JP3148370B2 - 半導体チップテスター - Google Patents
半導体チップテスターInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップのテスター
に関するもので、詳しくは複数のピンを有する半導体チ
ップのテストに適用し得る半導体チップのテスターに関
するものである。
に関するもので、詳しくは複数のピンを有する半導体チ
ップのテストに適用し得る半導体チップのテスターに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、完成された半導体チップの機
能テストは、半導体チップのパッド上にプローブチップ
として外部から接触させ、通電させて半導体チップの出
力を検出することによる。従来、このような半導体チッ
プの機能テストのためのテスターは、図１に示すよう
に、半導体チップ１上のペッシベーション（passivatio
n ）層２から露出されているアルミニウムパッド３と、
該アルミニウムパッド３と電気的に接触するための金属
線となるプローブチップ４と、一端はプローブチップ４
に連結され他端はテストカード（図示せず）に連結され
るプローブワイヤー５とから構成される。参照番号６は
半導体チップが一定位置に整列されたかを確認するため
の顕微鏡である。
能テストは、半導体チップのパッド上にプローブチップ
として外部から接触させ、通電させて半導体チップの出
力を検出することによる。従来、このような半導体チッ
プの機能テストのためのテスターは、図１に示すよう
に、半導体チップ１上のペッシベーション（passivatio
n ）層２から露出されているアルミニウムパッド３と、
該アルミニウムパッド３と電気的に接触するための金属
線となるプローブチップ４と、一端はプローブチップ４
に連結され他端はテストカード（図示せず）に連結され
るプローブワイヤー５とから構成される。参照番号６は
半導体チップが一定位置に整列されたかを確認するため
の顕微鏡である。
【０００３】このように構成された半導体チップのテス
ターの使用状態を説明する。先ず半導体チップ１をテス
ティングマウンター（testing mounter ）７上に置き、
プローブチップ４を別の顕微鏡６で正位置に整列して半
導体チップ１のアルミニウムパッド３上に置いた後、加
圧接触させて通電させ、プローブワイヤー５介してこれ
に連結されたテストカードで電気的特性を測定する。
ターの使用状態を説明する。先ず半導体チップ１をテス
ティングマウンター（testing mounter ）７上に置き、
プローブチップ４を別の顕微鏡６で正位置に整列して半
導体チップ１のアルミニウムパッド３上に置いた後、加
圧接触させて通電させ、プローブワイヤー５介してこれ
に連結されたテストカードで電気的特性を測定する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体チップのテスターにおいて、プローブ
チップは微細に加工されており、これに接続されている
プローブワイヤーの直径が大きくなってその占める空間
が大変大きくなるので、プローブチップ数を多くするこ
と、複数の半導体チップのピンを同時に測定することは
困難であった。
うな従来の半導体チップのテスターにおいて、プローブ
チップは微細に加工されており、これに接続されている
プローブワイヤーの直径が大きくなってその占める空間
が大変大きくなるので、プローブチップ数を多くするこ
と、複数の半導体チップのピンを同時に測定することは
困難であった。
【０００５】即ち、少数のピンを有する半導体チップの
テストのときは従来のようなテストを使用しても構わな
いが、ロジックチップのようにピンが多い場合は同時に
全てのピンを接触する空間が不足するのでプロービング
することが難しかった。従って、本発明は、前記従来の
問題を解決するためのもので、複数のピンを有する半導
体チップをテストし得る半導体チップのテスターを提供
することを目的とする。
テストのときは従来のようなテストを使用しても構わな
いが、ロジックチップのようにピンが多い場合は同時に
全てのピンを接触する空間が不足するのでプロービング
することが難しかった。従って、本発明は、前記従来の
問題を解決するためのもので、複数のピンを有する半導
体チップをテストし得る半導体チップのテスターを提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、樹枝状結晶成長されたパラジウム（Pd）
をプローブチップとして用い、ＴＡＢ（tape automated
bonding）テープを使用する半導体チップのテスターを
提供する。ここで、連結線の外側リードはテストカード
に直接付け、内側リードは半導体チップのパッドに直接
プロービングする。
め、本発明は、樹枝状結晶成長されたパラジウム（Pd）
をプローブチップとして用い、ＴＡＢ（tape automated
bonding）テープを使用する半導体チップのテスターを
提供する。ここで、連結線の外側リードはテストカード
に直接付け、内側リードは半導体チップのパッドに直接
プロービングする。
【０００７】
【実施例】以下、このように構成された本発明を添付図
面に基づいてより詳しく説明する。図２は本発明の一実
施例による半導体チップのテスターの構造図で、図３は
図２のプローブ領域であるＡ部分の部分底面斜視図であ
る。
面に基づいてより詳しく説明する。図２は本発明の一実
施例による半導体チップのテスターの構造図で、図３は
図２のプローブ領域であるＡ部分の部分底面斜視図であ
る。
【０００８】複数の連結線１６は、図３に示すように、
ポリイミドのような材質のＴＡＢテープ１８の同一平面
上に並列配置されて付着支持されている。この連結線１
６の一側には半導体チップ１１上のペッシベーション層
１２から露出されているアルミニウムパッド１３と接触
されるようにプローブ領域が設けられている。このプロ
ーブ領域ではそれぞれの連結線１６にニッケル膜１５か
ら下方に樹枝状結晶成長されたパラジウムのプローブチ
ップ１４が形成され、プローブ領域を除いた領域ではそ
れぞれの連結線１６は銅線１６ａ上にクロム膜１６ｂで
被覆形成されている。
ポリイミドのような材質のＴＡＢテープ１８の同一平面
上に並列配置されて付着支持されている。この連結線１
６の一側には半導体チップ１１上のペッシベーション層
１２から露出されているアルミニウムパッド１３と接触
されるようにプローブ領域が設けられている。このプロ
ーブ領域ではそれぞれの連結線１６にニッケル膜１５か
ら下方に樹枝状結晶成長されたパラジウムのプローブチ
ップ１４が形成され、プローブ領域を除いた領域ではそ
れぞれの連結線１６は銅線１６ａ上にクロム膜１６ｂで
被覆形成されている。
【０００９】このとき、プローブ領域に位置するプロー
ブチップの連結線１６は銅線１６ａ上にニッケル膜１５
を約１μm 程度の厚さで被覆形成した後、その上パラジ
ウムを大変高い電流密度、例えば１００mA／cm2 以上で
プレーティングするとパラジウムが樹枝状結晶成長され
て、パラジウムの成長された部分の縦横比（aspect rat
io）が２０になるように鋭い歯状に形成される。
ブチップの連結線１６は銅線１６ａ上にニッケル膜１５
を約１μm 程度の厚さで被覆形成した後、その上パラジ
ウムを大変高い電流密度、例えば１００mA／cm2 以上で
プレーティングするとパラジウムが樹枝状結晶成長され
て、パラジウムの成長された部分の縦横比（aspect rat
io）が２０になるように鋭い歯状に形成される。
【００１０】従って、このように樹枝状結晶成長により
形成されたプローブチップ１４は、剛性が優れており、
多数回アルミニウムパッド１３と接触させても破損され
るか曲がることがなく、歯状に形成されて半導体チップ
との接触感がよくなる。一方、プローブ領域以外のそれ
ぞれの連結線１６は、銅線１６ａ上にクロム膜１６ｂで
被覆形成され酸化クロムが形成されて電気が通じないか
らプレーティングされなくなる。
形成されたプローブチップ１４は、剛性が優れており、
多数回アルミニウムパッド１３と接触させても破損され
るか曲がることがなく、歯状に形成されて半導体チップ
との接触感がよくなる。一方、プローブ領域以外のそれ
ぞれの連結線１６は、銅線１６ａ上にクロム膜１６ｂで
被覆形成され酸化クロムが形成されて電気が通じないか
らプレーティングされなくなる。
【００１１】又、ポリイミドのような材質のＴＡＢテー
プ１８は多数回使用による連結線１６の機械的特性低下
を無くし得、且つポリイミドの弾性を用いるので連結線
１６が塑性変形されなくなる。図４は本発明の一実施例
による半導体チップのテスターの使用状態を示す。テス
トカード１９の一側上部に連結されたワイヤー２０の一
端は、連結線１６の外側リードと金バンプ（bump）或い
は鉛−錫（Pb−Sn）で永久的にボンディングされて外側
リードボンド２１を形成し、プローブチップ１４がアル
ミニウムパッド１３に十分に加圧接触されるために下部
面に弾性体２３が接着されたプレス２２が設けられる。
プ１８は多数回使用による連結線１６の機械的特性低下
を無くし得、且つポリイミドの弾性を用いるので連結線
１６が塑性変形されなくなる。図４は本発明の一実施例
による半導体チップのテスターの使用状態を示す。テス
トカード１９の一側上部に連結されたワイヤー２０の一
端は、連結線１６の外側リードと金バンプ（bump）或い
は鉛−錫（Pb−Sn）で永久的にボンディングされて外側
リードボンド２１を形成し、プローブチップ１４がアル
ミニウムパッド１３に十分に加圧接触されるために下部
面に弾性体２３が接着されたプレス２２が設けられる。
【００１２】このような半導体チップの使用動作におい
て、図４に示すように、Ｘ軸とＹ軸方向に移動し得る半
導体チップホールダー８に半導体チップ１１を装着して
マウンター７上に置いてから、樹枝状結晶成長されたパ
ラジウムのプローブチップ１４が付着されたＴＡＢテー
プ１８を半導体チップ１１の上面に近接させた後、顕微
鏡（図１）を用いて半導体チップ１１を装着した半導体
チップホールダー８をマウンター７上でＸ軸とＹ軸方向
に移動させて整列する。
て、図４に示すように、Ｘ軸とＹ軸方向に移動し得る半
導体チップホールダー８に半導体チップ１１を装着して
マウンター７上に置いてから、樹枝状結晶成長されたパ
ラジウムのプローブチップ１４が付着されたＴＡＢテー
プ１８を半導体チップ１１の上面に近接させた後、顕微
鏡（図１）を用いて半導体チップ１１を装着した半導体
チップホールダー８をマウンター７上でＸ軸とＹ軸方向
に移動させて整列する。
【００１３】図５は本発明による半導体チップのテスタ
ーにおいて、複数のピンを有する半導体チップ上に複数
の連結線が整列された状態を示す概略的平面図を示す。
ここで、図２乃至図４と同じ部分は同一符号で示す。そ
の後、弾性体２３が接着されたプレス２２をＴＡＢテー
プ１８の内側リードの上方からゆっくり下げてＴＡＢテ
ープのプローブチップが半導体チップ１１のアルミニウ
ムパッド１３と十分に加圧接触されるようにした後、通
電させて全てのピンを同時にテストする。
ーにおいて、複数のピンを有する半導体チップ上に複数
の連結線が整列された状態を示す概略的平面図を示す。
ここで、図２乃至図４と同じ部分は同一符号で示す。そ
の後、弾性体２３が接着されたプレス２２をＴＡＢテー
プ１８の内側リードの上方からゆっくり下げてＴＡＢテ
ープのプローブチップが半導体チップ１１のアルミニウ
ムパッド１３と十分に加圧接触されるようにした後、通
電させて全てのピンを同時にテストする。
【００１４】このとき、弾性体２３は、半導体チップ１
１のピンとＴＡＢテープ１８との高さの差による同時接
触のストレス問題を解消させるとともに一様にローディ
ングしすべてのコンプライアンスを均等に得るようにす
る役目を果たす。図６は本発明による半導体チップのテ
スターを初期不良品を除去するために約１２５℃の高温
で行うバーンイン（burn−in）テストに適用したもの
で、半導体チップのテスターの全体構造は前述した機能
テスト時の構造と大部分同じであるが、図４のプレス２
２の内部にヒーター２４を装着したものが異なる。
１のピンとＴＡＢテープ１８との高さの差による同時接
触のストレス問題を解消させるとともに一様にローディ
ングしすべてのコンプライアンスを均等に得るようにす
る役目を果たす。図６は本発明による半導体チップのテ
スターを初期不良品を除去するために約１２５℃の高温
で行うバーンイン（burn−in）テストに適用したもの
で、半導体チップのテスターの全体構造は前述した機能
テスト時の構造と大部分同じであるが、図４のプレス２
２の内部にヒーター２４を装着したものが異なる。
【００１５】バーンインテスターの動作を説明すると、
先ずプレス２２を駆動させてＴＡＢテープ１８を押し、
半導体チップ１１のアルミニウムパッド１３とプローブ
チップとを接触させた後、ヒーター２４を作動すること
により半導体チップ１１をバーンイン温度に上げてバー
ンインテストする。
先ずプレス２２を駆動させてＴＡＢテープ１８を押し、
半導体チップ１１のアルミニウムパッド１３とプローブ
チップとを接触させた後、ヒーター２４を作動すること
により半導体チップ１１をバーンイン温度に上げてバー
ンインテストする。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるテス
ターは複数のピンを有する半導体チップのテストが可能
になり、特にＴＡＢチップボンディングが可能な数だけ
のピンを有するチップに対して同時にプロービングし得
る。又、機能テストとバーンインテストを同一テストシ
ステムにより行うことが出来、とても鋭い多数のチップ
とから構成された樹枝状結晶成長パラジウムを使用する
のでプロービン効果が高く、半導体チップとパッドとの
接触時非接触問題が解消される利点がある。
ターは複数のピンを有する半導体チップのテストが可能
になり、特にＴＡＢチップボンディングが可能な数だけ
のピンを有するチップに対して同時にプロービングし得
る。又、機能テストとバーンインテストを同一テストシ
ステムにより行うことが出来、とても鋭い多数のチップ
とから構成された樹枝状結晶成長パラジウムを使用する
のでプロービン効果が高く、半導体チップとパッドとの
接触時非接触問題が解消される利点がある。
【図１】従来の半導体チップのテスターを概略的に示す
構造図である。
構造図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体チップのテスタ
ーの概略構造図である。
ーの概略構造図である。
【図３】図２のプローブ領域であるＡ部分の底面斜視図
である。
である。
【図４】本発明の一実施例による半導体チップのテスタ
ーの使用状態図である。
ーの使用状態図である。
【図５】本発明による半導体チップのテスターにおい
て、複数のピンを有する半導体チップ上に複数の連結線
が配列された状態を示す概略平面図である。
て、複数のピンを有する半導体チップ上に複数の連結線
が配列された状態を示す概略平面図である。
【図６】本発明による半導体チップのテスターで、バー
ンインテストするため示す概略的テスター構造図であ
る。
ンインテストするため示す概略的テスター構造図であ
る。
１、１１ 半導体チップ ３、１３ パッド ４、１４ プローブチップ １５ ニッケル膜 １６ 連結線 １６ａ 銅線 １６ｂ クロム線 １８ ＴＡＢテープ ２１ 外側リードボンド ２２ プレス ２３ 弾性体 ２４ ヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−122583（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290598（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−176405（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−293671（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−34031（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−37869（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 G01R 1/06 - 1/073 H01L 21/66
Claims (5)
- 【請求項１】 テストしようとする半導体チップのパッ
ドと接触するプローブ領域を有する半導体チップテスタ
ーにおいて、 接着面を有するＴＡＢテープと、 このＴＡＢテープの接着面に取り付けられ、そしてテス
トカードに接続される複数の連結線と、 前記のプローブ領域に配置されていて、テストしようと
する半導体チップのパッドと接触する複数のプローブチ
ップとを備え、各プローブチップはプローブ領域にある
連結線の部分に樹枝状結晶成長した金属層からつくられ
ており、前記の連結線のそれぞれは前記のプローブ領域
に配置された部分にニッケル膜を有し、前記のプローブ
チップの各々は連結線のニッケル膜の上に樹枝状結晶成
長した鋭い歯状のパラジウム層からつくられていること
を特徴とする半導体チップテスター。 - 【請求項２】 各連結線は前記のプローブ領域に配置さ
れた部分はクロームで被膜されていない銅線であり、こ
の銅線はその他の部分はクロームで被膜されている請求
項１に記載の半導体チップテスター。 - 【請求項３】 プローブチップを加圧するプレスを更に
備える請求項１に記載の半導体チップテスター。 - 【請求項４】 プレスの下面に弾性体を設けた請求項３
に記載の半導体チップテスター。 - 【請求項５】 プレス内にヒーターを設けた請求項３に
記載の半導体チップテスター。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR12274/1991 | 1991-07-18 | ||
| KR1019910012274A KR940001809B1 (ko) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 반도체 칩의 테스터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196691A JPH05196691A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3148370B2 true JP3148370B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=19317441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18660092A Expired - Fee Related JP3148370B2 (ja) | 1991-07-18 | 1992-07-14 | 半導体チップテスター |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5428298A (ja) |
| JP (1) | JP3148370B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001809B1 (ja) |
| DE (1) | DE4223658B4 (ja) |
| TW (1) | TW221719B (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940001341A (ko) * | 1992-06-29 | 1994-01-11 | 디. 아이. 캐플란 | 전자 장치로의 빠른 전기 접근을 위한 순간 접속법 |
| US5876580A (en) * | 1996-01-12 | 1999-03-02 | Micromodule Systems | Rough electrical contact surface |
| US5914613A (en) | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
| US5929521A (en) * | 1997-03-26 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies |
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