JPS6157699B2 - - Google Patents
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- JPS6157699B2 JPS6157699B2 JP4737581A JP4737581A JPS6157699B2 JP S6157699 B2 JPS6157699 B2 JP S6157699B2 JP 4737581 A JP4737581 A JP 4737581A JP 4737581 A JP4737581 A JP 4737581A JP S6157699 B2 JPS6157699 B2 JP S6157699B2
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- carrier semiconductor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 21
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WNYHOOQHJMHHQW-UHFFFAOYSA-N 1-chloropyrene Chemical compound C1=C2C(Cl)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 WNYHOOQHJMHHQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 208000034888 Needle issue Diseases 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフイルムキヤリヤー半導体装置の特性
測定器に関する。
測定器に関する。
これまでフイルムキヤリヤー半導体装置の電気
特性測定は、フイルムキヤリヤーの上面に設けら
れたテストパツド電極に、ポゴピンと呼ばれる内
部にバネ材を有する測定針又は、プローブ針と呼
ばれるタングステン針やベリリウム銅針やパラジ
ウム合金針をくの字状に曲げて弾力性を針に保有
させた測定針を有するプローブカードを用いて行
われていた。これらは一般に、フイルムキヤリヤ
ー半導体装置を固い基板の上に配置した後に、測
定針を押し当ててフイルムキヤリヤー半導体装置
のテストパツドとの電気的接続を得て電気的特性
の測定をしていた。
特性測定は、フイルムキヤリヤーの上面に設けら
れたテストパツド電極に、ポゴピンと呼ばれる内
部にバネ材を有する測定針又は、プローブ針と呼
ばれるタングステン針やベリリウム銅針やパラジ
ウム合金針をくの字状に曲げて弾力性を針に保有
させた測定針を有するプローブカードを用いて行
われていた。これらは一般に、フイルムキヤリヤ
ー半導体装置を固い基板の上に配置した後に、測
定針を押し当ててフイルムキヤリヤー半導体装置
のテストパツドとの電気的接続を得て電気的特性
の測定をしていた。
しかしながら、このように固い基板上にフイル
ムキヤリヤーを載置して、その上に測定針を押し
当てる測定器や速定法では、フイルムキヤリヤー
のテストパツドと測定針との接触が充分得られな
いことや接続なしの状態となる測定針が有り、良
品のフイルムキヤリヤー半導体装置を不良と判定
して不良除去してしまう欠点があつた。
ムキヤリヤーを載置して、その上に測定針を押し
当てる測定器や速定法では、フイルムキヤリヤー
のテストパツドと測定針との接触が充分得られな
いことや接続なしの状態となる測定針が有り、良
品のフイルムキヤリヤー半導体装置を不良と判定
して不良除去してしまう欠点があつた。
これは、ポゴピン針やプローブ針の先端が、数
ミクロン〜数十ミクロンの内で平面上からはずれ
ていることや、フイルムキヤリヤー自体が多層性
即ち一般には銅箔とポリイミドや、ガラスエポキ
シや、ポリエステル等との貼り合せ材で、表面が
数十〜百ミクロン程度うねつていたりする為であ
る。従つて、フイルムキヤリヤーのテストパツド
数が多くなつてくるにつれて、測定針の高さのバ
ラツキやフイルムキヤリヤーのうねり等で、テス
トパツドと測定針との接触不良が多くなつてくる
傾向があり、特に多ピンのフイルムキヤリヤー半
導体装置はそれ自体が極めて高価で、測定ミスに
よる損失は極めて大きかつた。
ミクロン〜数十ミクロンの内で平面上からはずれ
ていることや、フイルムキヤリヤー自体が多層性
即ち一般には銅箔とポリイミドや、ガラスエポキ
シや、ポリエステル等との貼り合せ材で、表面が
数十〜百ミクロン程度うねつていたりする為であ
る。従つて、フイルムキヤリヤーのテストパツド
数が多くなつてくるにつれて、測定針の高さのバ
ラツキやフイルムキヤリヤーのうねり等で、テス
トパツドと測定針との接触不良が多くなつてくる
傾向があり、特に多ピンのフイルムキヤリヤー半
導体装置はそれ自体が極めて高価で、測定ミスに
よる損失は極めて大きかつた。
本発明はこれらの欠点を除き、正確なフイルム
キヤリヤー半導体装置の電気的特性測定を行うこ
とを可能にする測定器を提供するものである。
キヤリヤー半導体装置の電気的特性測定を行うこ
とを可能にする測定器を提供するものである。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明を適用して特性測定を行うフイ
ルムキヤリヤー半導体装置の断面図である。同図
に於て、１はフイルムキヤリヤー半導体装置、２
は銅リード、３はポリイミド絶縁フイルム、４は
半導体素子を示している。第２図は、第１図のフ
イルムキヤリヤー半導体装置の斜視図である。同
図に於て、５はフイルムキヤリヤー上に設けられ
た特性テスト用のテストパツド、６はフイルムキ
ヤリヤーのスプロケツトホールである。
ルムキヤリヤー半導体装置の断面図である。同図
に於て、１はフイルムキヤリヤー半導体装置、２
は銅リード、３はポリイミド絶縁フイルム、４は
半導体素子を示している。第２図は、第１図のフ
イルムキヤリヤー半導体装置の斜視図である。同
図に於て、５はフイルムキヤリヤー上に設けられ
た特性テスト用のテストパツド、６はフイルムキ
ヤリヤーのスプロケツトホールである。
第３図は本発明の実施例を示す断面図である。
同図に於て、７はタングステン製ブローブ針、８
は２mm厚のウレタンフオーム弾性体、９はステン
レス鋼製支持台である。同図から明らかなよう
に、加圧機構によつてプローブ針７に10グラム程
度の圧力をかけてフイルムキヤリヤーテストパツ
ド５に押しつけたならば、フイルムキヤリヤーを
構成しているポリイミド絶縁フイルム３及び35ミ
クロン厚の銅テストパツド５は下に押しつけら
れ、ステンレス鋼製支持台９上のウレタンフオー
ム弾性体８上に押えつけられてウレタンフオーム
の変形に応じてテストパツド部は沈み込む。ウレ
タンフオームは極めて弾性に富んでいるために、
数百ミクロンは容易に沈み込む。従つて、プロー
ブ針の圧力が個々のテストパツドで異なつていて
も、あるいはプローブ針の高さが異なつていて
も、その差が一般には数十ミクロン程度なので、
ウレタンフオームの変形で充分に補償され、すべ
てのテストパツドにプローブ針の圧力が伝わり、
プローブ針とテストパツドとの導通も充分得るこ
とが出来て、フイルムキヤリヤー半導体装置の特
性測定時に、オープン不良や接触抵抗増による特
性変動が生じないので確実な測定が出来た。又、
測定終了後はプローブ針の圧力を開放し、次いで
次の測定品を送りこんで測定を繰り返すことが出
来た。本実施例によるフイルムキヤリヤー半導体
装置の電気特性測定結果は、従来の測定結果より
も数％良品数が増えることが判明した。
同図に於て、７はタングステン製ブローブ針、８
は２mm厚のウレタンフオーム弾性体、９はステン
レス鋼製支持台である。同図から明らかなよう
に、加圧機構によつてプローブ針７に10グラム程
度の圧力をかけてフイルムキヤリヤーテストパツ
ド５に押しつけたならば、フイルムキヤリヤーを
構成しているポリイミド絶縁フイルム３及び35ミ
クロン厚の銅テストパツド５は下に押しつけら
れ、ステンレス鋼製支持台９上のウレタンフオー
ム弾性体８上に押えつけられてウレタンフオーム
の変形に応じてテストパツド部は沈み込む。ウレ
タンフオームは極めて弾性に富んでいるために、
数百ミクロンは容易に沈み込む。従つて、プロー
ブ針の圧力が個々のテストパツドで異なつていて
も、あるいはプローブ針の高さが異なつていて
も、その差が一般には数十ミクロン程度なので、
ウレタンフオームの変形で充分に補償され、すべ
てのテストパツドにプローブ針の圧力が伝わり、
プローブ針とテストパツドとの導通も充分得るこ
とが出来て、フイルムキヤリヤー半導体装置の特
性測定時に、オープン不良や接触抵抗増による特
性変動が生じないので確実な測定が出来た。又、
測定終了後はプローブ針の圧力を開放し、次いで
次の測定品を送りこんで測定を繰り返すことが出
来た。本実施例によるフイルムキヤリヤー半導体
装置の電気特性測定結果は、従来の測定結果より
も数％良品数が増えることが判明した。
第４図は他の本発明の実施列を示す断面図で、
ステンレス鋼製支持台９上に３mm厚のシリコンゴ
ムシート弾性体８′が設置され、その上にテスト
パツド間隔が100ミクロンピツチで構成されてい
る150ピンのフイルムキヤリヤー半導体装置１の
フイルムキヤリヤー上のテストパツド５に銅系合
金プローブ針７′を押し当てて、半導体装置の特
性検査をしている状態を示している。本実施例の
場合も、第３図の実施例と同様の効果が有ること
が判明した。このように特性測定が終了したフイ
ルムキヤリヤー半導体装置は、良否の判定マーク
又は不良打抜きで良否の区別を行つた。
ステンレス鋼製支持台９上に３mm厚のシリコンゴ
ムシート弾性体８′が設置され、その上にテスト
パツド間隔が100ミクロンピツチで構成されてい
る150ピンのフイルムキヤリヤー半導体装置１の
フイルムキヤリヤー上のテストパツド５に銅系合
金プローブ針７′を押し当てて、半導体装置の特
性検査をしている状態を示している。本実施例の
場合も、第３図の実施例と同様の効果が有ること
が判明した。このように特性測定が終了したフイ
ルムキヤリヤー半導体装置は、良否の判定マーク
又は不良打抜きで良否の区別を行つた。
第５図は多層のフイルムキヤリヤーに半導体素
子４を搭載した場合に、本発明を適用した実施例
断面図である。本実施例では、プローブ針７″，
７の有る側の反対側に支持台９及びクロロピレ
ンゴムシート弾性体８″が用意されているので、
プローブ針とクロロプレンゴムシート弾性体間に
フイルムキヤリヤー半導体装置１を配置し、それ
ぞれのテストパツド５にプローブ針を押し当てる
ことにより、前記実施例と同様の効果が得られ
た。
子４を搭載した場合に、本発明を適用した実施例
断面図である。本実施例では、プローブ針７″，
７の有る側の反対側に支持台９及びクロロピレ
ンゴムシート弾性体８″が用意されているので、
プローブ針とクロロプレンゴムシート弾性体間に
フイルムキヤリヤー半導体装置１を配置し、それ
ぞれのテストパツド５にプローブ針を押し当てる
ことにより、前記実施例と同様の効果が得られ
た。
これらの本発明の実施例で明らかなように、フ
イルムキヤリヤー半導体装置を送り込む機構及び
プローブ針の加圧機構を備え、且つ固い支持台上
にゴム状の弾性を有する構造のフイルムキヤリヤ
ーテストステージとプローブ針との組合せを有す
る装置により、うねりや厚さのバラツキを有する
フイルムキヤリヤー半導体装置の電気特性検査が
確実に出来ることが明らかとなつた。送り込み機
構としては、スプロケツトホールを利用した通常
の間欠送り機構が適用できる。又、本発明は実施
例で示したゴム弾性体だけでなく、スポンジ状弾
性シートやエアクツシヨン式シートのようにゴム
弾性を利用した場合でもよく、又プローブ針もポ
ゴピンタイプの針のように内部にバネ弾性を有し
たものでも適用出来るが、プローブ針数が100本
を超えるような場合には、太い針径を必要とする
ポゴピンタイプの針は、フイルムキヤリヤーの寸
法規制上の問題から使用できないので、細めの針
径で内部にバネ弾性を有していない針を使用しな
ければならず、この場合でも本発明は問題なく適
用できることは明らかである。
イルムキヤリヤー半導体装置を送り込む機構及び
プローブ針の加圧機構を備え、且つ固い支持台上
にゴム状の弾性を有する構造のフイルムキヤリヤ
ーテストステージとプローブ針との組合せを有す
る装置により、うねりや厚さのバラツキを有する
フイルムキヤリヤー半導体装置の電気特性検査が
確実に出来ることが明らかとなつた。送り込み機
構としては、スプロケツトホールを利用した通常
の間欠送り機構が適用できる。又、本発明は実施
例で示したゴム弾性体だけでなく、スポンジ状弾
性シートやエアクツシヨン式シートのようにゴム
弾性を利用した場合でもよく、又プローブ針もポ
ゴピンタイプの針のように内部にバネ弾性を有し
たものでも適用出来るが、プローブ針数が100本
を超えるような場合には、太い針径を必要とする
ポゴピンタイプの針は、フイルムキヤリヤーの寸
法規制上の問題から使用できないので、細めの針
径で内部にバネ弾性を有していない針を使用しな
ければならず、この場合でも本発明は問題なく適
用できることは明らかである。
第１図はフイルムキヤリヤー半導体装置の断面
図、第２図はフイルムキヤリヤー半導体装置の斜
視図、第３図、第４図、第５図は本発明の実施例
の断面図である。１……フイルムキヤリヤー半導
体装置、２……リード、３……絶縁フイルム、４
……半導体素子、５……テストパツド、７，
７′，７″，７……プローブ針、８，８′，８″…
…弾性体、９……支持台。
図、第２図はフイルムキヤリヤー半導体装置の斜
視図、第３図、第４図、第５図は本発明の実施例
の断面図である。１……フイルムキヤリヤー半導
体装置、２……リード、３……絶縁フイルム、４
……半導体素子、５……テストパツド、７，
７′，７″，７……プローブ針、８，８′，８″…
…弾性体、９……支持台。
Claims (1)
- １ 支持台と特性測定針との間にフイルムキヤリ
ヤー半導体装置を配置し、フイルムキヤリヤーの
テストパツドに前記特性測定針を押圧して電気的
特性測定を行うフイルムキヤリヤー半導体装置の
特性測定器において、前記支持台とフイルムキヤ
リヤー半導体装置の間の少なくとも前記テストパ
ツドと対応する部分には弾性体材料を介在させた
ことを特徴とするフイルムキヤリヤー半導体装置
の特性測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4737581A JPS57162343A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Characteristics measuring instrument for film carrier semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4737581A JPS57162343A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Characteristics measuring instrument for film carrier semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57162343A JPS57162343A (en) | 1982-10-06 |
| JPS6157699B2 true JPS6157699B2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=12773346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4737581A Granted JPS57162343A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Characteristics measuring instrument for film carrier semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57162343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266498U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330919A (en) * | 1993-02-08 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Method for electrically testing a semiconductor die using a test apparatus having an independent conductive plane |
| KR100505665B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 테스트용 패드가 이면에 형성된 테이프 패키지 및 그검사방법 |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4737581A patent/JPS57162343A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266498U (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57162343A (en) | 1982-10-06 |
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