JPH01128381A

JPH01128381A - Ｌｓｉウエハの試験方法

Info

Publication number: JPH01128381A
Application number: JP28631487A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Sakai; 酒井　敏昭
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1987-11-12
Filing date: 1987-11-12
Publication date: 1989-05-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕ＬＳＩウェハの試験方法に関し。

ＬＳＩウェハの金属パッドへ精度良くかつ安定に接触し
てＬＳＩウェハの試験を行う方法を目的とし。

曲げ可能なフィルム２及び酸フィルム２上に形成された
導電性バンプ３とそれに接続する引出し配線層４を有す
るコンタクト・シート１を使用し。

該導電性バンプ３をＬＳＩウェハ５の金属パッド６に接
触させて試験を行う構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はＬＳＩウェハの試験方法に係り、特にＬＳＩウ
ェハを精度良くかつ安定に試験する方法に関する。

〔従来の技術〕

ＩＣ，ＬＳＩのウェハ状態での試験は従来、第１５図（
ａ）に示すようにプローブ針をウェハ５上の金属パッド
６に接触させることにより行われている。しかし、多ビ
ンのＬＳＩに対応する多ピン化されたプローブ針には技
術的に以下のような問題点がある。

（ａ）多ピンのプローブ針を精度よく作ることは。

その製造上の困難さから非常に高価となる。

（ｂ）製造上の困難さから図（ｂ）１図（ｃ）に示すよ
うな位置のばらつき、高さのばらつきを押さえるのが困
難で、このために位置合わせの精度に限界があり、金属
パッドをあまり小さくすることができない。

（Ｃ）高さのばらつきがあるために、プローブ針と金属
パッド間の電気的接触を全部のビンにわたって良くする
ことが難しい。

（ｄ）（ｃ）の、ような問題を避けるため、プローブ針
の針圧を高＜シ、コンタクトを良くする方法も用いられ
るが、針圧が高過ぎて金属パッドを破壊することもある
。また、金属パッドの塑性変形が大きく、何回も金属パ
ッドに接触すると、ボンディング時に金属部分が剥がれ
る。または剥がれかかるといった信頬性上の問題も発生
する。このためウェハ状態での試験では、テストプログ
ラム等にバグがあった場合には、何回も試験するうちそ
のウェハ自体が使用できなくなることがある。

それを避けるため、専用のパッケージに組立てて調査す
る等の方法をとるのであるが２時間と費用がかかる。

（ｅｌ）プローブ針での接触では、針の太さの問題もあ
り、ウェハの周囲に１乃至２列のパッドを並べることし
かできず、試験可能なＬＳＩのパッド数には限度がある
。一方、ロジック回路では多ビン化の要請が特に強い。

パッド数を増やそうとすれば、チップサイズの増大をま
ねき２歩留りの低下につながる。

（ｆ）高周波測定は、プローブ針を同軸にでもしない限
りかなり難しい。このため、ウェハ状態では測定できな
いことが多く９組立て後の試験で初めて測定される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、上記のような問題点を解決し。

ウェハ状態で信頬性良（、試験できる方法を提供するこ
とにある。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図に本発明のコンタクト・シート１を示す。

曲げ可能なフィルム２上に導電性バンプ３とそれに接続
する引出し配線層４が形成されている。

第２図は本発明の接触法を示す。コンタクト・シートｌ
上の導電性バンプ３をＬＳＩウェハ５の金属パッド６に
接触させて　ＬＳＩウェハの試験を行う。か（すること
により、ウェハ状態で信穎性良く試験することができる
。

第３図に高周波測定用コンタクト・シートを示す。曲げ
可能なフィルム２上に導電性バンプ３とそれに接続する
引出し配線層４．さらにコンタクト・シート１の背面に
金属膜９．引出し配線層４間にシールド線１０が形成さ
れ、金属膜９及びシールド線１０は接地されている。か
かるコンタクト・シートを使用すれば、ウェハ状態で高
周波試験することができる。

〔作用〕

曲げ可能なフィルム上の導電性バンプ形成は現在のプリ
ント板ＩＣ製造技術等を流用すれば精度良く製造するこ
とができる。

導電性バンプの高さ及び位置も、プローブ針に比べると
はるかに高い精度で得られ、ばらつきも小さい。

フィルム自体の持つ弾性により、導電性バンブと金属パ
ッドは適切な圧力で接触できる。しかもあまり大きな圧
力をかけずに適切な接触が得られるので、金属パッドに
大きな塑性変形を与えない。

このため、金属パッドへの接触回数を増やすことができ
、信頌性が高い。

導電性バンドはプローブ針よりかなり小さ（することが
できる。さらに、内部パッドを持つチップに対しても、
容易に対処できる。

高周波測定に関しては、第３図に示したようにフィルム
２の上の引出し配ＩＪ’Ｗ４とフィルム２の背面の接地
された金属膜９でマイクロ・ストリップ線路を形成し、
特性インピーダンスの整合を行う。マイクロ・ストリッ
プ線路に加えて引出し配線層４間にシールド線１０を形
成し、接地する。

このような対策をとればノイズに対する抵抗力が増し高
周波測定も可能となる。

以上のような理由で２本発明は上記問題点の解決策を与
える。

〔実施例〕

以下添付図により本発明の実施例について説明する。

第４図に導電性バンブ３の形状を示す。図（ａ）は円形
断面形状１図（ｂ）は角形断面形状である。更に導電性
バンブの端部は必ずしも図（Ｃ）のような平坦状とは限
らず１図（ｄ）のような凹形２図（ｅ）のような凸形で
あってもよい。

端部の形状は導電性バンブ及び金属パッドの材質により
適当に選ばれる。

第５図は高さにばらつきのある導電性バンブの接触状態
である。導電性バンブ３、の高さが少しばらついていて
も２図に示すようにフィルム２の弾性により、適当なコ
ンタクトが得られる。

必要に応じて第６図に示すように引出し配線を被覆した
コンタクト・シートを使用することもできる。

第７図はバンプ３付近の引出し配線層４から分岐する分
岐配線をもつコンタクト・シートを示す。

この分岐配線を利用して信号の反射を吸収する終端用線
路や、電圧降下の読み出し用線路等も容易に形成できる
。

第８図にコンタクト・シートの各種の形状を示す。図（
ａ）は四方に引出し配線をもつ形状で。

引出し配線の先に外部接続パッドをコンタクト・シート
上に形成したものである。図（ｂ）はフィルムの切れに
（い形状で、直角の切れ込みを避けて丸みを持たせたも
のである。図（Ｃ）は引出し配線の多い場合の形状であ
る。

第９図は内部パッドのあるＬＳＩ用のコンタクト・シー
トである。内部バンドのあるＬＳＩに対しても、内部パ
ッドの位置に合わせてフィルム上に導電性バンブを形成
することにより、容易にコンタクトすることができ、内
部パッド数の制限を受けに（い。

第１０図は位置合わせマークを形成したコンタクト・シ
ートの例である。ＬＳＩチップ側にも位置合わせマーク
を形成しておき１両者を重ね合わすことにより精度の高
い位置合わせが行える。

コンタクト・シートの実装法を次に示す。

第１１図は実装法（１）で、コンタクト・シート２を支
持台７に取り付け、さらに支持台７を絶縁性基板８の上
に設置する。コンタクト・シート２の外周にはスルー・
ホールが形成され、それを通して基板８上に設けられた
回路へ引出し配線層４は厚かれる。回路はドライバ、コ
ンパレータ。

終端抵抗等から成る。また２回路はコンタクト・シート
上に設けることも可能である。

第１２図はコンタクト・シートの実装法（２）である。

フィルム２上にスルー・ホール等は形成せずに、フィル
ム自体を支持台７に固定し、引出し配線層４を直接外部
とつなぐ。この場合も、ドライバ等の回路は絶縁性基板
８上に設けられる。

第１３図に導電性バンプ３の金属パッドへの接触加圧を
支持台７で行う例を示す。図（ａ）は支持台７の両側に
フィルム２上のバンプ３が配置された例１図（ｂ）は支
持台７の間にバンプ３が配置された例である。このよう
な配置で適切な加圧を行う。支持台自体に弾性の大きい
材料を用いることもできる。

第１４図は高圧気流による接触加圧法である。

配置図（ａ）に示すように高圧気流によりコンタクト・
シートをウェハに押しつけるのであるが。

図（ｂ）に示すような導電性バンプ３に囲まれた領域に
穴を開けたコンタクト・シートを用いる。

高圧気流は穴を通してフィルム２とウェハ５の間隙に流
れ込むのであるが１図（Ｃ）に示すようにこの間隙にお
ける流速が大きくなるのでウェハ５とフィルム２間に吸
引力が働いて導電性バンプ３はウェハ５上の金属パッド
に接触加圧する。

〔発明の効果〕

（ａ）多ビンのＬＳＩをウェハ状態で試験できる。

即ち、バンド間隔の小さいＬＳＩに対応できる。

しかも内部パッドの形成されたＬＳＩにも容易に対応で
きる。

（ｂ）コンタクト・シートは多ピンのプローブ針より高
精度かつ容易に作れ９位置合わせの精度が良い。しかも
信号を接触点の近くから取ることができ１回路も近くに
設けることができるので、測定の精度が高い。

（Ｃ，）コンタクト・シートは多ピンのプローブ針より
適切な圧力でＬＳＩウェハのパッドに接触でき、劣化が
小さいので、信頼性の高い測定ができる。

（ｄ）ウェハ状態で高周波測定ができる。

これらの効果はＬＳＩ自体の微細化及び特性改善にもつ
ながるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はコンタクト・シート第２図は本発明の接触法。第３図は高周波測定用コンタクト・シート。第４図は導電性バンプの形状。第５図はバンプの接触状態。第６図は被覆したコンタクト・シート。第７図は分岐配線をもつコンタクト・シート。第８図はコンタクト・シートの形状。第９図はＬＳＩ用コンタクト・シート。第１０図は位置合わせマーク。第１１図は実装法（１）。第１２図は実装法（２）。第１３図は支持台による接触加圧法第１４図は高圧気流による接触加圧法。第１５図は従来の接触法である。　図において。１はコンタクト・シート。２はフィルム。３は導電性バンプ。４は引出し配線層。５はウェハ。６は金属パッド。７は支持台。８は絶縁性基板。９は金属膜１０はシールド線（、コレ９フトジートヂ　（３）口（リイ則　ｄ〒）（？］コンツク）・シーＦ声　１　図（ａ、）二から冠た口（ｂ）、Ａ−Ａ眸動口羽率糖の嬉融決謬　２　口茅　３　　口平后吹鋤授　　　凹形端部　　　凸形網姉卑′≧十Ｅ、
ハ゛ンブ■形ｌだ茅　４　口ノＮ゛〉フ０の手妄把孜對、Ｐ　５　のＸ弊Ｃａつシ２２１−・シート羊　６　固ダＮ摂６９蒙Σも９コレ２２ト・ジートチ　７　口（久ノ（ｂ）　　　　　　　　　　　　　（Ｃ）フィルムρ切
れに＜０厄］だ　　ラ１ボしｕ粋のりい杉庚コシ９２Ｆ
・茹トの形扶゛声　８　（イ）＝ＬＳＩ旧コレ９フトジーと茅　ｑ　口位雪心月セマー２茅　１０　口３、膀沖在匙阪（α）づ則　幻　の（ｂ）下ヤ＼ら把はり笑披焙（１）半　１１　　ロ？、紡殊・圧苓伊（ｃＬ）イ貝り　　　　酌　　　　〔モつ（し、）下づ５ゝｃ７　易化　「二　Ｇう −に三司帖し　５ンシ　（２）Ｆ　　　　／Ｚ　　　　圏（ｃＬ）（ｂ）シ千色（７）勾僧り（こバ〉プ　　　　　支分呂○局に
バシフ。支分畠にＸる。モ３市七卯足岩矛　／３　　Ｑ（α）匠量口＜ｂ）コン２２ドジート（Ｃ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）曲げ可能なフィルム２及び該フィルム２上に形成
された導電性バンプ３とそれに接続された引出し配線層
４を有するコンタクト・シート１を使用し、該導電性バ
ンプ３をＬＳＩウェハ５の金属パッド６に接触させて試
験を行うことを特徴とするＬＳＩウェハの試験方法。
（２）前記コンタクト・シート１の裏面に金属膜９及び
引出し配線層４間にシールド線１０を設け、該金属膜９
及び該シールド線１０を接地することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のＬＳＩウェハの試験方法。
（３）前記コンタクト・シート１上に前記引出し配線層
４から分岐配線を設けることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＬＳＩウェハの試験方法。
（４）前記導電性バンプ３の前記金属性パッド６への接
触加圧が、フィルム２の弾性によりなされていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＬＳＩウェハの
試験方法。
（５）前記導電性バンプ３の前記金属性パッド６への接
触加圧が、前記コンタクト・シート１を支持する支持台
７の弾性によりなされていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のＬＳＩウェハの試験方法。
（６）前記導電性バンプ３の前記金属性パッド６への接
触加圧が、前記コンタクト・シート１上への高圧気流に
よりなされていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のＬＳＩウェハの試験方法。
（７）前記コンタクト・シート１及び前記ウェハ５に位
置合わせマークを入れ、前記導電性バンプ３と前記金属
性パッド６の位置合わせを行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のＬＳＩウェハの試験方法。
（８）前記コンタクト・シート１上もしくは支持台７を
載せる絶縁性基板８上にドライバ、コンパレータ、終端
抵抗を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＬＳＩウェハの試験方法。