TWI467772B - 用以邊緣電場切換模式液晶顯示器之陣列基板及其製造方法 - Google Patents

用以邊緣電場切換模式液晶顯示器之陣列基板及其製造方法 Download PDF

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Seok Woo Lee
Kum Mi Oh
Dong Cheon Shin
In Hyuk Song
Han Seok Lee
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Description

用以邊緣電場切換模式液晶顯示器之陣列基板及其製造方法
本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其係關於一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板及其一製造方法。
至到最近，顯示裝置往往使用陰極射線管(CRT)。目前，作為陰極射線管(CRT)之一取代，各種類型的平板顯示裝置，諸如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)、以及電發光顯示器(LED)正得到眾多努力和研究。在這些平板顯示裝置中，液晶顯示器具備諸如高解析度、輕的重量、薄的外形、緊湊的尺寸、以及低電壓電源需求之眾多優點，通常，一液晶顯示器包含間隔開並相對之兩基板，並在兩基板之間插入有一液晶材料。兩基板包含相對之兩電極，進而應用於電極之間之一電壓係感應交叉於液晶材料之一電場。在液晶材料中液晶分子的配向依照感應電場的強度而改變成感應電場的方向，從而改變液晶顯示器的透光率。因此，液晶顯示器透過感應電場的強度之改變而顯示影像。
但是，透過位於兩基板之上的兩電極之間的感應電場操作之液晶顯示器並不具備寬視角性能。為了解決這個問題，係提出了一面內切換(IPS)模式液晶顯示器。
「第1圖」係為一面內切換模式液晶顯示器之一截面示意圖。
參考「第1圖」，面內切換模式液晶顯示器包含：作為一陣列基板之一下基板10、作為一彩色濾光基板之一上基板9、以及位於上基板9和下基板10之間之一液晶層11。
一共用電極17以及一畫素電極30形成在下基板10上，並且液晶顯示層11由透過共用電極17和畫素電極30所感應之一面內電場L所操作。
「第2A圖」和「第2B圖」係為顯示面內切換模式液晶顯示器分別在開和關狀態下之操作之示意圖。
如「第2A圖」所示，其顯示在開狀態下液晶分子之配向，位於共用電極17和畫素電極30上的液晶分子11a之配向如最初一樣大體上保持不變，而位於共用電極17和畫素電極30之間的液晶分子11b的配向沿著透過施加電壓於共用電極17和畫素電極30所感應之面內電場L的方向改變。也就是說，既然液晶分子可以由面內電場L所操作，因而面內切換模式液晶顯示器能夠具有寬視角。
因此，當從前側觀看面內切換模式液晶顯示器時，在上/下/左/右方向直到大約80度至大約85度的角度影像係正常可視的。
如「第2B圖」所示，其顯示在關狀態下液晶分子之配向，既然面內電場L在共用電極17和畫素電極30之間沒有被感應，因而液晶分子11的配向大體上保持不變的。
面內切換模式液晶顯示器係具有寬闊的視角之優勢，但是具有低開口率和低透光率之缺點。
為了解決面內切換模式液晶顯示器的問題，一邊緣電場切換(FFS)模式液晶顯示器係建議由一邊緣電場所操作。
「第3圖」係為依照習知技術之一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一截面視圖。
如「第3圖」所示，在邊緣電場切換模式液晶顯示器之一基板31上，一擋光層33對應於一切換區域TrA形成，其中切換區域TrA中形成有一薄膜電晶體Tr。一緩衝層38形成在擋光層33之上。
由多晶矽構成之一半導體層50形成在緩衝層38之上的切換區域TrA中。半導體層50包含一主動層50a和一歐姆接觸層50b。
一閘絕緣層55形成在半導體層50之上，以及一閘電極62係位於閘絕緣層55上的切換區域TrA里。一夾層絕緣薄膜70形成在閘絕緣層55上並包含一第一半導體接觸孔73a和一第二半導體接觸孔73b。源極78和汲極80形成在夾層絕緣薄膜70之上，並分別透過第一半導體接觸孔73a和第二半導體接觸孔73b與半導體層50相接觸。
半導體層50、閘絕緣層55、閘電極62、夾層絕緣薄膜70以及源極78和汲極80形成薄膜電晶體Tr。
一第一鈍化層85形成在源極78和汲極80上，以及一共用電極90形成在第一鈍化層85上並包含對應於切換區域TrA之一第一開口op1。
一第二鈍化層92形成在共用電極90之上，第一鈍化層85和第二鈍化層92係具有暴露汲極80之一汲極接觸孔93。
一畫素電極99形成在第二鈍化層上的每個畫素區域P中，透過汲極接觸孔93與汲極80相接觸，並包含每個為一棒狀之複數個第二開口op2。
邊緣電場切換模式液晶顯示器之陣列基板係由包含用於半導體層50之一摻雜製程在內的9個掩膜製程而製成。
換句話說，陣列基板透過形成擋光層33之一製程、形成多晶矽半導體層50之一製程、形成一閘線(未在圖中示出)和閘電極62之一製程、形成包含有半導體接觸孔73a和半導體接觸孔73b的夾層絕緣薄膜70之一製程、形成一資料線(未在圖中示出)以及源極78和汲極80之一製程、形成第一鈍化層85之一製程、形成包含第一開口op1的共用電極90之一製程、形成第二鈍化層92之一製程、以及形成包含第二開口op2的畫素電極99之一製程而製成。
每個掩膜製程係包含多個單元製程，諸如形成即將被圖案化之一材料層於一基板上，形成一光刻膠層至材料層上，使用一光掩膜曝光光刻膠層，顯影曝光的光刻膠層，使用顯影後保留的一光刻膠圖案蚀刻材料層，以及剝離光刻膠層。
為了執行每個掩膜製程，對於每個單元製程需要一單元製程裝置以及一材料，以及進一步，每個單元製程需要一時間來完成。
相應地，掩膜製程的增加伴隨著生產成本和時間之增加。因此，掩膜製程之減少需要降低生產成本和時間。
因此，本發明係關於一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板以及其一製造方法，其實質上由於習技術的局限性和缺陷所帶來的一個或多個問題。
本發明之一優勢係提供用以一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板以及能夠提高生產效率之一製造方法。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述。一種製造邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法包含：形成一薄膜電晶體於一基板上之一畫素區域中；形成一第一鈍化層於薄膜電晶體上；形成一共用電極於第一鈍化層上；形成一第二鈍化層於該共用電極上；形成一附加絕緣層於第二鈍化層上並具有一第一厚度；形成一第一光刻膠圖案和一第二光刻膠圖案於附加絕緣層上並分別具有一第二厚度和一第三厚度，第二厚度大於第三厚度；使用第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案做為一蝕刻掩膜蝕刻附加絕緣層、第二鈍化層以及第一鈍化層，以形成暴露薄膜電晶體之一汲極之一汲極接觸孔；執行一灰化以去除第二光刻膠圖案並暴露位於該第二光刻膠圖案下的附加絕緣層；執行一干性蝕刻以去除未由一光刻膠圖案覆蓋之附加絕緣層並暴露第一鈍化層以及形成位於第一光刻膠圖案之下的一絕緣圖案，絕緣圖案和第一光刻膠層形成一底切狀；形成一透明導電材料層於具有第一光刻圖案之基底上並具有小於第一厚度之一第四厚度；以及執行一剝離製程以去除一起位於其上的第一光刻膠圖案和透明導電材料層並形成一畫素電極作為透明導電材料層之一殘留部份。
在另一方面，一種邊緣電場切換模式液晶顯示器之陣列基板包含：一薄膜電晶體，位於一基板上之一畫素區域中；一第一鈍化層，位於薄膜電晶體上；一共用電極，位於第一鈍化層上；一第二鈍化層，位於共用電極上；一絕緣圖案，係一棒狀，位於第二鈍化層上並具有一第一厚度；以及一畫素電極，位於第二鈍化層上，並包含充滿絕緣圖案之一開口，其透過形成在一第一鈍化層和一第二鈍化層中之一汲極接觸孔接觸薄膜電晶體之一汲極。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將參考附圖中闡述之本發明之實施例作出詳細描述。
「第4A圖」至「第4R圖」係為依照本發明之一實施例之製造一液晶顯示器的一陣列基板之一方法之截面視圖。在圖中，在一畫素區域P中一薄膜電晶體Tr所形成的一區域，被定義為一切換區域TrA。
如「第4A圖」所示，具有一光學密度為大約4或者更多之一不透明金屬材料或一黑色樹脂係沉積在一基板101之上，並在一掩膜製程里進行圖案化以形成一擋光層103。
當使用包含一半導體層(「第4R圖」中120)之一頂閘型薄膜電晶體Tr時，從一背光單元發射的光線係入射在半導體層120上，並引起一光漏電流，於是薄膜電晶體Tr的性能因此而削弱。為了避免這種情況，擋光層103係被採用。但是，擋光層103可以被釋放。
然後，諸如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)之一無機絕緣材料沉積在具有擋光層103之基板101之上以形成一緩衝層108。當一非晶矽被結晶成一多晶矽時，由於用以結晶之一鐳射照射而產生的熱量，諸如鉀離子、鈉離子以及諸如此類存在基板101內部的鹼離子可以發射出，並且這些離子引起多晶矽之性能。為了避免這個問題，緩衝層108係採用。而且，緩衝層108能夠作用以使半導體層120與由一金屬製成的擋光層103電隔離。
當擋光層103由一金屬製成時，優選形成緩衝層108。但是，當擋光層103係由諸如除一金屬外的黑色樹脂之一材料構成或者它被省略時，取決於基板101之一材料緩衝層108可以被省略。
如「第4B圖」所示，一本征非晶矽沉積在一緩衝層108之上以形成一本征非晶矽層，然後結晶成一本征多晶矽層119。
結晶方法可以是例如在大約600攝氏度至大約800攝氏度的一條件下使用一熱處理之一熱結晶方法、在大約600攝氏度至大約700攝氏度的一條件下使用一交變磁場結晶裝置之一交變磁場結晶方法、使用一鐳射之一準分子鐳射熱處理(ELA)方法、或者一连续性侧向长晶(SLS)方法。
如「第4C圖」所示，採用一掩膜製程對本多晶矽層119圖案化以對應於擋光層103在切換區域TrA里形成半導體層120。
在此實施例中，結晶係在本征非晶矽層形成在基板101之全部表面上之情況下執行。作為另外一種選擇，可以首先對本征非晶矽層進行圖案化，以形成一本征非晶矽圖案於切換區域TrA中，然後對本征非晶矽圖案進行結晶以形成本多晶矽之一半導體層120。
如「第4D圖」所示，諸如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)之一無機絕緣材料沉積在具有半導體層120之基板101之上以形成一閘絕緣層125。然後，包含鋁(Al)、鋁合金(比如AlNd)、銅(Cu)、銅合金、鉬(Mo)以及鉬鈦合金(MoTi)的金屬中一種或多種沉積在閘絕緣層125之上，以形成具有一單層結構或多層結構之一第一金屬層。
然後，採用一掩膜製程圖案化第一金屬層，沿著一方向之一閘線(未在圖中示出)、以及位於切換區域TrA里並連接至閘線之一閘電極132係形成。閘電極132對應於半導體層120之一中心部份。
如「第4E圖」所示，對基板101執行摻雜n型或P型雜質。因此，摻雜的歐姆接觸層120b形成在沒有被閘電極132所覆蓋之半導體層120的兩側區域之每側上。被閘電極132所覆蓋以及非摻雜之半導體層120的中心部份作為本征多晶矽之一主動層。因此，半導體層120包含位於中心區域之主動層120a和位於兩側區域之歐姆接觸層120b。
在實施例中，具有主動層120a和歐姆接觸層120b之半導體層120之示例如圖所示。
或者，在「第5A圖」和「第5B圖」示出的另一實施例中，當一歐姆接觸層120b被摻雜n型雜質時，一光刻膠圖案390形成在一閘電極132之上並具有略大於閘電極132之一寬度。採用光刻膠圖案390作為一摻雜掩膜板執行具有一第一劑量濃度的n型雜質之一第一摻雜，以形成歐姆接觸層120b。然後，去除光刻膠圖案390，接著執行具有少於第一劑量濃度之一第二劑量濃度的n型雜質之一第二摻雜，以在一主動層120a和歐姆接觸層120b之間形成一輕摻雜汲極(LDD)層120c。在進一步形成輕摻雜汲極層120c的情況下，需要增加並執行一個掩膜製程。
如「第4F圖」所示，諸如氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)之一無機絕緣材料，或者諸如苯丙环丁烯(BCB)或光亞克力之一有機絕緣材料沉積在具有閘電極132之基板101之上，以形成一夾層絕緣薄膜140。對夾層絕緣薄膜140圖案化以形成分別暴露歐姆接觸層120b之一第一半導體接觸孔143a和一第二半導體接觸孔143b。
如「第4G圖」所示，包括諸如鋁(Al)、鋁合金(比如AlNd)、銅(Cu)、銅合金、鉬(Mo)以及鉬鈦合金(MoTi)的金屬中一種或多種係沉積在閘絕緣層125上以形成具有單層或多層結構之一第二金屬層。透過一掩膜製程對第二金屬層圖案化以形成源極148和汲極150、以及一資料線145，其中源極148和汲極150透過第一半導體接觸孔143a和第二半導體接觸孔143b分別與歐姆接觸層120b相接觸，以及資料線145連接至源極148並交叉於閘線以形成畫素電極P。
半導體層120、閘絕緣層125、閘電極132、夾層絕緣薄膜140以及源極148和汲極150形成薄膜電晶體Tr。
資料線145在平面上可以具有一直線形或一之字形。在為之字形的情況下，資料線145對應於畫素電極P之一中心部份具有一彎曲部，其中彎曲部關於畫素電極P之中心部份對稱，這樣多域能夠形成在畫素區域P中。
在實施例中，頂閘型薄膜電晶體120作為一示例而示出。另外一種情況，在「第6圖」所示之另一實施例中，可以使用一底閘型薄膜電晶體Tr。更詳細地，底閘型薄膜電晶體Tr包含：位於一基板201之一閘電極205、一閘絕緣層210、包含本征非晶矽之一主動層220a和摻雜非晶矽之一歐姆接觸層220b之一半導體層220、以及源極233和汲極236。在這種情況下，一閘線(未在圖中示出)係在與形成閘電極205之相同製程中而形成，以及一資料線(未在圖中示出)係在與形成源極233和汲極236之相同製程中而形成。薄膜電晶體Tr不需要一擋光層和一摻雜製程並能夠透過3個掩膜製程而形成。
如「第4H圖」所示，諸如苯丙环丁烯(BCB)或光亞克力之一有機絕緣材料沉積在具有源極148和汲極150之一基板101之上，以形成具有一大體平滑表面之一第一鈍化層155。
儘管未在圖中示出，對第一鈍化層155圖案化，進而位於非顯示區域的閘線和資料線145之末端暴露出。非顯示區域位於包含複數個畫素區域P之一顯示區域的外側。
進一步地，去除對應於非顯示區域的一部份之第一鈍化層155的一部份係為了提高其間具有一密封圖案之陣列底板與一彩色濾光基板之間的粘結力，，並阻止由於密封圖案與一有機材料的粘結力優於與一無機材料的粘結力而被撕破。
如「第4I圖」所示，諸如氧化銦鈦(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之一透明導電材料形成在第一鈍化層155上以形成一第一透明導電材料層，並採用一掩膜製程對透明導電材料圖案化以形成包含暴露切換區域TrA的一第一開口op1之一共用電極160。
可以去除位於非顯示區域的共用電極160的一部份。儘管未在圖中所示出，共用電極160電連接於至一共用線，其中共用線係在形成閘線或資料線145的相同製程中形成。
在實施例中，對應於切換區域TrA具有第一開口op1之共用電極160作為一例子而示出。作為另外一種選擇，共用電極160可以單獨形成在每個畫素區域P中，那麼在這種情況下，共用電極160可以透過一連接圖案相互電連接，其中連接圖案係形成在相鄰畫素區域P之間的一分界部份並在與形成共用電極160之相同製程中形成。
如「第4J圖」所示，具有共用電極160之基板101設置在一化學氣相沉積設備之一真空室中，然後真空室195係處於一第一條件下，即一內部溫度為大約210攝氏度到大約230攝氏度，一壓力係為大約1000mT到大約1200mT，一功率係為大約700W到大約900W，氨氣(NH3)和硅烷(SiH4)在反應室195的氣體流量速率係為大約580sccm至大約700sccm和大約90sccm至大約120sccm。相應地，由氮化硅製成的一第二鈍化層162形成在共用電極160上。
然後，如「第4K圖」所示，反應室195的上述條件改變為一第二條件，即一內部溫度為大約210攝氏度到大約230攝氏度，一壓力係為大約1700mT到大約1900mT，一功率係為大約1200W到大約1400W，氨氣(NH3)和硅烷(SiH4)在反應室195的氣體流量速率係為大約280sccm至大約360sccm和大約140sccm至大約180sccm。相應地，由氮化硅製成的一附加絕緣層166形成在第二鈍化層162上。
第二鈍化層162和附加絕緣層166形成在相同的反應室195中，並由相同材料(比如氮化硅)構成。但是，第二鈍化層162和附加絕緣層166在不同的條件下形成。換句話說，形成附加絕緣層166的條件相比形成第二鈍化層162係具有較大的壓力和功率、一較小的氨氣(NH3)氣體流量速率、一較大的硅烷(SiH4)氣體流量速率。因此，在第二鈍化層162和附加絕緣層166兩層之間分子密度或其他類似之一差異產生。由此，當進行滿足一特殊條件之一干性蝕刻製程時，在第二鈍化層162和附加絕緣層166兩層之間的刻蝕速率產生一差異。此特殊條件在下文說明。
如「第4L圖」所示，一光刻膠層190形成在附加絕緣層166上。在實施例中，使用一負型光刻膠之光刻膠層190作為一例子而示出，其中負型係具有暴露至光的一部份保留下來之一特性。作為另外一種選擇，可以使用一正型光刻膠。
一光掩膜199位於光刻膠層190之上。光掩膜199包含：一傳輸部TA，其用以傳輸入射在其上大體上100%的光線；一阻擋部BA，其用以阻擋入射在其上的光線；一半傳輸部HTA，其用以傳輸入射在其上大體上10%至90%的光線。一紫外(UV)光線可以用以照射。
阻擋部BA可以對應於汲極150。在形成畫素電極之區域中除了畫素電極170之第二開口(圖4R中op2)所在之區域外，半傳輸部HTA可以對應於一畫素電極(圖4R中170)之梳狀部形成所在之一區域，。
如「第4M圖」所示，曝光的光刻膠層190顯影以形成具有一第一厚度之一第一光刻膠圖案190a和具有小於第一厚度的一第二厚度之一第二光刻膠圖案190b。去除對應於汲極150之光刻膠層190的一部份，於是對應於光刻膠層190的去除部份之附加絕緣層166的一部份暴露出。
如「第4N圖」所示，使用第一光刻膠圖案190a和第一光刻膠圖案190b作為一蚀刻掩膜，對附加絕緣層166、第二鈍化層162以及第一鈍化層155依次進行蚀刻以形成暴露汲極150之一汲極接觸孔163。
如「第4O圖」所示，在形成汲極接觸孔163後，對基板101執行一灰化製程以去除第二光刻膠圖案190b，並暴露位於第二光刻膠圖案190b之下方之附加絕緣層166。在灰化製程中，第一光刻膠圖案190a部份被去除而降低了厚度，卻保留在基板101上。
如「第4P圖」所示，基板101設置在一干性蝕刻裝置之一反應室197中。反應室197位於一條件下，即一內部壓力係為大約140mT至大約160mT，一功率係為大約270W至大約330W，以及用以蝕刻附加鈍化層166和第二鈍化層162之六氟化硫(SF6)、氧氣(O2)、氦氣(He)以及氯氣(Cl2)的氣體流量速率分別係為大約100sccm至大約150sccm、大約30sccm、大約30sccm以及大約30sccm。在這種條件下，採用灰化的第一光刻膠圖案190a作為一蝕刻掩膜來蝕刻附加絕緣層。
蝕刻可以係為各向同性蝕刻，並且附加絕緣層166以快於第二鈍化層162的速率而進行蝕刻。在這種情況下，透過適當調整一各向同性時間，在第一光刻膠圖案190a兩者之間暴露的附加絕緣層166被去除，以及位於下方的第二鈍化層162係暴露出。進一步地，由第一光刻膠圖案190a覆蓋並殘留在第二鈍化層162上之附加絕緣層166具有小於第一光刻膠圖案190a的寬度之一寬度，其形成一底切狀，底切狀的附加絕緣層166變成一絕緣圖案167。
由於對附加絕緣層166各向同性刻蝕而造成第二絕緣層162部份被刻蝕，於是汲極接觸孔163之一直徑因此而增加。
如「第4Q圖」所示，諸如氧化銦鈦(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之透明導電材料沉積在具有第一光刻膠圖案190a之基板101上以形成一第二透明導電材料層171。
第二透明導電材料層171可以具有小於絕緣層167之一厚度。由於其底切形狀，第一光刻膠圖案190a的側邊部份在截面方向與第二鈍化層162間隔開，這樣位於第一光刻圖案190a上的第二透明導電材料層171的一部份和位於第二鈍化層162上的第二透明導電材料層171的另一部份被斷開。
因此，第二透明導電材料層171位於第二鈍化層162上並透過汲極接觸孔163與汲極150相接觸的部份在每個畫素區域P中形成一畫素電極170。
如「第4R圖」所示，具有第二透明導電材料層171之基板101係暴露至與第一光刻圖案190a反應並溶解第一光刻圖案190a之一顯影液中。因此，第一光刻膠圖案190a從基板去除，這可以稱為一剝離製程(lift-off process)。換句話說，當第一光刻膠圖案190a被去除時，其上的第二透明導電材料層171連同第一光刻膠圖案190a一起被去除。因此，在第二鈍化層162之上，絕緣圖案167和畫素電極170最終保留。由於絕緣圖案167和第一光刻膠圖案190a形成底切形狀以及第二透明導電材料層171係具有小於絕緣層167的厚度之結構，顯影液能夠輕易透入第一光刻膠圖案190a之一較低部份，因此剥离製程能夠有效達成。
絕緣層167形成所在的部份，係形成有畫素電極170的第二開口op2。換句話說，絕緣層167看起來好像它形成在畫素電極170的第二開口op2中。
在這種情況下，畫素電極170，即其中的梳形部，以及第二開口op2可以依照上面描述的資料線之直線形狀或彎曲形狀而具有一直線形狀或彎曲形狀。
儘管未在圖中示出，在剝離製程之前，對具有第二透明導電材料層171之基板101在大約130攝氏度至大約150攝氏度執行一熱處理大約10分鐘到20分鐘。儘管經過熱處理，第一光刻膠圖案在體積上膨脹，於是在位於第一光刻膠圖案190a上的第二透明導電材料層171上出現裂縫。在這種情況下，當執行剝離製程時，顯影液能夠透過裂縫透入第一光刻膠圖案190a中，並與第一光刻膠圖案190a更充分反應。這就使得剝離製程更加有效。
透過上述描述的製程，陣列基板能夠制成。陣列基板與一相反基板，諸如帶有一液晶層在兩者之間之一濾光基板相連接，於是邊緣電場切換模式液晶顯示器裝置這樣能夠被製成。
如上面所描述，當使用多晶硅層來形成薄膜電晶體時，陣列基板可以由8個掩膜製程而製成，或者當使用非晶硅半導體層來形成薄膜電晶體時，陣列基板可以由6個掩膜製程而製成。因此，產品製程、花費以及時間相比習知技術據減少，並且提高了生產效率。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
10．．．基板
101．．．基板
103．．．擋光板
108．．．緩衝層
11．．．液晶層
119．．．本多晶矽層
11a．．．液晶分子
11b．．．液晶分子
120．．．半導體層
120a．．．主動層
120b．．．歐姆接觸層
120c．．．輕摻雜汲極層
125．．．閘絕緣層
132．．．閘電極
140．．．夾層絕緣薄膜
143a．．．第一半導體接觸孔
143b．．．第二半導體接觸孔
145．．．資料線
148．．．源極
150．．．汲極
155．．．第一鈍化層
160．．．共用電極
162．．．第二鈍化層
163．．．汲極接觸孔
166．．．附加絕緣層
167．．．絕緣層
17．．．共用電極
170．．．畫素電極
171．．．第二透明導電材料層
190．．．光掩膜板
190a．．．第一光刻膠圖案
190b．．．第二光刻膠圖案
195．．．真空室
197．．．反應室
199．．．光掩膜板
201．．．基板
205．．．閘電極
210．．．閘絕緣層
220．．．半導體層
220a．．．主動層
220b．．．歐姆接觸層
233．．．源極
236．．．汲極
30．．．畫素電極
31．．．基板
33．．．擋光層
38．．．緩衝層
390．．．光刻膠圖案
50．．．半導體層
50a．．．主動層
50b．．．歐姆接觸層
55．．．閘絕緣層
62．．．閘電極
73a．．．第一半導體接觸孔
73b．．．第二半導體接觸孔
78．．．源極
80．．．汲極
85．．．第一鈍化層
9．．．基板
90．．．共用電極
92．．．第二鈍化層
93．．．汲極接觸孔
99．．．畫素電極
BA．．．阻擋部
HTA．．．板傳輸部
L．．．面內電場
op1．．．第一開口
op2．．．第二開口
P．．．畫素區域
TA．．．傳輸部
Tr．．．薄膜電晶體
TrA．．．切換區域
第1圖係為一面內切換模式液晶顯示器之一截面示意圖；
第2A圖和第2B圖係為顯示面內切換模式液晶顯示器分別在開和關狀態下操作之視圖；
第3圖係為依照習知技術之一面內切換模式液晶顯示器之一截面視圖；
第4A圖至第4R圖係為依照本發明之一實施例製造一液晶顯示器的一陣列基板之一方法之截面視圖；
第5A圖和第5B圖係為依照本發明之另一實施例製造一液晶顯示器的一陣列基板之一方法之截面視圖；以及
第6圖係為依照本發明之又一實施例製造一液晶顯示器的一陣列基板之一方法之截面視圖。
101．．．基板
103．．．擋光板
108．．．緩衝層
120．．．半導體層
120a．．．主動層
120b．．．歐姆接觸層
125．．．閘絕緣層
132．．．閘電極
140．．．夾層絕緣薄膜
143a．．．第一半導體接觸孔
143b．．．第二半導體接觸孔
145．．．資料線
148．．．源極
150．．．汲極
155．．．第一鈍化層
160．．．共用電極
162．．．第二鈍化層
163．．．汲極接觸孔
166．．．附加絕緣層
190a．．．第一光刻膠圖案
190b．．．第二光刻膠圖案
op1．．．第一開口
P．．．畫素區域
Tr．．．薄膜電晶體
TrA．．．切換區域

Claims (10)

  1. 一種製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，該方法包含：形成一薄膜電晶體於一基板上之一畫素區域中；形成一第一鈍化層於該薄膜電晶體上；形成一共用電極於該第一鈍化層上；形成一第二鈍化層於該共用電極上；形成一附加絕緣層於該第二鈍化層上並具有一第一厚度；形成一第一光刻膠圖案和一第二光刻膠圖案於該附加絕緣層上並分別具有一第二厚度和一第三厚度，該第二厚度大於該第三厚度；使用該第一光刻膠圖案和該第二光刻膠圖案做為一蝕刻掩膜蝕刻該附加絕緣層、該第二鈍化層以及該第一鈍化層，以形成暴露該薄膜電晶體之一汲極之一汲極接觸孔；執行一灰化以去除該第二光刻膠圖案並暴露位於該第二光刻膠圖案下的該附加絕緣層；執行一干性蝕刻以去除未由該一光刻膠圖案覆蓋之該附加絕緣層並暴露該第一鈍化層，以及形成位於該第一光刻膠圖案之下的一絕緣圖案，該絕緣圖案和該第一光刻膠層形成一底切狀；形成一透明導電材料層於具有該第一光刻圖案之該基底上並具有小於該第一厚度之一第四厚度；以及執行一剝離製程以去除一起位於其上的該第一光刻膠圖案和該透明導電材料層並形成一畫素電極作為該透明導電材料層之一殘留部份。
  2. 如請求項第1項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該第二鈍化層和該附加絕緣層由相同的材料構成並按順序地形成在一化學氣相沉積裝置之同一反應室中。
  3. 如請求項第2項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該第二鈍化層係在一第一條件下形成在該反應室內，該第一條件為：一溫度係為大約210攝氏度到大約230攝氏度，一壓力係為大約1000mT到大約1200mT，一功率係為大約700W到大約900W，氨氣(NH3 )和硅烷(SiH4 )在該反應室中的氣體流量速率分別係為大約580sccm至大約700sccm和大約90sccm至大約120sccm，以及其中該附加絕緣層係在一第二條件下形成在該反應室內，該第二條件為：一溫度係為大約210攝氏度到大約230攝氏度，一壓力係為大約1700mT到大約1900mT，一功率係為大約1200W到大約1400W，氨氣(NH3 )和硅烷(SiH4 )在該反應室中的氣體流量速率分別係為大約280sccm至大約360sccm和大約140sccm至大約180sccm。
  4. 如請求項第3項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該干性蝕刻係為一各向同性干性蝕刻，並在在一條件下於一干性蝕刻裝置之一反應室中進行，該條件為：一壓力係為大約140mT至大約160mT，一功率係為大約270W至大約330W，以及六氟化硫(SF6 )、氧氣(O2 )、氦氣(He)以及氯氣(Cl2 )的氣體流量速率分別係為大約100sccm至大約150sccm、大約30sccm，大約30sccm，以及大約30sccm。
  5. 如請求項第1項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該共用電極對應於該薄膜電晶體大體上形成在具有一開口之整個一顯示區域，或者係單獨形成在每個畫素區域並透過一連接圖案連接至一相鄰畫素區域之一共用電極。
  6. 如請求項第1項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中形成該薄膜電晶體包含：形成一非晶矽層於該基板上；使該非晶矽層結晶成一多晶矽層；圖案化該多晶矽層成一半導體層；形成一閘絕緣層於該半導體層上；形成一閘電極於該閘絕緣層上並對應於該半導體層之一中心部份；使用該閘電極作為一摻雜掩膜摻雜該半導體層以形成一 歐姆接觸層；形成一夾層絕緣薄膜於該閘電極上並暴露該歐姆接觸層；以及形成一源極和一汲極於該夾層絕緣薄膜上並該源極和該汲極之每個係接觸該歐姆接觸層。
  7. 如請求項第6項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，更包含在形成該非晶矽層之前對應於該薄膜電晶體形成一擋光層以及形成一緩衝層於該擋光層上。
  8. 如請求項第1項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該形成該薄膜電晶體包含：形成一閘電極於該基板上；形成一閘絕緣層於該閘電極上；形成一半導體層於該閘絕緣層上並包含本征非晶矽之一主動層和該主動層上的摻雜非晶矽之一歐姆接觸層；以及形成一源極和一汲極於該半導體層上。
  9. 如請求項第6或8項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，更包含在形成該閘電極的相同步驟中形成連接至該閘電極之一閘線，以及在形成該源極和該汲極的相同步驟中形成連接該源極之一資料線。
  10. 如請求項第9項所述之製造一邊緣電場切換模式液晶顯示器之一陣列基板之方法，其中該畫素電極、該絕緣圖案和該資料線係彎曲並關於每個畫素區域之一中心部份對稱。
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