JP2002289628A - 画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体装置の製造方法及び製造装置

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JP2002289628A
JP2002289628A JP2001085370A JP2001085370A JP2002289628A JP 2002289628 A JP2002289628 A JP 2002289628A JP 2001085370 A JP2001085370 A JP 2001085370A JP 2001085370 A JP2001085370 A JP 2001085370A JP 2002289628 A JP2002289628 A JP 2002289628A
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JP2001085370A
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Hiroshi Masutani
浩 枡谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い精度をもって画像認識することができる
画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体装置の製造
方法及び製造装置を提供することにある。 【解決手段】 画像認識方法は、保持部材25に保持さ
れた複数の対象物30をそれぞれにおいて画像認識する
工程を含み、それぞれの対象物30は互いに間隔をあけ
て配置され、その間隔に画像認識する側とは反対側か
ら、光42を透過させることによって対象物30を画像
認識する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像認識方法及び
画像認識装置並びに半導体装置の製造方法及び製造装置
に関する。
【0002】
【発明の背景】CSP(Chip Scale/Size Package)と
呼ばれる小型パッケージでは、フレキシブル基板に複数
の半導体チップが搭載され、これらが一括して樹脂封止
された後、切削切断されてなるものがある。切断された
パッケージは、その位置を画像認識して個別にトレーに
収納する。
【0003】しかし、切削切断したラインは極めて細
く、パッケージは暗色(例えば黒色)であるので、その
ラインを基準として画像認識することが難しい場合があ
った。そのため、切断後トレーに収納する工程において
生産効率が高まらなかった。
【0004】また、半導体ウェーハを複数の半導体チッ
プに切断したときであっても、切削切断したラインを基
準として明確に認識することができれば、半導体チップ
のより正確な位置が把握できる。
【0005】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、高い精度をもって画像認識するこ
とができる画像認識方法及び画像認識装置並びに半導体
装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る画像
認識方法は、保持部材に保持された複数の対象物をそれ
ぞれにおいて画像認識する工程を含み、それぞれの前記
対象物は互いに間隔をあけて配置され、その間隔に画像
認識する側とは反対側から、光を透過させることによっ
て前記対象物を画像認識する。
【0007】本発明によれば、画像認識する側とは反対
側から光を透過させるので、光の明暗により対象物の間
隔を明確に認識することができる。これによって、対象
物の外形及びその位置を正確に把握することができる。
【0008】(2)この画像認識方法において、前記保
持部材は、光を透過する性質を有し、前記対象物は、光
を遮る性質を有してもよい。
【0009】これによって、対象物の間隔は対象物自体
に比べて明色になるので、対象物の外形を正確に把握す
ることができる。
【0010】(3)この画像認識方法において、光を前
記保持部材に垂直な方向で入射させてもよい。
【0011】これによれば、光が垂直な方向に入射する
ので影の長短ができないため、対象物の外形を正確に把
握することができる。
【0012】(4)この画像認識方法において、前記画
像認識する工程で、前記対象物の間隔を広げるように前
記保持部材を引き伸ばしてもよい。
【0013】これによって、確実に対象物の間隔に光を
透過させることができる。
【0014】(5)本発明に係る半導体装置の製造方法
は、上記画像認識方法を含み、前記画像認識する工程前
に、複数の半導体素子を含む集合体を複数の前記対象物
に切削切断する工程をさらに含み、前記対象物の間隔
は、前記集合体の切断ラインであってもよい。
【0015】本発明によれば、画像認識する側とは反対
側から光を透過させるので、光の明暗により切断ライン
を明確に認識することができる。これによって、対象物
の外形及びその位置を正確に把握することができる。し
たがって、例えばその後の対象物を剥離する工程の生産
効率を高めることができる。
【0016】(6)この半導体装置の製造方法におい
て、前記画像認識する工程後に、前記対象物を前記保持
部材から剥離する工程をさらに含んでもよい。
【0017】これによれば、対象物の外形及びその位置
を正確に把握することができるため、効率良く対象物を
剥離することができる。
【0018】(7)この半導体装置の製造方法におい
て、前記剥離する工程で、前記保持部材越しに前記対象
物をピンで押し上げ、ツールによって前記対象物を吸着
してピックアップしてもよい。
【0019】(8)この半導体装置の製造方法におい
て、前記ピンは、光透過性を有する部材で支持されても
よい。
【0020】これによって、ピンを支持する部材によっ
て光が遮られることがない。
【0021】(9)この半導体装置の製造方法におい
て、前記対象物は、前記半導体チップが封止材で封止さ
れてもよい。
【0022】これによれば、封止材で封止されることで
暗色となった対象物であっても、その正確な外形及び位
置を把握することができる。
【0023】(10)本発明に係る画像認識装置は、保
持部材に保持され、互いに間隔をあけて配置された複数
の対象物をそれぞれにおいて画像認識する画像センサ
と、画像認識する側とは反対側から、前記対象物の間隔
に光を透過させる光源と、を含む。
【0024】本発明によれば、画像認識する側とは反対
側から光を透過させるので、光の明暗により対象物の間
隔を明確に認識することができる。これによって、対象
物の外形及びその位置を正確に把握することができる。
【0025】(11)この画像認識装置において、前記
光源は、前記保持部材に垂直な方向に入射する光を照射
してもよい。
【0026】これによれば、光が垂直な方向に入射する
ことで影の長短ができないため、対象物の外形を正確に
把握することができる。
【0027】(12)本発明に係る半導体装置の製造装
置は、上記画像認識装置を含み、前記対象物は、半導体
チップを含み、前記対象物を吸着してピックアップする
ツールをさらに含んでもよい。
【0028】本発明によれば、画像認識する側とは反対
側から光を透過させるので、光の明暗により対象物の間
隔を明確に認識することができる。これによって、対象
物の外形及びその位置を正確に把握することができる。
したがって、対象物をツールによって剥離する工程の生
産効率を高められる装置を提供できる。
【0029】(13)この半導体装置の製造装置におい
て、前記対象物を前記保持部材越しに押し上げるピンを
さらに含み、前記ピンは、光透過性を有する部材で支持
されてもよい。
【0030】これによって、容易に対象物を剥離するこ
とができる。さらに、ピンを支持する部材によって光が
遮られることがない。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
【0032】以下に説明する例では、半導体装置の製造
方法及び製造装置について説明するが、本発明はこれに
限定されるものではなく、画像認識方法及び画像認識装
置の全般に適用されるものである。
【0033】図1〜図7は、本発明を適用した実施の形
態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明する
図である。図1及び図2は、複数の対象物に切断される
前の集合体を示す図である。そして、図3及び図4は集
合体を切削切断する工程、図5及び図6は対象物を画像
認識する工程、図7は対象物を剥離する工程を説明する
図である。
【0034】まず、複数の半導体素子(半導体チップ1
0又は半導体ウェーハ)を含む集合体20について説明
する。以下に示す例では、集合体20は複数の半導体チ
ップ10を含む半導体パッケージの集合体である。これ
は、半導体アセンブリと称してもよい。半導体パッケー
ジの形態は、CSP(Chip Scale/ Size Package)又は
BGA(Ball Grid Array)であってもよく、その形態
は説明する例には限定されない。
【0035】図1に示すように、基板12の複数の搭載
領域のそれぞれに、半導体チップ10が搭載されてい
る。基板12は、有機系(例えばポリイミド基板)、無
機系(例えばセラミック基板又はガラス基板)又はそれ
らを組み合わせたもの(例えばガラスエポキシ基板)で
あってもよい。基板12には配線パターン(図示しな
い)が形成されており、半導体チップ10は、基板12
の配線パターンが形成された面に搭載されることが多
い。半導体チップ10は、電極(図示しない)が形成さ
れた面を基板12とは反対側に向けてボンディング(フ
ェースアップボンディング)されている。半導体チップ
10は、接着剤14などで基板12に接着されてもよ
い。そして、半導体チップ10は、ワイヤ16によって
基板12の配線パターンと電気的に接続されている。
【0036】あるいは、半導体チップ10は、電極が形
成された面を基板12に対向させてボンディング(フェ
ースダウンボンディング)されてもよく、その場合、電
気的な接続には、異方性導電材料やハンダや導電ペース
ト等を用いたり、超音波を使用した金属接合を適用して
もよい。
【0037】複数の半導体チップ10が3次元的に積み
重ねられたものを基板12に搭載してもよい。この場合
に、積層された2つ以上の半導体チップ10のうち、少
なくとも1つがフェースアップ型であってもよく、少な
くとも1つがフェースダウン型であってもよく、あるい
はこれらが混在してもよい。半導体チップ10は、電気
的接続を図るため表面に、配線、外部端子、樹脂層(応
力緩和層)などが設けられてもよい。また、上下間の半
導体チップ10の電気的導通は、各半導体チップ10に
複数の貫通穴を形成し、その内側に導電部材(例えば配
線)を設けることで達成してもよい。
【0038】図2に示すように、複数の半導体チップ1
0は、樹脂18などの封止材によって封止される。例え
ば、複数の半導体チップ10を一括して封止してもよ
い。樹脂18は、基板12の全体に設けられてもよい。
封止には、金型を使用すればよい。あるいは、樹脂18
は、基板12上に設けてスキージによって均一にしても
よいし、ポッティングによって設けてもよい。
【0039】また、封止されてできた半導体装置(対象
物30)の良品又は不良品を識別するために、基板12
における樹脂18が設けられる面とは反対の面に識別マ
ーク(図示しない)を設けてもよい。識別マークは、1
つの対象物30に少なくとも1つ設けられる。例えば、
識別マークは、基板12に形成された穴(図示しない)
に、樹脂18が充填されるか(漏れ出すか)否かによる
目印であってもよい。具体的には、穴を樹脂18を設け
る側から、予め配線などで塞いでおき、樹脂18を設け
る前に、半導体装置の良品又は不良品のいずれか一方
(例えば不良品)を意味する印として、穴上の配線の部
分を貫通させる。他方では、半導体装置の良品又は不良
品のいずれか一方(例えば良品)を意味する印として、
穴上の配線はそのままにしておく。そして、基板12の
側からみて、配線がそのまま穴から露出する場合と、反
対側から樹脂18漏れ出して穴に充填される場合と、に
よって良品又は不良品を判断する。これによれば、不良
品を初期の段階で発見することができるので、以後の半
導体装置の生産性を高めることができる。識別マーク
は、上述とは別に、例えばインクなどで記してもよい。
【0040】図示する例とは別に、集合体20は半導体
ウェーハであってもよい。あるいは、半導体ウェーハの
表面(例えばシリコン表面)に配線パターンが形成され
たものに本実施の形態を適用してもよく、外部端子(ハ
ンダボール)や樹脂層が設けられたものに適用してもよ
い。すなわち、集合体20として、いわゆるウェーハレ
ベルCSPを使用してもよい。また、半導体ウェーハ
は、3次元的に積み重ねられたものを使用することもで
きる。
【0041】(切削切断工程)集合体20を切削して複
数の対象物30に切断する。図3に示す例では、複数の
半導体チップ10及び樹脂18が設けられた基板12を
切削切断する。切削には、シリコンウェーハを切削する
ときに使用されるブレード22などの切削ツールを使用
してもよい。ブレード22などの切削ツールを、集合体
20に対して相対的に移動させて、基板12等を切削切
断する。なお、集合体20は、切削切断以外にも、例え
ば、割ることによって複数の対象物30に分割してもよ
い。
【0042】集合体20は、テープ24などの保持部材
で保持しておくことが好ましい。これによって、集合体
20を複数の対象物30に切断しても、対象物30をば
らばらにせずに、テープ24上でまとめて保持すること
ができる。テープ24は、集合体20よりも大きい外形
で囲んだリング26によって支持されてもよい。リング
26を使用すれば、各工程間の搬送や使用前後の収納、
保持部材からの対象物30の剥離などが行いやすくな
る。また、リング26を使用することで、切削時におい
て、ブレード22の平面的位置を固定させておき、リン
グ26を2次元的に移動させることもできる。
【0043】集合体20は、図3に示すように基板12
の側と樹脂18の側とのうち、樹脂18の側からブレー
ド22で切削してもよい。あるいは、基板12の側から
ブレード22で切削してもよい。いずれにしても集合体
20は、切削する側とは反対側にテープ24が貼り付け
られている。また、本工程で集合体20を切断する前
に、複数の外部端子32を予め設けておいてもよい。こ
の時点であれば、複数の半導体装置に対応する外部端子
32を同時に正確な位置で設けることができる。
【0044】外部端子32は、基板12の配線パターン
に接続して設ける。外部端子32は、ハンダボールであ
ってもよい。配線パターンが基板12の樹脂18が設け
られた面に形成されている場合は、基板12の貫通穴
(図示しない)を介して、外部端子32と配線パターン
との電気的な接続を図る。貫通穴は、ハンダなどの導電
材料が充填されてもよく、あるいは銅などでメッキして
形成されたスルーホールであってもよい。なお、外部端
子32は、基板12等を切削する後に設けてもよい。
【0045】こうして、図4に示すように集合体20を
複数の対象物30に切断する。対象物30は、1つ又は
複数の半導体チップ10を含む。各対象物30の間は、
切断ライン34(図5及び図6参照)が通っている。切
断ライン34には、テープ24が露出する。切断ライン
34は、ブレード22の刃の厚みやブレード22の切削
時の位置精度によりその幅が決められるが、極めて細い
ラインであることが多く、この場合に本実施の形態は効
果的である。
【0046】図4に示す例では、複数の対象物30は、
切削時のテープ24とは別のテープ25に接着されてい
る。例えば、集合体20を切削切断してから、切削時に
生じるゴミ(基板12及び樹脂18の切削くずなど)を
除去した後に、テープ25に貼り替えてもよい。この場
合に、テープ25は、切削時に使用したテープ24とは
反対の面で対象物30を接着してもよい。なお、テープ
24、25は、同一材料であってもよく例えばUVテー
プであってもよい。
【0047】あるいは、テープを貼り替えずに、切削時
のテープ24を使用して以下に示す工程を行ってもよ
い。
【0048】テープ25は、基板12の側と、樹脂18
の側と、のうちいずれの側に貼り付けられてもよい。例
えば、図4に示すように外部端子32が設けられる場合
には、テープ25は、対象物30の外部端子32が設け
られる側(例えば基板12の側)とは反対側(例えば樹
脂18の側)に貼り付けられる。なお、テープ25は、
リング27によって支持されていることが好ましい。
【0049】(画像認識工程)それぞれの対象物30を
画像認識する。詳しくは、図6に示すように、対象物3
0の間の切断ライン34を含む範囲で、1つ又は複数の
(多くの場合1つの)対象物30を画像認識する。詳し
くは、対象物30の外形及びその位置を認識する。テー
プ25の対象物30が接着された側から画像認識する。
本工程は、上述の切削切断工程とは別のステージで行っ
てもよい。
【0050】なお、本実施の形態は、複数の対象物30
が互いに間隔をあけて配置されているもの全般に適用す
ることができる。
【0051】図5に示すように、画像センサとして、カ
メラ40を使用してもよい。具体的には、カメラ40で
撮像された少なくとも1つ(図6に示す例では1つ)の
対象物30を、モニターなどの表示部を介して肉眼で認
識する。そして、表示部に表示された画面をもとに、カ
メラ40とリング27との相対的に移動させて、対象物
30を所定の位置に合わせる。例えば、カメラ40を固
定位置として、リング27をテープ25の平面に平行な
XY方向に移動させて、剥離する1つの対象物30を位
置合わせしてもよい。
【0052】本工程は、画像認識する側(例えばカメラ
40の配置される側)とは反対側から、切断ライン34
に光42を透過させた状態で行う。例えば、テープ25
におけるカメラ40を配置する側とは反対側に光源44
を配置して、テープ25に光42を照射してもよい。光
42は、可視光であってもよいが、切断ライン34を認
識できるようにモニターに何らかの反応があれば、紫外
線などの放射線全般であってもよい。なお、光源44
は、リング照明、境内照明又は斜光照明などを使用する
ことができる。
【0053】テープ25は、光42を透過する性質を有
することが好ましい。また、対象物30は、光42を遮
る性質を有することが好ましい。逆に言うと、テープ2
5に光42を照射したときに、光42は、テープ25を
透過し、かつ、対象物30によって遮られる性質を有す
ることが好ましい。すなわち、光42は、テープ25の
対象物30が接着された部分よりも、切断ライン34の
部分の方が光が透過することが好ましい。そして、その
光透過性の差異は、モニターの画面を介して肉眼で識別
できる程度であることが好ましい。保持部材(例えばテ
ープ25)は、光42を受けて発光する部材であっても
よい。これらによれば、切断ライン34が光42によっ
て対象物30自体よりも明色になるので、対象物30の
外形を正確に把握することができる。
【0054】また、光42をテープ25に対して垂直な
方向で入射させることが好ましい。詳しくは、画像認識
する例えば1つの対象物30が接着された領域を含むテ
ープ25の部分に対して、光42を垂直に入射させる。
これによれば、影の長短ができないため、対象物30の
外形を正確に把握することができる。したがって、対象
物30を位置合わせするときの誤差を小さくして、その
精度を向上させることができる。
【0055】また、図5に示すように、画像認識する側
からも光46をテープ25に照射してもよい。光46
は、画像認識する少なくとも1つの対象物30に照射さ
れる。これによって、画像認識する対象物30を明るく
して、見やすくすることができる。また、対象物30に
良品又は不良品を識別するための識別マークを記した場
合には、光46によって識別マークを明確に画像認識す
ることができる。なお、光46を照射する光源48は、
図示するようにリング照明であってもよく、あるいは境
内照明や斜光照明であってもよい。
【0056】本工程は、対象物30の切断ライン34を
広げるように、テープ25を2次元的に引き伸ばした状
態で行ってもよい。例えば、テープ25を、集合体20
を切削切断するときの状態(例えばテープ24の状態)
よりも引き伸ばす。言い換えると、テープ25は、リン
グ27にて端部が支持されてリング25内にはテンショ
ンが加わっているが、その状態よりもさらに引き伸ば
す。例えば、リング27の外周の内側に外周が位置する
円筒形状などの押圧治具50によって、テープ25をリ
ング27の内側で突出させてもよい。押圧治具50のテ
ープ25に接触する部分は、複数の対象物30の全てを
含む範囲で囲んでもよい。押圧治具50でテープ25を
押圧すると、テープ25における対象物30が接着され
る位置をそのままにして、対象物30の間の切断ライン
34の幅を大きくすることができる。したがって、より
確実に切断ライン34に光42を透過させることができ
る。また、テープ25を左右の方向に引っ張るので、対
象物30のテープ25に対する保持力を弱めて、対象物
30をテープ25から剥離しやすくできる。
【0057】本工程は、後の対象物30を剥離する工程
で使用する治具60を、テープ25の下(光源44の
側)に配置させた状態で行ってもよい。治具60は、本
工程では使用しなくてもよいものであるが、製造効率を
上げるために予めリング27の下に配置させておくこと
が好ましい。ここで、治具60は、1つ又は複数(例え
ば四角形の頂点となる位置に配置された4つ)のピン6
2と、ピン62を支持する部材64と、を含む。部材6
4の少なくとも一部は、治具60内を大気圧よりも減圧
させて(真空にして)、テープ25を部分的に(例えば
剥離する対象物30の部分に)吸着させるためのもので
ある。
【0058】そして、部材64は、光透過性を有する材
料で形成されてもよい。これによって、部材64によっ
てテープ25への光42の照射を妨げることがない。な
お、部材64は、例えば、透明な樹脂(例えば透明なア
クリル樹脂)で形成されてもよい。
【0059】本工程によれば、画像認識する側とは反対
側から、対象物30の切断ライン34に光42を透過さ
せるので、光の明暗により切断ライン34を明確に認識
することができる。詳しくは、切断ライン34が明色に
表示され、対象物30がそれよりも暗色に表示されるの
で、対象物30の外形及びその位置を正確に把握するこ
とができる。
【0060】(剥離工程)次に、図7に示すように、対
象物30をテープ25から剥離する。対象物30は、1
つずつテープ25から剥離してもよい。本工程は、上述
の画像認識工程と同一ステージで行う。
【0061】本工程は、ツール70で対象物30を保持
することで、テープ25から剥離する。ツール70は、
対象物30を吸着してピックアップしてもよい。また、
対象物30に外部端子32が形成されている場合は、外
部端子32の領域を避けてツール70を対象物30に接
触させる。
【0062】ツール70は、上述のカメラ40と入れ替
わりにテープ25の上方に配置される。詳しく説明する
と、ツール70はカメラ40と交換で対象物30の上方
に配置される。このとき、ツール70のテープ25の平
面視における位置は、予め固定位置として設定してお
く。例えば、ツール70を、カメラ40と同一の位置に
移動するように設定しておいてもよい。すなわち、上述
の工程においてリング27をXY方向に移動させて、剥
離する1つの対象物30をツール70が配置される位置
(例えばカメラ40と同一の位置)の下方に正確に位置
合わせすれば、本工程でツール70をカメラ40と交換
するだけでツール70を1つの対象物30の正確な位置
での上方に配置することができる。カメラ40とツール
70は、1つずつの対象物30を剥離する度に交換して
もよい。
【0063】また、必要があれば上述の治具60のピン
62で、テープ25越しに1つの対象物30を押し上げ
てもよい。そして、ピン62によって押し上げられた対
象物30をツール70で吸着する。なお、ピン62を支
持する部材64は、テープ25を吸着してもよい。これ
によって、ピン62で押し上げたときに、対象物30と
テープ25との接着力を弱めることができる。
【0064】ツール70で取り出した対象物30は、ト
レイ(図示しない)に収納してもよい。あるいは、例え
ば対象物30が半導体チップ10(配線、外部端子、樹
脂層が形成されたものも含む)であれば、ツール70で
そのまま基板に搭載してもよい。
【0065】本工程終了後、テープ25上に再びカメラ
40が配置されて画像認識工程を行い、残りの対象物3
0を同様にしてテープ25から剥離する。
【0066】本実施の形態によれば、画像認識する側と
は反対側から光42を透過させるので、光の明暗により
対象物30の間隔(例では切断ライン34)を明確に画
像認識することができる。これによって、対象物30の
正確な外形及びその位置を把握することができる。した
がって、その後の対象物30を剥離する工程の生産効率
を高めることができる。
【0067】本実施の形態に係る半導体装置の製造装置
は、半導体素子(半導体チップ10を含む)を含み、保
持部材(例えばテープ25)に保持され、互いに間隔を
あけて配置された複数の対象物30をそれぞれ(1つ又
は複数ずつ)において画像認識する画像センサ(例えば
カメラ40)と、画像認識する側とは反対側から対象物
30の間隔(例えば切断ライン34)に光42を透過さ
せる光源44と、を含む。詳しい説明及びその他の構成
は、上述の製造方法において説明した通りである。
【0068】これによれば、画像認識する側とは反対側
から光42を透過させるので、光の明暗により対象物3
0の間隔(説明する例では切断ライン34)を明確に認
識することができる。これによって、対象物30の外形
及びその正確な位置を把握することができる。したがっ
て、例えば、対象物30を剥離する工程の生産効率を高
められる装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】図2は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】図3は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】図4は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】図5は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための図で
ある。
【図6】図6は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための図で
ある。
【図7】図7は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための図で
ある。
【符号の説明】
10 半導体チップ 20 集合体 25 テープ 30 対象物 34 切断ライン 40 カメラ 44 光源 62 ピン 64 部材 70 ツール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 BB27 CC28 DD09 FF04 HH15 JJ26 PP12 TT02 UU01 UU02 UU04 5B047 AA12 BB04 BC12 CB04 5F047 FA08 FA75 FA83

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 保持部材に保持された複数の対象物をそ
    れぞれにおいて画像認識する工程を含み、 それぞれの前記対象物は互いに間隔をあけて配置され、
    その間隔に画像認識する側とは反対側から、光を透過さ
    せることによって前記対象物を画像認識する画像認識方
    法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の画像認識方法において、 前記保持部材は、光を透過する性質を有し、 前記対象物は、光を遮る性質を有する画像認識方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の画像認識
    方法において、 光を前記保持部材に垂直な方向で入射させる画像認識方
    法。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
    の画像認識方法において、 前記対象物の間隔を広げるように前記保持部材を引き伸
    ばす画像認識方法。
  5. 【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
    の画像認識方法を含む半導体装置の製造方法において、 前記画像認識する工程前に、複数の半導体素子を含む集
    合体を、複数の前記対象物に切削切断する工程をさらに
    含み、 前記対象物の間隔は、前記集合体の切断ラインである半
    導体装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記画像認識する工程後に、前記対象物を前記保持部材
    から剥離する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記剥離する工程で、前記保持部材越しに前記対象物を
    ピンで押し上げ、ツールによって前記対象物を吸着して
    ピックアップする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記ピンは、光透過性を有する部材で支持されてなる半
    導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項5から請求項8のいずれかに記載
    の半導体装置の製造方法において、 前記対象物は、半導体チップが封止材で封止されてなる
    半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 保持部材に保持され、互いに間隔をあ
    けて配置された複数の対象物をそれぞれにおいて画像認
    識する画像センサと、 画像認識する側とは反対側から、前記対象物の間隔に光
    を透過させる光源と、を含む画像認識装置。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の画像認識装置におい
    て、 前記光源は、前記保持部材に垂直な方向に入射する光を
    照射する画像認識装置。
  12. 【請求項12】 請求項10又は請求項11に記載の画
    像認識装置を含む半導体装置の製造装置において、 前記対象物は、半導体チップを含み、 前記対象物を吸着してピックアップするツールをさらに
    含む半導体装置の製造装置。
  13. 【請求項13】 請求項12記載の半導体装置の製造装
    置において、 前記対象物を前記保持部材越しに押し上げるピンをさら
    に含み、 前記ピンは、光透過性を有する部材で支持されてなる半
    導体装置の製造装置。
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