CN104637957B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，所述阵列基板包括基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接。本发明能够降低数据线断裂产生暗线的概率，从而提高产品良率，且能够防止显示面板产生显示不均的现象。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶显示装置和有机发光显示装置等平板显示技术领域得到了非常广泛的应用，以主动矩阵(active matrix)式液晶显示装置为例，TFT是作为液晶显示装置中液晶显示面板的像素开关元件。其中，TFT具有一栅电极、一漏电极、一源电极及一有源层，栅电极与栅极线电连接并受其控制而开启，源电极与数据线电连接以接收信号，而漏电极与像素电极电连接，用以改变液晶显示面板的每个像素的穿透率而达到控制灰阶亮度的目的。

液晶显示面板通常是由一TFT阵列基板、一彩色滤光基板以及一夹设于两基板间的液晶层构成，且两基板与液晶层可形成多个阵列设置的像素。图1是现有技术中液晶显示面板的TFT阵列基板的俯视图，如图1所示，主要包括基板1、以及设置于基板1上多条栅极线2和多条数据线3，位于数据线3和栅极线2交叉处的TFT(包括源电极4、栅电极5和漏电极6)以及与TFT电连接的像素电极(图中未示出)。

相邻的数据线3和栅极线2所围成的区域为像素区域，所述像素区域包括TFT区域和像素电极区域，所述像素电极设置于该像素电极区域内，TFT设置于TFT区域内。TFT的栅电极5与栅极线2相连，TFT的源电极4与数据线3相连，TFT的漏电极6与所述像素电极相连。

图2是现有技术中TFT阵列基板制作方法的流程图。如图2所示，现有的TFT阵列基板的制作工艺包括如下步骤：

A、提供基板1，在基板上形成缓冲层101；

B、在缓冲层101上沉积一层有源层，刻蚀所述有源层，在所述TFT区域形成有源层结构7；

C、在步骤B的基础上沉积一层栅极绝缘层102；

D、在步骤C的基础上沉积第一导电层，刻蚀该第一导电层形成第一电极图案，所述第一电极图案包括栅极线(图中未示出)和栅电极5；

E、在步骤D的基础上沉积第一层间绝缘层103，刻蚀该层间绝缘层103和栅极绝缘层102在TFT区域形成第一过孔1031和第二过孔1032；

F、在步骤E的基础上沉积第二导电层，刻蚀该第二导电层形成第二电极图案，所述第二电极图案包括数据线3、源电极4和漏电极6，源电极4通过第一过孔1031与有源层结构7电连接，漏电极6通过第二过孔1032与有源层结构7电连接；

G、在步骤F的基础上依次沉积钝化层104、公共电极层105和第一绝缘层106，刻蚀该第一绝缘层106、公共电极层105和钝化层104在TFT区域形成第三过孔1061；

H、在步骤G的基础上沉积像素电极层，刻蚀该像素电极层在像素区域形成像素电极107，像素电极107通过第三过孔1061与漏电极6电连接。

现有的TFT阵列基板在制作的过程中，如果层间绝缘层103表面存在异物，则沉积的第二导电层在异物(Particle)(如图1中所示的异物8)所在的位置出现凸起，使得形成的数据线3容易发生断裂，从而产生暗线，降低了产品良率。

同时，如图2步骤E所示，现有的阵列基板在制作过程中，因为层间绝缘层103的材料为绝缘材质，在刻蚀该层间绝缘层103形成第一过孔1031和第二过孔1032的过程中，尤其在光刻胶剥离、清洗等过程中，层间绝缘层103表面容易产生并积累静电，当在第一过孔1031和第二过孔1032中分别形成源电极4和漏电极6以后，单个TFT呈暴露状态，此时层间绝缘层103表面的静电会通过源电极4和漏电极6击伤有源层结构7与栅电极5交叠的部分(沟道)，从而使得沟道产生缺陷或者在栅极绝缘层103上积累电荷，进而导致阵列基板中TFT(包括N型管和P型管)的阈值电压Vth发生漂移，而发生阈值电压Vth漂移的TFT，其局部充电和放电的能力会发生增强或者减弱，从而导致局部像素电压产生波动，从而使得液晶显示面板出现显示效果不均(mura)的现象。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有技术中数据线容易断裂产生的暗线、产品良率低以及显示不均的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。

第四方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极金属层，刻蚀所述栅极金属层形成栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层电绝缘；在所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层上形成层间绝缘层，图案化所述层间绝缘层形成层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；

在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线，所述金属预置层位于所述数据线下面。

本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，通过在数据线的下方设置金属预置层，且所述金属预置层与所述栅极线电绝缘，在制作过程中，金属预置层和数据线在不同的工艺步骤中形成，使得导致金属预置层断裂的异物和导致数据线断裂的异物不会发生在重叠的位置，因此，能够降低因数据线断线而带来的暗线的风险，从而提升产品良率，此外，在相同数据线的宽度下，能够增大数据线的截面面积，从而使得电阻大幅下降，相应的信号延迟也会大幅下降，且金属预置层能够优先导走层间绝缘结构表面积累的静电，防止显示面板产生显示不均的现象。

附图说明

下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：

图1是现有技术中液晶显示面板的TFT阵列基板的俯视图；

图2是现有技术中TFT阵列基板制作方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面图；

图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图；

图5是本发明实施例提供的一种阵列基板中存在异物时的示意图；

图6是现有技术中阵列基板中数据线的截面图；

图7中示出了本发明实施例提供的阵列基板的数据线的截面图；

图8是本发明实施例提供的显示面板的结构图；

图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图10、图11a和图11b、图12至图14是本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的各步骤对应的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容，并且附图中相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面图，图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图，下面结合图3和图4对本发明实施例提供的阵列基板进行描述。所述阵列基板包括：基板11、位于基板11上的栅电极121、栅极线123和金属预置层122，栅极线123与金属预置层122位于同一层且相互电绝缘，覆盖栅电极121和栅极线123的层间绝缘结构13，位于层间绝缘结构13上的源电极141和漏电极143，位于金属预置层122上的数据线142，数据线142和源电极141电连接。

其中，基板11的材料可以为玻璃或塑料中的任意一种，优选的，基板11的材料为玻璃材料。栅电极121、栅极线123和金属预置层122位于同一层且在同一工艺步骤中形成，栅电极121和栅极线123电连接，栅电极121、栅极线123和金属预置层122可以只包括一层金属，例如：Ti、Mo或Al等，当然，栅电极121、栅极线123和金属预置层122也可以是多层金属的叠层，例如：例如：可以是钛Ti/铝Al/Ti多层金属的叠层，也可以是钼Mo/Al/Mo多层金属的叠层，这里仅仅是举例说明栅电极121、栅极线123和金属预置层122的两种情况，还有其他很多情况，这里不再一一说明。优选的，栅电极121、栅极线123和金属预置层122的厚度均为100nm～500nm，其中，栅极线123和金属预置层122的宽度可以为1μm～2μm。层间绝缘结构13覆盖栅电极121和栅极线123，层间绝缘结构13的材料可以为氮化硅或氧化硅。源电极141、漏电极143和数据线142位于同一层且在同一工艺步骤中形成，源电极141、漏电极143和数据线142可以只包括一层金属，例如：Mo或Al等，当然，源电极141、漏电极143和数据线142也可以为多层金属的叠层，例如：Ti/Al/Ti等，这里仅仅是举例说明源电极141、漏电极143和数据线142的两种情况，还有其他很多情况，这里不再一一说明。优选的，源电极141、漏电极143和数据线142的厚度均为100nm～2000nm。其中，数据线142的宽度可以为3μm，需要说明的是，金属预置层122的宽度可以小于数据线142的宽度，也可以大于数据线142的宽度，当然还可以等于数据线142的宽度，在此不做限定。

优选的，所述阵列基板在基板11与栅电极121、栅极线123和金属预置层122之间还可包括：位于基板11上的缓冲层15，位于缓冲层15上的有源层结构16，覆盖有源层结构16和缓冲层15的栅极绝缘层17，层间绝缘结构13和栅极绝缘层17上设置有第一过孔171和第二过孔172，源电极141和漏电极143分别通过第一过孔171和第二过孔172与有源层结构16电连接。

进一步的，所述阵列基板还包括覆盖源电极141、漏电极143和数据线142的平坦化层18，位于平坦化层18上的第一透明导电电极19，位于第一透明导电电极19上的绝缘层20，以及位于绝缘层20上的第二透明导电电极21。平坦化层18、第一透明导电电极19和绝缘层20上设置有第三过孔201，第二透明导电电极21通过第三过孔201与漏电极143电连接。

其中，有源层结构16的材料可以采用低温多晶硅等。在制作阵列基板的过程中，有源层结构16通常需要进行离子掺杂，由于玻璃基板中也具有杂质，因此需要在基板11和有源层结构16之间设置一层缓冲层15对杂质起到隔离作用。栅极绝缘层17的材料可以采用氧化硅SiO_x，也可以采用SiO_x/氮化硅SiN_x等。栅电极121、栅极线123和金属预置层122位于栅极绝缘层17上，栅电极121与有源层结构16的交叠处为薄膜晶体管的沟道。第一透明导电电极19和第二透明导电电极21的材料可以为氧化铟锡(ITO)、铟锡氧化物(IZO)、上述材料的组合或者其他透明导电材料。在本实施例中，第一透明导电电极19为公共电极，第二透明导电电极21为像素电极。层间绝缘结构13可以是一层也可以是多层，层间绝缘结构13覆盖栅电极121和栅极线123。在光刻胶剥离、清洗等过程中，层间绝缘结构13表面积累的静电可以传输到金属预置层122，同时，由于金属预置层122的位置高于有源层结构16的位置，因此，金属预置层122能够优先导走静电，从而能够防止静电击伤沟道，避免薄膜晶体管的阈值电压发生偏移，防止显示面板产生显示不均的现象，进而能够提高显示面板的图像显示质量。

在本实施例中，如图4所示，在形成栅电极121、栅极线123和金属预置层122的过程中，除栅极121、栅极线123之外，只保留数据线142下方的金属层，且金属预置层122与栅极线123之间的金属层也被刻蚀掉，使金属预置层122与栅极线123之间电绝缘，防止栅极线123和数据线142发生短路。因为数据线142和金属预置层122在不同的工艺步骤中形成，即使存在导致金属预置层122断裂的异物a的位置和导致数据线142断裂的异物b，异物a与异物b的位置也不会发生重叠(如图5所示)，或者说发生重叠的概率很小，可以不予考虑，也就是说，金属预置层122与数据线142发生断裂的位置不会重叠，如果金属预置层122发生断裂，可以通过数据线142进行连接，如果数据线142发生断裂，可以通过金属预置层122进行连接，从而大大降低阵列基板上数据线断线的概率，从而能够提高产品的良率。

进一步的，图6是现有技术中阵列基板中数据线的截面图，图7中示出了本发明实施例提供的阵列基板的数据线的截面图。如图6和图7所示，现有技术中数据线3的截面形状为长方形，对于宽度为3μm，厚度为0.6μm的数据线3来说，现有技术中数据线3的截面积为1.8μm²，本实施例中，数据线142下方设置有金属预置层122，增加了数据线142的厚度，在与现有技术中相同数据线宽度和厚度的条件下，本实施例中数据线142的截面积为2.4μm²，截面积提高1.33倍，因此，可以使数据线142的电阻的阻值大幅度的下降，相应的信号延迟也会大幅下降，从而能够提高显示面板的图像显示质量。

在本实施例中，还提供了一种显示面板，图8是本发明实施例提供的显示面板的结构图。如图8所示，所述显示面板包括：对置基板31、与对置基板31相对设置的阵列基板32，所述显示面板还可包括设置在对置基板31和阵列基板32之间的中间层33，其中，阵列基板31为上述实施例所述的阵列基板。

具体地，中间层32与显示面板的显示类型有关。当采用液晶显示时，中间层32为液晶层，对置基板31可以为彩膜基板，通过设置在对置基板31中的公共电极和设置在阵列基板32中的像素电极之间形成的电场(对应扭曲向列型)或者通过设置在阵列基板32内的公共电极和像素电极之间形成的电场(对应边缘场开关型或者平面转换型)来控制液晶层中的液晶分子的转动，从而实现显示效果。

本发明实施例还提供一种显示装置。图9是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图9，显示装置40包括显示面板41，还可以包括其他用于支持显示装置40正常工作的器件。其中，所述显示面板41为上述实施例中所述的显示面板。上述的显示装置40可以为手机、台式电脑、笔记本、平板电脑的一种。

本发明实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置，一方面，能够大大降低因数据线断裂而带来的暗线的风险，提高产品良率；另一方面，能够降低信号延迟，提高显示面板的图像显示质量，此外，还能够防止静电击伤沟道，避免薄膜晶体管的阈值电压发生偏移，防止显示面板产生显示不均的现象。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，图10、图11a和图11b、图12至图14是本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的各步骤对应的剖面图，下面结合图10、图11a和图11b、图12至图14对所述阵列基板的制作方法进行详述：

步骤S1，提供一基板51。

如图10所示，基板51的材料可以为玻璃或塑料中的任意一种，优选的，基板51的材料为玻璃材料。

步骤S2，在基板51上形成栅极金属层，刻蚀栅极金属层形成栅电极521、栅极线523和金属预置层522，栅极线523与金属预置层522电绝缘。

具体地，如图11a与图11b所示，在制作过程中，可在提供的基板51上形成缓冲层55以后，在缓冲层55上形成有源层，图案化所述有源层形成有源层结构56，在有源层结构56和缓冲层51上形成栅极绝缘层57。之后在栅极绝缘层57上形成栅极金属层，刻蚀栅极金属层形成栅电极521、栅极线523和金属预置层522，栅极线523与金属预置层522电绝缘，栅电极521和有源层结构56交叠处形成薄膜晶体管的沟道。

具体地，可通过干刻的方法形成有源层结构56，有源层的材料可以采用低温多晶硅。可通过沉积的方法形成栅极绝缘层57，栅极绝缘层57的材料可以采用氧化硅SiO_x，也可以采用SiO_x/氮化硅SiN_x等。可采用溅射的方法形成栅极金属层，之后利用光罩及光刻工艺形成栅电极521、栅极线523和金属预置层522，栅电极521和栅极线523连接在一起。如图11b所示，在此过程中，金属预置层522与栅极线523之间的栅极金属层需要被刻蚀掉，使金属预置层522与栅极线523之间电绝缘，防止栅极线523和数据线发生短路，此外，栅极绝缘层57在形成如图12所示的源电极第一过孔571和漏电极第二过孔572处的栅极金属层需要被刻蚀掉，这是由于在后续工艺中需要形成贯穿栅极绝缘层的第一过孔571和第二过孔572，以简化形成第一过孔571和第二过孔572的工艺。

需要说明的是，所述栅极金属层可以只包括一层金属，例如：Ti、Mo或Al等，当然，所述栅极金属层也可以是多层金属的叠层，例如：例如：可以是钛Ti/铝Al/Ti多层金属的叠层，也可以是钼Mo/Al/Mo多层金属的叠层，这里仅仅是举例说明栅极金属层的两种情况，还有其他很多情况，这里不再一一说明。优选的，栅电极521、栅极线523和金属预置层522的厚度均为100nm～500nm，其中，栅极线521和金属预置层522的宽度可以为1μm～2μm。

步骤S3，在栅电极521、栅极线523和金属预置层522上形成层间绝缘层，图案化所述层间绝缘层形成层间绝缘结构53，层间绝缘结构53将金属预置层522裸露出来。

具体地，如图12所示，可采用沉积或化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)的方法在栅电极521、栅极线523和金属预置层522上形成层间绝缘层，之后利用光罩及光刻工艺形成层间绝缘结构53。

在此过程中，在层间绝缘结构53和栅极绝缘层57上形成第一过孔571和第二过孔572，第一过孔571和第二过孔572将有源层结构56裸露出来，同时，金属预置层522作为刻蚀阻挡层，位于金属预置层522上的层间绝缘层被移除，露出金属预置层522。需要说明的是，贯穿层间绝缘结构53和栅极绝缘层57的第一过孔571和第二过孔572可以在同一工艺步骤中形成，也可以在不同的工艺步骤中形成。

在本实施例中，在光刻胶剥离、清洗等过程中，层间绝缘结构53表面积累的静电可以传输到金属预置层522，同时，由于金属预置层522的位置高于有源层结构56的位置，因此，金属预置层522能够优先导走静电，从而能够防止静电击伤沟道，避免薄膜晶体管的阈值电压发生偏移，防止显示面板产生显示不均的现象，进而能够提高显示面板的图像显示质量。

步骤S4，在层间绝缘结构53和金属预置层522上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极541、漏电极543和数据线542，金属预置层522被数据线542所覆盖。

具体地，如图13所示，可采用溅射的方法在层间绝缘结构53和金属预置层522上形成源漏极金属层，之后利用光罩及光刻工艺形成源电极541、漏电极543和数据线542，源电极541通过第一过孔571与有源层结构56电连接，漏电极543通过第二过孔572与有源层结构56电连接。金属预置层522被数据线542所覆盖，并与数据线542电连接。

在此过程中，由于金属预置层522和数据线542在不同的工艺步骤中形成，导致金属预置层522断裂的异物和导致数据线542断裂的异物不会发生在重叠的位置，或者说发生重叠的概率很小，可以不予考虑，也就是说，金属预置层522与数据线542发生断裂的位置不会重叠，如果金属预置层522发生断裂，可以通过数据线542进行连接，如果数据线542发生断裂，可以通过金属预置层522进行连接，因此，能够大大降低数据线542断线的概率，从而降低产生暗线的风险，提供产品的良率。

需要说明的是，源漏极金属层可以只包括一层金属，例如：Mo或Al等，当然，源漏极金属层也可以为多层金属的叠层，例如：Ti/Al/Ti等，这里仅仅是举例说明源漏极金属层的两种情况，还有其他很多情况，这里不再一一说明。优选的，源电极541、漏电极543和数据线542的厚度均为100nm～2000nm。其中，数据线542的宽度可以为3μm，需要说明的是，金属预置层522的宽度可以小于数据线542的宽度，也可以大于数据线542的宽度，当然还可以等于数据线542的宽度，在此不做限定。

此外，由于数据线542下方设置有金属预置层522，增加了数据线542的厚度，在与现有技术中相同数据线宽度和厚度的条件下，本实施例制作的阵列基板能够增大数据线542的截面积，使数据线电阻的阻值大幅度下降，相应的信号延迟也会大幅度下降，提高显示面板的显示效果。

优选的，在步骤S4的基础上，如图14所示，所述阵列基板的制作方法还可包括：在源电极541、漏电极543和数据线542上方形成平坦化层58；在平坦化层58上形成第一透明导电电极59；在第一透明导电电极59上形成绝缘层60；在绝缘层60、第一透明导电电极59、平坦化层58上形成第三过孔601，在绝缘层60上形成第二透明导电电极61，第二透明导电电极61通过第三过孔601与漏电极543电连接。

其中，第一透明导电电极59和第二透明导电电极61的材料可以为氧化铟锡(ITO)、铟锡氧化物(IZO)、上述材料的组合或者其他透明导电材料。在本实施例中，第一透明导电电极59为公共电极，第二透明导电电极61为像素电极。

本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，一方面，能够大大降低因数据线断裂而带来的暗线的风险，提高产品良率；另一方面，能够降低信号延迟，提高显示面板的图像显示质量，此外，还能够防止静电击伤沟道，避免薄膜晶体管的阈值电压发生偏移，防止显示面板产生显示不均的现象。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层位于同一层且相互电绝缘；

覆盖所述栅电极和栅极线的层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；

位于所述层间绝缘结构上的源电极和漏电极；

位于所述层间绝缘结构与所述金属预置层上的数据线，所述数据线和所述源电极电连接；

其中，在所述基板与所述栅电极、栅极线和金属预置层之间，还包括：

位于所述基板上的缓冲层；

位于所述缓冲层上的有源层结构；

覆盖所述有源层结构和所述缓冲层的栅极绝缘层；

所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层在同一工艺步骤中形成，所述金属预置层设置在所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层和所述金属预置层的厚度之和大于所述有源层结构的厚度；

所述金属预置层的位置高于所述有源层结构的位置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘结构和所述栅极绝缘层上设置有第一过孔与第二过孔，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层结构电连接。

3.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的平坦化层；

位于所述平坦化层上的第一透明导电电极；

位于所述第一透明导电电极上的绝缘层；

所述平坦化层、所述第一透明导电电极和所述绝缘层上设置有第三过孔；

位于所述绝缘层上的第二透明导电电极，所述第二透明导电电极通过所述第三过孔与所述漏电极电连接。

4.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层的厚度均为100nm～500nm。

5.根据权利要求1-2任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极、所述漏电极和所述数据线的厚度均为100nm～2000nm。

6.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成栅极金属层，刻蚀所述栅极金属层形成栅电极、栅极线和金属预置层，所述栅极线与所述金属预置层电绝缘；

在所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层上形成层间绝缘层，图案化所述层间绝缘层形成层间绝缘结构，所述层间绝缘结构将所述金属预置层裸露出来；

在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线，所述金属预置层位于所述数据线下面；

其中，在所述基板上形成栅极金属层之前，所述方法还包括：

在所述基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成有源层，图案化所述有源层形成有源层结构；

在所述有源层结构和所述缓冲层上形成栅极绝缘层；

所述栅电极、所述栅极线和所述金属预置层在同一工艺步骤中形成，所述金属预置层设置在所述栅极绝缘层上，且所述栅极绝缘层和所述金属预置层的厚度之和大于所述有源层结构的厚度；

所述金属预置层的位置高于所述有源层结构的位置。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘结构和所述栅极绝缘层上形成有第一过孔和第二过孔，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述有源层结构电连接。

10.根据权利要求8-9任一所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述层间绝缘结构和所述金属预置层上形成源漏极金属层，刻蚀所述源漏极金属层形成源电极、漏电极和数据线之后，所述方法还包括：

在所述源电极、所述漏电极和所述数据线上方形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成第一透明导电电极；

在所述第一透明导电电极上形成绝缘层；

在所述绝缘层、所述第一透明导电电极和所述平坦化层上形成第三过孔；

在所述绝缘层上形成第二透明导电电极，所述第二透明导电电极通过所述第三过孔与所述漏电极电连接。