CN105137681A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：像素电极图形和公共电极图形；所述像素电极图形包括多个条状的像素电极；所述公共电极图形包括多个条状的公共电极；每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。本发明提供的阵列基板与现有技术中的阵列基板相比，能够降低像素电极和公共电极之间的交叠区域的面积，从而降低相应的交叠电容，降低充电难度。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在液晶显示技术中，AD-SDS(ADvancedSuperDimensionSwitch，高级超维场转换技术，简称ADS)模式以透过率高、宽视角、响应速度快和功耗低的优点逐渐取代TN(TwistedNematic)液晶模式，成为液晶显示领域的重要技术之一。
基于ADS模式的显示装置通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高显示装置的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。
现有ADS模式显示面板的中阵列基板的结构可以如图1所示，包括基底310、形成在基底310上的像素电极320、公共电极330、以及位于像素电极320和公共电极330之间的绝缘层340。图1中的阵列基板中，像素电极与公共电极的交叠区域的面积较大，会导致较大的交叠电容，导致对像素电极的充电困难。
发明内容
本发明的一个目的在于降低对像素电极的充电难度。
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：像素电极图形和公共电极图形；所述像素电极图形和所述公共电极图形位于不同层；所述像素电极图形包括多个条状的像素电极；所述公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
进一步的，所述像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所述公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。
进一步的，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。
进一步的，所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。
进一步的，所述公共电极的宽度和所述公共电极间隔的宽度相等。
进一步的，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。
进一步的，所述公共电极的宽度为8-10um。
第二方面，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括：
在基底上方形成像素电极图形和公共电极图形；所形成的像素电极图形和所形成的公共电极图形位于不同层；所形成的像素电极图形包括多个条状的像素电极，所形成的公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
进一步的，所形成的像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所形成的公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。
进一步的，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。
进一步的，所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。
进一步的，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。
第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明提供的阵列基板中，每两个像素电极中都有一个像素电极投影位于相邻两个公共电极投影之间，这样会有一半数量的像素电极与公共电极不存在交叠区域，与现有技术中的阵列基板相比，能够降低像素电极和公共电极之间的交叠区域的面积，从而降低相应的交叠电容，降低充电难度。
附图说明
图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图4为图2中的阵列基板的存储电容的电容值与图1中的阵列基板的存储电容的电容值的对比图；
图5为图2中的阵列基板的V-T曲线与图1中的阵列基板的V-T曲线的对比图；
图6为图3中的阵列基板的存储电容的电容值与图1中的阵列基板的存储电容的电容值的对比图；
图7为图3中的阵列基板的V-T曲线与图1中的阵列基板的V-T曲线的对比图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
基底以及形成在所述基底上方的像素电极图形和公共电极图形；所述像素电极图形和所述公共电极图形位于不同层；所述像素电极图形包括多个条状的像素电极；所述公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
本发明提供的阵列基板中，每两个像素电极中都有一个像素电极投影位于相邻两个公共电极投影之间，这样会有一半数量的像素电极与公共电极不存在交叠区域，与现有技术中的阵列基板相比，能够降低像素电极和公共电极之间的交叠区域的面积，从而降低相应的交叠电容，降低充电难度。
在具体实施时，上述的阵列基板的具体结构可能具有多种不同的形式，下面结合附图进行详细说明。
参见图2和图3，本发明一实施例提供的阵列基板包括基底310、形成在基底310上的多个像素电极320、多个公共电极330、以及位于像素电极320和公共电极330之间的绝缘层340；其中，各个像素电极320构成像素电极图形，各个公共电极330构成公共电极图形，且像素电极图形和公共电极图形形成在不同层，中间通过绝缘层340隔开；各个像素电极320等间隔排列(像素电极320之间的间隔的宽度表示为S1)且各个像素电极的宽度相等(像素电极的宽度表示为W1)，各个公共电极330也等间隔(公共电极330之间的间隔的宽度表示为S2)排列且各个公共电极330的宽度(公共电极330的宽度表示为W2)也相等。
参见图2和图3，任意两个相邻的像素电极320中的有一个像素电极320位于相邻两个公共电极330的之间的区域的上方，即该像素电极320在基底310上的投影位于两个公共电极330在基底310上的投影之间；而另一个像素电极320位于一个公共电极330的正上方，即该像素电极320在基底310的投影位于相应的公共电极330在基底310的投影区域内。
图2和图3中所示的阵列基板，由于每两个相邻的像素电极320中就有一个像素电极320没有位于公共电极330的正上方，即与公共电极330不存在交叠区域，与图1中的方案相比，能够大幅降低相应的交叠电容，能够降低对像素电极320的充电难度。
在具体实施时，一个公共电极330的宽度W2与一个公共电极330之间的间隔的宽度S2的和可以为一个像素电极320的宽度W1与一个像素电极320之间的间隔S1的宽度的和的两倍。这样，不管公共电极330与像素电极320的具体的相对位置关系具体如何，都能够比较简单的实现“相邻两个像素电极320中，其中一个像素电极320在基底310上的投影位于两个公共电极330在基底310上的投影之间，另一个像素电极320在基底310上的投影位于公共电极330在基底310上的投影内”这样的设计，从而降低设计难度。
参见图2和图3，在具体实施时，位于公共电极330上方的像素电极320可以对应其下方的公共电极330的中央区域，具体来说，该像素电极320在基底310上的投影的中心线可以与相应位置处的公共电极330在基底310上的投影的中心线重合。当然在具体实施时，也可以采用其他的设计。
在具体实施时，上述的每一个像素电极W1的宽度可以为2.6±0.1um，每一个像素电极间隔S1的宽度可以为5.4±0.1um。这种设计与现有技术中的阵列基板相比，能够使得交叠电容的容值大幅下降。
同样参见图2和图3，在具体实施时，公共电极330的宽度W2和以及公共电极330之间的间隔的宽度S2可以大致相同。这样能够使得相应的显示装置的在不同电压下的透过率以及与图1中的显示装置在不同电压下的透过率基本相同。也就是说，这样的设计能够在减少公共电极面积的情况下实现与包含现有技术中的阵列基板的显示装置基本相同的显示效果。
具体来说，可以如图2所示，这里的公共电极330的宽度W2的宽度与公共电极330之间的间隔的宽度S2可以都相同，举例来说当像素电极W1的宽度为2.6um，像素电极间隔S1的宽度为5.4um时，这里的公共电极330的宽度W2的宽度与公共电极330之间的间隔的宽度S2可以均为8um。参见图4，为此种情况下对图2中的阵列基板和对图1中的阵列基板进行仿真得到的在不同驱动电压Voltage(V)下的电容值Cst的示意图。图2中的阵列基板在各个电压下的电容值C2与图1中的阵列基板在各个电压下的电容值C1相比，均大概下降了33.2％左右。参见图5为此种情况下，对包含图2中的阵列基板的显示装置在不同驱动电压下的透过率测试得到驱动电压V-透过率Transmitance(T)曲线L2和对图1中的阵列基板的显示装置在不同驱动电压下的透过率测试得到驱动V-T曲线L1的示意图，可见包含图2的阵列基板的显示装置的V-T曲线L2和包含图1中阵列基板的显示装置的V-T曲线L1基本重合。
或者，也可以如图3所示，公共电极330的宽度W2也可以略大于公共电极330之间的间隔的宽度。比如当像素电极W1的宽度为2.6um，像素电极间隔S1的宽度为5.4um时，这里的公共电极330的宽度W2可以为10um，而公共电极330之间的间隔的宽度S2可以均为6um。参见图6为对图3中的阵列基板和对图1中的阵列基板进行仿真得到的在不同电压下的电容值的示意图。图3中的阵列基板在各个电压下的容值与图1中的阵列基板在各个电压下的容值相比，均大概下降了33.2％左右。参见图7为对包含图3中的阵列基板的显示装置在不同驱动电压下的透过率测试得到驱动电压V-透过率T曲线L2和对图1中的阵列基板的显示装置在不同驱动电压下的透过率测试得到驱动V-T曲线L1的示意图，可见包含图3的阵列基板的显示装置的V-T曲线L2和包含图1中阵列基板的显示装置的V-T曲线L1基本重合。
同时，在图2和图3中所示的阵列基板中，像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；像素电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。这样能够降低该阵列基板的制作难度和设计难度，但是在实际应用中，就为了达到本发明的基本目的而言，并不需要必然采用上述的设计。
第二方面，本发明提供了一种阵列基板制作方法，可以用以制作第一方面所述的阵列基板，该方法包括：
在基底上方形成像素电极图形和公共电极图形；所形成的像素电极图形和所形成的公共电极图形位于不同层；所形成的像素电极图形包括多个条状的像素电极，所形成的公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
进一步的，当上述的方法用以制作图2或图3中所示的阵列基板时，上述的方法中，上述的方法中，所形成的像素电极图形中的各个像素电极的宽度可以相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也可以相等；所形成的公共电极图形中的各个公共电极的宽度可以相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也可以相等。这样有利于降低设计和制作的难度。
进一步的，当上述的方法用以制作图2或图3中所示的阵列基板时，上述的方法中，一个公共电极的宽度和一个公共电极间隔的宽度的和为一个像素电极的宽度与一个像素电极间隔的宽度的和的两倍。另外，该方法中，上述的另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。所制作的每一个像素电极的宽度可以为2.6±0.1um，每一个像素电极间隔的宽度可以为5.4±0.1um。
第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。
这里的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底以及形成在所述基底上方的像素电极图形和公共电极图形；所述像素电极图形和所述公共电极图形位于不同层；所述像素电极图形包括多个条状的像素电极；所述公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所述公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度和所述公共电极间隔的宽度相等。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极的宽度为8-10um。
8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
在基底上方形成像素电极图形和公共电极图形；所形成的像素电极图形和所形成的公共电极图形位于不同层；所形成的像素电极图形包括多个条状的像素电极，所形成的公共电极图形包括多个条状的公共电极；
每两个相邻像素电极中有一个像素电极在基底上的投影位于相邻两个公共电极之间，另一个像素电极在基底上的投影位于公共电极在基底上的投影内。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所形成的像素电极图形中的各个像素电极的宽度相等，且各个像素电极间的像素电极间隔的宽度也相等；所形成的公共电极图形中的各个公共电极的宽度相等，且各个公共电极间的公共电极间隔的宽度也相等。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述公共电极的宽度与所述公共电极间隔的宽度的和为所述像素电极的宽度与所述像素电极间隔的宽度的和的两倍。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述另一个像素电极在基底上的投影的中心线与对应的公共电极在基底上的投影的中心线重合。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述像素电极的宽度为2.6±0.1um，所述像素电极间隔的宽度为5.4±0.1um。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
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