CN104298020A - 应用于ads显示装置中的阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种应用于ADS显示装置的阵列基板，涉及显示装置技术领域，解决了现有技术中阵列基板的整个公共电极网路的电阻很大，从而导致信号延迟时间增加，影响显示装置画面品质的问题。本发明提供的所述一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，包括基板，在所述基板上设有公共电极层，所述公共电极层上铺设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上设有栅极；所述栅极上铺设有第二绝缘层；所述第二绝缘层上铺设有钝化层，所述钝化层上形成有像素电极；所述公共电极层包括间隔设于所述基板上的公共电极，以及连接在相邻所述公共电极之间的金属导电层；所述金属导电层对应非显示区域设置。本发明主要用于ADS显示装置的生产中。

Description

应用于ADS显示装置中的阵列基板
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种应用于ADS显示装置中的阵列基板。
背景技术
目前，液晶显示器凭借其高响应度、高亮度和高对比度等优点，已成为显示装置中的主流产品。
其中，液晶显示器主要由阵列基板和彩膜基板，以及封装与两片基板之间的液晶组成；具体地，液晶显示器的工作原理主要是通过电场对液晶的作用来控制液晶分子的转动方向，从而达到显示的目的。现有技术中，ADS(边缘场效应型)显示模式下的阵列基板，如图1所示，包括玻璃基板1，玻璃基板1上由下向上依次设有第一电极层2、绝缘层3、钝化层4、导电连接膜5以及像素电极6；其中，第一电极层2包括栅极21及其两侧的公共电极层22，公共电极层22包括下侧透明的公共电极221，在公共电极221的顶角端设有与其直接相连的金属片222；具体地，相邻公共电极221上的金属片222之间通过贯穿过绝缘层3、钝化层4上的过孔的导电连接膜5电连接。
然而，导电连接膜通常是氧化铟锡材质，具有较大的电阻，且在过孔处的接触电阻很大，导致整个公共电极网络(公共电极层和导电连接膜)的电阻很大，使信号延迟时间增加，影响显示装置的画面品质，例如出现残像或绿屏等不良现象。
发明内容
本发明提供了一种应用于ADS显示装置中的阵列基板，解决了现有技术中阵列基板的整个公共电极网路的电阻很大，从而导致信号延迟时间增加，影响显示装置画面品质的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种应用于ADS显示装置的阵列基板，包括基板，在所述基板上设有公共电极层，所述公共电极层上铺设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上设有栅极；所述栅极上铺设有第二绝缘层；所述第二绝缘层上铺设有钝化层，所述钝化层上形成有像素电极；所述公共电极层包括间隔设于所述基板上的公共电极，以及连接在相邻所述公共电极之间的金属导电层；所述金属导电层对应非显示区域设置。
具体地，所述金属导电层包括本体和多个间隔设置的延伸部；所述本体横向连接所述公共电极，所述多个延伸部分别纵向连接相邻的两个所述公共电极。
实际应用时，所述公共电极、像素电极均为氧化铟锡膜。
其中，所述金属导电层和栅极的材质均为铜合金。
具体地，所述钝化层的材质为氮化硅。
本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，包括基板，及其上依次设有的公共电极层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、钝化层和像素电极；其中，公共电极层包括间隔设于基板上的公共电极和连接在相邻公共电极之间的金属导电层；具体地，该金属导电层对应非显示区域设置。由此分析可知，通过在栅极下侧设有的，比导电连接膜阻值较小的金属导电层，将相邻的公共电极之间电连接，本发明不仅使用了比现有技术中(氧化铟锡)导电连接膜阻值小的金属导电层，同时避免了现有技术中过孔处的接触电阻，从而减小了整个公共电极网络(公共电极和金属导电层)的电阻，使信号延迟时间减少，进一步地公共电极信号也可以避免通过过孔传递，从而直接传递到显示区域，因此本发明实施例提供的阵列基板能够提高ADS显示装置的显示效果。另外，本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，避免了显示区域周边的过孔连接，因此能够提高配向膜中液体的扩散均一性，从而避免亮度不均等不良，提高显示装置的画面品质。
附图说明
图1为现有技术中应用于ADS显示装置中的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明提供的一种应用于ADS显示装置中的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明提供的应用于ADS显示装置中的阵列基板的俯视图；
图4为本发明提供的应用于ADS显示装置中的阵列基板的制造方法流程图。
图中，1为(玻璃)基板；2为第一电极层、21为栅极、22为公共电极层、221为公共电极、222为金属片；3为(第一)绝缘层、31为第二绝缘层；4为钝化层；5为导电连接膜；6为像素电极；7为金属导电层、71为本体、72为延伸部。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例一种应用于ADS显示装置的阵列基板进行详细描述。
本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板，如图2所示，包括基板1，在基板1上设有公共电极层22，公共电极层22上铺设有第一绝缘层3；第一绝缘层3上设有栅极21；栅极21上铺设有第二绝缘层31；第二绝缘层31上铺设有钝化层4，钝化层4上形成有像素电极6；公共电极层22包括间隔设于基板1上的公共电极221，以及连接在相邻公共电极221之间的金属导电层7；金属导电层7对应非显示区域设置。
本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，包括基板，及其上依次设有的公共电极层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、钝化层和像素电极；其中，公共电极层包括间隔设于基板上的公共电极和连接在相邻公共电极之间的金属导电层；具体地，该金属导电层对应非显示区域设置。由此分析可知，通过在栅极下侧设有的，比导电连接膜阻值较小的金属导电层，将相邻的公共电极之间电连接，本发明不仅使用了比现有技术中(氧化铟锡)导电连接膜阻值小的金属导电层，同时避免了现有技术中过孔处的接触电阻，从而减小了整个公共电极网络(公共电极和金属导电层)的电阻，使信号延迟时间减少，进一步地公共电极信号也可以避免通过过孔传递，从而直接传递到显示区域，因此本发明实施例提供的阵列基板能够提高ADS显示装置的显示效果。另外，本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，避免了显示区域周边的过孔连接，因此能够提高配向膜中液体的扩散均一性，从而避免亮度不均等不良，提高显示装置的画面品质。
此处需要说明的是，本发明实施例提供的一种应用于ADS显示装置的阵列基板中，有源层及源漏极为现有技术中常规的设置，即栅极上依次设有有源层和源、漏极，源极连接数据线。
实际应用时，本发明实施例提供的应用于ADS显示装置的阵列基板中的金属导电层7，如图4所示，可以具体包括本体71和其上多个间隔设置的延伸部72；该本体71横向连接公共电极221，多个延伸部72分别纵向连接相邻的两个公共电极221，从而使多个间隔设置的公共电极221连接成公共电极网络，进而与像素电极网络配合，共同控制阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子，以实现正常显示。其中，如图2和图3所示，将公共电极层22与栅极21分层设置，避免了现有技术中栅极21与公共电极层22同层设置时，间距稍近便易造成显示装置短路的不良，从而本发明能够在保证显示装置正常工作的前提下，降低公共电极线与栅极金属线之间的间距(图3中箭头所指区域)，进而提高显示装置的开口率。
具体地，上述钝化层4的材质可以为氮化硅，当然也可以选用氧化物、氮化物或氮氧化合物，或也可以采用其他合理材料制成的有机绝缘膜，在此不作限制。其中，可以通过沉积、曝光、显影、刻蚀等的工艺在第二绝缘层31上形成钝化层4。
实际应用时，本发明实施例提供的应用于ADS显示装置的阵列基板中的公共电极221和像素电极6均可以为氧化铟锡膜，当然也可以为其他合理的电极材料，例如铝合金或铜合金等，在此不作限制。
其中，上述金属导电层7和栅极21的材质均可以为铜合金，当然也可以为钼、锑、铝等金属或合金，可以优选为采用金属溅射工艺在相应膜层上形成，当然也可以采用磁控溅射工艺或热蒸发工艺在相应膜层上形成。
下面对本发明实施例提供的应用于ADS显示装置的阵列基板的制造过程进行简单描述。
其中，如图4所示，包括步骤1、在基板上形成公共电极层；步骤2、在公共电极层上沉积第一绝缘层，并在第一绝缘层上形成栅极；步骤3、在栅极上沉积第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成有源层及源漏极；步骤4、在有源层及源漏极上形成钝化层；步骤5、在钝化层上形成像素电极。
具体地，上述步骤1可以为：首先，在基板上依次沉积导电材料层、金属材料层和光刻胶；然后，使用灰阶掩膜版对光刻胶进行曝光、显影，形成第一图案化光刻胶层；之后，沿第一图案化光刻胶层对导电材料层和金属材料层进行刻蚀，以同时形成公共电极和金属导电层，即公共电极层；最后，剥离第一图案化光刻胶层。
进一步地，上述步骤2-5与现有技术中的ADS显示模式的阵列基板的制造工艺流程一致，均为MASK构图工艺，其大致过程为：首先在相应膜层上沉积对应的薄膜层或金属层，之后在最上一层涂敷光刻胶，通过使用特定的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，使其图案化，然后再通过刻蚀工艺形成特定图案，最后通过剥离工艺去除光刻胶即可完成相应图案的制造。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.一种应用于ADS显示装置的阵列基板，包括基板，其特征在于，在所述基板上设有公共电极层，所述公共电极层上铺设有第一绝缘层；所述第一绝缘层上设有栅极；所述栅极上铺设有第二绝缘层；所述第二绝缘层上铺设有钝化层，所述钝化层上形成有像素电极；
所述公共电极层包括间隔设于所述基板上的公共电极，以及连接在相邻所述公共电极之间的金属导电层；所述金属导电层对应非显示区域设置。
2.根据权利要求1所述的应用于ADS显示装置的阵列基板，其特征在于，所述金属导电层包括本体和多个间隔设置的延伸部；所述本体横向连接所述公共电极，所述多个延伸部分别纵向连接相邻的两个所述公共电极。
3.根据权利要求1或2所述的应用于ADS显示装置的阵列基板，其特征在于，所述公共电极、像素电极均为氧化铟锡膜。
4.根据权利要求3所述的应用于ADS显示装置的阵列基板，其特征在于，所述金属导电层和栅极的材质均为铜合金。
5.根据权利要求1所述的应用于ADS显示装置的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材质为氮化硅。
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