CN103323993A - 液晶显示装置及导电基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明为提供一种液晶显示装置，包含一个第一导电基板、一个第二导电基板，及多个夹设在该第一、二基板之间的液晶分子，特别的是，本发明利用第一导电基板的结构设计，于绝缘本体形成多个本体凹槽，及于该绝缘本体上形成具有多个电极狭缝的像素电极，提升像素区域内的垂直电场并加强侧向电场，而改善液晶显示装置的暗纹问题；此外，本发明还同时提供一种导电基板的制作方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及用于该液晶显示装置的导电基板的制作方法，特别是指一种可改善暗纹问题的液晶显示装置，及用于该液晶显示装置的导电基板的制作方法。
背景技术
已知液晶显示装置包含一个具有第一导电层的第一导电基板、一个具有第二导电层的第二导电基板，及多个夹设于该第一、二导电层之间的液晶分子，前述该第一导电基板为包含薄膜晶体管，因此业界通称为薄膜晶体管侧基板，而该第二导电基板为包含彩色滤光片，因此业界一般称为彩色滤光片侧基板。其中，该第一导电基板具有一透明基材、一形成于该基材表面的绝缘本体、多个间隔分布于该本体且彼此电隔绝的扫描电极及数据电极，及一由透明导电材料构成，形成于该绝缘本体表面的第一导电层，所述扫描电极及数据电极共同界定出多个像素区域(pixel area)，且该第一导电层具有多个分别对应形成于所述像素区域表面并具有电极狭缝(slit)的像素电极，而任一薄膜晶体管则分别与相互交错的任一扫描电极、数据电极及像素电极电性连接。由于该第一、二导电基板的细部元件及相关结构为业界所周知，因此不再多加赘述。
当借由该第一、二导电基板施加电压时，可利用所述扫描电极及数据电极的扫描控制该薄膜晶体管，驱动对应的该像素电极与该第二导电基板相互配合形成电场，令所述液晶分子的长轴沿垂直电力线方向产生倾倒而产生色彩的变化。
然而，由于前述该像素电极的电极狭缝位置无透明导电层材料存在，因此，当形成电场时，该像素电极在邻近所述电极狭缝位置的垂直电场强度会下降，导致所述像素区域的电极狭缝位置的液晶倾倒角度不足而容易会有暗纹产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可用以降低像素区域的边界暗纹，及不同配向区交界处的暗纹问题的液晶显示装置。此外，本发明的另一目的，即在提供一种用于降低像素区域的边界，及不同配向区交界处暗纹问题的液晶显示装置的导电基板的制作方法。
于是，本发明的液晶显示装置，包含一个第一导电基板、一个与该第一导电基板间隔设置的第二导电基板，及多个夹设在该第一、二导电基板间的液晶分子，其中，该第一导电基板包括一个透明的基材、一个形成于该基材的其中一表面并具有多个本体凹槽的绝缘本体，以及至少一个形成于该绝缘本体表面，并具有多个电极狭缝的像素电极。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该绝缘本体还具有多条分别沿彼此相互垂直的一第一方向与一第二方向间隔分布于该绝缘本体且彼此为电性绝缘的扫描电极线与数据电极线，且所述本体凹槽的延长方向与该扫描电极线或数据电极线的锐角夹角β介于35度～55度之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，所述本体凹槽的深度介于
且该每一个本体凹槽具有一个底壁面，及一个与该底壁面连接且向上延伸的侧壁面，该底壁面与该侧壁面的夹角α介于90度～120度之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该绝缘本体还具有多个将所述本体凹槽隔离的隔离壁，该像素电极定义出至少一个图案区，且该像素电极还具有多个由透明导电材料构成的第一电极部，所述第一电极部分别形成在该底壁面，所述电极狭缝分别形成于所述隔离壁的顶面，且所述电极狭缝的一端为紧邻该图案区边缘或延伸至该图案区边缘。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，所述电极狭缝为长度不小于2μm的平行四边形或梯形等几何图形，所述电极狭缝的延长方向与该与该扫描电极线或数据电极线的锐角夹角γ介于35～55度，且任一个第一电极部与相邻的电极狭缝的宽度比值介于0.5～2之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该像素电极还具有多个对应形成于该侧壁面的第二电极部。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该像素电极还具有多个形成于该隔离壁顶面的第三电极部。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该锐角夹角β与该锐角夹角γ分别介于40～50度之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该绝缘本体还具有一个沿该绝缘本体边缘形成的周边区，且所述本体凹槽为形成于该周边区。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该绝缘本体还具有一个被该周边区包围的中心区，所述本体凹槽为沿伸至该中心区，且所述延伸至该中心区的本体凹槽为部分连通或完全连通。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该每一个像素电极还具有至少一条沿一第一方向沿伸的第一支干及至少一条沿一第二方向沿伸并与该第一支干相交的第二支干，且该第一、二支干共同将该像素电极定义出多个图案区。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该第一、二支干的宽度分别介于3～10μm之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该第一、二支干的宽度分别介于3～10μm之间。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，该液晶显示装置还包含一层由绝缘材料构成并填置于所述本体凹槽的填充层。
较佳地，前述该液晶显示装置，其中，至少两个位于该像素电极相邻两侧边的电极狭缝彼此连通。
又，本发明一种导电基板的制作方法，该导电基板是用于液晶显示装置具有薄膜晶体管的基板，包含以下三个步骤。
步骤a，准备一基板，该基板具有一透明的基材、一形成于该基材其中一表面的绝缘本体、多个分别沿彼此相垂直的一第一方向与一第二方向间隔分布于该绝缘本体且彼此为电性绝缘的扫描电极线与数据电极，且该绝缘本体具有一邻近该绝缘本体边缘的周边区。
步骤b，于该绝缘本体表面形成一光阻层，并准备一灰度光掩模，该灰度光掩模具有多个对应该绝缘本体欲形成导通孔位置的第一图案和第二图案，及多个对应于周边区位置的第三图案，且所述第一、二图案和第三图案具有不同的透光度，接着以光刻方式并配合该灰度光掩模，将对应所述第一、二图案位置的光阻移除至该绝缘本体露出，并将对应所述第三图案的光阻部分移除，令该光阻层形成一具有不同厚度的掩模图案。
步骤c，以该掩模图案为蚀刻掩模对该本体进行蚀刻，令该绝缘本体于对应所述第一、二图案位置形成多个导通孔，并同时令该绝缘本体于对应所述第三图案的位置形成多个彼此间隔的本体凹槽，及多个隔离所述本体凹槽的隔离壁，且所述导通孔与所述本体凹槽的深度不同，得到一半成品，及步骤d，于该半成品表面形成一由透明导电材料构成的导电层，再配合光刻蚀刻将部分导电层移除，令该导电层形成多个像素电极，且该每一个像素电极具有多个电极狭缝。
较佳地，前述该导电基板的制作方法，其中，该步骤c形成的该每一个本体凹槽具有一底壁面及一与该底壁面连接并向上延伸的侧壁面，该侧壁面与该底壁面的夹角α介于90度～120度之间，且所述本体凹槽的深度介于
较佳地，前述该导电基板的制作方法，其中，该绝缘本体还具有一被该周边区包围的中心区，该步骤(c)形成的所述本体凹槽为自该周边区并延伸至该中心区，且所述延伸至该中心区的本体凹槽为部分或完全连通。
较佳地，前述该导电基板的制作方法，还包含一实施于该步骤d之后的步骤e，于所述本体凹槽形成一层由绝缘材料构成的填充层。
本发明的有益效果在于：利用该第一导电基板的结构设计，于该绝缘本体形成多个本体凹槽并令该像素电极同时形成多个电极狭缝，提升所述像素区域内的垂直电场并加强侧向电场，有效控制并影响液晶分子的转向，以改善液晶显示装置的暗纹问题。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是本发明液晶显示装置的较佳实施例的剖视图；
图2是辅助说明该较佳实施例的第一导电基板的俯视示意图；
图3是说明该较佳实施例的所述本体凹槽的实施态样的俯视示意图；
图4是说明所述本体凹槽的另一实施态样的俯视示意图；
图5是说明所述本体凹槽的又一实施态样的俯视示意图；
图6是说明所述本体凹槽的再一实施态样的俯视示意图；
图7是辅助说明该较佳实施例的该像素电极的实施态样的俯视示意图；
图8是说明该较佳实施例的像素电极具有导电边框的示意图；
图9是说明该像素电极界定出四个图案区的示意图；
图10是说明该像素电极另一实施态样的俯视示意图；
图11是说明该像素电极又一实施态样的俯视示意图；
图12是说明该像素电极再一实施态样的俯视示意图；
图13是说明该第一、二、三电极部的分布态样示意图；
图14是辅助说明该较佳实施例的第一导电基板制作流程的流程示意图；
图15是说明具有该填充层的第一导电基板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
参阅图1～图2，图1为本发明液晶显示装置较佳实施例在未施加电场且沿一第三方向z的结构示意图，且图1所示的该第一导电基板2是沿该图2的a-a剖线的剖视结构，图2则是该第一导电基板2的俯视示意图。
本发明该较佳实施例包含一第一导电基板2、一与该第一导电基板2间隔设置并可与该第一导电基板2配合施加电压产生电场的第二导电基板3，及多个夹设在该第一、二导电基板间，可在受到该电场影响而转向的液晶分子4。
该第一导电基板2即为薄膜晶体管侧基板，包括一个透明的第一基材21、一个绝缘本体22、多个扫描电极线23、多个数据电极线24、多个像素区域25、多个像素电极26，及多个薄膜晶体管27，于本发明的各图示中均仅显示其中一个像素区域25。
该第一基材21是由例如玻璃、石英玻璃等透明材料构成，于本实施例中该第一基材21是由玻璃构成。
该绝缘本体22由绝缘材料构成，形成于该第一基材21的其中一表面。
所述扫描电极线23及数据电极线24分别沿一第一方向y及一第二方向x间隔设置于该绝缘本体22中，该第一方向y及该第二方向x可相互垂直且彼此为电性绝缘，且任两相邻交错的扫描电极23与数据电极24共同配合界定出一像素区域25。
配合参阅图1、图3，图3为该绝缘本体22的俯视示意图，该绝缘本体22具有一个沿该绝缘本体22边缘的周边区221、一个被该周边区221包围的中心区222、多个自该绝缘本体22远离该第一基材21的表面向下形成的本体凹槽223、多个将所述本体凹槽223隔离的隔离壁224，及多个用以对外电连接的导通孔225，且该每一个本体凹槽223具有一个底壁面226及一与该底壁面226连接并向上延伸的侧壁面227。
值得一提的是，当所述本体凹槽223的深度太浅，则不足以对所述液晶分子4产生足够的规范能力，而当所述本体凹槽223的深度过深时，则会造成所述本体凹槽223边缘的液晶分子4的排列方向改变，而在所述本体凹槽223边缘会有漏光问题；较佳地，所述本体凹槽223的深度介于
以产生足够的规范能力并减少漏光量。此外，当所述本体凹槽223的底壁面226与该侧壁面227的夹角α太大时，所形成的坡度过缓会使得利用所述本体凹槽223产生的电场对液晶分子4规范能力不足，而产生排列不佳的情况；而当所述本体凹槽223的底壁面226与该侧壁面227的夹角α为垂直时，会造成位于所述本体凹槽223边缘的液晶分子4的排列方向改变，而在所述本体凹槽223边缘会有漏光问题，且后续形成的该第二电极部261也容易有断线的问题；但坡度较陡时的漏光范围较少，因此，较佳地，所述本体凹槽223的底壁面226与该侧壁面227的夹角α介于90度～120度间。
又，较佳地，所述本体凹槽223的延长方向L1与所述扫描电极线23的锐角夹角β为介于35～55度，于图3中该锐角夹角β是以该本体凹槽223的延长方向L1与该扫描电极线23的夹角表示，较佳地，该锐角夹角β为介于40～50度之间。于本实施例中，所述本体凹槽223为自该周边区221延伸至该中心区222而呈现如图4所示的镜相对称分布图案，且所述本体凹槽223的延长方向L1与所述扫描电极线23的锐角夹角β实质为45度。于其他实施例中亦可将所述本体凹槽223视需要而设计成非对称分布的排列方式。
参阅图4～6，所述本体凹槽223也可以设计成如图4或图5所示，仅将部分形成于该周边区221的本体凹槽223朝该中心区222延伸，而令所述本体凹槽223形成部分连通的态样，或是只形成在该周边区221且彼此不连通；或是形成如图6所示的不对称分布态样；此外，要再说明的是，所述本体凹槽223只要不超出该像素区域25即可，并不需要和所述扫描电极线23或数据电极线24保持一固定的距离，但亦可视需要而保持一固定的距离。
配合参阅图1、图3，及图7，图7为图1中该像素电极26结构的俯视示意图，该像素电极26形成于所述像素区域25内并定义出一个图案区，具有多个由透明导电材料构成并分别形成在所述本体凹槽223的底壁面226的第一电极部261、形成于所述侧壁面227的第二电极部262，及多个对应形成于所述隔离壁224顶面的电极狭缝263，所述电极狭缝263可为椭圆形、正方形、长方形、平行四边形，或梯型等几何图形，且可呈等距离，或是渐进式分布。
较佳地，所述电极狭缝263的延长方向L2与所述扫描电极线23的锐角夹角γ为介于35度～55度，于图7中该锐角夹角γ是以所述电极狭缝263的延长方向L1与该扫描电极线23的夹角表示；较佳地，该锐角夹角γ为介于40度～50度之间；更佳地，该锐角夹角γ与该锐角夹角β的差值介于±5度之间。又，较佳地，任一第一电极部261与相邻的一电极狭缝263的宽度和(Wt)介于4～8μm，且任一第一电极部261与相邻的一电极狭缝263的宽度比值介于0.5～2之间。
于本实施例中所述电极狭缝263为平行四边形，对应形成位于该周边区221的隔离壁224的顶面，所述电极狭缝263的一端为延伸至该像素电极26的边缘，且所述电极狭缝263的延长方向L2与所述扫描电极线23的锐角夹角γ实质为45度。
参阅图8，该像素电极26还可具有一个由该透明导电材料构成的导电边框265，该导电边框265为沿着该像素电极26边缘并环围所述电极狭缝263，且所述电极狭缝263的一端为延伸至该导电边框265，利用该导电边框265可降低所述扫描电极23及数据电极24所产生的横向电场对位在该像素电极26边缘的液晶分子4的干扰，而可进一步降低暗态漏光的问题，并减轻该像素区域25的边缘暗纹；较佳地，该导电边框265的宽度Wd介于0.1～5μm，更佳地，该导电边框265的宽度Wd介于2～4μm之间。
参阅图9，又值得一提的是，该每一个像素电极26还可具有至少一条由该透明导电材料构成且沿该第二方向x沿伸至该导电边框265的第一支干266及至少一条沿该第一方向y沿伸，与该第一支干266相交并沿伸至该导电边框265的第二支干267，于图9中是分别以一条第一、二支干266、267为例说明。
该第一、二支干266、267与该导电边框265共同将该像素电极26定义出四个图案区，而令该像素电极26形成四个配向区域，所述电极狭缝263则沿着该导电边框265及该第一、二支干266、267分布于该每一个图案区。借由该像素电极26形成的多个图案区，不仅可达到多配向区域(Multi-domain)的配向效果，且利用形成于该每一个图案区边缘的所述本体凹槽223、电极狭缝263及所述第一电极部261的配合，可更进一步改善所述像素区域25边缘的暗纹问题。
要说明的是，当该第一、二支干266、267宽度不足时，不易区隔出所述图案区，而容易造成液晶分子4排列不良；然而当该第一、二支干266、267宽度过大，又会令所述图案区于对应该第一、二支干266、267位置的暗纹明显，较佳地，该第一支干266的宽度W1与该第二支干267的宽度W2分别介于3～10μm之间。
参阅图10～12，又要说明的是，所述位于不同图案区的电极狭缝263，也可设计成如图10、11所示，将部分位于所述图案区相邻两侧边的电极狭缝263从该导电边框265位置向内延伸而部分连通，或是将所有位于所述配向区相邻两侧边的电极狭缝263从该导电边框265位置向内延伸而完全连通形成对称图案，或是如图12所示的不对称图案。
参阅图13，值得一提的是，该像素电极26还可具有多个形成于所述隔离壁224顶面的第三电极部264，所述第一、二、三电极部261、262、264可视需求而单独存在、同时存在，或是选择性组合存在，且所述第三电极部264可完全或部分覆盖所述隔离壁224的顶面；而所述电极狭缝263则为配合所述第一、二、三电极部261、262、264的分布态样，可同时或是分别对应形成于所述本体凹槽223的底壁面226或是所述隔离壁224顶面，图13为所述第一、二、三电极部261、262、264于所述本体凹槽223的底壁面226、侧壁面227及隔离壁224的不同组合态样的示意表示。
所述薄膜晶体管27为对应形成于该每一个像素区域，且任一薄膜晶体管27会分别与相互交错的任一扫描电极23、数据电极24及像素电极26电性连接。
该第二导电基板3为彩色滤光片侧基板，具有一透明的第二基材31及一形成于该第二基材31邻近所述液晶分子4表面的透明导电层32，而所述液晶分子4则是选自具有负诱电异方性的液晶材料。
当经由该第一、二导电基板2、3施加电压时，会经由所述扫描电极23及数据电极24的控制所述薄膜晶体管27并提供适当的信号电压驱动对应的该像素电极26，并与该透明导电层32相互配合形成电场，令所述液晶分子4的长轴沿垂直电力线方向转向，而产生明暗或色彩的变化。
本发明利用该第一导电基板2的结构设计，于该绝缘本体22形成多个本体凹槽223的立体结构，使得所述像素电极26得以形成较大的导电面积，提升所述像素区域25内的本体凹槽223的垂直电场强度，并使位于所述本体凹槽223的液晶分子4的倾角增加，以改善所述像素区域25的暗纹问题；同时经由形成于所述底壁面226的第一电极部261或第二电极部262，可让经由所述第一电极部261或第二电极部262产生的侧向电场会先通过所述侧壁面227，如此即可利用调整所述本体凹槽223的高度及控制介电系数(ε)，改变通过所述侧壁面227的电场方向，降低所述像素电极26的边际电场对液晶分子4的干扰，而可进一步改善所述像素区域25边缘的暗纹问题。
上述该第一导电基板2的较佳实施例在配合以下的制作方法说明后当可更加清楚明白。
配合参阅图14，该第一导电基板2的制作方法，包含：
步骤(a)，准备一基板，该基板具有一透明的基材21、一形成于该基材21其中一表面的绝缘本体22、多个分别沿彼此相垂直的一第一方向y与一第二方向x间隔分布于该绝缘本体22且彼此为电隔绝的扫描电极线23与数据电极线24，及多个薄膜晶体管(图未示)，并定义该绝缘本体22具有一邻近该绝缘本体22边缘的周边区221及一被该周边区221包围的中心区222。
由于该基材21、绝缘本体22、所述数据电极23、扫瞄电极24与薄膜晶体管等细部相关结构的制程及材料选择为本技术领域所周知，且非为本技术重点因此不再多加赘述。
步骤(b)，于该绝缘本体22表面形成一光阻层100，并准备一灰度光掩模200，该灰度光掩模200具有多个分别对应该绝缘本体22欲形成导通孔位置的第一图案201、第二图案202，及多个对应于该像素区域25位置的第三图案203，且所述第一、二图案201、202与所述第三图案203具有不同的透光度，接着以光刻方式并配合该灰度光掩模200，将对应所述第一、二图案201、202位置的光阻移除至该本体22露出，并将对应所述第三图案203的光阻部分移除，令该光阻层100形成一具有不同厚度的掩模图案100’。
详细的说，该步骤(b)使用的光阻材料可为正型光阻材料或负型光阻材料，而该灰度光掩模200的第一、二、三图案201、202、203的透光度则需配合使用的光阻材料加以改变。于本较佳实施例中该光阻材料以正型光阻为例作说明，因此，该灰度光掩模200的第一、二图案201、202为可完全透光，该第三图案203的透光度会小于该第一、二图案201、202，而其它部分则为完全不透光，如此，利用该灰度光掩模200对该光阻层100进行光刻后，即可将对应所述第一、二图案201、202的光阻材料完全移除，令该绝缘本体22露出，而对应所述第三图案203位置的光阻材料则会因接受的曝光能量较低，无法完全移除而会有光阻材料残留，即可让该光阻层100形成该具有不同厚度的掩模图案100’。
要说明的是，该图14为分别表示利用该灰度光掩模于对应该绝缘本体22的三个不同位置形成该导通孔225或本体凹槽223的流程示意图，最左边及右边分别表示利用该第一、二图案201、202于对应该本体22欲形成导通孔225的位置及流程，中间表示以该第三图案203于该绝缘本体22形成所述本体凹槽223的流程。
步骤(c)，以该掩模图案100’为蚀刻掩模对该绝缘本体22进行蚀刻，令该绝缘本体22于对应所述第一图案201、202位置形成多个令所述扫描电极23与数据电极24于预定区域的部分表面裸露出的导通孔225，并同时令该绝缘本体22于对应所述第三图案203位置形成多个彼此间隔的本体凹槽223，及多个隔离所述本体凹槽223的隔离壁224，得到一半成品。
详细的说，该步骤(c)是利用该掩模图案100’为蚀刻掩模，并可利用干式或湿式蚀刻对该绝缘本体22进行蚀刻，由于该绝缘本体22上的掩模图案100’具有不同厚度，因此可利用该掩模图案100’的不同遮挡效果而可以单次蚀刻制程即在该绝缘本体22形成所述具有不同深度的导通孔225及本体凹槽223，如此，可减少一道光掩模制程，而可有效降低制程成本。
步骤(d)，于该半成品表面形成一由透明导电材料构成的导电层26’，再配合光刻蚀刻制程将所述隔离壁224顶面的部分导电材料移除形成所述电极狭缝263，即可得到该具有预定图案的像素电极26，而完成该第一导电基板2的制作。
值得一提的是，该第一导电基板2的制作方法还可包含一实施于该步骤(d)之后的步骤(e)，该步骤(e)是于所述本体凹槽223形成一由绝缘材料构成的填充层28。
详细的说，该步骤(e)可利用化学气相沉积、溅镀法、旋转涂布法、喷墨印刷技术等制程方式于所述本体凹槽223形成由氮化硅、高分子树脂、氧化硅等绝缘材料构成的填充层28。于本较佳实施中，是于所述本体凹槽223及该绝缘本体22表面形成该填充层28而得到如图15所示的第一导电基板2’。
利用该形成于所述本体凹槽223及绝缘本体22表面的填充层28，不仅可提供一平坦的表面以利后续制程，还可降低因为所述本体凹槽223造成的坡度而造成位于所述坡度位置的液晶分子4配向方向改变，所造成的暗态漏光问题；此外，还可进一步利用该填充层28的厚度及控制介电系数(ε)调整通过该填充层28的电场方向，而可进一步改善所述像素区域25边缘的暗纹问题。
本发明该液晶显示装置系利用该第一导电基板2的设计，于该每一像素区域25的边缘形成多个本体凹槽223及电极狭缝263，并于所述本体凹槽223的底壁面226形成多个第一电极部261，借由所述本体凹槽223的立体结构改变所述第一电极部261所产生的电场方向，提升所述像素区域25的垂直电场并加强侧向电场，以有效改善液晶显示装置的暗纹问题；此外，本发明该第一导电基板2的所述本体凹槽223及隔离壁224系利用该灰度光掩模200在单次光刻蚀刻制程同时制得，不像已知须分别利用两次光刻蚀刻制程，可减少一道光掩模，因此还可进一步降低制程成本，故确实可达成本发明的目的。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
Claims (19)
1.一种液晶显示装置，包含一个第一导电基板、一个与该第一导电基板间隔设置的第二导电基板，及多个夹设在该第一、二导电基板间的液晶分子；其特征在于：该第一导电基板包括一个透明的基材、一个形成于该基材的其中一表面并具有多个本体凹槽的绝缘本体，以及至少一个形成于该绝缘本体表面，并具有多个电极狭缝的像素电极。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该绝缘本体还具有多条分别沿彼此相互垂直的一第一方向与一第二方向间隔分布于该绝缘本体且彼此为电性绝缘的扫描电极线与数据电极线，且所述本体凹槽的延长方向与该扫描电极线或数据电极线的锐角夹角β介于35度～55度之间。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述本体凹槽的深度介于
且该每一个本体凹槽具有一个底壁面，及一个与该底壁面连接且向上延伸的侧壁面，该底壁面与该侧壁面的夹角α介于90度～120度之间。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：该绝缘本体还具有多个将所述本体凹槽隔离的隔离壁，该像素电极定义出至少一个图案区，且该像素电极还具有多个由透明导电材料构成的第一电极部，所述第一电极部分别形成在该底壁面，所述电极狭缝分别形成于所述隔离壁的顶面，且所述电极狭缝的一端为紧邻该图案区边缘或延伸至该图案区边缘。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于：所述电极狭缝为长度不小于2μm的平行四边形或梯形等几何图形，所述电极狭缝的延长方向与该与该扫描电极线或数据电极线的锐角夹角γ介于35～55度，且任一个第一电极部与相邻的电极狭缝的宽度比值介于0.5～2之间。
6.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：该像素电极还具有多个对应形成于该侧壁面的第二电极部。
7.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：该像素电极还具有多个形成于该隔离壁顶面的第三电极部。
8.如权利要求2或5所述的液晶显示装置，其特征在于：该锐角夹角β与该锐角夹角γ分别介于40～50度之间。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该绝缘本体还具有一个沿该绝缘本体边缘形成的周边区，且所述本体凹槽为形成于该周边区。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：该绝缘本体还具有一个被该周边区包围的中心区，所述本体凹槽为沿伸至该中心区，且所述延伸至该中心区的本体凹槽为部分连通或完全连通。
11.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该每一个像素电极还具有至少一条沿一第一方向沿伸的第一支干及至少一条沿一第二方向沿伸并与该第一支干相交的第二支干，且该第一、二支干共同将该像素电极定义出多个图案区。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：该第一、二支干的宽度分别介于3～10μm之间。
13.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该第一、二支干的宽度分别介于3～10μm之间。
14.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：该液晶显示装置还包含一层由绝缘材料构成并填置于所述本体凹槽的填充层。
15.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：至少两个位于该像素电极相邻两侧边的电极狭缝彼此连通。
16.一种导电基板的制作方法，该导电基板是用于液晶显示装置具有薄膜晶体管的基板，包含：步骤a，准备一基板，该基板具有一透明的基材、一形成于该基材其中一表面的绝缘本体、多个分别沿彼此相垂直的一第一方向与一第二方向间隔分布于该绝缘本体且彼此为电性绝缘的扫描电极线与数据电极，且该绝缘本体具有一邻近该绝缘本体边缘的周边区；步骤b，于该绝缘本体表面形成一光阻层，并准备一灰度光掩模，该灰度光掩模具有多个对应该绝缘本体欲形成导通孔位置的第一图案和第二图案，及多个对应于周边区位置的第三图案，且所述第一、二图案和第三图案具有不同的透光度，接着以光刻方式并配合该灰度光掩模，将对应所述第一、二图案位置的光阻移除至该绝缘本体露出，并将对应所述第三图案的光阻部分移除，令该光阻层形成一具有不同厚度的掩模图案；步骤c，以该掩模图案为蚀刻掩模对该本体进行蚀刻，令该绝缘本体于对应所述第一、二图案位置形成多个导通孔，并同时令该绝缘本体于对应所述第三图案的位置形成多个彼此间隔的本体凹槽，及多个隔离所述本体凹槽的隔离壁，且所述导通孔与所述本体凹槽的深度不同，得到一半成品；及步骤d，于该半成品表面形成一由透明导电材料构成的导电层，再配合光刻蚀刻将部分导电层移除，令该导电层形成多个像素电极，且该每一个像素电极具有多个电极狭缝。
17.如权利要求16所述的导电基板的制作方法，其特征在于：该步骤c形成的该每一个本体凹槽具有一底壁面及一与该底壁面连接并向上延伸的侧壁面，该侧壁面与该底壁面的夹角α介于90度～120度之间，且所述本体凹槽的深度介于
18.如权利要求16所述的导电基板的制作方法，其特征在于：该绝缘本体还具有一被该周边区包围的中心区，该步骤(c)形成的所述本体凹槽为自该周边区并延伸至该中心区，且所述延伸至该中心区的本体凹槽为部分或完全连通。
19.如权利要求16所述的导电基板的制作方法，其特征在于：该制作方法还包含一实施于该步骤d之后的步骤e，于所述本体凹槽形成一层由绝缘材料构成的填充层。
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