブ基板とを相対移
動させることによって実現することが可能である。
【０１０３】＜請求項３５に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、配線フィルムの開口部に面する
領域内に貫通孔が設けられたプローブ基板を用いている
ので、マーキング手段によって、例えば検査結果の不良
を表現するマーキングを、貫通孔を介して被検査物に施
すことが可能である。
【０１０４】＜請求項３６に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、被測定物の測定部位を観察する
手段が設けられるので、対物電極が測定部位に押圧され
ることによって生じる痕跡、例えば測定部位の表面の微
妙な凹凸、あるいは対物電極の材料の付着等を観察する
ことがでる。このため、対物電極と測定部位との接触が
十分に行われたか否かを判定することが可能である。
【０１０５】＜請求項３７に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、被測定物の測定部位にレーザビ
ームを照射し、その反射波を検出することが可能であ
る。このため、対物電極が測定部位に押圧されることに
よって生じる痕跡を検出することができるので、対物電
極と測定部位との接触が十分に行われたか否かを判定す
ることが可能である。
【０１０６】＜請求項３８に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、間隔測定手段によってプローブ
基板と被測定物との間の間隔が測定される。このため、
この測定値に基づいて間隔を修正することにより、間隔
を適正な大きさに設定することが可能である。
【０１０７】＜請求項３９に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、２種類の撮像手段が設けられる
ので、プローブ基板と被検査物との間の相対位置を確認
することが可能である。確認された相対位置と適正な相
対位置との間のずれを算出し、更にこのずれを解消する
ように被検査物とプローブ基板とを相対移動させること
によって、相対位置を適正な位置に調整することができ
る。
【０１０８】＜請求項４０に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、基材にネジ孔が設けられたプロ
ーブ基板を用いるので、このネジ孔に締結用ネジを螺合
させることによって、基材を容易に基板保持部材に固定
的に取り付けることができるので、基板保持部材へのプ
ローブ基板の脱着が容易に行われ得る。
【０１０９】＜請求項４１に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、基材と基板保持部材が実質的に
導電体から成り、しかも基板保持部材は接地されてい
る。このため、プローブ基板には静電気が蓄積し難いの
で、検査の際における静電気による被検査物の破壊を防
止することができる。
【０１１０】＜請求項４２に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、基材が磁性体を有するプローブ
基板が用いられ、更に磁石を有する基材吸引部材が基板
保持部材に設けられるので、磁気的吸引力の作用で基材
を基板保持部材に固定することが可能である。このた
め、プローブ基板の脱着が一層容易であるのに加えて、
脱着に伴う発塵を抑えることができる。
【０１１１】＜請求項４３に記載の発明の作用＞この発
明のプローブ装置では、静電ブロー手段が設けられ、被
検査物と配線フィルムの間にイオン化空気が送り込まれ
るので、配線フィルムに蓄積する静電気が除去される。
このため、検査の際における静電気による被検査物の破
壊を防止することができる。
【０１１２】＜請求項４４に記載の発明の作用＞この発
明の製造方法を用いることによって、この発明のプロー
ブ基板を製造することができる。
【０１１３】＜請求項４５〜請求項５８に記載の発明の
作用＞この発明の製造方法は、ウェハプロセスに用いら
れる工程を応用するので、この発明のプローブ基板を容
易かつ安価に、かつ大量に製造することができる。特
に、対物電極の個数および密度の高いプローブ基板を、
精度良くかつ容易に製造することが可能である。
【０１１４】
【実施例】＜１．第１実施例＞以下において、この発明
の一実施例について説明する。
【０１１５】＜1-1.プローブ基板の構成と動作＞まず、
プローブ基板の一実施例について説明する。図１は、一
実施例におけるプローブ基板の外観斜視図である。プロ
ーブ基板１００は、配線フィルム１が基材２の底面に取
り付けられた構造を有する。プローブ基板１００の主要
部をなす配線フィルム１は、薄膜形状であって変形し易
いために、枠体として機能する基材２に取り付けて使用
に供される。このため基材２は、一定の剛性を有する材
料、例えばアルミニウム、鉄などの金属、または合成樹
脂等で構成される。基材２の形状は、中央部分に開口部
３を有する平板形状である。基材２の厚さは、例えば例
えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度である。
【０１１６】図２は、プローブ基板１００の底面図であ
る。配線フィルム１の開口部３に相当する領域には、対
物電極４が配設されており、配線フィルム１の周辺部
分、特に矩形を成す配線フィルム１の対向する２辺に沿
って、中継電極５が配設されている。配線フィルム１に
は、更に配線パターン６が配設されており、この配線パ
ターン６は対物電極４と中継電極５の間を接続してい
る。
【０１１７】図３は、プローブ基板１００の正面断面図
である。配線フィルム１は、ベースフィルム７と、その
下方主面の上に形成された配線層８とを有している。ベ
ースフィルム７は、好ましくはポリイミド、ポリエステ
ル等の耐熱性および機械的強度に優れ、電気絶縁性の合
成樹脂で構成され、その厚さは、例えば２５μｍ程度で
ある。
【０１１８】配線層８は、前述の対物電極４、中継電極
５、配線パターン６に加えて、保護膜９を有している。
配線パターン６は、例えば銅、アルミニウムなどの導電
性の材料で構成され、ベースフィルム７の下方主面の上
に形成されている。配線パターン６の厚さは、例えば３
μｍ程度である。配線パターン６およびベースフィルム
７の下方主面の上を覆うように、保護膜９が形成されて
いる。保護膜９は、例えばポリイミド等の電気絶縁性の
合成樹脂で構成され、その厚みは、例えば２〜１０μｍ
程度である。保護膜９は、配線パターン６の保護と、配
線パターン６が被検査物と電気的に接触するのを防止す
ることとを主目的としている。保護膜９は、配線パター
ン６の上の所定の部位において開口しており、この開口
部１０を介して対物電極４および中継電極５が配線パタ
ーン６の上に接続されている。
【０１１９】対物電極４および中継電極５は、導電性の
材料、例えば金、タングステン、ハンダ等で構成された
バンプ状の電極、すなわち突起状の電極であって、その
高さは、例えば２０μｍ程度である。突起の頭部は、外
部へ露出している。対物電極４は、被測定物の検査を行
う際に、この被測定物に配設されるパッドに接触して、
これと電気的に導通する装置部分であり、従来のプロー
ブカードにおける探針の先端部分に相当する。一方、中
継電極５は外部の試験装置と電気的に接続され、この試
験装置との間で電気信号の授受を行う。配線パターン６
は、これらの対物電極４と中継電極５とを電気的に接続
するために設けられている。すなわち、対物電極４が被
測定物のパッドに接触し、中継電極５が試験装置に接続
されることにより、パッドと試験装置との間で電気信号
の授受が行われ、所定の検査を実行することが可能とな
る。
【０１２０】前述のように、対物電極４は開口部３の直
下に配置されているので、開口部３における配線フィル
ム１はたわむことができる。すなわち、対物電極４が複
数個配設されている場合であっても、それぞれの対物電
極４は、上下方向には独立に、ある程度自由に動くこと
ができる。このため、対物電極４の高さのばらつき、あ
るいは被検査物のパッドの高さのばらつきがあっても、
これらのばらつきを吸収して、それぞれの対物電極４と
パッドとの間の接触を保つことができる。
【０１２１】また、基材２に開口部３が設けられている
ので、開口部３における配線フィルム１の上面全体を下
方へ押圧することが可能である。開口部３における配線
フィルム１が下方へ押圧されると、対物電極４のそれぞ
れが下方へ押圧される。その結果、対物電極４が被検査
物のパッドに押圧付勢されるので、対物電極４とパッド
との間の接触抵抗が低減され、良好な電気的接触を実現
することができる。
【０１２２】＜1-2.プローブ装置の構成と動作＞プロー
ブ装置は、プローブ基板を被検査物の所定の位置に当接
させ、被検査物のパッドと外部の試験装置とを接続する
ことにより、検査の実行を可能にするための装置であ
る。ここでは、プローブ基板１００を用いたプローブ装
置の実施例について説明する。
【０１２３】図４は、プローブ基板１００が組み込まれ
たプローブ装置１５０の正面図である。プローブ基板１
００は、基材２の上主面に当接するスペーサブロック１
５１とともに、挟持体１５２に挟持されている。挟持体
１５２は、弾性力をもってこれらを挟持する。配線フィ
ルム１の下面に当接する挟持体１５２の底部上面には、
中継電極５と接触する端子電極（図示を略する）が設け
られ、この端子電極には更に配線（図示を略する）の一
端が接続されている。この配線の他の一端は、外部の試
験装置に接続されている。すなわち、挟持体１５２は、
プローブ基板１００を支持するとともに、中継電極５と
試験装置との間の電気的接続をも果たしている。
【０１２４】挟持体１５２は、ピン１５３を介して固定
支持台１５４に連結されている。挟持体１５２は、ピン
１５３によって上下方向に摺動可能に支持されるととも
に、ピン１５３に取り付けられた図示しないスプリング
によって、上下方向の所定の位置に保持されている。挟
持体１５２は匡体１５５の開口部１５６を介して、匡体
１５５の上方から、被検査物であるウェハＷＨが載置さ
れる匡体１５５の内部へと挿入されている。
【０１２５】匡体１５５の内部には、ウェハＷＨを載置
するウェハステージ１５７、およびウェハステージ１５
７を水平方向および鉛直方向に移動させる可動テーブル
１５８が設置されている。基材２の開口部３には、付勢
ユニット（付勢手段）１６０が挿入されている。この付
勢ユニット１６０は、開口部３に位置する配線フィルム
１を下方に押圧付勢する。付勢ユニット１６０には様々
な態様があり、これらの態様については後述する。
【０１２６】このプローブ装置１５０を用いて、ウェハ
ＷＨの検査を行うには、まずウェハＷＨをウェハステー
ジ１５７に載置する。その後、可動テーブル１５８を水
平に駆動して、ウェハＷＨの各パッドが、それらと接触
すべき対物電極４の真下に位置するように、ウェハＷＨ
を水平に移動させる。すなわち、プローブ基板１００と
ウェハＷＨとの間の相対位置を調整する。つづいて、可
動テーブル１５８を上方に駆動して、ウェハＷＨのパッ
ドが、接触すべき対物電極４に略触れる程度にまで、ウ
ェハＷＨとプローブ基板１００との間を接近させる。つ
ぎに、付勢ユニット１６０を作動させることにより、開
口部３に位置する配線フィルム１を下方に押圧する。そ
の結果、対物電極４がウェハＷＨのパッドに押圧付勢さ
れ、対物電極４とパッドとの間の良好な電気的接触が実
現する。
【０１２７】この状態で、外部の試験装置からパッドへ
試験用電気信号が送信され、かつパッドから試験装置へ
と応答信号が送信される。試験装置はこの応答信号によ
って、ウェハＷＨの良否を判定する。このプローブ装置
１５０では、対物電極４とパッドとの間の良好な電気的
接触が得られるので、高い精度での検査が可能である。
【０１２８】＜1-3.プローブ基板の更に好ましい例＞次
に、プローブ基板１００の更に好ましい変形例について
説明する。図５は、この変形例におけるプローブ基板１
０１の正面断面図である。このプローブ基板１０１は、
開口部３に挿入された風袋１１を備えている。風袋１１
は開口部３に位置する配線フィルム１の上面に単に載置
されているだけでもよく、あるいは更にこの配線フィル
ム１の上面に接着されていてもよい。風袋１１は例えば
ゴム膜などの弾性体の膜で形成されたいわゆる風船状で
あり、その内部には空気が封じ込められている。風袋１
１の上方には、付勢ユニット１６１が設置されており、
この付勢ユニット１６１は、風袋１１を上面から下方に
押圧する。このため、風袋１１は付勢ユニット（加圧手
段）１６１と配線フィルム１との間の緩衝部材として機
能する。付勢ユニット１６１による押圧力は、風袋１１
が内蔵する空気の圧力が、例えば約５００ｇ／ｃｍ2以
上となるような大きさに設定される。
【０１２９】図６は、プローブ基板１０１における対物
電極４の取付位置を示す正面断面図である。開口部３の
開口端から風袋１１の下面が配線フィルム１の上面に接
触する領域までの間隔Ｌ2よりも、同じく開口端から対
物電極４の端部までの間隔Ｌ1が大きくなるように、す
なわちＬ1＞Ｌ2となるように、対物電極４が配設され
る。このように対物電極４を配置することによって、付
勢ユニット１６１の押圧力が全ての対物電極４に伝達さ
れる。
【０１３０】プローブ基板１０１では、空気を内蔵する
風袋１１が緩衝部材として設けられ、しかも風袋１１の
圧力が全ての対物電極４に伝達される位置に対物電極４
が配設されるので、すべての対物電極４に一様に押圧力
が伝達される。すなわち、すべての対物電極４がウェハ
ＷＨのパッドに一様な押圧力をもって付勢される。この
ため、対物電極４とパッドとの間に一層良好な電気的接
触が実現する。
【０１３１】図５に戻って、付勢ユニット１６１は、風
袋１１を下方に押圧するだけではなく、風袋１１との当
接する部位、すなわち付勢ユニット１６１の底面が超音
波振動を行う。このため、風袋１１の内部に収納される
空気に、この超音波振動が付与される。空気の超音波振
動は、更に、配線フィルム１を介して対物電極４にも伝
達する。パッドに当接した状態で対物電極４が超音波振
動を行うことによって、パッドの表面に形成される酸化
膜（例えばパッドがアルミニウムで構成されるときには
酸化アルミニウム）、およびその他の汚染物等が除去さ
れる。これらの酸化膜あるいは汚染物等は、対物電極４
とパッドとの間の電気的な接触抵抗を増大させる原因と
なる。このため、付勢ユニット１６１が超音波を発生す
ることによって、対物電極４とパッドとの間の接触抵抗
を一層低減することができ、更に良好な電気的接触が実
現する。
【０１３２】以上のように、プローブ基板１０１では、
対物電極４とパッドとの間の電気的接触が一層良好に保
たれるので、ウェハＷＨの検査を一層精度良く行うこと
が可能である。なお、風袋１１の内部に収納される媒質
は、空気の他に、例えば窒素、アルゴン、その他の一般
の気体でもよく、更に水、フロリナート、ゼリー等の液
体でもよい。
【０１３３】また、プローブ基板１００およびプローブ
基板１０１では、配線フィルム１において、基材２が当
接する主面とは反対側の主面に対物電極４が露出してい
る。被検査物としてのウェハＷＨは、検査の過程で対物
電極４が露出する面に対向して置かれるので、ウェハＷ
Ｈは配線フィルム１を挟んで基材２とは反対側に置かれ
る。このため、これらのプローブ基板では、検査の過程
でウェハＷＨが基材２と干渉する恐れが無いという利点
がある。このことは、ウェハＷＨに多数の同一のチップ
（単位検査領域）が配列されていて、各チップ上を逐次
移動して検査する際には特に有益である。なぜならば、
開口部３を１個のチップを検査するに足る広さ、すなわ
ち１個のチップに配列するパッドが占める広さに、間隔
Ｌ1の幅だけ周囲を拡張しただけの広さに設定すること
ができ、ウェハＷＨ全体を収容するだけの広さを要しな
いからである。すなわち、プローブ基板１００およびプ
ローブ基板１０１は、そのサイズを小型化し得るという
利点を有している。
【０１３４】＜1-4.プローブ基板１００の製造方法＞図
７〜図１２は、プローブ基板１００の製造工程図であ
る。ここでは、これらの図に沿って、プローブ基板１０
０の製造工程の好ましい実施例について説明する。
【０１３５】プローブ基板１００を製造するには、ま
ず、例えばポリイミド等の電気絶縁体であって薄膜形状
のベースフィルム７を準備する。つぎに、ベースフィル
ム７の一方の主面の上に、蒸着もしくはスパッタリング
により、例えば銅またはアルミニウムから成る導電性の
金属層６ａを全面に形成する（図７）。
【０１３６】つづいて、この金属層６ａをフォトリソグ
ラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパタ
ーンを有する配線パターン６を形成する（図８）。
【０１３７】つぎに、保護膜９となるべき例えばポリイ
ミド等の樹脂膜９ａを、配線パターン６を含むベースフ
ィルム７の主面の上に、全面にわたって塗布する（図
９）。
【０１３８】その後、配線パターン６の上の所定の位置
において、フォトリソグラフィによて樹脂膜９ａを選択
的に除去することより、樹脂膜９ａに開口部１０を形成
する。このことによって、前述の保護膜９が形成される
（図１０）。この開口部１０において、配線パターン６
の表面が露出する。
【０１３９】つづいて、開口部１０を含む表面に、例え
ば金、タングステン、またはハンダ等の導電性の材料の
鍍金を施すことにより、開口部１０における配線パター
ン６の表面に、これらの金属を析出させる。このことに
よって、バンプ状の対物電極４および中継電極５を配線
パターン６の上の所定の位置に形成する（図１１）。こ
れらの対物電極４および中継電極５は、保護膜９の表面
よりも外部に突出するように形成される。この工程によ
って、ベースフィルム７の一方の主面の上に配線層８が
完成する。このことは、同時にベースフィルム７と配線
層８とを有する配線フィルム１の完成を意味する。
【０１４０】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、前述の工程で完成した配線フィルム１を、準備され
た基材２に取付ける。配線フィルム１の基材２への取付
は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系な
どの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて、配線フィ
ルム１の対物電極４および中継電極５が露出する側とは
反対の主面を、基材２の一主面に貼着することによって
行われる（図１２）。この工程によって、プローブ基板
１００が完成する。基材２を準備する工程において、開
口部３の寸法などの基材２の形状は、最終的に形成され
るすべての対物電極４が開口部３の中に位置するように
あらかじめ設定される。
【０１４１】なお、上述の金属層６ａを形成する工程
（図７）では、蒸着もしくはスパッタリングを用いて、
ベースフィルム７の主面の上に金属層６ａを形成した。
これらの蒸着あるいはスパッタリングに代えて、あらか
じめ層状に形成された銅箔などの金属層６ａをベースフ
ィルム７の一主面の全面に貼着してもよい。貼着を行う
には、例えばシリコーン樹脂などの接着剤を用いるとよ
い。
【０１４２】更に、鍍金によって金属層６ａをベースフ
ィルム７の主面上に形成してもよい。例えば、無電解鍍
金法によって銅をベースフィルム７の一主面の全面に析
出させることによって、金属層６ａを形成してもよい。
【０１４３】＜1-5.プローブ基板１０１の製造方法＞つ
ぎに、プローブ基板１０１の製造方法について説明す
る。プローブ基板１０１を製造するには、まずプローブ
基板１００の製造工程、すなわち図７〜図１２に示した
工程と同様の工程を実行する。これにつづく工程を実行
するのに先だって、例えばゴム膜などの弾性体の膜で形
成され、空気を内部に封じ込めた風船状の風袋１１をあ
らかじめ準備しておく。
【０１４４】図１３は、図１２に示した工程につづく工
程を示す工程図である。図１３に示すように、図１２に
示した工程が終了した後に、あらかじめ準備された風袋
１１を開口部３へ挿入し、配線フィルム１の上方主面の
上に載置する。その後風袋１１を、配線フィルム１の上
方主面に接着剤を用いて接着してもよい。なお、プロー
ブ基板１０１の製造方法では、基材２を準備する工程に
おいて、開口部３の寸法などの基材２の形状が、最終的
に風袋１１が配線フィルム１に載置されたときに、前述
の間隔Ｌ1と間隔Ｌ2との間の関係が、Ｌ1＞Ｌ2となるよ
うにあらかじめ設定される。
【０１４５】以上に述べたように、プローブ基板１００
およびプローブ基板１０１は、半導体集積回路を半導体
ウェハ上に製造する、いわゆるウェハプロセスと同様の
工程で製造することができる。このため、密度が高く個
数の多いパッドを有するウェハＷＨなどの被検査物に対
応して、高密度でかつ個数の多い対物電極４および配線
パターン６が配設されたプローブ基板１００、１０１
を、容易にかつ安価に製造することが可能である。すな
わち、プローブ基板１００、１０１は、今後ますます進
行することが予想されるウェハＷＨ、マルチチップモジ
ュール等の被測定物における多パッド化および高密度パ
ッド化にも、容易に対応し得るという優れた利点を有し
ている。
【０１４６】しかも、配線パターン６の上に突起状に形
成される対物電極４は、保護膜９の上から頭を幾分突出
しておれば十分であり、従来のプローブカードにおける
探針のように細長く形成される必要はない。このため、
例えば作業者が対物電極４に触れることがあっても、対
物電極４が破損に至ることはまず有り得ない。すなわ
ち、プローブ基板１００、１０１は、従来の探針とは異
なって、対物電極４が破損し難いという利点を有してい
る。また、例えば作業者が不注意により対物電極４に汚
れを付着させた場合においても、対物電極４を破損する
ことなく洗浄することによって、この汚れを除去するこ
とが可能である。特に、対物電極４が鍍金によって形成
されるこの実施例の製造方法では、対物電極４と配線パ
ターン６との間の結合強度が高いので、対物電極４が一
層破損し難いという利点がある。対物電極４が破損し難
いので、プローブ基板１００、１０１を用いることによ
って、検査に要するコストを更に低減することが可能で
ある。
【０１４７】＜1-6.プローブ基板１００の変形例＞プロ
ーブ基板１００、１０１の形状は、必ずしも矩形である
ことを要しない。図１４は、円形の平板形状を有するプ
ローブ基板１００ｂの外観斜視図であり、図１５はその
底面図である。
【０１４８】プローブ基板１００ｂは、配線フィルム１
ｂが基材２ｂの底面に取り付けられた構造を有する。基
材２ｂの形状は、中央部分に開口部３ｂを有する平板形
状である。配線フィルム１ｂの開口部３ｂに相当する領
域には、対物電極４ｂが配設されており、配線フィルム
１ｂの周辺部分には中継電極５ｂが配設されている。図
１５に示す例では、中継電極５ｂは配線フィルム１の全
周に沿って配設されている。配線フィルム１ｂには、対
物電極４ｂと中継電極５ｂの間を接続する配線パターン
６ｂが更に配設されている。
【０１４９】このプローブ基板１００ｂが組み込まれる
プローブ装置では、プローブ基板１００ｂを挟持する挟
持体が、円形のプローブ基板１００ｂを挟持するのに適
した形状を有する。例えば、図４に示した挟持体１５２
と同様の形状の部材が、プローブ基板１００ｂの全周に
沿って配設されている。
【０１５０】＜２．第２実施例＞つぎに、この発明の第
２の実施例におけるプローブ基板について説明する。
【０１５１】＜2-1.プローブ基板１０２の構成と動作＞
図１６は、この実施例におけるプローブ基板１０２の正
面断面図である。プローブ基板１０２は、前述のプロー
ブ基板１００において、基材２の代わりに、その周辺部
において配線フィルム１が貼着されている側とは反対の
側に屈曲した基材２０を備え、それに伴って、基材２０
に沿う配線フィルム１も同様に曲折している点が異なっ
ており、その他の構成上の特徴はプローブ基板１００と
同様である。基材２０は、基材２と同様にその中央部分
に開口部２１を有しており、対物電極４は開口部２１の
直下に位置している。一方、中継電極５は、配線フィル
ム１の曲折した領域に設けられている。すなわち、中継
電極５は配線フィルム１上の対物電極４が配設される
面、すなわち図１６における配線フィルム１の底面より
も、上方に後退した位置に設けられる。
【０１５２】基材２０の屈折部分の外側の稜線におい
て、適度な径を有する円弧面２０ｒが形成されている。
このため、基材２０に沿って配線フィルム１が曲折して
いても、配線フィルム１を構成する配線パターン６等が
破損する恐れがない。更に、配線フィルム１が基材２０
に沿って屈曲し易いので、配線フィルム１と基材２０と
が密着し易いという利点がある。
【０１５３】プローブ基板１０２は以上のように構成さ
れているので、対物電極４が被検査物のパッドに当接し
たときに、中継電極５が被検査物の表面から一定の間隔
をもって離隔する。このため、例えば多数の半導体チッ
プが配列するウェハＷＨのように、複数の同一の単位検
査領域が被検査物の中に配列していて、各単位検査領域
を移動しつつ逐次検査を実行する場合に、中継電極５が
被検査物と干渉し合う恐れが無いという利点がある。
【０１５４】図１７は、試験装置の信号配線と中継電極
５との接続部分を示すプローブ基板１０２の正面図であ
る。外部の試験装置の信号配線１９０の端部が、ハンダ
付けによって中継電極５に接続されている。信号配線１
９０に外部から張力が作用しても、ハンダ１９１が剥離
したり、ハンダ１９１において信号配線１９０が断線す
ることがないように、ハンダ１９１に近い信号配線１９
０の一部が固定金具１９２によって基材２０に固定され
ている。なお、この例のように、中継電極５と信号配線
１９０とがハンダ付けによって接続される場合には、中
継電極５は、必ずしも突起状である必要はない。すなわ
ち、配線パターン６の所定の部位に設けられた開口部１
０において、配線パターン６の表面が露出しておれば、
この露出部分と信号配線１９０とをハンダ付けによって
接続することが可能である。この発明では、信号配線１
９０と接続されるべき上記の露出する部分をも含めて、
「中継電極」と称している。
【０１５５】図１８は、信号配線１９０と中継電極５と
の接続部分のもう一つの例を示すプローブ基板１０２の
斜視図である。この例では、信号配線１９０と中継電極
５との接続は、圧接金具１９３を介して行われる。信号
配線１９０の端部には圧着端子１９５が接続されてお
り、ボルト１９４が、この圧着端子１９５と圧接金具１
９３とを、いわゆる共締めによって基材２０に固定して
いる。圧接金具１９３は、圧接金具１９３自身の弾性に
よって中継電極５の頭部に圧接されることにより、中継
電極５と電気的に接続される。この例の場合には、中継
電極５は突起状であることが必要である。
【０１５６】以上のように、信号配線１９０が中継電極
５と接続されるために、配線フィルム１上における中継
電極５が位置する部位では、中継電極５の頭部よりも更
に高く、信号配線１９０の径、ハンダ１９１の盛り厚
さ、あるいは固定金具１９２の厚さの分だけ、これらの
部材が外部へ突出する。プローブ基板１０２では、中継
電極５が配線フィルム１上の対物電極４が配設される面
よりも、上方に後退した位置に設けられるので、これら
の突出した接続部分が被検査物の表面と干渉する恐れが
無い。すなわち、中継電極５と信号配線１９０との接続
を、被検査物との干渉を防止しつつ、容易に実現するこ
とができる。
【０１５７】また、突出した接続部分が被検査物の表面
と干渉する恐れがないので、これらの接続部分の表面を
必ずしも絶縁材で保護しなくてもよい。この意味でも、
中継電極５と信号配線１９０との接続が容易であるとい
える。
【０１５８】＜2-2.プローブ基板１０３＞つぎに、屈曲
した基材を用いたプローブ基板のもう一つの例について
説明する。図１９は、このような例の一つであるプロー
ブ基板１０３の正面断面図である。プローブ基板１０３
では、基材２２の周辺部分が底面に対して１８０゜まで
屈曲しており、中継電極５は、被検査物に対向する底面
とは反対の上方に向いた面の上に位置する。このため、
このプローブ基板１０３では、中継電極５あるいは中継
電極５と信号配線１９０との接続部分が、被検査物の表
面と干渉しないだけではなく、中継電極５と信号配線１
９０とを接続する作業、あるいは接続を解除する作業が
遂行し易いという利点がある。
【０１５９】＜2-3.プローブ基板１０４＞つぎに、屈曲
した基材を用いたプローブ基板の更に別の例であるプロ
ーブ基板１０４について説明する。図２０は、このプロ
ーブ基板１０４の正面断面図である。プローブ基板１０
４では、基材２４は、基材２と同様に周辺部分が屈曲し
ておらず、平板形状を成している。そして配線フィルム
１の周辺部分は、基材２４の底面から側面および上面に
沿って曲折している。中継電極５は、基材２４の上面に
沿った配線フィルム１の領域に配設されている。配線フ
ィルム１が曲折する部位において、配線パターン６等が
破損しないように、配線フィルム１に当接する基材２４
の辺縁部２４ａ、２４ｂは、緩やかな円弧状の曲面を成
している。
【０１６０】この例においても、中継電極５は、被検査
物に対向する底面とは反対の上方に向いた面の上に位置
するので、プローブ基板１０３と同様の効果を奏する。
更に加えて、このプローブ基板１０４では、基材２４を
屈曲させる必要がないので、製造が容易であるという利
点がある。
【０１６１】＜2-4.プローブ基板１０５〜１０７＞つぎ
に、プローブ装置との接続部分に特徴を有するプローブ
基板１０３〜１０５の変形例であるプローブ基板１０５
〜１０７について説明する。図２１〜図２３は、これら
のプローブ基板１０５〜１０７の正面断面図である。こ
れらの図に示すように、プローブ基板１０５〜１０７
は、プローブ装置の部材である基板保持部材１７０にネ
ジで締結されている。そのために、基材２６、２８、３
０は、前述の基材２０、２２、２４に、それぞれネジ孔
が設けられた構造を有する。また、ネジ孔が設けられる
ために、基材２６、２８、３０にはある程度の厚さが要
求され、その厚さは例えば５ｍｍ程度である。
【０１６２】基板保持部材１７０は、前述のプローブ装
置１５０におけるピン１５３に固定的に連結されてい
る。すなわち、プローブ基板１０５〜１０７が組み込ま
れたプローブ装置においては、前述のプローブ装置１５
０における挟持体１５２は必要とされない。
【０１６３】＜2-5.プローブ基板１０２の製造方法：そ
の１＞ここでは、プローブ基板１０２について、その製
造方法の一例を説明する。まず、前述の図７〜図１１に
示した工程と同様の工程を実行する。これにつづく工程
を実行するのに先だって、基材２０をあらかじめ準備し
ておく。基材２０は、前述のようにアルミニウム等で構
成され、中央部に開口部２１を有し、周辺部において屈
曲している。基材２０は、前述の平板形状の基材２の周
辺部を折り曲げ加工することによって得ることができ
る。
【０１６４】図２４は、図１１に示した工程を終了した
後のプローブ基板１０２の製造工程を示す。この図に示
すように、図１１に示した工程を終了した後、準備され
た基材２０の屈曲した外側の面に、配線フィルム１の対
物電極４等が露出する側とは反対の主面を貼着する。貼
着は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系
などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて行われ
る。この最終工程によって、プローブ基板１０２が完成
する。基材２０を準備する工程において、開口部２１の
寸法などの基材２０の形状は、最終工程を終了したとき
にすべての対物電極４が開口部２１の中に位置するよう
にあらかじめ設定される。
【０１６５】基材２０を準備する工程において、平板形
状の基材２に折り曲げ加工を施すことによって基材２０
を得る方法では、屈折部分における外側の稜線が鋭く折
れ曲がることなく、必然的に所定の径の円弧面２０ｒを
形成し得るという利点がある。しかも、屈曲部を有する
基材２０を最も簡単に得ることができるという利点もあ
る。
【０１６６】折り曲げ加工によらない方法、例えば基材
２０が合成樹脂で構成され、屈曲部を有する金型を用い
て基材２０を形成する場合には、基材２０が円弧面２０
ｒを有するように、円弧面２０ｒに対応した内面形状を
有する金型を準備する必要がある。
【０１６７】＜2-6.プローブ基板１０２の製造方法：そ
の２＞つぎに、プローブ基板１０２について、その製造
方法のもう一つの例を説明する。まず、前述の図７〜図
１１に示した工程と同様の工程を実行する。これにつづ
く工程を実行するのに先だって、基材２０ａをあらかじ
め準備しておく。基材２０ａは、前述の基材２と同様に
構成される。すなわち、基材２０ａは、アルミニウム等
で構成され、中央部に開口部２１を有する平板形状を成
す。
【０１６８】図２５および図２６は、図１１に示した工
程を終了した後のプローブ基板１０２の製造工程を示
す。まず図２５に示すように、図１１に示した工程を終
了した後、準備された基材２０ａの一主面に、配線フィ
ルム１における対物電極４等が露出する側とは反対の主
面を貼着する。貼着は、例えばシリコーン系、エポキシ
系、ポリイミド系などの接着剤、あるいは低融点ガラス
を用いて行われる。
【０１６９】つぎに、配線フィルム１が貼着された状態
で、配線フィルム１が貼着されている側とは反対の方向
に、基材２０ａの周辺部を折り曲げる加工を施す。これ
によって、基材２０ａから周辺部に曲折部分を有する基
材２０が形成される（図２６）。配線フィルム１は基材
２０に貼着されたままであるので、配線フィルム１も同
様に基材２０の表面に沿って屈折する。この最終工程に
よって、プローブ基板１０２が完成する。基材２０ａを
準備する工程において、開口部２１の寸法などの基材２
０ａの形状は、最終工程終了時にすべての対物電極４が
開口部２１の中に位置するように設定される。
【０１７０】なお、図２６に示したように、平板形状の
基材２０ａに折り曲げ加工を施すことによって基材２０
が得られるので、屈折部分における外側の稜線が鋭く折
れ曲がることなく、必然的に所定の径の円弧面２０ｒを
形成し得るという利点がある。
【０１７１】＜2-7.プローブ基板１０３、１０４の製造
方法＞つぎに、プローブ基板１０３、１０４について、
その製造方法の例を説明する。プローブ基板１０３の製
造方法がプローブ基板１０２の製造方法と異なる点は、
プローブ基板１０３の基材２２（図１９）を形成する工
程において、平板形状の基材２０を１８０゜にまで折り
曲げる点にあり、その他の工程は同様である。
【０１７２】また、プローブ基板１０４の製造方法で
は、プローブ基板１０２の製造方法と同様の工程によっ
て配線フィルム１を作成する。それにつづく工程に先だ
って、屈曲部を有しない基材２４（図２０）をあらかじ
め準備しておく。基材２４を準備するこの工程におい
て、基材２４の辺縁部２４ａ、２４ｂには、緩やかな円
弧状の曲面が形成される。その後、配線フィルム１を準
備された基材２４の底面から側面および上面に沿って、
巻き付けるように貼着する。この最終工程によってプロ
ーブ基板１０４が完成する。
【０１７３】＜2-8.プローブ基板１０５〜１０７の製造
方法＞プローブ基板１０５（図２１）の製造は、プロー
ブ基板１０２（図１６）の製造方法において、基材２０
にネジ孔を設ける工程を付加することによって可能であ
る。基材２０にネジ孔を設けることによって、基材２６
が出来上がる。ネジ孔を基材２０に設ける工程は、基材
２０または基材２０ａを準備する工程（図２４または図
２５）ないし、それ以降において実行される。
【０１７４】プローブ基板１０６（図２２）および１０
７（図２３）の製造も、同様にそれぞれプローブ基板１
０３（図１９）および１０４（図２０）の製造方法にお
いて、基材２２および基材２４にネジ孔を設ける工程を
付加することによって可能である。
【０１７５】＜第３実施例＞図２７は、プローブ基板と
付勢ユニットのもう一つの例を示す正面断面図である。
プローブ基板１０８は、プローブ基板１０２（図１６）
とは、基材３２の形状のみが異なっている。すなわち、
配線フィルム１が貼着される基材３２の底面が周辺部に
おいて屈曲している点は基材２０と同様であるが、基材
３２の上面は基材２０とは異なって平坦である。このた
め、プローブ基板１０８をプローブ装置へ組み込むため
に用いられる基板保持部材を、基板保持部材１７０（図
２１）よりも簡単な形状とすることが可能である。
【０１７６】基材３２は、基材２０と同様にその中央部
分に開口部２１を有している。この開口部２１には、付
勢ユニット（付勢手段）１６２が設けられている。付勢
ユニット１６２は、以下のように構成される。
【０１７７】すなわち、開口部２１の上方には、開口部
２１を覆うように密壁（流体密壁）２００が設けられて
いる。密壁２００は、金属板などの剛性を有する板材で
あってもよいし、ゴム膜等の弾性体の膜体であってもよ
い。密壁２００と配線フィルム１は、開口部２１の上方
および下方をそれぞれ封鎖し、内部に空気室（流体室）
２０１を形成する。密壁２００の一部には空気加圧装置
（流体供給手段）２０２が挿入されており、この空気加
圧装置２０２は空気室２０１と連通している。空気室２
０１は、外部からは気密に保たれている。
【０１７８】空気加圧装置２０２は、空気を加圧して供
給する装置であり、空気加圧装置２０２が備える噴出筒
２０３の先端部から、加圧された空気を噴き出す。空気
加圧装置２０２が動作することによって、空気室２０１
が加圧された空気で満たされる。空気室２０１の空気圧
は、例えば約５００ｇ／ｃｍ2以上となるように保たれ
る。その結果、開口部２１に面する配線フィルム１が、
下方向に押圧される。すべての対物電極４は、配線フィ
ルム１の開口部２１に面する領域内に配設されているの
で、すべての対物電極４が被検査物としてのウェハＷＨ
の表面に押圧力をもって付勢される。しかも、配線フィ
ルム１が空気の圧力によって押圧されるために、すべて
の対物電極４に作用する押圧力は、互いに一様である。
このため、対物電極４とパッドとの間の接触抵抗が低減
され、これらの間に良好な電気的接触が実現する。
【０１７９】空気加圧装置２０２は、加圧空気を供給す
るだけではなく、加圧空気に超音波振動を付与する機能
をも備える。このため、空気室２０１を満たす加圧空気
が、超音波振動する。加圧空気の超音波振動は、更に、
配線フィルム１を介して対物電極４にも伝達するので、
対物電極４が当接するパッドの表面に形成される酸化
膜、その他の汚染物等が除去される。その結果、対物電
極４とパッドとの間の接触抵抗を一層低減することがで
き、更に良好な電気的接触が実現する。このため、ウェ
ハＷＨの検査を一層精度良く行うことが可能である。
【０１８０】なお、空気室２０１に供給される媒質は、
空気の他に、例えば窒素、アルゴン、その他の一般の気
体でもよく、更に水、フロリナート、ゼリー等の液体で
もよい。
【０１８１】また、プローブ基板１０８の代わりに、プ
ローブ基板１００、１０２〜１０７を用いることも可能
であり、この場合にも同様の効果を奏する。
【０１８２】＜第４実施例＞ ＜4-1.付勢ユニットが密閉容器を備える例：その１＞図
２８は、プローブ基板と付勢ユニットにおける更に別の
例を示す正面断面図である。この例では、プローブ基板
には前述のプローブ基板１００（図３）が用いられる。
この例における付勢ユニットは、密閉容器（流体密閉容
器）１６３を有する。この密閉容器１６３では、剛性を
有する金属または合成樹脂等で構成される容器本体２０
６の一端面（図２８における底面）が開口しており、こ
の開口部を覆うようにゴムなどの弾性体で構成される弾
性膜体２０７が設けられている。密閉容器１６３は、そ
の内部に外部と気密が保たれた空気室２０８を規定す
る。空気室２０８には、加圧された空気が封入されてい
る。弾性膜体２０７は、空気室２０８に封入された空気
の圧力によって、密閉容器１６３の外部、すなわち図２
８における下方向に向かって、幾分凸状となっている。
【０１８３】密閉容器１６３は、基材２と固定的に連結
するようにプローブ装置に備わる部材（図示しない）に
固定されている。このため、空気室２０８に密封される
加圧空気の圧力によって、開口部２１に面する配線フィ
ルム１が、下方向に押圧される。すべての対物電極４
は、配線フィルム１の開口部２１に面する領域内に配設
されているので、すべての対物電極４が被検査物として
のウェハＷＨの表面に押圧力をもって付勢される。しか
も、配線フィルム１が空気の圧力によって押圧されるた
めに、すべての対物電極４に作用する押圧力は、互いに
一様である。このため、対物電極４とパッドとの間の接
触抵抗が低減され、これらの間に良好な電気的接触が実
現する。
【０１８４】なお、付勢ユニットは、密閉容器１６３が
基材２と固定的に連結することなく、密閉容器１６３の
上部に加圧部材を有し、この加圧部材によって密閉容器
１６３の上面が下方向に押圧されるように構成してもよ
い。この加圧部材は、例えば相応の自重をもった錘体で
あって、その自重によって密閉容器１６３を押圧するも
のであってもよい。あるいは、加圧部材が設けられるこ
となく、密閉容器１６３自身が相応の自重を有してい
て、密閉容器１６３と基材２が固定的に連結しなくと
も、その自重によって配線フィルム１を下方向へ押圧す
るように密閉容器１６３が構成されてもよい。
【０１８５】また、空気室２０８に封入される媒質は、
空気の他に、例えば窒素、アルゴン、その他の一般の気
体でもよく、更に水、フロリナート、ゼリー等の液体で
もよい。媒質が液体である場合には、媒質の圧力は弾性
膜体２０７の弾性力によって保持される。更に、プロー
ブ基板１００の代わりに、プローブ基板１０２〜１０８
を用いることも可能であり、これらの場合にも同様の効
果を奏する。
【０１８６】＜4-2.付勢ユニットが密閉容器を備える
例：その２＞図２９は、付勢ユニットが密閉容器を備え
る更に別の例を示す正面断面図である。この例では、プ
ローブ基板には前述のプローブ基板１０２（図１６）が
用いられている。この例における付勢ユニットは、密閉
容器１６４とこれに接続する圧力調整器（圧力調整手
段）２１３とを有する。この密閉容器１６４は、前述の
密閉容器１６３と同様の構成であるが、容器本体２１０
の一部に圧力調整器２１３の先端部が挿入されている点
が異なる。圧力調整器２１３は、密閉容器１６４の内部
に規定される空気室２１２に連通しており、空気室２１
２に封入される空気の圧力を調整する。
【０１８７】この実施例では、圧力調整器２１３が設け
られているので、空気室２１２に密封される空気の圧力
を、検査対象物に応じて変えることができるとともに、
所定の圧力値に常に維持することが可能である。このた
め、常に適正な押圧力をもって対物電極４を被検査物の
パッドに押圧付勢することが可能である。したがって、
精度の高い検査を実行することが可能である。
【０１８８】なお、空気室２１２に封入される媒質は、
空気の他に、例えば窒素、アルゴン、その他の一般の気
体でもよく、更に水、フロリナート、ゼリー等の液体で
もよい。更に、プローブ基板１０２の代わりに、プロー
ブ基板１００、１０３〜１０８を用いることも可能であ
り、この場合にも同様の効果を奏する。
【０１８９】＜4-3.付勢ユニットが密閉容器を備える
例：その３＞図３０は、付勢ユニットが密閉容器を備え
る更に別の例を示す正面断面図である。この例では、プ
ローブ基板には前述のプローブ基板１００（図３）が用
いられている。この例における付勢ユニットは、密閉容
器１６５と、これに接続する温度調節器２１７（温度調
節手段）２１７および超音波発生器（超音波発生手段）
２１８を有する。この密閉容器１６５は、前述の密閉容
器１６３と同様の構成であるが、容器本体２１４の一部
に温度調節器２１７の先端部および超音波発生器２１８
が挿入されている点が異なる。温度調節器２１７は、密
閉容器１６５の内部に規定される空気室２１６に連通し
ており、空気室２１６に封入される空気の温度を調整す
る。温度調節器２１７は、空気室２１６の空気を吸入
し、冷却または加熱して空気室２１６に戻すことによっ
て、空気室２１６の空気の温度を一定に保持する。超音
波発生器２１８は、空気室２１６に封入される空気に超
音波振動を付与する。
【０１９０】この実施例では、外気温度等に変化があっ
ても温度調節器２１７の働きにより、空気室２１６に封
入される空気の温度が一定に保たれるので、空気室２１
６の空気圧が一定に保持される。特に、空気室２１６の
空気に超音波が付与されることによる空気の温度上昇を
防止することができるという利点がある。すなわち、温
度調節器２１７は超音波発生器２１８とともに使用され
ることによって、特にその効果を発揮する。
【０１９１】この実施例では、空気室２１６の空気の圧
力が常に一定に保持されるので、常に一定の押圧力をも
って対物電極４を被検査物のパッドに押圧付勢すること
が可能である。したがって、精度の高い検査を実行する
ことが可能である。
【０１９２】また、超音波発生器２１８の働きで空気室
２０６に封入される空気が超音波振動を行うので、対物
電極４が当接する被検査物のパッドの表面に形成される
酸化膜、その他の汚染物等が除去される。その結果、対
物電極４とパッドとの間の接触抵抗を一層低減すること
ができ、更に良好な電気的接触が実現する。このため、
ウェハＷＨ等の検査を一層精度良く行うことが可能であ
る。
【０１９３】なお、空気室２１６に封入される媒質は、
空気の他に、例えば窒素、アルゴン、その他の一般の気
体でもよく、更に水、フロリナート、ゼリー等の液体で
もよい。更に、プローブ基板１００の代わりに、プロー
ブ基板１０２〜１０８を用いることも可能であり、この
場合にも同様の効果を奏する。
【０１９４】＜4-4.付勢ユニットが密閉容器を備える
例：その４＞図３１は、付勢ユニットが密閉容器を備え
る更に別の例を示す正面断面図である。この実施例で
は、プローブ基板には前述のプローブ基板１０２（図１
６）が用いられている。また、付勢ユニットは、密閉容
器１６３に加えて、密閉容器１６３と基材２０の間に設
けられる気密隔壁２２０を備えている。気密隔壁２２０
は、内部に気密室２２１を規定する。この気密室２２１
は、外気から気密に保たれており、基材２０の開口部２
１を含んでいる。更に、気密室２２１は外気の圧力より
も低い圧力に減圧されている。
【０１９５】気密室２２１の内圧が外気圧よりも低く保
たれているので、弾性膜体２０７と開口部２１に面する
配線フィルム１との間の密着性が良好である。このた
め、空気室２０８の加圧空気による押圧力が、すべての
対物電極４により一層均等に伝達される。このため、こ
の実施例のプローブ基板と付勢ユニットを組み込んだプ
ローブ装置を用いることにより、精度の高い検査を実行
することが可能である。
【０１９６】なお、いうまでもなくプローブ基板１０２
の代わりに、プローブ基板１００、１０３〜１０８を用
いることも可能であり、この場合にもこの実施例と同様
の効果を奏する。
【０１９７】＜第５実施例＞ ＜5-1.プローブ基板１０９の構造と動作＞図３２は、プ
ローブ基板の更に別の例を示す正面断面図である。この
実施例におけるプローブ基板１１０は、プローブ基板１
００（図３）と同様の構成であるが、バンプ状の対物電
極３４が導電体で構成されるだけでなく、特に磁性体を
有する点を特徴としている。対物電極３４は、例えば
鉄、あるいは金、タングステン、ハンダ等に鉄粉が混入
された材料で構成される。この実施例の付勢ユニット
は、電磁石（対物電極吸引手段）２２２を備えている。
電磁石２２２は、対物電極３４の直下にウェハＷＨ、ウ
ェハステージ１５７、および可動テーブル１５８を間に
挟んで設置される。
【０１９８】電磁石２２２に電流が導通すると、この電
磁石２２２は磁性体を有する対物電極３４に下方向へ向
かう吸引力を及ぼす。対物電極３４は、配線フィルム１
の開口部３に面する領域に配置されているので、配線フ
ィルム１がたわむことによって、上下方向にはある程度
自由に動くことができる。このため、磁気的吸引力によ
って対物電極３４が、検査対象物であるウェハＷＨのパ
ッドに押圧付勢される。しかも、各対物電極３４には押
圧力が均等に作用する。このため、対物電極４とパッド
との間の接触抵抗が低減され、これらの間に良好な電気
的接触が実現するので、ウェハＷＨ等の検査を精度良く
行うことが可能である。
【０１９９】また、電磁石２２２が、吸引力のもととな
る磁気を発生する直流型の電磁石の他に、インダクタン
スがこれよりも小さい交流型の電磁石をも備えることに
よって、対物電極３４に超音波振動を付与することも可
能である。この交流型の電磁石には、超音波に相当する
周波数の交流電流が印加される。対物電極３４に超音波
振動が付与されると、対物電極４が当接するパッドの表
面に形成される酸化膜、その他の汚染物等が除去されの
で、対物電極４とパッドとの間の接触抵抗を一層低減す
ることができ、更に良好な電気的接触が実現する。この
ため、ウェハＷＨの検査を一層精度良く行うことが可能
である。
【０２００】電磁石２２２の代わりに、永久磁石を使用
してもよい。しかしながら、検査の過程においては、対
物電極３４への押圧力の付加および解除を適宜行う必要
がある。その点、電磁石２２２には、電流を通電および
遮断することによって、容易に押圧力の付加および解除
を行い得るという利点がある。また、電流の大きさを調
整することによって、押圧力の大きさを容易に調整する
ことができるという利点もある。更に、対物電極３４に
超音波振動を付与することも、交流電流を付与すること
によって容易に可能であるという利点がある。電磁石２
２２の代わりに、永久磁石を使用する場合には、押圧力
の付加および解除を行うためには、この永久磁石を例え
ば対物電極３４に対して接近および離隔させる機械的機
構を更に必要とする。また、更に対物電極３４に超音波
振動を付与するために、この永久磁石を例えば鉛直方向
に超音波振動させるとするならば、そのための機械的機
構が更に必要となる。
【０２０１】＜5-2.プローブ基板１０９ａの構造と動作
＞図３３は、プローブ基板と付勢ユニットにおける更に
別の例を示す正面断面図である。この実施例におけるプ
ローブ基板１０９ａは、プローブ基板１００（図３）と
同様の構成であるが、開口部３に面する配線フィルム１
の上に磁性押圧部材２２３が載置されている点が異な
る。磁性押圧部材２２３は磁性体を有する部材であり、
例えば鉄粉を封入した風袋、鉄粉が混入されたシリコー
ン樹脂などの、変形が比較的自在である柔軟な部材であ
ることが望ましい。
【０２０２】また、付勢ユニットは上述の例と同様に、
電磁石２２２を備えている。電磁石２２２は、対物電極
３４の直下にウェハＷＨ、ウェハステージ１５７、およ
び可動テーブル１５８を間に挟んで設置される。
【０２０３】電磁石２２２に電流が導通すると、この電
磁石２２２は磁性押圧部材２２３に下方向へ向かう吸引
力を及ぼす。この吸引力によって、開口部３に面する配
線フィルム１が下方向に押圧される。すべての対物電極
４は、配線フィルム１の開口部３に面する領域内に配設
されているので、すべての対物電極４がウェハＷＨの表
面に押圧力をもって付勢される。このため、対物電極４
とウェハＷＨのパッドとの間の接触抵抗が低減され、こ
れらの間に良好な電気的接触が実現する。
【０２０４】特に、磁性押圧部材２２３が、柔軟な部材
で構成される場合には、すべての対物電極４に作用する
押圧力は、互いに一様である。このため、対物電極４と
パッドとの間に更に良好な電気的接触が実現する。
【０２０５】また、電磁石２２２が、交流型の電磁石を
備え、超音波に相当する周波数の交流電流を通電するこ
とによって、磁性押圧部材２２３に超音波振動を付与す
ることも可能である。磁性押圧部材２２３の超音波振動
は、対物電極３４に伝達されるので、対物電極４とパッ
ドとの間の接触抵抗を一層低減することができ、更に良
好な電気的接触が実現する。また、電磁石２２２の代わ
りに、永久磁石を用いてもよい。
【０２０６】＜5-3.プローブ基板１０９の製造方法＞つ
ぎに、プローブ基板１０９の製造方法について説明す
る。プローブ基板１０９を製造するには、まずプローブ
基板１００の製造工程、すなわち図７〜図１０に示した
工程と同様の工程を実行する。
【０２０７】つづいて、図３４に示すように、対物電極
３４が形成されるべき開口部１０に磁性体の金属を鍍金
することにより、この開口部１０における配線パターン
６の表面にこの金属を析出させる。このことによって、
バンプ状の対物電極３４を配線パターン６の上の所定の
位置に形成する。
【０２０８】つぎに、図３５に示すように、中継電極５
が形成されるべき開口部１０に、例えば金、タングステ
ン、またはハンダ等の導電性の材料の鍍金を施すことに
より、この開口部１０における配線パターン６の表面に
これらの金属を析出させる。このことによって、バンプ
状の中継電極５を配線パターン６の上の所定の位置に形
成する。
【０２０９】これらの対物電極３４および中継電極５
は、保護膜９の表面よりも外部に突出するように形成さ
れる。この工程によって、ベースフィルム７の一方の主
面の上に配線層３５が完成する。このことは、同時にベ
ースフィルム７と配線層３５とを有する配線フィルム３
６の完成を意味する。
【０２１０】これにつづく工程を実行するのに先だっ
て、例えばアルミニウムなどで構成され開口部３を有す
る平板形状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうし
ておいて、前述の工程で完成した配線フィルム３６を、
準備された基材２に取付ける。配線フィルム３６の基材
２への取付は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリ
イミド系などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用い
て、配線フィルム３６の対物電極３４および中継電極５
が露出する側とは反対の主面を、基材２の一主面に貼着
することによって行われる（図３６）。この工程によっ
て、プローブ基板１０９が完成する。基材２を準備する
工程において、開口部３の寸法などの基材２の形状は、
最終的に形成されるすべての対物電極３４が開口部３の
中に位置するようにあらかじめ設定される。
【０２１１】＜5-4.プローブ基板１０９ａの製造方法＞
つぎに、プローブ基板１０９ａの製造方法について説明
する。プローブ基板１０９ａを製造するには、まずプロ
ーブ基板１００の製造工程、すなわち図７〜図１２に示
した工程と同様の工程を実行する。すなわち、まずプロ
ーブ基板１００（図３）を作成する。
【０２１２】これにつづく工程を実行するのに先だっ
て、磁性押圧部材２２３をあらかじめ準備する。磁性押
圧部材２２３は、前述のように磁性体を有する部材であ
り、例えば鉄粉を封入した風袋、鉄粉が混入されたシリ
コーン樹脂などの、変形が比較的自在である柔軟な部材
であることが望ましい。
【０２１３】図３７は、図１１に後続する工程を示す工
程図である。図３７に示すように、図１１に示した工程
が終了し、プローブ基板１００が完成した後、あらかじ
め準備された磁性押圧部材２２３を開口部３に挿入し、
開口部３に面する配線フィルム１の上に載置する。
【０２１４】＜第６実施例＞ ＜6-1.プローブ基板１１０の構成と動作＞図３８は、更
に別の実施例におけるプローブ基板の正面断面図であ
る。この実施例のプローブ基板１１０は、対物電極３９
と中継電極４０とが、配線フィルム４４において互いに
反対側の主面に露出する点が特徴的である。配線フィル
ム４４が貼着される基材４６は、基材２と同様に一定の
剛性を有する材料、例えばアルミニウム、鉄などの金
属、または合成樹脂等で構成される。基材４６の形状
は、中央部分に開口部４７を有する平板形状である。配
線フィルム４４の開口部４に相当する領域には、開口部
４７に面して対物電極３９が配設されている。配線フィ
ルム１の基材４６が位置する領域には、基材４６とは反
対側に中継電極４０が配設されている。配線フィルム４
４の基材４６とは反対側に、更に配線パターン４１が配
設されており、この配線パターン４６は対物電極３９と
中継電極４０の間を電気的に接続している。
【０２１５】配線フィルム４４は、ベースフィルム３８
と、配線層４５とを有している。配線層４５は、主とし
てベースフィルム３８に沿って形成され、対物電極３９
が配置される部位においては、ベースフィルム３８を貫
通して設けられている。ベースフィルム３８は、好まし
くはポリイミド、ポリエステル等の耐熱性および機械的
強度に優れ、電気絶縁性の合成樹脂で構成され、その厚
さは、例えば２５μｍ程度である。
【０２１６】配線層４５は、前述の対物電極３９、中継
電極４０、配線パターン４１に加えて、保護膜４２、４
３を有している。配線パターン４１は、例えば銅、アル
ミニウムなどの導電性の材料で構成され、ベースフィル
ム７の上方主面の上に、保護膜４２を間に介して形成さ
れている。配線パターン４１の厚さは、例えば３μｍ程
度である。ベースフィルム３８の下方主面の上を覆うよ
うに、保護膜４３が形成されている。保護膜４２、４３
は、例えばポリイミド等の電気絶縁性の合成樹脂で構成
され、その厚みは、例えば２〜１０μｍ程度である。ベ
ースフィルム３８および保護膜４２、４３は、対物電極
３９が配置される部位において開口している。対物電極
３９は、この開口部を貫通して配線パターン４１と電気
的に接続されている。
【０２１７】対物電極３９および中継電極４０は、導電
性の材料、例えば金、タングステン、ハンダ等で構成さ
れた突起状の電極であって、その高さは、例えば２０μ
ｍ程度である。突起の頭部は、外部へ露出している。
【０２１８】＜6-2.プローブ基板１１０を用いたプロー
ブ装置の一例＞図３９は、プローブ基板１１０が組み込
まれたプローブ装置の主要部の一例を示す正面断面図で
ある。このプローブ装置２２４は、付勢ユニットとして
気密容器２２５および減圧ポンプ（減圧手段）２２７と
を備えている。気密容器２２５は、上端面が開口した容
器であって、この上端面がプローブ基板１１０によって
外気から気密を保持するように閉鎖されている。気密容
器２２５には、被検査物としてのウェハＷＨを載置する
ウェハステージ２２６が、鉛直方向に摺動自在に取り付
けられている。このウェハステージ２２６と気密容器２
２５の間も、気密が保持されている。すなわち、気密容
器２２５は、外部から気密が保たれた気密室２２８をそ
の内部に規定する。
【０２１９】気密容器２２５には更に、気密室２２８に
連通する減圧ポンプ２２７が取り付けられている。減圧
ポンプ２２７は、気密室２２８の空気を減圧する。ウェ
ハステージ２２６は、外部の昇降機構によって鉛直方向
に適宜駆動される。すなわち、検査を実行するときに
は、ウェハＷＨをプローブ基板１１０に当接させ、検査
が終了した後には、プローブ基板１１０から離隔させる
ことが可能である。
【０２２０】検査を実行する際には、プローブ基板１１
０がウェハＷＨに当接した状態において、更に減圧ポン
プ２２７が動作することにより、気密室２２８の空気が
減圧される。このため、開口部４７に面する配線フィル
ム４４が、下方向に吸引される。開口部４７に面する配
線フィルム４４は、ある程度たわむことができるので、
この部分の配線フィルム４４が吸引されることによっ
て、対物電極３９がウェハＷＨのパッドに押圧付勢され
る。しかも、各対物電極３９には押圧力が均等に作用す
る。このため、対物電極３９とパッドとの間の接触抵抗
が低減され、これらの間に良好な電気的接触が実現する
ので、ウェハＷＨ等の検査を精度良く行うことが可能で
ある。
【０２２１】プローブ基板１１０において、中継電極４
０は対物電極３９とは反対側の配線フィルム４４の主面
上に設けられているので、中継電極４０はプローブ装置
２２４の外部に露出する。このため、外部の試験装置と
中継電極４０との接続を容易に行うことができる。ま
た、中継電極４０が、配線フィルム１の基材４６が貼着
されている領域に配設されているために、中継電極４０
と接続される外部の試験装置が備える信号配線が、開口
部４７に面する配線フィルム４４に無用な荷重を印加す
る恐れが無い。このため、対物電極３９に付与される押
圧力に外乱が作用しないという利点がある。
【０２２２】なお、気密容器２２５には更に、気密室２
２８における減圧された空気に超音波振動を付与する超
音波発生器を設けることも可能である。超音波発生器を
作動させることにより、気密室２２８における減圧空気
を介して開口部４７に面する配線フィルム４４に超音波
振動が伝わるので、対物電極３９に超音波振動を付与す
ることができる。
【０２２３】＜6-3.プローブ基板１１１の構成と動作＞
つぎに、対物電極と中継電極とが、配線フィルムにおい
て互いに反対側の主面に露出するプローブ基板における
別の実施例について説明する。図４０は、この実施例に
おけるプローブ基板１１１の正面断面図である。配線フ
ィルム５３が貼着される基材５６は、基材４６同様の材
料および形状をもって構成される。配線フィルム５３の
開口部５８に相当する領域には、開口部５８とは反対側
にバンプ状の対物電極４９が配設されている。配線フィ
ルム５３の開口部５８に相当する領域には更に、開口部
５８に面して配線パターン５１が配設されている。配線
パターン５１の表面における一端部付近の部位が、中継
電極５２として機能する。
【０２２４】基材５６の上面、すなわち配線フィルム５
３が貼着される側とは反対側の面には、中継電極５２と
外部の試験装置の間を中継する、外部中継電極５５が設
けられている。外部中継電極５５は、導電体のワイヤ５
７によって中継電極５２と電気的に接続されている。
【０２２５】配線フィルム５３は、ベースフィルム４８
と、配線層５４とを有している。配線層５４は、主とし
てベースフィルム４８に沿って形成され、対物電極４９
が配置される部位においては、ベースフィルム４８を貫
通して設けられている。ベースフィルム４８は、ベース
フィルム３８と同様の材質および厚さで構成される。配
線層５４は、前述の対物電極４９、中継電極５２、配線
パターン５１に加えて、保護膜５０を有している。配線
パターン５１は、配線パターン４１と同様の材料および
厚さをもって構成され、開口部５８に面するベースフィ
ルム４８の上方主面の上に形成されている。
【０２２６】ベースフィルム４８の下方主面の上を覆う
ように、保護膜５０が形成されている。保護膜５０は、
保護膜４２、４３と同様の材料および厚さをもって構成
される。ベースフィルム４８および保護膜５０、対物電
極４９が配置される部位において開口している。対物電
極４９は、この開口部を貫通して配線パターン５１と電
気的に接続されている。対物電極４９は、対物電極３９
と同様の材料および形状で構成され、その突起の頭部は
外部へ露出している。
【０２２７】＜6-4.プローブ基板１１１を用いたプロー
ブ装置の一例＞図４１は、プローブ基板１１１が組み込
まれたプローブ装置の主要部の一例を示す正面断面図で
ある。このプローブ装置２３０は、付勢ユニットとして
気密容器２３１および減圧ポンプ（減圧手段）２３５と
を備えている。気密容器２３１は、上端面が開口した容
器であって、この上端面がプローブ基板１１１によって
外気から気密を保持するように閉鎖されている。気密容
器２３１には、被検査物としてのウェハＷＨを載置する
ウェハステージ２３２が、ベローズ２３４を介して鉛直
および水平の両方向に移動可能に取り付けられている。
ベローズ２３４の働きによって、ウェハステージ２３４
と気密容器２３１の間も、気密が保持されている。すな
わち、気密容器２３１は、外部から気密が保たれた気密
室２２８をその内部に規定する。
【０２２８】気密容器２３１には更に、気密室２３８に
連通する減圧ポンプ２３５が取り付けられている。減圧
ポンプ２３５は、気密室２３８の空気を減圧する。ウェ
ハステージ２３２は、駆動機構２３３に連結している。
この駆動機構２３３の働きによって、ウェハステージ２
３２は、鉛直方向および水平方向に適宜駆動される。例
えば、検査を実行するときには、ウェハＷＨをプローブ
基板１１１に当接させ、検査が終了した後には、プロー
ブ基板１１１から離隔させることが可能である。また、
ウェハＷＨの中に複数の半導体チップが作り込まれてい
て、各チップを単位として検査を反復する場合に、ウェ
ハステージ２３２を水平に適宜移動させることによっ
て、１つのチップの検査からつぎのチップの検査に移行
することが可能である。
【０２２９】検査を実行する際には、プローブ基板１１
１がウェハＷＨに当接した状態において、更に減圧ポン
プ２３５が動作することにより、気密室２３８の空気が
減圧される。このため、開口部５８に面する配線フィル
ム５３が、下方向に吸引される。このため、対物電極４
９がウェハＷＨのパッドに押圧付勢される。しかも、各
対物電極４９には押圧力が均等に作用する。このため、
対物電極４９とパッドとの間の接触抵抗が低減され、こ
れらの間に良好な電気的接触が実現するので、ウェハＷ
Ｈ等の検査を精度良く行うことが可能である。
【０２３０】プローブ基板１１１において、外部中継電
極５５（図４０）は基材５６の上面に設けられているの
で、外部中継電極５５はプローブ装置２３０の外部に露
出する。このため、外部の試験装置と外部中継電極４０
との接続を容易に行うことができる。また、外部中継電
極５５が基材５６に取付られているので、外部中継電極
５５に接続される外部の試験装置が備える信号配線が、
開口部５８に面する配線フィルム５３に無用な荷重を印
加する恐れが無い。このため、プローブ基板１１０と同
様に、対物電極４９に付与される押圧力に外乱が作用し
ないという利点がある。また、配線パターン５１が、開
口部５８の中に限定されているので、プローブ基板１１
０に比べて、配線パターン５１を短くし得るという利点
もある。
【０２３１】なお、プローブ装置２２４と同様に、気密
容器２３１には更に、気密室２３８における減圧された
空気に超音波振動を付与する超音波発生器を設けること
も可能である。その効果はプローブ装置２２４の場合と
同様である。
【０２３２】＜第７実施例＞ここでは、配線パターンを
多層状に配設したプローブ基板の例について説明する。
【０２３３】＜7-1.プローブ基板１１２＞図４２は、２
層状に配設された配線パターンを有するプローブ基板の
一例を示す正面断面図である。このプローブ基板１１２
は、薄膜状の配線フィルム６０ｂが基材２の底面に取り
付けられた構造を有する。配線フィルム６０ｂの開口部
３に面する領域には、バンプ状の対物電極６８が配設さ
れており、周辺部分には同じくバンプ状の中継電極６９
が配設されている。配線フィルム６０ｂには、配線パタ
ーン６１および配線パターン６３が、互いに２層をなす
ように配設されている。これらの配線パターン６１、６
３は、いずれも対物電極６８と中継電極６９とを接続し
ている。
【０２３４】配線フィルム６０ｂは、ベースフィルム６
０と、その下方主面の上に形成された配線層６０ａとを
有している。ベースフィルム６０は、好ましくはポリイ
ミド、ポリエステル等の耐熱性および機械的強度に優
れ、電気絶縁性の合成樹脂で構成され、その厚さは、例
えば２５μｍ程度である。
【０２３５】配線層６０ａは、前述の対物電極６８、中
継電極６９、配線パターン６１、６３に加えて、保護膜
６２、６６を有している。配線パターン６１、６３は、
例えば銅、アルミニウムなどの導電性の材料で構成さ
れ、それらの厚さは、例えば３μｍ程度である。第１層
の配線パターン６１は、ベースフィルム６０の下方主面
の上に形成されている。配線パターン６１およびベース
フィルム６０の下方主面の上を覆うように、保護膜６２
が形成されている。保護膜６２は、例えばポリイミド等
の電気絶縁性の合成樹脂で構成され、その厚みは、例え
ば２〜１０μｍ程度である。保護膜６２は、配線パター
ン６１の保護、および配線パターン６１と配線パターン
６３の間の電気絶縁を主目的として設けられる。保護膜
６２には、配線パターン６１の所定の部位において開口
部（コンタクト用開口部）６５が形成されている。
【０２３６】保護膜６２の上には、第２層の配線パター
ン６３が形成されている。また開口部６５には、配線パ
ターン６３の一部をなす電極接続用の導電層６４が形成
されている。導電層６４は、開口部６５を通して配線パ
ターン６１に接続されている。これらの配線パターン６
３（導電層６４を含む）、および保護膜６２の上には、
もう一つの保護膜６６が形成されている。保護膜６６
は、保護膜６２と同様に、例えばポリイミド等の電気絶
縁性の合成樹脂で構成され、その厚みは、例えば２〜１
０μｍ程度である。保護膜６６は、配線パターン６３の
保護と、配線パターン６３が被検査物と電気的に接触す
るのを防止することとを主目的として設けられている。
【０２３７】保護膜６６は、配線パターン６３（導電層
６４を含む）の上の所定の部位において開口しており、
この開口部６７を介して対物電極６８および中継電極６
９が、配線パターン６３（導電層６４を含む）の上に接
続されている。導電層６４は、前述のように配線パター
ン６１に接続されているので、導電層６４に接続された
対物電極６８および中継電極６９は、配線パターン６１
と電気的に結合する。対物電極６８および中継電極６９
は、導電性の材料、例えば金、タングステン、ハンダ等
で構成された突起状の電極であって、その高さは、例え
ば２０μｍ程度である。突起の頭部は、外部へ露出して
いる。
【０２３８】対物電極６８は、プローブ基板１００（図
３）における対物電極４と同様に機能し、中継電極６９
は、中継電極５と同様に機能する。対物電極６８が、開
口部３に面する配線フィルム６０ｂの領域内に配設され
ていることによってもたらされる効果も、プローブ基板
１００と同様である。
【０２３９】プローブ基板１１２では、配線パターンが
２層状に形成されているので、対物電極６８を高い密度
をもって配設することが可能である。このため、測定部
位としてのパッドが高い密度で形成されたウェハＷＨ、
マルチチップモジュールなどの被測定物に対応したプロ
ーブ基板を、容易に構成することが可能である。
【０２４０】また、プローブ基板１１２と同様の構成に
おいて、配線パターンを更に３層以上に形成することも
可能である。この場合には、２層の場合に比べて更に対
物電極６８を高密度に配設することが可能である。
【０２４１】＜7-2.プローブ基板１１３＞図４３は、２
層状に配設された配線パターンを有するもう一つのプロ
ーブ基板の例を示す正面断面図である。このプローブ基
板１１３は、プローブ基板１１２と同様に、２層状に形
成された配線パターン７１および配線パターン７３を有
する。プローブ基板１１３の構成における、プローブ基
板１１２との特徴的な差異は、配線パターン７１に電気
的に結合する対物電極７４が、導電層６４を介すること
なく直接に配線パターン７１に接続されている点にあ
る。
【０２４２】その他の構成上の特徴は、プローブ基板１
１２と同様である。すなわち、基材２の底面に取り付け
られた薄膜状の配線フィルム７０ｂにおいて、開口部３
に面する領域内にバンプ状の対物電極７７、７８が配設
されており、周辺部分には同じくバンプ状の中継電極７
９、８０が配設されている。第１層の配線パターン７１
は、対物電極７７と中継電極７９とを接続しており、第
２層の配線パターン７３は、対物電極７８と中継電極８
０とを接続している。
【０２４３】配線フィルム７０ｂは、ベースフィルム７
０と、その下方主面の上に形成された配線層７０ａとを
有している。ベースフィルム７０は、前述のベースフィ
ルム６０と同様の材料および厚さをもって構成される。
配線層７０ａは、前述の対物電極７７、７８、中継電極
７９、８０、配線パターン７１、７３に加えて、保護膜
７２、７６を有している。配線パターン７１、７３は、
前述の配線パターン６１、６３と同様の材料および厚さ
をもって構成される。
【０２４４】第１層の配線パターン７１は、ベースフィ
ルム７０の下方主面の上に形成されている。配線パター
ン７１およびベースフィルム７０の下方主面の上を覆う
ように、保護膜７２が形成されている。保護膜７２は、
前述の保護膜６２と同様の材料および厚さをもって構成
されている。保護膜７２は、配線パターン７１の保護、
および配線パターン７１と配線パターン７３の間の電気
絶縁を主目的として設けられる。
【０２４５】保護膜７２の上には、第２層の配線パター
ン７３が形成されている。配線パターン７３および保護
膜７２の上には、もう一つの保護膜７６が形成されてい
る。保護膜７６は、保護膜７２と同様の材料および厚さ
をもって構成される。保護膜７６は、配線パターン７３
の保護と、配線パターン７３が被検査物と電気的に接触
するのを防止することとを主目的として設けられてい
る。
【０２４６】配線パターン７１の上の所定の部位におい
て、保護膜７２および保護膜７６の双方を貫通する開口
部７４が形成されている。この開口部７４を介して、対
物電極７７および中継電極７９が、配線パターン７１の
上に接続されている。また、保護膜７６は、配線パター
ン７３の上の所定の部位において開口しており、この開
口部７５を介して、対物電極７８および中継電極８０が
配線パターン７３の上に接続されている。
【０２４７】対物電極７７、７８および中継電極７９、
８０は、導電性の材料、例えば金、タングステン、ハン
ダ等で構成された突起状の電極であるり、。対物電極７
８および中継電極８０の高さは、例えば２０μｍ程度で
ある。対物電極７７および中継電極７９の高さは、その
頭頂部が、対物電極７８および中継電極８０と同一水平
面上に位置するように設定されている。これらの突起の
頭部は、外部へ露出している。
【０２４８】対物電極７７、７８は、前述のプローブ基
板１１２における対物電極６８と同様に機能し、中継電
極７９、８０は前述の中継電極６９と同様に機能する。
対物電極７７、７８が、開口部３に面する配線フィルム
７０ｂの領域内に配設されていることによってもたらさ
れる効果も、プローブ基板１１２と同様である。
【０２４９】プローブ基板１１３においても、配線パタ
ーンが２層状に形成されているので、対物電極７７、７
８を高い密度をもって配設することが可能である。この
ため、測定部位としてのパッドが高い密度で形成された
ウェハＷＨ、マルチチップモジュールなどの被測定物に
対応したプローブ基板を、容易に構成することが可能で
ある。
【０２５０】また、プローブ基板１１３と同様の構成に
おいて、配線パターンを更に３層以上に形成することも
可能である。この場合には、２層の場合に比べて更に対
物電極を高密度に配設することが可能である。
【０２５１】＜7-3.プローブ基板１１２の製造方法＞図
４４〜図Ｍ５３は、プローブ基板１１２の製造工程図で
ある。ここでは、これらの図に沿って、プローブ基板１
１２の製造工程の好ましい実施例について説明する。
【０２５２】プローブ基板１１２を製造するには、ま
ず、例えばポリイミド等の電気絶縁体であって薄膜形状
のベースフィルム６０を準備する。つぎに、ベースフィ
ルム６０の一方の主面の上に、蒸着もしくはスパッタリ
ングにより、例えば銅またはアルミニウムから成る導電
性の金属層６１ａを全面に形成する（図４４）。
【０２５３】つづいて、この金属層６１ａをフォトリソ
グラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパ
ターンを有する配線パターン６１を形成する（図４
５）。
【０２５４】つぎに、保護膜６２となるべき例えばポリ
イミド等の樹脂膜６２ａを、配線パターン６１を含むベ
ースフィルム６０の主面の上に、全面にわたって塗布す
る（図４６）。
【０２５５】その後、配線パターン６１の上の所定の位
置において、フォトリソグラフィによて樹脂膜６２ａを
選択的に除去することより、樹脂膜６２ａに開口部６５
を形成する。このことによって、前述の保護膜６２が形
成される（図４７）。この開口部６５において、配線パ
ターン６１の表面が露出する。
【０２５６】つづいて、保護膜６２の上、および開口部
６５において露出する配線パターン６１の上に、蒸着も
しくはスパッタリングにより、例えば銅またはアルミニ
ウムから成る導電性の金属層６３ａを全面にわたって形
成する（図４８）。
【０２５７】つづいて、この金属層６３ａをフォトリソ
グラフィによりエッチングを行うことにより、導電層６
４を含む所定のパターンを有する配線パターン６３を形
成する（図４９）。導電層６４は、開口部６５に位置
し、配線パターン６１の上面に接続する。
【０２５８】つぎに、例えばポリイミド等の樹脂膜６６
ａを、配線パターン６３および保護膜６２の上に、全面
にわたって塗布する（図５０）。
【０２５９】その後、配線パターン６３（導電層６４を
含む）の上の所定の位置において、フォトリソグラフィ
によって樹脂膜６６ａを選択的に除去することより、樹
脂膜６６ａに開口部６７を形成する。このことによっ
て、保護膜６６が形成される（図５１）。この開口部６
５において、配線パターン６３（導電層６４を含む）の
表面が露出する。
【０２６０】つづいて、開口部６７を含む表面に、例え
ば金、タングステン、またはハンダ等の導電性の材料の
鍍金を施すことにより、開口部６７に露出する配線パタ
ーン３（導電層６４を含む）の表面に、これらの金属を
析出させる。このことによって、バンプ状の対物電極６
８および中継電極６９を配線パターン６３（導電層６４
を含む）の上の所定の位置に形成する（図５２）。これ
らの対物電極６８および中継電極６９は、保護膜６６の
表面よりも外部に突出するように形成される。この工程
によって、ベースフィルム６０の一方の主面の上に配線
層６０ａが完成する。このことは、同時にベースフィル
ム６０と配線層６０ａとを有する配線フィルム６０ｂの
完成を意味する。
【０２６１】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、前述の工程で完成した配線フィルム６０ｂを、準備
された基材２に取付ける。配線フィルム６０ｂの基材２
への取付は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイ
ミド系などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて、
配線フィルム６０ｂの対物電極６８および中継電極６９
が露出する側とは反対の主面を、基材２の一主面に貼着
することによって行われる（図５３）。この工程によっ
て、プローブ基板１１２が完成する。基材２を準備する
工程において、開口部３の寸法などの基材２の形状は、
最終的に形成されるすべての対物電極６８が開口部３の
中に位置するようにあらかじめ設定される。
【０２６２】なお、上述の金属層６１ａおよび６３ａ
は、蒸着もしくはスパッタリングを用いて形成した。こ
れらの蒸着あるいはスパッタリングに代えて、あらかじ
め層状に形成された銅箔などの金属層６１ａ、６３ａ
を、これらが形成されるべき表面の上に全面にわたって
貼着してもよい。貼着を行うには、例えばシリコーン樹
脂などの接着剤を用いるとよい。
【０２６３】更に、金属層６１ａ、６３ａを、これらが
形成されるべき表面の上に全面にわたって、鍍金によっ
て形成してもよい。例えば、無電解鍍金法によって銅を
ベースフィルム６０の一主面の全面に析出させることに
よって、金属層６１ａを形成してもよい。
【０２６４】また、図４６〜図４９に示した工程を反復
することによって、配線パターンが３層以上の多層状に
形成されたプローブ基板を製造することが可能である。
【０２６５】以上に述べた製造方法は、半導体集積回路
を半導体ウェハ上に製造する、いわゆるウェハプロセス
と同様の工程を応用したものである。このため、この方
法を用いることによって、密度が高くかつ個数の対物電
極６８を配設したプローブ基板１１２を、容易にかつ低
いコストで製造することができる。
【０２６６】＜7-4.プローブ基板１１３の製造方法＞図
５４〜図６２は、プローブ基板１１３の製造工程図であ
る。ここでは、これらの図に沿って、プローブ基板１１
３の製造工程の好ましい実施例について説明する。
【０２６７】プローブ基板１１３を製造するには、ま
ず、例えばポリイミド等の電気絶縁体であって薄膜形状
のベースフィルム７０を準備する。つぎに、ベースフィ
ルム７０の一方の主面の上に、蒸着もしくはスパッタリ
ングにより、例えば銅またはアルミニウムから成る導電
性の金属層７１ａを全面に形成する（図５４）。
【０２６８】つづいて、この金属層７１ａをフォトリソ
グラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパ
ターンを有する配線パターン７１を形成する（図５
５）。
【０２６９】つぎに、保護膜７２となるべき例えばポリ
イミド等の樹脂膜７２ａを、配線パターン７１を含むベ
ースフィルム７０の主面の上に、全面にわたって塗布す
る（図５６）。
【０２７０】つづいて、保護膜７２ａの上に、蒸着もし
くはスパッタリングにより、例えば銅またはアルミニウ
ムから成る導電性の金属層７３ａを全面にわたって形成
する（図５７）。
【０２７１】つづいて、この金属層７３ａをフォトリソ
グラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパ
ターンを有する配線パターン７３を形成する（図５
８）。
【０２７２】つぎに、例えばポリイミド等の樹脂膜７６
ａを、配線パターン７３および保護膜７２ａの上に、全
面にわたって塗布する（図５９）。
【０２７３】その後、配線パターン７１および配線パタ
ーン７３の上の所定の位置において、フォトリソグラフ
ィによって樹脂膜７２ａおよび樹脂膜７６ａを選択的に
除去することより、開口部７４および開口部７５を形成
する。このことによって、保護膜７２および保護膜７６
が形成される（図６０）。
【０２７４】開口部７４は、配線パターン７１の上に開
口し、樹脂膜７２ａおよび樹脂膜７６ａの双方を貫通す
る。一方、開口部７５は、配線パターン７３の上に開口
し、樹脂膜７６ａを貫通する。すなわち、開口部７４に
おいて配線パターン７１の表面が露出し、開口部７５に
おいて配線パターン７３の表面が露出する。
【０２７５】つづいて、開口部７４、７５を含む表面
に、例えば金、タングステン、またはハンダ等の導電性
の材料の鍍金を施すことにより、開口部７４、７５に露
出する配線パターン７１、７３の表面に、これらの金属
を析出させる。このことによって、バンプ状の対物電極
７７および中継電極７９を配線パターン７１の上の所定
の位置に形成するとともに、同じくバンプ状の対物電極
７８および中継電極８０を配線パターン７３の上の所定
の位置に形成する（図６１）。これらの対物電極７７、
７８および中継電極７９、８０は、保護膜７６の表面よ
りも外部に突出するように形成される。
【０２７６】この工程によって、ベースフィルム７０の
一方の主面の上に配線層７０ａが完成する。このこと
は、同時にベースフィルム７０と配線層７０ａとを有す
る配線フィルム７０ｂの完成を意味する。
【０２７７】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、前述の工程で完成した配線フィルム７０ｂを、準備
された基材２に取付ける。配線フィルム７０ｂの基材２
への取付は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイ
ミド系などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて、
配線フィルム７０ｂの対物電極７７、７８、および中継
電極７９、８０が露出する側とは反対の主面を、基材２
の一主面に貼着することによって行われる（図６２）。
この工程によって、プローブ基板１１３が完成する。基
材２を準備する工程において、開口部３の寸法などの基
材２の形状は、最終的に形成されるすべての対物電極７
７、７８が開口部３の中に位置するようにあらかじめ設
定される。
【０２７８】なお、上述の金属層７１ａおよび７３ａ
は、蒸着もしくはスパッタリングを用いて形成した。こ
れらの蒸着あるいはスパッタリングに代えて、あらかじ
め層状に形成された銅箔などの金属層７１ａ、７３ａ
を、これらが形成されるべき表面の上に全面にわたって
貼着してもよい。貼着を行うには、例えばシリコーン樹
脂などの接着剤を用いるとよい。
【０２７９】更に、金属層７１ａ、７３ａを、これらが
形成されるべき表面の上に全面にわたって、鍍金によっ
て形成してもよい。例えば、無電解鍍金法によって銅を
ベースフィルム７０の一主面の全面に析出させることに
よって、金属層７１ａを形成してもよい。
【０２８０】また、図５６〜図５８に示した工程を反復
することによって、配線パターンが３層以上の多層状に
形成されたプローブ基板を製造することが可能である。
【０２８１】以上に述べた、プローブ基板１１２および
１０１は、半導体集積回路を半導体ウェハ上に製造す
る、いわゆるウェハプロセスと同様の工程で製造するこ
とができる。このため、密度が高く個数の多いパッドを
有するウェハＷＨなどの被検査物に対応して、高密度で
かつ個数の多い対物電極４および配線パターン６が配設
されたプローブ基板１００、１０１を、容易にかつ安価
に製造することが可能である。すなわち、プローブ基板
１００、１０１は、今後ますます進行することが予想さ
れるウェハＷＨ、マルチチップモジュール等の被測定物
における多パッド化および高密度パッド化にも、容易に
対応し得るという優れた利点を有している。
【０２８２】このプローブ基板１１３を製造する方法
は、前述のプローブ基板１１２で必要とされた導電層６
４を形成する工程、およびそのための開口部６５を形成
する工程を必要としない。このため、多層状に配設され
る配線パターンを有するプローブ基板をより単純に、か
つ安価に製造することができるという利点がある。
【０２８３】＜第８実施例＞ここでは、プローブ基板に
位置合わせ用の貫通孔が設けられた実施例について説明
する。
【０２８４】＜8-1.プローブ基板の構成＞図６３は、こ
の実施例におけるプローブ基板１１４の平面図である。
プローブ基板１１４は、プローブ基板１００（図３）と
同様の構造を有するが、基材２の開口部３に面する配線
フィルム８１の一部に貫通孔８２が形成されている点に
特徴を有する。貫通孔８２は、検査対象物の表面の形状
に応じて適正な位置に設けられる。また、配線フィルム
８１が有する配線パターン６は、この貫通孔８２を交差
するように配設されている。好ましくは、図６３に例示
するように、配線パターン６は、貫通孔８２においてエ
ッジ部８６を有するように配設される。
【０２８５】図６４は、プローブ基板１１４の正面断面
図である。ベースフィルム８７および保護膜８９は、プ
ローブ基板１００（図３）におけるベースフィルム７お
よび保護膜９と同様の材料および厚さをもってそれぞれ
構成されている。特に保護膜８９は、好ましくは透明な
いし透明に近い材料で構成される。
【０２８６】対物電極４、中継電極５、配線パターン６
および保護膜８９とによって、配線層８８が構成され、
ベースフィルム８７とその一主面上に形成された配線層
８８とによって配線フィルム８１が構成される。
【０２８７】＜8-2.プローブ装置の構成＞図６５は、プ
ローブ基板１１４が組み込まれたプローブ装置の主要部
の一例を示す正面断面図である。このプローブ装置２４
０には、顕微鏡２４３とＣＤＤカメラ２４４とが設けら
れている。すなわち、台部２４６の上に据え付けられた
匡体部２４１の上方部材には、開口部２４２が設けられ
ている。この開口部２４２の直下に位置するように、プ
ローブ基板１１４が匡体部２４１の上方部材に固定的に
取り付けられている。プローブ基板１１４の配線フィル
ム８１は、プローブ基板１１４の下方に配置されるウェ
ハＷＨに対向して下方を向いている。
【０２８８】プローブ基板１１４の開口部３の上方に
は、顕微鏡２４３が匡体部２４１に連結して取り付けら
れている。また、匡体部２４１の上方部材にはＣＤＤカ
メラ２４４が固定的に取り付けられている。顕微鏡２４
３、ＣＤＤカメラ２４４は共に、下方に位置する物体の
像を観測するような姿勢をもって取り付けられる。
【０２８９】台部２４６にはウェハＷＨを載置するウェ
ハステージ２４５が設置されている。ウェハステージ２
４５は、図示しない駆動部によって水平および鉛直方向
に移動が可能である。
【０２９０】図６６は、顕微鏡２４３と匡体部２４１と
の連結部の構造と動作を示す斜視図である。図６６に示
すように、顕微鏡２４３は、匡体部２４１に回動自在に
支持される回動支柱２４７の先端部に固定されている。
回動支柱２４７が回動することによって、顕微鏡２４３
は開口部２４２の上方と退避位置との間を移動すること
が可能である。
【０２９１】＜8-3.プローブ装置の動作＞つぎに、プロ
ーブ装置２４０の動作について説明する。図６５に戻っ
て、被検査物としてのウェハＷＨがウェハステージ２４
５に載置されると、配線フィルム８１とウェハＷＨとが
互いに接触しない程度に近接するように、ウェハステー
ジ２４５が上昇する。つづいて、配線フィルム８１とウ
ェハＷＨとがこのように互いに近接した状態で、プロー
ブ基板１１４とウェハＷＨとの間の水平方向の相対位置
の調整が行われる。このとき、顕微鏡２４３は開口部２
４２の上方に位置する。顕微鏡２４３によって、貫通孔
８２を通してウェハＷＨの像と貫通孔８２を交差する配
線パターン６の像を観察することができる。
【０２９２】図６７は、ウェハＷＨの表面の形状の一例
を示す模式図である。ウェハＷＨの表面には多数の半導
体チップＳＣが形成されていて、隣接するそれらの半導
体チップＳＣの間に微細な溝ＧＲが形成されている。顕
微鏡２４３によって、貫通孔８２を交差する配線パター
ン６のエッジ部８６を観察しつつ、ウェハＷＨの表面上
において溝ＧＲが交差するエッジ部ＴＧの像が、エッジ
部８６の像と互いに重なり合うように、ウェハＷＨの水
平方向の位置を調整する。この調整は、ウェハステージ
２４５を水平方向に適宜移動させることによって行われ
る。
【０２９３】ウェハＷＨの水平位置がこのようにして調
整された結果、配線フィルム８１に配設される対物電極
４と、この対物電極４が当接すべき半導体チップＳＣに
設けられるパッドとが互いに向き合う。すなわち、ウェ
ハＷＨとプローブ基板１１４との水平方向の相対位置が
適切に設定される。貫通孔８２および貫通孔８２を交差
する配線パターン６の位置は、エッジ部８６とエッジ部
ＴＧが顕微鏡の画像上のいて一致したときに、ウェハＷ
Ｈとプローブ基板１１４の相対位置が適切なものとなる
ように、あらかじめ設定される。
【０２９４】以上のように、プローブ装置２４０では、
顕微鏡２４３を用いて、エッジ部８６とエッジ部ＴＧと
を標的として観察することによって、プローブ基板１１
４とウェハＷＨとの相対位置の調整が行われるので、こ
の相対位置の調整を高い精度で実現することができる。
【０２９５】相対位置の調整が終了すると、対物電極４
とウェハＷＨのパッドとが当接するようにウェハステー
ジ２４５が更に上昇する。その後、顕微鏡２４３は回動
支柱２４７が回動することにより、退避位置へ移動す
る。その後、開口部２４２を通して、例えば密閉容器１
６３などの付勢ユニットがプローブ基板１１４の開口部
３へ挿入される。この付勢ユニットが作動することによ
って配線フィルム８１がウェハＷＨへと押圧付勢された
状態で、ウェハＷＨの検査が実行される。
【０２９６】このプローブ装置２４０には、顕微鏡２４
３の他にＣＤＤカメラ２４４が更に設けられているの
で、同一種類のウェハＷＨを反復して検査する場合に
は、上述の顕微鏡２４３を用いた相対位置の調整は、第
１番目のウェハＷＨの検査においてのみ行えば足りる。
第１番目のウェハＷＨの相対位置を調整する際に、ＣＤ
Ｄカメラ２４４での観察も同時に行っておく。このとき
の標的は、エッジ部ＴＧに限らずウェハＷＨの表面にお
ける目印となり得るものであれば何でもよい。第２番目
のウェハＷＨがウェハステージ２４５に載置されたとき
に、目印の位置をＣＤＤカメラ２４４によって確認す
る。そうして、この確認された位置と、ウェハＷＨが所
定の位置に調整されたときの目印の位置との間のずれを
算出する。算出されたずれ量にもとづいて、このずれを
解消するように、ウェハステージ２４５を水平方向に移
動させることによって、ウェハＷＨの相対位置の調整が
完了する。
【０２９７】ＣＤＤカメラ２４４による、目印の位置の
確認は画像処理技術を用いて自動的に行うことが可能で
ある。また、ずれ量の算出、およびこのずれ量にもとづ
くウェハステージ２４５の駆動も自動的に行うことが可
能である。このため、プローブ装置２４０では、顕微鏡
２４３によって観察するという手作業に依拠すべき困難
な工程を減らすことができるという利点がある。
【０２９８】なお、貫通孔８２において配線パターン６
がエッジ部８６を有しない場合、例えば一本の直線状の
配線パターン６が貫通孔８２を横断する場合において
も、配線パターン６を標的として相対位置の調整を行う
ことが可能である。しかしながら、貫通孔８２にエッジ
部８６が有れば、より小さい標的を用いることができる
ので、より高い精度で相対位置の調整を行うことができ
る。
【０２９９】また貫通孔８２において、配線パターン６
が交差しない場合でも、貫通孔８２自身を標的として相
対位置の調整を行うことが可能である。しかしながら、
配線パターン６が交差する上述の場合の方が、より小さ
い標的を用いることができるので、位置調整の精度は優
れている。
【０３００】また、開口部３に付勢ユニットを挿入する
ことなく、配線フィルム８１を押圧付勢する方法を採用
する場合には、顕微鏡２４３は回動する必要はなく、開
口部２４２の上方に固定されていてもよい。例えば、プ
ローブ基板１０９と同様に、対物電極４が磁性体を有し
ていて、ウェハステージ２４５の下方に電磁石２２２が
設置されている場合には、開口部３に挿入すべき付勢ユ
ニットは必要とされないので、顕微鏡２４３は固定され
ていても差し支えない。
【０３０１】＜8-4.プローブ基板１１４の製造方法：そ
の１＞図６８〜図７３は、プローブ基板１１４の製造工
程図である。ここでは、これらの図に沿って、プローブ
基板１１４の製造工程における好ましい実施例について
説明する。
【０３０２】プローブ基板１１４を製造するには、ま
ず、例えばポリイミド等の電気絶縁体であって薄膜形状
のベースフィルム８７ａを準備する。つぎに、ベースフ
ィルム８７ａの一方の主面の上に、蒸着もしくはスパッ
タリングにより、例えば銅またはアルミニウムから成る
導電性の金属層６ａを全面に形成する（図６８）。
【０３０３】つづいて、この金属層６ａをフォトリソグ
ラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパタ
ーンを有する配線パターン６を形成する。これと前後し
て、ベースフィルム８７ａの所定の位置に、貫通孔８２
を形成する。このことによって、ベースフィルム８７ａ
からベースフィルム８７が形成される（図６９）。貫通
孔８２は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の強ア
ルカリ水溶液、またはヒドラジン等を用いて、エッチン
グを行うことによって形成される。貫通孔８２は、その
一部が配線パターン６によって覆われるような位置に形
成される。また、貫通孔８２の形成は、この工程以降の
いずれの工程で行ってもよい。
【０３０４】つぎに、保護膜８９となるべき例えばポリ
イミド等の樹脂膜８９ａを、配線パターン６を含むベー
スフィルム８７の主面の上に、全面にわたって塗布する
（図７０）。樹脂膜８９ａには、好ましくは透明ないし
透明に近い材料が選ばれる。
【０３０５】その後、配線パターン６の上の所定の位置
において、フォトリソグラフィによて樹脂膜８９ａを選
択的に除去することより、樹脂膜８９ａに開口部１０を
形成する。このことによって、前述の保護膜８９が形成
される（図７１）。この開口部１０において、配線パタ
ーン６の表面が露出する。
【０３０６】つづいて、開口部１０を含む表面に、例え
ば金、タングステン、またはハンダ等の導電性の材料の
鍍金を施すことにより、開口部１０における配線パター
ン６の表面に、これらの金属を析出させる。このことに
よって、バンプ状の対物電極４および中継電極５を配線
パターン６の上の所定の位置に形成する（図７２）。こ
れらの対物電極４および中継電極５は、保護膜８９の表
面よりも外部に突出するように形成される。この工程に
よって、ベースフィルム８７の一方の主面の上に配線層
８８が完成する。このことは、同時にベースフィルム８
７と配線層８８とを有する配線フィルム８１の完成を意
味する。
【０３０７】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、前述の工程で完成した配線フィルム８１を、準備さ
れた基材２に取付ける。配線フィルム８１の基材２への
取付は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイミド
系などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて、配線
フィルム８１の対物電極４および中継電極５が露出する
側とは反対の主面を、基材２の一主面に貼着することに
よって行われる（図７３）。この工程によって、プロー
ブ基板１１４が完成する。基材２を準備する工程におい
て、開口部３の寸法などの基材２の形状は、最終的に形
成されるすべての対物電極４および貫通孔８２が開口部
３の中に位置するようにあらかじめ設定される。
【０３０８】なお、上述の金属層６ａを形成する工程
（図６８）では、蒸着もしくはスパッタリングを用い
て、ベースフィルム８７の主面の上に金属層６ａを形成
した。これらの蒸着あるいはスパッタリングに代えて、
あらかじめ層状に形成された銅箔などの金属層６ａをベ
ースフィルム８７の一主面の全面に貼着してもよい。貼
着を行うには、例えばシリコーン樹脂などの接着剤を用
いるとよい。
【０３０９】更に、鍍金によって金属層６ａをベースフ
ィルム８７の主面上に形成してもよい。例えば、無電解
鍍金法によって銅をベースフィルム８７の一主面の全面
に析出させることによって、金属層６ａを形成してもよ
い。
【０３１０】＜8-5.プローブ基板１１４の製造方法：そ
の２＞つぎに、プローブ基板１１４の製造工程における
もう一つの好ましい実施例について説明する。
【０３１１】まず、図７４を参照しつつ第１工程を説明
する。プローブ基板１１４を製造するには、貫通孔８２
が形成されたベースフィルム８７をあらかじめ準備す
る。ベースフィルム８７は、例えばポリイミド等の薄膜
形状の電気絶縁体である。つぎに、このベースフィルム
８７の貫通孔８２をレジスト材で埋め込む。貫通孔８２
がレジスト材で埋め込まれたベースフィルム８７の一方
の主面の上に、蒸着もしくはスパッタリングにより、例
えば銅またはアルミニウムから成る導電性の金属層６ａ
を全面に形成する。その後、貫通孔８２に埋め込まれた
レジスト材を、例えば剥離液を用いて除去する。このレ
ジスト材を除去する工程は、この工程で行う代わりに限
らず、この工程以降のいずれの工程で行ってもよい。
【０３１２】以上の第１工程につづく工程は、図６９〜
図７３に示した工程と同様であるので説明を略する。
【０３１３】なお、第１工程において金属層６ａを形成
するために、蒸着もしくはスパッタリングを用いる代わ
りに、あらかじめ層状に形成された銅箔などの金属層６
ａをベースフィルム８７の一主面の全面に貼着する方
法、または鍍金によって金属層６ａをベースフィルム８
７の主面上に形成する方法などを用いてもよい。
【０３１４】＜第９実施例＞ここでは、プローブ基板に
マーキング用の貫通孔が設けられた実施例について説明
する。
【０３１５】＜9-1.プローブ基板の構成＞図７５は、こ
の実施例におけるプローブ基板１１５の平面図である。
プローブ基板１１５は、プローブ基板１００（図３）と
同様の構造を有するが、基材２の開口部３に面する配線
フィルム９１の一部に貫通孔９２が形成されている点に
特徴を有する。貫通孔９２は、被検査物の表面にマーキ
ングを施すために設けられるものであって、配線フィル
ム９１が被検査物と当接状態にあるときに、マーキング
を施すべき位置に相応した配線フィルム９１上の部位に
設けられる。
【０３１６】図７６は、プローブ基板１１５の正面断面
図である。ベースフィルム９７および保護膜９９は、プ
ローブ基板１００（図３）におけるベースフィルム７お
よび保護膜９と同様の材料および厚さをもってそれぞれ
構成されている。
【０３１７】対物電極４、中継電極５、配線パターン６
および保護膜９９とによって、配線層９８が構成され、
ベースフィルム９７とその一主面上に形成された配線層
９８とによって配線フィルム８１が構成される。プロー
ブ基板１１５を用いたプローブ装置は、マーキング用の
インクノズル２５１を備えている。このインクノズル２
５１は、プローブ基板１１５に近接して設置され、その
先端部は貫通孔９２に位置する。
【０３１８】＜9-2.プローブ装置の構成と動作＞図７７
は、プローブ基板１１５を組み込んだプローブ装置の斜
視図である。このプローブ装置２５０では、匡体部２５
２の上方部材に開口部２５３が設けられている。プロー
ブ基板１１５は、この開口部２５３の直下に設置されて
いる。
【０３１９】開口部２５３の上方には、インクノズル２
５１が匡体部２５２に連結して取り付けられている。イ
ンクノズル２５１の先端部は、開口部２５３の直下に位
置する貫通孔９２に向かっている。
【０３２０】インクノズル２５１は、匡体部２５２に回
動自在に支持される回動支柱２５４の先端部に固定され
ている。このため、回動支柱２５４が回動することによ
って、インクノズル２５１は開口部２５３の上方と退避
位置との間を移動することが可能である。プローブ基板
１１５が被検査物に当接して検査を実行するときには、
インクノズル２５１は退避位置にある。このため、プロ
ーブ基板１１５の配線フィルム９１を押圧付勢する付勢
ユニットを、開口部２５３を通して挿入することが可能
である。
【０３２１】検査が終了し、検査対象が不良であること
が判明すると、付勢ユニットは除去され、代わりに回動
支柱２５４が回動してインクノズル２５１が開口部２５
３の上方へ移動する。そして、インクノズル２５１の先
端部からインクが滴下される。滴下されたインクは、貫
通孔９２を貫通して、貫通孔９２の直下に位置する被検
査物の部位にマーキングを記す。その後、インクノズル
２５１は退避位置に戻って次の検査に備える。
【０３２２】このように、プローブ基板１１５を組み込
んだプローブ装置２５０を用いることによって、プロー
ブ基板１１５が被検査物に当接した状態で、貫通孔９２
を通して、マーキングを施すことが可能である。すなわ
ち、マーキングを施すために、被検査物またはプローブ
基板を一旦移動させる必要がない。このため、マーキン
グを確実かつ迅速に実行することが可能である。
【０３２３】図６７に示された多数の半導体チップＳＣ
が形成されたウェハＷＨのように、１つの被検査物の中
に複数の単位検査領域が存在する場合には、各単位検査
領域毎に検査が反復される。このため、このような多数
の単位検査領域を有する被検査物を検査する際には、マ
ーキングを確実かつ迅速に実行する効果が特に顕著であ
る。
【０３２４】なお、インクノズル２５１に代えて、マー
キングを施す別の装置を用いてもよい。例えば、被検査
対象物に傷をつける、いわゆるスクラッチを行う装置を
用いてもよい。また、プローブ基板１１５の開口部３に
付勢ユニットを挿入することなく、配線フィルム９１を
押圧付勢する方法を採用する場合には、インクノズル２
５１は回動する必要はなく、開口部２５３の上方に固定
されていてもよい。
【０３２５】＜9-3.プローブ基板１１５の製造方法：そ
の１＞図７８〜図８４は、プローブ基板１１５の製造工
程図である。ここでは、これらの図に沿って、プローブ
基板１１５の製造方法における好ましい実施例について
説明する。
【０３２６】プローブ基板１１５を製造するには、ま
ず、例えばポリイミド等の電気絶縁体であって薄膜形状
のベースフィルム９７ａを準備する。つぎに、ベースフ
ィルム９７ａの一方の主面の上に、蒸着もしくはスパッ
タリングにより、例えば銅またはアルミニウムから成る
導電性の金属層６ａを全面に形成する（図７８）。
【０３２７】つづいて、この金属層６ａをフォトリソグ
ラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパタ
ーンを有する配線パターン６を形成する。（図７９）。
なお、配線パターン６は、後述する貫通孔９２が設けら
れる部位を避けて配設される。
【０３２８】つぎに、保護膜９９となるべき例えばポリ
イミド等の樹脂膜９９ａを、配線パターン６を含むベー
スフィルム９７ａの主面の上に、全面にわたって塗布す
る（図８０）。
【０３２９】その後、配線パターン６の上の所定の位置
において、フォトリソグラフィによて樹脂膜９９ａを選
択的に除去することより、樹脂膜９９ａに開口部１０を
形成する。このことによって、前述の樹脂膜９９ｂが形
成される（図８１）。この開口部１０において、配線パ
ターン６の表面が露出する。
【０３３０】つづいて、開口部１０を含む表面に、例え
ば金、タングステン、またはハンダ等の導電性の材料の
鍍金を施すことにより、開口部１０における配線パター
ン６の表面に、これらの金属を析出させる。このことに
よって、バンプ状の対物電極４および中継電極５を配線
パターン６の上の所定の部位に形成する（図８２）。こ
れらの対物電極４および中継電極５は、樹脂膜９９ｂの
表面よりも外部に突出するように形成される。この工程
によって配線フィルム９１ａが出来上がる。
【０３３１】つぎに、配線フィルム９１ａの所定部位に
貫通孔９２を形成する（図８３）。貫通孔９２は、水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム等の強アルカリ水溶液、
またはヒドラジン等を用いて、ベースフィルム９７ａお
よび樹脂膜９９ｂにエッチングを施すことによって形成
される。あるいは、貫通孔９２はレーザによる熱溶解、
または機械加工などによって形成されてもよい。また、
貫通孔８２の形成は、この工程以降のいずれの工程で行
ってもよい。
【０３３２】貫通孔９２が形成されることにより、ベー
スフィルム９７ａからベースフィルム９７が出来上り、
樹脂膜９９ｂから保護膜９９が出来上がる。また、この
工程によって、ベースフィルム９７と、その一方の主面
の上に形成された配線層９８とを有する配線フィルム９
１が完成する。
【０３３３】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、前述の工程で完成した配線フィルム９１を、準備さ
れた基材２に取付ける。配線フィルム９１の基材２への
取付は、例えばシリコーン系、エポキシ系、ポリイミド
系などの接着剤、あるいは低融点ガラスを用いて、配線
フィルム９１の対物電極４および中継電極５が露出する
側とは反対の主面を、基材２の一主面に貼着することに
よって行われる（図８４）。この工程によって、プロー
ブ基板１１５が完成する。基材２を準備する工程におい
て、開口部３の寸法などの基材２の形状は、最終的に形
成されるすべての対物電極４および貫通孔９２が開口部
３の中に位置するようにあらかじめ設定される。
【０３３４】なお、上述の金属層６ａを形成する工程
（図７８）では、蒸着もしくはスパッタリングを用い
て、ベースフィルム９７ａの主面の上に金属層６ａを形
成した。これらの蒸着あるいはスパッタリングに代え
て、あらかじめ層状に形成された銅箔などの金属層６ａ
をベースフィルム９７ａの一主面の全面に貼着してもよ
い。貼着を行うには、例えばシリコーン樹脂などの接着
剤を用いるとよい。
【０３３５】更に、鍍金によって金属層６ａをベースフ
ィルム９７ａの主面上に形成してもよい。例えば、無電
解鍍金法によって銅をベースフィルム９７ａの一主面の
全面に析出させることによって、金属層６ａを形成して
もよい。
【０３３６】＜9-4.プローブ基板１１５の製造方法：そ
の２＞つぎに、プローブ基板１１５の製造方法における
もう一つの好ましい実施例について説明する。図８５〜
図８９は、この実施例における製造方法を示す工程図で
ある。この製造方法では、あらかじめ貫通孔９２が形成
されたベースフィルム９７を用いる。
【０３３７】すなわち、まず図８５に示すように、所定
の部位に貫通孔９２が形成されたベースフィルム９７を
準備する。ベースフィルム９７は、例えばポリイミド等
の電気絶縁体であって薄膜形状をなす。つぎに、準備さ
れたベースフィルム９７の一方の主面の上に、蒸着もし
くはスパッタリングにより、例えば銅またはアルミニウ
ムから成る導電性の金属層６ｂを全面に形成する（図８
５）。
【０３３８】つづいて、この金属層６ｂをフォトリソグ
ラフィによりエッチングを行うことにより、所定のパタ
ーンを有する配線パターン６を形成する。（図８６）。
【０３３９】つぎに、保護膜９９となるべき例えばポリ
イミド等の樹脂膜９９ｃを、配線パターン６を含むベー
スフィルム９７の主面の上に、全面にわたって塗布する
（図８７）。
【０３４０】その後、配線パターン６の上の所定の位置
において、フォトリソグラフィによて樹脂膜９９ｃを選
択的に除去することより、樹脂膜９９ｃに開口部１０を
形成する。このことによって、保護膜９９が形成される
（図８８）。この開口部１０において、配線パターン６
の表面が露出する。
【０３４１】つづいて、開口部１０を含む表面に、例え
ば金、タングステン、またはハンダ等の導電性の材料の
鍍金を施すことにより、開口部１０における配線パター
ン６の表面に、これらの金属を析出させる。このことに
よって、バンプ状の対物電極４および中継電極５を配線
パターン６の上の所定の部位に形成する（図８９）。こ
れらの対物電極４および中継電極５は、保護膜９９の表
面よりも外部に突出するように形成される。この工程に
よって、ベースフィルム９７と、その一方の主面の上に
形成された配線層９８とを有する配線フィルム９１が完
成する。
【０３４２】つづく工程を実行するのに先だって、例え
ばアルミニウムなどで構成され開口部３を有する平板形
状の基材２をあらかじめ準備しておく。そうしておい
て、図８４に示した工程と同様の工程を実行することに
より、プローブ基板１１５が完成する。
【０３４３】なお、基材２を準備する工程において、開
口部３の寸法などの基材２の形状は、貫通孔９２と最終
的に形成されるすべての対物電極４とが開口部３の中に
位置するようにあらかじめ設定される。
【０３４４】なお、上述の金属層６ｂを形成する工程
（図８５）では、蒸着もしくはスパッタリングを用い
て、ベースフィルム９７の主面の上に金属層６ｂを形成
した。これらの蒸着あるいはスパッタリングに代えて、
あらかじめ層状に形成された銅箔などの金属層６ｂをベ
ースフィルム９７の一主面の全面に貼着してもよい。貼
着を行うには、例えばシリコーン樹脂などの接着剤を用
いるとよい。
【０３４５】更に、鍍金によって金属層６ｂをベースフ
ィルム９７の主面上に形成してもよい。例えば、無電解
鍍金法によって銅をベースフィルム９７の一主面の全面
に析出させることによって、金属層６ｂを形成してもよ
い。
【０３４６】＜9-5.プローブ基板の変形例＞つぎに、マ
ーキング用の貫通孔が設けられたプローブ基板における
別の例について説明する。図９０はこの実施例のプロー
ブ基板の正面断面図である。このプローブ基板１１６
は、プローブ基板１１５と同様に、中央部に開口部３０
３が形成された板状の基材３０２の一方の主面に配線フ
ィルム３０１が貼着された構造を有する。また、配線フ
ィルム３０１には、開口部３０３に面する所定の部位
に、マーキング用の貫通孔３０４が形成されている。貫
通孔３０４は、プローブ基板１１５における貫通孔９２
と同様に機能する。
【０３４７】プローブ基板１１６では、更に、配線フィ
ルム３０１の全面にわたって、貫通孔３０４から所定の
ピッチＰｃをもって、周期的に別の貫通孔３０６が形成
されている。また、配線フィルム３０１に当接する基材
３０２の下面には、貫通孔３０６が設けられている部位
に、孔（凹部）３０５が形成されている。ピッチＰｃ
は、例えば図６７に示されたウェハＷＨに存在する多数
の半導体チップＳＣの周期的な配列間隔のように、１つ
の被検査物の中に等間隔で存在する複数の単位検査領域
の配列間隔に一致するように設定される。
【０３４８】プローブ基板１１６は、プローブ基板１１
５と同様にプローブ装置２５０に組み込んで用いられ
る。すなわち、プローブ基板１１６を用いることによ
り、プローブ基板１１６が被検査物に当接した状態で、
貫通孔３０４を通して、マーキングを施すことが可能で
ある。
【０３４９】このプローブ基板１１６は、例えば図６７
に示されたウェハＷＨに等間隔で存在する多数の半導体
チップＳＣを順次検査する場合のように、１つの被検査
物の中に等間隔で存在する複数の同一の単位検査領域を
順次反復して検査する場合に、特にその効果を発揮す
る。この検査の過程において、例えばある半導体チップ
ＳＣに不良が認められた場合には、この半導体チップＳ
Ｃにマーキングを施され、その後未検査の半導体チップ
ＳＣの検査が続行される。このとき、検査対象となる半
導体チップＳＣに配線フィルム３０１が当接して検査が
行われるが、検査対象とならない半導体チップＳＣも同
様に配線フィルム３０１に当接する。
【０３５０】しかしながら、プローブ基板１１６におけ
る孔３０５のピッチＰｃは、半導体チップＳＣの配列周
期に一致するように設定されているので、不良と認めら
れた半導体チップＳＣの上に塗布されたマーキング用の
インクの上には、貫通孔３０６および孔３０５が位置す
る。このため、配線フィルム３０１がこのインクに触れ
る恐れがない。その結果、インクが所定の半導体チップ
ＳＣの上から消失したり、インクが希薄になったり、あ
るいは配線フィルム３０１に付着して他の半導体チップ
ＳＣの上に不当に塗布されたりすることがない。このた
め、マーキングを誤りなく実行することが可能であり、
マーキングの信頼性を高め得るという利点がある。
【０３５１】＜第１０実施例＞ここでは、１個のパッド
に複数個の対物電極が当接するプローブ基板の例につい
て説明する。図９１は、この実施例におけるプローブ基
板１１７と、これに当接する被検査物としてのマルチチ
ップモジュールの基板ＳＢの正面断面図である。基板Ｓ
Ｂの表面には、パッドＰｄが形成されており、このパッ
ドＰｄには配線パターンＰｔが接続されている。プロー
ブ基板１１７に設けられたバンプ状の対物電極３１４
が、このパッドＰｄに当接することによって、検査が行
われる。
【０３５２】プローブ基板１１７は、プローブ基板１０
０と同様に、ベースフィルム３１７の一主面上に配線層
３１８が形成されており、この配線層３１８は、配線パ
ターン３１６、対物電極３１４、中継電極（図示を略す
る）、および保護膜３１９を備えている。プローブ基板
１１７では、対物電極３１４がパッドＰｄの各１に複数
個ずつ当接するように配設されている点が特徴的であ
る。すなわち、パッドＰｄの各１毎に１組の対物電極３
１４が対応し、各組はそれぞれ複数個の対物電極３１４
を備えている。図９１には、１個のパッドＰｄに２個の
対物電極３１４が当接する例が図示されている。
【０３５３】１個のパッドＰｄに複数の対物電極３１４
が当接するので、外部の試験装置を操作することによっ
て、１個のパッドに当接するこれらの複数個の対物電極
３１４の間に導通があるか否かを判定することが可能で
ある。基板ＳＢの検査を実行する前に、このような試験
を行うことによって、対物電極３１４とパッドＰｄとの
接触が良好であるかどうかを確認することができる。ま
た、同時にプローブ基板１１７と基板ＳＢとの水平方向
の相対位置が適正であるかどうかをも判定することが可
能である。
【０３５４】すなわち、このプローブ基板１１７を用い
ることによって、対物電極とパッドＰｄとの接触状態の
確認、および相対位置の確認を、直接的な導通試験によ
って確実に行うことが可能である。しかも、電気信号を
送信し応答信号を受信するという電気的な方法に基づく
ので、試験を迅速に行うことが可能である。このため、
検査結果の信頼性を高めることができるとともに、検査
コストを低減することが可能である。
【０３５５】また、プローブ基板１１７の変形例とし
て、各組に属する対物電極３１４の間の導通を試験する
ための回路を、半導体集積回路の形で製作し、プローブ
基板１１７に組み込むことも可能である。このように構
成されたプローブ基板では、外部の試験装置に接続すべ
き中継電極は、各対物電極３１４の組毎に１個で足りる
ので、中継電極の個数を低減することができるという利
点がある。
【０３５６】＜第１１実施例＞ここでは、複数のプロー
ブパターンを有するプローブ基板の例について説明す
る。図９２は、この実施例におけるプローブ基板１１８
の平面図である。プローブ基板１１８は、プローブ基板
１００と同様に、開口部３２３を有する基材３２２に配
線フィルム３２１が貼着された構造を有する。また、開
口部３２３に面する配線フィルム３２１には、対物電極
（図示を略する）が配設されている。
【０３５７】このプローブ基板１１８では、１つの被検
査物に対応した対物電極の組が配設されている領域、す
なわちプローブパターン３２１ａが４個並列に形成され
ている点が特徴的である。このため、プローブ基板１１
８を用いることによって、例えば図６７に示したよう
な、複数個の半導体チップＳＣを有するウェハＷＨを検
査する場合など、同一の被検査物の中に複数の単位検査
領域が存在する場合には、４個の単位検査領域の検査を
同時に実行することができるので、検査の効率が飛躍的
に向上する。
【０３５８】プローブパターン３２１ａは、４個に限ら
ず任意に複数個を並列に設けることが可能である。例え
ば、ウェハＷＨの上に形成された多数の半導体チップＳ
Ｃの全てを同時に検査し得るように、プローブパターン
３２１ａを半導体チップＳＣの個数と同数個設けること
も可能である。このとき、ウェハＷＨの検査効率は最高
となる。
【０３５９】また、複数個のプローブパターン３２１ａ
を、順次１個ずつ使用することも可能である。そうする
ことによって、プローブ基板１１８の寿命を高めること
が可能である。また、１つのプローブパターン３２１ａ
を使用して検査を実行する過程で、プローブパターン３
２１ａが故障したときに、プローブ基板１１８の取り外
し、および新たな１１８の取り付けを行うことなく、試
験装置との接続を他のプローブパターン３２１ａに切り
換えることによって、迅速に検査を再開することが可能
である。すなわち、複数のプローブパターン３２１ａを
同時に使用しない場合においても、検査の効率を高める
ことが可能である。
【０３６０】＜第１２実施例＞ここでは、複数種類の被
検査対象物に対応し得るプローブ基板の実施例について
説明する。図９３は、この実施例のプローブ基板の底面
図である。このプローブ基板１１９は、プローブ基板１
００ｂと同様に、開口部３３３を有する基材３３２に配
線フィルム３３１が貼着された構造を有する。また、開
口部３３３に面する配線フィルム３３１には、対物電極
３３４が配設されている。また、配線フィルム３３１の
周辺部には中継電極３３５が配設されており、この中継
電極３３５は、配線パターン３３６を介して、対物電極
３３４に電気的に結合されている。
【０３６１】このプローブ基板１１９では、対物電極３
３４がマトリックス状に多数配列されている点が特徴的
である。しかも、対物電極３３４の間の間隔は、複数種
類の被検査物の測定部位同士の間隔の最大公約数、例え
ば検査の対象とされる複数種類の基板ＳＢにおけるパッ
ドＰｄの間隔の最大公約数となるように設定されてい
る。このため、検査の対象とされるすべての基板ＳＢに
おけるすべてのパッドＰｄには、対物電極３３４が少な
くとも１個は当接する。このため、各基板ＳＢ毎に、対
物電極３３４を選択して使用することによって、１枚の
プローブ基板１１９で複数の基板ＳＢの検査を実行する
ことが可能である。このため、プローブ基板１１９を使
用することによって、多数種類のプローブ基板を準備す
る工数、およびコストを低減することができる。被検査
物が特に、多品種少量生産による生産物である場合に
は、この効果は特に顕著である。
【０３６２】なお、図９３には、配線フィルム３３１の
形状が円形である例を示したが、配線フィルム３３１
が、任意の形状を有していてもよいことはいうまでもな
い。
【０３６３】＜第１３実施例＞ここでは、被検査物の測
定部位を光学的に観察すべく構成されたプローブ装置の
例について説明する。
【０３６４】＜13-1.プローブ装置の例：その１＞図９
４は、そのようなプローブ装置の第１の例を示す模式図
である。この装置は、レーザビームを発射および検出す
るレーザ検査ユニット３６１、およびレーザビームをウ
ェハＷＨのパッドＰｄに向けて反射させる反射鏡３６２
とを備えている。レーザ検査ユニット３６１から発射さ
れた入射光３６３は、反射鏡３６２によって反射されて
パッドＰｄへ垂直に照射される。パッドＰｄによって反
射された反射光３６４は、反射鏡３６２で反射されてレ
ーザ検査ユニット３６１へ戻る。レーザ検査ユニット３
６１は、反射光３６４を検出する機能を備える。
【０３６５】検査を行う際には、プローブ基板の対物電
極がパッドＰｄに当接する。対物電極がパッドＰｄに、
十分な押圧力をもって付勢されたときには、パッドＰｄ
表面に痕跡が残る。対物電極がパッドＰｄに比較して硬
質の材料で構成される場合、例えばパッドＰｄがアルミ
ニウムで構成され、対物電極がタングステンで構成され
る場合などでは、パッドＰｄの表面に凹凸が形成され
る。また、対物電極が柔らかい材質、例えば金などで構
成される場合には、対物電極の材料の一部がパッドＰｄ
の表面に付着する。
【０３６６】レーザ検査ユニット３６１は、反射光３６
４を検出することによって、これらの凹凸、または異物
の付着の有無を判定する。検査を実行した後で、この操
作を行うことによって、対物電極とパッドＰｄとの間に
十分な押圧力をもって検査が行われたか否か、言い替え
るとこれらの間に十分な接触状態を保って検査がおこな
われたか否かを判定することができる。すなわち、得ら
れた検査の結果が信頼するに足るものかどうかを、検査
後に確認することができる。
【０３６７】＜13-2.プローブ装置の例：その２＞ここ
では、被検査物の測定部位を光学的に観察すべく構成さ
れたプローブ装置の第２の例について説明する。図９５
は、この例を示す模式図である。この装置においても、
パッドＰｄに残留する痕跡が観察される。この装置で
は、レーザ検査ユニット３６１等の代わりに、ＣＣＤカ
メラ３６６が設けられる。ＣＣＤカメラ３６６は、パッ
ドＰｄの表面を光学的に撮像する。そうして得られた画
像信号を、このプローブ装置が別途備える画像処理装置
部へ送信する。この画像処理装置部は、コンピュータを
備えており、パッドＰｄにおける凹凸、または異物の付
着等の痕跡の有無を判定する。
【０３６８】検査を実行した後で、このような試験を行
うことによって、対物電極とパッドＰｄとの間に十分な
押圧力をもって検査が行われたか否か、言い替えるとこ
れらの間に十分な接触状態を保って検査がおこなわれた
か否かを判定することができる。すなわち、得られた検
査の結果が信頼するに足るものかどうかを、検査後に確
認することができる。
【０３６９】なお、画像処理装置部を備えることなく、
ＣＣＤカメラ３６６によって撮像されたパッドＰｄの表
面の画像を、人手をもって観察することによって、痕跡
の有無を判定してもよい。ただし、画像処理装置部を備
える方が検査の効率は高い。
【０３７０】＜第１４実施例＞ここでは、プローブ基板
と被検査物の間の距離を計測する装置を備えるプローブ
装置の例について説明する。図９６は、この実施例のプ
ローブ装置の主要部を示す正面図である。この装置で
は、例えばプローブ基板１００の基材２に、距離センサ
３６８が取り付けられている。距離センサ３６８には、
例えばレーザ光を用いたレーザ測距センサ、静電容量の
変化を捉える静電容量測距センサなどが用いられる。こ
こに例示したこれらの測距センサは特に、被検査物に接
触することなくその距離を計測し得るとともに、感度が
高いという利点を備えている。
【０３７１】このプローブ装置は、距離センサ３６８を
備えているので、検査を実行する前に、プローブ基板１
００とウェハＷＨなどの検査対象物との間の距離を適切
に、かつ精度良く調節することが可能である。距離の調
節は、例えば次の要領で行われる。すなわち、ウェハＷ
Ｈがウェハステージに載置されたときの、ウェハＷＨと
プローブ基板１００との間の距離が距離センサ３６８に
よって測定される。その測定値と目標とすべき距離との
間の差を算出して、この差に相当する距離だけウェハス
テージを上昇させることによって、適切な距離を実現す
る。あるいは、距離を調整する過程で常時距離を計測す
ることによって、その計測値と目標値とが一致するよう
に距離を調整することも可能である。プローブ装置が、
距離センサ３６８およびウェハステージを駆動する機構
に機能的に連結された自動制御装置を備えることによっ
て、これらの操作を自動的に実行することも可能であ
る。
【０３７２】なお、距離センサ３６８は基材２に直接取
り付ける必要はない。プローブ基板１００に間接的に連
結するように取り付けられておれば十分である。例え
ば、プローブ基板１００が、プローブ装置の匡体に固定
されていて、距離センサ３６８が同じく匡体に固定され
ていてもよい。
【０３７３】＜第１５実施例＞ここでは、プローブ基板
と被検査物との間の相対位置を計測する装置を備えたプ
ローブ装置の例について説明する。図９７は、この実施
例のプローブ装置の主要部を示す正面図である。この装
置は、ウェハＷＨの表面を撮像するＣＣＤカメラ３７１
とプローブ基板１００の底面を撮像するＣＣＤカメラ３
７２の２台のカメラを備える。これらのＣＣＤカメラ３
７１、３７２はともに、プローブ装置の匡体に固定され
ている。ＣＣＤカメラ３７１が撮像したウェハＷＨの画
像から、ウェハＷＨの水平方向の位置を算出することが
できる。また、ＣＣＤカメラ３７２が撮像したプローブ
基板１００の画像から、プローブ基板１００の水平方向
の位置を算出することが可能である。
【０３７４】これら２つの算出値からプローブ基板１０
０とウェハＷＨとの間の水平方向の相対位置を更に算出
することができる。更に、この相対位置の算出値から、
目標とすべき相対位置までの偏差を割り出すことができ
るので、この偏差に相当する距離だけプローブ基板１０
０またはウェハＷＨ、あるいはこれらの双方を相対的に
移動させることによって、これらの間の相対位置を適切
に調整することが可能である。なお、このプローブ装置
が、２台のＣＣＤカメラ３７１、３７２とウェハＷＨを
駆動する機構とに、機能的に連結された制御装置を備え
ることによって、位置の算出から相対位置の調整までの
操作を自動的に実行することも可能である。このとき数
μｍの精度をもって相対位置の調整を行うことが可能で
ある。
【０３７５】＜第１６実施例＞ここでは、プローブ基板
の一部を電気的に接地するプローブ装置の例について説
明する。図９８は、この実施例のプローブ装置の主要部
を示す正面図である。この装置では、プローブ基板１２
０を保持する基板保持部材３５１と、プローブ基板１２
０を構成する基材３４２とがともに、導電性の金属で構
成されている。また、中央部に開口部３４３を有する基
材３４２は、基板保持部材３５１にネジ３５２によって
締結されている。このため、基材３４２と基板保持部材
３５１との間の電気的な接触は良好に保たれている。
【０３７６】基板保持部材３５１は、更に電気的に接地
されている。このため、プローブ基板１２０に生じた静
電気は、基材３４２および基板保持部材３５１を経て接
地へと除去される。このため、このプローブ装置ではプ
ローブ基板１２０に静電気が蓄積され難いという利点が
ある。プローブ基板に静電気が蓄積すると、この静電気
によって被検査物が破壊される恐れがある。特に、半導
体チップＳＣが配列するウェハＷＨを検査する際などに
は、静電気による破壊が起こり易い。この実施例の装置
では、プローブ基板１２０に静電気が蓄積され難いの
で、被検査物を静電気によって破壊する恐れが無いとい
う利点がある。
【０３７７】なお、この実施例では基材３４２が基板保
持部材３５１にネジ３５２で締結されるので、基材３４
２はネジ孔を設けるのに十分な厚さをもって構成され
る。その厚さは、例えば５ｍｍ程度である。
【０３７８】＜第１７実施例＞ここでは、磁気的吸引力
によってプローブ基板を基板保持部材に固定するプロー
ブ装置の例について説明する。図９９は、この実施例の
プローブ装置の主要部を示す正面図である。この装置で
は、プローブ基板１２１を保持する基板保持部材３９１
の上面に基材吸引部材３９２が取り付けられている。基
材吸引部材３９２は、電磁石を内蔵している。また、プ
ローブ基板１２１を構成し開口部３８３を有する基材３
８２は、磁性体で構成されている。このため、プローブ
基板１２１は、基材３８２と基材吸引部材３９２の間に
作用する磁気的吸引力によって、基板保持部材３９１の
下面に固定的に保持される。
【０３７９】プローブ基板１２１が磁力の作用で基板保
持部材３９１に保持されるので、プローブ基板１２１を
交換する際などにおいて、プローブ基板１２１を基板保
持部材３９１から容易に脱着することができる。特に、
基材吸引部材３９２に電磁石を用いているので、プロー
ブ基板１２１の脱着の際に電磁石へ供給される電流を遮
断することによって、プローブ基板１２１の脱着を一層
容易にすることができる。プローブ基板１２１の脱着が
容易であるので、検査の効率が向上する。
【０３８０】また、この実施例の装置では、プローブ基
板が基板保持部材へネジによって締結されるプローブ装
置（例えば、図２１に示したプローブ基板１０５を用い
たプローブ装置）に比べて、プローブ基板の脱着の際の
発塵が希少である。よく知られるように、ウェハＷＨな
どの半導体装置は発塵を極度に嫌う。このため、この実
施例のプローブ装置を用いることによって、ウェハＷＨ
の検査などの、発塵を嫌う検査を効率よく実行すること
が可能である。
【０３８１】なお、基材吸引部材３９２は、電磁石の代
わりに永久磁石を備えていてもよい。この場合にも、プ
ローブ基板１２１の脱着は容易であり、脱着の際の発塵
も少ない。しかしながら、脱着の際にも磁気的吸引力の
強さが一定に維持されるので、脱着に力を要する。
【０３８２】＜第１８実施例＞ここでは、静電ブロー装
置を備えるプローブ装置の例について説明する。図１０
０は、この実施例のプローブ装置の主要部を示す正面図
である。この装置には、プローブ基板１０２の配線フィ
ルム１とウェハＷＨなどの被検査物の間にイオン化空気
を送風する静電ブロー装置（静電ブロー手段）３９５が
設けられている。ウェハＷＨの検査を行う前に、ウェハ
ＷＨと配線フィルム１とが互いに対向した状態で静電ブ
ロー装置３９５を作動させることによって、配線フィル
ム１とウェハＷＨに蓄積された静電気を除去することが
できる。このため、ウェハＷＨの検査を行うときに、蓄
積された静電気によってウェハＷＨが破壊されるのを未
然に防止することができる。
【０３８３】＜変形例＞以上に説明した第１実施例〜第
１８実施例は、可能な限り互いに組み合わせて実施する
ことによって、より高い精度および低いコストで検査を
実行することが可能となる。
【０３８４】
【効果】＜請求項１に記載の発明の効果＞この発明のプ
ローブ基板では、対物電極、配線パターン、および中継
電極がベースフィルムに沿って形成されるので、例えば
半導体ウェハプロセスに用いられる工程を利用するな
ど、機械的に製作することが可能である。このため、ピ
ッチが狭くかつ個数の多い測定部位を有する被測定物に
対応して、間隔が狭く個数の多い対物電極および配線パ
ターンを容易にかつ安価に設けることが可能である。し
かも、対物電極は破損し難いので検査コストを更に低減
することが可能である。
【０３８５】＜請求項２に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、基材が開口部を有しており、対物
電極は開口部に面する配線フィルムの領域内に設けられ
ている。このため、配線フィルムがたわむことによっ
て、対物電極の高さおよび測定部位の高さにおけるばら
つきが吸収され、対物電極と測定部位との間に良好な電
気的接触が実現する。
【０３８６】＜請求項３に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、被検査物内に配列する複数の単位
検査領域を逐次移動して測定する際に、被検査物が基材
と干渉することがないので、被検査物のサイズが広大で
あっても、開口部の大きさは略単位検査領域の広さで足
りる。すなわち、このプローブ基板は、そのサイズを小
型化し得る効果を奏する。
【０３８７】＜請求項４に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、対物電極が被検査物へ押圧付勢さ
れ、しかも各対物電極には押圧力が均等に付与される。
このため、対物電極の高さおよび測定部位の高さにおけ
るばらつきが吸収されるとともに、対物電極と測定部位
との間に一層良好な電気的接触が実現する。
【０３８８】＜請求項５に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、対物電極が中継電極よりも突出し
た位置に設けられているので、被検査物内に配列する複
数の単位検査領域を逐次移動して測定する際に、被検査
物が中継電極と干渉することがない。更に、中継電極の
外部の試験装置への接続が、被検査物との干渉を防止し
つつ容易に行い得る。
【０３８９】＜請求項６に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、中継電極が配線フィルムの曲折し
た部分に設けられているので、被検査物と中継電極との
干渉を簡単に防止し得る。
【０３９０】＜請求項７に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、配線フィルムを挟んで対物電極と
中継電極とが互いに反対側に露出しているので、外部の
試験装置と中継電極との接続が容易に行い得る。特に、
例えば被検査物が載置される空間が減圧される場合な
ど、対物電極が外部から隔絶されている場合において
も、外部の試験装置と中継電極との接続が容易に行われ
得るという効果がある。
【０３９１】＜請求項８に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、中継電極の他に更に試験装置との
間を中継する外部中継電極が設けられており、これらの
２種類の中継電極の間がワイヤで結合されているので、
配線パターンの長さを短くすることができる。
【０３９２】＜請求項９に記載の発明の効果＞この発明
のプローブ基板では、配線パターンが多層状に形成され
ているので、ピッチの狭い測定部位に対応して、対物電
極の密度の高いプローブ基板を容易に構成することがで
きる。
【０３９３】＜請求項１０に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、配線フィルムの開口部に面する
領域内に貫通孔が設けられているので、この貫通孔を通
して、被検査物を観測することにより、プローブ基板と
被検査物との相対位置を調整することが可能である。ま
た、この貫通孔を介して、例えば検査結果の不良を表現
するマーキングを被検査物に施すことが可能である。
【０３９４】＜請求項１１に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、貫通孔を通して配線パターンの
一部を観測することができるので、この配線パターンの
一部を位置合わせの基準とすることができる。このた
め、このプローブ基板を用いることにより、プローブ基
板と被検査物との間の相対位置の精密な調整を容易に行
うことが可能である。
【０３９５】＜請求項１２に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、被検査物内に一定のピッチをも
って周期的に配列する複数の単位検査領域を逐次移動し
て検査する際に、単位検査領域に記されたマーキングが
配線フィルムに接触する恐れがないので、例えばインク
等のマーキング媒質が配線フィルムとの接触によって消
失、あるいは他の部分へ散逸することを防止し得るな
ど、マーキングを保存し得る効果がある。
【０３９６】＜請求項１３に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、配線フィルムに周期的に配列し
て設けられた貫通孔に併せて、この貫通孔に対向する基
材の部分に凹部が設けられているので、被検査物に施さ
れたマーキングが基材の表面に接触する恐れがない。こ
のため、一旦施されたマーキングが一層効果的に保存さ
れる。
【０３９７】＜請求項１４に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、測定部位毎に複数個の対物電極
が接触するので、１つの測定部位に接触する複数の対物
電極間の電気的導通を試験することによって、対物電極
と測定部位との間の接触の良否を確認することが可能で
ある。併せて、対物電極と測定部位間の相対位置の良否
を確認することも可能である。
【０３９８】＜請求項１５に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、対物電極の組が複数個並列して
設けられているので、互いに並列して載置される複数個
の被検査物、あるいは同一の被検査物の中の複数個の単
位検査領域を同時に検査することが可能である。このた
め、高い検査効率を実現し得る効果がある。
【０３９９】＜請求項１６に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、１種類のプローブ基板を用いて
測定部位の位置および間隔が異なる複数種類の被検査物
を検査することができるので、検査に要するコストを一
層低減し得る効果がある。
【０４００】＜請求項１７に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、ネジ孔に締結用ネジを螺合させ
ることによって、基材を容易に外部の基板保持部材に固
定的に取り付けることが可能である。また、基板保持部
材へのプローブ基板の脱着が容易であるので、特に多種
類の被検査物を検査する場合に、検査の効率が高いとい
う効果が得られる。
【０４０１】＜請求項１８に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、磁力の作用で基材を基板保持部
材に固定することができるので、プローブ基板の脱着が
一層容易である。このため、特に多種類の被検査物を検
査する場合に、検査の効率が一層高いという効果が得ら
れる。更に、脱着に伴う発塵が抑えられるので、例えば
被検査物が半導体ウェハである場合など、発塵を極力嫌
う検査の現場においても、検査を更に効率よく行い得る
という効果がある。
【０４０２】＜請求項１９に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、磁気的吸引力の作用で対物電極
を被検査物の測定部位に押圧付勢することができるの
で、各対物電極に均等に磁力を作用させることが可能で
ある。このため、対物電極と測定部位との間の良好な電
気的接触を容易に実現することができる。
【０４０３】＜請求項２０に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ基板では、磁気的吸引力の作用で対物電極
を被検査物の測定部位に押圧付勢することが可能であ
る。これによって、対物電極と測定部位との間の良好な
電気的接触を、簡単な構造をもって実現することができ
る。
【０４０４】＜請求項２１に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、プローブ基板に設けられた対物
電極が被検査物の測定部位に押圧付勢されるので、対物
電極と測定部位との電気的接触が実現する。また、この
装置では、間隔が狭く個数の多い対物電極および配線パ
ターンを容易にかつ安価に設けることが可能なプローブ
基板が用いられるので、ピッチが狭くかつ個数の多い測
定部位を有する被測定物の検査を、容易かつ安価に実現
することができる。
【０４０５】＜請求項２２に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、配線フィルムが適度にたわむこ
とにより対物電極が被検査物へ押圧付勢され、しかも風
袋を用いるので各対物電極には均等に押圧力が付与され
る。このため、対物電極の高さおよび測定部位の高さに
おけるばらつきが吸収されるとともに、対物電極と測定
部位との間に良好な電気的接触が実現する。
【０４０６】＜請求項２３に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、例えば測定部位の表面の酸化膜
などの、対物電極と測定部位との間の接触抵抗を増大さ
せる素因が、対物電極の超音波振動にともなって除去さ
れる。その結果、これらの間に一層良好な電気的接触が
実現する。
【０４０７】＜請求項２４に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、流体の圧力によって対物電極が
被検査物へ押圧付勢されるので、各対物電極には均等に
押圧力が付与される。このため、対物電極の高さおよび
測定部位の高さにおけるばらつきが吸収されるととも
に、対物電極と測定部位との間に良好な電気的接触が実
現する。
【０４０８】＜請求項２５に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、対物電極と測定部位との間の接
触抵抗を増大させる素因が、対物電極の超音波振動にと
もなって除去される。その結果、これらの間に一層良好
な電気的接触が実現する。
【０４０９】＜請求項２６に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、流体の圧力によって対物電極が
被検査物へ押圧付勢される。流体の圧力で押圧されるの
で、各対物電極には均等に押圧力が付与される。このた
め、対物電極の高さおよび測定部位の高さにおけるばら
つきが吸収されるとともに、対物電極と測定部位との間
に良好な電気的接触が実現する。
【０４１０】＜請求項２７に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、圧力調整手段によって流体密閉
容器の内部の流体の圧力が調整されるので、常に適正な
押圧力をもって対物電極を押圧付勢することが可能であ
る。
【０４１１】＜請求項２８に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、対物電極と測定部位との間の接
触抵抗を増大させる素因が、対物電極の超音波振動にと
もなって除去される。その結果、これらの間に一層良好
な電気的接触が実現する。
【０４１２】＜請求項２９に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、温度調節手段によって流体密閉
容器の内部の流体の温度が一定の高さを保持するように
調節されるので、外気の温度変化等に伴って引き起こさ
れる流体の温度変化が防止され、常に一定の圧力が保持
される。このため、対物電極に付与される押圧力が、外
気温度等に依存せずに一定に保持される。
【０４１３】＜請求項３０に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、弾性膜体と開口部内に位置する
配線フィルムとの間の密着性が高いので、各対物電極に
は一層均等に押圧力が付与される。このため、対物電極
の高さおよび測定部位の高さにおけるばらつきが一層効
果的に吸収されるとともに、対物電極と測定部位との間
に更に良好な電気的接触が実現する。
【０４１４】＜請求項３１に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、磁気的吸引力の作用によって対
物電極が被検査物の測定部位に押圧付勢される。このた
め、対物電極と測定部位との間の良好な電気的接触が容
易に実現する。
【０４１５】＜請求項３２に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、外気との差圧の作用で対物電極
が被検査物へ押圧付勢されるので、各対物電極には均等
に押圧力が付与される。このため、対物電極の高さおよ
び測定部位の高さにおけるばらつきが吸収されるととも
に、対物電極と測定部位との間に良好な電気的接触が実
現する。
【０４１６】＜請求項３３に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、配線フィルムの開口部に面する
領域内に貫通孔が設けられたプローブ基板を用い、更に
顕微鏡を用いて貫通孔を通して被検査物を観察すること
により、プローブ基板と被検査物との相対位置を微細に
調整することが可能である。
【０４１７】＜請求項３４に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、第２番目以降の被検査物におけ
る相対位置の調整は、撮像手段を用いて行うことができ
る。このため、顕微鏡を用いて相対位置の微細な調整を
行うという複雑な工程を減らすことができるので、検査
をより容易にかつ安価に実行し得る。
【０４１８】＜請求項３５に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、マーキング手段によって、例え
ば検査結果の不良を表現するマーキングを、貫通孔を介
して被検査物に施すことが可能である。しかも、プロー
ブ基板と被検査物が互いに当接したままで、マーキング
を施すことができるので、高い効率で検査を遂行するこ
とができる。
【０４１９】＜請求項３６に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、被測定物の測定部位を観察する
手段を用いることにより、対物電極が測定部位に押圧さ
れることによって生じる痕跡、例えば測定部位の表面の
微妙な凹凸、あるいは対物電極の材料の付着等を観察す
ることができる。このため、対物電極と測定部位との接
触が十分に行われたか否かを判定することが可能であ
る。
【０４２０】＜請求項３７に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、レーザビームの反射波を検出す
ることによって、対物電極が測定部位に押圧されること
によって生じる痕跡を検出することができる。このた
め、対物電極と測定部位との接触が十分に行われたか否
かを判定することが可能である。
【０４２１】＜請求項３８に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、間隔測定手段によってプローブ
基板と被測定物との間の間隔が測定される。このため、
この測定値に基づいて間隔を修正することにより、間隔
を適正な大きさに設定することが可能である。
【０４２２】＜請求項３９に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、２種類の撮像手段を用いて、プ
ローブ基板と被検査物との間の相対位置を適正な位置に
調整することができる。このため、検査に先だってプロ
ーブ基板と被検査物とを、容易に適正な相対位置に設定
することができる。
【０４２３】＜請求項４０に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、ネジ孔に締結用ネジを螺合させ
ることによって、基材を容易に基板保持部材に固定的に
取り付けることが可能である。また、基板保持部材への
プローブ基板の脱着が容易であるので、特に多種類の被
検査物を検査する場合に、検査の効率が高いという効果
が得られる。
【０４２４】＜請求項４１に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、プローブ基板に静電気が蓄積し
難いので、検査の際における静電気による被検査物の破
壊を防止することができる。
【０４２５】＜請求項４２に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、磁気的吸引力の作用で基材を基
板保持部材に固定することができるので、プローブ基板
の脱着が一層容易である。このため、特に多種類の被検
査物を検査する場合に、検査の効率が一層高いという効
果が得られる。更に、脱着に伴う発塵が抑えられるの
で、例えば被検査物が半導体ウェハである場合など、発
塵を極力嫌う検査の現場においても、検査を更に効率よ
く行い得るという効果がある。
【０４２６】＜請求項４３に記載の発明の効果＞この発
明のプローブ装置では、静電ブロー手段の作用によっ
て、配線フィルムに蓄積する静電気が除去される。この
ため、検査の際における静電気による被検査物の破壊を
防止することができる。
【０４２７】＜請求項４４に記載の発明の効果＞この発
明の製造方法を用いることによって、この発明のプロー
ブ基板を製造することが可能である。
【０４２８】＜請求項４５〜請求項５８に記載の発明の
効果＞この発明の製造方法は、ウェハプロセスに用いら
れる工程を応用するので、この発明のプローブ基板を容
易かつ安価に、かつ大量に製造することができる。特
に、対物電極の個数および密度の高いプローブ基板を、
精度良くかつ容易に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例におけるプローブ基板の外観斜視図
である。
【図２】第１実施例におけるプローブ基板の底面図であ
る。
【図３】第１実施例におけるプローブ基板の正面断面図
である。
【図４】第１実施例におけるプローブ装置の正面図であ
る。
【図５】第１実施例におけるプローブ基板の正面断面図
である。
【図６】第１実施例におけるプローブ基板の正面断面図
である。
【図７】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程図
である。
【図８】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程図
である。
【図９】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程図
である。
【図１０】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図１１】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図１２】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図１３】第１実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図１４】第１実施例の変形例におけるプローブ基板の
外観斜視図である。
【図１５】第１実施例の変形例におけるプローブ基板の
底面図である。
【図１６】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図１７】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図１８】第２実施例におけるプローブ基板の斜視図で
ある。
【図１９】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２０】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２１】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２２】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２３】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２４】第２実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図２５】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２６】第２実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２７】第３実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図２８】第４実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図２９】第４実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図３０】第４実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図３１】第４実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図３２】第５実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図３３】第５実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図３４】第５実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図３５】第５実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図３６】第５実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図３７】第５実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図３８】第６実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図３９】第６実施例におけるプローブ装置の正面断面
図である。
【図４０】第６実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図４１】第６実施例におけるプローブ装置の正面断面
図である。
【図４２】第７実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図４３】第７実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図４４】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図４５】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図４６】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図４７】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図４８】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図４９】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５０】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５１】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５２】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５３】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５４】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５５】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５６】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５７】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５８】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図５９】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図６０】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図６１】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図６２】第７実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図６３】第８実施例におけるプローブ基板の平面図で
ある。
【図６４】第８実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図６５】第８実施例におけるプローブ装置の正面断面
図である。
【図６６】第８実施例におけるプローブ装置の斜視図で
ある。
【図６７】第８実施例におけるプローブ装置の動作を説
明する模式図である。
【図６８】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図６９】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７０】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７１】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７２】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７３】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７４】第８実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７５】第９実施例におけるプローブ基板の平面図で
ある。
【図７６】第９実施例におけるプローブ装置の主要部の
正面断面図である。
【図７７】第９実施例におけるプローブ装置の主要部の
斜視図である。
【図７８】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図７９】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８０】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８１】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８２】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８３】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８４】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８５】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８６】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８７】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８８】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図８９】第９実施例におけるプローブ基板の製造工程
図である。
【図９０】第９実施例におけるプローブ基板の正面断面
図である。
【図９１】第１０実施例におけるプローブ基板の部分拡
大正面断面図である。
【図９２】第１１実施例におけるプローブ基板の平面図
である。
【図９３】第１２実施例におけるプローブ基板の底面図
である。
【図９４】第１３実施例におけるプローブ装置の主要部
の斜視図である。
【図９５】第１３実施例におけるプローブ装置の主要部
の斜視図である。
【図９６】第１４実施例におけるプローブ装置の主要部
の正面図である。
【図９７】第１５実施例におけるプローブ装置の主要部
の正面図である。
【図９８】第１６実施例におけるプローブ装置の主要部
の正面断面図である。
【図９９】第１７実施例におけるプローブ装置の主要部
の正面断面図である。
【図１００】第１８実施例におけるプローブ装置の主要
部の正面断面図である。
【図１０１】従来のプローブカードの概略斜視図であ
る。
【図１０２】従来の探針に対向するウェハの部分拡大断
面図である。
【図１０３】マルチチップモジュールの正面断面図であ
る。
【図１０４】マルチチップモジュールの基板の斜視図で
ある。
【符号の説明】
１、３６、４４、５３、６０ｂ、７０ｂ、８１、９１、
９１ａ、３０１、３２１、３３１ 配線フィルム ２、２２、２４、２６、３２、４６、５６、３０２、３
２２、３３２、３４２、３８２ 基材 ３、２１、４７、５８、３０３、３２３、３３３、３８
３ 開口部 ４、３４、３９、４９、６８、７７、７８、２３４、３
１４、３３４ 対物電極 ５、４０、５２、６９、７９、８０、３３５ 中継電極 ６、４１、５１、６１、６３、６４、７１、７３、３１
６、３３６ 配線パターン ６ａ、６１ａ、６３ａ、７１ａ、７３ａ、８９ａ、９９
ａ 金属層 ７、３８、６０、７０、８７、９７、９７ａ、３１７
ベースフィルム ８、３５、４５、５４、６０ａ、７０ａ、８８、９８、
３１８ 配線層 ９、４２、４３、５０、６２、６６、７２、７６、８
９、９９、３１９ 保護膜 ９ａ、６２ａ、６６ａ、７２ａ、７６ａ、９９ｂ、９９
ｃ 樹脂膜（保護膜） １０ 開口部 １１ 風袋 ５５ 外部中継電極 ５７ ワイヤ ＷＨ ウェハ（被検査物） ＳＢ 基板（被検査物） Ｐｄ パッド（測定部位） ＳＣ 半導体チップ（単位検査領域） １００、１０１、１００ｂ、１０２〜１０９、１０９
ａ、１１０〜１２１ プローブ基板 １５０、２２４、２３０、２４０ プローブ装置 １６０、１６１、１６２ 付勢ユニット（付勢手段） １７０、１７４、１８０、３５１、３９１ 基板保持部
材 ２００ 密壁（流体密壁） ２０１ 空気室（流体室） ２０２ 空気加圧装置（流体供給手段） １６３、１６４、１６５ 密閉容器（流体密閉容器） ２０６、２１０、２１４ 容器本体 ２０７ 弾性膜体 ２１３ 圧力調整器（圧力調整手段） ２１７ 温度調節器（温度調節手段） ２１８ 超音波発生器（超音波発生手段） ２２０ 気密隔壁 ２２１ 気密室 ２２２ 電磁石（対物電極吸引手段） ２２３ 磁性押圧部材 ２２５、２３１ 気密容器 ２２７、２３５ 減圧ポンプ（減圧ポンプ） ８２、９２、３０４、３０６ 貫通孔 ２４３ 顕微鏡 ２４４ ＣＤＤカメラ（撮像手段） ２５１ インクノズル（マーキング手段） ３０５ 孔（凹部） ３６１ レーザ検査ユニット（レーザ照射手段、反射波
検出手段） ３６６ ＣＣＤカメラ ３６８ 距離センサ（間隔測定手段） ３７１ ＣＣＤカメラ（第１の撮像手段） ３７２ ＣＣＤカメラ（第２の撮像手段） ３９２ 基材吸引部材 ３９５ 静電ブロー装置（静電ブロー手段）

Claims (58)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被検査物である集積回路装置の測定部位
    と、試験装置とを接続するプローブ基板であって、 （ａ）配線フィルムと、 （ｂ）前記配線フィルムが固定的に取り付けられた基材
    と、 を備え、 前記配線フィルムが、 （ａ−１）実質的に絶縁体から成るベースフィルムと、 （ａ−２）実質的に前記ベースフィルムの表面上に形成
    された配線層と、 を備え、 前記配線層が、 （ａ−２−１）実質的に導電体から成る突起状の電極で
    あって、当該突起の少なくとも先端部分が外部に露出
    し、当該先端部分が前記被検査物の測定部位に接触する
    ように設けられた対物電極と、 （ａ−２−２）実質的に導電体から成る電極であって、
    少なくとも表面の一部が外部に露出し、前記試験装置と
    の間で電気信号を授受する中継電極と、 （ａ−２−３）実質的に導電体から成り、前記対物電極
    と前記中継電極とを電気的に結合する配線パターンと、 を備えるプローブ基板。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記基材が、中央部分に開口部を有し、 前記対物電極が、前記開口部に面する前記配線フィルム
    の領域内に設けられているプローブ基板。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記対物電極の先端部分は、前記基材に取り付けられる
    側とは反対側の前記配線フィルムの表面に露出するプロ
    ーブ基板。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のプローブ基板であっ
    て、 （ｃ）内部に流体を収納し、前記開口部に挿入された弾
    性体の風袋、 を更に備え、 前記風袋が前記配線フィルムに向かって外部より押圧付
    勢されたときに、前記風袋が接触する前記配線フィルム
    の領域内に前記対物電極が位置するように、当該対物電
    極が前記開口部の開口端から所定の距離をもって設けら
    れているプローブ基板。
  5. 【請求項５】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記対物電極が、前記中継電極よりも、当該対物電極が
    接触すべき前記被検査物の表面に向かって突出した位置
    に設けられているプローブ基板。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記配線フィルムの周辺部分が、前記基材に曲折されて
    取り付けられ、この曲折した部分に前記中継電極が設け
    られているプローブ基板。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記中継電極が、前記配線フィルムを挟んで、前記対物
    電極が露出する側とは反対側に露出するプローブ基板。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記基材が平板形状であり、その主面の１つに前記配線
    フィルムの前記対物電極が露出する側とは反対側の主面
    が貼着されており、 （ｃ）前記基材の前記配線フィルムが貼着される側とは
    反対側の主面に設けられ、前記試験装置に結合される外
    部中継電極と、 （ｄ）前記中継電極と前記外部中継電極とを電気的に結
    合するワイヤと、 を更に備えるプローブ基板。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記配線パターンが、前記配線層の中で多層状に形成さ
    れているプローブ基板。
  10. 【請求項１０】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に、当該
    配線フィルムを貫通する貫通孔が形成されているプロー
    ブ基板。
  11. 【請求項１１】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に貫通孔
    が形成されており、当該貫通孔は、その一部が前記配線
    パターンによって覆われ、かつ当該配線パターンを除い
    て前記配線フィルムを貫通するように形成されているプ
    ローブ基板。
  12. 【請求項１２】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記被検査物の表面に対向する前記配線フィルムの領域
    に一定のピッチで周期的に配列する貫通孔が形成されて
    おり、当該貫通孔は前記配線フィルムを貫通するように
    形成されており、しかも当該貫通孔の少なくとも１は前
    記開口部に面する前記配線フィルムの領域内に形成され
    ているプローブ基板。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載のプローブ基板であ
    って、 前記基材の前記貫通孔に対向する部分に凹部が設けられ
    ているプローブ基板。
  14. 【請求項１４】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記被検査物の前記測定部位毎に複数個の前記対物電極
    が接触するように、当該対物電極が設けられているプロ
    ーブ基板。
  15. 【請求項１５】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記被検査物に対応した対物電極の組が、互いに並列し
    て前記配線層に複数個配設されたプローブ基板。
  16. 【請求項１６】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 複数種類の前記被検査物における前記測定部位同士の間
    の間隔の最大公約数に相当する間隔で、前記対物電極が
    マトリックス状に配列されたプローブ基板。
  17. 【請求項１７】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記基材を保持する外部の部材に当該基材を締結するた
    めのネジ孔が当該基材に形成されたプローブ基板。
  18. 【請求項１８】 請求項１に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記基材が磁性体を有するプローブ基板。
  19. 【請求項１９】 請求項２に記載のプローブ基板であっ
    て、 前記対物電極が磁性体を有するプローブ基板。
  20. 【請求項２０】 請求項３に記載のプローブ基板であっ
    て、 （ｃ）前記開口部における前記配線フィルム上に載置さ
    れ、磁性体を有する磁性押圧部材、 を更に備えるプローブ基板。
  21. 【請求項２１】 プローブ基板を被検査物である集積回
    路装置の所定位置に当接させることにより、被検査物の
    測定部位と外部の試験装置とを接続するプローブ装置で
    あって、 （ａ）請求項１に記載のプローブ基板と、 （ｂ）前記プローブ基板の前記対物電極を前記被検査物
    の前記測定部位に押圧付勢する付勢手段と、 を備えるプローブ装置。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項４に記載のプローブ基板であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−１）前記風袋を前記配線フィルムに向かって押圧
    付勢する加圧手段、 を備えるプローブ装置。
  23. 【請求項２３】 請求項２２に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−２）前記風袋の内部に収納される流体に超音波振
    動を付与する超音波振動発生手段、 を更に備えるプローブ装置。
  24. 【請求項２４】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項３に記載のプローブ基板であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−１）前記開口部を覆う流体密壁であって、当該開
    口部に面する前記配線フィルムとともに、当該開口部に
    流体室を規定する流体密壁と、 （ｂ−２）前記流体室に圧力を有する流体を供給する流
    体供給手段と、 を備えるプローブ装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−３）前記流体室内の流体に超音波振動を付与する
    超音波振動発生手段、を更に備えるプローブ装置。
  26. 【請求項２６】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項３に記載のプローブ基板であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−１）一端面が開口し剛性を有する容器本体と当該
    一端面を覆う弾性膜体とを有し、内圧を付加した状態で
    流体を内部に保持し、前記弾性膜体が前記配線フィルム
    に当接するように前記開口部に挿入された流体密閉容
    器、 を備えるプローブ装置。
  27. 【請求項２７】 請求項２６に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−２）前記流体密閉容器の内部と連通し、当該容器
    内部の流体の圧力を調整する圧力調整手段、 を更に備えるプローブ装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２６に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−２）前記流体密閉容器の内部の流体に超音波振動
    を付与する超音波発生手段、 を更に備えるプローブ装置。
  29. 【請求項２９】 請求項２８に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−３）前記流体密閉容器の内部の流体の温度を所定
    の高さに保持する温度調節手段、 を更に備えるプローブ装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２６に記載のプローブ装置であ
    って、 前記付勢手段が、 （ｂ−２）前記流体密閉容器が挿入された前記基材の開
    口部を外気から気密に保つように、前記流体密閉容器と
    前記基材との間に設けられた気密隔壁であって、当該気
    密隔壁の内部に規定される気密室が減圧されている気密
    隔壁、 を更に備えるプローブ装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項１９または請求項２０に記載
    のプローブ基板であって、 前記付勢手段が、 （ｂ−１）前記被検査物を挟んで前記プローブ基板とは
    反対側に設置され、磁石を有する対物電極吸引手段、 を備えるプローブ装置。
  32. 【請求項３２】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項７または請求項８に記載のプ
    ローブ基板であって、 前記付勢手段が、 （ｂ−１）一端面が開口し剛性を有する気密容器であっ
    て、前記被検査物をその内部に収納し、前記一端面が前
    記プローブ基板によって気密的に封じられている気密容
    器と、 （ｂ−２）前記気密容器の内部の気圧を減圧する減圧手
    段と、 を備えるプローブ装置。
  33. 【請求項３３】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項１０ないし請求項１３のいず
    れか１項に記載のプローブ基板であって、 前記プローブ装置が、 （ｃ）前記開口部に対向する位置に設置され、前記貫通
    孔を通して被検査物の表面を観察する顕微鏡、 を更に備えるプローブ装置。
  34. 【請求項３４】 請求項３３に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｄ）前記プローブ基板に連結して設けられ、前記被検
    査物を光学的に観察する撮像手段、 を更に備えるプローブ装置。
  35. 【請求項３５】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項１０に記載のプローブ基板で
    あって、 前記プローブ装置が、 （ｃ）前記貫通孔を通して被検査物の表面にマーキング
    を施すマーキング手段、を更に備えるプローブ装置。
  36. 【請求項３６】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｃ）前記被検査物の測定部位を光学的に観察する手
    段、 を更に備えるプローブ装置。
  37. 【請求項３７】 請求項３６に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｄ）前記被検査物の測定部位にレーザビームを照射す
    るレーザ照射手段、 を更に備え、 前記手段（ｃ）が、 （ｃ−１）前記測定部位からの前記レーザビームの反射
    波を検出する反射波検出手段、 を備えるプローブ装置。
  38. 【請求項３８】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｃ）前記プローブ基板に連結して設置され、当該プロ
    ーブ基板と前記被検査物の間の間隔を測定する間隔測定
    手段、 を更に備えるプローブ装置。
  39. 【請求項３９】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｃ）光学的に撮像することにより、前記被検査物の表
    面に沿った方向の当該被検査物の位置を光学的に認識す
    る第１の撮像手段と、 （ｄ）光学的に撮像することにより、前記被検査物の表
    面に平行な方向の前記プローブ基板の位置を光学的に認
    識する第２の撮像手段と、 を更に備えるプローブ装置。
  40. 【請求項４０】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が、請求項１７に記載のプローブ基板
    であって、 （ｃ）前記ネジ孔にネジを螺合させることによって、前
    記基材を固定的に締結する基板保持部材、 を更に備えるプローブ装置。
  41. 【請求項４１】 請求項４０に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板の前記基材が実質的に導電体から成
    り、 前記基板保持部材が、実質的に導電体から成っており、
    しかも電気的に接地されているプローブ装置。
  42. 【請求項４２】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 前記プローブ基板が請求項１８に記載のプローブ基板で
    あって、 （ｃ）前記プローブ基板の基材が当接する基板保持部材
    と、 （ｄ）前記基材が当接する前記基板保持部材の部分の近
    傍に設けられ、磁石を有する基材吸引部材と、 を備えるプローブ装置。
  43. 【請求項４３】 請求項２１に記載のプローブ装置であ
    って、 （ｃ）前記被検査物と当該被検査物に対向する前記配線
    フィルムの間の間隙に、イオン化空気を送り込む静電ブ
    ロー手段、 を更に備えるプローブ装置。
  44. 【請求項４４】 プローブ基板の製造方法であって、 （ａ）基材を準備する工程と、 （ｂ）配線フィルムを製作する工程と、 （ｃ）前記配線フィルムを前記基材に固定的に取り付け
    る工程と、 を備え、 前記工程（ｂ）が、 （ｂ−１）実質的に絶縁体から成るベースフィルムを準
    備する工程と、 （ｂ−２）実質的に前記ベースフィルムの表面上に配線
    層を形成する工程と、 を備え、 前記工程（ｂ−２）が、 （ｂ−２−１）実質的に導電体から成る配線パターンを
    前記ベースフィルム上に形成する工程と、 （ｂ−２−２）実質的に導電体から成り、少なくとも先
    端部分が外部に露出する突起状の対物電極を前記配線パ
    ターン上の第１の所定の位置に形成する工程と、 （ｂ−２−３）実質的に導電体から成り、少なくとも表
    面の一部が外部に露出する中継電極を前記配線パターン
    上の第２の所定の位置に形成する工程と、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  45. 【請求項４５】 請求項４４に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ｂ−２−１）が、 （ｂ−２−１−１）前記ベースフィルムの一方の主面上
    に実質的に導電体から成る金属層を形成する工程と、 （ｂ−２−１−２）前記金属層を選択的にエッチングす
    ることにより、配線パターンを形成する工程と、 （ｂ−２−１−３）前記配線パターンおよび前記ベース
    フィルムの上に実質的に絶縁体から成る保護膜を塗布す
    る工程と、 を備え、 前記工程（ｂ−２−２）が、 （ｂ−２−２−１）前記配線パターン上の前記第１の所
    定の位置において前記保護膜を選択的に除去して、前記
    保護膜に第１の開口部を形成する工程と、 （ｂ−２−２−２）前記第１の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の前記対物電極
    を形成する工程と、 を備え、 前記工程（ｂ−２−３）が、 （ｂ−２−３−１）前記配線パターン上の前記第２の所
    定の位置において前記保護膜を選択的に除去して、前記
    保護膜に第２の開口部を形成する工程と、 （ｂ−２−３−２）前記第２の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の前記中継電極
    を形成する工程と、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  46. 【請求項４６】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する基材を準備する工
    程、 を備え、 前記工程（ｃ）が、 （ｃ−１）前記対物電極および前記中継電極が露出する
    側とは反対側の表面が前記基材に当接するように、前記
    配線フィルムを前記基材に固定的に取り付ける工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  47. 【請求項４７】 請求項４６に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 （ｄ）内部に流体を収納する弾性体の風袋を準備する工
    程と、 （ｅ）前記風袋を前記基材の前記開口部に挿入する工程
    と、 を更に備えるプローブ基板の製造方法。
  48. 【請求項４８】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する平板において、周
    囲が一方の主面の方向に最大１８０゜まで屈曲した形状
    の基材を準備する工程、 を備え、 前記工程（ｃ）が、 （ｃ−１）前記対物電極および前記中継電極が露出する
    側とは反対側の表面が、前記基材の屈曲する方向とは反
    対側の表面に当接するように、前記配線フィルムを前記
    基材に固定的に取り付ける工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  49. 【請求項４９】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する平板形状の基材を
    準備する工程、 を備え、 前記工程（ｃ）が、 （ｃ−１）前記対物電極および前記中継電極が露出する
    側とは反対側の表面が、前記基材の主面に当接するよう
    に、前記配線フィルムを前記基材に固定的に取り付ける
    工程、 を備え、 前記製造方法が、 （ｄ）前記配線フィルムが取り付けられた状態で、前記
    基材の周囲を一方の主面の方向に最大１８０゜まで屈曲
    させる工程、 を更に備えるプローブ基板の製造方法。
  50. 【請求項５０】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する平板形状の基材を
    準備する工程、 を備え、 前記工程（ｃ）が、 （ｃ−１）前記対物電極および前記中継電極が露出する
    側とは反対側の前記配線フィルムの表面が前記基材の主
    面に当接し、しかも当該配線フィルムの中央部が当接す
    る前記基材の主面とは反対側の主面に当該配線フィルム
    の周囲が当接するように、前記配線フィルムを前記基材
    に固定的に取り付ける工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  51. 【請求項５１】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する基材を準備する工
    程、 を備え、 前記工程（ｂ−２−２−２）が、 （ｂ−２−２−２−１）前記第１の開口部に磁性材料を
    有する金属を鍍金することにより、実質的に導電体から
    成り、しかも磁性体を有する突起状の対物電極を形成す
    る工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  52. 【請求項５２】 請求項４６に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 （ｄ）磁性体を有する磁性押圧部材を準備する工程と、 （ｅ）前記磁性押圧部材を前記基材の前記開口部に挿入
    し、前記配線フィルム上に載置する工程と、 を更に備えるプローブ基板の製造方法。
  53. 【請求項５３】 請求項４４に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ｂ−２−１）が、 （ｂ−２−１−１）前記ベースフィルムの主面上に実質
    的に導電体から成る金属層を形成する工程と、 （ｂ−２−１−２）前記金属層を選択的にエッチングす
    ることにより、配線パターンを形成する工程と、 （ｂ−２−１−３）以下の工程（ｂ−２−１−３−１）
    〜（ｂ−２−１−３−４）を少なくとも１回以上実行す
    る工程と、 を備え；ここで、前記工程（ｂ−２−１−３−１）〜
    （ｂ−２−１−３−４）は、 （ｂ−２−１−３−１）前記配線パターンを含めて表面
    に露出する面の上に実質的に絶縁体から成る保護膜を塗
    布する工程と、 （ｂ−２−１−３−２）前記配線パターン上の所定の位
    置において前記保護膜を選択的に除去して、前記保護膜
    にコンタクト用開口部を形成する工程、 （ｂ−２−１−３−３）前記保護膜および前記配線パタ
    ーンの上に、実質的に導電体から成る金属層を新たに形
    成する工程、および （ｂ−２−１−３−４）前記新たに形成された金属層を
    選択的にエッチングすることにより、配線パターンを新
    たに形成する工程、 であり；前記工程（ｂ−２−１）が、 （ｂ−２−１−４）前記最終の工程で形成された最上層
    配線パターンを含めて表面に露出する面の上に、実質的
    に絶縁体から成る最上層保護膜を塗布する工程、を更に
    備え、 前記工程（ｂ−２−２）が、 （ｂ−２−２−１）前記最上層配線パターンの上の第１
    の所定の位置において前記最上層保護膜を選択的に除去
    して、当該最上層保護膜に第１の開口部を形成する工程
    と、 （ｂ−２−２−２）前記第１の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の前記対物電極
    を形成する工程と、 を備え、 前記工程（ｂ−２−３）が、 （ｂ−２−３−１）前記最上層配線パターン上の前記第
    ２の所定の位置において前記最上層保護膜を選択的に除
    去して、当該最上層保護膜に第２の開口部を形成する工
    程と、 （ｂ−２−３−２）前記第２の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の前記中継電極
    を形成する工程と、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  54. 【請求項５４】 請求項４４に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ｂ−２−１）が、 （ｂ−２−１−１）前記ベースフィルムの主面上に実質
    的に導電体から成る金属層を形成する工程と、 （ｂ−２−１−２）前記金属層を選択的にエッチングす
    ることにより、配線パターンを形成する工程と、 （ｂ−２−１−３）以下の工程（ｂ−２−１−３−１）
    〜（ｂ−２−１−３−３）を少なくとも１回以上実行す
    る工程と、 を備え；ここで、前記工程（ｂ−２−１−３−１）〜
    （ｂ−２−１−３−３）は、 （ｂ−２−１−３−１）前記配線パターンを含めて表面
    に露出する面の上に実質的に絶縁体から成る保護膜を塗
    布する工程と、 （ｂ−２−１−３−２）前記保護膜の上に、実質的に導
    電体から成る金属層を新たに形成する工程、および、 （ｂ−２−１−３−３）前記新たに形成された金属層を
    選択的にエッチングすることにより、配線パターンを新
    たに形成する工程、 であり、 前記工程（ｂ−２−１）が、 （ｂ−２−１−４）前記工程（ｂ−２−１−３−３）で
    形成された配線パターンを含めて表面に露出する面の上
    に、実質的に絶縁体から成る保護膜を新たに塗布する工
    程、 を更に備え、 前記工程（ｂ−２−２）が、 （ｂ−２−２−１）前記各工程で形成された各配線パタ
    ーンの上の第１の所定の位置において前記各工程で形成
    された保護膜を選択的に除去して、当該保護膜に第１の
    開口部を形成する工程と、 （ｂ−２−２−２）前記第１の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の対物電極を形
    成する工程と、 を備え、 前記工程（ｂ−２−３）が、 （ｂ−２−３−１）前記各工程で形成された各配線パタ
    ーンの上の第２の所定の位置において前記各工程で形成
    された保護膜を選択的に除去して、当該保護膜に第２の
    開口部を形成する工程と、 （ｂ−２−３−２）前記第２の開口部に鍍金を施すこと
    により、実質的に導電体から成る突起状の中継電極を形
    成する工程と、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  55. 【請求項５５】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する基材を準備する工
    程、 を備え、 前記製造方法が、 （ｄ）前記基材の開口部に位置する前記ベースフィルム
    に貫通孔を形成する工程、 を更に備えるプローブ基板の製造方法。
  56. 【請求項５６】 請求項５５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ｄ）が、 （ｄ−１）前記基材の開口部に位置する前記ベースフィ
    ルムに貫通孔を形成する工程であって、しかも、前記配
    線パターンが当該貫通孔の一部を覆うように、当該貫通
    孔を形成する工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  57. 【請求項５７】 請求項４５に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ａ）が、 （ａ−１）中央部分に開口部を有する基材を準備する工
    程、 を備え、 前記工程（ｂ−１）が、 （ｂ−１−１）実質的に絶縁体から成り、しかも所定の
    位置に貫通孔が形成されたベースフィルムを準備する工
    程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
  58. 【請求項５８】 請求項５７に記載のプローブ基板の製
    造方法であって、 前記工程（ｂ−２−１−２）が、 （ｂ−２−１−２−１）前記金属層を選択的にエッチン
    グすることにより、配線パターンを形成する工程であっ
    て、当該配線パターンが前記貫通孔の一部を覆うように
    前記配線パターンを形成する工程、 を備えるプローブ基板の製造方法。
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