TWI572960B - 液晶顯示裝置及導電基板的製作方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及導電基板的製作方法
本發明是有關於一種液晶顯示裝置及用於該液晶顯示裝置之導電基板的製作方法，特別是指一種可改善暗紋問題之液晶顯示裝置及用於該液晶顯示裝置之導電基板的製作方法。
習知液晶顯示裝置包含一個具有第一導電層的第一導電基板、一個具有第二導電層的第二導電基板，及多個夾設於該第一、二導電層之間的液晶分子，前述該第一導電基板為包含薄膜電晶體，因此業界通稱為薄膜電晶體側基板，而該第二導電基板為包含彩色濾光片，因此業界一般稱為彩色濾光片側基板。其中，該第一導電基板具有一透明基材、一形成於該基材表面的絕緣本體、多個間隔分佈於該本體且彼此電隔絕的掃描電極及資料電極，及一由透明導電材料構成，形成於該絕緣本體表面的第一導電層，該些掃描電極及資料電極共同界定出多個畫素區域(pixel area)，且該第一導電層具有多個分別對應形成於該些畫素區域表面並具有電極狹縫(slit)的畫素電極，而任一個薄膜電晶體則分別與相互交錯的任一條掃描電極、資料電極及畫素電極電性連接。由於該第一、二導電基板的細部元件及相關結構為業界所周知，因此不再多加贅述。
當藉由該第一、二導電基板施加電壓時，可利用該些掃描電極及資料電極的掃描控制該薄膜電晶體，驅動對應 之該畫素電極與該第二導電基板相互配合形成電場，令該些液晶分子的長軸沿垂直電力線方向產生傾倒而產生色彩的變化。
然而，由於前述該畫素電極的電極狹縫位置無透明導電層材料存在，因此，當形成電場時，該畫素電極在鄰近該些電極狹縫位置的垂直電場強度會下降，導致該些畫素區域的電極狹縫位置的液晶傾倒角度不足而容易會有暗紋產生。
因此，本發明之目的，即在提供一種可用以降低畫素區域的邊界暗紋，及不同配向區交界處之暗紋問題的液晶顯示裝置。
此外，本發明之另一目的，即在提供一種用於降低畫素區域的邊界，及不同配向區交界處之暗紋問題的液晶顯示裝置之導電基板的製作方法。
於是，本發明一種液晶顯示裝置，包含一第一導電基板、一與該第一導電基板間隔設置的第二導電基板，及多個夾設在該第一、二導電基板之間的液晶分子。
該第一導電基板包括一個透明的第一基材、一個絕緣本體，多條掃描電極線，及多條資料電極線。
該絕緣本體形成於該第一基材的其中一表面，具有多個本體凹槽。
該等掃描電極線設置於該絕緣本體中，該等資料電極線設置於該絕緣本體中，與該些掃描電極線交錯設置，並 定義出複數個畫素區域，且該些畫素區域的至少其中之一包括一個畫素電極，該畫素電極形成於該絕緣本體表面，並具有多個電極狹縫，其中，該些電極狹縫沿該畫素區域之邊緣設置，且該些電極狹縫自該畫素區域之邊緣向內延伸一長度，該長度小於該些掃描電極線其中之一寬度。
又，本發明一種導電基板的製作方法，包含以下四個步驟。
步驟(a)準備一基板，該基板具有一透明的基材、一形成於該基材其中一表面的絕緣本體、多個分別沿彼此相垂直之一第一方向與一第二方向間隔分布於該絕緣本體且彼此為電性絕緣的掃描電極線與資料電極線，並定義出複數個畫素區域，且該絕緣本體具有一鄰近該絕緣本體邊緣的周邊區。
步驟(b)於該絕緣本體表面形成一光阻層，並準備一灰階光罩，該灰階光罩具有多個對應該絕緣本體欲形成導通孔位置的第一圖案和第二圖案，及多個對應於該周邊區的第三圖案，且該些第一、二圖案和第三圖案具有不同的透光度，接著以微影方式並配合該灰階光罩，將對應該些第一、二圖案位置之光阻移除至該絕緣本體露出，並將對應該些第三圖案之光阻部分移除，令該光阻層形成一具有不同厚度的遮罩圖案。
步驟(c)以該遮罩圖案為蝕刻遮罩對該絕緣本體進行蝕刻，令該絕緣本體於對應該些第一、二圖案位置形成多個導通孔，並同時令該絕緣本體於對應該些第三圖案的位置 形成多個彼此間隔的本體凹槽，及多個隔離該些本體凹槽的隔離壁，且該些導通孔與該些本體凹槽的深度不同，得到一半成品。
步驟(d)於該半成品表面形成一由透明導電材料構成的導電層，再配合微影蝕刻將部分導電層移除，令該導電層形成多個畫素電極，且每一個該畫素電極具有多個電極狹縫，該些電極狹縫為沿該畫素區域之邊緣設置，且該些電極狹縫為自該畫素區域之邊緣向內延伸一長度，該長度小於該些掃描電極線其中之一寬度。
本發明之功效在於：利用該第一導電基板的結構設計，於該絕緣本體形成多個本體凹槽並令該畫素電極同時形成多個電極狹縫，提升該些畫素區域內之垂直電場並加強側向電場，有效控制並影響液晶分子的轉向，以改善液晶顯示裝置的暗紋問題。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
參閱圖1~圖2，圖1為本發明液晶顯示裝置較佳實施例在未施加電場且沿一第三方向z的結構示意圖，且圖1所示之該第一導電基板2是沿該圖2之a-a剖線的剖視結構，圖2則是該第一導電基板2的俯視示意圖。
本發明該較佳實施例包含一第一導電基板2、一與該第一導電基板2間隔設置並可與該第一導電基板2配合施加電 壓產生電場的第二導電基板3，及多個夾設在該第一、二導電基板之間，可在受到該電場影響而轉向的液晶分子4。
該第一導電基板2即為薄膜電晶體側基板，包括一個透明的第一基材21、一個絕緣本體22、多個掃描電極線23、多個資料電極線24、多個畫素區域25、多個畫素電極26，及多個薄膜電晶體27，於本發明之各圖示中均僅顯示其中一個畫素區域25。
該第一基材21是由例如玻璃、石英玻璃等透明材料構成，於本實施例中該第一基材21是由玻璃構成。
該絕緣本體22由絕緣材料構成，形成於該第一基材21的其中一表面。
該些掃描電極線23及資料電極線24分別沿一第一方向y及一第二方向x間隔設置於該絕緣本體22中，該第一方向y及該第二方向x可相互垂直且彼此為電性絕緣，且任兩相鄰交錯的掃描電極23與資料電極24共同配合界定出一畫素區域25。
配合參閱圖1、圖3，圖3為該絕緣本體22的俯視示意圖，該絕緣本體22具有一個沿該絕緣本體22邊緣的周邊區221、一個被該周邊區221包圍的中心區222、多個自該絕緣本體22遠離該第一基材21的表面向下形成的本體凹槽223、多個將該些本體凹槽223隔離的隔離壁224，及多個用以對外電連接的導通孔225，且該每一個本體凹槽223具有一個底壁面226及一與該底壁面226連接並向上延伸的側壁面227。
值得一提的是，當該些本體凹槽223的深度太淺，則不足以對該些液晶分子4產生足夠的規範能力，而當該些本體凹槽223的深度過深時，則會造成該些本體凹槽223邊緣之液晶分子4的排列方向改變，而在該些本體凹槽223邊緣會有漏光問題；較佳地，該些本體凹槽223的深度介於1500~3000Å以產生足夠的規範能力並減少漏光量。此外，當該些本體凹槽223的底壁面226與該側壁面227的夾角α太大時，所形成的坡度過緩會使得利用該些本體凹槽223產生的電場對液晶分子4規範能力不足，而產生排列不佳的情況；而當該些本體凹槽223的底壁面226與該側壁面227的夾角α為垂直時，會造成位於該些本體凹槽223邊緣之液晶分子4的排列方向改變，而在該些本體凹槽223邊緣會有漏光問題，且後續形成的該第二電極部262也容易有斷線的問題；但坡度較陡時的漏光範圍較少，因此，較佳地，該些本體凹槽223的底壁面226與該側壁面227的夾角α介於90度~120度之間。
又，較佳地，該些本體凹槽223的延長方向L1與該些掃描電極線23的銳角夾角β為介於35~55度，於圖3中該銳角夾角β是以該本體凹槽223的延長方向L1與該掃描電極線23的夾角表示，較佳地，該銳角夾角β為介於40~50度之間。於本實施例中，該些本體凹槽223為自該周邊區221延伸至該中心區222而呈現如圖4所示之鏡相對稱分佈圖案，且該些本體凹槽223的延長方向L1與該些掃描電極線23的銳角夾角β實質為45度。於其他實施例中亦可將該 些本體凹槽223視需要而設計成非對稱分布之排列方式。
參閱圖4~6，該些本體凹槽223也可以設計成如圖4或圖5所示，僅將部分形成於該週邊區221的本體凹槽223朝該中心區222延伸，而令該些本體凹槽223形成部分連通的態樣，或是只形成在該週邊區221且彼此不連通；或是形成如圖6所示的不對稱分布態樣；此外，要再說明的是，該些本體凹槽223只要不超出該畫素區域25即可，並不需要和該些掃描電極線23或資料電極線24保持一固定的距離，但亦可視需要而保持一固定的距離。
配合參閱圖1、圖3，及圖7，圖7為圖1中之該畫素電極26結構的俯視示意圖，該畫素電極26形成於該些畫素區域25內並定義出一個圖案區，具有多個由透明導電材料構成並分別形成在該些本體凹槽223的底壁面226的第一電極部261、形成於該些側壁面227的第二電極部262，及多個對應形成於該些隔離壁224頂面的電極狹縫263，該些電極狹縫263可為橢圓形、正方形、長方形、平行四邊形，或梯型等幾何圖形，且可呈等距離，或是漸進式分佈。
較佳地，該些電極狹縫263的延長方向L2與該些掃描電極線23的銳角夾角γ為介於35度~55度，於圖7中該銳角夾角γ是以該些電極狹縫263的延長方向L1與該掃描電極線23的夾角表示；較佳地，該銳角夾角γ為介於40度~50度之間；更佳地，該銳角夾角γ與該銳角夾角β的差值介於±5度之間。又，較佳地，任一第一電極部261與相鄰之一電極狹縫263的寬度和(Wt)介於4~8μm，且任一第一電 極部261與相鄰之一電極狹縫263的寬度比值介於0.5~2之間。
於本實施例中該些電極狹縫263為平行四邊形，對應形成位於該周邊區221之隔離壁224的頂面，該些電極狹縫263的一端為延伸至該畫素電極26的邊緣，且該些電極狹縫263的延長方向L2與該些掃描電極線23的銳角夾角γ實質為45度。
參閱圖8，該畫素電極26還可具有一個由該透明導電材料構成的導電邊框265，該導電邊框265為沿著該畫素電極26邊緣並環圍該些電極狹縫263，且該些電極狹縫263的一端為延伸至該導電邊框265，利用該導電邊框265可降低該些掃描電極23及資料電極24所產生之橫向電場對位在該畫素電極26邊緣之液晶分子4的干擾，而可進一步降低暗態漏光的問題，並減輕該畫素區域25的邊緣暗紋；較佳地，該導電邊框265的寬度Wd介於0.1~5μm，更佳地，該導電邊框265的寬度Wd介於2~4μm之間。
參閱圖9，又值得一提的是，該每一個畫素電極26還可具有至少一條由該透明導電材料構成且沿該第二方向x沿伸至該導電邊框265的第一支幹266及至少一條沿該第一方向y沿伸，與該第一支幹266相交並沿伸至該導電邊框265的第二支幹267，於圖9中是分別以一條第一、二支幹266、267為例說明。
該第一、二支幹266、267與該導電邊框265共同將該畫素電極26定義出四個圖案區，而令該畫素電極26形成四 個配向區域，該些電極狹縫263則沿著該導電邊框265及該第一、二支幹266、267分布於該每一個圖案區。藉由該畫素電極26形成的多個圖案區，不僅可達到多配向區域(Multi-domain)的配向效果，且利用形成於該每一個圖案區邊緣的該些本體凹槽223、電極狹縫263及該些第一電極部261的配合，可更進一步改善該些畫素區域25邊緣的暗紋問題。
要說明的是，當該第一、二支幹266、267寬度不足時，不易區隔出該些圖案區，而容易造成液晶分子4排列不良；然而當該第一、二支幹266、267寬度過大，又會令該些圖案區於對應該第一、二支幹266、267位置的暗紋明顯，較佳地，該第一支幹266的寬度W1與該第二支幹267的寬度W2分別介於3~10μm之間。
參閱圖10~12，又要說明的是，該些位於不同圖案區的電極狹縫263，也可設計成如圖10、11所示，將部分位於該些圖案區相鄰兩側邊之電極狹縫263從該導電邊框265位置向內延伸而部分連通，或是將所有位於該些配向區相鄰兩側邊之電極狹縫263從該導電邊框265位置向內延伸而完全連通形成對稱圖案，或是如圖12所示之不對稱圖案。
參閱圖13，值得一提的是，該畫素電極26還可具有多個形成於該些隔離壁224頂面的第三電極部264，該些第一、二、三電極部261、262、264可視需求而單獨存在、同時存在，或是選擇性組合存在，且該些第三電極部264可完全或部分覆蓋該些隔離壁224的頂面；而該些電極狹縫263則 為配合該些第一、二、三電極部261、262、264的分佈態樣，可同時或是分別對應形成於該些本體凹槽223的底壁面226或是該些隔離壁224頂面，圖13為該些第一、二、三電極部261、262、264於該些本體凹槽223的底壁面226、側壁面227及隔離壁224之不同組合態樣的示意表示。
該些薄膜電晶體27為對應形成於該每一個畫素區域，且任一薄膜電晶體27會分別與相互交錯的任一掃描電極23、資料電極24及畫素電極26電性連接。
該第二導電基板3為彩色濾光片側基板，具有一透明的第二基材31及一形成於該第二基材31鄰近該些液晶分子4表面的透明導電層32，而該些液晶分子4則是選自具有負誘電異方性的液晶材料。
當經由該第一、二導電基板2、3施加電壓時，會經由該些掃描電極23及資料電極24的控制該些薄膜電晶體27並提供適當的訊號電壓驅動對應之該畫素電極26，並與該透明導電層32相互配合形成電場，令該些液晶分子4的長軸沿垂直電力線方向轉向，而產生明暗或色彩的變化。
本發明利用該第一導電基板2的結構設計，於該絕緣本體22形成多個本體凹槽223之立體結構，使得該些畫素電極26得以形成較大的導電面積，提升該些畫素區域25內該些本體凹槽223的垂直電場強度，並使位於該些本體凹槽223的液晶分子4的傾角增加，以改善該些畫素區域25的暗紋問題；同時經由形成於該些底壁面226的第一電極部261或第二電極部262，可讓經由該些第一電極部261 或第二電極部262產生的側向電場會先通過該些側壁面227，如此即可利用調整該些本體凹槽223的高度及控制介電係數(ε)，改變通過該些側壁面227的電場方向，降低該些畫素電極26的邊際電場對液晶分子4的干擾，而可進一步改善該些畫素區域25邊緣的暗紋問題。
上述該第一導電基板2的較佳實施例在配合以下的製作方法說明後當可更加清楚明白。
配合參閱圖14，該第一導電基板2的製作方法，包含：
步驟(a)，準備一基板，該基板具有一透明的基材21、一形成於該基材21其中一表面的絕緣本體22、多個分別沿彼此相垂直之一第一方向y與一第二方向x間隔分布於該絕緣本體22且彼此為電隔絕的掃描電極線23與資料電極線24，及多個薄膜電晶體(圖未示)，並定義該絕緣本體22具有一鄰近該絕緣本體22邊緣的周邊區221及一被該周邊區221包圍的中心區222。
由於該基材21、絕緣本體22、該些資料電極23、掃瞄電極24與薄膜電晶體等細部相關結構之製程及材料選擇為本技術領域所週知，且非為本技術重點因此不再多加贅述。
步驟(b)，於該絕緣本體22表面形成一光阻層100，並準備一灰階光罩200，該灰階光罩200具有多個分別對應該絕緣本體22欲形成導通孔位置的第一圖案201、第二圖案202，及多個對應於該畫素區域25位置的第三圖案203，且該些第一、二圖案201、202與該些第三圖案203具有不同 的透光度，接著以微影方式並配合該灰階光罩200，將對應該些第一、二圖案201、202位置之光阻移除至該本體22露出，並將對應該些第三圖案203之光阻部分移除，令該光阻層100形成一具有不同厚度的遮罩圖案100’。
詳細的說，該步驟(b)使用的光阻材料可為正型光阻材料或負型光阻材料，而該灰階光罩200的之第一、二、三圖案201、202、203的透光度則需配合使用之光阻材料加以改變。於本較佳實施例中該光阻材料以正型光阻為例作說明，因此，該灰階光罩200的第一、二圖案201、202為可完全透光，該第三圖案203的透光度會小於該第一、二圖案201、202，而其它部分則為完全不透光，如此，利用該灰階光罩200對該光阻層100進行微影後，即可將對應該些第一、二圖案201、202的光阻材料完全移除，令該絕緣本體22露出，而對應該些第三圖案203位置的光阻材料則會因接受的曝光能量較低，無法完全移除而會有光阻材料殘留，即可讓該光阻層100形成該具有不同厚度的遮罩圖案100’。
要說明的是，該圖14為分別表示利用該灰階光罩於對應該絕緣本體22的三個不同位置形成該導通孔225或本體凹槽223的流程示意圖，最左邊及右邊分別表示利用該第一、二圖案201、202於對應該本體22欲形成導通孔225的位置及流程，中間表示以該第三圖案203於該絕緣本體22形成該些本體凹槽223之流程。
步驟(c)，以該遮罩圖案100’為蝕刻遮罩對該絕緣本體22進行蝕刻，令該絕緣本體22於對應該些第一圖案201、 202位置形成多個令該些掃描電極23與資料電極24於預定區域之部分表面裸露出之導通孔225，並同時令該絕緣本體22於對應該些第三圖案203位置形成多個彼此間隔的本體凹槽223，及多個隔離該些本體凹槽223的隔離壁224，得到一半成品。
詳細的說，該步驟(c)是利用該遮罩圖案100’為蝕刻遮罩，並可利用乾式或濕式蝕刻對該絕緣本體22進行蝕刻，由於該絕緣本體22上的遮罩圖案100’具有不同厚度，因此可利用該遮罩圖案100’的不同遮擋效果而可以單次蝕刻製程即在該絕緣本體22形成該些具有不同深度的導通孔225及本體凹槽223，如此，可減少一道光罩製程，而可有效降低製程成本。
步驟(d)，於該半成品表面形成一由透明導電材料構成的導電層26’，再配合微影蝕刻製程將該些隔離壁224頂面的部分導電材料移除形成該些電極狹縫263，即可得到該具有預定圖案之畫素電極26，而完成該第一導電基板2的製作。
值得一提的是，該第一導電基板2的製作方法還可包含一實施於該步驟(d)之後的步驟(e)，該步驟(e)是於該些本體凹槽223形成一由絕緣材料構成的填充層28。
詳細的說，該步驟(e)可利用化學氣相沉積、濺鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷技術等製程方式於該些本體凹槽223形成由氮化矽、高分子樹脂、氧化矽等絕緣材料構成的填充層28。於本較佳實施中，是於該些本體凹槽223及該絕緣 本體22表面形成該填充層28而得到如圖15所示之第一導電基板2’。
利用該形成於該些本體凹槽223及絕緣本體22表面的填充層28，不僅可提供一平坦的表面以利後續製程，還可降低因為該些本體凹槽223造成的坡度而造成位於該些坡度位置的液晶分子4配向方向改變，所造成的暗態漏光問題；此外，還可進一步利用該些填充層28的厚度及控制介電係數(ε)調整通過該些填充層28的電場方向，而可進一步改善該些畫素區域25邊緣的暗紋問題。
本發明該液晶顯示裝置係利用該第一導電基板2的設計，於該每一畫素區域25的邊緣形成多個本體凹槽223及電極狹縫263，並於該些本體凹槽223的底壁面226形成多個第一電極部261，藉由該些本體凹槽223的立體結構改變該些第一電極部261所產生的電場方向，提升該些畫素區域25之垂直電場並加強側向電場，以有效改善液晶顯示裝置的暗紋問題；此外，本發明該第一導電基板2的該些本體凹槽223及隔離壁224係利用該灰階光罩200在單次微影蝕刻製程同時製得，不像習知須分別利用兩次微影蝕刻製程，可減少一道光罩，因此還可進一步降低製程成本，故確實可達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳具體例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
y‧‧‧第一方向
x‧‧‧第二方向
z‧‧‧第三方向
L1‧‧‧本體凹槽延長方向
L2‧‧‧電極狹縫延長方向
α‧‧‧夾角
β‧‧‧銳角夾角
γ‧‧‧銳角夾角
Wt‧‧‧寬度和
Wd‧‧‧導電邊框寬度
W1‧‧‧第一支幹寬度
W2‧‧‧第二支幹寬度
2‧‧‧第一導電基板
21‧‧‧第一基材
22‧‧‧絕緣本體
221‧‧‧周邊區
222‧‧‧中心區
223‧‧‧本體凹槽
224‧‧‧隔離壁
225‧‧‧導通孔
226‧‧‧底壁面
227‧‧‧側壁面
23‧‧‧掃描電極線
24‧‧‧資料電極線
25‧‧‧畫素區域
26‧‧‧畫素電極
26’‧‧‧導電層
261‧‧‧第一電極部
262‧‧‧第二電極部
263‧‧‧電極狹縫
264‧‧‧第三電極部
265‧‧‧導電邊框
266‧‧‧第一支幹
267‧‧‧第二支幹
27‧‧‧薄膜電晶體
28‧‧‧填充層
3‧‧‧第二導電基板
31‧‧‧第二基材
32‧‧‧透明導電層
4‧‧‧液晶分子
100‧‧‧光阻層
100’‧‧‧遮罩圖案
200‧‧‧灰階光罩
201‧‧‧第一圖案
202‧‧‧第二圖案
203‧‧‧第三圖案
圖1是一剖視示意圖，說明本發明液晶顯示裝置的較佳實施例；圖2是一俯視示意圖，輔助說明該較佳實施例的第一導電基板；圖3是一示意圖，說明該較佳實施例之該些本體凹槽的實施態樣；圖4是一示意圖，說明該些本體凹槽的另一實施態樣；圖5是一示意圖，說明該些本體凹槽的又一實施態樣；圖6是一示意圖，說明該些本體凹槽的再一實施態樣；圖7是一示意圖，輔助說明該較佳實施例之該畫素電極的實施態樣；圖8是一示意圖，說明該較佳實施例之畫素電極具有導電邊框的態樣；圖9是一示意圖，說明該畫素電極界定出四個圖案區的態樣；圖10是一示意圖，說明該畫素電極的另一實施態樣；圖11是一示意圖，說明該畫素電極的又一實施態樣；圖12是一示意圖，說明該畫素電極的再一實施態樣；圖13是一示意圖，說明該第一、二、三電極部的分布態樣； 圖14是一流程示意圖，輔助說明該較佳實施例之第一導電基板的製作流程；及圖15是一示意圖，說明具有該填充層之第一導電基板。
2‧‧‧第一導電基板
21‧‧‧第一基材
22‧‧‧絕緣本體
223‧‧‧本體凹槽
225‧‧‧隔離壁
226‧‧‧底壁面
227‧‧‧側壁面
24‧‧‧資料電極線
261‧‧‧第一電極部
262‧‧‧第二電極部
263‧‧‧電極狹縫
3‧‧‧第二導電基板
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧透明導電層

Claims (19)

  1. 一種液晶顯示裝置，包含一第一導電基板；一第二導電基板，與該第一導電基板間隔設置；及多個夾設在該第一、二導電基板之間的液晶分子，其中，該第一導電基板包括：一個透明的基材；一個絕緣本體，形成於該基材的其中一表面，具有多個本體凹槽；多條掃描電極線，設置於該絕緣本體中；及多條資料電極線，設置於該絕緣本體中，與該些掃描電極線交錯設置，並定義出複數個畫素區域，且該些畫素區域的至少其中之一包括：一個形成於該絕緣本體表面，並具有多個電極狹縫的畫素電極，其中，該些電極狹縫沿該畫素區域之邊緣設置，且該些電極狹縫自該畫素區域之邊緣向內延伸一長度，該長度小於該些掃描電極線其中之一寬度。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，該絕緣本體還具有多條分別沿彼此相垂直之一第一方向與一第二方向間隔分布於該絕緣本體且彼此為電性絕緣的掃描電極線與資料電極線，且該些本體凹槽的延長方向與該掃描電極線或資料電極線的銳角夾角β介於35度~55度。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中， 該些本體凹槽的深度介於1500Å~3000Å，且每一個該本體凹槽具有一底壁面，及一與該底壁面連接且向上延伸的側壁面，該底壁面與該側壁面的夾角α介於90度~120度之間。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中，該絕緣本體還具有多個將該些本體凹槽隔離的隔離壁，該畫素電極定義出至少一個圖案區，且該畫素電極還具有多個由透明導電材料構成的第一電極部，該些第一電極部分別形成在該底壁面，該些電極狹縫分別形成於該些隔離壁頂面，且該些電極狹縫的一端為緊鄰該圖案區邊緣或延伸至該圖案區邊緣。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中，該些電極狹縫為長度不小於2μm的平行四邊形或梯形等幾何圖形，該些電極狹縫的延長方向與該掃描電極線或資料電極線的銳角夾角γ介於35~55度，且任一第一電極部與相鄰之一電極狹縫的寬度比值介於0.5~2之間。
  6. 依據申請專利範圍第4項所述之液晶顯示裝置，其中，該畫素電極還具有多個對應形成於該側壁面的第二電極部。
  7. 依據申請專利範圍第6項所述之液晶顯示裝置，其中，該畫素電極還具有多個形成於該隔離壁頂面的第三電極部。
  8. 依據申請專利範圍第2或5項所述之液晶顯示裝置，其中，該銳角夾角β與該銳角夾角γ分別介於40~50度之 間。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，該絕緣本體還具有一個沿該絕緣本體邊緣形成的周邊區，且該些本體凹槽為形成於該周邊區。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其中，該絕緣本體還具有一個被該周邊區包圍的中心區，該些本體凹槽為沿伸至該中心區，且該些延伸至該中心區的本體凹槽為部分連通或完全連通。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，每一個該畫素電極還具有至少一條沿一第一方向沿伸的第一支幹及至少一條沿一第二方向沿伸並與該第一支幹相交的第二支幹，且該第一、二支幹共同將該畫素電極定義出多個圖案區。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之液晶顯示裝置，其中，該第一、二支幹的寬度分別介於3~10μm之間。
  13. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，每一個該畫素電極還具有一個寬度介於0.1~5μm的導電邊框，該導電邊框為沿著該畫素電極邊緣並環圍該些電極狹縫，且該些電極狹縫的一端為延伸至該導電邊框。
  14. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，還包含一層由絕緣材料構成並填置於該些本體凹槽的填充層。
  15. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中，至少兩個位於該畫素電極相鄰兩側邊之該電極狹縫彼此連通。
  16. 一種導電基板的製作方法，該導電基板是用於液晶顯示裝置具有薄膜電晶體的基板，包含：(a)準備一基板，具有一透明的基材、一形成於該基材其中一表面的絕緣本體、多個分別沿彼此相垂直之一第一方向與一第二方向間隔分布於該絕緣本體且彼此為電性絕緣的掃描電極線與資料電極線，並定義出複數個畫素區域，且該絕緣本體具有一鄰近該絕緣本體邊緣的周邊區；(b)於該絕緣本體表面形成一光阻層，並準備一灰階光罩，該灰階光罩具有多個對應該絕緣本體欲形成導通孔位置的第一圖案和第二圖案，及多個對應於該周邊區位置的第三圖案，且該些第一、二圖案和第三圖案具有不同的透光度，接著以微影方式並配合該灰階光罩，將對應該些第一、二圖案位置之光阻移除至該絕緣本體露出，並將對應該些第三圖案之光阻部分移除，令該光阻層形成一具有不同厚度的遮罩圖案；(c)以該遮罩圖案為蝕刻遮罩對該絕緣本體進行蝕刻，令該絕緣本體於對應該些第一、二圖案位置形成多個導通孔，並同時令該絕緣本體於對應該些第三圖案的位置形成多個彼此間隔的本體凹槽，及多個隔離該些本體凹槽的隔離壁，且該些導通孔與該些本體凹槽的深度不同，得到一半成品；及(d)於該半成品表面形成一由透明導電材料構成的導電層，再配合微影蝕刻將部分導電層移除，令該導電層 形成多個畫素電極，且每一個該畫素電極具有多個電極狹縫，該些電極狹縫為沿該畫素區域之邊緣設置，且該些電極狹縫為自該畫素區域之邊緣向內延伸一長度，該長度小於該些掃描電極線其中之一寬度。
  17. 依據申請專利範圍第16項所述之導電基板的製作方法，其中，該步驟(c)形成的每一個該本體凹槽具有一底壁面及一與該底壁面連接並向上延伸的側壁面，該側壁面與該底壁面的夾角α介於90度~120度之間，且該些本體凹槽的深度介於1500~3000Å。
  18. 依據申請專利範圍第16項所述之導電基板的製作方法，其中，該絕緣本體還具有一被該周邊區包圍的中心區，該步驟(c)形成的該些本體凹槽為自該周邊區並延伸至該中心區，且該些延伸至該中心區的本體凹槽為部分或完全連通。
  19. 依據申請專利範圍第16項所述之導電基板的製作方法，還包含一實施於該步驟(d)之後的步驟(e)，於該些本體凹槽形成一層由絕緣材料構成的填充層。
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