CN108064415A - 阵列基板制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板制作方法，包括在基板(10)上形成电路薄膜晶体管(11)与像素薄膜晶体管(12)；形成覆盖电路薄膜晶体管(11)及像素薄膜晶体管(12)的绝缘层(13)及覆盖绝缘层(13)的平坦层(14)；通过带有半透膜的半色调掩膜(20)图案化所述平坦层(14)，在平坦层(14)上形成像素定义区(141)及孔定义区(142)；蚀刻孔定义区(142)形成与像素薄膜晶体管(12)的源电极(123)和漏电极(124)中之一连通的过孔(143)；在像素定义区(141)上形成电连接到所述像素薄膜晶体管(12)的源电极(123)和漏电极(124)中之一的像素电极(15)；在平坦层(14)上形成支撑层(17)。

Description

阵列基板制作方法
技术领域
本发明涉及液晶面板制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板制作方法。
背景技术
现有低温多晶硅基板的氧化物半导体TFT(Thin Fi lm Trans istor，薄膜晶体管)器件在制作过程中，制程均是PV(pass ivat ion)完后进行PNL(planarizat ion，平坦层)的成膜图案化制作，然后进行PE(pixel electrode)的成膜图案化制作，再下一步进行PDL(pixel des ign layer，像素定义层)的成膜图案化制作，三道制程需要三道光罩，光罩次数多会增加生产成本。
发明内容
基于上述问题，本申请提供一种阵列基板制作方法，减小阵列基板光罩次数，节省生产成本。
本申请所述的阵列基板制作方法，包括，在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管均包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；
形成覆盖所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管的绝缘层及覆盖所述绝缘层的平坦层；
通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区；
蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；
在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极；
在所述平坦层上形成支撑层。
其中，所述步骤通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区，包括：提供包括遮光区、全透区及半透区的所述半色调掩膜，
光罩所述半色调掩膜在所述平坦层上定义出所述像素定义区及孔定义区的图案；其中半透区对应位置形成所述像素定义；
去除半色调掩膜并通过显影在所述平坦层上形成所述像素定义区及孔定义区。
其中，所述步骤蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；包括干蚀刻所述孔定义区对应的所述绝缘层，形成贯穿所述绝缘层的所述过孔。
其中，所述像素电极由覆盖像素定义区及所述过孔电连接所述像素薄膜晶体管的源和漏电极中之一。
其中，所述步骤在所述平坦层上形成覆盖所述像素电极边界的支撑层包括：
在所述平坦层上形成有机绝缘层，
通过图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层。
其中，所述步骤在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极，是通过图案化构图工艺图案化形成于所述平坦层及像素定义区内的像素电极材料层构成。
其中，所述图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层中的光罩为半色调掩膜光罩方式。
其中，所述步骤在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；包括：
在所述基板上定义电路区域和像素区域；
对应所述电路区域和像素区域分别形成所述电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管的栅极电连接所述像素薄膜晶体管的源电极与漏电极中的之一。
其中，所述像素定义区位正投影部分覆盖所述像素薄膜晶体管。
其中，所述支撑层覆盖所述像素电极两侧边界。
其中，所述在基板上形成的电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管用于控制同一个像素发光，其中，电路薄膜晶体管个数为至少一个和/或像素薄膜晶体管个数为至少一个。
本申请阵列基板制作方法在通过一道光罩工艺形成平坦层及像素定义区，然后再形成支撑层，相较于现有技术通过两道光罩工艺分别制作平坦层的过孔及像素定义区节省了一道光罩，进而节省了加工流程及成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例的阵列基板制作方法的流程图。
图2至图7是本申请阵列基板制作方法的各个步骤截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本申请实施例涉及的阵列基板制作方法用于形成低温多晶硅基板可以为但不限于手机、电脑、显示器或电子阅读器等OLED液晶显示器中，本申请实施例此不作具体限定。
本申请所述的阵列基板制作方法，包括：
请参阅图1与图2，步骤S1，在基板10上形成电路薄膜晶体管11与像素薄膜晶体管12。所述电路薄膜晶体管11均包括半导体层111、栅电极112、源电极113和漏电极114；所述像素薄膜晶体管12包括半导体层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。
具体的，本步骤包括，第一步，在所述基板10上的像素单元中定义电路区域和像素区域(图未示)。第二步，对应所述电路区域和像素区域分别形成所述电路薄膜晶体管11与像素薄膜晶体管12；其中，所述电路薄膜晶体管11的栅极112电连接所述像素薄膜晶体管12的源电极123与漏电极124中的之一。本步骤中，电路薄膜晶体管11与像素薄膜晶体管12的形成使用传统的图案化构图工艺，如成膜、曝光、显影、蚀刻等，在此不做赘述。需要说明的是，所述在基板10上形成的电路薄膜晶体管11与像素薄膜晶体管12是用于控制同一个像素，其中，电路薄膜晶体管11个数为至少一个和/或像素薄膜晶体管12个数为至少一个，也就是说根据设计需要，电路薄膜晶体管11为一个，像素薄膜晶体管12为多个(包括两个及两个以上)，或者像素薄膜晶体管12为一个、电路薄膜晶体管11为多个(包括两个及两个以上)；或者电路薄膜晶体管11与像素薄膜晶体管12均为多个。本实施例中的像素仅以一个电路薄膜晶体管11和一个像素薄膜晶体管12为例进行说明制造方法。
请参阅图3，步骤S2，形成覆盖所述电路薄膜晶体管11及像素薄膜晶体12的绝缘层13及覆盖所述绝缘层13的平坦层14。具体的，在所述电路薄膜晶体管11及像素薄膜晶体12上形成PV材料层，通过图案化PV材料层形成所述绝缘层13。在所述绝缘层13上涂布形成所述平坦层14，所述平坦层14远离基板10的表面为平面。
请参阅图4，步骤S3，通过带有半透膜的半色调掩膜20图案化所述平坦层14，在所述平坦层14上形成像素定义区141及孔定义区142。具体包括：
提供包括遮光区21、全透区22及半透区23的所述半色调掩膜20，
光罩所述半色调掩膜20在所述平坦层14上定义出所述像素定义区及孔定义区的图案；其中半透区23对应位置形成所述像素定义；全透区22对应位置形成孔定义区。
去除半色调掩膜并通过显影在所述平坦层14上形成所述像素定义区141及孔定义区142。其中孔定义区142贯穿所述平坦层14并露出所述绝缘层。也就是说通过一道光罩工艺形成像素定义区141及孔定义区142，相较于传统的制造方法，节省了一道光罩工艺。所述像素定义区141位正投影部分覆盖所述像素薄膜晶体管12。
请参阅图5，步骤S4，蚀刻所述孔定义区142形成与所述像素薄膜晶体管12的源极123和漏电极124中之一连通的过孔143。具体的，通过干蚀刻所述孔定义区142对应的所述绝缘层13，形成贯穿所述绝缘层13的露出源极123的所述过孔143。
请参阅图6与图7，步骤S5，在像素定义区141上形成电连接到所述像素薄膜晶体管12的源电极123和漏电极124中之一的像素电极15；具体是通过图案化构图工艺图案化形成于所述平坦层14及像素定义区141内的像素电极材料层构成像素电极15。所述像素电极15通过所述过孔143电连接到所述像素薄膜晶体管12的源电极123。具体为所述像素电极15覆盖像素定义区141及过孔143内部与源电极123。
请参阅图7，步骤S6，在所述平坦层14上形成支撑层17。具体包括：在所述平坦层14上形成有机绝缘层，通过图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层17。本步骤中所述图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层17中的光罩为半色调掩膜光罩方式，也可以是采用光阻层光罩形成。所述支撑层17覆盖所述像素电极15两侧边界。
需要说明的是，本申请制造方法中是以阵列基板中的一个电路薄膜晶体管11、一个像素薄膜晶体管12对应的结构为例进行说明，阵列基板中的所有电路薄膜晶体管、像素薄膜晶体管及像素电极均可通过本方法实现。
本申请阵列基板制作方法在通过一道光罩工艺形成平坦层及像素定义区，然后再形成支撑层，相较于现有技术通过两道光罩工艺分别制作平坦层的过孔及像素定义区节省了一道光罩，进而节省了加工流程及成本。
以上所述是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括，在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管均包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；
形成覆盖所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管的绝缘层及覆盖所述绝缘层的平坦层；
通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区；
蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；
在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极；
在所述平坦层上形成支撑层。
2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区，包括：提供包括遮光区、全透区及半透区的所述半色调掩膜，
光罩所述半色调掩膜在所述平坦层上定义出所述像素定义区及孔定义区的图案；其中半透区对应位置形成所述像素定义；
去除半色调掩膜并通过显影在所述平坦层上形成所述像素定义区及孔定义区。
3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；包括干蚀刻所述孔定义区对应的所述绝缘层，形成贯穿所述绝缘层的所述过孔。
4.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素电极由覆盖像素定义区及所述过孔电连接所述像素薄膜晶体管的源和漏电极中之一。
5.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在所述平坦层上形成覆盖所述像素电极边界的支撑层包括：
在所述平坦层上形成有机绝缘层，
通过图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层。
6.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极，是通过图案化构图工艺图案化形成于所述平坦层及像素定义区内的像素电极材料层构成。
7.如权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层中的光罩为半色调掩膜光罩方式。
8.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；包括：
在所述基板上定义电路区域和像素区域；
对应所述电路区域和像素区域分别形成所述电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管的栅极电连接所述像素薄膜晶体管的源电极与漏电极中的之一。
9.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素定义区位正投影部分覆盖所述像素薄膜晶体管。
10.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述支撑层覆盖所述像素电极两侧边界。
11.如权利要求1-10任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成的电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管用于控制同一个像素发光，其中，电路薄膜晶体管个数为至少一个和/或像素薄膜晶体管个数为至少一个。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101556417A (zh) * 2008-04-11 2009-10-14 北京京东方光电科技有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板结构及其制造方法
CN103151305A (zh) * 2013-02-28 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置
CN103323993A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置及导电基板的制作方法
CN103984147A (zh) * 2014-05-04 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板及其制作方法
CN104022138A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104538357A (zh) * 2015-01-13 2015-04-22 合肥京东方光电科技有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105336763A (zh) * 2015-11-26 2016-02-17 Tcl集团股份有限公司 一种发光显示器及其制备方法
CN105390505A (zh) * 2015-11-05 2016-03-09 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105470282A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 Tcl集团股份有限公司 一种无像素bank的TFT-OLED及制备方法
CN105549269A (zh) * 2016-02-18 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板
CN106098701A (zh) * 2016-06-30 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100919184B1 (ko) * 2002-12-30 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN102543867A (zh) * 2012-03-08 2012-07-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法
CN105068373B (zh) * 2015-09-11 2019-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101556417A (zh) * 2008-04-11 2009-10-14 北京京东方光电科技有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板结构及其制造方法
CN103323993A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置及导电基板的制作方法
CN103151305A (zh) * 2013-02-28 2013-06-12 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置
CN104022138A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103984147A (zh) * 2014-05-04 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板及其制作方法
CN104538357A (zh) * 2015-01-13 2015-04-22 合肥京东方光电科技有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
CN105390505A (zh) * 2015-11-05 2016-03-09 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105470282A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 Tcl集团股份有限公司 一种无像素bank的TFT-OLED及制备方法
CN105336763A (zh) * 2015-11-26 2016-02-17 Tcl集团股份有限公司 一种发光显示器及其制备方法
CN105549269A (zh) * 2016-02-18 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 配向膜厚度均一性的优化方法及液晶显示面板
CN106098701A (zh) * 2016-06-30 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置

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