TWI526477B - Polyoxymethylene structure, polyhedral structure, polysiloxane-based composition, hardened material, and optical semiconductor device - Google Patents

Polyoxymethylene structure, polyhedral structure, polysiloxane-based composition, hardened material, and optical semiconductor device Download PDF

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TWI526477B
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Description

多面體結構之聚矽氧烷改質體、多面體結構之聚矽氧烷系組合物、硬化物、及光半導體裝置
本發明係關於一種多面體結構之聚矽氧烷改質體、多面體結構之聚矽氧烷系組合物、硬化物、及光半導體裝置。
聚矽氧烷系組合物於耐熱性、耐寒性、耐候性、耐光性、化學穩定性、電氣特性、阻燃性、耐水性、透明性、著色性、非黏著性、非腐蝕性方面優異，而用於各種產業中。已知其中包含具有多面體結構之聚矽氧烷之組合物因其特異之化學結構而顯示更加優異之耐熱性、耐光性、化學穩定性、低介電性等。
作為使用具有多面體結構之聚矽氧烷之應用例，存在意在向光學元件密封劑用途展開者，例如於專利文獻1中揭示有含有如下成分之具有多面體結構之聚矽氧烷系組合物：含有2個以上氧雜環丁烷基之具有多面體結構之聚矽氧烷樹脂、含有1個以上環氧基之脂肪族烴、及陽離子聚合起始劑，該材料為高折射，光之提取效率較高。然而，專利文獻1中所記載之聚矽氧烷系組合物因具有氧雜環丁烷基及環氧基，故而存在耐熱性、耐光性較低之問題。
針對此種問題，例如於專利文獻2中記載有如下情況：藉由限定具有環氧基之聚有機聚矽氧烷之玻璃轉移溫度，而改善耐熱性、耐光性之問題，進而，該材料於耐冷熱衝擊試驗後亦難以產生龜裂。
然而，依然難以用於白色LED(Light Emitting Diode，發光二極體)之類要求較高之耐熱性、耐光性之用途，並非亦可滿足耐冷熱衝擊性之材料。
又，聚矽氧烷系組合物具有優異之特性，但另一方面，通常具有氣體阻隔性較低之問題。因此，於用於光半導體元件密封劑用途之情形時，存在反射器因硫化物而黑化之問題，針對該問題，例如於專利文獻3中，利用氣體阻隔性較高之丙烯酸系樹脂預先對金屬構件進行塗佈處理，其後，利用聚矽氧樹脂進行密封。
然而，該技術中所使用之聚矽氧樹脂本身之氣體阻隔性較低，於利用丙烯酸系樹脂進行塗佈處理後，另外利用聚矽氧樹脂進行密封等，耗時耗力，於生產性方面存在問題。
又，於光半導體元件密封劑用途中，使用如下等手段：為獲得白色光，對藍色之發光元件使用含有黃色螢光體之密封劑，或為進一步提高顯色性，對藍色之發光元件使用含有綠色螢光體與紅色螢光體之密封劑，但於密封劑之黏度較低之情形時，存在於密封劑之操作時產生螢光體之沈澱，從而產生發光色之不均等問題。
例如，於專利文獻4中揭示有使用具有多面體結構之聚矽氧烷改質體之組合物，該材料於成形加工性、透明性、耐熱、耐光性、接著性方面優異。然而，關於組合物之黏度(操作性)或氣體阻隔性，尚存進一步改良之餘地。
如上所述般，業界期待開發一種具有較高之耐熱性、耐光性，耐冷熱衝擊性及氣體阻隔性優異，且於密封光半導體元件時之操作性良好之材料。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-163260號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-169427號公報
專利文獻3：日本專利特開2009-206124號公報
專利文獻4：國際公開第2008/010545號
本發明提供一種具有較高之耐熱性、耐光性，氣體阻隔性及耐冷熱衝擊性優異，且於密封光半導體元件等時之操作性良好的多面體結構之聚矽氧烷系組合物，以及用以獲得此種組合物之多面體結構之聚矽氧烷改質體、使用此種組合物之硬化物及光半導體裝置。
本發明者等人為解決上述課題而反覆進行潛心研究，結果完成具有以下構成之多面體結構之聚矽氧烷改質體、多面體結構之聚矽氧烷系組合物、硬化物、及光半導體裝置。
(1)一種多面體結構之聚矽氧烷改質體，其特徵在於：其係藉由使具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)與具有氫矽烷基之化合物(b)進行矽氫化反應而獲得者，且上述多面體結構之聚矽氧烷改質體具有源自於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')之結構。
(2)如(1)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其於溫度20℃下為液狀。
(3)如(1)或(2)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')係具有1個以上芳基之有機矽化合物。
(4)如(3)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中芳基直接鍵結於矽原子上。
(5)如(1)至(4)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中具有氫矽烷基之化合物(b)係具有氫矽烷基之環狀矽氧烷及/或直鏈狀矽氧烷。
(6)如(1)至(4)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中含有氫矽烷基之化合物(b)係具有氫矽烷基之環狀矽氧烷。
(7)如(6)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中含有氫矽烷基之化合物(b)為1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。
(8)如(1)至(7)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)係包含由下式表示之矽氧烷單元的具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物，
[AR1 2SiO-SiO3/2]a[R2 3SiO-SiO3/2]b
(a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；A表示烯基；R1表示烷基或芳基；R2表示氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基)。
(9)一種多面體結構之聚矽氧烷改質體，其特徵在於含有由下式表示之矽氧烷單元，
[XR3 2SiO-SiO3/2]a[R4 3SiO-SiO3/2]b
[a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；R3表示烷基或芳基；R4表示烯基、氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基；X具有下述通式(1)或通式(2)之任一結構，於存在複數個X之情形時，通式(1)或通式(2)之結構可不同，又，通式(1)或通式(2)之結構亦可混合存在；
[化1]
[化2]
{1表示2以上之整數；m表示0以上之整數；n表示2以上之整數；Y為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；Z為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；其中，Y或Z之至少1者為氫原子，且至少1者具有下述通式(3)之結構；
-[CH2]1-R5　(3)
(1表示2以上之整數；R5表示含有有機矽化合物之基)；R表示烷基或芳基}]。
(10)如(9)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中R5含有1個以上芳基。
(11)如(10)之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中芳基直接鍵結於矽原子上。
(12)如(1)至(11)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其於分子中含有平均3個以上氫矽烷基。
(13)一種多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其特徵在於含有如(1)至(12)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)。
(14)如(13)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其進而含有於1分子中具有2個以上烯基之化合物(B)。
(15)如(14)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中化合物(B)係於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)。
(16)如(15)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)具有1個以上芳基。
(17)如(14)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中化合物(B)係由下述通式(4)表示之有機化合物(B2)，且為於1分子中含有2個以上烯基之有機化合物(B2)，
[化3]
(式中，R9表示碳數1~50之一價有機基或氫原子，各R9可不同亦可相同)。
(18)如(17)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)之數量平均分子量未達900。
(19)如(17)或(18)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)係選自由異氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸二烯丙酯、異氰尿酸二烯丙基單甲酯、異氰尿酸二烯丙基單縮水甘油酯所組成之群中之至少1種化合物。
(20)如(17)或(18)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)為異氰尿酸二烯丙基單甲酯。
(21)如(13)至(20)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中多面體結構之聚矽氧烷系組合物於溫度23℃下具有1 Pa‧s以上之黏度。
(22)如(13)至(21)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其含有矽氫化觸媒。
(23)如(13)至(22)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其含有硬化延遲劑。
(24)一種硬化物，其係使如(13)至(23)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物硬化而成。
(25)一種光半導體裝置，其係使用如(13)至(23)中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物作為密封劑而成。
根據本發明，可提供一種具有較高之耐熱性、耐光性，氣體阻隔性及耐冷熱衝擊性優異，且於密封光半導體元件時之操作性良好的多面體結構之聚矽氧烷系組合物。
又，根據本發明，可提供一種適宜作為具有上述特性之多面體結構之聚矽氧烷系組合物之調配物的多面體結構之聚矽氧烷改質體。
進而，根據本發明，可提供一種具有較高之耐熱性、耐光性，氣體阻隔性及耐冷熱衝擊性優異之硬化物、以及包含具有上述特性之密封劑之光半導體裝置。
以下，對本發明進行詳細說明。
首先，對本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體進行說明。
本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體之特徵在於：其係藉由使具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)與具有氫矽烷基之化合物(b)進行矽氫化反應而獲得者，且上述多面體結構之聚矽氧烷改質體具有源自於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')之結構。
<具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)>
本發明中之具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)只要為於分子中具有烯基之具有多面體骨架之聚矽氧烷，則並無特別限定。具體而言，例如可較佳地使用包含由下式表示之矽氧烷單元的含烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物，
[R6SiO3/2]x[R7SiO3/2]y
(x+y表示6~24之整數；x表示1以上之整數，y表示0或1以上之整數；R6表示烯基、或具有烯基之基；R7表示任意有機基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基)。
進而，作為較佳者，可例示包含由下式表示之矽氧烷單元的含烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物，
[AR1 2SiO-SiO3/2]a[R2 3SiO-SiO3/2]b
(a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；A表示烯基；R1表示烷基或芳基；R2表示氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基)。
作為烯基，可例示乙烯基、烯丙基、丁烯基、己烯基等，就耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳為乙烯基。
R1為烷基或芳基。作為烷基，具體可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、環己基、環戊基等，又，作為芳基，可例示苯基、甲苯基等芳基。
作為本發明中之R1，就耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳為甲基。
R2為氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基。作為烷基，具體可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、環己基、環戊基等，又，作為芳基，可例示苯基、甲苯基等芳基。作為本發明中之R2，就耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳為甲基。
a只要為1以上之整數，則並無特別限制，就化合物之操作性或所得硬化物之物性而言，較佳為2以上，更佳為3以上。又，b只要為0或1以上之整數，則並無特別限制。
a與b之和(=a+b)為6~24之整數，就化合物之穩定性、所得硬化物之穩定性之觀點而言，為6~12，更佳為6~10。
作為(a)成分之合成方法，並無特別限定，可使用公知之方法進行合成。作為合成方法，例如可藉由R8SiXa 3(式中，R8表示上述R6、R7，Xa表示鹵素原子、烷氧基等水解性官能基)之矽烷化合物之水解縮合反應而獲得。或者亦知有如下方法：於藉由R8SiXa 3之水解縮合反應而合成於分子內具有3個矽烷醇基之三矽烷醇化合物後，進而與相同或不同之3官能性矽烷化合物反應，藉此進行閉環，而合成多面體結構之聚矽氧烷。
除此之外，亦可列舉例如於四級氫氧化銨等鹼之存在下，使四乙氧基矽烷等四烷氧基矽烷水解縮合之方法。於本合成方法中，藉由四烷氧基矽烷之水解縮合反應而獲得具有多面體結構之矽酸鹽，進而使所獲得之矽酸鹽與含烯基之氯矽烷等矽烷化劑反應，藉此可獲得形成多面體結構且Si原子與烯基經由矽氧鍵而鍵結之多面體結構之聚矽氧烷。於本發明中，亦可代替四烷氧基矽烷而自矽土或稻殼等含有二氧化矽之物質獲得同樣之多面體結構之聚矽氧烷。
<於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')>
本發明中之於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')與具有氫矽烷基之化合物(b)之氫矽烷基反應。藉由使用(a')成分，可降低所獲得之硬化物之彈性模數，可提昇耐冷熱衝擊性。
又，可對所獲得之組合物之黏度進行控制，例如於用作LED密封劑之情形時，可抑制螢光體之沈澱。
作為烯基，可例示乙烯基、烯丙基、丁烯基、己烯基等，就耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳為乙烯基。
本發明中之(a')成分只要為於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物，則並無特別限定，就氣體阻隔性或折射率之觀點而言，較佳為於1分子中至少含有1個以上芳基，進而，就耐熱性、耐光性之觀點而言，更佳為該芳基直接鍵結於矽原子上。
就耐熱性、耐光性之觀點而言，本發明中之(a')成分較佳為矽烷或聚矽氧烷。於此種(a')成分為1分子中具有1個烯基之矽烷之情形時，具體而言，例如可例示：三甲基乙烯基矽烷、二甲基苯基乙烯基矽烷、甲基二苯基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷、三乙基乙烯基矽烷、二乙基苯基乙烯基矽烷、乙基二苯基乙烯基矽烷、烯丙基三甲基矽烷、烯丙基二甲基苯基矽烷、烯丙基甲基二苯基矽烷、烯丙基三苯基矽烷、烯丙基三乙基矽烷、烯丙基二乙基苯基矽烷、烯丙基乙基二苯基矽烷等。其中，就耐熱性、耐光性之觀點而言，作為較佳之例，可列舉：三甲基乙烯基矽烷、二甲基苯基乙烯基矽烷、甲基二苯基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷，進而，就氣體阻隔性或折射率之觀點而言，作為較佳之例，可列舉：二甲基苯基乙烯基矽烷、甲基二苯基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷。
又，於(a')成分為聚矽氧烷之情形時，可例示具有1個烯基之直鏈結構之聚矽氧烷、於分子末端具有1個烯基之聚矽氧烷、及具有1個烯基之環狀矽氧烷等。
於(a')成分為具有1個烯基之直鏈結構之聚矽氧烷之情形時，具體而言，例如可例示：利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之聚二甲基矽氧烷、利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之聚甲基苯基矽氧烷、利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之聚二苯基矽氧烷、利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之二甲基矽氧烷單元與甲基苯基矽氧烷單元之共聚物、利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之二甲基矽氧烷單元與二苯基矽氧烷單元之共聚物、利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之甲基苯基矽氧烷單元與二苯基矽氧烷單元之共聚物等。
於為分子末端具有1個烯基之聚矽氧烷之情形時，具體而言，例如可例示：先前例示之利用二甲基乙烯基矽烷基與三甲基矽烷基分別封阻1個末端之聚矽氧烷，以及包含選自由SiO2單元、SiO3/2單元、SiO單元、SiO1/2單元所組成之群中之至少1個矽氧烷單元及1個二甲基乙烯基矽氧烷單元的聚矽氧烷等。
於(a')成分為具有1個烯基之環狀矽氧烷之情形時，具體而言，例如可例示：1-乙烯基-1,3,3,5,5,7,7-七甲基環四矽氧烷、1-乙烯基-3-苯基-1,3,5,5,7,7-六甲基環四矽氧烷、1-乙烯基-3,5-二苯基-1,3,5,7,7-五甲基環四矽氧烷、1-乙烯基-3,5,7-三苯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷等。
該等(a')成分之於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。
<具有氫矽烷基之化合物(b)>
本發明中所使用之具有氫矽烷基之化合物(b)只要於分子中具有1個以上之氫矽烷基，則並無特別限制，就所得多面體結構之聚矽氧烷改質體之透明性、耐熱性、耐光性之觀點而言，較佳為具有氫矽烷基之矽氧烷化合物，更佳為具有氫矽烷基之環狀矽氧烷或直鏈狀聚矽氧烷。尤其是就耐熱性、耐光性、耐藍色雷射性、氣體阻隔性之觀點而言，較佳為環狀矽氧烷。
作為具有氫矽烷基之直鏈狀聚矽氧烷，可例示：二甲基矽氧烷單元與甲基氫矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、二苯基矽氧烷單元與甲基氫矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、甲基苯基矽氧烷單元與甲基氫矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、利用二甲基氫矽烷基封阻末端之聚二甲基矽氧烷、利用二甲基氫矽烷基封阻末端之聚二苯基矽氧烷、利用二甲基氫矽烷基封阻末端之聚甲基苯基矽氧烷等。
尤其是作為具有氫矽烷基之直鏈狀聚矽氧烷，就改質時之反應性或所獲得之硬化物之耐熱性、耐光性等觀點而言，可較佳地使用利用二甲基氫矽烷基封阻分子末端之聚矽氧烷、以及利用二甲基氫矽烷基封阻分子末端之聚二甲基矽氧烷，作為較佳之例，具體而言，例如可例示四甲基二矽氧烷、六甲基三矽氧烷等。
作為具有氫矽烷基之環狀矽氧烷，可例示：1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1-丙基-3,5,7-三氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,5-二氫-3,7-二己基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5-三氫-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、1,3,5,7,9-五氫-1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、1,3,5,7,9,11-六氫-1,3,5,7,9,11-六甲基環六矽氧烷等。作為本發明中之環狀矽氧烷，就工業上之獲得性及反應性、或所獲得之硬化物之耐熱性、耐光性、強度等觀點而言，具體而言，例如可較佳地使用1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。
該等(b)成分之具有氫矽烷基之化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。
<多面體結構之聚矽氧烷改質體>
本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體可藉由在下述矽氫化觸媒之存在下，使具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)及於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')、與具有氫矽烷基之化合物(b)進行矽氫化反應而獲得。
作為獲得本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體之方法，並無特別限定，可進行各種設定，可預先使(a)成分與(b)成分反應後，與(a')成分反應，亦可預先使(a')成分與(b)成分反應後，與(a)成分反應，還可使(a)成分與(a')成分共存而與(b)成分反應。於各反應結束後，亦可於例如減壓、加熱條件下，蒸餾去除揮發性之未反應成分，而用作目標物或至下一步驟之中間物。為抑制僅(a')成分與(b)成分反應而生成不含(a)成分之化合物，較佳為使(a)成分與(b)成分反應，蒸餾去除未反應之(b)成分後，與(a')成分反應之方法。抑制僅(a')成分與(b)成分反應而生成不含(a)成分之化合物就耐熱性之觀點而言較佳。
於如此獲得之多面體結構之聚矽氧烷改質體中，亦可殘留一部分反應中所使用之(a)成分之烯基。
關於(b)成分之添加量，較佳為以相對於(a)成分所具有之1個烯基，氫矽烷基之數量成為2.5~20個之方式使用。若添加量較少，則存在因交聯反應而進行凝膠化，故而多面體結構之聚矽氧烷改質體之操作性較差之情形，若添加量較多，則存在對硬化物之物性造成不良影響之情形。
關於(a')成分之添加量，較佳為以相對於(b)成分所具有之1個氫矽烷基，烯基之數量成為0.01~0.36個之方式使用。若添加量較少，則存在對所得硬化物之耐冷熱衝擊性改善之效果較小之情形，若添加量較多，則存在於所獲得之硬化物中產生硬化不良之情形。
作為多面體結構之聚矽氧烷改質體之合成時所使用的矽氫化觸媒之添加量，並無特別限制，相對於反應中所使用之(a)成分及(a')成分之烯基1莫耳，宜於10-1~10-10莫耳之範圍內使用。較佳為於10-4~10-8莫耳之範圍內使用。若矽氫化觸媒較多，則有根據矽氫化觸媒之種類不同，會對短波長之光表現出吸收，故而導致著色，或所獲得之硬化物之耐光性下降之虞，又，亦有硬化物發泡之虞。又，若矽氫化觸媒較少，則有不進行反應，無法獲得目標物之虞。
作為矽氫化反應之反應溫度，為30~400℃左右，較佳為40~250℃，更佳為45~140℃。若溫度過低，則不充分進行反應，若溫度過高，則有發生凝膠化，操作性變差之虞。
本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體亦可為包含由下式表示之矽氧烷單元的多面體結構之聚矽氧烷系化合物，
[XR3 2SiO-SiO3/2]a[R4 3SiO-SiO3/2]b
[a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；R3表示烷基或芳基；R4表示烯基、氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基；X具有下述通式(1)或通式(2)之任一結構，於存在複數個X之情形時，通式(1)或通式(2)之結構可不同，又，通式(1)或通式(2)之結構亦可混合存在；
[化4]
[化5]
{l表示2以上之整數；m表示0以上之整數；n表示2以上之整數；Y為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；Z為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；其中，Y或Z之至少1者為氫原子，且至少1者具有下述通式(3)之結構；
-[CH2]1-R5　(3)
(l表示2以上之整數；R5表示含有有機矽化合物之基)；R表示烷基或芳基}]。
此處，R5只要為含有矽化合物之基，則並無特別限定，就氣體阻隔性或折射率之觀點而言，較佳為於1分子中至少含有1個以上芳基，進而，就耐熱性、耐光性之觀點而言，更佳為該芳基直接鍵結於矽原子上。
上述本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體可確保與各種化合物、具體為下述(B)成分之相溶性，進而，例如於分子內含有氫矽烷基，故而可與具有各種烯基之化合物反應。具體而言，藉由與下述於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)或有機化合物(B2)反應，可獲得耐熱性或耐光性、耐藍色雷射性、氣體阻隔性優異之硬化物。
又，本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體亦可於溫度20℃下形成為液狀。藉由將多面體結構之聚矽氧烷改質體製成液狀可使操作性優異，故而較佳。
又，就所獲得之硬化物之強度或耐熱性、耐光性、氣體阻隔性之觀點而言，本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體較佳為於分子中含有平均3個以上之氫矽烷基。
繼而，對本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物進行說明。
本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物之特徵在於含有上述本發明之多面體結構之聚矽氧烷改質體(以下亦稱作多面體結構之聚矽氧烷改質體(A))，進而可含有於1分子中具有2個以上烯基之化合物(B)。
於含有化合物(B)之情形時，本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物藉由使多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)之氫矽烷基與化合物(B)之烯基進行矽氫化反應，可形成硬化物。較佳為於矽氫化反應時使用矽氫化觸媒。
作為可用於該反應中之矽氫化觸媒，可使用下述者。
於多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)與化合物(B)之矽氫化反應時，多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)之合成時所使用之矽氫化觸媒可跟隨多面體結構之聚矽氧烷改質體被帶入，故而亦可不另外使用矽氫化觸媒。
化合物(B)之添加量可進行各種設定，較理想為以相對於每個烯基，多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)中所含之氫矽烷基成為0.3~5個、較佳為成為0.5~3個之比例進行添加。若烯基之比例過少，則容易產生因發泡等引起之外觀不良，又，若烯基之比例過多，則存在對硬化後之物性造成不良影響之情形。
此處，作為化合物(B)，較佳為例如於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)或下述有機化合物(B2)等。再者，亦可併用(B1)成分與(B2)成分。
<於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)>
本發明中之於1分子中具有2個以上烯基的聚矽氧烷(B1)之矽氧烷之單元數並無特別限定，較佳為2個以上，更佳為2~10個。若1分子中之矽氧烷之單元數較少，則存在容易自組合物中揮發，而於硬化後無法獲得所需之物性之情形。又，若矽氧烷之單元數較多，則存在所獲得之硬化物之氣體阻隔性下降之情形。
就氣體阻隔性之觀點而言，上述於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)較佳為具有芳基。又，就耐熱性、耐光性之觀點而言，具有芳基之於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷較佳為芳基直接鍵結於Si原子上。又，芳基亦可位於分子之支鏈或末端之任一位置上，此種含芳基之聚矽氧烷之分子結構並無限定，除例如直鏈狀、支鏈狀、一部分具有支鏈狀之直鏈狀之外，亦可具有環狀結構。
作為上述芳基，例如可列舉：苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、3-乙基苯基、4-乙基苯基、2-丙基苯基、3-丙基苯基、4-丙基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、2-丁基苯基、3-丁基苯基、4-丁基苯基、3-異丁基苯基、4-異丁基苯基、3-第三丁基苯基、4-第三丁基苯基、3-戊基苯基、4-戊基苯基、3-己基苯基、4-己基苯基、3-環己基苯基、4-環己基苯基、2,3-二甲基苯基、2,4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3,4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,3-二乙基苯基、2,4-二乙基苯基、2,5-二乙基苯基、2,6-二乙基苯基、3,4-二乙基苯基、3,5-二乙基苯基、聯苯基、2,3,4-三甲基苯基、2,3,5-三甲基苯基、2,4,5-三甲基苯基、3-環氧苯基、4-環氧苯基、3-縮水甘油基苯基、4-縮水甘油基苯基等。其中，就耐熱、耐光性之觀點而言，作為較佳之例，可列舉苯基。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為上述於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)，就耐熱性、耐光性之觀點而言，作為較佳之例，可列舉：具有2個以上烯基之直鏈狀聚矽氧烷、於分子末端具有2個以上烯基之聚矽氧烷、及具有2個以上烯基之環狀矽氧烷等。
作為具有2個以上烯基之直鏈狀聚矽氧烷之具體例，可例示：二甲基矽氧烷單元與甲基乙烯基矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、二苯基矽氧烷單元與甲基乙烯基矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、甲基苯基矽氧烷單元與甲基乙烯基矽氧烷單元及末端三甲基矽氧烷單元之共聚物、利用二甲基乙烯基矽烷基封阻末端之聚二甲基矽氧烷、利用二甲基乙烯基矽烷基封阻末端之聚二苯基矽氧烷、利用二甲基乙烯基矽烷基封阻末端之聚甲基苯基矽氧烷等。
作為於分子末端具有2個以上烯基之聚矽氧烷之具體例，可例示：先前例示之利用二甲基乙烯基矽烷基封阻末端之聚矽氧烷，以及包含2個以上之二甲基乙烯基矽氧烷單元與選自由SiO2單元、SiO3/2單元、SiO單元所組成之群中之至少1個矽氧烷單元的聚矽氧烷等。
作為具有2個以上烯基之環狀矽氧烷化合物，可例示：1,3,5,7-乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7-乙烯基-1-苯基-3,5,7-三甲基環四矽氧烷、1,3,5,7-乙烯基-1,3-二苯基-5,7-二甲基環四矽氧烷、1,3,5,7-乙烯基-1,5-二苯基-3,7-二甲基環四矽氧烷、1,3,5,7-乙烯基-1,3,5-三苯基-7-甲基環四矽氧烷、1-苯基-3,5,7-三乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3-二苯基-5,7-二乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環矽氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基-1,3,5,7,9-五甲基環矽氧烷、1,3,5,7,9,11-六乙烯基-1,3,5,7,9,11-六甲基環矽氧烷等。
該等1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)可單獨使用，亦可併用2種以上使用。
<有機化合物(B2)>
具體而言，本發明中之(B2)成分例如可發揮作為(A)成分之交聯劑之作用而提供具有耐熱性、耐光性、氣體阻隔性之硬化物。
本發明中之有機化合物(B2)只要為下述通式(4)所表示之有機化合物，且於1分子中含有2個以上烯基，則並無特別限定。
[化6]
(式中，R9表示碳數1~50之一價有機基或氫原子，各R9可不同亦可相同)。
本發明中之(B2)成分於1分子中含有2個以上烯基，故而所獲得之硬化物之強度或氣體阻隔性、耐熱性、耐光性等優異。又，就氣體阻隔性之觀點而言，較佳為數量平均分子量未達900。
就例如組合物與基材發生硬化時與基材之接著性之觀點而言，(B2)成分較佳為由上述通式(4)表示且於1分子中含有2個以上烯基之異氰尿酸衍生物，進而，就耐熱性、耐光性之平衡之觀點而言，更佳為使用異氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸二烯丙酯、異氰尿酸二烯丙基單甲酯、異氰尿酸二烯丙基單縮水甘油酯，尤其是就耐冷熱衝擊性之觀點而言，進而較佳為異氰尿酸二烯丙基單甲酯。
又，亦可於(B2)成分之骨架中具有烯基以外之官能基，就與(A)成分之相溶性之觀點而言，較佳為以甲基、乙基、丙基等直鏈上之脂肪族烴系基為代表的極性較低之官能基，就耐熱性、耐光性之觀點而言，尤佳為甲基。
<矽氫化觸媒>
於本發明中，於上述多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)之合成、及使含有該改質體(A)之多面體結構之聚矽氧烷系組合物硬化時，使用矽氫化觸媒。
作為本發明中所使用之矽氫化觸媒，通常可使用作為矽氫化觸媒而公知者，並無特別限制。
若具體例示，則亦可列舉：鉑-烯烴錯合物、氯鉑酸、鉑之單體、使固體鉑承載於載體(氧化鋁、二氧化矽、碳黑等)上而成者；鉑-乙烯基矽氧烷錯合物，例如Ptn(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4]m；鉑-膦錯合物，例如Pt(PPh3)4、Pt(PBu3)4；鉑-亞磷酸鹽錯合物，例如Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OBu)3]4(式中，Me表示甲基，Bu表示丁基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基，n、m表示整數)、Pt(acac)2，及Ashby等人之美國專利第3159601及3159662號說明書中所記載之鉑-烴複合體、以及Lamoreaux等人之美國專利第3220972號說明書中所記載之醇鉑觸媒。
又，作為鉑化合物以外之觸媒之例，可列舉：RhCl(PPh3)3、RhCl3、Rh/Al2O3、RuCl3、IrCl3、FeCl3、AlCl3、PdCl2‧2H2O、NiCl2、TiCl4等。該等觸媒可單獨使用，亦可併用2種以上。就觸媒活性之觀點而言，較佳為氯鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-乙烯基矽氧烷錯合物、Pt(acac)2等。
<硬化延遲劑>
硬化延遲劑係用以改良本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物之保存穩定性，或調整硬化過程中之矽氫化反應之反應性的成分。於本發明中，作為硬化延遲劑，可使用於利用矽氫化觸媒之加成型硬化性組合物中所使用之公知者，具體可列舉：含有脂肪族不飽和鍵之化合物、有機磷化合物、有機硫化合物、含氮化合物、錫系化合物、有機過氧化物等。該等可單獨使用，或亦可併用2種以上。
作為上述含有脂肪族不飽和鍵之化合物，具體可例示：3-羥基-3-甲基-1-丁炔、3-羥基-3-苯基-1-丁炔、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇等丙炔醇類，烯-炔化合物類，順丁烯二酸酐、順丁烯二酸二甲酯等順丁烯二酸酯類等。
作為有機磷化合物，具體可例示：三有機膦類、二有機膦類、有機膦類、三有機亞磷酸酯類等。
作為有機硫化合物，具體可例示：有機硫醇類、二有機硫醚類、硫化氫、苯并噻唑、噻唑、二硫化苯并噻唑等。
作為含氮化合物，具體可例示：N,N,N',N'-四甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、N,N-二丁基乙二胺、N,N-二丁基-1,3-丙二胺、N,N-二甲基-1,3-丙二胺、N,N,N',N'-四乙基乙二胺、N,N-二丁基-1,4-丁二胺、2,2'-聯吡啶等。
作為錫系化合物，具體可例示：鹵化亞錫二水合物、羧酸亞錫等。
作為有機過氧化物，具體可例示：過氧化二-第三丁基、過氧化二異丙苯、過氧化苯甲醯、過苯甲酸第三丁酯等。於該等之中，作為尤佳之硬化延遲劑，可例示：順丁烯二酸二甲酯、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇。
硬化延遲劑之添加量並無特別限定，相對於矽氫化觸媒1莫耳，較佳為於10-1~103莫耳之範圍內使用，更佳為於1~300莫耳之範圍內使用，進而較佳為於1~100莫耳之範圍內使用。又，該等硬化延遲劑可單獨使用，亦可組合2種以上使用。
<多面體結構之聚矽氧烷系組合物>
本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物可藉由添加(A)成分、及(B)成分，進而視需要添加上述矽氫化觸媒或硬化延遲劑等而獲得。本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物可製成液狀樹脂組合物進行操作。藉由製成液狀樹脂組合物而將其注入或塗佈於模具、封裝體、基板等中，使其硬化，藉此可容易地獲得符合用途之成形體。
又，本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物較佳為於溫度23℃下具有1 Pa‧s以上之黏度。其原因在於密封光半導體元件等時之操作性更優異。
於使其硬化時升高溫度之情形時，較佳為30~400℃，更佳為50~250℃。若硬化溫度變得過高，則存在於所獲得之硬化物中產生外觀不良之傾向，若過低，則硬化變得不充分。又，亦可組合2個階段以上之溫度條件而使其硬化。具體而言，藉由例如70℃、120℃、150℃般階段性地提高硬化溫度，可獲得良好之硬化物，故而較佳。
硬化時間可根據硬化溫度、所使用之矽氫化觸媒之量及反應性基之量、此外上述多面體結構之聚矽氧烷系組合物之其他調配物的組合而適當選擇，若進行例示，則可藉由進行1分鐘~12小時、較佳為10分鐘~8小時而獲得良好之硬化物。
使本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物硬化而成的硬化物亦為本發明之一。
本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物視需要可添加接著性賦予劑。
接著性賦予劑係為了例如提高本發明中之多面體結構之聚矽氧烷系組合物與基材之接著性而使用者，只要為具有此種效果者，則並無特別限制，作為較佳之例，可例示矽烷偶合劑。
作為矽烷偶合劑，只要為於分子中分別具有至少1個與有機基具有反應性之官能基及水解性之矽基的化合物，則並無特別限定。作為與有機基具有反應性之基，就操作性之觀點而言，較佳為選自環氧基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、異氰酸酯基、異氰尿酸酯基、乙烯基、胺基甲酸酯基中之至少1種官能基，就硬化性及接著性之觀點而言，尤佳為環氧基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基。作為水解性之矽基，就操作性之觀點而言，較佳為烷氧基矽烷基，就反應性之觀點而言，尤佳為甲氧基矽烷基、乙氧基矽烷基。
作為較佳之矽烷偶合劑，具體而言，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基甲基二乙氧基矽烷等具有環氧官能基之烷氧基矽烷類；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷、丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷等具有甲基丙烯醯基或丙烯醯基之烷氧基矽烷類。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為矽烷偶合劑之添加量，相對於(A)成分與(B)成分之混合物100重量份，較佳為0.05~30重量份，更佳為0.1~10重量份。若添加量較少，則無法表現出接著性改良效果，若添加量較多，則存在對硬化物之物性造成不良影響之情形。
於本發明中，為提高接著性賦予劑之效果，可使用公知之接著性促進劑。作為接著性促進劑，可列舉：含環氧基之化合物、環氧樹脂、硼酸酯化合物、有機鋁化合物、有機鈦化合物，但並不限定於該等。
於本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物中，視需要可添加無機填充料。
藉由添加無機填充料，可改善所獲得之成形體之強度、硬度、彈性模數、熱膨脹率、熱導率、散熱性、電氣特性、光之反射率、阻燃性、耐火性、及氣體阻隔性等各種物性。
無機填充料只要為無機物或含有無機物之化合物，則並無特別限定，具體而言，例如可列舉：石英、煙燻二氧化矽、沈澱性二氧化矽、矽酸酐、熔融二氧化矽、結晶性二氧化矽、超微粉無定型二氧化矽等二氧化矽系無機填充料，氧化鋁、鋯英石、氧化鐵、氧化鋅、氧化鈦、氮化矽、氮化硼、氮化鋁、碳化矽、玻璃纖維、玻璃薄片、氧化鋁纖維、碳纖維、雲母、黑鉛、碳黑、鐵氧體、石墨、矽藻土、白土、黏土、滑石粉、氫氧化鋁、碳酸鈣、碳酸錳、碳酸鎂、硫酸鋇、鈦酸鉀、矽酸鈣、無機泡體、銀粉等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
亦可適當對無機填充料實施表面處理。作為表面處理，可列舉：烷基化處理、三甲基矽烷基化處理、聚矽氧處理、利用矽烷偶合劑之處理等，並無特別限定。
作為無機填充料之形狀，可使用破碎狀、片狀、球狀、棒狀等各種形狀。無機填充料之平均粒徑或粒徑分佈並無特別限定，就氣體阻隔性之觀點而言，平均粒徑較佳為0.005~50 μm，更佳為0.01~20 μm。同樣地，BET比表面積亦無特別限定，就氣體阻隔性之觀點而言，較佳為70 m2/g以上，更佳為100 m2/g以上，尤佳為200 m2/g以上。
無機填充料之添加量並無特別限定，相對於(A)成分與(B)成分之混合物100重量份，較佳為1~1000重量份，更佳為3~500重量份，進而較佳為5~300重量份。若無機填充料之添加量較多，則存在流動性變差之情形，若無機填充料之添加量較少，則存在無法獲得所需之物性之情形。
作為無機填充料之混合順序，並無特別限定，就儲存穩定性易變得良好之觀點而言，較理想為於混合至(B)成分中後再混合(A)成分之方法。又，就易於獲得作為反應成分之(A)成分、(B)成分充分混合且穩定而成之成形物之觀點而言，較佳為向混合有(A)成分、(B)成分者中混合無機填充料。
作為混合該等無機填充料之機構，並無特別限定，具體而言，例如可列舉：二輥研磨機或三輥研磨機、行星式攪拌脫泡裝置、均質機、分散攪拌機、行星式混合機等攪拌機、塑膠研磨機等熔融混練機等。無機填充料之混合可於常溫下進行，亦可加熱進行，又，可於常壓下進行，亦可於減壓狀態下進行。若混合時之溫度較高，則存在於成型前組合物發生硬化之情形。
又，於本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物中，視需要可任意添加螢光體、著色劑、耐熱性提高劑等各種添加劑或反應控制劑、脫模劑或填充劑用分散劑等。作為該填充劑用分散劑，例如可列舉：二苯基矽烷二醇、各種烷氧基矽烷、碳官能矽烷、含矽烷醇基之低分子量矽氧烷等。再者，該等任意成分較佳為以不損及本發明之效果之方式限制在最低限度之添加量。
對於本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物而言，可使用滾筒、班伯裏混練機、捏合機等混練機，或使用行星式攪拌脫泡機將上述成分均勻地混合，視必要亦可實施加熱處理。
本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物可製成成形體而使用。
作為成形方法，可使用擠出成形、壓縮成形、吹塑成形、壓延成形、真空成形、發泡成形、射出成形、液狀射出成形、澆鑄成形等任意方法。
作為本發明中所獲得之成型體之用途，具體而言，例如可例示：液晶顯示器領域中之基板材料、導光板、角柱薄片、偏光板、相位差板、視野角修正膜、接著劑、彩色濾光片、偏光元件保護膜、鈍化膜等液晶用膜等液晶顯示裝置周邊材料。又，可例示：PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)之密封劑、抗反射膜、光學補償膜、外殼材料、前板玻璃之保護膜、前板玻璃代替材料、接著劑、彩色濾光片、鈍化膜；又，於LED顯示裝置中使用之LED元件之模具材料、前板玻璃之保護膜、前板玻璃代替材料、接著劑、彩色濾光片、鈍化膜；以及電漿定址液晶顯示器中之基板材料、導光板、角柱薄片、偏光板、相位差板、視野角修正膜、接著劑、彩色濾光片、偏光元件保護膜、鈍化膜；以及有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示器中之前板玻璃之保護膜、前板玻璃代替材料、彩色濾光片、接著劑、鈍化膜；以及場發射顯示器(FED，Field Emission Display)中之各種膜基板、前板玻璃之保護膜、前板玻璃代替材料、接著劑、彩色濾光片、鈍化膜。
於光記錄領域中，可例示：VD(Video Disc，視訊光碟)、CD(Compact Disc，光碟)/CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory，唯讀光碟記憶體)、CD-R/RW(Compact Disc-Recordable/Rewritable，可記錄/可覆寫光碟)、DVD-R(Digital Versatile Disc-Recordable，可記錄數位多功能光碟)/DVD-RAM(Digital Versatile Disc-Random Access-Memory，數位多功能光碟隨機存取記憶體)、MO(Magnetic Optical Disc，磁性光碟)/MD(Mini Disc，迷你光碟)、PD(Phase change Disc，相變光碟)、光學卡用之碟片基板材料、讀取鏡頭、保護膜、密封劑、接著劑。更具體而言，可例示下一代DVD等光學讀取用之構件，例如：讀取鏡頭、準直透鏡、物鏡、感測器鏡頭、保護膜、元件密封劑、感測器密封劑、光柵、接著劑、稜鏡、波片、修正板、分光器、全像元件、鏡面等。
於光學設備領域中，可例示：靜態相機之鏡頭用材料、取景器稜鏡、目標稜鏡、取景器蓋、受光感測器部。又，可例示：攝像機之攝像鏡頭、取景器。又，可例示：投影電視之投射鏡頭、保護膜、密封劑、接著劑等。可例示感光設備之鏡頭用材料、密封劑、接著劑、膜等。
於光學零件領域中，可例示：光通信系統之光學開關周邊之纖維材料、鏡頭、波導、元件之密封劑、接著劑等。可例示：光連接器周邊之光纖材料、套圈、密封劑、接著劑等。於光被動零件、光路零件中，可例示：鏡頭、波導、LED元件之密封劑、接著劑等。可例示：光電子積體電路(OEIC，Opto Electronic Integrated Circuit)周邊之基板材料、纖維材料、元件之密封劑、接著劑等。
於光纖領域中，可例示裝飾顯示器用照明、導光管等，工業用途之感測器類，顯示/標識類等，以及通信基礎建設用及家庭內之數位設備連接用之光纖。
於半導體積體電路周邊材料中，可例示：層間絕緣膜、鈍化膜、LSI(Large-Scale Integration，大型積體電路)、超LSI材料用之微蝕刻技術用之抗蝕劑材料。
於汽車、輸送機領域中，可例示：汽車用之燈管反射罩、軸承護圈、齒輪部分、耐蝕塗層、開關部分、前照燈、引擎內零件、電氣零件、各種內外飾件、驅動引擎、剎車油罐、汽車用防鏽鋼板、內飾板、內飾材料、保護捆紮用線束、燃料軟管、汽車燈、玻璃代替品。又，可例示鐵道車輛用之複層玻璃。又，可例示：飛機之結構材料之韌性賦予劑、引擎周邊構件、保護捆紮用線束、耐蝕塗層。
於建築領域中，可例示：內飾、加工用材料、燈罩、片材、玻璃中間膜、玻璃代替品、太陽電池周邊材料。於農業用途中，可例示溫室包覆用膜。
作為下一代光、電子功能有機材料，可例示：下一代DVD、有機EL元件周邊材料、有機光折射元件、作為光-光轉換裝置之光放大元件、光運算元件、有機太陽電池周邊之基板材料、纖維材料、元件之密封劑、接著劑等。
使用本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物作為密封劑而成之光半導體裝置亦為本發明之一。
[實施例]
繼而，基於實施例更詳細地對本發明進行說明，但本發明並非僅限定於該等實施例者。
(黏度)
使用東京計器製造之E型黏度計。於測定溫度23.0℃、EHD型48Φ 1倍錐體之條件下進行測定。
(SiH價)
下述SiH價係藉由製作該化合物與二溴乙烷之混合物，使其溶解於氘化氯仿中，使用Varian Technologies Japan Ltd.製造之300 MHz之NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振光譜儀)進行NMR測定，並使用下述計算式(1)而計算：
SiH價(mol/kg)=[屬於化合物之SiH基之波峰之積分值]/[屬於二溴乙烷之甲基之波峰之積分值]×4×[混合物中之二溴乙烷重量]/[二溴乙烷之分子量]/[混合物中之化合物重量]　(1)。
(耐熱試驗、耐光試驗用樣品製作)
將多面體結構之聚矽氧烷系組合物填充至模具中，使其於對流式烘箱中進行80℃×2小時、100℃×1小時、150℃×5小時之熱硬化，而製作厚度2 mm之樣品。
(耐熱試驗)
使如上所述製作之樣品於溫度設定成150℃之對流式烘箱內(空氣中)熟化200小時，並目視觀察該樣品。
將未見由著色等引起之色調變化者評價為○，將可見色調變化者評價為×。
(耐光試驗)
使用Suga Test Instruments股份有限公司製造之金屬燈管耐候機(型號M6T)。於黑面板溫度120℃、放射照度0.53 kW/m2之條件下對如上所述製作之樣品進行照射，直至累計放射照度達到50 MJ/m2為止，並目視觀察。
將未見由著色等引起之色調變化者評價為○，將可見色調變化者評價為×。
(耐冷熱衝擊試驗用樣品物製作)
於ENOMOTO股份有限公司製造之LED封裝體(商品名：TOP LED 1-IN-1)上，利用Henkel Japan股份有限公司製造之環氧系接著劑(商品名：LOCTITE348)貼附1個0.4 mm×0.4 mm×0.2 mm之單晶矽晶片，於溫度設定成150℃之對流式烘箱中加熱30分鐘並進行固定。向其中注入多面體結構之聚矽氧烷系組合物，使其於對流式烘箱中進行80℃×2小時、100℃×1小時、150℃×5小時之熱硬化而製作樣品。
(耐冷熱衝擊試驗)
使用熱衝擊試驗機(ESPEC製造，TSA-71H-W)，對如上所述製作之樣品進行200個高溫保持100℃、30分鐘、及低溫保持-40℃、30分鐘之循環後，對樣品進行觀察。
試驗後，若目視無變化則設為○，當於樹脂中產生龜裂或者於樹脂與封裝體之間產生剝離或樹脂之著色時設為×。
(透濕性試驗用樣品製作)
於本發明中，使用硬化物之透濕度作為所得硬化物之氣體阻隔性之指標。即，透濕度較低與氣體阻隔性較高同義。
將多面體結構之聚矽氧烷系組合物填充至模具中，使其於對流式烘箱中進行80℃×2小時、100℃×1小時、150℃×5小時之熱硬化，而製作5 cm見方、厚度2 mm之樣品。使該樣品於室溫25℃、濕度55% RH之環境下熟化24小時。
(透濕性試驗)
製作於5 cm見方之玻璃板(0.5 mm厚)之上部固定有5 cm見方之聚異丁烯橡膠片(3 mm厚，以成為口字形之方式切去內部之3 cm見方而成者)之治具，將和光純藥工業製造之氯化鈣(水分測定用)1 g填充於口字形內。進而於上部固定上述5 cm見方、厚度2 mm之樣品，將此作為試驗體。使試驗體於恆溫恆濕機(ESPEC製造，PR-2KP)內，在溫度40℃、濕度90% RH之條件下熟化24小時，依據下述計算式(2)算出透濕度(水蒸氣穿透率)：
透濕度(g/m2/day)={(透濕性試驗後之試驗體總重量(g))-(透濕性試驗前之試驗體總重量(g))}×10000/9　(2)。
(硫化氫試驗)
向ENOMOTO股份有限公司製造之LED封裝體(商品名：TOP LED 1-IN-1)中注入多面體結構之聚矽氧烷系組合物，使其於對流式烘箱中進行80℃×2小時、100℃×1小時、150℃×5小時之熱硬化，而製作樣品。將該樣品放入流動式氣體腐蝕試驗機(FACTK製造，KG130S)內，於40℃、80% RH、硫化氫3 ppm之條件下進行96小時之硫化氫曝露試驗。
試驗後，若封裝體之反射器未變色則設為○，將稍有觀察到變色之情形設為Δ，將變色之情形設為×。
(螢光體沈澱試驗)
向多面體結構之聚矽氧烷系組合物5 g中添加螢光體(Intematix製造，Y3957)0.05 g，於充分攪拌混合後，進行靜置，每小時觀察一次。
其結果，將未達1小時之時觀察到沈澱之情形設為×，將於1~6小時之間觀察到沈澱之情形設為Δ，將即便超過6小時螢光體仍為分散狀態之情形設為○。
(製造例1)
於48%之膽鹼水溶液(三甲基-2-羥乙基氫氧化銨水溶液)1262 g中添加四乙氧基矽烷1083 g，並於室溫下劇烈攪拌2小時。於反應系統內發熱而成為均勻溶液之階段，減緩攪拌，進而使其反應12小時。繼而，向反應系統內生成之固形物中添加甲醇1000 mL，製成均勻溶液。
一面劇烈地攪拌二甲基乙烯基氯矽烷537 g、三甲基氯矽烷645 g及己烷1942 mL之溶液，一面緩緩滴加甲醇溶液。滴加結束後，使其反應1小時，然後萃取、濃縮有機層，藉此獲得固形物。繼而，藉由將生成之固形物於甲醇中劇烈攪拌而進行清洗，並過濾分離，藉此以白色固體獲得具有16個Si原子、3個乙烯基之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷(Fw(Formula weight，分子量)=1166.2)592 g。
(實施例1)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯10.0 g中，並添加鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.48 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯3.09 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，於蒸餾去除甲苯與未反應成分後，再次添加甲苯10 g而使產物溶解，並使另外準備之乙烯基二苯基甲基矽烷3.37 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.29個之量)溶解於甲苯3.37 g中，緩緩滴加添加有鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.56 μL之溶液，使其於105℃下反應1小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯，藉此獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體10.4 g(SiH價為1.43 mol/kg)。於所獲得之改質體5.00 g中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷0.95 g並進行攪拌，而獲得多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
(實施例2)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯10.0 g中，並添加鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.48 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯3.09 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。取樣並進行NMR測定，確認到源自烯基之波峰消失之後，進而使另外準備之乙烯基二苯基甲基矽烷3.37 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.29個之量)溶解於甲苯3.37 g中，緩緩滴加添加有鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.56 μL之溶液，使其於105℃下反應1小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體11.2 g(SiH價為1.73 mol/kg)。向所獲得之改質體5.00 g中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷1.14 g並進行攪拌，而獲得多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
(實施例3)
使乙烯基二苯基甲基矽烷3.37 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.29個之量)溶解於甲苯3.37 g中，將添加有鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.56 μL之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯3.09 g之溶液中，使其於105℃下反應1小時。取樣並進行NMR測定，確認到源自烯基之波峰消失之後，進而使另外準備之於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯10.0 g中，緩緩滴加添加有鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.48 μL之溶液，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體11.3 g(SiH價為1.75 mol/kg)。向所獲得之改質體5.00 g中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷1.15 g並進行攪拌，而獲得多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
(實施例4)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯16.73 g中，並添加乙烯基二苯基甲基矽烷3.37 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.29個之量)、鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 1.04 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯3.09 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體11.4 g(SiH價為1.69 mol/kg)。於所獲得之改質體5.00 g中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷1.12 g並進行攪拌，而獲得多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
(比較例1)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯10.0 g中，並添加鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.47 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g、及甲苯3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)之溶液中，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此獲得液狀之改質體7.8 g(SiH價為3.78 mol/kg)。向所獲得之改質體中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷2.20 g、乙烯基二苯基甲基矽烷2.90 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.25個之量)並進行攪拌，而獲得組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
(比較例2)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷5.00 g溶解於甲苯10.0 g中，並添加鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.47 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷3.09 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯3.09 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，添加乙炔基環己醇1.99 μl、順丁烯二酸二甲酯0.46 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此獲得液狀之改質體7.8 g(SiH價為3.78 mol/kg)。向所獲得之改質體中添加1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷3.92 g並進行攪拌，而獲得組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表1。
如表1所示，含有(A)成分及(B1)成分之本發明之多面體結構之矽氧烷系組合物具有較高之耐熱性、耐光性，耐冷熱衝擊性及氣體阻隔性優異，且具有密封光半導體元件時之操作性良好之黏度。
(製造例2)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷10.00 g溶解於甲苯20.0 g中，並添加鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.94 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷6.19 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為4.0個之量)、及甲苯6.19 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。反應結束後，蒸餾去除甲苯與未反應成分後，再次添加甲苯10.00 g而使產物溶解，並緩緩滴加使另外準備之乙烯基二苯基甲基矽烷5.78 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.25個之量)溶解於甲苯5.78 g中而成之溶液。於反應結束後，添加乙炔基環己醇1.79 μl、順丁烯二酸二甲酯0.41 μl，並蒸餾去除甲苯，藉此而獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體20.08 g(SiH價為1.51 mol/kg)。
(製造例3)
使於製造例1中獲得之含烯基的多面體結構之聚矽氧烷系化合物、即三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷10.00 g溶解於甲苯33.48 g中，並添加乙烯基二苯基甲基矽烷6.74 g(相對於所使用之1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之1個氫矽烷基，烯基成為0.28個之量)、鉑乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(含有3 wt%鉑之鉑乙烯基矽氧烷錯合物，UMICORE PRECIOUS METALS JAPAN製造，Pt-VTSC-3X) 0.94 μL。將如此而獲得之溶液緩緩滴加至1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷5.57 g(相對於所使用之三(乙烯基二甲基矽氧烷基)五(三甲基矽氧烷基)八倍半矽氧烷之1個烯基，氫矽烷基成為3.6個之量)、及甲苯5.57 g之溶液中，使其於105℃下反應2小時。於反應結束後，添加乙炔基環己醇1.79 μl、順丁烯二酸二甲酯0.41 μl，並蒸餾去除甲苯與未反應成分，藉此而獲得液狀之多面體結構之聚矽氧烷改質體21.46 g(SiH價為1.55 mol/kg)。
(實施例5)
向於製造例2中獲得之多面體結構之聚矽氧烷改質體10.00 g中添加異氰尿酸二烯丙基甲酯1.68 g並進行攪拌，而製作多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表2。
(實施例6)
向於製造例3中獲得之多面體結構之聚矽氧烷改質體10.00 g中添加異氰尿酸二烯丙基甲酯1.73 g並進行攪拌，而製作多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表2。
(實施例7)
向於製造例2中獲得之多面體結構之聚矽氧烷改質體10.00 g中添加異氰尿酸二烯丙基甲酯1.13 g、1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷1.12 g並進行攪拌，而製作多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表2。
(實施例8)
向於製造例2中獲得之多面體結構之聚矽氧烷改質體10.00 g中添加異氰尿酸二烯丙基單縮水甘油酯2.00 g並進行攪拌，而製作多面體結構之聚矽氧烷系組合物。使用如此而獲得之組合物進行上述各種評價，並將其結果記載於表2。
如表2所示，可知含有(A)成分、以及(B2)成分或(B2)成分及(B1)成分之本發明之多面體結構之聚矽氧烷系組合物具有較高之耐熱性、耐光性，且耐冷熱衝擊性及氣體阻隔性優異。因具有該等特徵，故而本發明之聚矽氧烷系組合物亦可較佳地用作各種密封劑，且亦可使用該密封劑製作光學裝置、光半導體裝置等。

Claims (19)

  1. 一種多面體結構之聚矽氧烷改質體，其特徵在於：其係藉由使具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)與具有氫矽烷基之化合物(b)進行矽氫化反應而獲得者，且上述多面體結構之聚矽氧烷改質體具有源自於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')之結構，其中具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物(a)係包含由下式表示之矽氧烷單元的具有烯基之多面體結構之聚矽氧烷系化合物，[AR1 2SiO-SiO3/2]a[R2 3SiO-SiO3/2]b(a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；A表示烯基；R1表示烷基或芳基；R2表示氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基)，其中具有氫矽烷基之化合物(b)係具有氫矽烷基之環狀矽氧烷及/或直鏈狀矽氧烷，其中於1分子中具有1個烯基之有機矽化合物(a')係具有1個以上芳基之矽烷或聚矽氧烷，且芳基係直接鍵結於矽原子上。
  2. 如請求項1之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其於溫度20℃下為液狀。
  3. 如請求項1或2之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中含有氫矽烷基之化合物(b)係具有氫矽烷基之環狀矽氧烷。
  4. 如請求項3之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其中含有 氫矽烷基之化合物(b)為1,3,5,7-四氫-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。
  5. 一種多面體結構之聚矽氧烷改質體，其特徵在於含有由下式表示之矽氧烷單元，[XR3 2SiO-SiO3/2]a[R4 3SiO-SiO3/2]b[a+b表示6~24之整數，a表示1以上之整數，b表示0或1以上之整數；R3表示烷基或芳基；R4表示烯基、氫原子、烷基、芳基、或其他與多面體骨架之聚矽氧烷連結之基；X具有下述通式(1)或通式(2)之任一結構，於存在複數個X之情形時，通式(1)或通式(2)之結構可不同，又，通式(1)或通式(2)之結構亦可混合存在； {l表示2以上之整數；m表示0以上之整數；n表示2以上之整數；Y為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；Z為氫原子、烯基、烷基、芳基、或經由伸烷基鏈而與多面體結構之聚矽氧烷鍵結之部位，可相同亦可不同；其中，Y或Z之至少1者為氫原子，且至少1者具有下述通式(3)之結構； -[CH2]l-R5 (3)(l表示2以上之整數；R5表示含有有機矽化合物之基)；R表示烷基或芳基}]，其中R5含有1個以上芳基，且芳基係直接鍵結於矽原子上。
  6. 如請求項12、或5之多面體結構之聚矽氧烷改質體，其於分子中含有平均3個以上氫矽烷基。
  7. 一種多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其特徵在於含有如請求項1至6中任一項之多面體結構之聚矽氧烷改質體(A)。
  8. 如請求項7之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其進而含有於1分子中具有2個以上烯基之化合物(B)。
  9. 如請求項8之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中化合物(B)係於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)。
  10. 如請求項9之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中於1分子中具有2個以上烯基之聚矽氧烷(B1)具有1個以上芳基。
  11. 如請求項8之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中化合物(B)係由下述通式(4)表示之有機化合物，且為於1分子中含有2個以上烯基之有機化合物(B2)， (式中，R9表示碳數1~50之一價有機基或氫原子，各R9可不同亦可相同)。
  12. 如請求項11之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)之數量平均分子量未達900。
  13. 如請求項11或12之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)係選自由異氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸二烯丙酯、異氰尿酸二烯丙基單甲酯、異氰尿酸二烯丙基單縮水甘油酯所組成之群中之至少1種化合物。
  14. 如請求項11或12之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中有機化合物(B2)為異氰尿酸二烯丙基單甲酯。
  15. 如請求項7之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其中多面體結構之聚矽氧烷系組合物於溫度23℃下具有1Pa．s以上之黏度。
  16. 如請求項7之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其含有矽氫化觸媒。
  17. 如請求項7之多面體結構之聚矽氧烷系組合物，其含有硬化延遲劑。
  18. 一種硬化物，其係使如請求項7至17中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物硬化而成。
  19. 一種光半導體裝置，其係使用如請求項7至17中任一項之多面體結構之聚矽氧烷系組合物作為密封劑而成。
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