TWI573156B - Laminated ceramic electronic parts - Google Patents

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TWI573156B
TWI573156B TW104133924A TW104133924A TWI573156B TW I573156 B TWI573156 B TW I573156B TW 104133924 A TW104133924 A TW 104133924A TW 104133924 A TW104133924 A TW 104133924A TW I573156 B TWI573156 B TW I573156B
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Yoshiaki Iijima
Sou Satou
Yasutomo Suga
Katuo Koizumi
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Taiyo Yuden Kk
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Description

積層陶瓷電子零件
本發明係關於一種積層陶瓷電子零件。
積層陶瓷電容器或積層陶瓷電感器等積層陶瓷電子零件一般係於積層構造之零件本體設置外部電極而構成。零件本體形成為藉由長度、寬度及高度而界定之大致長方體狀，外部電極以與零件本體內之內部電極層或線圈層等導體部電性連接之方式設置於該零件本體中。儘管該積層陶瓷電子零件多用於零件安裝基板或零件內置基板等中，但依然要求該積層陶瓷電子零件之小型化及薄型化，於此現狀下，外部電極相對於導體焊墊或導體通孔之連接可靠性令人擔憂。
於下述專利文獻1中，揭示有鑒於上述連接可靠性而設計之外部電極8a及8b之構造(參照圖1及圖2)。該外部電極8a及8b之構造如下，即延伸部9a及9b係自積層陶瓷坯體3之引出部5a及5b之上表面遍及功能部4之上表面而形成，且引出部5a及5b之上表面之延伸部9a及9b較功能部4之延伸部9a及9b低，迴繞部10a及10b係自積層陶瓷坯體3之端面遍及引出部5a及5b之上表面之延伸部9a及9b之表面而形成，於該等延伸部9a及9b與迴繞部10a及10b之表面形成有金屬層12a及12b。
然而，於下述專利文獻1所揭示之外部電極8a及8b之構造中，於金屬膜12a及12b之上表面，會因存在於其下側之延伸部9a及9b與迴繞部10a及10b之形態而產生明顯之階差或起伏，因此難以提高相對於導體焊墊或導體通孔之連接可靠性。例如，於將金屬膜12a及12b之上表 面經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因上述明顯之階差或起伏，金屬膜12a及12b之上表面與導體焊墊之間隙會發生變化，因此有間隙較大部位之焊料量與間隙較小部位之焊料量易於發生偏差而發生連接不良之擔憂。又，於將導體通孔連接於金屬膜12a及12b之上表面之情形時，因上述明顯之階差或起伏，可用於導體通孔之連接之區域會變窄，因此有視導體通孔之位置公差如何而發生連接不良之擔憂。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5217584號公報
本發明之課題在於提供一種可顯著提高外部電極相對於導體焊墊或導體通孔之連接可靠性之積層陶瓷電子零件。
為解決上述課題，本發明係一種於積層構造之零件本體設置有外部電極之積層陶瓷電子零件，上述零件本體形成為由長度、寬度及高度而界定之大致長方體狀，於高度方向一面及另一面之端緣具有沿該端緣而形成之凹部，上述外部電極具有：基底導體層，其中高度方向側迴繞部形成於上述零件本體之凹部內；及主導體層，其中自上述基底導體層之高度方向側迴繞部上達到上述零件本體之高度方向一面及另一面之除上述凹部以外之面狀部上而連續地形成有高度方向側迴繞部；上述主導體層之高度方向側迴繞部具有藉由上述基底導體層之高度方向側迴繞部上之表面區域及上述零件本體之面狀部上之表面區域而構成之面狀之被連接區域。
根據本發明，可提供一種能顯著提高外部電極相對於導體焊墊 或導體通孔之連接可靠性之積層陶瓷電子零件。
10-1‧‧‧積層陶瓷電容器
10-2‧‧‧積層陶瓷電容器
10-3‧‧‧積層陶瓷電容器
10-4‧‧‧積層陶瓷電容器
10-5‧‧‧積層陶瓷電容器
10-6‧‧‧積層陶瓷電容器
11‧‧‧電容器本體
11a‧‧‧面狀部
11a'‧‧‧面狀部
11b‧‧‧凹部
11b'‧‧‧凹部
11c‧‧‧內部電極層
11d‧‧‧介電層
12‧‧‧外部電極
12a‧‧‧基底導體層
12a1‧‧‧基底導體層之高度方向側迴繞部
12a2‧‧‧基底導體層之寬度方向側迴繞部
12b‧‧‧輔助導體層
12c‧‧‧主導體層
12c1‧‧‧主導體層之高度方向側迴繞部
12c2‧‧‧主導體層之寬度方向側迴繞部
12c3‧‧‧主導體層之脊線被覆部
CA‧‧‧被連接區域
CP‧‧‧內部電極層用圖案
GS‧‧‧第2胚片
GSa‧‧‧胚片部分
H‧‧‧積層陶瓷電容器之高度
L‧‧‧積層陶瓷電容器之長度
MA‧‧‧邊緣
圖1係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第1實施形態)之圖。
圖2(A)係自寬度方向觀察圖1所示之積層陶瓷電容器之圖，圖2(B)係沿圖1之S1-S1線之剖視圖，圖2(C)係圖2(B)之部分放大圖。
圖3(A)係自長度方向觀察圖1所示之積層陶瓷電容器之圖，圖3(B)係沿圖1之S2-S2線之剖視圖，圖3(C)係沿圖1之S3-S3線之剖視圖，圖3(D)係圖3(B)之部分放大圖，圖3(E)係圖3(C)之部分放大圖。
圖4係圖1所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖5(A)及圖5(B)係圖1所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖6係圖1所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖7係圖1所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖8(A)及圖8(B)係圖1所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖9係表示圖1所示之積層陶瓷電容器之變化例之部分放大剖視圖。
圖10係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第2實施形態)之圖。
圖11(A)係自寬度方向觀察圖10所示之積層陶瓷電容器之圖，圖11(B)係沿圖10之S4-S4線之剖視圖，圖11(C)係圖11(B)之部分放大圖。
圖12(A)係自長度方向觀察圖10所示之積層陶瓷電容器之圖，圖12(B)係沿圖10之S5-S5線之剖視圖，圖12(C)係沿圖10之S6-S6線之剖視圖，圖12(D)係圖12(B)之部分放大圖，圖12(E)係圖12(C)之部分放 大圖。
圖13係圖10所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖14(A)及圖14(B)係圖10所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖15係圖10所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖16係圖10所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖17(A)及圖17(B)係圖10所示之積層陶瓷電容器之製造方法例之說明圖。
圖18係表示圖10所示之積層陶瓷電容器之變化例之部分放大剖視圖。
圖19係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第3實施形態)之圖。
圖20(A)係自寬度方向觀察圖19所示之積層陶瓷電容器之圖，圖20(B)係沿圖19之S7-S7線之剖視圖，圖20(C)係圖20(B)之部分放大圖。
圖21(A)係自長度方向觀察圖19所示之積層陶瓷電容器之圖，圖21(B)係沿圖19之S8-S8線之剖視圖，圖21(C)係沿圖19之S9-S9線之剖視圖，圖21(D)係圖21(B)之部分放大圖，圖21(E)係圖21(C)之部分放大圖。
圖22係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第4實施形態)之圖。
圖23(A)係自寬度方向觀察圖22所示之積層陶瓷電容器之圖，圖23(B)係沿圖22之S10-S10線之剖視圖，圖23(C)係圖23(B)之部分放大圖。
圖24(A)係自長度方向觀察圖22所示之積層陶瓷電容器之圖，圖24(B)係沿圖22之S11-S11線之剖視圖，圖24(C)係沿圖22之S12-S12線 之剖視圖，圖24(D)係圖24(B)之部分放大圖，圖24(E)係圖24(C)之部分放大圖。
圖25係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第5實施形態)之圖。
圖26(A)係自寬度方向觀察圖25所示之積層陶瓷電容器之圖，圖26(B)係沿圖25之S13-S13線之剖視圖，圖26(C)係圖26(B)之部分放大圖。
圖27(A)係自長度方向觀察圖25所示之積層陶瓷電容器之圖，圖27(B)係沿圖25之S14-S14線之剖視圖，圖27(C)係沿圖25之S15-S15線之剖視圖，圖27(D)係圖27(B)之部分放大圖，圖27(E)係圖27(C)之部分放大圖。
圖28係自高度方向觀察應用本發明之積層陶瓷電容器(第6實施形態)之圖。
圖29(A)係自寬度方向觀察圖28所示之積層陶瓷電容器之圖，圖29(B)係沿圖28之S16-S16線之剖視圖，圖29(C)係圖29(B)之部分放大圖。
圖30(A)係自長度方向觀察圖28所示之積層陶瓷電容器之圖，圖30(B)係沿圖28之S17-S17線之剖視圖，圖30(C)係沿圖28之S18-S18線之剖視圖，圖30(D)係圖30(B)之部分放大圖，圖30(E)係圖30(C)之部分放大圖。
圖31(A)及圖31(B)係第1實施形態、第2實施形態、第5實施形態及第6實施形態之製造方法例之補充說明圖。
《第1實施形態(圖1~圖9)》
首先，引用圖1~圖3，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-1之構造進行說明。另外，圖1表示積層陶瓷電容器10-1之高度方向一面及 另一面兩者，圖2(A)表示積層陶瓷電容器10-1之寬度方向一面及另一面兩者，圖3(A)表示積層陶瓷電容器10-1之長度方向一面及另一面兩者。
圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1之長度L為1000μm，寬度為500μm，高度H為100μm(均為不含公差之標準尺寸)。該積層陶瓷電容器10-1具備由長度、寬度及高度而界定之大致長方體狀之電容器本體11、以及設置於電容器本體11之長度方向兩端部之共2個外部電極12。
電容器本體11之長度為960μm，寬度為460μm，高度為80μm(均為不含公差之標準尺寸)。該電容器本體11於高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣具有沿各端緣連續地形成之矩形框狀之凹部11b，高度方向一面及另一面之除凹部11b以外之部分成為大致平坦之面狀部11a(亦參照圖5)。凹部11b之長度方向尺寸及寬度方向尺寸設定於50~100μm之範圍內，凹部11b之深度設定於5~10μm之範圍內。另外，矩形框狀之凹部11b之與面狀部11a近接之部位成為朝向面狀部11a深度逐漸變淺之傾斜面或彎曲面。
又，電容器本體11具有介隔介電層11d而積層有6~60層(於圖2及圖3中為方便起見表示有6層)矩形狀之內部電極層11c之電容部(無符號)、及位於電容部之高度方向兩側之保護部(無符號)。內部電極層11c於長度方向上交替地錯開，自高度方向一者起算第奇數個內部電極層11c之長度方向端緣電性連接於一外部電極12，第偶數個內部電極層11c之長度方向端緣電性連接於另一外部電極12。
內部電極層11c之長度為[電容器本體11之長度]-[凹部11b之長度方向尺寸]之值以下，內部電極層11c之寬度為[電容器本體11之寬度]-2×[凹部11b之寬度方向尺寸]之值以下。例如，於凹部11b之長度方向尺寸為100μm之情形時，內部電極層11c之長度設定為860μm以 下，於凹部11b之寬度方向尺寸為50μm之情形時，內部電極層11c之寬度設定為360μm以下。另一方面，介電層11d與保護部之長度及寬度與電容器本體11之長度及寬度相同。
又，內部電極層11c之厚度設定於0.5~5μm之範圍內，介電層11d之厚度設定於0.5~10μm之範圍內，保護部之厚度設定於10~20μm之範圍內。例如，於內部電極層11c之厚度為0.5μm，介電層11d之厚度為0.5μm，保護部之厚度為10μm之情形時，內部電極層11c之總數大約為60層。
於上述內部電極層11c中，較佳為使用以鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、該等之合金等作為主成分之良導體。又，於介電層11d與保護部中，較佳為使用以鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等作為主成分之介電陶瓷，更佳為使用ε>1000或類別2(高介電常數系)之介電陶瓷。
各外部電極12具有基底導體層12a、輔助導體層12b、及主導體層12c。基底導體層12a連續地具有覆蓋電容器本體11之長度方向端面之部分(無符號)、位於電容器本體11之高度方向兩面之高度方向側迴繞部12a1、及位於電容器本體11之寬度方向兩面之寬度方向側迴繞部12a2。自圖2及圖3可知，高度方向側迴繞部12a1形成於電容器本體11之高度方向一面及另一面上所存在之凹部11b中之沿長度方向端緣之部分內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部。又，高度方向側迴繞部12a1及寬度方向側迴繞部12a2之長度與凹部11b之長度方向尺寸相等，高度方向側迴繞部12a1及寬度方向側迴繞部12a2之厚度包含覆蓋電容器本體11之長度方向端面之部分之厚度，與凹部11b之深度相等。
又，輔助導體層12b介置於主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1與電容器本體11之高度方向一面及另一面之間。自圖2及圖3可知，輔 助導體層12b係自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面，詳細而言係面狀部11a之表面及凹部11b中之沿寬度方向端緣之部分之內面而連續地形成(亦參照圖7)。該輔助導體層12b負責輔助主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1相對於電容器本體11之密接，其厚度設定於0.05~5μm之範圍內。輔助導體層12b之長度與主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度相等或稍短於該長度，輔助導體層12b之寬度與電容器本體11之寬度相等或稍短於該寬度。
進而，主導體層12c連續地具有覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分(無符號)、位於輔助導體層12b之表面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面之寬度方向側迴繞部12c2。自圖2及圖3可知，高度方向側迴繞部12c1係於輔助導體層12b之表面，換而言之自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上到達電容器本體11之面狀部11a上及凹部11b中之沿寬度方向端緣之部分上而連續地形成，寬度方向側迴繞部12c2形成於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面。又，高度方向側迴繞部12c1之長度設定於積層陶瓷電容器10-1之長度之1/5~2/5之範圍內，高度方向側迴繞部12c1及寬度方向側迴繞部12c2之厚度包含覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分，設定於3~10μm之範圍內。另外，因寬度方向側迴繞部12c2形成於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面，故如圖2(A)所示，寬度方向側迴繞部12c2之長度較高度方向側迴繞部12c1之長度短。
即，各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a上之表面區域而構成之大致平坦之面狀之被連接區域CA。
於上述基底導體層12a、輔助導體層12b、及主導體層12c中，較佳為使用以鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、鈦、錫，鋅、該等之合金等作為主成分之良導體。基底導體層12a、輔助導體層12b、及主導體層12c之主成分既可不同，亦可相同。
其次，引用圖4~圖8，對圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖4)。圖4表示與1個積層陶瓷電容器10-1對應之第2胚片GS，以包圍矩形狀之內部電極層用圖案CP之長度方向一端緣與寬度方向兩端緣之方式，存在字狀之邊緣MA。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積 層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶片進行燒成(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
圖5(A)及圖5(B)分別表示自高度方向觀察經過燒成步驟而製作之電容器本體11之圖與自寬度方向觀察經過燒成步驟而製作之電容器本體11之圖。所製作之電容器本體11於高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣具有沿各端緣而連續地形成之矩形框狀之凹部11b，高度方向一面及另一面之除凹部11b以外之部分成為大致平坦之面狀部11a。該凹部11b係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏)並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖6)。於製作基底導體層12a時，如圖2及圖3所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b中之沿長度方向端緣之部分內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗 佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a之表面及凹部11b中之沿寬度方向端緣之部分之內面而連續之方式，製作輔助導體層12b(參照圖7)。作為製作厚度較薄之輔助導體層12b之方法，除利用飛沫噴霧等噴送使上述金屬焊膏低黏度化而成者或其他低黏度金屬焊膏，並於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法以外，較佳為可採用藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法形成鎳或鎳以外之金屬之薄膜之方法。又，於輔助導體層12b之厚度為數μm之情形時，藉由利用網版印刷法印刷上述金屬焊膏或其他金屬焊膏，於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法，亦可無問題地製作輔助導體層12b。再者，於圖7中，為便於圖示，表示有輔助導體層12b之長度與主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度相等，且寬度與電容器本體11之寬度相等者，但如上文所述，該輔助導體層12b之長度亦可較主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度稍短(參照圖8(A))，寬度亦可較電容器本體11之寬度稍窄(參照圖8(B))。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於輔助導體層12b之表面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面之寬度方向側迴繞部12c2連續之方式，製作主導體層12c。作為製作該主導體層12c之方法，除電鍍法以外，較佳為可採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1而獲得之效果進行說明(下述E11~E13係表示效果之記號)。
(E11)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器 本體11之面狀部11a上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E12)於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1與電容器本體11之高度方向一面及另一面之間，介置有負責輔助主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1相對於該電容器本體11之密接之輔助導體層12b，因此可利用被連接區域CA將如下情況防止於未然，即於相對於導體焊墊或導體通孔進行連接時或完成連接後主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1自面狀部11a剝離。該輔助導體層12b於如下情形時有用，即當將主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1直接形成於電容器本體11時，由於電容器本體11之表面粗糙度或材質等而難以獲得充分之密接力。
(E13)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向迴繞部12c2之長度較高度方向側迴繞部12c1之長度短(參照圖1及圖2(A))，因此可自主導體層12c將並不與導體焊墊或導體通孔之連接相關之部分除外，從而削減與該主導體層12c之形成相關之材料成本。又，即便於積層陶瓷電容器10-1因外力等而發生彎曲之情形時，亦可將施加於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之應力分散。
〈變化例〉
其次，對圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1之變化例進行說明 (下述M11及M12係表示變化例之記號)。
(M11)於圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1中，自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面而連續地形成有各外部電極12之輔助導體層12b，但即便如圖9所示，自凹部11b中之沿長度方向端緣之部分之內面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面而連續地形成輔助導體層12b，亦可獲得與上述相同之效果。於採用此種輔助導體層12b之形態之情形時，只要於未燒成積層薄片製作步驟與未燒成晶片製作步驟之間、或未燒成晶片製作步驟與基底導體層製作步驟之間，執行上述製造方法例中之輔助導體層12b之製作步驟即可。
(M12)於圖1~圖3所示之積層陶瓷電容器10-1中，表示有各外部電極12c之高度方向側迴繞部12c1之一部分並未作為被連接區域CA而使用者，但即便自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上僅到達電容器本體11之面狀部11a上而連續形成輔助導體層12b，並使主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之形狀成為與被連接區域CA對應之形狀，亦可獲得與上述相同之效果。
《第2實施形態(圖10~圖18)》
首先，引用圖10~圖12，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-2之構造進行說明。另外，圖10表示積層陶瓷電容器10-2之高度方向一面及另一面兩者，圖11(A)表示積層陶瓷電容器10-2之寬度方向一面及另一面兩者，圖12(A)表示積層陶瓷電容器10-2之長度方向一面及另一面兩者。
圖10~圖12所示之積層陶瓷電容器10-2與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)於構造上不同之點在於：‧僅於電容器本體11之高度方向一面及另一面之長度方向端緣沿該長度方向端緣呈帶狀形成有凹部11b'，電容器本體11之高度方向一 面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'(參照圖10~圖12及圖14)；‧輔助導體層12b係自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面之面狀部11a'之表面而連續地形成(參照圖10~圖12及圖16)；‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1係於輔助導體層12b之表面，換而言之自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上到達電容器本體11之面狀部11a'上而連續地形成，藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及面狀部11a'上之表面區域構成大致平坦之面狀之被連接區域CA(參照圖10~圖12)。其他構造與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)相同，故而省略其說明。
其次，引用圖13~圖17，對圖10~圖12所示之積層陶瓷電容器10-2之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，並且於各內部電極層用圖案之寬度方向兩側之邊緣塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖13)。圖13表示與1個積層陶瓷電容器10-2對應之第2胚片GS，於矩形狀之內部電極層用圖案CP之寬度方向兩側形成有厚度與該圖案CP相等之胚片部分GSa，因此邊緣MA 僅沿第2胚片GS之長度方向一端緣而存在。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶片進行特定處理(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
圖14(A)及圖14(B)分別表示自高度方向觀察經過燒成步驟而製作之電容器本體11之圖與自寬度方向觀察經過燒成步驟而製作之電容器本體11之圖。所製作之電容器本體11僅於高度方向一面及另一面之長度方向端緣具有沿該長度方向端緣而形成之帶狀之凹部11b'，高度方向一面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'。該凹部11b'係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b'之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏) 並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖15)。於製作基底導體層12a時，如圖11及圖12所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b'內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b'之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以自基底導體層12之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a'之表面而連續之方式，製作輔助導體層12b(參照圖16)。作為製作厚度較薄之輔助導體層12b之方法，除利用飛沫噴霧等噴送使上述金屬焊膏低黏度化而成者或其他低黏度金屬焊膏，並於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法以外，較佳為可採用藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法形成鎳或鎳以外之金屬之薄膜之方法。又，於輔助導體層12b之厚度為數μm之情形時，藉由利用網版印刷法印刷上述金屬焊膏或其他金屬焊膏，於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法，亦可無問題地製作輔助導體層12b。再者，於圖16中，為便於圖示，表示有輔助導體層12b之長度與主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度相等，且寬度與電容器本體11之寬度相等者，但如上文所述，該輔助導體層12b之長度亦可較主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度稍短(參照圖17(A))，寬度亦可較電容器本體11之寬度稍窄(參照圖17(B))。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於輔助 導體層12b之表面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面之寬度方向側迴繞部12c2連續之方式，製作主導體層12c。作為製作該主導體層12c之方法，除電鍍法以外，較佳為可採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖10~圖12所示之積層陶瓷電容器10-2而獲得之效果進行說明(下述E21~E23係表示效果之記號)。
(E21)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a'上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E22)於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1與電容器本體11之高度方向一面及另一面之間，介置有負責輔助主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1相對於該電容器本體11之密接之輔助導體層12b，因此可利用被連接區域CA將如下情況防止於未然，即於相對於導體焊墊或導體通孔進行連接時或完成連接後主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1自面狀部11a'剝離。該輔助導體層12b於如下情形時有用，即當將主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1直接形成於電容器本體11時，由於電容器本體11之表面粗糙度或材質等而難以獲得充分之密接力。
(E23)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向迴繞部12c2之長度較高度方向側迴繞部12c1之長度短(參照圖10及圖11(A))，因此可自主導體層12c將並不與導體焊墊或導體通孔之連接相關之部分除外，從而削減與該主導體層12c之形成相關之材料成本。又，即便於積層陶瓷電容器10-2因外力等而發生彎曲之情形時，亦可將施加於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之應力分散。
〈變化例〉
其次，對圖10~圖12所示之積層陶瓷電容器10-2之變化例進行說明(下述M21係表示變化例之記號)。
(M21)於圖10~圖12所示之積層陶瓷電容器10-2中，自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面而連續地形成有各外部電極12之輔助導體層12b，但即便如圖18所示，自凹部11b'之內面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面而連續地形成輔助導體層12b，亦可獲得與上述相同之效果。於採用此種輔助導體層12b之形態之情形時，只要於未燒成積層薄片製作步驟與未燒成晶片製作步驟之間、或未燒成晶片製作步驟與基底導體層製作步驟之間，執行上述製造方法例中之輔助導體層12b之製作步驟即可。
《第3實施形態(圖19~圖21)》
首先，引用圖19~圖21，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-3之構造進行說明。另外，圖19表示積層陶瓷電容器10-3之高度方向一面及另一面兩者，圖20(A)表示積層陶瓷電容器10-3之寬度方向一面及另一面兩者，圖21(A)表示積層陶瓷電容器10-3之長度方向一面及另一面兩者。
圖19~圖21所示之積層陶瓷電容器10-3與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)於構造上不同之點在於： ‧將輔助導體層12b排除(參照圖19~圖21)；‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1係自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a之表面及凹部11b中之沿寬度方向端緣之部分之內面而連續地形成，又，寬度方向側迴繞部12c2係自基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面到達電容器本體11之寬度方向一面及另一面而連續地形成(參照圖19~圖21)；‧主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度與高度方向側迴繞部12c1之長度相等(參照圖19及圖20(A))。其他構造與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)相同，故而省略其說明。
其次，引用圖4~圖6，對圖19~圖21所示之積層陶瓷電容器10-3之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖4)。圖4表示與1個積層陶瓷電容器10-3對應之第2胚片GS，以包圍矩形狀之內部電極層用圖案CP之長度方向一端緣與寬度方向兩端緣之方式，存在字狀之邊緣MA。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製 作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶片進行燒成(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
所製作之電容器本體11於高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣具有沿各端緣連續地形成之矩形框狀之凹部11b，高度方向一面及另一面之除凹部11b以外之部分成為大致平坦之面狀部11a(參照圖5)。該凹部11b係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏)並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖6)。於製作基底導體層12a時，如圖20及圖21所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b中之沿長度方向端緣之部分內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方 向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面及電容器本體11之高度方向一面及另一面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面及電容器本體11之寬度方向一面及另一面之寬度方向側迴繞部12c2連續之方式，製作主導體層12c。作為製作該主導體層12c之方法，可較佳地採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖19~圖21所示之積層陶瓷電容器10-3而獲得之效果進行說明(下述E31及E32係表示效果之記號)。
(E31)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E32)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度與高度方向側迴繞部12c1之長度相等(參照圖19及圖20(A))，因此可確保電容器本體11之整個表面之大致40~80%被柔軟性較高之主導體層12c覆蓋之形態，從而提高積層陶瓷電容器10-3之抗彎強度。
《第4實施形態(圖22~圖24)》
首先，引用圖22~圖24，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-4之構造進行說明。另外，圖22表示積層陶瓷電容器10-4之高度方向一面及另一面兩者，圖23(A)表示積層陶瓷電容器10-4之寬度方向一面及另一面兩者，圖24(A)表示積層陶瓷電容器10-4之長度方向一面及另一面兩者。
圖22~圖24所示之積層陶瓷電容器10-4與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)於構造上不同之點在於：‧僅於電容器本體11之高度方向一面及另一面之長度方向端緣沿該長度方向端緣呈帶狀形成有凹部11b'，電容器本體11之高度方向一面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'(參照圖22~圖24)；‧將輔助導體層12b排除(參照圖22~圖24)；‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1係自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a'之表面而連續地形成，又，寬度方向側迴繞部12c2係自基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2到達電容器本體11之寬度方向一面及另一面而連續地形成(參照圖22~圖24)；‧主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度與高度方向側迴繞部12c1之長度相等(參照圖22及圖23(A))。其他構造與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)相同，故而省略其說明。
其次，沿用圖13~圖15，對圖22~圖24所示之積層陶瓷電容器 10-4之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，並且於各內部電極層用圖案之寬度方向兩側之邊緣塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖13)。圖13表示與1個積層陶瓷電容器10-4對應之第2胚片GS，於矩形狀之內部電極層用圖案CP之寬度方向兩側形成有厚度與該圖案CP相等之胚片部分GSa，因此邊緣MA僅沿第2胚片GS之長度方向一端緣而存在。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶 片進行特定處理(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
所製作之電容器本體11僅於高度方向一面及另一面之長度方向端緣具有沿該長度方向端緣而形成之帶狀之凹部11b'，高度方向一面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'(參照圖14)。該凹部11b'係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b'之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏)並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖15)。於製作基底導體層12a時，如圖23及圖24所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b'內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b'之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面及電容器本體11之高度方向一面及另一面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之 寬度方向側迴繞部12a2之表面及電容器本體11之寬度方向一面及另一面之寬度方向側迴繞部12c2之方式，製作主導體層12c。作為製作該主導體層12c之方法，較佳為可採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖22~圖24所示之積層陶瓷電容器10-4而獲得之效果進行說明(下述E41及E42係表示效果之記號)。
(E41)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a'上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E42)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度與高度方向側迴繞部12c1之長度相等(參照圖22及圖23(A))，因此可確保電容器本體11之整個表面之大致40~80%被柔軟性較高之主導體層12c覆蓋之形態，從而提高積層陶瓷電容器10-4之抗彎強度。
《第5實施形態(圖25~圖27)》
首先，引用圖25~圖27，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-5之構造進行說明。另外，圖25表示積層陶瓷電容器10-5之高度方向一面及另一面兩者，圖26(A)表示積層陶瓷電容器10-5之寬度方向一面及另一面兩者，圖27(A)表示積層陶瓷電容器10-5之長度方向一面及另一面兩者。
圖25~圖27所示之積層陶瓷電容器10-5與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)於構造上不同之點在於： ‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分(無符號)於該較長之部分之寬度方向兩端緣，連續地具有覆蓋電容器本體11之長度方向脊線之脊線被覆部12c3(參照圖25~圖27)。其他構造與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)相同，故而省略其說明。
其次，引用圖4~圖8，對圖25~圖27所示之積層陶瓷電容器10-5之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖4)。圖4表示與1個積層陶瓷電容器10-5對應之第2胚片GS，以包圍矩形狀之內部電極層用圖案CP之長度方向一端緣與寬度方向兩端緣之方式，存在字狀之邊緣MA。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等 自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶片進行燒成(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
所製作之電容器本體11於高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣具有沿各端緣連續地形成之矩形框狀之凹部11b，高度方向一面及另一面之除凹部11b以外之部分成為大致平坦之面狀部11a(參照圖5)。該凹部11b係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏)並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖6)。於製作基底導體層12a時，如圖26及圖27所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b中之沿長度方向端緣之部分內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向 側迴繞部12a1之厚度較凹部11b之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a之表面及凹部11b中之沿寬度方向端緣之部分之內面而連續之方式，製作輔助導體層12b(參照圖7)。作為製作厚度較薄之輔助導體層12b之方法，除利用飛沫噴霧等噴送使上述金屬焊膏低黏度化而成者或其他低黏度金屬焊膏，並於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法以外，較佳為可採用藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法形成鎳或鎳以外之金屬之薄膜之方法。又，於輔助導體層12b之厚度為數μm之情形時，藉由利用網版印刷法印刷上述金屬焊膏或其他金屬焊膏，於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法，亦可無問題地製作輔助導體層12b。再者，於圖7中，為便於圖示，表示有輔助導體層12b之長度與主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度相等，且寬度與電容器本體11之寬度相等者，但如上文所述，該輔助導體層12b之長度亦可較主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度稍短(參照圖8(A))，寬度亦可較電容器本體11之寬度稍窄(參照圖8(B))。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於輔助導體層12b之表面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面之寬度方向側迴繞部12c2連續之方式，製作主導體層12c。又，於製作主導體層12c時，如圖25~圖27所示，於該主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分之寬度方向兩端緣，連續地形成覆蓋電容器本體11之長度方向脊線之脊線被覆部12c3。作為製作該主導體層12c之方法，除電鍍法以外，較佳為可採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖25~圖27所示之積層陶瓷電容器10-5而獲得之效果進行說明(下述E51~E54係表示效果之記號)。
(E51)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E52)於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1與電容器本體11之高度方向一面及另一面之間，介置有負責輔助主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1相對於該電容器本體11之密接之輔助導體層12b，因此可利用被連接區域CA將如下情況防止於未然，即於相對於導體焊墊或導體通孔進行連接時或完成連接後主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1自面狀部11a剝離。該輔助導體層12b於如下情形時有用，即當將主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1直接形成於電容器本體11時，由於電容器本體11之表面粗糙度或材質等而難以獲得充分之密接力。
(E53)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度較高度方向側迴繞部12c1之長度短(參照圖25及圖26(A))，因此可自主導體層12c將並不與導體焊墊或導體通孔之連接相關之部分除外，從而削減與該主導體層12c之形成相關之材料成本。又，於積層陶瓷 電容器10-5受到彎曲應力時，可將施加於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之應力分散而減輕。
(E54)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分(無符號)於該較長之部分之寬度方向兩端緣，連續地具有覆蓋電容器本體11之長度方向脊線之脊線被覆部12c3，因此即便於積層陶瓷電容器10-5基於溫度變動等而發生膨脹收縮之情形時，亦可防止因伴隨該膨脹收縮而產生之應力，而於電容器本體11之長度方向脊線部位產生裂痕，並且可藉由脊線被覆部12c3保護易於產生缺口之該長度方向脊線部位。
《第6實施形態(圖28~圖30)》
首先，引用圖28~圖30，對應用本發明之積層陶瓷電容器10-6之構造進行說明。另外，圖28表示積層陶瓷電容器10-6之高度方向一面及另一面兩者，圖29(A)表示積層陶瓷電容器10-6之寬度方向一面及另一面兩者，圖30(A)表示積層陶瓷電容器10-6之長度方向一面及另一面兩者。
圖28~圖30所示之積層陶瓷電容器10-6與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)於構造上不同之點在於：‧僅於電容器本體11之高度方向一面及另一面之長度方向端緣沿該長度方向端緣呈帶狀形成有凹部11b'，電容器本體11之高度方向一面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'(參照圖28~圖30)；‧輔助導體層12b係自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之高度方向一面及另一面之面狀部11a'之表面而連續地形成(參照圖28~圖30)；‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1係於輔助導體層12b之表面，換而言之自基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上到達電容 器本體11之面狀部11a'上而連續地形成，藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及面狀部11a'上之表面區域構成大致平坦之面狀之被連接區域CA(參照圖28~圖30)；‧主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分(無符號)於該較長之部分之寬度方向兩端緣，連續地具有覆蓋電容器本體11之長度方向脊線之脊線被覆部12c3(參照圖28~圖30)。其他構造與上述積層陶瓷電容器10-1(第1實施形態)相同，故而省略其說明。
其次，引用圖13~圖17，對圖28~圖30所示之積層陶瓷電容器10-6之較佳之製造方法例進行說明。
於電容器本體11之內部電極層11c之主成分為鎳，介電層11d與保護部之主成分為鈦酸鋇之情形時，首先，準備包含鎳粉末、松油醇(溶劑)、乙基纖維素(黏合劑)、及分散劑等添加劑之金屬焊膏，並準備包含鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯丁醛(黏合劑)、及分散劑等添加劑等之陶瓷漿料。
然後，使用模嘴塗佈機或凹版塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於承載膜之表面塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作第1胚片。又，使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷裝置及乾燥裝置，於第1胚片之表面呈矩陣狀或鋸齒狀印刷金屬焊膏並使其乾燥，並且於各內部電極層用圖案之寬度方向兩側之邊緣塗佈陶瓷漿料並使其乾燥，製作形成有內部電極層用圖案群之第2胚片(參照圖13)。圖13表示與1個積層陶瓷電容器10-6對應之第2胚片GS，於矩形狀之內部電極層用圖案CP之寬度方向兩側形成有厚度與該圖案CP相等之胚片部分GSa，因此邊緣MA僅沿第2胚片GS之長度方向一端緣而存在。
然後，使用具有沖裁刀及加熱器之可動式吸附頭等積層裝置，堆積自第1胚片沖裁之單位薄片直至達到特定片數並進行熱壓接，製 作與保護部對應之部位。繼而，堆積自第2胚片沖裁之單位薄片(包含內部電極層用圖案群)直至達到特定數量並進行熱壓接，製作與電容部對應之部位。繼而，使用熱均壓壓製機、機械式或油壓式壓製機等自壓接裝置，對堆積各部位所成者進行自熱壓接，製作未燒成積層薄片。
然後，使用刀片切割機或雷射切割機等切斷裝置，將未燒成積層薄片切斷成格子狀，製作與電容器本體11對應之未燒成晶片。然後，使用隧道型燒成窯或箱型燒成窯等燒成裝置，於還原性氛圍下或低氧分壓氛圍下，以與鎳及鈦酸鋇相應之溫度分佈，對多個未燒成晶片進行特定處理(包含脫黏處理與燒成處理)，製作電容器本體11。
所製作之電容器本體11僅於高度方向一面及另一面之長度方向端緣具有沿該長度方向端緣而形成之帶狀之凹部11b'，高度方向一面及另一面之除凹部11b'以外之部分成為大致平坦之面狀部11a'(參照圖14)。該凹部11b'係藉由未燒成積層薄片製作步驟而形成，具體而言係利用如下情況，即與鄰接之內部電極層11c於高度方向上相對之區域相比，其他區域之高度尺寸易於在熱壓接時或自熱壓接時減小。作為形成此種凹部11b'之方法，除使用熱均壓壓製機進行自熱壓接之方法以外，較佳為可採用一面使合成橡膠製之彈性板與高度方向兩面接觸一面藉由機械式或油壓式壓製機進行自熱壓接之方法。
然後，於使用輥塗佈機或浸漬塗佈機等塗佈裝置及乾燥裝置，於電容器本體11之長度方向兩端部塗佈金屬焊膏(沿用上述金屬焊膏)並使其乾燥之後，於與上述相同之氛圍下進行燒繪處理，製作基底導體層12a(參照圖15)。於製作基底導體層12a時，如圖29及圖30所示，一部分形成於電容器本體11之長度方向端面，高度方向側迴繞部12a1形成於凹部11b'內，寬度方向側迴繞部12a2形成於電容器本體11之寬度方向一面及另一面之端部，並且使高度方向側迴繞部12a1之厚度與 凹部11b'之深度儘量相等。於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大或小之情形時，可藉由對所使用之金屬焊膏之黏度進行調整，而進行厚度調整。又，於高度方向側迴繞部12a1之厚度較凹部11b'之深度明顯大之情形時，亦可藉由於塗佈金屬焊膏之後刮取多餘之焊膏之方法、或對製作後之基底導體層12a之多餘之部分進行研磨之方法，進行厚度調整。
然後，以自基底導體層12之高度方向側迴繞部12a1之表面到達電容器本體11之面狀部11a'之表面而連續之方式，製作輔助導體層12b(參照圖16)。作為製作厚度較薄之輔助導體層12b之方法，除利用飛沫噴霧等噴送使上述金屬焊膏低黏度化而成者或其他低黏度金屬焊膏，並於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法以外，較佳為可採用藉由濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法形成鎳或鎳以外之金屬之薄膜之方法。又，於輔助導體層12b之厚度為數μm之情形時，藉由利用網版印刷法印刷上述金屬焊膏或其他金屬焊膏，於與上述相同之氛圍下對其實施燒繪處理之方法，亦可無問題地製作輔助導體層12b。再者，於圖16中，為便於圖示，表示有輔助導體層12b之長度與主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度相等，且寬度與電容器本體11之寬度相等者，但如上文所述，該輔助導體層12b之長度亦可較主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之長度稍短(參照圖17(A))，寬度亦可較電容器本體11之寬度稍窄(參照圖17(B))。
然後，以覆蓋基底導體層12a之長度方向端面之部分、位於輔助導體層12b之表面之高度方向側迴繞部12c1、及位於基底導體層12a之寬度方向側迴繞部12a2之表面之寬度方向側迴繞部12c2連續之方式，製作主導體層12c。又，於製作主導體層12c時，如圖28~圖30所示，於該主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分之寬度方向兩端緣，連續地形成覆蓋電容器本體11之長 度方向脊線之脊線被覆部12c3。作為製作該主導體層12c之方法，除電鍍法以外，較佳為可採用濺鍍法或真空蒸鍍法等氣相法。
其次，對藉由圖28~圖30所示之積層陶瓷電容器10-6而獲得之效果進行說明(下述E61~E64係表示效果之記號)。
(E61)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1具有藉由基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上之表面區域及電容器本體11之面狀部11a'上之表面區域而構成之面狀之被連接區域CA，因此可利用該被連接區域CA高可靠性地進行相對於導體焊墊或導體通孔之連接。例如，於將被連接區域CA經由焊料連接於導體焊墊之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可使與導體焊墊之間隙大致相同，藉此可將因焊料量之偏差而導致之連接不良防止於未然。又，於將被連接區域CA連接於導體通孔之情形時，因於該被連接區域CA無如先前般之明顯之階差或起伏，故可充分地確保可供導體通孔連接之區域，藉此可將因導體通孔之位置公差而導致之連接不良防止於未然。
(E62)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1與電容器本體11之高度方向一面及另一面之間，介置有負責輔助上述主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1相對於上述電容器本體11之密接之輔助導體層12b，因此可利用被連接區域CA將如下情況防止於未然，即於相對於導體焊墊或導體通孔進行連接時或完成連接後主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1自面狀部11a剝離。該輔助導體層12b於如下情形時有用，即當將主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1直接形成於電容器本體11時，由於電容器本體11之表面粗糙度或材質等而難以獲得充分之密接力。
(E63)各外部電極12之主導體層12c之寬度方向側迴繞部12c2之長度較高度方向側迴繞部12c1之長度短(參照圖28及圖29(A))，因此可自 主導體層12c將並不與導體焊墊或導體通孔之連接相關之部分除外，從而削減與該主導體層12c之形成相關之材料成本。又，即便於積層陶瓷電容器10-6因外力等而發生彎曲之情形時，亦可將施加於各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之應力分散。
(E64)各外部電極12之主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1中之較寬度方向側迴繞部12c2長之部分(無符號)於該較長之部分之寬度方向兩端緣，連續地具有覆蓋電容器本體11之長度方向脊線之脊線被覆部12c3，因此即便於積層陶瓷電容器10-6基於溫度變動等而發生膨脹收縮之情形時，亦可防止因伴隨該膨脹收縮而產生之應力，而於電容器本體11之長度方向脊線部位產生裂痕，並且可藉由脊線被覆部12c3保護易於產生缺口之該長度方向脊線部位。
《關於第1實施形態、第2實施形態、第5實施形態及第6實施形態之製造方法例之補充》
(1)於上述第1實施形態、第2實施形態、第5實施形態及第6實施形態中，對於各者之製造方法例中，使基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度(於圖9與圖18中包含輔助導體層12b之厚度)與凹部11b或11b'之深度儘量相等之方法進行了說明，但於採用電鍍法作為主導體層12c之製作方法之情形時，藉由使用旋轉型電鍍裝置(例如參照日本專利特開2006-022399號公報)作為其機構，即便於基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b或11b'之深度若干不同之情形時，亦可於主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之表面形成與上述相同之面狀之被連接區域CA。以下，引用圖31對該點進行說明。
圖31(A)係與圖2(C)、圖10(C)、圖26(C)及圖29(C)對應之剖視圖，例示基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度若干大於凹部11b或11b'之深度之情形。又，圖31(B)係與圖9及圖18對應之剖視 圖，例示基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度若干小於凹部11b或11b'之深度之情形。另外，圖31(A)及圖31(B)中所繪之兩點鏈線表示旋轉型電鍍裝置之旋轉容器之內面IF。於各圖中，為便於圖示，將內面IF繪製成橫向，但該內面IF係指自旋轉容器之底面連續之縱向之內面。
旋轉型電鍍裝置係如下裝置，即向投入有多個工件之旋轉容器內連續供給鍍敷液，且一面旋轉旋轉容器，一面使電流於插入至旋轉容器內之電極與旋轉容器之間流通，藉此對旋轉容器內之各工件進行所期望之電鍍。對於旋轉容器之旋轉，採用依序重複定速旋轉與減速之方法、依序重複定速旋轉與停止之方法、以及依序重複一方向之定速旋轉與減速或停止及另一方向之定速旋轉與減速或停止之方法。
即，如圖31(A)及圖31(B)所示，若將製作有基底導體層12a及輔助導體層12b之後之多個電容器本體11投入至上述旋轉型電鍍裝置之旋轉容器並使該旋轉容器定速旋轉，則各電容器本體11藉由離心力自旋轉容器之底面移動至內面IF，而形成各者之面狀部11a或11a'面對內面IF之姿勢。具體而言，於圖31(A)之情形時，於2個基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1上所存在之輔助導體層12b與內面IF相接之狀態下，於圖31(B)之情形時，於電容器本體11之面狀部11a或11a'上所存在之輔助導體層12b與內面IF相接之狀態下，分別進行所期望之電鍍。
即，當於上述狀態下進行電鍍時，與內面IF相接之部分之主導體層12c之鍍敷厚度變薄，且不與內面IF相接之部分之主導體層12c之鍍敷厚度變薄，因此即便於基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度與凹部11b或11b'之深度若干不同之情形時，亦可於主導體層12c之高度方向側迴繞部12c1之表面形成與上述相同之面狀之被連接區域CA。根據實驗，可確認：於上述第1實施形態、第2實施形態、第5實 實施形態及第6實施形態中所說明之積層陶瓷電容器10-1、10-2、10-5及10-6之情形時，當基底導體層12a之高度方向側迴繞部12a1之厚度(於圖31(B)中包含輔助導體層12b之厚度)與凹部11b或11b'之深度之差GA為5μm以下時，可製作具有已進行吸收該差GA之厚度調整之高度方向側迴繞部12a1之主導體層12c。
《其他實施形態》
(M51)於上述第1實施形態~第6實施形態中，表示有長度L為1000μm，寬度為500μm，高度H為100μm(均為不含公差之標準尺寸)之積層陶瓷電容器10-1~10-6，但即便是標準尺寸為該等數值以外之積層陶瓷電容器、內部電極層11c之層數未達6層之積層陶瓷電容器、或超過60層之積層陶瓷電容器，亦可獲得與上述相同之效果。
(M52)於上述第1實施形態~第6實施形態中，表示有主導體層12c為1層之外部電極12，但即便製作於主導體層12c之表面形成1層其他主導體層而製作外部電極12，或於主導體層12c之表面形成2層以上其他主導體層而製作外部電極12，亦可獲得與上述相同之效果。
(M53)於上述第1實施形態~第6實施形態中，表示有將本發明應用於積層陶瓷電容器者，但即便將本發明應用於積層陶瓷電感器或積層陶瓷變阻器等其他積層陶瓷電子零件，亦可獲得與上述相同之效果。
11‧‧‧電容器本體
11a‧‧‧面狀部
11b‧‧‧凹部
11c‧‧‧內部電極層
11d‧‧‧介電層
12‧‧‧外部電極
12a‧‧‧基底導體層
12a1‧‧‧基底導體層之高度方向側迴繞部
12b‧‧‧輔助導體層
12c‧‧‧主導體層
12c1‧‧‧主導體層之高度方向側迴繞部
CA‧‧‧被連接區域
H‧‧‧積層陶瓷電容器之高度

Claims (9)

  1. 一種積層陶瓷電子零件，其係於積層構造之零件本體設置有外部電極者，且上述零件本體形成為由長度、寬度及高度而界定之大致長方體狀，於高度方向一面及另一面之端緣具有沿該端緣而形成之凹部，上述外部電極具有：基底導體層，其中高度方向側迴繞部形成於上述零件本體之凹部內；及主導體層，其中自上述基底導體層之高度方向側迴繞部上達到上述零件本體之高度方向一面及另一面之除上述凹部以外之面狀部上而連續地形成有高度方向側迴繞部；上述主導體層之高度方向側迴繞部具有藉由上述基底導體層之高度方向側迴繞部上之表面區域及上述零件本體之面狀部上之表面區域而構成之面狀之被連接區域。
  2. 如請求項1之積層陶瓷電子零件，其中於上述主導體層之高度方向側迴繞部與上述零件本體之高度方向一面及另一面之間，介置有負責輔助上述主導體層之高度方向側迴繞部相對於上述零件本體之密接之輔助導體層。
  3. 如請求項1之積層陶瓷電子零件，其中上述凹部係於上述零件本體之高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣沿各端緣而連續地形成。
  4. 如請求項2之積層陶瓷電子零件，其中上述凹部係於上述零件本體之高度方向一面及另一面之長度方向端緣及寬度方向端緣沿各端緣而連續地形成。
  5. 如請求項1之積層陶瓷電子零件，其中上述凹部係僅於上述零件 本體之高度方向一面及另一面之長度方向端緣沿該長度方向端緣而形成。
  6. 如請求項2之積層陶瓷電子零件，其中上述凹部係僅於上述零件本體之高度方向一面及另一面之長度方向端緣沿該長度方向端緣而形成。
  7. 如請求項1至6中任一項之積層陶瓷電子零件，其中上述主導體層具有與上述高度方向側迴繞部連續之寬度方向側迴繞部，且該寬度方向側迴繞部之長度較上述高度方向側迴繞部之長度短。
  8. 如請求項7之積層陶瓷電子零件，其中上述高度方向側迴繞部中之較上述寬度方向側迴繞部長之部分連續地具有覆蓋上述零件本體之長度方向脊線之脊線被覆部。
  9. 如請求項1至6中任一項之積層陶瓷電子零件，其中上述主導體層具有與上述高度方向側迴繞部連續之寬度方向側迴繞部，且該寬度方向側迴繞部之長度與上述高度方向側迴繞部之長度相等。
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