TWI390311B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種顯示裝置及其製造方法，尤其涉及一種顯示裝置，其能夠實現一高對比度，以及該顯示裝置的製造方法。
能夠在短時間內處理大量資料的一資訊處理裝置，以及一圖像的形式顯示出資訊處理裝置處理過的資料的顯示裝置快速地發展起來。
用於處理資訊處理裝置處理過的資料的顯示裝置的例子包括：一液晶顯示(LCD)裝置、一利用一有機發光材料顯示資訊的有機發光二極體(OLED)、以及利用電漿顯示資訊的一電漿顯示器(PDP)。
所述LCD裝置包括：一包含薄膜電晶體(TFT)的TFT基板、一包含彩色濾光片的彩色濾光片(CF)基板、以及在TFT基板和CF基板之間加入的液晶(LC)材料。
透過一資料線傳遞的一資料電壓施加在TFT基板內所包含的一像素電極上。透過資料電壓和一公共電壓之間的電位差形成一電場，該公共電壓施加在用於排列LC的一公共電極上。LC的排列在公共電極和像素電極之間的電位差大小的基礎上變化，並因此，穿過一像素區域的光量也變化。經過這個過程，LCD裝置可以顯示出一圖像。
可以用於像素電極的材料包括一透明傳導材料。然而，由於亮度穿過像素電極的光傳導率低，則對比度就會降低。
因此，本發明提供一種顯示裝置及其製造方法，完全避免了由於現有技術的侷限和不足倒置的一個或多個問題。
本發明的一個優勢是提供一種顯示裝置，其增加了開口率並提高了對比度。
本發明另一個優勢是提供一種製造顯示裝置的方法。
對於本發明額外的優點、目的和特點將在隨後的描述中闡明，以及部份內容將從描述中顯而易見，或者可以透過實施本發明瞭解到。本發明的目的和其他優點將透過特別在描述中指出的結構和在此的專利範圍以及所附附圖說明實現和獲得。
為了實現這些和其他的優勢並依據本發明的目的，如這裏具體而廣泛描述地，一顯示裝置包括：一基板；一閘極線，設置在基板上的第一方向內，並具有一閘極電極；在基板上的一公共線，該公共線完全與閘極線平行；至少從公共線分歧的一公共電極；一絕緣層，其覆蓋閘極線、公共線以及公共電極；在絕緣層上的一通道圖案，該通道圖案對應閘極電極；一資料線，設置在一第二方向內，並具有與該通道圖案電性連接的一源極電極；一汲極電極，其從源極電極分離並與通道圖案電性連接；以及像素電極，其與汲極電極電性連接，並由一不透明金屬形成。
再一個方面，製造一顯示裝置的方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線、一公共線以及從公共線分歧的一公共電極；在閘極線、公共線和公共電極上形成一絕緣層；在絕緣層上形成與閘極電極對應的通道圖案；形成具有與通道圖案電性連接的一源極電極，以及與通道圖案電性連接並在絕緣層上從源極電極分離出來的一汲極電極；以及形成與汲極電極電性連接並由一不透明金屬形成的一像素電極。
對於本發明的另一方面，一顯示裝置包括：一基板；一閘極線，設置在基板上的第一方向內，並具有一閘極電極；在基板上的一公共線，該公共線與閘極線平行；一絕緣層，其覆蓋閘極線、公共線以及一公共電極；在絕緣層上的一通道圖案，該通道圖案對應閘極電極；一資料線，設置在一第二方向內，並具有與通道 圖案電性連接的一源極電極；一汲極電極，其從源極電極分離並與通道圖案電性連接；一公共電極，其與該公共線電性連接，並由一不透明金屬形成；以及一像素電極，其與汲極電極電性連接，並由一不透明金屬形成。
對於本發明的另一方面，製造一顯示裝置的方法，該方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線和一公共線；在閘極線和公共線上形成一絕緣層；在絕緣層上形成與閘極電極對應的一通道圖案；形成具有與通道圖案電性連接的一源極電極的一資料線，以及與通道圖案電性連接並從絕緣層上的源極電極分離出來的一汲極電極；在資料線和汲極電極上形成一鈍化層；以及形成與公共線電性連接並由一不透明金屬形成的一公共電極，以及與汲極電極電性連接並由一不透明金屬形成的一像素電極。
可以瞭解到前面對於本發明的大概描述和下面對於本發明的詳細描述具有實例性和解釋性，並且將要對本發明的實施例提供作為申請專利範圍的進一步解釋。
用於說明本發明實施例的所附圖示用於對本發明的內容和優勢，及其透過實現本發明所達到目的做更詳細說明。
圖1是本發明實施例中一顯示裝置的平面示意圖，圖2是圖1中沿線I-I'的剖面示意圖。
參考圖1和圖2，顯示裝置1包括一基板110、一閘極線120、一公共線130、一公共電極131、一絕緣層140、通道圖案150、一資料線160、一汲極電極162、一鈍化層170以及一像素電極180。
所述基板110是一透明絕緣基板。基板110可以是一玻璃基板或者一石英基板、或者其他適當的材料。
所述閘極線120設置在基板110上的第一方向內。儘管圖1中只顯示了兩條閘極線120，實際上，仍可以在基板110上設置複數條閘極線120。可以用作閘極線120的材料的實例包括：鋁、一 鋁合金、和銅或者其他適當的材料。所述閘極線120包括從閘極線120分歧出來的一閘極電極121。複數個閘極電極121從閘極線120分歧出來。一閘極信號透過閘極線120載入在閘極電極121上。
所述公共線130設置在基板110上，並與閘極線120完全平行。儘管在圖1中只顯示了兩條公共線130，但仍然可以在基板110上設置有複數條公共線。可以用作公共線130的材料的實例包括鋁、一鋁合金、和銅或者其他適當的材料。
所述公共電極131從公共線120分歧出來。一公共電壓透過公共線130施加在公共電極131上。用作131的材料可以與公共線130所用的材料相同。
所述絕緣層140覆蓋閘極線120、閘極電極121、公共線130以及公共電極131。用作絕緣層140的材料的實例可以包括氮化矽(SiNx )和氧化矽(SiOx )。
所述通道圖案150包括一非晶矽圖案151和一n+ 非晶矽圖案152。
所述非晶矽圖案151設置在絕緣層140上，以對應閘極電極121對應。可以用作非晶矽圖案151的材料的實例包括非晶矽或者其他適當的材料。
所述n+ 非晶矽圖案152相隔一固定距離成對的設置在非晶矽圖案151上，以對應閘極電極121。可以用作n+ 非晶矽圖案152的實例包括摻雜了高濃度雜質的非晶矽。
所述資料線160在絕緣層140上的一第二方向內與閘極線120交叉定義出一像素區域P。所述資料線160包括一源極電極161，其與彼此分離的一對n+ 非晶矽圖案152其中一個電性連接。可以用作資料線160的材料的實例包括鋁、一鋁合金、和銅或者其他適當的材料。
所述汲極電極162電性連接彼此分離的一對n+ 非晶矽圖案152中其中的另一個。用作汲極電極162的材料可以與資料線160 所用的材料一樣。
所述鈍化層170覆蓋資料線160，通道圖案150，以及汲極電極162。所述鈍化層170包括曝光一部份汲極電極162的一接觸孔。可以用作鈍化層170的材料的實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。
所述像素電極180設置在鈍化層170上。所述像素電極180電性連接透過接觸孔171曝光的部份汲極電極162上。所述像素電極180可以由一不透明金屬形成。可以用作像素電極180的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦和一鈦合金或者其他適當的材料。
當用作像素電極180的材料是一透明傳導金屬的情況時，所述像素區域P分為公共電極形成的一非傳輸區域、像素電極180形成的一半傳播區域、以及在像素電極180和公共電極131之間設置的一傳播區域。
在另一方面，當用作像素電極180的材料是一不透明金屬的情況時，所述像素區域P分為像素電極180和公共電極131形成的一非傳播區域、以及在像素電極180和公共電極131之間設置的一傳播區域。
因此，因為當像素電極180所用的材料是不透明金屬的情況下，像素區域P可以清楚地分為傳播區域和非傳播區域，因此顯示裝置1可以提高對比度。
像素電極180的寬度"L"大約是1~2μm，當從平面角度觀察的時候，呈一雞冠形狀，而且相應於公共電極131交替設置。此外，當從平面角度觀察的時候，所述像素電極180和公共電極131可以設置為Z字形。
所述像素電極180和公共電極131設置在像素區域P的內部。因為像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm，因此改進顯示裝置1的開口率。
圖3A至圖3H是本發明再一個實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖。
參考圖3A，一基板110作為一透明絕緣體。該基板110所用材料的實例可以包括一玻璃基板和一石英基板或者其他適當的材料。
具有一閘極電極121、一公共線130、以及從公共線130分歧出來的一公共電極131的閘極線120形成在基板110上。所述公共線130平行於閘極線120。
為了形成閘極線120、公共線130、以及公共電極131，在基板110的整個表面上形成一金屬層(圖中未示)。可以用作金屬層的材料的實例包括鋁、一鋁合金、和銅或者其他適當的材料。所述金屬層可以透過如化學氣相沉積法(CVD)或者一濺鍍處理形成。
在金屬層形成之後，一光阻薄膜(圖中未示)在金屬層的整個表面上形成。所述光阻薄膜經過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，從而在金屬層上形成具有對應於閘極線120、公共線130和公共電極131形狀的光阻劑圖案(圖中未示)。
所述金屬層利用將光阻劑圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，從而在基板110上形成閘極線120、公共線130、以及公共電極131。
參考圖3B，當閘極線120、公共線130以及公共電極131在基板110上形成之後，覆蓋閘極線120、公共線130以及公共電極131的一絕緣層140在基板110上形成。可以用作絕緣層140的材料的實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。
參考圖3C，當絕緣層140形成之後，包含有一非晶矽圖案151和一n＋非晶矽圖案152的通道圖案150形成在絕緣層140上，從而對應閘極電極121。
為了形成通道圖案150，一非晶矽薄膜(圖中未示)和一摻雜有高濃度雜質的n+ 非晶矽薄膜(圖中未示)依次形成在絕緣層140上。在這之後，一光阻薄膜(圖中未示)形成在n+ 非晶矽薄膜上。 該光阻薄膜經由一照相平版印刷處理進行圖案化，從而在n+ 非晶矽薄膜上形成光阻圖案(圖中未示)。
所述非晶矽薄膜和所述n+ 非晶矽薄膜利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，從而在絕緣層140上形成與閘極電極121對應的通道圖案150。一對n+ 非晶矽圖案152彼此相隔一段距離的在非晶矽圖案151上形成。
參考圖3D，通道圖案150形成之後，具有一源極電極161的一資料線以及一汲極電極162形成在絕緣層140上。所述資料線160與閘極線120交叉。
為了形成資料線160和汲極電極162，一源/汲極金屬層(圖中未示)形成在絕緣層140的整個表面上。可以用作源/汲極電極金屬層的材料的實例包括鋁、一鋁合金和銅或者其他適當的材料。所述源/汲極金屬層可以利用如化學氣相沉積法(CVD)或者一濺鍍過程而形成。
當源/汲極金屬層形成之後，在源/汲極金屬層的整個表面上形成一感光耐蝕膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包含一曝光處理和一顯影處理，進而形在源/汲極金屬層上形成光阻圖案(圖中未示)。所述光阻圖案用於形成資料線和汲極電極。所述源/汲極金屬層利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在絕緣層140上形成資料線160和汲極電極162。
所述源極電極161電性連接一對n+ 非晶矽圖案151的其中之一個。所述汲極電極162電性連接一對n+ 非晶矽圖案152的其中另一個。
參考圖3E，當資料線160和汲極電極162形成之後，形成覆蓋資料線160和汲極電極162的一鈍化層170。
為了形成鈍化層170，在資料線160和汲極電極162的整個表面上形成一無機層(圖中未示)。可以用作該無機層的材料的實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。當 無機層形成之後，在無機層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而形成光阻圖案(圖中未示)，以曝露出與汲極電極162一部份對應的一部份無機層。所述無機層利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而形成包含一接觸孔171的鈍化層170，以曝露出資料線160和汲極電極162上的一部份汲極電極162。
參考圖3F，當鈍化層170形成之後，由一不透明金屬形成的一像素電極180形成在鈍化層170上。
為了形成像素電極180，在鈍化層170上形成一金屬層180a。可以用作金屬層180a的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦、以及一鈦合金或者其他適當的材料。所述金屬層180a可以利用化學氣相沉積法(CVD)或者一濺鍍處理或者其他適當的處理形成。
當金屬層180a形成之後，在金屬層180a的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層180a上形成第一光阻圖案190。
參考圖3G，當第一光阻圖案190形成之後，第一光阻圖案190的平面面積利用灰化處理而縮小，並形成具有可以形成像素電極180的一形狀的第二光阻圖案191。所述第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm。
參考圖3H，當第二光阻圖案191形成之後，金屬層180a利用將第二光阻圖案191作為一蝕刻光罩而進行圖案化。因為第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm，則金屬層180a利用一乾蝕刻處理進行圖案化。透過這些處理，像素電極180在鈍化層170上形成。像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。
所述像素電極180可以透過下列處理形成。
為了形成像素電極180，在鈍化層170上形成一不透明金屬層(圖中未示)，並且在金屬層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中 未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層上形成光阻圖案(圖中未示)。所光阻圖案可以用於形成像素電極。所述金屬層利用將該光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在鈍化層170上形成像素電極。像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。透過這些過程，顯示裝置1形成。
圖4A至圖4C是本發明另一個實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖。根據該實施例的方法與圖3A至圖3H中所描述的方法相同，除了形成像素電極的過程之外。因此，相同名稱和說明符號用於相同的元件。
參考圖4A，具有一閘極電極121的一閘極線120、一公共線130從公共線130分歧出來的一公共電極131、一絕緣層140、通道圖案150、具有一源電極161的一資料線、一汲極電極162和一鈍化層170形成在一基板110上。接著，由一不透明金屬形成的一像素電極180在鈍化層170上形成。
為了形成像素電極180，在鈍化層170上形成一不透明金屬層(圖中未示)。可以用作金屬層的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦以及一鈦合金或者其他適當的材料。所述金屬層可以利用如化學氣相沉積法(CVD)或者一濺鍍過程形成。
當金屬層形成之後，在金屬層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜利用一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層上形成第一光阻劑圖案190。所述金屬層利用將第一光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在鈍化層170上形成一預備像素電極180b。所述金屬層可以透過如一濕蝕刻處理進行蝕刻。
參考圖4B，當形成預備像素電極180b之後，第一光阻圖案190的平面面積透過灰化處理而縮小，並且第二光阻圖案191在預備像素電極180b上形成。
參考圖4C，當形成第二光阻圖案191之後，所述預備像素電 極180b利用將第二光阻圖案191作為一蝕刻光罩進行圖案化。因為第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm，則預備像素電極180b利用一乾蝕刻處理進行蝕刻。透過這些過程，像素電極190在鈍化層170上形成。所述像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。
如上面所描述，大多數金屬層利用濕蝕刻處理進行蝕刻，並且金屬層中極小部份利用乾蝕刻處理進行蝕刻。因此，乾蝕刻處理的時間縮短以至於整個過程的時間可以縮短。
圖5是本發明再一實施例中一顯示裝置的平面示意圖。圖6是圖5中沿線I-I'的剖面示意圖參考圖5和圖6，顯示裝置1包括一基板110、一閘極線120、一公共線130、一絕緣層140、通道圖案150、一資料線160、一汲極電極162、一鈍化層170、一公共電極131以及一像素電極180。
所述基板110是一透明絕緣基板。所述基板110可以是例如一玻璃基板或者一石英基板。
所述閘極線120設置在基板110上的第一方面內。儘管圖5只顯示出兩條閘極線120，但在基板110上仍可以設置複數條閘極線120。可以用作閘極線120的材料的實例包括鋁、一鋁合金、以及銅或者其他適當的材料。所述閘極線120包括從閘極線120分歧出來的一閘極電極121。從閘極線120分歧出來複數個閘極電極121。一閘極信號透過閘極線120載入在閘極電極121上。
所述公共線130在基板110上與閘極線120平行設置。儘管圖5只顯示了兩條公共線130，但在基板110上仍可以設置複數條公共線130。可以用作公共線130的材料實例包括鋁、一鋁合金、和銅或者其他適當的材料。
絕緣層140覆蓋閘極線120、閘極電極121、公共線130、以及公共電極131。可以用作絕緣層的材料的實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。
所述通道圖案150包括一非晶矽圖案151和一n+ 非晶矽圖案152。
所述非晶矽圖案151設置在絕緣層140上以對應閘極電極121。可以用作非晶矽圖案151的材料的實例包括非晶矽或者其他適當的材料。
所述一對n+ 非晶矽圖案152在非晶矽圖案151上相隔一段固定距離地設置以對應閘極電極121。可以用作n+ 非晶矽圖案152的材料的實例包括摻雜有高濃度雜質的非晶矽。
所述資料線160在絕緣層140上的一第二方向內與閘極線120交叉，從而定義出一像素區域P。所述資料線160包括與彼此分離的一對n+ 非晶矽圖案152的其中一個電性連接的一源電極161。可以用作資料線160的材料的實例包括鋁、一鋁合金、以及銅或者其他適當的材料。
所述汲極電極162電性連接彼此分離的一對n+ 非晶矽圖案152的其中另一個。可以用作汲極電極162的材料與資料線160所用的材料相同。
所述鈍化層170覆蓋資料線160、通道圖案150、以及汲極電極162。所述鈍化層170包括曝光一部份汲極電極162的一第一接觸孔172、以及曝光一部份公共線130的一第二接觸孔173。可以用作鈍化層170的材料實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。
所述公共電極131設置在鈍化層170上並電性連接公共線130。所述公共線131由一不透明金屬形成。可以用作公共電極131的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦以及一鈦合金或者其他適當的材料。
所述像素電極180設置在鈍化層170上並電性連接透過第一接觸孔172曝光的部份汲極電極162。可以用作像素電極180的材料與公共電極131所用的材料一樣。
當用作公共電極131和像素電極180的材料是一透明傳導金屬的情況下，像素區域P分為由像素電極180和公共電極131形成的一半傳播區域，以及在像素區域180和公共電極131之間設 置的一傳播區域。
在另一方面，當用作公共電極131和像素電極180的材料是一不透明金屬的情況下，像素區域P分為由像素電極180和公共電極131形成的一非傳播區域，以及在像素電極180和公共電極131之間設置的一傳播區域。
因此，因為當用作公共電極131和像素電極180的材料是不透明金屬的情況下，像素區域P清楚地分為傳播區域和非傳播區域，則顯示裝置1可以提高其對比度。
像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm，當從平面觀察的時候，呈一雞冠形狀，並且相應於公共電極131交替設置。另外，當從平面觀察的時候，像素電極180和公共電極131可以設置成Z字形。
所述像素電極180和公共電極131設置在像素區域P內。因為公共電極131和像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm，則顯示裝置1可以實現高畫面對比度和高亮度。
圖7A至圖7H是本發明還有一實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖。
參考圖7A，提供一基板110，其是一透明絕緣體。基板110的實例包括一玻璃基板和一石英基板或者其他適當的材料。
具有一閘極電極121的一閘極線120，以及一公共線130形成在基板110上。所述公共線130平行於閘極線120。
為了形成閘極線120和公共線130，在基板110的整個平面上形成一金屬層(圖中未示)。可以用作金屬層的材料的實例包括鋁、一鋁合金、和銅或者其他適當的材料。所述金屬層可以利用化學氣相沉積法(CVD)或者一濺鍍處理或者其他適當的處理形成。
當金屬層形成之後，在金屬層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜利用一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在 金屬層上形成與閘極線120和公共線130對應的光阻圖案(圖中未示)。
所述金屬層利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在基板110上形成閘極線120和公共線130。
參考圖7B，當閘極線120和公共線130在基板110上形成之後，覆蓋閘極線120公共線130和一公共電極131的一絕緣層140在基板110上形成。可以用作絕緣層140的材料實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。
參考圖7C，當形成絕緣層140之後，包含有一非晶矽圖案151和一n+ 非晶矽圖案152的通道圖案150在絕緣層140上形成。
為了形成通道圖案150，一非晶矽薄膜(圖中未示)和摻雜有高濃度雜質的一n+ 非晶矽薄膜(圖中未示)依序沉積在絕緣層140上。在這之後，光阻薄膜(圖中未示)形成在n+ 非晶矽薄膜上。光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，進而在n+ 非晶矽薄膜上形成光阻圖案(圖中未示)。
所述非晶矽薄膜和n+ 非晶矽薄膜利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在絕緣層140上形成通道圖案150。此時，相隔一段固定距離的一對n+ 非晶矽圖案152在非晶矽圖案151上形成。
參考圖7D，在通道圖案150形成之後，具有一源極電極161的一資料線160、以及一汲極電極162形成在絕緣層140上。所述資料線160與閘極線交叉。
為了形成資料線160和汲極電極162，一源/汲極金屬層(圖中未示)在絕緣層140的整個表面上形成。可以用作源/汲極金屬層的材料的實例包括鋁、一鋁合金、，以及銅或者其他適當的材料。所述源/汲極金屬層可以利用化學氣相沉積法(CVD)或者濺鍍處理或者其他適當的處理形成。
當源/汲極金屬層形成之後，在源/汲極金屬層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處 理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在源/汲極金屬層上形成與資料線和汲極電極對應的光阻圖案(圖中未示)。所述源/汲極金屬層利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在絕緣層140上形成資料線160和汲極電極162。
所述源極電極161電性連接一對n+ 非晶矽圖案152的其中一個。所述汲極電極162電性連接一對n+ 非晶矽圖案152的其中另一個。
參考圖7E，當資料線160和汲極電極162形成之後，覆蓋資料線160和汲極電極162的一鈍化層170進而形成。為了形成鈍化層170，在汲極電極162和資料線160的整個表面上形成一無機層(圖中未示)。可以用作無機層的材料實例包括氧化矽(SiOx )和氮化矽(SiNx )或者其他適當的材料。在形成無機層之後，無機層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而形成光阻圖案(圖中未示)以曝露出與部份公共線130和汲極電極162對應的無機層區域。所述無機層利用將光阻劑圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，從而在資料線160和汲極電極162上形成鈍化層170。所述鈍化層170包括一第一接觸孔172，其曝露出部份汲極電極162，以及一第二接觸孔173，其曝露出部份公共線130。
當鈍化層170形成之後，在鈍化層170上形成公共電極131和一像素電極180。
參考圖7F，為了形成公共電極131和像素電極180，在鈍化層170上形成一不透明金屬層180a。可以用作金屬層的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦以及一鈦合金或者其他適當的金屬。所述金屬層180a可以利用化學氣相沉積法(CVD)或者濺鍍處理或者其他適當的處理形成。
當金屬層180a形成之後，在金屬層180a的整個表面上形成 一感光抗蝕膜(圖中未示)。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層180a上形成第一光阻圖案。
參考圖7G，當第一光阻圖案190形成之後，第一光阻圖案190的平面面積透過灰化處理而縮小，並且形成具有與公共電極131和像素電極180相對應形狀的第二光阻圖案191。所述第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm。
參考圖7H，當第二光阻圖案191形成之後，金屬層180a利用將第二光阻圖案191作為一蝕刻光罩進行圖案化。因為第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm，則金屬層180a利用一乾蝕刻處理進行圖案化。透過這些過程，公共電極131和像素電極180在鈍化層170上形成。所述公共電極131和像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。
所述公共電極131和像素電極180可以透過下列處理形成。
為了形成公共電極131和像素電極180，在鈍化層170上形成一金屬層(圖中未示)，而一光阻薄膜(圖中未示)在金屬層的整個表面上形成。所述光阻薄膜透過一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層上形成光阻圖案。所述光阻圖案用於形成公共電極131和像素電極180。所述光阻圖案的寬度"L"大約為1~2μm。所述金屬層利用將光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在鈍化層170上形成公共電極131和像素電極180。所述公共電極131和像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。透過這些過程，形成顯示裝置1。
圖8A至圖8C是本發明又一實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖。根據該實施例的方法與圖7A至圖7H的方法一樣，除了公共電極和像素電極的形成之外。因此，相同的名稱和參考符號用於相同的元件。
參考圖8A，具有一閘極電極121的一閘極線120、一公共線130、一絕緣層140、通道圖案150，具有一源電極161的一資料 線160、一汲極電極162、以及一鈍化層170形成在一基板110上。然後，再鈍化層170上形成一公共電極131和一像素電極180。所述公共電極131和像素電極180由一不透明金屬形成。
為了形成公共電極131和像素電極180，在鈍化層170上形成一不透明金屬層(圖中未示)。可以用作金屬層的材料的實例包括鉬、一鉬合金、鈦以及一鈦合金或者其他適當的材料。所述金屬層可以利用化學氣相沉積法(CVD)或者濺鍍處理或者其他適當的處理形成。
當金屬層形成之後，在金屬層的整個表面上形成一光阻薄膜(圖中未示)。所述光阻薄膜利用一照相平版印刷處理進行圖案化，該照相平版印刷處理包括一曝光處理和一顯影處理，進而在金屬層上形成第一光阻圖案190。所述金屬層利用將第一光阻圖案作為一蝕刻光罩進行圖案化，進而在鈍化層170上形成一預備公共電極131b和一預備像素電極180b。所述金屬層透過一濕蝕刻處理進行蝕刻。
參考圖8B，在形成預備公共電極131b和預備像素電極180b之後，第一光阻圖案190的平面面積透過灰化處理而縮小，並且第二光阻圖案191在預備公共電極131b和預備像素電極180b上形成。所述第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm。
參考圖8C，在形成第二光阻圖案191之後，預備公共電極131b和預備像素電極180b利用將第二光阻圖案191作為一蝕刻光罩進行圖案化。因為第二光阻圖案191的寬度"L"大約為1~2μm，則預備公共電極131b和預備像素電極180b利用一乾蝕刻處理進行蝕刻。透過這些過程，公共電極131和像素電極180在鈍化層170上形成。公共電極131和像素電極180的寬度"L"大約為1~2μm。如上面所述之，大多數金屬層利用濕蝕刻處理進行蝕刻並且剩餘的部份金屬層利用乾蝕刻處理進行蝕刻，因此，乾蝕刻處理的時間縮短以至於整個過程的時間可以縮短。
如上面詳細所述，本發明包括由不透明金屬形成的像素電 極，從而提供給一顯示裝置高對比度。
並且，本發明包括至少一顯示裝置的方法，該顯示裝置包括由一不透明金屬形成的一像素電極。因此，具有一高對比度的顯示裝置是可以製造出來。
本說明書中任何關於參考“一個實施方式”、“一實施方式”、“實施例”等，指出與本發明的至少一個實施方式內所包含的實施方式有關所描述出的一特點、結構或者特性。貫穿說明書內容中的某些術語對於相同的實施方式並不必要全都出現。而且，當與任何事實方式有關地描述出的一特點、結構或者特性的時候，可以瞭解到對於本領域的技術人員，該特點、結構或者特性也與其它的實施方式有關。
上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明作任何形式上之限制，因此，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。
1‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧閘極線
121‧‧‧閘極電極
130‧‧‧公共線
131‧‧‧公共電極
131b‧‧‧預備公共電極
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧通道圖案
151‧‧‧非晶矽圖案
152‧‧‧n+ 非晶矽圖案
160‧‧‧資料線
161‧‧‧源極電極
162‧‧‧汲極電極
170‧‧‧鈍化層
171‧‧‧接觸孔
172‧‧‧第一接觸孔
173‧‧‧第二接觸孔
180‧‧‧像素電極
180a‧‧‧金屬層
180b‧‧‧預備像素電極
190‧‧‧第一光阻圖案
191‧‧‧第二光阻圖案
圖1是本發明實施例中一顯示裝置的平面示意圖；圖2是圖1中沿線I-I'的剖面示意圖；圖3A至圖3H是本發明再一個實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖；圖4A至圖4C是本發明另一個實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖；圖5是本發明再一實施例中一顯示裝置的平面示意圖；圖6是圖5中沿線I-I'的剖面示意圖；圖7A至圖7H是本發明還有一實施例中一製造顯示裝置方法的示意圖；以及圖8A至圖8C是本發明又一實施例中一製造顯示裝置方法的示意 圖。
1‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧閘極線
121‧‧‧閘極電極
130‧‧‧公共線
131‧‧‧公共電極
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧通道圖案
151‧‧‧非晶矽圖案
152‧‧‧n+ 非晶矽圖案
161‧‧‧源極電極
162‧‧‧汲極電極
170‧‧‧鈍化層
171‧‧‧接觸孔
180‧‧‧像素電極

Claims (12)

  1. 一種用於製造顯示裝置的方法，該方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線、一公共線、以及從公共線分歧出來的一公共電極；在該閘極線、該公共線以及該公共電極上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成與該閘極電極對應的一通道圖案；在該絕緣層上形成具有與該通道圖案電性連接的一源極電極的一資料線，以及形成與該通道圖案電性連接並從該源極電極分離出來的一汲極電極；以及形成與該汲極電極電性連接並由一不透明金屬形成的一像素電極，其中，該像素電極的形成步驟包括：在該基板上形成一金屬層；在該金屬層上形成一第一光阻圖案；透過一灰化處理減少該第一光阻圖案的寬度，進而形成一第二光阻圖案；以及在已經形成的該第二光阻圖案上利用一蝕刻氣體蝕刻該金屬層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該金屬層的形成步驟包括：利用一鉬、一鉬合金、一鈦、以及一鈦合金中的至少一個形成該金屬層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該第二光阻圖案的形成步驟包括：形成具有寬度大約為1~2 μm的該第二光阻圖案。
  4. 一種用於製造顯示裝置的方法，該方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線、一公共線、以及 從公共線分歧出來的一公共電極；在該閘極線、該公共線以及該公共電極上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成與該閘極電極對應的一通道圖案；在該絕緣層上形成具有與該通道圖案電性連接的一源極電極的一資料線，以及形成與該通道圖案電性連接並從該源極電極分離出來的一汲極電極；以及形成與該汲極電極電性連接並由一不透明金屬形成的一像素電極，其中，該像素電極的形成步驟包括：在該基板上形成一金屬層；在該金屬層上形成一第一光阻圖案；利用一蝕刻溶液蝕刻該金屬層，進而形成一預備像素電極；透過一灰化處理減少該第一光阻圖案的寬度，進而形成一第二光阻圖案；以及在已經形成的該第二光阻圖案上利用一蝕刻氣體蝕刻該預備像素電極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中，形成該金屬層的步驟包括：利用一鉬、一鉬合金、一鈦、以及一鈦合金中的至少一個形成該金屬層。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中，形成該第二光阻圖案的步驟包括：形成具有寬度大約為1~2 μm的該第二光阻圖案。
  7. 一種用於製造一顯示裝置的方法，該方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線、以及一公共線；在該閘極線和該公共線上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成與該閘極電極對應的一通道圖案； 在該絕緣層上形成具有與該通道圖案電性連接的一源極電極的一資料線，以及形成與該通道圖案電性連接並從該源極電極分離出來的一汲極電極；在該資料線和該汲極電極上形成一鈍化層；以及形成與該公共線電性連接的一公共電極並由一不透明金屬形成，以及形成與該汲極電極電性連接的一像素電極並由一不透明金屬形成，其中，該公共電極與該像素電極的形成步驟包括：在該基板上形成一金屬層；在該金屬層上形成一第一光阻圖案；透過一灰化處理減少該第一光阻圖案的寬度，進而形成一第二光阻圖案；以及在已經形成的該第二光阻圖案上利用一蝕刻氣體蝕刻該金屬層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中，該金屬層的形成步驟包括：利用一鉬、一鉬合金、一鈦、以及一鈦合金中的至少一個形成該金屬層。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中，該第二光阻圖案的形成步驟包括：形成具有寬度大約為1~2 μm的該第二光阻圖案。
  10. 一種用於製造一顯示裝置的方法，該方法包括：在一基板上形成具有一閘極電極的一閘極線、以及一公共線；在該閘極線和該公共線上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成與該閘極電極對應的一通道圖案；在該絕緣層上形成具有與該通道圖案電性連接的一源極電極的一資料線，以及形成與該通道圖案電性連接並從該源極 電極分離出來的一汲極電極；在該資料線和該汲極電極上形成一鈍化層；以及形成與該公共線電性連接的一公共電極並由一不透明金屬形成，以及形成與該汲極電極電性連接的一像素電極並由一不透明金屬形成，其中，該公共電極與該像素電極的形成步驟包括：在該基板上形成一金屬層；在該金屬層上形成一第一光阻圖案；利用一蝕刻溶液蝕刻該金屬層，進而形成一預備公共電極和一預備像素電極；透過一灰化處理而縮小該第一光阻圖案的寬度，進而形成一第二光阻圖案；以及在已經形成的該第二光阻圖案上，利用一蝕刻氣體蝕刻該預備公共電極和該預備像素電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中，該金屬層的形成步驟包括：利用一鉬、一鉬合金、一鈦、以及一鈦合金中的至少一個形成該金屬層。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中，該第二光阻圖案的形成步驟包括：形成寬度大約為1~2 μm的該第二光阻圖案。
TW097114375A 2007-04-19 2008-04-18 顯示裝置及其製造方法 TWI390311B (zh)

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