KR20130097197A - 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스 - Google Patents

다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20130097197A
KR20130097197A KR1020137007798A KR20137007798A KR20130097197A KR 20130097197 A KR20130097197 A KR 20130097197A KR 1020137007798 A KR1020137007798 A KR 1020137007798A KR 20137007798 A KR20137007798 A KR 20137007798A KR 20130097197 A KR20130097197 A KR 20130097197A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
polyhedral structure
structure polysiloxane
compound
polysiloxane
Prior art date
Application number
KR1020137007798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101886173B1 (ko
Inventor
히로유키 다나카
다카오 마나베
Original Assignee
가부시키가이샤 가네카
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 가네카 filed Critical 가부시키가이샤 가네카
Publication of KR20130097197A publication Critical patent/KR20130097197A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101886173B1 publication Critical patent/KR101886173B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/21—Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/44—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing only polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3477—Six-membered rings
    • C08K5/3492—Triazines
    • C08K5/34924—Triazines containing cyanurate groups; Tautomers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/008—Additives improving gas barrier properties

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 가스 배리어성 및 내(耐)냉열충격성이 우수하며, 또한 광반도체 소자를 봉지(封止)할 때의 핸들링성이 양호한 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하고, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)과, 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)을 히드로실릴화 반응하는 것에 의해 얻어지는 다면체 구조 폴리실록산 변성체로서, 상기 다면체 구조 폴리실록산 변성체는 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')에 유래하는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스{MODIFIED PRODUCT OF POLYHEDRAL STRUCTURE POLYSILOXANE, POLYHEDRAL STRUCTURE POLYSILOXANE COMPOSITION, CURED PRODUCT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스에 관한 것이다.
폴리실록산계 조성물은, 내열성, 내한성, 내후성, 내광성, 화학적 안정성, 전기 특성, 난연성, 내수성, 투명성, 착색성, 비점착성, 비부식성이 뛰어나, 다양한 산업에서 이용되고 있다. 그 중에서도, 다면체 구조를 갖는 폴리실록산으로 구성된 조성물은, 그 특이적인 화학 구조로, 더 우수한 내열성, 내광성, 화학적 안정성, 저유전성 등을 나타내는 것이 알려져 있다.
다면체 구조를 갖는 폴리실록산을 사용한 응용예로서, 광반도체 소자 봉지제(封止劑) 용도로의 전개를 의도한 것이 있으며, 예를 들면 특허문헌 1에 있어서, 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 다면체 구조를 갖는 폴리실록산 수지와 1개 이상의 에폭시기를 함유하는 지방족 탄화수소와 양이온 중합 개시제를 함유하는 다면체 구조를 갖는 폴리실록산계 조성물이 개시되어 있고, 이 재료는 고굴절이며 광(光)의 취출 효율이 높다. 그러나, 특허문헌 1에 개시된 폴리실록산계 조성물은, 옥세타닐기나 에폭시기를 갖고 있기 때문에, 내열성, 내광성이 낮은 문제가 있었다.
이러한 문제에 대하여, 예를 들면 특허문헌 2에서는, 에폭시기를 갖는 폴리오르가노폴리실록산의 유리 전이 온도를 한정함으로써 내열성, 내광성의 과제를 개선하고 있으며, 또한 이 재료는 내(耐)냉열충격 시험 후에도, 크랙이 발생하기 어렵게 되어 있다.
그러나, 여전히, 백색 LED와 같은 높은 내열성, 내광성이 요구되는 용도로의 사용은 곤란하며, 내냉열충격성도 만족할 수 있는 재료가 아니었다.
또한, 폴리실록산계 조성물은 우수한 특성을 갖는 한편, 일반적으로 가스 배리어성이 낮다는 문제점을 갖고 있다. 그 때문에, 광반도체 소자 봉지제 용도로 사용했을 경우, 리플렉터가 황화물에 의해 흑색화하는 문제가 있어, 이 문제에 대하여, 예를 들면 특허문헌 3에서는, 미리 금속 부재를 가스 배리어성이 높은 아크릴계 수지로 코팅 처리를 행하고, 그 후에 실리콘 수지로 봉지를 행하고 있다.
그러나, 당해 기술에서 사용하고 있는 실리콘 수지 자체의 가스 배리어성이 낮아, 아크릴계 수지로 코팅 처리를 행한 후에, 별도 실리콘 수지로 봉지하는 등, 번거로우며 생산성에 문제가 있었다.
또한, 광반도체 소자 봉지제 용도에 있어서는, 백색광을 얻기 위하여, 청색의 발광 소자에 대해서 황색의 형광체를 함유시킨 봉지제를 사용하는, 혹은 보다 연색성(演色性)을 높이기 위하여, 청색의 발광 소자에 대해서 녹색의 형광체와 적색의 형광체를 함유시킨 봉지제를 사용하는 등의 수단을 사용하지만, 봉지제의 점도가 낮을 경우에는, 봉지제의 핸들링 시에 형광체의 침강이 일어나, 발광색의 편차가 발생한다는 문제가 있었다.
예를 들면, 특허문헌 4에 있어서, 다면체 구조를 갖는 폴리실록산 변성체를 사용한 조성물이 개시되어 있으며, 이 재료는, 성형 가공성, 투명성, 내열·내광성, 접착성이 우수하다. 그러나, 조성물의 점도(핸들링성)나 가스 배리어성에 대해서는 새로운 개량의 여지도 남겨져 있었다.
이상과 같이, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 내냉열충격성 및 가스 배리어성이 우수하고, 또한 광반도체 소자를 봉지할 때의 핸들링성이 양호한 재료의 개발이 요망되고 있었다.
일본국 특개2008-163260호 공보 일본국 특개2007-169427호 공보 일본국 특개2009-206124호 공보 국제공개 제2008/010545호
높은 내열성, 내광성을 갖고, 가스 배리어성 및 내냉열충격성이 우수하고, 또한 광반도체 소자 등을 봉지할 때의 핸들링성이 양호한 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 이러한 조성물을 얻기 위한 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 이러한 조성물을 사용한 경화물 및 광반도체 디바이스를 제공한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 예의 연구를 거듭한 결과, 이하의 구성을 갖는 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스를 완성했다.
(1) 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)과, 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)을 히드로실릴화 반응하는 것에 의해 얻어지는 다면체 구조 폴리실록산 변성체로서,
상기 다면체 구조 폴리실록산 변성체는 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')에 유래하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(2) 다면체 구조 폴리실록산 변성체가, 온도 20℃에서, 액상인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(3) 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')이, 아릴기를 1개 이상 갖는 유기 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(4) 아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것을 특징으로 하는 (3)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(5) 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)이, 히드로실릴기를 갖는 환상 실록산 및/또는 직쇄상 실록산인 것을 특징으로 하는 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(6) 히드로실릴기를 함유하는 화합물(b)이, 히드로실릴기를 갖는 환상 실록산인 것을 특징으로 하는 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(7) 히드로실릴기를 함유하는 화합물(b)이, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산인 것을 특징으로 하는 (6)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(8) 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)이,
식
[AR1 2SiO-SiO3 /2]a [R2 3SiO-SiO3 /2]b
(a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; A는 알케닐기; R1은 알킬기 또는 아릴기; R2는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기)
으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 것을 특징으로 하는 (1)∼(7) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(9) 식
[XR3 2SiO-SiO3 /2]a [R4 3SiO-SiO3 /2]b
[a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; R3은 알킬기 또는 아릴기; R4는 알케닐기, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기; X는 하기 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 어느 구조를 갖고, X가 복수 있을 경우에는 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 상이해도 되고 또한 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 혼재해 있어도 된다.
Figure pct00001
Figure pct00002
{l은 2 이상의 정수; m은 0 이상의 정수; n은 2 이상의 정수; Y는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재(介在)해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. Z는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. 단, Y 혹은 Z의 적어도 1개는 수소 원자이며, 적어도 1개는 하기 일반식(3)의 구조를 갖는다.
(l은 2 이상의 정수; R5는 유기 규소 화합물을 함유하는 기); R은 알킬기 또는 아릴기}]
으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(10) R5가 아릴기를 1개 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 (9)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(11) 아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것을 특징으로 하는 (10)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(12) 분자 중에 히드로실릴기를 평균해서 3개 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 (1)∼(11) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
(13) (1)∼(12) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)를 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(14) 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 화합물(B)을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 (13)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(15) 화합물(B)이, 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)인 것을 특징으로 하는 (14)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(16) 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)이, 아릴기를 1개 이상 갖는 것을 특징으로 하는 (15)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(17) 화합물(B)이, 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기 화합물(B2)로서,
Figure pct00004
(식 중 R9는 탄소수 1∼50의 1가의 유기기 또는 수소 원자를 나타내며, 각각의 R9는 상이해도 동일해도 됨), 또한 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하는 유기 화합물(B2)
인 것을 특징으로 하는 (14)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(18) 유기 화합물(B2)이, 수평균 분자량 900 미만인 것을 특징으로 하는 (17)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(19) 유기 화합물(B2)이, 트리알릴이소시아누레이트, 디알릴이소시아누레이트, 디알릴모노메틸이소시아누레이트, 디알릴모노글리시딜이소시아누레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류의 화합물인 것을 특징으로 하는 (17) 또는 (18)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(20) 유기 화합물(B2)이, 디알릴모노메틸이소시아누레이트인 것을 특징으로 하는 (17) 또는 (18)에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(21) 다면체 구조 폴리실록산계 조성물이, 온도 23℃에서, 1Pa·s 이상의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 (13)∼(20) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(22) 히드로실릴화 촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 (13)∼(21) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(23) 경화 지연제를 함유하는 것을 특징으로 하는 (13)∼(22) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
(24) (13)∼(23) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 경화시켜서 이루어지는 경화물.
(25) (13)∼(23) 중 어느 하나에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 봉지제로서 사용해서 이루어지는 광반도체 디바이스.
본 발명에 따르면, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 가스 배리어성 및 내냉열충격성이 우수하며, 또한 광반도체 소자를 봉지할 때의 핸들링성이 양호한 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상술(上述)한 특성을 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물의 배합물으로서 호적(好適)한 다면체 구조 폴리실록산 변성체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 가스 배리어성 및 내냉열충격성이 우수한 경화물, 및 이러한 특성을 구비한 봉지제를 구비한 광반도체 디바이스를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
우선, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체에 대하여 설명한다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)과, 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)을 히드로실릴화 반응하는 것에 의해 얻어지는 다면체 구조 폴리실록산 변성체로서,
상기 다면체 구조 폴리실록산 변성체는 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')에 유래하는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
〈알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)〉
본 발명에 있어서의 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)은, 분자 중에 알케닐기를 갖는, 다면체 골격을 갖는 폴리실록산이면, 특별히 한정은 없다. 구체적으로, 예를 들면, 이하의 식
[R6SiO3 /2]x [R7SiO3 /2]y
(x+y는 6∼24의 정수; x는 1 이상의 정수, y는 0 또는 1 이상의 정수; R6은 알케닐기, 또는 알케닐기를 갖는 기; R7은 임의의 유기기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기)
으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물을 호적하게 사용할 수 있고, 또는 식
[AR1 2SiO-SiO3 /2]a [R2 3SiO-SiO3 /2]b
(a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; A는 알케닐기; R1은 알킬기 또는 아릴기; R2는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기)
으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물이 바람직한 것으로서 예시된다.
알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기 등이 예시되지만, 내열성·내광성의 관점에서, 비닐기가 바람직하다.
R1은 알킬기 또는 아릴기이다. 알킬기로서는, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기 등이 예시되며, 또한 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기가 예시된다.
본 발명에 있어서의 R1로서는, 내열성·내광성의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.
R2는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기이다. 알킬기로서는, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기 등이 예시되며, 또한 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기가 예시된다. 본 발명에 있어서의 R2로서는, 내열성·내광성의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.
a는 1 이상의 정수이면, 특별히 제한은 없지만, 화합물의 취급성이나 얻어지는 경화물의 물성에서, 2 이상이 바람직하고, 3 이상이 더 바람직하다. 또한 b는 0 또는 1 이상의 정수이면, 특별히 제한은 없다.
a와 b의 합(=a+b)은, 6∼24의 정수이지만, 화합물의 안정성, 얻어지는 경화물의 안정성의 관점에서, 6∼12, 또는 6∼10인 것이 바람직하다.
(a) 성분의 합성 방법으로서는, 특별히 한정되지 않으며, 공지의 방법을 사용해서 합성할 수 있다. 합성 방법으로서는, 예를 들면 R8SiXa 3(식 중 R8은 상술한 R6, R7을 나타내고, Xa는 할로겐 원자, 알콕시기 등의 가수분해성 관능기를 나타냄)의 실란 화합물의 가수분해 축합 반응에 의해 얻어진다. 또는, R8SiXa 3의 가수분해 축합 반응에 의해 분자 내에 3개의 실라놀기를 갖는 트리실라놀 화합물을 합성한 후, 동일 혹은 상이한 3관능성 실란 화합물을 더 반응시키는 것에 의해 폐환(閉環)하여, 다면체 구조 폴리실록산을 합성하는 방법도 알려져 있다.
그 외에도, 예를 들면 테트라에톡시실란 등의 테트라알콕시실란을 4급 암모늄히드록시드 등의 염기 존재 하에서 가수분해 축합시키는 방법을 들 수 있다. 본 합성 방법에 있어서는, 테트라알콕시실란의 가수분해 축합 반응에 의해, 다면체 구조를 갖는 규산염이 얻어지며, 얻어진 규산염을 알케닐기 함유 실릴클로라이드 등의 실릴화제와 더 반응시키는 것에 의해, 다면체 구조를 형성하는 Si 원자와 알케닐기가, 실록산 결합을 개재해서 결합한 다면체 구조 폴리실록산을 얻는 것이 가능해진다. 본 발명에 있어서는, 테트라알콕시실란 대신에, 실리카나 왕겨 등의 실리카를 함유하는 물질로부터도, 마찬가지의 다면체 구조 폴리실록산을 얻는 것이 가능하다.
〈1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')〉
본 발명에 있어서의 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')은 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)의 히드로실릴기와 반응한다. (a') 성분을 사용함으로써, 얻어지는 경화물의 탄성율을 저하시킬 수 있어, 내냉열충격성을 향상시킬 수 있다.
또한, 얻어지는 조성물의 점도 컨트롤을 하는 것이 가능해져, 예를 들면 LED 봉지제로서 사용했을 경우에, 형광체의 침강을 억제하는 것이 가능해진다.
알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기 등이 예시되지만, 내열성·내광성의 관점에서, 비닐기가 바람직하다.
본 발명에 있어서의 (a') 성분은, 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물이면 특별히 한정은 되지 않지만, 1분자 중에 적어도 아릴기를 1개 이상 함유하고 있는 것이, 가스 배리어성이나 굴절율의 관점에서 바람직하며, 더욱이는 당해 아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것이, 내열성, 내광성의 관점에서 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 (a') 성분은, 내열성, 내광성의 관점에서, 실란,또는 폴리실록산인 것이 바람직하다. 이러한 (a') 성분이, 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 실란일 경우, 구체적으로 예를 들면 트리메틸비닐실란, 디메틸페닐비닐실란, 메틸디페닐비닐실란, 트리페닐비닐실란, 트리에틸비닐실란, 디에틸페닐비닐실란, 에틸디페닐비닐실란, 알릴트리메틸실란, 알릴디메틸페닐실란, 알릴메틸디페닐실란, 알릴트리페닐실란, 알릴트리에틸실란, 알릴디에틸페닐실란, 알릴에틸디페닐실란 등이 예시된다. 그 중에서도, 내열성, 내광성의 관점에서, 트리메틸비닐실란, 디메틸페닐비닐실란, 메틸디페닐비닐실란, 트리페닐비닐실란이 바람직한 예로서 들어지며, 또한 가스 배리어성이나 굴절율의 관점에서, 디메틸페닐비닐실란, 메틸디페닐비닐실란, 트리페닐비닐실란이 바람직한 예로서 들 수 있다.
또한 (a') 성분이 폴리실록산일 경우, 알케닐기를 1개 갖는 직쇄 구조의 폴리실록산, 분자 말단에 알케닐기를 1개 갖는 폴리실록산, 알케닐기를 1개 갖는 환상 실록산 등이 예시된다.
(a') 성분이 알케닐기를 1개 갖는 직쇄 구조의 폴리실록산일 경우, 구체적으로 예를 들면, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 폴리디메틸실록산, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 폴리메틸페닐실록산, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 폴리디페닐실록산, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 디메틸실록산 단위와 메틸페닐실록산 단위와의 공중합체, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 디메틸실록산 단위와 디페닐실록산 단위와의 공중합체, 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 각각 1개씩 봉쇄된 메틸페닐실록산 단위와 디페닐실록산 단위와의 공중합체 등이 예시된다.
분자 말단에 알케닐기를 1개 갖는 폴리실록산일 경우, 구체적으로 예를 들면, 앞서 예시한 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 말단이 1개씩 봉쇄된 폴리실록산, SiO2 단위, SiO3 /2 단위, SiO 단위, SiO1 /2 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개의 실록산 단위 및 1개의 디메틸비닐실록산 단위로 이루어지는 폴리실록산 등이 예시된다.
(a') 성분이 알케닐기를 1개 갖는 환상 실록산일 경우, 구체적으로 예를 들면, 1-비닐-1,3,3,5,5,7,7-헵타메틸시클로테트라실록산, 1-비닐-3-페닐-1,3,5,5,7,7-헥사메틸시클로테트라실록산, 1-비닐-3,5-디페닐-1,3,5,7,7-펜타메틸시클로테트라실록산, 1-비닐-3,5,7-트리페닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 등이 예시된다.
이들 (a') 성분인, 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
〈히드로실릴기를 갖는 화합물(b)〉
본 발명에서 사용하는 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)은, 분자 중에 1개 이상의 히드로실릴기를 갖고 있으면 특별히 제한은 없지만, 얻어지는 다면체 구조 폴리실록산 변성체의 투명성, 내열성, 내광성의 관점에서, 히드로실릴기를 갖는 실록산 화합물인 것이 바람직하고, 히드로실릴기를 갖는 환상 실록산 혹은 직쇄상 폴리실록산인 것이 더 바람직하다. 내열성, 내광성, 내(耐)청색레이저성, 가스 배리어성의 관점에서는, 환상 실록산인 것이 특히 바람직하다.
히드로실릴기를 갖는 직쇄상 폴리실록산으로서는, 디메틸실록산 단위와 메틸하이드로젠실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 디페닐실록산 단위와 메틸하이드로젠실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 메틸페닐실록산 단위와 메틸하이드로젠실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 디메틸하이드로젠실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리디메틸실록산, 디메틸하이드로젠실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리디페닐실록산, 디메틸하이드로젠실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리메틸페닐실록산 등이 예시된다.
특히, 히드로실릴기를 갖는 직쇄상 폴리실록산으로서는, 변성시킬 때의 반응성이나 얻어지는 경화물의 내열성, 내광성 등의 관점에서, 디메틸하이드로젠실릴기로 분자 말단이 봉쇄된 폴리실록산, 또는 디메틸하이드로젠실릴기로 분자 말단이 봉쇄된 폴리디메틸실록산을 호적하게 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, 테트라메틸디실록산, 헥사메틸트리실록산 등이, 바람직한 예로서 예시된다.
히드로실릴기를 갖는 환상 실록산으로서는, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1-프로필-3,5,7-트리하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,5-디하이드로젠-3,7-디헥실-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5-트리하이드로젠-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 1,3,5,7,9-펜타하이드로젠-1,3,5,7,9-펜타메틸시클로펜타실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사하이드로젠-1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로헥사실록산 등이 예시된다. 본 발명에 있어서의 환상 실록산으로서는, 공업적 입수성 및 반응성, 혹은 얻어지는 경화물의 내열성, 내광성, 강도 등의 관점에서, 구체적으로 예를 들면 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산을 호적하게 사용할 수 있다.
이들 (b) 성분인, 히드로실릴기를 갖는 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
〈다면체 구조 폴리실록산 변성체〉
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 후술하는 히드로실릴화 촉매의 존재 하, 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)과 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')을, 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)과 히드로실릴화 반응시키는 것에 의해 얻어진다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체를 얻는 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고 다양하게 설정할 수 있지만, 미리 (a) 성분과 (b) 성분을 반응시킨 후, (a') 성분을 반응시켜도 되고, 미리 (a') 성분과 (b) 성분을 반응시킨 후, (a) 성분을 반응시켜도 되고, (a) 성분과 (a') 성분을 공존시켜서 (b) 성분과 반응시켜도 된다. 각 반응의 종료 후에, 예를 들면 감압·가열 조건 하에서, 휘발성의 미반응 성분을 유거(留去)하여, 목적물 혹은 다음 스텝으로의 중간체로서 사용해도 된다. (a') 성분과 (b) 성분만이 반응하고, (a) 성분을 함유하지 않는 화합물의 생성을 억제하려면, (a) 성분과 (b) 성분을 반응시키고, 미반응의 (b) 성분을 유거한 후, (a') 성분을 반응시키는 방법이 바람직하다. (a') 성분과 (b) 성분만이 반응하고, (a) 성분을 함유하지 않는 화합물의 생성의 억제는 내열성의 관점에서 바람직하다.
이렇게 해서 얻어진 다면체 구조 폴리실록산 변성체에는, 반응에 사용한 (a) 성분의 알케닐기가 일부 잔존해 있어도 된다.
(b) 성분의 첨가량은, (a) 성분이 갖는 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기의 수가 2.5∼20개가 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 첨가량이 적으면, 가교 반응에 의해 겔화가 진행하기 때문에, 다면체 구조 폴리실록산 변성체의 핸들링성이 떨어질 경우가 있고, 첨가량이 많으면, 경화물의 물성에 악영향을 끼칠 경우가 있다.
(a') 성분의 첨가량은, (b) 성분이 갖는 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기의 수가 0.01∼0.36개가 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 첨가량이 적으면, 얻어지는 경화물의 내냉열충격성 개선에 대한 효과가 작을 경우가 있고, 첨가량이 많으면, 얻어지는 경화물에 경화 불량이 발생할 경우가 있다.
다면체 구조 폴리실록산 변성체의 합성 시에 사용하는 히드로실릴화 촉매의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없지만, 반응에 사용하는 (a) 성분 및 (a') 성분의 알케닐기 1몰에 대해서 10-1∼10- 10몰의 범위로 사용하는 것이 좋다. 바람직하게는 10-4∼10- 8몰의 범위로 사용하는 것이 좋다. 히드로실릴화 촉매가 많으면, 히드로실릴화 촉매의 종류에 따라서는, 단파장의 광에 흡수를 나타내기 때문에, 착색 원인이 되거나, 얻어지는 경화물의 내광성이 저하할 우려가 있고, 또한 경화물이 발포할 우려도 있다. 또한, 히드로실릴화 촉매가 적으면, 반응이 진행되지 않아, 목적물이 얻어지지 않을 우려가 있다.
히드로실릴화 반응의 반응 온도로서는, 30∼400℃ 정도이며, 바람직하게는 40∼250℃이며, 보다 바람직하게는 45∼140℃이다. 온도가 지나치게 낮으면 반응이 충분히 진행하지 않고, 온도가 지나치게 높으면, 겔화가 발생하여 핸들링성이 악화할 우려가 있다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 식
[XR3 2SiO-SiO3 /2]a [R4 3SiO-SiO3 /2]b
[a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; R3은 알킬기 또는 아릴기; R4는 알케닐기, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기; X는 하기 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 어느 구조를 갖고, X가 복수 있을 경우에는 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 상이해도 되고 또한 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 혼재해 있어도 된다.
Figure pct00005
Figure pct00006
{l은 2 이상의 정수; m은 0 이상의 정수; n은 2 이상의 정수; Y는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. Z는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. 단, Y 혹은 Z의 적어도 1개는 수소 원자이며, 적어도 1개는 하기 일반식(3)의 구조를 갖는다.
Figure pct00007
(l은 2 이상의 정수; R5는 유기 규소 화합물을 함유하는 기); R은 알킬기 또는 아릴기}]
으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물이어도 된다.
여기에서, R5는 규소 화합물을 함유하는 기이면 특별히 한정은 되지 않지만, 1분자 중에 적어도 아릴기를 1개 이상 함유하고 있는 것이, 가스 배리어성이나 굴절율의 관점에서 바람직하고, 또는 당해 아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것이, 내열성, 내광성의 관점에서 보다 바람직하다.
이러한 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 각종 화합물, 구체적으로는, 후술하는 (B) 성분과의 상용성(相溶性)을 확보할 수 있고, 또한 예를 들면 분자 내에 히드로실릴기를 함유하고 있기 때문에, 각종 알케닐기를 갖는 화합물과 반응시키는 것이 가능해진다. 구체적으로는, 후술하는 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)이나 유기 화합물(B2)과 반응시키는 것에 의해, 내열성이나 내광성, 내청색레이저성, 가스 배리어성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 온도 20℃에서 액상으로 하는 것도 가능하다. 다면체 구조 폴리실록산 변성체를 액상으로 함으로써, 핸들링성이 우수하기 때문에 바람직하다.
또한, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체는, 얻어지는 경화물의 강도나 내열성, 내광성, 가스 배리어성의 관점에서, 분자 중에 히드로실릴기를 평균해서 3개 이상 함유하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물에 대하여 설명한다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 상술한 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산 변성체(이하, 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)라고도 함)을 함유하는 것을 특징으로 하며, 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 화합물(B)을 더 함유할 수 있다.
화합물(B)을 함유할 경우, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물에서는, 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)의 히드로실릴기와 화합물(B)의 알케닐기를 히드로실릴화 반응시키는 것에 의해, 경화물로 이룰 수 있다. 히드로실릴화 반응 시에는 히드로실릴화 촉매를 사용하는 것이 바람직하다.
이 반응에 사용할 수 있는 히드로실릴화 촉매로서는, 후술하는 것을 사용할 수 있다.
다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)와 화합물(B)의 히드로실릴화 반응 시에는, 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)의 합성 시에 사용한 히드로실릴화 촉매가 다면체 구조 폴리실록산 변성체와 함께 도입되므로, 히드로실릴화 촉매를 별도 사용하지 않아도 상관없다.
화합물(B)의 첨가량은 다양하게 설정할 수 있지만, 알케닐기 1개당, 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)에 함유되는 히드로실릴기가 0.3∼5개, 바람직하게는 0.5∼3개가 되는 비율로 첨가되는 것이 바람직하다. 알케닐기의 비율이 지나치게 적으면, 발포 등에 의한 외관 불량이 발생하기 쉬워지고, 또한 알케닐기의 비율이 지나치게 많으면, 경화 후의 물성에 악영향을 끼칠 경우가 있다.
여기에서, 화합물(B)로서는, 예를 들면 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)이나, 후술하는 유기 화합물(B2) 등이 바람직하다. 또, (B1) 성분과 (B2) 성분은 병용해도 된다.
〈1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)〉
본 발명에 있어서의 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)의 실록산의 유닛수는, 특별히 한정되지 않지만, 2개 이상이 바람직하고, 더 바람직하게는 2∼10개이다. 1분자 중의 실록산의 유닛수가 적으면, 조성물로부터 휘발하기 쉬워져, 경화 후에 소망의 물성이 얻어지지 않을 경우가 있다. 또한, 실록산의 유닛수가 많으면, 얻어진 경화물의 가스 배리어성이 저하할 경우가 있다.
상기 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)은, 아릴기를 갖고 있는 것이, 가스 배리어성의 관점에서 바람직하다. 또한, 아릴기를 갖는 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산은, 내열성, 내광성의 관점에서, Si 원자 상에 직접 아릴기가 결합해 있는 것이 바람직하다. 또한, 아릴기는 분자의 측쇄 또는 말단 어느 것에 있어도 되고, 이러한 아릴기 함유 폴리실록산의 분자 구조는 한정되지 않으며, 예를 들면 직쇄상, 분기쇄상, 일부 분기쇄상을 갖는 직쇄상의 것 외에도, 환상 구조를 가져도 된다.
이러한 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2-에틸페닐기, 3-에틸페닐기, 4-에틸페닐기, 2-프로필페닐기, 3-프로필페닐기, 4-프로필페닐기, 3-이소프로필페닐기, 4-이소프로필페닐기, 2-부틸페닐기, 3-부틸페닐기, 4-부틸페닐기, 3-이소부틸페닐기, 4-이소부틸페닐기, 3-t부틸페닐기, 4-t부틸페닐기, 3-펜틸페닐기, 4-펜틸페닐기, 3-헥실페닐기, 4-헥실페닐기, 3-시클로헥실페닐기, 4-시클로헥실페닐기, 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐기, 2,3-디에틸페닐기, 2,4-디에틸페닐기, 2,5-디에틸페닐기, 2,6-디에틸페닐기, 3,4-디에틸페닐기, 3,5-디에틸페닐기, 비페닐기, 2,3,4-트리메틸페닐기, 2,3,5-트리메틸페닐기, 2,4,5-트리메틸페닐기, 3-에폭시페닐기, 4-에폭시페닐기, 3-글리시딜페닐기, 4-글리시딜페닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열·내광성의 관점에서, 페닐기를 바람직한 예로서 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해서 사용해도 된다.
상기 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)으로서는, 내열성, 내광성의 관점에서, 알케닐기를 2개 이상 갖는 직쇄상 폴리실록산, 분자 말단에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산, 알케닐기를 2개 이상 갖는 환상 실록산 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
알케닐기를 2개 이상 갖는 직쇄상 폴리실록산의 구체예로서는, 디메틸실록산 단위와 메틸비닐실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 디페닐실록산 단위와 메틸비닐실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 메틸페닐실록산 단위와 메틸비닐실록산 단위 및 말단 트리메틸실록시 단위와의 공중합체, 디메틸비닐실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리디메틸실록산, 디메틸비닐실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리디페닐실록산, 디메틸비닐실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리메틸페닐실록산 등이 예시된다.
분자 말단에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산의 구체예로서는, 앞서 예시한 디메틸비닐실릴기로 말단이 봉쇄된 폴리실록산, 디메틸비닐실록산 단위 2개 이상과 SiO2 단위, SiO3 /2 단위, SiO 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개의 실록산 단위로 이루어지는 폴리실록산 등이 예시된다.
알케닐기를 2개 이상 갖는 환상 실록산 화합물로서는, 1,3,5,7-비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-비닐-1-페닐-3,5,7-트리메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-비닐-1,3-디페닐-5,7-디메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-비닐-1,5-디페닐-3,7-디메틸시클로테트라실록산, 1,3,5,7-비닐-1,3,5-트리페닐-7-메틸시클로테트라실록산, 1-페닐-3,5,7-트리비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3-디페닐-5,7-디비닐-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로실록산, 1,3,5,7,9-펜타비닐-1,3,5,7,9-펜타메틸시클로실록산, 1,3,5,7,9,11-헥사비닐-1,3,5,7,9,11-헥사메틸시클로실록산 등이 예시된다.
이들 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)은, 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상 병용해서 사용해도 된다.
〈유기 화합물(B2)〉
본 발명에 있어서의 (B2) 성분은, 구체적으로 예를 들면 (A) 성분의 가교제로서의 역활을 수행하며, 내열성, 내광성, 가스 배리어성을 갖는 경화물을 부여하는 것이 가능해진다.
본 발명에 있어서의 유기 화합물(B2)은, 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기 화합물이며, 또한 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하는 유기 화합물이면 특별히 한정은 되지 않는다.
Figure pct00008
(식 중 R9는 탄소수 1∼50의 1가의 유기기 또는 수소 원자를 나타내며, 각각의 R9는 상이해도 동일해도 됨)
본 발명에 있어서의 (B2) 성분은, 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하고 있기 때문에, 얻어지는 경화물의 강도나 가스 배리어성, 내열성, 내광성 등이 우수해지게 된다. 또한, 가스 배리어성의 관점에서, 수평균 분자량 900 미만인 것이 바람직하다.
(B2) 성분은, 예를 들면 조성물을 기재(基材)와 경화시켰을 경우의 기재와의 접착성의 관점에서, 상기 일반식(4)으로 표시되며, 또한 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하는 이소시아누르산 유도체인 것이 바람직하고, 또한 내열성·내광성의 밸런스의 관점에서, 트리알릴이소시아누레이트, 디알릴이소시아누레이트, 디알릴모노메틸이소시아누레이트, 디알릴모노글리시딜이소시아누레이트를 사용하는 것이 보다 바람직하고, 특히 내냉열충격성의 관점에서 디알릴모노메틸이소시아누레이트가 더 바람직하다.
또한, (B2) 성분의 골격 중에 알케닐기 이외의 관능기를 갖고 있어도 상관없지만, (A) 성분과의 상용성의 관점에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 직쇄상의 지방족 탄화수소계기를 비롯한 극성이 낮은 관능기인 편이 바람직하며, 내열성, 내광성의 관점에서, 특히 메틸기가 바람직하다.
〈히드로실릴화 촉매〉
본 발명에서는, 상기 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)의 합성, 및 당해 변성체(A)를 함유하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 경화시킬 때에, 히드로실릴화 촉매를 사용한다.
본 발명에서 사용하는 히드로실릴화 촉매로서는, 통상 히드로실릴화 촉매로서 공지의 것을 사용할 수 있으며, 특별히 제한은 없다.
구체적으로 예시하면, 백금-올레핀 착체, 염화백금산, 백금 단체(單體), 담체(擔體)(알루미나, 실리카, 카본 블랙 등)에 고체 백금을 담지시킨 것; 백금-비닐실록산 착체, 예를 들면, Ptn(ViMe2SiOSiMe2Vi)n, Pt〔(MeViSiO)4〕m; 백금-포스핀 착체, 예를 들면, Pt(PPh3)4, Pt(PBu3)4; 백금-포스파이트 착체, 예를 들면, Pt〔P(OPh)3〕4, Pt〔P(OBu)3〕4(식 중, Me는 메틸기, Bu는 부틸기, Vi는 비닐기, Ph는 페닐기를 나타내며, n, m은 정수를 나타냄), Pt(acac)2, 또한 Ashby 등의 미국 특허 제3159601 및 3159662호 명세서 중에 기재된 백금-탄화수소 복합체, 및 Lamoreaux 등의 미국 특허 제3220972호 명세서 중에 기재된 백금 알코올레이트 촉매도 들 수 있다.
또한, 백금 화합물 이외의 촉매의 예로서는, RhCl(PPh3)3, RhCl3, Rh/Al2O3, RuCl3, IrCl3, FeCl3, AlCl3, PdCl2·2H2O, NiCl2, TiCl4 등을 들 수 있다. 이들 촉매는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 상관없다. 촉매 활성의 점에서 염화백금산, 백금-올레핀 착체, 백금-비닐실록산 착체, Pt(acac)2 등이 바람직하다.
〈경화 지연제〉
경화 지연제는, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물의 보존 안정성을 개량 혹은, 경화 과정에서의 히드로실릴화 반응의 반응성을 조정하기 위한 성분이다. 본 발명에 있어서는, 경화 지연제로서는, 히드로실릴화 촉매에 의한 부가형 경화성 조성물로 사용되고 있는 공지의 것을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 지방족 불포화 결합을 함유하는 화합물, 유기 인 화합물, 유기 황 화합물, 질소 함유 화합물, 주석계 화합물, 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 이들을 단독 사용, 또는 2종 이상 병용해도 된다.
상기한 지방족 불포화 결합을 함유하는 화합물로서는, 구체적으로는 3-히드록시-3-메틸-1-부틴, 3-히드록시-3-페닐-1-부틴, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐-1-시클로헥산올 등의 프로파길알코올류, 엔-인 화합물류, 무수말레산, 말레산디메틸 등의 말레산에스테르류 등을 예시할 수 있다.
유기 인 화합물로서는, 구체적으로는 트리오르가노포스핀류, 디오르가노포스핀류, 오르가노포스폰류, 트리오르가노포스파이트류 등을 예시할 수 있다.
유기 황 화합물로서는, 구체적으로는 오르가노메르캅탄류, 디오르가노설피드류, 황화수소, 벤조티아졸, 티아졸, 벤조티아졸디설파이드 등을 예시할 수 있다.
질소 함유 화합물로서는, 구체적으로는 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, N,N-디부틸에틸렌디아민, N,N-디부틸-1,3-프로판디아민, N,N-디메틸-1,3-프로판디아민, N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민, N,N-디부틸-1,4-부탄디아민, 2,2'-비피리딘 등을 예시할 수 있다.
주석계 화합물로서는, 구체적으로는 할로겐화 제1주석2수화물, 카르복시산제1주석 등을 예시할 수 있다.
유기 과산화물로서는, 구체적으로는 디-t-부틸퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 과벤조산t-부틸 등이 예시될 수 있다. 이들 중, 말레산디메틸, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐-1-시클로헥산올을, 특히 바람직한 경화 지연제로서 예시할 수 있다.
경화 지연제의 첨가량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 히드로실릴화 촉매 1몰에 대해서 10-1∼103몰의 범위로 사용하는 것이 바람직하고, 1∼300몰의 범위로 사용하는 것이 보다 바람직하고, 1∼100몰의 범위로 사용하는 것이 더 바람직하다. 또한, 이들 경화 지연제는 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상 조합시켜서 사용해도 된다.
〈다면체 구조 폴리실록산계 조성물〉
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, (A) 성분, 및 (B) 성분, 또는 필요에 따라, 상술한 히드로실릴화 촉매나 경화 지연제 등을 가하는 것에 의해 얻을 수 있다. 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 액상 수지 조성물로서 취급하는 것이 가능하다. 액상 수지 조성물로 하는 것에 의해, 틀, 패키지, 기판 등에, 주입 혹은 도포해서 경화시킴으로써, 용도에 따른 성형체를 용이하게 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 온도 23℃에서, 1Pa·s 이상의 점도를 갖는 것이 바람직하다. 광반도체 소자 등을 봉지할 때의 핸들링성이 보다 우수한 것이 되기 때문이다.
경화시킬 때에 온도를 부가할 경우에는, 바람직하게는 30∼400℃, 더 바람직하게는 50∼250℃이다. 경화 온도가 지나치게 높아지면, 얻어지는 경화물에 외관 불량이 발생하는 경향이 있고, 지나치게 낮으면 경화가 불충분해진다. 또한, 2단계 이상의 온도 조건을 조합시켜서 경화시켜도 된다. 구체적으로는 예를 들면, 70℃, 120℃, 150℃와 같이 단계적으로 경화 온도를 끌어 올려감으로써 양호한 경화물을 얻을 수 있어 바람직하다.
경화 시간은 경화 온도, 사용하는 히드로실릴화 촉매의 양 및 반응성기의 양, 그 외, 상기 다면체 구조 폴리실록산계 조성물의 그 외의 배합물의 조합에 의해 적의(適宜) 선택할 수 있지만, 굳이 예시하면, 1분∼12시간, 바람직하게는 10분∼8시간 행하는 것에 의해, 양호한 경화물을 얻을 수 있다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 경화시켜서 이루어지는 경화물도 또한 본 발명의 하나이다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 필요에 따라 접착성 부여제를 첨가할 수 있다.
접착성 부여제는, 예를 들면 본 발명에 있어서의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물과 기재의 접착성을 향상하는 목적으로 사용하는 것이며, 그러한 효과가 있는 것이면 특별히 제한은 없지만, 실란커플링제를 바람직한 예로서 예시할 수 있다.
실란커플링제로서는, 분자 중에 유기기와 반응성이 있는 관능기와 가수분해성의 규소기를 각각 적어도 1개 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 유기기와 반응성이 있는 기로서는, 취급성의 점에서 에폭시기, 메타크릴기, 아크릴기, 이소시아네이트기, 이소시아누레이트기, 비닐기, 카르바메이트기에서 선택되는 적어도 1개의 관능기가 바람직하고, 경화성 및 접착성의 점에서, 에폭시기, 메타크릴기, 아크릴기가 특히 바람직하다. 가수분해성의 규소기로서는 취급성의 점에서 알콕시실릴기가 바람직하고, 반응성의 점에서 메톡시실릴기, 에톡시실릴기가 특히 바람직하다.
바람직한 실란커플링제로서는, 구체적으로는, 예를 들면 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디에톡시실란 등의 에폭시 관능기를 갖는 알콕시실란류 : 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리에톡시실란, 메타크릴록시메틸트리메톡시실란, 메타크릴록시메틸트리에톡시실란, 아크릴록시메틸트리메톡시실란, 아크릴록시메틸트리에톡시실란 등의 메타크릴기 혹은 아크릴기를 갖는 알콕시실란류를 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상 병용해도 된다.
실란커플링제의 첨가량으로서는, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 100중량부에 대해서, 0.05∼30중량부인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.1∼10중량부이다. 첨가량이 적으면 접착성 개량 효과가 나타나지 않고, 첨가량이 많으면 경화물의 물성에 악영향을 끼칠 경우가 있다.
본 발명에 있어서는, 접착성 부여제의 효과를 높이기 위해서, 공지의 접착성 촉진제를 사용할 수 있다. 접착성 촉진제로서는, 에폭시 함유 화합물, 에폭시 수지, 보론산에스테르 화합물, 유기 알루미늄 화합물, 유기 티타늄 화합물을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물에는, 필요에 따라서 무기 필러를 첨가할 수 있다.
무기 필러를 첨가하는 것에 의해, 얻어지는 성형체의 강도, 경도, 탄성율, 열팽창율, 열전도율, 방열성, 전기적 특성, 광의 반사율, 난연성, 내화성, 및 가스 배리어성 등의 제반 물성을 개선할 수 있다.
무기 필러는, 무기물 혹은 무기물을 함유하는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로 예를 들면, 석영, 흄드 실리카, 침강성 실리카, 무수규산, 용융 실리카, 결정성 실리카, 초미분(超微粉) 무정형 실리카 등의 실리카계 무기 필러, 알루미나, 지르콘, 산화철, 산화아연, 산화티타늄, 질화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소, 유리 섬유, 유리 플레이크, 알루미나 섬유, 탄소 섬유, 마이카, 흑연, 카본 블랙, 페라이트, 그래파이트, 규조토(珪藻土), 백토, 클레이, 탈크, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 탄산망간, 탄산마그네슘, 황산바륨, 티탄산칼륨, 규산칼슘, 무기 벌룬, 은분(銀粉) 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상 병용해도 된다.
무기 필러에는, 적의 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리로서는, 알킬화 처리, 트리메틸실릴화 처리, 실리콘 처리, 실란커플링제에 의한 처리 등을 들 수 있지만, 특별히 한정되는 것은 아니다.
무기 필러의 형상으로서는, 파쇄상, 편상, 구상, 봉상 등, 각종 사용할 수 있다. 무기 필러의 평균 입경이나 입경 분포는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 가스 배리어성의 관점에서, 평균 입경이 0.005∼50㎛인 것이 바람직하고, 또는 0.01∼20㎛인 것이 보다 바람직하다. 마찬가지로, BET 비표면적에 대해서도, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 가스 배리어성의 관점에서, 70㎡/g 이상인 것이 바람직하고, 100㎡/g 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 200㎡/g 이상인 것이 특히 바람직하다.
무기 필러의 첨가량은 특별히 한정되지 않지만, (A) 성분과 (B) 성분의 혼합물 100중량부에 대해서, 바람직하게는 1∼1000중량부, 보다 바람직하게는 3∼500중량부, 더 바람직하게는 5∼300중량부이다. 무기 필러의 첨가량이 많으면, 유동성이 나빠질 경우가 있고, 무기 필러의 첨가량이 적으면, 소망의 물성이 얻어지지 않을 경우가 있다.
무기 필러의 혼합 순서로서는, 특별히 한정되지 않지만, 저장 안정성이 양호해지기 쉽다는 점에 있어서는, (B) 성분에 섞은 후, (A) 성분을 혼합하는 방법이 바람직하다. 또한, 반응 성분인 (A) 성분, (B) 성분이 잘 혼합되어 안정한 성형물이 얻어지기 쉽다는 점에 있어서는, (A) 성분, (B) 성분을 혼합한 것에, 무기 필러를 혼합하는 것이 바람직하다.
이들 무기 필러를 혼합하는 수단으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 구체적으로 예를 들면, 2본롤 혹은 3본롤, 유성식 교반 탈포(脫泡) 장치, 호모지나이저, 디졸버, 플래니터리 믹서 등의 교반기, 플라스트밀 등의 용융 혼합기 등을 들 수 있다. 무기 필러의 혼합은, 상온에서 행해도 되고 가열해서 행해도 되고, 또한 상압 하에서 행해도 되고 감압 상태에서 행해도 된다. 혼합할 때의 온도가 높으면, 성형하기 전에 조성물이 경화할 경우가 있다.
또한, 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물에는, 필요에 따라 형광체, 착색제, 내열성 향상제 등의 각종 첨가제나 반응 제어제, 이형제(離型劑) 혹은 충전제용 분산제 등을 임의로 첨가할 수 있다. 이 충전제용 분산제로서는, 예를 들면, 디페닐실란디올, 각종 알콕시실란, 카본 펑셔널 실란, 실라놀기 함유 저분자량 실록산 등을 들 수 있다. 또, 이들 임의 성분은, 본 발명의 효과를 손상하지 않도록 최소한의 첨가량에 그치는 것이 바람직하다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물에는, 상기한 성분을 롤, 밴버리 믹서, 니더 등의 혼합기를 사용하거나, 유성식 교반 탈포기를 사용해서 균일하게 혼합하고, 필요에 따라 가열 처리를 실시하거나 해도 된다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 성형체로서 사용할 수 있다.
성형 방법으로서는, 압출 성형, 압축 성형, 블로우 성형, 캘린더 성형, 진공 성형, 발포 성형, 사출 성형, 액상 사출 성형, 주형(注型) 성형 등의 임의의 방법을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서 얻어지는 성형체의 용도로서는, 구체적으로 예를 들면, 액정 디스플레이 분야에 있어서의 기판 재료, 도광판, 프리즘 시트, 편향판, 위상차판, 시야각 보정 필름, 접착제, 컬러 필터, 편광자 보호 필름, 패시베이션막 등의 액정용 필름 등의 액정 표시 장치 주변 재료가 예시된다. 또한, PDP(플라즈마 디스플레이)의 봉지제, 반사 방지 필름, 광학 보정 필름, 하우징재, 전면(前面) 유리의 보호 필름, 전면 유리 대체 재료, 접착제, 컬러 필터, 패시베이션막, 또한 LED 표시 장치에 사용되는 LED 소자의 몰드재, 전면 유리의 보호 필름, 전면 유리 대체 재료, 접착제, 컬러 필터, 패시베이션막, 또한 플라즈마 어드레스 액정 디스플레이에 있어서의 기판 재료, 도광판, 프리즘 시트, 편향판, 위상차판, 시야각 보정 필름, 접착제, 컬러 필터, 편광자 보호 필름, 패시베이션막, 또한 유기 EL 디스플레이에 있어서의 전면 유리의 보호 필름, 전면 유리 대체 재료, 컬러 필터, 접착제, 패시베이션막, 또한 필드 이미션 디스플레이(FED)에 있어서의 각종 필름 기판, 전면 유리의 보호 필름, 전면 유리 대체 재료, 접착제, 컬러 필터, 패시베이션막이 예시된다.
광 기록 분야로는, VD(비디오 디스크), CD/CD-ROM, CD-R/RW, DVD-R/DVD-RAM, MO/MD, PD(상변화(相變化) 디스크), 광 카드용 디스크 기판 재료, 픽업 렌즈, 보호 필름, 봉지제, 접착제가 예시된다. 더 구체적으로는, 차세대 DVD 등의 광 픽업용의 부재, 예를 들면, 픽업 렌즈, 콜리메이터 렌즈, 대물 렌즈, 센서 렌즈, 보호 필름, 소자 봉지제, 센서 봉지제, 그레이팅, 접착제, 프리즘, 파장판, 보정판, 스플리터, 홀로그램, 미러 등이 예시된다.
광학 기기 분야로는, 스틸 카메라의 렌즈용 재료, 파인더 프리즘, 타깃 프리즘, 파인더 커버, 수광 센서부가 예시된다. 또한 비디오 카메라의 촬영 렌즈, 파인더가 예시된다. 또한 프로젝션 텔레비전의 투사 렌즈, 보호 필름, 봉지제, 접착제 등이 예시된다. 광 센싱 기기의 렌즈용 재료, 봉지제, 접착제, 필름 등이 예시된다.
광 부품 분야로는, 광 통신 시스템에서의 광 스위치 주변의 파이버 재료, 렌즈, 도파로, 소자의 봉지제, 접착제 등이 예시된다. 광 커넥터 주변의 광 파이버 재료, 페룰(ferrule), 봉지제, 접착제 등이 예시된다. 광 수동(受動) 부품, 광 회로 부품으로는 렌즈, 도파로, LED 소자의 봉지제, 접착제 등이 예시된다. 광 전자 집적 회로(OEIC) 주변의 기판 재료, 파이버 재료, 소자의 봉지제, 접착제 등이 예시된다.
광 파이버 분야로는, 장식 디스플레이용 조명·라이트 가이드 등, 공업 용도의 센서류, 표시·표지류 등, 또한 통신 인프라용 및 가정 내의 디지털 기기 접속용의 광 파이버가 예시된다.
반도체 집적 회로 주변 재료로는, 층간 절연막, 패시베이션막, LSI, 초(超) LSI 재료용의 마이크로 리소그래피용의 레지스트 재료가 예시된다.
자동차·수송기 분야로는, 자동차용의 램프 리플렉터, 베어링 리테이너, 기어 부분, 내식(耐蝕) 코팅, 스위치 부분, 헤드 램프, 엔진 내 부품, 전장(電裝) 부품, 각종 내외장품, 구동 엔진, 브레이크 오일 탱크, 자동차용 방청 강판, 인테리어 패널, 내장재, 보호·결속용 와이어하니스(wire harness), 연료 호스, 자동차 램프, 유리 대체품이 예시된다. 또한, 철도 차량용의 복층 유리가 예시된다. 또한, 항공기의 구조재의 인성 부여제, 엔진 주변 부재, 보호·결속용 와이어하니스, 내식 코팅이 예시된다.
건축 분야로는, 내장·가공용 재료, 전기 커버, 시트, 유리 중간막, 유리 대체품, 태양 전지 주변 재료가 예시된다. 농업용으로는, 하우스 피복용 필름이 예시된다.
차세대의 광·전자 기능 유기 재료로서는, 차세대 DVD, 유기 EL 소자 주변 재료, 유기 포토리플랙티브 소자, 광-광 변환 디바이스인 광 증폭 소자, 광 연산 소자, 유기 태양전지 주변의 기판 재료, 파이버 재료, 소자의 봉지제, 접착제 등이 예시된다.
본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 봉지제로서 사용해서 이루어지는 광반도체 디바이스 또한 본 발명의 하나이다.
[실시예]
다음으로 본 발명을 실시예에 의거해서 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.
(점도)
도쿄케이키제 E형 점토계를 사용했다. 측정 온도 23.0℃, EHD형 48φ 1배 콘(cone)으로 측정했다.
(SiH가(價))
하기의 SiH가는, 그 화합물과 디브로모에탄의 혼합물을 만들고, 중(重)클로로포름에 용해시켜, 배리언 테크놀로지즈 재팬 리미티드제 300㎒ NMR을 사용해서 NMR 측정을 행함으로써, 하기 계산식(1) SiH가(mol/㎏)=[화합물의 SiH기로 귀속되는 피크의 적분값]/[디브로모에탄의 메틸기에 귀속되는 피크의 적분값]×4×[혼합물 중의 디브로모에탄 중량]/[디브로모에탄의 분자량]/[혼합물 중의 화합물 중량] (1)
을 사용해서 계산했다.
(내열 시험, 내광 시험용 샘플 작성)
다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 틀에 충전하고, 대류식 오븐에서 80℃×2시간, 100℃×1시간, 150℃×5시간 열경화시켜서, 두께 2㎜의 샘플을 작성했다.
(내열 시험)
상기한 바와 같이 작성한 샘플을, 150℃로 온도 설정한 대류식 오븐 내(공기 중)에서 당해 샘플을 200시간 양생하고, 목시(目視)로 관찰했다.
착색 등에 의한 색조의 변화가 보여지지 않았던 것을 ○, 보여진 것을 ×로 평가했다.
(내광 시험)
스가시켄키(주)제, 메탈링 웨더미터(형식 M6T)를 사용했다. 상기한 바와 같이 작성한 샘플을, 블랙 패널 온도 120℃, 방사 조도 0.53㎾/㎡로, 적산 방사 조도 50MJ/㎡까지 조사하고, 목시로 관찰했다.
착색 등에 의한 색조의 변화가 보여지지 않았던 것을 ○, 보여진 것을 ×로 평가했다.
(내냉열충격 시험용 샘플물 작성)
가부시키가이샤 에노모토제 LED 패키지(품명 : TOP LED 1-IN-1)에, 0.4㎜×0.4㎜×0.2㎜의 단결정 실리콘 칩 1개를, 가부시키가이샤 헨켈 재팬제 에폭시계 접착제(품명 : LOCTITE 348)로 첩부(貼付)하고, 150℃로 온도 설정한 대류식 오븐에서 30분 가열하여 고정했다. 여기에 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 주입하고, 대류식 오븐에서 80℃×2시간, 100℃×1시간, 150℃×5시간 열경화시켜서 샘플을 작성했다.
(내냉열충격 시험)
상기한 바와 같이 작성한 샘플을, 열충격 시험기(에스팩제 TSA-71H-W)를 사용해서, 고온 유지 100℃, 30분간, 저온 유지 -40℃, 30분간의 사이클을 200 사이클 행한 후, 샘플을 관찰했다.
시험 후, 눈으로 보아 변화가 없으면 ○, 수지에 크랙이 들어가거나, 수지와 패키지 사이에 박리, 혹은 수지의 착색이 일어나거나 했을 경우에는 ×로 했다.
(투습성 시험용 샘플 작성)
본 발명에서는, 얻어진 경화물의 가스 배리어성의 지표로서, 경화물의 투습도를 사용했다. 즉, 투습도가 낮은 것은 가스 배리어성이 높은 것과 동의(同義)가 된다.
다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 틀에 충전하고, 대류식 오븐에서 80℃×2시간, 100℃×1시간, 150℃×5시간 열경화시켜서, 5㎝ 사각, 두께 2㎜의 샘플을 작성했다. 이 샘플을 실온 25℃, 습도 55% RH의 환경에서 24시간 양생했다.
(투습성 시험)
5㎝ 사각의 판 유리(0.5㎜ 두께)의 상부에 5㎝ 사각의 폴리이소부틸렌 고무 시트(3㎜ 두께, 口자형이 되도록 내부의 3㎝ 사각을 잘라낸 것)를 고정한 지그를 제작하고, 와코쥰야쿠코교제 염화칼슘(수분 측정용) 1g을 口자형 내에 충전한다. 또한 상부에 상기한 5㎝ 사각, 두께 2㎜의 샘플을 고정하고, 이것을 시험체로 한다. 시험체를 항온 항습기(에스팩제 PR-2KP) 내에서 온도 40℃, 습도 90% RH에서 24시간 양생하고, 하기 계산식(2)
투습도(g/㎡/day)={(투습성 시험 후의 시험체 총 중량(g))-(투습성 시험 전의 시험체 총 중량(g))}×10000/9 (2)
에 따라서 투습도(수증기 투과율)를 산출했다.
(황화수소 시험)
가부시키가이샤 에노모토제 LED 패키지(품명 : TOP LED 1-IN-1)에 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 주입하고, 대류식 오븐에서 80℃×2시간, 100℃×1시간, 150℃×5시간 열경화시켜서 샘플을 작성했다. 이 샘플을, 플로우식 가스 부식 시험기(팩트케이제 KG130S) 내에 넣고, 40℃, 80% RH, 황화수소 3ppm의 조건 하에서, 96시간, 황화수소 폭로 시험을 행했다.
시험 후, 패키지의 리플렉터가 변색되어 있지 않으면 ○, 약간 변색이 보였을 경우에는 △, 변색되어 있는 경우에는 ×로 했다.
(형광체 침강 시험)
다면체 구조 폴리실록산계 조성물 5g에 형광체(인터매틱스제 Y3957) 0.05g을 첨가하여 잘 뒤섞은 후, 정치(靜置)하고, 1시간마다 관찰했다.
그 결과, 1시간 미만에 침강이 관찰됐을 경우에는 ×, 1∼6시간의 사이에 침강이 관찰됐을 경우에는 △, 6시간을 초과해도 형광체가 분산된 채일 경우에는 ○로 했다.
(제조예 1)
48% 콜린 수용액(트리메틸-2히드록시에틸암모늄하이드로옥사이드 수용액) 1262g에 테트라에톡시실란 1083g을 가하고, 실온에서 2시간 격렬하게 교반했다. 반응계 내가 발열하고, 균일 용액이 된 단계에서, 교반을 완화하여 12시간 더 반응시켰다. 다음으로, 반응계 내에 생성한 고형물에, 메탄올 1000㎖을 가하고, 균일용액으로 했다.
디메틸비닐클로로실란 537g, 트리메틸실릴클로리드 645g 및 헥산 1942㎖의 용액을 격렬하게 교반하면서, 메탄올 용액을 천천히 적하했다. 적하 종료 후, 1시간 반응시킨 후, 유기층을 추출, 농축하는 것에 의해, 고형물을 얻었다. 다음으로 생성한 고형물을 메탄올 중에서 격렬하게 교반하는 것에 의해 세정하고, 여별(濾別)하는 것에 의해, Si 원자 16개와, 비닐기 3개를 갖는 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산(Fw=1166.2)을 백색 고체로서 592g 얻었다.
(실시예 1)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 10.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.48㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 3.09g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하고나서, 다시 톨루엔 10g을 가해서 생성물을 용해시키고, 별도 준비한 비닐디페닐메틸실란 3.37g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.29개가 되는 양)을 톨루엔 3.37g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.56㎕를 가한 용액을 천천히 적하하고, 105℃에서 1시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 10.4g(SiH가 1.43mol/kg)을 얻었다. 얻어진 변성체 5.00g에 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 0.95g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
(실시예 2)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 10.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.48㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 3.09g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 샘플링을 행해서, NMR 측정을 행하고, 알케닐기 원래의 피크가 소실해 있는 것을 확인한 후, 또한 별도 준비한 비닐디페닐메틸실란 3.37g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.29개가 되는 양)을 톨루엔 3.37g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.56㎕를 가한 용액을 천천히 적하하고, 105℃에서 1시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 11.2g(SiH가 1.73mol/㎏)을 얻었다. 얻어진 변성체 5.00g에 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 1.14g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
(실시예 3)
비닐디페닐메틸실란 3.37g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.29개가 되는 양)을 톨루엔 3.37g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.56㎕를 가한 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 3.09g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 1시간 반응시켰다. 샘플링을 행해서, NMR 측정을 행하고, 알케닐기 유래의 피크가 소실해 있는 것을 확인한 후, 또한 별도 준비한, 제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 10.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.48㎕를 가한 용액을 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 11.3g(SiH가 1.75mol/㎏)을 얻었다. 얻어진 변성체 5.00g에 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 1.15g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
(실시예 4)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 16.73g에 용해시키고, 비닐디페닐메틸실란 3.37g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.29개가 되는 양), 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 1.04㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 3.09g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 11.4g(SiH가 1.69mol/㎏)을 얻었다. 얻어진 변성체 5.00g에 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 1.12g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
(비교예 1)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 10.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.47㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g, 톨루엔 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양)의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 변성체 7.8g(SiH가 3.78mol/㎏)을 얻었다. 얻어진 변성체에, 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 2.20g, 비닐디페닐메틸실란 2.90g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.25개가 되는 양)을 가해서 교반하여, 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
(비교예 2)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 5.00g을 톨루엔 10.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.47㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 3.09g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 3.09g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.99㎕, 말레산디메틸 0.46㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 변성체 7.8g(SiH가 3.78mol/㎏)을 얻었다. 얻어진 변성체에, 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 3.92g을 가해서 교반하여, 조성물을 얻었다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 1에 기재했다.
[표 1]
Figure pct00009
표 1에 나타내는 바와 같이, (A) 성분 및 (B1) 성분을 함유하는 본 발명의 다면체 구조 실록산계 조성물은, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 내냉열충격성 및 가스 배리어성이 우수하며, 또한 광반도체 소자를 봉지할 때의 핸들링성이 양호한 점도를 갖고 있다.
(제조예 2)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 10.00g을 톨루엔 20.0g에 용해시키고, 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.94㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 6.19g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 4.0개가 되는 양), 톨루엔 6.19g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하고나서, 다시 톨루엔 10.00g을 가해서 생성물을 용해시키고, 별도 준비한 비닐디페닐메틸실란 5.78g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.25개가 되는 양)을 톨루엔 5.78g에 용해시킨 용액을 천천히 적하했다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.79㎕, 말레산디메틸 0.41㎕를 가하고, 톨루엔을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 20.08g(SiH가 1.51mol/㎏)을 얻었다.
(제조예 3)
제조예 1에서 얻어진 알케닐기 함유 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산 10.00g을 톨루엔 33.48g에 용해시키고, 비닐디페닐메틸실란 6.74g(사용한 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산의 히드로실릴기 1개에 대하여, 알케닐기 0.28개가 되는 양), 백금비닐실록산 착체의 자일렌 용액(백금으로서 3wt% 함유하는 백금비닐실록산 착체, 유미코어 프레셔스 메탈즈 재팬제, Pt-VTSC-3X) 0.94㎕를 가했다. 이렇게 해서 얻어진 용액을, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산 5.57g(사용한 트리스(비닐디메틸실록시)펜타키스(트리메틸실록시)옥타실세스퀴옥산의 알케닐기 1개에 대하여, 히드로실릴기 3.6개가 되는 양), 톨루엔 5.57g의 용액에 천천히 적하하고, 105℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에티닐시클로헥산올 1.79㎕, 말레산디메틸 0.41㎕를 가하고, 톨루엔과 미반응 성분을 유거하는 것에 의해, 액상의 다면체 구조 폴리실록산 변성체 21.46g(SiH가 1.55mol/㎏)을 얻었다.
(실시예 5)
제조예 2에서 얻어진 다면체 구조 폴리실록산 변성체 10.00g에, 디알릴메틸이소시아누레이트 1.68g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 작성했다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 2에 기재했다.
(실시예 6)
제조예 3에서 얻어진 다면체 구조 폴리실록산 변성체 10.00g에, 디알릴메틸이소시아누레이트 1.73g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 작성했다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 2에 기재했다.
(실시예 7)
제조예 2에서 얻어진 다면체 구조 폴리실록산 변성체 10.00g에, 디알릴메틸이소시아누레이트 1.13g, 1,5-디비닐-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산 1.12g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 작성했다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 2에 기재했다.
(실시예 8)
제조예 2에서 얻어진 다면체 구조 폴리실록산 변성체 10.00g에, 디알릴모노글리시딜이소시아누레이트 2.00g을 가해서 교반하여, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 작성했다. 이렇게 해서 얻어진 조성물을 사용하여, 상술한 각종 평가를 행하고, 그 결과를 표 2에 기재했다.
[표 2]
Figure pct00010
표 2에 나타내는 바와 같이 (A) 성분과, (B2) 성분, 또는 (B2) 성분 및 (B1) 성분을 함유하는 본 발명의 다면체 구조 폴리실록산계 조성물은, 높은 내열성, 내광성을 갖고, 내냉열충격성 및 가스 배리어성이 우수한 것을 알 수 있었다. 이러한 특징을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 폴리실록산계 조성물은 각종 봉지제로서도 호적하게 사용할 수 있고, 당해 봉지제를 사용해서 광학 디바이스, 광반도체 디바이스 등을 작성하는 것도 가능하다.

Claims (25)

  1. 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)과, 히드로실릴기를 갖는 화합물(b)을 히드로실릴화 반응하는 것에 의해 얻어지는 다면체 구조 폴리실록산 변성체로서,
    상기 다면체 구조 폴리실록산 변성체는 1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')에 유래하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  2. 제1항에 있어서,
    다면체 구조 폴리실록산 변성체가, 온도 20℃에서, 액상인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    1분자 중에 알케닐기를 1개 갖는 유기 규소 화합물(a')이, 아릴기를 1개 이상 갖는 유기 규소 화합물인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  4. 제3항에 있어서,
    아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    히드로실릴기를 갖는 화합물(b)이, 히드로실릴기를 갖는 환상 실록산 및/또는 직쇄상 실록산인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    히드로실릴기를 함유하는 화합물(b)이, 히드로실릴기를 갖는 환상 실록산인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  7. 제6항에 있어서,
    히드로실릴기를 함유하는 화합물(b)이, 1,3,5,7-테트라하이드로젠-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물(a)이,
    식
    [AR1 2SiO-SiO3 /2]a [R2 3SiO-SiO3 /2]b
    (a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; A는 알케닐기; R1은 알킬기 또는 아릴기; R2는 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기)
    으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 알케닐기를 갖는 다면체 구조 폴리실록산계 화합물인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  9. 식
    [XR3 2SiO-SiO3 /2]a [R4 3SiO-SiO3 /2]b
    [a+b는 6∼24의 정수, a는 1 이상의 정수, b는 0 또는 1 이상의 정수; R3은 알킬기 또는 아릴기; R4는 알케닐기, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 다른 다면체 골격 폴리실록산과 연결되어 있는 기; X는 하기 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 어느 구조를 갖고, X가 복수 있을 경우에는 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 상이해도 되고 또한 일반식(1) 혹은 일반식(2)의 구조가 혼재해 있어도 된다.
    Figure pct00011

    Figure pct00012

    {l은 2 이상의 정수; m은 0 이상의 정수; n은 2 이상의 정수; Y는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재(介在)해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. Z는 수소 원자, 알케닐기, 알킬기, 아릴기, 혹은 알킬렌쇄를 개재해서 다면체 구조 폴리실록산과 결합해 있는 부위이며, 동일해도 상이해도 된다. 단, Y 혹은 Z의 적어도 1개는 수소 원자이며, 적어도 1개는 하기 일반식(3)의 구조를 갖는다.
    Figure pct00013

    (l은 2 이상의 정수; R5는 유기 규소 화합물을 함유하는 기); R은 알킬기 또는 아릴기}]
    으로 표시되는 실록산 단위로 구성되는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  10. 제9항에 있어서,
    R5가 아릴기를 1개 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  11. 제10항에 있어서,
    아릴기가 직접 규소 원자에 결합해 있는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    분자 중에 히드로실릴기를 평균해서 3개 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산 변성체.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 다면체 구조 폴리실록산 변성체(A)를 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  14. 제13항에 있어서,
    1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 화합물(B)을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  15. 제14항에 있어서,
    화합물(B)이, 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  16. 제15항에 있어서,
    1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 갖는 폴리실록산(B1)이, 아릴기를 1개 이상 갖는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  17. 제14항에 있어서,
    화합물(B)이, 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기 화합물로서
    Figure pct00014

    (식 중 R9는 탄소수 1∼50의 1가의 유기기 또는 수소 원자를 나타내며, 각각의 R9는 상이해도 동일해도 됨), 또한 1분자 중에 알케닐기를 2개 이상 함유하는 유기 화합물(B2)
    인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  18. 제17항에 있어서,
    유기 화합물(B2)이, 수평균 분자량 900 미만인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    유기 화합물(B2)이, 트리알릴이소시아누레이트, 디알릴이소시아누레이트, 디알릴모노메틸이소시아누레이트, 디알릴모노글리시딜이소시아누레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종류의 화합물인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  20. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    유기 화합물(B2)이, 디알릴모노메틸이소시아누레이트인 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  21. 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
    다면체 구조 폴리실록산계 조성물이, 온도 23℃에서, 1Pa·s 이상의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  22. 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    히드로실릴화 촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  23. 제13항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    경화 지연제를 함유하는 것을 특징으로 하는 다면체 구조 폴리실록산계 조성물.
  24. 제13항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 경화시켜서 이루어지는 경화물.
  25. 제13항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 다면체 구조 폴리실록산계 조성물을 봉지제(封止劑)로서 사용해서 이루어지는 광반도체 디바이스.
KR1020137007798A 2010-09-22 2011-09-13 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스 KR101886173B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-211887 2010-09-22
JP2010211887 2010-09-22
JP2011064641 2011-03-23
JPJP-P-2011-064641 2011-03-23
PCT/JP2011/070854 WO2012039322A1 (ja) 2010-09-22 2011-09-13 多面体構造ポリシロキサン変性体、多面体構造ポリシロキサン系組成物、硬化物、及び、光半導体デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130097197A true KR20130097197A (ko) 2013-09-02
KR101886173B1 KR101886173B1 (ko) 2018-08-08

Family

ID=45873810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137007798A KR101886173B1 (ko) 2010-09-22 2011-09-13 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9698320B2 (ko)
EP (1) EP2620441B1 (ko)
JP (1) JP5784618B2 (ko)
KR (1) KR101886173B1 (ko)
CN (1) CN103119048B (ko)
TW (2) TWI526477B (ko)
WO (1) WO2012039322A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150107873A (ko) * 2013-02-14 2015-09-23 주식회사 다이셀 경화성 수지 조성물, 경화물, 밀봉재 및 반도체 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5933932B2 (ja) * 2011-05-06 2016-06-15 株式会社カネカ 硬化性組成物
JP6075939B2 (ja) * 2011-09-14 2017-02-08 株式会社カネカ ポリシロキサン系組成物
EP2796510A4 (en) * 2011-12-22 2015-08-05 Daicel Corp CURABLE RESIN COMPOSITION AND CURABLE PRODUCT BASED ON THE SAME
JP5965195B2 (ja) * 2012-04-11 2016-08-03 株式会社カネカ ポリシロキサン系組成物
JP5941336B2 (ja) * 2012-05-14 2016-06-29 株式会社カネカ ポリシロキサン系組成物、および該組成物を封止材として用いてなる光半導体装置
KR101545111B1 (ko) * 2012-05-25 2015-08-17 주식회사 다이셀 경화성 수지 조성물 및 그의 경화물, 밀봉제, 및 광반도체 장치
JP6298230B2 (ja) * 2012-08-07 2018-03-20 株式会社カネカ 蛍光体含有シリコーン系組成物および該組成物で封止されてなる発光装置
JP2014055238A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止用ポリシロキサン系組成物
JP2014062200A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止用ポリシロキサン系組成物
US9428605B2 (en) * 2012-11-08 2016-08-30 Neo Sitech Llc Organic-inorganic hybrid material compositions and polymer composites
JP6564159B2 (ja) * 2012-12-07 2019-08-21 株式会社カネカ 半導体発光装置
CN104583326B (zh) * 2013-08-01 2016-03-02 株式会社大赛璐 固化性树脂组合物及使用其的半导体装置
CN104583325B (zh) * 2013-08-02 2016-11-09 株式会社大赛璐 固化性树脂组合物及使用其的半导体装置
KR101631048B1 (ko) * 2013-08-06 2016-06-15 주식회사 다이셀 경화성 수지 조성물 및 그것을 사용한 반도체 장치
WO2015106438A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Henkel (China) Company Limited Curable composition for optical semiconductor devices
JP6474801B2 (ja) * 2014-06-06 2019-02-27 株式会社ダイセル 硬化性樹脂組成物、硬化物、封止材、及び半導体装置
CN105623271A (zh) * 2014-11-20 2016-06-01 爱克工业株式会社 加成反应固化型树脂组合物以及光半导体装置
MY193335A (en) * 2017-03-22 2022-10-05 Denka Company Ltd Resin composition for circuit board, and metal-base circuit board in which same is used
JP2017160453A (ja) * 2017-05-26 2017-09-14 株式会社カネカ 蛍光体含有シリコーン系組成物および該組成物で封止されてなる発光装置
JP7037765B2 (ja) * 2018-06-07 2022-03-17 大日本印刷株式会社 バリアフィルムおよび包装材料
CN114196026B (zh) * 2022-01-12 2023-05-30 万华化学集团股份有限公司 一种耐高温硅树脂中间体及其制备方法与应用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005290352A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Asahi Kasei Corp カゴ状シルセスキオキサン構造を有する化合物
JP2007169427A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Jsr Corp 光半導体封止用組成物、その製造法および光半導体封止材
WO2008010545A1 (en) 2006-07-21 2008-01-24 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member
JP2008163260A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Showa Denko Kk 発光素子封止用樹脂組成物およびランプ
JP2009206124A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｌｅｄ装置の封止方法及びｌｅｄ装置
WO2009116431A1 (ja) * 2008-03-18 2009-09-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
KR20100095554A (ko) * 2007-11-09 2010-08-31 가부시키가이샤 가네카 환상 폴리오르가노실록산의 제조 방법, 경화제, 경화성 조성물 및 그 경화물
KR20100108532A (ko) * 2007-12-10 2010-10-07 카네카 코포레이션 알칼리 현상성을 갖는 경화성 조성물 및 그것을 사용한 절연성 박막 및 박막 트랜지스터

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3159601A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes
US3159662A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3220972A (en) 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US4618657A (en) 1985-03-11 1986-10-21 Desoto, Inc. Heat curable polysiloxane release coatings which stratify when baked and paper coated therewith
EP0348705A3 (de) * 1988-06-29 1991-02-27 Akademie der Wissenschaften der DDR Organophile Doppelringkieselsäurederivate mit käfigartigen Strukturen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE3837397A1 (de) 1988-11-03 1990-05-10 Wacker Chemie Gmbh Neue organooligosilsesquioxane
US5160787A (en) 1989-01-12 1992-11-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Electrical laminate having ability to absorb ultraviolet rays
DE4316101A1 (de) 1993-05-13 1994-11-17 Wacker Chemie Gmbh Organosiliciumverbindungen mit käfigartiger Struktur
JPH11124502A (ja) 1997-08-21 1999-05-11 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 封止材料用硬化性組成物
JPH1171462A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Toshiba Silicone Co Ltd 新規な含ケイ素重合体
JP3511127B2 (ja) 1997-11-05 2004-03-29 信越化学工業株式会社 接着性シリコーン組成物
US5939576A (en) 1998-01-05 1999-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of functionalizing polycyclic silicones and the compounds so formed
JP2979145B1 (ja) 1998-11-18 1999-11-15 工業技術院長 新型含シルセスキオキサンポリマー及びその製造方法
JP2000265066A (ja) 1999-03-17 2000-09-26 Dow Corning Asia Ltd 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体及び同共重合体からなる絶縁材料
US6252030B1 (en) 1999-03-17 2001-06-26 Dow Corning Asia, Ltd. Hydrogenated octasilsesquioxane-vinyl group-containing copolymer and method for manufacture
US7553904B2 (en) 1999-08-04 2009-06-30 Hybrid Plastics, Inc. High use temperature nanocomposite resins
JP4615214B2 (ja) 2000-10-27 2011-01-19 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン 有機／無機ナノ複合体用の十分に規定されたナノサイズの構築ブロック
US6623711B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Siloxane-based resin and method for forming insulating film between interconnect layers in semiconductor devices by using the same
JP2002363414A (ja) 2001-06-12 2002-12-18 Asahi Kasei Corp 籠状シルセスキオキサン含有組成物
JP4381636B2 (ja) 2001-11-05 2009-12-09 新日鐵化学株式会社 シリコーン樹脂組成物及びシリコーン樹脂成形体
WO2003042292A2 (de) 2001-11-17 2003-05-22 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Polyolefinzusammensetzungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung dieser zusammensetzungen
WO2004011525A1 (en) 2002-07-30 2004-02-05 University Of Connecticut Nonionic telechelic polymers incorporating polyhedral oligosilsesquioxane (poss) and uses thereof
AU2003263308A1 (en) 2002-09-04 2004-03-29 Johnson Matthey Plc Catalysts
AU2003261916A1 (en) 2002-09-13 2004-04-30 Chisso Corporation Silsesquioxane derivative and process for producing the same
JP4256756B2 (ja) 2002-09-30 2009-04-22 新日鐵化学株式会社 官能基を有するかご型シルセスキオキサン樹脂の製造方法
JP4142385B2 (ja) 2002-10-03 2008-09-03 新日鐵化学株式会社 シリコーン樹脂組成物及びシリコーン樹脂成形体
JP2004175887A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化性組成物
DE10258126B3 (de) 2002-12-12 2004-01-29 Wacker-Chemie Gmbh Alkinolgruppen aufweisende Organosiliciumverbindungen sowie diese enthaltend vernetzbare Massen und daraus herstellbare Formkörper
JP4734832B2 (ja) 2003-05-14 2011-07-27 ナガセケムテックス株式会社 光素子用封止材
JP2005023256A (ja) 2003-07-04 2005-01-27 Toagosei Co Ltd カチオン硬化性組成物
DE112005000177T5 (de) 2004-01-20 2006-12-28 World Properties, Inc., Lincolnwood Schaltungsmaterialien, Schaltungen, Mehrschichtschaltungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4742216B2 (ja) 2004-07-08 2011-08-10 Ｊｎｃ株式会社 ケイ素化合物
JP4645803B2 (ja) 2004-10-05 2011-03-09 信越化学工業株式会社 かご状オリゴシロキサン構造を有する一官能性モノマー及びその製造方法
JP2006131850A (ja) 2004-11-09 2006-05-25 Toagosei Co Ltd 熱硬化性組成物
US7915369B2 (en) * 2004-12-07 2011-03-29 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Ultraviolet transmissive polyhedral silsesquioxane polymers
JP2006265514A (ja) 2005-02-25 2006-10-05 Asahi Kasei Corp 共重合体およびその製造方法
JP2006233155A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Chisso Corp 平坦化膜用塗布液および平坦化膜
JP2006269402A (ja) 2005-02-28 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 絶縁材料形成用組成物および絶縁膜
JP2006299150A (ja) 2005-04-22 2006-11-02 Asahi Kasei Corp 封止材用組成物及び光学デバイス
JP2006299149A (ja) 2005-04-22 2006-11-02 Asahi Kasei Corp 封止材用組成物及び光学デバイス
JP4826160B2 (ja) 2005-07-28 2011-11-30 ナガセケムテックス株式会社 光素子封止用樹脂組成物
RU2008110068A (ru) 2005-08-16 2009-09-27 Хайбрид Плэстикс, Инк. (Us) Получение олигомерных полиэдрических силсесквиоксан силанолов и силоксидов, функционализированных олефиновыми группами
KR101156426B1 (ko) 2005-08-25 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 실세스퀴옥산계 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자
JP2007091935A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Fujifilm Corp ポリマー、膜形成用組成物、絶縁膜およびその製造方法
US7576140B2 (en) * 2005-10-18 2009-08-18 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Method of improving abrasion resistance of plastic article and article produced thereby
TWI361205B (en) * 2006-10-16 2012-04-01 Rohm & Haas Heat stable aryl polysiloxane compositions
CN101548398A (zh) 2006-11-20 2009-09-30 3M创新有限公司 用于led光源的光学粘合组合物
WO2008066116A1 (en) 2006-12-01 2008-06-05 Kaneka Corporation Polysiloxane composition
EP3042909B1 (en) 2007-04-17 2018-08-01 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
JP2008291137A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Kaneka Corp 硬化性組成物
JP2009173759A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Kaneka Corp 多面体構造ポリシロキサン変性体および該変性体を用いた組成物、硬化物
JP5149022B2 (ja) 2008-01-25 2013-02-20 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP2009298930A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Kaneka Corp ポリシロキサン系組成物
JP2010031254A (ja) 2008-06-27 2010-02-12 Showa Denko Kk ヒドロシリル化反応物およびその製造方法、該ヒドロシリル化反応物を含有する転写材料用硬化性組成物、ならびに該ヒドロシリル化反応物または該転写材料用硬化性組成物を用いた転写層の製造方法
JP5329904B2 (ja) 2008-10-16 2013-10-30 株式会社カネカ ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる硬化物
JP2010095618A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Kaneka Corp ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる硬化物
JP2010254927A (ja) 2009-04-28 2010-11-11 Kaneka Corp 光硬化可能な組成物
JP2010265410A (ja) 2009-05-15 2010-11-25 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止剤
JP5571329B2 (ja) 2009-06-24 2014-08-13 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体、及び該変性体を含有する組成物。
JP2011016968A (ja) 2009-07-10 2011-01-27 Kaneka Corp 多面体構造ポリシロキサン変性体、その製造方法および該変性体を含む組成物
JP2011042732A (ja) 2009-08-20 2011-03-03 Kaneka Corp Ｌｅｄ封止剤
JP5616042B2 (ja) 2009-09-25 2014-10-29 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン系変性体及び組成物
KR101774306B1 (ko) 2010-05-28 2017-09-04 가부시키가이샤 가네카 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및, 광학 디바이스
JP5877081B2 (ja) 2011-02-08 2016-03-02 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を用いてなる封止剤、および光学デバイス

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005290352A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Asahi Kasei Corp カゴ状シルセスキオキサン構造を有する化合物
JP2007169427A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Jsr Corp 光半導体封止用組成物、その製造法および光半導体封止材
WO2008010545A1 (en) 2006-07-21 2008-01-24 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member
JP2008163260A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Showa Denko Kk 発光素子封止用樹脂組成物およびランプ
KR20100095554A (ko) * 2007-11-09 2010-08-31 가부시키가이샤 가네카 환상 폴리오르가노실록산의 제조 방법, 경화제, 경화성 조성물 및 그 경화물
KR20100108532A (ko) * 2007-12-10 2010-10-07 카네카 코포레이션 알칼리 현상성을 갖는 경화성 조성물 및 그것을 사용한 절연성 박막 및 박막 트랜지스터
JP2009206124A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｌｅｄ装置の封止方法及びｌｅｄ装置
WO2009116431A1 (ja) * 2008-03-18 2009-09-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
JP2009259370A (ja) * 2008-03-18 2009-11-05 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150107873A (ko) * 2013-02-14 2015-09-23 주식회사 다이셀 경화성 수지 조성물, 경화물, 밀봉재 및 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201221556A (en) 2012-06-01
EP2620441A1 (en) 2013-07-31
CN103119048B (zh) 2016-06-01
US20130237663A1 (en) 2013-09-12
CN103119048A (zh) 2013-05-22
TW201612217A (en) 2016-04-01
TWI526477B (zh) 2016-03-21
JP5784618B2 (ja) 2015-09-24
EP2620441B1 (en) 2018-10-31
US9698320B2 (en) 2017-07-04
WO2012039322A1 (ja) 2012-03-29
JPWO2012039322A1 (ja) 2014-02-03
KR101886173B1 (ko) 2018-08-08
TWI567114B (zh) 2017-01-21
EP2620441A4 (en) 2014-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101886173B1 (ko) 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스
KR101774306B1 (ko) 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및, 광학 디바이스
JP5643009B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物を用いた光学デバイス
JP5965195B2 (ja) ポリシロキサン系組成物
US20130192491A1 (en) Modified polyhedral polysiloxane, composition containing the modified polyhedral polysiloxane, and cured product obtained by curing the composition
JP2012201706A (ja) ポリシロキサン系組成物
JP2011246652A (ja) ポリシロキサン系組成物
JP5715828B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物
JP2013209565A (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体を含有するポリシロキサン系組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP5829466B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP6161252B2 (ja) ポリオルガノシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP5620151B2 (ja) 光学デバイス
JP2011016968A (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、その製造方法および該変性体を含む組成物
JP5912352B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP5710998B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP5819089B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP5919361B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物
JP5923331B2 (ja) ポリシロキサン系組成物、該組成物を用いてなる封止剤、および光学デバイス
JP5695372B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物
JP5873677B2 (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP2012224744A (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、硬化物、および該組成物を用いた光学デバイス
JP6075939B2 (ja) ポリシロキサン系組成物
JP2013194184A (ja) 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体の製造方法、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
JP2019127505A (ja) ポリシロキサン系組成物。
JP2013071944A (ja) オルガノポリシロキサン系組成物からなる光素子封止剤

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant